JP6305426B2 - Ｅｕｖリソグラフィ装置用ビーム搬送装置 - Google Patents

Description

（関連出願の相互参照）
本出願は、２０１２年１２月２０日に出願された米国特許仮出願第６１／７４０，４３９号の利益を主張し、参照によりその全体が本明細書に引用される。

（分野）
本発明は、リソグラフィ装置および特にレーザビームをＥＵＶリソグラフィ装置のレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）光源である燃料源に搬送するビーム搬送装置に関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板、通常は基板のターゲット部分に転写する機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。この場合、例えばマスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスが、集積回路の個々の層に形成されるべき回路パターンを形成するために使用されうる。このパターンが基板（例えばシリコンウェハ）の（例えばダイの一部、あるいは１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分に転写される。パターン転写は典型的には基板に形成された放射感応性材料（レジスト）層への結像による。一般に、一枚の基板にはネットワーク状に隣接する一群のターゲット部分が含まれ、これらは連続的に露光される。

リソグラフィは、ＩＣ及び他のデバイス及び／または構造の製造において重要なステップの一つとして広く認識されている。しかしながら、リソグラフィを使用して作成されるフィーチャの寸法が小さくなるにつれて、リソグラフィは、小型ＩＣまたは他のデバイス及び／または構造の製造を可能とするためのより重要な要素となってきている。
パターン印刷の限界の理論推定値は、式（１）に示すレイリーの解像限界によって与えられる。

ここで、λは使用される放射の波長、ＮＡはパターン印刷に用いられる投影系の開口数、ｋ_１はプロセス依存の調整係数（レイリー定数とも呼ばれる）、ＣＤは印刷されるフィーチャのフィーチャサイズ（またはクリティカルディメンジョン）である。式（１）から、フィーチャの印刷可能な最小サイズを三つの方法で低下させられることが分かる。すなわち、露光波長λの短縮、開口数ＮＡの増加、またはｋ_１値の減少である。

露光波長を短縮し、さらに印刷可能な最小サイズを小さくするために、極端紫外（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されてきた。ＥＵＶ放射は、５〜２０ｎｍの範囲内（例えば１３〜１４ｎｍの範囲内）の波長を有する電磁放射である。１０ｎｍ未満（例えば６．７ｎｍや６．８ｎｍなど５〜１０ｎｍの範囲内）の波長を有するＥＵＶ放射を使用することがさらに提案されている。このような放射は、極紫外放射または軟Ｘ線放射と呼ばれる。考えられる放射源には、例えば、レーザ生成プラズマ光源、放電プラズマ光源、または電子貯蔵リングにより提供されるシンクロトロン放射に基づく放射源が含まれる。

ＥＵＶ放射は、プラズマを用いて生成することができる。ＥＵＶ放射を生成する放射系は、燃料を励起してプラズマを提供するレーザと、プラズマを収容するための放射源コレクタ装置とを備えてもよい。例えば、適切な材料（例えばスズ）の粒子、あるいは、ＸｅガスまたはＬｉ蒸気などの適切なガスまたは蒸気の流れである燃料にレーザビームを向けることによって、プラズマを生成することができる。結果として生じたプラズマは出力放射（例えばＥＵＶ放射）を発し、これは放射コレクタを用いて収集される。放射コレクタは、鏡面仕上げされた垂直入射放射コレクタであってよく、これは放射を受け取りその放射をビームへと合焦させる。放射源コレクタ装置は、真空環境を提供してプラズマをサポートするように構成された閉鎖構造またはチャンバを備えてもよい。このような放射系は、通常、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）光源と呼ばれる。

現在のＬＰＰ光源では、レーザが燃料に効率的に当たるよう軸方向にレーザビームを制御することが難しい可能性がある。

軸方向のレーザビームの制御を単純化することが望ましい。

本発明の第１の態様は、レーザ生成プラズマ光源のためのビーム搬送装置を提供する。この装置は、放射のビームを調整して、設定可能（configurable）なビーム直径を有する調整ビームを出力する可変ズーム光学素子と、放射の調整ビームをプラズマ発生場所に導く複数のミラーと、を備える。

本発明の別の態様は、プラズマ発生場所において、ビームの焦点位置に対して、ビームが特定の直径を有する軸方向位置を制御する方法を提供する。放射のビームはその光軸に沿って不均一な直径を有する。この方法は、調整ビームを得るために可変ズーム光学素子にビームを通すことと、調整ビームをプラズマ発生場所に導くことと、可変ズーム光学素子を用いて、ビームの焦点位置に対して、ビームが特定の直径を有する軸方向位置を制御することと、を備える。

本発明のさらなる特徴、効果は、本発明のさまざまな実施形態の構成及び作用とともに添付の図面を参照して以下に詳細に説明される。本発明は、本明細書に記載された特定の実施形態に限定されないことを留意されたい。これらの実施形態は、単に説明のみを目的として本明細書に示されている。本明細書に含まれる技術に基づくさらなる実施形態は、当業者にとって明らかであろう。

添付の図面は、ここに組み込まれ且つ本明細書の一部を構成しているが、詳細な説明とともに本発明を説明しており、さらに本発明の原理を説明し、当業者が本発明を利用するのに役立つものである。本発明の実施形態が添付の図面を参照して説明されるがこれらは例示に過ぎない。

反射投影光学系を有するリソグラフィ装置を概略的に示す図である。

図１の装置をより詳細に示す図である。

図１および図２の装置におけるＬＰＰ放射源の別の構成を示す図である。

燃料の液滴がプレパルスレーザおよびメインレーザにより励起される構成の概略図である。

本発明の実施形態に係る装置を概略的に示す図である。

本発明の特徴および効果は、図面とともに以下の詳細な説明から明らかになる。図面では、類似の参照文字は、明細書全体を通して対応する構成要素を特定する。図面において、類似の参照番号は、通常、同一の、機能的に類似、および／または構造的に類似の構成要素を示す。

本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ一つ以上の実施形態を開示している。開示された実施形態は、単に本発明の例示に過ぎない。本発明の範囲は、開示された実施形態に限られない。本発明は、この文書に添付された特許請求の範囲によって定義される。

本明細書において「一実施形態」、「実施形態の一実施例」とは、説明した実施形態が特定のフィーチャ、構造、または特徴を含んでいてもよいことを表すが、すべての実施形態がその特定のフィーチャ、構造、または特徴を必ずしも含んでいるわけではない。さらにまた、上記のフレーズは必ずしも同じ実施形態を指すものではない。さらに、特定のフィーチャ、構造、または特徴を一実施形態に関して説明するとき、明示的に説明しようがしまいが、他の実施形態に関してそのような特定のフィーチャ、構造、または特徴を作用させることは、当業者の知識の範囲内であるとして理解すべきである。

本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはそれらの組み合わせで実現されてもよい。本発明の実施形態は、また、一つ以上のプロセッサにより読み込まれ、実行されるコンピュータ読み取り可能媒体に記憶されたインストラクションとして実現されてもよい。コンピュータ読み取り可能媒体は、機械により読み取り可能な形式の情報を記憶または伝送するメカニズムを含んでもよい（例えば、コンピュータデバイス）。例えば、コンピュータ読み取り可能媒体は、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）；ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）；磁気ディスク記憶媒体；光記憶媒体；フラッシュメモリ装置；電気的、光学的、音響的またはその他の形式の伝搬信号などである。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、インストラクションは、特定の動作を実行できるものとして、ここで説明されてもよい。しかしながら、このような説明は、単に便宜上のためだけであり、このような動作は、実際は、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、インストラクションなどを実行するコンピュータデバイス、プロセッサ、コントローラ、その他のデバイスによって生じるものであると理解すべきである。

しかしながら、このような実施形態をより詳細に説明する前に、本発明の実施形態を実装可能である例示的な環境を提示することが有益である。

図１は、本発明の実施形態に係る放射源コレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置ＬＡＰを模式的に示す。リソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調整するよう構成された照明系（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスクまたはレチクル）ＭＡを支持するよう構成されるとともに、パターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成された第１位置決め装置ＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコーティングされたウェハ）Ｗを保持するとともに基板を正確に位置決めするよう構成された第２位置決め装置ＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃに投影するよう構成された投影系（例えば反射投影系）ＰＳとを備える。

照明系は、屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、あるいは他の種類の光学素子などの各種の光学素子、またはこれらの組合せを含み得るものであり、放射の向きや形状を整え、あるいは放射を制御するためのものである。

支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、及び例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されるか否か等のその他の条件に応じた方式で、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造は、機械的固定、真空固定、静電固定、またはパターニングデバイスを保持するその他の固定技術を用いてもよい。支持構造は、例えばフレームまたはテーブルであってよく、これらは固定されていてもよいし必要に応じて移動可能であってもよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影系に対して所望の位置にあることを保証してもよい。

「パターニングデバイス」なる用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するために放射ビーム断面にパターンを与えるのに使用される何らかのデバイスを表すと広義に解釈すべきである。放射ビームに付与されたパターンは、ターゲット部分に生成される集積回路等のデバイスにおける特定の機能層に対応していてよい。

パターニングデバイスは、透過型であってもよいし、反射型であってもよい。パターニングデバイスの実施例には、マスクやプログラム可能ミラーアレイ、プログラム可能ＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、減衰型位相シフトマスク、さらには多様なハイブリッド型マスクが含まれる。プログラム可能ミラーアレイは例えば、小型ミラーのマトリックス配列で構成される。各ミラーは、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個別的に傾斜可能である。傾斜したミラーは、ミラーマトリックスにより反射された放射ビームにパターンを付与する。

投影系は、照明系のように、使用される露光放射に応じて、あるいは真空の使用等のその他の要因に応じて適切とされる、例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、または他の種類の光学素子、あるいはこれらの組合せなどの様々な種類の光学素子を含んでよい。ＥＵＶ放射に対しては真空を用いることが望ましい。他のガスは過剰に放射を吸収する可能性があるからである。それ故、真空壁および真空ポンプを用いて全ビーム経路に真空環境が与えられてもよい。

本明細書で示すように、本装置は反射型（例えば反射マスクを採用する）である。

リソグラフィ装置は２つ以上（２つの場合にはデュアルステージと呼ばれる）の基板テーブル（及び／または２つ以上のマスクテーブル）を備えてもよい。こうした多重ステージ型の装置においては、複数のテーブルは並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブルが露光のために使用されている間に、１以上の他のテーブルで準備工程が実行されるようにしてもよい。

図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源モジュールＳＯから極端紫外放射ビームを受け取る。ＥＵＶ光を生成する方法には、ＥＵＶ範囲内で一つ以上の輝線を持つ例えばキセノン、リチウムまたはスズなどの少なくとも一つの元素を有する材料をプラズマ状態に変換することが含まれるが、これに限定する必要はない。そのような一つの方法（しばしばレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）と呼ばれる）では、必要な輝線元素を有する材料の液滴、ストリームまたはクラスターなどの燃料をレーザビームで照射することによって、必要なプラズマを発生させることができる。放射源モジュールＳＯは、図１には示されていない、燃料を励起するレーザビームを提供するためのレーザを備えるＥＵＶ照射システムの一部であってもよい。得られたプラズマは、例えばＥＵＶ放射である出力放射を発し、放射源モジュール内に配置された放射コレクタを使用して放射が集められる。例えばＣＯ_２レーザを使用して燃料を励起するレーザビームを提供するとき、レーザと放射源モジュールは別個の存在であってもよい。

このような場合、レーザはリソグラフィ装置の一部を形成するとはみなされず、例えば適切な指向ミラー及び／またはビームエキスパンダを備えるビーム搬送系の助けを借りて、レーザから放射源モジュールへと放射ビームを通過させる。他の場合では、例えば光源が放電生成プラズマＥＵＶジェネレータ（しばしばＤＰＰ源と呼ばれる）であるとき、光源は放射源モジュールの一体部品であってもよい。

イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するアジャスタを備えてもよい。一般には、イルミネータの瞳面における照度分布の少なくとも外径及び／または内径の値（通常それぞれ「σｏｕｔｅｒ」、「σｉｎｎｅｒ」と呼ばれる）を調整することができる。加えてイルミネータＩＬは、ファセットフィールド（facetted field）及び瞳ミラーデバイスなどの様々な他の部品を備えてもよい。イルミネータはビーム断面における所望の均一性及び照度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。

放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されているパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、当該パターニングデバイスによりパターンが付与される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後に、放射ビームＢは投影系ＰＳを通過する。投影系ＰＳはビームを基板Ｗの目標部分Ｃに合焦させる。第２ポジショナＰＷと位置センサＰＳ２（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）の助けを借りて、基板テーブルＷＴは正確に移動され、放射ビームＢの経路に異なる複数の目標部分Ｃを位置決めする。同様に、第１ポジショナＰＭ及び別の位置センサＰＳ１を使用して、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めすることができる。マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ及び基板Ｗを位置合わせすることができる。

図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも一つで使用することができる。

１．ステップモードでは、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回の照射で一つの目標部分Ｃに投影される間、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは実質的に静止状態とされる（すなわち１回の静的な露光）。そして基板テーブルＷＴがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。

２．スキャンモードでは、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期して走査される（すなわち１回の動的な露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影系ＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。

３．別のモードでは、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、基板テーブルＷＴは移動または走査される。パルス放射源が用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは走査中に基板テーブルＷＴが移動するたびに、または連続する放射パルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上記のプログラム可能ミラーアレイなどのプログラム可能パターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに直ちに適用することができる。

上記のモードを組み合わせて動作させてもよいし、モードに変更を加えて動作させてもよく、さらに全く別のモードを用いてもよい。

図２は、放射系４２、照明系ＩＬおよび投影系ＰＳを含むリソグラフィ装置の実施形態をより詳細に示す。図２に示す放射系４２は、放射源としてレーザ生成プラズマを用いるタイプである。ＥＵＶ放射は、電磁スペクトルのＥＵＶ帯の放射を放出するよう非常に高温のプラズマが生成された、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気またはＳｎ蒸気などのガスまたは蒸気によって生成されてよい。非常に高温のプラズマは、例えばＣＯ_２レーザ光を用いた光学的励起により少なくとも部分的にイオン化されたプラズマ（不完全電離プラズマ）を生じさせることにより生成される。例えば分圧１０ＰａのＸｅ，Ｌｉ，Ｓｎ蒸気または他の適切なガスまたは蒸気が、放射の十分な発生に必要とされる。一実施形態では、ＥＵＶ帯の放射を出射するためにＳｎが用いられる。

放射系４２は、図１の装置において放射源ＳＯの機能を具体化している。放射系４２は、放射源チャンバ４７を備える。放射源チャンバ４７は、本実施形態ではＥＵＶ放射の放射源を実質的に含んでいるだけでなく、コレクタミラー５０（図２の実施例では例えば多層膜ミラー等の法線入射コレクタである）も含んでいる。

ＬＰＰ放射源の一部として、レーザ系６１（以下で、より詳細に説明する）が構成されており、レーザビーム６３を供給するよう配置されている。レーザビーム６３は、ビーム搬送系６５により搬送され、コレクタミラー５０に設けられたアパーチャ６７を通過する。また、放射系は、ＳｎまたはＸｅ等のターゲット材６９を含む。このターゲット材６９は、ターゲット材供給部７１により供給される。本実施形態では、ビーム搬送系６５は、実質的に所定のプラズマ位置７３上にフォーカスされるビーム経路を構築するよう配置される。

作動中、ターゲット材６９（燃料とも称される）は、液滴の状態でターゲット材供給部７１により供給される。このようなターゲット材６９の液滴がプラズマ形成位置７３に到達すると、レーザビーム６３が液滴に作用し、放射源チャンバ４７内でＥＵＶ放射放出プラズマが生じる。パルスレーザの場合、これは、プラズマ位置７３を通る液滴の通過と同時になるようレーザ放射のパルスをタイミング調整することを含む。説明したように、燃料は例えばキセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）またはリチウム（Ｌｉ）であってよい。これらは、数十ｅＶの電子温度で高度にイオン化されたプラズマを生成する。高エネルギーのＥＵＶ放射は、例えばＴｂおよびＧｄ等の他の燃料材で生成されてもよい。これらのイオンの脱励起と再結合の間に生成されたエネルギー放射は、プラズマ位置７３でプラズマから放出される所望のＥＵＶ放射を含む。プラズマ形成位置７３およびアパーチャ５２は、それぞれコレクタミラー５０の第１焦点および第２焦点に位置し、ＥＵＶ放射は、法線入射コレクタ５０により中間焦点ＩＦ上にフォーカスされる。

放射源チャンバ４７から放出される放射ビームは、図２で放射ビーム５６で示されるように、いわゆる法線入射リフレクタ５３，５４を経由して照明系ＩＬを横断する。法線入射リフレクタは、ビーム５６を支持構造ＭＴ上に位置するパターニングデバイス（例えばレチクルまたはマスク）上に導く。パターン形成ビーム５７が形成される。このパターン形成ビーム５７は、反射素子５８，５９を経由して投影系ＰＳにより、ウェハステージまたは基板テーブルＷＴにより運ばれる基板上に結像される。通常、図示よりも多くの素子が照明系ＩＬおよび投影系ＰＳに存在してよい。例えば、図２に示す２つの素子５８および５９よりも、１つ、２つ、３つ、４つまたはそれ以上の反射素子が存在してよい。コレクタ５０と類似の放射コレクタは、従来技術から知られている。

当業者であれば分かるように、基準軸Ｘ，ＹおよびＺは装置、その種々の構成要素、および放射ビーム５５，５６，５７の配置および動作を計測および表すために規定されている。装置のそれぞれの一部において、Ｘ，ＹおよびＺ軸の局所的な基準座標形が規定されてもよい。Ｚ軸は、システムの任意の点において光軸Ｏの方向と大まかに一致し、パターニングデバイス（レチクル）ＭＡの面に概して垂直であり、基板Ｗの面に対して垂直である。放射源コレクタモジュール４２において、Ｘ軸は、燃料流（６９，後述する）の方向と大まかに一致し、Ｙ軸はそれに対して直交しており、図３に示すようにページから出る方向である。一方、レチクルＭＡを保持する支持構造ＭＴの近くでは、Ｘ軸は通常、Ｙ軸に沿った走査方向を横切っている。便宜上、図２の概念図のこの領域では、再度マークが付けられているように、Ｘ軸はページから出る方向である。これらの指定は、当技術分野で慣行であり、本明細書でも便宜上採用する。原則として、装置およびその動作を説明するために、任意の基準座標形を選択することができる。

望まれるＥＵＶ放射に加えて、プラズマは、例えば可視帯、ＵＶ帯およびＤＵＶ帯などの他の波長の放射を生成する。レーザビーム６３からは、ＩＲ放射も存在する。非ＥＵＶ波長は、照明系ＩＬおよび投影系ＰＳでは望まれておらず、様々な手段が非ＥＵＢ放射を遮断するために配置されてよい。図２に概略的に示されるように、透過型ＳＰＦが仮想の放射源点ＩＦの蒸留に適用されてもよい。このようなフィルタに代えて又は加えて、他の光学素子にフィルタ機能が組み込まれてもよい。例えば、仮想放射源点ＩＦから離れるよう長いＩＲ放射をそらすよう調整された回折構造を設けることにより、コレクタ５０および／またはミラー５３，５４等に回折フィルタが組み込まれてもよい。ＩＲ，ＤＵＶおよび他の不要な波長のためのフィルタは、従って、放射源モジュール（放射系４２）、照明系ＩＬおよび／または投影系ＰＳ内において、ビームの経路５５，５６，５７に沿った一つ以上の位置に設けられてよい。

図３は、図２で説明したものの代わりに用いることのできる別のＬＰＰ放射源構成を示す。主な違いは、メインパルスレーザビームが中間焦点ＩＦの方向から燃料液滴上に導かれ、集められたＥＵＶ放射は、大まかにメインレーザパルスが受光された方向に出射される。図３は、メインレーザ３０が少なくとも一つの光学素子（レンズまたは折り畳みミラー）３３を経由してプラズマ発生部位に搬送されたメインパルスビーム３１を放出する様子を図示している。ＥＵＶ放射３４は、例えば放電生成プラズマ（ＤＰＰ）放射源で用いられるようなグレージング入射コレクタ３５により集光される。また、デブリトラップ（debris trap）３６が図示されている。このデブリトラップ３６は、一つ以上の静止フォイルトラップ（foil trap）および／または回転フォイルトラップと、プレパルスレーザビーム３８を放出するプレパルスレーザ３７とを備えてよい。

例えば液体スズなどの燃料を供給するために、液滴発生器またはターゲット材供給部７１が放射源チャンバ４７内に配置され、プラズマ形成位置７３に向かう液滴の流れを放つ。作動中、ターゲット材供給部７１の動作と同時にレーザビーム６３が供給され、放射のインパルスが供給されて燃料液滴のそれぞれがプラズマに変化する。液滴の供給周波数は、数キロヘルツ、あるいはさらに数十または数百キロヘルツであってよい。実際には、レーザビーム６３は、少なくとも２つのパルスでレーザ系６１により供給されてよい。エネルギーが制限されたプレパルスＰＰは、燃料材を小雲に気化させるために（または燃料材を平らな「パンケーキ」形状に変形するために）プラズマ位置に到達する前に液滴に供給される。その後、レーザエネルギーのメインパルスＭＰが所望の位置で小雲に供給され、プラズマを発生させる。典型的な実施例では、プラズマの直径は約０．２〜０．５ｍｍである。トラップ７２は、囲み構造４７の反対側に設けられており、何らかの理由によりプラズマに変化しない燃料を捕らえる。

レーザ系６１をより詳細に述べると、図示の実施例のレーザは、ＭＯＰＡ(Master Oscillator Power Amplifier) 型である。レーザ系６１は、「マスタ」レーザまたは「シード」レーザを含む。これらは図においてＭＯが付されており、続いて、レーザエネルギーのメインパルスを拡大された液滴の雲に向けて放つためのパワーアンプ系ＰＡ、およびプレパルスレーザエネルギーを液滴に向けて放つプレパルスレーザが設けられている。ビーム供給系２４は、レーザエネルギー６３を放射源チャンバ４７中に供給するよう設けられている。実際には、レーザエネルギーのプレパルス成分は、別のレーザにより供給されてもよい。レーザ系６１、ターゲット材供給部７１および他の構成要素は、制御モジュール２０により制御される。制御モジュール２０は、多くの制御機能を実行してよく、システムの様々な要素のために多くのセンサ入力および制御出力を有してよい。センサは、放射系４２の要素中およびその周囲に位置してよく、随意にリソグラフィ装置中の他の場所に位置してもよい。本発明の一実施形態では、メインパルスおよびプレパルスは、同じレーザから生じる。本発明の別の実施形態では、メインパルスおよびプレパルスは、互いに独立する異なるレーザから生じる。

制御部２０には多くの手段が適用される。このような手段は、仮想放射源点ＩＦが放射源チャンバ４７からの出口においてアパーチャ５２と整列していることをチェックするための監視を含む。ＬＰＰ放射源に基づくシステムでは、アライメントの制御は、通常、コレクタ光学素子５０を移動させることよりむしろ、プラズマ形成位置７３の場所を制御することにより達成される。コレクタ光学素子、出射アパーチャ５２および照明系ＩＬは、セットアップ処理の間に正確に位置合わせされ、その結果、アパーチャ５２はコレクタ光学素子の第２焦点に位置する。しかしながら、放射光学素子の出口においてＥＵＶ放射により形成される仮想放射源点ＩＦの正確な位置は、コレクタ光学素子の第１焦点と比較して、プラズマの正確な位置に依存している。アライメントを維持するのに十分正確にこの位置を固定することは、アクティブな監視および制御を必要とする。

この目的のために、この実施例の制御部２０は、燃料の噴射、およびまたレーザからの活性化パルスのタイミングを制御することにより、プラズマ７３（ＥＵＶ放射の放射源）の位置を制御してもよい。典型的な実施例では、レーザ放射６３の活性化パルスは、５０ｋＨｚの速度（２０μｓ周期）で供給され、一気に大体２０ｍｓから２０ｓ続く。各メインレーザパルスの持続時間は、結果として生じるＥＵＶ放射パルスと同じように、約０．１から０．２μｓであってよい。適切な制御により、ＥＵＶ放射ビームがコレクタ光学素子５０によりアパーチャ５２に正確に焦点合わせされる。これが達成されない場合、全てまたは一部のビームが囲み構造の周囲の構成要素に影響を与える。その場合、囲み構造に入射するＥＵＶ放射を吸収するために放熱機構を用いることができる。

現在の方式に従うと、制御モジュール２０は、一つ以上のセンサのアレイ（図示せず）から監視データが供給される。センサは、プラズマの位置に関する情報のための第１のフィードバック経路を提供する。このセンサは、様々なタイプのものであってよく、例えば、イントロダクションで述べたようなＵＳ２００５０２７４８９７Ａ１、これは全体が参照により本明細書に援用される、に記載されたようなものであってよい。センサは、放射ビーム経路に沿って二つ以上の位置に配置されてよい。センサは、単なる一例として、例えばフィールドミラーデバイス５３の周囲および／または後に配置されてもよい。今説明したセンサ信号は、照明系ＩＬおよび投影系ＰＳの光学系の制御のために用いることができる。センサ信号はまた、放射系４２の制御モジュール２０をアシストして、ＥＵＶプラズマ放射源７３の強度および位置を調整するために、フィードバック経路を経由して用いることができる。センサ信号は、例えば仮想放射源ＩＦの観測位置を決定するために処理することができ、これは、間接的に、ＥＵＶ放射源の位置を決定するために推定される。センサ信号により示されるように仮想放射源位置がドリフトした場合、制御モジュール２０によりアパーチャ５２内でビームが再び中心となるように修正が適用される。また、ビーム搬送系６５はミラーを含むことができる。レーザ系６１により放出されたメインパルスレーザは、ミラーに入射し、ミラーにより液滴に向けて導かれてもよい。センサは、ミラーの傾斜角度を監視するために、このようなミラーの近くに配置することができる。傾斜角度に関する関連監視データは、制御モジュール２０にフィードバックされる。制御モジュール２０は、センサからの関連監視データを用いて、アクチュエータＡＣをミラーの傾斜角度を調整するよう動作させる。これにより、非常に高い精度（２〜１０μｍ）で液滴上に位置合わせされたレーザビームを維持することができる。

照明系のセンサからの信号を完全に当てにするよりむしろ、より速く、直接的および／または自己完結した放射源の制御を提供するために、追加のセンサおよびフィードバック経路が通常、放射系４２それ自身に設けられる。このようなセンサは、例えばプラズマの位置を監視する一つ以上のカメラを含んでよい。この手段の組み合わせにより、ビーム５５の位置をアパーチャ５２中で維持でき、装置へのダメージを防ぐことができ、放射の有効利用が維持される。

プラズマの位置を監視することに加えて、照明系におけるセンサおよびレチクルレベルにおけるセンサは、ＥＵＶ放射の強度を監視し、フィードバックを制御モジュール２０に提供する。慣例的に、強度は例えばレーザパルスのエネルギーを調整することにより制御される。

コレクタ光学素子５０を通過した放射は、本実施例では中間焦点５２の近くに位置する透過型フィルタ（スペクトル純度フィルタＳＰＦ）を通過する。

レーザ光のプレパルスおよびレーザ光のメインパルスで順番にターゲット材を照射する構成を備えるＬＰＰ ＥＵＶ光放射源は、米国特許出願公開第ＵＳ２０１１／００１３１６６号に記載されており、その全体が参照により本明細書に援用される。レーザ光のプレパルスは、ターゲット材を加熱および拡大するのに役立ち、その後、レーザ光のプレパルスは、レーザ光のメインパルスが当たる位置に到達する。このような構成では、改善された変換効率を得ることができる。加熱および各区第されたターゲット材の液滴は、以下において液滴雲（droplet-cloud）または雲（cloud）とも称される。

図４は、ターゲット材６９の液滴が所定の事前調整（preconditioning）位置７３’に到達する構成を概略的に示す。事前調整位置７３’は、さらに遠い所定のプラズマ形成位置７３に対して、液滴の軌道の上流に位置している。使用時に、図２において所定の事前調整位置および所定のプラズマ形成位置の情報の位置より上流の位置から液滴を落下または放出することにより、例えばＳｎまたはＸｅ等のターゲット材６９の液滴が軌道に沿って移動する。このような液滴が所定の事前調整位置７３’に到達すると、液滴はプレパルスレーザ光ビーム８３’に衝突する。結果として生じる事前調整された（拡大された）液滴は、経路ＴＲに沿って、所定のプラズマ形成位置７３に到達するまで進み続け、プラズマ形成位置７３でメインパルスビーム８３に衝突する。

所定の事前調整位置７３’での相互作用は、液滴が所定のプラズマ形成位置７３に到達到達する前に、ターゲット材６９の液滴を加熱および拡大させる。ＥＵＶ放射が液滴から生成されるとき、これは変換効率に有利である。事前調整された液滴または雲を伴うＥＵＶ放射系は、従って、より多くのＥＵＶ放射を提供することが規定され、これにより、このＥＵＶ放射系が採用されたリソグラフィ装置のスループットを改善させる。

知られているように、レーザ放射ビームは、「ビームウエスト」として知られる位置に向けて次第に細くなり、その後再度広がる有限の断面積を有している。このビームウエストは、プラズマ位置の等しく反対側であるが、プラズマ位置７３のちょうど前に図示されている。テーパは、これらの図において大きく誇張されている。

２つのビームの２つの焦点位置は、プレパルスビーム８３’がレーザの焦点レンズの最高の焦点位置で液滴と衝突し、液滴が所定の直径（例えば２５０μｍ）を有する位置（すなわち、プラズマ形成位置７３）でメインパルスビーム８３が事前調整された拡大した液滴（典型的には円盤状）と衝突するように、互いに対して配置されるべきである。ＥＵＶ生成量を最大化するために、このプラズマ形成位置でのメインビームの直径は、事前調整液滴の直径よりも一回り大きくすべきである。例えば、メインパルスビーム８３の直径は、３５０μｍ、または液滴よりも４０％大きくてよい。より一般的には、ビームは液滴よりも５０％まで大きくてよく、場合によってはさらに大きくてもよい。この「過充填（overfill）」の理由は、２５０μｍの事前調整液滴から生成されたプラズマは、事前調整液滴のサイズよりも若干大きい（約４０％）ためである。この過充填はさらに、加熱されたディスクからレーザビームの直径の外側へ逃げる液滴の断片がなくなることを確実にする。これはスズ破片（tin debris）の形成を増大させるためである。別の実施形態では、プラズマ形成位置でのメインビームの直径は、事前調整液滴の直径とおよそ同じ（または類似）である。

メインビームおよびプレパルスビームの焦点をそれぞれに対して位置合わせするために、２つのビームは、独立して操作可能となるように、異なる経路を進むよう配置される。２つのビームのうち一方を移動することにより横方向の調整を加えることができる。しかしながら、２つのビーム経路のうち一方における光学素子をわずかに異なる屈折力を有する他方と置き換えることにより、任意の軸方向の移動が現在達成されている。素子が交換される必要があるので、このようなシステムのセットアップは、離散的な数の取り得る位置しか有していない非常に面倒なプロセスである。熱負荷が増大または減少する場合、焦点が互いに対してシフトする。これを補償するために、焦点調節素子を再度交換する必要があり、実行不可能な状況を引き起こす。

図５は、上記の課題を解決するレーザ構成を示す。図５は、レーザ５００を図示している。レーザ５００は、本明細書で説明したようにＭＯＰＡ型のＣＯ_２レーザであってよく、直径ａを有するビーム５１０（破線を用いて示す）を出射する。このビーム５１０は、ミラー５３０ａ，５３０ｂを経由して焦点領域５２０に導かれる。ミラー５３０ａ，５３０ｂは、既に説明したようなビーム搬送系の一部を形成してもよい。簡略化のために２つしかミラーを図示していないが、典型的にはビーム搬送系は、いくつかのより多くのミラーを備えてもよい。ここで、ミラー５３０ａは、負の屈折力のミラーであり、ミラー５３０ｂは、正の屈折力のミラーである。プラズマ形成位置５４０は、事前調整された燃料の液滴が所望のサイズ（所定の直径）となる位置である。この点において、ビームの直径は、事前調整された燃料の液滴の直径以上（例えば５０％まで大きい）でなければならない。この位置５４０は、ここではビームウエストに先だって図示されているが、プラズマ形成位置５４０は、同様にビームウエストより前にあってよい。

ビームが特定の直径を有する軸方向位置を変更するために、例えば可変ビームエキスパンダなどの可変ズーム光学素子５５０が設けられる。図５は、ビーム直径を縮小するために使用されているズーム光学素子５５０を示している。ズーム光学素子５５０は、ビーム直径ｂを有するビーム５１０’（実線を用いて示す）をもたらしている。この縮小されたビーム直径の結果、折り畳みミラー５３０ａ，５３０ｂ上のビームの断面積が減少し、ビーム直径が燃料の液滴に対して所望のサイズとなる位置５４０’において軸方向のシフトが存在する。このようにして、最適なビーム直径が実現される軸方向位置を調整することが可能となる。あるいは、同じメカニズムを用いて、所望の軸方向位置で調整可能なビーム直径を実現することができる。

最適なビーム直径が実現される軸方向位置の調整において、ビームの実際の焦点位置５７０は変化しないことが分かる。ビーム５１０および５１０’の両方は、焦点位置５７０で焦点合わせされる。その結果、ズーム光学素子５５０は、ビームの焦点位置５７０に対してビームが特定の直径を有する位置を調整する働きをする。位置５４０または位置５４０’で事前調整された液滴と衝突するメインビームより前に、燃料の液滴を事前調整するためにプレパルスビームが燃料の液滴と衝突すべきなのはこの焦点位置５７０においてである（または、事前調整された液滴が所定の直径に到達する位置に応じた、焦点領域５２０内のこの軸に沿った他のどこか）。

所望のビーム直径の軸方向位置、または所望の位置のビーム直径を制御するようズーム光学素子を制御するために、制御部５６０が設けられてよい。制御部５６０は、図１および図２に関して説明したもののどれかと同じであってよい。

ズーム光学素子は透過型であってもよいが、好適な実施形態では反射型光学素子が使用される。このような全反射型のズーム光学系は、例えばＵＳ５１４４４７６に記載された構成など様々な形態をとってよく、その全体が参照により本明細書に援用される。このような構成は、固定集束ミラーと光学系出力との間に一つ以上の可動ミラーを備えてよい。ＵＳ５１４４４７６に記載された特定の構成は、全部で３つまたは４つのミラーのシステムを図示しており、例えば一つ以上のさらなるミラーを用いることにより元の光軸に戻るべきシフトされた光軸をもたらす。４つのミラー構成では、第１（固定）ミラーは、システムの光軸を規定する中心軸を含む。第１ミラーは、光軸に対して固定的または静的に位置する。第１ミラーは、正の屈折力のミラーであってよい。第２ミラーは、負の屈折力のミラーであってよく、第１ミラーとともにカセグレン（cassegrain）構成となるように移動可能に配置される。第２ミラーの頂点は、システムの光軸に沿って配置される。第２ミラーは、正の屈折力のミラーであってよい。第３ミラーは、その頂点がシステムの光軸に沿って位置するように移動可能に配置される。第４ミラーは、正の屈折力のミラーであってよい。第４ミラーは、その頂点がシステムの光軸に沿うように移動可能に配置される。第２、第３および第４ミラーの移動の組合せは、ズーム操作の間に視線（line of sight）、焦点コリメーション（focus collimation）および射出瞳位置を維持する。全てのミラーは、回転対称であってよく、共通の光軸に沿って中心合わせされてよく、可動ミラーの移動は光軸に沿っている。

作動中、視察対象物（object to be viewed）は、第１ミラーによって反射される。視察対象物からの光ビームは第１ミラーから第２ミラーに受光および反射される。光ビームは、第２ミラーから第３ミラーに受光および反射される。ビームは、第２ミラーと第３ミラーの間で視察対象物の中間像を形成する。中間像は、第３ミラーから第４ミラーに反射されてシステムの残りの部分を通過し、射出瞳を通過後に最終的に無限遠において再結像する。

本書ではリソグラフィ装置におけるＥＵＶ放射源の提供および動作を例として説明しているが、本明細書に説明したＥＵＶ放射装置はＥＵＶ光学装置の他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。さらにリソグラフィ装置の場合では、これはＩＣの製造の他に、集積光学系、磁気ドメインメモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。本書に言及された基板は露光前または露光後において、例えばトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、及び／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味し得る。

「レンズ」という用語は、文脈が許す限り、屈折光学部品、反射光学部品、磁気的光学部品、電磁気的光学部品、静電的光学部品を含む各種の光学部品のいずれか又は組合せを指し示してもよい。
本発明は、以下の節によりさらに説明される。
１．レーザ生成プラズマ光源のためのビーム搬送装置であって、
放射のビームを調整して、設定可能なビーム直径を有する調整ビームを出力する可変ズーム光学素子と、
放射の調整ビームをプラズマ発生場所に導く複数のミラーと、
を備えることを特徴とするビーム搬送装置。
２．複数のミラーは、少なくとも第１の負のミラーおよび第２の正のミラーを備え、ビーム搬送系において第１の負のミラーは第２の正のミラーの前にあることを特徴とする節１に記載のビーム搬送装置。
３．可変ズーム光学素子は、可変ビームエキスパンダを備えることを特徴とする節１に記載のビーム搬送装置。
４．可変ズーム光学素子は、反射型光学素子のみを備えることを特徴とする節１に記載のビーム搬送装置。
５．可変ズーム光学素子は、１つの固定ミラーと、複数の可動ミラーとを備えることを特徴とする節４に記載のビーム搬送装置。
６．可変ズーム光学素子を制御するための制御部をさらに備えることを特徴とする節１に記載のビーム搬送装置。
７．プラズマ発生場所において、放射のビームはその光軸に沿って不均一な直径を有し、制御部は、ビームの焦点位置に対して、ビームが特定の直径を有する軸方向位置を制御することを特徴とする節６に記載のビーム搬送装置。
８．制御部は、ビームがプラズマ発生場所において所望の軸方向位置で所望の直径を有するように、調整ビームのビーム直径を設定することを特徴とする節７に記載のビーム搬送装置。
９．制御部は、プラズマ発生場所において特定の軸方向位置で当該ビーム搬送装置により搬送されるビームの直径を制御するために、調整ビームのビーム直径を設定することを特徴とする節７に記載のビーム搬送装置。
１０．放射のメインビームを出射するレーザ装置と、
プラズマを形成するために放射のビームが燃料と接触する位置に設置されたプラズマ発生場所と、
放射のビームを調整して、設定可能なビーム直径を有する調整ビームを出力するよう構成された可変ズーム光学素子と、放射の調整ビームをプラズマ発生場所に導くよう構成された複数のミラーと、を備えるビーム搬送装置と、
を備え、
ビーム搬送装置は、レーザ装置からプラズマ発生場所に放射のビームを導くよう構成されることを特徴とするＥＵＶ放射システム。
１１．レーザ装置は、事前調整ビームを出射して、メインビームの出射より前に燃料を事前調整することを特徴とする節１０に記載のＥＵＶ放射システム。

１２．燃料の液滴を事前調整して、直径ｄを有する事前調整された燃料の液滴を形成し、
事前調整された燃料の液滴が所望の形態を有する位置を決定し、
事前調整された燃料の液滴が所望の形態を有する決定された位置において、調整ビームが直径ｄ以上の直径を有するように、調整ビームのビーム直径を設定するよう動作することを特徴とする節１１に記載のＥＵＶ放射システム。
１３．事前調整された燃料の液滴が所望の形態を有する決定された位置において、調整ビームが直径ｄと直径ｄの１．５倍の間の直径を有するよう動作することを特徴とする節１２に記載のＥＵＶ放射システム。
１４．調整ビームの焦点位置で、事前調整ビームが燃料の液滴に衝突するよう動作することを特徴とする節１１に記載のＥＵＶ放射システム。
１５．ＥＵＶ放射のビームを生成するよう構成された節１０から１４のいずれかに記載のＥＵＶ放射システムを備えることを特徴とするリソグラフィ装置。
１６．放射のビームを調整するよう構成された照明システムと、
パターン形成放射ビームを形成するために放射のビームの断面にパターンを付与することができるパターニングデバイスを支持するよう構成された支持構造と、
基板を保持するよう構成された基板テーブルと、
基板のターゲット部分上にパターン形成放射ビームを投影するよう構成された投影システムと、
をさらに備えることを特徴とする節１５に記載のリソグラフィ装置。
１７．プラズマ発生場所において、ビームの焦点位置に対して、ビームが特定の直径を有する軸方向位置を制御する方法であって、放射のビームはその光軸に沿って不均一な直径を有し、当該方法は、
調整ビームを得るために可変ズーム光学素子にビームを通すことと、
調整ビームをプラズマ発生場所に導くことと、
可変ズーム光学素子を用いて、ビームの焦点位置に対して、ビームが特定の直径を有する軸方向位置を制御することと、
を備えることを特徴とする方法。
１８．燃料の液滴を事前調整して、直径ｄを有する事前調整された燃料の液滴を形成することと、
事前調整された燃料の液滴が所望の形態を有する位置を決定することと、
事前調整された燃料の液滴が所望の形態を有する決定された位置において、プラズマ発生場所に導かれたビームが直径ｄ以上の直径を有するように、調整ビームのビーム直径を変更することと、
を備えることを特徴とする節１７に記載の方法。
１９．調整ビームは、事前調整された燃料の液滴が所望の形態を有する決定された位置において、直径ｄと直径ｄの１．５倍の間の直径を有することを特徴とする節１８に記載の方法。
２０．調整ビーム導くステップは、少なくとも第１の負のミラーおよび後に続く第２の正のミラーを用いて、調整ビームを導くことを備えることを特徴とする節１７に記載の方法。

以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。上記記載は、説明することを意図しており、限定することを意図していない。従って、以下の請求項の要旨を逸脱しない範囲で、説明した発明に修正がなされてもよいことは当業者にとって明らかである。

「課題を解決する手段」及び「要約書」の項ではなく「発明の詳細な説明」の項が請求項を解釈するのに使用されるように意図されていることを理解されたい。「課題を解決する手段」及び「要約書」の欄は本発明者が考えた本発明の実施例の１つ以上を示すものであるが、すべてを説明するものではない。よって、本発明及び請求項をいかなる形にも限定するものではない。

特定の機能および関係の実現を例証する機能的な構成要素の助けを用いて本発明を説明してきた。これらの機能的な構成要素の境界は、説明の便宜上、適宜定義されている。それらの特別な機能および関係が適切に実行される限り、別の境界も定義することができる。

特定の実施形態についての上記説明は発明の一般的性質を完全に公開しており、したがって、当分野の能力に含まれる知識を適用することによって、過度の実験をすることなく、および本発明の一般概念から逸脱することなく、種々の応用に対してそのような特定の実施形態を直ちに修正しおよび／または適応させることができる。したがって、そのような適応および修正は、本明細書に提示された教示および助言に基づき、開示された実施形態の意義および等価物の範囲内であると意図されている。本明細書の表現または専門用語は説明を目的としており限定のためではなく、本明細書の専門用語または表現は教示および助言を考慮して当業者によって解釈されるべきものであることを理解されたい。

本発明の広さおよび範囲は、上述した例示的な実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、以下の特許請求の範囲およびそれらの等価物にしたがってのみ規定されるべきである。

Claims (20)

1. レーザ生成プラズマ光源のためのビーム搬送装置であって、
   放射のビームを調整して、設定可能なビーム直径を有する調整ビームを出力するよう構成された可変ズーム光学素子であって、設定可能なビーム直径がプラズマ発生場所における燃料の液滴のサイズに依存して設定され、プラズマ発生場所の軸方向位置が調整ビームの焦点位置と異なる、可変ズーム光学素子と、
   放射の調整ビームをプラズマ発生場所に導くよう構成された複数のミラーと、
   を備えることを特徴とするビーム搬送装置。
2. 前記複数のミラーは、少なくとも第１の負のミラーおよび第２の正のミラーを備え、ビーム搬送装置において前記第１の負のミラーは前記第２の正のミラーの前にあることを特徴とする請求項１に記載のビーム搬送装置。
3. 前記可変ズーム光学素子は、可変ビームエキスパンダを備えることを特徴とする請求項１または２に記載のビーム搬送装置。
4. 前記可変ズーム光学素子は、反射型光学素子のみを備えることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のビーム搬送装置。
5. 前記可変ズーム光学素子は、１つの固定ミラーと、複数の可動ミラーとを備えることを特徴とする請求項４に記載のビーム搬送装置。
6. 前記可変ズーム光学素子を制御するための制御部をさらに備えることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のビーム搬送装置。
7. 調整ビームはその光軸に沿って直径が可変であり、前記制御部は、調整ビームの焦点位置に対して、調整ビームがプラズマ発生場所で特定の直径を有するように前記可変ズーム光学素子を制御することを特徴とする請求項６に記載のビーム搬送装置。
8. 前記制御部は、調整ビームがプラズマ発生場所において所望の直径を有するように、設定可能なビーム直径を調整することを特徴とする請求項６に記載のビーム搬送装置。
9. 前記制御部は、プラズマ発生場所において調整ビームの直径を制御するために、設定可能なビーム直径を調整することを特徴とする請求項６に記載のビーム搬送装置。
10. 放射のメインビームを出射するよう構成されたレーザ装置と、
    プラズマを形成するために燃料が放射のメインビームと接触する位置に設置されたプラズマ発生場所と、
    前記レーザ装置から前記プラズマ発生場所に放射のビームを導くよう構成された、請求項１から９のいずれかに記載のビーム搬送装置と、
    を備えることを特徴とするＥＵＶ放射システム。
11. 前記レーザ装置は、事前調整ビームを出射して、放射のメインビームの出射より前に燃料を事前調整するよう構成されることを特徴とする請求項１０に記載のＥＵＶ放射システム。
12. 燃料を事前調整して、事前調整された燃料の液滴を形成し、
    事前調整された燃料の液滴が所望の形態および直径ｄを有する位置を決定し、
    事前調整された燃料の液滴の決定された位置において、調整ビームが直径ｄ以上の直径を有するように、設定可能なビーム直径を調整するよう構成されることを特徴とする請求項１１に記載のＥＵＶ放射システム。
13. 事前調整された燃料の液滴の決定された位置における調整ビームの直径は、直径ｄと直径ｄの１．５倍の間であることを特徴とする請求項１２に記載のＥＵＶ放射システム。
14. 事前調整されたビームの焦点位置で、事前調整ビームが燃料に衝突するよう動作することを特徴とする請求項１１から１３のいずれかに記載のＥＵＶ放射システム。
15. ＥＵＶ放射のビームを生成するよう構成された請求項１０から１４のいずれかに記載のＥＵＶ放射システムを備えることを特徴とするリソグラフィ装置。
16. 放射のメインビームを調整するよう構成された照明システムと、
    パターン形成放射ビームを形成するためにＥＵＶ放射のビームの断面にパターンを付与するよう構成されたパターニングデバイスを支持するよう構成された支持構造と、
    基板を保持するよう構成された基板テーブルと、
    基板のターゲット部分上にパターン形成放射ビームを投影するよう構成された投影システムと、
    をさらに備えることを特徴とする請求項１５に記載のリソグラフィ装置。
17. 調整ビームを得るために可変ズーム光学素子に放射のビームを通すことと、
    調整ビームをプラズマ発生場所に導くことと、
    前記可変ズーム光学素子を用いて、燃料の液滴が調整ビームと接触するプラズマ発生場所の軸方向位置を制御することと、を備え、
    プラズマ発生場所の軸方向位置は、調整ビームの焦点位置と異なるように構成され、プラズマ発生場所における調整ビームの直径は、プラズマ発生場所における燃料の液滴の形態に依存することを特徴とする方法。
18. 燃料の液滴を事前調整して、事前調整された燃料の液滴を形成することと、
    事前調整された燃料の液滴が所望の形態および直径ｄを有する位置を決定することと、
    プラズマ発生場所における調整ビームが直径ｄ以上の直径を有するように、調整ビームの直径を変更することと、
    をさらに備えることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
19. 調整ビームは、事前調整された燃料の液滴が所望の形態を有する決定された位置において、直径ｄと直径ｄの１．５倍の間の直径を有することを特徴とする請求項１８に記載の方法。
20. 調整ビーム導くステップは、少なくとも第１の負のミラーおよび後に続く第２の正のミラーを用いて、調整ビームを導くことを備えることを特徴とする請求項１７から１９のいずれかに記載の方法。

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