JP5921548B2 - リソグラフィ装置、euv放射発生装置、およびデバイス製造方法 - Google Patents
リソグラフィ装置、euv放射発生装置、およびデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5921548B2 JP5921548B2 JP2013527524A JP2013527524A JP5921548B2 JP 5921548 B2 JP5921548 B2 JP 5921548B2 JP 2013527524 A JP2013527524 A JP 2013527524A JP 2013527524 A JP2013527524 A JP 2013527524A JP 5921548 B2 JP5921548 B2 JP 5921548B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflector
- radiation
- laser
- rotatably mounted
- light separation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 190
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 52
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 38
- 239000000446 fuel Substances 0.000 claims description 31
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 5
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 33
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 8
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 8
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/0643—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising mirrors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S3/0071—Beam steering, e.g. whereby a mirror outside the cavity is present to change the beam direction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
- H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
[0001] 本出願は、2010年9月8日に出願された米国仮出願第61/380,959号の優先権を主張する。これは参照によりその全体が本明細書に組み込まれる
ここで、λは用いられる放射の波長であり、NAはパターンのプリントに用いられる投影システムの開口数であり、k1はレイリー定数とも呼ばれる、プロセス依存型調節係数であり、CDはプリントされたフィーチャのフィーチャサイズ(またはクリティカルディメンション)である。式(1)から、フィーチャの最小プリント可能サイズの縮小は、3つの方法、すなわち、露光波長λを短くすること、開口数(NA)を大きくすること、またはk1の値を小さくすることによって得られることが分かる。
1.ステップモードでは、サポート構造(例えばマスクテーブル)MTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一静的露光)。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それにより別のターゲット部分Cを露光することができる。
2.スキャンモードでは、サポート構造(例えばマスクテーブル)MTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一動的露光)。サポート構造(例えばマスクテーブル)MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの(縮小)拡大率および像反転特性によって決めることができる。
3.別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造(例えばマスクテーブル)MTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードでは、通常、パルス放射源が採用され、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
であり、ffは、燃料小滴発生の周波数であり、frは、回転可能に取り付けられたリフレクタ305、305a〜cの回転周波数であり、ttは、マスタオシレータ300によって発生されるレーザパルスの時間間隔であり、tpは、レーザパルスの持続時間であり、dは、レーザビームの直径である。
Claims (15)
- レーザ放射のパルスを発生させるレーザと、
回転可能に取り付けられたリフレクタと半径方向に位置決めされたリフレクタとを備える光分離装置と、を備え、
前記回転可能に取り付けられたリフレクタと前記レーザとは、前記光分離装置がレーザ放射のパルスを受け取る場合、該レーザ放射のパルスがプラズマ形成位置を通過でき且つ燃料材料の小滴の蒸発を介して放射放出プラズマが発生されるように、前記回転可能に取り付けられたリフレクタの反射面が前記半径方向に位置決めされたリフレクタと光学的に連通するように、同期され、
前記回転可能に取り付けられたリフレクタと前記レーザとはさらに、前記光分離装置が前記プラズマ形成位置から反射された放射を受け取る場合、前記回転可能に取り付けられたリフレクタの前記反射面が前記半径方向に位置決めされたリフレクタから少なくとも部分的に光学的に分離されるように、同期される、EUV放射発生装置。 - 前記回転可能に取り付けられたリフレクタは、前記プラズマ形成位置に向かって方向付けられた反射面と、前記レーザに向かって方向付けられた反射面とを備える、請求項1に記載のEUV放射発生装置。
- 前記回転可能に取り付けられたリフレクタは、前記プラズマ形成位置に向かって方向付けられた1つ以上の追加の反射面と、前記レーザに向かって方向付けられた対応する数の追加の反射面とを備え、
前記半径方向に位置決めされたリフレクタは、複数の半径方向に位置決めされたリフレクタのうちの1つである、請求項2に記載のEUV放射発生装置。 - 半径方向に位置決めされたリフレクタの数は、前記レーザに向かって方向付けられた前記回転可能に取り付けられたリフレクタの反射面の数に等しいかまたはその倍数である、請求項3に記載のEUV放射発生装置。
- 前記光分離装置は、前記レーザに向かって方向付けられ且つレーザパルスを前記半径方向に位置決めされたリフレクタに誘導する固定リフレクタをさらに備え、
前記回転可能に取り付けられたリフレクタは、前記プラズマ形成位置に向かって方向付けられた反射面を備える、請求項1に記載のEUV放射発生装置。 - 前記回転可能に取り付けられたリフレクタは、前記プラズマ形成位置に向かって方向付けられた1つ以上の追加の反射面を備え、
前記固定リフレクタは、前記レーザに向かって方向付けられた1つ以上の追加の反射面を備え、
前記半径方向に位置決めされたリフレクタは、複数の半径方向に位置決めされたリフレクタのうちの1つである、請求項5に記載のEUV放射発生装置。 - 半径方向に位置決めされたリフレクタの数は、前記レーザに向かって方向付けられた前記固定リフレクタの反射面の数に等しい、請求項6に記載のEUV放射発生装置。
- 当該EUV放射発生装置は、前記レーザによって発生された前記レーザ放射のパルスを増幅するパワーアンプをさらに備え、
前記光分離装置は、前記パワーアンプと前記プラズマ形成位置との間に位置する、請求項1から7のいずれかに記載のEUV放射発生装置。 - 当該EUV放射発生装置は、前記レーザ放射のパルスをさらに増幅する1つ以上の追加のパワーアンプをさらに備え、
少なくとも1つのパワーアンプが、前記光分離装置と前記プラズマ形成位置との間に位置する、請求項8に記載のEUV放射発生装置。 - 当該EUV放射発生装置は、前記光分離装置と前記プラズマ形成位置との間に位置する遅延線をさらに備える、請求項1から9のいずれかに記載のEUV放射発生装置。
- 前記光分離装置は、前記プラズマ形成位置から反射された放射のパルスの大部分のエネルギーからの光分離を提供する、請求項1から10のいずれかに記載のEUV放射発生装置。
- 前記光分離装置は、前記プラズマ形成位置から反射された放射のパルスの全エネルギーからの光分離を提供する、請求項1から11のいずれかに記載のEUV放射発生装置。
- レーザによってレーザ放射のパルスを発生させることと、
前記レーザ放射のパルスを、半径方向に位置決めされたリフレクタと光学的に連通するように方向付けられた回転可能に取り付けられたリフレクタを備える光分離装置を介して通過させることと、
燃料材料の小滴を蒸発させ、放射放出プラズマを発生させるように、プラズマ形成位置に、前記レーザ放射のパルスを誘導することと、
前記プラズマ形成位置から反射された放射が前記光分離装置において受け取られる場合、前記半径方向に位置決めされたリフレクタから少なくとも部分的に光学的に分離されるように、前記回転可能に取り付けられたリフレクタを方向付けることと、
を含む、デバイス製造方法。 - 前記光分離装置は、前記プラズマ形成位置から反射された放射のパルスの大部分のエネルギーからの光分離を提供する、請求項13に記載のデバイス製造方法。
- 前記光分離装置は、前記プラズマ形成位置から反射された放射のパルスの全エネルギーからの光分離を提供する、請求項13または14に記載のデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US38095910P | 2010-09-08 | 2010-09-08 | |
US61/380,959 | 2010-09-08 | ||
PCT/EP2011/063443 WO2012031841A1 (en) | 2010-09-08 | 2011-08-04 | Lithographic apparatus, euv radiation generation apparatus and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013543210A JP2013543210A (ja) | 2013-11-28 |
JP5921548B2 true JP5921548B2 (ja) | 2016-05-24 |
Family
ID=44545690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013527524A Expired - Fee Related JP5921548B2 (ja) | 2010-09-08 | 2011-08-04 | リソグラフィ装置、euv放射発生装置、およびデバイス製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9110377B2 (ja) |
JP (1) | JP5921548B2 (ja) |
TW (1) | TWI534555B (ja) |
WO (1) | WO2012031841A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6305426B2 (ja) | 2012-12-20 | 2018-04-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Euvリソグラフィ装置用ビーム搬送装置 |
US9127981B2 (en) * | 2013-08-06 | 2015-09-08 | Cymer, Llc | System and method for return beam metrology with optical switch |
US9539622B2 (en) | 2014-03-18 | 2017-01-10 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus for and method of active cleaning of EUV optic with RF plasma field |
US10524345B2 (en) | 2017-04-28 | 2019-12-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Residual gain monitoring and reduction for EUV drive laser |
JP7116303B2 (ja) | 2018-06-25 | 2022-08-10 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ及び発光装置 |
US11340531B2 (en) * | 2020-07-10 | 2022-05-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Target control in extreme ultraviolet lithography systems using aberration of reflection image |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4257017A (en) * | 1978-07-11 | 1981-03-17 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Post pulse shutter for laser amplifier |
US4194813A (en) * | 1978-10-13 | 1980-03-25 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Vacuum aperture isolator for retroreflection from laser-irradiated target |
US6339634B1 (en) | 1998-10-01 | 2002-01-15 | Nikon Corporation | Soft x-ray light source device |
DE60133916D1 (de) * | 2000-09-18 | 2008-06-19 | Vincent Lauer | Optische konfokale abtastvorrichtung |
US7491954B2 (en) * | 2006-10-13 | 2009-02-17 | Cymer, Inc. | Drive laser delivery systems for EUV light source |
US7928416B2 (en) * | 2006-12-22 | 2011-04-19 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
US7916388B2 (en) | 2007-12-20 | 2011-03-29 | Cymer, Inc. | Drive laser for EUV light source |
US7087914B2 (en) * | 2004-03-17 | 2006-08-08 | Cymer, Inc | High repetition rate laser produced plasma EUV light source |
US7164144B2 (en) * | 2004-03-10 | 2007-01-16 | Cymer Inc. | EUV light source |
JP4878108B2 (ja) * | 2004-07-14 | 2012-02-15 | キヤノン株式会社 | 露光装置、デバイス製造方法、および測定装置 |
DE102006003683B3 (de) * | 2006-01-24 | 2007-09-13 | Xtreme Technologies Gmbh | Anordnung und Verfahren zur Erzeugung von EUV-Strahlung hoher Durchschnittsleistung |
JP5368261B2 (ja) * | 2008-11-06 | 2013-12-18 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法 |
US8283643B2 (en) * | 2008-11-24 | 2012-10-09 | Cymer, Inc. | Systems and methods for drive laser beam delivery in an EUV light source |
NL2003777A (en) * | 2009-01-08 | 2010-07-13 | Asml Netherlands Bv | Laser device. |
US8173985B2 (en) * | 2009-12-15 | 2012-05-08 | Cymer, Inc. | Beam transport system for extreme ultraviolet light source |
-
2011
- 2011-08-04 JP JP2013527524A patent/JP5921548B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-04 WO PCT/EP2011/063443 patent/WO2012031841A1/en active Application Filing
- 2011-08-04 US US13/817,792 patent/US9110377B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-23 TW TW100130158A patent/TWI534555B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201222162A (en) | 2012-06-01 |
TWI534555B (zh) | 2016-05-21 |
US20130141709A1 (en) | 2013-06-06 |
WO2012031841A1 (en) | 2012-03-15 |
US9110377B2 (en) | 2015-08-18 |
JP2013543210A (ja) | 2013-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102072064B1 (ko) | 방사선 소스 | |
JP5439485B2 (ja) | スペクトル純度フィルタ、リソグラフィ装置および放射源 | |
JP5921548B2 (ja) | リソグラフィ装置、euv放射発生装置、およびデバイス製造方法 | |
US8368040B2 (en) | Radiation system and lithographic apparatus | |
JP2013524525A (ja) | Euv放射源およびeuv放射生成方法 | |
US20120280148A1 (en) | Euv radiation source and lithographic apparatus | |
JP6047573B2 (ja) | 放射源 | |
US20140218706A1 (en) | Radiation source and lithographic apparatus | |
KR102297812B1 (ko) | 방사선 소스 및 리소그래피 장치 | |
JP7241027B2 (ja) | レーザ生成プラズマ源 | |
NL2006550A (en) | Lithographic apparatus, euv radiation generation apparatus and device manufacturing method. | |
JP4695122B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
NL2006106A (en) | Lithographic apparatus. | |
NL2007861A (en) | Radiation source and lithographic apparatus. | |
NL2004978A (en) | Euv radiation source and lithographic apparatus. | |
NL2007863A (en) | Radiation source. | |
NL2005750A (en) | Euv radiation source and euv radiation generation method. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140801 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150630 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150709 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151009 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160330 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160412 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5921548 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |