CN114450636A - 检测辐射束的光刻设备和方法 - Google Patents

Abstract

一种被配置为保持衬底的衬底台，包括：多个传感器元件，被配置为检测来自投影系统的辐射束，辐射束形成在衬底水平具有细长形状的照射区域，细长形状具有长边缘和短边缘并且限定纵向方向和垂直于纵向方向的横向方向，传感器元件沿着纵向方向布置，其中多个传感器元件被布置为在横向方向上与细长形状的长边缘中的一个相距不同距离。

Description

检测辐射束的光刻设备和方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年10月10日提交的EP申请19202357.0的优先权，其通过引用全部并入本文。

技术领域

本发明涉及一种光刻设备和在光刻设备中检测辐射束的方法。

背景技术

光刻设备是将期望图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。在该实例中，图案形成装置(备选地被称为掩模或掩模版)可以被用于生成要被形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括部分管芯、一个或多个管芯)上。图案的转印通常经由成像到在衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。

光刻被广泛地识别为制造IC和其他装置和/或结构的关键步骤中的一个步骤。然而，随着使用光刻制造的特征尺寸变得更小，光刻正在成为使得微型IC或其他装置和/或结构能够被制造的更关键因素。

图案印刷限制的理论估计可以由等式(1)所示的分辨率的瑞利准则给出：

其中λ是所使用的辐射的波长，NA是用于印刷图案的投影系统的数值孔径，k1是与过程相关的调整因子，也称为瑞利常数，并且CD是印刷特征的特征尺寸(或临界尺寸)。从等式(1)推断出，特征的最小可印刷尺寸的减小可以通过三种方式获得：通过缩短曝光波长λ、通过增加数值孔径NA或通过减小k1的值。

为了缩短曝光波长并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用深紫外(DUV)辐射源或极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是波长在10至20nm范围内的电磁辐射，例如在13至14nm范围内。还提出波长小于10nm的EUV辐射可以被使用，例如在5至10nm的范围内，诸如6.7nm或6.8nm。这种辐射被称为极紫外辐射或软x射线辐射。可能的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环提供的同步辐射的源。

EUV辐射可以使用等离子体产生。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器以及用于包含等离子体的源收集器模块。例如，等离子体可以通过以燃料引导激光束(诸如合适材料(例如锡)的颗粒或者合适的气体或蒸汽(诸如氙气或锂蒸汽)的流)来创建。所得的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其使用辐射收集器来收集。辐射收集器可以是镜面法向入射的辐射收集器，其接收辐射并且将辐射聚焦为束。源收集器模块可以包括布置为提供真空环境以支持等离子体的封闭结构或腔室。这种辐射系统通常被称为激光产生的等离子体(LPP)源。

传感器可以被提供以用于检测辐射束的特点。该辐射束可以是图案化辐射束，即，图案由图案形成装置赋予的辐射束。例如，测量的辐射束与名义(例如理想的)辐射束之间的差异可以被测量。这可以允许补偿差异的可能性。

为了测量图案化的辐射束在衬底水平如何在照射区域上变化，可能需要执行多次测量。进行多次测量会增加测量时间。

期望提供一种衬底设备和检测可以允许总测量时间被减少的辐射束的方法。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种光刻设备，包括：衬底台，被配置为保持衬底；以及投影系统，被配置为投影辐射束以形成在衬底水平具有细长形状的照射区域，该细长形状具有长边缘和短边缘并且限定纵向方向和垂直于纵向方向的横向方向；其中衬底台包括被配置为检测辐射束的多个传感器元件，该传感器元件沿着纵向方向布置，其中多个传感器元件被布置为在横向方向上与细长形状的长边缘中的一个长边缘相距不同距离。

根据本发明的一个方面，提供了一种在光刻设备中检测辐射束的方法，该方法包括：提供投影辐射束；投影投影束，以形成在衬底水平具有细长形状的照射区域，该细长形状具有长边缘和短边缘并且限定纵向方向和垂直于纵向方向的横向方向；在衬底水平利用多个传感器元件检测辐射束，传感器元件沿着纵向方向布置，其中多个传感器元件被布置为在横向方向上与细长形状的长边缘中的一个长边缘相距不同距离。

附图说明

本发明的实施例现在将仅通过示例参照所附示意图来描述，其中对应的参考符号指示对应的部件，并且其中：

图1描绘了根据本发明的实施例的光刻设备；

图2是光刻设备的更详细视图；

图3是图1和2的设备的源收集器模块SO的更详细视图；

图4是辐射传感器的示意图；

图5是衬底上的照射区域的示意图；

图6是照射区域的特写视图；

图7是根据本发明的实施例的传感器元件的布置的示意图；

图8是根据本发明的实施例的传感器元件的替代布置的示意图；

图9是根据比较示例的传感器元件的布置的示意图；以及

图10是示出了照射区域的横向位置与图案化辐射束的强度之间的关系的曲线图。

当结合附图时，通过下面陈述的详细描述，本发明的特征和优点将变得更加明显，其中相同的参考字符始终标识对应的元件。在附图中，相同的附图标记通常指示相同的、功能类似和/或结构类似的元件。

具体实施方式

图1示意性地描绘了根据本发明的一个实施例的包括源收集器模块SO的光刻设备100。该设备包括：照射系统(也称为照射器)IL，被配置为调节辐射束B(例如EUV辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，被构造为支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA，并且连接至第一定位器PM(被配置为准确地定位图案形成装置)；衬底台(例如晶片台)WT，被构造为保持衬底(例如抗蚀剂涂覆的晶片)W并且连接至第二定位器PW(被配置为准确地定位衬底)；以及投影系统(例如折射投影系统)PS，被配置为将通过图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯)上。

照射系统可以包括各种类型的光学部件，诸如折射、反射、磁性、电磁、静电或其他类型的光学部件或其任何组合，以用于引导、整形或控制辐射。

支撑结构MT以取决于图案形成装置的定向、光刻设备的设计以及诸如例如图案形成装置是否被保持在真空环境中等其他条件的方式来保持图案形成装置MA。支撑结构可以使用机械的、真空的、静电的或其他夹持技术来保持图案形成装置。支撑结构可以是框架或台，例如这可以根据需要固定或可移动。支撑结构可以确保图案形成装置例如相对于投影系统位于期望位置处。

术语“图案形成装置”应该被广义地解释为指代任何装置，其可以被用于在其横截面中赋予辐射束图案，诸如以在衬底的目标部分中创建图案。赋予辐射束的图案可以与在目标部分中创建的装置(诸如集成电路)中的特定功能层相对应。

图案形成装置可以是透射或反射的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻中是众所周知的，并且包括诸如二进制掩模类型、交替相移掩模类型和衰减相移掩模类型以及各种混合掩模类型等掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每个小反射镜都可以被单独地倾斜，以便在不同方向上反射传入辐射束。倾斜的反射镜在由反射镜阵列反射的辐射束中赋予图案。

与照射系统一样，投影系统可以包括各种类型的光学部件，诸如折射、反射、磁性、电磁、静电或其他类型的光学部件或其任何组合，如针对所使用的曝光辐射或其他因素(诸如真空的使用)适当的。可能期望使用真空进行EUV辐射，因为其他气体可能会吸收过多的辐射。因此，借助于真空壁和真空泵，真空环境可以被提供给整个光路。

如此处描绘的，设备是反射型的(例如采用反射掩模)。

光刻设备可以是具有两个(双工作台)或多个衬底台(和/或两个或多个掩模台)的类型。在这种“多工作台”机器中，附加工作台可以被并行地使用，或者在一个或多个其他工作台正被用于曝光的同时，预备步骤可以在一个或多个工作台上执行。

参照图1，照射器IL从源收集器模块SO接收极紫外辐射束。产生EUV光的方法包括但不必限于将材料转换为具有至少一种元素(例如氙、锂或锡)的等离子态，其具有在EUV范围内的一个或多个发射线。在一种这样的方法中，通常称为激光产生的等离子体(“LPP”)，所需的等离子体可以通过用激光束照射燃料(诸如具有所需的谱线发射元素的材料微滴、串流或簇)来产生。源收集器模块SO可以是EUV辐射系统的一部分，该EUV辐射系统包括未在图1中示出的激光器，以用于提供激发燃料的激光束。所得的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其使用设置在源收集器模块中的辐射收集器来收集。激光器和源收集器模块可以是单独的实体，例如当CO2激光器被用于提供激光束以进行燃料激发时。

在这种情况下，激光器不被认为形成光刻设备的一部分，并且借助于包括例如合适的导向镜和/或扩束器的束递送系统，辐射束从激光器传递到源收集器模块。在其他情况下，源可能是源收集器模块的集成部分，例如当源是放电产生的等离子体EUV生成器时，通常称为DPP源。

照射器IL可以包括调整器，以用于调整辐射束的角强度分布。通常，照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ外部和σ内部)可以被调整。另外，照射器IL可以包括各种其他部件，诸如琢面场和光瞳反射镜装置。照射器可以被用于调节辐射束，以在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。

辐射束B入射到图案形成装置(例如掩模)MA上，并且由图案形成装置图案化，该图案形成装置MA被保持在支撑结构(例如掩模台)MT上。在从图案形成装置(例如掩模)MA反射之后，辐射束B穿过投影系统PS，该投影系统PS将束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器PS2(例如干涉装置、线性编码器或电容传感器)，衬底台WT可以被准确地移动，例如以在辐射束B的路径中定位不同的目标部分C。类似地，第一定位器PM和另一位置传感器PS1可以被用于相对于辐射束B的路径准确地定位图案形成装置(例如掩模)MA。图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准。

所描绘的设备可以被用于以下模式中的至少一种：

1.在步进模式下，在赋予辐射束的整个图案一次被投影到目标部分C上(即，单次静态曝光)时，支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT基本上保持静止。然后，衬底台WT在X和/或Y方向上偏移，使得不同的目标部分C可以被曝光。

2.在扫描模式下，在赋予辐射束的图案被投影到目标部分C上(即，单次动态曝光)时，支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT被同步地扫描。衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过投影系统PS的放大率(缩小率)和图像反转特点来确定。

3.在另一模式下，在赋予辐射束的图案被投影到目标部分C上的同时，支撑结构(例如掩模台)MT基本上保持静止，从而保持可编程图案形成装置，并且衬底台WT被移动或扫描。在这种模式下，通常脉冲式辐射源被采用，并且在衬底台WT的每次移动之后或者在扫描期间的连续辐射脉冲之间，可编程图案形成装置根据需要来更新。这种操作模式可以容易地被应用于无掩模光刻，其利用可编程图案形成装置(诸如上面引用类型的可编程反射镜阵列)。

上述使用模式的组合和/或变化或者完全不同的使用模式也可以被采用。

图2更详细地示出了设备100，其包括源收集器模块SO、照射系统IL和投影系统PS。源收集器模块SO被构造和布置为使得真空环境可以在源收集器模块SO的封闭结构220中维持。EUV辐射发射等离子体210可以由放电产生的等离子体源形成。EUV辐射可以由气体或蒸汽产生，例如氙气、锂蒸汽或锡蒸汽，其中非常热的等离子体210被创建，以发射电磁谱的EUV范围内的辐射。非常热的等离子体210是由例如放电形成的，该放电引起至少部分地电离的等离子体。为了有效地生成辐射，可能需要例如10Pa的Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合适的气体或蒸汽的分压。在实施例中，激发锡(Sn)的等离子体被提供，以产生EUV辐射。

经由被定位在源室211中的开口中或后面的可选气体阻挡部或污染物陷阱230(在一些情况下也称为污染物阻挡部或翼片阱)，由热等离子体210发射的辐射从源室211传递到收集器室212中。污染物陷阱230可以包括通道结构。污染物陷阱230还可以包括气体阻挡部或者气体阻挡部和通道结构的组合。如本领域已知的，本文进一步指示的污染物陷阱或污染物阻挡部230至少包括通道结构。

收集器室211可以包括辐射收集器CO，其可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。遍历收集器CO的辐射可以从光栅光谱滤光片240反射出来，以在虚拟源点IF中聚焦。虚拟源点IF一般被称为中间焦点，并且源收集器模块被布置为使得中间焦点IF位于封闭结构220中的开口221处或附近。虚拟源点IF是辐射发射等离子体210的图像。

随后，辐射遍历照射系统IL，该照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24，其被布置为在图案形成装置MA处提供辐射束21的期望角分布以及在图案形成装置MA处提供辐射强度的期望均匀性。在由支撑结构MT保持的图案形成装置MA处反射辐射束21时，图案化辐射束26被形成，并且图案化辐射束26由投影系统PS经由反射元件28、30成像到由衬底台WT的晶片工作台保持的衬底W上。

比所示更多的元件通常可以存在于照射光学期间单元IL和投影系统PS中。取决于光刻设备的类型，光栅光谱滤光片240可以可选地存在。进一步地，可能存在比附图中所示的更多的反射镜，例如与图2所示的相比，投影系统PS中可能存在1至6个附加反射元件。

如图2所图示的，收集器光学器件CO被描绘为具有掠入射反射器253、254和255的嵌套收集器，仅作为收集器(或收集器反射镜)的示例。掠入射反射器253、254和255围绕光轴O轴向对称地设置，并且优选地，这种类型的收集器光学器件CO与通常称为DPP源的放电产生的等离子体源组合使用。

备选地，源收集器模块SO可以是图3所示的LPP辐射系统的一部分。激光器LA被布置为将激光能量沉积到诸如氙(Xe)、锡(Sn)或锂(Li)等燃料中，从而创建电子温度为数十eV的高度电离的等离子体210。在这些离子的去激发和重组期间生成的带能辐射从等离子体发射，由近于法向入射的收集器光学器件CO收集并且聚焦到封闭结构220中的开口221上。

图4是光刻设备100的辐射传感器10的示意图。图4示出了光刻设备100的衬底台WT。衬底台WT被配置为保持衬底W。

如图1和2所示，光刻设备100包括投影系统PS。投影系统PS被配置为投影辐射束B以在衬底水平形成照射区域11(如图5所示)。

如图4所示，在实施例中，衬底台WT包括辐射传感器10。辐射传感器10被配置为检测辐射束B。辐射传感器10被配置为在衬底水平检测辐射束B的特点。

例如，在实施例中，辐射传感器10被配置为测量辐射束B的强度如何在照射区域11上变化。在实施例中，辐射传感器10被配置为在衬底水平测量辐射束B的波前。例如，辐射传感器10可以被配置为测量泽尼克像差。在实施例中，辐射传感器10被配置为测量高阶泽尼克像差和/或低阶泽尼克像差。

如上面提及的，辐射束B可以是EUV辐射。如图1和2所示，由支撑结构MT保持的图案形成装置MA可以被配置为反射辐射束B。备选地，由照射系统IL调节的辐射束B可以是DUV(深紫外)辐射。如图4所示，在实施例中，图案形成装置MA是透射的。图案形成装置MA被配置为在将图案赋予辐射束B时透射辐射束B。本发明适用于光刻设备100，无论它使用EUV辐射还是DUV辐射。本发明与透射图案形成装置MA或反射图案形成装置MA中任一个兼容。

如上面提及的，投影系统PS被配置为投影辐射束B以在衬底水平形成照射区域11。照射区域11具有细长形状。图5是照射区域11相对于衬底W的示意图。在实施例中，辐射传感器10在平面图中的形状与照射区域11的形状大致匹配。如图5所示，在实施例中，照射区域11具有长边缘12和短边缘13。照射区域11限定纵向方向15和垂直于纵向方向的横向方向16。

图6是图5所示的照射区域11的特写视图。在图6中，纵向方向15和横向方向16被示出。在实施例中，照射区域11具有弯曲形状。当照射区域11具有弯曲形状时，沿着细长形状的一点处的横向方向16可以不平行于沿着细长形状的另一点处的横向方向。纵向方向15遵循曲线。图6还示出了沿着照射区域11的中间的中心线14。中心线14由在横向方向16上的长边缘12之间的中间点的轨迹形成。

辐射传感器10被配置为测量辐射束B如何沿着照射区域11的长度变化。辐射传感器10包括被配置为检测辐射束B的多个传感器元件17。传感器元件17是沿着纵向方向15布置的。这允许辐射传感器10的传感器元件17测量辐射束B如何沿着照射区域11变化。

可以使传感器元件被布置为遵循中心线14或照射区域11的长边缘12中的一个长边缘12。当照射区域具有弯曲的细长形状时，那么传感器元件可以被布置为遵循相同的曲线。

如图5和6所示，在实施例中，细长形状是弯曲的。在替代实施例中，投影系统PS被配置为投影辐射束B以形成具有细长矩形形状的照射区域11。例如，当辐射束B是DUV辐射时，可以提供矩形照射区域11。

图7是示出了根据本发明的辐射传感器10的传感器元件17的布置的示意图，图7还示出了所述元件17的布置如何与比较示例进行比较。在图7中，比较点27示出了根据比较示例的传感器元件的位置。在比较示例中，传感器元件被布置为紧密地遵循照射区域11的细长形状的曲线。

如图7所示，在实施例中，多个传感器元件17被布置为在横向方向16上与照射区域11的细长形状的长边缘12中的一个长边缘12相距不同距离。多个传感器元件17从比较示例所示的位置偏移(在横向方向上)。在图7中，箭头18示出了每个传感器元件17的位置如何相对于比较点27变化。

预计本发明的实施例减少测量辐射束B如何在整个照射区域11中变化所花费的时间。期望测量辐射束B如何沿着照射区域11的横向方向16(即，在宽度方向上)变化。这需要在沿着横向方向16的多个不同位置进行测量。通过在不同横向位置处提供传感器元件17，辐射束B同时在不同横向位置处测量。相反，图7所示的比较示例将需要更多测量，其中整个辐射传感器10相对于照射区域11在横向方向上移位。更多数量的测量将花费更长的时间。

期望测量辐射束B的衰落。辐射束B的衰落与辐射束如何沿着照射区域11的横向方向变化(例如在强度或其他特点方面)相关。利用图7中的比较示例所示的布局，衰落测量需要在照射区域11中的不同横向位置处进行两次或多次扫描。这导致吞吐量损失。预计本发明的实施例以较少数量的测量(例如仅使用单次扫描)来捕获衰落。

如图7所示，在实施例中，传感器元件17中的至少一个在横向方向16上朝向细长形状的凹侧偏移。在图7所示的实施例中，第一传感器元件17、第四传感器元件17和第七传感器元件17(在图7中从左到右)朝向凹侧偏移。这由向下箭头18指示。如图7所示，在实施例中，传感器元件17中的至少一个在横向方向16上朝向细长形状的凸侧偏移。在图7所示的实施例中，第二传感器元件17、第三传感器元件17、第五传感器元件17和第七传感器元件17(在图7中从左到右)朝向凸侧偏移。这由图7中的向上箭头18指示。偏移是相对于比较示例而言的，该比较示例遵循照射区域11的中心线14。

通过提供朝向凹侧和凸侧的偏移，单次扫描包括来自照射区域11中的至少三个横向位置的测量。

在图7所示的示例中，测量由两个不同的横向位置组成。第二传感器元件17、第三传感器元件17、第五传感器元件17和第六传感器元件17对应于第一横向位置。第一元件17、第四元件17和第七元件17对应于第二横向位置。至少一次测量在多个不同的横向位置处进行，而不是在单个横向位置测量七个不同的纵向位置。在实施例中，至少一个传感器元件17没有偏移。这使得可以同时测量三个不同的横向位置。

对应于不同传感器元件17的测量值可以被内插，以便提供关于辐射束B在照射形状11的纵向方向和横向方向上的变化的信息。

图8示出了辐射传感器10的传感器元件17的布置。图8示出的布置是图7所示的布置的替代方案。图8还示出了比较点27，其示出了比较示例中的传感器元件的布置。

图7和8所示的布置彼此不同之处在于图7所示的布置是对称的，而图8所示的布置是稀疏的或不对称的。如图7所示，在实施例中，传感器元件17围绕在横向方向16上延伸的对称轴对称地布置。在图7所示的示例中，对称轴在横向方向上切穿中心(第四)传感器元件17，如图7所示。

替代地，如图8所示，在实施例中，传感器元件17围绕在横向方向上沿着纵向方向上的传感器元件17的一半延伸的轴不对称地布置。例如，第三传感器元件17朝向凸侧偏移，而第五传感器元件17不偏移。

图7和8所示的布置是传感器元件17可以如何被布置的示例。然而，在提供同时在多个横向位置测量辐射束B的优点时，其他布置也是可能的。

在实施例中，传感器元件17以Z字形图案布置。例如，当细长形状为矩形时，传感器元件17可以被布置为简单的Z字形图案，以便同时在两个不同的横向位置处进行测量。

图9示出了具有对应于传感器元件的比较点27的辐射传感器10。图9所示的比较示例可以是用于具有矩形形状的照射区域11的传感器。传感器元件都位于相同的横向位置。这使得有必要执行多次测量以测量出多个横向位置。

相比之下，提供以Z字形图案布置的传感器元件17允许多个横向位置被同时测量。

在实施例中，中央传感器元件17要么不偏移，要么朝向凹侧偏移。在实施例中，与多个传感器元件17中的另一传感器元件17相比，沿着纵向方向居中定位的多个传感器元件17中的一个传感器元件17在横向方向上沿着细长形状的凹侧从长边缘12中的所述一个长边缘12偏移更多。图7示出了朝向凹侧(在图7中向下)偏移的中央传感器元件17。同时，图8示出了中央传感器元件17没有偏移。通过为中央传感器元件17不提供偏移或朝向凹侧的偏移，传感器元件17的横向范围(在图7和8中的上下方向上)不会因偏移而增加。预计本发明的实施例将减小辐射传感器10的横向范围。

然而，在替代实施例中，中央传感器元件17可以朝向凸侧偏移。

如上面提及的，在实施例中，光刻设备包括照射器IL。照射器IL被配置为提供投影辐射束。在实施例中，照射器IL被配置为提供辐射束B，使得其强度在细长形状的横向方向16上名义上呈梯形变化。图10是示出了横向位置与辐射束强度之间的关系的曲线图。x轴对应于照射区域11沿着横向方向16的位置。y轴表示辐射束B的强度。细长形状的长边缘12的横向位置如图10所示。图10示出了辐射束B的梯形形状。

图10示出了辐射束B在横向方向16上的强度平台18。照射区域11的中心区域19对应于强度平台18。在实施例中，传感器元件17被布置为使得它们都被布置在梯形的名义强度平台18中。预计本发明的实施例同时提高在不同横向位置进行的测量的准确性。

当然，辐射束B在横向方向上可能不具有完美的梯形形状。在实施例中，辐射束B在横向方向上具有高斯分布。辐射束B可以具有对应于名义梯形形状的目标形状。与名义梯形形状的差异可以通过辐射传感器10进行的测量来检测。光刻设备100可以被调整，以补偿与辐射形状B的名义形状的差异。例如，光学元件的位置和/或定向可以基于辐射传感器10进行的测量来调整。在实施例中，投影系统PS被配置为校正用辐射传感器10测量的波前像差。

辐射束B在横向方向上具有梯形形状不是必须的。一些其他形状的束也是可能的。在实施例中，辐射束B在横向方向上具有强度平台。

在图7和图8所示的示例中，一些传感器元件17在一个方向上偏移，而其他传感器元件17在相反方向上偏移。在实施例中，偏移量对于偏移的所有传感器元件17是相同的。在图7所示的示例中，除了中央传感器元件17之外的所有传感器元件都是偏移的。在实施例中，偏移传感器元件17中的每个偏移传感器元件17的偏移尺寸相同。换言之，传感器元件17与比较点27之间的距离对于第一传感器元件17、第二传感器元件17、第三传感器元件17、第五传感器元件17、第六传感器元件17和第七传感器元件17是相同的。

在图8所示的示例中，第一传感器元件17、第二传感器元件17、第三传感器元件17、第四传感器元件17、第六传感器元件17和第七传感器元件17中的每个传感器元件17从其对应的比较点27偏移相同的距离。在实施例中，传感器元件17的可能位置是离散的。例如，由一致间隔的步长分离的点网格被提供。每个传感器元件17仅偏移一个步长(或根本不偏移)。这有助于简化传感器元件17的布置。在实施例中，在横向方向16上从细长形状的长边缘12偏移的传感器元件17中的每个传感器元件17偏移基本相同的量。在替代实施例中，每个传感器元件17偏移两个或多个步长。

如图7和图8所示，在实施例中，传感器元件17沿着纵向方向15均匀地间隔开。预计本发明的实施例实现更好的拟合质量和/或降低对传感器噪声的敏感性。然而，情况不一定如此。传感器元件17可以沿着纵向方向以不同的间隔隔开。

在实施例中，辐射传感器10包括成像装置。成像装置可以是例如电荷耦合装置(CCD)。单个成像装置可以被用于多个传感器元件17。传感器元件17对应于可以同时测量的不同位置。在实施例中，辐射传感器10包括一个或多个光栅。在实施例中，每个传感器元件17对应于单独的光栅。在实施例中，每个传感器元件对应于辐射传感器10的盖内的单独开口。每个开口允许辐射束B到达光栅并且随后到达成像装置。

尽管在本文中可以具体引用光刻设备在IC的制造中的使用，但是应该理解，本文描述的光刻设备可以具有其他应用，诸如集成光学系统的制造、磁畴存储器的指导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员将了解，在这种替代应用的上下文中，本文中的术语“晶片”或“管芯”的任何使用都可以被认为是分别与更通用的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文引用的衬底可以在曝光之前或之后处理，例如在轨道(通常将抗蚀剂层施加到衬底并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、计量工具和/或检查工具中。在适用情况下，本文的本公开可以被应用于这种和其他衬底处理工具。进一步地，衬底可以被处理一次以上，例如以创建多层IC，使得本文使用的术语衬底也可以指已经包含多个已处理层的衬底。

在上下文允许的情况下，术语“透镜”可以指代各种类型的光学部件中的任何一个或组合，包括折射、反射、磁性、电磁和静电光学部件。

尽管本发明的具体实施例已经在上面描述，但是要了解的是，本发明可以以不同于所描述的方式来实践。例如，传感器元件17的布置方式可能与图7和8所示的不同。

条项：

条项1.一种光刻设备，包括：衬底台，被配置为保持衬底；以及投影系统，被配置为投影辐射束以形成在衬底水平具有细长形状的照射区域，该细长形状具有长边缘和短边缘并且限定纵向方向和垂直于纵向方向的横向方向；权重衬底台包括被配置为检测辐射束的多个传感器元件，该传感器元件沿着纵向方向布置，权重多个传感器元件被布置为在横向方向上与细长形状的长边缘中的一个长边缘相距不同距离。

条项2.根据条项1的光刻设备，其中细长形状是矩形的。

条项3.根据条项1的光刻设备，其中细长形状是弯曲的。

条项4.根据条项3的光刻设备，其中与传感器元件中的另一传感器元件相比，沿着纵向方向居中定位的传感器元件中的一个传感器元件在横向方向上从长边缘中的所述一个长边缘朝向细长形状的凹侧偏移更多。

条项5.根据条项3或4的光刻设备，其中传感器元件中的至少一个在横向方向上朝向细长形状的凹侧偏移，并且传感器元件中的至少一个在横向方向上从细长形状的长边缘中的所述一个长边缘朝向凸侧偏移。

条项6.根据任何前述条项的光刻设备，其中相对于细长形状的长边缘之间的中间点的轨迹，传感器元件中的至少一个与传感器元件中的另一传感器元件相比以不同方式在横向方向上偏移。

条项7.根据任何前述条项的光刻设备，其中传感器元件以Z字形图案布置。

条项8.根据任何前述条项的光刻设备，其中传感器元件围绕轴不对称地布置，该轴在横向方向上沿着纵向方向上的传感器元件的一半延伸。

条项9.根据条项1至7中任一项的光刻设备，其中传感器元件围绕对称轴对称地布置，该对称轴在横向方向上延伸。

条项10.根据任何前述条项的光刻设备，其中传感器元件中的每个传感器元件偏移基本相同的量，每个传感器元件在横向方向上从细长形状的长边缘中的所述一个长边缘偏移。

条项11.根据任何前述条项的光刻设备，其中传感器元件沿着纵向方向是等距的。

条项12.根据任何前述条项的光刻设备，包括：照射器，被配置为提供投影辐射束，其中投影束是由投影系统投影的辐射束。

条项13.根据条项12的光刻设备，其中照射器被配置为提供投影束，使得其强度在细长形状的横向方向上名义上呈梯形变化。

条项14.根据条项13的光刻设备，其中传感器元件被布置为使得它们都被布置在梯形的名义强度平台内。

条项15.根据任何前述条项的光刻设备，包括：支撑结构，被配置为支撑图案形成装置，该图案形成装置根据期望图案来图案化辐射束，其中图案化束是由投影系统投影的辐射束。

条项16.根据任何前述条项的光刻设备的衬底台。

条项17.一种在光刻设备中检测辐射束的方法，该方法包括：提供投影辐射束；投影投影束，以形成在衬底水平具有细长形状的照射区域，该细长形状具有长边缘和短边缘并且限定纵向方向和垂直于纵向方向的横向方向；在衬底水平利用多个传感器元件检测辐射束，传感器元件沿着纵向方向布置，其中多个传感器元件被布置为在横向方向上与细长形状的长边缘中的一个长边缘相距不同距离。

Claims (15)

1.一种衬底台，被配置为保持衬底，所述衬底台包括：

多个传感器元件，被配置为检测来自投影系统的辐射束，所述辐射束形成在衬底水平处具有细长形状的照射区域，所述细长形状具有长边缘和短边缘，并且限定纵向方向和垂直于所述纵向方向的横向方向，所述传感器元件沿着所述纵向方向布置，

其中所述多个所述传感器元件被布置为在所述横向方向上与所述细长形状的所述长边缘中的一个长边缘相距不同距离。

2.根据权利要求1所述的衬底台，其中所述细长形状是矩形的或弯曲的。

3.根据权利要求1所述的衬底台，其中所述细长形状是弯曲的。

4.根据权利要求3所述的衬底台，其中沿着所述纵向方向居中定位的所述传感器元件中的一个传感器元件与所述传感器元件中的另一传感器元件相比，在所述横向方向上从所述长边缘中的所述一个长边缘朝向所述细长形状的凹侧偏移更多。

5.根据权利要求3或4所述的衬底台，其中所述传感器元件中的至少一个在所述横向方向上朝向所述细长形状的凹侧偏移，并且所述传感器元件中的至少一个在所述横向方向上从所述细长形状的所述长边缘中的所述一个长边缘朝向凸侧偏移。

6.根据前述权利要求任一项所述的衬底台，其中相对于所述细长形状的所述长边缘之间的中间点的轨迹，所述传感器元件中的至少一个与所述传感器元件中的另一传感器元件相比以不同方式在所述横向方向上偏移。

7.根据前述权利要求任一项所述的衬底台，其中所述传感器元件被布置为Z字形图案和/或其中所述传感器元件围绕轴不对称地布置，所述轴在所述横向方向上沿着所述纵向方向上的所述传感器元件的中间位置延伸。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的衬底台，其中所述传感器元件围绕对称轴对称地布置，所述对称轴在所述横向方向上延伸。

9.根据前述权利要求任一项所述的衬底台，其中所述传感器元件中的每个传感器元件偏移基本相同的量，所述每个传感器元件在所述横向方向上从所述细长形状的所述长边缘中的所述一个长边缘偏移。

10.根据前述权利要求任一项所述的衬底台，其中所述传感器元件沿着所述纵向方向是等间距的。

11.一种光刻设备，包括根据前述权利要求任一项的衬底台。

12.根据权利要求11所述的光刻设备，包括：

照射器，被配置为提供投影辐射束，

其中所述投影辐射束是由所述投影系统投影的所述辐射束。

13.根据权利要求12所述的光刻设备，其中所述照射器被配置为提供所述投影辐射束，使得其强度在所述细长形状的所述横向方向上名义上呈梯形变化。

14.根据权利要求13所述的光刻设备，其中所述传感器元件被布置为使得它们都被布置在所述梯形的名义强度平顶内。

15.一种在光刻设备中检测辐射束的方法，所述方法包括：

提供投影辐射束；

投影所述投影辐射束以形成在衬底水平处具有细长形状的照射区域，所述细长形状具有长边缘和短边缘并且限定纵向方向和垂直于所述纵向方向的横向方向；

在所述衬底水平处利用多个传感器元件检测所述辐射束，所述传感器元件沿着所述纵向方向布置，

其中多个所述传感器元件被布置为在所述横向方向上与所述细长形状的所述长边缘中的一个长边缘相距不同距离。

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