JP2017538966A - ミラー、特にマイクロリソグラフィ用のコレクタミラー - Google Patents
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Abstract
Description
光学格子のうちミラー面に面する側にあり光軸を規定し、光学格子は、第2焦点に配置された絞りと相互作用して、使用線を絞りに通過させ且つEUVスペクトル域以外の残留スペクトル域の電磁残留線を遮断するよう設計され、光学格子は、ファセット面をそれぞれが有する複数のミラーファセットから構成されるブレーズド格子を含み、ファセット面は、ブレーズド格子のミラー面を形成するコレクタミラーに関する。
Claims (20)
- EUVマイクロリソグラフィシステム用のコレクタミラーであって、第1焦点(F1)から出たEUVスペクトル域の電磁使用線(23、25、35、42、43)を反射してそれらを第2焦点(F2)に集束させる光学有効ミラー面(17;117)を有する光学格子(12;112)を備え、前記第1焦点及び前記第2焦点(F2)は、前記光学格子(12;112)のうち前記ミラー面(17;117)に面する側にあり光軸(OA)を規定し、前記光学格子(12;112)は、前記第2焦点(F2)に配置された絞り(38)と相互作用して、前記使用線(23、25、35、42、43)を前記絞り(38)に通過させ且つEUVスペクトル域以外の残留スペクトル域の電磁残留線(36、47)を遮断するよう設計され、前記光学格子(12;112)は、ファセット面(15;115)をそれぞれが有する複数のミラーファセット(14;114)から構成されるブレーズド格子を含み、前記ファセット面(15;115)は、前記ブレーズド格子の前記ミラー面(17;117)を形成するコレクタミラーにおいて、前記ファセット面(15;115)は、前記光軸(OA)を含む断面(16;116)において複数の仮想楕円シェル(18a〜18j;118a〜118j)上に配置され、該仮想楕円シェル(18a〜18j;118a〜118j)は、前記光軸(OA)に沿って相互に変位し且つ共通の数学的焦点位置が前記第1焦点(F1)及び前記第2焦点(F2)と一致し、前記ミラー面(17;117)は、前記仮想楕円シェル(18a〜18j;118a〜118j)に沿って延び、隣接するミラーファセット対の周縁領域側ミラーファセット(14;114)が第1楕円シェル(18a〜18j;118a〜118j)上に配置され、前記ミラーファセット対の頂点領域側ミラーファセット(14;114)が前記第1楕円シェル(18a〜18j;118a〜118j)に隣接した第2楕円シェル(18a〜18j;118a〜118j)上に配置され、前記第1楕円シェル(18a〜18j;118a〜118j)は、前記光軸(OA)に沿って前記第2楕円シェル(18a〜18j;118a〜118j)から前記第1焦点(F1)の方に変位することを特徴とするコレクタミラー。
- 請求項1に記載のコレクタミラーにおいて、前記ブレーズド格子(12)は、前記ファセット面(15)が格子表面(50)に対してそれぞれ局所的に傾斜するブレーズ角(60)を有し、該ブレーズ角(60)は、前記周縁領域(22)から前記頂点領域(20)に向かって増加することを特徴とするコレクタミラー。
- 請求項1又は2に記載のコレクタミラーにおいて、前記ファセット面(115)は、該ファセット面(115)が仮想円形線(204)の少なくとも一部との前記楕円シェル(118a〜118j)の交点(Pn)に配置されるように前記楕円シェル(118a〜118j)に沿って分配され、前記円形線上の点(P)毎に、前記第1焦点(F1)から前記点(P)までの距離と前記点(P)から前記第2焦点(F2)までの距離との比が同じ値を有することを特徴とするコレクタミラー。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載のコレクタミラーにおいて、それぞれ唯一のファセット面(15;115)が前記楕円シェル(18a〜18j;118a〜118j)上に配置されることを特徴とするコレクタミラー。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載のコレクタミラーにおいて、前記楕円シェル(18a〜18j;118a〜118j)は、前記光軸(OA)に沿って相互から実質的に等距離に離間していることを特徴とするコレクタミラー。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載のコレクタミラーにおいて、少なくとも2つのミラーファセット(14)は、少なくとも約0の焦点距離逆数値を有すること、又は少なくとも2つのミラーファセット(14;114)は、同一の焦点距離逆数値を有することを特徴とするコレクタミラー。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のコレクタミラーにおいて、前記ブレーズド格子(12;112)は、前記残留線(36、47)を回折させる回折格子を含み、前記ミラー面(17;117)で反射された前記使用線(23、25、35、42、43)は、0次回折の回折残留線(47’)から前記ブレーズ角(60)の少なくとも2倍で偏向され、且つ/又は0次回折の前記回折残留線(47’、51)と1次回折の前記回折残留線(47’、51)との間を通ることを特徴とするコレクタミラー。
- 請求項7に記載のコレクタミラーにおいて、前記残留スペクトル域は赤外スペクトル域を含み、前記0次回折及び前記1次回折は、前記残留スペクトル域の最小波長を有する前記回折残留線(47’、51)に関係することを特徴とするコレクタミラー。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載のコレクタミラーにおいて、前記ファセット面(15)は、前記断面(16)においてそれぞれファセット長(64)を有し、少なくとも2つのファセット長(64)が異なり、且つ/又は該ファセット長(64)は、前記残留スペクトル域の最小波長(λmin)に応じて選択された最大ファセット長を超えないことを特徴とするコレクタミラー。
- 請求項9に記載のコレクタミラーにおいて、前記ファセット長(64)は、10μm〜200μmの範囲にあることを特徴とするコレクタミラー。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載のコレクタミラーにおいて、前記ブレーズド格子(12)は、0nm〜0.2nmの範囲の表面粗さを有することを特徴とするコレクタミラー。
- 請求項1〜11のいずれか1項に記載のコレクタミラーにおいて、前記ブレーズド格子(12)は、0μm〜1μmの範囲の半径を有する縁丸みを有することを特徴とするコレクタミラー。
- 請求項1〜12のいずれか1項に記載のコレクタミラーにおいて、前記ブレーズド格子(12)は、加工工具(70)を格子工作物(71)に対して螺旋状経路(82)及び/又は同心円(84a〜84j)から構成される経路配置(84)に沿って移動させる超精密旋削法で前記格子工作物(71)から作製されることを特徴とするコレクタミラー。
- 請求項13に記載のコレクタミラーにおいて、前記ミラーファセット(14)は、前記ミラー面(17)を前記加工工具(70)のうち前記ミラー面(17)に面する圧力側(72)と係合させる単一の機械加工プロセスでそれぞれ作製されることを特徴とするコレクタミラー。
- 請求項13又は14に記載のコレクタミラーにおいて、前記ファセット面(15)は、前記超精密旋削法の下流で、イオンビーム及び/又は少なくとも1つの液膜を用いて平滑化法で表面加工されることを特徴とするコレクタミラー。
- 請求項1〜15のいずれか1項に記載のコレクタミラーにおいて、前記ファセット面(15)は、モリブデン及びケイ素の複数の交互個別層を含む層スタックでコーティングされ、前記個別層の層厚が、個々の前記ファセット面(15)に関する局所光線入射角(45)に応じて選択されることを特徴とするコレクタミラー。
- 第1焦点(F1)から出た電磁線を反射してそれらを第2焦点(F2)に集束させる光学有効ミラー面(117)を有する光学格子(112)を備えたミラーであって、前記第1焦点(F1)及び前記第2焦点(F2)は、前記光学格子(112)のうち前記ミラー面(117)に面する側にあり光軸(OA)を規定し、前記光学格子(112)は、ファセット面(115)をそれぞれが有する複数のミラーファセット(114)を含み、前記ファセット面(115)は、前記格子(112)の前記ミラー面を形成するミラーにおいて、前記ファセット面(115)は、前記光軸(OA)を含む断面(116)において複数の仮想楕円シェル(118a〜118j)上に配置され、該複数の仮想楕円シェル(118a〜118j)は、前記光軸(OA)に沿って相互に変位し且つ共通の数学的焦点位置が前記第1焦点(F1)及び前記第2焦点(F2)と一致し、前記ファセット面(115)は、該ファセット面(115)が仮想円形線(204)の少なくとも一部との前記楕円シェル(118a〜118j)の交点(Pn)に配置されるように前記楕円シェル(118a〜118j)に沿って分配され、前記円形線上の点(P)毎に、前記第1焦点から前記点(P)までの距離と該点(P)から前記第2焦点までの距離との比が同じ値を有することを特徴とするミラー。
- 請求項17に記載のミラーにおいて、前記ミラーファセット(115)の基点(115n)が、前記交点(Pn)に配置されることを特徴とするミラー。
- 請求項17又は18に記載のミラーにおいて、前記ミラー面(117)は、前記光軸(OA)の完全に外側に配置されることを特徴とするミラー。
- 請求項17〜19のいずれか1項に記載のミラーにおいて、前記光学格子(112)は、ブレーズド格子又はフレネル構造であることを特徴とするミラー。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021063865A (ja) * | 2019-10-10 | 2021-04-22 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光集光ミラー、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10754012B2 (en) * | 2019-01-04 | 2020-08-25 | Blackmore Sensors & Analytics, Llc | Lidar system including multifaceted deflector |
KR20210142727A (ko) | 2019-03-27 | 2021-11-25 | 텔레호낙티에볼라게트 엘엠 에릭슨(피유비엘) | Sl sr/bsr 처리를 위한 방법들 |
CN110146992A (zh) * | 2019-05-10 | 2019-08-20 | 厦门市承谱科学仪器有限公司 | 一种激光二极管阵列的光束整形装置 |
DE102019213063A1 (de) * | 2019-08-30 | 2021-03-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Beugungskomponente |
DE102019215829A1 (de) | 2019-10-15 | 2021-04-15 | Asml Netherlands B.V. | EUV-Kollektorspiegel |
DE102022207359A1 (de) | 2022-07-19 | 2024-01-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen eines Passformfehlers bei einem Hohlspiegel |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005522026A (ja) * | 2002-03-28 | 2005-07-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 193nm以下の波長を用いる照明光学系のための反射素子を備えた集光ユニット |
JP2005302998A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Canon Inc | Euv光を用いた露光装置および露光方法 |
US20080285919A1 (en) * | 2004-03-20 | 2008-11-20 | Seng-Tiong Ho | Curved grating spectrometer with very high wavelength resolution |
JP2010004001A (ja) * | 2008-05-20 | 2010-01-07 | Komatsu Ltd | 極端紫外光用ミラー、極端紫外光用ミラーの製造方法及び極端紫外光源装置 |
WO2010086324A1 (fr) * | 2009-01-27 | 2010-08-05 | Universite Pierre Et Marie Curie (Paris 6) | Spectrographe a miroir elliptique |
JP2012212904A (ja) * | 2008-05-20 | 2012-11-01 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光用ミラー、極端紫外光用ミラーの製造方法及び極端紫外光源装置 |
DE102011084266A1 (de) * | 2011-10-11 | 2013-04-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Kollektor |
JP2013175724A (ja) * | 2012-02-11 | 2013-09-05 | Media Lario Srl | Gicミラーおよびlpp源を使用するeuvリソグラフィ用の光源集光モジュール |
WO2014170093A2 (en) * | 2013-04-17 | 2014-10-23 | Asml Netherlands B.V. | Radiation collector, radiation source and lithographic apparatus |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4995714A (en) * | 1988-08-26 | 1991-02-26 | Cohen Allen L | Multifocal optical device with novel phase zone plate and method for making |
US5153780A (en) * | 1991-06-10 | 1992-10-06 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method and apparatus for uniformly concentrating solar flux for photovoltaic applications |
EP0519112B1 (de) * | 1991-06-21 | 1996-03-13 | Tetsuhiro Kano | Reflektor und Verfahren zum Erzeugen einer Reflektorform |
US8227778B2 (en) | 2008-05-20 | 2012-07-24 | Komatsu Ltd. | Semiconductor exposure device using extreme ultra violet radiation |
DE102009044462A1 (de) * | 2009-11-06 | 2011-01-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches Element, Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage |
DE102010063530A1 (de) * | 2009-12-22 | 2011-06-30 | Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 | Blendenelement und optisches System für die EUV-Lithographie |
US20140118830A1 (en) | 2012-10-25 | 2014-05-01 | L-3 Integrated Optical Systems Tinsley | Optical grating including a smoothing layer |
CN103499851B (zh) * | 2013-09-29 | 2015-06-10 | 清华大学深圳研究生院 | 一种闪耀凹面光栅制作方法 |
-
2014
- 2014-11-27 DE DE102014117453.4A patent/DE102014117453A1/de not_active Ceased
-
2015
- 2015-11-26 JP JP2017528558A patent/JP6650452B2/ja active Active
- 2015-11-26 WO PCT/EP2015/077717 patent/WO2016083487A1/de active Application Filing
- 2015-11-26 EP EP15813278.7A patent/EP3224677B1/de active Active
-
2017
- 2017-05-22 US US15/601,337 patent/US10101569B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005522026A (ja) * | 2002-03-28 | 2005-07-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 193nm以下の波長を用いる照明光学系のための反射素子を備えた集光ユニット |
US20080285919A1 (en) * | 2004-03-20 | 2008-11-20 | Seng-Tiong Ho | Curved grating spectrometer with very high wavelength resolution |
JP2005302998A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Canon Inc | Euv光を用いた露光装置および露光方法 |
JP2010004001A (ja) * | 2008-05-20 | 2010-01-07 | Komatsu Ltd | 極端紫外光用ミラー、極端紫外光用ミラーの製造方法及び極端紫外光源装置 |
JP2012212904A (ja) * | 2008-05-20 | 2012-11-01 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光用ミラー、極端紫外光用ミラーの製造方法及び極端紫外光源装置 |
WO2010086324A1 (fr) * | 2009-01-27 | 2010-08-05 | Universite Pierre Et Marie Curie (Paris 6) | Spectrographe a miroir elliptique |
DE102011084266A1 (de) * | 2011-10-11 | 2013-04-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Kollektor |
JP2013175724A (ja) * | 2012-02-11 | 2013-09-05 | Media Lario Srl | Gicミラーおよびlpp源を使用するeuvリソグラフィ用の光源集光モジュール |
WO2014170093A2 (en) * | 2013-04-17 | 2014-10-23 | Asml Netherlands B.V. | Radiation collector, radiation source and lithographic apparatus |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021063865A (ja) * | 2019-10-10 | 2021-04-22 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光集光ミラー、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法 |
JP7403271B2 (ja) | 2019-10-10 | 2023-12-22 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光集光ミラー、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3224677A1 (de) | 2017-10-04 |
JP6650452B2 (ja) | 2020-02-19 |
DE102014117453A1 (de) | 2016-06-02 |
EP3224677B1 (de) | 2018-10-10 |
US10101569B2 (en) | 2018-10-16 |
US20170254995A1 (en) | 2017-09-07 |
WO2016083487A1 (de) | 2016-06-02 |
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