KR20020028806A - 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (21)
- 방사선의 투영 빔을 제공하는 방사선 시스템;소정의 패턴에 따라 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝 수단을 지지하는 지지 구조체;기판을 유지하는 기판 테이블; 및기판의 목표영역 위에 패터닝된 빔을 투영하는 투영시스템을 포함하여;상기 방사선 시스템에 포함되어 상기 투영빔을 형성하기 위해서 소정 파장의 방사선을 통과시키고 불필요한 파장이 방사선을 회절시키는 회절격자 스펙트럼 필터를 더욱 포함하는것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제1항에 있어서,상기 회절격자 스펙트럼 필터는블레이즈 회절격자를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제2항에 있어서,상기 회절격자 스펙트럼 필터는 약 2.5°미만의 블레이즈 각을 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제2항 또는 제3항에 있어서,상기 회절격자 스펙트럼 필터는 mm 당 200 내지 700의 범위에 있는 라인밀도를 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치
- 제1항에 있어서,상기 회절격자 스펙트럼 필터는 박막 회절격자인 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 회절격자 스펙트럼 필터는 기본적으로 상기 소정 파장의 방사선에 영향을 주지 않도록 구성된 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제6항에 있어서,상기 회절격자 스펙트럼 필터는 실질적으로 상기 소정 파장의 방사선에 기본적으로 영향을 주지 않는 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치
- 제7항에 있어서,상기 회절격자 스펙트럼 필터는 실질적으로 상기 소정 파장에서는 1에 가까운 굴절율을 가지는 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제8항에 있어서,상기 회절격 스펙트럼 필터는 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 회절격자 스펙트럼 필터와 열접촉으로 제공되는 쿨링 요소를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제10항에 있어서,상기 쿨링 요소는 냉각제 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제11항에 있어서,상기 냉각제 채널을 통해 냉각액을 통과시키는 쿨링 시스템을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 회절격자 스펙트럼 필터는 반사성 필터인 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 회절격자 스펙트럼 필터는 그레이징 입사 반사기인 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제13항 또는 제14항에 있어서,상기 회절격자 스펙트럼 필터는 상기 조명 시스템의 광학 요소와 함께 일체가 되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 투영 빔은 예를 들어, 8 내지 20nm, 특히 9 내지 16nm의 범위에 있는 파장을 갖는 극자외선을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 지지 구조체는 마스크를 유지하는 마스크 테이블을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,상기 방사선 시스템은 방사원을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제18항에 있어서,상기 방사원은 레이저생성 플라즈마원, 방전 플라즈마원 또는 플라즈마 방사원인 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 적어도 부분적으로는 감광물질 층으로 덮인 기판을 제공하는 단계;방사선 시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;투영 빔의 단면에 패턴을 부여하도록 패터닝 수단을 사용하는 단계;감광물질 층의 목표영역 위에 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계; 및회절격자 스펙트럼 필터를 사용하여 상기 방사선 시스템에서 상기 투영 빔을 필터링 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
- 제20항의 방법에 따라 제조된 디바이스.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP00308903 | 2000-10-10 | ||
EP00308903.4 | 2000-10-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020028806A true KR20020028806A (ko) | 2002-04-17 |
KR100589241B1 KR100589241B1 (ko) | 2006-06-14 |
Family
ID=8173311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020010061958A KR100589241B1 (ko) | 2000-10-10 | 2001-10-08 | 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6678037B2 (ko) |
JP (1) | JP4404508B2 (ko) |
KR (1) | KR100589241B1 (ko) |
TW (1) | TWI240151B (ko) |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
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