KR100779700B1 - 다층 스펙트럼 퓨리티 필터, 이러한 스펙트럼 퓨리티필터를 포함하는 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및이에 의해 제조되는 디바이스 - Google Patents

다층 스펙트럼 퓨리티 필터, 이러한 스펙트럼 퓨리티필터를 포함하는 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및이에 의해 제조되는 디바이스 Download PDF

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Abstract

다층의 스펙트럼 퓨리티 필터들은 극자외(EUV) 방사선 빔의 스펙트럼 퓨리티를 향상시키며, 또한 방사선 소스로부터 방출된 데브리(debris)를 콜렉팅한다.

Description

다층 스펙트럼 퓨리티 필터, 이러한 스펙트럼 퓨리티 필터를 포함하는 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 이에 의해 제조되는 디바이스{MULTI-LAYER SPECTRAL PURITY FILTER, LITHOGRAPHIC APPARATUS INCLUDING SUCH A SPECTRAL PURITY FILTER, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY}
이하, 본 발명의 실시예들이 첨부도면을 참조하여 예시의 방법으로 기술되며, 여기서 대응되는 참조부호들은 대응되는 부분들을 지칭한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 나타낸 도;
도 2는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 나타낸 도;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터를 개략적으로 나타낸 도;
도 4는 도 3에 도시된 스펙트럼 퓨리티 필터 일부의 단면을 개략적으로 나타낸 도;
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 스펙트럼 퓨리티 필터를 개략적으로 나타낸 도;
도 6은 도 5에 도시된 스펙트럼 퓨리티 필터 일부의 단면을 개략적으로 나타 낸 도;
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터들에 대해 계산 및 측정된 투과율 값을 나타낸 도;
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터의 특성들이 측정된 장치를 개략적으로 나타낸 도;
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터의 특성들이 측정되는 또 다른 장치를 개략적으로 나타낸 도;
도 10a-10d는 본 발명의 일 실시예에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터의 노광된 부분 및 노광되지 않은 부분을 나타낸 도이다.
본 발명은 리소그래피 장치 및 집적회로(IC)와 같은 디바이스의 제조에 상기 장치를 사용하는 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 EUV(Extreme Ultra-Violet) 방사선 빔의 스펙트럼 퓨리티를 개선시키고, 또한 방사선 소스로부터 방출되는 데브리(debris)를 필터링하는 다층 스펙트럼 퓨리티 필터들에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판, 통상적으로는 기판의 타겟부상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이 예에서, 대안적으로는 마스크 또는 레티클이라 지칭되는 패터닝장치가 IC의 개별층상에 형성될 회로 패턴을 생성시키는데 사용될 수 있다. 이 패턴은 기 판(예를 들어, 실리콘웨이퍼)상의 (예를 들어, 1 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부상에 전사(transfer)될 수 있다. 통상적으로, 패턴의 전사(transfer)는 기판상에 제공되는 방사선 감응재(레지스트) 층상으로의 이미징(imaging)을 통해 이루어진다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 전체패턴을 한번에 타겟부상에 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향 또는 반대 방향으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 스캐너를 포함한다. 또한, 패턴을 기판상에 임프린팅(imprint)함으로써 패터닝장치로부터 기판으로 패턴을 전사하는 것도 가능하다.
EUV 방사선 이외에, EUV 소스는 여러 상이한 파장의 방사선 및 데브리를 방출한다. 이 비-EUV 방사선은 EUV 리소그래피 시스템에 대해 유해하여(harmful), 예를 들어 스펙트럼 퓨리티 필터에 의하여 제거되어야 한다. 본 스펙트럼 퓨리티 필터들은 화염 격자들(blazed gratings)을 기반으로 한다. 하지만, 이들 격자들은, 스펙트럼 퓨리티 필터들상의 삼각형 패턴의 표면 품질이 매우 높아야 하기 때문에 생성하기가 어렵다. 표면 거칠기는 1nm RMS보다 작아야 한다.
방사선 소스로부터 방출되는 데브리를 억제하기 위해 데브리 경감 체계(debris mitigation schemes)가 적용될 수도 있다. 하지만, 포일 트랩들(foil traps) 및 가스 버퍼들을 포함하는, 통상적으로 사용되는 데브리 경감 방법들은 효과적인 데브리 보호책을 보장하지 않는다. 더구나, EUV에 대해 투과적인 표준(예를 들어, Zr)의 얇은 필터들의 사용은 필터들의 취약성(fragility) 및 낮은 열-부하 임계치로 인해 사실상 불가능하다.
또한, 데브리 경감 체계들은 리소그래피 장치로부터의 성분들의 물리적 제거 및 화학적 프로세스들을 이용한 그들의 오프-라인 클리닝을 포함할 수도 있다. 하지만, 이러한 오프-라인 클리닝을 수용해야 한다면, 리소그래피 장치의 기계적 디자인 및 진공이 매우 복잡해지도록 한다. 또한, 오프-라인 클리닝은 리소그래피 장치에 대해 상당한 양의 휴지 시간(down time)과 연루된다.
기존 스펙트럼 퓨리티 필터들의 추가적인 문제는 그들이 EUV 소스로부터의 방사선 빔의 방향을 변화시킨다는 것이다. 따라서, 스펙트럼 퓨리티 필터가 EUV 리소그래피 장치로부터 제거된다면, 대체(replacement) 스펙트럼 퓨리티 필터가 부가되어야 하고, 요구되는 각도의 거울이 도입되어야 한다. 부가되는 거울은 시스템내로 원하지 않는 손실들(losses)을 유발시킨다.
본 발명의 목적은 방사선 소스로부터 방출되는 데브리를 경감시킬 수 있는 스펙트럼 퓨리티 필터를 제공하고, 방사선 빔의 스펙트럼 퓨리티를 향상시키는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 교번층(alternating layers)들의 다층 구조체를 포함하는 리소그래피 스펙트럼 퓨리티 필터가 제공되고, 스펙트럼 퓨리티 필터는 원하지 않는 방사선을 반사 또는 흡수함으로써 방사선 빔의 스펙트럼 퓨리티 를 개선시키도록 구성되며, 상기 스펙트럼 퓨리티 필터는 또한 방사선 소스로부터 방출되는 데브리를 콜렉팅하도록 구성된다.
원하지 않는 방사선은, 방사선 빔의 원하는 방사선으로부터의 상이한 파장을 갖는 방사선으로서 정의될 수도 있으며, 이는, 예를 들어 EUV 방사선일 수도 있다. 반사 또는 흡수될 수도 있는 원하지 않는 방사선은 방사선 빔의 원하지 않는 방사선보다 크거나 작은 파장을 가질 수도 있다.
스펙트럼 퓨리티 필터는 원하지 않는 방사선은 억제시키는 한편, EUV 방사선과 같은 낮은 파장을 갖는 원하는 방사선은 투과시킬 수도 있다. 따라서, 다층 구조체는 원하지 않는 방사선(예를 들어, DUV)은 반사 또는 흡수시키도록 설계 및 최적화되는 한편, 원하는 방사선(예를 들어, EUV)은 투과시킬 수도 있다.
본 발명의 스펙트럼 퓨리티 필터는 투과성 필터로서 분류될 수도 있다. 스펙트럼 퓨리티 필터는, EUV 방사선과 같은 원하는 방사선에 대해 적어도 40%, 적어도 60%, 적어도 80% 및 바람직하게는 적어도 90%의 투과율을 가질 수도 있다.
스펙트럼 퓨리티 필터는 DUV 방사선과 같은 원하지 않는 방사선을 필터링해낼 수도 있다. 예를 들어, 스펙트럼 퓨리티 필터를 통한 방사선의 투과율과 관련하여, EUV 방사선 대 DUV 방사선의 비는 대략 100배, 1000배 또는 대략 105배까지 개선될 수도 있다. 따라서, 본 발명에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터를 통한 투과율과 관련한 방사선 빔의 스펙트럼 퓨리티의 현저한 향상이 얻어질 수 있다.
스펙트럼 퓨리티 필터의 다층 구조체는 대략 2-200 교번층, 대략 10-100 교 번층 또는 20-50 교번층을 가질 수도 있다. 교번층들은 대략 0.2 내지 100nm, 대략 0.2 내지 20nm 또는 대략 0.5 내지 5nm의 두께를 가질 수도 있다. 교번층 각각은 실질적으로 일정한 두께의 연속 층들을 형성할 수도 있다. 교번층들의 다층 구조체의 총 두께는 대략 10 내지 700nm, 바람직하게는 대략 100 내지 200nm의 범위에 있을 수 있다.
교번층들의 다층 구조체는 여느 적절한 개수의 상이한 교번층들로부터 형성될 수도 있다. 예를 들어, 서로 교번하는 2개의 상이한 층들이 존재할 수도 있다. 대안적으로, 서로 교번하는 3개의 상이한 층들이 존재할 수도 있다.
다층 구조체를 형성하는 교번층들은: Zi 및 Si 층들; Zr 및 B4C 층들; Mo 및 Si 층들; Cr 및 Sc 층들; Mo 및 C 층들; 및 Nb 및 Si 층들의 어느 조합으로부터 형성될 수도 있다. 교번층들의 다층 구조체를 포함하는 스펙트럼 퓨리티 필터는, 마그네트론 스퍼터링, 에피텍시, 이온 스퍼터링 및 이온 폴리싱에 의하거나 의하지 않는 e-빔 증발과 같은 여느 적절한 기술을 사용하여, 예를 들어 Zi 및 Si의 교번층들을 증착시킴으로써 형성될 수도 있다.
스펙트럼 퓨리티 필터의 다층 구조체는, 필터가 방사선 소스로부터 방출되는 데브리에 의해 손상되지 않도록 강하고 튼튼하게(strong and robust) 설계될 수도 있다.
교번층들의 다층 구조체는 메시-형(mesh-like) 구조체상에 증착될 수도 있다. 메시-형 구조체는, 벌집 구조의 형태로 이루어질 수 있으며, 다층 구조체의 일 측면으로부터 다른 측면으로 페네트레이트(penetrate)될 수도 있다. 메시-형 구조체는 교번층들의 다층 구조체를 형성하는 재료가 증착될 수 있는 복수의 어퍼처들을 포함할 수도 있다. 메시는, 여느 적절한 전기주조가능한(electroformable) 재료, 예를 들어 Ni 및 Cu로부터 형성될 수도 있다. 메시-형 구조체의 어퍼처들은 대략 0.01-5mm2, 예를 들어 대략 1-1.5mm2의 크기 범위를 가질 수 있다. 메시-형 구조체는 스펙트럼 퓨리티 필터의 다층 구조체의 강도를 향상시킬 수 있다. 따라서, 스펙트럼 퓨리티 필터는 메시 없는 스펙트럼 퓨리티 필터와 비교하여 보다 얇은 다층 구조체로 만들어질 수도 있다. 이는, EUV 방사선의 투과율을 향상시킬 수 있다. 따라서, 메시-형 구조체를 포함하는 스펙트럼 퓨리티 필터는 실질적으로 강화될 수 있으며, 메시-형 구조체가 없는 필터와 비교하여 보다 큰 압력차를 견딜 수 있다.
필터의 일 측면으로부터 다른 측면으로 페네트레이트하는 메시-형 구조체를 포함하는 대략 50-600nm의 총 두께를 가지고, 대략 1mm2의 어퍼처를 가지며, 대략 1cm2의 총 표면적을 갖는, 본 발명에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터는 대략 0.5-1 바아까지의 압력차를 견딜 수 있다.
메시-형 구조체는 다층 구조체의 교번층들 중 하나의 측면에만 인접하게 배치될 수 있다. 메시-형 구조체는 다층 구조체의 교번층들의 양 측면에 인접하게 배치될 수도 있다. 이들 실시예에서, 메시-형 구조체는 교번층들내로 페네트레이트되지 않는다.
메시-형 구조체는 다층 구조체의 교번층들내로 부분적으로 페네트레이트될 수도 있다.
메시-형 구조체가 존재하지 않을 수도 있다. 대략 50-600nm의 총 두께를 가지고, 메시-형 구조체를 포함하지 않으며, 대략 1cm2의 총 표면적을 갖는, 본 발명에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터들은 대략 0.1mbar까지의 압력차를 견딜 수 있다.
본 발명에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터들은 대략 6W/cm2까지의, 그리고 심지어는 그보다 큰 열유동(heat flux)까지도 견딜 수 있다. 또한, 스펙트럼 퓨리티 필터들은 대략 500℃까지의 온도 및 심지어는 그 보다 높은 온도, 예컨대 1000℃ 내지 1500℃의 온도를 견딜 수도 있다. 이는, 실제로 표준 리소그래피 장치에 요구되는 것보다 훨씬 더 높다.
본 발명에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터들은, 여러 스펙트럼 퓨리티 필터들의 조합에 의해 대략 1 내지 10cm2까지의 큰 표면적들이 형성될 수 있도록 하는 모듈에 연결될 수도 있다.
스펙트럼 퓨리티 필터는 방사선 빔의 중간 포커스(intermediate focus)로부터 이격된 리소그래피 장치의 어떠한 포인트에도 위치될 수 있다. 예를 들어, 스펙트럼 퓨리티 필터들은 리소그래피 장치의 조명시스템 또는 소스-콜렉터-모듈에 위치될 수도 있다. 스펙트럼 퓨리티 필터는 콜렉터의 하류 및 중간 포커스의 상류에 위치될 수도 있다. 데브리의 경감이 바람직한 경우, 스펙트럼 퓨리티 필터는 리소그래피 장치의 콜렉터 상류에 위치될 수도 있다. 스펙트럼 퓨리티 필터가 주로 스펙트럼 필터링에 사용될 경우, 스펙트럼 퓨리티는 컬렉터의 하류: 예컨대, 방사선 빔의 중간 포커스와 입사 리플렉터(incidence reflector) 사이; 입사 리플렉터와 마스크 테이블 사이; 또는 기판테이블 상부 중 여하한의 위치에 위치될 수도 있다.
또한, 본 발명에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터는 방사선 소스로부터 방출되는 데브리를 필터링 및 경감시킬 수도 있다. 방사선 소스로부터 방출되는 데브리는 원자 입자, 마이크로-입자 및 이온들일 수도 있다. 본 발명에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터들은, 포일 트랩, 배경 가스 압력 시스템(background gas pressure system), 전자기 서프레서 및 여타 적절한 디바이스들과 같은 다른 데브리 억제 장치와 조합하여 사용될 수도 있다.
또한, 스펙트럼 퓨리티 필터들은 리소그래피 장치로부터 쉽게 제거된 다음, 외부적으로 클리닝되고, 리소그래피 장치에서 재위치설정되거나 대체 스펙트럼 퓨리티 필터로 교체될 수도 있다. 스펙트럼 퓨리티 필터의 간단한 대체에 의하여, 리소그래피 장치의 실질적인 부분을 조립해제해야 할 필요성을 극복한다. 따라서, 본 발명의 스펙트럼 퓨리티 필터는 종래기술에 존재하는 스펙트럼 퓨리티 필터와 비교하여 비용적인 면에서 장점을 갖는다.
본 발명의 추가 실시예에 따르면, 방사선 빔을 콘디셔닝하도록 구성된 조명시스템; 패터닝장치를 지지하도록 구성된 지지부; 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하여 패터닝된 방사선 빔을 형성시키도록 구성된 패터닝장치; 및 상기 패터닝된 방사선 빔을 기판의 타겟부상으로 투영하도록 구성된 투영시스템을 포함하는 리소그래피 장치가 제공되고, 스펙트럼 퓨리티 필터는 원하지 않는 방사선을 반사 또는 흡수함으로써 방사선 빔의 스펙트럼 퓨리티를 개선시키도록 구성되며, 상기 스 펙트럼 퓨리티 필터는 또한 방사선 소스로부터 방출되는 데브리를 콜렉팅하도록 구성된다.
스펙트럼 퓨리티 필터는 리소그래피 장치의 조명시스템 또는 소스-콜렉터-모듈에 위치될 수도 있다. 스펙트럼 퓨리티 필터는 콜렉터의 하류 및 방사선 빔의 중간 포커스의 상류에 위치될 수도 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 교번층들의 다층 구조체를 포함하는 스펙트럼 퓨리티 필터를 포함하는 리소그래피 장치가 제공되며, 상기 스펙트럼 퓨리티 필터는 원하지 않는 방사선을 반사 또는 흡수시킴으로써 방사선 빔의 스펙트럼 퓨리티를 개선시키도록 구성되고, 상기 스펙트럼 퓨리티 필터는 또한 방사선 소스로부터 방출되는 데브리를 콜렉팅하도록 구성된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 조명시스템을 사용하여 콘디셔닝된 방사선 빔을 제공하는 단계; 방사선 빔에 패턴을 부여하는 단계; 및 패터닝된 방사선 빔을 기판의 타겟부상으로 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법이 제공되며, 교번층의 다층 구조체를 포함하는 스펙트럼 퓨리티 필터는 원하지 않는 방사선을 반사 또는 흡수함으로써 방사선 빔의 스펙트럼 퓨리티를 개선하도록 구성되고, 스펙트럼 퓨리티 필터는 또한 방사선 소스로부터 방출되는 데브리를 콜렉팅하도록 구성된다.
본 발명의 추가 실시예에 따르면, 패터닝된 방사선 빔을 기판상으로 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법이 제공되고, 교번층의 다층 구조체를 포함하는 스펙트럼 퓨리티 필터는 원하지 않는 방사선을 반사 또는 흡수함으로써 방사 선 빔의 스펙트럼 퓨리티를 개선시키도록 구성되고, 스펙트럼 퓨리티 필터는 또한 방사선 소스로부터 방출된 데브리를 콜렉팅하도록 구성된다.
본 발명의 추가 실시예에 따르면, 상술된 방법에 따라 제조된 디바이스가 제공된다.
상기 제조된 디바이스는, 예를 들어 집적회로(IC), 집적 광학시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출패턴, 액정 디스플레이(LCD) 및 박막 자기 헤드일 수도 있다.
도 1은, 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 EW 방사선)을 콘디셔닝하도록 구성된 조명시스템(일루미네이터)(IL)를 포함하는 리소그래피 장치를 개략적으로 나타내고 있다. 지지부(예를 들어, 마스크테이블(MT))는 패터닝장치(MA)(예를 들어, 마스크)를 지지하도록 구성되고, 특정 파라미터에 따라 패터닝장치를 정확히 위치시키도록 구성된 제1위치설정장치(PM)에 연결된다. 기판테이블(예를 들어, 웨이퍼테이블)(WT)은 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 잡아주고, 특정 파라미터에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제2위치설정장치에 연결된다. 투영시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈)(PS)은 패터닝된 방사선 빔(B)을 기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어, 1이상의 다이를 포함)상으로 투영하도록 구성된다.
조명시스템은 방사선을 지향, 성형 및/또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소, 또는 그들의 조합과 같은 다양한 종류의 광학구성요소들을 포함할 수도 있다.
지지부는, 패터닝장치의 무게를 지지, 예를 들어 지탱한다(bear). 그것은, 패터닝장치의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝장치가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 여타 조건들에 따르는 방식으로 패터닝장치를 유지시킨다. 상기 지지부는 패터닝장치를 잡아주기 위하여 기계적 클램핑, 진공 클램핑, 정전기적 클램핑 또는 여타 클램핑 기술들을 사용할 수 있다. 지지부는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지부는 패터닝장치가, 예를 들어 투영시스템에 대해 원하는 위치에 자리하도록 할 수도 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝장치"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
여기서 사용되는 "패터닝장치(patterning device)"라는 용어는 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 장치를 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 예를 들어, 패턴이 위상-시프팅 피처들 또는 소위 어시스트 피처들을 포함한다면, 방사선 빔에 부여된 패턴은 기판의 타겟부내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것에 유의해야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적회로와 같이 타겟부에 생성되는 디바이스내의 특정기능층에 해당할 것이다.
패터닝장치는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝장치의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크형식도 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일례에서는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채용하며, 그 각각은 입사하 는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 상기 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의하여 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광방사선에 대해, 또는 침지 유체(immersion fluid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 여타의 인자에 대하여 적절하다면, 굴절광학시스템, 반사광학시스템 및 카타디옵트릭시스템, 자기광학시스템, 전자기광학시스템 및 정전기광학시스템 또는 그들의 조합을 포함하는 다양한 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서의 "투영렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과마스크를 채택하는) 투과형이다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 위에서 언급한 바와 같은 형태의 프로그램가능한 거울 어레이를 채용하거나 반사형 마스크를 채용하는) 반사형으로 구성될 수도 있다.
리소그래피 장치는 2개(듀얼스테이지)이상의 기판테이블(및/또는 2이상의 마스크테이블)을 갖는 형태로 구성될 수도 있다. 이러한 "다수스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 1이상의 테이블이 노광을 위해 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
리소그래피 투영장치는, 기판의 적어도 일부가 투영시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해 비교적 높은 굴절률을 가지는 액체, 예를 들어, 물로 커버링되는 타입으로 이루어질 수도 있다. 침지 액체는 리소그래피 장치내의 여타 공간, 예를 들어 마스크와 투영시스템 사이에 적용될 수도 있다. 침지 기술은 투영시스템의 개구수를 증가시키는 것으로 당업계에서 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지(immersion)"라는 용어는, 기판과 같은 구조체가 액체내의 담궈져야(submerge) 한다는 것을 의미하기 보다는, 노광시 예를 들어 투영시스템과 기판사이에 액체가 위치되어야 한다는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선소스(S0)로부터 방사선의 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피장치의 부분을 형성하는 것으로 간주되지는 않으며, 상기 방사선은 예를 들어, 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스펜더를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 상기 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 여타의 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요하다면 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라 칭해질 수도 있다.
일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하도록 구성된 조정기구(AD)를 포함할 수도 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필평면내의 세기분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터(IL)는 그 단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 갖도록 방사선 빔을 콘디셔닝하는데 사용될 수도 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지부(예를 들어, 마스크테이블(MT))에 의하여 유지되어 있는 패터닝장치(예를 들어, 마스크(MA))상에 입사되며, 패터닝장치에 의해 패터닝된다. 상기 방사선 빔(B)은, 마스크(MA)를 가로질러 투영시스템(PL)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)상에 상기 빔을 포커스한다. 제2위치설정장치(PW) 및 위치센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 선형 인코더(linear encoder) 또는 캐퍼서티 센서(capacitive sensor))의 도움으로, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정장치(PM) 및 또 다른 위치센서(도 1에 명확히 도시되지는 않았으나, 간섭계 디바이스, 선형 인코더 또는 캐패시티 센서일 수 있음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은, 긴 행정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정(coarse positioning)) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치설정(fine positioning))의 도움을 받아 실현될 것이며, 이는 제1위치설정장치(PM)의 일부를 형성한다. 이와 유사하게, 기판테이블(WT)의 이동은 제2위치설정장치(PW)의 일부를 형성하는 긴 행정 모듈 및 짧은 행정 모듈을 사용하여 실현될 수도 있다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 상기 마스크테이블(MT)은 단지 짧은 행정 액츄에이터에만 연결되거나 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬마크(M1, M2) 및 기판 정렬마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수도 있다. 예시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 할당된 타겟부를 점유하기는 하나, 그들은 타겟부들 사이의 공간들에 배치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려져 있음). 이와 유사하게, 마스크(MA)상에 1이상의 다이가 제공되는 상황에서는, 다이들 사이에 마스크 정렬 마크들이 배치될 수도 있다.
상술된 장치는 다음의 바람직한 모드들 중 1이상에서 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드에서는, 마스크테이블(MT) 및 기판테이블(WT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C)상에 투영된다{즉, 단일 정적 노광(single static exposure)}. 그런 후, 기판테이블(WT)은 X 및/또는 Y 방향으로 시프트되어 다른 타겟부(C)가 노광될 수 있다. 스텝 모드에서, 노광필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 묘화되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서는, 마스크테이블(MT)과 기판테이블(WT)은 방사선 빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다{즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)}. 마스크테이블(MT)에 대한 기판테이블(WT)의 속도 및 방향은 확대(축소) 및 투영시스템(PS)의 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수도 있다. 스캔 모드에서, 노광필드의 최대크기는 단일 동적노광시 타켓부의 (스캐닝되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서는, 마스크테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝장치를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안, 기판테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채용되며, 프로그램가능한 패터닝장치는 기판테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔중에 계속되는 방사선펄스 사이에서 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 상기 언급된 바와 같은 종류의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝장치를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 상이한 사용 모드들이 채용될 수도 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 리소그래피 장치의 측면도를 나타내고 있다. 그 구성은 도 1에 나타낸 장치의 구성과는 상이하지만, 작동 원리는 유사하다는데 유의해야 한다. 상기 장치는 소스-콜렉터-모듈 또는 방사선 유닛(3), 조명시스템(IL) 및 투영시스템(PL)을 포함한다. 방사선 유닛(3)에는, 전자기 방사선 스펙트럼의 EUV 범위내의 방사선을 방출하기 위해 매우 고온의 방전 플라즈마가 생성되는 가스 또는 증기, 예를 들어 Xe 가스 또는 Li 증기를 채용할 수도 있는 방사선 소스(LA)가 제공된다. 방전 플라즈마는, 전기적 방전의 부분적으로 이온화된 플라즈마가 광학 축선(O)상으로 붕괴되도록 함으로써 생성된다. 방사선의 효율적인 생성을 위해 Li 증기 또는 여타 적절한 가스나 증기의 0.1 m bar의 부분 압력을 필요로 할 수 있다. 방사선 소스(LA)에 의하여 방출되는 방사선은 가스 배리어 또는 포일 트랩(9)을 통해 소스 챔버(7)로부터 콜렉터 챔버(8)내로 전달된다. 가스 배리 어는 채널 구조체를 포함한다. 콜렉터 챔버(8)는, 예를 들어 그레이징 입사 콜렉터(grazing incidence collector)에 의하여 형성되는 방사선 콜렉터(10)를 포함한다. 콜렉터(10)를 지난 방사선은 본 발명에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터(11)를 통해 전달된다. 블레이징된 스펙트럼 퓨리티 필터들과 대조하여, 스펙트럼 퓨리티 필터(11)는 방사선 빔의 방향을 변화시키지 않는다는데 유의해야 한다. 방사선은 콜렉션 챔버(8)의 어퍼처로부터의 가상의(virtual) 소스 포인트(12)(즉, 중간 포커스)에서 포커싱된다. 챔버(8)로부터, 방사선(16) 빔은, 조명시스템(IL)에서 정상적 입사 리플렉터(13)들을 통해 레티클 또는 마스크테이블(MT)상에 위치되는 레티클 또는 마스크상으로 반사된다. 투영시스템(PL)에 의하여 반사요소(18, 19)를 통해 웨이퍼 스테이지 또는 기판테이블(WT)상으로 투영되는 패터닝된 빔(17)이 형성된다. 일반적으로, 조명시스템(IL) 및 투영시스템(PL)에는 나타낸 것보다 많은 요소들이 존재할 수도 있다.
반사요소(19)들 중 하나는 그것의 전방에, 어퍼처(21)가 통과되는 NA 디스크(20)를 갖는다. 어퍼처(21)의 크기는 방사선 빔(17)이 기판테이블(WT)을 때릴 때 방사선 빔(17)에 의해 대응되는 각도(αi)를 결정한다.
도 2는 콜렉터(10)의 하류 및 가상의 소스 포인트(12)의 상류에 위치되는 본 발명에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터(11)를 나타내고 있다. 도 2에 나타낸 것에 대한 대안실시예에서는, 만약 본 발명에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터(11)가 주로 방사선 소스(LA)로부터 방출되는 데브리를 경감시키는데 사용된다면, 상기 스펙트럼 퓨리티 필터(11)는 가스 배리어 또는 포일 트랩(9)과 콜렉터(10) 사이에 배치된다. 스펙트럼 퓨리티 필터(11)가 스펙트럼 필터링에 주로 사용되어지는 여타 실시예에서, 스펙트럼 퓨리티 필터(11)는 다음의 위치들: 즉 콜렉터(10)와 가상의 소스 포인트(12)(즉, 중간 포커스) 사이; 가상의 소스 포인트(12)와 입사 리플렉터(13) 사이; 입사 리플렉터(13)와 입사 리플렉터(14) 사이; 입사 리플렉터(14)와 마스크테이블(MT) 사이; 및 기판테이블(WT) 상부 중 여하한의 위치에 배치될 수도 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터(100)를 나타내고 있다. 스펙트럼 퓨리티 필터(100)는 50개의 교번 Zr/Si 층들(102)에 의하여 형성되는 다층 구조체를 갖는다. 대안실시예는, 2 내지 200개의 교번 Zr/Si 층들(102)을 가질 수도 있다.
또한, 스펙트럼 퓨리티 필터(100)는 메시(104)를 포함한다. 메시(104)는 Cu로 만들어지고, 대략 1 - 1.5mm2의 크기를 갖는 실질적으로 육각형의 어퍼처들을 포함하는 벌집형 구조체를 형성한다. 메시(104)는 교번 Zr/Si 층들(102)의 일 측면으로부터 다른 측면으로 페네트레이트한다. 대안실시예에서, 메시(104)는 Zr/Si(120)의 일 측면에만 또는 양 측면 모두에 인접하게 배치되거나, Zr/Si 층들(102)내로 부분적으로 페네트레이트될 수도 있다.
메시(104)는 Zr/Si 층들(102)의 전체적(integral) 세기를 개선시킨다.
Zr/Si 층들(102)은 실질적으로 환형의 베이스(106)에 장착된다. 환형 베이스(106)의 형상은 리소그래피 장치내로의 스펙트럼 퓨리티 필터(100)의 통합 (incorporation)을 촉진한다. 따라서, 스펙트럼 퓨리티 필터(100)는 다루기가 용이하다.
Zr/Si 층들(102)은 실질적으로 튼튼하게 설계된다. 예를 들어, 메시를 가지고, 대략 200nm의 총 두께를 가지며, 1cm2의 표면적을 갖는, 도 3에 나타낸 바와 같이 Zr/Si 층들(102)은 최대 0.5 - 1 bar의 압력차를 견딜 수 있다.
도 4는 도 3에 나타낸 스펙트럼 퓨리티 필터(100) 일부의 단면을 나타내고 있다. 도 4에서, Zr 층들(108)의 두께는 대략 1nm이고, Si 층들(110)의 두께는 대략 3nm이다. 도 4는 Zr/Si 층들(102)을 통해 연장되는 메시(104)를 나타내고 있다. 대안실시예에서, 나타내지는 않았으나, Zr/Si 층들(102)의 두께는 가변적일 수도 있다. 도 4에서는 완전하게 나타내지 않았으나, Zr 및 Si로 이루어진 50개의 교번층이 존재할 수도 있다.
도 5는 본 발명에 따른 일 실시예에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터(200)를 나타내고 있다. 교번 Zr/Si 층들(202)에 의하여 형성되는 다층 구조체는 실질적으로 환형인 베이스(206)에 장착된다. 도 3 및 4에 나타낸 스펙트럼 퓨리티 필터(100)와 대조하여, 메시는 존재하지 않는다. 메시가 존재하지 않으므로, Zr/Si 층들(202)은 Zr/Si 층들(102)만큼 강하지 않다. 예를 들어, 200nm의 총 두께를 가지며, 1cm2의 표면적을 갖는 Zr/Si 층들(202)은 단지 대략 0.1 mbar의 압력차만을 견딜 수도 있다.
도 6은 도 5에 나타낸 스펙트럼 퓨리티 필터(200) 일부의 단면적이다. 도 6 에서, Zr 층들(208)의 두께는 대략 1nm이고, Si 층들(210)의 두께는 대략 3nm이다. 대안실시예에서, 나타내지는 않았으나, Zr/Si 층들(202)의 두께는 가변적일 수도 있다. 도 6에 완전히 나타내지는 않았으나, Zr 및 Si로 이루어진 50개의 교번층들이 존재할 수도 있다.
종래기술의 스펙트럼 퓨리티 필터들과는 달리, 스펙트럼 퓨리티 필터(100, 200)는 리소그래피 장치에 쉽게 장착될 수 있으며, 또한 쉽게 제거될 수 있다. 추가적으로, 나타내지는 않았으나, 스펙트럼 퓨리티 필터(100, 200)는 모듈라 형태로 만들어질 수 있으며, 따라서 스펙트럼 퓨리티 필터에 필요한 여하한의 표면적을 형성할 수도 있다.
도 3 내지 6에 나타낸 스펙트럼 퓨리티 필터(100, 200)를 사용하면, DUV의 효과적인 필터링을 얻을 수 있다. 스펙트럼 퓨리티 필터(100, 200)는, 통상적으로 EUV 대 DUV 비에서 최대 대략 100 X 105 게인을 갖고 대략 20%의 광 손실만을 갖는다.
또한, 본 발명에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터(100, 200)는, 방사선 소스로부터 생성되어 방출되는 원자 입자들, 마이크로-입자들 및 이온들과 같은 데브리를 경감시킨다.
표 1은 본 발명에 따른 다양한 스펙트럼 퓨리티 필터들을 나타내고 있다.
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표 1은 스펙트럼 퓨리티 필터들의 다양한 파라미터들을 나타내고 있다. 표 1에서, 상기 파라미터들은 다음과 같이 지칭된다: 즉 d(nm)는 2개의 교번층들의 두께; d(l)/d는 2개의 교번층들의 두께비; N은 교번층들의 개수; h(nm)는 교번층들의 총 두께; d(nm)는 스펙트럼 퓨리티 필터의 직경; ΔP(bar)는 스펙트럼 퓨리티 필터가 견딜 수 있는 압력 차이이다. 메시 필터상의 Zr/Si는 12mm의 상대적으로 큰 직경을 갖지만, 여전히 최대 0.45 bar의 압력 차이를 견딜 수 있다는데 유의해야 한다. 따라서, 메시는 필터에 추가적인 강도를 부가한다.
도 7은 본 발명에 따른 필터들에 대해 계산되고 측정된 스펙트럼 투과율 값과 관련되어 있다. 특히, 도 7은 본 발명에 따른 필터들에 의한 높은 DUV-UV-IR의 억제를 나타내고 있다. 도 7은 방사선의 절대 투과율(T) 대 파장(λ)을 나타낸다. 플로팅된 포인트들은 계산된 커브를 갖는 실제 값들이다. 스펙트럼 퓨리티 필터들 각각은 도 3 및 4에 나타낸 것과 같은 메시를 포함하는 구조를 가지며, 대략 200nm의 총 두께를 갖는다. Mo/Si 필터에 있어, Mo는 대략 3-4nm의 두께를 가지며, Si는 대략 0.5-1nm의 두께를 갖는다. Zr/Si 필터에 있어, Zr는 대략 3-4nm의 두께를 가지며, Si는 대략 0.5-1nm의 두께를 갖는다. Mo/C 필터에 있어, Mo는 대략 3-4nm의 두께를 가지며, C는 대략 0.5-1nm의 두께를 갖는다.
본 발명에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터들의 성능 및 신뢰성을 검사하기 위하여, 다수의 실험들이 수행되었다. 이하, 이들에 대해 후술된다.
A. 저온 실험(Cold Experiment)
도 8에 나타낸 장치(300)는 냉온 실험에서 사용되었다. 상기 장치(300)는 소스(302), 포일 트랩(FT)(304), 콜렉터(306) 및 본 발명에 따른 Zr/Si 스펙트럼 퓨리티 필터(308)를 포함한다. 상기 소스(302)는 Xe 소스이고, 고온 및 EUV 부하에 대한 저항에 대해 스펙트럼 퓨리티 필터(308)를 체킹하는데 사용된다.
본 실험은 마운트(mount)(도시 안됨)의 양호한 도전성 냉각으로 인해 스펙트럼 퓨리티 필터(308)가 상대적으로 저온으로 유지되는 동안 수행되었다. 스펙트럼 퓨리티 필터(308)는 콜렉터(306)의 중간 포커스에 배치되었다.
스펙트럼 퓨리티 필터(308)는 Zr 및 Si의 50개의 교번층을 가지며, 200nm의 총 두께를 갖는, 도 3 및 4에 나타낸 바와 같은 Zr/Si 필터이다. 또한, 메시는 Zr/Si 교번층들의 일 측면으로부터 다른 측면으로 페네트레이트된다.
본 실험 조건들은 아래의 표 2에 나타내었다.
샷의 수 5.5 M 샷
유동 2 W/cm2
반복 속도 600 Hz
스폿 크기 12 mm
본 실험의 결과에서는 5.5 M 샷이 지난 후 스펙트럼 퓨리티 필터(308)에서 추가적인 손상이 관측되지 않았다.
B. 고온 실험(Hot Experiment)
도 9는 고온 실험을 실행하는 장치(400)와 관련되어 있다. 상기 장치(400)는 냉온 실험에서 사용된 바와 같이, Xe 소스(402), FT(404) 및 Zr/Si 스펙트럼 퓨리티 필터(408)를 포함한다.
도 9에 나타낸 바와 같이, 스펙트럼 퓨리티 필터(408)는 가능한 한 고온에 도달할 수 있도록 가능한 한 열적으로 고립되어 장착된다[1cm×1mm 핀].
스펙트럼 퓨리티 필터(408)의 온도는 써모커플 고온계(thermocouple pyrometer)로 측정되었다.
아래의 표 3은 고온 실험을 이용하여 수행되는 3가지 테스트들을 나타내고 있다.
테스트 1 테스트 2 테스트 3
샷의 수(M 샷) 1.44 1.3 1.1
유동(W/cm2) 1.1 2.2 3.5
소스의 반복 속도(Hz) 300 600 954
스폿 크기(mm) 12 12 12
마운트/필터 온도, 최대(℃) 187 270 340
본 발명에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터(408)는 실험의 조건들을 잘 견딘 것으로 판명되었다. 이미 존재하는 스펙트럼 퓨리티 필터(408)의 몇몇 홀들은 대략 1 - 1.5 mm2의 어퍼처 크기들을 갖는 메시의 벌집형 구조내의 셀 크기의 구멍으로 발전된다.
도 10a는 고온 실험에서 아직 방사선에 노출되지 않은 스펙트럼 퓨리티 필터(408)의 표면을 나타내고 있다. 이와는 대조적으로, 도 10b 내지 10d는 고온 실험 조건들에 노출되고 난 뒤의, 여러 스펙트럼 퓨리티 필터(408)를 나타낸 도면들이다. 도 10c 및 10d는 도 10b의 확대도이다. 도 10b 내지 10d로부터, 홀들(410)은 메시의 벌집형 구조에서의 셀들과 대략 동일한 크기, 즉 1mm2의 스펙트럼 퓨리티 필터(408)에 형성될 수도 있으나, 보다 큰 홀들이 형성되지는 않는다는 것이 관측되었다. 이는, 스펙트럼 퓨리티 필터(408)의 메시가 Zr/Si 층들을 지지 및 강화시킨다는 것을 나타낸다.
이상과 같이 수행된 저온 및 고온 실험들은 Xe 소스로 수행되었으며, 이는 그 조건들이 표준의 EUV 리소그래피 장치에서 기대된 것보다 훨씬 더 극단적(extreme)이라는 것을 의미한다는데 유의해야 한다. 더욱이, 샷 당 파워는, 리소그래피 장치의 표준 샷보다 대략 2.5배 더 높으며, 따라서, 펄스에서의 순간적인 가열 또한 리소그래피 장치에서 일반적으로 사용되는 조건보다 훨씬 더 높다.
상술된 바와 같은 스펙트럼 퓨리티 필터들은, 적절하다면 어떠한 타입의 리소그래피 장치에서도 사용될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터들은 리소그래피 장치에서의 1이상의 그레이징 입사 거울과 조합하여 사용될 수도 있다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서 리소그래피장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 상기 리소그래피장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 여타의 응용례를 가질 수도 있다는 것을 이해하여야 한다. 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용되는 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해해야 한다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 또는 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판처리툴과 여타의 기판처리툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 여러번 처리된 층들을 이미 포함하고 있는 기판을 칭할 수도 있다.
상술된 설명은 예시에 지나지 않으며, 제한의 의도는 없다. 따라서, 당업자라면, 후술되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않는 선에서 본 발명에 대한 수정들이 이루어질 수도 있다는 것을 명백히 이해할 것이다.
광학 리소그래피와 관련해 본 발명의 실시예들을 사용하여 특정한 언급이 있었으나, 본 발명은, 여타 응용례, 예를 들어, 임프린트 리소그래피에서 사용될 수도 있으며, 상황이 허락한다면 광학 리소그래피로만 제한되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝장치의 토포그래피는 기판상에 생성된 패턴을 한정한다. 패터닝장치의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그들의 조합을 적용함으로써 레지스트가 경화되는(cured) 기판으로 공급되는 레지스트의 층내로 프레싱될 수도 있다. 패터닝장치는 레지스트로부터 이동되어, 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴을 남긴다.
본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 파장이 365, 355, 248, 193, 157 또는 126㎚인) 자외(UV)선, 및 (예를 들어, 파장이 5-20㎚ 범위에 있는) 극자외(EUV)선을 포함하는 모든 형태의 전자기방사선 뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포괄한다.
본 명세서에서 사용되는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기적 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 구성요소들 중 하나 또는 그들의 조합을 지칭할 수도 있다.
본 발명의 특정 실시예들에 대해 상술하였으나, 본 발명은 설명된 것과는 달리 실행될 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 예를 들어, 본 발명은, 상술된 바와 같은 방법을 설명하는 기계-판독가능 명령어들의 1이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램이나, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 내부에 저장되는 데이터 저장매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수도 있다.
본 발명에 따르면, 방사선 소스로부터 방출되는 데브리를 경감시킬 수 있는 스펙트럼 퓨리티 필터를 얻을 수 있으며, 방사선 빔의 스펙트럼 퓨리티를 향상시킬 수 있다.

Claims (25)

  1. 교번층(alternating layers)의 다층 구조체를 포함하는 리소그래피 스펙트럼 퓨리티 필터(lithographic spectral purity filter)에 있어서,
    상기 스펙트럼 퓨리티 필터는 원하지 않는 방사선을 반사 또는 흡수시킴으로써 방사선 빔의 스펙트럼 퓨리티를 개선시키도록 구성되고, 상기 스펙트럼 퓨리티 필터는 또한 방사선 소스로부터 방출되는 데브리(debris)를 콜렉팅하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 스펙트럼 퓨리티 필터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 스펙트럼 퓨리티 필터는 DUV 방사선은 반사 또는 흡수하는 한편, EUV 방사선은 투과시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 스펙트럼 퓨리티 필터.
  3. 제1항에 있어서,
    방사선 빔내의 EUV 방사선 중 90%이상은 상기 스펙트럼 퓨리티 필터를 통해 투과될 수 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 스펙트럼 퓨리티 필터.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 스펙트럼 퓨리티 필터를 통한 방사선 빔의 투과시, EUV 방사선 대 DUV 방사선의 비는 105배까지 개선되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 스펙트럼 퓨리티 필터.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 다층 구조체를 형성하는 2 내지 200개의 교번층들이 존재하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 스펙트럼 퓨리티 필터.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 다층 구조체를 형성하는 20 내지 50개의 교전층들이 존재하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 스펙트럼 퓨리티 필터.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 다층 구조체를 형성하는 교번층들 각각의 두께는 대략 0.5 내지 20nm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 스펙트럼 퓨리티 필터.
  8. 제1항에 있어서,
    교번층들로 이루어진 다층 구조체의 총 두께는 대략 10 내지 700nm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 스펙트럼 퓨리티 필터.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 다층 구조체를 형성하는 교번층들은: Zr 및 Si 층들; Zr 및 B4C 층들; Mo 및 Si 층들; Cr 및 Sc 층들; Mo 및 C 층들; 및 Nb 및 Si 층들의 여하한의 조합으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 스펙트럼 퓨리티 필터.
  10. 제1항에 있어서,
    교번층들로 이루어진 다층 구조체는 그 내부에 메시형 구조체가 매입(embed)되어 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 스펙트럼 퓨리티 필터.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 메시형 구조체는 대략 1mm2의 크기를 갖는 복수의 어퍼처들을 구비한 벌집 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 스펙트럼 퓨리티 필터.
  12. 제1항에 있어서,
    교번층들로 이루어진 다층 구조체는 일 측면상에서 메시형 구조체에 의해 지지되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 스펙트럼 퓨리티 필터.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 메시형 구조체는 대략 1mm2의 크기를 갖는 복수의 어퍼처들을 구비한 벌집 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 스펙트럼 퓨리티 필터.
  14. 제13항에 있어서,
    교번층들로 이루어진 다층 구조체는 양 측면상에서 메시형 구조체에 의해 지지되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 스펙트럼 퓨리티 필터.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 메시형 구조체는 대략 1mm2의 크기를 갖는 복수의 어퍼처들을 구비한 벌집 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 스펙트럼 퓨리티 필터.
  16. 제1항에 있어서,
    방사선 소스로부터 콜렉팅될 수 있는 데브리는 원자 입자, 마이크로 입자 및 이온들의 여하한의 조합으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 스펙트럼 퓨리티 필터.
  17. 리소그래피 장치에 있어서,
    방사선 빔을 콘디셔닝하도록 구성된 조명시스템;
    상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하여 패터닝된 방사선 빔을 형성하도록 구성되는 패터닝장치를 지지하도록 구성된 지지부;
    기판을 잡아주도록 구성된 기판테이블;
    상기 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부상으로 투영하도록 구성된 투영시스템; 및
    교번층들로 이루어진 다층 구조체를 포함하고, 원하지 않는 방사선을 반사 또는 흡수함으로써 상기 방사선 빔의 스펙트럼 퓨리티를 개선시키며, 또한 방사선 소스로부터 방출되는 데브리를 콜렉팅하도록 구성되는 스펙트럼 퓨리티 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 스펙트럼 퓨리티 필터는 상기 리소그래피 장치의 소스-콜렉터-모듈에 위치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 스펙트럼 퓨리티 필터는 상기 리소그래피 장치의 조명시스템에 위치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  20. 제15항에 있어서,
    상기 스펙트럼 퓨리티 필터는 콜렉터의 하류 및 상기 방사선 빔의 중간 포커스의 상류에 위치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  21. 교번층들로 이루어진 다층 구조체를 포함하는 스펙트럼 퓨리티 필터를 포함하는 리소그래피 장치에 있어서,
    상기 스펙트럼 퓨리티 필터는 원하지 않는 방사선은 반사 또는 흡수함으로써 방사선 빔의 스펙트럼 퓨리티를 개선시키고, 또한 방사선 소스로부터 방출된 데브리를 콜렉팅하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  22. 디바이스 제조방법에 있어서,
    방사선 빔을 제공하는 단계;
    상기 방사선 빔을 패터닝하는 단계;
    패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부상으로 투영하는 단계; 및
    교번층들로 이루어진 다층 구조체를 포함하는 스펙트럼 퓨리티 필터를 사용하여 원하지 않는 방사선을 반사 또는 흡수함으로써 상기 빔 또는 방사선의 스펙트럼 퓨리티를 개선시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 스펙트럼 퓨리티 필터를 이용하여 방사선 소스로부터 방출되는 데브리를 콜렉팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 제22항의 방법에 따라 제조된 디바이스.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 디바이스는 집적회로; 집적 광학시스템; 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출패턴; 액정 디스플레이; 또는 박막 자기 헤드인 것을 특징으로 하는 디바이스.
KR1020060027855A 2005-03-29 2006-03-28 다층 스펙트럼 퓨리티 필터, 이러한 스펙트럼 퓨리티필터를 포함하는 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및이에 의해 제조되는 디바이스 KR100779700B1 (ko)

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Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7598508B2 (en) * 2005-07-13 2009-10-06 Nikon Corporation Gaseous extreme-ultraviolet spectral purity filters and optical systems comprising same
CN100559173C (zh) * 2005-12-27 2009-11-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 集成电路制造中用于俄歇电子能谱的样品的处理方法
GB0611648D0 (en) * 2006-06-13 2006-07-19 Boc Group Plc Method of controlling contamination of a surface
US8018578B2 (en) * 2007-04-19 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Pellicle, lithographic apparatus and device manufacturing method
US20110024651A1 (en) * 2007-11-08 2011-02-03 Asml Netherlands B.V. Radiation system and method, and a spectral purity filter
US20090250637A1 (en) * 2008-04-02 2009-10-08 Cymer, Inc. System and methods for filtering out-of-band radiation in EUV exposure tools
NL1036695A1 (nl) * 2008-05-15 2009-11-17 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus.
US8536551B2 (en) * 2008-06-12 2013-09-17 Gigaphoton Inc. Extreme ultra violet light source apparatus
KR101602373B1 (ko) 2008-07-11 2016-03-21 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 스펙트럼 퓨리티 필터, 방사선 소스, 리소그래피 장치, 및 디바이스 제조 방법
NL2003306A1 (nl) * 2008-08-14 2010-02-16 Asml Netherlands Bv Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
NL2003299A (en) * 2008-08-28 2010-03-11 Asml Netherlands Bv Spectral purity filter and lithographic apparatus.
JP5528449B2 (ja) * 2008-08-29 2014-06-25 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． スペクトル純度フィルタ、このスペクトル純度フィルタを備えたリソグラフィ装置、およびデバイス製造方法
US8445876B2 (en) * 2008-10-24 2013-05-21 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light source apparatus
JP5394808B2 (ja) * 2009-04-22 2014-01-22 信越化学工業株式会社 リソグラフィ用ペリクルおよびその製造方法
CN102472975A (zh) * 2009-06-30 2012-05-23 Asml荷兰有限公司 光谱纯度滤光片、光刻设备和用于制造光谱纯度滤光片的方法
US20120147351A1 (en) * 2009-08-21 2012-06-14 Asml Netherlands B.V. Spectral purity filter, lithographic apparatus, and method for manufacturing a spectral purity filter
JP5715134B2 (ja) * 2009-08-27 2015-05-07 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． スペクトル純度フィルタ及びスペクトル純度フィルタの製造方法
JP2013509693A (ja) * 2009-09-16 2013-03-14 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． スペクトル純度フィルタ、リソグラフィ装置、スペクトル純度フィルタの製造方法、およびリソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法
KR20120073240A (ko) * 2009-09-23 2012-07-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 스펙트럼 퓨리티 필터, 리소그래피 장치, 및 디바이스 제조 방법
KR101797052B1 (ko) * 2010-02-12 2017-11-13 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 스펙트럼 퓨리티 필터
JP2013538433A (ja) * 2010-03-24 2013-10-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置およびスペクトル純度フィルタ
EP2550564B1 (en) * 2010-03-25 2015-03-04 ETH Zurich A beam line for a source of extreme ultraviolet (euv) radiation
EP2564273A1 (en) * 2010-04-27 2013-03-06 ASML Netherlands BV Spectral purity filter
KR102068146B1 (ko) * 2010-06-25 2020-01-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 방법
DE102010039965B4 (de) * 2010-08-31 2019-04-25 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor
US20130194562A1 (en) * 2010-10-14 2013-08-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method
WO2012084363A1 (en) 2010-12-20 2012-06-28 Asml Netherlands B.V. Method and system for monitoring the integrity of an article, and euv optical apparatus incorporating the same
US8916831B2 (en) 2011-03-16 2014-12-23 Kla-Tencor Corporation EUV actinic reticle inspection system using imaging sensor with thin film spectral purity filter coating
DE102011113521A1 (de) 2011-09-15 2013-01-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102011086513A1 (de) 2011-11-16 2013-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
DE102012202057B4 (de) 2012-02-10 2021-07-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv für EUV-Mikrolithographie, Folienelement und Verfahren zur Herstellung eines Projektionsobjektivs mit Folienelement
DE102012212394A1 (de) 2012-07-16 2013-05-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Abtrennvorrichtung und abtrennverfahren für projektionsbelichtungsanlagen
DE102012215697A1 (de) 2012-09-05 2014-03-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Blockierelement zum Schutz von optischen Elementen in Projektionsbelichtungsanlagen
DE102012215698A1 (de) 2012-09-05 2013-08-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Überwachungseinrichtung für eine Projektonsbelichtungsanlage und Verfahren zu deren Betrieb
DE102012219543A1 (de) 2012-10-25 2013-11-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Gekühltes optisches element für eine projektionsbelichtungsanlage
US9385089B2 (en) 2013-01-30 2016-07-05 Seagate Technology Llc Alignment mark recovery with reduced topography
US9348214B2 (en) 2013-02-07 2016-05-24 Kla-Tencor Corporation Spectral purity filter and light monitor for an EUV reticle inspection system
US9343089B2 (en) * 2013-03-08 2016-05-17 Seagate Technology Llc Nanoimprint lithography for thin film heads
KR20170015617A (ko) * 2015-07-29 2017-02-09 삼성전자주식회사 극자외선 발생 장치 및 노광 장치
KR102576703B1 (ko) 2018-05-17 2023-09-08 삼성전자주식회사 파편 차단 조립체를 구비한 광 발생 장치 및 포토리소그래피 장치와 이를 이용하는 집적회로 소자의 제조 방법
EP3699648A1 (de) * 2019-02-22 2020-08-26 Carl Zeiss Vision International GmbH Interferenzschichtsystem ohne trägersubstrat, verfahren zur herstellung desselben und dessen verwendung
DE102022102478A1 (de) 2022-02-02 2023-08-03 Asml Netherlands B.V. EUV-Lithographiesystem mit einem gasbindenden Bauteil
DE102022210352A1 (de) 2022-09-29 2024-04-04 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Reflektometer und Messverfahren

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020028806A (ko) * 2000-10-10 2002-04-17 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0219850A (ja) * 1988-07-07 1990-01-23 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> パタン形成法
US5329569A (en) * 1993-02-18 1994-07-12 Sandia Corporation X-ray transmissive debris shield
JP3123034B2 (ja) * 1993-11-29 2001-01-09 日本電信電話株式会社 透過型多層膜
US5907436A (en) * 1995-09-29 1999-05-25 The Regents Of The University Of California Multilayer dielectric diffraction gratings
JPH10125580A (ja) * 1996-10-21 1998-05-15 Toppan Printing Co Ltd Ｘ線マスク
US6014251A (en) * 1997-04-08 2000-01-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Optical filters based on uniform arrays of metallic waveguides
JPH11126745A (ja) * 1997-10-24 1999-05-11 Toyota Max:Kk Ｘ線縮小露光リソグラフ用光源装置
JP2000162392A (ja) * 1998-11-27 2000-06-16 Toyota Motor Corp 軟ｘ線用フィルター及び軟ｘ線測定装置
JP2000349009A (ja) 1999-06-04 2000-12-15 Nikon Corp 露光方法及び装置
US6972421B2 (en) * 2000-06-09 2005-12-06 Cymer, Inc. Extreme ultraviolet light source
EP1197803B1 (en) 2000-10-10 2012-02-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US6392792B1 (en) * 2000-12-05 2002-05-21 The Regents Of The University Of California Method of fabricating reflection-mode EUV diffraction elements
EP1356476B1 (de) * 2001-01-26 2006-08-23 Carl Zeiss SMT AG Schmalbandiger spektralfilter und seine verwendung
US6577442B2 (en) 2001-09-27 2003-06-10 Intel Corporation Reflective spectral filtering of high power extreme ultra-violet radiation
US6522465B1 (en) * 2001-09-27 2003-02-18 Intel Corporation Transmitting spectral filtering of high power extreme ultra-violet radiation
US7019906B2 (en) 2002-01-08 2006-03-28 Hon Hai Precision Ind. Co., Ltd. Indium-tin oxide thin film filter for dense wavelength division multiplexing
JP3564104B2 (ja) 2002-01-29 2004-09-08 キヤノン株式会社 露光装置及びその制御方法、これを用いたデバイスの製造方法
US6700091B2 (en) * 2002-02-26 2004-03-02 Thermal Dynamics Corporation Plasma arc torch trigger system
JP4442728B2 (ja) * 2002-07-30 2010-03-31 独立行政法人産業技術総合研究所 Ｘ線透過像測定装置における空間分解能評価素子
KR100566144B1 (ko) * 2002-08-28 2006-03-30 칼 짜이스 에스엠테 아게 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법
JP4144301B2 (ja) * 2002-09-03 2008-09-03 株式会社ニコン 多層膜反射鏡、反射型マスク、露光装置及び反射型マスクの製造方法
KR100588122B1 (ko) * 2002-11-22 2006-06-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 다수의 억제 메시를 구비한 리소그래피투영장치
JP2004311896A (ja) * 2003-04-10 2004-11-04 Nikon Corp 露光方法及び装置、デバイス製造方法、並びにマスク
US20040247073A1 (en) * 2003-06-03 2004-12-09 Cho Yong Min High resolution X-ray system
US7189446B2 (en) * 2003-07-11 2007-03-13 Corning Incorporated Curved honeycomb article, EUV apparatus having a curved honeycomb article, and method of making a curved honeycomb article
US7456932B2 (en) * 2003-07-25 2008-11-25 Asml Netherlands B.V. Filter window, lithographic projection apparatus, filter window manufacturing method, device manufacturing method and device manufactured thereby
JP4458330B2 (ja) * 2003-12-26 2010-04-28 キヤノン株式会社 光源ユニットの多層膜ミラーを交換する方法
US7050237B2 (en) 2004-06-02 2006-05-23 The Regents Of The University Of California High-efficiency spectral purity filter for EUV lithography
US7250620B2 (en) * 2005-01-20 2007-07-31 Infineon Technologies Ag EUV lithography filter
JP2006226936A (ja) * 2005-02-21 2006-08-31 Canon Inc 測定方法、露光装置及びデバイス製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020028806A (ko) * 2000-10-10 2002-04-17 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스

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