JP4685667B2 - 多層スペクトル純度フィルタ、このようなスペクトル純度フィルタを備えたリソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
1.ステップ・モード:マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体が目標部分Cに1回で投影される(即ち単一静止露光)。次に、基板テーブルWTがX及び/又はY方向にシフトされ、異なる目標部分Cが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分Cのサイズが制限される。
2.走査モード:放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが同期走査される(即ち単一動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの倍率(縮小率)及び画像反転特性によって決まる。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光における目標部分の幅(非走査方向の幅)が制限され、また、走査運動の長さによって目標部分の高さ(走査方向の高さ)が決まる。
3.その他のモード:プログラム可能パターン化デバイスを保持するべくマスク・テーブルMTが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、基板テーブルWTが移動若しくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルWTが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化デバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化デバイスを利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
冷間実験には図8に示す装置300が使用された。この装置300は、放射源302、ホイル・トラップ(FT)304、コレクタ306及び本発明によるZr/Siスペクトル純度フィルタ308を備えている。放射源302はXe源であり、高熱及びEUV負荷に対するスペクトル純度フィルタ308の抵抗をチェックするために使用される。
図9は、熱間実験を実施するための装置400を示したものである。この装置400は、Xe源402、FT404及び冷間実験に使用されたスペクトル純度フィルタ408を備えている。
AD 放射ビームの角強度分布を調整するための調整デバイス
B 放射ビーム
BD ビーム引渡しシステム
C 基板の目標部分
CO コンデンサ
IF 位置センサ
IL 照明システム(イルミネータ)
IN インテグレータ
LA、SO、302 放射源
MA パターン化デバイス(マスク)
MT サポート(マスク・テーブル)
M1、M2 マスク・アライメント・マーク
O 光軸
PL、PS 投影システム
PM 第1の位置決めデバイス
PW 第2の位置決めデバイス
P1、P2 基板アライメント・マーク
W 基板
WT 基板テーブル
3 放射ユニット
7 ソース・チャンバ
8 コレクタ・チャンバ
9、304、404 ホイル・トラップ(FT)
10、306 コレクタ
11、100、200、308、408 スペクトル純度フィルタ
12 仮想ソース・ポイント
13、14 垂直入射リフレクタ
16 放射のビーム
17 パターン化されたビーム(放射ビーム)
18、19 反射エレメント
20 NAディスク
21 NAディスクに穿たれた開口
102、202 交番Zr/Si層
104 メッシュ
106、206 ベース
108、208 Zr層
110、210 Si層
300 冷間実験に使用された装置
400 熱間実験を実施するための装置
402 Xe源
410 孔
Claims (18)
- 交番層の多層構造を備えたリソグラフィ・スペクトル純度フィルタであって、望ましくない放射を反射するか或いは吸収することによって放射ビームのスペクトル純度を改善するようになされ、且つ、放射源から放出されるデブリスを収集するようになされ、交番層により形成された多層構造の層数が、20層から200層の間であるリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- 前記スペクトル純度フィルタが、EUV放射が透過している間にDUV放射を反射するか或いは吸収するようになされた、請求項1に記載のリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- 前記多層構造の層数が、40層から100層の間である請求項1に記載のリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- 前記多層構造を形成している前記交番層の各々の厚さが約0.5nmから20nmまでの範囲である、請求項1乃至請求項3に記載のリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- 交番層の前記多層構造全体の厚さが約10nmから700nmまでの範囲である、請求項1乃至請求項4に記載のリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- 前記多層構造を形成している前記交番層が、Zr層とSi層、Zr層とB4C層、Mo層とSi層、Cr層とSc層、Mo層とC層及びNb層とSi層のうちの任意の組合せから形成される、請求項1乃至請求項5に記載のリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- 交番層の前記多層構造が前記多層構造中に埋め込まれたメッシュ様構造を有する、請求項1乃至6に記載のリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- 交番層の前記多層構造がメッシュ様構造によって一方の側で支持された、請求項1乃至7に記載のリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- 交番層の前記多層構造がメッシュ様構造によって両側で支持された、請求項1乃至7に記載のリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- 前記メッシュ様構造の形態が、サイズが約1mm2の複数の開口を備えた蜂の巣の形態である、請求項7乃至9に記載のリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- 放射源からの収集可能なデブリスが、原子の粒子、超微小粒子及びイオンの任意の組合せから選択される、請求項1乃至10に記載のリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- リソグラフィ装置であって、
放射ビームを条件付けるようになされた照明システムと、
パターン化された放射ビームを形成するべく前記放射ビームの断面にパターンを付与するようになされたパターン化デバイスを支持するようになされたサポートと、
基板を保持するようになされた基板テーブルと、
パターン化された放射ビームを前記基板の目標部分に投射するようになされた投影システムと、
交番層の多層構造を備えたスペクトル純度フィルタであって、望ましくない放射を反射するか或いは吸収することによって前記放射ビームのスペクトル純度を改善するようになされ、且つ、放射源から放出されるデブリスを収集するようになされたスペクトル純度フィルタとを備え、
交番層により形成された多層構造の層数が、20層から200層の間であるリソグラフィ装置。 - 前記スペクトル純度フィルタが、前記リソグラフィ装置のソース−コレクタ・モジュール内に配置された、請求項12に記載のリソグラフィ装置。
- 前記スペクトル純度フィルタが、前記リソグラフィ装置の前記照明システム内に配置された、請求項12に記載のリソグラフィ装置。
- 前記スペクトル純度フィルタが、コレクタの下流側で、且つ、前記放射ビームの中間焦点の上流側に配置された、請求項12に記載のリソグラフィ装置。
- 交番層の多層構造を備えたスペクトル純度フィルタを備えたリソグラフィ装置であって、前記スペクトル純度フィルタが、望ましくない放射を反射するか或いは吸収することによって放射ビームのスペクトル純度を改善するようになされ、且つ、放射源から放出されるデブリスを収集するようになされ、
交番層により形成された多層構造の層数が、20層から200層の間であるリソグラフィ装置。 - デバイス製造方法であって、
放射のビームを提供するステップと、
前記放射のビームをパターン化するステップと、
パターン化された放射のビームを前記基板の目標部分に投射するステップと、
交番層の多層構造を備えたスペクトル純度フィルタを使用して、望ましくない放射を反射するか或いは吸収することによって前記放射のビームのスペクトル純度を改善するステップとを含み、
交番層により形成された多層構造の層数が、20層から200層の間である方法。 - 放射源から放出されるデブリスを前記スペクトル純度フィルタを使用して収集するステップをさらに含む、請求項17に記載のデバイス製造方法。
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