KR20160091979A - 장치, 디바이스 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
장치의 상이한 구역들(50; 60) 간의 계면에서 연장되는 내표면(42)을 갖는 중공부(41)를 포함한 적어도 하나의 밀봉 어퍼처(40); 및 계면에서 실질적으로 EUV 방사선을 투과시키고 실질적으로 비-EUV 방사선을 필터링하도록 구성되는 중공부 내에 위치된 부재(43)를 포함하는 장치가 개시되며, 중공부의 내표면은 부재에 의해 중공부로 전달되는 비-EUV 방사선의 흡수를 증가시키도록 구성된 표면 처리부를 갖는다.
Description
본 출원은 2013년 11월 25일에 출원된 EP 출원 13194257.5 및 2014년 6월 26일에 출원된 EP 출원 14174030.8의 이익을 주장하며, 이들은 본 명세서에서 그 전문이 인용참조된다.
본 발명은 장치, 디바이스 및 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 다이의 부분, 하나의 다이, 또는 수 개의 다이를 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는, 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다.
리소그래피는 IC들, 및 다른 디바이스들 및/또는 구조체들의 제조 시 핵심 단계들 중 하나로서 폭넓게 인식된다. 하지만, 리소그래피를 이용하여 구성되는 피처들의 치수들이 더 작아짐에 따라, 리소그래피는 소형 IC 또는 다른 디바이스들 및/또는 구조체들이 제조될 수 있게 하는 데 더 결정적인 인자(critical factor)가 되고 있다.
패턴 프린팅의 한계들의 이론적 추산은 수학식 1에 나타낸 바와 같은 분해능에 대한 레일리 기준(Rayleigh criterion)에 의해 설명될 수 있다:
이때, λ는 사용되는 방사선의 파장이고, NA는 패턴을 프린트하는 데 사용되는 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)이며, k1은 레일리 상수라고도 칭하는 공정 의존성 조정 인자(process dependent adjustment factor)이고, CD는 프린트된 피처의 피처 크기(또는 임계 치수)이다. 수학식 1에 따르면, 피처들의 프린트가능한 최소 크기의 감소는 세 가지 방식으로: 즉, 노광 파장 λ를 단축함으로써, 개구수 NA를 증가시킴으로써, 또는 k1의 값을 감소시킴으로써 얻어질 수 있다.
노광 파장을 단축하고, 이에 따라 프린트가능한 최소 크기를 감소시키기 위해, 극자외(EUV) 방사선 소스를 사용하는 것이 제안되었다. EUV 방사선은 10 내지 20 nm의 범위, 예를 들어 13 내지 14 nm의 범위 내의 파장을 갖는 전자기 방사선이다. 또한, 예를 들어 6.7 nm 또는 6.8 nm와 같이 5 내지 10 nm의 범위 내에서 10 nm 미만의 파장을 갖는 EUV 방사선이 사용될 수 있다고 제안되었다. 이러한 방사선은 극자외 방사선 또는 연질 x-방사선(soft x-ray radiation)이라고 칭해진다. 가능한 소스들로는, 예를 들어 레이저-생성 플라즈마 소스, 방전 플라즈마 소스, 또는 전자 저장 링에 의해 제공되는 싱크로트론 방사선(synchrotron radiation)에 기초한 소스들을 포함한다.
EUV 방사선은 플라즈마를 이용하여 생성될 수 있다. EUV 방사선을 생성하는 방사선 시스템은 플라즈마를 제공하도록 연료를 여기(excite)시키는 레이저, 및 플라즈마를 수용하는 소스 컬렉터 모듈을 포함할 수 있다. 플라즈마는, 예를 들어 Xe 가스 또는 Li 증기와 같은 적절한 가스 또는 증기의 스트림, 또는 적절한 재료(예컨대, 주석)의 입자들과 같은 연료에 레이저 빔을 지향함으로써 생성될 수 있다. 결과적인 플라즈마는 출력 방사선(output radiation), 예를 들어 EUV 방사선을 방출하고, 이는 방사선 컬렉터를 이용하여 수집된다. 방사선 컬렉터는 거울로 이루어진 수직 입사 방사선 컬렉터(mirrored normal incidence radiation collector)일 수 있으며, 이는 방사선을 수용하고 방사선을 빔으로 포커스한다. 소스는 플라즈마를 지지하기 위해 진공 환경을 제공하도록 배치된 포위 구조체(enclosing structure) 또는 챔버를 포함할 수 있다. 이러한 방사선 시스템은 전형적으로 레이저 생성 플라즈마(LPP) 소스라고 칭해진다.
투영 시스템은 적어도 부분적으로 진공처리(evacuate)될 수 있는 개재 공간(intervening space)에 의해 기판 테이블로부터 분리될 수 있다. 개재 공간은 솔리드 표면(solid surface) -이로부터 채택된 방사선이 기판 테이블을 향해 지향됨- 에 의해 투영 시스템의 위치에서 경계가 정해질 수 있다. 개재 공간은 솔리드 표면과 기판 테이블 사이에 위치되고 방사선의 경로 주위에 놓이는 중공부(hollow part)를 포함할 수 있다. 가스 유동으로 중공부의 내부를 지속적으로 플러싱(flush)하는 수단이 제공될 수 있다. 이는 동적 가스락(dynamic gas lock)으로 알려져 있다.
중공부는 원뿔형일 수 있고, 기판에 닿기 전에 방사선이 통과해야 하는 멤브레인(membrane)에 의해 덮일 수 있다. 멤브레인은 이에 입사하는 방사선의 일부를 흡수한다. 멤브레인은 기판을 향해 일부 방사선을 복사(radiate)할 수 있고, 이는 기판에 열부하를 야기하며, 차례로 오버레이 오차들을 초래한다.
바람직하지 않은 오버레이 오차들이 감소되는 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 장치의 상이한 구역들 간의 계면(interface)에서 연장되는 내표면을 갖는 중공부를 포함한 적어도 하나의 밀봉 어퍼처(sealing aperture); 및 상기 계면에서 실질적으로 EUV 방사선을 투과시키고 실질적으로 비-EUV 방사선을 필터링하도록 구성되는 상기 중공부 내에 위치된 부재(member)를 포함하는 장치가 제공되고, 상기 중공부의 내표면은 상기 부재에 의해 상기 중공부로 전달되는 상기 비-EUV 방사선의 흡수를 증가시키도록 구성된 표면 처리부(surface treatment)를 갖는다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 장치의 상이한 구역들 간의 계면에서 연장되는 내표면을 갖는 중공부를 포함한 적어도 하나의 밀봉 어퍼처; 및 상기 계면에서 실질적으로 EUV 방사선을 투과시키고 실질적으로 비-EUV 방사선을 필터링하도록 구성되는 상기 중공부 내에 위치된 부재를 포함하는 장치가 제공되고, 상기 중공부의 내표면은 상기 부재에 의해 상기 중공부로 전달되는 상기 비-EUV 방사선에 대해 295 K에서 스테인리스 강보다 높은 흡수율 값을 갖는다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 장치의 상이한 구역들 간의 계면에서 연장되는 내표면을 갖는 중공부를 포함한 적어도 하나의 밀봉 어퍼처; 및 상기 구역들 사이에서 실질적으로 EUV 방사선을 투과시키고 실질적으로 비-EUV 방사선을 필터링하도록 구성되는 상기 중공부 내에 위치된 부재를 포함하는 장치가 제공되고, 상기 중공부는 상기 중공부의 온도를 컨디셔닝(condition)하는 컨디셔닝 시스템을 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 장치의 상이한 구역들 간의 계면에서의 적어도 하나의 밀봉 어퍼처; 및 실질적으로 EUV 방사선을 투과시키도록 구성되는 상기 어퍼처 내에 위치된 부재를 포함하는 장치가 제공되고, 상기 부재는 상류 표면(upstream surface) 및 하류 표면(downstream surface)을 가지며, 상기 상류 표면 및 상기 하류 표면 중 적어도 하나는 상기 구역들 사이에서 비-EUV 방사선의 여과(filtration)를 증가시키도록 구성된 여과 표면 처리부를 갖고, 상기 여과 표면 처리부를 갖는 부재는 상기 구역들 사이에서 상기 비-EUV 방사선을 실질적으로 필터링하도록 구성된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 장치의 상이한 구역들 간의 계면에서의 적어도 하나의 밀봉 어퍼처; 및 실질적으로 EUV 방사선을 투과시키도록 구성되는 상기 어퍼처 내에 위치된 부재를 포함하는 장치가 제공되고, 상기 부재는 상류 표면 및 하류 표면을 가지며, 상기 상류 표면은 상류 격납 재료(upstream containment material)의 상류 격납층을 갖고, 상기 하류 표면은 하류 격납 재료의 하류 격납층을 가지며, 상기 상류 격납층 및 상기 하류 격납층은 상기 부재가 형성되는 재료를 상기 상류 격납층과 상기 하류 격납층 사이에 격납하도록 구성된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 프레임; 및 실질적으로 EUV 방사선을 투과시키도록 구성되는 상기 프레임에 고정된 부재를 포함하는 디바이스가 제공되고, 상기 부재는 상류 표면 및 하류 표면을 가지며, 상기 상류 표면 및 상기 하류 표면 중 적어도 하나는 비-EUV 방사선의 여과를 증가시키도록 구성된 여과 표면 처리부를 갖고, 상기 여과 표면 처리부를 갖는 부재는 상기 비-EUV 방사선을 실질적으로 필터링하도록 구성된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위해 리소그래피 장치를 이용하는 단계를 포함한 디바이스 제조 방법이 제공되고, 상기 리소그래피 장치는: 상기 장치의 상이한 구역들 간의 계면에서 연장되는 내표면을 갖는 중공부를 포함한 적어도 하나의 밀봉 어퍼처; 및 상기 계면에서 실질적으로 EUV 방사선을 투과시키고 실질적으로 비-EUV 방사선을 필터링하도록 구성되는 상기 중공부 내에 위치된 부재를 포함하며, 상기 중공부의 내표면은 상기 부재에 의해 상기 중공부로 전달되는 상기 비-EUV 방사선의 흡수를 증가시키도록 구성된 표면 처리부를 갖는다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위해 리소그래피 장치를 이용하는 단계를 포함한 디바이스 제조 방법이 제공되고, 상기 리소그래피 장치는: 상기 장치의 상이한 구역들 간의 계면에서 연장되는 내표면을 갖는 중공부를 포함한 적어도 하나의 밀봉 어퍼처; 및 상기 계면에서 실질적으로 EUV 방사선을 투과시키고 실질적으로 비-EUV 방사선을 필터링하도록 구성되는 상기 중공부 내에 위치된 부재를 포함하며, 상기 중공부의 내표면은 상기 부재에 의해 상기 중공부로 전달되는 상기 비-EUV 방사선에 대해 295 K에서 스테인리스 강보다 높은 흡수율 값을 갖는다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위해 리소그래피 장치를 이용하는 단계를 포함한 디바이스 제조 방법이 제공되고, 상기 리소그래피 장치는: 상기 장치의 상이한 구역들 간의 계면에서 연장되는 내표면을 갖는 중공부를 포함한 적어도 하나의 밀봉 어퍼처; 및 상기 구역들 사이에서 실질적으로 EUV 방사선을 투과시키고 실질적으로 비-EUV 방사선을 필터링하도록 구성되는 상기 중공부 내에 위치된 부재를 포함하며, 상기 중공부는 상기 중공부의 온도를 컨디셔닝하는 컨디셔닝 시스템을 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위해 리소그래피 장치를 이용하는 단계를 포함한 디바이스 제조 방법이 제공되고, 상기 리소그래피 장치는: 상기 장치의 상이한 구역들 간의 계면에서의 적어도 하나의 밀봉 어퍼처; 및 실질적으로 EUV 방사선을 투과시키도록 구성되는 상기 중공부 내에 위치된 부재를 포함하며, 상기 부재는 상류 표면 및 하류 표면을 갖고, 상기 상류 표면 및 상기 하류 표면 중 적어도 하나는 상기 구역들 사이에서 비-EUV 방사선의 여과를 증가시키도록 구성된 여과 표면 처리부를 가지며, 상기 여과 표면 처리부를 갖는 부재는 상기 구역들 사이에서 상기 비-EUV 방사선을 실질적으로 필터링하도록 구성된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위해 리소그래피 장치를 이용하는 단계를 포함한 디바이스 제조 방법이 제공되고, 상기 리소그래피 장치는: 상기 장치의 상이한 구역들 간의 계면에서의 적어도 하나의 밀봉 어퍼처; 및 실질적으로 EUV 방사선을 투과시키도록 구성되는 상기 중공부 내에 위치된 부재를 포함하며, 상기 부재는 상류 표면 및 하류 표면을 갖고, 상기 상류 표면은 상류 격납 재료의 상류 격납층을 가지며, 상기 하류 표면은 하류 격납 재료의 하류 격납층을 갖고, 상기 상류 격납층 및 상기 하류 격납층은 상기 부재가 형성되는 재료를 상기 상류 격납층과 상기 하류 격납층 사이에 격납하도록 구성된다.
이하 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2는 장치(100)의 더 상세한 도면;
도 3은 도 1 및 도 2의 장치의 소스 컬렉터 모듈(SO)의 더 상세한 도면;
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 도면;
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 도면;
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 도면;
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 도면; 및
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 도면이다.
전반에 걸쳐 동일한 참조 기호들이 대응하는 요소들을 식별하는 도면들에 관련하여, 아래에서 설명되는 상세한 설명으로부터 본 발명의 특징들 및 장점들이 더 분명해질 것이다. 도면들에서, 동일한 참조 번호들은 일반적으로 동일하거나, 기능적으로 유사한, 및/또는 구조적으로 유사한 요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2는 장치(100)의 더 상세한 도면;
도 3은 도 1 및 도 2의 장치의 소스 컬렉터 모듈(SO)의 더 상세한 도면;
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 도면;
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 도면;
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 도면;
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 도면; 및
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 도면이다.
전반에 걸쳐 동일한 참조 기호들이 대응하는 요소들을 식별하는 도면들에 관련하여, 아래에서 설명되는 상세한 설명으로부터 본 발명의 특징들 및 장점들이 더 분명해질 것이다. 도면들에서, 동일한 참조 번호들은 일반적으로 동일하거나, 기능적으로 유사한, 및/또는 구조적으로 유사한 요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 소스 컬렉터 모듈(SO)을 포함한 리소그래피 장치(100)를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는:
- 방사선 빔(B)(예를 들어, EUV 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL);
- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)(MA)를 지지하도록 구성되고, 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);
- 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및
- 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 반사 투영 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템(IL)은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)의 방위, 리소그래피 장치(100)의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스(MA)가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스(MA)를 유지한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체(MT)는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체(MT)는, 패터닝 디바이스(MA)가 예를 들어 투영 시스템(PS)에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다.
"패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판(W)의 타겟부(C)에 패턴을 생성하기 위해서 방사선 빔(B)의 단면에 패턴을 부여하는 데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔(B)에 부여된 패턴은 집적 회로(IC)와 같이 타겟부(C)에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스(MA)는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스들의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입들, 및 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔(B)에 패턴을 부여한다.
조명 시스템(IL)과 같이 투영 시스템(PS)은, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 타입의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다. 다른 가스들은 너무 많은 EUV 방사선을 흡수할 수 있기 때문에, EUV 방사선에 대해 진공을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 그러므로, 진공 벽 및 진공 펌프들의 도움으로 전체 빔 경로에 진공 환경이 제공될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치(100)는 (예를 들어, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성된다.
리소그래피 장치(100)는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(WT)[및/또는 2 이상의 지지 구조체(MT), 예를 들어 마스크 테이블]을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 리소그래피 장치(100)에서는 추가 기판 테이블(WT) 및/또는 지지 구조체(MT)가 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 기판 테이블(WT) 및/또는 지지 구조체(MT)가 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 기판 테이블(WT) 및/또는 지지 구조체(MT)에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
도 1을 참조하면, 조명 시스템(IL)은 소스 컬렉터 모듈(SO)로부터 EUV 방사선을 수용한다. EUV 방사선을 생성하는 방법들은 EUV 범위 내의 1 이상의 방출선을 갖는 적어도 하나의 원소, 예를 들어 크세논, 리튬 또는 주석을 갖는 재료를 플라즈마 상태로 전환하는 단계를 포함하며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 흔히 레이저 생성 플라즈마("LPP")라고 칭하는 이러한 한 방법에서, 요구되는 플라즈마는 요구되는 선-방출 원소를 갖는 재료의 액적, 스트림, 또는 클러스터(cluster)와 같은 연료를 레이저 빔으로 조사(irradiate)함으로써 생성될 수 있다. 소스 컬렉터 모듈(SO)은 연료를 여기시키는 레이저 빔을 제공하는 레이저(도 1에 나타내지 않음)를 포함한 EUV 방사선 시스템의 일부분일 수 있다. 결과적인 플라즈마는 EUV 방사선을 방출하며, 이는 소스 컬렉터 모듈(SO)에 배치된 방사선 컬렉터를 이용하여 수집된다. 예를 들어, CO2 레이저가 연료 여기를 위한 레이저 빔을 제공하는 데 사용되는 경우, 상기 레이저 및 소스 컬렉터 모듈(SO)은 별도의 개체일 수 있다.
이러한 경우, 상기 레이저는 리소그래피 장치(100)의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 레이저 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템의 도움으로, 레이저로부터 소스 컬렉터 모듈(SO)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 방사선의 초기 소스가 흔히 DPP 소스라고 칭하는 방전 생성 플라즈마 EUV 발생기인 경우, 방사선의 초기 소스는 소스 컬렉터 모듈(SO)의 통합부일 수 있다.
조명 시스템(IL)은 방사선 빔(B)의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기를 포함할 수 있다. 일반적으로, 조명 시스템(IL)의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 조명 시스템(IL)은 패싯 필드 및 퓨필 거울 디바이스들(facetted field and pupil mirror devices)과 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 조명 시스템(IL)은 방사선 빔(B)의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔(B)을 컨디셔닝하는 데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스(MA)에 의해 패터닝된다. 상기 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)로부터 반사된 후, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 이는 기판(W)의 타겟부(C) 상으로 상기 방사선 빔(B)을 포커스한다. 제 1 위치설정기(PM) 및 제 1 위치 센서(PS1)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 또는 용량성 센서)는 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 정확히 위치시키는 데 사용될 수 있다. 이와 유사하게, 제 2 위치설정기(PW) 및 제 2 위치 센서(PS2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)는 마스크 정렬 마크들(M1, M2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 기판(W)은 기판 정렬 마크들(P1, P2)을 이용하여 정렬될 수 있다.
도시된 리소그래피 장치(100)는 다음 모드들 중 적어도 하나에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔(B)에 부여된 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상으로 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다.
2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다.
3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스(MA)를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔(B)에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스(MA)는 기판 테이블(WT)의 매 이동 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스(MA)를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
도 2는 소스 컬렉터 모듈(SO), 조명 시스템(IL), 및 투영 시스템(PS)을 포함하는 리소그래피 장치(100)를 더 상세히 나타낸다. 소스 컬렉터 모듈(SO)은, 소스 컬렉터 모듈(SO)의 포위 구조체(220) 내에 진공 환경이 유지될 수 있도록 구성되고 배치된다. EUV 방사선 방출 플라즈마(210)가 방전 생성 플라즈마 소스에 의해 형성될 수 있다. EUV 방사선은 전자기 스펙트럼의 EUV 범위 내의 방사선을 방출하도록 매우 고온(very hot)인 EUV 방사선 방출 플라즈마(210)가 생성되는 가스 또는 증기, 예를 들어 Xe 가스, Li 증기 또는 Sn 증기에 의해 생성될 수 있다. EUV 방사선 방출 플라즈마(210)는, 예를 들어 적어도 부분적으로 이온화되는 EUV 방사선 방출 플라즈마를 야기하는 전기적 방전에 의해 생성된다. EUV 방사선의 효율적인 발생을 위해, Xe, Li, Sn 증기 또는 여하한의 다른 적절한 가스 또는 증기의, 예를 들어 10 Pa의 분압(partial pressure)이 필요할 수 있다. 일 실시예에서는, EUV 방사선을 생성하기 위해 여기된 주석(Sn)의 EUV 방사선 방출 플라즈마(210)가 제공된다.
EUV 방사선 방출 플라즈마(210)에 의해 방출된 EUV 방사선은, 소스 챔버(source chamber: 211)의 개구부(opening) 내에 또는 그 뒤에 위치되는 선택적인 가스 방벽(gas barrier) 또는 오염물 트랩(contaminant trap: 230)[몇몇 경우에는, 오염물 방벽 또는 포일 트랩(foil trap)이라고도 함]을 통해, 소스 챔버(211)로부터 컬렉터 챔버(collector chamber: 212) 내로 통과된다. 오염물 트랩(230)은 채널 구조체를 포함할 수 있다. 또한, 오염물 트랩(230)은 가스 방벽, 또는 가스 방벽과 채널 구조체의 조합을 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에 나타낸 오염물 트랩(230)은 적어도 당업계에 알려진 채널 구조체를 포함한다.
컬렉터 챔버(212)는 소위 스침 입사 컬렉터(grazing incidence collector)일 수 있는 방사선 컬렉터(CO)를 포함할 수 있다. 방사선 컬렉터(CO)는 방사선 컬렉터 상류 측(upstream radiation collector side: 251) 및 방사선 컬렉터 하류 측(downstream radiation collector side: 252)을 갖는다. 방사선 컬렉터(CO)를 가로지른 방사선은 격자 스펙트럼 필터(grating spectral filter: 240)로부터 반사되어 가상 소스점(virtual source point: IF)에 포커스될 수 있다. 가상 소스점(IF)은 통상적으로 중간 포커스라고 칭해지며, 소스 컬렉터 모듈(SO)은 가상 소스점(IF)이 포위 구조체(220)에서의 포위 구조체 개구부(221)에, 또는 그 부근에 위치되도록 배치된다. 가상 소스점(IF)은 EUV 방사선 방출 플라즈마(210)의 이미지이다.
후속하여, EUV 방사선은 조명 시스템(IL)을 가로지르며, 이는 패터닝 디바이스(MA)에서의 방사선 세기의 원하는 균일성뿐 아니라, 패터닝 디바이스(MA)에서의 방사선 빔(B)의 원하는 각도 분포를 제공하도록 배치된 패싯 필드 거울 디바이스(22) 및 패싯 퓨필 거울 디바이스(24)를 포함할 수 있다. 지지 구조체(MT)에 의해 유지된 패터닝 디바이스(MA)에서의 방사선 빔(B)의 반사 시, 방사선 빔(B)에 패턴이 부여된다. 패턴이 부여된 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)에 의하여 반사 요소들(28, 30), 예를 들어 거울들을 통해 기판 테이블(WT), 예를 들어 웨이퍼 스테이지에 의해 유지된 기판(W) 상으로 이미징된다.
일반적으로, 나타낸 것보다 더 많은 요소들이 조명 시스템(IL) 및 투영 시스템(PS) 내에 존재할 수 있다. 격자 스펙트럼 필터(240)는 리소그래피 장치(100)의 타입에 따라 선택적으로 존재할 수 있다. 또한, 도면들에 나타낸 것보다 더 많은 반사 요소들, 예를 들어 거울들이 존재할 수 있다. 예를 들어, 도 2에 나타낸 것보다 1 내지 6 개의 추가 반사 요소들이 투영 시스템(PS) 내에 존재할 수 있다.
도 2에 나타낸 바와 같은 방사선 컬렉터(CO)는 방사선 컬렉터(또는 컬렉터 거울 또는 컬렉터 광학기)(CO)의 일 예시에 불과할 뿐이지만 스침 입사 반사기들(253, 254, 255)을 갖는 네스티드 컬렉터(nested collector)로서 도시된다. 스침 입사 반사기들(253, 254, 255)은 광학 축선(O) 주위에 축대칭으로 배치된다. 이 타입의 방사선 컬렉터(CO)는 바람직하게는 흔히 DPP 소스라고 하는 방전 생성 플라즈마 소스와 조합하여 사용된다.
대안적으로, 소스 컬렉터 모듈(SO)은 도 3에 나타낸 LPP 방사선 시스템의 일부분일 수 있다. 레이저(LA)가 크세논(Xe), 주석(Sn) 또는 리튬(Li)과 같은 연료에 레이저 에너지의 레이저 빔을 축적(deposit)하도록 배치되어, 수십 eV의 전자 온도를 갖는 고이온화되는(highly ionized) EUV 방사선 방출 플라즈마(210)를 생성한다. 이 이온들의 탈-여기(de-excitation) 및 재결합(recombination) 동안 발생된 EUV 방사선은 EUV 방사선 방출 플라즈마(210)로부터 방출되어, 근수직 입사 방사선 컬렉터(near normal incidence radiation collector: CO)에 의해 수집되고, 포위 구조체(220)의 포위 구조체 개구부(221) 상에 포커스된다.
일 실시예에서, 리소그래피 장치(100)는 패터닝 디바이스(MA)로부터 기판(W) 상으로 패턴을 투영하도록 구성된다. 도 4에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서 장치가 적어도 하나의 밀봉 어퍼처(40)를 포함한다. 일 실시예에서, 상기 장치는 리소그래피 장치(100)이다. 아래의 설명에서, 본 발명은 리소그래피 장치(100)인 장치에 관하여 설명된다. 밀봉 어퍼처(40)는 중공부(41)를 포함한다. 중공부(41)는 리소그래피 장치(100)의 상이한 구역들(50, 60) 간의 계면에서 연장된다. 일 실시예에서, 중공부(41)는 중공관(hollow tube)을 형성한다. 일 실시예에서, 중공부(41)는 원뿔형이다. 밀봉 어퍼처(40)는 동적 가스락의 일부분을 형성할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치(100)의 일부분을 도시한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서 리소그래피 장치(100)는 부재(43)를 포함한다. 부재(43)는 중공부(41) 내에 위치된다. 일 실시예에서, 부재(43)는 중공부(41)에 커플링된다. 일 실시예에서, 부재(43)는 구역들(50, 60) 사이에서 실질적으로 EUV 방사선을 투과시키고 실질적으로 비-EUV 방사선을 필터링하도록 구성된다. 부재(43)는 EUV 방사선에 대해 실질적으로 투명하다. 부재(43)가 일부 EUV 방사선을 흡수할 것은 불가피하다. 하지만, 흡수 레벨이 달성될 수 있는 만큼 작을 것이다. 일 실시예에서, 부재(43)는 실질적으로 모든 다른 방사선을 실질적으로 필터링(즉, 반사 또는 흡수)한다. 일 실시예에서, 부재(43)는 중공부(41) 내에 위치된다. 부재(43)는 중공부(41)의 단면을 가로질러 연장될 수 있다.
부재(43)는 리소그래피 장치(100)의 구역들(50, 60) 사이에서 투과되는 바람직하지 않은 방사선의 양을 감소시키도록 구성된다. 일 실시예에서, 밀봉 어퍼처(40)는 적어도 기판 구역(60)과 광학기 구역(50) 사이에서 연장된다. 기판 구역(60)은 적어도 하나의 기판(W)을 유지하기 위해 구성된다. 광학기 구역(50)은 리소그래피 장치(100)의 투영 광학기를 포함한다. 예를 들어, 투영 시스템(PS)의 적어도 일부분이 광학기 구역(50) 내에 포함될 수 있다.
본 발명은 광학기 구역(50) 및 기판 구역(60)에 관하여 설명될 것이다. 본 발명은 기판(W)에서의 열부하를 감소시키는 것에 관하여 설명될 것이다. 하지만, 밀봉 어퍼처(40)는 리소그패피 장치(100)의 다른 상이한 구역들 사이에 있을 수 있다. 밀봉 어퍼처(40)가 리소그래피 장치(100)의 다른 상이한 구역들 사이에 있는 경우, 다른 구성요소들[예를 들어, 패터닝 디바이스(MA)]에 대한 열부하가 감소될 수 있다.
예를 들어, 일 실시예에서 밀봉 어퍼처(40)는 패터닝 디바이스 구역과 광학기 구역(50) 사이에서 연장된다. 패터닝 디바이스 구역은 패터닝 디바이스(MA)에 대한 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)를 포함한다. 또 다른 예시로서, 일 실시예에서 밀봉 어퍼처(40)는 광학기 구역(50)과 일루미네이터 구역 사이에서 연장된다. 일루미네이터 구역은 방사선 빔(B)(예를 들어, EUV 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL)을 포함한다. 또 다른 예시로서, 일 실시예에서 밀봉 어퍼처(40)는 소스 구역과 일루미네이터 구역 사이에서 연장된다. 소스 구역은 소스 컬렉터 모듈(SO)을 포함한다.
일 실시예에서, 부재(43)는 기판(W)에 도달하는 바람직하지 않은 방사선의 양을 감소시킨다. 바람직하지 않은 광은 DUV(deep ultraviolet) 방사선, 적외(IR) 방사선 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 바람직한 방사선은 EUV 방사선이고, 바람직하지 않은 방사선은 비-EUV 방사선이다. 일 실시예에서, 비-EUV 방사선은 IR 방사선 및/또는 DUV 방사선 등을 포함한다. 예를 들어, 플라즈마를 제공하기 위해 연료를 여기시키는 레이저(LA)가 IR 방사선을 출력할 수 있다. 또 다른 예시로서, EUV 방사선 방출 플라즈마(210)가 일부 IR 방사선을 방출할 수 있다. 일 실시예에서, 레이저(LA)는 약 1 ㎛ 내지 약 15 ㎛의 범위 내의 파장, 예를 들어 약 10.6 ㎛의 파장을 갖는 방사선을 출력한다.
일 실시예에서, 부재(43)는 멤브레인이다. 일 실시예에서, 부재(43)는 다중-격자(multi-lattice) 멤브레인이다. 다중-격자 멤브레인은 복수의 격자들을 포함하는 멤브레인이다. 멤브레인이 복수의 격자들을 포함한다고 전제함으로써, 멤브레인의 기계적 강도가 개선된다. 일 실시예에서, 부재(43)는 얇다. 부재(43)는 최대 약 75 nm, 또는 최대 약 50 nm의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 부재(43)는 약 25 nm의 두께를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 부재(43)는 부재 프레임(member frame: 도시되지 않음)에 부착된다. 부재 프레임은 부재(43)를 인장 상태로(in tension) 유지하도록 구성된다. 일 실시예에서, 중공부(41)는 2 개의 부분들로 이루어진다. 부재 프레임은 중공부(41)의 2 개의 부분들 사이에 피팅된다. 이는 리소그래피 장치(100)의 제조를 더 용이하게 한다.
일 실시예에서, 중공부(41)의 내표면(42)은 표면 처리부(surface treatment)를 갖는다. 표면 처리부는 부재(43)에 의해 중공부(41)로 전달되는 비-EUV 방사선의 흡수를 증가시키도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 비-EUV 방사선은 IR 방사선을 포함한다. 일 실시예에서, 비-EUV 방사선은 DUV 방사선을 포함한다. 중공부(41)의 내표면(42)에 표면 처리부를 제공함으로써, 기판(W)에 대한 열부하의 감소가 존재한다. 차례로, 기판(W)의 열부하의 감소는 오버레이 오차들을 감소시킨다.
일 실시예에서, EUV 방사선은 부재(43)의 상류 측으로부터 부재(43)의 하류 측으로 투과된다. 예를 들어, 일 실시예에서 EUV 방사선은 광학기 구역(50)으로부터 기판 구역(60)으로 투과된다. 광학기 구역(50)은 부재(43)의 상류 측에 있다. 기판 구역(60)은 부재(43)의 하류 측에 있다.
일 실시예에서, 표면 처리부는 부재(43)의 하류 측에 있다. 하류 측에 표면 처리부를 제공함으로써, 기판(W)에 대한 열부하가 더 효과적으로 감소될 수 있다.
일 실시예에서, 표면 처리부는 부재(43)의 상류 측 및 하류 측 모두에 있다. 부재(43)의 양측에 표면 처리부를 제공함으로써, 기판(W) 및 투영 시스템(PS) 모두를 향한 열부하가 감소될 수 있다. 추가적으로, 표면 처리부를 갖는 중공부(41)의 제조성(manufacturability)이 개선될 수 있다.
중공부(41)의 내표면(42)에서, 여기에 입사하는 실질적으로 모든 방사선이 반사되거나 흡수된다. IR 방사선의 흡수를 증가시키도록 구성되는 표면 처리부를 제공함으로써, 내표면(42)에서의 IR 방사선의 반사가 감소된다.
부재(43)는 주로 EUV 방사선을 투과시키고, 주로 DUV 방사선 및 IR 방사선과 같은 바람직하지 않은 방사선을 흡수하거나 반사시킨다. 부재(43)에 의해 반사되는 방사선 및 부재(43)에 의해 흡수되는 방사선은 문제들을 초래한다.
부재(43)에 의해 흡수되는 방사선은 부재(43)를 가열한다. 흡수된 방사선에 의해 가열되면, 부재(43)는 기판 구역(60) 내의 기판(W)을 향해, 및 광학기 구역(50) 내의 광학기[예를 들어, 투영 시스템(PS)]를 향해 방사선을 복사할 수 있다. 추가적으로, 가열된 부재(43)는 부재(43) 부근에서 가스로 열을 소산시킬 수 있다. 가열된 가스를 수반하는 가스 유동은, 예를 들어 기판(W)에 대한 열부하를 초래할 수 있다. 기판(W)의 열부하는 오버레이 오차를 초래할 수 있다. 에너지를 복사하는 가열된 부재(43) 외에도, 전도 및 대류가 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이의 구역에서 발생한다. 부재(43)가 제공되지 않는 경우, 원칙적으로는 전도 및 대류만이 발생하며, 투영 시스템(PS)으로부터의 실질적으로 모든 광 빔이 기판(W)에 도달한다.
부재(43)에 의해 반사되는 방사선은 광학기 구역(50) 내의 광학기로 전해질 수 있다. 반사된 방사선은 바람직하지 않은 열부하를 초래할 수 있다. 차례로, 바람직하지 않은 열부하는 거울 드리프트(mirror drifts)를 유도할 수 있고, 이는 이미징 품질을 감소시킨다.
중공부(41)의 내표면(42)에 표면 처리부를 제공하는 것은 중공부(41)의 내표면(42)을 통해 기판(W)에 도달하는 바람직하지 않은 방사선의 양을 감소시킨다. 기판(W)에 대한 열부하가 감소된다. 오버레이 오차들이 감소된다.
일 실시예에서, 표면 처리부는 (다른 주파수들의 방사선과 대조적으로) IR 방사선의 흡수를 증가시키도록 구성된다. 이는, IR 방사선이 기판(W)에 바람직하지 않은 열부하를 제공하는 방사선의 가장 현저한 타입이기 때문이다. 부재(43)에 의해 반사 및/또는 흡수되는 방사선의 주요 주파수들은 DUV 방사선 및 IR 방사선이다. 후속하여, 부재(43)에 의해 흡수되는 DUV 방사선의 적어도 일부가 IR 방사선으로서 부재(43)에 의해 방출될 수 있다.
또 다른 타입의 방사선이 기판(W)에 대한 열부하를 증가시키는 데 중요한 것으로 밝혀지는 경우, 표면 처리부는 또 다른 타입의 방사선(예를 들어, DUV 방사선)의 흡수를 증가시키기 위해 구성되도록 선택될 수 있다.
IR 방사선의 흡수는 흡수 분광학 기술들을 이용하여 측정될 수 있다. 흡수 분광학 기술들은 방사선의 주파수의 함수로서 방사선의 흡수를 측정한다. 샘플[예를 들어, 중공부(41)의 내표면(42)]이 IR 방사선을 흡수한다. 흡수의 세기는 방사선의 주파수의 함수로서 변할 수 있다. 관심 전자기 스펙트럼의 섹션(section)에 걸쳐 흡수 분광법이 수행될 수 있다. 예를 들어, IR 방사선의 흡수를 측정함에 있어서, 흡수 분광법은 IR 방사선 스펙트럼에 걸쳐 수행될 수 있다.
IR 방사선 스펙트럼은, 예를 들어 700 ㎛ 내지 1 mm의 파장들에 이르는 것으로 간주될 수 있다. IR 방사선의 흡수를 측정함에 있어서, IR 방사선 스펙트럼에 걸쳐 거의 균등하게 분포되는 IR 방사선의 수 개의 샘플들로부터 평균 값이 취해질 수 있다. 측정들은 295 K에서 중공부(41)의 내표면(42)에 대해 수행될 수 있다.
일 실시예에서, 중공부(41)의 내표면(42)은 295 K에서 IR 방사선에 대해 0.4보다 큰 흡수율을 갖는다. 중공부(41)의 내표면(42)이 295 K에서 IR 방사선에 대해 0.4보다 큰 흡수율을 갖는다고 전제하면, 내표면(42)의 흡수율은 연마된 알루미늄 표면의 흡수율보다 크다. 연마된 알루미늄 표면의 흡수율은 약 0.1 내지 약 0.4의 범위 내에 있을 수 있다. 이에 따라, 기판(W)에 대한 열부하는 중공부(41)의 내표면(42)에서 연마된 알루미늄 표면을 이용하는 경우보다 더 작을 수 있다.
흡수율은 표면에 의해 흡수되는 입사 방사선의 비율(fraction)이다. 일 실시예에서, 중공부(41)의 내표면(42)은 실질적으로 불투명하다. 내표면(42)에 입사하는 실질적으로 모든 방사선이 반사되거나 흡수된다. 0.4의 흡수율은, 입사 방사선의 40 %가 흡수되고 방사선의 60 %가 반사된다는 것을 내포한다.
일 실시예에서, 내표면(42)은 연마될 수 있다. 내표면(42)을 연마함으로써, 내표면(42)이 더 매끄러워진다(즉, 덜 거칠게 된다). 내표면(42)이 더 매끄럽다고 전제하면, 입자들이 중공부(41)의 내표면(42)에 부착될 가능성이 감소된다.
일 실시예에서, 중공부(41)는 알루미늄으로 형성될 수 있다. 알루미늄은 비교적 높은 열 전도도로 인해 바람직하다. 알루미늄의 열 전도도는, 중공부(41)를 형성하는 데 사용될 수 있는 또 다른 재료인 스테인리스 강의 열 전도도보다 크다. 알루미늄의 열 전도도는 약 205 W/m.K이다. 스테인리스 강의 열 전도도는 약 16 W/m.K이다.
일 실시예에서, 내표면(42)은 295 K에서 IR 방사선에 대해 적어도 0.8의 흡수율을 갖는다. 이는 내표면(42)에 의해 입사 방사선의 적어도 80 %가 흡수된다는 것을 의미한다. 이는 기판(W)에 대한 열부하를 감소시킨다.
일 실시예에서, 표면 처리부는 코팅이다. 코팅은 중공부(41)의 내표면(42)에 적용된다. 일 실시예에서, 코팅은 얇다. 예를 들어, 코팅은 약 50 ㎛ 내지 약 100 ㎛의 영역 내의 두께를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 코팅의 존재는 중공부(41)의 내표면(42)의 지오메트리를 크게 변화시키지 않거나, 또는 이에 어떠한 영향도 미치지 않는다.
일 실시예에서, 코팅은 흑크롬(black chromium)으로 형성된다. 흑크롬은 약 0.8 내지 약 0.9의 영역 내에서 295 K에서의 IR 방사선의 흡수율을 갖는다. 코팅은 흑크롬과 유사한 흡광도 속성들을 갖는 또 다른 적절한 재료로 형성될 수 있다.
IR 방사선 스펙트럼 내에서, 방사율이 흡수율과 밀접한 연관성이 있다. 흡수율이 클수록, 방사율이 크다. IR 방사선의 흡수를 증가시키도록 구성되는 표면 처리부를 적용함으로써, 내표면(42)의 방사율도 증가된다.
일 실시예에서, 중공부(41)의 내표면(42)은 295 K에서 IR 방사선에 대해 적어도 0.3의 방사율을 갖는다. 내표면(42)이 적어도 0.3의 방사율을 갖는다고 전제하면, 내표면(42)의 방사율은 예를 들어 연마된 알루미늄으로부터 만들어지는 퍼넬(funnel)의 방사율보다 크다. 연마된 알루미늄의 표면은 약 0.2의 방사율을 가질 수 있다.
재료의 방사율은 복사에 의해 에너지를 방출하는 그 표면의 상대적 능력이다. 이는 동일한 온도에서 흑체에 의해 복사되는 에너지에 대한 재료에 의해 복사되는 에너지의 비이다. 진정한 흑체가 1의 방사율을 가질 수 있는 한편, 실제 대상물은 1보다 작은 방사율을 갖는다.
일 실시예에서, 중공부(41)의 내표면(42)은 295 K에서 IR 방사선에 대해 적어도 0.9의 방사율을 갖는다. 예를 들어, 흑크롬 코팅의 형태인 표면 처리부를 제공하는 경우, 내표면(42)의 방사율은 약 0.95일 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서 리소그래피 장치(100)는 적어도 하나의 가스 공급기(44)를 포함한다. 가스 공급기(44)는, 부재(43)와 접촉하게 되는 부재(43)를 향해 유동하는 입자들을 감소시키기 위해 밀봉 어퍼처(40)에 가스를 공급하도록 구성된다. 기판(W)으로부터 약간의 가스방출(outgassing)이 존재할 수 있다. 가스방출은 입자들이 기판(W)으로부터 부재(43)를 향해 전해지게 한다. 기판(W)으로부터 가스방출된 입자들이 부재(43)에 도달하는 경우, 입자들은 부재(43)를 더럽게 만든다. 이 더러움은 기판(W) 상에 입사하는 EUV 방사선의 품질을 감소시키고, 이로 인해 이미징 품질이 감소한다.
일 실시예에서, 가스 공급기(44)는 중공부(41)의 내표면(42)에 개구부를 포함한다. 일 실시예에서, 가스 공급기(44)의 개구부는 부재(43) 아래에 위치된다. 일 실시예에서, 가스 공급기(44)의 개구부는 부재(43)에 인접한다. 가스 공급기(44)의 개구부는, 가스 유동이 개구부를 통해 중공부(41) 내부의 구역에 제공되도록 과압(overpressure)과 연통한다(in communication with).
가스 공급기(44)를 제공함으로써, 가스 공급기(44)로부터의 가스의 유동이 부재(43)에 도달하는 입자들의 양을 감소시킨다. 부재(43)를 향해 전해지는 가스방출된 입자가 가스 공급기(44)로부터의 가스의 유동에 의해 진행이 중단되는 경우, 이는 적어도 초기에 기판 구역(60) 내에 유지된다. 후속하여, 기판(W)의 고속 이동이 기판 구역(60)으로부터 입자들을 이동시킬 수 있다. 이 방식으로, 기판(W)으로부터 가스방출되는 입자들은 궁극적으로 부재(43)를 더럽히지 않고 기판 구역(60)으로부터 이동될 수 있다.
가스 공급기(44)는 선택적이다. 가스 공급기(44)가 제공되는 경우, 방사선을 흡수함으로써 가열되었던 부재(43)는 가스 공급기(44)에 의해 제공되는 가스 유동으로 열을 소산시킬 수 있다. 가열된 가스 유동은 기판(W) 상으로 열부하를 전달하여, 오버레이 오차들을 초래한다.
가스 공급기(44)가 제공되는 경우, 기판(W)에 대한 열부하는 3 개의 성분들, 즉 복사로부터의 열, 대류로부터의 열 및 전도로부터의 열을 포함한다. 가스 공급기(44)가 제공되지 않는 경우에는, 원칙적으로 전도만이 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이의 영역에서 가스를 통해 열 수송을 초래한다.
일 실시예에서, 리소그래피 장치(100)는 적어도 하나의 광학기 구역 가스 공급기(도시되지 않은)를 포함한다. 광학기 구역 가스 공급기는 밀봉 어퍼처(40)의 광학기 구역(50) 측에 가스 유동을 공급하도록 구성된다. 가스 유동은 부재(43)와 접촉하게 되는 부재(43)를 향해 유동하는 입자들을 감소시키기 위한 것이다. 이 가스 유동은 기판 구역(60) 측에서 적어도 하나의 가스 공급기(44)에 의해 공급되는 가스의 유동과 유사한 기능을 갖는다. 적어도 하나의 광학기 구역 가스 공급기는 선택적이다.
기판(W)에 대한 전도성 열부하를 감소시키는 것이 바람직하다. 웨이퍼에 대한 전도성 열부하는 2 개의 성분들로 구성되는 것으로 여겨질 수 있다. 하나의 성분은 부재(43)로부터 기판(W) 상으로 전도되는 열이다. 다른 성분은 중공부(41)로부터 기판(W) 상으로 전도되는 열이다. 중공부로부터 기판(W) 상으로 전도되는 열은, 중공부(41)의 온도가 기판(W)의 온도보다 낮다고 전제하면 음(negative)일 수 있다. 이는 컨디셔닝 시스템(45)을 이용함으로써 행해질 수 있다. 컨디셔닝 시스템(45)은 중공부(41)의 온도를 낮추는 데(즉, 중공부를 냉각하는 데) 사용된다. 이는 기판(W)에 대한 전도성 열부하를 감소시킨다.
중공부(41)의 내표면(42)에 IR 방사선의 흡수를 증가시키도록 구성되는 표면 처리부를 제공하는 효과를 추산하기 위해 시뮬레이션들이 수행되었다. 특정 시뮬레이션에서, 표면 처리부는 흑크롬의 코팅이었다. 시뮬레이션에서, 중공부(41)는 원뿔형이었다.
제 1 시뮬레이션에 따르면, 리소그래피 장치(100)에 가스 공급기(44)가 제공되지 않았다. 제 1 시뮬레이션에서, 중공부(41)의 내표면(42)으로의 흑크롬 코팅의 제공은 기판(W)에 대한 열부하를 약 50 %만큼 감소시켰다.
제 2 시뮬레이션에서는, 리소그래피 장치(100)에 가스 공급기(44)가 제공되었다. 제 2 시뮬레이션에서, 흑크롬 코팅은 기판(W)에 대한 열부하를 약 9 %만큼 감소시켰다. 이에 따라, 두 시뮬레이션들 모두에서 흑크롬 코팅은 기판(W)에 대한 열부하를 감소시켰지만, 가스 공급기(44)가 제공되지 않았던 경우에 더 효과적으로 감소시켰다.
일 실시예에서, 중공부(41)는 중공부(41)의 온도를 컨디셔닝하는 컨디셔닝 시스템(45)을 포함한다. 중공부(41)의 온도를 컨디셔닝함으로써, 기판(W)에 대한 열부하가 감소될 수 있다. 중공부(41)의 온도는 기판(W)에 대한 열부하에 영향을 미친다. 중공부(41)의 컨디셔닝은 중공부(41)가 IR 방사선을 좀 더 흡수하도록 돕는다. 중공부(41)의 컨디셔닝은 더 많은 IR 방사선 열이 중공부(41)로 전달되게 한다. 가스 공급기(44)가 제공되는 경우, 가스 공급기(44)로부터의 가스 유동의 온도는 기판(W)에 대한 열부하에 영향을 미친다. 일 실시예에서, 중공부(41)의 냉각이 기판(W)에 대한 열부하를 감소시킨다.
일 실시예에서, 중공부(41)는 295 K에서 스테인리스 강보다 높은 열 전도도를 갖는 재료로 형성된다. 스테인리스 강의 열 전도도는 295 K에서 약 16 W/m.K이다. 중공부(41)가 스테인리스 강보다 높은 열 전도도를 갖는 재료로 형성된다고 전제하면, 컨디셔닝 시스템(45)의 유효성(effectiveness)은 중공부(41)를 형성하는 재료로서 스테인리스 강이 사용되는 경우에 비해 더 크다.
일 실시예에서, 중공부(41)는 295 K에서 스테인리스 강의 열 전도도보다 큰 적어도 20 W/m.K의 열 전도도를 갖는 재료로 형성된다. 일 실시예에서, 중공부(41)는 295 K에서 적어도 200 W/m.K의 열 전도도를 갖는 재료로 형성된다. 일 실시예에서, 중공부(41)는 295 K에서 적어도 250 W/m.K의 열 전도도를 갖는 재료로 형성된다.
일 실시예에서, 중공부(41)는 알루미늄, 세라믹, SiSiC 및 질화 알루미늄으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 재료로 형성된다. 이 재료들은 비교적 높은 열 전도도를 갖는다. 이는 컨디셔닝 시스템(45)의 유효성을 개선하고, 차례로 기판(W)에 대한 열부하를 개선한다. 중공부(41)는 비교적 높은 열 전도도, 예를 들어 295 K에서 적어도 200 W/m.K를 갖는 또 다른 적절한 재료로 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 컨디셔닝 시스템(45)은 중공부(41)의 내표면(42)과 부재(43) 간의 온도 차를 제어하기 위해 중공부(41)의 온도를 컨디셔닝한다. 중공부(41)의 내표면(42)과 부재(43) 간의 온도 차는 내표면(42)을 향해 지향되는 방사선 파워(radiation power)를 조정(drive)한다. 온도 차를 제어함으로써, 멤브레인(43)으로부터 내표면에 지향되는 방사선의 양이 제어될 수 있다. 차례로, 이는 기판(W)에 대한 열부하로 하여금, 적어도 어느 정도까지 제어되게 한다.
일 실시예에서, 리소그래피 장치(100)에는 중공부(41)의 내표면(42)의 온도를 측정하도록 구성된 1 이상의 온도 센서가 제공될 수 있다. 리소그래피 장치(100)는 중공부(41)의 온도를 컨디셔닝하는 컨디셔닝 시스템(45)을 제어하도록 구성된 제어기(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 온도 센서들은 내표면(41)의 온도에 관한 데이터를 제어기에 제공할 수 있다. 제어기는 중공부(41)의 온도를 컨디셔닝하는 컨디셔닝 시스템(45)을 제어하기 위해 데이터를 사용할 수 있다.
시뮬레이션에서, 중공부(41)을 열적 컨디셔닝하는 효과가 측정되었다. 제 3 시뮬레이션에서는, 리소그래피 장치(100)에 가스 공급기(44)가 제공되었다. 컨디셔닝 시스템(45)은 295 K 대신에 275 K로 냉각되도록 중공부(41)의 온도를 컨디셔닝하도록 시뮬레이션되었다.
중공부(41)의 내표면(42)에 표면 처리부가 제공되지 않았던 제 3 시뮬레이션에서, 중공부(41)의 내표면(42)의 온도가 275 K이도록 했던 열적 컨디셔닝(즉, 냉각)은 기판(W)에 대한 열부하를 약 35 %만큼 감소시켰다. 다시 말하면, 중공부(41)의 내표면(42)의 온도를 감소시키는 것만으로 약 35 %의 개선을 제공한다. 중공부(41)의 내표면(42)을 285 K로 냉각함으로써, 기판(W)에 대한 열부하는 약 17 %만큼 감소되었다. 내표면(42)에 흑크롬 코팅이 제공되었던 제 4 시뮬레이션에서, 열적 컨디셔닝의 효과는 기판(W)에 대한 열부하를 약 50 %만큼 감소시킬 수 있었다.
중공부(41)의 내표면(42)의 온도가 275 K이도록 흑크롬 코팅 및 열적 컨디셔닝이 리소그래피 장치(100)에 적용되는 경우, 조합된 효과는 기판(W)에 대한 열부하를 약 54 %만큼 감소시킬 수 있다. 다시 말하면, 추가적으로 표면 처리부를 적용함으로써, 약 19 %의 추가 개선이 제공되어 조합된 개선이 약 35 % + 19 % =54 %가 되도록 한다. 중공부(41)의 내표면(42)을 (275 K 대신에) 285 K로 냉각함으로써, 냉각 및 표면 처리부의 조합된 효과는 기판(W)에 대한 열부하를 약 31 %만큼 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 흑크롬 코팅을 적용하고 중공부(41)를 냉각하는 조합된 효과는 중공부(41)의 냉각 또는 흑크롬 코팅의 개별적인 효과보다 크다.
일 실시예에서, 표면 처리부는 중공부(41)의 내표면에 적용되고, 중공부(41)는 컨디셔닝 시스템(45)을 포함한다. 이 경우, 중공부(41)의 컨디셔닝(예를 들어, 냉각) 및 표면 처리부(예를 들어, 코팅)의 조합은 시너지 효과를 낸다. 중공부(41)의 냉각된 내표면(예를 들어, 코팅)은 중공부(41)의 내표면이 냉각되지 않은 경우보다 훨씬 더 우수하게 비-EUV 방사선의 열을 흡수할 수 있다.
중공부(41)에 컨디셔닝 시스템(45)을 제공함으로써, 가스가 중공부(41) 내에 있는 경우에 가스 공급기(44)에 의해 공급되는 가스를 컨디셔닝하는 것이 가능하다. 이에 따라, 가스의 온도는 가스가 중공부(41)로부터 떨어진 거리에서 컨디셔닝되는 상황에 비해 더 효과적으로 컨디셔닝될 수 있다. 가스가 중공부(41)로부터 떨어져 컨디셔닝되는 경우, 가스는 가스가 냉각되는 곳과 가스가 중공부(41)에 들어가는 곳 사이의 가스 유동 경로에서 다시 가열되기 시작할 것이다. 이 가열은 가스 유량(gas flow rate)이 더 낮은 상황들에서 더 확연할 것이다.
일 실시예에서, 가스 유량은 약 15 mbar.L/s 내지 약 30 mbar.L/s의 영역 내에 있다. 이는 비교적 낮은 가스 유량으로 간주된다. 비교적 낮은 가스 유량은 부재(43)가 중공부(41) 위로 상향 유동하는 가스를 차단하기 때문에 바람직할 수 있다. 또한, 부재(43)는 구역들 사이에서 다른 방식으로 이동할 수 있는 입자들을 차단한다. 이에 따라, 가스 유동은 구역들 사이에서 다른 방식으로 이동할 수 있는 입자들을 차단하기 위해 빠를 필요가 없다. 따라서, 비교적 느린 가스 유량이 바람직할 수 있다. 실질적으로, 모든 가스가 기판(W)을 향해 중공부(41) 아래로 하향 유동한다.
일 실시예에서, 컨디셔닝 시스템(45)은 부재(43)의 가스 공급기(44)와 동일한 측에서 중공부(41)의 섹션을 열적 컨디셔닝하도록 구성된다. 예를 들어, 도 5에 나타낸 바와 같이, 일 실시예에서 가스 공급기(44)는 부재(43) 아래에 제공된다. 부재(43)는 구역들(50, 60) 사이에서의 가스의 유동을 차단하도록 구성된다. 부재(43)의 가스 공급기(44)와 동일한 측에서 중공부(41)의 섹션을 열적 컨디셔닝함으로써, 컨디셔닝 시스템(45)은 가스 공급기(44)에 의해 공급되는 가스를 열적 컨디셔닝하는 데 특히 효과적이다. 가스를 냉각함으로써, 기판(W)에 대한 열부하가 감소된다. 특히, 중공부(41) 자체에서 가스를 냉각함으로써, 가스는 냉각된 후 가열될 기회가 더 적다.
일 실시예에서, 컨디셔닝 시스템(45)은 부재(43)의 가스 공급기(44)와 동일한 측과 부재(43)의 가스 공급기(44) 반대 측 모두에서 중공부(41)의 섹션들을 열적 컨디셔닝하도록 구성된다. 추가적으로 부재(43) 위의 중공부(41)의 섹션을 열적 컨디셔닝함으로써, 광학기 구역(50) 내의 광학기를 향해 복사되는 열의 양이 감소된다. 이는 거울 결함들을 감소시킨다.
일 실시예에서, 중공부(41)의 내표면(42)은 295 K에서 IR 방사선에 대해 스테인리스 강보다 더 높은 흡수율 값을 갖는다. 예를 들어, 일 실시예에서, 중공부(41)는 스테인리스 강보다 더 높은 295 K에서의 IR 방사선의 흡수율을 갖는 재료로 형성될 수 있다. 이 경우, 내표면(42)에 표면 처리부를 제공하지 않더라도, 기판(W)에 대한 열부하가 감소된다.
도 5에 도시된 바와 같이, 컨디셔닝 시스템(45)은 중공부(41)의 주 몸체 내에 1 이상의 채널을 포함할 수 있다. 중공부(41)의 주 몸체 내의 채널들은 컨디셔닝 유체를 포함하기 위한 것이다. 컨디셔닝 유체는 CO2일 수 있다. 컨디셔닝 시스템(45)은 CO2 컨디셔닝 시스템을 포함할 수 있다. CO2 컨디셔닝 시스템은 CO2의 기체상과 액체상 사이의 전이점(transition point)을 이용한다. 압력은 전이점을 이용하도록 제어된다.
도 5에 도시된 바와 같이, 중공부(41)의 주 몸체 내의 컨디셔닝 시스템(45)의 채널들로 컨디셔닝 유체를 공급하는 컨디셔닝 유체 채널(47)이 제공될 수 있다. 컨디셔닝 유체 채널은 컨디셔닝 유체를 공급하는 제어 유닛(46)과 유체 연통할 수 있다. 일 실시예에서, 제어 유닛(46)은 컨디셔닝 유체가 전이점 또는 그 부근에 있도록 컨디셔닝 유닛의 압력을 제어한다.
일 실시예에서, 컨디셔닝 시스템(45)은 중공부(41)의 표면에, 또는 중공부 내에 위치되는 1 이상의 펠티에 요소(Peltier element)를 포함한다. 펠티에 요소들은 중공부(41)의 온도를 제어하는 데 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 중공부에는 절연부(insulation: 48)가 제공된다. 일 실시예에서, 절연부는 중공부를 둘러싸는 절연부(48)의 층을 포함한다. 절연부(48)는 중공부(41)의 외부 환경으로부터 중공부(41)의 주 몸체를 절연한다. 절연부(48)는 중공부(41)의 온도를 외부 환경보다 더 낮게 유지하도록 돕는다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치(100)의 일부분을 도시한다. 동일한 참조 번호들이 다른 도면들에서 대응하는 구성요소들에 사용된다. 구성요소들이 앞서 설명된 바와 동일한 구조 및 구성을 갖기 때문에, 구성요소들의 설명은 아래에서 생략될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서, 부재(43)의 적어도 하나의 표면은 구역들(50, 60) 사이에서 비-EUV 방사선의 여과를 증가시키도록 구성되는 여과 표면 처리부를 갖는다. 여과 표면 처리부를 제공함으로써, 부재(43)를 형성하기 위해 재료들의 더 폭넓은 선택이 사용될 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 부재(43)는 구역들(50, 60) 사이에서 비-EUV 방사선을 실질적으로 필터링하지 않는 재료로 형성된다. 예를 들어, 부재(43)는 IR 방사선에 대해 높은 투과율을 갖는 재료로 형성될 수 있다.
부재(43)에 여과 표면 처리부를 제공함으로써, 부재는 실질적으로 구역들(50, 60) 사이에서 비-EUV 방사선을 필터링한다. 이는 부재(43)의 재료로 하여금 비-EUV 방사선의 여과 이외의 속성들을 위해 선택되게 한다. 예를 들어, 부재(43)에 대한 재료는 제조의 용이함을 위해, 또는 우수한 기계적 강도를 위해 선택될 수 있다.
일 실시예에서, 부재(43)는 상류 표면(62) 및 하류 표면(63)을 갖는다. 상류 표면(62) 및 하류 표면(63)은 도 4에서 참조된다. 상류 표면(62)은 광학기 구역(50)을 향한다. 하류 표면(63)은 기판 구역(60)을 향한다.
일 실시예에서, 여과 표면 처리부는 반사 표면 처리부(65)를 포함한다. 일 실시예에서, 부재(43)의 상류 표면(62)은 반사 표면 처리부(65)를 갖는다. 반사 표면 처리부(65)는 비-EUV 방사선의 반사를 증가시키도록 구성된다. 도 6에서, 반사 표면 처리부(65)는 광학기 구역(50)을 향하는 상류 표면(62)에서 제공된다. 하지만, 이는 반드시 이러할 필요는 없다. 일 실시예에서, 반사 표면 처리부(65)는 기판 구역(60)을 향하는 하류 표면(63)에서 제공된다.
일 실시예에서, 반사 표면 처리부(65)는 반사 재료의 코팅을 포함한다. 반사 재료는 특별히 제한되지 않는다. 반사 재료는 부재(43)의 재료보다 높은 반사율을 갖는다. 일 실시예에서, 반사 재료는 부재(43)가 형성되는 재료에 비해 IR 방사선에 대해 295 K에서 더 높은 반사율을 갖는다. 일 실시예에서, 반사 재료는 EUV에 대해 높은 투과를 갖는다. 일 실시예에서, 반사 재료는 알루미늄이다.
일 실시예에서, 여과 표면 처리부는 흡수 표면 처리부(66)를 포함한다. 일 실시예에서, 흡수 표면 처리부(66)는 부재(43)에서 비-EUV 방사선의 흡수를 증가시키도록 구성된다. 일 실시예에서, 부재(43)의 하류 표면(63)은 흡수 표면 처리부(66)를 갖는다. 일 실시예에서, 흡수 표면 처리부(66)는 부재(43)의 방사율을 증가시키도록 구성된다. IR 방사선 스펙트럼 내에서는, 방사율이 흡수율과 밀접한 연관성이 있다. 흡수율이 클수록, 방사율이 크다. IR 방사선의 흡수를 증가시키도록 구성되는 흡수 표면 처리부를 적용함으로써, 부재(43)의 방사율이 증가된다.
도 6에서, 기판 구역(60)을 향하는 하류 표면(63)이 흡수 표면 처리부(66)를 갖는 것으로 도시된다. 하지만, 이는 반드시 이러할 필요는 없다. 일 실시예에서, 흡수 표면 처리부(66)는 광학기 구역(50)을 향하는 상류 표면(62)에서 제공된다.
일 실시예에서, 흡수 표면 처리부(66)는, 예를 들어 부재(43)의 하류 표면(63)에 흡수 재료의 코팅을 포함한다. 흡수 재료는 부재(43)의 재료보다 높은 흡수율을 갖는다. 일 실시예에서, 흡수 재료는 부재(43)의 재료에 비해 295 K에서 IR 방사선에 대해 더 높은 흡수율을 갖는다. 일 실시예에서, 흡수 재료는 EUV에 대해 높은 투과를 갖는다. 일 실시예에서, 흡수 재료는 몰리브덴이다.
일 실시예에서, 흡수 표면 처리부(66)는, 예를 들어 부재(43)의 하류 표면(63)에 방사 재료(emissive material)의 코팅을 포함한다. 방사 재료는 부재(43)의 재료보다 높은 방사율을 갖는다. 일 실시예에서, 방사 재료는 부재(43)의 재료에 비해 295 K에서 IR 방사선에 대해 더 높은 방사율을 갖는다. 일 실시예에서, 방사 재료는 EUV에 대해 높은 투과를 갖는다. 일 실시예에서, 방사 재료는 몰리브덴이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서 부재(43)의 상류 표면(62)은 반사 표면 처리부(65)를 갖고, 부재(43)의 하류 표면(63)은 흡수 표면 처리부(66)를 갖는다. 하지만, 이는 반드시 이러할 필요는 없다. 일 실시예에서, 부재(43)의 상류 표면(62)은 반사 표면 처리부(65)를 갖고, 하류 표면(63)은 여과 표면 처리부를 갖지 않는다. 일 실시예에서, 부재(43)의 하류 표면(63)은 반사 표면 처리부(65)를 갖고, 상류 표면(62)은 여과 표면 처리부를 갖지 않는다. 일 실시예에서, 부재(43)의 상류 표면(62)은 흡수 표면 처리부(66)를 갖고, 하류 표면(63)은 여과 표면 처리부를 갖지 않는다. 일 실시예에서, 부재(43)의 하류 표면(63)은 흡수 표면 처리부(66)를 갖고, 상류 표면(62)은 여과 표면 처리부를 갖지 않는다. 일 실시예에서, 부재(43)의 상류 표면(62) 및 하류 표면(63)은 반사 표면 처리부(65)를 갖는다. 일 실시예에서, 부재(43)의 상류 표면(62) 및 하류 표면(63)은 흡수 표면 처리부(66)를 갖는다.
반사 표면 처리부(65)를 제공함으로써, 구역들(50, 60) 사이에서의 비-EUV 방사선이 더 많이 부재(43)에서 반사된다. 따라서, 부재(43)를 통해 투과되는 IR 방사선과 같은 비-EUV 방사선의 비율이 감소된다. 본 발명의 일 실시예는 비-EUV 방사선에 의한 기판(W) 가열의 감소를 달성할 것으로 예상된다.
흡수 표면 처리부(66)를 제공함으로써, 더 많은 파워가 부재(43)로부터 방출된다. 파워는 부재(43)에서 흡수된다. 부재(43)의 재료에 따라, 후속하여 방출되는 흡수된 파워의 비율이 낮을 수 있다. 흡수 표면 처리부(66)를 제공함으로써, 부재(43)로부터 방출되는 흡수된 파워의 비율이 증가될 수 있다. 본 발명의 일 실시예는 비-EUV 방사선에 의한 부재(43) 가열의 감소를 달성할 것으로 예상된다. 본 발명의 일 실시예는 사용 중 부재(43)의 가열을 감소시킴으로써 부재(43)에 대해 증가된 수명을 달성할 것으로 예상된다. 그렇지 않으면, 부재(43)의 수명은 부재(43)의 온도가 너무 높아지는 경우에 제한될 수 있다.
일 실시예에서, 부재(43)는 실리콘을 포함하는 재료로부터 형성된다. 일 실시예에서, 부재(43)는 때때로 폴리실리콘이라 칭하는 다결정질 실리콘으로부터 형성된다. 다결정질 실리콘은 EUV 방사선에 대해 높은 투과를 갖는다. 다결정질 실리콘은 우수한 기계적 강도를 갖는다. 다결정질 실리콘으로부터 형성되는 부재(43)를 제작하는 것이 다중-격자 멤브레인을 제작하는 것보다 용이하다.
다결정질 실리콘은 실질적으로 DUV 방사선을 필터링한다. 하지만, 다결정질 실리콘은 IR 방사선을 필터링하기에는 열악하다. 부재의 적어도 하나의 표면에 여과 표면 처리부를 제공함으로써, IR 방사선의 여과가 증가된다. 따라서, 다결정질 실리콘은 부재(43)를 형성하기에 적절한 재료이다.
본 발명의 일 실시예는, 예를 들어 반사에 의해 IR 방사선의 실질적인 필터링 및 DUV 방사선의 실질적인 필터링을 달성할 것으로 예상된다. 본 발명의 일 실시예는 비-EUV 방사선에 의한 기판(W)의 가열을 감소시킴으로써 오버레이의 개선을 달성할 것으로 예상된다. 본 발명의 일 실시예는 부재(43)의 수명의 증가를 달성할 것으로 예상된다. 이는 흡수 표면 처리부(66)로부터의 방사선의 증가된 방사가 부재(43)에 냉각 효과를 줄 수 있기 때문이다.
사용 시, 부재(43)는 EUV 방사선에 의해 가열된다. 이는 부재(43)가 EUV 방사선에 대해 흡수 성질을 갖기 때문이다. 흡수 표면 처리부(66)를 제공함으로써, 부재(43)의 방사율이 EUV 방사선에 대해 증가된다. EUV 방사선의 방사율을 증가시킴으로써, 부재(43)의 온도가 감소될 수 있다.
일 실시예에서, 부재(43)는 다결정질 실리콘으로부터 형성되고 60 nm의 두께를 갖는다. 부재(43)의 한 표면(63)에 4 nm 두께의 몰리브덴 코팅이 제공된다. 부재(43)의 맞은편 표면(62)에 4 nm 두께의 알루미늄 코팅이 제공된다. 이러한 본 발명의 예시적인 실시예는 다시 광학기 구역(50)으로의 IR 방사선의 약 80 % 반사를 달성할 것으로 예상된다. 이러한 본 발명의 예시적인 실시예는 IR 방사선의 약 15 %의 흡수를 달성할 것으로 예상된다.
앞서 언급된 특정한 금속들 및 대응하는 두께들은 앞서 언급된 흡수 및 반사 값들을 유도한다. 하지만, 이 특정한 금속들 및 대응하는 두께들은 단지 예시로서만 제공된다. 아래에서 설명되는 바와 같이, 부재(43) 및 코팅들의 두께들은 바람직한 광학 특성들을 제공하기 위해 조절될 수 있다. 추가적으로, 코팅들의 금속의 타입은 바람직한 광학 특성들을 제공하기 위해 조절될 수 있다.
바람직한 흡수 및 반사 값들을 제공하기 위해 조작된 재료 또는 다층을 갖는 단일의 특정한 코팅의 디자인을 조절하는 대신에, 원하는 효과가 분산된 방식으로 달성되도록 부재(43)의 양측에 2 개의 상이한(및 더 단순한) 코팅들을 제공함으로써 개별적인 효과들이 달성될 수 있다. 코팅들에 대해 적절히 상부 및 하부 재료들, 및 이들의 두께를 선택함으로써, 양측에 적용될 단일 재료 또는 다층(및 연계된 공정)을 개발하는 대신에 더 단순한 방식으로 원하는 효과들을 달성하는 것이 가능하다. 이 듀얼(또는 분산된) 코팅 전략의 추가적인 효과는 아래에서 더 상세히 설명되는 바와 같이 격납(containment)이다.
개별적인 코팅 두께들이 원하는 효과를 위해 수정될 수 있다. 예를 들어, 몰리브덴 코팅을 4 nm에서 6 nm의 두께로 증가시키고, 알루미늄 코팅을 4 nm에서 2 nm로 감소시키는 것이 약 65 %까지 IR 방사선의 반사를 감소시키는 한편, 약 15 %의 IR 방사선의 투과를 유지할 것으로 예상된다. 약 15 %의 IR 방사선 투과는 리소그래피 적용예들에 대해 여전히 허용가능할 수 있다. 일 실시예에서, 여과 표면 처리부의 두께는 최대 10 nm이다. EUV 방사선의 투과는 여과 표면 처리부의 두께가 증가함에 따라 감소한다. 여과 표면 처리부의 두께가 최대 10 nm라고 전제하면, EUV 방사선의 투과는 충분히 높다.
개별적인 코팅 두께들은 리소그래피 장치(100)의 광학기로의 IR 방사선의 반사를 관리가능한 레벨까지 감소시키도록 조절될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치(100)의 일부분을 도시한다. 동일한 참조 번호들은 다른 도면들에서 대응하는 구성요소들에 사용된다.
도 7은 리소그래피 장치(100)의 부재(43)의 클로즈업(close-up) 도면이다. 부재(43)는 상류 표면(65) 및 하류 표면(66)을 갖는다. 도 7에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서 상류 표면(65)은 상류 격납층(75)을 갖는다. 일 실시예에서, 하류 표면(66)은 하류 격납층(76)을 갖는다. 상류 격납층(75)은 상류 격납 재료의 층이다. 하류 격납층(76)은 하류 격납 재료의 층이다.
상류 격납층(75) 및 하류 격납층(76)은 부재(43)가 형성되는 재료를 상류 격납층(75)과 하류 격납층(76) 사이에 격납하도록 구성된다.
상류 격납층(75) 및 하류 격납층(76)을 제공함으로써, 부재(43)가 부서지는 경우에 잔해의 분포가 감소된다. 리소그래피 장치(100)의 사용 동안, 부재(43)가 부서질 수 있다. 부재(43)가 부서지는 경우, 부재(43)는 많은 입자들로 부서질 수 있다. 특히, 부재(43)가 취성(brittle nature)을 갖는 재료로부터 형성되는 경우, 부재(43)는 부재(43)가 부서질 때 많은 입자들로 산산조각 날 수 있다. 부서진 부재(43)로부터의 잔해는 리소그래피 장치(100)의 다른 부분들을 오염시킬 수 있다. 예를 들어, 부서진 부재(43)로부터의 잔해는 광학기 구역(50) 내의 광학 구성요소들을 오염시킬 수 있고, 기판 구역(60) 내의 광학 구성요소들을 오염시킬 수 있다. 부서진 부재(43)의 잔해로부터의 오염은 기판 구역(60) 및 광학기 구역(50) 내의 광학 구성요소들에 의해 수행되는 광학적 기능들의 품질을 감소시킬 수 있다.
예를 들어, 일 실시예에서 부재(43)는 다결정질 실리콘으로부터 형성된다. 다결정질 실리콘은 취성을 갖는다. 이에 따라, 다결정질 실리콘으로부터 형성된 부재(43)는 부재(43)가 부서지는 경우에 많은 입자들로 산산조각 날 수 있다.
상류 격납층(75) 및 하류 격납층(76)을 제공함으로써, 상류 격납층(75) 및 하류 격납층(76)과 함께 부재(43)의 기계적 특성들이 개선될 수 있다. 상류 격납 재료 및 하류 격납 재료는 상류 격납층(75) 및 하류 격납층(76)과 부재(43)의 조합에 대해 원하는 기계적 특성들을 달성하도록 선택될 수 있다. 상류 격납층(75)은 상류 격납층 두께를 갖는다. 하류 격납층(76)은 하류 격납층 두께를 갖는다. 일 실시예에서, 상류 격납층 두께 및 하류 격납층 두께는 원하는 기계적 특성들을 달성하도록 선택된다. 기계적 특성들은 기계적 강도, 부재(43)에 걸친 압력 차로 인한 부재(43)의 휨, 및 부재(43)가 파열되는 경우의 부재(43)의 거동(behaviour)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상류 격납 재료는 금속이다. 일 실시예에서, 하류 격납 재료는 금속이다. 일 실시예에서, 상류 격납 재료 및 하류 격납 재료는 부재(43)가 형성되는 상류 격납층(75)과 하류 격납층(76) 사이의 기본 재료보다 더 유연하다. 예를 들어, 부재(43)가 형성되는 기본 재료는 다결정질 실리콘일 수 있다. 더 유연한 상류 격납층(75) 및 더 유연한 하류 격납층(76)은 취성인 다결정질 실리콘 재료를 격납하도록 돕는다.
일 실시예에서, 도 6에 관하여 설명된 반사 표면 처리부 및/또는 여과 표면 처리부는 상류 격납층(75) 및 하류 격납층(76)의 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 상류 격납층(75)은 몰리브덴 또는 알루미늄으로부터 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 하류 격납층(76)은 몰리브덴 또는 알루미늄으로부터 형성될 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서 하류 격납층 두께는 상류 격납층 두께와 거의 같다. 일 실시예에서, 하류 격납 재료는 상류 격납 재료와 동일하다. 예를 들어, 하류 격납 재료 및 상류 격납 재료는 질화 규소(SiNx)일 수 있다. 상류 격납 재료의 층 및 하류 격납 재료의 층은 저 응력 층(low stress layer)들로 칭해질 수 있다. 일 실시예에서, 상류 격납층 두께는 약 2 nm 내지 약 10 nm, 더 바람직하게는 약 2 nm 내지 약 4 nm이고, 예를 들어 3 nm일 수 있다. 일 실시예에서, 하류 격납층 두께는 약 2 nm 내지 약 10 nm, 더 바람직하게는 약 2 nm 내지 약 4 nm이고, 예를 들어 3 nm일 수 있다. 일 실시예에서, 부재(43)는 약 40 nm 내지 약 70 nm의 영역 내의 두께를 갖고, 예를 들어 55 nm일 수 있다.
이에 따라, 일 실시예에서, 55 nm의 두께를 갖는 다결정질 실리콘 부재(43)에는 8 nm의 상류 격납층 두께를 갖는 질화 규소로부터 형성된 상류 격납층(75), 및 8 nm의 하류 격납층 두께를 갖는 질화 규소로부터 형성된 하류 격납층(76)이 제공된다.
상류 격납층(75) 및 하류 격납층(76)은 때때로 캐핑 층(capping layer)들로 칭해진다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치(100)의 일부분을 도시한다. 동일한 참조 번호들은 다른 도면들에서 대응하는 구성요소들에 사용된다. 구성요소들이 앞서 설명된 바와 동일한 구조 및 구성을 갖기 때문에, 구성요소들의 설명은 아래에서 생략될 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서 상류 격납층 두께는 하류 격납층 두께와 상이하다. 상류 격납층 두께가 하류 격납층 두께와 상이하다고 전제하면, 부재(43)가 부서질 때 부재(43)의 거동은 제어될 수 있다. 예를 들어, 상류 격납층(75)과 하류 격납층(76) 간의 두께 차는 부재(43)가 부서질 때 바람직한 방향으로 부재(43)의 형상이 비틀릴(curl) 가능성을 증가시키는 데 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 상류 격납층 두께는 부재(43)가 하류로 구부러지도록 하류 격납층 두께보다 얇다.
일 실시예에서, 상류 격납 재료 및 하류 격납 재료는 몰리브덴이다. 일 실시예에서, 상류 격납층 두께는 약 4 nm 내지 약 8 nm의 범위 내에 있으며, 예를 들어 6 nm일 수 있다. 일 실시예에서, 하류 격납층 두께는 약 2 nm 내지 약 4 nm의 범위 내에 있으며, 예를 들어 3 nm일 수 있다. 일 실시예에서, 부재(43)는 약 2 nm 내지 약 40 nm의 범위 내의 두께를 갖고, 예를 들어 30 nm일 수 있다.
이에 따라, 일 실시예에서 30 nm의 두께를 갖는 다결정질 실리콘 부재(43)에는 6 nm의 상류 격납층 두께를 갖는 몰리브덴으로부터 형성된 상류 격납층(75), 및 3 nm의 하류 격납층 두께를 갖는 몰리브덴으로부터 형성된 하류 격납층(76)이 제공된다.
앞서 설명된 바와 같이, 상류 격납층(75) 및 하류 격납층은 부재(43)의 효과적인 기계적 특성들을 개선할 수 있다. 추가적으로, 상류 격납층(75) 및 하류 격납층(76)은 부재(43)의 화학적 안정성을 개선할 수 있다. 일 실시예에서, 상류 격납 재료 및 하류 격납 재료는 상류 격납층(75) 및 하류 격납층(76)과 부재(43)의 조합에 대해 원하는 스펙트럼 필터링 기능들을 제공하도록 선택된다. 예를 들어, 상류 격납 재료 및 하류 격납 재료는 바람직하지 않은 비-EUV 방사선의 원하는 흡수 및 반사를 달성하기 위해 몰리브덴 및 알루미늄으로 선택될 수 있다.
알루미늄이 본 발명의 실시예들에서 사용될 수 있는 재료의 일 예시로서 언급되었다. 알루미늄은 단지 적절한 재료의 일 예시이며, 다른 재료들이 가능하다. 알루미늄을 포함하는 실시예들에서, 알루미늄에는 알루미늄의 산화를 감소시키도록 구성된 추가적인 캐핑 층이 제공될 수 있다. 캐핑 층을 포함하는 본 발명의 실시예들은 부재(43)의 수명을 연장할 것으로 예상된다.
부재(43)가 부서지거나 파열되는 경우에 부재(43)의 거동을 제어함으로써, 잔해에 의해 야기되는 오염이 감소될 수 있다. 특히, 상류 격납층(75) 및 하류 격납층(76) 간의 두께 차는 오염 가능성이 감소되도록 바람직한 방향으로 부재(43)가 비틀리게 할 수 있다.
일 실시예에서, 상류 격납 재료 및 하류 격납 재료 각각은 부재(43)가 형성되는 상류 격납층(75)과 하류 격납층(76) 사이의 재료보다는 덜 취성이다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치(100)의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치(100)는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다.
당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판(W)은 노광 전후에, 예를 들어 트랙[전형적으로, 기판(W)에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴], 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판(W)이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판(W)이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함하는 기판을 칭할 수도 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 중공부(41)는 원통형과 같은, 원뿔형 이외의 형상을 가질 수 있다. 코팅은 중공부(41)의 내표면의 일부분에만 제공될 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.
Claims (34)
- 장치에 있어서:
상기 장치의 상이한 구역들 간의 계면(interface)에서 연장되는 내표면을 갖는 중공부(hollow part)를 포함한 적어도 하나의 밀봉 어퍼처(sealing aperture); 및
상기 계면에서 실질적으로 EUV 방사선을 투과시키고 실질적으로 비-EUV 방사선을 필터링하도록 구성되는 상기 중공부 내에 위치된 부재(member)
를 포함하고,
상기 중공부의 내표면은 상기 부재에 의해 상기 중공부로 전달되는 상기 비-EUV 방사선의 흡수를 증가시키도록 구성된 표면 처리부(surface treatment)를 갖는 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 중공부의 내표면은 295 K에서 IR 방사선에 대해 0.4보다 크고, 선택적으로는 적어도 0.8인 흡수율을 갖는 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 중공부의 내표면은 295 K에서 IR 방사선에 대해 적어도 0.3, 및 선택적으로는 적어도 0.9의 방사율을 갖는 장치. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중공부는 스테인리스 강보다 높은 열 전도도를 갖는 재료로 형성되는 장치. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중공부는 295 K에서 적어도 20 W/(m.K), 및 선택적으로는 적어도 200 W/(m.K)의 열 전도도를 갖는 재료로 형성되는 장치. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중공부는 알루미늄, 세라믹, SiSiC 및 질화 알루미늄으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 재료로 형성되는 장치. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 표면 처리부는 코팅인 장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 코팅은 흑크롬(black chromium)으로 형성되는 장치. - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 EUV 방사선은 상기 부재의 상류 측(upstream side)으로부터 상기 부재의 하류 측(downstream side)으로 투과되고, 상기 표면 처리부는 상기 부재의 하류 측에 있는 장치. - 제 9 항에 있어서,
상기 표면 처리부는 상기 부재의 상류 측 및 하류 측 모두에 있는 장치. - 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중공부는 상기 중공부의 온도를 컨디셔닝(condition)하는 컨디셔닝 시스템을 포함하는 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 컨디셔닝 시스템은 상기 중공부의 내표면과 상기 부재 간의 온도 차를 제어하도록 상기 중공부의 온도를 컨디셔닝하는 장치. - 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 부재와 접촉하게 되는 상기 부재를 향해 유동하는 입자들을 감소시키기 위해 상기 밀봉 어퍼처에 가스를 공급하도록 구성된 적어도 하나의 가스 공급기를 포함하는 장치. - 제 13 항에 있어서,
상기 컨디셔닝 시스템은 상기 부재의 상기 가스 공급기와 동일한 측에서 상기 중공부의 섹션(section)을 열적 컨디셔닝하도록 구성되는 장치. - 제 13 항에 있어서,
상기 컨디셔닝 시스템은 상기 부재의 상기 가스 공급기와 동일한 측 및 상기 부재의 상기 가스 공급기 반대 측 모두에서 상기 중공부의 섹션들을 열적 컨디셔닝하도록 구성되는 장치. - 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 부재는 상기 구역들 사이에서 가스의 유동을 차단하도록 구성되는 장치. - 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 부재는 멤브레인(membrane)인 장치. - 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 밀봉 어퍼처는 적어도 상기 장치의 투영 광학기를 포함한 광학기 구역과 적어도 하나의 기판을 유지하도록 구성된 기판 구역 사이에서 연장되는 장치. - 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 부재는 상류 표면 및 하류 표면을 갖고, 상기 상류 표면 및 상기 하류 표면 중 적어도 하나는 상기 구역들 사이에서 상기 비-EUV 방사선의 여과(filtration)를 증가시키도록 구성된 여과 표면 처리부를 갖는 장치. - 제 19 항에 있어서,
상기 상류 표면 및 상기 하류 표면 중 하나는 상기 구역들 사이에서 상기 비-EUV 방사선의 반사를 증가시키도록 구성된 상기 여과 표면 처리부의 반사 표면 처리부를 갖고,
상기 상류 표면 및 상기 하류 표면 중 하나는 상기 구역들 사이에서 상기 비-EUV 방사선의 흡수를 증가시키도록 구성된 상기 여과 표면 처리부의 흡수 표면 처리부를 갖는 장치. - 제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 부재는 상류 표면 및 하류 표면을 가지며, 상기 상류 표면은 상류 격납 재료(upstream containment material)의 상류 격납층을 갖고, 상기 하류 표면은 하류 격납 재료의 하류 격납층을 가지며, 상기 상류 격납층 및 상기 하류 격납층은 상기 부재가 형성되는 재료를 상기 상류 격납층과 상기 하류 격납층 사이에 격납(contain)하도록 구성되는 장치. - 제 21 항에 있어서,
상기 상류 격납 재료 및 하류 격납 재료 각각은 상기 부재가 형성되는 상기 상류 격납층과 상기 하류 격납층 사이의 재료보다 덜 취성(brittle)인 장치. - 제 21 항 또는 제 22 항에 있어서,
상기 상류 격납층은 상류 격납층 두께를 갖고, 상기 하류 격납층은 하류 격납층 두께를 가지며, 상기 상류 격납층 두께는 상기 하류 격납층 두께와 상이한 장치. - 제 19 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 부재는 다결정질 실리콘으로부터 형성되는 장치. - 장치에 있어서:
상기 장치의 상이한 구역들 간의 계면에서 연장되는 내표면을 갖는 중공부를 포함한 적어도 하나의 밀봉 어퍼처; 및
상기 계면에서 실질적으로 EUV 방사선을 투과시키고 실질적으로 비-EUV 방사선을 필터링하도록 구성되는 상기 중공부 내에 위치된 부재
를 포함하고,
상기 중공부의 내표면은 상기 부재에 의해 상기 중공부로 전달되는 상기 비-EUV 방사선에 대해 295 K에서 스테인리스 강보다 높은 흡수율 값을 갖는 장치. - 장치에 있어서:
상기 장치의 상이한 구역들 간의 계면에서 연장되는 내표면을 갖는 중공부를 포함한 적어도 하나의 밀봉 어퍼처; 및
상기 구역들 사이에서 실질적으로 EUV 방사선을 투과시키고 실질적으로 비-EUV 방사선을 필터링하도록 구성되는 상기 중공부 내에 위치된 부재
를 포함하고,
상기 중공부는 상기 중공부의 온도를 컨디셔닝하는 컨디셔닝 시스템을 포함하는 장치. - 장치에 있어서,
상기 장치의 상이한 구역들 간의 계면에서의 적어도 하나의 밀봉 어퍼처; 및
실질적으로 EUV 방사선을 투과시키도록 구성되는 상기 어퍼처 내에 위치된 부재
를 포함하고,
상기 부재는 상류 표면 및 하류 표면을 가지며, 상기 상류 표면 및 상기 하류 표면 중 적어도 하나는 상기 구역들 사이에서 비-EUV 방사선의 여과를 증가시키도록 구성된 여과 표면 처리부를 갖고, 상기 여과 표면 처리부를 갖는 부재는 상기 구역들 사이에서 상기 비-EUV 방사선을 실질적으로 필터링하도록 구성되는 장치. - 장치에 있어서:
상기 장치의 상이한 구역들 간의 계면에서의 적어도 하나의 밀봉 어퍼처; 및
실질적으로 EUV 방사선을 투과시키도록 구성되는 상기 어퍼처 내에 위치된 부재
를 포함하고,
상기 부재는 상류 표면 및 하류 표면을 가지며, 상기 상류 표면은 상류 격납 재료의 상류 격납층을 갖고, 상기 하류 표면은 하류 격납 재료의 하류 격납층을 가지며, 상기 상류 격납층 및 상기 하류 격납층은 상기 부재가 형성되는 재료를 상기 상류 격납층과 상기 하류 격납층 사이에 격납하도록 구성되는 장치. - 디바이스에 있어서:
프레임; 및
실질적으로 EUV 방사선을 투과시키도록 구성되는 상기 프레임에 고정된 부재
를 포함하고,
상기 부재는 상류 표면 및 하류 표면을 가지며, 상기 상류 표면 및 상기 하류 표면 중 적어도 하나는 비-EUV 방사선의 여과를 증가시키도록 구성된 여과 표면 처리부를 갖고, 상기 여과 표면 처리부를 갖는 부재는 상기 비-EUV 방사선을 실질적으로 필터링하도록 구성되는 디바이스. - 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사(transfer)하기 위해 리소그래피 장치를 이용하는 단계를 포함한 디바이스 제조 방법에 있어서,
상기 리소그래피 장치는:
상기 장치의 상이한 구역들 간의 계면에서 연장되는 내표면을 갖는 중공부를 포함한 적어도 하나의 밀봉 어퍼처; 및
상기 계면에서 실질적으로 EUV 방사선을 투과시키고 실질적으로 비-EUV 방사선을 필터링하도록 구성되는 상기 중공부 내에 위치된 부재
를 포함하고,
상기 중공부의 내표면은 상기 부재에 의해 상기 중공부로 전달되는 상기 비-EUV 방사선의 흡수를 증가시키도록 구성된 표면 처리부를 갖는 디바이스 제조 방법. - 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위해 리소그래피 장치를 이용하는 단계를 포함한 디바이스 제조 방법에 있어서,
상기 리소그래피 장치는:
상기 장치의 상이한 구역들 간의 계면에서 연장되는 내표면을 갖는 중공부를 포함한 적어도 하나의 밀봉 어퍼처; 및
상기 계면에서 실질적으로 EUV 방사선을 투과시키고 실질적으로 비-EUV 방사선을 필터링하도록 구성되는 상기 중공부 내에 위치된 부재
를 포함하고,
상기 중공부의 내표면은 상기 부재에 의해 상기 중공부로 전달되는 상기 비-EUV 방사선에 대해 295 K에서 스테인리스 강보다 높은 흡수율 값을 갖는 디바이스 제조 방법. - 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위해 리소그래피 장치를 이용하는 단계를 포함한 디바이스 제조 방법에 있어서,
상기 리소그래피 장치는:
상기 장치의 상이한 구역들 간의 계면에서 연장되는 내표면을 갖는 중공부를 포함한 적어도 하나의 밀봉 어퍼처; 및
상기 구역들 사이에서 실질적으로 EUV 방사선을 투과시키고 실질적으로 비-EUV 방사선을 필터링하도록 구성되는 상기 중공부 내에 위치된 부재
를 포함하고,
상기 중공부는 상기 중공부의 온도를 컨디셔닝하는 컨디셔닝 시스템을 포함하는 디바이스 제조 방법. - 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위해 리소그래피 장치를 이용하는 단계를 포함한 디바이스 제조 방법에 있어서,
상기 리소그래피 장치는:
상기 장치의 상이한 구역들 간의 계면에서의 적어도 하나의 밀봉 어퍼처; 및
실질적으로 EUV 방사선을 투과시키도록 구성되는 상기 중공부 내에 위치된 부재
를 포함하고,
상기 부재는 상류 표면 및 하류 표면을 가지며, 상기 상류 표면 및 상기 하류 표면 중 적어도 하나는 상기 구역들 사이에서 비-EUV 방사선의 여과를 증가시키도록 구성된 여과 표면 처리부를 갖고, 상기 여과 표면 처리부를 갖는 부재는 상기 구역들 사이에서 상기 비-EUV 방사선을 실질적으로 필터링하도록 구성되는 디바이스 제조 방법. - 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위해 리소그래피 장치를 이용하는 단계를 포함한 디바이스 제조 방법에 있어서,
상기 리소그래피 장치는:
상기 장치의 상이한 구역들 간의 계면에서의 적어도 하나의 밀봉 어퍼처; 및
실질적으로 EUV 방사선을 투과시키도록 구성되는 상기 중공부 내에 위치된 부재
를 포함하고,
상기 부재는 상류 표면 및 하류 표면을 가지며, 상기 상류 표면은 상류 격납 재료의 상류 격납층을 갖고, 상기 하류 표면은 하류 격납 재료의 하류 격납층을 가지며, 상기 상류 격납층 및 상기 하류 격납층은 상기 부재가 형성되는 재료를 상기 상류 격납층과 상기 하류 격납층 사이에 격납하도록 구성되는 디바이스 제조 방법.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| EP1335640A2 (en) * | 2002-02-04 | 2003-08-13 | Nikon Corporation | Plasma-type X-ray source encased in vacuum chamber exhibiting reduced heating of interior components, and microlithography systems comprising same |
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Patent Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| EP1335640A2 (en) * | 2002-02-04 | 2003-08-13 | Nikon Corporation | Plasma-type X-ray source encased in vacuum chamber exhibiting reduced heating of interior components, and microlithography systems comprising same |
| US20060160031A1 (en) * | 2005-01-20 | 2006-07-20 | Stefan Wurm | EUV lithography filter |
| US20070170379A1 (en) * | 2006-01-24 | 2007-07-26 | Nikon Corporation | Cooled optical filters and optical systems comprising same |
| US20070177123A1 (en) * | 2006-01-27 | 2007-08-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and a device manufacturing method |
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