TWI394012B - 微影裝置及元件製造方法 - Google Patents

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Description

微影裝置及元件製造方法
本發明係關於一種微影裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。圖案化元件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。
微影術被廣泛地認為製造IC及其他元件及/或結構中之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影術所製造之特徵的尺寸變得更小，微影術變為用於使能夠製造小型IC或其他元件及/或結構之更臨界因素。
圖案列印限度之理論估計可由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出，如方程式(1)所示：
其中λ為所使用之輻射的波長，NAPS 為用以列印圖案之投影系統的數值孔徑，k1 為過程依賴性調整因數(亦被稱作瑞立常數)，且CD為經列印特徵之特徵尺寸(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可列印尺寸的減少：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NAPS ，或藉由減少k1 之值。
為了縮短曝光波長且因此減少最小可列印尺寸，已提議使用遠紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射源經組態以輸出約13nm之輻射波長。因此，EUV輻射源可構成針對達成小特徵列印之重要步驟。該輻射被稱作遠紫外線或軟x射線，且可能源包括(例如)雷射產生之電漿源(LPP源)、放電電漿源(DPP源)，或來自電子儲存環之同步加速器輻射。
某些類型之EUV輻射源(例如，LPP源)隨同EUV輻射一起而產生污染物。已知某些LPP源以分子及/或酸性形式來產生化學劑，諸如，HF、HC1、HBr或HI。因為EUV輻射源中之壓力在輻射源為微影裝置之一部分的情況下通常相對於微影裝置或微影裝置之另一部分中的壓力較高，所以污染物將趨向於進入及污染用於微影裝置或微影裝置之一部分的照明系統。
需要(例如)消除或減少照明系統或其他結構之源產生之污染物。
根據一態樣，提供一種經配置以將來自圖案化元件之圖案投影至基板上的微影裝置，微影裝置包含：照明系統，照明系統經組態以調節來自輻射源之輻射，照明系統具有背對輻射源之內壁及面向輻射源之外壁，內壁及外壁具有孔徑以允許來自輻射源之輻射傳遞至照明系統中；出口，出口位於孔徑處或附近且位於照明系統之內壁與外壁之間，或在微影裝置包含輻射源的情況下位於照明系統之內壁與輻射源之面向輻射源且鄰近於照明系統之內壁的內壁之間；抽汲系統，抽汲系統經組態以經由出口而自照明系統及/或輻射源抽離氣體；及支撐結構，支撐結構經建構以固持圖案化元件，圖案化元件能夠在輻射之橫截面中向輻射賦予圖案以形成經圖案化輻射光束。
根據一態樣，提供一種經配置以發射輻射之輻射源，源包含：小液滴產生器，小液滴產生器經組態以產生液體燃料之小液滴；雷射，雷射經組態以產生雷射光束，雷射經配置以引導雷射光束以在點燃位置處撞擊由小液滴產生器所產生之小液滴；源腔室，其中定位點燃位置，源腔室具有一具有孔徑之內壁以將輻射傳遞出輻射源；出口，出口位於孔徑處或附近且位於內壁外部；及抽汲系統，抽汲系統經組態以經由出口而自輻射源抽離氣體。
根據一態樣，提供一種經配置以將來自圖案化元件之圖案投影至基板上的微影裝置，微影裝置包含：照明系統，照明系統經組態以調節來自輻射源之輻射，照明系統具有一具有孔徑之壁以允許來自輻射源之輻射傳遞至照明系統中；抑制流動系統，抑制流動系統經組態以提供氣體流動以有助於防止污染物粒子在輻射之方向上穿過孔徑，抑制流動系統包含經組態以在橫向於流動之方向上增強流動均質性的流動散布結構；及支撐結構，支撐結構經建構以固持圖案化元件，圖案化元件能夠在輻射之橫截面中向輻射賦予圖案以形成經圖案化輻射光束。流動可包含來自由H2 、He、Ne、Kr及Ar組成之群組的一或多種氣體。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。
裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩或主光罩)MA且連接至經組態以精確地定位圖案化元件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W且連接至經組態以精確地定位基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，反射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構以視圖案化元件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化元件是否固持於真空環境中)而定的方式來固持圖案化元件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化元件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化元件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。
術語"圖案化元件"應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何元件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中所形成之元件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化元件可為透射或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
術語"投影系統"可涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。因為氣體可能吸收過多輻射或電子，所以可能需要將真空用於EUV或電子束輻射。因此，可借助於真空壁及一或多個真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。或者，裝置可為透射類型(例如，使用透射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上圖案化元件支撐結構)的類型。在該等"多平台"機器中，可並行地使用額外台及/或支撐結構，或可在一或多個台及/或支撐結構上進行預備步驟，同時將一或多個其他台及/或支撐結構用於曝光。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為單獨實體。在該等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射光束借助於包含(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。
照明器IL可包含經組態以調整輻射光束之角強度分布的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外徑及σ內徑)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化元件(例如，光罩)MA上，且由圖案化元件圖案化。在自圖案化元件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。借助於第二定位器PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測元件、線性編碼器，或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以相對於輻射光束B之路徑來精確地定位圖案化元件(例如，光罩)MA。可使用圖案化元件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化元件(例如，光罩)MA及基板W。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如，如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
圖2更詳細地展示投影裝置1，其包括輻射系統42、照明系統44，及投影系統PS。輻射系統42包括可為放電電漿之輻射源SO。EUV輻射可由氣體或蒸汽產生，例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽，其中形成極熱電漿以發射在電磁光譜之EUV範圍內的輻射。藉由由(例如)放電而導致至少部分地離子化之電漿來形成極熱電漿。對於輻射之有效產生，可能需要為(例如)10Pa之Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他適當氣體或蒸汽的分壓。在一實施例中，將Xe、Li或Sn源應用作EUV源。可藉由以適當雷射光束來撞擊(例如)Sn而產生至少部分地離子化之電漿。在該實施例中，對於輻射之有效產生，可能需要(例如)在1200℃之溫度下為0.75Pa之Xe、Li或Sn蒸汽或任何其他適當氣體或蒸汽的分壓。由輻射源SO所發射之輻射經由定位於源腔室47中之開口中或後之任選污染物障壁49而自源腔室47傳遞至集光器腔室48中。污染物障壁49可包含通道結構。污染物障壁49可另外或或者包含氣體障壁。污染物障壁49可為氣體障壁與通道結構之組合。如此項技術中已知，本文進一步所指示之污染物障壁49至少包含通道結構。
集光器腔室48包括可為掠入射集光器之輻射集光器50(本文中亦被指示為集光器鏡面)。輻射集光器50具有上游輻射集光器側50a及下游輻射集光器側50b。由集光器50所傳遞之輻射可反射離開光柵光譜過濾器51以在集光器腔室48中之孔徑處聚焦於被稱作虛擬源點52之焦點中。自集光器腔室48，輻射光束56經由正入射反射元件53、54而在照明系統44中反射至定位於主光罩或光罩台MT上之主光罩或光罩上。形成經圖案化光束57，其在投影系統PS中經由反射元件58、59而成像至基板台WT上。比所示元件多之元件可存在於照明系統44及/或投影系統PS中。視微影裝置之類型而定，可視情況存在光柵光譜過濾器51。另外，可存在比圖所示之反射元件多的反射元件，例如，可存在比反射元件58、59多1至4個的反射元件。
在一實施例中，如本文更詳細地所描述，集光器50為具有反射器142、143及146之巢套式集光器，如(例如)圖2示意性地所描繪，且在本文中用作集光器(或集光器鏡面)之實例。適用時，作為掠入射集光器之集光器50亦可大體上被認為係集光器且在一實施例中被認為係正入射集光器。
代替作為集光器50之掠入射鏡面，如圖3a所示，可應用正入射集光器50'。在圖3a中，藉由以適當雷射光束LA(例如，CO2 雷射LA)來撞擊使用小液滴產生器51所供應之Sn而產生電漿。該配置通常被稱作雷射產生之電漿(LPP)源SO。理想地，結合LPP源SO來使用正入射集光器140。
圖3b展示與圖3a之通用配置相同的通用配置。然而，在圖3b中，展示類似於參看圖2所揭示之污染物障壁49的污染物障壁49。
另外或替代光柵光譜過濾器51，如圖2示意性地所描繪，可應用透射光學過濾器，或在一實施例中，可完全不使用過濾器。對於EUV而言為透射且對於UV輻射而言為較不透射或甚至大體上吸收UV輻射之光學過濾器在此項技術中為已知的。"光柵光譜過濾器"在本文中進一步被指示為"光譜過濾器"，其包括光柵及/或透射過濾器。未描繪於示意性圖2中但經包括作為任選光學元件的可為EUV透射光學過濾器(例如，配置於集光器50之上游)，或照明系統44及/或投影系統PS中之光學EUV透射過濾器。
圖4展示微影裝置1之一實施例之源SO與照明器IL之部分之間的介面60。介面60包含輻射系統42之內壁62及照明器IL之內壁64。應瞭解，輻射系統42之內壁62可為照明器IL之外壁，或照明器IL之內壁64可為輻射系統42之外壁。在虛擬源點52附近壁62之一部分可在朝向虛擬源點52之方向上漸縮，如圖4所示之實施例中的情況。壁62之部分可為圓錐形。又，在虛擬源點52附近照明器IL之壁64之一部分可在朝向虛擬源點52之方向上漸縮(見圖4)。此壁64之部分亦可為圓錐形。在此實施例中，壁62之部分及壁64之部分均在虛擬源點52之為0.15m的半徑內。壁64之部分在虛擬源點52之為0.10m的半徑內。在圖4中，圓錐形部分藉由管狀部分65而彼此連接。
當微影裝置1處於操作中時，輻射系統42中之壓力可通常為約40Pa，而照明器IL中之壓力可為約3Pa。歸因於輻射系統42與照明器IL之間的壓差，污染物粒子(特別為化學劑，諸如，HF、HC1、HBr或HI)可進入照明器IL且污染照明光學器件(諸如，正入射反射器53、54)。
為了抑制污染物，可提供抑制流動系統，諸如，介面60處之氣體供應物66。氣體供應物66經組態以理想地將氣體流動68提供至虛擬源點52附近之位置，以有助於防止污染物粒子在輻射光束之方向上穿過介面60。氣體流動可包含選自由H2 、He、Ne、Ar及Kr組成之群組的一或多種氣體。或者或另外，可使用一或多種其他適當氣體。在一實施例中，氣體流動大體上由H2 組成，因為H2 在比He、Ne、Ar及Kr小之程度上吸收EUV輻射。
為了有助於將輻射系統42及照明器IL維持於適當壓力，提供抽汲系統70，如圖5所示。在圖5中，抽汲系統經展示成包括四個泵。然而，可提供更少或更多泵。在此實施例中，兩個泵72、74抽離輻射系統42處之氣體，一泵76抽離照明器處之氣體，且一泵78抽離位於介面60(例如，虛擬源點52)處或附近之氣體。在此實例中，泵78經由單獨管狀結構79而抽離氣體。如圖4中所見，管狀結構79之出口位於壁64與壁62之間。因此，例如，出口可位於照明系統之背對輻射源的內壁64與照明系統之面向輻射源的外壁62之間，或位於輻射源之內壁62與輻射源之背對輻射源的外壁64之間，或在存在輻射源及照明系統兩者時位於照明系統之內壁64與輻射源之內壁62之間。因此，自照明器及輻射系統42(其包括源SO)抽離氣體。介面處之泵容量緩解輻射系統之壓力規格。舉例而言，在一組態中，將一小渦輪泵添加於介面60處可在源SO處節省四個大吹風機。
污染物捕捉器(例如，靜止箔捕捉器)80可在輻射源SO與介面60或虛擬源點52之間包括於輻射系統42中，以有助於減輕自電漿朝向介面60或虛擬源點52之氣體負載。或者或另外，可使用對於EUV輻射而言為大體上透明之另一結構以類似地有助於限制氣體傳遞。類似於污染物捕捉器80，該結構將通常位於源SO與介面60或虛擬源點52之間。
圖6為類似於圖4之視圖。然而，在圖6中，某些尺寸經指示，諸如，界定所謂的外部NA之角度φ、管狀部分65之直徑DIF 、虛擬源點52與虛擬源點52之源側處圓錐體之頂部之間的距離Ltop source cone IF ，及虛擬源點52與虛擬源點之源側處圓錐體之基底之間的距離Lbase source cone IF 。
表1展示例示性尺寸及其他參數。在表1中，Qcount 為亦指示於圖6中之抑制逆流。SIF 為泵78之抽汲速度；PIF 為虛擬源點52處或附近之壓力；PIL 為照明器IL中之壓力；T為溫度；Ltop illuminator cone IF 為虛擬源點52與虛擬源點52之照明器側處圓錐體之頂部之間的距離；Lbase illuminator cone IF 為虛擬源點52與虛擬源點之照明器側處圓錐體之基底之間的距離；Cilluminatorcone 、CIF 、Csource cone 分別為照明器側壁之圓錐形部分、管狀部分65及輻射系統側壁之圓錐形部分的傳導率；Asource cone 為輻射系統側壁之圓錐形部分的有效橫截面面積；且外部NA等於η．sin φsin φ，因為折射率η約等於一。理想地，Ltop illuminator cone IF +Ltop source cone IF D或Ltop illuminator cone IF +Ltop source cone IF <D。
又，可導出以下方程式：
Ps 為源壓力，且P為所謂的Pclet數，其為污染物粒子之質量擴散之抑制量的量測。藉由使用方程式2及3，可估計，當略微改變輸入參數中之一者(比如，按5%增加)時，源壓力Ps 及Pclet數P將如何改變。
圖7中展示結果。可見，抽汲速度SIF 及虛擬源點52處或附近之壓力PIF 的增加將增加源壓力Ps 且減少Pclet數P。為了對此進行補償，應增加抑制逆流Qcount 。管狀部分65之直徑DIF 的減少將增加源壓力Ps 及抑制。
為了有助於防止形成內壁62、64之圓錐形部分中之氣體流動中的不穩定性，前述抑制流動系統可包含(可能地除了供應物66以外)經配置及組態以在橫向於流動之方向上增強流動均質性的流動散布結構。該流動散布結構可包含一或多個多孔介質、篩及/或任何其他適當組件或結構。
圖8展示可能的流動散布結構84。氣體藉由供應物66而供應至流動散布結構84。在此實例中，流動散布結構包含經配置以在橫向於流動之方向T上改良均質性及平滑性的噴嘴組86。因此，可改良流動之層流性。為了避免氣體在退出流動散布結構84時出現不穩定性，供應至結構84之氣體具有低於該氣體中之聲速的流動速度。壁62之圓錐形部分可經建構成具有低流動阻力以允許氣體在進入此圓錐形部分時之壓力約與氣體在退出此圓錐形部分時之壓力相同。
在圖10之實例中，可藉由以音速或超音速來供應氣體而在擴散器中使用超音速流動。此可允許壁62之圓錐形部分中的高速度以導致大量抑制。又，大流動速度可導致使可能污染物難以傳遞之震波。
圖9展示可能的流動散布結構84之實施例。壁62之圓錐形部分不朝向虛擬源點52而是至源SO漸縮。在此實例中，流動散布結構84具備噴嘴組86以朝向源引導流動。噴嘴組86在橫向於流動方向之方向上延伸。如在結構84為擴散器之圖8之實例中，此處，流動散布結構84之噴嘴組有助於在橫向於流動之方向T上改良均質性及平滑性。因此，可改良流動之層流性。理想地，擴散器中之流動速度小於氣體中之聲速。
在圖10之實施例中，可見，當自虛擬源點52至源SO檢視時，逐步地增加壁62之橫截面。在每一步驟處，供應氣體流動以一方面補償流動速度減少且另一方面有助於最小化不穩定性之存在。該組態可提供朝向源SO之恆定、層狀且高速度的流動。此外，可防止沿著壁62之污染物擴散的額外抑制。
在另一實施例中，提供如圖11所示之所謂的淨化蓋罩構造。此將允許平坦壁62。多孔材料可用於壁62處，材料形成流動散布結構84。該組態允許經由流動散布結構84而將小流動速度與高質量流動速率組合。小流動速度允許流動在離開流動散布結構84之後快速變為層狀，且高質量流動速率允許高量抑制(亦即，高Pclet數P)。
通常，如上文所論述之流動散布結構84的存在允許輻射系統42與照明器IL之間的介面之更小尺寸。抑制流動系統可包含流動散布結構，流動散布結構經配置及組態以在橫向於流動之方向上增強流動均質性，而不存在經組態以抽離孔徑處或附近之氣體以允許自輻射源至照明系統中之輻射的抽汲系統。
圖12中展示對微影裝置之實施例的修改。在圖12中，僅展示前述泵72、74、76及78中之一者。圖12所示之微影裝置包含經組態以維持輻射系統中之至少兩個位置之間的溫差之熱控制系統。維持該溫差可允許輻射系統42中之更高壓力。在圖12之實例中，控制系統包含控制器C、第一溫度感測器88、第二溫度感測器90及熱交換器92。在此實例中，控制器C經組態以基於由第一溫度感測器88及第二溫度感測器90所量測之溫度來啟動熱交換器92。理想地，相對於由第二溫度感測器90所量測之溫度，將由第一溫度感測器88所量測之溫度維持較低。此將允許源SO與集光器50'鏡面之間的相對低溫度以制動快速離子，同時允許輻射系統42之剩餘部分中的溫度保持較高以允許優良透射。可使用以下方程式來理解原理：
Tr為氣體對於遠紫外線輻射之透射率，P為某種吸收氣體之分壓，σ為氣體之吸收橫截面，L為透射率待判定所針對之輻射路徑的長度，k為波次曼(Boltzman)常數，且T為溫度。自方程式4，可見，透射率視比率P/T而定，而非單獨地視P而定。因此，藉由維持輻射系統42中之某些位置之間的某一溫差，可將沿著由源SO所發射之輻射之光學路徑的總透射率維持於適當位準，同時允許可能需要相對較高壓力之位置處的該等高壓力。
因此，當在源SO與集光器50'之間將溫度維持於低位準時，高壓力將有助於制動快速離子，同時在使用高溫來補償高壓力之第二溫度感測器90附近補償透射率損失。
可在不存在經組態以抽離孔徑處或附近之氣體以允許自輻射源至照明系統中之輻射之抽汲系統的情況下使用該控制系統。除了熱交換器92以外或代替熱交換器92，加熱結構可提供於(例如)第二溫度感測器90附近之位置處。
儘管以上可特定地參考在光學微影術之情境中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影術)中，且在情境允許時不限於光學微影術。
本文所使用之術語"輻射"及"光束"涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365nm、355nm、248nm、193nm、157nm或126nm之波長)及遠紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5nm至20nm之範圍內的波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見的為，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
1．．．投影裝置
42．．．輻射系統
44．．．照明系統
47．．．源腔室
48．．．集光器腔室
49．．．污染物障壁
50．．．輻射集光器
50'．．．正入射集光器
50a．．．上游輻射集光器側
50b．．．下游輻射集光器側
51．．．光柵光譜過濾器
52．．．虛擬源點
53．．．正入射反射元件
54．．．正入射反射元件
56．．．輻射光束
57．．．經圖案化光束
58．．．反射元件
59．．．反射元件
60．．．介面
62．．．內壁
64．．．內壁
65．．．管狀部分
66．．．氣體供應物
68．．．氣體流動
70．．．抽汲系統
72．．．泵
74．．．泵
76．．．泵
78．．．泵
79．．．管狀結構
80．．．污染物捕捉器
84．．．流動散布結構
86．．．噴嘴組
88．．．第一溫度感測器
90．．．第二溫度感測器
92．．．熱交換器
142．．．反射器
143．．．反射器
146．．．反射器
B．．．輻射光束
C．．．目標部分
DIF ．．．管狀部分65之直徑
IF1．．．位置感測器
IF2．．．位置感測器
IL．．．照明器
LA．．．雷射光束
Lbase illuminator cone IF ．．．虛擬源點52與虛擬源點之照明器側處圓錐體之基底之間的距離
Lbase source cone IF ．．．虛擬源點52與虛擬源點之源側處圓錐體之基底之間的距離
Ltop illuminator cone IF ．．．虛擬源點52與虛擬源點52之照明器側處圓錐體之頂部之間的距離
Ltop source cone IF ．．．虛擬源點52與虛擬源點52之源側處圓錐體之頂部之間的距離
M1．．．圖案化元件對準標記
M2．．．圖案化元件對準標記
MA．．．圖案化元件
MT．．．支撐結構
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PIF ．．．虛擬源點52處或附近之壓力
PIL ．．．照明器IL中之壓力
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
Qcount ．．．抑制逆流
SIF ．．．泵78之抽汲速度
SO．．．輻射源
T．．．溫度/方向
W．．．基板
WT．．．基板台
X．．．方向
φ．．．界定所謂的外部NA之角度
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2示意性地描繪根據圖1之一實施例之微影投影裝置之EUV照明系統及投影光學器件的側視圖；
圖3a及圖3b示意性地描繪雷射產生之電漿源的裝配；
圖4示意性地描繪圖1之微影裝置之輻射系統與照明器之間的介面；
圖5示意性地描繪圖1之微影裝置的輻射系統、照明器及抽汲系統；
圖6示意性地描繪圖4之介面；
圖7展示當變化預定參數時源壓力與Pclet數之相對差之估計的結果；
圖8至圖11示意性地展示圖4之介面的另外實施例；且
圖12示意性地描繪對圖5之輻射系統、照明器及抽汲系統的修改。
1．．．投影裝置
B．．．輻射光束
C．．．目標部分
IF1．．．位置感測器
IF2．．．位置感測器
IL．．．照明器
M1．．．圖案化元件對準標記
M2．．．圖案化元件對準標記
MA．．．圖案化元件
MT．．．支撐結構
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台

Claims (23)

  1. 一種經配置以將一來自一圖案化元件之圖案投影至一基板上的微影裝置，該微影裝置包含：一照明系統，該照明系統經組態以調節來自一輻射源之輻射，該照明系統具有一背對該輻射源之內壁及一面向該輻射源之外壁，該內壁及該外壁具有一孔徑(aperture)以允許來自該輻射源之輻射傳遞至該照明系統中；一出口，該出口位於該孔徑處或附近且位於該照明系統之該內壁與該外壁之間，或在該微影裝置包含該輻射源的情況下位於該照明系統之該內壁與該輻射源之面向該輻射源且鄰近於該照明系統之該內壁的一內壁之間；一抽汲系統，該抽汲系統經組態以經由該出口而自該照明系統及/或該輻射源抽離氣體；一抑制流動系統，該抑制流動系統經組態以提供一氣體流動以有助於防止污染物粒子在該輻射之方向上穿過該孔徑，其中該抑制流動系統包含一經配置及組態以在一橫向於該流動之方向上增強流動均質性的流動分布(flow distributing)結構；及一支撐結構，該支撐結構經建構以固持該圖案化元件，該圖案化元件能夠在該輻射之橫截面中向該輻射賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束。
  2. 如請求項1之微影裝置，其中該出口位於該輻射之一焦點處或附近。
  3. 如請求項1之微影裝置，其進一步包含該輻射源及一經組態以將由該輻射源所發射之輻射聚焦至一焦點中的集光器。
  4. 如請求項3之微影裝置，其中該照明系統之該外壁之一部分或在該微影裝置包含一輻射源的情況下該輻射源之該內壁在一朝向該焦點之方向上漸縮。
  5. 如請求項4之微影裝置，其中該部分為圓錐形。
  6. 如請求項4之微影裝置，其中該漸縮部分在該焦點之為0.15 m的一半徑內。
  7. 如請求項4之微影裝置，其中該出口經由該部分而延伸。
  8. 如請求項1之微影裝置，其中該氣體流動包含選自由H2 、He、Ne、Kr及Ar組成之群組的一或多種氣體。
  9. 如請求項1之微影裝置，其進一步包含：一基板台，該基板台經建構以固持該基板；及一投影系統，該投影系統經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上。
  10. 如請求項1之微影裝置，其中該照明系統之該內壁之一部分在一朝向該輻射之一焦點的方向上漸縮。
  11. 如請求項10之微影裝置，其中該照明系統之該內壁之該部分為圓錐形。
  12. 如請求項10之微影裝置，其中該內壁之該漸縮部分在該焦點之為0.15 m的一半徑內。
  13. 如請求項12之微影裝置，其中該內壁之該漸縮部分在該 焦點之為0.10 m的一半徑內。
  14. 如請求項10之微影裝置，其中該出口經由該照明系統之該內壁之該部分而延伸。
  15. 一種經配置以將一來自一圖案化元件之圖案投影至一基板上的微影裝置，該微影裝置包含：一照明系統，該照明系統經組態以調節來自一輻射源之輻射，該照明系統具有一具有一孔徑之壁以允許來自該輻射源之輻射傳遞至該照明系統中；一抑制流動系統，該抑制流動系統經組態以提供一氣體流動以有助於防止污染物粒子在該輻射之方向上穿過該孔徑，該抑制流動系統包含一經組態以在一橫向於該流動之方向上增強流動均質性的流動分布結構；及一支撐結構，該支撐結構經建構以固持該圖案化元件，該圖案化元件能夠在該輻射之橫截面中向該輻射賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束。
  16. 如請求項15之微影裝置，其中該氣體流動包含來自由H2 、He、Ne、Kr及Ar組成之群組的一或多種氣體。
  17. 一種經配置以發射輻射之輻射源，該輻射源包含：一小液滴(droplet)產生器，該小液滴產生器經組態以產生一液體燃料之小液滴；一雷射，該雷射經組態以產生一雷射光束，該雷射經配置以引導該雷射光束以在一點燃位置處撞擊由該小液滴產生器所產生之該等小液滴；一源腔室，該點燃位置位於該源腔室中，該源腔室具 有一具有一孔徑之內壁以將該輻射傳遞出該輻射源；一出口，該出口位於該孔徑處或附近且位於該內壁外部；及一抽汲系統，該抽汲系統經組態以經由該出口而自該輻射源抽離氣體。
  18. 如請求項17之輻射源，其中該出口位於該輻射之一焦點處或附近。
  19. 如請求項17之輻射源，其中該內壁之一部分在一朝向該輻射之一焦點的方向上漸縮。
  20. 如請求項19之輻射源，其中該內壁之該部分為圓錐形。
  21. 如請求項19之輻射源，其中該源腔室包含一與該內壁相對(opposite)之外壁，且其中該外壁之一部分在一朝向該輻射之一焦點的方向上漸縮。
  22. 如請求項17之輻射源，其進一步包含一經組態以提供一氣體流動以有助於防止污染物粒子在該輻射之方向上穿過該孔徑的抑制流動系統，其中該氣體流動包含選自由H2 、He、Ne、Kr及Ar組成之群組的一或多種氣體。
  23. 如請求項22之輻射源，其中該抑制流動系統包含一經配置及組態以在一橫向於該流動之方向上增強流動均質性的流動分布結構。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8115900B2 (en) * 2007-09-17 2012-02-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
NL2004085A (en) * 2009-03-11 2010-09-14 Asml Netherlands Bv Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
US8587768B2 (en) 2010-04-05 2013-11-19 Media Lario S.R.L. EUV collector system with enhanced EUV radiation collection
EP2556729A1 (en) * 2010-04-08 2013-02-13 ASML Netherlands BV Euv radiation source and euv radiation generation method
US8344339B2 (en) * 2010-08-30 2013-01-01 Media Lario S.R.L. Source-collector module with GIC mirror and tin rod EUV LPP target system
US8258485B2 (en) * 2010-08-30 2012-09-04 Media Lario Srl Source-collector module with GIC mirror and xenon liquid EUV LPP target system
US9516730B2 (en) * 2011-06-08 2016-12-06 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for buffer gas flow stabilization in a laser produced plasma light source
WO2013174656A2 (en) * 2012-05-21 2013-11-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US9148941B2 (en) * 2013-01-22 2015-09-29 Asml Netherlands B.V. Thermal monitor for an extreme ultraviolet light source
US10101664B2 (en) * 2014-11-01 2018-10-16 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for optics protection from debris in plasma-based light source
US11397385B2 (en) 2016-06-17 2022-07-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Apparatus and a method of forming a particle shield
WO2018127565A2 (en) * 2017-01-06 2018-07-12 Asml Netherlands B.V. Guiding device and associated system
US10955749B2 (en) 2017-01-06 2021-03-23 Asml Netherlands B.V. Guiding device and associated system
KR102536355B1 (ko) * 2017-01-06 2023-05-25 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 안내 장치 및 관련 시스템
DE102018208710A1 (de) 2018-06-04 2019-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Blende zur Anordnung in einer Engstelle eines EUV-Beleuchtungsbündels
EP3919978A1 (en) * 2020-06-05 2021-12-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and a method of forming a particle shield
US11662668B2 (en) * 2021-08-30 2023-05-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography contamination control

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002084406A1 (en) * 2001-04-17 2002-10-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Euv-transparent interface structure
US20070080307A1 (en) * 2005-10-07 2007-04-12 Xtreme Technologies Gmbh Arrangement for the suppression of unwanted spectral components in a plasma-based euv radiation source

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6219368B1 (en) * 1999-02-12 2001-04-17 Lambda Physik Gmbh Beam delivery system for molecular fluorine (F2) laser
US6933513B2 (en) * 1999-11-05 2005-08-23 Asml Netherlands B.V. Gas flushing system for use in lithographic apparatus
JP3696201B2 (ja) * 2001-12-28 2005-09-14 エイエスエムエル ネザランドズ ベスローテン フエンノートシャップ リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP3703447B2 (ja) * 2002-09-06 2005-10-05 キヤノン株式会社 差動排気システム及び露光装置
US6809327B2 (en) * 2002-10-29 2004-10-26 Intel Corporation EUV source box
US6770895B2 (en) 2002-11-21 2004-08-03 Asml Holding N.V. Method and apparatus for isolating light source gas from main chamber gas in a lithography tool
US6919573B2 (en) * 2003-03-20 2005-07-19 Asml Holding N.V Method and apparatus for recycling gases used in a lithography tool
JP2005317611A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Canon Inc 露光方法及び装置
JP2006049815A (ja) * 2004-07-02 2006-02-16 Canon Inc 露光装置
JP2006080108A (ja) * 2004-09-07 2006-03-23 Nikon Corp 露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP4578901B2 (ja) * 2004-09-09 2010-11-10 株式会社小松製作所 極端紫外光源装置
US7355191B2 (en) * 2004-11-01 2008-04-08 Cymer, Inc. Systems and methods for cleaning a chamber window of an EUV light source
JP2006134974A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Canon Inc 露光装置、判定方法及びデバイス製造方法
US7868304B2 (en) * 2005-02-07 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Method for removal of deposition on an optical element, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP4710406B2 (ja) * 2005-04-28 2011-06-29 ウシオ電機株式会社 極端紫外光露光装置および極端紫外光光源装置
US7598508B2 (en) * 2005-07-13 2009-10-06 Nikon Corporation Gaseous extreme-ultraviolet spectral purity filters and optical systems comprising same
US7453077B2 (en) * 2005-11-05 2008-11-18 Cymer, Inc. EUV light source
JP4904809B2 (ja) * 2005-12-28 2012-03-28 ウシオ電機株式会社 極端紫外光光源装置
US7655925B2 (en) * 2007-08-31 2010-02-02 Cymer, Inc. Gas management system for a laser-produced-plasma EUV light source
US7812329B2 (en) * 2007-12-14 2010-10-12 Cymer, Inc. System managing gas flow between chambers of an extreme ultraviolet (EUV) photolithography apparatus
TWI402628B (zh) * 2007-08-31 2013-07-21 Cymer Inc 控管極遠紫外線（ｅｕｖ）光微影裝置腔室間之氣體流動的系統
US8115900B2 (en) * 2007-09-17 2012-02-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002084406A1 (en) * 2001-04-17 2002-10-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Euv-transparent interface structure
US20070080307A1 (en) * 2005-10-07 2007-04-12 Xtreme Technologies Gmbh Arrangement for the suppression of unwanted spectral components in a plasma-based euv radiation source

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