JP5531053B2 - 放射源、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
放射源、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5531053B2 JP5531053B2 JP2012129640A JP2012129640A JP5531053B2 JP 5531053 B2 JP5531053 B2 JP 5531053B2 JP 2012129640 A JP2012129640 A JP 2012129640A JP 2012129640 A JP2012129640 A JP 2012129640A JP 5531053 B2 JP5531053 B2 JP 5531053B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- collector
- radiation
- plasma
- radiation source
- mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
- G03F7/70175—Lamphouse reflector arrangements or collector mirrors, i.e. collecting light from solid angle upstream of the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Description
上の式で、λは、使用される放射の波長であり、NAPSは、パターンを印刷するために使用される投影システムの開口数である。k1は、レイリー定数とも呼ばれているプロセス依存調整係数であり、CDは、印刷されたフィーチャのフィーチャサイズ(又はクリティカルディメンジョン)である。式(1)から、フィーチャの最小印刷可能サイズの縮小は、3つの方法:露光波長λを短くすることによって、開口数NAPSを大きくすることによって、あるいはk1の値を小さくすることによって達成することができる、と言える。
Claims (10)
- 極端紫外線を生成するように構成された放射源であって、
燃料が放射ビームと接触してプラズマを形成する位置に配置されたプラズマ形成部位と、
前記プラズマ形成部位で形成された極端紫外線を集めるように構成されたコレクタと、
前記プラズマ形成部位付近からガスを抽出するように位置決めされかつ構成されたガス抽出口と、
を備え、
前記コレクタは、
前記放射ビームが前記プラズマ形成部位における前記燃料と接触するために当該コレクタを通り抜けることを可能にするように構成されたアパーチャと、
前記プラズマ形成部位で形成された前記極端紫外線を反射させるためにミラーと、を含み、
前記プラズマ形成部位が配置される前記位置が、前記コレクタの第1焦点であり、
前記ミラーにより反射された前記極端紫外線が集められる位置が、前記コレクタの第2焦点であり、
前記第1焦点は、当該第1焦点及び前記第2焦点によって画定された光軸に沿って測定された前記ミラーの焦点距離Fにあり、
前記ガス抽出口は、前記コレクタから前記プラズマ形成部位に向かうガス流を確立するように位置決めされている、
放射源。 - 前記ガス抽出口は、前記第2焦点と、前記光軸に対して垂直であって前記プラズマ形成部位を通り抜ける平面と、の間に配置される、
請求項1に記載の放射源。 - 前記コレクタは、ガス流を前記プラズマ形成部位に向かって誘導するように構成されたガス入口及びガス出口を有するノズルを含む、
請求項1または2に記載の放射源。 - 前記アパーチャは、前記ノズルの前記ガス入口であるように構成されている、
請求項3に記載の放射源。 - 前記プラズマ形成部位と前記コレクタとの間に配置された汚染バリアであって、前記第2焦点において前記ミラーによって規定される立体角のうちの50%より多くは閉塞しない周縁部を有しする汚染バリア、をさらに備える、
請求項3または4に記載の放射源。 - 前記汚染バリアは、前記ノズルに取り付けられている、
請求項5に記載の放射源。 - 前記汚染バリアは、前記ノズルの前記ガス出口に取り付けられている、
請求項5に記載の放射源。 - 前記汚染バリアは、前記コレクタに対して回転する、
請求項5〜7のいずれか一項に記載の放射源。 - 基板をパターン付けするように構成されたリソグラフィ装置であって、
請求項1〜8のいずれか一項に記載の放射源と、
前記第2焦点に向かって誘導される前記放射源からの極端紫外線をパターン付けするように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、
前記基板に前記パターン付けされたビームを投影するように構成された投影システムと、
を備えるリソグラフィ装置。 - 放射ビームをコレクタのアパーチャを通り抜けさせてコレクタの第1焦点としてのプラズマ形成部位で燃料と接触させることと、
前記プラズマ形成部位で極端紫外線を生成することと、
前記コレクタのミラーを用いて汚染バリアを通り抜けた前記極端紫外線を集めることと、
前記ミラーを用いて前記極端紫外線を前記コレクタの第2焦点に向かって反射させることと、
パターニングデバイスを用いて前記第2焦点に向かって反射した前記極端紫外線をパターン付けすることと、
前記パターン付けされた極端紫外線を基板上に投影することと、
前記コレクタから前記プラズマ形成部位に向かうガス流を確立するように位置決めされたガス抽出口を用いて前記プラズマ形成部位付近からガスを抽出することと、
を含むデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US19371908P | 2008-12-18 | 2008-12-18 | |
US61/193,719 | 2008-12-18 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009281085A Division JP5016017B2 (ja) | 2008-12-18 | 2009-12-11 | 放射源、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012199582A JP2012199582A (ja) | 2012-10-18 |
JP5531053B2 true JP5531053B2 (ja) | 2014-06-25 |
Family
ID=42077227
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009281085A Expired - Fee Related JP5016017B2 (ja) | 2008-12-18 | 2009-12-11 | 放射源、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2012129640A Expired - Fee Related JP5531053B2 (ja) | 2008-12-18 | 2012-06-07 | 放射源、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009281085A Expired - Fee Related JP5016017B2 (ja) | 2008-12-18 | 2009-12-11 | 放射源、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8232537B2 (ja) |
EP (1) | EP2199857B1 (ja) |
JP (2) | JP5016017B2 (ja) |
AT (1) | ATE544096T1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL1036511A1 (nl) * | 2008-02-13 | 2009-08-14 | Asml Netherlands Bv | Movable support, position control system, lithographic apparatus and method of controlling a position of an exchangeable object. |
WO2014170093A2 (en) * | 2013-04-17 | 2014-10-23 | Asml Netherlands B.V. | Radiation collector, radiation source and lithographic apparatus |
US8901523B1 (en) * | 2013-09-04 | 2014-12-02 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus for protecting EUV optical elements |
US9429858B2 (en) | 2013-09-24 | 2016-08-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Rotary EUV collector |
JP2019168477A (ja) * | 2016-08-18 | 2019-10-03 | 国立大学法人東北大学 | 軟x線光源、露光装置および顕微鏡 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6972421B2 (en) * | 2000-06-09 | 2005-12-06 | Cymer, Inc. | Extreme ultraviolet light source |
JP2003022950A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Canon Inc | X線光源用デブリ除去装置及び、デブリ除去装置を用いた露光装置 |
SG109523A1 (en) * | 2002-08-15 | 2005-03-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and reflector assembly for use in said apparatus |
US7217940B2 (en) * | 2003-04-08 | 2007-05-15 | Cymer, Inc. | Collector for EUV light source |
US7217941B2 (en) | 2003-04-08 | 2007-05-15 | Cymer, Inc. | Systems and methods for deflecting plasma-generated ions to prevent the ions from reaching an internal component of an EUV light source |
JP4262032B2 (ja) * | 2003-08-25 | 2009-05-13 | キヤノン株式会社 | Euv光源スペクトル計測装置 |
US7087914B2 (en) * | 2004-03-17 | 2006-08-08 | Cymer, Inc | High repetition rate laser produced plasma EUV light source |
US7078717B2 (en) * | 2004-03-22 | 2006-07-18 | Gigaphoton Inc. | Light source device and exposure equipment using the same |
JP2006108521A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Canon Inc | X線発生装置及び露光装置 |
US7482609B2 (en) | 2005-02-28 | 2009-01-27 | Cymer, Inc. | LPP EUV light source drive laser system |
DE102005020521B4 (de) * | 2005-04-29 | 2013-05-02 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren und Anordnung zur Unterdrückung von Debris bei der Erzeugung kurzwelliger Strahlung auf Basis eines Plasmas |
US7233010B2 (en) * | 2005-05-20 | 2007-06-19 | Asml Netherlands B.V. | Radiation system and lithographic apparatus |
US7696492B2 (en) | 2006-12-13 | 2010-04-13 | Asml Netherlands B.V. | Radiation system and lithographic apparatus |
US8071963B2 (en) * | 2006-12-27 | 2011-12-06 | Asml Netherlands B.V. | Debris mitigation system and lithographic apparatus |
JP5108367B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2012-12-26 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
JP5277496B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2013-08-28 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置および極端紫外光源装置の光学素子汚染防止装置 |
-
2009
- 2009-08-13 US US12/540,542 patent/US8232537B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-09-09 EP EP09169802A patent/EP2199857B1/en not_active Not-in-force
- 2009-09-09 AT AT09169802T patent/ATE544096T1/de active
- 2009-12-11 JP JP2009281085A patent/JP5016017B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-06-07 JP JP2012129640A patent/JP5531053B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5016017B2 (ja) | 2012-09-05 |
US8232537B2 (en) | 2012-07-31 |
EP2199857B1 (en) | 2012-02-01 |
EP2199857A1 (en) | 2010-06-23 |
JP2010153857A (ja) | 2010-07-08 |
ATE544096T1 (de) | 2012-02-15 |
US20100157267A1 (en) | 2010-06-24 |
JP2012199582A (ja) | 2012-10-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4799620B2 (ja) | 放射システムおよびリソグラフィ装置 | |
JP5732392B2 (ja) | 放射源およびリソグラフィ装置 | |
US8749756B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP4563930B2 (ja) | リソグラフィ装置、照明系、及びフィルタ・システム | |
JP5162546B2 (ja) | 放射源及びリソグラフィ装置 | |
JP4966342B2 (ja) | 放射源、放射を生成する方法およびリソグラフィ装置 | |
KR20110015660A (ko) | 방사 시스템, 방사선 콜렉터, 방사 빔 컨디셔닝 시스템, 방사 시스템용 스펙트럼 퓨리티 필터, 및 스펙트럼 퓨리티 필터 형성 방법 | |
JP2006332654A (ja) | 放射システム及びリソグラフィ装置 | |
JP2013516079A (ja) | 照明システム、リソグラフィ装置および照明方法 | |
KR20100106352A (ko) | 방사선 시스템 및 방법, 및 스펙트럼 퓨리티 필터 | |
KR20110127135A (ko) | 다층 거울 및 리소그래피 장치 | |
JP2010062560A5 (ja) | ||
JP5249296B2 (ja) | 汚染物トラップシステム及び汚染物トラップシステムを有するリソグラフィ装置 | |
JP6122853B2 (ja) | 放射源 | |
JP2010534414A (ja) | デブリ防止システムおよびリソグラフィ装置 | |
JP5531053B2 (ja) | 放射源、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP2012506133A (ja) | コレクタアセンブリ、放射源、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
KR20110026463A (ko) | 다층 미러 및 리소그래피 장치 | |
US20120182537A1 (en) | Spectral purity filter, lithographic apparatus, and device manufacturing method | |
JP2010045355A (ja) | 放射源、リソグラフィ装置、および、デバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130625 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130626 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130924 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140325 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140421 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5531053 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |