JP2003022950A - Ｘ線光源用デブリ除去装置及び、デブリ除去装置を用いた露光装置 - Google Patents
Ｘ線光源用デブリ除去装置及び、デブリ除去装置を用いた露光装置Info
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
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- G—PHYSICS
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- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/02—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators
- G21K1/04—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators using variable diaphragms, shutters, choppers
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- G21K1/02—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators
- G21K1/04—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators using variable diaphragms, shutters, choppers
- G21K1/043—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators using variable diaphragms, shutters, choppers changing time structure of beams by mechanical means, e.g. choppers, spinning filter wheels
Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好なデブリ除去と良好なＥＵＶ光の利用効
率を両立することができるデブリ除去装置及び方法、並
びに、当該デブリ除去装置を用いた露光装置を提供する 【解決手段】 プラズマを発生し、Ｘ線を発生させるＸ
線光源の前記Ｘ線の発光点で発生したデブリが光学系に
到達することを防止するデブリ除去装置であって、前記
光学系の光軸に平行もしくはほぼ平行な前記デブリを吸
着する吸着面を含む吸着部と、前記発光点と前記光学系
との間で、前記吸着部の吸着面を前記発光点を通る軸回
りに回転させる回転部とを有するデブリ除去装置を提供
する。
率を両立することができるデブリ除去装置及び方法、並
びに、当該デブリ除去装置を用いた露光装置を提供する 【解決手段】 プラズマを発生し、Ｘ線を発生させるＸ
線光源の前記Ｘ線の発光点で発生したデブリが光学系に
到達することを防止するデブリ除去装置であって、前記
光学系の光軸に平行もしくはほぼ平行な前記デブリを吸
着する吸着面を含む吸着部と、前記発光点と前記光学系
との間で、前記吸着部の吸着面を前記発光点を通る軸回
りに回転させる回転部とを有するデブリ除去装置を提供
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造における微
細なパターンを転写するためのＸ線投影露光装置及びＸ
線近接露光装置用のＸ線光源に関わるものである。
細なパターンを転写するためのＸ線投影露光装置及びＸ
線近接露光装置用のＸ線光源に関わるものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子機器の小型化及び薄型化の要
請から、電子機器に搭載される半導体素子の微細化への
要求はますます高くなってきている。従来、半導体素子
を製造するための焼付け（リソグラフィー）方法として
は紫外線を用いた縮小投影露光が行われているが、縮小
投影露光で転写できる最小の寸法は転写に用いる光の波
長に比例し、投影光学系の開口数に反比例することか
ら、より微細な回路パターンを転写するために水銀ラン
プｉ線（波長３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー
（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１
９３ｎｍ）というように用いられる露光光の短波長化が
進んでいた。
請から、電子機器に搭載される半導体素子の微細化への
要求はますます高くなってきている。従来、半導体素子
を製造するための焼付け（リソグラフィー）方法として
は紫外線を用いた縮小投影露光が行われているが、縮小
投影露光で転写できる最小の寸法は転写に用いる光の波
長に比例し、投影光学系の開口数に反比例することか
ら、より微細な回路パターンを転写するために水銀ラン
プｉ線（波長３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー
（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１
９３ｎｍ）というように用いられる露光光の短波長化が
進んでいた。
【０００３】しかし、半導体素子は急速に微細化してお
り、紫外光を用いたリソグラフィーでは限界がある。そ
こで０．１μｍを下回るような非常に微細な回路パター
ンを効率よく焼き付けるために、紫外線よりも更に波長
が短い波長１０乃至１５ｎｍ程度の極端紫外光（ＥＵＶ
光）を露光光に用いた投影露光装置が開発されている。
り、紫外光を用いたリソグラフィーでは限界がある。そ
こで０．１μｍを下回るような非常に微細な回路パター
ンを効率よく焼き付けるために、紫外線よりも更に波長
が短い波長１０乃至１５ｎｍ程度の極端紫外光（ＥＵＶ
光）を露光光に用いた投影露光装置が開発されている。
【０００４】ＥＵＶ光源としては、例えば、レーザープ
ラズマ光源が用いられる。これは真空容器中に置かれた
ターゲット材に高強度のパルスレーザー光を照射し、高
温のプラズマを発生させ、これから放射される例えば波
長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用するものである。ター
ゲット材としては、金属薄膜、不活性ガス、液滴などが
用いられ、ガスジェット等の手段で真空容器内に供給さ
れる。ターゲットから放射されるＥＵＶ光の平均強度を
高くするためにはパルスレーザーの繰り返し周波数は高
い方が良く、通常数ｋＨｚの繰り返し周波数で運転され
る。
ラズマ光源が用いられる。これは真空容器中に置かれた
ターゲット材に高強度のパルスレーザー光を照射し、高
温のプラズマを発生させ、これから放射される例えば波
長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用するものである。ター
ゲット材としては、金属薄膜、不活性ガス、液滴などが
用いられ、ガスジェット等の手段で真空容器内に供給さ
れる。ターゲットから放射されるＥＵＶ光の平均強度を
高くするためにはパルスレーザーの繰り返し周波数は高
い方が良く、通常数ｋＨｚの繰り返し周波数で運転され
る。
【０００５】しかし、ＥＵＶ光源の一方式であるレーザ
ープラズマは、ターゲットに高強度のパルスレーザー光
を照射することでターゲットからＥＵＶ光を発生する
が、それとともにデブリと呼ばれる飛散粒子を発生して
しまい、それが光学素子を汚染、損傷し、反射率の低下
を引き起こしてしまう。そこで、デブリがターゲットか
ら光学素子に到達することを防止するデブリ除去装置が
従来から提案されている。
ープラズマは、ターゲットに高強度のパルスレーザー光
を照射することでターゲットからＥＵＶ光を発生する
が、それとともにデブリと呼ばれる飛散粒子を発生して
しまい、それが光学素子を汚染、損傷し、反射率の低下
を引き起こしてしまう。そこで、デブリがターゲットか
ら光学素子に到達することを防止するデブリ除去装置が
従来から提案されている。
【０００６】図１１及び図１２に従来のデブリ除去装置
５００及び６００を一例を示す。同図に示すように、デ
ブリ除去装置５００又は６００は、回転体５１０又は６
１０の開口部５２０又は６２０が光軸を横切るタイミン
グになるように制御回路５７０又は６７０により同期制
御しモーター５４０又は６４０によりシャフト５３０又
は６３０を介して回転体５１０又は６１０を回転させ
て、パルスレーザー５５０又は６５０をターゲット５６
０又は６６０に当ててＥＵＶ光５８０又は６８０を発生
させ、デブリ５９０又は６９０とＥＵＶ光５８０又は６
８０の速度差を利用してデブリ５９０又は６９０を阻止
し、ＥＵＶ光５８０又は６８０だけを取り出すことがで
きる。
５００及び６００を一例を示す。同図に示すように、デ
ブリ除去装置５００又は６００は、回転体５１０又は６
１０の開口部５２０又は６２０が光軸を横切るタイミン
グになるように制御回路５７０又は６７０により同期制
御しモーター５４０又は６４０によりシャフト５３０又
は６３０を介して回転体５１０又は６１０を回転させ
て、パルスレーザー５５０又は６５０をターゲット５６
０又は６６０に当ててＥＵＶ光５８０又は６８０を発生
させ、デブリ５９０又は６９０とＥＵＶ光５８０又は６
８０の速度差を利用してデブリ５９０又は６９０を阻止
し、ＥＵＶ光５８０又は６８０だけを取り出すことがで
きる。
【０００７】また、公開特許平成９年第３２０７９２号
公報に開示されているデブリ除去装置を図１３に示す。
同図に示すように、励起エネルギービーム９０４をター
ゲット材９０２に当てプラズマ９０６を発生させたこと
により、プラズマ９０６から放出された飛散粒子を飛散
粒子遮蔽部材９０８及び飛散粒子阻止部材９１０により
阻止し、更にＸ線を取り出す範囲に相当する立体角領域
９１２を通過可能な羽根９１６と軸９１４からなる可動
部を有する飛散粒子拡散・阻止部材９１８を、軸９１４
を回転軸として羽根９１６を回転させることによって飛
散粒子を羽根９１６に付着させるという装置が開示され
ている。また、その他にも、発光に同期して開閉するシ
ャッタ機構や、フィルタによりデブリを除去するという
方式が提案されている。
公報に開示されているデブリ除去装置を図１３に示す。
同図に示すように、励起エネルギービーム９０４をター
ゲット材９０２に当てプラズマ９０６を発生させたこと
により、プラズマ９０６から放出された飛散粒子を飛散
粒子遮蔽部材９０８及び飛散粒子阻止部材９１０により
阻止し、更にＸ線を取り出す範囲に相当する立体角領域
９１２を通過可能な羽根９１６と軸９１４からなる可動
部を有する飛散粒子拡散・阻止部材９１８を、軸９１４
を回転軸として羽根９１６を回転させることによって飛
散粒子を羽根９１６に付着させるという装置が開示され
ている。また、その他にも、発光に同期して開閉するシ
ャッタ機構や、フィルタによりデブリを除去するという
方式が提案されている。
【０００８】デブリの問題はレーザープラズマ方式のみ
ならず、電極にＸｅ等のガスを流して放電させることで
プラズマを生成し、ＥＵＶ光を発生させるディスチャー
ジ方式に関しても共通の課題とされている。
ならず、電極にＸｅ等のガスを流して放電させることで
プラズマを生成し、ＥＵＶ光を発生させるディスチャー
ジ方式に関しても共通の課題とされている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のデブリ
除去装置は良好なデブリ除去と良好なＥＵＶ光の利用効
率を両立することは困難であるという問題を有してい
た。露光装置において、スループットは基本性能の一つ
であり、それを高めるためには、照明光強度を高めなけ
ればならない。そこで、ＥＵＶ光を効率よく利用するた
めに集光ミラーを用いて、取り込み角を約πステラジア
ン程度に大きくしたい要求がある。しかしシャッタ方式
で、取り込み角を大きくするためには開口部を広げなけ
ればならず、結果としてデブリの除去効率も低下してし
まう。また、フィルタ方式では、発光点からの熱的な影
響を減らすためにある程度距離を保つ必要があり、取り
込み角を大きくすると、フィルタも大きく且つ厚くせざ
るを得ない。そうなるとＥＵＶ光がフィルタに吸収され
ることによる減衰が大きい上に定期的にフィルタの交換
をすることが必要となり好ましくない。
除去装置は良好なデブリ除去と良好なＥＵＶ光の利用効
率を両立することは困難であるという問題を有してい
た。露光装置において、スループットは基本性能の一つ
であり、それを高めるためには、照明光強度を高めなけ
ればならない。そこで、ＥＵＶ光を効率よく利用するた
めに集光ミラーを用いて、取り込み角を約πステラジア
ン程度に大きくしたい要求がある。しかしシャッタ方式
で、取り込み角を大きくするためには開口部を広げなけ
ればならず、結果としてデブリの除去効率も低下してし
まう。また、フィルタ方式では、発光点からの熱的な影
響を減らすためにある程度距離を保つ必要があり、取り
込み角を大きくすると、フィルタも大きく且つ厚くせざ
るを得ない。そうなるとＥＵＶ光がフィルタに吸収され
ることによる減衰が大きい上に定期的にフィルタの交換
をすることが必要となり好ましくない。
【００１０】そこで、本発明は、良好なデブリ除去と良
好なＥＵＶ光の利用効率を両立することができるデブリ
除去装置及び方法、並びに、当該デブリ除去装置を用い
た露光装置を提供することを本発明の例示的目的とす
る。
好なＥＵＶ光の利用効率を両立することができるデブリ
除去装置及び方法、並びに、当該デブリ除去装置を用い
た露光装置を提供することを本発明の例示的目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の一側面としてのデブリ除去装置は、プラズ
マを発生し、Ｘ線を発生させるＸ線光源の前記Ｘ線の発
光点で発生したデブリが光学系に到達することを防止す
るデブリ除去装置であって、前記光源から放射される光
線に平行もしくはほぼ平行な前記デブリを吸着する吸着
面を含む吸着部と、前記発光点と前記光学系との間で、
前記吸着部の吸着面を軸回りに回転させる回転部とを有
し、前記吸着部は、発散光方向の長さｄ（ｍ）のｎ枚の
フィンからなり、前記回転部は、前記フィンを前記光軸
周りに回転速度ω（ｒａｄ／ｓｅｃ）で回転させ、速度
ｖｃ＝１００（ｍ／ｓｅｃ）のデブリが除去できるよう
に、ｖｃ＝１００≦ｎｄω／（２π）の関係が成立す
る。かかるデブリ除去装置によれば、吸着面を軸回りに
回転させることで発光点から光学系に向って飛散するデ
ブリを吸着面に吸着させることができる。また、吸着部
が光源から放射される光線に平行もしくはほぼ平行に配
置されているのでＥＵＶ光を遮ることがなく利用効率を
減らさずにデブリ除去を行うことができ、上記の関係式
を満たすとき速度ｖｃ＝１００（ｍ／ｓｅｃ）以下のデ
ブリを完全に除去することができる。
に、本発明の一側面としてのデブリ除去装置は、プラズ
マを発生し、Ｘ線を発生させるＸ線光源の前記Ｘ線の発
光点で発生したデブリが光学系に到達することを防止す
るデブリ除去装置であって、前記光源から放射される光
線に平行もしくはほぼ平行な前記デブリを吸着する吸着
面を含む吸着部と、前記発光点と前記光学系との間で、
前記吸着部の吸着面を軸回りに回転させる回転部とを有
し、前記吸着部は、発散光方向の長さｄ（ｍ）のｎ枚の
フィンからなり、前記回転部は、前記フィンを前記光軸
周りに回転速度ω（ｒａｄ／ｓｅｃ）で回転させ、速度
ｖｃ＝１００（ｍ／ｓｅｃ）のデブリが除去できるよう
に、ｖｃ＝１００≦ｎｄω／（２π）の関係が成立す
る。かかるデブリ除去装置によれば、吸着面を軸回りに
回転させることで発光点から光学系に向って飛散するデ
ブリを吸着面に吸着させることができる。また、吸着部
が光源から放射される光線に平行もしくはほぼ平行に配
置されているのでＥＵＶ光を遮ることがなく利用効率を
減らさずにデブリ除去を行うことができ、上記の関係式
を満たすとき速度ｖｃ＝１００（ｍ／ｓｅｃ）以下のデ
ブリを完全に除去することができる。
【００１２】本発明の別の一側面としてのデブリ除去装
置は、プラズマを発生し、Ｘ線を発生させるＸ線光源の
前記Ｘ線の発光点で発生したデブリが光学系に到達する
ことを防止するデブリ除去装置であって、前記光源から
放射される光線に平行もしくはほぼ平行な前記デブリを
吸着する吸着面を含む吸着部と、前記発光点と前記光学
系との間で、前記吸着部の吸着面を前記発光点を通る軸
回りに回転させる回転部とを有する。かかるデブリ除去
装置装置によれば、吸着面を光源から放射される光線に
平行もしくはほぼ平行に配置していることで、光を遮る
ことなくデブリを吸着することができる。また、吸着面
を発光点を通る軸回りに回転させることから軸で光を遮
ることもないので利用効率を減らすことがない。
置は、プラズマを発生し、Ｘ線を発生させるＸ線光源の
前記Ｘ線の発光点で発生したデブリが光学系に到達する
ことを防止するデブリ除去装置であって、前記光源から
放射される光線に平行もしくはほぼ平行な前記デブリを
吸着する吸着面を含む吸着部と、前記発光点と前記光学
系との間で、前記吸着部の吸着面を前記発光点を通る軸
回りに回転させる回転部とを有する。かかるデブリ除去
装置装置によれば、吸着面を光源から放射される光線に
平行もしくはほぼ平行に配置していることで、光を遮る
ことなくデブリを吸着することができる。また、吸着面
を発光点を通る軸回りに回転させることから軸で光を遮
ることもないので利用効率を減らすことがない。
【００１３】前記吸着部は、デブリ発散光方向の長さｄ
（ｍ）のｎ枚のフィンからなり、前記回転部は、前記フ
ィンを前記光軸周りに回転速度ω（ｒａｄ／ｓｅｃ）で
回転させ、速度ｖｃ＝１００（ｍ／ｓｅｃ）のデブリが
除去できるように、ｖｃ＝１００≦ｎｄω／（２π）の
関係が成立する。この関係式を満たすとき、速度ｖｃ＝
１００（ｍ／ｓｅｃ）以下のデブリを完全に除去するこ
とができる。
（ｍ）のｎ枚のフィンからなり、前記回転部は、前記フ
ィンを前記光軸周りに回転速度ω（ｒａｄ／ｓｅｃ）で
回転させ、速度ｖｃ＝１００（ｍ／ｓｅｃ）のデブリが
除去できるように、ｖｃ＝１００≦ｎｄω／（２π）の
関係が成立する。この関係式を満たすとき、速度ｖｃ＝
１００（ｍ／ｓｅｃ）以下のデブリを完全に除去するこ
とができる。
【００１４】前記吸着部は、デブリ発散光方向の長さｄ
（ｍ）のｎ枚のフィンからなり、前記回転部は、前記フ
ィンを前記光軸周りに回転速度ω（ｒａｄ／ｓｅｃ）で
回転させ、前記デブリの平均速度をｖｍ（ｍ／ｓｅｃ）
とすると、｛ｎｄω／（２πｖｍ）｝≧１／２の関係が
成立する。この関係式を満たすときＸ線の利用効率が５
０％以上になる。
（ｍ）のｎ枚のフィンからなり、前記回転部は、前記フ
ィンを前記光軸周りに回転速度ω（ｒａｄ／ｓｅｃ）で
回転させ、前記デブリの平均速度をｖｍ（ｍ／ｓｅｃ）
とすると、｛ｎｄω／（２πｖｍ）｝≧１／２の関係が
成立する。この関係式を満たすときＸ線の利用効率が５
０％以上になる。
【００１５】本発明の別の一側面としてのデブリ除去装
置は、プラズマを発生し、Ｘ線を発生させるＸ線光源の
前記Ｘ線の発光点で発生したデブリが光学系に到達する
ことを防止するデブリ除去装置であって、前記光学系の
光軸に平行もしくはほぼ平行な前記デブリを吸着する吸
着面を含む吸着部と、前記発光点と前記光学系との間
で、前記吸着部の吸着面を軸回りに回転させる回転部と
を有し、前記吸着部のデブリ発散光方向の長さをｄ、前
記回転軸を中心とした前記回転部の半径をｒ０、回転軸
を中心とした吸着部の半径をｒ１、Ｘ線が通過できる面
積をＳ０、回転軸上での前記回転部の中点と前記発光点
を結ぶ直線と前記回転軸とのなす傾斜角をφ（０≦φ＜
π／２）、前記吸着部のフィンの枚数をｎ、ｎ枚のフィ
ンが遮光する面積Ｓ１、回転軸と光軸が一致したときの
利用効率が１００％となるように定義した時の利用効率
をＥ（％）、としたとき以下の条件式を満たすデブリ除
去装置。
置は、プラズマを発生し、Ｘ線を発生させるＸ線光源の
前記Ｘ線の発光点で発生したデブリが光学系に到達する
ことを防止するデブリ除去装置であって、前記光学系の
光軸に平行もしくはほぼ平行な前記デブリを吸着する吸
着面を含む吸着部と、前記発光点と前記光学系との間
で、前記吸着部の吸着面を軸回りに回転させる回転部と
を有し、前記吸着部のデブリ発散光方向の長さをｄ、前
記回転軸を中心とした前記回転部の半径をｒ０、回転軸
を中心とした吸着部の半径をｒ１、Ｘ線が通過できる面
積をＳ０、回転軸上での前記回転部の中点と前記発光点
を結ぶ直線と前記回転軸とのなす傾斜角をφ（０≦φ＜
π／２）、前記吸着部のフィンの枚数をｎ、ｎ枚のフィ
ンが遮光する面積Ｓ１、回転軸と光軸が一致したときの
利用効率が１００％となるように定義した時の利用効率
をＥ（％）、としたとき以下の条件式を満たすデブリ除
去装置。
【００１６】Ｓ０＝π（ｒ１ ２−ｒ０ ２）
Ｓ１＝（ｎ／２）（ｒ１−ｒ０）ｄｓｉｎφ
Ｅ＝（１−Ｓ１／Ｓ０）＊１００
Ｅ≧５０
０≦φ≦ａｒｃｓｉｎ（π（ｒ１＋ｒ０）／（ｎｄ））
かかるデブリ除去装置によれば、吸着面を光源から放射
される光線に平行もしくはほぼ平行に配置していること
で、光を遮ることなくデブリを吸着することができ、吸
着面は発光点を通る軸回りに回転していることから軸で
光を遮ることもないので利用効率を減らすことがない。
また、上記の関係式を満たすときデブリを完全に除去す
ることができる。
される光線に平行もしくはほぼ平行に配置していること
で、光を遮ることなくデブリを吸着することができ、吸
着面は発光点を通る軸回りに回転していることから軸で
光を遮ることもないので利用効率を減らすことがない。
また、上記の関係式を満たすときデブリを完全に除去す
ることができる。
【００１７】本発明の別の側面としての照明装置は、パ
ターンが形成されたマスクを照明する照明装置であっ
て、デブリ除去装置と、前記デブリ除去装置を経た前記
Ｘ線を使用する光学系とを有する。かかる照明装置によ
れば、デブリ除去装置によりデブリが除去されることで
ミラーにデブリが付着するのを妨げ、照明系の反射率を
低下させることなくパターンが形成されたマスクを照明
することができる。
ターンが形成されたマスクを照明する照明装置であっ
て、デブリ除去装置と、前記デブリ除去装置を経た前記
Ｘ線を使用する光学系とを有する。かかる照明装置によ
れば、デブリ除去装置によりデブリが除去されることで
ミラーにデブリが付着するのを妨げ、照明系の反射率を
低下させることなくパターンが形成されたマスクを照明
することができる。
【００１８】本発明の別の側面としての光源部は、レー
ザープラズマ方式又はガスディスチャージ方式でＸ線を
発生させるＸ線光源と、上述のデブリ除去装置とを有す
る。デブリ除去装置を設けることで発光点で発生したデ
ブリを効果的に除去することができ、集光ミラーの反射
率の低下を大幅に緩和することができる。また、吸着面
が光学系の光軸に平行もしくはほぼ平行になっているこ
とで光を遮らずにデブリを吸着させることができる。
ザープラズマ方式又はガスディスチャージ方式でＸ線を
発生させるＸ線光源と、上述のデブリ除去装置とを有す
る。デブリ除去装置を設けることで発光点で発生したデ
ブリを効果的に除去することができ、集光ミラーの反射
率の低下を大幅に緩和することができる。また、吸着面
が光学系の光軸に平行もしくはほぼ平行になっているこ
とで光を遮らずにデブリを吸着させることができる。
【００１９】本発明の更に別の側面としてのデバイス製
造方法は、上述の露光装置を用いて前記被処理体を投影
露光するステップと、前記投影露光された前記被処理体
に所定のプロセスを行うステップとを有する。上述の露
光装置の作用と同様の作用を奏するデバイス製造方法の
請求項は、中間及び最終結果物であるデバイス自体にも
その効力が及ぶ。また、かかるデバイスは、ＬＳＩやＶ
ＬＳＩなどの半導体チップ、ＣＣＤ、ＬＣＤ、磁気セン
サー、薄膜磁気ヘッドなどを含む。
造方法は、上述の露光装置を用いて前記被処理体を投影
露光するステップと、前記投影露光された前記被処理体
に所定のプロセスを行うステップとを有する。上述の露
光装置の作用と同様の作用を奏するデバイス製造方法の
請求項は、中間及び最終結果物であるデバイス自体にも
その効力が及ぶ。また、かかるデバイスは、ＬＳＩやＶ
ＬＳＩなどの半導体チップ、ＣＣＤ、ＬＣＤ、磁気セン
サー、薄膜磁気ヘッドなどを含む。
【００２０】本発明の更なる目的又はその他の特徴は、
以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例に
よって明らかにされるであろう。
以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例に
よって明らかにされるであろう。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の例示的なデブリ除去装置１００を用いた露光装置１０
について説明する。なお、各図において同一の参照番号
は同一部材を表している。図１は、露光装置１０の概略
平面図である。露光装置１０は露光光としてＥＵＶ光
（例えば、波長１３．４ｎｍ）を用いて、ステップ・ア
ンド・スキャン方式の露光を行うＸ線投影露光装置であ
る。
の例示的なデブリ除去装置１００を用いた露光装置１０
について説明する。なお、各図において同一の参照番号
は同一部材を表している。図１は、露光装置１０の概略
平面図である。露光装置１０は露光光としてＥＵＶ光
（例えば、波長１３．４ｎｍ）を用いて、ステップ・ア
ンド・スキャン方式の露光を行うＸ線投影露光装置であ
る。
【００２２】図１を参照するに、露光装置１０は、ＥＵ
Ｖ光源８００、デブリ除去装置１００、照明光学系８１
０、反射型レチクル８２０、アライメント光学系８３
０、投影光学系８４０、レチクルステージ８２４、ウェ
ハステージ８５４を有し、照明光学系８１０からウェハ
ステージ８５４までを真空容器８６０に収納する。
Ｖ光源８００、デブリ除去装置１００、照明光学系８１
０、反射型レチクル８２０、アライメント光学系８３
０、投影光学系８４０、レチクルステージ８２４、ウェ
ハステージ８５４を有し、照明光学系８１０からウェハ
ステージ８５４までを真空容器８６０に収納する。
【００２３】本実施形態のＥＵＶ光源８００は、例え
ば、レーザープラズマ光源を使用する。レーザープラズ
マ光源８００は真空容器８６０中に置かれたターゲット
供給装置８０２によって供給されたターゲット材８０３
に高強度のパルスレーザー光をパルスレーザー８０４か
ら集光レンズ８０５を介して照射し、高温のプラズマ８
０６を発生させ、これから放射される、波長１３ｎｍ程
度のＥＵＶ光を利用するものである。ターゲット材８０
３は、金属薄膜、不活性ガス、液滴などが用いられ、ガ
スジェット等のターゲット供給装置８０２により真空容
器内８６０に供給される。放射されるＥＵＶ光の平均強
度を高くするためにはパルスレーザー８０４の繰り返し
周波数は高い方が良く、通常数ｋＨｚの繰り返し周波数
で運転される。あるいは、放電プラズマ光源が用いられ
る。これは真空容器中８６０に置かれた電極周辺にガス
を放出し、電極にパルス電圧を印加し放電を起こし高温
のプラズマ８０６を発生させ、これから放射される例え
ば波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用するものである。
ば、レーザープラズマ光源を使用する。レーザープラズ
マ光源８００は真空容器８６０中に置かれたターゲット
供給装置８０２によって供給されたターゲット材８０３
に高強度のパルスレーザー光をパルスレーザー８０４か
ら集光レンズ８０５を介して照射し、高温のプラズマ８
０６を発生させ、これから放射される、波長１３ｎｍ程
度のＥＵＶ光を利用するものである。ターゲット材８０
３は、金属薄膜、不活性ガス、液滴などが用いられ、ガ
スジェット等のターゲット供給装置８０２により真空容
器内８６０に供給される。放射されるＥＵＶ光の平均強
度を高くするためにはパルスレーザー８０４の繰り返し
周波数は高い方が良く、通常数ｋＨｚの繰り返し周波数
で運転される。あるいは、放電プラズマ光源が用いられ
る。これは真空容器中８６０に置かれた電極周辺にガス
を放出し、電極にパルス電圧を印加し放電を起こし高温
のプラズマ８０６を発生させ、これから放射される例え
ば波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用するものである。
【００２４】照明光学系８１０はＥＵＶ光を伝播してマ
スク又はレチクル（本出願では両者を交換可能に使用す
る。）８２０を照明する。本実施形態では、照明光学系
８１０は、第１乃至第３ミラー８１２、８１６及び８１
８と、オプティカルインテグレータ８１４と、アパーチ
ャ８１７とを有する。第１ミラー８１２はプラズマ８０
６からほぼ等方的に放射されるＥＵＶ光を集める。オプ
ティカルインテグレータ８１４はレチクル８２０を均一
に所定の開口数で照明する役割を持っている。また、照
明光学系８１０のレチクル８２０と共役な位置にはレチ
クル８２０面で照明される領域を円弧状に限定するため
のアパーチャ８１７が設けられる。
スク又はレチクル（本出願では両者を交換可能に使用す
る。）８２０を照明する。本実施形態では、照明光学系
８１０は、第１乃至第３ミラー８１２、８１６及び８１
８と、オプティカルインテグレータ８１４と、アパーチ
ャ８１７とを有する。第１ミラー８１２はプラズマ８０
６からほぼ等方的に放射されるＥＵＶ光を集める。オプ
ティカルインテグレータ８１４はレチクル８２０を均一
に所定の開口数で照明する役割を持っている。また、照
明光学系８１０のレチクル８２０と共役な位置にはレチ
クル８２０面で照明される領域を円弧状に限定するため
のアパーチャ８１７が設けられる。
【００２５】デブリ除去装置１００は発光点と光学系の
間に配置されている。図２に、図１に示す露光装置１０
に適用可能な、レーザープラズマ光源８０４及びデブリ
除去装置１００の構成例を示す。図２（ａ）はデブリ除
去装置１００の正面図であり、図２（ｂ）はデブリ除去
装置１００と光源８００との配置を示す平面図である
が、図２（ｂ）に示すデブリ除去装置１００は、図２
（ａ）に示す点線における断面として表示されている。
間に配置されている。図２に、図１に示す露光装置１０
に適用可能な、レーザープラズマ光源８０４及びデブリ
除去装置１００の構成例を示す。図２（ａ）はデブリ除
去装置１００の正面図であり、図２（ｂ）はデブリ除去
装置１００と光源８００との配置を示す平面図である
が、図２（ｂ）に示すデブリ除去装置１００は、図２
（ａ）に示す点線における断面として表示されている。
【００２６】図２に示すレーザープラズマ光源８０４
は、ターゲット材供給ノズル２６０によってＸｅなどの
ターゲット材２７０を発光点２１０に供給し、パルスレ
ーザー８０４を集光レンズ８０５を介してターゲット材
２７０に照射してＥＵＶ光を発生させるというレーザー
プラズマ方式を用いる。ＥＵＶ光が発生する際に同時に
生じるデブリ２３０はデブリ除去装置１００によって除
去される。
は、ターゲット材供給ノズル２６０によってＸｅなどの
ターゲット材２７０を発光点２１０に供給し、パルスレ
ーザー８０４を集光レンズ８０５を介してターゲット材
２７０に照射してＥＵＶ光を発生させるというレーザー
プラズマ方式を用いる。ＥＵＶ光が発生する際に同時に
生じるデブリ２３０はデブリ除去装置１００によって除
去される。
【００２７】デブリ除去装置１００は、図２に示すよう
に、モーター１１０と、シャフト１２０と、複数のフィ
ン１３０とを有する。フィン１３０は、発光点２１０
と、図１の第１ミラー８１２に相当する集光ミラー２４
０の間に配置される。モーター１１０は集光ミラー２４
０の後部に配置され、シャフト１２０を穴２４２より貫
通させている。そして、モーターにより回転数ω（ｒａ
ｄ／ｓｅｃ）でシャフトを介してフィン１３０を回転す
る。
に、モーター１１０と、シャフト１２０と、複数のフィ
ン１３０とを有する。フィン１３０は、発光点２１０
と、図１の第１ミラー８１２に相当する集光ミラー２４
０の間に配置される。モーター１１０は集光ミラー２４
０の後部に配置され、シャフト１２０を穴２４２より貫
通させている。そして、モーターにより回転数ω（ｒａ
ｄ／ｓｅｃ）でシャフトを介してフィン１３０を回転す
る。
【００２８】モーター１１０は、シャフト１２０を介し
てシャフト１２０に取り付けられているフィン１３０を
回転させる。シャフト１２０には複数の同一形状のフィ
ン１３０が取り付けられており、フィン１３０を回転す
るための回転軸として機能する。特徴的に、回転軸は、
図１における８０６に相当する発光点２１０を通るよう
に配置されている。これにより、シャフト１２０と光軸
との軸ずれによる遮光部分の発生を最小限にとどめるこ
とができる。
てシャフト１２０に取り付けられているフィン１３０を
回転させる。シャフト１２０には複数の同一形状のフィ
ン１３０が取り付けられており、フィン１３０を回転す
るための回転軸として機能する。特徴的に、回転軸は、
図１における８０６に相当する発光点２１０を通るよう
に配置されている。これにより、シャフト１２０と光軸
との軸ずれによる遮光部分の発生を最小限にとどめるこ
とができる。
【００２９】フィン１３０は、デブリ２３０を吸着する
吸着部である。フィン１３０は、本実施形態において
は、扇形形状を有する８枚の薄い板が等間隔でシャフト
１２０に設けられている。フィン１３０は、発光点２１
０及び集光点２２０から見た投影面積分で遮光されてし
まう分を最小化するようにできる限り厚みが薄くしてあ
る。フィン１３０はシャフト１２０を中心として、シャ
フト１２０のまわりに一定の角度（４５度）おきに取り
付けられている。図２においては、フィン１３０は８枚
設置してあるが、フィン１３０の枚数は限定しない。ま
たフィン１３０の形状も扇形に限定されない。但し、扇
形であれば、発光点２１０から見た角度方向のデブリ除
去性能が等しくなるという特徴がある。もちろん全ての
フィン１３０が同一形状でなくてもよい。
吸着部である。フィン１３０は、本実施形態において
は、扇形形状を有する８枚の薄い板が等間隔でシャフト
１２０に設けられている。フィン１３０は、発光点２１
０及び集光点２２０から見た投影面積分で遮光されてし
まう分を最小化するようにできる限り厚みが薄くしてあ
る。フィン１３０はシャフト１２０を中心として、シャ
フト１２０のまわりに一定の角度（４５度）おきに取り
付けられている。図２においては、フィン１３０は８枚
設置してあるが、フィン１３０の枚数は限定しない。ま
たフィン１３０の形状も扇形に限定されない。但し、扇
形であれば、発光点２１０から見た角度方向のデブリ除
去性能が等しくなるという特徴がある。もちろん全ての
フィン１３０が同一形状でなくてもよい。
【００３０】フィン１３０は、発光点２１０から光学系
に向う光軸に対して平行またはほぼ平行に配置されてい
る。「ほぼ平行」とは、シャフト１２０が光軸から傾斜
する場合、フィン１３０の面１３２が曲面やねじれ面の
場合などを広く含む。本方式では、発光点２１０から光
学系に向って飛散しているデブリ２３０のみを面１３２
において横たたきにより吸着及び捕獲する。
に向う光軸に対して平行またはほぼ平行に配置されてい
る。「ほぼ平行」とは、シャフト１２０が光軸から傾斜
する場合、フィン１３０の面１３２が曲面やねじれ面の
場合などを広く含む。本方式では、発光点２１０から光
学系に向って飛散しているデブリ２３０のみを面１３２
において横たたきにより吸着及び捕獲する。
【００３１】デブリ除去装置１００はＥＵＶ光２５０と
デブリ２３０の速度差を利用して、デブリ２３０のみを
遮蔽するものである。デブリ２３０は１００ｍ／ｓｅｃ
以下の低速なものから、１００００ｍ／ｓｅｃ程度の高
速なものまで存在すると一般に考えられている。また、
低速なデブリほど粒子が大きく、ミラーの汚染に対する
寄与が大きい。以下に設計例を示す。
デブリ２３０の速度差を利用して、デブリ２３０のみを
遮蔽するものである。デブリ２３０は１００ｍ／ｓｅｃ
以下の低速なものから、１００００ｍ／ｓｅｃ程度の高
速なものまで存在すると一般に考えられている。また、
低速なデブリほど粒子が大きく、ミラーの汚染に対する
寄与が大きい。以下に設計例を示す。
【００３２】フィン１３０の発散光方向の長さをｄ
（ｍ）とし、フィン１３０の枚数をｎ枚（図２では８
枚）、回転速度をω（ｒａｄ／ｓｅｃ）とする。発光点
２１０からの距離ｒ（ｍ）を縦軸に取り、時間ｔ（ｓｅ
ｃ）を横軸に取ったとき、図４に示す通り、速度は傾き
で表される。速度（傾き）が大きいとデブリ２３０はフ
ィン１３０の間を抜ける確率が高くなり、速度（傾き）
が小さいとデブリ２３０はフィン１３０に吸着される。
ある空間上の一点をフィン１３０が横切ってから、次の
フィン１３０が横切るまでの時間ｔ（ｓｅｃ）は２π／
（ｎω）で表され、その時間内に長さｄ（ｍ）のフィン
１３０の間を抜けるかどうかでデブリ２３０を吸着でき
るか、抜けるかが決まる。よって、完全除去できるデブ
リの最高速度ｖｃ（ｍ／ｓｅｃ）は、
（ｍ）とし、フィン１３０の枚数をｎ枚（図２では８
枚）、回転速度をω（ｒａｄ／ｓｅｃ）とする。発光点
２１０からの距離ｒ（ｍ）を縦軸に取り、時間ｔ（ｓｅ
ｃ）を横軸に取ったとき、図４に示す通り、速度は傾き
で表される。速度（傾き）が大きいとデブリ２３０はフ
ィン１３０の間を抜ける確率が高くなり、速度（傾き）
が小さいとデブリ２３０はフィン１３０に吸着される。
ある空間上の一点をフィン１３０が横切ってから、次の
フィン１３０が横切るまでの時間ｔ（ｓｅｃ）は２π／
（ｎω）で表され、その時間内に長さｄ（ｍ）のフィン
１３０の間を抜けるかどうかでデブリ２３０を吸着でき
るか、抜けるかが決まる。よって、完全除去できるデブ
リの最高速度ｖｃ（ｍ／ｓｅｃ）は、
【００３３】
【数１】
【００３４】と表すことができる。仮に、ｎ＝８、ｄ＝
０．１（ｍ）、ω＝２５０π（ｒａｄ／ｓｅｃ）（＝７
５００ｒｍｐ）とすると、ｖｃは、１００ｍ／ｓｅｃと
なり、ミラーの汚染に主として寄与する大きなデブリを
阻止することができる。また、ｎ＝１００、ｄ＝０．１
（ｍ）、ω＝２０００π（ｒａｄ／ｓｅｃ）（＝６００
００ｒｐｍ）とすると、ｖｃは、１００００ｍ／ｓｅｃ
となる。また、ｖｃ以上の速度のデブリ２３０に関して
は、完全には除去できない。デブリ２３０が抜けるか、
吸着されるかは、図４の”ｔｈｒｏｕｇｈ”と”ｓｔｏ
ｐ”で示される領域のようにフィン１３０の可動範囲に
デブリ２３０が進入するタイミング（位相）で決まる。
あるデブリ２３０の速度をｖ（ｍ／ｓｅｃ）としたと
き、”ｓｔｏｐ”の領域の角度は、ｄω／ｖ（ｒａｄ）
で表される。フィン１３０の間隔は２π／ｎ（ｒａｄ）
なので、そのときの除去率Ｒ（％）はそれらの比で表す
ことができる。
０．１（ｍ）、ω＝２５０π（ｒａｄ／ｓｅｃ）（＝７
５００ｒｍｐ）とすると、ｖｃは、１００ｍ／ｓｅｃと
なり、ミラーの汚染に主として寄与する大きなデブリを
阻止することができる。また、ｎ＝１００、ｄ＝０．１
（ｍ）、ω＝２０００π（ｒａｄ／ｓｅｃ）（＝６００
００ｒｐｍ）とすると、ｖｃは、１００００ｍ／ｓｅｃ
となる。また、ｖｃ以上の速度のデブリ２３０に関して
は、完全には除去できない。デブリ２３０が抜けるか、
吸着されるかは、図４の”ｔｈｒｏｕｇｈ”と”ｓｔｏ
ｐ”で示される領域のようにフィン１３０の可動範囲に
デブリ２３０が進入するタイミング（位相）で決まる。
あるデブリ２３０の速度をｖ（ｍ／ｓｅｃ）としたと
き、”ｓｔｏｐ”の領域の角度は、ｄω／ｖ（ｒａｄ）
で表される。フィン１３０の間隔は２π／ｎ（ｒａｄ）
なので、そのときの除去率Ｒ（％）はそれらの比で表す
ことができる。
【００３５】
【数２】
【００３６】つまりｖ＞ｖｃにおいて、除去率Ｒはデブ
リ速度ｖと反比例になっている。図５に除去率のグラフ
を示す。光の速度は３＊１０８ｍ／ｓｅｃであるため、
フィン１３０に当たる確率は、０．００３３％で実質的
な損失はない。むしろフィン１３０の断面積分や、シャ
フト１２０と光軸との軸ずれにより、発光点２１０及び
集光点２２０から見た投影面積分で遮光されてしまう分
を最小化するようにできる限りフィン１３０を薄く、シ
ャフト１２０を精度良く光軸と合わせることが利用効率
を上げるために重要である。デブリ２３０の平均速度を
ｖｍとし、その速度のデブリ２３０を５０％阻止できれ
ば、光学系の寿命はおよそ２倍に伸ばすことができ、本
件のデブリ２３０除去効果は十分あると言える。そのと
き、以下の関係式を満足することでデブリ除去率５０％
を実現できる。
リ速度ｖと反比例になっている。図５に除去率のグラフ
を示す。光の速度は３＊１０８ｍ／ｓｅｃであるため、
フィン１３０に当たる確率は、０．００３３％で実質的
な損失はない。むしろフィン１３０の断面積分や、シャ
フト１２０と光軸との軸ずれにより、発光点２１０及び
集光点２２０から見た投影面積分で遮光されてしまう分
を最小化するようにできる限りフィン１３０を薄く、シ
ャフト１２０を精度良く光軸と合わせることが利用効率
を上げるために重要である。デブリ２３０の平均速度を
ｖｍとし、その速度のデブリ２３０を５０％阻止できれ
ば、光学系の寿命はおよそ２倍に伸ばすことができ、本
件のデブリ２３０除去効果は十分あると言える。そのと
き、以下の関係式を満足することでデブリ除去率５０％
を実現できる。
【００３７】
【数３】
【００３８】図３は、回転軸ずれによるＥＵＶ光の利用
効率を簡単なモデルで説明したものである。ここでは、
簡便のため、フィン形状は長方形で、ＥＵＶ光の発散は
考慮せず、平行光で考える。フィン（投光部）のデブリ
発散方向の長さをｄ、遮蔽部となるシャフトの半径をｒ
０、シャフトを含めたフィンの半径ｒ１としたとき、フ
ィンの厚さが無視できるほど薄いとき、ＥＵＶ光が通過
できる面積はＳ０は、
効率を簡単なモデルで説明したものである。ここでは、
簡便のため、フィン形状は長方形で、ＥＵＶ光の発散は
考慮せず、平行光で考える。フィン（投光部）のデブリ
発散方向の長さをｄ、遮蔽部となるシャフトの半径をｒ
０、シャフトを含めたフィンの半径ｒ１としたとき、フ
ィンの厚さが無視できるほど薄いとき、ＥＵＶ光が通過
できる面積はＳ０は、
【００３９】
【数４】
【００４０】で表される。一方、この部材が回転軸上で
のフィンの端部からの長さがｄ／２（フィンの回転方向
の中点）点と発光点を結ぶ直線と回転軸とがなす傾斜角
度をφ（０≦φ＜π／２）とすると、１枚のフィンが遮
光する面積は、フィンの放射される角度で異なり、０〜
（ｒ１−ｒ０）ｄｓｉｎφの値を取る。フィンがｎ枚あ
るとき、この最大値にｎ／２をかけた値がフィン全体が
遮光する面積Ｓ１で、
のフィンの端部からの長さがｄ／２（フィンの回転方向
の中点）点と発光点を結ぶ直線と回転軸とがなす傾斜角
度をφ（０≦φ＜π／２）とすると、１枚のフィンが遮
光する面積は、フィンの放射される角度で異なり、０〜
（ｒ１−ｒ０）ｄｓｉｎφの値を取る。フィンがｎ枚あ
るとき、この最大値にｎ／２をかけた値がフィン全体が
遮光する面積Ｓ１で、
【００４１】
【数５】
【００４２】となる。シャフトとＥＵＶ光軸が完全に一
致したときの利用効率が１００％となるように定義する
と、利用効率Ｅ（％）は、
致したときの利用効率が１００％となるように定義する
と、利用効率Ｅ（％）は、
【００４３】
【数６】
【００４４】と表される。利用効率Ｅを仮に５０％以上
にしたいとき、Ｅ≧５０となり、この条件のもとに
（４）、（５）、（６）式を傾斜角φについて整理する
と、
にしたいとき、Ｅ≧５０となり、この条件のもとに
（４）、（５）、（６）式を傾斜角φについて整理する
と、
【００４５】
【数７】
【００４６】となる。例として、ｎ＝８、ｄ＝０．１
（ｍ）、ｒ１＝０．１（ｍ）、ｒ０＝０．０５（ｍ）と
したとき、φ≦３６°となる。また、フィン枚数を増や
して、ｎ＝１００としたとき、φ≦２．７°となり、か
なり軸ずれの影響度が大きくなる。
（ｍ）、ｒ１＝０．１（ｍ）、ｒ０＝０．０５（ｍ）と
したとき、φ≦３６°となる。また、フィン枚数を増や
して、ｎ＝１００としたとき、φ≦２．７°となり、か
なり軸ずれの影響度が大きくなる。
【００４７】また、本実施例は全体が軸対称な構成にな
っていて、反射光が回転軸の延長上に集光し、デブリス
トッパでは遮られないため、光の利用効率が最も高い実
施形態である。
っていて、反射光が回転軸の延長上に集光し、デブリス
トッパでは遮られないため、光の利用効率が最も高い実
施形態である。
【００４８】また、この方式はポイントソースＸ線源を
用いたアプリケーション、例えば、反射率計測器、波面
計測器、顕微鏡、形状計測器、医療器、組成分析器、構
造解析器にも有用であることは言うまでも無い。
用いたアプリケーション、例えば、反射率計測器、波面
計測器、顕微鏡、形状計測器、医療器、組成分析器、構
造解析器にも有用であることは言うまでも無い。
【００４９】投影光学系８４０は、投影系第１ミラー８
４２と投影系第２ミラー８４４と投影系第３ミラー８４
６と投影系第４ミラー８４８とから構成されパターンを
ウェハ面上に結像する。ミラー枚数は少ないほうがＥＵ
Ｖ光の利用効率が高いが、収差補正が難しくなる。収差
補正に必要なミラー枚数は４枚から６枚程度である。ミ
ラーの反射面の形状は凸面または凹面の球面または非球
面である。開口数ＮＡは０．１〜０．２程度である。ミ
ラーは低膨張率ガラスやシリコンカーバイド等の剛性が
高く硬度が高く、熱膨張率が小さい材料からなる基板
を、研削、研磨して所定の反射面形状を創生した後、反
射面にモリブデン／シリコンなどの多層膜を成膜したも
のである。
４２と投影系第２ミラー８４４と投影系第３ミラー８４
６と投影系第４ミラー８４８とから構成されパターンを
ウェハ面上に結像する。ミラー枚数は少ないほうがＥＵ
Ｖ光の利用効率が高いが、収差補正が難しくなる。収差
補正に必要なミラー枚数は４枚から６枚程度である。ミ
ラーの反射面の形状は凸面または凹面の球面または非球
面である。開口数ＮＡは０．１〜０．２程度である。ミ
ラーは低膨張率ガラスやシリコンカーバイド等の剛性が
高く硬度が高く、熱膨張率が小さい材料からなる基板
を、研削、研磨して所定の反射面形状を創生した後、反
射面にモリブデン／シリコンなどの多層膜を成膜したも
のである。
【００５０】レチクルステージ８２４とウェハステージ
８５４は、縮小倍率に比例した速度比で同期して走査す
る機構をもつ。ここで、レチクル８２０又はウェハ８５
０面内で走査方向をＸ、それに垂直な方向をＹ、レチク
ル８２０又はウェハ８５０面に垂直な方向をＺとする。
８５４は、縮小倍率に比例した速度比で同期して走査す
る機構をもつ。ここで、レチクル８２０又はウェハ８５
０面内で走査方向をＸ、それに垂直な方向をＹ、レチク
ル８２０又はウェハ８５０面に垂直な方向をＺとする。
【００５１】レチクル８２０には所望のパターンが形成
され、レチクルステージ８２４上のレチクルチャック８
２２に保持される。レチクルステージ８２４はＸ方向に
移動する機構をもつ。また、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、
及び各軸の回りの回転方向に微動機構をもち、レチクル
８２０の位置決めができるようになっている。レチクル
ステージ８２４の位置と姿勢はレーザ干渉計によって計
測され、その結果に基づいて位置と姿勢が制御される。
され、レチクルステージ８２４上のレチクルチャック８
２２に保持される。レチクルステージ８２４はＸ方向に
移動する機構をもつ。また、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、
及び各軸の回りの回転方向に微動機構をもち、レチクル
８２０の位置決めができるようになっている。レチクル
ステージ８２４の位置と姿勢はレーザ干渉計によって計
測され、その結果に基づいて位置と姿勢が制御される。
【００５２】ウェハ８５０は、ウェハチャック８５２に
よってウェハステージ８５４に保持される。ウェハステ
ージ８５４はレチクルステージ８２４と同様にＸ方向に
移動する移動機構をもつ。また、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方
向、及び各軸の回りの回転方向に微動機構をもち、ウェ
ハ８５０の位置決めができるようになっている。ウェハ
ステージ８５４の位置と姿勢はレーザ干渉計によって計
測され、その結果に基づいて位置と姿勢が制御される。
よってウェハステージ８５４に保持される。ウェハステ
ージ８５４はレチクルステージ８２４と同様にＸ方向に
移動する移動機構をもつ。また、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方
向、及び各軸の回りの回転方向に微動機構をもち、ウェ
ハ８５０の位置決めができるようになっている。ウェハ
ステージ８５４の位置と姿勢はレーザ干渉計によって計
測され、その結果に基づいて位置と姿勢が制御される。
【００５３】アライメント検出光学系８３０によってレ
チクル８２０の位置と投影光学系８４０の光軸との位置
関係、及びウェハ８５０の位置と投影光学系８４０の光
軸との位置関係が計測され、レチクル８２０の投影像が
ウェハ８５０の所定の位置に一致するようにレチクルス
テージ８２４及びウェハステージ８５４の位置と角度が
設定される。また、フォーカス検出光学系８３２によっ
てウェハ８５０面でＺ方向のフォーカス位置が計測さ
れ、ウェハステージ８５４の位置及び角度を制御するこ
とによって、露光中は常時ウェハ面を投影光学系８４０
による結像位置に保つ。
チクル８２０の位置と投影光学系８４０の光軸との位置
関係、及びウェハ８５０の位置と投影光学系８４０の光
軸との位置関係が計測され、レチクル８２０の投影像が
ウェハ８５０の所定の位置に一致するようにレチクルス
テージ８２４及びウェハステージ８５４の位置と角度が
設定される。また、フォーカス検出光学系８３２によっ
てウェハ８５０面でＺ方向のフォーカス位置が計測さ
れ、ウェハステージ８５４の位置及び角度を制御するこ
とによって、露光中は常時ウェハ面を投影光学系８４０
による結像位置に保つ。
【００５４】ウェハ８５０上で１回のスキャン露光が終
わると、ウェハステージ８５４はＸ、Ｙ方向にステップ
移動して次の走査露光開始位置に移動し、再びレチクル
ステージ８２４及びウェハステージ８５４が投影光学系
の縮小倍率に比例した速度比でＸ方向に同期走査する。
わると、ウェハステージ８５４はＸ、Ｙ方向にステップ
移動して次の走査露光開始位置に移動し、再びレチクル
ステージ８２４及びウェハステージ８５４が投影光学系
の縮小倍率に比例した速度比でＸ方向に同期走査する。
【００５５】このようにして、レチクル８２０の縮小投
影像がウェハ８５０上に結像した状態でそれらを同期走
査するという動作が繰り返される。（ステップ・アンド
・スキャン）。こうしてウェハ８５０全面にレチクル８
２０の転写パターンが転写される。
影像がウェハ８５０上に結像した状態でそれらを同期走
査するという動作が繰り返される。（ステップ・アンド
・スキャン）。こうしてウェハ８５０全面にレチクル８
２０の転写パターンが転写される。
【００５６】また、ＥＵＶ光がガスにより吸収されるの
を防止するため、ＥＵＶ光が照射される光学素子が置か
れた空間に残留していた炭素を含む分子を付着させない
ために、ＥＵＶ光が伝播する空間や光学素子が置かれた
空間は、一定の圧力以下に保たれている必要がある。よ
って、光源や照明光学系８１０や投影光学系８４０の光
学素子、レチクル８２０、ウェハ８５０などは真空容器
８６０に入れられ真空度を満たすように排気される。
を防止するため、ＥＵＶ光が照射される光学素子が置か
れた空間に残留していた炭素を含む分子を付着させない
ために、ＥＵＶ光が伝播する空間や光学素子が置かれた
空間は、一定の圧力以下に保たれている必要がある。よ
って、光源や照明光学系８１０や投影光学系８４０の光
学素子、レチクル８２０、ウェハ８５０などは真空容器
８６０に入れられ真空度を満たすように排気される。
【００５７】図６は本発明に係るレーザープラズマ光源
及びデブリ除去装置の概要図である。本実施例では、レ
ーザープラズマ方式のうち、例えばＣｕ等の金属ターゲ
ット３１０をテープ状にし、リール３２０で送ることで
新たな面を利用するものである。この方式だと発光部の
機構がある程度大きくなってしまうため、図２のように
同じ軸上に発光点２１０と集光点２２０を設けることが
難しい。そこで図６のように軸外しの光学系になる。こ
の構成だと、フィン１３０は反射光を妨げないような配
置にする必要があり、フィン１３０の発散光方向の長さ
ｄ（ｍ）を大きく取ると、集光ミラー２４０を離さざる
を得ず、ミラーが大きくなってしまう。また、集光効率
もデブリ除去率もノズル２６０でターゲット材２７０を
供給する方式ほどには上げられないが、光源の構成に自
由度が高い実施形態である。
及びデブリ除去装置の概要図である。本実施例では、レ
ーザープラズマ方式のうち、例えばＣｕ等の金属ターゲ
ット３１０をテープ状にし、リール３２０で送ることで
新たな面を利用するものである。この方式だと発光部の
機構がある程度大きくなってしまうため、図２のように
同じ軸上に発光点２１０と集光点２２０を設けることが
難しい。そこで図６のように軸外しの光学系になる。こ
の構成だと、フィン１３０は反射光を妨げないような配
置にする必要があり、フィン１３０の発散光方向の長さ
ｄ（ｍ）を大きく取ると、集光ミラー２４０を離さざる
を得ず、ミラーが大きくなってしまう。また、集光効率
もデブリ除去率もノズル２６０でターゲット材２７０を
供給する方式ほどには上げられないが、光源の構成に自
由度が高い実施形態である。
【００５８】露光装置の光源部は、本実施例のみに限定
されない。図７は本発明に係るディスチャージ方式の一
つであるＺピンチ方式の光源及びデブリ除去装置の概要
図である。４１０は高電圧電源で、そのエネルギーをコ
ンデンサ４２０に蓄え、スイッチ４３０をオンにする
と、エンクロージャー４４０内にプラズマ４５０が発生
し、ＥＵＶ光２５０が発光する。それとともにデブリ２
３０が発生するが、デブリ除去装置のフィン１３０Ａに
より吸着される。ディスチャージ方式では、取り込む立
体角が小さいので、回転軸の延長線上から発光点が多少
ずれても、集光効率はさほど変わらない。なお、本実施
形態のフィン１３０Ａの形状はフィン１３０とは異な
り、台形形状に加工されている。
されない。図７は本発明に係るディスチャージ方式の一
つであるＺピンチ方式の光源及びデブリ除去装置の概要
図である。４１０は高電圧電源で、そのエネルギーをコ
ンデンサ４２０に蓄え、スイッチ４３０をオンにする
と、エンクロージャー４４０内にプラズマ４５０が発生
し、ＥＵＶ光２５０が発光する。それとともにデブリ２
３０が発生するが、デブリ除去装置のフィン１３０Ａに
より吸着される。ディスチャージ方式では、取り込む立
体角が小さいので、回転軸の延長線上から発光点が多少
ずれても、集光効率はさほど変わらない。なお、本実施
形態のフィン１３０Ａの形状はフィン１３０とは異な
り、台形形状に加工されている。
【００５９】ディスチャージ方式には、この他にプラズ
マ・フォーカス、キャピラリー・ディスチャージ、ホロ
ウカソード・トリガードＺピンチ等の方式があるが、同
様なデブリ除去装置で実現可能である。
マ・フォーカス、キャピラリー・ディスチャージ、ホロ
ウカソード・トリガードＺピンチ等の方式があるが、同
様なデブリ除去装置で実現可能である。
【００６０】図８は、ポイントソース光源を用いたプロ
キシミティＸ線露光装置の概念図である。プロキシミテ
ィＸ線露光（ＰＸＬ）は、波長１ｎｍ程度の軟Ｘ線を用
いて、原版であるマスクをウェハに１０μｍ程度に近接
させて、等倍で露光する方法である。光源はＥＵＶ用の
光源と基本的な構成は同様で、所望の波長が得られるよ
うに最適化されている。
キシミティＸ線露光装置の概念図である。プロキシミテ
ィＸ線露光（ＰＸＬ）は、波長１ｎｍ程度の軟Ｘ線を用
いて、原版であるマスクをウェハに１０μｍ程度に近接
させて、等倍で露光する方法である。光源はＥＵＶ用の
光源と基本的な構成は同様で、所望の波長が得られるよ
うに最適化されている。
【００６１】図８で７０１は光源チャンバで高真空に保
たれている。７０２は本体チャンバでＨｅを２０ｋＰａ
程度に制御されている。７０３は構造体で装置を構成す
る各部材を剛に支持している。７０４は除振機構で、床
からの外乱振動の伝達を遮断している。
たれている。７０２は本体チャンバでＨｅを２０ｋＰａ
程度に制御されている。７０３は構造体で装置を構成す
る各部材を剛に支持している。７０４は除振機構で、床
からの外乱振動の伝達を遮断している。
【００６２】７０５は発光点でそこから放射されたＸ線
７０６がＸ線取り出し窓７０７を透過して、コリメータ
７０８に入射され、平行化される。平行化されたＸ線は
マスキングブレード７０９で画角が規制されて、マスク
７１０に入射され、レジストが塗布されたウェハ７１１
にマスクパターンが転写される。ウェハ７１１はウェハ
ステージ７１２に保持され、ステップ駆動することで、
ウェハ全面に露光される。
７０６がＸ線取り出し窓７０７を透過して、コリメータ
７０８に入射され、平行化される。平行化されたＸ線は
マスキングブレード７０９で画角が規制されて、マスク
７１０に入射され、レジストが塗布されたウェハ７１１
にマスクパターンが転写される。ウェハ７１１はウェハ
ステージ７１２に保持され、ステップ駆動することで、
ウェハ全面に露光される。
【００６３】プロキシミティＸ線露光でも光源からデブ
リが発生し、Ｘ線取り出し窓を汚染、損傷するので、前
実施例と同様にフィン１３０Ａを有する駆動部材を駆動
することでデブリを効果的に除去することが可能であ
る。なお、本実施形態のフィン１３０Ａの形状はフィン
１３０とは異なり、台形形状に加工されている。
リが発生し、Ｘ線取り出し窓を汚染、損傷するので、前
実施例と同様にフィン１３０Ａを有する駆動部材を駆動
することでデブリを効果的に除去することが可能であ
る。なお、本実施形態のフィン１３０Ａの形状はフィン
１３０とは異なり、台形形状に加工されている。
【００６４】次に、図９及び図１０を参照して、上述の
露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明
する。図９は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チ
ップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフロ
ーチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例
に説明する。ステップ１（回路設計）ではデバイスの回
路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計し
た回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ
３（ウェハ製造）ではシリコンなどの材料を用いてウェ
ハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は前工程
と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィ技術に
よってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５
（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作
成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体
デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を
行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、こ
れが出荷（ステップ７）される。
露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明
する。図９は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チ
ップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフロ
ーチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例
に説明する。ステップ１（回路設計）ではデバイスの回
路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計し
た回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ
３（ウェハ製造）ではシリコンなどの材料を用いてウェ
ハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は前工程
と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィ技術に
よってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５
（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作
成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体
デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を
行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、こ
れが出荷（ステップ７）される。
【００６５】図１０は、ステップ４のウェハプロセスの
詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）で
はウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）
では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３
（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって
形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウェハ
にイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）で
はウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）で
は、露光装置１によってマスクの回路パターンをウェハ
に露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェ
ハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像
したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９
（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となっ
たレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行
うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成さ
れる。
詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）で
はウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）
では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３
（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって
形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウェハ
にイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）で
はウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）で
は、露光装置１によってマスクの回路パターンをウェハ
に露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェ
ハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像
したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９
（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となっ
たレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行
うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成さ
れる。
【００６６】本実施例の製造方法によれば従来よりも高
品位のデバイスを製造することができる。また、従来例
のように発光周期が量産レベル時の数ｋＨｚとなったと
きには、非常に難易度の高い技術となるパルス発光との
同期を取る必要も無く、制御が簡単である。
品位のデバイスを製造することができる。また、従来例
のように発光周期が量産レベル時の数ｋＨｚとなったと
きには、非常に難易度の高い技術となるパルス発光との
同期を取る必要も無く、制御が簡単である。
【００６７】以上、本発明の好ましい実施例を説明した
が、本発明はこれらに限定されずその要旨の範囲内で様
々な変形や変更が可能である。
が、本発明はこれらに限定されずその要旨の範囲内で様
々な変形や変更が可能である。
【００６８】
【発明の効果】本発明によれば、良好なデブリ除去と良
好なＥＵＶ光の利用効率を両立することができるデブリ
除去装置及び方法、並びに、当該デブリ除去装置を用い
た露光装置を提供することができる。
好なＥＵＶ光の利用効率を両立することができるデブリ
除去装置及び方法、並びに、当該デブリ除去装置を用い
た露光装置を提供することができる。
【図１】 ＥＵＶ露光装置の概略図である。
【図２】 本発明に係るレーザープラズマ光源及びデブ
リ除去装置の概略図である。
リ除去装置の概略図である。
【図３】 回転軸ずれによるＥＵＶ光の利用効率の簡単
なモデル図である。
なモデル図である。
【図４】 デブリの吸着条件を表すグラフである。
【図５】 デブリ速度とデブリ除去率の関係を表すグラ
フである。
フである。
【図６】 本発明に係るレーザープラズマ光源及びデブ
リ除去装置の概略図である。
リ除去装置の概略図である。
【図７】 本発明に係るデブリ除去装置の概略図であ
る。
る。
【図８】 本発明に係るプロキシミティＸ線露光装置の
概略図である。
概略図である。
【図９】 本発明の露光工程を有するデバイス製造方法
を説明するためのフローチャートである。
を説明するためのフローチャートである。
【図１０】 図９に示すステップ４の詳細なフローチャ
ートである。
ートである。
【図１１】 従来のデブリ除去装置の概略図である。
【図１２】 従来のデブリ除去装置の概略図である。
【図１３】 従来のデブリ除去装置の概略図である。
１０ 露光装置
１００ デブリ除去装置
１１０ モーター
１２０ シャフト
１３０ フィン
１３２ 吸着面
２１０ 発光点
２２０ 集光点
２３０ デブリ
８０６ プラズマ
８１０ 照明光学系
８４０ 投影光学系
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 渡辺 豊
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ
ノン株式会社内
Ｆターム(参考） 2H095 BA10
2H097 BA04 CA15 LA10
4C038 FF01 FF05 FG00
5F046 GB07 GC03
Claims (14)
- 【請求項１】 プラズマを発生し、Ｘ線を発生させるＸ
線光源の前記Ｘ線の発光点で発生したデブリが光学系に
到達することを防止するデブリ除去装置であって、 前記光源から放出される光線に平行もしくはほぼ平行な
前記デブリを吸着する吸着面を含む吸着部と、 前記発光点と前記光学系との間で、前記吸着部の吸着面
を軸回りに回転させる回転部とを有し、 前記吸着部は、発散光方向の長さｄ（ｍ）のｎ枚のフィ
ンからなり、前記回転部は、前記フィンを前記光軸周り
に回転速度ω（ｒａｄ／ｓｅｃ）で回転させ、速度ｖｃ
＝１００（ｍ／ｓｅｃ）のデブリが除去できるように、
ｖｃ＝１００≦ｎｄω／（２π）の関係が成立するデブ
リ除去装置。 - 【請求項２】 プラズマを発生し、Ｘ線を発生させるＸ
線光源の前記Ｘ線の発光点で発生したデブリが光学系に
到達することを防止するデブリ除去装置であって、 前記光源から放射される光線に平行もしくはほぼ平行な
前記デブリを吸着する吸着面を含む吸着部と、 前記発光点と前記光学系との間で、前記吸着部の吸着面
を前記発光点を通る軸回りに回転させる回転部とを有す
るデブリ除去装置。 - 【請求項３】 前記吸着部は、デブリ発散光方向の長さ
ｄ（ｍ）のｎ枚のフィンからなり、 前記回転部は、前記フィンを前記光軸周りに回転速度ω
（ｒａｄ／ｓｅｃ）で回転させ、 速度ｖｃ＝１００（ｍ／ｓｅｃ）のデブリが除去できる
ように、ｖｃ＝１００≦ｎｄω／（２π）の関係が成立
する請求項２記載のデブリ除去装置。 - 【請求項４】 前記吸着部は、デブリ発散光方向の長さ
ｄ（ｍ）のｎ枚のフィンからなり、 前記回転部は、前記フィンを前記光軸周りに回転速度ω
（ｒａｄ／ｓｅｃ）で回転させ、 前記デブリの平均速度をｖｍ（ｍ／ｓｅｃ）とすると、
｛ｎｄω／（２πｖｍ）｝≧１／２の関係が成立する請
求項２記載のデブリ除去装置。 - 【請求項５】 プラズマを発生し、Ｘ線を発生させるＸ
線光源の前記Ｘ線の発光点で発生したデブリが光学系に
到達することを防止するデブリ除去装置であって、 前記光学系の光軸に平行もしくはほぼ平行な前記デブリ
を吸着する吸着面を含む吸着部と、 前記発光点と前記光学系との間で、前記吸着部の吸着面
を軸回りに回転させる回転部とを有し、 前記吸着部のデブリ発散光方向の長さをｄ、前記回転軸
を中心とした前記回転部の半径をｒ０、回転軸を中心と
した吸着部の半径をｒ１、Ｘ線が通過できる面積を
Ｓ０、回転軸上での前記回転部の中点と前記発光点を結
ぶ直線と前記回転軸とのなす傾斜角をφ（０≦φ＜π／
２）、前記吸着部のフィンの枚数をｎ、ｎ枚のフィンが
遮光する面積Ｓ１、回転軸と光軸が一致したときの利用
効率が１００％となるように定義した時の利用効率をＥ
（％）、としたとき以下の条件式を満たすデブリ除去装
置。 Ｓ０＝π（ｒ１ ２−ｒ０ ２） Ｓ１＝（ｎ／２）（ｒ１−ｒ０）ｄｓｉｎφ Ｅ＝（１−Ｓ１／Ｓ０）＊１００ Ｅ≧５０ ０≦φ≦ａｒｃｓｉｎ（π（ｒ１＋ｒ０）／（ｎｄ）） - 【請求項６】 前記吸着部はデブリ発散光方向の長さｄ
（ｍ）のｎ枚のフィンからなり、 前記回転部は、前記フィンを前記光軸周りに回転速度ω
（ｒａｄ／ｓｅｃ）で回転させ、 速度ｖｃ＝１００（ｍ／ｓｅｃ）のデブリが除去できる
ように、ｖｃ＝１００≦ｎｄω／（２π）の関係が成立
する請求項５記載のデブリ除去装置。 - 【請求項７】 前記吸着部は、デブリ発散光方向の長さ
ｄ（ｍ）のｎ枚のフィンからなり、 前記回転部は、前記フィンを前記光軸周りに回転速度ω
（ｒｅｄ／ｓｅｃ）で回転させ、 前記デブリの平均速度をｖｍ（ｍ／ｓｅｃ）とすると、
｛ｎｄω／（２πｖｍ）｝≧１／２の関係が成立する請
求項５記載のデブリ除去装置。 - 【請求項８】 パターンが形成されたマスクを照明する
照明装置であって、請求項乃至のうちいずれか一項記載
のデブリ除去装置と、前記デブリ除去装置を経た前期前
記Ｘ線を使用する請求項１乃至７のうちいずれか一項記
載の光学系とを有する照明装置。 - 【請求項９】 請求項１乃至８のうちいずれか一項記載
の照明装置と、前記パターンを被処理体に結像する投影
光学系とを有する露光装置。 - 【請求項１０】 請求項１乃至８のうちいずれか一項記
載の照明装置を有し、前記マスクを被処理体に近接して
露光する露光装置。 - 【請求項１１】 請求項１乃至１０のうちいずれか一項
記載のデブリ除去装置と、前記Ｘ線光源が電極にガスを
流して放電することによってプラズマを発生させてＸ線
を発生させるＸ線光源を有するデブリ除去装置とを有す
る光源部。 - 【請求項１２】 請求項１乃至１０のうちいずれか一項
記載のデブリ除去装置と、前記Ｘ線光源がレーザー光を
利用してプラズマを発生させてＸ線を発生させるＸ線光
源を有するデブリ除去装置とを有する光源部。 - 【請求項１３】 請求項１乃至１２のうちいずれか一項
記載の露光装置を用いて前記被処理体を投影露光する工
程と、 前記投影露光された前期被処理体に所定のプロセスを行
う工程とを有するデバイス製造方法。 - 【請求項１４】 請求項１乃至１３記載のうちいずれか
一項記載の露光装置を用いて投影露光された被処理体に
より製造されるデバイス。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001205319A JP2003022950A (ja) | 2001-07-05 | 2001-07-05 | Ｘ線光源用デブリ除去装置及び、デブリ除去装置を用いた露光装置 |
| EP02254687A EP1274287B1 (en) | 2001-07-05 | 2002-07-03 | Debris removing system for use in X-ray source |
| US10/187,852 US6867843B2 (en) | 2001-07-05 | 2002-07-03 | Debris removing system for use in X-ray light source |
| DE60204389T DE60204389T2 (de) | 2001-07-05 | 2002-07-03 | Vorrichtung zur Entfernung von Debris zur Verwendung in einer Röntgenquelle |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001205319A JP2003022950A (ja) | 2001-07-05 | 2001-07-05 | Ｘ線光源用デブリ除去装置及び、デブリ除去装置を用いた露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003022950A true JP2003022950A (ja) | 2003-01-24 |
Family
ID=19041654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001205319A Pending JP2003022950A (ja) | 2001-07-05 | 2001-07-05 | Ｘ線光源用デブリ除去装置及び、デブリ除去装置を用いた露光装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6867843B2 (ja) |
| EP (1) | EP1274287B1 (ja) |
| JP (1) | JP2003022950A (ja) |
| DE (1) | DE60204389T2 (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004090957A1 (ja) * | 2003-04-09 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | 光源ユニット、照明光学装置、露光装置および露光方法 |
| JP2005020006A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Asml Netherlands Bv | フォイル・トラップを備えたレーザー生成プラズマ放射システム |
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