JP2008166772A - デブリ低減システム及びリソグラフィ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】デブリ低減システムは、軸を中心に回転するように構成されたコンタミバリアと、前記放射源からの荷電デブリを偏向させるための磁場を提供するように構成された磁石構造とを備える。磁石構造はコンタミバリアを通して磁場を設けるように構成されている。磁場は、コンタミバリアを通過する際に、コンタミバリアの回転軸とほぼ一致する面に沿って配向される。
【選択図】図2
Description
Claims (25)
- デブリを生成する放射源から出た汚染材料をトラップするためのデブリ低減システムであって、
軸を中心に回転するように構成されたコンタミバリア、及び
前記放射源からの荷電デブリを偏向させるための磁場を提供するように構成された磁石構造(magnet structure)であって、前記コンタミバリアを通して磁場を提供するように構成されており、前記磁場が、前記コンタミバリアを通過する際に、前記コンタミバリアの回転軸とほぼ一致する面に沿って配向される、磁石構造、
を備えるデブリ低減システム。 - 前記磁場は、前記回転コンタミバリアの所定回転に対してほぼ不変である、
請求項1に記載のデブリ低減システム。 - 前記磁場は、前記回転コンタミバリアのあらゆる回転に対してほぼ不変である、
請求項1に記載のデブリ低減システム。 - 前記放射に通路を提供するため、前記磁石構造は外側磁石構造として構成される、
請求項1に記載のデブリ低減システム。 - 前記外側磁石構造は、前記コンタミバリアの回転軸に対して垂直に配された磁軸を有するように構成された複数の外側磁石によって提供される、
請求項4に記載のデブリ低減システム。 - 前記外側磁石が、前記回転軸に対して半径方向の構成として設けられた線形磁石である、
請求項4に記載のデブリ低減システム。 - 前記外側磁石構造が、半径方向に対向する半円の極を備える中空構造である、
請求項4に記載のデブリ低減システム。 - 中央磁石構造は、前記中空構造の極とは逆の、半径方向に対向する磁極を備えて提供される、
請求項7に記載のデブリ低減システム。 - 前記外側磁石構造は、軸方向に対向する磁極を備えた中空構造であり、中央磁石構造は、前記中空構造の極とは逆の、軸方向に対向する磁極を備えて提供される、
請求項4に記載のデブリ低減システム。 - 前記外側磁石構造は、前記コンタミバリアを囲む静止リングとして提供される、
請求項4に記載のデブリ低減システム。 - 前記外側磁石構造が前記コンタミバリアと共に回転する、
請求項4に記載のデブリ低減システム。 - 中央磁石構造は前記回転軸の中心に設けられ、前記中央磁石構造は、前記磁石構造の磁極とは逆の磁極を有する、
請求項4に記載のデブリ低減システム。 - 前記中央磁石構造は、前記コンタミバリアに対して静止している、
請求項12に記載のデブリ低減システム。 - 前記中央磁石構造が前記コンタミバリアと共に回転する、
請求項12に記載のデブリ低減システム。 - 前記中央磁石構造は、前記回転コンタミバリアの回転軸と同心円状の磁軸を有する磁石を備える、
請求項12に記載のデブリ低減システム。 - 前記コンタミバリアは、放射の伝搬方向と平行な面にそれぞれ位置付けられた複数のフォイルプレートを備える、
請求項1に記載のデブリ低減システム。 - 前記プレートが前記磁場と平行に配向されている、
請求項1に記載のデブリ低減システム。 - 前記磁場は、前記回転軸に対して、前記プレートを軸方向に横切る磁力線を有するように提供される、
請求項17に記載のデブリ低減システム。 - 前記磁場は、前記回転軸に対して、前記プレートを半径方向に横切る磁力線を有するように提供される、
請求項17に記載のデブリ低減システム。 - 放電生成プラズマ源又はレーザ生成プラズマ源をさらに備える、
請求項1に記載のデブリ低減システム。 - 前記プラズマ源は、スズ、リチウム、又はキセノンを備える、
請求項18に記載のデブリ低減システム。 - コレクタエレメントをさらに備える、
請求項1に記載のデブリ低減システム。 - 前記コレクタエレメントは、前記コンタミバリアの回転軸に対して対称的な円筒状のものであり、かつ、同心円状で湾曲した反射表面を備える、
請求項22に記載のデブリ低減システム。 - 前記反射表面は、約2〜7cmの範囲内の距離でスタックされる、
請求項23に記載のデブリ低減システム。 - 放射ビームにパターンを付与するように構成されたパターニングデバイス、
前記パターン付与された放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システム、及び
デブリを生成する放射源によって生成された汚染材料をトラップするように構成されたデブリ低減システム、
を備えるリソグラフィ装置であって、
前記デブリ低減システムは、
軸を中心に回転するように構成されたコンタミバリア、及び
前記放射源からの荷電デブリを偏向させるための磁場を提供するように構成された磁石構造であって、前記コンタミバリアを通して磁場を設けるように構成されており、前記磁場が、前記コンタミバリアを通過する際に、前記コンタミバリアの回転軸とほぼ一致する面に沿って配向される、磁石構造、
を備える、
リソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/645,809 | 2006-12-27 | ||
US11/645,809 US8071963B2 (en) | 2006-12-27 | 2006-12-27 | Debris mitigation system and lithographic apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008166772A true JP2008166772A (ja) | 2008-07-17 |
JP4772770B2 JP4772770B2 (ja) | 2011-09-14 |
Family
ID=39582506
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007328130A Expired - Fee Related JP4772770B2 (ja) | 2006-12-27 | 2007-12-20 | デブリ低減システム及びリソグラフィ装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8071963B2 (ja) |
JP (1) | JP4772770B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010040329A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Kansai Univ | 半導体リソグラフィ用光源 |
KR20110070859A (ko) * | 2008-09-11 | 2011-06-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 방사선 소스 및 리소그래피 장치 |
JP2012502414A (ja) * | 2008-09-09 | 2012-01-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射システムおよびリソグラフィ装置 |
JP2012079857A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Kansai Univ | 半導体リソグラフィ用光源装置 |
JP2012199582A (ja) * | 2008-12-18 | 2012-10-18 | Asml Netherlands Bv | 放射源、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4850558B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 光源装置、及びそれを用いた露光装置、デバイス製造方法 |
US7839482B2 (en) * | 2007-05-21 | 2010-11-23 | Asml Netherlands B.V. | Assembly comprising a radiation source, a reflector and a contaminant barrier |
US7602472B2 (en) * | 2007-06-12 | 2009-10-13 | Asml Netherlands B.V. | Contamination prevention system, lithographic apparatus, radiation source, and method for manufacturing a device |
NL1036768A1 (nl) * | 2008-04-29 | 2009-10-30 | Asml Netherlands Bv | Radiation source. |
CN102216853B (zh) * | 2008-12-22 | 2014-03-12 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备、辐射系统、器件制造方法以及碎片减少方法 |
DE102011084266A1 (de) * | 2011-10-11 | 2013-04-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Kollektor |
NL2011663A (en) * | 2012-11-15 | 2014-05-19 | Asml Netherlands Bv | Radiation source and method for lithography. |
US9609731B2 (en) | 2014-07-07 | 2017-03-28 | Media Lario Srl | Systems and methods for synchronous operation of debris-mitigation devices |
US11252810B2 (en) * | 2017-11-24 | 2022-02-15 | Isteq B.V. | Short-wavelength radiation source with multisectional collector module and method of collecting radiation |
CN111661368A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-09-15 | 北京卫星环境工程研究所 | 空间碎片清除方法与系统 |
EP4209120A1 (en) * | 2020-09-04 | 2023-07-12 | Isteq B.V. | Short- wavelength radiation source with multisectional collector module |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0817371A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Kansai Electric Power Co Inc:The | レーザープラズマx線源のデブリス除去方法及び装置 |
JPH09245989A (ja) * | 1996-03-13 | 1997-09-19 | Nikon Corp | X線発生装置 |
JP2003022950A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Canon Inc | X線光源用デブリ除去装置及び、デブリ除去装置を用いた露光装置 |
JP2003142296A (ja) * | 2001-11-05 | 2003-05-16 | Canon Inc | X線発生装置 |
JP2004165639A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-06-10 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置及び前記装置で使用する微粒子バリヤ |
JP2004207736A (ja) * | 2002-12-23 | 2004-07-22 | Asml Netherlands Bv | デブリ抑制手段を備えたリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2005020006A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Asml Netherlands Bv | フォイル・トラップを備えたレーザー生成プラズマ放射システム |
WO2005064401A2 (en) * | 2003-12-31 | 2005-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having a debris-mitigation system, a source for producing euv radiation having a debris mitigation system and a method for mitigating debris |
JP2005522839A (ja) * | 2002-04-10 | 2005-07-28 | サイマー インコーポレイテッド | 極紫外線光源 |
JP2005332923A (ja) * | 2004-05-19 | 2005-12-02 | Canon Inc | Euv露光装置 |
JP2006196890A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-27 | Asml Netherlands Bv | 放射ビームから粒子をフィルタ除去するように動作可能なフィルタ・システムを提供する方法、フィルタ・システム、装置、及びフィルタ・システムを含むリソグラフィ装置 |
JP2006332654A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-12-07 | Asml Netherlands Bv | 放射システム及びリソグラフィ装置 |
JP2006529057A (ja) * | 2003-05-22 | 2006-12-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 少なくとも一つの光学要素を洗浄する方法および装置 |
JP2007528607A (ja) * | 2004-03-10 | 2007-10-11 | サイマー インコーポレイテッド | Euv光源 |
JP2009506517A (ja) * | 2005-06-08 | 2009-02-12 | サイマー インコーポレイテッド | イオンがeuv光源の内部部品に到達することを防ぐための、プラズマ生成イオンを偏向するシステム及び方法 |
JP2010512157A (ja) * | 2006-12-12 | 2010-04-22 | ビーエーエスエフ アグロケミカル プロダクツ ベスローテン フェンノートシャップ | 除草剤抵抗性ヒマワリ植物および使用方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7087914B2 (en) * | 2004-03-17 | 2006-08-08 | Cymer, Inc | High repetition rate laser produced plasma EUV light source |
US7164144B2 (en) * | 2004-03-10 | 2007-01-16 | Cymer Inc. | EUV light source |
US7696493B2 (en) * | 2006-12-13 | 2010-04-13 | Asml Netherlands B.V. | Radiation system and lithographic apparatus |
-
2006
- 2006-12-27 US US11/645,809 patent/US8071963B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-12-20 JP JP2007328130A patent/JP4772770B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0817371A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Kansai Electric Power Co Inc:The | レーザープラズマx線源のデブリス除去方法及び装置 |
JPH09245989A (ja) * | 1996-03-13 | 1997-09-19 | Nikon Corp | X線発生装置 |
JP2003022950A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Canon Inc | X線光源用デブリ除去装置及び、デブリ除去装置を用いた露光装置 |
JP2003142296A (ja) * | 2001-11-05 | 2003-05-16 | Canon Inc | X線発生装置 |
JP2005522839A (ja) * | 2002-04-10 | 2005-07-28 | サイマー インコーポレイテッド | 極紫外線光源 |
JP2004165639A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-06-10 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置及び前記装置で使用する微粒子バリヤ |
JP2004207736A (ja) * | 2002-12-23 | 2004-07-22 | Asml Netherlands Bv | デブリ抑制手段を備えたリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2006529057A (ja) * | 2003-05-22 | 2006-12-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 少なくとも一つの光学要素を洗浄する方法および装置 |
JP2005020006A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Asml Netherlands Bv | フォイル・トラップを備えたレーザー生成プラズマ放射システム |
WO2005064401A2 (en) * | 2003-12-31 | 2005-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having a debris-mitigation system, a source for producing euv radiation having a debris mitigation system and a method for mitigating debris |
JP2007522646A (ja) * | 2003-12-31 | 2007-08-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | デブリ軽減システムを有するリソグラフィ装置、デブリ軽減システムを有するeuv放射線発生源、及びデブリを軽減させる方法 |
JP2007528607A (ja) * | 2004-03-10 | 2007-10-11 | サイマー インコーポレイテッド | Euv光源 |
JP2005332923A (ja) * | 2004-05-19 | 2005-12-02 | Canon Inc | Euv露光装置 |
JP2006196890A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-27 | Asml Netherlands Bv | 放射ビームから粒子をフィルタ除去するように動作可能なフィルタ・システムを提供する方法、フィルタ・システム、装置、及びフィルタ・システムを含むリソグラフィ装置 |
JP2006332654A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-12-07 | Asml Netherlands Bv | 放射システム及びリソグラフィ装置 |
JP2009506517A (ja) * | 2005-06-08 | 2009-02-12 | サイマー インコーポレイテッド | イオンがeuv光源の内部部品に到達することを防ぐための、プラズマ生成イオンを偏向するシステム及び方法 |
JP2010512157A (ja) * | 2006-12-12 | 2010-04-22 | ビーエーエスエフ アグロケミカル プロダクツ ベスローテン フェンノートシャップ | 除草剤抵抗性ヒマワリ植物および使用方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010040329A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Kansai Univ | 半導体リソグラフィ用光源 |
JP2012502414A (ja) * | 2008-09-09 | 2012-01-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射システムおよびリソグラフィ装置 |
US9411250B2 (en) | 2008-09-09 | 2016-08-09 | Asml Netherlands B.V. | Radiation system and lithographic apparatus |
KR20110070859A (ko) * | 2008-09-11 | 2011-06-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 방사선 소스 및 리소그래피 장치 |
JP2012502492A (ja) * | 2008-09-11 | 2012-01-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源およびリソグラフィ装置 |
US8755032B2 (en) | 2008-09-11 | 2014-06-17 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source and lithographic apparatus |
KR101652364B1 (ko) | 2008-09-11 | 2016-09-09 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 방사선 소스 및 리소그래피 장치 |
JP2012199582A (ja) * | 2008-12-18 | 2012-10-18 | Asml Netherlands Bv | 放射源、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2012079857A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Kansai Univ | 半導体リソグラフィ用光源装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080157006A1 (en) | 2008-07-03 |
US8071963B2 (en) | 2011-12-06 |
JP4772770B2 (ja) | 2011-09-14 |
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Date | Code | Title | Description |
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