JP2012502492A - 放射源およびリソグラフィ装置 - Google Patents

放射源およびリソグラフィ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2012502492A
JP2012502492A JP2011526438A JP2011526438A JP2012502492A JP 2012502492 A JP2012502492 A JP 2012502492A JP 2011526438 A JP2011526438 A JP 2011526438A JP 2011526438 A JP2011526438 A JP 2011526438A JP 2012502492 A JP2012502492 A JP 2012502492A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
radiation source
foil
radiation
plasma
formation site
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011526438A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5553833B2 (ja
Inventor
ヤクニン，アンドレイ
バニエ，バディム
イワノフ，ウラジミール
ループストラ，エリック
クリヴツン，ヴラディミア
スウィンケルズ，ゲラルドス
ラベッツスキ，ドズミトリ
Original Assignee
エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． filed Critical エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．
Publication of JP2012502492A publication Critical patent/JP2012502492A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5553833B2 publication Critical patent/JP5553833B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H01L21/0275—Photolithographic processes using lasers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)

Abstract

放射源（ＳＯ）は極端紫外線を生成するように構成されている。放射源（ＳＯ）は、燃料が放射ビーム（５）に接触されてプラズマを形成する位置に配置されたプラズマ形成部位（２）と、ガスが放射源（ＳＯ）を出ることを可能にするように構成された出口（１６）と、少なくとも部分的に出口（１６）の内部に配置された汚染トラップ（２３）とを含む。汚染トラップは、プラズマの形成によって生成されるデブリ粒子を捕捉（２３）するように構成されている。
【選択図】 図６

Description

[0001] 本発明は、極端紫外線を生成する放射源およびリソグラフィ装置に関する。
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、スキャナが含まれる。
[0003] パターン印刷の限界の理論推定値は、式（１）に示す解像度に関するレイリー基準によって与えられることができる。
[0004]
Figure 2012502492
[0005] 上の式で、λは使用される放射の波長であり、ＮＡＰＳはパターンを印刷するために使用される投影システムの開口数である。ｋ１はレイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数であり、ＣＤは印刷されたフィーチャのフィーチャサイズ（またはクリティカルディメンジョン）である。レイリー基準から、フィーチャの最小印刷可能サイズの縮小は、以下の３つの方法、露光波長λを短縮することによって、開口数ＮＡＰＳを増加させることによって、あるいはｋ１の値を低下させることによって達成することができる、と言える。
[0006] 露光波長を短縮するため、したがって、クリティカルディメンジョンを縮小するためには、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射源は、約１３ｎｍの放射波長を出力するように構成されている。したがって、ＥＵＶ放射源は、小さなフィーチャの印刷を達成するための重大なステップを構成し得る。可能なＥＵＶ放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングからのシンクロトロン放射が挙げられる。プラズマ源を用いた場合、プラズマ生成の副生物として汚染粒子が生成される。通常、そのような汚染粒子は、例えばリソグラフィ装置の反射面に付着するため望ましくない。リソグラフィ装置の反射面上の汚染粒子の蓄積はその表面の反射率を低下させ、その結果、リソグラフィ装置の達成可能なスループットを低下し得る。
[0007] リソグラフィ装置の反射面上の汚染粒子の蓄積を減少させることが望ましい。
[0008] 本発明の第１態様によると、極端紫外線を生成するように構成された放射源が提供される。この放射源は、燃料が放射ビームに接触されてプラズマを形成するプラズマ形成部位と、ガスが放射源を出ることを可能にするように構成された出口と、少なくとも部分的に出口の内部に配置された汚染トラップとを含む。
[0009] 汚染トラップは複数のフォイルから形成されたフォイルトラップを含んでもよく、フォイルはプラズマ形成部位におけるプラズマの生成から生じるデブリ粒子を捕捉するように構成されている。
[0010] 複数のフォイルのうちの少なくともいくつかは、サポート構造を介することもある出口によって支持されている。
[0011] 放射源は、汚染トラップを、汚染トラップによって捕捉されたデブリを溶融させるのに十分な温度または汚染トラップによって捕捉されたデブリを蒸発させるのに十分な温度に加熱するように構成されたヒータをさらに含んでもよい。ヒータは誘導ヒータであってもよい。
[0012] 各フォイルの少なくとも一部は、プラズマ形成部位への見通し線を有してよい。
[0013] 各フォイルは、プラズマ形成部位から放射状に延在する軌道に対して４５度未満の角度を規定してよい。
[0014] 各フォイルの少なくとも一部は、プラズマ形成部位の方に、またはプラズマ形成部位付近の場所の方に向いていてよい。
[0015] 本発明の第２態様によると、極端紫外線を生成するように構成された放射源が提供される。この放射源は、燃料が放射ビームに接触されてプラズマを形成するプラズマ形成部位と、ガスが放射源を出ることを可能にするように構成された出口と、放射源の壁に設けられた汚染トラップであって、デブリ粒子が放射源の壁から放射源のコレクタに散乱または飛散する可能性を減少するように構成されている、汚染トラップとを含む。
[0016] 汚染トラップは、コレクタによって形成されたＥＵＶ放射錐体の外側境界の外に設けられてよい。
[0017] 汚染トラップは複数のフォイルから形成されたフォイルトラップを含んでもよく、フォイルはプラズマ形成部位におけるプラズマの生成から生じるデブリ粒子を捕捉するように構成されている。
[0018] 放射源は、汚染トラップを、汚染トラップによって捕捉されたデブリを溶融させるのに十分な温度または汚染トラップによって捕捉されたデブリを蒸発させるのに十分な温度に加熱するように構成されたヒータをさらに含んでもよい。ヒータは誘導ヒータであってもよい。
[0019] 各フォイルの少なくとも一部は、プラズマ形成部位への見通し線を有してよい。
[0020] 各フォイルは、プラズマ形成部位から放射状に延在する軌道に対して４５度未満の角度を規定してよい。
[0021] 各フォイルの少なくとも一部は、プラズマ形成部位の方に、またはプラズマ形成部位付近の場所の方に向いていてよい。
[0022] 本発明の第３態様によると、本発明の第１態様または第２態様を含むか、または本発明の第１態様および第２態様の両方を含むリソグラフィ装置が提供される。
[0023] 本発明の一態様によると、極端紫外線を生成するように構成された放射源が提供される。この放射源は、燃料が放射ビームに接触されてプラズマを形成する位置に配置されたプラズマ形成部位と、ガスが放射源を出ることを可能にするように構成された出口と、少なくとも部分的に出口の内部に配置された汚染トラップとを含む。汚染トラップは、プラズマの形成によって生成されるデブリ粒子を捕捉するように構成されている。
[0024] 本発明の一態様によると、極端紫外線を生成するように構成された放射源が提供される。この放射源は、燃料が放射ビームに接触されてプラズマを形成する位置に配置されたプラズマ形成部位と、ガスが放射源を出ることを可能にするように構成された出口と、放射源の壁に設けられた汚染トラップとを含む。汚染トラップは、放射源の壁から放射源のコレクタに散乱または飛散するデブリ粒子の量を減少させるように構成されている。
[0025] 本発明の一態様によると、極端紫外線を生成するように構成された放射源を含むリソグラフィ装置が提供される。放射源は、燃料が放射ビームに接触されてプラズマを形成する位置に配置されたプラズマ形成部位と、ガスが放射源を出ることを可能にするように構成された出口と、少なくとも部分的に出口の内部に配置された汚染トラップとを含む。汚染トラップは、プラズマの形成によって生成されるデブリ粒子を捕捉するように構成されている。サポートは、パターニングデバイスを支持するように構成されている。パターニングデバイスは、極端紫外線をパターン付けするように構成されている。投影システムは、パターン付き放射を基板上に投影するように構成されている。
[0026] 本発明の一態様によると、極端紫外線を生成するように構成された放射源を含むリソグラフィ装置が提供される。この放射源は、燃料が放射ビームに接触されてプラズマを形成する位置に配置されたプラズマ形成部位と、ガスが放射源を出ることを可能にするように構成された出口と、放射源の壁に設けられた汚染トラップとを含む。汚染トラップは、放射源の壁から放射源のコレクタに散乱または飛散するデブリ粒子の量を減少させるように構成されている。サポートは、パターニングデバイスを支持するように構成されている。パターニングデバイスは、極端紫外線をパターン付けするように構成されている。投影システムは、パターン付き放射を基板上に投影するように構成されている。
[00027] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
[00028] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。 [00029] 図２は、図１のリソグラフィ装置をより詳細に概略的に示す。 [00030] 図３は、本発明の実施形態による、汚染トラップが設けられたリソグラフィ装置の出口を概略的に示す。 [00030] 図４は、本発明の実施形態による、汚染トラップが設けられたリソグラフィ装置の出口を概略的に示す。 [00030] 図５は、本発明の実施形態による、汚染トラップが設けられたリソグラフィ装置の出口を概略的に示す。 [00031] 図６は、本発明の一実施形態による、汚染トラップが設けられたリソグラフィ装置の放射源を概略的に示す。 [00032] 図７は、図６の汚染トラップをより詳細に示す。 [00032] 図８は、図６の汚染トラップをより詳細に示す。 [00033] 図９は、本発明の一実施形態による汚染トラップを示す。 [00034] 図１０は、本発明の一実施形態による汚染トラップおよび関連ヒータを概略的に示す。
[00035] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。装置は、放射ビームＢを調整するように構成された照明システム（照明システム）ＩＬを含む。装置はさらに、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されているサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結されている基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、反射投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
[00036] 照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
[00037] サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
[00038] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
[00039] パターニングデバイスは、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
[00040] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
[00041] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
[00042] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
[00043] 図１を参照すると、照明システムＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯおよび照明システムＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムとともに、放射システムと呼んでもよい。
[00044] 照明システムＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、照明システムの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、照明システムＩＬは、インテグレータおよびコンデンサといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。照明システムを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
[00045] 放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、サポート構造ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
[00046] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
[00047] １．ステップモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
[00048] ２．スキャンモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
[00049] ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[00050] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
[00051] 図２は、放射源ＳＯ、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳを含む図１の装置をより詳細に示す。放射源ＳＯは、プラズマ形成部位２で形成されるプラズマからＥＵＶ放射を生成する。プラズマは、小滴ジェネレータ１５によって生成されるＳｎまたはＧｄなどの適切な材料の小滴上にレーザビーム５を誘導させることによって生成される。レーザビーム５は小滴を気化させ、それによってプラズマを生成する。このタイプの放射源をレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ぶこともできる。
[00052] プラズマ形成部位２におけるプラズマによって放出される放射は、コレクタ３によって集光され、中間焦点８に運ばれる。中間焦点８は、放射源ＳＯ内のアパーチャで仮想源ポイント８としての機能を果たす。放射ビーム９は、放射源ＳＯから、第１法線入射リフレクタ１０および第２法線入射リフレクタ１１を介してサポート構造ＭＴ上に位置決めされたパターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク）へと照明システムＩＬ内で反射する。パターン付けされたビーム１２が形成され、これは、投影システムＰＳにおいて第１反射要素１３および第２反射要素１４を介して基板テーブルＷＴ上で保持されている基板Ｗ上に結像される。示されたものよりも多くの要素が照明システムＩＬおよび投影システムＰＳ内に通常存在してもよい。
[00053] 代替の構成（図示せず）では、ＥＵＶ放射は、放電の部分的にイオン化されたプラズマを光軸上に崩壊させることによって生成することができる（例えば、ピンチ効果を介して）。この放射源を放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源と呼ぶこともできる。１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気、あるいは任意の他の適したガスまたは蒸気の分圧を使用してＥＵＶ放射放出プラズマを生成することができる。
[00054] 図２に示すコレクタ３は単一曲面ミラーであるが、コレクタは他の形状を有していてもよい。例えば、コレクタは、２つの放射集光面を有するシュヴァルツシルト・コレクタであってもよい。一実施形態では、コレクタは、お互いに入れ子化された複数の実質的に円筒形のリフレクタを含むかすめ入射コレクタであってよい。かすめ入射コレクタはＤＰＰ源での使用に適することもできる。
[00055] 通常、コレクタは、プラズマによって生成された放射を集光し、その集光した放射を合焦させて放射ビームを形成するように構成され得る。放射ビームは、放射源ＳＯと照明システムＩＬとの間のアパーチャ６（例示を簡単にするために放射源ＳＯおよび照明システムＩＬにおける別々のアパーチャとして概略的に示す）を通り抜けてよい。アパーチャ６は円形アパーチャであっても別の形状（例えば、楕円形、四角形など）を有していてもよい。アパーチャ６は、例えば、（リソグラフィ装置の光軸を横切る方向で測定された）約１０ｃｍ未満、好ましくは１ｃｍ未満の直径を有するなどといったように小さくてよい。
[00056] レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源または放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源を使用するとき、高速イオンおよび／または中性粒子（例えば、Ｓｎ（スズ））などのデブリの形態で汚染が生成され得る。そのようなデブリは、コレクタ３の（１つ以上の）反射面上に蓄積されてコレクタに反射率を失わせることがあり、それによってコレクタの効率を低下させる。デブリの汚染は、リソグラフィ装置の他の反射型構成要素（例えば、ミラー１０、１１、１３、１４またはパターニングデバイスＭＡ）が時間とともに反射率を失うことをもたらし得る。リソグラフィ装置のスループットは、露光される基板上に入射するＥＵＶ放射の強度による。リソグラフィ装置のコレクタまたは他の反射面上のデブリの蓄積よって生じる反射率のあらゆる減少は、リソグラフィ装置のスループットを減少し得る。
[00057] 本発明の一実施形態では、出口１６はプラズマ形成部位２に隣接して配置される。出口１６は、ガスおよびガス内に含まれるデブリを放射源ＳＯから引き出すように構成される。入口から出口１６へのガス流が確立されるように、ガスは、ガスを放射源ＳＯに導入する１つ以上の入口（図示せず）から提供されてよい。このガス流は、出口１６を介してデブリを放射源ＳＯから引き出すことに役立ち、それによってリソグラフィ装置のコレクタ３および他の反射面の汚染を減少させる。出口１６は、例えばパイプを含んでよい。パイプは、例えば７から１３ｃｍの間の直径、例えば直径１０ｃｍを有してよい。
[00058] 出口１６は９０度の湾曲部１７（図２では四角として示されている）を含む。湾曲部１７の後、出口１６は図２の平面から延在し、それによって出口を放射源ＳＯの外に運んでガスおよびデブリが放射源から除去されることを可能にする。
[00059] 出口１６はレーザビーム５用のレーザビームダンプとしての機能も果たす。このレーザビームは出口１６の後壁に入射する。
[00060] 出口１６の一部を図３でより詳細に示す。パイプを含み得る出口１６は、プラズマ形成部位２に隣接する（例えば、プラズマ形成部位から５ｃｍ未満の）開口部を有する。フォイルトラップ２３の形態を有する汚染トラップは出口１６内に配置されている。フォイルトラップ２３は、お互いに入れ子化された一連のフラスト円錐形フォイル２３ａ〜ｅを含む。最も内側のフォイル２３ａに示す点線によって概略的に表されているように、フラスト円錐形フォイルの断面は円形である。フラスト円錐形フォイル２３ａ〜ｃは、プラズマ形成部位２の方にまたはプラズマ形成部位付近の方に向いている。
[00061] 各フラスト円錐形フォイル２３ａ〜ｃは、出口１６の内面に取り付けられており、隣接するフラスト円錐形フォイルとは間隔を空けて配置されている。隣接するフラスト円錐形フォイル間の間隔は、例えば２０ｍｍ未満、１０ｍｍ未満または５ｍｍ未満であってよい。各フラスト円錐形フォイルが出口１６の表面からの法線に対して規定する角度θは、異なるフラスト円錐形フォイルによって異なる。最も内側のフラスト円錐形フォイル２３ａは、隣接するフラスト円錐形フォイル２３ｂなどより大きい角度θを規定する（例示を簡単にするために第１角度θのみが図３に示されている）。最も外側のフラスト円錐形フォイル２３ｃは最も小さい角度を規定する。フラスト円錐形フォイル２３ａ〜ｅによって規定される角度は、全てのフラスト円錐形フォイルが同じ場所の方に向くような角度であってよい。この場所はプラズマ形成部位２の付近であってよい。場所はプラズマ形成部位２であってもよい。
[00062] フラスト円錐形フォイル２３ａ〜ｅは、直径が異なり得る開口部を有する。例示を簡単にするために、最も内側のフラスト円錐形フォイルの開口部２４ａおよび最も外側のフラスト円錐形フォイルの開口部２４ｅのみを図３に具体的に示して符号付けしている。最も内側のフラスト円錐形フォイル２３ａは最も小さい開口部２４ａを有してよい。最も外側のフラスト円錐形フォイルは最も大きい直径の開口部２４ｅを有してよい。フラスト円錐形フォイル２３ａ〜ｅの開口部は、それぞれがプラズマ形成部位２から（またはプラズマ形成部位付近の場所から）等間隔であるように寸法決めされてよい。これは、プラズマ形成部位２から距離ｄである点線の円によって図３に表される。フラスト円錐形フォイル２３ａ〜ｅの各々の開口部はこの円に位置する。図３が三次元であった場合、点線の円は、フラスト円錐形フォイル２３ａ〜ｅの各々が存在するであろう球体となる。
[00063] 代替の構成では、全てのフラスト円錐形フォイル２３ａ〜ｅは同じサイズの開口部を有してもよい。
[00064] 図３では５つのフラスト円錐形フォイル２３ａ〜ｅが示されているが、あらゆる適切な数のフラスト円錐形フォイルが使用されてもよい。
[00065] フォイルはフラスト円錐形であるように示されて記載されているが、フォイルは他の適切な形状を有していてもよい。例えば、フォイルはほぼ円錐形であってもよい。フォイルは、お互いに入れ子化された1組の円筒形フォイルを含んでよい。フォイルは、プラズマ形成部位２の方にまたはプラズマ形成部位付近の場所の方に向いている部分を含んでよく、さらに、プラズマ形成部位２の方にまたはプラズマ形成部位付近の場所の方に向いていない異なる部分と接続する湾曲部を含んでもよい。湾曲部は、例えばフォイルの中間に位置してもよい。
[00066] 汚染トラップは、同じ軸を有する異なる直径からなるリングまたはフランジを含んでよい。汚染トラップは、プラズマ形成部位２の方にまたはプラズマ形成部位付近の場所の方に向くように位置し得る先細り（テーパー）ブロックを含んでよい。先細りブロックは無作為に配置されてよい。先細りブロックは歯形構造であってよい。
[00067] 通常、汚染トラップは、プラズマ形成部位から放出されるデブリ粒子の軌道（すなわち、プラズマ形成部位から描かれる放射状線）に垂直ではない表面を示すように構成されてよい。汚染トラップは、プラズマ形成部位から放出されるデブリ粒子の軌道（すなわち、プラズマ形成部位から描かれる放射状線）に対して浅い角度を規定する表面を示すように構成されてよい。浅い角度は、例えば４５度未満、３０度未満、２０度未満であってよい。浅い角度は、０から２０度の間、および０から１０度の間であってよい。
[00068] 出口は特定の向き（すなわち、下方に曲がっている）で示されているが、出口はあらゆる適切な向きを有していてもよい。１つより多い出口が設けられてもよい。
[00069] 使用中、燃料小滴は、小滴ジェネレータ１５（図２を参照）によって生成され、プラズマ形成部位２へと移動する。レーザビーム５は燃料小滴に入射し、それによって燃料小滴は気化してＥＵＶ放射を放出するプラズマを形成する。それと同時に、デブリも生成されてプラズマ形成部位２から射出され得る。プラズマ形成部位２から離れてフォイルトラップ２３に向かって（最も外側のフォイル２３ｅと隣接するフォイル２３ｄとの間の空間に）移動するデブリ粒子２５を図３に概略的に示す。さらに、最も外側のフォイル２３ｅと隣接するフォイル２３ｄとの間に捕捉されて出口１６の内面にあるデブリ粒子２５も示されている。デブリ粒子２５の捕捉は、出口の内面から散乱（または飛散）してその後にフォイル２３ｄおよびフォイル２３ｅのうちの１つに入射してフォイルに付着するデブリ粒子を含んでよい。あるいは、デブリ粒子２５の捕捉は、デブリ粒子がフォイル２３ｄおよびフォイル２３ｅのうちの１つに浅い入射角で入射し、それによってフォイルに付着することを含んでもよい。
[00070] デブリ粒子２５を捕捉することは、デブリ粒子２５がコレクタ３（図２を参照）に入射してコレクタの反射率を減少させることを防止する。フォイルトラップ２３が存在しない場合、デブリ粒子が出口の内面に入射し、そこから散乱または飛散し、その後コレクタへと移動されるというリスクがある。フォイルトラップ２３は、デブリ粒子が出口１６からコレクタへと散乱または飛散する可能性を下げる。通常、出口における汚染トラップ（フォイルトラップ２３が一例である）の存在は、デブリが出口１６（パイプであり得る）からコレクタへと散乱または飛散する可能性を下げることがあると言える。
[00071] フォイルトラップ２３（または他の汚染トラップ）は、プラズマ形成部位２から届くデブリ粒子２５を通過させる（または実質的に通過させる）機能、出口１６の壁から散乱または飛散したデブリ粒子２５に対する障害物を作り出す機能、およびかすめ入射（または浅い入射角）においてプラズマからフォイル上へのデブリ粒子を受け入れる機能のうちの１つ以上を行うことができる。これらの機能は、デブリ粒子がフォイルに貼り付いてコレクタに散乱または飛散しないように役立つことができる。
[00072] 出口１６からコレクタ３へと散乱または飛散するデブリ粒子（例えば、燃料小滴がスズから形成される場合、スズ粒子）の数の可能な抑制係数は、例えば１０より大きい、５０より大きい、または１００より大きくてもよい。抑制係数は、汚染トラップが存在しないときに散乱または飛散したであろうデブリ粒子の数を、汚染トラップが存在するときに実際に散乱または飛散したデブリ粒子の数で割った数である。
[00073] 直径約１００ｎｍを有するデブリ粒子に対して、抑制係数はフォイルの厚さｔおよび長さｌ、ならびにフォイル間の距離ｄによって決定される。厚さｔは、フォイル（フォイルは開口部で鋭くなり得る）に向かって移動するデブリ粒子に見られるように、フォイル２３ａ〜ｅの開口部２４ａおよびｅで測定される。プラズマから届く粒子に対する透過係数は
Figure 2012502492
 であり、出口から散乱または飛散した後に戻る小滴に対する透過係数は
Figure 2012502492
 である。
[00074] 一実施形態では、直径１００ｎｍのデブリ粒子に対しては、フォイルトラップのフォイル２３ａ〜ｅはｄ＝５ｍｍで引き離され、ｔ＝０．１ｍｍの厚さおよびｌ＝５０ｍｍの長さを有する。プラズマからフォイルトラップに向かって移動するデブリ粒子に対する透過係数Ｓは０．９８である。フォイルトラップを通って戻る散乱または飛散したデブリ粒子に対する透過係数Ｔは０．０１である。透過係数を組み合わせて以下の抑制係数Ｆを決定することができる。
Figure 2012502492
[00075] 図４は、出口１６に設けられた汚染トラップが一連のフォイル２７を含むフォイルトラップである本発明の一実施形態を示しており、各フォイルは同じ形状および寸法を有する。フォイル２７はフラスト円錐形であるが、図３に示すフォイルとは異なり、フォイルによって画定される開口部２８は全て同じサイズである。フォイル２７、よって開口部２８の全ては、プラズマ形成部位２から異なる距離によって離れている。フォイルトラップは、図３に示すフォイルトラップと同じように機能し、プラズマから放出されるデブリ粒子２５を受けて捕捉する。
[00076] 図５は、出口１６に設けられた汚染トラップが一連のフォイル２９ａ〜ｆを含むフォイルトラップである本発明の一実施形態を示しており、各フォイルは複合形態（１つより多いフラスト円錐形から成る形態）を有する。フォイルは略フラスト円錐形であるが、出口１６の表面からの法線に対して異なる角度θで規定する異なる部分を有する。プラズマ形成部位２に最も近い各フォイル２９ａ〜ｆのその部分（以下、第１部分Ａと呼ぶ）は同じ場所の方に向いていてよい。この場所はプラズマ形成部位２の付近であってよい。場所はプラズマ形成部位２であってもよい。
[00077] さらにプラズマ形成部位２から離れている各フォイルの部分（以下、第２部分Ｂと呼ぶ）は、法線に対して異なる角度θを規定してもよい。第２部分Ｂによって規定される角度θは、第１部分Ａによって規定される角度より大きくてよい。プラズマ形成部位２からさらに離れている各フォイルの部分（以下、第３部分Ｃと呼ぶ）は、法線に対して異なる角度θを規定してもよい。第３部分Ｃによって規定される角度θは、第２部分によって規定される角度より大きくてよい。
[00078] フォイル２９ａ〜ｆは、出口１６に固定されたサポート構造（図示せず）によって支持される。
[00079] フラスト円錐形フォイル２９ａ〜ｆは、直径が異なり得る開口部を有する。例示を簡単にするために、最も外側のフラスト円錐形フォイル２９ｆの開口部２２のみを図５に具体的に示して符号付けしている。最も外側のフラスト円錐形フォイル２９ｆは最も大きい直径の開口部２２を有してよい。最も内側のフラスト円錐形フォイル２９ａは最も小さい直径の開口部を有してよい。フラスト円錐形フォイル２９ａ〜ｆの開口部は、それぞれがプラズマ形成部位２から（またはプラズマ形成部位付近の場所から）等間隔であるように寸法決めされてよい。
[00080] 図５に示すフォイル２９ａ〜ｆの複合形状は、フォイルに入射するデブリ粒子２５がコレクタへと散乱または飛散する可能性を下げるように選択される。例えば、外側フォイル２９ｆでは、このフォイルの第１部分Ａは、プラズマ形成部位２またはプラズマ形成部位付近の場所の方に向いている。これは、デブリ粒子２５がコレクタに向かって散乱または飛散する可能性は低いが、その代わりにこのフォイル２９ｆと隣接するフォイル２９ｅとの間にデブリ粒子を受ける可能性が高いという結果を有する。デブリ粒子２５が一度受け取られると、デブリ粒子２５はフォイル２９ｆに沿って散乱または飛散し、それによってフォイルの第２部分Ｂまたは第３部分Ｃへと入り得る。フォイルの第２部分Ｂおよび第３部分Ｃによって規定される異なる角度は、コレクタへの経路を移動することをより難しくする効果を有しており、それによってデブリ粒子２５が第２部分および第３部分からコレクタへと散乱または飛散する可能性を下げる。
[00081] 出口１６からの法線に対して異なる角度θを規定する３つの異なるフォイル部分Ａ〜Ｃが図５で符号付けされているが、全てのフォイルが異なる角度を規定する３つの異なる部分を有するとは限らない。１つ以上のフォイルは、例えば、異なる角度を規定する２つの部分を有する。通常、あらゆる数のフォイルはあらゆる数の部分を含み得る。１つ以上のフォイルは、出口１６の表面からの法線に対して９０度より大きい角度を規定する部分を含んでよい。
[00082] 図３から図５のフォイルトラップの１つ以上の特徴をお互い組み合わせてもよい。この特徴は、開口部を有するフォイルがプラズマ形成部位から異なる距離であること、開口部を有するフォイルがプラズマ形成部位から同じ距離であること、フォイルが出口１６の表面からの法線に対して同じ角度を規定すること、ファイルが出口１６からの法線に対して異なる角度を規定すること、フォイルが異なるサイズの開口部を有すること、フォイルが同じサイズの開口部を有すること、および全てのフォイルがプラズマ形成部位またはプラズマ形成部位付近の方に向いていることを含む。あらゆる適切な数のフォイルを設けてもよい（例えば、３つより多い、５つより多い、７つより多いフォイルなど）。
[00083] 上記したものと同じまたは同様の構造が出口以外の（または出口に加えて）放射源ＳＯ内の場所に設けられてもよい。例えば、構造は、プラズマに直接露光される放射源ＳＯの部分上（すなわち、プラズマ形成部位２への見通し線を有する）に設けられてもよい。一実施形態では、汚染トラップは放射源ＳＯの壁に設けられてもよい。
[00084] 図６は、図２の放射源ＳＯをより詳細に示す。例示を簡単にするために、図６では、放射源ＳＯはある角度ではなく水平に位置されているが、放射源ＳＯはあらゆる角度で位置されてもよい。（図２のように）概略的な囲いを単に示すより、放射源ＳＯの壁３０を示されている。
[00085] 図６に示すように、コレクタ３は、レーザビーム５が通る開口部３１を含む。レーザビームはプラズマ形成部位２上に合焦され、ここでは小滴ジェネレータ１５によって生成される燃料小滴に入射し、それによってＥＵＶ放射を放出するプラズマを生成する。
[00086] プラズマはさまざまな方向にＥＵＶ放射を放出する。しかしながら、コレクタ３が有限の半径および開口部３１を有することにより、全てのＥＵＶ放射はコレクタによって集光されない。適切なコレクタ３の半径の一例は３２０ｍｍであるが、他の半径を有するコレクタを使用してもよい。コレクタ３の内側縁３２ａおよび外側縁３２ｂは合わせて、コレクタから中間焦点へと誘導されるＥＵＶ放射３３の円錐を画定する（中間焦点は図６の端を超えているが、図２に示されている）。ＥＵＶ放射円錐３３は、点線３３ａによって示される内側境界および点線３３ｂによって示される外側境界を有する。
[00087] １つ以上の汚染トラップ２３および３４は、コレクタ３によって形成されるＥＵＶ放射円錐３３の外側にある場所に設けられてよい。例えば、出口１６および関連する汚染トラップ２３（フォイルを含み得る）は、ＥＵＶ放射円錐３３の内側境界３３ａ内に設けられてよい。汚染トラップ３４は、ＥＵＶ放射円錐３３の外側境界３３ｂの外に設けられてよい。汚染トラップ３４の断面斜視図を図７に示している。
[00088] 上記したように、出口１６は、図６の平面の外に延在する部分１７を含み得るパイプであってもよい。パイプのこの部分１７は、ＥＵＶ放射円錐３３を横切り、それによって一部のＥＵＶ放射を遮る。パイプは、遮られる一部または全てのＥＵＶ放射が放射源ＳＯの他の何らかの構成要素（図示せず）によって遮られたであろう放射であるように構成されてよい。汚染トラップが出口１６（例えば、パイプ）内に設けられているため、または大部分の汚染トラップが出口（またはパイプ）内に設けられているため、少量のＥＵＶ放射が汚染トラップ自体（例えば、フォイルトラップ２３）によって遮られるかＥＵＶ放射は全く遮られなくてよい。
[00089] ＥＵＶ放射円錐３３の外側境界３３ｂの外に設けられた汚染トラップ３４は、放射源ＳＯの壁３０から延在する複数のフォイル３４ａ〜ｈを含んでよい。フォイル３４ａ〜ｈはフラスト円錐形であってよく、図６では全体像が三次元で示される。フォイル３４ａ〜ｈは、ＥＵＶ放射円錐３３へと延在しないように構成されてよく、それによって、フォイルがリソグラフィ装置によって利用可能であるＥＵＶ放射の量を減少することを回避する。フォイル３４は、デブリ粒子が放射源の壁３０から散乱または飛散し、コレクタ３上に入射する可能性を下げる。
[00090] フォイル３４ａ〜ｈは、図３および図４について上述したあらゆる特徴または構成を含むことができる。汚染トラップ３４は、先細りブロックまたは他の何らかの適切な構造を含むことができる。隣接するフォイル３４ａ〜ｈの間の間隔は、例えば、４０ｍｍ未満、２０ｍｍ未満、１０ｍｍ未満または５ｍｍ未満であってもよい。放射源ＳＯの壁３０に設けられた隣接するフォイル３４ａ〜ｈの間隔は、出力１６の中に設けられた隣接するフォイルの間隔とは異なり得る。放射源の壁に設けられた隣接するフォイル３４ａ〜ｈの間隔は、出口１６内に設けられた隣接するフォイルの間隔より小さい場合がある。
[00091] 小滴ジェネレータ１５は、図６では放射源ＳＯの光軸Ｏに対して約７０度の角度で示されているが、小滴ジェネレータ１５はあらゆる適切な角度で設けられてもよい。例えば、小滴ジェネレータ１５は、光軸Ｏに垂直に位置していてもよい。この場合、１つ以上のフォイル３４ａ〜ｈは、小滴ジェネレータ（図６では右に移動される）を適合させるために除去されてもよい。あるいは、１つ以上のフォイル３４ａ〜ｈにギャップが設けられてもよい。通常、放射源ＳＯの構成要素を適合させるために１つ以上のフォイルにギャップを設けることが可能な場合がある（すなわち、フォイルが全周囲に延在しないように）。そのような状況下では、ギャップが設けられているフォイルは、まだフラスト円錐形として記載されていてよい。
[00092] 図８は、図４および図５の汚染トラップ３４の側面図である。図８では、放射源の壁３０からの法線に対する１つのフォイル３４ａの角度θは符号付けされている（例示を明確にするために、他のフォイルの角度は符号付けされていない）。例示したように、フォイル３４ａ〜ｈの各々の角度は、各フォイルが同じ場所２ａに向くように異なる。プラズマ形成部位２ａがこの場所に設けられてもよい。この場合、プラズマから放出されたデブリ粒子は、フォイル３４ａ〜ｈ上に視射角で入射する。プラズマ形成部位はあらゆる適切な場所であってもよい。例えば、プラズマ形成部位は、図８に示す４つの場所２ａ〜ｄのうちのいずれか（またはその間の場所）に設けられてもよい。
[00093] デブリ粒子がフォイル上に入射する角度は、フォイル３４ａ〜ｈに対するプラズマ形成部位２ａ〜ｄの場所による。図８は、これを、いくつかの可能なデブリ粒子軌道を点線３５として示すことによって表している。全ての場合において、各フォイル３４ａ〜ｈの側面からプラズマ形成部位２ａ〜ｄまでの見通し線があり、プラズマから放出されるデブリ粒子は、浅い角度で所定のフォイル３４ａ〜ｈに入射する。浅い角度は、例えば、４５度未満、３０度未満または２０度未満であってもよい。浅い角度は、０度から２０度の間、０度から１０度の間であってもよい。
[00094] プラズマ形成部位が場所２ａにあった場合、フォイル３４ａ〜ｈはプラズマ形成部位２ａの方に向いているものとして記載されてよい。プラズマ形成部位が他の場所２ｂ〜ｄのうちの１つ（または２ａと２ｄとの間のある場所）にあった場合、フォイルはプラズマ形成部位付近の方に向いているものとして記載されてよい。
[00095] 図６から図８に示されたものに対応する汚染トラップは、放射源ＳＯの壁以外のある場所に設けられてもよい。
[00096] 図９は、汚染トラップが先細りブロック３９を含む本発明の一実施形態を示している。先細りブロック３９は、出口１６（パイプであり得る）の内面から延在するか、放射源の壁の内面から延在するか、または他のあらゆる適切な場所から延在してもよい。先細りブロック３９は、規則的または不規則に位置決めされてよい（例えば、無作為に位置決めされる）。先細りブロック３９は、プラズマ形成部位２またはプラズマ形成部位付近の場所の方に向くように構成されてよい。先細りブロックは、例えば、歯形構造を含んでもよい。ブロックの先細りは、プラズマ形成部位２またはプラズマ形成部位付近の場所に向かって位置していてもよい。
[00097] 汚染トラップ（例えば、上記したあらゆる汚染トラップ）は加熱されてもよい。汚染トラップの加熱は、デブリ粒子が汚染トラップに入射した場合に制御されていない方向に散乱または飛散する可能性を下げることができる。
[00098] 汚染トラップは、その汚染トラップによって捕捉されたデブリ粒子の少なくとも一部（実質的に全ての可能性がある）が蒸発するのに十分に高い温度にまで加熱されてよい。その後、蒸発した汚染を、例えば出口１６を通るガス流によってトラップから除去することができる。例えば、デブリはスズ粒子を含み、これはトラップによって捕獲されて蒸発し、その後ガス流によってトラップから除去される。
[00099] 汚染トラップは、その汚染トラップによって捕捉されたデブリ粒子の少なくとも一部（実質的に全ての可能性がある）が溶融するのに十分に高い温度にまで加熱されてよい。温度は、ほとんどの汚染が蒸発しないように十分に低くてよい。溶融した汚染（例えば、スズ）は、放射源から収集および除去されてよい。汚染を溶融および除去することは、放射源の表面上の蒸発した汚染の後に起こる凝結が回避されるという点について、汚染を蒸発および除去するより有利である。さらに、蒸発した汚染によるＥＵＶ放射の吸収は回避される。
[00100] 図１０に示すように、外部の熱源は誘導ヒータ４０であってもよい。誘導ヒータ４０はコイル（図示せず）を含んでおり、フォイル４５ａ〜ｄ内に渦電流を誘導するように構成され、それによってフォイルを加熱する。フォイル４５ａ〜ｄは、渦電流によってフォイルに発生する熱が伝導によって各フォイルにわたって分布されるような良い熱導体である材料から成ってよい。他の形態のヒータ（例えば、電気抵抗率に基づくヒータ）を使用してもよい。
[00101] フォイルは、例えば、ある角度に位置し得るパイプの壁４１に設けられてよい。誘導ヒータ４０によって生成される熱の漏れを防ぐために、断熱材の壁４２の形態を有するシールドがパイプ４１の外に設けられてよい。断熱材の壁４２には、水などの適切な冷却流体が中を流れる１つ以上の冷却チューブが設けられてよい。図示した実施形態では、冷却チューブ４３が断熱材の壁４２内に設けられているが、冷却チューブは断熱材の壁４２の内面または外面に配置されてもよい。特に誘導ヒータ４０が断熱材の壁４２の外に位置決めされている場合に断熱材の壁４２の加熱を防ぐために、断熱材の壁４２は、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素などの非導電性材料から形成されてよい。断熱材の壁４２の中の冷却チューブ４３は加熱されるべきではなく、したがって非導電性材料から生成されてもよい。
[00102] 誘導ヒータ４０は、フォイル４５ａ〜ｄをデブリ粒子（例えば、スズ）の溶融温度より上に加熱するように構成されてよく、それによってデブリは液状形態のまま残り、これは液体デブリがフォイルの上に流れることを可能にする。
[00103] フォイル４５ａ〜ｄのうちの少なくともいくつかは、液体デブリがフォイルに沿って流れ、その後そのフォイルから隣接するフォイル上に落ちる（例えば、重力によって）ことができるように構成されてよい。例えば、デブリ粒子２５はフォイル４５ｃ上に落ちてここで溶ける。液体デブリ２５は、フォイル４５ｃに沿って流れ、そのフォイルから隣接するフォイル４５ｂ上に落ちる。その後液体デブリ２５は、そのフォイル４５ｂに沿って流れ、隣接するフォイル４５ａに上に落ちる。このフォイルは、液体デブリがフォイル４５ａの基部に向かって流れるように曲がっている。このフォイル４５ａの基部にはチャネル（または他の開口部-図示せず）が設けられており、それによって液体デブリ２５はこのチャネルを通って流れることができる。したがって、液体デブリ２５は、パイプの壁４１に沿って流れて受け器４４内に落ちることができる。ドレイン（図示せず）は、受け器４４から放射源ＳＯの外へと液体デブリから排出することができる。
[00104] 図１０に示す構成の代替としては、複数のフォイル（あるいは全てのフォイル）の全ては、液体デブリがフォイルの基部に向かうように位置していてよい。フォイルにはチャネルまたは他の開口部が設けられてもよく、これは液体デブリがフォイルの下を通ってコレクタの中へと流れることを可能にする。
[00105] 一般には、フォイルの向きは、液体デブリの所望の流れの方向を提供するように選択されてよい。
[00106] 加熱されたフォイルは、出口（例えば、パイプ）の内面、放射源の壁または他のあらゆる適切な場所に設けられてよい。
[00107] あらゆるフォイル、先細りブロックまたは他の汚染トラップがヒータによって加熱されてもよい。ヒータは、誘導ヒータまたは他のある形態を有するヒータであってよい。
[00108] 本発明の実施形態の上記説明は、リソグラフィ装置の反射面に言及している。これらは、リソグラフィ装置の光学面の例として考えられてもよい。リソグラフィ装置の全ての光学面が反射型であるとは限らない。
[00109] 上記で使用された極端紫外線（ＥＵＶ）という用語は、２０ｎｍ未満の波長、例えば１０〜２０ｎｍの範囲、例えば１３〜１４ｎｍの範囲、例えば５〜１０ｎｍの範囲、例えば６．７ｎｍまたは６．８ｎｍの波長を有する電磁放射を意味していると解釈することができる。
[00110] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
[00111] 上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
[00112] 本発明は、実施形態で記載されたようなリソグラフィ装置の適用またはリソグラフィ装置における使用に限定されない。さらに、図面は、通常、本発明を理解するために必要である要素および特徴のみを含む。そのうえ、リソグラフィ装置の図面は概略的であり、縮尺どおりではない。本発明は、概略図で示される要素（例えば、概略図で示されるミラーの数）に限定されない。
[00113] 上述の実施形態を組み合わせてもよいことが当業者に理解されるであろう。

Claims (27)

  1. 極端紫外線を生成する放射源であって、前記放射源は、
    燃料が放射ビームに接触されてプラズマを形成する位置に配置されたプラズマ形成部位と、
    ガスが前記放射源を出ることを可能にする出口と、
    少なくとも部分的に前記出口の内部に配置された汚染トラップであって、前記プラズマの形成によって生成されるデブリ粒子を捕捉するように構成されている、汚染トラップと
    を含む、放射源。
  2. 前記汚染トラップは複数のフォイルから形成されたフォイルトラップを含んでおり、前記フォイルは前記デブリ粒子を捕捉するように構成されている、請求項１に記載の放射源。
  3. 前記出口はパイプを含んでいる、請求項１に記載の放射源。
  4. 前記複数のフォイルのうちの少なくともいくつかは前記出口によって支持されている、請求項２に記載の放射源。
  5. 前記汚染トラップは複数の先細りブロックを含んでおり、前記先細りブロックは前記デブリ粒子を捕捉するように構成されている、請求項１に記載の放射源。
  6. 前記汚染トラップを、前記汚染トラップによって捕捉されたデブリを溶融させるのに十分な温度または前記汚染トラップによって捕捉されたデブリを蒸発させるのに十分な温度に加熱するヒータをさらに含む、請求項１に記載の放射源。
  7. 前記ヒータは誘導ヒータである、請求項６に記載の放射源。
  8. 前記汚染トラップは複数のフォイルから形成されたフォイルトラップを含んでおり、前記フォイルは前記デブリ粒子を捕捉するように構成され、前記誘導ヒータは前記フォイルを加熱するように構成されている、請求項７に記載の放射源。
  9. 各フォイルの少なくとも一部は、前記プラズマ形成部位への見通し線を有する、請求項２に記載の放射源。
  10. 各フォイルは、前記プラズマ形成部位から放射状に延在する軌道に対して４５度未満の角度を規定する、請求項９に記載の放射源。
  11. 各フォイルの少なくとも一部は、前記プラズマ形成部位の方に、または前記プラズマ形成部位付近の場所の方に向いている、請求項２に記載の放射源。
  12. 前記フォイルは複合形状を有する、請求項２に記載の放射源。
  13. 極端紫外線を生成する放射源であって、前記放射源は、
    燃料が放射ビームに接触されてプラズマを形成する位置に配置されたプラズマ形成部位と、
    ガスが前記放射源を出ることを可能にする出口と、
    前記放射源の壁に設けられた汚染トラップであって、前記放射源の前記壁から前記放射源のコレクタに散乱または飛散するデブリ粒子の量を減少させるように構成されている、汚染トラップと
    を含む、放射源。
  14. 前記汚染トラップは、前記コレクタによって形成されたＥＵＶ放射錐体の外側境界の外に設けられている、請求項１３に記載の放射源。
  15. 前記汚染トラップは複数のフォイルから形成されたフォイルトラップを含んでおり、前記フォイルは、前記プラズマ形成部位におけるプラズマの生成から生じるデブリ粒子を捕捉するように構成されている、請求項１３に記載の放射源。
  16. 前記汚染トラップは複数の先細りブロックを含んでおり、前記先細りブロックは、前記プラズマ形成部位におけるプラズマの生成から生じるデブリ粒子を捕捉するように構成されている、請求項１３に記載の放射源。
  17. 前記汚染トラップを、前記汚染トラップによって捕捉されたデブリを溶融させるのに十分な温度または前記汚染トラップによって捕捉されたデブリを蒸発させるのに十分な温度に加熱するヒータをさらに含む、請求項１３に記載の放射源。
  18. 前記ヒータは誘導ヒータである、請求項１７に記載の放射源。
  19. 前記汚染トラップは複数のフォイルから形成されたフォイルトラップを含んでおり、前記フォイルは、前記プラズマ形成部位におけるプラズマの生成から生じるデブリ粒子を捕捉するように構成され、前記誘導ヒータは前記フォイルを加熱するように構成されている、請求項１８に記載の放射源。
  20. 各フォイルの少なくとも一部は、前記プラズマ形成部位への見通し線を有する、請求項１５に記載の放射源。
  21. 各フォイルは、前記プラズマ形成部位から放射状に延在する軌道に対して４５度未満の角度を規定する、請求項２０に記載の放射源。
  22. 各フォイルの少なくとも一部は、前記プラズマ形成部位の方に、または前記プラズマ形成部位付近の場所の方に向いている、請求項１５に記載の放射源。
  23. 前記フォイルは複合形状を有する、請求項１５に記載の放射源。
  24. 請求項１に記載の放射源を含む、リソグラフィ装置。
  25. 請求項１３に記載の放射源を含む、リソグラフィ装置。
  26. リソグラフィ装置であって、
    極端紫外線を生成する放射源であって、前記放射源は、
    燃料が放射ビームに接触されてプラズマを形成する位置に配置されたプラズマ形成部位と、
    ガスが前記放射源を出ることを可能にする出口と、
    少なくとも部分的に前記出口の内部に配置された汚染トラップであって、前記プラズマの形成によって生成されるデブリ粒子を捕捉するように構成されている、汚染トラップとを含む、放射源と
    前記極端紫外線をパターン付けするパターニングデバイスを支持するサポートと、
    パターン付き放射を基板上に投影する投影システムと
    を含む、リソグラフィ装置。
  27. リソグラフィ装置であって、
    極端紫外線を生成する放射源であって、前記放射源は、
    燃料が放射ビームに接触されてプラズマを形成する位置に配置されたプラズマ形成部位と、
    ガスが前記放射源を出ることを可能にする出口と、
    前記放射源の壁に設けられ、前記放射源の前記壁から前記放射源のコレクタに散乱または飛散するデブリ粒子の量を減少させる汚染トラップとを含む、放射源と
    前記極端紫外線をパターン付けするパターニングデバイスを支持するサポートと、
    パターン付き放射を基板上に投影する投影システムと
    を含む、リソグラフィ装置。
JP2011526438A 2008-09-11 2009-07-21 放射源およびリソグラフィ装置 Active JP5553833B2 (ja)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US9623608P 2008-09-11 2008-09-11
US61/096,236 2008-09-11
US13679008P 2008-10-03 2008-10-03
US61/136,790 2008-10-03
US14874109P 2009-01-30 2009-01-30
US61/148,741 2009-01-30
PCT/EP2009/059337 WO2010028899A1 (en) 2008-09-11 2009-07-21 Radiation source and lithographic apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012502492A true JP2012502492A (ja) 2012-01-26
JP5553833B2 JP5553833B2 (ja) 2014-07-16

Family

ID=41153222

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011526438A Active JP5553833B2 (ja) 2008-09-11 2009-07-21 放射源およびリソグラフィ装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8755032B2 (ja)
EP (1) EP2321704B1 (ja)
JP (1) JP5553833B2 (ja)
KR (2) KR101697610B1 (ja)
CN (2) CN103257532B (ja)
NL (1) NL2003252A (ja)
WO (1) WO2010028899A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010123928A (ja) * 2008-10-23 2010-06-03 Gigaphoton Inc 極端紫外光光源装置
JP2015515141A (ja) * 2012-04-23 2015-05-21 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置用の汚染トラップ
JP2015521785A (ja) * 2012-06-22 2015-07-30 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 放射源及びリソグラフィ装置
JP2016502737A (ja) * 2012-11-15 2016-01-28 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 放射源およびリソグラフィのための方法
JP2016528530A (ja) * 2013-06-28 2016-09-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． Ｅｕｖ光学リソグラフィ装置用の放射源及び当該放射源を備えるリソグラフィ装置
JP2016540261A (ja) * 2013-10-16 2016-12-22 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 放射源、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、センサシステム及びセンシング方法
JP2019522246A (ja) * 2016-07-29 2019-08-08 エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． 膜アセンブリおよび粒子トラップ

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8368039B2 (en) * 2010-04-05 2013-02-05 Cymer, Inc. EUV light source glint reduction system
WO2012100846A1 (en) * 2011-01-25 2012-08-02 Asml Netherlands B.V. Conduit for radiation, suitable for use in a lithographic apparatus
US9516730B2 (en) 2011-06-08 2016-12-06 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for buffer gas flow stabilization in a laser produced plasma light source
EP2533078B1 (en) * 2011-06-09 2014-02-12 ASML Netherlands BV Radiation source and lithographic apparatus
US8993976B2 (en) * 2011-08-19 2015-03-31 Asml Netherlands B.V. Energy sensors for light beam alignment
WO2013127587A2 (en) * 2012-02-27 2013-09-06 Asml Netherlands B.V. Source collector apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102012217120A1 (de) * 2012-09-24 2014-03-27 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh EUV-Strahlungserzeugungsvorrichtung und Betriebsverfahren dafür
WO2014121873A1 (en) * 2013-02-08 2014-08-14 Asml Netherlands B.V. Radiation source for an euv optical lithographic apparatus, and lithographic apparatus comprising such a power source
JP6395832B2 (ja) * 2013-08-02 2018-09-26 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 放射源用コンポーネント、関連した放射源およびリソグラフィ装置
US8901523B1 (en) * 2013-09-04 2014-12-02 Asml Netherlands B.V. Apparatus for protecting EUV optical elements
CN103869633B (zh) * 2014-04-11 2015-08-05 哈尔滨工业大学 极紫外光刻光源收集及照明系统
US10955749B2 (en) 2017-01-06 2021-03-23 Asml Netherlands B.V. Guiding device and associated system
WO2018127565A2 (en) * 2017-01-06 2018-07-12 Asml Netherlands B.V. Guiding device and associated system
US10149374B1 (en) * 2017-08-25 2018-12-04 Asml Netherlands B.V. Receptacle for capturing material that travels on a material path
WO2019081105A1 (en) * 2017-10-26 2019-05-02 Asml Netherlands B.V. APPARATUS FOR RECEIVING CONDUCTIVE FUEL
KR102680272B1 (ko) * 2018-11-06 2024-07-01 삼성전자주식회사 Euv 집광 장치 및 상기 euv 집광 장치를 포함하는 리소그래피 장치
JP7359123B2 (ja) * 2020-10-12 2023-10-11 ウシオ電機株式会社 極端紫外光光源装置および受け板部材の保護方法
CN114518691A (zh) * 2020-11-19 2022-05-20 中国科学院微电子研究所 激光等离子体极紫外光源系统及其监控方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006196890A (ja) * 2004-12-28 2006-07-27 Asml Netherlands Bv 放射ビームから粒子をフィルタ除去するように動作可能なフィルタ・システムを提供する方法、フィルタ・システム、装置、及びフィルタ・システムを含むリソグラフィ装置
JP2007019031A (ja) * 2002-10-03 2007-01-25 Asml Netherlands Bv 放射線源、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2007194590A (ja) * 2005-11-23 2007-08-02 Asml Netherlands Bv 放射システムおよびリソグラフィ装置
JP2008166772A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Asml Netherlands Bv デブリ低減システム及びリソグラフィ装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1008352C2 (nl) 1998-02-19 1999-08-20 Stichting Tech Wetenschapp Inrichting, geschikt voor extreem ultraviolet lithografie, omvattende een stralingsbron en een verwerkingsorgaan voor het verwerken van de van de stralingsbron afkomstige straling, alsmede een filter voor het onderdrukken van ongewenste atomaire en microscopische deeltjes welke door een stralingsbron zijn uitgezonden.
US6576912B2 (en) * 2001-01-03 2003-06-10 Hugo M. Visser Lithographic projection apparatus equipped with extreme ultraviolet window serving simultaneously as vacuum window
KR100589236B1 (ko) * 2002-08-15 2006-06-14 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 투영장치 및 상기 장치에 사용하는 반사기조립체
DE602004028446D1 (de) 2003-03-18 2010-09-16 Koninkl Philips Electronics Nv Einrichtung und verfahren zur erzeugung von extrem-ultraviolett-und/oder weicher röntgenstrahlung mittels eines plasmas
EP1491963A3 (en) * 2003-06-27 2005-08-17 ASML Netherlands B.V. Laser produced plasma radiation system with contamination barrier
JP4327799B2 (ja) 2003-08-27 2009-09-09 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 光源、とくにｅｕｖプラズマ放電源のための傾斜ミラーの垂直入射コレクタシステム
KR100694572B1 (ko) * 2003-11-11 2007-03-13 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 오염 억제를 위한 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 이에 의해 제조된 디바이스
US8173975B2 (en) * 2004-03-31 2012-05-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for removing particles generated by means of a radiation source during generation of short-wave radiation
US7397056B2 (en) * 2005-07-06 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, contaminant trap, and device manufacturing method
US7332731B2 (en) 2005-12-06 2008-02-19 Asml Netherlands, B.V. Radiation system and lithographic apparatus
US20070170379A1 (en) * 2006-01-24 2007-07-26 Nikon Corporation Cooled optical filters and optical systems comprising same
US7696492B2 (en) 2006-12-13 2010-04-13 Asml Netherlands B.V. Radiation system and lithographic apparatus
EP2161725B1 (en) * 2008-09-04 2015-07-08 ASML Netherlands B.V. Radiation source and related method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007019031A (ja) * 2002-10-03 2007-01-25 Asml Netherlands Bv 放射線源、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2006196890A (ja) * 2004-12-28 2006-07-27 Asml Netherlands Bv 放射ビームから粒子をフィルタ除去するように動作可能なフィルタ・システムを提供する方法、フィルタ・システム、装置、及びフィルタ・システムを含むリソグラフィ装置
JP2007194590A (ja) * 2005-11-23 2007-08-02 Asml Netherlands Bv 放射システムおよびリソグラフィ装置
JP2008166772A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Asml Netherlands Bv デブリ低減システム及びリソグラフィ装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010123928A (ja) * 2008-10-23 2010-06-03 Gigaphoton Inc 極端紫外光光源装置
US8569723B2 (en) 2008-10-23 2013-10-29 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light source apparatus
JP2015515141A (ja) * 2012-04-23 2015-05-21 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置用の汚染トラップ
JP2018022196A (ja) * 2012-04-23 2018-02-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置用の汚染トラップ
JP2015521785A (ja) * 2012-06-22 2015-07-30 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 放射源及びリソグラフィ装置
JP2016502737A (ja) * 2012-11-15 2016-01-28 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 放射源およびリソグラフィのための方法
JP2018194860A (ja) * 2012-11-15 2018-12-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 放射源およびリソグラフィのための方法
JP2016528530A (ja) * 2013-06-28 2016-09-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． Ｅｕｖ光学リソグラフィ装置用の放射源及び当該放射源を備えるリソグラフィ装置
JP2016540261A (ja) * 2013-10-16 2016-12-22 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 放射源、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、センサシステム及びセンシング方法
JP2019522246A (ja) * 2016-07-29 2019-08-08 エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． 膜アセンブリおよび粒子トラップ
JP7097872B2 (ja) 2016-07-29 2022-07-08 エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． ステージ装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160003324A (ko) 2016-01-08
KR101697610B1 (ko) 2017-01-18
NL2003252A (en) 2010-03-16
CN102144191A (zh) 2011-08-03
EP2321704A1 (en) 2011-05-18
US8755032B2 (en) 2014-06-17
WO2010028899A1 (en) 2010-03-18
EP2321704B1 (en) 2018-06-13
JP5553833B2 (ja) 2014-07-16
CN103257532B (zh) 2015-04-22
US20110164236A1 (en) 2011-07-07
CN102144191B (zh) 2013-11-27
KR20110070859A (ko) 2011-06-24
CN103257532A (zh) 2013-08-21
KR101652364B1 (ko) 2016-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5553833B2 (ja) 放射源およびリソグラフィ装置
KR100589236B1 (ko) 리소그래피 투영장치 및 상기 장치에 사용하는 반사기조립체
JP4799620B2 (ja) 放射システムおよびリソグラフィ装置
JP5070264B2 (ja) ソースモジュール、放射ソースおよびリソグラフィ装置
JP5162546B2 (ja) 放射源及びリソグラフィ装置
JP5027192B2 (ja) 放射源および極端紫外線放射を発生させる方法
JP4446996B2 (ja) 放射システムおよびリソグラフィ装置
JP2011530819A (ja) 放射源、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法
KR20130005287A (ko) 방사선 소스, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
JP2010062560A5 (ja)
JP6321777B2 (ja) ソースコレクタ装置、リソグラフィ装置及び方法
JP6122853B2 (ja) 放射源
KR20150143802A (ko) 방사선 수집기, 냉각 시스템 및 리소그래피 장치
JP2010534414A (ja) デブリ防止システムおよびリソグラフィ装置
JP2012513653A (ja) リソグラフィ装置、放射システム、デバイス製造方法およびデブリ軽減方法
WO2004090957A1 (ja) 光源ユニット、照明光学装置、露光装置および露光方法
JP5531053B2 (ja) 放射源、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP4916535B2 (ja) 放射源、デバイス製造方法、およびリソグラフィ装置
JP6395832B2 (ja) 放射源用コンポーネント、関連した放射源およびリソグラフィ装置
EP2175701B1 (en) Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method
JP2008288590A (ja) 放射源、反射器及び汚染物バリアを備えるアセンブリ
NL2010217A (en) Source collector apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120720

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130830

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130902

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140509

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140527

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5553833

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250