JP2019522246A - 膜アセンブリおよび粒子トラップ - Google Patents

Abstract

【解決手段】粒子トラップアセンブリは、広範囲のサイズ、材料、進行速度および入射角を持つ汚染粒子が粒子の影響を受けやすい環境に到達する可能性を低減するよう構成される。粒子トラップは、リソグラフィ装置の静止部分と可動部分の間に位置するギャップの幾何学的な粒子トラップであってよい。粒子トラップは、リソグラフィ装置または計測装置の粒子の影響を受けやすい環境の表面上に位置する面の幾何学的な粒子トラップであってもよい。【選択図】図２３Ｂ

Description

［関連出願へのクロスリファレンス］
本出願は、２０１６年７月２９日に出願された米国仮特許出願６２／３６８，６０９号の利益を主張し、その全体が参照により本書に組み込まれる。

［技術分野］
本開示は、ＥＵＶリソグラフィ用の膜アセンブリおよび粒子トラップのデザインに関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上に付与し、通常基板のターゲット部分に付与する装置である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、代替的にマスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスがＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成するために使用されうる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェハ）上の（例えばダイの一部、一つのダイまたはいくつかのダイを備える）ターゲット部分に転写できる。パターンの転写は、典型的に基板上に設けられる放射感受性材料（レジスト）の層への結像を介する。一般に、単一の基板は、連続的にパターン化される隣接するターゲット部分のネットワークを含むであろう。

リソグラフィは、ＩＣおよび他のデバイスおよび／または構造の製造における重要なステップの一つして広く認識される。しかしながら、リソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれて、リソグラフィは小型のＩＣまたは他のデバイスおよび／または構造を製造することを可能にするためにより重要な要素になっている。

パターン印刷の限界の理論的推定値は、式（１）に示される解像度のレイリー基準によって与えることができる。

ここで、λは使用される放射の波長であり、ＮＡはパターンを印刷するために使用される投影システムの開口数であり、ｋ_１はレイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数であり、ＣＤは印刷されるフィーチャのフィーチャサイズ（または限界寸法）である。式（１）から、露光波長λを短くすること、開口数ＮＡを大きくすること、またはｋ_１の値を小さくすることにより、印刷可能な最小のフィーチャサイズの縮小を得ることができる。

露光波長を短くし、したがって印刷可能な最小サイズを縮小するために、極端紫外（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、１０−２０ｎｍの範囲内、例えば１３−１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。１０ｎｍよりも短い波長、例えば、６．７ｎｍまたは６．８ｎｍといった５−１０ｎｍの範囲内のＥＵＶ放射を使用しうることがさらに提案されている。そのような放射は、極端紫外放射または軟Ｘ線放射と呼ばれる。可能性のある放射源は、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子貯蔵リングにより提供されるシンクロトロン放射に基づく放射源を含む。

リソグラフィ装置は、パターニングデバイス（例えばマスクまたはレチクル）を含む。放射は、パターニングデバイスを透過し、または、パターニングデバイスで反射されて基板上に像を形成する。膜アセンブリは、浮遊する粒子および他の形態の汚染からパターニングデバイスを保護するために設けられうる。パターニングデバイスを保護するための膜アセンブリは、ペリクルとも呼ばれうる。パターニングデバイスの表面上の汚染は、基板上での欠陥の製造を生じさせることができる。膜アセンブリは、縁と、縁を横切って伸張される膜とを備えてもよい。

使用中、膜は、取付機構などによりパターニングデバイスに対して固定される必要がある。取付機構が占めるスペース量を低減することが望ましい。また、パターニングデバイスに装着するためのある位置に膜アセンブリが搬送される間、膜アセンブリがより小さいスペースを占めることが望ましい。また、膜とパターニングデバイスの間の領域に汚染粒子が到達する可能性を低減することが望ましい。

本開示のある態様によれば、ＥＵＶリソグラフィ用の膜アセンブリが提供される。この膜アセンブリは、平面的な膜と；膜を保持するよう構成される縁と；縁に接続され、ＥＵＶリソグラフィ用のパターニングデバイスに着脱可能に取り付けられるよう構成されるフレームアセンブリと；を備える。フレームアセンブリは、弾性のある膜を備え、フレームアセンブリは、使用中のフレームアセンブリが縁とパターニングデバイスの間に存在するように膜の平面に直交する方向に縁に接続される。

本開示のある態様によれば、ＥＵＶリソグラフィ用のパターニングデバイスアセンブリが提供される。このパターニングデバイスアセンブリは、平面的なパターニングデバイスと；パターニングデバイスから突出する少なくとも一つの突起と；任意の先行する請求項の膜アセンブリと；を備え、フレームアセンブリは、少なくとも一つの突起を介してパターニングデバイスと接続され、少なくとも一つの突起は、縁とパターニングデバイスの間に存在する。

本開示のある態様によれば、ＥＵＶリソグラフィ用の膜アセンブリが提供される。この膜アセンブリは、平面的な膜と；膜を保持するよう構成され、ＥＵＶリソグラフィ用のパターニングデバイスに取り付けられるよう構成されるフレームアセンブリと；を備える。フレームアセンブリは、膜がパターニングデバイスから所定の距離で保持されるようにフレームアセンブリがパターニングデバイスに固定される固定状態と、膜がパターニングデバイスから所定の距離未満となる解除状態とを有する。

本開示のある態様によれば、ＥＵＶリソグラフィ用のパターニングデバイスアセンブリが提供される。このパターニングデバイスアセンブリは、ＥＵＶリソグラフィ用の平面的なパターニングデバイスと；膜アセンブリと；を備える。膜アセンブリは、平面的な膜と；膜を保持するよう構成され、パターニングデバイスに取り付けるよう構成されるフレームアセンブリと；を備え、フレームアセンブリとパターニングデバイスの対向面の間にギャップが形成され；フレームアセンブリは、ギャップへの汚染粒子の侵入を抑制するよう構成される細長いバッフルを備え；細長いバッフルは、パターニングデバイスの平面範囲を超える位置でパターニングデバイスの対向面を越えて延在する。

本開示のある態様によれば、ＥＵＶリソグラフィ用のパターニングデバイスアセンブリが提供される。このパターニングデバイスアセンブリは、平面的なパターニングデバイスと；平面的な膜および膜を保持するよう構成される縁を備える膜アセンブリと；パターニングデバイスおよび縁の一方から突出する少なくとも一つの突起と；を備え、少なくとも一つの突起は、縁とパターニングデバイスの間にあり；フレームアセンブリは、パターニングデバイスおよび縁の他方に接続され、フレームアセンブリは、縁とパターニングデバイスの間で少なくとも一つの突起に取り付けられるよう構成される。

本開示のある態様によれば、ＥＵＶリソグラフィ用のパターニングデバイスに装着される膜アセンブリを一時的に収容するための装填装置が提供される。この装填装置は、装填装置の内面に突起を備え、突起は、装填装置が膜アセンブリを収容するときに、膜アセンブリの膜ホルダをパターニングデバイスに向けて押すように構成される。

本開示のある態様によれば、第１面を有するパターニングデバイスの第１構造と、第２面を有し、第１面と第２面が互いに対向するパターニングデバイスの第２構造と、第１面上に形成され、第２面に対向し、複数のバッフルを備えるトラップと、を備えるパターニングデバイスが提供される。対向する第１面と第２面の間にギャップが形成される。

本開示のある態様によれば、第１面を有するパターニングデバイスの第１構造と、第２面を有するパターニングデバイスの第２構造と、第１面と第２面の間に形成されるギャップと、を備える装置が提供される。この装置は、第１面に取り付けられる第１トラップをさらに備え、第１トラップは、第１面から突出する複数のバッフルを備える。

本開示のある態様によれば、汚染粒子を抑制するよう構成されるトラップを備える装置が提供される。トラップは、装置の表面上に形成され、その表面から突出する複数のバッフルを備える。

本開示の実施の形態は、単なる例示として、対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略的な図面を参照しながら説明されるであろう。

本開示のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。

リソグラフィ装置をより詳細に示す図である。

本開示のある実施の形態に係る膜アセンブリの一部を概略的に示す断面図である。

図４−６は、本開示のある実施の形態に係る膜アセンブリのロック機構を用いる工程を概略的に示す平面図である。 図４−６は、本開示のある実施の形態に係る膜アセンブリのロック機構を用いる工程を概略的に示す平面図である。 図４−６は、本開示のある実施の形態に係る膜アセンブリのロック機構を用いる工程を概略的に示す平面図である。

図７−１０は、本開示の異なる実施の形態に係る膜を概略的に示す断面図である。 図７−１０は、本開示の異なる実施の形態に係る膜を概略的に示す断面図である。 図７−１０は、本開示の異なる実施の形態に係る膜を概略的に示す断面図である。 図７−１０は、本開示の異なる実施の形態に係る膜を概略的に示す断面図である。

図１１−１４は、パターニングデバイスに装着される本開示のある実施の形態に係る膜アセンブリを装着する過程の様々な工程を概略的に示す断面図である。 図１１−１４は、パターニングデバイスに装着される本開示のある実施の形態に係る膜アセンブリを装着する過程の様々な工程を概略的に示す断面図である。 図１１−１４は、パターニングデバイスに装着される本開示のある実施の形態に係る膜アセンブリを装着する過程の様々な工程を概略的に示す断面図である。 図１１−１４は、パターニングデバイスに装着される本開示のある実施の形態に係る膜アセンブリを装着する過程の様々な工程を概略的に示す断面図である。

装填装置内の本開示のある実施の形態に係る膜アセンブリを概略的に示す断面図である。

図１６および１７は、装填装置から取り外される本開示のある実施の形態に係る膜アセンブリを概略的に示す断面図である。 図１６および１７は、装填装置から取り外される本開示のある実施の形態に係る膜アセンブリを概略的に示す断面図である。

本開示のある実施の形態に係る膜アセンブリとパターニングデバイスの間のギャップを概略的に示す断面図である。

本開示のある実施の形態に係る膜アセンブリを概略的に示す断面図である。

図２０Ａ−２０Ｃは、本開示の様々な実施の形態に係るパターニングデバイス上に形成されるギャップ粒子トラップ９０を概略的に示す断面図である。 図２０Ａ−２０Ｃは、本開示の様々な実施の形態に係るパターニングデバイス上に形成されるギャップ粒子トラップ９０を概略的に示す断面図である。 図２０Ａ−２０Ｃは、本開示の様々な実施の形態に係るパターニングデバイス上に形成されるギャップ粒子トラップ９０を概略的に示す断面図である。

図２１Ａ−２１Ｄは、本開示の様々な実施の形態に係るパターニングデバイス上に形成されるギャップ粒子トラップの様々な形状を概略的に示す断面図である。 図２１Ａ−２１Ｄは、本開示の様々な実施の形態に係るパターニングデバイス上に形成されるギャップ粒子トラップの様々な形状を概略的に示す断面図である。 図２１Ａ−２１Ｄは、本開示の様々な実施の形態に係るパターニングデバイス上に形成されるギャップ粒子トラップの様々な形状を概略的に示す断面図である。 図２１Ａ−２１Ｄは、本開示の様々な実施の形態に係るパターニングデバイス上に形成されるギャップ粒子トラップの様々な形状を概略的に示す断面図である。

図２２Ａおよび２２Ｂは、本開示の様々な実施の形態に係るパターニングデバイス上に形成される面粒子トラップを概略的に示す断面図である。 図２２Ａおよび２２Ｂは、本開示の様々な実施の形態に係るパターニングデバイス上に形成される面粒子トラップを概略的に示す断面図である。

図２３Ａ−２３Ｆは、本開示の様々な実施の形態に係るパターニングデバイス上に形成される面粒子トラップの様々な形状を概略的に示す断面図である。 図２３Ａ−２３Ｆは、本開示の様々な実施の形態に係るパターニングデバイス上に形成される面粒子トラップの様々な形状を概略的に示す断面図である。 図２３Ａ−２３Ｆは、本開示の様々な実施の形態に係るパターニングデバイス上に形成される面粒子トラップの様々な形状を概略的に示す断面図である。 図２３Ａ−２３Ｆは、本開示の様々な実施の形態に係るパターニングデバイス上に形成される面粒子トラップの様々な形状を概略的に示す断面図である。 図２３Ａ−２３Ｆは、本開示の様々な実施の形態に係るパターニングデバイス上に形成される面粒子トラップの様々な形状を概略的に示す断面図である。 図２３Ａ−２３Ｆは、本開示の様々な実施の形態に係るパターニングデバイス上に形成される面粒子トラップの様々な形状を概略的に示す断面図である。

図２４Ａおよび２４Ｂは、本開示の様々な実施の形態に係るパターニングデバイス上に形成される面粒子トラップを概略的に示す平面図である。 図２４Ａおよび２４Ｂは、本開示の様々な実施の形態に係るパターニングデバイス上に形成される面粒子トラップを概略的に示す平面図である。

図１は、本開示の一実施の形態に係るソースコレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置１００を概略的に示す。装置１００は、放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調整するよう構成される照明システム（イルミネータ）ＩＬと；パターニングデバイス（例えばマスクまたはレチクル）ＭＡを支持するよう構築され、パターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成される第１位置決め装置ＰＭに接続されるサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと；基板（例えばレジストコートされたウェハ）Ｗを保持するよう構築され、基板を正確に位置決めするよう構成される第２位置決め装置ＰＷに接続される基板テーブル（例えばウェハテーブル）ＷＴと；パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付されたパターンを基板Ｗの（例えば一以上のダイを備える）ターゲット部分Ｃに投影するよう構成される投影システム（例えば反射型投影システム）ＰＳと、を備える。

照明システムＩＬは、放射を方向付け、放射を成形し、または放射を制御するための屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電型あるいは他の形式の光学素子といった各種光学素子を含んでもよい。

サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置のデザイン、および、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されるか否かといった他の条件に応じた方法でパターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式または他の固定技術を用いてパターニングデバイスＭＡを保持できる。サポート構造ＭＴは、フレームまたはテーブルであってよく、例えば必要に応じて固定式または可動式であってよい。サポート構造ＭＴは、例えば投影システムＰＳに対して、パターニングデバイスＭＡが所望の位置にあることを確実にしてよい。

本書での「パターニングデバイス」の用語は、放射ビームＢの断面にパターンを付して例えば基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成するために使用可能な任意のデバイスを参照するものとして広く解釈されるべきである。放射ビームＢに付されるパターンは、ターゲット部分Ｃに生成される集積回路などのデバイスの特定の機能層に対応しうる。

パターニングデバイスＭＡは、透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブル液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）パネルが含まれる。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、さらに各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例は、マトリックス状に配列される小型のミラーを採用し、各ミラーは入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜できる。傾斜されるミラーは、ミラーマトリックスにより反射される放射ビームにパターンを付与する。

照明システムＩＬなどの投影システムＰＳは、用いられる露光放射や真空の使用といった他の要素について適切となるよう、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電型等の様々な種類の光学要素または他の種類の光学要素またはこれらの組み合わせを含んでもよい。ＥＵＶ放射では、他のガスが放射を吸収しすぎるため、真空の使用が好ましいかもしれない。したがって、真空壁および真空ポンプの助けを借りて、ビーム経路の全体に真空環境が提供されてもよい。

図示されるように、装置１００は反射型である（例えば反射型マスクを用いる）。

リソグラフィ装置１００は、二つ（デュアルステージ）またはそれより多い基板テーブルＷＴ（および／または二以上のサポート構造ＭＴ）を有する形式であってもよい。このような「マルチステージ」リソグラフィ装置において、追加の基板テーブルＷＴ（および／またはサポート構造ＭＴ）が並行して用いられ、または、準備工程が一以上の基板テーブルＷＴ（および／または一以上のサポート構造ＭＴ）で実行される一方、一以上の他のテーブル（および／または一以上の他のサポート構造ＭＴ）が露光のために用いられてもよい。

図１を参照すると、照明システムＩＬは、ソースコレクタモジュールＳＯから極端紫外放射ビームを受ける。ＥＵＶ光の生成方法は、ＥＵＶ範囲に一以上の輝線を持つキセノン、リチウムまたはスズなどの少なくとも一つの元素を有する材料をプラズマ状態に変換することを含むが、これに必ずしも限られない。しばしばレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と言われるこのような方法の一つにおいて、必要なプラズマは、必要な輝線の元素を有する材料の液滴、蒸気またはクラスタといった燃料をレーザビームで照射することにより生成できる。ソースコレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを生成するためのレーザ（図１に示されない）を含むＥＵＶ放射システムの一部であってもよい。その結果生じるプラズマは、ＥＵＶ放射などの放射を出射する。放射は、ソースコレクタモジュール内に配置される放射コレクタを用いて集められる。レーザおよびソースコレクタモジュールＳＯは、例えばＣＯ_２レーザを用いて燃料励起用のレーザビームが提供される場合、別体であってもよい。

そのような場合、レーザはリソグラフィ装置１００の一部を形成するとみなされず、放射ビームＢは、例えば適切な指向ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムの助けを借りて、レーザからソースコレクタモジュールＳＯへと通過する。他の場合には、例えば、放射源が放電生成プラズマＥＵＶ発生器（しばしばＤＰＰ源と呼ばれる）である場合、放射源がソースコレクタモジュールＳＯの一体的な部分であってもよい。

照明システムＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタを備えてもよい。一般に、照明システムＩＬの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ−アウタおよびσ−インナと呼ばれる）を調整できる。さらに照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイスおよび瞳ミラーデバイスなどの様々な他の要素を含んでもよい。照明システムＩＬは、ビーム断面に所望の均一性および強度分布を有する放射ビームＢを調整するために用いられてもよい。

放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによりパターン化される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡで反射された後、放射ビームＢは、放射ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃに合焦させる投影システムＰＳを通過する。第２位置決め装置ＰＷおよび位置センサＰＳ２（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは静電容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴは、放射ビームＢの経路上に異なるターゲット部分Ｃが位置するように正確に移動されることができる。同様に、第１位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサＰＳ１は、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めするために用いることができる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１，Ｍ２および基板アライメントマークＰ１，Ｐ２を用いてアライメントされてよい。

コントローラ５００は、リソグラフィ装置の全般動作を制御し、特に以下に詳述される動作プロセスを実行する。コントローラ５００は、中央制御ユニット（ＣＰＵ）、揮発性および不揮発性の記憶手段、キーボードやスクリーンといった一以上の入力および出力装置、一以上のネットワーク接続およびリソグラフィ装置１００の様々な部分との一以上のインターフェースを備える適切にプログラムされた汎用コンピュータとして実現できる。制御用コンピュータとリソグラフィ装置１００の間での１対１の関係が必須ではないことが理解されよう。本開示のある実施の形態において、一つのリソグラフィ装置１００を制御するために複数のネットワーク化されたコンピュータを用いることができる。コントローラ５００は、リソグラフィ装置１００がその一部を形成するリソセルまたはクラスタ内の一以上の関連するプロセス装置または基板取扱装置を制御するよう構成されてもよい。コントローラ５００は、リソセルまたはクラスタの上位の制御システムおよび／または工場（ファブ）の全体制御システムの配下となるよう構成されることもできる。

図２は、ソースコレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳを含む装置１００をより詳細に示す。ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０は、プラズマ源によって形成されうる。ＥＵＶ放射は、放射放出プラズマ２１０が生成されてＥＵＶ範囲内の電磁スペクトルの放射を放出する、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気またはＳｎ蒸気などのガスまたは蒸気により生成されてもよい。ある実施の形態において、励起されたスズ（Ｓｎ）がＥＵＶ放射を生成するために供給される。

放射放出プラズマ２１０により放出される放射は、ソースチャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２に向けて通過する。放射コレクタＣＯを通過する放射は、仮想ソース点ＩＦに合焦されることができる。仮想ソース点ＩＦは一般に中間焦点と称され、ソースコレクタモジュールＳＯは、仮想ソース点ＩＦが筐体構造２２０の開口２２１またはその近傍に位置するよう構成される。仮想ソース点ＩＦは、放射放出プラズマ２１０の像である。その後、放射は照明システムＩＬを通過する。この照明システムＩＬは、パターン化されていない所望の角度分布の放射ビーム２１をパターニングデバイスＭＡの位置で提供するとともに、所望の放射強度の均一性をパターニングデバイスＭＡの位置で提供するよう構成されるファセットフィールドミラー装置２２およびファセット瞳ミラー装置２４を含んでもよい。パターン化されていない放射ビーム２１がサポート構造ＭＴにより保持されるパターニングデバイスＭＡにて反射されると、パターン化されたビーム２６が形成され、パターン化されたビーム２６は、投影システムＰＳにより反射要素２８，３０を介して、基板テーブルＷＴに保持される基板Ｗ上に結像される。

照明システムＩＬおよび投影システムＰＳには、図示されるよりも多くの要素が一般に存在してもよい。さらに、図示されるものより多くのミラーが存在してもよく、例えば、図２に示すものと比べて１−６の追加の反射要素が投影システムＰＳ内に存在してもよい。

代替的に、ソースコレクタモジュールＳＯは、ＬＰＰ放射システムの一部であってよい。

図１に示されるように、ある実施の形態において、リソグラフィ装置１００は、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳを備える。照明システムＩＬは、放射ビームＢを出射するよう構成される。投影システムＰＳは、介在するスペースにより基板テーブルＷＴから分離されている。投影システムＰＳは、放射ビームＢに付与されるパターンを基板Ｗに投影するよう構成される。パターンは、ＥＵＶ放射である放射ビームＢ用である。

投影システムＰＳと基板テーブルの間に介在するスペースは、少なくとも部分的に真空であることができる。介在スペースは、投影システムＰＳの場所で固体面によって区切られてもよく、用いる放射が固体面から基板テーブルＷＴの方に向けられてもよい。

ある実施の形態において、リソグラフィ装置１００は、動的ガスロックを備える。動的ガスロックは、膜アセンブリ８０を備える。ある実施の形態において、動的ガスロックは、介在スペースに位置する膜アセンブリ８０により被覆される中空部分を備える。中空部分は、放射の経路の周囲に位置する。ある実施の形態において、リソグラフィ装置１００は、中空部分の内側をガスの流れで洗い流すように構成されるガス送風機（ガスブロワー）を備える。

ある実施の形態において、リソグラフィ装置１００は、膜アセンブリ８０を備える。上述したように、ある実施の形態において、膜アセンブリ８０は動的ガスロック用である。この場合、膜アセンブリ８０は、ＤＵＶ放射をフィルタするためのフィルタとして機能する。追加的または代替的に、ある実施の形態において、膜アセンブリ８０は、ＥＵＶリソグラフィ用のパターニングデバイスＭＡのためのペリクルである。本開示の膜アセンブリ８０は、動的ガスロックもしくはペリクルのため、または、スペクトル純度フィルタといった別の目的のために用いることができる。ある実施の形態において、膜アセンブリ８０は、膜積層体とも呼ばれうる膜４０を備える。ある実施の形態において、この膜は、入射するＥＵＶ放射の少なくとも８０％を透過させるよう構成される。

ある実施の形態において、膜アセンブリ８０は、浮遊粒子または他の形態の汚染からパターニングデバイスＭＡを保護するためにパターニングデバイスＭＡを密封するよう構成される。パターニングデバイスＭＡの表面上の汚染は、基板Ｗ上に欠陥の製造を生じさせることができる。例えば、ある実施の形態において、ペリクルは、リソグラフィ装置１００内のパターニングデバイスＭＡの段差のある場に流入しうる粒子などを低減するよう構成される。

仮にパターニングデバイスＭＡが保護されていないままであれば、汚染のためにパターニングデバイスＭＡを洗浄または廃棄する必要があるかもしれない。パターニングデバイスＭＡの洗浄は貴重な製造時間を中断し、パターニングデバイスＭＡの廃棄はコストがかかる。また、パターニングデバイスＭＡの交換は貴重な製造時間を中断する。

図３は、本開示のある実施の形態に係る膜アセンブリ８０の一部を概略的に示す断面図である。膜アセンブリ８０は、ＥＵＶリソグラフィ用である。膜アセンブリ８０は、膜４０を備える。膜４０は、ＥＵＶリソグラフィ用である。もちろん、膜４０はＥＵＶ放射に対して１００％の透過率を有していなくてもよい。図３に示されるように、ある実施の形態において、膜４０は実質的に平面である。ある実施の形態において、膜４０の平面は、パターニングデバイスＭＡの平面に実質的に平行である。

膜アセンブリ８０は、例えば正方形、円形または長方形といった形状を有する。膜アセンブリ８０の形状は特に限られない。膜アセンブリ８０のサイズは、特に限られない。例えば、ある実施の形態において、膜アセンブリ８０は、約１００ｍｍから約５００ｍｍの範囲の直径を有し、例えば約２００ｍｍの直径を有する。

図３に描かれるように、ある実施の形態において膜アセンブリ８０は縁８１を備える。縁８１は、膜４０を保持するよう構成される。縁８１は、膜４０に機械的安定性を提供する。縁８１は、膜４０がその平面的な形状から離れて変形する可能性を低減するよう構成される。ある実施の形態において、膜４０にはその製造中にあらかじめ張力が加えられている。縁７１は、膜４０の張力を維持するよう構成され、リソグラフィ装置１００の使用中に膜４０が波打った形状を有しないようにする。ある実施の形態において、縁８１は膜４０の周囲に沿って延びる。膜４０の外周は、（図３の視点において）縁８１の上部に位置する。縁８１は、膜アセンブリ８０の製造プロセスにおいて残存する膜４０の一部により少なくとも部分的に形成されてもよい。したがって、縁８１は、膜４０とは別体の要素でなくてもよい。

縁８１の厚さは、特に限られない。例えば、ある実施の形態において、縁８１は、少なくとも３００μｍの厚さを有し、選択的に少なくとも４００ｎｍの厚さを有する。ある実施の形態において、縁８１は、多くとも１０００μｍの厚さを有し、選択的に多くとも８００μｍの厚さを有する。ある実施の形態において、縁８１は、少なくとも１ｍｍの幅、選択的に少なくとも２ｍｍの幅、および選択的に少なくとも４ｍｍの幅を有する。ある実施の形態において、縁８１は、多くとも１０ｍｍの幅、選択的に多くとも５ｍｍの幅、および選択的に多くとも４ｍｍの幅を有する。

図３に描かれるように、ある実施の形態において、膜アセンブリ８０は、フレームアセンブリ５０を備える。フレームアセンブリ５０は、縁８１に接続される。ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０は、縁８１に接触するフレーム面を備える。ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０は、縁８１とは別体の要素として最初に製造され、その後に縁８１に接続される。例えば、膜４０と縁８１の組み合わせが一緒に製造されてもよい一方で、フレームアセンブリ５０は別々に製造されてもよい。後続の製造ステップにおいて、フレームアセンブリ５０は、縁８１に取付または固定されてもよい。

ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０は、少なくとも２ｍｍの幅、選択的に少なくとも５ｍｍの幅、および選択的に少なくとも８ｍｍの幅を有する。ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０は、多くとも２０ｍｍの幅、選択的に多くとも１０ｍｍの幅、および選択的に多くとも８ｍｍの幅を有する。

ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０は、フレーム５１を備える。フレーム５１は、縁８１に接続されるフレームアセンブリ５０の一部である。ある実施の形態において、フレーム５１は、縁８１と同じ材料でできている。例えば、ある実施の形態において、縁８１およびフレーム５１の双方は、シリコンを備える材料からなる。ある実施の形態において、縁８１はシリコンからなる。ある実施の形態において、フレーム５１はシリコンからなる。ある実施の形態において、縁８１の熱膨張は、フレーム５１の熱膨張と実質的に整合する。ある実施の形態において、フレーム５１は、接着剤により縁８１に取り付けられる。ある実施の形態において、接着剤の熱膨張は、フレーム５１および／または縁８１の熱膨張に実質的に整合する。

図３に描かれるように、フレームアセンブリ５０は、パターニングデバイスＭＡに取り付けられるよう構成される。ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０は、パターニングデバイスＭＡに接触するよう構成されるフレーム面を備える。フレームアセンブリ５０は、パターニングデバイスＭＡに対する膜４０の位置を保持するためのものである。この実施の形態では、パターニングデバイスＭＡを参照しながら説明しているが、本開示は、パターニングデバイスＭＡとは異なる要素に接続される膜アセンブリ８０にも等しく適用可能である。

ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０は、膜４０の平面と直交する方向に縁８１に接続される。これは図３に示される。図３において、膜４０の平面は、紙面の左から右に延在し、かつ、紙面に入る方向と紙面から出る方向に延在する。膜４０の平面に垂直な方向は、図３の縦方向（つまり上下方向）に対応する。フレームアセンブリ５０は、縁８１の直下に接続される。縁８１およびフレームアセンブリ５０は、図３の縦方向に一列に並んでいる。ある実施の形態において、縁８１とフレーム５０の間の界面は、膜４０の平面に実質的に平行な平面内にある。

ある実施の形態において、膜アセンブリ８０は、パターニングデバイスＭＡから取り外し可能となるよう構成される。これは、パターニングデバイスＭＡの中間検査の実施を可能にする。ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０は、繰り返しパターニングデバイスＭＡに取り付けられ、パターニングデバイスＭＡから取り外されるよう構成される。

使用中において、フレームアセンブリ５０は、縁８１とパターニングデバイスＭＡの間にある。この配置は、フレームアセンブリが縁の径方向外側に位置する配置とは異なる。本開示の実施の形態では、パターニングデバイスＭＡに対して膜４０をある位置に保持するために必要となる膜４０の周囲のスペースの低減を実現することが期待される。

比較例によれば、膜アセンブリは、縁の径方向外側にあるフレームアセンブリを有する。フレームアセンブリは、パターニングデバイスにフレームアセンブリを取り付け、または、パターニングデバイスからフレームアセンブリを取り外すために、径方向にアクセスすることが求められる。縁およびフレームアセンブリを収容し、かつ、フレームアセンブリにアクセスするためのスペースを収容するためには、約１６ｍｍのスペースが必要となりうる。

対照的に、ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０は縁８１の下に位置するため、縁８１およびフレームアセンブリ５０の収容に必要な径方向のスペースが低減される。例えば、ある実施の形態において、縁８１およびフレームアセンブリ５０を収容し、フレームアセンブリ５０にアクセスするためのスペースを収容するために必要な径方向のスペースは約１２ｍｍである。

本開示のある実施の形態では、取付機構のためのパターニングデバイスＭＡの領域内に必要となるスペースの低減を実現することが期待される。取付機構は、膜アセンブリ８０をパターニングデバイスＭＡの上に装着するために用いる機構である。ある実施の形態において、取付機構は、縁８１とパターニングデバイスＭＡの間に設けられる。これは、図３に示されており、より詳しく後述される。

ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０は、少なくとも一つの穴５２を備える。ある実施の形態において、穴５２は、フレームアセンブリ５０のフレーム内にある空洞またはチャンバまたは開口である。穴５２は、突起（例えばスタッド６０）を受け入れるよう構成される。スタッド６０は、パターニングデバイスＭＡから突出する。ある代替的な実施の形態において、フレームアセンブリ５０は、パターニングデバイスＭＡに恒久的に取り付けられ、スタッド６０は膜アセンブリ８０の縁８１から突出する。

図３は、パターニングデバイスＭＡに固定されるスタッド６０を示す。ある実施の形態において、スタッド６０は、接着剤を用いてパターニングデバイスＭＡに接着される。代替的に、スタッド６０は、パターニングデバイスＭＡと一体的に形成されてもよい。さらに別の代替例として、スタッド６０は、パターニングデバイスＭＡから別体の要素として最初に製造され、その後に接着剤とは別のネジなどの手段を用いてパターニングデバイスＭＡに固定されてもよい。

スタッド６０および穴５２は、取付機構である。ある実施の形態において、スタッド６０および穴５２は、縁８１とパターニングデバイスＭＡの間に設けられる。これは、縁８１の径方向外側に取付機構が位置する既知の構成とは異なる。

図３に描かれるように、ある実施の形態において、膜４０の平面と直交する方向に見たときに、穴５２は縁８１と少なくとも部分的に重なっている。これは図３に示されており、縦方向にみたときに穴５２が縁８１と部分的に重なっている。図３を見ると、縁８１と穴５２の双方を通るように延びる縦のラインを描くことができる。

ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０はロック機構５５を備える。ロック機構５５は、フレームアセンブリ５０をスタッド６０に固定するために用いられる。ある実施の形態において、ロック機構５５は、それぞれの穴５２に弾性部材５３を備える。ある実施の形態において、フレームアセンブリ５２は、複数の穴５２、例えば、二つ、三つ、四つのまたはそれより多い穴５２を備える。弾性部材５３は、それぞれの穴５２に対応して設けられる。

図３に描かれるように、ある実施の形態において、弾性部材５３はバネを備える。例えばバネは、コイルばね、または、リーフばねであってもよい。ある代替的な実施の形態において、弾性部材５３は、ゴムなどの弾性のある材料を備えてもよい。ある代替的な実施の形態において、弾性部材５３は、屈曲部または湾曲部を備えてもよい。屈曲部または湾曲部は、例えば放電加工プロセスを用いて機械加工される。

図４から６は、ロック機構を用いる工程を概略的に示す図である。図４から６は、平面図である。図４は、スタッド６０を穴５２の中に受け入れるためにフレームアセンブリ５０がスタッド６０の上に位置する初期状態を描いている。弾性部材５３は圧縮されていない。図４に描かれるように、弾性部材５３は穴５２の中に向けて延びる。したがって、スタッド６０は、スタッド６０が穴５２の中に受け入れるときに弾性部材５３と接触できる。弾性部材５３は、穴５２に受け入れられるスタッド６０が膜４０の平面内の方向に弾性部材５３を押圧するときに変形可能（例えば圧縮可能）となるように構成される。例えば、図４において、スタッド６０は、図面の右方向に弾性部材５３を押圧できる。

図３から６に描かれるように、ある実施の形態において、ロック機構５５は、それぞれの穴５２にロック部材５４を備える。ロック部材５４は、穴５２の中にロック部材５４が延びることとなるロック位置に移動可能となるよう構成される。ロック位置において、圧縮された弾性部材５３は、穴５２の中に受け入れられるスタッド６０にロック機構５４へ向かう力を加える。これは、図４から図６のシーケンスに示されている。

図４から図５の推移に示されるように、スタッド６０およびフレームアセンブリ５０は、スタッド６０が弾性部材５３を押圧するように互いに対して相対的に移動する。スタッド６０は、図５に示されるように弾性部材５３を圧縮する。

図５から図６の推移に示されるように、ロック部材５４は、穴５２の中にロック部材５４が延びるロック位置に移動される。例えば、図４から図６に示されるように、ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０は、少なくとも一つのロックアパチャ５６を備える。ロック部材５４は、ロックアパチャ５６を貫通する。

図６は、ロック位置にあるロック部材５４を示す。弾性部材５３は、ロック部材５４の方向にスタッド６０に力を加える。図５に示される状況において、スタッド６０が弾性部材５３を圧縮するためにはフレームアセンブリ５０および／またはスタッド６０に外力を加える必要がある。いったんロック部材５４がロック位置にあれば（例えば図６に示されるように）、もはや外力を加える必要はない。これは、ロック部材５４がスタッド６０およびフレームアセンブリ５０の相対的な位置を保持するからである。上述したように、スタッド６０は、縁８１の径方向外側ではなく縁８１の下方に位置する。これは、パターニングデバイスＭＡと膜４０の間の距離（スタンドオフとも知られる）の増加を必要としうる。パターニングデバイスＭＡの表面と膜４０の距離は、フレームアセンブリ５０と縁８１を合わせた高さに実質的に対応する。ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０と縁８１を合わせた高さ３０は、少なくとも１ｍｍであり、少なくとも２ｍｍであり、および選択的に少なくとも５ｍｍである。ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０と縁８１を合わせた高さは、多くとも２０ｍｍであり、選択的に多くとも１０ｍｍであり、および選択的に多くとも５ｍｍである。

ある実施の形態において、弾性部材５３は、ステンレス鋼などの材料からなるバネを備える。ある実施の形態において、弾性部材５３は、弾性部材５３とは異なる材料からなるコンタクトパッド５７に接続されている。例えば、コンタクトパッド５７は、スタッド６０および／またはロック部材５４と同じ材料で作られてもよい。ある実施の形態において、ロック部材５４は、チタンを備える。ある実施の形態において、スタッド６０はチタンを備える。チタンは、延性のあるコンタクトを提供することが知られている。しかしながら、ある代替的な実施の形態において、コンタクトパッド５７、スタッド６０およびロック部材５４のために他の材料を用いることができる。

図４から６に示されるように、ある実施の形態において、平面視における穴５２の断面積はスタッド６０の断面積よりも大きい。穴５２は、スタッド６０に対してオーバーサイズである。ある実施の形態において、弾性部材５３は、（図示しない）エンドストップにぶつかるように設けられる。弾性部材５３は、（図４に示されるように）平面視で見たときに、穴５２の中に向けて突出する。したがって、弾性部材５３は、平面視における穴５２の断面積を効果的に減少させる。穴５２の残りの断面寸法は、スタッド６０の寸法よりも大きい。したがって、フレームアセンブリ５０がスタッド６０の上で縦に移動するときに、スタッド６０を穴５２の中に受け入れできる。フレームアセンブリ５０は、弾性部材５３が内側に撓むようにして弾性部材５３に対して側方に押される。ロック部材５４は、フレームアセンブリ５０が折れ曲がるのを防止するように配置される。ある実施の形態において、ロック部材５４はピンである。ロック部材５４は、側方から、または、上部から挿入できる。ロック部材５４が挿入された後、フレームアセンブリ５０はパターニングデバイスＭＡに固定（ロック）される。

ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０は、フレームアセンブリ５０の周りに均等に分布した四つの穴５２を備える。ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０は、縁８１と同様の形状を有し、膜４０の外周に沿う。図３は、穴５２の径方向内側にある弾性部材５３を描いている。しかしながら、これは必須ではない。弾性部材５３は、穴５２の径方向外側にあってもよいし、穴５２に対して径方向内側または外側のいずれでなくてもよい。穴５２は、弾性部材５３とロック部材５４の間に位置する。

ある実施の形態において、弾性部材５３が膜アセンブリ８０の一方側にて穴５２の径方向内側にある一方で、別の弾性部材５３が膜アセンブリ８０の反対側にて別の穴５２の径方向外側にある。これは、パターニングデバイスＭＡに対する膜アセンブリ８０の１回の移動で、パターニングデバイスＭＡの両側のスタッド６０が双方の弾性部材５２を圧縮することを可能にする。ある実施の形態において、膜アセンブリ８０は、パターニングデバイスＭＡに対する膜アセンブリ８０の１回の移動で、対応する穴５２に受け入れられる全てのスタッド６０が対応する弾性部材５２を圧縮するように構成される。

図４から６に示されるように、ある実施の形態において、ロック部材５４は、緩い部分として設けられる。ある代替的な実施の形態において、ロック部材は、ロック部材５４がロック位置にスライドできる限りにおいて、フレームアセンブリ５０の残りの部分と一体的に形成されてもよい。

ある実施の形態において、スタッド６０は、少なくとも１ｍｍ、選択的に少なくとも２ｍｍ、および選択的に少なくとも３ｍｍの（平面視における）直径を有する。ある実施の形態において、スタッド６０は、多くとも１０ｍｍ、選択的に多くとも５ｍｍ、および選択的に多くとも３ｍｍの直径を有する。

上述したように、ある実施の形態において、弾性部材５３は、圧縮されていないときに穴５２の中に延びる。ある実施の形態において、弾性部材５３は、少なくとも０．１ｍｍ、選択的に少なくとも０．２ｍｍ、および選択的に少なくとも０．５ｍｍの距離だけ穴５２の中に延びている。ある実施の形態において、弾性部材５３は、多くとも２ｍｍ、選択的に多くとも１ｍｍ、および選択的に多くとも０．５ｍｍの距離だけ穴５２の中に延びている。

上述したように、穴５２は、スタッド６０の直径よりも大きい直径を有する。ある実施の形態において、穴の直径は、スタッド６０の直径よりも少なくとも０．２ｍｍだけ、選択的に少なくとも０．５ｍｍだけ、および選択的に少なくとも１ｍｍだけ大きい。ある実施の形態において、穴５２の直径は、スタッド６０の直径よりも多くとも５ｍｍだけ、選択的に多くとも２ｍｍだけ、および選択的に多くとも１ｍｍだけ大きい。ある実施の形態において、ロック部材５４は、少なくとも１ｍｍ、選択的に少なくとも２ｍｍ、および選択的に少なくとも４ｍｍの長さを有する。

ある実施の形態において、ロック部材５４は、多くとも１０ｍｍ、選択的に多くとも５ｍｍ、および選択的に多くとも４ｍｍの長さを有する。ある実施の形態において、ロック部材５４は、少なくとも０．２ｍｍ、選択的に少なくとも０．５ｍｍ、および選択的に少なくとも１ｍｍの幅を有する。ある実施の形態において、ロック部材５４は、多くとも５ｍｍ、選択的に多くとも２ｍｍ、および選択的に多くとも１ｍｍの幅を有する。

本開示のある実施の形態では、膜アセンブリ８０をパターニングデバイスＭＡに取り付ける、または、膜アセンブリ８０をパターニングデバイスから外すために必要な治具工程の低減を実現することが期待される。

図７は、本開示のある実施の形態に係る膜４０を概略的に示す断面図である。図７に示されるように、膜４０は積層体を備える。積層体は、複数の層を備える。

ある実施の形態において、積層体は、少なくとも一つのシリコン層４１を備える。シリコン層４１は、シリコンの一形態である。ある実施の形態において、積層体は、少なくとも一つのシリコン化合物層４３を備える。シリコン化合物層４３は、ホウ素、リン、臭素および硫黄で構成される群から選択される別の元素とシリコンの化合物からなる。しかしながら、他の元素が用いられてもよい。具体的には、ある実施の形態において、シリコンと結合してシリコン化合物層４３を形成する元素は、シリコン層４１にドーピングするためにドーパント材料として使用可能な任意の元素である。この実施の形態では、単に便宜のために、シリコンと結合する元素としてホウ素を用いて説明がなされる。

ある実施の形態において、シリコン化合物層４３は、ホウ化ケイ素を備える。ホウ化ケイ素はＳｉＢｘの化学式を有し、ここでｘは、３，４，６，１４，１５，４０などであることができる。ホウ化ケイ素は、金属的特性を有する。具体的には、シリコン化合物層４３は、膜４０のＥＵＶ放射に対する放射性を増加させる金属の特性を有する。シリコン層４１のみでできた膜は、低い放射率を有し、おそらく３％程度であろう。金属または金属的特性を有する化合物を膜４０に追加すれば、放射率が劇的に増加する。

金属は、ＥＵＶ吸収に起因する膜の実質的な厚さを制限することが知られている。シリコン膜層４３を設けることにより、本開示のある実施の形態では、リソグラフィ装置１００に用いるために十分な放射性を有する膜４０が取りうる厚さの増加を実現することが期待される。

図７に描かれるように、ある実施の形態において、シリコン化合物層４３は、シリコン層４１および非金属層４２の間の中間層として形成される。非金属層４２は、シリコンと結合してシリコン化合物層４３を形成する元素を備える。例えば、ある実施の形態において、非金属層４２はホウ素を備える。ある実施の形態において、ホウ素は、炭化ホウ素の形態で設けられる。しかしながら、ホウ素の代替的な形態を用いることができる。

ある実施の形態において、シリコン層４１は最初に非金属層４２に隣接して設けられる。非金属層４２のホウ素は、シリコン層４１のシリコンに局所的にドープされる。ホウ素は、ホウ化ケイ素が生成されてシリコン化合物層を形成する程度にシリコンにドープされる。ホウ素は、ドープされたシリコン内にシリコン原子よりも多くのホウ素原子が存在するように、つまり、ホウ化ケイ素を形成するようにシリコンにドープされる。

ある実施の形態において、シリコン層４１および非金属層４２は、多層として設けられる。局所的にホウ化ケイ素が（積層効果により、および、シリコン中のホウ素の放射線硬化により）膜４０を強化することができ、膜４０がより高い温度に耐えることができる。

図７に描かれるように、ある実施の形態において、積層体は複数のシリコン層４１と、複数の非金属層４２と、シリコン層４１と非金属層４２の各ペアの間にあるシリコン化合物層４３とを備える。

図７に描かれるように、ある実施の形態において、積層体は、非金属層４２、シリコン化合物４３、シリコン層４１、シリコン化合物層４３、非金属層４２、シリコン化合物層４３、シリコン層４１、シリコン化合物層４３、非金属層４２、シリコン化合物層４３、シリコン化合物層４１、シリコン化合物層４３および非金属層４２の順の複数層を備える。ある実施の形態において、積層体は、非金属層４２を備え、その後にシリコン化合物層４３、シリコン層４１、シリコン化合物層４３および非金属層４２を備える四層のセットのサイクルの繰り返しを備えてもよい。

ある実施の形態において、それぞれの非金属層４２は、少なくとも０．５ｎｍ、選択的に少なくとも１ｎｍ、および選択的に少なくとも２ｎｍの厚さを有する。ある実施の形態において、それぞれの非金属層４２は、多くとも１０ｎｍ、選択的に多くとも５ｎｍ、および選択的に多くとも２ｎｍの厚さを有する。

ある実施の形態において、それぞれのシリコン化合物層４３は、少なくとも０．５ｎｍ、選択的に少なくとも１ｎｍ、および選択的に少なくとも２ｎｍの厚さを有する。ある実施の形態において、それぞれのシリコン化合物層４３は、多くとも１０ｎｍ、選択的に多くとも５ｎｍ、および選択的に多くとも２ｎｍの厚さを有する。

ある実施の形態において、それぞれのシリコン層４１は、少なくとも２ｎｍ、選択的に少なくとも５ｎｍ、および選択的に少なくとも８ｎｍの厚さを有する。ある実施の形態において、それぞれのシリコン層４１は、多くとも２０ｎｍ、選択的に多くとも１０ｎｍ、および選択的に多くとも８ｎｍの厚さを有する。

図７に描かれている実施の形態は、８ｎｍ厚のシリコン層４１、２ｎｍ厚の非金属層４２および２ｎｍ厚のシリコン化合物層４３を有し、ＥＵＶ放射に対して約９０％の放射率を実現することが期待される。

図８は、非金属層４２、シリコン化合物４３、シリコン層４１、シリコン化合物４３および非金属層４２の順の複数層を備える代替的な実施の形態を示す。

図８に描かれるように、ある実施の形態において、膜４０は、シリコン層４１を一つだけ備える。このような実施の形態において、シリコン層４１は、少なくとも１０ｎｍ、選択的に少なくとも２０ｎｍ、および選択的に少なくとも３８ｎｍの厚さを有することができる。ある実施の形態において、単一のシリコン層４１は、多くとも１００ｎｍ、選択的に多くとも５０ｎｍ、および選択的に３８ｎｍの厚さを有する。図８に示される実施の形態は、３８ｎｍ厚のシリコン層４１、４ｎｍ厚の非金属層４２および２ｎｍ厚のシリコン化合物層４３を有し、ＥＵＶ放射に対して約９０％の放射率を実現することが期待される。

ある実施の形態において、積層体における複数のシリコン化合物層４３を合わせた合計の厚さは多くとも約２０ｎｍである。金属および金属的特性を有する化合物は、合わせた厚さが厚すぎなければ、膜４０の放射率を改善する。金属または金属的特性を有する化合物の層が厚すぎれば、放射率は減少しうる。

図９は、膜４０の代替的な実施の形態を概略的に示す。図９に描かれるように、ある実施の形態において、積層体は、少なくとも一つのシリコン層４１と、少なくとも一つのキャップ層４６と、少なくとも一つのマイグレーション防止層４７とを備える。ある実施の形態において、キャップ層４６は、ルテニウムを備える。キャップ層４６は、膜４０の外面に設けられる。マイグレーション防止層４７は、モリブデンおよびチタンの少なくとも一方を備える。マイグレーション防止層４７は、それぞれのキャップ層４６に隣接する。

ルテニウムを備えるキャップ層４６は、膜４０の放射率を改善する。キャップ層４６は、膜４０が酸化する可能性を低減する。キャップ４６は、膜４０を水素ガスから保護するよう構成される。

リソグラフィ装置１００の使用中において、膜４０は、放射の吸収に起因して加熱されうる。キャップ層４６が加熱されるとき、キャップ層４６の材料（例えばルテニウム）はマグレーションしうる。マイグレーションは、キャップ層４６内でのイオンの緩やかな動きにより生じる材料の移動である。材料がマイグレーションを開始するとき、材料はキャップ層４６内に島を形成しうる。材料がマイグレーションを開始するとき、酸化の低減、水素ガスからの保護および放射率の改善というキャップ層４６の効果が減少する。したがって、リソグラフィ装置１００の使用中において、膜４０は酸化が開始され、放射率が減少しうる。

マイグレーション防止層４７を設けることにより、キャップ層４６のマイグレーションが低減する。モリブデンおよびチタンは、比較的高い融点およびＵＶ放射に対する良好な放射率を有する金属である。チタンおよびモリブデンは、加熱されたときにルテニウムほどマイグレーションしない。チタンおよびモリブデンは、ルテニウムとの良好な金属対金属接合を有する。キャップ層４６に隣接してマイグレーション防止層４７を設けることにより、キャップ層４６のマイグレーションが低減される。その結果、リソグラフィ装置１００の使用中にキャップ層４６が加熱されるときに、キャップ層４６の良好な特性がより高い温度で維持される。

図９に描かれるように、ある実施の形態において、積層体は、膜４０の外面にてルテニウムを備えるキャップ層４６、モリブデンおよびチタンの少なくとも一方を備えるマイグレーション防止層４７、シリコン層４１、モリブデンおよびチタンの少なくとも一方を備えるマイグレーション防止層４７、および、膜４０の他の外面にてルテニウムを備えるキャップ層４０の順の複数層を備える。ある実施の形態において、膜４０の双方の外面にてルテニウムを備えるキャップ層４６が設けられる。

図１０は、マイグレーション防止層４７の使用と、シリコン化合物層４３のアイデアとが組み合わされる代替的な実施の形態の膜を示す。

図１０に描かれるように、ある実施の形態において、積層体は、膜４０の外面にてルテニウムを備えるキャップ層４６、モリブデンおよびチタンの少なくとも一方を備えるマイグレーション防止層４７、シリコン層４１、シリコン化合物層４３および非金属層４２の順の複数層を備える。

膜アセンブリ８０の製造中において、炭化ホウ素層は、エッチングプロセスから化学的にシリコン層４１を保護できる。ある実施の形態において、膜４０は周期的構造を備える。ある実施の形態において、その周期は、６．６ｎｍまたは６．７ｎｍと等しくなるようには設定されない。仮にその周期が６．７ｎｍに等しいまたはその近傍であれば、膜がＥＵＶ放射に対するミラーとして機能しうる。

シリコンは、ダイヤモンド立方晶構造で結晶化できる。ある実施の形態において、縁８１は、立方晶のシリコンを備える。ある実施の形態において、縁８１は、＜１００＞の結晶学的方位を有する。

ある実施の形態において、シリコン層４１は、多結晶またはナノ結晶シリコンから形成される。多結晶またはナノ結晶シリコンは、脆い性質を有する。したがって、多結晶またはナノ結晶シリコンから形成されるシリコン層４１を備える膜４０は、膜アセンブリ８０が壊れるときに多数の粒子に粉砕されうる。本開示のある実施の形態では、膜アセンブリ８０の機械的特性の改善の実現が期待される。

多結晶シリコンおよびナノ結晶シリコンのそれぞれは、ＥＵＶ放射に対して高い透過率を有する。多結晶シリコンおよびナノ結晶シリコンのそれぞれは、良好な機械的強度を有する。しかしながら、シリコン層４１の膜が多結晶またはナノ結晶シリコンから形成されることは必須ではない。例えば、代替的な実施の形態において、シリコン層４１は、多重格子膜または窒化シリコンから形成される。

ある別の代替的な実施の形態において、シリコン層４１は、単結晶シリコンから形成される。このような実施の形態において、単結晶シリコン膜は、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）技術により形成されることができる。この製品向けの開始材料は、いわゆるＳＯＩ基板である。ＳＯＩ基板は、埋没絶縁ＳｉＯ_２層の上部にある薄い単結晶シリコン層を有するシリコン担体基板を備える基板である。ある実施の形態において、単結晶シリコン層の厚さは、約５ｎｍから約５μｍの範囲となりうる。ある実施の形態において、シリコン層４１は、製造方法においてＳＯＩ基板が使用される前のＳＯＩ基板上に存在する。

ある実施の形態において、シリコン層４１は、アモルファス、単結晶、多結晶またはナノ結晶シリコンといった同素体の形態のいずれか一つのシリコンを備える。ナノ結晶シリコンは、特定量のアモルファスシリコンを含有する多結晶シリコンマトリックスを意味する。ある実施の形態において、多結晶またはナノ結晶シリコンは、シリコン層４１内のアモルファスシリコンを結晶化することで形成される。例えば、ある実施の形態において、シリコン層４１は、アモルファスシリコン層として積層体に加えられる。アモルファスシリコン層は、特定の温度を超えたときに多結晶またはナノ結晶シリコン層に結晶化する。例えば、アモルファスシリコン層としてのシリコン層４１は、多結晶またはナノ結晶シリコン層としてのシリコン層４１に転換する。

ある実施の形態において、アモルファスシリコン層は、その成長中にその場でドープされる。ある実施の形態において、アモルファスシリコン層は、その成長の後にドープされる。ｐ型またはｎ型ドーパントを加えることにより、シリコンの導電性が増加し、それはＥＵＶ源のパワーに起因する熱機械的な振る舞いに対して前向きな効果を有する。

ある実施の形態において、膜４０は、ＥＵＶ放射に対する透過率が十分に高く、例えば５０％より大きくなる程度に十分に薄い。ある実施の形態において、膜４０の厚さは、多くとも約２００ｎｍであり、選択的に多くとも約１５０ｎｍである。１５０ｎｍのＳｉ膜は入射するＥＵＶ放射の約７７％を透過させるであろう。ある実施の形態において、膜４０の厚さは多くとも約１００ｎｍである。１００ｎｍのＳｉ膜は入射するＥＵＶ放射の約８４％を透過させるであろう。６０ｎｍのＳｉ膜は入射するＥＵＶ放射の約９０％を透過させるであろう。

ある実施の形態において、膜４０は、膜アセンブリ８０をリソグラフィ装置１００のパターニングデバイスＭＡに固定するときおよびリソグラフィ装置１００の使用中に、機械的に安定する程度に厚い。ある実施の形態において、膜４０の厚さは、少なくとも約１０ｎｍであり、選択的に少なくとも約２０ｎｍであり、および選択的に少なくとも約３５ｎｍである。ある実施の形態において、膜４０の厚さは、約５５ｎｍである。

ある実施の形態において、膜アセンブリ８０は、ペリクルまたは動的ガスロックの一部として用いられる。代替的に、膜アセンブリ８０は、同定といった他の濾過領域や、ビームスプリッタ用に用いられてもよい。

図１１は、本開示のある代替的な実施の形態に係る膜アセンブリ８０を概略的に示す断面図である。膜アセンブリ８０は、ＥＵＶリソグラフィ用である。

膜アセンブリ８０は、平面的な膜４０を備える。膜４０の一部のみが図１１に示される。膜アセンブリ８０は、フレームアセンブリ５０を備える。図１１は、膜４０の一方側のフレームアセンブリ５０の断面視を示す。フレームアセンブリ５０は、ＥＵＶリソグラフィ用のパターニングデバイスＭＡに取り付けられるよう構成される。図１１に描かれるように、ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０は、縁８１を介して膜４０を保持するよう構成される。膜４０および縁８１の構成は、本書で記載される任意の他の実施の形態と同じにすることができる。

図１１から１４は、フレームアセンブリ５０をパターニングデバイスＭＡに取り付けるプロセスの様々な工程を概略的に示す。図１３は、パターニングデバイスＭＡに取り付けられたフレームアセンブリ５０を概略的に示す。図１３に描かれるように、ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０はロックされた状態（固定状態）を有する。固定状態において、フレームアセンブリ５０は、膜４０がパターニングデバイスＭＡから所定の距離Ｄ１で保持されるようにしてパターニングデバイスＭＡに固定される。所定の距離は図１３に示される。所定の距離Ｄ１は、膜４０の平面およびパターニングデバイスＭＡの平面と直交する方向に測定される。フレームアセンブリ５０は、弾性部材５３により固定状態にバイアス（付勢）されている。

図１４に描かれるように、ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０は、ロックされていない状態（解除状態）を有する。解除状態において、膜アセンブリ５０は、パターニングデバイスに対して固定されていない。解除状態において、膜４０は、パターニングデバイスＭＡから所定の距離Ｄ１よりも小さい距離にある。例えば、図１４に示されるように、解除状態において、膜４０は、パターニングデバイスＭＡから解除状態距離Ｄ２にある。解除状態距離Ｄ２は、所定の距離Ｄ１よりも小さい。図１３と図１４の比較から示されるように、解除状態において、フレームアセンブリ５０の膜ホルダ５８がパターニングデバイスＭＡに近づくように力が加えられ、弾性部材５３が圧縮される。

膜４０は、パターニングデバイスＭＡの前面側での任意の欠陥を軽減するために用いられる。膜４０は、汚染粒子がパターニングデバイスＭＡに到達する可能性を低減する。ある実施の形態において、膜アセンブリ８０は、（図１５から１７に示される）装填装置７０内でリソグラフィ装置１００の内部に装填される。図１５から１７に示されるように、ある実施の形態において、装填装置７０は、膜４０を収容するために切り取られた部分を備える。装填装置７０は、可能な限り薄いことが望ましい。装填装置７０の厚さは、図１５から１７における上下方向として示される。

実際上、膜４０は、それ自身の重みで垂れ下がることができる。膜４０に対する任意のダメージを妨げるため、膜４０が装填装置７０の内側に触れるのを妨げることが望ましい。膜４０は、より高い割合のＥＵＶ放射を透過可能となるように薄いことが望ましい。しかしながら、膜４０を薄くするほど、より垂れ下がる傾向にある。したがって、膜４０の薄さと装填装置７０の薄さの間にはトレードオフがある。

リソグラフィ装置１００の使用において、膜４０とパターニングデバイスＭＡの間に大きなスタンドオフがあることが望ましい。スタンドオフは、リソグラフィ装置１００が使用中であるときのパターニングデバイスＭＡと膜４０の間の距離である。したがって、膜４０とパターニングデバイスＭＡの間のスタンドオフを単純に減らすことで膜４０が垂れ下がるためのスペースを増やすことは望ましくない。

その代わり、図１１から１４に示される実施の形態は、膜４０が装填装置７０内で輸送される間に膜４０がパターニングデバイスＭＡに向けて一時的に押されることを可能にする。例えば、図１５および１６は、パターニングデバイスＭＡに向けて上方に押される一時的な状態の膜４０を示す。これは、膜４０が装填装置７０の内側に触れることなく、より大きく垂れ下がることを可能にする。一方で、図１７は、装填装置７０の外にある膜アセンブリ８０を示す。膜４０は、もはやパターニングデバイスＭＡに向けて上方に押されておらず、膜４０はパターニングデバイスＭＡから所定の距離Ｄ１を有する。

したがって、本開示のある実施の形態では、装填装置７０の厚さを増やすことなく、より高いレベルの設計自由度にしたがって膜４０を作成することが可能となることが期待される（より高いレベルの垂れ下がりが可能なため）。

図１１に描かれるように、ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０は、弾性部材５３を備える。ある実施の形態において、弾性部材５３は、予圧されたバネを備える。弾性部材５３は、例えば、ねじりばね又はリーフばねであってもよい。図１１に描かれるように、ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０は、膜ホルダ５８を備える。膜ホルダ５８は、膜４０を保持するよう構成される。膜ホルダ５８は、フレームアセンブリ５０の大部分を構成する。膜ホルダ５８は、膜４０に対して固定された位置を有する。膜ホルダ５８が移動するとき、膜４０も膜ホルダ５８と一緒に移動する。

図１１に描かれるように、ある実施の形態において、膜ホルダ５８は、エンドストップ面３３を備える。エンドストップ面３３は、パターニングデバイスＭＡから突出するスタッド５２のロック面３４と接触するよう構成される。フレームアセンブリ５０が固定状態にあるとき、膜ホルダ５８のエンドストップ面３３は、スタッド５２のロック面３４と当接する。ある実施の形態において、エンドストップ面３３は、スタッド５２のロック面３４の上部に接している。これは、固定されたエンドストップがスタッドの下方に位置する既知の機構とは異なる。本開示によれば、膜ホルダ５８は、弾性部材５３に対して上方に押圧されることができる。

図１１に描かれるように、ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０は、クランプ部材５９を備える。クランプ部材５９は、膜ホルダ５８に対して移動可能である。ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０は、弾性部材５３を備える。弾性部材５３は、膜ホルダ５８をクランプ部材５９に接続する。膜ホルダ５８は、弾性部材５３の圧縮により、クランプ部材５９に対して移動できる。膜ホルダ５８は、クランプ部材５９に対して膜４０の平面に直交する方向に移動可能である。

図１１は、フレームアセンブリ５０が初期状態にある時点を描いている。初期状態において、弾性部材５３は、実質的に圧縮されていない状態にある。フレームアセンブリ５０は、膜ホルダ５８のエンドストップ面３３とクランプ部材５９の当接面３１の間に十分なスペースがないため、スタッドの上に嵌ることができない。当接面３１は、スタッド５２の係合面３２と接触するよう構成される。スタッド５２の係合面３２は、パターニングデバイスＭＡとは反対側に向いている。

図１２は、準備状態にあるフレームアセンブリ５０を概略的に示す。準備状態において、弾性部材５３は、膜ホルダ５８のエンドストップ面３３とクランプ部材５９の当接面３１の距離が増えるように圧縮される。この工程を実行するために特殊な器具が用いられてもよい。具体的には、クランプ部材５９を保持するための器具が用いられてもよい。クランプ部材５９がある位置に保持された状態で、パターニングデバイスＭＡの方向に膜ホルダ５８を押圧する力を加えるために器具が用いられる。したがって、弾性部材５３が圧縮され、膜ホルダ５８はパターニングデバイスＭＡに向けて力が加えられる。フレームアセンブリ５０およびパターニングデバイスＭＡはその後、スタッド５２（またはスタッド５２の一部）が膜ホルダ５８のエンドストップ面３３とクランプ部材５９の当接面３１の間に入るように互いに対して巧みに操作される。

図１３は、固定状態にあるフレームアセンブリ５０を示す。図１２に示される準備状態から図１３に示される固定状態への遷移において、膜ホルダ５８に加えられる力が解除される。その結果、弾性部材５３は伸張する。クランプ部材５９の当接面３１は、スタッド５２の係合面３２と接触する。膜ホルダ５８のエンドストップ面３３は、スタッド５２のロック面３４に接触する。スタッド５２のロック面３４は、パターニングデバイスＭＡの方に向いている。

図１４は、解除状態にあるフレームアセンブリ５０を概略的に示す。解除状態において、クランプ部材５９の当接面３１は、スタッド５２の係合面３２と接触したままである。膜ホルダ５８は、膜ホルダ５８のエンドストップ面３３がスタッド５２のロック面３４から離れるように移動するようにパターニングデバイスＭＡに向けて力が加えられる。したがって、フレームアセンブリ５２は、もはやパターニングデバイスＭＡに固定されていない。膜４０は、図１３に示される固定状態と比べてパターニングデバイスＭＡに近い。弾性部材５３が圧縮されるとき、膜ホルダ５８は、パターニングデバイスＭＡに向けて移動する。

図１５は、パターニングデバイスＭＡに取り付けられ、かつ、装填装置７０に格納される膜アセンブリ８０を概略的に示す。装填装置７０は、代替的にロードロックまたはインナーポッド（内側容器）と呼ばれてもよい。図１５に示されるように、ある実施の形態において、装填装置７０は、少なくとも一つの突起７１を備える。突起７１は、フレームアセンブリ５０の膜ホルダ５８を上に押すためにある。突起７１は、装填装置７０の内面（またはベースプレート）から突出する。図１５を見て分かるように、突起７１により弾性部材５３が押されることにより、膜ホルダ５８はパターニングデバイスＭＡに向けて押されることができる。これは、装填装置７０の内面に向かう膜４０のためのクリアランスを追加する。

ある実施の形態において、膜４０と装填装置７０の内面の間の距離は、突起７１によって弾性部材５３が圧縮されることにより、約０．５ｍｍから約１．５ｍｍに増加する。ある実施の形態において、パターニングデバイスＭＡに向かう膜４０のクリアランスは一時的に約２．５ｍｍから約１．５ｍｍに減少する。パターニングデバイスＭＡに向かう膜４０のクリアランスは、その後、膜アセンブリ８０が装填装置７０から解放されるときに約２．５ｍｍに戻るように増加する。

本開示のある実施の形態では、装填装置７０と膜４０の間での静電的な放電のリスクを低減することが期待される。これは、膜４０と装填装置７０の内面の間で増加したクリアランスが理由である。

図１６に描かれるように、ある実施の形態において、膜アセンブリ８０は、封止フレーム７２を備える。封止フレーム７２は、膜４０とパターニングデバイスＭＡの間の空間（体積）の開口部を制御するために設けられる。ある実施の形態において、封止フレーム７２は、膜４０の周りに位置する。ある実施の形態において、封止フレーム７２は、複数の封止開口部７３を備える。膜ホルダ５８がパターニングデバイスＭＡに向けて上方に押されるとき、フレームアセンブリ５０のフレーム開口部７４は、図１６に示されるように封止開口部７３と整列して高速の圧力均等化を可能にするであろう。フレーム開口部７４は、ガス（例えば空気）が通過できるように封止開口部７３と整列する。

図１７は、装填装置７０の外側にある膜アセンブリ８０を概略的に示す。封止開口部７３は、フレーム開口部７４と整列していないためにガスまたは粒子が通る経路が遮蔽される。したがって、封止フレーム７２は、膜４０とパターニングデバイスＭＡの間のスペースを封止する。

図１８は、膜アセンブリ８０とパターニングデバイスＭＡの間のギャップＧを概略的に示す。スタッド５２が設けられていない位置において、潜在的に、汚染粒子がギャップＧを通過し、パターニングデバイスＭＡと膜４０の間のスペースまたは領域に入り込むことができる。ギャップＧは、例えば、約３００μｍの厚さを有してもよい。

膜アセンブリ８０は、ギャップＧのサイズよりも小さい粒子が膜４０とパターニングデバイスＭＡの間のスペースに到達可能となることに対して脆弱である。例えば、スペースの外側で発生し、約２００ｎｍよりも小さいサイズを有する汚染粒子は、パターニングデバイスＭＡとフレームアセンブリ５０の間でギャップＧを直線的に通過できるか、または、何回か跳ねながらギャップＧを通過できるかのいずれかである。

図１９は、膜アセンブリ８０の変形例を概略的に示す。図１９に示される変形例は、本書に記載される膜アセンブリ８０の任意の実施の形態に適用できる。

図１９に示される膜アセンブリ８０の変形例は、膜４０とパターニングデバイスＭＡの間の領域の外側からその領域に粒子が入る可能性を低減するためにある。追加的に、図１９に示される膜アセンブリ８０の変形例は、ギャップＧで発生する粒子が膜４０とパターニングデバイスＭＡの間の領域から出ていく可能性を低減するためにある。図１９に描かれるように、ある実施の形態において、膜アセンブリ８０は、膜４０を保持するよう構成され、パターニングデバイスＭＡに取り付けられるよう構成されるフレームアセンブリ５０を備える。ギャップＧは、フレームアセンブリ５０とパターニングデバイスＭＡの対向面の間に形成される。

ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０は、細長いバッフル７５を備える。細長いバッフル７５は、汚染粒子がギャップＧに入るのを抑制するよう構成される。図１９に示されるように、細長いバッフル７５は、パターニングデバイスＭＡの対向面を越えて延在する。ある実施の形態において、細長いバッフル７５は、パターニングデバイスＭＡの平面範囲を超える位置でパターニングデバイスＭＡの対向面を越えて延在する。

膜アセンブリ８０は、パターニングデバイスＭＡと膜４０の間のスペースに粒子が到達する可能性を低減する。図１９に描かれるように、ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０は、少なくとも一つの別のバッフル７６を備える。それぞれの別のバッフル７６は、汚染粒子がギャップＧに入るのを抑制するよう構成される。それぞれの別のバッフル７６は、パターニングデバイスＭＡに向けて延びる。

ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０は、三つまたは四つの溝（つまり、細長いバッフル７５およびそれぞれの別のバッフル７６の間のスペース）を備える。ある実施の形態において、これらの溝は、均等な幅を有しない。言いかえれば、細長いバッフル７５と別のバッフル７６は、等間隔でなくてよい。膜４０とパターニングデバイスＭＡの間の領域内に放出される粒子（例えば、パターニングデバイスＭＡと向かい合う側の膜４０から放出される粒子）であって、フレームアセンブリ５０に向かう粒子は、パターニングデバイスＭＡに戻るようには反射されにくい。粒子は、溝の中に捕獲されることができる。

ある実施の形態において、細長いバッフル７５は、約１ｍｍと等しい高さ、または、それよりも大きい高さを有する。ある実施の形態において、細長いバッフル７５（および別のバッフル７６）とパターニングデバイスＭＡの間の距離は、リソグラフィ装置１００の動作中の圧力均等化を促すように選択される。ある実施の形態において、細長いバッフル７５と最も近い別のバッフル７６との間の距離は約３００μｍである。ある実施の形態において、細長いバッフル７５に最も近い別のバッフル７６と次の別のバッフル７６との間の距離は、細長いバッフル７５とそれに最も近い別のバッフル７６との間の距離よりも約１．２倍から１．５倍大きい。ある実施の形態において、図１９に示される三つの真ん中にある別のバッフル７６と細長いバッフル７５から最も遠い別のバッフル７６との間の距離は、図１９に示される三つの別のバッフル７６のうち中央と右側にある二つの別のバッフル７６の間の距離の約１．２倍から１．５倍である。ある実施の形態において、バッフル間の溝の幅は、細長いバッフル７５から離れる方向に約２０％から５０％ずつ増加する。

ある実施の形態において、細長いバッフル７５と別のバッフル７６は、パターニングデバイスＭＡの中心とスタッド５２の間に位置する。したがって、バッフル構造は、スタッド５２から放出されるチタン合金などの粒子を抑制できる。したがって、ある実施の形態において、細長いバッフル７５は、パターニングデバイスＭＡの平面範囲を超えない位置でパターニングデバイスＭＡの対向面を越えて延在する。

ある実施の形態において、細長いバッフル７５および／または別のバッフル７６は、高ハマカー（Hamaker）定数を有する材料でできている。ある実施の形態において、フレームアセンブリ５０は、高ハマカー定数を有する材料でできている。本開示のある実施の形態では、広範囲のサイズ、材料、進行速度および入射角を持つ粒子がパターニングデバイスＭＡに到達する可能性を低減することが期待される。

図２０Ａ−２０Ｃは、パターニングデバイスのレチクルステージ領域に位置するギャップ粒子トラップ９０の様々な実施の形態を概略的に示す断面図である。図２０Ａ−２０Ｃに示されるギャップ粒子トラップ９０は、膜アセンブリ８０の任意の実施の形態および本開示に記載されるようなリソグラフィ装置１００の他の適当な要素、または、計測システム、チューブ、ガスフローダクト、またはガスダクト／パイプのボックスといった粒子に影響されやすい他の装置に適用可能である。一般に、ギャップ粒子トラップ９０は、粒子に影響されやすい任意の装置に配置され、望ましくない汚染粒子の数を低減してもよい。

一例において、図２０Ａ−２０Ｃに示されるギャップ粒子トラップ９０は、パターニングデバイスＭＡが装着されるレチクルステージ領域ＲＳに粒子が入る可能性を低減するために用いられる。図２０Ａ−２０Ｃに描かれるように、レチクルステージ領域ＲＳは、サポート構造ＭＴなどの静止部分と、可動部分ＭＲＳとを備える。なお、静止および可動の用語は相互に交換可能であり、レチクルステージ領域の異なる部分間の相対的な移動を単に説明するために用いられることに留意されよう。サポート構造ＭＴが可動であり、可動部分ＭＲＳが静止することもでき、または、必要に応じて双方が可動となることもでき、もしくは、双方が静止することもできる。パターニングデバイスＭＡは、可動部分ＭＲＳに装着される。可動部分ＭＲＳは、例えば、フレームまたはテーブルであってもよく、必要に応じて固定されてもよいし、可動であってもよい。可動部分ＭＲＳは、パターニングデバイスＭＡを変える、または、遮るための装置を備えてもよい。パターニングデバイスＭＡを移動または変化させるための装置例は、回転交換装置（ＲＥＤ）であり、パターニングデバイスＭＡを遮るための装置例は、可動レチクルマスキング（ＲＥＭＡ）ブレードである。双方の例示的な装置は、オランダ国フェルドホーフェンのＡＳＭＬにより製造され、米国特許９，２６８，２４１号および７，３５９，０３７号のそれぞれに記載されており、これらの全体が参照により本書に援用される。

レチクルステージ領域ＲＳの静止部分と可動部分の間の物理的なバリアが許されていない実施の形態において、ギャップＧは、サポート構造ＭＴと可動部分ＭＲＳの対向面の間に形成される。サポート構造ＭＴと可動部分ＭＲＳの間の環境は、ケーブルまたはケーブルスラブボックス（図２０Ａ−２０Ｃには示されていない）などの汚染粒子源となりうる部分を含む。ガスフローマニピュレーションといった様々なデザインまたは装置は、粒子の汚染を低減するために粒子に影響されやすい装置に実装されてもよい。しかしながら、これらの方法は、全ての汚染粒子を防止するためには十分ではないかもしれない。したがって、ギャップＧを通過してパターニングデバイスＭＡに接触する可能性のある粒子の量をさらに低減するために、ギャップ粒子トラップがギャップＧに配置される。具体的には、ギャップ粒子トラップは、単なる平行な表面だけの場合に比べて、より多くの粒子がギャップＧを通過するのをブロックしうる。様々な実施の形態に係るギャップ粒子トラップ９０を形成するためにリソグラフィ装置の適当な表面が用いられてもよいことが留意されよう。例えば、レチクルステージＲＳの製造中に、レチクルステージＲＳの様々な部分の表面がギャップ粒子トラップ９０の機械的構造を形成してもよく、したがって、ギャップ粒子トラップ９０がレチクルステージＲＳの一体的な部分であってもよい。ギャップ粒子トラップ９０は、他の実施の形態によれば、必要に応じてサポート構造ＭＴまたは可動部分ＭＲＳに装着できる取付可能な部分であってもよい。

図２０Ａに示されるように、ある実施の形態において、ギャップ粒子トラップ９０は、ギャップＧに配置され、可動部分ＭＲＳの表面上に形成される。図２０Ｂおよび図２０Ｃのそれぞれに示される様々な実施の形態によれば、汚染粒子を様々な速度、入射角または他の粒子特性で捕獲するため、ギャップ粒子トラップ９０がサポート構造ＭＴの表面上に形成されてもよく、または、サポート構造ＭＴおよび可動部分ＭＲＳの双方に形成されてもよい。単純化のため、ギャップ粒子トラップ９０の詳細構造は、図２０Ａ−２０Ｃには示されていないが、図２１Ａ−２１Ｄに示されている。

図２１Ａは、本開示のある実施の形態に係るギャップ粒子トラップ９０を概略的に示す断面図である。ギャップ粒子トラップ９０は、バッフル９２を備える。バッフル９２は、ギャップＧに入った汚染粒子がパターニングデバイスＭＡに到達するのを抑制するよう構成される。図２１Ａに示されるように、バッフル９２は、それぞれのバッフル９２が高さＨおよび幅Ｗを有する長方形の断面形状を有してもよい。バッフル９２は、任意の適当な断面形状を有してもよく、例えば、略長方形、三角形、略三角形、菱形または略菱形であってもよい。これらの形状の別の例は、図２１Ｂ−２１Ｄに示されている。バッフル９２の幅Ｗは、高さＨと等しくてもよいし、異なってもよい。ある実施の形態において、ギャップ粒子トラップ９０は、複数の溝（つまり、それぞれのバッフル９２間のスペース）を備える。ある実施の形態において、溝は等しい幅を有さず、言いかえれば、バッフル９２は等間隔でなくてもよい。別の実施の形態において、バッフル９２は等間隔である。例えば、隣接するバッフル９２の対向する側壁間の距離は約５００μｍである。他の実施の形態において、バッフル間に溝がなくてもよい。バッフル９２の高さＨ、幅Ｗおよび間隔は、対象とする汚染粒子の特性に基づくよう構成されてもよい。例えば、バッフル９２の形状は、汚染粒子の速度、入射角、寸法、材料または重さに少なくとも基づいて異なってもよい。本開示のある実施の形態では、広範囲のサイズ、材料、進行速度および入射角を持つ粒子がパターニングデバイスＭＡに到達する可能性を低減することが期待される。

ギャップ粒子トラップ９０の動作例は、図２０Ａを参照しながら以下に説明される。汚染粒子は、サポート構造ＭＴと可動部分ＭＲＳの間の汚染源からギャップＧに入るかもしれず、その後にパターニングデバイスＭＡに向けて進行するかもしれない。これらの汚染粒子は、サポート構造ＭＴおよびギャップ粒子トラップ９０の表面に衝突するであろう。汚染粒子は、ギャップ粒子トラップ９０の側壁および／または溝の表面に多くの回数衝突する可能性が高い。それぞれの衝突で粒子は運動エネルギーを失って、十分に小さい速度または運動エネルギーを有すると、粒子はファンデルワールス引力によってギャップ粒子トラップの表面にくっつくであろう。ある実施の形態において、バッフル９２は、汚染粒子とギャップ粒子トラップ９０の表面との間のファンデルワールス力を増やすために高ハマカー定数を持つ材料からなり、汚染粒子がトラップの表面にくっつく可能性がより高くなる。ギャップ粒子トラップとの粒子の衝突は、汚染粒子の運動エネルギーを顕著に減少させ、ギャップ粒子トラップ９０の溝または表面に粒子が捕獲されるようにする。仮に粒子が溝から出てギャップに戻るように飛び出すのに十分なエネルギーを有していたとしても、その速度は減少しているであろうから、粒子はパージガスフローによって制御可能となりやすくなる。粒子速度は、ギャップ粒子トラップとの衝突に起因して反転または部分的に反転されてもよく、その結果、粒子がギャップＧから離れて好ましい方向に進行してもよい。

汚染粒子がギャップ粒子トラップを通過してパターニングデバイスＭＡが位置する環境に入り込む実施の形態において、パターニングデバイスＭＡに接触しうる粒子の量を低減するための面粒子トラップがサポート構造ＭＴまたは可動部分ＭＲＳの適当な面に形成されてもよい。上述したギャップ粒子トラップ９０と同様に、様々な実施の形態によれば、面粒子トラップを形成するためにリソグラフィ装置の適当な表面が用いられてもよいことに留意されよう。例えば、レチクルステージＲＳの製造中において、レチクルステージＲＳの様々な部分の表面が面粒子トラップの機械的構造を形成してもよい。面粒子トラップは、他の実施の形態によれば、必要に応じてサポート構造ＭＴまたは可動部分ＭＲＳに装着できる取付可能な部分であってもよい。

図２２Ａに示されるように、面粒子トラップ９４は、いくつかの実施の形態によれば、サポート構造ＭＴの表面上に配置される。図２２Ｂに示される様々な実施の形態によれば、様々な速度、入射角または他の粒子特性を持つ汚染粒子を捕獲するため、面粒子トラップ９４は、サポート構造の他の表面に形成されてもよく、または、サポート構造ＭＴおよび可動部材ＭＲＳの双方の表面に形成されてもよい。単純化のため、面粒子トラップ９４の構造の詳細は、図２２Ａおよび２２Ｂには示されていないが、図２３Ａ−２３Ｆに示されている。上述のように、図２２Ａおよび２２Ｂに示される面粒子トラップ９４は取付可能な部分であるが、面粒子トラップ９４は、レチクルステージＲＳの一体的な部分であってもよく、レチクルステージＲＳの様々な要素の表面を用いて形成されてもよい。

図２３Ａ−２３Ｅは、面粒子トラップ９４の様々な実施の形態を概略的に示す断面図である。面粒子トラップ９４は、汚染粒子を捕獲し、それらがパターニングデバイスＭＡに到達するのを妨げるように構成されるバッフル９６を備える。図２３Ａに示されるように、バッフル９６は三角形の断面領域を有してもよく、それぞれのバッフル９６は、ある実施の形態によれば高さＨおよび幅Ｗを有してもよい。例示を目的として、それぞれのバッフル９６は、三角形の断面領域の最高点および最低点のそれぞれであるピークＰおよびトラフ（凹み）Ｔを有する。バッフル９６は、図２３Ｂに示されるように略三角形の断面領域を有してもよく、これは反射された粒子に所望の進行方向を与えるのに望ましいかもしれない。バッフル９６は、様々な断面形状を有してもよく、例えば、台形状の断面を有してもよいことが留意されよう。ある実施の形態において、それぞれのバッフルの間に間隔が存在しなくてもよい（つまり、バッフルがジグザグパターンを形成する）。例示を目的として、角度θ_１およびθ_２はそれぞれ、図２３Ａの面粒子トラップ９４の断面視を見て分かるように、サポート構造ＭＴの表面（または隣り合うトラフにより形成される仮想面）とバッフル９６のそれぞれの側面との間で測定される角度である。

ある実施の形態において、角度θ_１およびθ_２は、その入射角に基づいて面粒子トラップから汚染粒子が出られなくなるように構成されることができる。例えば、図２３Ａは、角度θ_１およびθ_２が等しい場合を示す。別の例では、図２３ｃに示されるように、バッフル９６の上面は、面粒子トラップが形成されているサポート構造ＭＴの表面に直交またはほぼ直交する。したがって、角度θ_１は、９０°に等しいか９０°に近いであろう。図２３Ｄにおいて、バッフル９６の下面は、面粒子トラップが形成されているサポート構造ＭＴの表面に直交またはほぼ直交する。したがって、角度θ_２は、９０°に等しいか９０°に近いであろう。図２３Ｅおよび２３Ｆは、面粒子トラップ９６の別の例を示す。図２３Ｅにおいて、角度θ_１およびθ_２は、それぞれのバッフル９６について別々に構成されており、第１バッフルについての角度θ_１またはθ_２は、隣接する第２バッフルについての対応する角度θ_１’およびθ_２’と異なりうる。図２３Ｆにおいて、角度θ_１およびθ_２は異なる角度であるが、それぞれのバッフル９６は同一である。

図２４Ａおよび２４Ｂは、様々な実施の形態の面粒子トラップ９４を概略的に示す平面図である。図２４Ａは、図２３Ａに記載される面粒子トラップ９４の平面視であってもよい。図２４Ａに示されるように、バッフル９４の行は、互いに平行であり、隣接するピークまたはトラフの間隔が等しい。代替的にバッフルのそれぞれの行は、特定の形状を形成するように構成されてもよい。図２４Ｂに示されるように、それぞれの行がＶ形状となるように形成され、かつ、バッフルの行が互いに平行である一方、隣接するピークまたはトラフの間隔が異なってもよい。

本開示のある実施の形態では、広範囲のサイズ、材料、進行方向および入射角の粒子がパターニングデバイスＭＡに到達する可能性を低減することが期待される。面粒子トラップ９４は、本書で記載されるリソグラフィ装置１００の粒子に影響されやすい他の環境に実装または形成されてもよいし、計測システム、チューブ、ガスフローダクトまたはガスダクト／パイプのボックスといった粒子に影響されやすい他の装置に実装または形成されてもよい。一般に、面粒子トラップ９４は、粒子に影響されやすい任意の装置に配置され、汚染粒子の数を低減してもよい。

面粒子トラップ９４の動作例は、図２２Ａを参照しながら後述される。サポート構造ＭＴと可動部分ＭＲＳの間で生成される汚染粒子は、ギャップＧから出てその後にパターニングデバイスＭＡに向けて進行するかもしれない。これらの汚染粒子は、面粒子トラップ９４に衝突しやすく、バッフル９６に多くの回数衝突しやすい。それぞれの衝突で粒子が運動エネルギーを失って十分に小さい速度または運動エネルギーを有すると、粒子はファンデルワールス引力によってギャップ粒子トラップの表面にくっつくであろう。ある実施の形態において、バッフル９６は、汚染粒子と面粒子トラップ９４の表面との間のファンデルワールス力を増やすために高ハマカー定数を持つ材料からなり、汚染粒子がトラップの表面にくっつく可能性がより高くなる。面粒子トラップでの衝突は、汚染粒子の運動エネルギーを顕著に低減させ、粒子はバッフル間に捕獲されることになる。

本書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、本書に説明したリソグラフィ装置は他の用途にも適用可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、ＬＣＤ、薄膜磁気ヘッドなどがある。本書に参照される基板は、露光の前または後に処理されてもよく、トラック（一般にレジストの層を基板に適用して露光されたレジストを現像するツール）、計測ツールおよび／または検査ツールで処理されてもよい。適用可能であれば、本書の開示は、このような基板処理ツールまたは他の基板処理ツールに適用されてもよい。さらに、例えば多層ＩＣを作製するために、基板を２回以上処理されてもよく、本書で使用される基板という用語は、複数の処理された層を既に含む基板を指してもよい。

以上、本発明の特定の実施の形態を説明したが、本発明は記載以外の方法で実施されてもよいことが理解されよう。例えば、様々なフォトレジスト層は、同一の機能を実現するフォトレジストではないレジスト層に置き換えられてもよい。

上記の説明は例示的なものであり、限定を意図するものではない。したがって、以下の特許請求の範囲から逸脱することなく、記載された本発明に対して変更がなされうることは、当業者にとって明らかであろう。

Claims (20)

1. 第１面を有するパターニングデバイスの第１構造と、
   第２面を有し、前記第１面および前記第２面が互いに対向する前記パターニングデバイスの第２構造と、
   前記第１面上に形成され、前記第２面と対向し、複数のバッフルを備えるトラップと、を備え、
   前記対向する第１面および第２面の間にギャップが形成されることを特徴とするパターニングデバイス。
2. 前記複数のバッフルは、高ハマカー（Hamaker）定数を持つ材料を備えることを特徴とする請求項１に記載のパターニングデバイス。
3. 前記トラップは、前記第１面の少なくとも一部により形成されることを特徴とする請求項１に記載のパターニングデバイス。
4. 前記複数のバッフルは、前記第１面から突出する側壁を備えることを特徴とする請求項１に記載のパターニングデバイス。
5. 前記トラップは、汚染粒子が前記ギャップを通過するのを抑制するよう構成されることを特徴とする請求項１に記載のパターニングデバイス。
6. 前記複数のバッフルの一つずつは、互いに平行な第１側壁および第２側壁を備えることを特徴とする請求項１に記載のパターニングデバイス。
7. 前記複数のバッフルの一つずつは、互いに平行でない第１側壁および第２側壁を備えることを特徴とする請求項１に記載のパターニングデバイス。
8. 複数の溝をさらに備え、前記複数の溝の一つずつは、前記複数のバッフルのうち隣り合うバッフル間に位置し、それぞれのバッフルの幅とは異なる溝幅を有することを特徴とする請求項１に記載のパターニングデバイス。
9. 複数の溝をさらに備え、前記複数の溝の一つずつは、前記複数のバッフルのうち隣り合うバッフル間に位置し、それぞれのバッフルの幅と同じ溝幅を有することを特徴とする請求項１に記載のパターニングデバイス。
10. 前記トラップの一部は、前記第２面上に形成されることを特徴とする請求項１に記載のパターニングデバイス。
11. 第１面を有するパターニングデバイスの第１構造と、
    第２面を有し、前記第１面および前記第２面の間にギャップが形成される前記パターニングデバイスの第２構造と、
    前記第１面に取り付けられ、前記第１面から突出する複数のバッフルを備える第１トラップと、を備えることを特徴とする装置。
12. 前記第２面に取り付けられる第２トラップをさらに備えることを特徴とする請求項１１に記載の装置。
13. 前記第１トラップおよび前記第２トラップは、汚染粒子が前記ギャップを通過するのを抑制するよう構成されることを特徴とする請求項１２に記載の装置。
14. 前記複数のバッフルの一つずつは、前記ギャップを通過する汚染粒子の特性に基づいて構成される対向する第１側壁および第２側壁を備えることを特徴とする請求項１１に記載の装置。
15. 前記複数のバッフルは、高ハマカー定数を持つ材料を備えることを特徴とする請求項１１に記載の装置。
16. 汚染粒子を抑制するよう構成されるトラップを備え、前記トラップは、装置の表面上に形成され、前記表面から突出する複数のバッフルを備えることを特徴とする装置。
17. 前記複数のバッフルは、高ハマカー定数を持つ材料を備えることを特徴とする請求項１６に記載の装置。
18. 前記複数のバッフルの一つずつは、前記汚染粒子の特性に基づいて構成される対向する第１側壁および第２側壁を備えることを特徴とする請求項１６に記載の装置。
19. 前記第１側壁および前記第２側壁は、前記表面の一部により形成されることを特徴とする請求項１８に記載の装置。
20. 前記複数のバッフルのそれぞれのバッフル間の間隔は、前記汚染粒子の特性に基づいて構成されることを特徴とする請求項１６に記載の装置。

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