CN110945433B

CN110945433B - 用于粒子抑制的粒子捕获器和阻挡件

Info

Publication number: CN110945433B
Application number: CN201880049089.7A
Authority: CN
Inventors: H-K·尼恩惠斯; R·P·奥尔布赖特; J·布林克特; 黄仰山; H·G·舒密尔; A·H·维尔魏
Original assignee: ASML Holding NV
Current assignee: ASML Holding NV
Priority date: 2017-07-28
Filing date: 2018-07-18
Publication date: 2022-07-01
Anticipated expiration: 2038-07-18
Also published as: NL2021334A; WO2019020445A1; JP2020528168A; US20200225591A1; KR20200029491A; US11175596B2; CN110945433A; KR102670404B1; JP7248649B2

Abstract

提供了设计以减少具有大范围的尺寸、材料、行进速率和入射角的污染物粒子到达对粒子敏感的环境的可能性。根据本公开的方面，提供有包括第一腔室和第二腔室、具有第一表面的第一结构、和第二结构的物体平台。第二结构配置成支撑第二腔室中的物体，所述第二结构可相对于第一结构移动。第二结构包括第二表面，所述第二表面与第一结构的第一表面相对，从而限定在第一结构与第二结构之间的间隙，所述间隙在第一腔室与第二腔室之间延伸。第二结构还包括第一腔室内的第三表面。所述物体平台还包括设置在所述第三表面的至少一部分上的捕获器，所述捕获器包括多个挡板。

Description

用于粒子抑制的粒子捕获器和阻挡件

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年7月28日提交的美国临时专利申请号62/538,198的优先权，并且所述申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及在例如光刻术中使用例如粒子捕获器和粒子阻挡件进行粒子抑制。

背景技术

光刻设备是一种将期望的图案施加到衬底(通常是在衬底的目标部分上)上的机器。例如，光刻设备可以使用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于产生要在IC的单层上形成的电路图案。可以将所述图案转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或若干个管芯)上。典型地，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。

光刻术被广泛认为是制造IC和其它器件和/或结构的关键步骤之一。然而，由于使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成使得能够制造微型IC或其它器件和/或结构的更关键的因素。

可以通过瑞利分辨率判据给出图案印制极限的理论估计值，如等式(1)所示：

其中λ是所使用的辐射的波长，NA是用于印制图案的投影系统的数值孔径，k₁是依赖于过程的调节因子且也被称为瑞利常数，并且CD是被印制的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。从等式(1)得出，可以通过以下三种方式获得可印制的最小的特征尺寸的减小：通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA、或通过降低k₁的值。

为了缩短曝光波长并因此减小可印制的最小尺寸，已经建议使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有在5-20nm范围内(例如在13-14nm范围内)的波长的电磁辐射。还已经建议了可以使用具有小于10nm的波长的EUV辐射，例如在5-10nm(诸如6.7nm或6.8nm)范围内的波长的EUV辐射。这样的辐射称为极紫外辐射或软x射线辐射。可能的源包括例如激光产生等离子体源、放电等离子体源、或基于由电子存储环提供的同步辐射的源。

光刻设备包括图案形成装置(例如，掩模或掩模版)。通过图案形成装置或反射离开图案形成装置而提供辐射以在衬底上形成图像。图案形成装置可以保持在真空环境中。在所述真空环境内，可能存在污染物粒子源，例如可以产生污染物粒子的多个缆线或缆线和软管承载件。如果这些污染物粒子到达图案形成装置和/或靠近图案形成装置的区，则在所形成的图像中可能出现疵点或缺陷。

发明内容

因此，需要减少具有大范围的尺寸、材料、行进速率和入射角的污染物粒子到达对粒子敏感的环境的可能性。

根据本公开的方面，提供有包括第一腔室和第二腔室的物体平台。所述物体平台还包括具有第一表面的第一结构以及第二结构。第二结构配置成支撑第二腔室中的物体，所述第二结构可相对于第一结构移动。第二结构包括第二表面，所述第二表面与第一结构的第一表面相对，从而限定在第一结构与第二结构之间的间隙，所述间隙在第一腔室与第二腔室之间延伸。第二结构还包括第一腔室内的第三表面。所述物体平台还包括设置在所述第三表面的至少一部分上的捕获器，所述捕获器包括配置成阻止污染物穿过间隙的多个挡板。

根据本公开的方面，提供有配置成将图案从图案形成装置转印到衬底上的光刻设备。所述光刻设备包括衬底台和掩模版平台，所述衬底台配置成沿扫描方向保持和移动衬底，所述掩模版平台配置成保持和移动所述掩模版。所述掩模版平台包括第一腔室和第二腔室。所述掩模版平台还包括具有第一表面的第一结构以及第二结构。第二结构配置成支撑第二腔室中的掩模版，第二结构可相对于第一结构移动。第二结构包括第二表面，所述第二表面与第一结构的第一表面相对，从而限定在第一结构与第二结构之间的间隙，所述间隙在第一腔室与第二腔室之间延伸。第二结构还包括第一腔室内的第三表面。所述掩模版平台还包括设置在所述第三表面的至少一部分上的捕获器，所述捕获器包括配置成阻止污染物穿过间隙的多个挡板。

根据本公开的方面，提供有包括第一腔室和第二腔室的物体平台。所述物体平台还包括具有第一表面的第一结构以及配置成支撑第二腔室中的物体且可相对于第一结构移动的第二结构。第二结构包括第二表面，所述第二表面与第一结构的第一表面相对，从而限定在第一结构与第二结构之间的间隙，所述间隙在第一腔室与第二腔室之间延伸。所述物体平台还包括阻挡件，所述阻挡件设置在所述间隙中并配置成阻止污染物粒子穿过所述间隙。

根据本公开的方面，提供有配置成将图案从图案形成装置转印到衬底上的光刻设备。所述光刻设备包括衬底台和掩模版平台，所述衬底台配置成保持和沿扫描方向移动衬底，所述掩模版平台配置成保持和移动所述掩模版。所述掩模版平台包括第一腔室和第二腔室。所述掩模版平台还包括具有第一表面的第一结构以及配置成支撑第二腔室中的掩模版且可相对于第一结构移动的第二结构。第二结构包括第二表面，第二表面与第一结构的第一表面相对，从而限定在第一结构与第二结构之间的间隙，所述间隙在第一腔室与第二腔室之间延伸。所述掩模版平台还包括阻挡件，所述阻挡件设置在所述间隙中并配置成阻止污染物粒子穿过所述间隙。

在下文中参考随附附图详细地描述本发明的另外的特征和优点以及本发明的各种实施例的结构和操作。应注意，本发明不限于本文描述的特定实施例。本文仅出于说明性的目的来呈现这些实施例。基于本发明中包含的教导，对于相关领域技术人员而言附加的实施例将是清楚的。

附图说明

随附附图并入本文中并构成说本明书的一部分，随附附图图示了本公开，并且与描述一起进一步用于解释本公开的原理并使相关领域的技术人员能够完成并使用本发明。

图1A是根据本公开的实施例的反射式光刻设备的示意图。

图1B是根据本公开的实施例的透射式光刻设备的示意图。

图2是根据本公开的实施例的反射式光刻设备的更详细的示意图。

图3是根据本公开的实施例的光刻单元的示意图。

图4示意性地描绘了根据本公开的实施例的掩模版平台的截面图。

图5示意性地描绘了根据本公开的实施例的具有粒子抑制阻挡件或捕获器的设备的透视图。

图6A-6D示意性地描绘了根据本公开的各种实施例的用于粒子抑制的粒子阻挡件的各种配置的截面图。

图7示意性地描绘了根据本公开的实施例的具有挡板粒子阻挡件的设备的透视截面图。

图8示意性地描绘了根据本公开的实施例的具有挡板粒子阻挡件的设备的透视截面图。

图9示意性地描绘了根据本公开的实施例的具有微挡板的示例性粒子阻挡件的截面图。

图10A-10D示意性地描绘了根据本公开的各种实施例的挡板粒子阻挡件的示例性交错式突出挡板。

图11A和11B示意性地描绘了根据本公开的各种实施例的具有用于粒子抑制的粒子捕获器的设备的各种配置的截面图。

图12A-12L示意性地描绘了根据本公开的各种实施例的粒子捕获器。

根据以下阐明的详细描述，当与附图结合时，本公开的特征和优点将变得更加明显，其中在遍及本文中相似的参考符号识别相应的元件。在附图中，相似的参考数字通常指示相同的、功能上类似的和/或结构上类似的元件。其中元件第一次出现的附图被相应的参考数字中最左边的数字符号指示。除非另有指示，否则遍及本公开提供的附图不应被解释为缩放附图。

具体实施方式

本说明书公开了并入本公开的特征的一个或更多个实施例。被公开的实施例的仅仅例证本公开。本公开的范围不限于被公开的实施例。本公开由随附其的权利要求限定。

所描述的实施例以及在说明书中提到的“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”、“示例性”、“示例”等指示所描述的实施例可以包括特定的特征、结构或特性，但是每个实施例可能不一定包括所述特定特征、结构或特性。此外，这些短语不一定指同一实施例。此外，当结合实施例描述特定的特征、结构或特性时，应理解，结合是无论是否明确描述的其它实施例而实现这样的特征、结构或特性是在本领域技术人员的知识范围内的。

但是，在更详细地描述这样的实施例之前提出可以实施本公开的实施例的示例环境是有指导意义的。

示例性反射式和透射式光刻系统

图1A和图1B分别是本公开的实施例可以实施的光刻设备100和光刻设备100’的示意图。光刻设备100和光刻设备100’每个都包括以下部件：照射系统(照射器)IL，所述照射系统配置成调节辐射束B(例如，深紫外或极紫外辐射)；支撑结构(例如，掩模版平台或掩模台)MT，所述支撑结构配置成支撑图案形成装置(例如，掩模、掩模版或动态图案形成装置)MA并连接至配置成准确地定位图案形成装置MA的第一定位器PM；和衬底台(例如，晶片台)WT，所述衬底台配置成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W并连接至配置成准确地定位衬底W的第二定位器PW。光刻设备100和100’还具有投影系统PS，所述投影系统配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分(例如，包括一个或更多个管芯)C上。在光刻设备100中，图案形成装置MA和投影系统PS是反射式的。在光刻设备100’中，图案形成装置MA和投影系统PS是透射式的。

照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，诸如折射式、反射式、反射折射性式、磁性式、电磁式、静电式或其它类型的光学部件、或者它们的任意组合，用于对辐射束B进行引导、成形或控制。

支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA相对于参照系的方向、光刻设备100和100’中的至少一个光刻设备的设计、和其它条件(诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中)来保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的、或其它夹持技术来保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。通过使用传感器，支撑结构MT可以确保图案形成装置MA例如相对于投影系统PS位于期望的位置。

术语“图案形成装置”MA应该被广义地解释为表示能够用于在辐射束B的横截面中赋予所述辐射束B图案、以便在衬底W的目标部分C中产生图案的任何装置。赋予辐射束B的图案可以与在目标部分C中产生以形成集成电路的器件的特定功能层相对应。

图案形成装置MA可以是透射式的(如在图1B的光刻设备100’中那样)或反射式的(如在图1A的光刻设备100中那样)。图案形成装置MA的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替相移掩模类型、衰减相移掩模类型以及各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，所述小反射镜中的每个小反射镜可以单独地倾斜，以便沿不同的方向反射入射的辐射束。被倾斜的反射镜将图案赋予由小反射镜的矩阵反射的辐射束B。

术语“投影系统”PS能够包括任意类型的投影系统，包括折射式、反射式、反射折射式、磁性式、电磁式以及静电式光学系统或者它们的任意组合，如对于所使用的曝光辐射或者诸如在衬底W上使用浸没液体或使用真空等其它因素所适合的。真空环境可以用于EUV或电子束辐射，因为其它气体可能吸收过多的辐射或电子。真空环境可能因此借助于真空壁和真空泵而被提供至整个束路径。

光刻设备100和/或光刻设备100’可以是具有两个(双平台)或更多个衬底台WT(和/或两个或更多掩模台)的类型。在这样的“多平衬底台”机器中，可以并行地使用附加的衬底台WT，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它衬底台WT用于曝光。在一些情形下，附加的台可能不是衬底台WT。

参考图1A和1B，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。当源SO为准分子激光器时，源SO和光刻设备100、100’可以是分立的物理实体。在这种情况下，不认为所述源SO构成光刻设备100或100’的一部分，且所述辐射束B借助于包括(例如)适当的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD(在图1B中)而从所述源SO传递至所述照射器IL。在其它情况下，源SO可以是光刻设备100、100’的组成部分--例如当源SO为汞灯时。可以将所述源SO和照射器IL以及需要时设置的束传递系统BD一起称作辐射系统。

所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD(在图1B中)。通常，可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别被称为σ-外部和σ-内部)。此外，照射器IL可以包括各种其它部件(在图1B中)，诸如积分器IN和聚光器CO。可以将照射器IL用于调节辐射束B，以在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。

参考图1A，辐射束B入射在图案形成装置(例如，掩模)MA上并被图案形成装置MA图案化，所述图案形成装置MA被保持在支撑结构(例如，掩模版平台或掩模台)MT上。在光刻设备100中，辐射束B从图案形成装置(例如，掩模)MA反射。在已从图案形成装置(例如，掩模)MA反射之后，辐射束B传递通过投影系统PS，所述投影系统PS将所述辐射束B聚焦至衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF2(例如，干涉仪装置、线性编码器、或电容传感器)，可以准确地移动衬底台WT(例如，以将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中)。类似地，第一定位器PM和另一位置传感器IF1能够用于将图案形成装置(例如，掩模)MA相对于辐射束B的路径准确地定位。可以通过使用掩模对准标记Ml、M2和衬底对准标记Pl、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。

参考图1B，辐射束B入射在图案形成装置(例如，掩模MA)上并被图案形成装置图案化，所述图案形成装置被保持在支撑结构(例如，掩模版平台或掩模台MT)上。在已横穿掩模MA的情况下，辐射束B传递通过投影系统PS，所述投影系统将所述束聚焦至衬底W的目标部分C上。投影系统具有与照射系统光瞳IPU共轭的光瞳PPU。辐射的部分源自照射系统光瞳IPU处的强度分布，并横穿掩模图案而不受掩模图案处的衍射的影响，并产生在照射系统光瞳IPU处的强度分布的图像。

借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉仪装置、线性编码器、或电容传感器)，可以准确地移动衬底台WT(例如，以将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中)。类似地，(例如在从掩模库的机械获取之后或在扫描期间)可以将第一定位器PM和另一位置传感器(未在图1B中示出)用于相对于辐射束B的路径准确地定位掩模MA。

通常，可以借助于构成所述第一定位器PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)来实现掩模版平台或掩模台MT的移动。类似地，可以采用构成第二定位器PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进器的情况下(与扫描器相反)，掩模版平台或掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。虽然衬底对准标记(如图示的)占据了专用目标部分，但是它们可以位于多个目标部分之间的空间(这些公知为划线对准标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，掩模对准标记可以位于这些管芯之间。

掩模版平台或掩模台MT和图案形成装置MA可以在真空腔室中，其中真空内机器人IVR可以被用于将图案形成装置(诸如掩模或掩模版)移入和移出真空腔室。可替代地，当掩模版平台或掩模台MT和图案形成装置MA处于真空腔室之外时，真空外机器人可以类似于真空内机器人IVR那样用于各种运输操作。真空内机器人和真空外机器人两者都需要被校准以将任何有效负载(例如，掩模)平滑地传送至传送站的固定的运动学安装件。

光刻设备100和100可以用于以下模式中的至少一种：

1.在步进模式中，在将支撑结构(例如，掩模版平台或掩模台)MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单次静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。

2.在扫描模式中，在对支撑结构(例如，掩模版平台或掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(即，单次动态曝光)。可以通过投影系统PS的放大率(缩小率)和图像反转特性来确定衬底台WT相对于支撑结构(例如，掩模版平台或掩模台)MT的速度和方向。

3.在另一模式中，在用于保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如，掩模版平台或掩模台)MT保持为基本静止且衬底台WT被移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上。可以采用脉冲辐射源SO，且在衬底台WT的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要更新可编程图案形成装置。这种操作模式可以易于被应用于利用可编程图案形成装置(诸如，如可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

也可以采用上文描述的使用模式的组合和/或变形例，或完全不同的使用模式。

在另外的实施例中，光刻设备100包括极紫外(EUV)源，所述极紫外(EUV)源配置成产生用于EUV光刻术的EUV辐射的束。通常，EUV源配置在辐射系统中，并且相应的照射系统配置成调节EUV源的EUV辐射束。

图2更详细地示出了光刻设备100，包括源收集器设备SO、照射系统IL和投影系统PS。源收集器设备SO构造并布置成使得能够保持在源收集器设备SO的封闭结构220中的真空环境。发射EUV辐射的等离子体210可以由放电产生等离子体源形成。EUV辐射可以通过气体或蒸汽产生，例如氙气、锂蒸汽或锡蒸汽，其中产生极高温的等离子体210以发射在EUV电磁光谱的范围内的辐射。非常热的等离子体210例如通过引起至少部分电离的等离子体的放电而产生。为了有效产生辐射，可能需要为例如分压为10Pa的Xe、Li、Sn蒸汽或任何其它适当的气体或蒸汽。在实施例中，提供被激发的锡(Sn)的等离子体以产生EUV辐射。

由高温等离子体210发射的辐射从源腔室211经由可选的定位在源腔室211中的开口中或所述开口后方的气体阻挡件或污染物捕获器230(在一些情况下，也被称作污染物阻挡件或箔片捕获器)而传递到收集器腔室212中。污染物捕获器230可以包括通道结构。污染物捕获器230也可以包括气体阻挡件，或气体阻挡件与通道结构的组合。本文中还指示的污染物捕获器或污染物阻挡件230至少包括通道结构。

收集器腔室212可以包括可以是所谓的掠入射收集器的辐射收集器CO。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。横穿收集器CO的辐射可以被反射出以被聚焦在虚源点IF处。虚源点IF通常被称作中间焦点，并且源收集器设备被布置成使得中间焦点IF位于封闭结构220中的开口219处或接近开口219。虚源点IF是用于发射辐射的等离子体210的图像。光栅光谱滤光器240特别地被用于抑制红外线(IR)辐射。

随后，辐射横穿照射系统IL，所述照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置222和琢面光瞳反射镜装置224，所述琢面场反射镜装置222和琢面光瞳反射镜装置224被布置成在图案形成装置MA处提供辐射束221的期望的角分布，以及在图案形成装置MA处具有期望的辐射强度的均匀性。在辐射束221在由支撑结构MT保持的图案形成装置MA处反射时，形成图案化的束226，并且图案化的束226通过投影系统PS经由反射元件228、230而成像到由晶片平台或衬底台WT保持的衬底W上。

在照射光学装置单元IL和投影系统PS中通常可以存在比显示的元件更多的元件。光栅光谱滤光器240可以可选地存在，这依赖于光刻设备的类型。另外，可以存在比图中示出的反射镜更多的反射镜，例如在投影系统PS中可以存在除图2中示出的反射式元件之外的1-6个附加的反射式元件。

收集器光学装置CO(如图2中图示的)被描绘为具有掠入射反射器253、254和255的巢状收集器，仅作为收集器(或收集器反射镜)的示例。掠入射反射器253、254和255围绕光轴O轴向对称地设置，并且这种类型的收集器光学装置CO优选地与放电产生的等离子体源(经常被称作DPP源)结合使用。

示例性光刻单元

图3示出了光刻单元300，有时也被称为光刻元或簇。光刻设备100或100’可以构成光刻单元300的一部分。光刻单元300还可以包括用于在衬底上执行曝光前过程和曝光后过程的设备。常规地，这些设备包括：用于沉积抗蚀剂层的旋涂机SC、用于显影被曝光的抗蚀剂的显影机DE、激冷板CH和焙烤板BK。衬底处理装置或机器人RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取衬底，在不同的过程设备之间移动衬底，并将它们传递到光刻设备的进料台LB。这些装置通常统称为轨道或涂覆显影系统，并且由涂覆显影系统控制单元TCU控制，所述涂覆显影系统控制单元TCU本身由管理控制系统SCS控制，所述管理控制系统SCS也经由光刻控制单元LACU来控制光刻设备。因此，可以操作不同的设备以最大化生产量和处理效率。

用于粒子抑制的示例性系统

本公开的实施例可以与图1A、图1B、图2和/或图3的一个或更多个设备一起使用。例如，本公开的实施例可以应用到物体平台(例如，支撑结构，诸如掩模版平台或掩模台MT或衬底台WT)，所述物体平台配置成支撑物体，所述物体诸如衬底W和图案形成装置MA。图4示意性地描绘了掩模版平台400的一个实施例的截面图。虽然本公开的实施例中的一些实施例是关于掩模版平台来论述的，但是本公开的实施例可以应用到光刻设备(例如，如本公开中描述的光刻设备100和100’)的其它适当的部件(例如，衬底台WT、晶片平台、晶片处理装置、掩模版处理装置或对粒子污染物敏感的其它部件)、或其它粒子敏感设备(诸如量测系统、管、气流管道、或气体管道/管的盒)。本公开的实施例还可以应用到任何粒子敏感设备以减少不期望的污染物粒子的数目。

掩模版平台400配置成支撑和移动图案形成装置412。掩模版平台400可以具有一个或更多个粒子捕获器和/或一个或更多个粒子阻挡件，所述粒子捕获器和/或粒子阻挡件配置成降低污染物粒子到达图案形成装置412和/或靠近图案形成装置412的区的可能性。例如，如图4中描绘的，掩模版平台400可以包括可相对于彼此移动的第一结构402和第二结构404。在一些实施例中，第一结构402是静止的并且第二结构404是可移动的。在一些实施例中，第一结构402是可移动的并且第二结构404是静止的。并且在一些实施例中，根据需要，第一结构402和第二结构404两者都是可移动的或静止的。

第一结构402和第二结构404可以定位在壳体401内。在一些实施例中，如图4中示出的，第一结构402与壳体401分离。在一些实施例(未示出)中，第一结构402与壳体401的一部分。壳体401可以限定保持在真空压力(低于大气压的压力)下的容积。在一些实施例中，壳体401包括开口465，所述开口465配置成允许辐射从照射系统IL传递到图案形成装置412并回到投影系统PS。在壳体401内，第一结构402和第二结构404中的一个或更多个可以至少部分地限定至少第一腔室403和第二腔室405。在一些实施例中，壳体401可以包括多于两个真空腔室。在一些实施例中，间隙414在第一腔室403与第二腔室405之间延伸。在一些实施例中，间隙414由在第一结构402与第二结构404之间的允许在其之间相对移动的耦接产生。在一些实施例中，第一腔室403与第二腔室405之间的边界由间隙414限定。

根据一些实施例，第一腔室403和第二腔室405能够被保持在真空压力下——低于大气压的压力。例如，真空压力的范围可以从大约0.1Pa到大约8.5Pa。在一些示例中，真空压力的范围可以从大约0.5Pa到大约8.5Pa。例如，真空压力的范围可以从大约1.5Pa到大约8.5Pa。在一些示例中，真空压力的范围可以从大约2Pa到大约5Pa。例如，真空压力的范围可以从大约2Pa到大约3Pa。在一些实施例中，第二腔室405中的压力P₄₀₅可以类似于或不同于第一腔室403中的压力P₄₀₃。例如，第二腔室405中的压力P₄₀₅可以大于第一腔室403中的压力P₄₀₃。例如，第一腔室403中的压力P₄₀₃可以为大约0.25Pa到大约1Pa，并且第二腔室405中的压力P₄₀₅可以为大约2Pa到大约3Pa。当第二腔室405中的压力P₄₀₅大于第一腔室403中的压力P₄₀₃时，气体(例如，吹扫气流)可以通过例如间隙414而自然地从第二腔室405流动至第一腔室403。掩模版平台400可以包括下文中论述的各种粒子捕获器和/或粒子阻挡件配置，所述粒子捕获器和/或粒子阻挡件配置用于降低污染物粒子可能到达第二腔室405中的图案形成装置412和/或靠近图案形成装置412的区的可能性。

在一些实施例中，图案形成装置412被安装到第二结构404，使得第二结构404可以使图案形成装置412在第二腔室405内移动。例如，第二结构404可以是配置成支撑和移动图案形成装置412的卡盘(的全部或部分)。根据一些实施例，第二结构404可以在扫描方向(例如，平行于图4中的Y轴的方向)上和横向于扫描方向的方向(例如，平行于图4中的X轴的方向)上移动图案形成装置412。在一些实施例中，第二结构404包括第一部分408和可相对于第一部分408移动的第二部分410。并且在一些实施例中，图案形成装置412可以安装到第二部分410。

根据一些实施例，第二部分410可以是支撑图案形成装置412的掩模版平台400的短行程模块(精定位)。第二部分410可以耦接至第一部分408，使得第二部分410可以相对于第一部分408移动但也由第一部分408驱动。在非限制性示例中，第二部分410通过一个或更多个致动器(未示出)耦接至第一部分408，所述致动器诸如配置成移动第二部分410的马达。在一些实施例中，第二部分410可以在扫描方向(例如，平行图4中的Y轴的方向)上和在横向于扫描方向的方向(例如，平行图4中的X轴的方向)上移动。根据一些实施例，第一部分408可以配置成相对于第一结构402移动的掩模版平台400的长行程模块(粗定位)。在一些实施例中，第一部分408可以在扫描方向(例如，平行图4中的Y轴的方向)上、在横向于扫描方向的方向(例如，平行图4中的X轴的方向)上移动，并且绕垂直于扫描方向和横向方向两者的轴线(例如，平行于图4中的Z轴的轴线)旋转。根据一些示例，第二部分410可以相对于第一部分408、在与相对于第一结构402的第一部分408的移动范围相比的小移动范围上移动。短行程模块和长行程模块仅仅分别是部分410和408的示例，并且其它结构也可以被用作部分408和410。另外，上文论述的部分408和410的移动是示例性移动，并且本公开的实施例可以包括其它方向和移动范围。

作为非限制性示例，第二结构404(包括第一部分408和第二部分410)可以由金属制成。可以使用的金属的示例是铝。但是也可以使用其它金属。作为另一非限制性示例，第二结构404可以由具有镍(Ni)涂层的铝制成，并且第一结构402可以由金属(诸如而不限于不锈钢)制成。第一部分408和第二部分410可以包括相同或不同的材料。在一些实施例中，第一结构402和第二结构404每个都由金属制成，所述金属例如不锈钢、镀镍铝、或任何其它适当的金属。在一些实施例中，第一结构402和第二结构404每个都由塑料或任何其它适当的材料制成。

第一结构402与第二结构404之间的间隙414可以由第一结构402和第二结构404的相对的、分隔开的表面415和417形成。在一些实施例中，第一腔室403、第一结构402和第二结构404可以包含可能是污染物粒子源的部件，例如缆线和软管承载件419，所述缆线和软管承载件419容置将第二结构404电气地和/或流体地耦接至第一结构402或光刻设备的其它部件的电线、流体软管和/或气体软管。缆线和软管承载件419(有时被称为缆线平板)可以具有用于容置和/或支撑缆线和/或软管的任何适当的配置。在一些实施例中，缆线和软管承载件可以在没有机械铰链的情况下不分段，或在有机械铰链的情况下分段。例如，当第二结构404移动以定位图案形成装置412时，缆线和软管承载件419亦是如此。在一些示例中，缆线和软管承载件419可以设计成卷绕环。缆线和软管承载件419的移动可以产生污染物粒子，所述污染物粒子从第一腔室403经由间隙414行进到第二腔室405。因此，在一些实施例中，间隙414配置成用于密封以减少或阻挡穿过间隙414进入第二腔室405中的粒子的量。下文中论述的各种粒子捕获器和粒子阻挡件配置用于进一步减少可以潜在地穿过间隙414并最终与第二腔室405中的图案形成装置412接触的粒子的量。在一些实施例中，间隙414由在第一结构402与第二结构404的密封部分406之间的耦接产生。

并且，第一腔室403至少部分地被静止的第一结构402和可移动的第二结构404限定。如图4中示出的，静止的第一结构402可以包括开口421，一个或更多个缆线和软管承载件419穿过开口421。根据一些示例，配置成产生负压差的泵461A(诸如抽吸泵、真空泵等)可以被可操作地耦接至第一腔室403(例如，第一结构402的上部部分处)以在第一腔室403和第二腔室405中产生真空压力。由所述泵产生的流也可能从第一腔室403拉出粒子。在一些示例中，泵461A可以位于壳体401外部并且经由管道463被可操作地耦接至第一腔室403。另外或可替代地，泵461A可以在壳体401内并且被可操作地耦接至第一腔室403。根据一些示例，配置成产生负压差的泵461B(诸如抽吸泵、真空泵等)可以被可操作地耦接至第二腔室405以在例如第二腔室405中产生真空压力。

虽然泵461A被图示在壳体401的背离开口421的一侧，但是在一些实施例中泵461A可以定位在其它部位，例如，靠近开口421和/或靠近粒子污染物的源。在靠近开口421和/或靠近粒子污染物的源定位的泵461A的一些实施例中，气流背离腔室405的速度被最大化。

在一些示例中，间隙414的高度423((a)第一结构402的表面415与(b)第二结构404的面向静止的第一结构402的表面417之间的距离)为大约0.1mm至大约5mm。例如，间隙414的高度423可以为大约1.5mm至2.5mm。然而，应注意，这些是示例性尺寸，并且本公开的实施例不限于这些示例。

在一些实施例中，间隙414能够具有长度425，在所述长度425上，第一结构402的表面415与第二结构404的表面417相邻。例如，间隙414的长度425可以为大约50-350mm。例如，间隙414的长度425可以为大约70-320mm。例如，间隙414的长度425可以为大约75-315mm。然而，应注意，这些是示例性尺寸，并且本公开的实施例不限于这些示例。穿过间隙414的污染物粒子在表面415和417之间弹跳。这种弹跳使粒子损失能量和速度，这允许粒子粘附至表面415和417，或减缓允许气体通过间隙414朝向腔室403流动(例如，由于腔室403和405中的压力差)以将粒子朝向腔室403推回的程度。因此，间隙414用作密封部，所述密封部消除或减少来自第一腔室403的到达第二腔室405中的图案形成装置402和/或靠近图案形成装置402的区的污染物粒子的量。

在一些实施例中，长度425(其可以对应于表面417的长度)加上第二结构404在扫描方向(例如，沿图4中的Y轴)上的运动范围小于表面415的长度424。这样，在第二结构404在扫描方向上的正常运动期间，保持由间隙414形成的密封部。

在一些示例中，第二结构404的表面417可以从第二结构404的周边向内(例如，朝向第一腔室403)或向外(例如，背离第一腔室403)突出。

在一些实施例中，所述密封部可以全部或部分地围绕第一腔室403的周边延伸。所述密封部可以具有沿扫描方向(例如，Y轴)和沿横向于扫描方向的方向(例如，X轴)的类似的或不同的长度。在非限制性示例中，所述密封部沿扫描方向(例如，Y轴)可以比沿横向于扫描方向的方向(例如，X轴)更长。

用于粒子抑制的示例性阻挡件和捕获器

图5图示了根据本公开的各种实施例的设备500的示意性透视和分解视图，所述设备500可以具有一个或更多个粒子抑制阻挡件。在一些实施例中，设备500可以是掩模版平台(诸如图4的掩模版平台400)。因此，与掩模版平台400的特征类似设备500的特征被标注有与图4中的附图标记类似的附图标记，但是前缀用5代替4。然而，图5的实施例可以应用到光刻设备(例如，如本公开中描述的光刻设备100和100’)的其它适当的部件、其它粒子敏感设备(诸如量测系统、管、气流导管、或气体导管/管的盒)、和/或用于减少不期望的污染物粒子数目的任何粒子敏感设备。

如图5中示出的，设备500可以包括静止的第一结构502和可移动的第二结构504。此外，术语静止的和可移动的是可互换的，并且仅用于描述多个结构之间的相对移动。在一些实施例中，结构502是可移动的并且结构504是静止的。或者在一些实施例中，根据需要，结构502和504两者都是可移动的或静止的。

可移动的结构504的表面517和相对的表面515每个都可以包括区域504A和区域504B。如图5中示出的，区域504A沿由第一结构502和第二结构504共同限定的开口521的边缘516A在扫描方向(例如，Y轴)上延伸。并且如图5中示出的，区域504B沿开口521的边缘516B在横向于扫描方向的方向(例如，X轴)上延伸。间隙514可以由在静止的第一结构502与可移动的第二结构504之间的允许在其之间相对移动的耦接产生。

如在下文中更详细地论述的，一个或更多个粒子抑制阻挡件(例如，箔片或挡板阻挡件)可以设置在位于一个或更多个区域504A和504B中的间隙514中。粒子抑制阻挡件可以配置成减少可以潜在地离开第一腔室503并朝向第二腔室505穿过间隙514的粒子的量。在一些实施例中，这些粒子抑制阻挡件阻挡了在间隙514中沿至少一个方向(例如，沿扫描方向(Y轴)或沿横向于扫描方向的方向(X轴))的视线。

示例性箔片阻挡件

在一些实施例中，所述设备包括箔片阻挡件，所述箔片阻挡件设置在形成于第一结构和第二结构之间的间隙中，其阻止污染物粒子穿过所述间隙。图6A-6D示意性地描绘了根据本公开的各种实施例的具有用于粒子抑制的箔片阻挡件的设备600的各种配置的截面图。在一些实施例中，设备600可以是掩模版平台(诸如图4和图5的掩模版平台400和500)。因此，与掩模版平台400和500的特征类似的设备600的特征被标注有与图4和图5中的附图标记类似的附图标记，但是前缀用6代替4或5。然而，图6A-6D的实施例可以应用到光刻设备(例如，如本公开中描述的光刻设备100和100’)的其它适当的部件、其它粒子敏感设备(诸如量测系统、管、气流导管、或气体导管/管的盒)、和/或用于减少不期望的污染物粒子数目的任何粒子敏感设备。

如图6A(其是侧视截面图)中图示的，设备600可以包括静止的第一结构602和可移动的第二结构604。此外，术语静止的和可移动的是可互换的，并且仅用于描述系统的不同部件之间的相对移动。可能的是，第一结构602是可移动的，并且第二结构604是静止的，或者根据需要，两个结构都是可移动的或静止的。第一腔室603至少部分地被静止的第一结构602和可移动的第二结构604限定。将第二结构604与第一结构602或光刻设备的其它部件电气地和/或流体地耦接的缆线和软管承载件619位于第一腔室603内。

图6A-6D的实施例配置成减少或消除可能潜在地离开第一腔室603并穿过间隙614的粒子的量。例如，根据一些实施例，设备600可以包括在位于第一结构602和第二结构604之间的间隙614中的一个或更多个阻挡件。所述阻挡件可以配置成阻止粒子或减少可能潜在地离开第一腔室603并穿过间隙614的粒子的量。在如图6A-6D中示出的一些实施例中，一个或更多个阻挡件每个都可以是位于在静止的第一结构602与可移动的第二结构604之间延伸的间隙614中的箔片630。在一些实施例中，箔片630可以阻止可能在沿扫描方向(例如，Y轴)的方向上从第一腔室603朝向第二腔室605穿过间隙614的任何污染物粒子。在一些示例中，箔片630的第一端631固定地耦接至静止的第一结构602的表面615，并且箔片630的第二端633固定地耦接至可移动的第二结构604的表面617。在一些示例中，可以使用任何结合技术(诸如但不限于粘合剂部件、激光或超声波焊接、化学键合、紧固件(诸如螺栓、螺钉等)、夹持、或其组合)将箔片630的端631和633耦接至第一结构602和第二结构604。

并且在一些示例中，箔片630的中间部分632定位成比箔片630的第一端631和第二端633更靠近第一腔室603，以形成弯曲的卷绕箔片布置。箔片630的这样的卷绕箔片布置可以在阻止可能潜在地离开第一腔室603并穿过间隙614的粒子的同时，不干涉第一结构602与第二结构604之间的移动，例如，沿图6A-6D中的Y轴的移动。

图6B图示了根据本公开的各种实施例的设备600的俯视截面图。如图6B中示出的，设备600可以包括在第一结构602(未在图6B中示出)和第二结构604的第一侧618A上的单个第一箔片630A，和在第一结构602(未在图6B中示出)和第二结构604的第二侧618B上的单个第二箔片630B。在一些示例中，如图6B中示出的，箔片630A和630B大致沿密封部件606的整体尺寸在横向于扫描方向的方向(例如，沿X轴的方向)上延伸。例如，箔片630A和630B被设置在间隙614中以覆盖与图5中的区域504B相对应的区域。这样，在间隙614(未在图6B中示出)中沿扫描方向(例如，Y轴)的视线不被阻挡。

图6C图示了根据本公开的各种实施例的设备600的俯视截面图。如图6C中示出的，设备600在第一结构602(未在图6C中示出)和第二结构604的每侧上可以包括多于一个箔片630。例如，设备600在第一结构602(未在图6C中示出)和第二结构604的第一侧618A处可以包括耦接至可移动的第二结构604的密封部件606的三个箔片630A、630B和630C，并且设备600在第一结构602(未在图6C中示出)和第二结构604的第二侧618B处可以包括耦接至可移动的第二结构604的密封部件606的三个箔片630A、630B和630C。

如图6C中示出的，在每个侧618A和618B上的箔片630A、630B和630C沿横向于扫描方向的方向(例如，X轴)对准。在一些实施例中，箔片630A、630B和630与相邻的箔片被间隙635分离开。用间隙635将箔片630A、630B和630C分离允许第二结构604绕与由表面617限定的平面垂直的轴线相对于第一结构602(未在图6C中示出)旋转(例如，绕Z轴旋转)。用间隙635将箔片630A、630B和630C分离允许沿例如横向于扫描方向的方向(例如，X轴)在静止的第一结构602与可移动的第二结构604之间的移动。当允许绕Z轴旋转和沿X轴平移时，例如，箔片630A、630B和630C还可以阻止粒子或减少可能潜在地离开第一腔室603并穿过间隙614的粒子的量。另外，箔片630A、630B和630C还可以由于其卷绕配置而不妨碍沿例如扫描方向(例如，Y轴)在静止的第一结构602与可移动的第二结构604之间的移动。在一些示例中，如图6C中示出的，箔片630A、630B和630C被设置在间隙614中以实质上覆盖与图5中的区域504B相对应的区域。这样，除了与间隙635对准的区域之外，间隙614(未在图6C中示出)中沿扫描方向(例如，Y轴)的视线被阻挡。

图6D图示了根据本公开的各种实施例的设备600的俯视截面图。如图6D中示出的，设备600在第一结构602(未在图6D中示出)和第二结构604的每侧上可以包括多于一个箔片630。例如，设备600在第一结构602(未在图6D中示出)和第二结构604的第一侧618A处可以包括耦接至可移动的第二结构604的密封部件606的三个箔片630A、630B和630C，并且设备600在第一结构602(未在图6D中示出)和第二结构604的第二侧618B处可以包括耦接至可移动的第二结构604的密封部件606的三个箔片630A、630B和630C。

如图6D中示出的，在每个侧618A和618B上的箔片630A、630B和630C可以沿横向于扫描方向的方向(例如，X轴)延伸。在所述示例中，箔片630A-630C被设置成使得箔片630B与箔片630A和630C部分地交叠。将箔片630A、630B和630C如图6D中示出的那样定位成部分地交叠允许第二结构604绕与由表面617限定的平面垂直的轴线相对于第一结构602(未在图6D中示出)旋转(例如，绕Z轴旋转)。将箔片630A、630B和630C如图6D中示出的那样定位成部分地交叠允许沿例如横向于扫描方向的方向(例如，X轴)在静止的第一结构602与可移动的第二结构604之间的移动。当允许绕Z轴旋转和沿X轴平移时，例如，箔片630A、630B和630C还可以阻止粒子或减少可能潜在地离开第一腔室603并穿过间隙614的粒子的量。另外，箔片630A、630B和630C还可以由于其卷绕配置而不妨碍沿例如扫描方向(例如，Y轴)在静止的第一结构602与可移动的第二结构604之间的移动。在一些示例中，如图6D中示出的，箔片630A、630B和630C被设置在间隙614中以实质上覆盖与图5中的区域504B相对应的区域。这样，在间隙614(未在图6D中示出)中沿扫描方向(例如，Y轴)的视线不被阻挡。

虽然图6C和图6D在第一结构602(未在图6C和图6D中示出)和第二结构604的每个侧上图示了三个箔片630A-630C，但是本公开的实施例可以包括任意数目的箔片。

根据一些示例，箔片630可以由金属制成。作为非限制性示例，箔片630可以是铝，并且在一些实施例中是镀镍(Ni)的铝。可以使用的金属的其它示例是锡、钢铁、不锈钢或任何其它适当的金属。作为另一非限制性示例，箔片630可以是涂覆有聚四氟乙烯(PTFE)的金属箔。

根据一些示例，箔片630可以由聚合物制成。所述聚合物可以包括聚乙烯(PE)、聚醚醚酮(PEEK)、聚酰亚胺薄膜(Kapton)、PTFE或任何其它适当的聚合物。

根据一些示例，箔片630的长度(例如，当沿Y轴平直地铺设(不处于卷绕配置)时端631和633之间的距离)、箔片630沿横向于扫描方向的方向(例如，X轴)的宽度、箔片630的厚度、和在卷绕配置下中间部分632的弯曲部的半径可以基于不同的参数和设计要求而变化。在一个示例中，在卷绕配置下中间部分632的弯曲部的弯曲半径可以为大约0.5mm到大约1.5mm。例如，箔片630的中间部分632的弯曲部的弯曲半径可以为大约0.75mm到大约1.25mm。例如，箔片630的中间部分632的弯曲部的弯曲半径可以为大约1mm。在一个示例中，箔片630的厚度可以为大约50μm至大约200μm。例如，箔片630的厚度可以为大约75μm至大约150μm。在一些示例中，箔片630沿扫描方向(例如，Y轴)的长度(当沿Y轴平直地铺设(不处于卷绕配置)时端631和633之间的距离)可以为大约间隙514的长度425(如图4中示出的)的两倍。例如，箔片630的长度可以为大约150μm至大约650mm。然而，应注意，这些是示例性尺寸，并且本公开的实施例不限于这些示例。

示例性挡板阻挡件

图7图示了根据本公开的各种实施例的具有由交错式突出挡板制成的粒子抑制阻挡件的设备700的局部透视图。在一些实施例中，设备700可以是掩模版平台，诸如图4、图5和图6的掩模版平台400、500和600。因此，与掩模版平台400、500和600的特征类似的图7的实施例的特征被标注有与图4、图5和图6中的附图标记类似的附图标记，但是前缀用7代替4、5或6。然而，图7的实施例可以应用到光刻设备(例如，如本公开中描述的光刻设备100和100’)的其它适当的部件、其它粒子敏感设备(诸如量测系统、管、气流导管、或气体导管/管的盒)、和/或用于减少不期望的污染物粒子数目的任何粒子敏感设备。

如图7中示出的，设备700可以包括静止的第一结构702和可移动的第二结构704。此外，术语静止的和可移动的是可互换的，并且仅用于描述这些结构之间的相对移动。第一结构702可以是可移动的并且第二结构704可以是静止的。或者根据需要，两个结构都可以是可移动的或静止的。

如图7中图示的，设备700包括粒子抑制阻挡件，所述粒子抑制阻挡件包括多个(即，两个或更多个)交错式突出挡板，所述交错式突出挡板可以减少可能穿过第一结构702与第二结构704之间的间隙714并最终接触图案形成装置的粒子的量。根据一些示例，一个或更多个突出挡板799A从静止的第一结构702的表面715延伸。类似地，一个或更多个突出挡板799B从可移动的第二结构704的表面717延伸。挡板799A与挡板799B交错。

在一些实施例中，挡板799A和799B设置在与上文关于图5论述的区域504A相对应的区域中的间隙714中。在一些示例中，与区域504A相对应的实质上整个区域包括交错式突出挡板799A和799B。另外或可替代地，在一些示例中，挡板799A和799B设置在与上文关于图5论述的区域504B相对应的区域中的间隙714中。在一些示例中，与区域504B相对应的实质上整个区域包括交错式挡板799A和799B。

根据一些示例，交错式挡板799A和799B从对应的表面715和717在垂直于由扫描方向(例如，Y轴)和横向于扫描方向的方向(例如，X轴)限定的平面的方向(例如，Z轴)上延伸。并且如图7中示出的，每个交错式挡板799A和799B的主要尺寸798沿扫描方向(例如，Y轴)延伸并且平行于相邻的挡板799A和799B。

在一些实施例中，交错式突出挡板799A和799B设计成不妨碍在设备700的操作期间沿扫描方向(例如，Y轴)在静止的第一结构702与可移动的第二结构704之间的相对移动。例如，由于相邻的挡板799A和799B沿扫描方向的平行配置，当第二结构704沿扫描方向移动时，挡板799A和挡板799B彼此不接触。在一些实施例中，交错式突出挡板799A和799B设计成不妨碍在设备700的操作期间沿横向于扫描方向的方向(例如，X轴)在静止的第一结构702与可移动的第二结构704之间的相对移动。例如，当第二结构704沿横向于扫描方向的方向移动时，挡板799A和挡板799B彼此不接触。例如，在操作期间，沿横向于扫描方向的方向(例如，X轴)的相对移动典型地小于一个挡板799A与相邻的挡板799B之间的距离。然而，如果静止的结构与可移动的结构沿横向于扫描方向的方向(例如，X轴)相对于彼此的移动大于相邻的挡板之间的距离，则相邻的挡板将彼此接触并可以防止进一步移动。

根据一些实施例，交错式突出挡板799A和799B也能够用作阻挡件，所述阻挡件用于阻止粒子或减少可能沿至少横向于扫描方向的方向(例如，X轴)穿过间隙714的粒子的量。由于交错配置，突出挡板799A和799B阻挡在间隙714中沿横向于扫描方向的方向(例如，X轴)的视线。粒子可以沿清楚的视线通过间隙414/514从第一腔室403行进到第二腔室405。根据一些示例，在与Y轴平行的方向上延伸的交错式突出挡板799A和799B可能完全阻挡穿越区域504A的视线，并且可能阻挡不与Y轴大致平行以穿越区域504B的视线的视线。对视线的抑制近似为因子L/W。这里，W是从同一表面突出的两个相邻的突出挡板之间(例如，相邻的挡板799A之间)的距离，并且L是具有挡板799A和799B的相对的表面715和717沿扫描方向(例如，Y轴)的长度798。

根据一些实施例，交错式突出挡板799A和799B还可以用作阻挡件，所述阻挡件用于阻止粒子或减少可能沿扫描方向(例如，Y轴)穿过间隙714的粒子的量。也就是说，虽然由于相邻的挡板799A和799B沿扫描方向的平行配置而使得挡板799A和799B不阻挡沿扫描方向(例如，Y轴)的视线，但是交错式突出挡板799A和799B可能仍有助于减少或阻止可能沿扫描方向(例如，Y轴)穿过间隙714的污染物粒子。当污染物粒子沿扫描方向穿过间隙714时，交错式突出挡板799A和799B增加了粒子弹跳的次数并且因此增加了污染物粒子在到达具有图案形成装置的腔室之前被留在间隙714中的概率。

在一些实施例中，交错式突出挡板799A和799B可以具有从交错式突出挡板799A和799B延伸以进一步抑制粒子穿过间隙714的微挡板或隆起(未在图7中示出)。这些微挡板可以使穿过间隙714的污染物粒子的弹跳进一步随机化，这可以增加在离开间隙714到包含图案形成装置的腔室中之前所需的弹跳数目，并且进而增加在粒子离开间隙714之前粒子将停止的概率。在一些实施例中，微挡板的高度(即，从突出挡板799A和799B的主表面到微挡板的最远的点的距离)大于预期在间隙714中的污染物粒子的最大直径，但小于间隙714的间隙高度H。例如，微挡板的高度可以为大约50μm。

图9公开了示例性微挡板，所述微挡板可以被用在静止的第一结构902或可移动的第二结构904上。在一些示例中，微挡板结构982设置在与上文关于图5论述的区域504A相对应的区域中的间隙914中。例如，与区域504A相对应的部分或实质上整个区域可以包括微挡板结构982。另外或可替代地，微挡板结构982设置在与上文关于图5论述的区域504B相对应的区域中的间隙914中。例如，与区域504B相对应的部分或实质上整个区域可以包括微挡板结构982。例如，微挡板结构982可以在沿例如Z轴的方向上从第一结构902或第二结构904延伸。根据一些示例，每个微挡板结构982的大小可以大于预期穿过第一结构902与第二结构904之间的间隙914的最大粒子大小。根据一些示例，微挡板结构982的突起中的每个突起的大小小于第一结构和第二结构之间的间隙高度。例如，每个微挡板结构982的大小可以为大约1μm至大约60μm。例如，每个微挡板结构982的大小可以为大约1μm至大约10μm。例如，每个微挡板结构982的大小可以为大约10μm至大约20μm。例如，每个微挡板结构982的大小可以为大约20μm至大约40μm。例如，每个微挡板结构982的大小可以为大约40μm至大约60μm。然而，可以使用其它尺寸。可以基于不同的参数和设计要求而改变微挡板结构982的数目、大小、形状、配置和分布。微挡板结构982可以具有不同的形貌。根据一些示例，微挡板结构982不是周期性的并且不是平行的脊状部。另外或可替代地，微挡板结构982可以是在表面中的凹状部。

如上文论述的，微挡板结构982可以被用在第一结构902或第二结构904上。另外或可替代地，在一些实施例中，微挡板结构982可以设置在挡板799A或799B上。例如，每个挡板799A或799B可以包括设置在挡板799A或799B的一个或更多个表面上的多个微挡板结构982。例如，微挡板结构982可以从每个挡板799A或799B延伸。另外或可替代地，微挡板结构982可以设置在挡板799A或799B之间的表面上。例如且参考图7，微挡板结构982可以设置在挡板799B之间的第二结构704的表面717上。另外或可替代地，微挡板结构982可以设置在挡板799A之间的第一结构702的表面715上。

下文中参考图9解释了多个微挡板结构982的示例性功能。行进通过间隙914的污染物粒子将与微挡板结构982碰撞。如例如在图9中示出的，微挡板结构982可以多次改变污染物粒子的轨迹981的方向，使得粒子与微挡板结构982多次碰撞。在一些实施例中，微挡板结构982可以包括陡峭的隆起。随着每次碰撞，粒子损失动能。并且在足够低的速度或动能的情况下，由于范德瓦耳斯相互作用(van der Waals interaction)，粒子将粘附至微挡板结构982的表面。在实施例中，微挡板结构982可以用具有高的哈梅克常数(Hamakerconstant)的材料制成，以增加污染物粒子与微挡板结构982的表面之间的范德瓦耳斯力，使污染物粒子粘附至微挡板结构982的表面的概率更高。粒子与微挡板结构982的碰撞显著地减少了污染物粒子的动能，使得粒子可以变得被捕获在微挡板结构982上。另外或可替代地，在一些示例中，图9的微挡板结构982可以使污染物粒子在微挡板结构982上的入射速度矢量与其从结构982反射的速度矢量之间的相关性最小化。换句话说，在一些示例中，图9的微挡板结构982可以使污染物粒子从微挡板结构982反射之后污染物粒子的速度矢量随机化。另外或可替代地，微挡板结构982可以包括具有平行凹槽的带凹槽的表面。

图9的微挡板结构982还可以设置在其它表面上，诸如静止的第一结构402的表面和可移动的第二结构404的表面。

如图7中示出的，在一些实施例中，突出挡板799A和799B的截面形状(沿垂直于X轴和Z轴的平面)可以是长方形的。

可以基于不同的参数和设计要求而改变交错式突出挡板799A和799B的数目、大小、形状、配置和分布。在图8和图10A-10D中提供了附加的非限制性示例。例如，突出挡板799A和799B还可以具有任何适当的截面形状，例如长方形的、三角形的、长斜方形的或任何其它适当的截面形状。在图8和图10B-10D中示出了这些配置的示例。

例如，图8图示了具有交错式突出挡板(其具有三角形横截面(沿垂直于X轴和Z轴的平面))和多个微挡板结构882的设备800的局部透视图。在一些实施例中，设备800可以是掩模版平台，诸如图4、图5、图6和图7的掩模版平台400、500、600和700。因此，与掩模版平台400、500、600和700的特征类似的图8的实施例的特征被标注有与图4、图5、图6和图7中的附图标记类似的附图标记，但是前缀用8代替4、5、6或7，并且不另外描述。

图10A-10D以示意性地描绘了根据本公开的各种实施例的示例性交错式突出挡板的截面图。因此，与掩模版平台400、500、600、700和800的特征类似的图10的实施例的特征被标注有与图4、5、6、7和8中的附图标记类似的附图标记，但是前缀用10代替4、5、6、7或8。

图10A图示了设置在静止的第一结构1002的表面1015上的突出挡板1099A和设置在可移动的结构1004的表面1017上的突出挡板1099B。如图10A中示出的，挡板1099A和挡板1099B是交错的。根据一些示例，交错式突出挡板1099A和1099B可以具有如示出的长方形截面，并且每个突出挡板1099A和1099B具有挡板高度(在图10A中的h-g)和宽度t。相邻的突出挡板1099A和1099B的宽度t可以等于或不同于高度(h-g)。在一些实施例中，突出挡板1099A和/或突出挡板1099B在对应的表面1015和1017上并非等距地分隔。在另一实施例中，突出挡板1099A和/或突出挡板1099B在对应的表面1015和1017等距地分隔。可以基于被定为目标的污染物粒子的属性来配置挡板高度(其可以等于表面1015与表面1017之间的距离h减去每个挡板1099A和1099B的顶表面1070与相对的表面(例如，表面1015和1017中的任一个)之间的距离g)、挡板宽度t、和相邻的突出挡板1099A和1099B之间的距离p。例如，可以具体地基于污染物粒子的预期的速度、入射角、尺寸、材料或重量来配置突出挡板1099A和1099B的配置。

根据一些示例，可以基于第一结构1002和第二结构1004沿例如X轴的相对移动以及第一结构1002和第二结构1004绕Z轴的相对转动来设计距离p。

在图10B中图示了挡板阻挡件的另一示例。

图10C图示了设置在静止的第一结构1002的表面1015上的突出挡板1099A以及设置在可移动的第二结构1004的表面1017上的交错式突出挡板1099B的另一示例。根据一些示例，交错式突出挡板1099A和1099B可以具有如图10C中示出的不等边四边形的截面形状。

根据一些实施例，可以具体地基于污染物粒子的预期的速度、入射角、尺寸、材料或重量来配置突出挡板1099A和1099B的配置。根据一些示例，可以基于第一结构1002和第二结构1004沿例如X轴的相对移动以及第一结构1002和第二结构1004绕Z轴的相对转动来设计距离p(两个相邻的挡板1099A和1099B的相邻的壁之间的距离)。

图10D图示了交错式突出挡板的另一示例。如图10D中示出的，挡板1099A设置在静止的第一结构1002的表面1015上，并且挡板1099B设置在可移动的第二结构1004的表面1017上。根据一些示例，交错式突出挡板1099A和1099B可以具有三角形的截面形状。例如，挡板1099A和1099B的每个挡板可以具有相对于对应的表面1015或1017倾斜角度θ₁的第一表面1076和相对于对应的表面1015或1017倾斜角度θ₂的表面1077。在一些实施例中，角度θ₁和θ₂是相等的。在一些实施例中，根据一些实施例，角度θ₁和θ₂是不相等的。

在一些实施例中，如图10A-10D中示出的，挡板1099A包括侧壁表面1076和1077，并且挡板1099B包括侧壁表面1076和1077。根据一些示例，挡板1099A的侧壁表面1076平行于相邻的挡板1099B的侧壁表面1076。根据一些示例，挡板1099A的侧壁表面1077平行于相邻的挡板1099B的侧壁表面1077。

在一些实施例中，挡板1099A和1099B设置在与上文关于图5论述的区域504A相对应的区域中。在一些示例中，与区域504A相对应的实质上整个区域包括交错式突出挡板1099A和1099B。另外或可替代地，在一些示例中，挡板1099A和1099B设置在与上文关于图5论述的区域504B相对应的区域中。在一些示例中，与区域504B相对应的实质上整个区域包括交错式突出挡板1099A和1099B。

图10A-10D被提供为交错式突出挡板的示例。然而，本公开的实施例不限于这些示例。作为一个示例，交错式突出挡板可以具有正弦曲线的截面形状。另外或可替代地，交错式突出挡板可以设计成类似于和/或包括在图12A-图12H中论述的挡板。

可以基于粒子的移动的速度和方向来设计图7-图9和图10A-图10D的交错式突出挡板。例如，如果粒子在X轴方向上具有较高速度(如例如图10A-10D中示出的)，则交错式突出挡板设计成在同一方向上具有更多竖直结构。在另一示例中，如果粒子在Z轴方向上具有较高速度(如例如在图10A-10D中示出的)，则交错式突出挡板设计成具有较少的竖直结构，并且间隙h(如例如在图10A和图10C中示出的)将较小。

根据一些示例，交错式突出挡板可以是设备700和800的组成部件。根据一些实施例，交错式突出挡板也可以是可以根据需要安装在第一结构和第二结构上的可附接部件。在一些实施例中，可附接的交错式突出挡板还可以一次性的。

应注意，虽然在本公开中论述了示例设计，但是本公开的实施例不限于这些示例。例如，本公开的实施例包括所论述的示例性设计的任何组合。

用于粒子抑制的示例性捕获器

图11A和11B示意性地描绘了根据本公开的各种实施例的具有用于粒子抑制的一个或更多个捕获器的设备1100和1100’的各种配置的截面图。在一些实施例中，设备1100和1100’可以是掩模版平台(诸如图4、图5、图6A-图6D的掩模版平台400、500和600)。因此，与掩模版平台400、500和600的特征类似的设备1100和1100’的特征被标注有与图4、图5和图6中的附图标记类似的附图标记，但是前缀用11代替4、5或6。然而，图11A和11B的实施例可以应用到光刻设备(例如，如本公开中描述的光刻设备100和100’)的其它适当的部件、其它粒子敏感设备(诸如量测系统、管、气流导管、或气体导管/管的盒)、和/或用于减少不期望的污染物粒子数目的任何粒子敏感设备。

如在图11A和11B中图示的，设备1100和1100’可以包括静止的第一结构1102和可移动的第二结构1104。此外，术语固定的和可移动的是可互换的，并且仅用于描述结构1102与1104之间的相对移动。例如，静止的第一结构1102可以是可移动的，并且可移动的第二结构1104可以是静止的。或者根据需要，两个结构都可以是可移动的或静止的。

如在图11A和11B中描绘的，第一腔室1103至少部分地由静止的第一结构1102和可移动的第二结构1104限定。设备1100和1100’可以包括在第一腔室1103中的一个或更多个捕获器，用于阻止或减少可能离开第一腔室1103并穿过第一结构1102和第二结构1104之间的间隙1114的粒子的量。

如在图11A中示出的，一个或更多个粒子捕获器1190可以设置在第一腔室1103内以捕获具有各种速率、入射角或其它粒子属性的污染物粒子。例如，根据一些实施例，一个或更多个粒子捕获器1190可以设置在可移动的第二结构1104的一个或更多个表面上，所述表面至少部分地限定第一腔室1103。例如，如图11A中示出的，一个或更多个粒子捕获器1190可以设置在限定第一腔室1103的可移动的第二结构1104的底部部分的表面1159上，并且一个或更多个粒子捕获器1190可以设置在限定第一腔室603的侧面部分的可移动的第二结构1104的表面1161上。在一些实施例中，设置在可移动的第二结构1104的表面1161上的一个或更多个粒子捕获器1190可以部分地或实质上全部覆盖表面1161。在一些实施例中，设置在可移动的第二结构1104的表面1159上的一个或更多个粒子捕获器1190可以部分地或实质上全部覆盖表面1161。

在一些实施例中，一个或更多个粒子捕获器1190可以设置在第一腔室1103内的静止的第一结构1102的一个或更多个表面上。例如，如图11A中示出的，粒子捕获器1190可以设置在至少部分地限定第一腔室1103的静止的第一结构1102的表面1115上。在一些实施例中，表面1115面向可移动的第二结构1104。作为另一示例，如图11A中示出的，粒子捕获器1190可以设置在静止的第一结构1102的表面1120上。在一些实施例中，设置在静止的第一结构1102的表面1115和1120上的一个或更多个粒子捕获器1190可以部分地或实质上全部覆盖表面1115和1120。粒子捕获器1190可以设置在静止的第一结构1102和可移动的第二结构1104的在第一腔室1103(和图4的第一腔室403)内的表面上。

根据各种实施例，粒子捕获器1190还可以放置在静止的第一结构1102和可移动的第二结构1104两者的在第一腔室1103内的其它表面上。在一些实施例中，如图11B中描绘的，粒子捕获器1190可以设置在第二结构1104的向内突出(例如，朝向第一腔室1103的中心)并面向第二结构1104的表面1159的表面1157上。粒子捕获器1190还可以放置在静止的第一结构1102或可移动的第二结构1104上的在第一腔室1103内的任何结构的表面上。

根据一些示例，在设备1100和1100’的制造期间，设备1100和1100’的各种部分的表面可以形成粒子捕获器1190的机械结构，因此粒子捕获器1190可以是设备1100和1100’的组成部件。根据一些实施例，粒子捕获器1190也可以是可以根据需要安装在静止的第一结构1102或可移动的第二结构1104上的可附接部件。在一些实施例中，可附接的粒子捕获器1190还可以一次性的。在一些实施例中，在粒子捕获器1190的检查时，例如在定期维修期间和/或在一些期限届满时，粒子捕获器1190可以被去除，并且新的可附接的粒子捕获器1190可以附接至静止的第一结构1102和/或可移动的第二结构1104的一个或更多个表面。

为简单起见，粒子捕获器1190的示例性结构细节未在图11A和11B中示出，但在下文论述的图12A-图12E中示出。

图12A-12L示意性地描绘了根据本公开的各种实施例的粒子捕获器1290。在一些实施例中，粒子捕获器1290可以是图11A和11Bd粒子捕获器1190。然而，图12A-12L的实施例可以应用到光刻设备(例如，如本公开中描述的光刻设备100和100’)的其它适当的部件、其它粒子敏感设备(诸如量测系统、管、气流导管、或气体导管/管的盒)、和/或用于减少不期望的污染物粒子数目的任何粒子敏感设备。

例如，图12A示意性地描绘了根据本公开的实施例的粒子捕获器1290的截面图。粒子捕获器1290包括多个突出挡板1292。突出挡板1292配置成阻止图11A和11B的第一腔室1103内的污染物粒子，防止它们到达图11A和11B的间隙1114。突出挡板1292还可以具有任何适当的截面形状，例如接近长方形的、三角形的、接近三角形的、长斜方形的或接近长斜方形的。在图12B-图12H中示出了这些配置的另外的示例。

如图12A中示出的，突出挡板1292可以具有长方形的截面，并且每个突出挡板1292具有高度H和宽度W并且与相邻的挡板分隔开距离P。突出挡板1292的宽度W可以等于或不同于高度H。在一些实施例中(未在图12A中示出)，被不同的距离P分隔开的挡板——突出挡板1292未被等距地间分隔开。在另一实施例中，突出挡板1292被等距地分隔——距离P为常数。例如，相邻的突出挡板1292的相对的侧壁之间的距离P为大约500μm。可以基于被定为目标的污染物粒子的属性来配置突出挡板1292的高度H、宽度W和距离P。例如，可以基于污染物粒子的速度、入射角、尺寸、材料或重量来改变突出挡板1292的配置。根据一些示例，突出挡板1292的宽度W可以为大约1μm至大约20mm。例如，突出挡板1292的宽度W可以为大约1μm至大约1mm。例如，突出挡板1292的宽度W可以为大约1mm至大约20mm。例如，突出挡板1292的宽度W可以为大约1mm至大约5mm。例如，宽度W可以为大约1.5mm至大约4.5mm。例如，宽度W可以为大约1.5mm至大约2.5mm。作为另一示例，宽度W可以为大约3.5mm至大约4.5mm。根据一些示例，图12A的突出挡板1292的高度H可以为大约1μm至大约20mm。例如，图12A的突出挡板1292的高度H可以为大约1μm至大约1mm。例如，图12A的突出挡板1292的高度H可以为大约1mm至大约20mm。例如，图12A的突出挡板1292的高度H可以为大约1mm至大约6mm。本公开的实施例预期用于减少具有大范围的尺寸、材料、行进速率和入射角的粒子到达图4的图案形成装置412的可能性。

在下文中参考图11A、图11B和图12A解释了粒子捕获器1290的示例性操作。第一腔室1103内的污染物粒子将与粒子捕获器1290的多个挡板1292碰撞多次。随着每次碰撞，粒子损失动能并损失速率，并且在足够低的速率和动能的情况下，由于范德瓦尔斯相互作用，粒子将粘附至粒子捕获器1290的表面。即使粒子具有足够进入间隙1114的剩余能量，粒子的速率也将至少被减少，并且因此粒子更可被从腔室1105到腔室1103中的吹扫气流控制。并且由于与粒子捕获器1290的挡板1292碰撞，粒子的速度的方向也可以改变回朝向腔室1103。在实施例中，突出挡板1292可以用具有高哈梅克常数的材料制成，以增加污染物粒子与粒子捕获器1290的表面之间的范德瓦耳斯力，使污染物粒子粘附至捕获器1290的表面的概率增加。另外，粒子捕获器1290的多个挡板可以增加表面面积，这进而增加污染物粒子将被粒子捕获器1290捕获的概率。

如图12B和图12E-图12H中示出的，根据实施例，突出挡板1292可以具有三角形的截面区域，并且每个突出挡板1292具有高度H和宽度W。出于说明目的，每个突出挡板1292具有分别为三角形的截面区域的最高点和最低点的峰部1278和谷部1279。如图12C中示出的，突出挡板1292还可以具有接近三角形的截面区域，其配置成以期望的行进方向反射粒子，例如从容置图案形成装置412的第二腔室405反射粒子。或者例如，如图12D中示出的，突出挡板1292可以具有梯形的截面。

回到图12B，突出挡板1292可以具有高度H和宽度W。根据一些示例，突出挡板1292的宽度W可以为大约1mm至大约5mm。例如，宽度W可以为大约1.5mm至大约4.5mm。例如，宽度W可以为大约2mm。作为另一示例，宽度W可以为大约4mm。根据一些示例，图12B的突出挡板1292的高度H可以为大约1mm至大约6mm。例如，高度H可以为大约2mm至大约5mm。例如，高度H可以为大约2.4mm至大约4.5mm。这些尺寸被提供作为示例并且可以使用其它尺寸。

挡板1292还可以具有由相邻的谷部之间的虚线和挡板1292的突出表面限定的角度θ₁和θ₂。在一个示例中，如图12B中示出的，角度θ₁和θ₂是相等的。在另一示例中，如在图12E-图12H中示出的，角度θ₁和θ₂可以不相等。例如，在图12E中，角度θ₁可以为大约90°，而角度θ₂小于大约90°。例如，在图12F中，角度θ₂可以为大约90°，而角度θ₁小于大约90°。例如，如在图12G和图12H中，角度θ₁和θ₂是不相等的锐角。

在一些实施例中，角度θ₁和θ₂可以在突出挡板1292之间变化。例如，如在图12G中示出的，第一突出挡板1292的角度θ₁或θ₂可以不同于相邻的第二突出挡板1292’的相应的角度θ₁’或θ₂’。

在图12H中，角度θ₁和θ₂是不同的角度，但是突出挡板1292中的每个突出挡板是实质上相同的。根据一些示例，图12H的突出挡板1292的角度θ₁可以为大约60°，并且图12H的突出挡板1292的角度θ₂可以为大约30°。在所述示例中，图12H的突出挡板1292的宽度W可以为大约1.5mm至大约4.5mm。例如，图12H的突出挡板1292的宽度W可以为大约2mm。作为另一示例，图12H的突出挡板1292的宽度W可以为大约4mm。然而，这些是示例性值并且角度θ₁和θ₂可以取其它值。

根据一些实施例，节距(例如，相邻的挡板的峰部1278之间的距离)可以是固定的。另外或可替代地，节距可以是可变的。例如，图12G的粒子捕获器1290图示了在相邻的挡板的峰部1278之间的距离d1、d2和d3是不同的示例。作为另一示例，图12H的粒子捕获器1290图示了在挡板之间的节距d是实质上类似的示例。

图12I和图12J示意性地描绘了粒子捕获器1290的各种实施例的平面图。图12I可以是图12B中描述的粒子捕获器1290的平面图。如图12I中示出的，多排突出挡板1292彼此平行，并且在相邻的峰部或谷部之间具有相等的间距。可替代地，每排突出挡板1292还可以被布置成形成特定形状。如在图12J中示出的，每排突出挡板1292形成V形并且多排突出挡板1292彼此平行，同时相邻的峰部或谷部之间的间距可以是不同的。虽然提供了示例性配置，但是粒子捕获器1290(及其平面图)可以包括任何其它配置，诸如而不限于成角度的或具有多种要素的配置。

图12K示意性地描绘了根据各种实施例的另一粒子捕获器1290。图12K的粒子捕获器1290可以是包括微结构(例如，微挡板)1297的微结构的带1295。微结构1297可以包括其它设计和配置，诸如而不限于在图12A-图12H中论述的设计和配置。例如，微结构1297可以具有任何适当的截面形状，例如接近长方形的、三角形的、接近三角形的、长斜方形的或接近长斜方形的。例如，微结构1297可以具有圆锥形状、球形形状、金字塔形状或任何其它适当的形状。另外或可替代地，微结构1297可以包括分形结构以例如增加表面面积从而捕获粒子。根据一些示例，微结构的带1295可以由金属制成。另外或可替代地，微结构的带1295可以由聚合物制成。另外或可替代地，微结构的带95可以由硅橡胶制成。在一些示例中，微结构的带1295可以被涂覆有镍(Ni)使得微结构的带1295是真空兼容的。根据一些示例，微结构的带1295可以包括由Gottlieb Binder GmbH制造的

然而，图12K的粒子捕获器1290可以包括任何其它微结构或纳米结构。根据一些实施例，如上文论述的，微结构的带1295可以是可移动的和可附接的粒子捕获器。作为另一示例，图12K的粒子捕获器1290可以包括可以被螺栓连接并未螺栓连接至目标表面的微结构。

另外或可替代地，如在图12L中图示的，粒子捕获器1290可以包括微结构或纳米结构(例如，微挡板或纳米挡板)1292，所述微结构或纳米结构具有在其表面上的配置成允许污染物粒子粘附至粒子捕获器1290的材料1291。例如，材料1291可以增加粒子捕获器1290的粘附效果。根据一些实施例，材料1291可以包括液体。例如，粒子捕获器可以包括具有固定至其表面的液体的微结构，其可以增加粒子捕获器1290的粘附效果。在一些示例中，微结构或纳米结构1292包括浸渍有液体的多个挡板。在一些示例中，提供在微结构的表面上的液体可以包括水或油。然而，还可以使用其它液体。在一些示例中，液体分子的一端粘附至微结构，并且所述分子的另一端提供粒子的捕获器的用于粒子捕获器1290的一部分。图12L的粒子捕获器1290是具有液体的微结构或纳米结构的一个示例性实施例，并且还可以使用其它设计。

图12A-图12J的突出挡板1292和/或图12K和图12L的微结构或纳米结构1297和1292中的每个都可以是从粒子捕获器1290的表面突出的分立的突起。另外或可替代地，图12A-图12J的突出挡板1292和/或图12K和图12L的微结构或纳米结构1297和1292中的每个都可以沿与图12A-12L的表面垂直的方向延伸。

如上文论述的，虽然图12A-12L图示了放置在可移动的结构1204上的粒子捕获器1290，但是粒子捕获器1290可以放置在静止的第一结构1102或可移动的第二结构1104的位于第一腔室1103内的表面上。另外，粒子捕获器1190和1290可以放置在静止的第一结构1102或可移动的第二结构1104的位于第一腔室1103内的任何结构的表面上。

另外，在本公开中论述的粒子捕获器的示例可以放置在第一结构402的表面415上的间隙414内、在第二结构404的表面417上的间隙414内、或其组合。另外或可替代地，在本公开中论述的粒子捕获器的示例可以放置在位于第二腔室405中的第一结构402的表面和/或第二结构404的表面上。另外或可替代地，在本公开中论述的粒子捕获器的示例可以放置在壳体401的面向第二腔室405的表面上。

可以使用以下方面进一步描述所述实施例：

1.一种物体平台，包括：

第一腔室；

第二腔室；

第一结构，所述第一结构具有第一表面；

第二结构，所述第二结构配置成支撑所述第二腔室中的物体，所述第二结构能相对于所述第一结构移动，并且包括：

第二表面，所述第二表面与所述第一结构的第一表面相对从而限定所述第一结构与所述第二结构之间的间隙，所述间隙在所述第一腔室与所述第二腔室之间延伸；和

第三表面，所述第三表面在所述第一腔室内；和

第一捕获器，所述第一捕获器设置在所述第三表面的至少一部分上，所述第一捕获器包括配置成阻止污染物粒子穿过所述间隙的多个挡板。

2.根据方面1所述的物体平台，还包括第二捕获器，所述第二捕获器设置在所述第一表面的至少一部分上。

3.根据方面1所述的物体平台，其中，在第一挡板与邻近于所述第一挡板的第二挡板之间的第一距离不同于在所述第二挡板与邻近于所述第二挡板的第三挡板之间的第二距离。

4.根据方面1所述的物体平台，其中，所述多个挡板中的每个挡板具有三角形的截面，所述三角形的截面包括：被限定在所述三角形的截面的相邻的谷部之间的虚线与所述挡板的第一突出表面之间的第一角度；和被限定在所述三角形的截面的相邻的谷部之间的虚线与所述挡板的第二突出表面之间的第二角度。

5.根据方面4所述的物体平台，其中：

所述三角形的截面包括：被限定在所述三角形的截面的相邻的谷部之间的虚线与所述挡板的第一突出表面之间的第一角度；和被限定在所述三角形的截面的相邻的谷部之间的虚线与所述挡板的第二突出表面之间的第二角度，和

所述多个挡板中的第一挡板的第一角度不同于所述多个挡板中的第二挡板的第一角度。

6.根据方面1所述的物体平台，其中，所述第一捕获器可附接地耦接至所述第三表面。

7.根据方面1所述的物体平台，其中，所述第一捕获器包括微结构的带，所述微结构的带具有从其突出的多个挡板。

8.根据方面1所述的物体平台，其中，所述多个挡板浸渍有液体。

9.根据方面1所述的物体平台，其中：

所述第二结构包括长行程模块和短行程模块；

所述第二表面是所述长行程模块的一部分；和

所述第一结构是静止的。

10.根据方面1所述的物体平台，其中：

所述物体是掩模版；和

所述第二结构是配置成支撑所述掩模版的卡盘。

11.根据方面1所述的物体平台，其中，所述第一腔室和所述第二腔室每个都配置成保持在真空压力下。

12.一种物体平台，包括：

第一腔室；

第二腔室；

第一结构，所述第一结构具有第一表面；

第二结构，所述第二结构配置成支撑所述第二腔室中的物体，所述第二结构能相对于所述第一结构移动，并且包括第二表面，所述第二表面与所述第一结构的第一表面相对从而限定在所述第一结构与所述第二结构之间的间隙，所述间隙在所述第一腔室与所述第二腔室之间延伸；和

阻挡件，所述阻挡件设置在所述间隙中并配置成阻止污染物粒子穿过所述间隙。

13.根据方面12所述的物体平台，其中，所述阻挡件包括：

多个第一挡板，所述多个第一挡板从所述第一表面突出；和

多个第二挡板，所述多个第二挡板从所述第二表面突出并与所述多个第一挡板交错。

14.根据方面13所述的物体平台，其中：

所述第二结构配置成在扫描方向上移动；和

所述多个第一挡板和多个第二挡板中的每个挡板沿所述扫描方向延伸。

15.根据方面14所述的物体平台，其中，所述多个第一挡板和所述多个第二挡板一起阻挡了沿垂直于所述扫描方向的方向的视线。

16.根据方面13所述的物体平台，其中所述多个第一挡板中的每个挡板包括与所述多个第二挡板中的相邻的挡板的表面平行的表面。

17.根据方面13所述的物体平台，其中，所述阻挡件还包括多个第三突出挡板，所述多个第三突出挡板小于所述多个第一挡板和多个第二挡板，所述多个第三突出挡板设置在所述多个第一挡板上、在所述多个第二挡板上、在所述多个第一挡板之间、或在所述多个第二挡板之间。

18.根据方面12所述的物体平台，其中，所述阻挡件包括：

第一箔片，所述第一箔片在所述第一结构和第二结构的第一侧耦接至所述第一表面和第二表面；和

第二箔片，所述第二箔片在与所述第一结构和第二结构的所述第一侧相对的第二侧耦接至所述第一表面和第二表面。

19.根据方面18所述的物体平台，其中：

所述第二结构配置成在扫描方向上移动；和

所述第一箔片和第二箔片配置成在所述在扫描方向上卷绕。

20.根据方面18所述的物体平台，其中，所述阻挡件还包括：

第三箔片，所述第三箔片与所述第一箔片分离，所述第三箔片在与所述第一结构和第二结构的第一侧耦接至所述第一表面和第二表面；和

第四箔片，所述第四箔片与所述第二箔片分离，所述第四箔片在所述第二侧耦接至所述第一表面和第二表面。

21.根据方面20所述的物体平台，其中：

所述第三箔片的一部分与所述第一箔片的一部分交叠；和

所述第四箔片的一部分与所述第二箔片的一部分交叠。

22.根据方面20所述的物体平台，其中：

在所述第三箔片与所述第一箔片之间形成间隙；和

在所述第四箔片与所述第二箔片之间形成间隙。

23.根据方面18所述的物体平台，其中，所述第一箔片和第二箔片中的每个箔片包括金属或聚合物。

24.根据方面12所述的物体平台，其中：

所述第二结构包括长行程模块和短行程模块；

第二表面是所述长行程模块的一部分；和

所述第一结构是静止的。

25.根据方面12所述的物体平台，其中：

所述物体是掩模版；和

所述第二结构是配置成支撑所述掩模版的卡盘。

26.根据方面12所述的物体平台，其中，所述第一腔室和所述第二腔室每个都配置成保持在真空压力下。

27.一种光刻设备，配置成将图案从图案形成装置转印到衬底上，所述光刻设备包括：

衬底台，所述衬底台配置成沿扫描方向保持和移动所述衬底；

掩模版平台，所述掩模版平台配置成保持和移动所述掩模版，所述掩模版平台包括：

第一腔室；

第二腔室；

第一结构，所述第一结构具有第一表面；

第二结构，所述第二结构配置成支撑所述第二腔室中的掩模版，所述第二结构能相对于所述第一结构移动，并且所述第二结构包括：

第三表面，所述第三表面在所述第一腔室内；和

捕获器，所述捕获器设置在所述第三表面的至少一部分上，所述捕获器包括配置成阻止污染物粒子穿过所述间隙的多个挡板。

28.一种光刻设备，配置成将图案从图案形成装置转印到衬底上，所述光刻设备包括：

第一腔室；

第二腔室；

第一结构，所述第一结构具有第一表面；

第二结构，所述第二结构配置成支撑所述第二腔室中的掩模版，所述第二结构能相对于所述第一结构移动，并且所述第二结构包括第二表面，所述第二表面与所述第一结构的第一表面相对从而限定在所述第一结构与所述第二结构之间的间隙，所述间隙在所述第一腔室与所述第二腔室之间延伸；和

29.根据方面28所述的光刻设备，其中，所述阻挡件包括：

多个第一挡板，所述多个第一挡板从所述第一表面突出；和

30.根据方面29所述的光刻设备，其中：

所述第二结构配置成在扫描方向上移动；和

31.根据方面30所述的光刻设备，其中，所述多个第一挡板和多个第二挡板一起阻挡了沿垂直于所述扫描方向的方向的视线。

32.根据方面28所述的光刻设备，其中，所述阻挡件包括：

第二箔片，所述第二箔片在与所述第一结构和第二结构的所述第一侧相反的第二侧耦接至所述第一表面和第二表面。

33.根据方面32所述的光刻设备，其中：

所述第二结构配置成在扫描方向上移动；和

所述第一箔片和第二箔片配置成在所述在扫描方向上卷绕。

虽然在本文中可以对光刻设备在IC的制造中的使用进行了具体参考，但是，应理解，本文中描述的光刻设备可以具有其它应用，诸如集成光学系统的制造、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在这种替代应用的内容背景下，本文中使用的任何术语“晶片”或“管芯”可以被认为分别与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文中提及的衬底可以在曝光之前或之后例如在轨道或涂覆显影系统(一种典型地将抗蚀剂层施加到衬底上并且对被曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检查工具中进行处理。在可应用的情况下，可以将本文的公开内容应用于这种和其它衬底处理工具中。另外，所述衬底可以被处理一次以上，例如用于产生多层IC，使得本文中使用的术语衬底也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。

虽然上文可以已经在光学光刻术的内容背景下使用本公开的实施例进行了具体参考，但是应理解，本公开可以用于其它应用，例如压印光刻术，并且在内容背景允许的情况下，不限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的形貌或拓扑限定了在衬底上产生的图案。图案形成装置的形貌可以被压制到提供到衬底上的抗蚀剂层中，由此抗蚀剂通过应用电磁辐射、热、压力或者它们的组合被固化。在抗蚀剂被固化之后所述图案形成装置被移出抗蚀剂，在其中留下图案。

应理解，本文中的措辞或术语是出于描述而非限制性的目的，因此本说明书中的术语或措辞应由相关领域技术人员按照本文中的教导来解释。

另外，本文中使用术语“辐射”和“束”包括所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如，具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长λ)、极紫外(EUV或软X射线)辐射(例如，具有在5至20nm范围内的波长，诸如例如13.5nm的波长)、或硬X射线(在小于5nm下工作)、以及粒子束(诸如离子束或电子束)。通常，具有介于大约400nm至大约700nm之间波长的辐射被认为是可见光辐射；具有介于大约780nm-3000nm(或更大)之间波长的辐射被认为是IR辐射。UV指的是具有约100nm-400nm波长的辐射。在光刻术内，术语“UV”也适合于可以由汞放电灯产生的波长：G线436nm；H线405nm；和/或I线365nm。真空UV或VUV(即，被气体吸收的UV)指的是具有约100-200nm波长的辐射。深UV(DUV)泛指具有从126nm至428nm波长范围的辐射，并且在实施例中，准分子激光器可以产生在光刻设备内使用的DUV辐射。应理解，具有在例如5-20nm范围内波长的辐射涉及具有至少部分地介于5-20nm范围内的某一波长带的辐射。

如本文中使用的术语“衬底”通常描述后续的材料层添加到其上的材料。在实施例中，衬底其本身可以被图案化，并且添加在其顶部的材料还可以被图案化，或者可以保持不被图案化。

应理解，本文中使用的一个或更多个特定特征、结构或特性之间的相对的空间性描述仅出于说明的目的，并且在没有脱离本公开的精神和范围的情况下，本文中描述的结构的实际的实施方式可以包括未对准公差。

虽然上文已经描述了本公开的特定实施例，但将理解，本公开可以以除所描述的方式之外的方式来实践。所述描述不旨在限制本公开。

将理解，具体实施方式部分而不是发明内容部分和摘要部分被旨在用于解释权利要求。如由发明者考虑到的，发明内容部分和摘要部分可以阐明本公开的一个或更多个而不是所有示例性实施例，并且因此不旨在以任何方式限制本公开和随附权利要求。

上文已经借助于图示出指定功能的实施方式及其相互关系的功能性构件块描述了本公开。为了描述方便，在本文中已经任意地限定了这些功能性构件块的边界。交错的边界可以被限定为只要指定功能及其相互关系被适当地执行。

特定实施例的前述描述将如此充分地揭示本公开的一般性质，在不背离本公开的整体构思且不进行过度实验的情况下，他人可以通过应用本领域技术范围内的知识容易地修改和/或调适例这些特定实施例的各种应用。因此，基于本文中提出的教导和指导，这样的调适和修改旨在落入所公开的实施例的等同物的含义和范围内。

本公开的广度和范围不应受到上文描述的任何的示例性实施例的限制，而应仅由随附的权利要求书及其等同物来限定。

Claims

1.一种物体平台，包括：

第一腔室；

第二腔室；

第一结构，所述第一结构具有第一表面；

第二结构，所述第二结构配置成支撑所述第二腔室中的物体，所述第二结构能相对于所述第一结构移动，并且所述第二结构包括：

第二表面，所述第二表面与所述第一结构的第一表面相对，从而限定在所述第一结构与所述第二结构之间的间隙，所述间隙在所述第一腔室与所述第二腔室之间延伸；和

第三表面，所述第三表面在所述第一腔室内；和

2.根据权利要求1所述的物体平台，还包括第二捕获器，所述第二捕获器设置在所述第一表面的至少一部分上。

3.根据权利要求1所述的物体平台，其中，在第一挡板与所述第一挡板相邻的第二挡板之间的第一距离不同于在所述第二挡板与所述第二挡板相邻的第三挡板之间的第二距离。

4.根据权利要求1所述的物体平台，其中，所述多个挡板中的每个挡板具有三角形截面，所述三角形截面包括：被限定在所述三角形截面的相邻的谷部之间的虚线与所述挡板的第一突出表面之间的第一角度；和被限定在所述三角形截面的相邻的谷部之间的所述虚线与所述挡板的第二突出表面之间的第二角度。

5.根据权利要求4所述的物体平台，其中：

所述三角形的截面包括：被限定在所述三角形截面的相邻的谷部之间的虚线与所述挡板的第一突出表面之间的第一角度；和被限定在所述三角形截面的相邻的谷部之间的虚线与所述挡板的第二突出表面之间的第二角度，和

6.根据权利要求1所述的物体平台，其中，所述第一捕获器可附接地耦接至所述第三表面。

7.根据权利要求1所述的物体平台，其中，所述第一捕获器包括微结构的带，所述微结构的带具有从其突出的多个挡板。

8.根据权利要求1所述的物体平台，其中，所述多个挡板浸渍有液体。

9.根据权利要求1所述的物体平台，其中：

所述第二结构包括长行程模块和短行程模块；

第二表面是所述长行程模块的一部分；和

所述第一结构是静止的。

10.根据权利要求1所述的物体平台，其中：

所述物体是掩模版；和

所述第二结构是配置成支撑所述掩模版的卡盘。

11.根据权利要求1所述的物体平台，其中，所述第一腔室和所述第二腔室每个都配置成保持在真空压力下。

12.一种物体平台，包括：

第一腔室；

第二腔室；

第一结构，所述第一结构具有第一表面；

第二结构，所述第二结构配置成支撑所述第二腔室中的物体，所述第二结构能相对于所述第一结构移动，并且所述第二结构包括第二表面，所述第二表面与所述第一结构的第一表面相对从而限定在所述第一结构与所述第二结构之间的间隙，所述间隙在所述第一腔室与所述第二腔室之间延伸；和

13.根据权利要求12所述的物体平台，其中，所述阻挡件包括：

多个第一挡板，所述多个第一挡板从所述第一表面突出；和

14.根据权利要求13所述的物体平台，其中：

所述第二结构配置成在扫描方向上移动；和

15.根据权利要求14所述的物体平台，其中，所述多个第一挡板和所述多个第二挡板一起阻挡了沿垂直于所述扫描方向的视线。

16.根据权利要求13所述的物体平台，其中，所述多个第一挡板中的每个挡板包括与所述多个第二挡板中的相邻的挡板的表面平行的表面。

17.根据权利要求13所述的物体平台，其中，所述阻挡件还包括多个第三突出挡板，所述多个第三突出挡板小于所述多个第一挡板和多个第二挡板，所述多个第三突出挡板设置在所述多个第一挡板上、在所述多个第二挡板上、在所述多个第一挡板之间、或在所述多个第二挡板之间。

18.根据权利要求12所述的物体平台，其中，所述阻挡件包括：

第二箔片，所述第二箔片在与所述第一侧相对的所述第一结构和第二结构的第二侧耦接至所述第一表面和第二表面。

19.根据权利要求18所述的物体平台，其中：

所述第二结构配置成在扫描方向上移动；和

所述第一箔片和第二箔片配置成在所述在扫描方向上卷绕。

20.根据权利要求18所述的物体平台，其中，所述阻挡件还包括：

21.根据权利要求20所述的物体平台，其中：

所述第三箔片的一部分与所述第一箔片的一部分交叠；和

所述第四箔片的一部分与所述第二箔片的一部分交叠。

22.根据权利要求20所述的物体平台，其中：

在所述第三箔片与所述第一箔片之间形成间隙；和

在所述第四箔片与所述第二箔片之间形成间隙。

23.根据权利要求18所述的物体平台，其中，所述第一箔片和第二箔片中的每个箔片包括金属或聚合物。

24.根据权利要求12所述的物体平台，其中：

所述第二结构包括长行程模块和短行程模块；

第二表面是所述长行程模块的一部分；和

所述第一结构是静止的。

25.根据权利要求12所述的物体平台，其中：

所述物体是掩模版；和

所述第二结构是配置成支撑所述掩模版的卡盘。

26.根据权利要求12所述的物体平台，其中，所述第一腔室和所述第二腔室每个都配置成保持在真空压力下。