JP7248649B2 - 粒子トラップおよび粒子抑制用バリア - Google Patents

Description

［関連出願へのクロスリファレンス］
本出願は、２０１７年７月２８日に出願された米国仮特許出願６２／５３８，１９８号の利益を主張し、その全体が参照により本書に組み込まれる。

［技術分野］
本開示は、例えばリソグラフィにおける粒子トラップおよび粒子バリアなどを用いる粒子抑制に関連する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上に付与し、通常基板のターゲット部分に付与する装置である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、代替的にマスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスがＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成するために使用されうる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェハ）上の（例えばダイの一部、一つのダイまたはいくつかのダイを備える）ターゲット部分に転写できる。パターンの転写は、典型的に基板上に設けられる放射感受性材料（レジスト）の層への結像を介する。一般に、単一の基板は、連続的にパターン化される隣接するターゲット部分のネットワークを含むであろう。

リソグラフィは、ＩＣおよび他のデバイスおよび／または構造の製造における重要なステップの一つして広く認識される。しかしながら、リソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれて、リソグラフィは小型のＩＣまたは他のデバイスおよび／または構造を製造することを可能にするためにより重要な要素になっている。

パターン印刷の限界の理論的推定値は、式（１）に示される解像度のレイリー基準によって与えることができる。

ここで、λは使用される放射の波長であり、ＮＡはパターンを印刷するために使用される投影システムの開口数であり、ｋ_１はレイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数であり、ＣＤは印刷されるフィーチャのフィーチャサイズ（または限界寸法）である。式（１）によれば、露光波長λを短くすること、開口数ＮＡを大きくすること、またはｋ_１の値を小さくすることの三つの方法により、印刷可能な最小のフィーチャサイズを減少させることができる。

露光波長を短くし、したがって印刷可能な最小サイズを縮小するために、極端紫外（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、５－２０ｎｍの範囲内、例えば１３－１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。１０ｎｍよりも短い波長、例えば、６．７ｎｍまたは６．８ｎｍといった５－１０ｎｍの範囲内のＥＵＶ放射を使用できることがさらに提案されている。そのような放射は、極端紫外放射または軟Ｘ線放射と呼ばれる。可能性のある放射源は、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子貯蔵リングにより提供されるシンクロトロン放射に基づく放射源を含む。

リソグラフィ装置は、パターニングデバイス（例えばマスクまたはレチクル）を含む。放射は、パターニングデバイスを透過して、または、パターニングデバイスで反射されて基板上に像を形成する。パターニングデバイスは、真空環境で保持されることができる。この真空環境内では、ケーブル・ホースキャリアなどの汚染粒子源が存在し、これらは汚染粒子を発生させることができる。これらの汚染粒子がパターニングデバイスおよび／またはパターニングデバイスの近傍領域に到達すると、形成される像に欠陥が生じうる。

したがって、広範囲のサイズ、材料、移動速度および入射角の汚染粒子が粒子の影響を受けやすい環境に到達する可能性を低減する必要がある。

本開示のある態様によれば、第１チャンバおよび第２チャンバを備える対象物ステージが提供される。この対象物ステージは、第１表面を有する第１構造と、第２構造とをさらに備える。第２構造は、第２チャンバ内の対象物を支持するよう構成され、第１構造に対して可動である。第２構造は、第１構造の第１表面に対向する第２表面を備えることにより第１構造と第２構造の間において第１チャンバと第２チャンバの間を延びるギャップを定義する。第２構造は、第１チャンバ内の第３表面をさらに備える。対象物ステージは、第３表面の少なくとも一部に配置されるトラップをさらに備え、トラップは、汚染粒子がギャップを通過するの抑制するよう構成される複数のバッフルを備える。

本開示のある態様によれば、パターニングデバイスから基板にパターンを転写するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、基板を保持してスキャン方向に沿って移動させるよう構成される基板テーブルと、レチクルを保持して移動させるよう構成されるレチクルステージとを備える。レチクルステージは、第１チャンバおよび第２チャンバを備える。レチクルステージは、第１表面を有する第１構造と、第２構造とをさらに備える。第２構造は、第２チャンバ内でレチクルを支持するよう構成され、第１構造に対して可動である。第２構造は、第１構造の第１表面と対向する第２表面を備えることにより第１構造と第２構造の間において第１チャンバと第２チャンバの間を延びるギャップを定義する。第２構造は、第１チャンバ内の第３表面をさらに備える。レチクルステージは、第３表面の少なくとも一部に配置されるトラップをさらに備え、トラップは、汚染粒子がギャップを通過するのを抑制するよう構成される複数のバッフルを備える。

本開示のある態様によれば、第１チャンバおよび第２チャンバを備える対象物ステージが提供される。対象物ステージは、第１表面を有する第１構造と、対象物を第２チャンバ内で保持するよう構成され、第１構造に対して可動な第２構造とをさらに備える。第２構造は、第１構造の第１表面と対向する第２表面を備えることにより第１構造と第２構造の間において第１チャンバと第２チャンバの間を延びるギャップを定義する。対象物ステージは、ギャップ内に配置され、汚染粒子がギャップを通過するのを抑制するよう構成されるバリアをさらに備える。

本開示のある態様によれば、パターニングデバイスから基板にパターンを転写するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、基板を保持してスキャン方向に沿って移動させるよう構成される基板テーブルと、レチクルを保持して移動させるよう構成されるレチクルステージとを備える。レチクルステージは、第１チャンバおよび第２チャンバを備える。レチクルステージは、第１表面を有する第１構造と、第２チャンバ内でレチクルを支持するよう構成され、第１構造に対して可動である第２構造とをさらに備える。第２構造は、第１構造の第１表面と対向する第２表面を備えることにより第１構造と第２構造の間において第１チャンバと第２チャンバの間を延びるギャップを定義する。レチクルステージは、ギャップ内に配置され、汚染粒子がギャップを通過するのを抑制するよう構成されるバリアをさらに備える。

本発明のさらなる特徴および利点は、本発明の様々な実施の形態の構造および動作ととともに、添付の図面を参照しながら以下に詳述される。本発明は、本書に記載される特定の実施の形態に限定されないことに留意されたい。このような実施の形態は、本書において理解を助けることを目的のために示されるにすぎない。追加の実施の形態は、本書に含まれる教示に基づいて当業者に明らかとなるであろう。

本書に含まれる明細書の一部を形成する添付の図面は、本開示を例示し、その記載とともに本開示の原理を説明し、当業者が発明を実施できるようにするのにさらに役立つであろう。

本開示のある実施の形態に係る反射型リソグラフィ装置を模式的に示す図である。

本開示のある実施の形態に係る透過型リソグラフィ装置を模式的に示す図である。

本開示のある実施の形態に係る反射型リソグラフィ装置のより詳細を模式的に示す図である。

本開示のある実施の形態に係るリソグラフィセルを模式的に示す図である。

本開示のある実施の形態に係るレチクルステージを模式的に示す断面図である。

本開示のある実施の形態に係る粒子抑制バリアまたはトラップを有する装置を模式的に示す斜視図である。

本開示の様々な実施の形態に係る粒子抑制用の粒子バリアの様々な構成を模式的に示す断面図である。 本開示の様々な実施の形態に係る粒子抑制用の粒子バリアの様々な構成を模式的に示す断面図である。 本開示の様々な実施の形態に係る粒子抑制用の粒子バリアの様々な構成を模式的に示す断面図である。 本開示の様々な実施の形態に係る粒子抑制用の粒子バリアの様々な構成を模式的に示す断面図である。

本開示のある実施の形態に係るバッフル粒子バリアを有する装置を模式的に示す斜視断面図である。

本開示のある実施の形態に係るバッフル粒子バリアを有する装置を模式的に示す斜視断面図である。

本開示のある実施の形態に係る微細バッフルを有する粒子バリアの例を模式的に示す断面図である。

本開示の様々な実施の形態に係るバッフル粒子バリアの間挿する突出バッフルの例を模式的に示す断面図である。 本開示の様々な実施の形態に係るバッフル粒子バリアの間挿する突出バッフルの例を模式的に示す断面図である。 本開示の様々な実施の形態に係るバッフル粒子バリアの間挿する突出バッフルの例を模式的に示す断面図である。 本開示の様々な実施の形態に係るバッフル粒子バリアの間挿する突出バッフルの例を模式的に示す断面図である。

本開示の様々な実施の形態に係る粒子抑制用の粒子トラップを有する装置の様々な構成を模式的に示す断面図である。 本開示の様々な実施の形態に係る粒子抑制用の粒子トラップを有する装置の様々な構成を模式的に示す断面図である。

本開示の様々な実施の形態に係る粒子トラップを模式的に示す図である。 本開示の様々な実施の形態に係る粒子トラップを模式的に示す図である。 本開示の様々な実施の形態に係る粒子トラップを模式的に示す図である。 本開示の様々な実施の形態に係る粒子トラップを模式的に示す図である。 本開示の様々な実施の形態に係る粒子トラップを模式的に示す図である。 本開示の様々な実施の形態に係る粒子トラップを模式的に示す図である。 本開示の様々な実施の形態に係る粒子トラップを模式的に示す図である。 本開示の様々な実施の形態に係る粒子トラップを模式的に示す図である。 本開示の様々な実施の形態に係る粒子トラップを模式的に示す図である。 本開示の様々な実施の形態に係る粒子トラップを模式的に示す図である。 本開示の様々な実施の形態に係る粒子トラップを模式的に示す図である。 本開示の様々な実施の形態に係る粒子トラップを模式的に示す図である。

本開示の特徴および利点は、全体を通して同様の参照符号が対応する要素を識別する図面と併せて解釈される場合に、以下に記載される詳細な説明からより明らかになるであろう。図面において、同様の参照符号は一般に、同一の、機能的に類似の、および／または構造的に類似の要素を示す。要素が最初に表示される図面は、対応する参照番号の左端の数字で示される。別記のない限り、本開示を通じて与えられる図面は、縮尺通りの図面として解釈されるべきではない。

本明細書は、本開示の特徴を包含する一以上の実施の形態を開示する。開示される実施の形態は、本開示を例示するにすぎない。本開示の範囲は、開示される実施の形態に限定されない。本開示は、本書に添付される請求項により定義される。

記載される実施の形態および明細書における「一つの実施の形態」「ある実施の形態」「ある実施例」「実施例」「例」などへの参照は、記載される実施の形態が特定の特徴、構造または特性を含んでもよいが、全ての実施の形態が特定の特徴、構造または特性を必ずしも含まなくてもよいことを示す。さらに、そのようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態を指すとは限らない。さらに、特定の特徴、構造または特性がある実施の形態に関連して記載される場合、明示的に記載されるか否かによらず、他の実施の形態に関連してこのような特徴、構造または特性を達成することが当業者の知識の範囲内であることが理解されよう。

しかしながら、このような実施の形態をより詳細に記載する前に、本開示の実施の形態が実装されうる例示的な環境を示すことが有益である。

反射型および透過型リソグラフィシステムの実施例

図１Ａおよび図１Ｂは、本開示の実施の形態が実装されうるリソグラフィ装置１００およびリソグラフィ装置１００’をそれぞれ模式的に示す。リソグラフィ装置１００およびリソグラフィ装置１００’のそれぞれは、放射ビームＢ（例えば、深紫外または極端紫外放射）を調整するよう構成される照明システム（イルミネータ）ＩＬと；パターニングデバイス（例えば、マスク、レチクルまたは動的パターニングデバイス）ＭＡを支持するよう構築され、パターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするよう構成される第１位置決め装置ＰＭに接続される支持構造（例えば、レチクルステージまたはマスクテーブル）ＭＴと；基板（例えばレジストコートされたウェハ）Ｗを保持するよう構成され、基板Ｗを正確に位置決めするよう構成される第２位置決め装置ＰＷに接続される基板テーブル（例えばウェハテーブル）ＷＴとを含む。リソグラフィ装置１００および１００’は、基板Ｗのターゲット部分（例えば、一以上のダイを備える）ＣにパターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを投影するよう構成される投影システムＰＳも有する。リソグラフィ装置１００において、パターニングデバイスＭＡおよび投影システムＰＳは反射型である。リソグラフィ装置１００’において、パターニングデバイスＭＡおよび投影システムＰＳは透過型である。

照明システムＩＬは、放射ビームを方向付け、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁気型、静電型といった様々な形式の光学素子、または、他の形式の光学素子、または、これらの任意の組み合わせを含んでもよい。

サポート構造ＭＴは、基準フレームに対するパターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置１００および１００’の少なくとも一つのデザイン、および、パターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されるか否かといった他の条件に応じた態様でパターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式または他のクランプ技術を用いてパターニングデバイスＭＡを保持してもよい。サポート構造ＭＴは、必要に応じて固定または可動にできるフレームまたはテーブルなどであることができる。センサを用いることで、サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳに対して所望の位置にあることを確実にできる。

「パターニングデバイスＭＡ」の用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成するといった目的のために、放射ビームＢの断面にパターンを付与するために用いることのできる任意のデバイスを参照するものと広く解釈されるべきである。放射ビームＢに付与されるパターンは、集積回路を形成するためにターゲット部分Ｃに生成されているデバイスの特定の機能層に対応できる。

パターニングデバイスＭＡは、（図１Ｂのリソグラフィ装置１００’のように）透過型であってもよいし、（図１Ａのリソグラフィ装置１００のように）反射型であってもよい。パターニングデバイスＭＡの例は、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルＬＣＤパネルを含む。マスクは、リソグラフィにおいて周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、さらに様々なハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例は、マトリックス状に配列される小型のミラーを採用し、各ミラーは入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜できる。傾斜されるミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームＢにパターンを付与する。

「投影システムＰＳ」の用語は、用いられる露光放射、または、基板Ｗでの液浸液の使用や真空の使用といった他の要素について適切となるよう、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁気型、静電型を含む任意の形式の投影システムを包含できる。ＥＵＶや電子ビーム放射では、他のガスが放射や電子を吸収しすぎるため、真空環境を用いることができる。したがって、真空壁および真空ポンプの助けを借りて、ビーム経路の全体に真空環境を提供できる。

リソグラフィ装置１００および／またはリソグラフィ装置１００’は、二つ（デュアルステージ）またはそれより多い基板テーブルＷＴ（および／または二以上のマスクテーブル）を有する形式であることができる。このような「マルチステージ」の機械において、追加の基板テーブルＷＴを並行して用いることができ、または、準備工程を一以上の基板テーブルＷＴで実行する間、一以上の他のテーブルＷＴを露光のために用いることができる。いくつかの状況において、追加のテーブルは、基板テーブルＷＴでなくてもよい。

図１Ａおよび図１Ｂを参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯおよびリソグラフィ装置１００，１００’は、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、分離した存在であることができる。このようなケースでは、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１００または１００’の一部を形成するものとみなされず、放射ビームＢは、例えば適切な方向付けミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤ（図１Ｂ）の助けを借りて、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに向けて通過する。他のケースでは、例えば放射源ＳＯが水銀ランプである場合、放射源ＳＯがリソグラフィ装置１００，１００’の一体的な部分であることができる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、ビームデリバリシステムＢＤとともに、必要であれば、放射システムと呼ぶことができる。

イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＤ（図１Ｂ）を含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側径範囲および／または内側径範囲（通常、それぞれσ－アウタおよびσ－インナと呼ばれる）を調整できる。さらにイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮやコンデンサＣＯといった様々な他の要素（図１Ｂ）を備えることができる。イルミネータＩＬは、ビーム断面に所望の均一性および強度分布を有する放射ビームＢを調整するために用いることができる。

図１Ａを参照すると、放射ビームＢは、サポート構造（例えば、レチクルステージまたはマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによりパターン化される。リソグラフィ装置１００において、放射ビームＢはパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡで反射される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡで反射された後、放射ビームＢは、放射ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃに合焦させる投影システムＰＳを通過する。第２位置決め装置ＰＷおよび位置センサＰＳ２（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは静電容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴを（例えば放射ビームＢの経路上に異なるターゲット部分Ｃが位置するように）正確に移動できる。同様に、第１位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサＩＦ１は、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めするために用いることができる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１，Ｍ２および基板アライメントマークＰ１，Ｐ２を用いてアライメントできる。

図１Ｂを参照すると、放射ビームＢは、サポート構造（例えば、レチクルステージまたはマスクテーブルＭＴ）上に保持されるパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによりパターン化される。マスクＭＡを横切ると、放射ビームＢは、基板Ｗのターゲット部分Ｃにビームを合焦させる投影システムＰＳを通過する。投影システムは、照明システム瞳ＩＰＵと共役な瞳ＰＰＵ有する。放射の各部分は、照明システム瞳ＩＰＵでの強度分布から生じ、マスクパターンでの回折に影響されることなくマスクパターンを横切り、照明システム瞳ＩＰＵにて強度分布の像を生成する。

第２位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは静電容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴを（例えば放射ビームＢの経路上に異なるターゲット部分Ｃが位置するように）正確に移動できる。同様に、第１位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサ（図１Ｂに不図示）は、（例えば、マスクライブラリからの機械検索の後、または、スキャン中に）放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするために用いることができる。

一般に、レチクルステージまたはマスクテーブルＭＴの移動は、第１位置決め装置ＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（精細位置決め）の助けを借りて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２位置決め装置ＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、レチクルステージまたはマスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続されることができ、または、固定されることができる。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１，Ｍ２および基板アライメントマークＰ１，Ｐ２を用いてアライメントできる。基板アライメントマークは（図示されるように）専用のターゲット部分を占めるが、これらはターゲット部分の間のスペースに配置できる（スクライブラインアライメントマークとして知られる）。同様に、二以上のダイがマスクＭＡ上に設けられる状況では、マスクアライメントマークは、ダイの間に配置できる。

レチクルステージまたはマスクテーブルＭＴおよびパターニングデバイスＭＡは、真空チャンバ内に存在でき、真空チャンバの内外でマスクまたはレチクルといったパターニングデバイスを移動させるために真空内ロボットＩＶＲを使用できる。代替的に、レチクルステージまたはマスクテーブルＭＴおよびパターニングデバイスＭＡは、真空チャンバの外側に存在する場合、真空内ロボットＩＶＲと同様に、様々な輸送動作のために真空外ロボットを使用できる。真空内および真空外ロボットの双方は、任意の荷重（例えばマスク）を輸送ステーションの固定されたキネマティックマウントにスムーズに輸送するため、較正される必要がある。

リソグラフィ装置１００および１００’は、以下のモードの少なくとも一つで用いることができる。

１．ステップモードでは、サポート構造（例えば、レチクルステージまたはマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴが実質的に静止状態とされる間、放射ビームＢに付与されたパターン全体がターゲット部分Ｃに１回で投影される（つまり、単一静的露光）。基板テーブルＷＴはその後、Ｘ方向および／またはＹ方向にシフトされ、異なるターゲット部分Ｃを露光できる。

２．スキャンモードでは、サポート構造（例えば、レチクルステージまたはマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期してスキャンされる間、放射ビームＢに付与されるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（つまり、単一動的露光）。サポートテーブル構造（例えば、レチクルステージまたはマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）特性および像反転特性により決定されることができる。

３．別のモードでは、サポート構造（例えば、レチクルステージまたはマスクテーブル）ＭＴがプログラマブルパターニングデバイスを保持して実質的に静止状態を維持し、基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされる間、放射ビームＢに付与されるパターンがターゲット部分Ｃに投影される。パルス放射源ＳＯを用いることができ、基板テーブルＷＴの各移動の後またはスキャン中の一連の放射パルスの間に必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、プログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。

上記の使用モードの組み合わせおよび／または変更を加えたものの使用、または、全く異なるモードの使用も採用できる。

ある別の実施の形態において、リソグラフィ装置１００は、ＥＵＶリソグラフィ用のＥＵＶ放射ビームを生成するよう構成される極端紫外（ＥＵＶ）源を含む。一般に、ＥＵＶ源は放射システム内に構成され、対応する照明システムはＥＵＶ源のＥＵＶ放射ビームを調整するよう構成される。

図２は、リソグラフィ装置１００をより詳細に示し、ソースコレクタ装置ＳＯ、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳが含まれる。ソースコレクタ装置ＳＯは、ソースコレクタ装置ＳＯの包囲構造２２０内で真空環境が維持できるように構築および構成される。ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０は、放電生成プラズマ源により生成されてもよい。ＥＵＶ放射は、ガスまたは蒸気、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気またはＳｎ蒸気により生成されてもよく、この中で超高温プラズマ２１０が生成され、ＥＵＶ範囲内の電磁スペクトルの放射が放出される。超高温プラズマ２１０は、例えば、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを生じさせる放電により生成される。放射の効率的な生成のために、例えば１０Ｐａの分圧のＸｅ，Ｌｉ，Ｓｎ蒸気または任意の他の適切なガスまたは蒸気が必要とされてもよい。ある実施の形態において、ＥＵＶ放射を生成するための励起したスズ（Ｓｎ）のプラズマが与えられる。

高温プラズマ２１０により放出される放射は、ソースチャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２に向けて、ソースチャンバ２１１の開口内または開口の後方に位置する追加のガスバリアまたは汚染物質トラップ２３０（いくつかのケースでは、汚染物質バリアまたは箔トラップとも称される）を介して通過する。汚染物質トラップ２３０は、チャネル構造を含んでもよい。汚染物質トラップ２３０は、ガスバリアまたはガスバリアとチャネル構造の組み合わせを含んでもよい。本書でさらに示される汚染物質トラップまたは汚染バリア２３０は、少なくともチャネル構造を含む。

コレクタチャンバ２１２は、いわゆるグレージング入射コレクタであってもよい放射コレクタＣＯを含んでもよい。放射コレクタＣＯは、上流側放射コレクタ側面２５１と下流側放射コレクタ側面２５２を有する。コレクタＣＯを横切る放射は、グレーティングスペクトルフィルタ２４０で反射されて仮想ソース点ＩＦに合焦されることができる。仮想ソース点ＩＦは一般に中間フォーカスと称されてもよく、中間フォーカスＩＦが包囲構造２２０の開口２１９またはその近傍に位置するようにソースコレクタ装置が構成される。仮想ソース点ＩＦは、放射放出プラズマ２１０の像である。グレーティングスペクトルフィルタ２４０は、特に赤外（ＩＲ）放射を抑制するために用いられる。

その後、放射は照明システムＩＬを横切る。この照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにて放射強度の所望の均一性を提供するとともに、パターニングデバイスＭＡにて放射ビーム２２１の所望の角度分布を提供するよう構成されるファセットフィールドミラー装置２２２およびファセット瞳ミラー装置２２４を含んでもよい。サポート構造ＭＴにより保持されるパターニングデバイスＭＡにて放射ビーム２２１が反射されると、パターン化されたビーム２２６が形成され、パターン化されたビーム２２６は、ウェハステージまたは基板テーブルＷＴに保持される基板Ｗ上に反射要素２２８、２３０を介して投影システムＰＳによって結像される。

一般に、示されるよりも多くの要素が照明光学ユニットＩＬおよび投影システムＰＳに存在してもよい。グレーティングスペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置の形式に応じて選択的に存在してもよい。さらに、図示されるものより多くのミラーが存在してもよく、例えば、図２に示すものと比べて１－６個の追加の反射要素が投影システムＰＳ内に存在してもよい。

コレクタ光学系ＣＯは、図２に示されるに、コレクタ（またはコレクタミラー）の一例として、グレージング入射リフレクタ２５３，２５４および２５５を持つネスト型コレクタとして描かれる。グレージング入射リフレクタ２５３，２５４および２５５は、光軸Ｏまわりに軸対称に設けられる。この形式のコレクタ光学系ＣＯは、しばしばＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマ源と組み合わせて用いることが好ましい。

リソグラフィセルの実施例

図３は、しばしばリソセルまたはクラスタとも称される、リソグラフィセル３００を示す。リソグラフィ装置１００または１００’は、リソグラフィセル３００の一部を形成してもよい。リソグラフィセル３００は、基板上での露光前および露光後プロセスを実行する装置を含んでもよい。伝統的に、これらは、レジスト層を堆積させるスピンコータＳＣ、露光されたレジストを現像する現像装置ＤＥ，冷却プレートＣＨおよびベークプレートＢＫを含む。基板ハンドラまたはロボットＲＯは、基板を入力／出力ポートＩ／Ｏ１，Ｉ／Ｏ２から取り出し、異なるプロセス装置間で基板を移動させ、リソグラフィ装置のローディングベイＬＢに運ぶ。これらの装置は、しばしば集合的にトラックと称され、トラック制御ユニットＴＣＵの制御下にある。ＴＣＵ自体は、監視制御システムＳＣＳにより制御され、ＳＣＳはリソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置も制御する。したがって、スループットおよびプロセス効率を最大化させるように異なる装置を動作させることができる。

粒子抑制用システムの実施例

本開示の実施の形態は、図１Ａ、図１Ｂ、図２および／または図３の一以上の装置とともに用いることができる。例えば、本開示の実施の形態は、対象物ステージ（例えば、レチクルステージまたはマスクテーブルＭＴといったサポート構造、または基板テーブルＷＴ）に適用でき、それらは基板ＷやパターニングデバイスＭＡといった対象物を支持するよう構成される。図４は、レチクルステージ４００の一実施の形態の断面を模式的に示す。本開示のいくつかの実施の形態は、レチクルステージについて説明するが、本開示の実施の形態は、リソグラフィ装置（例えば、本開示に記載されるようなリソグラフィ装置１００および１００’）の他の適切な要素(例えば、基板テーブルＷＴ、ウェハステージ、ウェハハンドラ、レチクルハンドラ、または、粒子汚染の影響を受けやすい他の要素）、または、計測システム、チューブ、ガスフローダクトもしくはガスダクト／パイプのボックスといった他の粒子の影響を受けやすい装置に適用することができる。本開示の実施の形態は、望ましくない汚染粒子の数を低減するために任意の粒子の影響を受けやすい装置にも適用できる。

レチクルステージ４００は、パターニングデバイス４１２を支持および移動するよう構成される。レチクルステージ４００は、汚染粒子がパターニングデバイス４１２および／またはパターニングデバイス４１２の近傍領域に到達する可能性を低減するよう構成される一以上の粒子トラップおよび／または一以上の粒子バリアを有することができる。例えば、図４に示されるように、レチクルステージ４００は、互いに対して可動な第１構造４０２および第２構造４０４を含むことができる。いくつかの実施の形態において、第１構造４２０は静止しており、第２構造４０４は可動である。いくつかの実施の形態において、第１構造は可動であり、第２構造４０４は静止している。また、いくつかの実施の形態において、第１構造４０２および第２構造４０４の双方が必要に応じて可動であり、または、静止している。

第１構造４０２および第２構造４０４は、筐体４０１内に位置できる。いくつかの実施の形態において、図４に示されるように、第１構造４０２は、筐体４０１から分離している。いくつかの実施の形態（不図示）において、第１構造４０２は、筐体４０１の部分である。筐体４０１は、真空圧、つまり、大気圧未満の圧力で保持される容積を定義できる。いくつかの実施の形態において、筐体４０１は、放射が照明システムＩＬからパターニングデバイス４１２に向けて通過して投影システムＰＳに戻ることを可能にするよう構成される開口４６５を含む。筐体４０１内において、一以上の第１構造４０２および第２構造４０４は、少なくとも第１チャンバ４０３および第２チャンバ４０４を少なくとも部分的に定義できる。いくつかの実施の形態において、筐体４０１は、三以上の真空チャンバを含むことができる。いくつかの実施の形態において、ギャップ４１４は、第１チャンバ４０３と第２チャンバ４０５の間を延びる。いくつかの実施の形態において、ギャップ４１４は、第１構造４０２と第２構造４０４の間の連結により生成され、これは両者間での相対運動を可能にする。いくつかの実施の形態において、第１チャンバ４０３と第２チャンバ４０５の間の境界は、ギャップ４１４により定義される。

いくつかの実施の形態によれば、第１チャンバ４０３および第２チャンバ４０５は、真空圧、つまり、大気圧未満の圧力で保持されることができる。例えば、真空圧は、約０．１Ｐａから約８．５Ｐａまでの範囲となることができる。いくつかの実施の形態において、真空圧は、約０．５Ｐａから約８．５Ｐａまでの範囲となることができる。例えば、真空圧は、約１．５Ｐａから約８．５Ｐａまでの範囲となることができる。いくつかの実施の形態において、真空圧は、約２Ｐａから約５までの範囲となることができる。いくつかの実施の形態において、真空圧は、約２Ｐａから約３Ｐａまでの範囲となることができる。いくつかの実施の形態において、第２チャンバ４０５の圧力Ｐ_４０５は、第１チャンバ４０３の圧力Ｐ_４０３と同様になることができ、または、異なることができる。例えば、第２チャンバ４０５の圧力Ｐ_４０５は、第１チャンバ４０３の圧力Ｐ_４０３よりも大きい。例えば、第１チャンバ４０３の圧力Ｐ_４０３は、約０．２５Ｐａから約１Ｐａであることができ、第２チャンバ４０５の圧力Ｐ_４０５は、約２Ｐａから約３Ｐａであることができる。第２チャンバ４０５の圧力Ｐ_４０５が第１チャンバ４０３の圧力Ｐ_４０３よりも大きい場合、第２チャンバ４０５から第１チャンバ４０３に向けて、例えばギャップ４１４を通過してガスが自然と流れうる（例えば、パージガスフロー）。レチクルステージ４００は、以下に詳述される様々な粒子トラップおよび／または粒子バリアの構成を含むことができ、汚染粒子が第２チャンバ４０５内のパターニングデバイス４１２および／またはパターニングデバイス４１２の近傍領域に到達できる可能性を低減する。

いくつかの実施の形態において、パターニングデバイス４１２は、第２構造４０４が第２チャンバ４０５内でパターニングデバイス４１２を移動させることができるように第２構造４０４に取り付けられる。例えば、第２構造４０４は、パターニングデバイス４１２を支持および移動させるよう構成されるチャック（の全体または一部）であることができる。いくつかの実施の形態によれば、第２構造４０４は、パターニングデバイス４１２をスキャン方向（例えば、図４のＹ軸に平行な方向）およびスキャン方向に対して横切る方向（例えば、図４のＸ軸に平行な方向）に移動させることができる。いくつかの実施の形態において、第２構造４０４は、第１部分４０８と、第１部分４０８に対して可動な第２部分４１０とを含む。また、パターニングデバイス４１２は、いくつかの実施の形態において、第２部分４１０に取り付けられることができる。

いくつかの実施の形態において、第２部分４１０は、パターニングデバイス４１２を支持するレチクルステージ４００のショートストロークモジュール（精細位置決め）であることができる。第２部分４１０は、第２部分４１０が第１部分４０８に対して移動できるが、第１部分４０８によって駆動されるように第１部分４１０に連結されることができる。非限定的な例において、第２部分４１０は、第２部分４１０を移動させるように構成されるモータなどの一以上のアクチュエータ（不図示）によって第１部分４０８に連結される。いくつかの実施の形態において、第２部分４１０は、スキャン方向（例えば、図４のＹ軸に平行な方向）およびスキャン方向に対して横切る方向（例えば、図４のＸ軸に平行な方向）に移動できる。いくつかの実施の形態によれば、第１部分４０８は、第１構造４０２に対して移動するよう構成されるレチクルステージ４００のロングストロークモジュール（粗動位置決め）であることができる。いくつかの実施において、第１部分４０８は、スキャン方向（例えば、図４のＹ軸に平行な方向）、スキャン方向に対して横切る方向（例えば、図４のＸ軸に平行な方向）に移動でき、かつ、スキャン方向および横切る方向の双方に直交する軸（例えば、図４のＺ軸に平行な軸）まわりに回転できる。いくつかの実施の形態において、第２部分４１０は、第１構造４０２に対する第１部分４０８の移動範囲に比べて小さい移動範囲にわたって第１部分４０８に対して移動できる。ショートストロークモジュールおよびロングストロークモジュールは、部分４１０および４０８のそれぞれの例にすぎず、他の構造が部分４０８および４１０として用いられることができる。さらに、上述した部分４０８および４１０の動きは、例示的な動きであり、本開示の実施の形態は、他の方向および移動範囲を含むことができる。

非限定的な例として、第１部分４０８および第２部分４１０を含む第２構造４０４は、金属からなることができる。使用できる金属の一例は、アルミニウムである。しかしながら、他の金属も同様に使用できる。別の非限定的な例として、第２構造４０４はニッケル（Ｎｉ）で被覆されたアルミニウムからなることができ、第１構造４２０はステンレス鋼などの金属からなることができるが、これに限定されるものではない。第１部分４０８および第２部分４１０は、同じまたは異なる金属を含むことができる。いくつかの実施の形態において、第１構造４０２および第２構造４０４のそれぞれは、ステンレス鋼、ニッケルで被覆されたアルミニウム、または、任意の他の適切な金属などの金属からなる。いくつかの実施の形態において、第１構造４０２および第２構造４０４のそれぞれは、プラスチックまたは任意の他の適切な材料からなる。

第１構造４０２と第２構造４０４の間のギャップ４１４は、第１構造４０２および第２構造４０４の対向つまり離間する表面４１５および４１７により形成できる。いくつかの実施の形態において、第１チャンバ４０３、第１構造４０２および第２構造４０４は、汚染粒子源となりうる部分、例えば、ケーブル・ホースキャリア４１９を含みうる。これは、第１構造４０２またはリソグラフィ装置の他の構成要素に第２構造４０４を電気的および／または流体的に接続する電気配線、流体ホースおよび／またはガスホースを収容する。ケーブル・ホースキャリア４１９（しばしば、ケーブルスラブとも呼ばれる）は、ケーブルおよび／またはホースを収容および／または支持するための任意の適切な構成を有することができる。いくつかの実施の形態において、ケーブル・ホースキャリアは、機械的なヒンジを有しない非分割型、または、機械的なヒンジを有する分割型であることができる。例えば、パターニングデバイス４１２の位置決めのために第２構造４０４が移動すると、ケーブル・ホースキャリア４１９も同様に移動する。いくつかの実施の形態において、ケーブル・ホースキャリア４１９は、巻回（ロール）した輪（ループ）として設計できる。ケーブル・ホースキャリア４１９の動きは、第１チャンバ４０３から第２チャンバ４０５に向けてギャップ４１４を介して進みうる汚染粒子を発生させうる。したがって、いくつかの実施の形態において、ギャップ４１４は、ギャップ４１４を通過して第２チャンバ４０５に入り込む粒子の量を低減または遮断するシールとして機能するよう構成される。様々な粒子トラップおよび粒子バリアの構成は、以下に説明され、ギャップ４１４を通過して第２チャンバ４０５内のパターニングデバイス４１２に最終的に付着する可能性のある粒子の量をさらに低減する。いくつかの実施の形態において、ギャップ４１４は、第１構造４０２と第２構造４０４のシール部分４０６との間の連結により生成される。

繰り返しになるが、第１チャンバ４０３は、少なくとも部分的に、静止する第１構造４０２および可動である第２構造４０４によって定義される。図４に示されるように、静止する第１構造４０２は、一以上のケーブル・ホースキャリア４１９が通過する開口４２１を含むことができる。いくつかの例によれば、負の圧力差を生成するように構成される吸引ポンプ、真空ポンプなどのポンプ４６１Ａは、第１チャンバ４０３内および第２チャンバ４０５内で真空圧を生成するために、（例えば、第１構造４０２の上側部分にて）第１チャンバ４０３に動作可能に連結されることができる。ポンプにより生成される流れも、第１チャンバ４０３から粒子を引き寄せるかもしれない。いくつかの例において、ポンプ４６１Ａは、筐体４０１の外側に配置され、導管４６３を通じて第１チャンバ４０３に動作可能に連結されることができる。追加的または代替的に、ポンプ４６１Ａは、筐体４０１の内側に存在して第１チャンバ４０３に動作可能に連結されることができる。いくつかの例によれば、負の圧力差を生成するように構成される吸引ポンプ、真空ポンプなどのポンプ４６１Ｂは、例えば、第２チャンバ４０５内で真空圧を生成するために第２チャンバ４０５に動作可能に連結されることができる。

ポンプ４６１Ａは、開口４２１から離れた筐体４０１の側面に図示されているが、ポンプ４６１Ａは、いくつかの実施の形態において、開口４２１の近傍および／または粒子汚染源の近傍などの他の場所に配置されることができる。いくつかの実施の形態において、ポンプ４６１Ａが開口４２１の近傍および／または粒子汚染源の近傍に位置する場合、チャンバ４０５から離れるガスの流れの速度が最大化される。

いくつかの例において、ギャップ４１４は、約０．１ｍｍから約５ｍｍの高さ４２３（（ａ）第１構造４０２の表面４１５と（ｂ）静止する第１構造４０２と対向する第２構造４０４の表面４１７との間の距離）を有することができる。例えば、ギャップ４１４は、約１．５ｍｍから２．５ｍｍの高さ４２３を有することができる。しかしながら、これらは例示的な寸法であり、本開示の実施の形態がこれらの例に限定されないことに留意されたい。

いくつかの実施の形態において、ギャップ４１４は、第１構造４０２の表面４１５が第２構造４０４の表面４１７に隣り合う長さ４２５を有することができる。例えば、ギャップ４１４の長さ４２５は、約５０－３５０ｍｍであることができる。例えば、ギャップ４１４の長さ４２５は、約７０－３２０ｍｍであることができる。例えば、ギャップ４１４の長さ４２５は、約７５－３１５ｍｍであることができる。しかしながら、これらは例示的な寸法であり、本開示の実施の形態がこれらの例に限定されないことに留意されたい。ギャップ４１４を通って移動する汚染粒子は、表面４１５と表面４１７の間で跳ねる。この跳ねは、粒子のエネルギーおよび速度を失わせ、粒子が表面４１５および表面４１７のいずれかに付着することを可能にするか、もしくは、ギャップ４１４を通ってチャンバ４０３に向かう（例えば、チャンバ４０３とチャンバ４０５の圧力差に起因する）ガスがチャンバ４０３に粒子を押し戻すことを可能にする程度に粒子を遅くさせる。したがって、ギャップ４１４は、第１チャンバ４０３からの汚染粒子の量であって、第２チャンバ４０５内のパターニングデバイス４０２および／またはパターニングデバイス４０２の近傍領域に到達する汚染粒子の量を削減または低減するシールとして機能する。

いくつかの実施の形態において、長さ４２５（表面４１７の長さに対応することができる）と、第２構造４０４のスキャン方向（例えば、図４のＹ軸に沿う）の動作範囲との和は、表面４１５の長さよりも小さい。このようにして、ギャップ４１４により形成されるシールは、第２構造４０４のスキャン方向の通常動作中、維持される。

いくつかの例において、第２構造４０４の表面４１７は、第２構造４０４の外周から内側に（例えば第１チャンバ４０３に向けて）または外側に（例えば第１チャンバ４０３から離れて）突出することができる。

いくつかの実施の形態において、シールは、第１チャンバ４０３の外周のまわりで全体的または部分的に延在することができる。シールが有するスキャン方向（例えばＹ軸）に沿った長さとスキャン方向に対して横切る方向（例えばＸ軸）に沿った長さは、同様であることができ、または、異なることができる。非限定的な例において、シールのスキャン方向に対して横切る方向（例えばＸ軸）に沿った長さは、スキャン方向（例えばＹ軸）に沿った長さより大きくてもよい。

粒子抑制用のバリアおよびトラップの実施例

図５は、本開示の様々な実施の形態に係る一以上の粒子抑制バリアを有することができる装置５００を模式的に示す斜視分解図である。装置５００は、いくつかの実施の形態において、図４のレチクルステージ４００といったレチクルステージであることができる。したがって、レチクルステージ４００の特徴と同様の装置５００の特徴は、図４と同様の符号が付与されるが、頭文字が４の代わりに５である。しかしながら、図５の実施の形態は、望ましくない汚染粒子の数を低減するために、リソグラフィ装置（例えば、本開示に記載されるリソグラフィ装置１００および１００’）の他の適切な要素や、計測システム、チューブ、ガスフローダクトまたはガスダクト／パイプのボックスといった他の粒子の影響を受けやすい装置、および／または、任意の粒子の影響を受けやすい装置に適用できる。

図５に示されるように、装置５００は、静止する第１構造５０２と、可動である第２構造５０４とを含むことができる。繰り返しになるが、静止および可動の用語は、相互に交換可能であり、構造間の相対運動を説明するために用いるにすぎない。いくつかの実施の形態において、構造５０２が可動であることができ、構造５０４が静止することができる。もしくは、いくつかの実施の形態において、構造５０２および５０４の双方が必要に応じて可動であり、または、静止する。

可動構造５０４の表面５１７および対向表面５１５は、ゾーン５０４Ａおよびゾーン５０４Ｂをそれぞれ含むことができる。図５に示されるように、ゾーン５０４Ａは、第１構造５０２および第２構造５０４によって共同で定義される開口５２１のエッジ５１６Ａに沿ってスキャン方向（例えばＹ軸）に延びる。また、図５に示されるように、ゾーン５０４Ｂは、開口５２１のエッジ５１６Ｂに沿ってスキャン方向に対して横切る方向（例えばＸ軸）に延びる。ギャップ５１４は、静止する第１構造５０２と可動な第２構造５０４の間の連結により生成されることができ、両者間の相対運動を可能にする。

より詳細は後述されるが、一以上の粒子抑制バリア（例えば、箔またはバッフルバリア）は、ギャップ５１４の一以上のゾーン５０４Ａおよび５０４Ｂに配置できる。粒子抑制バリアは、第１チャンバ５０３を出発してギャップ５１４を通過し、第２チャンバ５０５に向かう可能性のある粒子の量を低減するように構成されることができる。いくつかの実施の形態において、これらの粒子抑制バリアは、ギャップ５１４の少なくとも一方向に沿う（例えば、スキャン方向（Ｙ軸）に沿う、または、スキャン方向に対して横切る方向（Ｘ軸）に沿う）視線を遮る。

箔バリアの実施例

いくつかの実施の形態において、装置は、第１構造と第２構造の間に形成されるギャップ内に配置され、汚染粒子のギャップ通過を抑制する箔バリアを含む。図６Ａ－６Ｄは、本開示の様々な実施の形態に係る粒子抑制用の箔バリアを有する装置６００の様々な構成を模式的に示す断面図である。装置６００は、いくつかの実施の形態において、図４および図５のレチクルステージ４００および５００のようなレチクルステージであることができる。したがって、レチクルステージ４００および５００の特徴と同様の装置６００の特徴には、図４および図５と同様の符号が付与されるが、頭文字が４または５の代わりに６である。しかしながら、図６Ａ－６Ｄの実施の形態は、望ましくない汚染粒子の数を低減するために、リソグラフィ装置（例えば、本開示に記載されるリソグラフィ装置１００および１００’）の他の適切な要素や、計測システム、チューブ、ガスフローダクトまたはガスダクト／パイプのボックスといった他の粒子の影響を受けやすい装置、および／または、任意の粒子の影響を受けやすい装置に適用できる。

側断面図である図６Ａに示されるように、装置６００は、静止する第１構造６０２および可動である第２構造６０４を含むことができる。繰り返しになるが、静止および可動の用語は、相互に交換可能であり、システムの異なる部分間の相対運動を説明するために用いるにすぎない。第１構造６０２が可動、かつ、第２構造６０４が静止であることが可能であり、もしくは、双方の構造が必要に応じて可動または静止であることができる。第１チャンバ６０３は、静止する第１構造６０２および可動である第２構造６０４によって少なくとも部分的に定義される。第２構造６０４を第１構造６０２またはリソグラフィ装置の他の構成要素に電気的および／または流体的に連結するケーブル・ホースキャリア６１９は、第１チャンバ６０３の内側に配置される。

図６Ａ－６Ｄの実施の形態は、第１チャンバ６０３を出発してギャップ６１４を通過する可能性のある粒子の量を低減または削減するよう構成される。例えば、いくつかの実施の形態によれば、装置６００は、第１構造６０２と第２構造６０４の間のギャップ６１４内に一以上のバリアを含んでもよい。バリアは、第１チャンバ６０３を出発してギャップ６１４を通過する可能性のある粒子を止める、または、粒子の量を低減するよう構成されることができる。図６Ａ－６Ｄに示されるようないくつかの実施の形態において、一以上のバリアのそれぞれは、ギャップ６１４内に配置され、静止する第１構造６０２と可動である第２構造６０４の間を延びる箔６３０であることができる。いくつかの実施の形態において、箔６３０は、第１チャンバ６０３から第２チャンバ６０５に向けてスキャン方向（例えばＹ軸）に沿う方向にギャップ６１４を通って移動するかもしれない任意の汚染粒子を止めることができる。いくつかの実施の形態において、箔６３０の第１端部６３１は、静止する第１構造６０２の表面６１５に固定的に連結され、箔６３０の第２端部６３３は、可動である第２構造６０４の表面６１７に固定的に連結される。いくつかの実施の形態において、箔６３０の端部６３１および６３３は、任意の接合技術（接着成分、レーザまたは超音波溶接、化学接合、締結部材（ボルトやねじなど）、クランプ、もしくはこれらの組み合わせなどであるが、これらに限られない）を用いて、第１構造６０２および第２構造６０４に連結されることができる。

また、いくつかの例において、箔６３０の中間部分６３２は、箔６３０の第１端部６３１および第２端部６３３よりも第１チャンバ６０３の近くに位置し、曲線状に巻回（ロール）する箔構造を形成する。このような箔６３０の巻回する箔構造は、第１チャンバ６０３を出発してギャップ６１４を通過する可能性のある粒子を止めることができる一方で、第１構造６０２と第２構造６０４の間の動き、例えば、図６Ａ－６ＤのＹ軸に沿った動きに干渉しない。

図６Ｂは、本開示の様々な実施の形態に係る装置６００の断面の上面視を示す。図６Ｂに示されるように、装置６００は、第１構造６０２（図６Ｂに不図示）の第１側６１８Ａにある単一の第１箔６３０Ａと、第１構造６０２（図６Ｂに不図示）の第２側６１８Ｂにある単一の第２箔６３０Ｂとを含むことができる。図６Ｂに示されるようないくつかの例において、箔６３０Ａおよび６３０Ｂは、シール部分６０６の寸法の実質的に全体に沿ってスキャン方向に対して横切る方向（例えばＸ軸に沿う方向）に延びる。例えば、箔６３０Ａおよび６３０Ｂは、ギャップ６１４において図５のゾーン５０４Ｂに対応する領域をカバーするように配置される。このようにして、ギャップ６１４内の視線（図６Ｂに不図示）は、スキャン方向（例えばＹ軸）に沿って遮られる。

図６Ｃは、本開示の様々な実施の形態に係る装置６００の断面の上面視を示す。図６Ｃに示されるように、装置６００は、第１構造６０２（図６Ｃに不図示）および第２構造６０４のそれぞれの側にある二以上の箔６３０を含むことができる。例えば、装置６００は、第１構造６０２（図６Ｃに不図示）および第２構造６０４の第１側６１８Ａにおいて可動な第２構造６０４のシール部分６０６に連結される三つの箔６３０Ａ，６３０Ｂおよび６３０Ｃを含むことができ、かつ、装置６００は、第１構造６０２（図６Ｃに不図示）および第２構造６０４の第２側６１８Ｂにおいて可動な第２構造６０４のシール部分６０６に連結される三つの箔６３０Ａ，６３０Ｂおよび６３０Ｃを含むことができる。

図６Ｃに示されるように、それぞれの側６１８Ａおよび６１８Ｂにある箔６３０Ａ、６３０Ｂおよび６３０Ｃは、スキャン方向に対して横切る方向（例えばＸ軸）に沿って一列に並んでいる。いくつかの実施の形態において、箔６３０Ａ、６３０Ｂおよび６３０Ｃは、隣の箔からギャップ６３５だけ離れている。ギャップ６３５によって離れた箔６３０Ａ、６３０Ｂおよび６３０Ｃは、表面６１７により定義される平面に直交する軸まわりに第２構造６０４を第１構造６０２（図６Ｃに不図示）に対して回転させることを可能にする（例えば、Ｚ軸まわりの回転）。ギャップ６３５によって離れた箔６３０Ａ、６３０Ｂおよび６３０Ｃは、静止する第１構造６０２と可動である第２構造６０４の間において、例えばスキャン方向に対して横切る方向（例えばＸ軸）に沿った動きを可能にする。Ｚ軸まわりの回転およびＸ軸に沿った並進などを可能にする一方で、箔６３０Ａ、６３０Ｂおよび６３０Ｃは、第１チャンバ６０３を出発してギャップ６１４を通過する可能性のある粒子を止める、または、粒子の量を低減することもできる。追加的に、箔６３０Ａ、６３０Ｂおよび６３０Ｃは、これらの巻回（ロール）する構成に起因して、静止する第１構造６０２と可動である第２構造６０４の間の例えばスキャン方向（Ｙ軸）に沿った動きにも干渉しないようにできる。図６Ｃに示されるようないくつかの例において、箔６３０Ａ、６３０Ｂおよび６３０Ｃは、図５のゾーン５０４Ｂに対応する領域を実質的にカバーするようにギャップ６１４内に配置される。このようにして、ギャップ６３５に一致する領域を除いて、ギャップ６１４内の視線（図６Ｃに不図示）は、スキャン方向（例えばＹ軸）に沿って遮られる。

図６Ｄは、本開示の様々な実施の形態に係る装置６００の断面の上面視を示す。図６Ｄに示されるように、装置６００は、第１構造６０２（図６Ｄに不図示）および第２構造６０４のそれぞれの側にある二以上の箔６３０を含むことができる。例えば、装置６００は、第１構造６０２（図６Ｄに不図示）および第２構造６０４の第１側６１８Ａにおいて可動である第２構造６０４のシール部分に連結される三つの箔６３０Ａ、６３０Ｂおよび６３０Ｃを含むことができ、かつ、装置６００は、第１構造６０２（図６Ｄに不図示）および第２構造６０４の第２側６１８Ｂにおいて可動である第２構造６０４のシール部分に連結される三つの箔６３０Ａ、６３０Ｂおよび６３０Ｃを含むことができる。

図６Ｄに示されるように、箔６３０Ａ、６３０Ｂおよび６３０Ｃは、それぞれの側６１８Ａおよび６１８Ｂにおいて、スキャン方向に対して横切る方向（例えばＸ軸）に沿って延びることができる。この例において、箔６３０Ａ－６３０Ｃは、箔６３０Ｂが箔６３０Ａおよび６３０Ｃに部分的に重なるように配置される。図６Ｄに示されるように箔６３０Ａ、６３０Ｂおよび６３０Ｃを部分的に重なるように位置決めすることは、表面６１７により定義される平面に直交する軸まわりに第２構造６０４を第１構造６０２（図６Ｃに不図示）に対して回転させることを可能にする（例えば、Ｚ軸まわりの回転）。図６Ｄに示されるように箔６３０Ａ、６３０Ｂおよび６３０Ｃを部分的に重なるように位置決めすることは、静止する第１構造６０２と可動である第２構造６０４の間において、例えばスキャン方向に対して横切る方向（例えばＸ軸）に沿った動きを可能にする。Ｚ軸まわりの回転およびＸ軸に沿った並進などを可能にする一方で、箔６３０Ａ、６３０Ｂおよび６３０Ｃは、第１チャンバ６０３を出発してギャップ６１４を通過する可能性のある粒子を止める、または、粒子の量を低減することもできる。追加的に、箔６３０Ａ、６３０Ｂおよび６３０Ｃは、これらの巻回（ロール）する構成に起因して、静止する第１構造６０２と可動である第２構造６０４の間の例えばスキャン方向（Ｙ軸）に沿った動きにも干渉しないようにできる。図６Ｄに示されるようないくつかの例において、箔６３０Ａ、６３０Ｂおよび６３０Ｃは、図５のゾーン５０４Ｂに対応する領域を実質的にカバーするようにギャップ６１４内に配置される。このようにして、ギャップ６１４内の視線（図６Ｄに不図示）は、スキャン方向（例えばＹ軸）に沿って遮られる。

図６Ｃおよび図６Ｄは、第１構造６０２（図６Ｃおよび図６Ｄに不図示）および第２構造６０４のそれぞれの側にある三つの箔６３０Ａ－６３０Ｃを示しているが、本開示の実施の形態は、任意の数の箔を含むことができる。

いくつかの例によれば、箔６３０は、金属からなることができる。非限定的な例として、箔６３０はアルミニウムであることができ、いくつかの実施の形態において、ニッケル（Ｎｉ）で被覆されたアルミニウムであることができる。用いることのできる金属の他の例は、錫、鉄、ステンレス鋼または任意の他の適切な金属である。別の非限定的な例として、箔６３０は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）で被覆された金属箔であることができる。

いくつかの例によれば、箔６３０は、ポリマーからなることができる。このポリマーは、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、カプトン、ＰＴＦＥまたは任意の他の適切なポリマーを含むことができる。

いくつかの例において、箔６３０の長さ（例えば、Ｙ軸に沿って平らに置いたとき（巻回していない構成）の端部６３１と端部６３３の間の距離）、箔６３０のスキャン方向に対して横切る方向（例えばＸ軸）に沿った幅、箔６３０の幅の厚さ、および、巻回した構成における中間部分６３２の曲線の半径は、異なるパラメータおよび設計上の要求に応じて変わることができる。一例において、巻回した構成における中間部分の曲線の曲げ半径は、約０．５ｍｍから約１．５ｍｍであることができる。例えば、箔６３０の中間部分６３２の曲線の曲げ半径は、約０．７５ｍｍから約１．２５ｍｍであることができる。例えば、箔６３０の中間部分６３２の曲線の曲げ半径は、約１ｍｍであることができる。一例において、箔６３０の厚さは、約５０μｍから約２００μｍであることができる。例えば、箔６３０の厚さは、約７５μｍから約１５０μｍであることができる。いくつかの例において、箔６３０のスキャン方向（例えばＹ軸）に沿った長さ（Ｙ軸に沿って平らに置いたとき（巻回していない構成）の端部６３１と端部６３３の間の距離）は、ギャップ５１４の長さ４２５（図４に図示）の約２倍であることができる。例えば、箔６３０の長さは、約１５０ｍｍから約６５０ｍｍであることができる。しかしながら、これらは例示的な寸法であり、本開示の実施の形態はこれらの例に限定されないことに留意されたい。

バッフルバリアの実施例

図７は、本開示の様々な実施の形態に係る間挿する突出バッフルでできた粒子抑制バリアを有する装置７００の部分斜視図である。装置７００は、いくつかの実施の形態において、図４、図５および図６のレチクルステージ４００、５００および６００といったレチクルステージであることができる。したがって、レチクルステージ４００、５００および６００の特徴と同様である図７の実施の形態の特徴は、図４、図５および図６と同様の符号が付与されるが、頭文字が４、５または６の代わりに７である。しかしながら、図７の実施の形態は、望ましくない汚染粒子の数を低減するために、リソグラフィ装置（例えば、本開示に記載されるリソグラフィ装置１００および１００’）の他の適切な要素や、計測システム、チューブ、ガスフローダクトまたはガスダクト／パイプのボックスといった他の粒子の影響を受けやすい装置、および／または、任意の粒子の影響を受けやすい装置に適用できる。

図７に示されるように、装置７００は、静止する第１構造７０２および可動である第２構造７０４を含むことができる。繰り返しになるが、静止および可動の用語は、相互に交換可能であり、これらの構造間の相対運動を説明するために用いるにすぎない。第１構造７０２が可動であることができ、かつ、第２構造７０４が静止であることができる。もしくは、双方の構造が必要に応じて可動または静止であることができる。

図７に示されるように、装置７００は、複数（つまり、二以上）の間挿する突出バッフルを含む粒子抑制バリアを含み、これは、第１構造７０２と第２構造７０４の間のギャップ７１４を通過して最終的にパターニングデバイスに付着することができる粒子の量を減らすことができる。いくつかの例によれば、一以上の突出バッフル７９９Ａは、静止する第１構造７０２の表面から延在する。同様に、一以上の突出バッフル７９９Ｂは、可動である第２構造７０４の表面７１７から延在する。バッフル７９９Ａは、バッフル７９９Ｂと間挿する。

いくつかの実施の形態において、バッフル７９９Ａおよび７９９Ｂは、図５に関して上述したゾーン５０４Ａに対応する領域内のギャップ７１４内に配置される。いくつかの例において、ゾーン５０４Ａに対応する領域の実質的に全体が間挿する突出バッフル７９９Ａおよび７９９Ｂを含む。追加的または代替的に、いくつかの例において、バッフル７９９Ａおよび７９９Ｂは、図５に関して上述したゾーン５０４Ｂに対応する領域内のギャップ７１４内に配置される。いくつかの例において、ゾーン５０４Ｂに対応する領域の実質的に全体が間挿する突出バッフル７９９Ａおよび７９９Ｂを含む。

いくつかの例によれば、互いに間挿するバッフル７９９Ａおよび７９９Ｂは、スキャン方向（例えばＹ軸）およびスキャン方向に対して横切る方向（例えばＸ軸）により定義される平面に直交する方向（例えばＺ軸）にそれぞれの表面７１５および７１７から延在する。また、図７に示されるように、互いに間挿するバッフル７９９Ａおよび７９９Ｂのそれぞれの主寸法７９８は、スキャン方向（例えばＹ軸）に沿って延在し、隣り合うバッフル７９９Ａおよび７９９Ｂと平行である。

いくつかの実施の形態において、間挿する突出バッフル７９９Ａおよび７９９Ｂは、装置７００の動作中、静止する第１構造７０２と可動である第２構造７０４の間のスキャン方向（例えばＹ軸）に沿った相対運動に干渉しないように設計される。例えば、隣り合うバッフル７９９Ａおよび７９９Ｂがスキャン方向に沿って平行な構成に起因して、第２構造７０４がスキャン方向に沿って移動するときに、バッフル７９９Ａおよびバッフル７９９Ｂは互いに接触しない。いくつかの実施の形態において、間挿する突出バッフル７９９Ａおよび７９９Ｂは、装置７００の動作中、静止する第１構造７０２と可動である第２構造７０４の間のスキャン方向に対して横切る方向（例えばＸ軸）に沿った相対運動に干渉しないように設計される。例えば、第２構造７０４がスキャン方向に対して横切る方向に移動するときに、バッフル７９９Ａおよびバッフル７９９Ｂは互いに接触しない。例えば、動作中、スキャン方向に対して横切る方向（例えばＸ軸）に沿った相対運動は、あるバッフル７９９Ａと隣のバッフル７９９Ｂの間の距離よりも典型的に小さい。しかしながら、スキャン方向に対して横切る方向（例えばＸ軸）に沿った静止構造および可動構造の互いに対する動きが隣り合うバッフル間の距離よりも大きい場合、隣り合うバッフルが接触してさらなる動きを妨げてしまうであろう。

いくつかの実施の形態によれば、間挿する突出バッフル７９９Ａおよび７９９Ｂは、スキャン方向に対して横切る方向（例えばＸ軸）に少なくとも沿ってギャップ７１４を通過できる粒子を止める、または、粒子の量を低減するためのバリアとして機能する。互いに間挿する構成に起因して、突出バッフル７９９Ａおよび７９９Ｂは、スキャン方向に対して横切る方向（例えばＸ軸）に沿ったギャップ７１４内の視線を遮る。粒子は、ギャップ４１４／５１４を通るクリアな視線に沿って、第１チャンバ４０３から第２チャンバ４０５に進むことができる。いくつかの例によれば、間挿する突出バッフル７９９Ａおよび７９９Ｂは、Ｙ軸に平行に走るため、ゾーン５０４Ａを通過する視線を完全に遮ることができ、かつ、ゾーン５０４Ｂを通過する視線のためにＹ軸にほぼ平行ではない視線を遮ることができる。視線の抑制は、ほぼＬ／Ｗに起因する。ここで、Ｗは、同じ表面から突出する隣り合う突出バッフルの距離（例えば、隣り合うバッフル７９９Ａの距離）であり、Ｌは、バッフル７９９Ａおよび７９９Ｂを有する対向面７１５および７１７のスキャン方向（例えばＹ軸）に沿った長さ７９８である。

いくつかの実施の形態によれば、間挿する突出バッフル７９９Ａおよび７９９Ｂは、スキャン方向（例えばＹ軸）に沿ってギャップ７１４を通過できる粒子を止める、または粒子の量を低減するためのバリアとしても機能できる。つまり、隣り合うバッフル７９９Ａおよび７９９Ｂがスキャン方向に沿って平行な構成に起因して、バッフル７９９Ａおよび７９９Ｂがスキャン方向（例えばＹ軸）に沿った視線を遮断しないにもかかわらず、間挿する突出バッフル７９９Ａおよび７９９Ｂは、スキャン方向（Ｙ軸）に沿ってギャップ７１４を通過できる汚染粒子の低減または停止をさらに助けることができる。汚染粒子がスキャン方向に沿ってギャップ７１４を通過するとき、間挿する突出バッフル７９９Ａおよび７９９Ｂは、粒子が跳ねる回数を増加させ、したがって、汚染粒子がパターニングデバイスを有するチャンバに到達する前にギャップ７１４内で止まる可能性を増加させる。

いくつかの実施の形態において、間挿する突出バッフル７９９Ａおよび７９９Ｂは、チャップ７１４を通過する粒子をさらに抑制するために、間挿する突出バッフルから延びる微細（マイクロ）バッフルまたはバンプ（図７に不図示）を有することができる。これらの微細バッフルは、ギャップ７１４を通過する汚染粒子の跳ねをさらにランダムにすることができ、ギャップ７１４を出てパターニングデバイスを含むチャンバに入る前に必要とされる跳ねる回数を増やすことができ、その結果、ギャップ７１４を出る前に粒子が止まる可能性を高めることができる。いくつかの実施の形態において、微細バッフルの高さ（つまり、突出バッフル７９９Ａおよび７９９Ｂの主表面から微細バッフルの最も離れた点までの距離）は、ギャップ７１４内にあることが予測される汚染粒子の最大直径よりも大きいが、ギャップ７１４のギャップ高さＨよりも小さい。例えば、微細バッフルの高さは、約５０μｍであることができる。

図９は、静止する第１構造９０２または可動である第２構造９０４に用いることができる微細バッフルの実施例を開示する。いくつかの例において、微細バッフル構造９８２は、図５に関して上述したゾーン５０４Ａに対応する領域内のギャップ９１４内に配置される。例えば、ゾーン５０４Ａに対応する領域の一部または実質的に全体が微細バッフル構造９８２を含むことができる。追加的または代替的に、微細バッフル構造９８２は、図５に関して上述したゾーン５０４Ｂに対応する領域内のギャップ９１４内に配置される。例えば、ゾーン５０４Ｂに対応する領域の一部または実質的に全体が微細バッフル構造９８２を含むことができる。例えば、微細バッフル構造９８２は、第１構造９０２または第２構造９０４から例えばＺ軸に沿った方向に延びることができる。いくつかの例によれば、各微細バッフル構造９８２のサイズは、第１構造９０２と第２構造９０４の間のギャップ９１４の通過が予測される最大粒子サイズよりも大きくできる。いくつかの例によれば、微細バッフル構造９８２の各突起のサイズは、第１構造と第２構造の間のギャップ高さよりも小さくできる。例えば、各微細バッフル構造９８２のサイズは、約１μｍから約６０μｍにできる。例えば、各微細バッフル構造９８２のサイズは、約１μｍから約１０μｍにできる。例えば、各微細バッフル構造９８２のサイズは、約１０μｍから約２０μｍにできる。例えば、各微細バッフル構造９８２のサイズは、約２０μｍから約４０μｍにできる。例えば、各微細バッフル構造９８２のサイズは、約４０μｍから約６０μｍにできる。しかしながら、他の寸法を用いることができる。微細バッフル構造９８２の数、サイズ、形状、構成および分布は、異なるパラメータおよび設計上の要求に基づいて変わることができる。微細バッフル構造９８２は、異なる地形（トポグラフィ）を有することができる。いくつかの例によれば、微細バッフル構造９８２は、周期的ではなく、かつ、平行な尾根ではない。追加的または代替的に、微細バッフル構造９８２は、表面内のディンプル（くぼみ）であることができる。

上述したように、微細バッフル構造９８２は、第１構造９０２または第２構造９０４に用いることができる。追加的または代替的に、微細バッフル構造９８２は、いくつかの実施の形態におけるバッフル７９９Ａまたは７９９Ｂに配置できる。例えば、各バッフル７９９Ａまたは７９９Ｂは、バッフル７９９Ａまたは７９９Ｂの一以上の表面上に配置される複数の微細バッフル構造９８２を含むことができる。例えば、微細バッフル構造９８２は、各バッフル７９９Ａまたは７９９Ｂから延在できる。追加的または代替的に、微細バッフル構造９８２は、バッフル７９９Ａまたは７９９Ｂの間の表面上に配置できる。例えば、図７に関して、微細バッフル構造９８２は、バッフル７９９Ｂの間の第２構造７０４の表面７１７上に配置できる。追加的または代替的に、微細バッフル構造９８２は、バッフル７９９Ａの間の第１構造７０２の表面７１５上に配置できる。

複数の微細バッフル構造９８２の機能例は、図９を参照しながら以下に説明される。ギャップ９１４を通過する汚染粒子は、微細バッフル構造９８２に衝突するであろう。例えば図９に示されるように、微細バッフル構造９８２は、粒子が微細バッフル構造９８２に複数回衝突することとなるように、汚染粒子の進行方向９８１を複数回変化させることができる。いくつかの実施の形態において、微細バッフル構造９８２は、急峻なバンプを含むことができる。各衝突によって、粒子は運動エネルギーを失う。また、十分に低い速度または運動エネルギーとなることによって、粒子はファンデルワールス相互作用に起因して微細バッフル構造９８２の表面に付着するであろう。ある実施の形態において、微細バッフル構造９８２は、汚染粒子と微細バッフル構造９８２の表面の間のファンデルワールス力を高めるために高ハマーカ定数を有する材料からなることができ、汚染粒子が微細バッフル構造９８２の表面に付着する確率をより高くできる。微細バッフル構造９８２と粒子の衝突は、汚染粒子の運動エネルギーを顕著に減少させ、粒子が微細バッフル構造９８２に捕捉されうるようにする。追加的または代替的に、図９の微細バッフル構造９８２は、いくつかの例において、微細バッフル構造９８２に入射する汚染粒子の速度ベクトルと、構造９８２で反射した汚染粒子の速度ベクトルとの間の相関を最小化できる。別の言い方をすれば、図９の微細バッフル構造９８２は、いくつかの例において、微細バッフル構造９８２で汚染粒子が反射した後の汚染粒子の速度ベクトルをランダムにすることができる。追加的または代替的に、微細バッフル構造９８２は、平行な溝を持つ溝付きの表面を含むことができる。

図９の微細バッフル構造９８２は、静止する第１構造４０２の表面および可動である第２構造４０４の表面といった他の表面上に設けることもできる。

図７に示されるように、バッフル７９９Ａおよび７９９Ｂの（Ｘ軸およびＺ軸に直交する平面に沿った）断面形状は、いくつかの実施の形態において矩形であることができる。

間挿する突出バッフル７９９Ａおよび７９９Ｂの数、サイズ、形状、構成および分布は、異なるパラメータおよび設計上の要求に応じて変わることができる。追加の非限定的な例が図８および図１０Ａ－１０Ｄに与えられる。例えば、突出バッフル７９９Ａおよび７９９Ｂは、任意の適当な断面形状、例えば、矩形、三角形、菱形、または、任意の他の適切な断面形状を有してもよい。これらの構成の例は、図８および図１０Ａ－１０Ｄに示される。

例えば、図８は、（Ｘ軸およびＺ軸に直交する平面に沿って）三角形の断面を持つ間挿する突出バッフルおよび複数の微細バッフル構造８８２を有する装置８００の部分斜視図を示す。装置８００は、いくつかの実施の形態において、図４、図５、図６および図７のレチクルステージ４００、５００、６００および７００といったレチクルステージであることができる。したがって、レチクルステージ４００、５００、６００および７００の特徴と同様である図８の実施の形態の特徴は、図４、図５、図６および図７と同様の符号が付与されるが、頭文字が４、５、６または７の代わりに８である。

図１０Ａ－１０Ｄは、本開示の様々な実施の形態に係る間挿する突出バッフルの実施例の断面を模式的に示す。レチクルステージ４００、５００、６００、７００および８００の特徴と同様である図１０の実施の形態の特徴には、図４、図５、図６、図７および図８と同様の符号が付与されるが、頭文字が４、５、６、７または８の代わりに１０である。

図１０Ａは、静止する第１構造１００２の表面１０１５上に設けられる突出バッフル１０９９Ａと、可動構造１００４の表面１０１７上に設けられる突出バッフル１０９９Ｂとを示す。図１０Ａに示されるように、バッフル１０９９Ａおよびバッフル１０９９Ｂは、間挿している。いくつかの例によれば、間挿する突出バッフル１０９９Ａおよび１０９９Ｂは、図示されるような三角形の断面を有してもよく、突出バッフル１０９９Ａおよび１０９９Ｂのそれぞれがバッフル高さ（図１０Ａのｈ－ｇ）および幅ｔを持つ。隣り合う突出バッフル１０９９Ａおよび１０９９Ｂの幅ｔは、高さ（ｈ－ｇ）と等しくてもよいし、異なってもよい。いくつかの実施の形態において、突出バッフル１０９９Ａおよび／または突出バッフル１０９９Ｂは、各表面１０１５および１０１７上において等間隔ではない。別の実施の形態において、突出バッフル１０９９Ａおよび／または突出バッフル１０９９Ｂは、各表面１０１５および１０１７上において等間隔である。バッフル高さ（これは、表面１０１５と表面１０１７の間の距離ｈから、各バッフル１０９９Ａおよび１０９９Ｂの上面１０７０と対向する表面（例えば表面１０１５または１０１７のいずれか）との間の距離ｇを引いたものと等しくなることができる）、バッフル幅ｔ、および、隣り合う突出バッフル１０９９Ａおよび１０９９Ｂの間の距離ｐは、ターゲットとする汚染粒子の特性に基づいて構成されてもよい。例えば、突出バッフル１０９９Ａおよび１０９９Ｂの構成は、汚染粒子の予想される速度、入射角、寸法、材料または重さに基づいて具体的に構成されることができる。

いくつかの例によれば、距離ｐは、第１構造１００２と構造１００４の例えばＸ軸に沿った相対運動および第１構造１００２と第２運動１００４のＺ軸まわりの相対回転に基づいて設計できる。

バッフルバリアの別の例は、図１０Ｂに示される。

図１０Ｃは、静止する第１構造１００２の表面１０１５上に設けられる突出バッフル１０９９Ａと、可動である第２構造１００４の表面１０１７上に設けられる間挿する突出バッフル１０９９Ｂの別の例を示す。いくつかの例によれば、間挿する突出バッフル１０９９Ａおよび１０９９Ｂは、図１０Ｃに示されるような台形の断面形状を有する。

いくつかの実施の形態によれば、突出バッフル１０９９Ａおよび１０９９Ｂの構成は、汚染粒子の予想される速度、入射角、寸法、材料または重さに基づいて具体的に構成されることができる。いくつかの例によれば、距離ｐ（二つの隣り合うバッフル１０９９Ａおよび１０９９Ｂの隣り合う壁の距離）は、第１構造１００２と構造１００４の例えばＸ軸に沿った相対運動および第１構造１００２と第２運動１００４のＺ軸まわりの相対回転に基づいて設計できる。

図１０Ｄは、間挿する突出バッフルの別の例を示す。図１０Ｄに示されるように、バッフル１０９９Ａは、静止する第１構造１００２の表面１０１５上に設けられ、バッフル１０９９Ｂは、可動である第２構造１００４の表面１０１７上に設けられる。いくつかの例によれば、間挿する突出バッフル１０９９Ａおよび１０９９Ｂは、三角形の断面形状を有してもよい。例えば、バッフル１０９９Ａおよび１０９９Ｂの各バッフルは、各表面１０１５または１０１７に対して角度θ_１で傾斜する第１表面１０７６と、各表面１０１５または１０１７に対して角度θ_２で傾斜する第１表面１０７７とを有することができる。いくつかの実施の形態において、角度θ_１およびθ_２は等しい。いくつかの実施の形態において、いくつかの実施の形態によれば、角度θ_１およびθ_２は等しくない。

いくつかの実施の形態によれば、図１０Ａ－１０Ｄに示されるように、バッフル１０９９Ａは、側壁面１０７６および１０７７を含み、バッフル１０９９Ｂは、側壁面１０７６および１０７７を含む。いくつかの例によれば、バッフル１０９９Ａの側壁面１０７６は、バッフル１０９９Ｂの隣り合う側壁面１０７６と平行である。いくつかの例によれば、バッフル１０９９Ａの側壁面１０７７は、バッフル１０９９Ｂの隣り合う側壁面１０７７と平行である。

いくつかの実施の形態において、バッフル１０９９Ａおよび１０９９Ｂは、図５に関して上述したゾーン５０４Ａに対応する領域内に配置される。いくつかの例において、ゾーン５０４Ａに対応する領域の実質的に全体が間挿する突出バッフル１０９９Ａおよび１０９９Ｂを含む。追加的または代替的に、いくつかの例において、バッフル１０９９Ａおよび１０９９Ｂは、図５に関して上述したゾーン５０４Ｂに対応する領域内に配置される。いくつかの例において、ゾーン５０４Ｂに対応する領域の実質的に全体が間挿する突出バッフル１０９９Ａおよび１０９９Ｂを含む。

図１０Ａ－１０Ｄは、間挿する突出バッフルの例として提供される。しかしながら、本開示の実施の形態は、これらの例に限られない、一つの例として、間挿する突出バッフルは、正弦波の断面形状を有することができる。追加的または代替的に、間挿する突出バッフルは、図１２Ａ－１２Ｈにおいて説明されるバッフルと同様に設計されることができ、および／または、図１２Ａ－１２Ｈにおいて説明されるバッフルを含むことができる。

図７－９および図１０Ａ－１０Ｄの間挿する突出バッフルは、粒子の動きの速度および方向に基づいて設計されることができる。例えば、粒子がＸ軸（例えば図１０Ａ－１０Ｄに示される）の方向に大きな速度を有する場合、間挿する突出バッフルは、同じ方向により垂直な構造を有するように設計される。別の例において、粒子がＺ軸（例えば図１０Ａ－１０Ｄに示される）の方向に大きな速度を有する場合、間挿する突出バッフルは、あまり垂直ではない構造を有するように設計され、ギャップｈ（例えば図１０Ａおよび１０Ｃに示される）は小さくなるだろう。

いくつかの例によれば、間挿する突出バッフルは、装置７００および８００の一体的な構成要素であってもよい。間挿する突出バッフルは、いくつかの実施の形態において、必要に応じて第１構造および第２構造上に取り付けるできる着脱可能な構成要素であってもよい。着脱可能な間挿する突出バッフルは、いくつかの実施の形態において、使い捨てであることもできる。

本開示において例示的なデザインが示されたが、本開示の実施の形態はこれらの例に限られない。例えば、本開示の実施の形態は、説明されたデザインの実施例の任意の組み合わせを含んでもよい。

粒子抑制用トラップの実施例

図１１Ａおよび図１１Ｂは、本開示の様々な実施の形態に係る粒子抑制用の一以上のトラップを有する装置１１００および１１００’の様々な構成の断面を模式的に示す。装置１１００および１１００’は、いくつかの実施の形態において、図４、図５、図６Ａ－６Ｄのレチクルステージ４００、５００および６００といったレチクルステージであることができる。したがって、レチクルステージ４００、５００および６００の特徴と同様である装置１１００および１１００’の特徴は、図４、図５および図６と同様の符号が付与されるが、頭文字が４、５または６の代わりに１１である。しかしながら、図１１Ａおよび１１Ｂの実施の形態は、望ましくない汚染粒子の数を低減するために、リソグラフィ装置（例えば、本開示に記載されるリソグラフィ装置１００および１００’）の他の適切な要素や、計測システム、チューブ、ガスフローダクトまたはガスダクト／パイプのボックスといった他の粒子の影響を受けやすい装置、および／または、任意の粒子の影響を受けやすい装置に適用できる。

図１１Ａおよび１１Ｂに示されるように、装置１１００および１１００’は、静止する第１構造１１０２および可動である第２構造１１０４を含むことができる。繰り返しになるが、静止および可動の用語は、相互に交換可能であり、これらの構造間の相対運動を説明するために用いるにすぎない。例えば、静止する第１構造１１０２が可動であることができ、かつ、可動である第２構造１１０４が静止であることができる。もしくは、双方の構造が必要に応じて可動または静止であることができる。

図１１Ａおよび図１１Ｂに描かれるように、第１チャンバ１１０３は、静止する第１構造１１０２および可動である第２構造１１０４によって少なくとも部分的に定義される。装置１１００および１１００’は、第１チャンバ１１０３を出発して第１構造１１０２と第２構造１１０４の間のギャップ１１１４を通過できる粒子の量を止めるまたは低減するための第１チャンバ１１０３内の一以上のトラップを含むことができる。

図１１Ａに示されるように、一以上の粒子トラップ１１９０は、様々な速度、入射角または他の粒子特性を持つ汚染粒子を捕捉するために第１チャンバ１１０３内に配置されることができる。例えば、一以上の粒子トラップ１１９０は、いくつかの実施の形態に係る第１チャンバ１１０３を少なくとも部分的に定義する可動である第２構造１１０４の一以上の表面上に配置されることができる。例えば、図１１Ａに示されるように、一以上の粒子トラップ１１９０は、第１チャンバ１１０３の底部を定義する可動な第２構造１１０４の表面１１５９上に配置されることができ、かつ、一以上の粒子トラップ１１９０は、第１チャンバ６０３の側部を定義する可動な第２構造１１０４の表面１１６１上に配置されることができる。いくつかの実施の形態において、可動な第２構造１１０４の表面１１６１上に配置される一以上の粒子トラップ１１９０は、表面１１６１を部分的に、または、実質的に全体をカバーできる。いくつかの実施の形態において、可動な第２構造１１０４の表面１１５９上に配置される一以上の粒子トラップ１１９０は、表面１１６１を部分的に、または、実質的に全体をカバーできる。

いくつかの実施の形態において、一以上の粒子トラップ１１９０は、第１チャンバ１１０３内の静止する第１構造１１０２の一以上の表面上に配置されてもよい。例えば、図１１Ａに示されるように、粒子トラップ１１９０は、第１チャンバ１１０３を少なくとも部分的に定義する静止する第１構造１１０２の表面１１１５上に配置されることができる。表面１１１５は、いくつかの実施の形態において、可動な第２構造１１０４と対向する。別の例として、図１１Ａに示されるように、粒子トラップ１１９０は、静止する第１構造１１０２の表面１１２０上に配置されることができる。いくつかの実施の形態において、静止する第１構造１１０２の表面１１１５および１１２０上に配置される一以上の粒子トラップ１１９０は、表面１１１５および１１２０を部分的に、または、実質的に全体をカバーできる。粒子トラップ１１９０は、第１チャンバ１１０３（および図４の第１チャンバ４０３）内にある静止する第１構造１１０２および可動である第２構造１１０４の表面上に配置されることができる。

粒子トラップ１１９０は、様々な実施の形態によれば、第１チャンバ１１０３内にある静止する第１構造１１０２および可動である第２構造１１０４の双方の他の表面に配置されることもできる。いくつかの実施の形態において、図１１Ｂに描かれるように、粒子トラップ１１９０は、内側に（例えば第１チャンバ１１０３の中心に向かって）突出する第２構造１１０４の表面１１５７上および第２構造１１０４の対向面１１５９上に配置されることができる。粒子トラップ１１９０は、第１チャンバ１１０３内にある静止する第１構造１１０２または可動である第２構造１１０４の任意の構造の表面上に配置されることもできる。

いくつかの例によれば、装置１１００および１１００’の製造中において、装置１１００および１１００’の様々な部分の表面が粒子トラップ１１９０の機械的構造を形成してもよく、したがって、粒子トラップ１１９０が装置１１００および１１００’の一体的な構成要素となってもよい。粒子トラップ１１９０は、いくつかの実施の形態によれば、必要に応じて静止する第１構造１１０２または可動である第２構造１１０４上に取り付けできる着脱可能な構成要素であってもよい。着脱可能な粒子トラップ１１９０は、いくつかの実施の形態において、使い捨てであることもできる。いくつかの実施の形態において、粒子トラップ１１９０の検査に際して、例えば、周期的なメンテナンス中、および／または、ある期限の満了に際して、粒子トラップ１１９０を取り除くことができ、かつ、新しい着脱可能な粒子トラップを静止する第１構造１１０２および／または可動である第２構造１１０４の一以上の表面に取り付けることができる。

単純化のため、粒子トラップ１１９０の構造的な詳細の実施例は図１１Ａおよび図１１Ｂに示されないが、以下に説明する図１２Ａ－１２Ｅに示される。

図１２Ａ－１２Ｌは、本開示の様々な実施の形態に係る粒子トラップ１２９０を模式的に示す。粒子トラップ１２９０は、いくつかの実施の形態において、図１１Ａおよび図１１Ｂの粒子トラップ１１９０であることができる。しかしながら、図１２Ａ－１２Ｌの実施の形態は、望ましくない汚染粒子の数を低減するために、リソグラフィ装置（例えば、本開示に記載されるリソグラフィ装置１００および１００’）の他の適切な要素や、計測システム、チューブ、ガスフローダクトまたはガスダクト／パイプのボックスといった他の粒子の影響を受けやすい装置、および／または、任意の粒子の影響を受けやすい装置に適用できる。

例えば、図１２Ａは、本開示のある実施の形態に係る粒子トラップ１２９０の断面を模式的に示す。粒子トラップ１２９０は、複数の突出バッフル１２９２を備える。突出バッフル１２９２は、図１１Ａおよび図１１Ｂの第１チャンバ１１０２内の汚染粒子を抑制するよう構成され、図１１Ａおよび図１１Ｂのギャップ１１１４にそれらが到達するのを妨げる。突出バッフル１２９２は、略矩形、三角形、略三角形、菱形または略菱形などの任意の適切な断面形状を有してもよく、これらの構造のさらなる例は、図１２Ｂ－１２Ｈに示される。

図１２Ａに示されるように、突出バッフル１２９２は、矩形の断面形状を有してもよく、各突出バッフル１２９２が高さＨおよび幅Ｗを有し、隣のバッフルから距離Ｐで離間してもよい。突出バッフル１２９２の幅Ｗは、高さＨと等しくてもよいし、異なってもよい。いくつかの実施の形態において（図１２Ａに不図示）、バッフルは、変化する距離Ｐで離間する（つまり、突出バッフル１２９２が等間隔で離間しない）。別の実施の形態において、突出バッフル１２９２は、等間隔である（つまり、距離Ｐが一定である）。例えば、隣り合う突出バッフルの対向する側壁間の距離Ｐは、約５００μｍである。突出バッフル１２９２の高さＨ、幅Ｗおよび距離Ｐは、ターゲットとする汚染粒子の特性に基づいて構成されてもよい。例えば、突出バッフル１２９２の構成は、汚染粒子の速度、入射角、寸法、材料または重さに基づいて変化してもよい。いくつかの例によれば、突出バッフル１２９２の幅Ｗは、約１μｍから約２０ｍｍであることができる。例えば、突出バッフル１２９２の幅Ｗは、約１μｍから約１ｍｍであることができる。例えば、突出バッフル１２９２の幅Ｗは、約１ｍｍから約２０ｍｍであることができる。例えば、突出バッフル１２９２の幅Ｗは、約１ｍｍから約５ｍｍであることができる。例えば、幅Ｗは、約１．５ｍｍから約４．５ｍｍであることができる。例えば、幅Ｗは、約１．５ｍｍから約２．５ｍｍであることができる。別の例として、幅Ｗは、約３．５ｍｍから約４．５ｍｍであることができる。いくつかの例によれば、図１２Ａの突出バッフル１２９２の高さＨは、約１μｍから約２０ｍｍであることができる。例えば、図１２Ａの突出バッフル１２９２の高さＨは、約１μｍから約１ｍｍであることができる。例えば、図１２Ａの突出バッフル１２９２の高さＨは、約１ｍｍから約２０ｍｍであることができる。例えば、図１２Ａの突出バッフル１２９２の高さＨは、約１ｍｍから約６ｍｍであることができる。本開示のある実施の形態は、広範囲のサイズ、材料、移動速度および入射角の粒子が図４のパターニングデバイス４１２に到達する可能性を低減することが期待される。

粒子トラップ１２９０の動作の実施例は、図１１Ａ、図１１Ｂおよび図１２Ａを参照しながら以下に説明される。第１チャンバ１１０３内の汚染粒子は、粒子トラップ１２９０の複数のバッフル１２９２に複数回衝突するであろう。各衝突において、粒子は運動エネルギーを失うとともに速度を失い、十分に低い速度および運動エネルギーとなると、ファンデルワールス相互作用に起因して粒子トラップ１２９０の表面に粒子がくっつくであろう。ギャップ１１１４に入るのに十分となる残りのエネルギーを粒子が有していたとしても、粒子の速度は少なくとも低減されているであろうから、チャンバ１１０５からチャンバ１１０３に入り込むパージガスの流れによって粒子がより制御されやすくなる。また、粒子の速度方向は、粒子トラップ１２９０のバッフル１２９２との衝突に起因して、チャンバ１１０３に戻るようにも変化しうる。ある実施の形態において、突出バッフル１２９２は、汚染粒子と粒子トラップ１２９０の間のファンデルワールス力を高めるために高ハマーカ定数を有する材料からなることができ、これにより汚染粒子がトラップ１２９０の表面にくっつく可能性が高められる。追加的に、粒子トラップ１２９０の複数のバッフルは、表面積を増やすことができ、これにより、汚染粒子が粒子トラップ１２９０により捕まる可能性が高められる。

図１２Ｂおよび図１２Ｅ－１２Ｈに示されるように、突出バッフル１２９２は、ある実施の形態によれば、三角形の断面領域を有してもよく、各突出バッフル１２９２が高さＨおよび幅Ｗを有してもよい。説明のため、各突出バッフル１２９２は、それぞれが三角形の断面領域の最高点および最低点となるピーク１２７８およびトラフ（谷）１２７９を有する。突出バッフル１２９２は、図１２Ｃに示されるような三角形に近い断面領域を有してもよく、例えばパターニングデバイス４１２を収容する第２チャンバ４０５からの粒子を所望の進行方向に反射させるよう構成されてもよい。または、例えば、突出バッフル１２９２は、図１２Ｄに示されるような台形の断面を有することができる。

図１２Ｂに戻り、突出バッフル１２９２は、高さＨおよび幅Ｗを有してもよい。いくつかの例によれば、突出バッフル１２９２の幅Ｗは、約１ｍｍから５ｍｍであることができる。例えば、幅Ｗは、約１．５ｍｍから約４．５ｍｍであることができる。例えば、幅Ｗは、約２ｍｍであることができる。別の例として、幅Ｗは、約４ｍｍであることができる。いくつかの例によれば、図１２Ｂの突出バッフル１２９２の高さＨは、約１ｍｍから約６ｍｍであることができる。例えば、高さＨは、約２ｍｍから約５ｍｍであることができる。例えば、高さＨは、約２．４ｍｍから約４．５ｍｍであることができる。これらの寸法は、例示として与えられ、他の寸法を用いることができる。

バッフル１２９２は、バッフル１２９２の隣接するトラフ（谷）の間の仮想線と突出面とにより定義される角度θ_１およびθ_２を有することもできる。一例において、図１２Ｂに示されるように、角度θ_１およびθ_２は等しい。別の例において、図１２Ｅ－１２Ｈに示されるように、角度θ_１およびθ_２は等しくない。例えば、図１２Ｅにおいて、角度θ_１は約９０°である一方、角度θ_２は約９０°より小さくてもよい。例えば、図１２Ｆにおいて、角度θ_２は約９０°である一方、角度θ_１は約９０°より小さくてもよい。例えば、図１２Ｇおよび図１２Ｈにおいて、角度θ_１およびθ_２は、等しくない鋭角である。

いくつかの実施の形態において、角度θ_１およびθ_２は、突出バッフル１２９２のうちで変化することができる。例えば、図１２Ｇに示されるように、第１突出バッフル１２９２における角度θ_１またはθ_２は、隣の第２突出バッフル１２９２’における対応する角度θ_１’またはθ_２’とは異なることができる。

図１２Ｈにおいて、角度θ_１およびθ_２は異なる角度であるが、突出バッフル１２９２のそれぞれは実質的に同一である。いくつかの例によれば、図１２Ｈの突出バッフル１２９２の角度θ_１は、約６０度であることができ、図１２Ｈの突出バッフル１２９２の角度θ_２は、約３０度であることができる。この例において、図１２Ｈの突出バッフル１２９２の幅Ｗは、約１．５ｍｍから約４．５ｍｍであることができる。例えば、図１２Ｈの突出バッフル１２９２の幅Ｗは、約２ｍｍであることができる。別の例として、図１２Ｈの突出バッフル１２９２の幅Ｗは、約４ｍｍであることができる。しかしながら、これらは例示的な値であり、角度θ_１およびθ_２は他の値を取ることができる。

いくつかの実施の形態によれば、ピッチ（例えば、隣り合うバッフルのピーク１２７８間の距離）は、固定されることができる。追加的または代替的に、ピッチが可変であることができる。例えば、図１２Ｇの粒子トラップ１２９０は、隣り合うバッフルのピーク１２７８の間の距離ｄ_１、ｄ_２およびｄ_３が異なる例を示す。別の例として、図１２Ｈの粒子トラップ１２９０は、ピッチｄがバッフル間で実質的に同様である例を示す。

図１２Ｉおよび図１２Ｊは、粒子トラップ１２９０の様々な実施の形態を模式的に示す平面図である。図１２Ｉは、図１２Ｂに記載される粒子トラップ１２９０の平面視であってもよい。図１２Ｉに示されるように、突出バッフル１２９２の列は、互いに平行であり、隣り合うピークまたはトラフ（谷）の間隔が等しい。代替的に、突出バッフル１２９２の各列が特定の形状を形成するように構成されてもよい。図１２Ｊに示されるように、各列がＶ形状となるように形成され、突出バッフル１２９２の列が互いに平行である一方、隣り合うピークまたはトラフ（谷）の間隔が異なってもよい。例示的な構成が与えられるが、粒子トラップ１２９０（およびその平面視）は、斜めの構成や多面的な構成といった任意の他の構成を含むことができるが、これらに限られるものではない。

図１２Ｋは、様々な実施の形態に係る別の粒子トラップ１２９０を模式的に示す。図１２Ｋの粒子トラップ１２９０は、微細（マイクロ）構造（例えば微細バッフル）１２９７を含む微細構造テープ１２９５であることができる。微細構造１２９７は、図１２Ａ－１２Ｈにおいて説明したようなデザインおよび構成といった他のデザインおよび構成を含むことができるが、これらに限られるものではない。例えば、微細構造１２９７は、略矩形、三角形、略三角形、菱形または略菱形などの任意の適切な断面形状を有することができる。例えば、微細構造１２９７は、円錐形状、球形状、ピラミッド（角錐）形状、または、任意の他の適切な形状を有することができる。追加的または代替的に、微細構造テープ１２９５は、ポリマーからなることができる。追加的または代替的に、微細構造テープ９５は、シリコーン樹脂からなることができる。いくつかの例において、微細構造テープ１２９５は、微細構造テープ１２９５が真空に適合可能となるようにニッケル（Ｎｉ）で被覆されることができる。いくつかの例において、微細構造テープ１２９５は、Ｇｏｔｔｌｉｅｂ Ｂｉｎｄｅｒ ＧｍｂＨにより製造されるＧｅｃｋｏ（登録商標）Ｎａｎｏｐｌａｓｔ（登録商標）を含むことができる。しかしながら、図１２Ｋの粒子トラップ１２９０は、任意の他のマイクロ構造またはナノ構造を含むことができる。いくつかの実施の形態によれば、微細構造テープ１２９５は、上述したような可動および着脱可能な粒子トラップであることができる。別の例として、図１２Ｋの粒子トラップ１２９０は、対象の表面にボルトで着脱できる微細構造を含むことができる。

追加的または代替的に、図１２Ｌに示されるように、粒子トラップ１２９０は、マイクロ構造またはナノ構造（例えば、マイクロバッフルまたはナノバッフル）１２９２とともに、汚染粒子が粒子トラップ１２９０に接着可能となるよう構成されるマイクロ構造またはナノ構造の表面上の材料１２９１を含むことができる。例えば、材料１２９１は、粒子トラップ１２９０のくっつく作用を高めることができる。いくつかの実施の形態によれば、材料１２９１は、液体を含むことができる。例えば、粒子トラップは、表面に液体が固定されたマイクロ構造を含むことができ、これは粒子トラップ１２９０のくっつく作用を高める。いくつかの例において、マイクロ構造またはナノ構造１２９１は、液体が含浸された複数のバッフルを含む。いくつかの例において、マイクロ構造の表面上に与えられる液体は、水または油を含むことができる。しかしながら、他の液体を用いることもできる。いくつかの例において、液体分子の一端がマイクロ構造にくっつき、その分子の他端が粒子トラップ１２９０のための粒子トラップ部分を提供する。図１２Ｌの粒子トラップ１２９０は、液体を有するマイクロ構造またはナノ構造の実施の形態の一例を示すが、他のデザインを用いることもできる。

図１２Ａ－１２Ｊの突出バッフル１２９２の各一つ、および／または、図１２Ｋおよび図１２Ｌのマイクロ構造またはナノ構造１２９７および１２９２は、粒子トラップ１２９０の表面から突起する別個の突出物であることができる。追加的または代替的に、図１２Ａ－１２Ｊの突出バッフル１２９２の各一つ、および／または、図１２Ｋおよび図１２Ｌのマイクロ構造またはナノ構造１２９７および１２９２のそれぞれは、図１２Ａ－１２Ｌの表面に直交する方向に沿って延在することができる。

図１２Ａ－１２Ｌは、上述のように、可動構造１２０４上に配置される粒子トラップ１２９０を示すが、粒子トラップ１２９０は、第１チャンバ１１０３内にある静止する第１構造１１０２または可動である第２構造１１０４の表面上に配置されることができる。さらに、粒子トラップ１１９０および１２９０は、第１チャンバ１１０３内にある静止する第１構造１１０２または可動である第２構造１１０４上の任意の構造の表面上に配置されることができる。

追加的に、本開示に説明される粒子トラップの例は、ギャップ４１４内の第１構造４０２の表面４１５上、ギャップ４１４内の第２構造４０４の表面４１７上、または、それらの組み合わせに配置されることができる。追加的または代替的に、本開示で説明される粒子トラップの例は、第２チャンバ４０５内に位置する第１構造４０２および／または第２構造４０４の表面上に配置されることができる。追加的または代替的に、本開示で説明される粒子トラップの例は、第２チャンバ４０５と対向する筐体４０１の表面上に配置されることができる。

実施の形態は、以下の項を用いて記載されてもよい。
（項１）第１チャンバと、
第２チャンバと、
第１表面を有する第１構造と、
前記第２チャンバ内の対象物を支持するよう構成され、前記第１構造に対して可動である第２構造であって、前記第１構造の前記第１表面と対向する第２表面を備えることにより前記第１構造と前記第２構造の間において前記第１チャンバと前記第２チャンバの間を延びるギャップを定義し、前記第１チャンバ内の第３表面を備える第２構造と、
前記第３表面の少なくとも一部に配置され、汚染粒子が前記ギャップを通過するのを抑制するよう構成される複数のバッフルを備える第１トラップと、を備える対象物ステージ。
（項２）前記第１表面の少なくとも一部に配置される第２トラップをさらに備える、項１に記載の対象物ステージ。
（項３）第１バッフルと前記第１バッフルの隣の第２バッフルとの間の第１距離は、第２バッフルと前記第２バッフルの隣の第３バッフルとの間の第２距離とは異なる、項１に記載の対象物ステージ。
（項４）前記複数のバッフルの各バッフルは、三角形の断面を有し、前記三角形の断面は、前記三角形の断面に隣接する谷の間を結ぶ仮想線と前記バッフルの第１突出面の間で定義される第１角度と、前記三角形の断面に隣接する谷の間を結ぶ前記仮想線と前記バッフルの第２突出面の間で定義される第２角度とを含む、項１に記載の対象物ステージ。
（項５）前記三角形の断面は、前記三角形の断面に隣接する谷の間を結ぶ仮想線と前記バッフルの第１突出面の間で定義される第１角度と、前記三角形の断面に隣接する谷の間を結ぶ前記仮想線と前記バッフルの第２突出面の間で定義される第２角度とを含み、
前記複数のバッフルのうちの第１バッフルの前記第１角度は、前記複数のバッフルのうちの第２バッフルの前記第１角度とは異なる、項４に記載の対象物ステージ。
（項６）前記第１トラップは、前記第３表面に着脱可能に取り付けられる、項１に記載の対象物ステージ。
（項７）前記第１トラップは、前記複数のバッフルが突出する微細構造テープを備える、項１に記載の対象物ステージ。
（項８）前記複数のバッフルには、液体が含浸されている、項１に記載の対象物ステージ。
（項９）前記第２構造は、ロングストロークモジュールとショートストロークモジュールを備え、
前記第２表面は、前記ロングストロークモジュールの一部であり、
前記第１構造は、静止している、項１に記載の対象物ステージ。
（項１０）前記対象物は、レチクルであり、
前記第２構造は、前記レチクルを支持するよう構成されるチャックである、項１に記載の対象物ステージ。
(項１１)前記第１チャンバおよび前記第２チャンバは、それぞれ真空圧で保持されるよう構成される、項１に記載の対象物ステージ。
（項１２）第１チャンバと、
第２チャンバと、
第１表面を有する第１構造と、
前記第２チャンバ内の対象物を支持するよう構成され、前記第１構造に対して可動である第２構造であって、前記第１構造の前記第１表面と対向する第２表面を備えることにより前記第１構造と前記第２構造の間において前記第１チャンバと前記第２チャンバの間を延びるギャップを定義し、前記第１チャンバ内の第３表面を備える第２構造と、
前記ギャップ内に配置され、汚染粒子が前記ギャップを通過するのを抑制するよう構成されるバリアと、を備えることを特徴とする対象物ステージ。
（項１３）前記バリアは、
前記第１表面から突出する第１の複数のバッフルと、
前記第２表面から突出し、前記第１の複数のバッフルと間挿する第２の複数のバッフルと、を備える、項１２に記載の対象物ステージ。
（項１４）前記第２構造は、スキャン方向に移動するよう構成され、
前記第１および前記第２の複数のバッフルの各バッフルは、前記スキャン方向に沿って延びる、項１３に記載の対象物ステージ。
（項１５）前記第１および前記第２の複数のバッフルは、前記スキャン方向に直交する方向に沿った視線を共同で遮る、項１４に記載の対象物ステージ。
（項１６）前記第１の複数のバッフルの各バッフルは、前記第２の複数のバッフルの隣り合うバッフルの表面に平行な表面を備える、項１３に記載の対象物ステージ。
（項１７）前記バリアは、前記第１および前記第２の複数のバッフルよりも小さい第３の複数の突出バッフルをさらに備え、前記第３の複数の突出バッフルは、前記第１の複数のバッフル、前記第２の複数のバッフル、前記第１の複数のバッフルの間、または、前記第２の複数のバッフルの間に配置される、項１３に記載の対象物ステージ。
（項１８）前記バリアは、
前記第１構造および前記第２構造の第１側にて前記第１表面および前記第２表面に連結する第１箔と、
前記第１構造および前記第２構造の前記第１側とは反対の第２側にて前記第１表面および前記第２表面に連結する第２箔と、を備える、項１２に記載の対象物ステージ。
（項１９）前記第２構造は、スキャン方向に移動するよう構成され、
前記第１箔および前記第２箔は、前記スキャン方向に巻回（ロール）するよう構成される、項１８に記載の対象物ステージ。
（項２０）前記バリアは、
前記第１箔から離れて、前記第１構造および前記第２構造の前記第１側にて前記第１表面および前記第２表面に連結する第３箔と、
前記第２箔から離れて、前記第１構造および前記第２構造の前記第２側にて前記第１表面および前記第２表面に連結する第４箔と、をさらに備える、項１８に記載の対象物ステージ。
（項２１）前記第３箔の一部は、前記第１箔の一部と重なり、
前記第４箔の一部は、前記第２箔の一部と重なる、項２０に記載の対象物ステージ。
（項２２）前記第３箔と前記第１箔の間にギャップが形成され、
前記第４箔と前記第２箔の間にギャップが形成される、項２０に記載の対象物ステージ。
（項２３）前記第１箔および前記第２箔のそれぞれは、金属またはポリマーを備える、項１８に記載の対象物ステージ。
（項２４）前記第２構造は、ロングストロークモジュールとショートストロークモジュールを備え、
前記第２表面は、前記ロングストロークモジュールの一部であり、
前記第１構造は、静止している、項１２に記載の対象物ステージ。
（項２５）前記対象物は、レチクルであり、
前記第２構造は、前記レチクルを支持するよる構成されるチャックである、項１２に記載の対象物ステージ。
（項２６）前記第１チャンバおよび前記第２チャンバは、それぞれ真空圧で保持されるよう構成される、項１２に記載の対象物ステージ。
(項２７）パターニングデバイスからのパターンを基板上に転写するよう構成されるリソグラフィ装置であって、前記リソグラフィ装置は、
前記基板を保持してスキャン方向に移動させるよう構成される基板テーブルと、
レチクルを保持して移動させるよう構成されるレチクルステージと、を備え、前記レチクルステージは、
第１チャンバと、
第２チャンバと、
第１表面を有する第１構造と、
前記第２チャンバ内の対象物を支持するよう構成され、前記第１構造に対して可動である第２構造であって、前記第１構造の前記第１表面と対向する第２表面を備えることにより前記第１構造と前記第２構造の間において前記第１チャンバと前記第２チャンバの間を延びるギャップを定義し、前記第１チャンバ内の第３表面を備える第２構造と、
前記第３表面の少なくとも一部に配置され、汚染粒子が前記ギャップを通過するのを抑制するよう構成される複数のバッフルを備えるトラップと、を備えるリソグラフィ装置。
（項２８）パターニングデバイスからのパターンを基板上に転写するよう構成されるリソグラフィ装置であって、前記リソグラフィ装置は、
前記基板を保持してスキャン方向に移動させるよう構成される基板テーブルと、
レチクルを保持して移動させるよう構成されるレチクルステージと、を備え、前記レチクルステージは、
第１チャンバと、
第２チャンバと、
第１表面を有する第１構造と、
前記第２チャンバ内の対象物を支持するよう構成され、前記第１構造に対して可動である第２構造であって、前記第１構造の前記第１表面と対向する第２表面を備えることにより前記第１構造と前記第２構造の間において前記第１チャンバと前記第２チャンバの間を延びるギャップを定義し、前記第１チャンバ内の第３表面を備える第２構造と、
前記ギャップ内に配置され、汚染粒子が前記ギャップを通過するのを抑制するよう構成されるバリアと、を備えるリソグラフィ装置。
（項２９）前記バリアは、
前記第１表面から突出する第１の複数のバッフルと、
前記第２表面から突出し、前記第１の複数のバッフルと間挿する第２の複数のバッフルと、を備える、項２８に記載のリソグラフィ装置。
（項３０）前記第２構造は、スキャン方向に移動するよう構成され、
前記第１および前記第２の複数のバッフルの各バッフルは、前記スキャン方向に沿って延びる、項２９に記載のリソグラフィ装置。
（項３１）前記第１および前記第２の複数のバッフルは、前記スキャン方向に直交する方向に沿った視線を共同で遮る、項３０に記載のリソグラフィ装置。
（項３２）前記バリアは、
前記第１構造および前記第２構造の第１側にて前記第１表面および前記第２表面に連結される第１箔と、
前記第１構造および前記第２構造の前記第１側とは反対の第２側にて前記第１表面および前記第２表面に連結される第２箔と、を備える、項２８に記載のリソグラフィ装置。
（項３３）前記第２構造は、スキャン方向に移動するよう構成され、
前記第１箔および前記第２箔は、前記スキャン方向に巻回（ロール）するよう構成される、項３２に記載のリソグラフィ装置。

例示的なデザインが本開示において説明されたが、本開示の実施の形態はこれらの例に限られない。例えば、本開示の実施の形態は、説明された例示的なデザインの任意の組み合わせを含む。

本書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、本書に説明したリソグラフィ装置は他の用途、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどにも適用可能であるものと理解されたい。当業者であれば、このような他の用途において、本書の「ウェハ」または「ダイ」の用語の任意の使用は、より一般的な用語である「基板」または「ターゲット部分」のそれぞれと同義とみなしうることが理解されよう。本書に参照される基板は、露光の前または後に処理されてもよく、トラック（一般にレジストの層を基板に適用して露光されたレジストを現像するツール）、計測ツールおよび／または検査ツールで処理されてもよい。適用可能であれば、本書の開示は、このような基板処理ツールや他の基板処理ツールに適用されてもよい。さらに、例えば多層ＩＣを作製するために、基板が２回以上処理されてもよく、本書で使用される基板の用語は、複数回処理された層をすでに含む基板を指してもよい。

上記では光学リソグラフィの文脈において開示される実施の形態の使用について具体的な言及がなされたが、本開示は、他の用途、例えばインプリントリソグラフィに用いられてもよく、文脈上許されれば、光学リソグラフィに限定されないことが理解されよう。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内の地形（トポグラフィ）が基板上に生成されるパターンを定義する。パターニングデバイスの地形は、基板に供給されるレジストの層に押し込まれ、電磁放射、熱、圧力またはこれらの組み合わせを適用することで基板上においてレジストが硬化する。パターニングデバイスは、レジストから除去され、レジストが硬化した後のレジスト内にパターンを残す。

本書の語法または用語は、本開示の語法または用語が当業者によって本書の教示の観点から解釈されるように説明することを目的とし、限定を目的とするものではないことが理解されよう。

さらに、本書で用いる「放射」および「ビーム」の用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長λを有する）、極端紫外（ＥＵＶまたは軟Ｘ線）放射（例えば、１３．５ｎｍなどといった５－２０ｎｍの範囲の波長を有する）、または、５ｎｍ未満で動作する硬Ｘ線、および、イオンビームや電子ビームといった粒子ビームを含む、任意の種類の電磁放射を包含する。一般に、約４００から約７００ｎｍの間の波長を有する放射は可視放射とみなされ、約７８０－３０００ｎｍ（またはそれ以上）の間の波長を有する放射はＩＲ放射とみなされる。ＵＶは、約１００－４００ｎｍの波長を持つ放射を指す。リソグラフィにおいて、「ＵＶ」の用語は、水銀放電ランプにより生成することのできる波長：Ｇ線４３６ｎｍ；Ｈ線４０５ｎｍ；および／またはＩ線３６５ｎｍにも適用される。真空ＵＶまたはＶＵＶ（つまり、ガスにより吸収されるＵＶ）は、約１００－２００ｎｍの波長を有する放射を指す。深ＵＶ（ＤＵＶ）は、１２６ｎｍから４２８ｎｍの範囲の波長を有する放射を一般的に指し、ある実施の形態において、エキシマレーザがリソグラフィ装置に用いられるＤＵＶ放射を生成できる。例えば５－２０ｎｍの範囲内の波長を有する放射は、波長帯の少なくとも一部が５－２０ｎｍの範囲内にある特定の波長帯を有する放射に関連するものと理解されるべきである。

本書で用いる「基板」の用語は、その上に後続する材料層が追加される材料を一般に記述する。実施の形態において、基板自体がパターニングされ、かつ、基板上に追加される材料がパターニングされてもよいし、または、基板自体がパターニングされずに残ってもよい。

本書で用いられる一以上の具体的な特徴、構造または特性間の相対的な空間的な記載は、例示を目的とするものにすぎず、本開示の思想および範囲から逸脱しない限りにおいて、本書に記載される構造の具体的な実施にミスアライメント許容誤差が含まれてもよいことが理解されよう。

本開示の特定の実施の形態が上述されたが、本開示は記載とは異なる態様で実施されてもよいことが理解されよう。本記載は、本開示を限定することを意図しない。

「発明の概要」および「要約書」のセクションではなく、「発明を実施するための形態」のセクションが請求項の解釈に用いられることを意図することが理解されよう。「発明の概要」および「要約書」のセクションは、発明者によって熟慮された本開示の一以上の例示的な実施の形態を説明しうるが、全ての例示的な実施の形態を説明するわけではなく、したがって、本開示および添付の請求項をいかなる態様によっても限定することを意図しない。

本開示は、特定の機能の実装およびそれらの関係を示す機能構成ブロックを用いながら上述された。これらの機能構成ブロックの境界は、説明の便宜のために本書にて恣意的に定義されている。特定の機能およびそれらの関係が適切に動作する限り、代替の境界を定義することができる。

特定の実施の形態の前述の記載は、当業者の知識を適用することにより、過度の実験をすることなく、本開示の一般的な概念から逸脱することなく、そのような特定の実施の形態の様々な用途に容易に改変および／または適合させることができる本開示の一般的性質を十分に明らかにするであろう。したがって、そのような適合および改変は、本明細書に示された教示およびガイダンスに基づいて、開示された実施の形態の均等物の意味および範囲内にあることが意図される。

本開示の幅および範囲は、上述の例示的な実施の形態のいずれによっても限定されるべきではなく、以下の請求項およびそれらの同等物にしたがってのみ定義されるべきである。

Claims (26)

1. 第１チャンバと、
   第２チャンバと、
   第１表面を有する第１構造と、
   前記第２チャンバ内の対象物を支持するよう構成され、前記第１構造に対して可動である第２構造であって、前記第１構造の前記第１表面と対向する第２表面を備えることにより前記第１構造と前記第２構造の間において前記第１チャンバと前記第２チャンバの間を延びるギャップを定義し、前記第２表面とは異なる前記第１チャンバ内の第３表面を備える第２構造と、
   前記第３表面の少なくとも一部に配置され、汚染粒子が前記ギャップを通過するのを抑制するよう構成される複数のバッフルを備える第１トラップと、を備えることを特徴とする対象物ステージ。
2. 前記第１表面の少なくとも一部に配置される第２トラップをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の対象物ステージ。
3. 第１バッフルと前記第１バッフルの隣の第２バッフルとの間の第１距離は、第２バッフルと前記第２バッフルの隣の第３バッフルとの間の第２距離とは異なることを特徴とする請求項１に記載の対象物ステージ。
4. 前記複数のバッフルの各バッフルは、三角形の断面を有し、前記三角形の断面は、前記三角形の断面に隣接する谷の間を結ぶ仮想線と前記バッフルの第１突出面の間で定義される第１角度と、前記三角形の断面に隣接する谷の間を結ぶ前記仮想線と前記バッフルの第２突出面の間で定義される第２角度とを含むことを特徴とする請求項１に記載の対象物ステージ。
5. 前記三角形の断面は、前記三角形の断面に隣接する谷の間を結ぶ仮想線と前記バッフルの第１突出面の間で定義される第１角度と、前記三角形の断面に隣接する谷の間を結ぶ前記仮想線と前記バッフルの第２突出面の間で定義される第２角度とを含み、
   前記複数のバッフルのうちの第１バッフルの前記第１角度は、前記複数のバッフルのうちの第２バッフルの前記第１角度とは異なることを特徴とする請求項４に記載の対象物ステージ。
6. 前記第１トラップは、前記第３表面に着脱可能に取り付けられることを特徴とする請求項１に記載の対象物ステージ。
7. 前記第１トラップは、前記複数のバッフルが突出する微細構造テープを備えることを特徴とする請求項１に記載の対象物ステージ。
8. 前記複数のバッフルには、液体が含浸されていることを特徴とする請求項１に記載の対象物ステージ。
9. 前記第２構造は、ロングストロークモジュールとショートストロークモジュールを備え、
   前記第２表面は、前記ロングストロークモジュールの一部であり、
   前記第１構造は、静止していることを特徴とする請求項１に記載の対象物ステージ。
10. 前記対象物は、レチクルであり、
    前記第２構造は、前記レチクルを支持するよう構成されるチャックであることを特徴とする請求項１に記載の対象物ステージ。
11. 前記第１チャンバおよび前記第２チャンバは、それぞれ真空圧で保持されるよう構成されることを特徴とする請求項１に記載の対象物ステージ。
12. 第１チャンバと、
    第２チャンバと、
    第１表面を有する第１構造と、
    前記第２チャンバ内の対象物を支持するよう構成され、前記第１構造に対して可動である第２構造であって、前記第１構造の前記第１表面と対向する第２表面を備えることにより前記第１構造と前記第２構造の間において前記第１チャンバと前記第２チャンバの間を延びるギャップを定義する第２構造と、
    前記第１チャンバ内に配置され、汚染粒子が前記ギャップを通過するのを抑制するよう構成されるバリアと、を備えることを特徴とする対象物ステージ。
13. 前記バリアは、
    前記第１表面から突出する第１の複数のバッフルと、
    前記第２表面から突出し、前記第１の複数のバッフルと間挿する第２の複数のバッフルと、を備えることを特徴とする請求項１２に記載の対象物ステージ。
14. 前記第２構造は、スキャン方向に移動するよう構成され、
    前記第１および前記第２の複数のバッフルの各バッフルは、前記スキャン方向に沿って延びることを特徴とする請求項１３に記載の対象物ステージ。
15. 前記第１および前記第２の複数のバッフルは、前記スキャン方向に直交する方向に沿った視線を共同で遮ることを特徴とする請求項１４に記載の対象物ステージ。
16. 前記第１の複数のバッフルの各バッフルは、前記第２の複数のバッフルの隣り合うバッフルの表面に平行な表面を備えることを特徴とする請求項１３に記載の対象物ステージ。
17. 前記バリアは、前記第１および前記第２の複数のバッフルよりも小さい第３の複数の突出バッフルをさらに備え、前記第３の複数の突出バッフルは、前記第１の複数のバッフル、前記第２の複数のバッフル、前記第１の複数のバッフルの間、または、前記第２の複数のバッフルの間に配置されることを特徴とする請求項１３に記載の対象物ステージ。
18. 前記バリアは、
    前記第１構造および前記第２構造の第１側にて前記第１表面および前記第２表面に連結される第１箔と、
    前記第１構造および前記第２構造の前記第１側とは反対の第２側にて前記第１表面および前記第２表面に連結される第２箔と、を備えることを特徴とする請求項１２に記載の対象物ステージ。
19. 前記第２構造は、スキャン方向に移動するよう構成され、
    前記第１箔および前記第２箔は、前記スキャン方向に巻回（ロール）するよう構成されることを特徴とする請求項１８に記載の対象物ステージ。
20. 前記バリアは、
    前記第１箔から離れて、前記第１構造および前記第２構造の前記第１側にて前記第１表面および前記第２表面に連結する第３箔と、
    前記第２箔から離れて、前記第１構造および前記第２構造の前記第２側にて前記第１表面および前記第２表面に連結する第４箔と、をさらに備えることを特徴とする請求項１８に記載の対象物ステージ。
21. 前記第３箔の一部は、前記第１箔の一部と重なり、
    前記第４箔の一部は、前記第２箔の一部と重なることを特徴とする請求項２０に記載の対象物ステージ。
22. 前記第３箔と前記第１箔の間にギャップが形成され、
    前記第４箔と前記第２箔の間にギャップが形成されることを特徴とする請求項２０に記載の対象物ステージ。
23. 前記第１箔および前記第２箔のそれぞれは、金属またはポリマーを備えることを特徴とする請求項１８に記載の対象物ステージ。
24. 前記第２構造は、ロングストロークモジュールとショートストロークモジュールを備え、
    前記第２表面は、前記ロングストロークモジュールの一部であり、
    前記第１構造は、静止していることを特徴とする請求項１２に記載の対象物ステージ。
25. 前記対象物は、レチクルであり、
    前記第２構造は、前記レチクルを支持するよる構成されるチャックであることを特徴とする請求項１２に記載の対象物ステージ。
26. 前記第１チャンバおよび前記第２チャンバは、それぞれ真空圧で保持されるよう構成されることを特徴とする請求項１２に記載の対象物ステージ。

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