JP5005544B2 - 汚染物トラップシステムを有するリソグラフィ装置、汚染物トラップシステム及びデバイス製造方法 - Google Patents

Description

[0001] 本発明は、汚染物トラップシステムを有するリソグラフィ装置、リソグラフィ装置の照明システム内で使用する汚染物トラップシステム、デバイス製造方法、および、リソグラフィ装置の照明システムにおける汚染物のトラップを良好にする方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写される。パターンの転写は通常、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上での結像を介してなされる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、および、ある特定の方向（「スキャン」方向）の放射ビームによってパターンをスキャンすると同時にこの方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。

[0003] リソグラフィ装置において、基板上に結像できるフィーチャ(features)のサイズは、基板上に所望のパターンを付与するのに用いられる放射の波長によって限定される。高密度デバイスを備える集積回路を生産し、高速処理を実現するためには、より小さいフィーチャを結像できることが望ましい。最近のリソグラフィ投影装置はそのほとんどが水銀灯またはエキシマレーザによって生成される紫外線を使用しており、５〜２０ｎｍ範囲内、特に約１３．５ｎｍの短い波長放射を使用することが提案されている。このような放射は、極紫外線（ＥＵＶ）または軟Ｘ線と呼ばれ、使用可能なソースには、例えば、レーザー励起プラズマソースおよび放電プラズマ源、または電子貯蔵リングからのシンクロトロン放射が含まれる。

[0004] 放電プラズマ源を使用する装置は、W. Partlo, I. Fomenkov, R. Oliver, D. Birx, "Development of an EUV (13.5nm) Light Source Employing a Dense Plasma Focus in Lithium Vapor", Proc. SPIE 3997, 136-156頁（2000）、M.W. McGeoch, "Tower Scaling of a Z-pinch Extreme Ultraviolet Source", Proc. SPIE 3997, 861-866頁（2000、W.T. Silfvast, M. Klosner, G. Shimkaveg, H. Bender, G. Kubiak, N. Fornaciari, "High-Power Plasma Discharge Source at 13.5 and 11.4nm for EUV lithography", Proc. SPIE 3676, 272-275頁(1999）、および、K. Bergmann他著, "Extreme Ultraviolet Radiation Source Based on a Gas-Discharge Plasma", Applied Optics, Vol. 38, 5413-5417頁（1999）に記載されている。

[0005] 上記の放電プラズマ放射源等のＥＵＶ放射源は、ＥＵＶ放射を放射するために、気体または蒸気の比較的高い分圧の使用を必要とする場合がある。例えば、放電プラズマ源では、電極間で放電が行われるが、その結果生じる部分的にイオン化されたプラズマをその後崩壊させて、ＥＵＶ領域に放射を放出する高温プラズマ(very hot plasma)を生成するようにしてもよい。高温プラズマはしばしばＸｅ内で生成されるが、これは、Ｘｅプラズマが約１３．５ｎｍの極ＵＶ（ＥＵＶ）範囲内で発せられるためである。効率的なＥＵＶ生成には、電極付近で放射源に０．１ｍｂａｒの典型的な圧力が必要である。このような高Ｘｅ圧では、ＸｅガスがＥＵＶ放射を吸収してしまうという欠点がある。例えば、０．１ｍｂａｒのＸｅが１ｍ以上伝わることができるのは、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ放射の僅か０．３％である。従って、高Ｘｅ圧を放射源周囲の限定領域に閉じ込めておくことが必要となる。そのためには、集光鏡および照射光学部品が配される後続真空チャンバからチャンバ壁によって分離されている放射源用真空チャンバ内に放射源を収容しても良い。

[0006] 真空壁は、多数のアパーチャを介してＥＵＶ放射を通過させるものであってよく、これらのアパーチャは、欧州特許出願第EP-A-1 057 079号（本記載により本明細書中に取り込まれる）に記載されているようなチャネルアレイまたはいわゆるフォイルトラップによって提供される。欧州特許第EP-A-1 223 468号および第EP-A-1 057 079号には、光軸に沿って伝播する粒子の数を減らすためのチャネルアレイまたは「フォイルトラップ」("foil trap"が提案されている。このフォイルトラップはチャネル状構造からなり、ひだ状壁が、流れ抵抗を生じさせつつも放射の通過を妨げない程度に近接して配置されている。同フォイルトラップは、本記載により本明細書中に取り込まれる。

[0007] ＥＵＶ放射源から放射され、ＥＵＶ放射源の真空壁のチャネルアレイを通過する、比較的重いミクロンサイズの粒子またはそれより小さいが比較的低速の粒子によるリソグラフィ装置の光学コンポーネントの汚染は深刻な問題であり、この汚染によって光学コンポーネントの劣化が生じるとともに、ＥＵＶリソグラフィ投影装置の運転コストが著しく増加してしまう。

[0008] 欧州特許第EP 1 274 287 A1号（本記載により本明細書中に取り込まれる）に開示されるように、回転式フォイルトラップの提供が提案されている。このフォイルトラップは、回転軸から放射状に延在する複数の小板を含んでいる。すなわち、回転軸はすべての小板と平行である。動作中、小板にぶつかった気体分子またはその他の汚染粒子は、平均して、小板の移動方向へ向けられる。

[0009] 通常、小板の表面領域は、小板の回転の中心となる回転軸の長さに比例する。

[0010] 欧州特許第EP 1 391 785号には２つのフォイルトラップを含む汚染物トラップシステムが提案されており、この２つのフォイルトラップは、放射が両方を通過するように位置合わせされている。このフォイルトラップは、第１のフォイルトラップを通過できた粒子が第２のフォイルトラップにトラップされるように、互いに回転する。

[0011] 本発明の一態様は、従来の汚染物トラップシステムに比べて効率が良い汚染物トラップシステムを含む照明システムを有するリソグラフィ装置を提供することである。

[0012] 本発明の一態様は、汚染物トラップシステムの入口と汚染物トラップシステムの出口との間に圧力差を生じさせることができる汚染物トラップシステムを有する照明システムを含むリソグラフィ装置を提供することである。

[0013] 本発明の一態様は、汚染物トラップシステムを出る放射により高い均一性を持たせることが可能な汚染物トラップシステムを有する照明システムを含むリソグラフィ装置を提供することである。

[0014] 本発明の一態様は、リソグラフィ装置の照明システム内で使用されるより効率的な汚染物トラップシステムを、照明システム内での使用のために提供することである。

[0015] 本発明の一態様は、トラップシステムの入口とトラップシステムの出口との間に圧力差を生じさせることができる汚染物トラップシステムを提供することである。

[0016] 本発明の一態様は、リソグラフィ装置内で使用するための、使用中に比較的均一な放射が出る汚染物トラップシステムを提供することである。

[0017] 本発明の一態様は、方法の性能に影響を与えるような汚染物の侵入が相対的に少ないかまたは全く無く、従って比較的均一な放射ビームを使用することができるデバイス製造方法を提供することである。

[0018] 本発明の一態様は、リソグラフィ装置の照明システム内の汚染物のトラップを良好にする方法を提供することである。

[0019] 本発明の一態様は、複数の小板に僅かな変形が生じる環境下においても光の高透過率を実現できる汚染物トラップシステムを有するリソグラフィ装置を提供することである。

[0020] 本発明の一態様は、複数の小板に僅かな変形が生じる環境下においても光の高透過率を実現できる汚染物トラップシステムを提供することである。

[0021] 本発明の一態様によると、実質的に発光点から発光される放射ビームを調整するように構成された照明システムを備えるリソグラフィ装置が提供される。照明システムは、汚染物トラップシステムを備える。トラップシステムは、中心ゾーンと周辺ゾーンとを有する汚染物トラップを備える。トラップは、周辺ゾーンを通って実質的に外側へ延在する複数の小板を備える。発光点は、小板が重なる面上にある。各小板は、中心ゾーンに向けられたコンポーネントに対する法線を有する。

[0022] 本発明の一態様によると、リソグラフィ装置の照明システム内で使用する汚染物トラップシステムが提供される。トラップシステムは、中心ゾーンと周辺ゾーンとを有する汚染物トラップを備える。トラップは、周辺ゾーンを通って実質的に外側へ延在する複数の小板を備える。各小板は、中心ゾーンに向けられたコンポーネントに対する法線を有する。小板は、それらと重なるすべての仮想面がトラップの外で所定の点において交わるように、配向されている。

[0023] 本発明の一態様によると、照明システムを使用して、実質的に発光点から発光される放射ビームを調整する工程と、中心ゾーンと周辺ゾーンとを有する汚染物トラップを備えるトラップシステムを使用して、照明システム内の汚染粒子をトラップする工程と、を備えるデバイス製造方法が提供される。トラップは、周辺ゾーンを通って実質的に外側へ延在する複数の小板を備える。各小板は、中心ゾーンに向けられたコンポーネントに対する法線を有する。小板は、それらと重なるすべての面がトラップの外で照明システムの発光点と実質的に一致する実質的に所定の点において交わるように、配向されている。

[0024] 本発明の一態様によると、リソグラフィ装置の照明システム内の汚染物のトラップを良好にする方法が提供される。この方法は、中心ゾーンと周辺ゾーンとを有する汚染物トラップを備えるトラップシステムを使用する工程を備える。トラップは、周辺ゾーンを通って実質的に外側へ延在する複数の小板を備える。各小板は、中心ゾーンに向けられたコンポーネントに対する法線を有する。小板は、それらと重なるすべての面がトラップの外で前記照明システムの発光点と一致する実質的に所定の点において交わるように、配向されている。

[0025] 本発明の一態様によると、実質的に発光点から発光される放射ビームを調整するように構成された照明システムを備えるリソグラフィ装置が提供される。照明システムは、汚染物トラップシステムを備える。トラップシステムは、複数の小板を有する第１汚染物トラップと、複数の小板を有する第２汚染物トラップとを備える。第１および第２汚染物トラップは、発光点から発光される光が第１および第２汚染物トラップを通って伝播できるように、位置合わせされている。第１および第２汚染物トラップの一方は、第１および第２汚染物トラップの他方に対して、発光点を通って実質的に延在する仮想線を中心に回転できる。第１および第２汚染物トラップの一方の小板は、第１および第２汚染物トラップの他方の小板と数および／角分布の点で異なる。

[0026] 本発明の一態様によると、リソグラフィ装置の照明システム内で使用する汚染物トラップシステムが提供される。トラップシステムは、複数の小板を有する第１汚染物トラップと、複数の小板を有する第２汚染物トラップとを備える。第１および第２汚染物トラップは、使用中、第１および第２汚染物トラップの外にある所定の点から発光される光が第１および第２汚染物トラップを通って伝播できるように、位置合わせされている。第１および第２汚染物トラップの一方は、第１および第２汚染物トラップの他方に対して、前記所定の点を通って実質的に延在する仮想線を中心に回転できる。第１および第２汚染物トラップの一方の小板は、第１および第２汚染物トラップの他方の小板と数および／角分布の点で異なる。

[0027] 本発明の一態様によると、実質的に発光点から発光される放射ビームを調整するように構成された照明システムを備えるリソグラフィ装置が提供される。照明システムは、汚染物トラップシステムを備える。トラップシステムは、複数の小板を有する第１汚染物トラップと、複数の小板を有する第２汚染物トラップとを備える。第１および第２汚染物トラップは、発光点から発光される光が記第１および第２汚染物トラップを通って伝播できるように、位置合わせされている。第１および第２汚染物トラップの一方は、第１および第２汚染物トラップの他方に対して、前記発光点を通って実質的に延在する仮想線を中心に回転できる。リソグラフィ装置はさらに、放射ビームの断面にパターンを付けてパターン付き放射ビームを形成できるパターニングデバイスを備える。照明システムは、パターニングデバイスの上流においての放射ビーム内の非均一性を少なくとも部分的に補正するように、構成されている。

[0028] 本発明の一態様によると、リソグラフィ装置の照明システム内で使用する汚染物トラップシステムが提供される。汚染物トラップシステムは、複数の小板を有する第１汚染物トラップと、複数の小板を有する第２汚染物トラップとを備える。第１および第２汚染物トラップは、使用中、第１および第２汚染物トラップの外にある所定の点から発光される光が第１および第２汚染物トラップを通って伝播できるように、位置合わせされている。第１および第２汚染物トラップの一方は、第１および第２汚染物トラップの他方に対して、前記所定の点を通って実質的に延在する仮想線を中心に回転できる。汚染物トラップシステムは、使用中、放射ビームが第１および第２汚染物トラップを出る際に前記放射ビーム内に実質的に所定の非均一性が存在するように、構成されている。

[0029] 本発明の一態様によると、発光点から実質的に発光される放射ビームを調整するように構成された照明システムを備えるリソグラフィ装置が提供される。照明システムは汚染物トラップシステムを備える。トラップシステムは、中心ゾーンと周辺ゾーンとを有する汚染物トラップを備える。トラップは、周辺ゾーンを通って実質的に外側へ延在する複数の小板を備える。各小板は、ヒンジ軸にてヒンジ連結されている。各ヒンジ軸は、対応する小板が真っ直ぐな平面状である場合に、ヒンジ軸と重なる仮想線が前記発光点を通って延在するように、配向されている。

[0030] 本発明の一態様によると、リソグラフィ装置の照明システム内で使用される汚染物トラップシステムが提供される。汚染物トラップシステムは、中心ゾーンと周辺ゾーンとを有する汚染物トラップを備える。トラップは、周辺ゾーンを通って実質的に外側へ延在する複数の小板を備える。各小板は、ヒンジ軸にてヒンジ連結されている。各ヒンジ軸は、対応する小板が真っ直ぐな平面状である場合に、ヒンジ軸と重なる仮想線が所定の点を通って延在するように、配向されている。所定の点は、リソグラフィ装置の発光点に対応するよう意図されている。
[0031] 本発明の実施形態が、添付の概略図面を参照して、単に例としてこれから説明される。図中の対応する符号は対応する部分を指示する。

[0039] 図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１ポジショナＰＭに連結された支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ、特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。

[0040] 照明システムＩＬとしては、放射を誘導し、形成し、あるいは制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せ等の様々な型の光学コンポーネントを含み得る。

[0041] 照明システムＩＬは汚染物トラップシステムＣＴＳ(contaminant trapping system)を含んでいる。汚染物トラップシステムＣＴＳについては、以下で記載および説明する。汚染物トラップシステムＣＴＳは、放射源ＳＯの一部であっても良い。その場合、放射源は照明システムＩＬの一部として見なされる。

[0042] 支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを支持する、即ち、パターニングデバイスＭＡの重みを支えるものである。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの配向、リソグラフィ装置の設計、および、例えば、パターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されているか否かなどといった他の条件に応じた態様でパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。支持構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができる架台またはテーブルであってもよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを、例えば、投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に配置することができる。本明細書で使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えてよい。

[0043] 本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを創出するべく放射ビームの断面にパターンを付ける際に使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、放射ビームに付けたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャ（phase-shifting features）またはいわゆるアシストフィーチャ（assist features）を含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などの、ターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。

[0044] パターニングデバイスは、透過型または反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、Alternating位相シフト、および減衰型位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向へ反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。

[0045] 本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用されている露光放射にとって、あるいは浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光電システム、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書で使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えてよい。

[0046] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。

[0047] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機構においては、追加のテーブルを並行して使うことができ、あるいは、予備工程を１つ以上のテーブルで実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。

[0048] また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体、例えば、水によって基板の少なくとも一部を覆うことができる型のものであってもよい。さらに、リソグラフィ装置内の、例えば、マスクと投影システムとの間の別の空間に浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムのアパーチャ数を増加させる技術として当該分野においてよく知られている。本明細書で使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体中に沈めなければならないという意味ではなく、単に、照射中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。

[0049] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別々の構成要素であってよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀灯である場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要であれば、ビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。

[0050] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。

[0051] 放射ビームＢは、支持構造ＭＴ（例えば、マスクテーブル）上に保持されたパターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉装置、リニアエンコーダ、または容量センサ）を使って、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、支持構造ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてよく、あるいは、固定されていてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークがそれ専用のターゲット部分に置かれているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、けがき線アライメントマーク（scribe-lane alignment mark）として公知である）。同様に、１つ以上のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイとの間に置かれてもよい。

[0052] 例示の装置は、以下のモードの少なくとも１つで使用できると考えられる。

[0053] １． ステップモードにおいては、支持構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。基板テーブルＷＴは、その後、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一静止露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。

[0054] ２． スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および画像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決定される。

[0055] ３． 別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持しながら支持構造ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かすまたはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

[0056] 上述の使用モードの組合せおよび／または変形物、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。

[0057] 図２は、放射ビームを調整するように構成された照明システム（図示されない）を含むリソグラフィ装置の一部を概略的に示している。放射ビーム（図示されない）は、発光点ＬＥＰから実質的に調整され、本例では、当該発光点ＬＥＰは放射源ＳＯと共に照明システムの一部を構成している。照明システムは、汚染物トラップシステムＣＴＳを含んでいる。この汚染物トラップシステムは、中心ゾーンＣＺと周辺ゾーンＰＺとを有する汚染物トラップＣＴを少なくとも１つ含んでいる。汚染物トラップは、周辺ゾーンを通って実質的に外側へ延在する少なくとも１つの小板Ｐｔを含んでいる。このことは、図３、図４および図５に明確に示されている。図２では、分かり易くするために、小板Ｐｔを１つしか示していない。図２に示す小板は、図の平面に対して垂直に延在する。発光点ＬＥＰは、少なくとも１つの小板Ｐｔと重なる平面上に存在する。当該少なくとも１つの小板Ｐｔは、中心ゾーンＣＺに向けられたコンポーネントを有する法線Ｎを備える。このコンポーネントは、点線の矢印Ｃｔｃｚで示されている。図３、図４および図５は、汚染物トラップシステムが複数の小板を有するトラップを含むことができることを示している。

[0058] 上記の汚染物トラップシステムの利点は、各小板の実際の表面が、放射状に延在する小板であって発光点ＬＥＰを通って延在する面と重ならない小板と比較して、大きい点である。その結果、本明細書で開示するように、汚染物トラップが汚染粒子をトラップする確率が、従来の汚染物トラップよりも高くなる。また、小板にぶつかる気体分子等の汚染粒子は、平均して、小板の表面から法線の方向へ散らされる。それによって、汚染粒子を中心ゾーンへ向けることができる。この中心ゾーンＣＺ全体に対し、そこに存在する汚染粒子が例えば発光点ＬＥＰに向かって吸い込まれる方向において、適切な圧力差を加えれば、多数の汚染粒子は汚染物トラップシステムから放射の伝播方向へ抜け出せなくなる。すなわち、それらの粒子が、リソグラフィ装置の光学経路、つまり、照明システムの下流側に侵入できなくなる。

[0059] 中心ゾーンＣＺは回転軸ＲＡを含んでよく、この回転軸ＲＡを中心として小板Ｐｔが回転する。この回転軸は、実質的に発光点ＬＥＰを通って延在する仮想線と重なる。小板が回転軸ＲＡを中心に回転する場合、トラップは事実上ターボポンプとして機能し、汚染物トラップシステムの効率をさらに向上させている。粒子は、圧力差によって中心ゾーンＣＺへ方向付けられ、放射の伝播方向から離れる方向へ吸い込まれる。

[0060] 本発明に係るリソグラフィ装置の一実施形態において、複数の小板は中心ゾーンＣＺに対して回転対称性を有する。これによって、回転バランスのとれた汚染物トラップシステム、および、機械的に安定した回転システムが実現できる。中心ゾーンが回転軸を含みこの回転軸ＲＡを中心として少なくとも１つの小板が回転する実施形態では、汚染物トラップは、自身を回転させるための駆動機構を有することができる。その場合、小板は、回転軸に対して回転対称性を有する。この駆動機構は、汚染粒子が汚染物トラップシステムから放射の伝播方向へ抜け出るのを効率良く阻止できる速度でトラップを回転させるようになっている。

[0061] 駆動機構は中心ゾーンの外側にあって良い。その場合であっても、駆動機構は、汚染粒子を中心ゾーンＣＺに集め、および／または、汚染粒子中心ゾーンから、放射の伝播方向とは異なる所定の方向へ誘導することができる。これまでに記載した実施形態において、小板は回転軸ＲＡと平行ではないことが明らかである。図３および図４は、それぞれ、回転軸ＲＡに対する小板Ｐｔの配向を示す斜視図および矢印Ａに沿った図である。小板Ｐｔは回転軸ＲＡと平行ではない。小板Ｐｔと回転軸ＲＡとの間の角度は、実際、発光点ＬＥＰと汚染物トラップシステム内の小板Ｐｔとの距離に依存する。図４では、この角度が約１０度で示されている。面が３点で定義され、本発明の一実施形態に係る汚染物トラップシステムの小板Ｐｔが、中心ゾーンに向けられたコンポーネントに対する法線を有し、かつ、発光点ＬＥＰを通って延在する面上に存在するため、小板が重なる面の２点は、自由に選択することができる。

[0062] 図３に示すように、各小板Ｐｔは、中心ゾーン方向において内側環状支持体ＩＡ(inner annular support)に連結される一方、中心ゾーンＣＺから離れた端部においては、外側環状支持体ＯＡ(outer annular aupport)に連結されている。駆動機構は、この外側環状支持体に対して回転方向に力を加えることで、汚染物トラップを回転させるように構成されることができる。

[0063] 図５は、上述したような比較的多くの小板Ｐｔを有する汚染物トラップの少なくとも一部を一例として示している。

[0064] 図６は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置の一部を示している。図示された部分は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置の照明システムＩＬ内にある汚染物トラップシステムＣＴＳである。この汚染物トラップシステムＣＴＳは、少なくとも２つの汚染物トラップＣＴ１、ＣＴ２(contaminant trap)を含んでいる。各汚染物トラップＣＴ１、ＣＴ２は小板（図６には示されない）を有する。この２つの汚染物トラップは、発光点（図示されない）から出た光が両者を通過して伝播するように、位置合わせされている。汚染物トラップＣＴ１は、汚染物トラップＣＴ２に対して、実質的に発光点を通って延在する仮想線を中心に回転する。これらの汚染物トラップは、図２〜図５に示した実施形態に係るものであって良い。あるいは、汚染物トラップは、本明細書中に記載される他の汚染物トラップ、例えば、従来の汚染物トラップに係るものであっても良い。図示されていないが、図６に示すような汚染物トラップシステムの実施形態では、２つの汚染物トラップＣＴ１、ＣＴ２のうち一方の小板の数および／または角分布を、２つの汚染物トラップＣＴ１、ＣＴ２のうち他方の汚染物トラップＣＴ１、ＣＴ２の小板と異なるものにしてもよい。これは、使用中、汚染物トラップシステムを通過する放射ビームの不均一性を低減できる点で好都合である。これについて、以下に説明を述べる。同一数および同一分布の小板を有する２つの汚染物トラップＣＴ１、ＣＴ２が異なる回転速度を有する場合、放射ビームに極度の不均一性が生じる。ここで、これらのトラップの位置として２つの極位置が考えられる。第１の極位置としては、汚染物トラップＣＴ１およびＣＴ２が位置合わせされている。汚染物トラップシステムを出るビームの断面ほぼ全体が、放射の全強度を呈している。第２の極位置としては、第２の汚染物トラップＣＴ２の小板が、放射の伝播方向において見た場合、第１の汚染物トラップＣＴ１の小板と小板との間に位置している。この場合、放射の全強度を呈するのは、汚染物トラップシステムを出るビームの全断面よりはるかに小さい領域である。汚染物トラップＣＴ１およびＣＴ２が互いに異なる小板数および／または角分布を有すれば、汚染物トラップＣＴ２の小板の少なくとも１つは、いずれかの回転位置において、汚染物トラップＣＴ１を通過した放射を遮断するので、第１の非均一性の可能性が排除される。この意味において、放射ビームの非均一性は、汚染物トラップシステムが２つの汚染物トラップを含みかつ下流側汚染物トラップＣＴ２の各小板が放射の伝播方向で見た場合に１つ以上の回転位置において上流側汚染物トラップＣＴ１の小板と位置合わせされている場合と比べて、小さくなる。

[0065] 本実施形態において、リソグラフィ装置は、放射ビームの断面にパターンを付けてパターン付き放射ビームを形成できるパターニングデバイスをさらに含むことができる。上述したような汚染物トラップ間の違いにより、照明システムは、パターニングデバイスの上流において放射ビームの非均一性を低減するように構成されている。２つの汚染物トラップＣＴ１、ＣＴ２間で異なる小板数および／または角分布を適用することにより、放射ビームの断面ごとの強度の最大差が低減される。なお、ＣＴＳに入る矢印の長さと、そこから出ている矢印の長さの差は、放射ビームの断面における強度の差を示している。

[0066] 例えば、第１の汚染物トラップＣＴ１に１８０枚の均等に分配された小板を適用し、第２の汚染物トラップＣＴ２に、例えば１７５枚の均等に分配された小板を適用することができる。当業者であれば、普段の経験および／または計算から、最適な組合せを採用することができる。なお、数および／または角分布による差を、異なる厚みを有する小板を適用することで達成してもよい。したがって、異なる小板数および／または角分布について記載している箇所では、非均一性を同様に低減できる小板の厚さの差についての記載もそこに含まれるものとして理解される。

[0067] 図６は、放射ビームの断面にパターンを付けてパターン付き放射ビームを形成できるパターニングデバイス（図示されない）を含むことができるリソグラフィ装置の一部を示している。照明システムは、本発明の一実施形態によると、パターニングデバイスの上流において、放射ビームの非均一性を低減するように構成されている。その代わりに、または、上述したような汚染物トラップの配置に加えて、使用中、放射ビームが汚染物トラップシステムつまり２つの汚染物トラップＣＴ１およびＣＴ２から出る際にこの放射ビーム内に実質的に所定の非均一性が存在するように、汚染物トラップＣＴ１およびＣＴ２を構成することもできる。図６に概略的に示すように、本実施形態によれば、照明システムは、それぞれＦＥ１−ＦＥＮおよびＳＥ１−ＳＥＮで示されるように、反射素子からなる第１セットおよび第２セットを備える。第１セットＦＥ１−ＦＥＮの各反射素子は、少なくとも２つの汚染物トラップの下流において、放射ビームの一部を、第２のセットＳＥ１−ＳＥＮの各反射素子に反射するように、構成されている。第２セットＳＥ１−ＳＥＮの各反射素子は、放射ビームをパターニングデバイスへ向かう光学経路に反射するように、配置されている。この光学経路は、矢印ＯＰで示されている。各反射素子、つまり、反射素子ＦＥ１−ＦＥＮからなる第１セットおよび反射素子ＳＥ１−ＳＥＮからなる第２セットの各反射素子は、放射ビームの所定の非均一性を低減できるような、所定の位置および形状をしている。なお、第１セットの反射素子に入射する矢印の長さの差は、第２セットの反射素子から出る矢印では相殺されており、これによって上述の原理を概略的に示している。

[0068] 反射素子の第１セットは、ドイツ特許第DE 101 38 284 A1号（本記載により本明細書中に組み込まれる）に記載される第１の光学素子１０２に相当する。反射素子の第２セットは、同ドイツ特許第DE 101 38 284 A1号に記載される第２の光学素子１０４に相当する。当業者にとって明らかなように、例えば、第１汚染物トラップＣＴ１が均等に分配された第１数枚の小板を含み、第２汚染物トラップＣＴ２が均等に分配された第２数枚の小板を含み、第１数が第２数と異なる場合、汚染物トラップシステムを出る放射ビームの断面は、第１汚染物トラップＣＴ１が第２汚染物トラップＣＴ２に対して回転する際に、いわゆるモアレ縞を呈する。モアレ縞は断面においてビームの中心を軸に回転するが、モアレ縞がその断面において、単位時間当たり、最も頻繁に存在する位置になるように、汚染物トラップＣＴ１およびＣＴ２を調整することができる。すなわち、放射ビームに明確な非均一性をもたせることが可能である。放射ビームにおけるこの明確な非均一性は、第１セットおよび第２セットの反射素子の所定の位置および形状に合うように調整できる。また、第１セットおよび第２セットの反射素子の位置および形状を、汚染物トラップシステムを出る放射ビームの非均一性に合わせて調整することも可能である。

[0069] 図７は、上述した汚染物トラップおよび／または汚染物トラップシステムのどの実施形態にも使用可能な小板の例を示している。この小板Ｐｔまたは少なくともその一部は、ヒンジ軸にてヒンジ連結されている。小板Ｐｔが真っ直ぐな平面状である場合、各ヒンジ軸は、自身と重なる仮想線ＶＬが発光点ＬＥＰを通って延在するように配向されている。図７の実施形態では、小板は複数のスロットＳＴを含んでいる。小板Ｐｔが真っ直ぐな平面状である場合、各スロットＳＴは、各スロットＳＴの長手方向と重なる仮想線ＶＬが発光点ＬＥＰを通って延在するように、配向されている。言い換えると、小板内のスロットと重なる部分が、小板のヒンジ部分を形成している。図７に示す小板を有する汚染物トラップを通過する放射の透過損失は、僅かな変形が生じるような小板を持たない汚染物トラップを出る放射の透過損失ほど大きくない。図７に示すような小板が適用される場合、発光点から発光された光線は、小板の僅かな屈曲に関係なく、小板の一部と平行のままであることが分かった。製造中に生じた小板の僅かなミスアライメントまたは小板の回転中の変形による透過の損失は、図７に示すような小板を使用することによって低減できる。図７は、ヒンジ取付けされている小板の簡単な実施形態を示している。スロットを提供して脆弱性を引き起こすことは、小板を有する汚染物トラップを放射が通過する際の透過損失を低減するための、比較的安価で簡潔な方法である。なお、小板Ｐｔの中央支持構造ＣＳＳ近くに内側スロットＩＳのみを設けることも可能である。また、複数のヒンジ、つまりスロット、を有する小板を設けることによって、小板が、互いにヒンジで取り付けられた複数の部分を含むようにすることもできる。小板が真っ直ぐな平面状である場合、小板は回転軸ＲＡに対して平行でなくても良い。小板Ｐｔは、本発明の図３、図４および図５に示すように配向されていてもよい。小板の屈曲、つまり、ヒンジに連結された小板の一部のヒンジング(hinging)は、使用中、気体の摩擦によって生じ得る。小板が回転軸ＲＡと平行でない場合、そのような小板を有する汚染物トラップはポンプとして機能できる。

[0070] 本明細書では、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及しているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドの製造といった他の用途を有することが理解されるべきである。当業者には当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語がすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であると考えればよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後に、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／または、インスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示物を上記のような基板処理ツールおよびその他の基板処理ツールに適用してもよい。さらに、基板は、例えば、積層ＩＣを作るために、複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語が、既に多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。

[0071] 光学リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィィに使用してもよく、さらに状況が許すのであれば、光学リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せを適用することによってレジストを硬化させる。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。

[0072] 本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍまたはその辺りの波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。

[0073] 「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光学コンポーネントを含む様々な種類の光学コンポーネントのどれか１つまたは組合せを指すことができる。

[0074] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実行することも可能である。例えば、本発明は、上述の方法を表す１つ以上の機械読取り可能な指示のシーケンスを含むコンピュータプログラム、または、そのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。

[0075] 上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えることもできる。

[0032]本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す。 [0033]本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置の一部を概略的に示す。 [0034]本発明に係るリソグラフィ装置の一実施形態の一部を概略的に示す。 [0035]図３の実施形態の一部を、矢印Ａに沿って概略的に示す。 [0036]本発明に係るリソグラフィ装置の一実施形態の一部を概略的に示す。 [0037]本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置の一部を概略的に示す。 [0038]図７は、本発明の一実施形態の一部に係る小板を概略的に示す。

Claims (20)

1. 実質的に発光点から発光される放射ビームを調整するように構成された照明システムを備えており、
   前記照明システムは、汚染物トラップシステムを備え、
   前記トラップシステムは、中心ゾーンと周辺ゾーンとを有する汚染物トラップを備え、
   前記トラップは、前記中心ゾーン側から、前記中心ゾーンから遠ざかる外側へと、前記周辺ゾーン内部において延在する複数の小板を備え、
   前記小板の各々は、前記発光点を実質的に通って延在する仮想面に重なり、そして前記小板の各々は、前記中心ゾーンに向けられたコンポーネントを有する法線を備える、
   リソグラフィ装置。
2. 前記中心ゾーンは回転軸を備え、回転軸を中心に前記複数の小板が回転可能であり、回転軸は、前記発光点を実質的に通って延在する仮想線に重なる、
   請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 前記汚染物トラップには、該トラップを回転させるための駆動機構が設けられている、
   請求項２に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記駆動機構は前記中心ゾーンの外に位置する、
   請求項３に記載のリソグラフィ装置。
5. 前記トラップシステムは複数の汚染物トラップを備える、
   請求項１に記載のリソグラフィ装置。
6. 前記複数の小板は前記中心ゾーンに対して回転対称性を有する、
   請求項１に記載のリソグラフィ装置。
7. 前記トラップシステムは、複数の小板を有する第１汚染物トラップと、複数の小板を有する第２汚染物トラップと、を備え、第１および第２汚染物トラップは、前記発光点から発光されるいくらかの光が第１および第２汚染物トラップを通って伝播できるように、位置合わせされており、第１汚染物トラップは、第２汚染物トラップに対して、前記発光点を通って実質的に延在する仮想線を中心に回転できる、
   請求項１に記載のリソグラフィ装置。
8. 前記第１および第２汚染物トラップの一方の前記小板は、前記第１および第２汚染物トラップの他方の前記小板と数および／角分布の点で異なり、それによって、いずれの回転位置においても、前記第１および第２汚染物トラップの一方の１つ以上の前記小板が、前記第１および第２汚染物トラップの他方を通過した放射を遮断できる、
   請求項７に記載のリソグラフィ装置。
9. 前記放射ビームの断面にパターンを付けてパターン付き放射ビームを形成できるパターニングデバイスをさらに備えており、
   前記照明システムはさらに、前記パターニングデバイスの上流においての前記放射ビームの非均一性を低減するように構成されている、
   請求項７に記載のリソグラフィ装置。
10. 前記第１および第２汚染物トラップは、使用中、前記放射ビームが両前記汚染物トラップを出る際に前記放射ビーム内に実質的に所定の非均一性が存在するように構成されており、前記照明システムには、反射素子の第１セットと、反射素子の第２セットと、が設けられており、第１セットの各反射素子は、両前記汚染物トラップの下流においての前記放射ビームの一部を第２セットの反射素子に反射するように構成され、第２セットの各反射素子は、前記放射ビームをさらに前記パターニングデバイスへの光学経路に反射するように構成され、各反射素子が所定の位置および形状を有することによって、使用中、前記放射ビーム内の前記所定の非均一性を低減できる、
    請求項９に記載のリソグラフィ装置。
11. 前記小板の各々は、ヒンジ軸にて中央支持構造にヒンジ連結されており、各ヒンジ軸は、対応する小板が真っ直ぐな平面状である場合に、ヒンジ軸と重なる仮想線が前記発光点を通って延在するように、配向されている、
    請求項１に記載のリソグラフィ装置。
12. 前記小板の各々はスロットを備え、各スロットは、対応する小板が真っ直ぐな平面状である場合に、スロットの長手方向と重なる仮想線が前記発光点を通って延在するように、配向されている、
    請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
13. リソグラフィ装置の照明システム内で使用する汚染物トラップシステムであって、
    中心ゾーンと周辺ゾーンとを有する汚染物トラップを備えており、
    前記トラップは、前記中心ゾーン側から、前記中心ゾーンから遠ざかる外側へと、前記周辺ゾーン内部において延在する複数の小板を備え、
    前記小板の各々は、前記中心ゾーンに向けられたコンポーネントを有する法線を備え、
    前記複数の小板は、それらと重なるすべての仮想面が、前記トラップの外で、リソグラフィ装置の発光点に対応するよう意図された所定の点において交わるように、配向されている、
    汚染物トラップシステム。
14. 前記中心ゾーンは回転軸を備え、回転軸を中心に前記複数の小板が回転可能であり、回転軸は、実質的に前記所定の点を通って延在する仮想線と重なる、
    請求項１３に記載の汚染物トラップシステム。
15. 前記汚染物トラップには、該トラップを回転させるための駆動機構が設けられている、
    請求項１４に記載の汚染物トラップシステム。
16. 前記駆動機構は前記中心ゾーンの外に位置する、
    請求項１５に記載の汚染物トラップシステム。
17. 複数の汚染物トラップを備える、
    請求項１３に記載の汚染物トラップシステム。
18. 前記複数の小板は前記中心ゾーンに対して回転対称性を有する、
    請求項１３に記載の汚染物トラップシステム。
19. 複数の小板を有する第１汚染物トラップと、複数の小板を有する第２汚染物トラップと、を備えており、
    両汚染物トラップは、使用中、前記所定の点から発光されるいくらかの光が両汚染物トラップを通って伝播できるように、位置合わせされており、第１汚染物トラップは、第２汚染物トラップに対して、前記所定の点を通って実質的に延在する仮想線を中心に回転できる、
    請求項１３に記載の汚染物トラップシステム。
20. 照明システムを使用して、発光点から実質的に発光される放射ビームを調整する工程と、
    中心ゾーンと周辺ゾーンとを有する汚染物トラップを備えるトラップシステムを使用して、前記照明システム内の汚染粒子をトラップする工程であって、前記トラップは、前記中心ゾーン側から、前記中心ゾーンから遠ざかる外側へと、前記周辺ゾーン内部において延在する複数の小板を備え、前記小板の各々は、前記中心ゾーンに向けられたコンポーネントを有する法線を備え、前記複数の小板は、それらと重なるすべての面が、前記トラップの外で、前記照明システムの発光点と実質的に一致する実質的に所定の点において交わるように、配向されている、工程と、を備える、
    デバイス製造方法。

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