KR20100085045A - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 투영하도록 구성된 리소그래피 장치가 개시된다. 상기 리소그래피 장치는 조명 시스템(IL); 및 상기 조명 시스템(IL)의 내측 벽(64)과 외측 벽(62) 사이, 또는 방사선 소스(SO)가 존재하는 경우, 조명 시스템(IL)의 내측 벽(64)과 방사선 소스(SO)의 내측 벽(62) 사이로부터 가스를 펌핑하는 펌핑 시스템(78)에 연결된 유출구를 포함한다.

Description

리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 리소그래피 장치에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 한 개 또는 수 개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트) 층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다.
리소그래피는 IC 및 다른 디바이스들 및/또는 구조체들을 제조하는데 있어서 핵심 단계들 중 하나로서 널리 인식되어 있다. 하지만, 리소그래피를 이용하여 만들어진 피처들의 치수들이 더 작아짐에 따라, 리소그래피는 소형 IC 또는 다른 디바이스들 및/또는 구조체들이 제조될 수 있게 하는 더 결정적인 인자가 되고 있다.
패턴 프린팅의 한계들의 이론적 추정은 방정식 (1)로 나타낸 바와 같은 분해능에 대한 레일리 기준(Rayleigh criterion)에 의해 설명될 수 있다:
Figure pct00001
(1)
여기서, λ는 사용되는 방사선의 파장이고, NAPS는 패턴을 프린트하는데 사용된 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)이며, k1은 레일리 상수라고도 칭하는 공정 의존성 조정 인자이고, CD는 프린트된 피처의 피처 크기(또는 임계 치수)이다. 방정식 (1)에 따르면, 피처들의 프린트가능한 최소 크기의 감소는 세 가지 방식으로: 노광 파장 λ를 단축시킴으로써, 개구수 NAPS를 증가시킴으로써, 또는 k1의 값을 감소시킴으로써 얻어질 수 있다.
노광 파장을 단축시키고, 이에 따라 프린트가능한 최소 피치를 감소시키기 위해, 극자외(EUV) 방사선 소스를 사용하는 것이 제안되었다. EUV 방사선 소스는 약 13 nm의 방사선 파장을 출력하도록 구성된다. 따라서, EUV 방사선 소스는 작은 피처들의 프린팅을 달성하는데 있어서 상당히 좋은 수단이 될 수 있다. 이러한 방사선은 극자외선 또는 소프트(soft) x-레이라 칭하며, 가능한 소스들로는 예를 들어 레이저-생성 플라즈마 소스(LPP 소스), 방전 플라즈마 소스(DPP 소스), 또는 전자 저장 링들로부터의 싱크로트론 방사선(synchrotron radiation)을 포함한다.
몇몇 타입의 EUV 방사선 소스들, 예를 들어 LPP 소스는 EUV 방사선과 함께 오염을 생성한다. 몇몇 LPP 소스들은 분자 및/또는 산성 형태로 HF, HCl, HBr 또는 HI와 같은 화학제를 생성하는 것으로 알려졌다. 일반적으로, 리소그래피 장치, 또는 - 방사선 소스가 리소그래피 장치의 일부분인 경우 - 리소그래피 장치 내의 또 다른 부분의 압력에 비해 EUV 방사선 소스의 압력이 높기 때문에, 리소그래피 장치의 일부분과 함께 사용되는 조명 시스템에 오염물이 들어가게 될 것이며, 상기 조명 시스템을 오염시킬 것이다.
예를 들어, 조명 시스템 또는 다른 구조체들의 소스-생성된 오염을 제거하거나 감소시키는 것이 바람직하다.
일 실시형태에 따르면, 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 투영하도록 구성된 리소그래피 장치가 제공되고, 상기 장치는:
방사선 소스로부터 방사선을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템 - 상기 조명 시스템은 상기 방사선 소스로부터 멀리 있는 내측 벽, 및 상기 방사선 소스를 향해 있는 외측 벽을 가지며, 상기 내측 및 외측 벽들은 상기 방사선 소스로부터의 방사선이 상기 조명 시스템 안으로 통과하게 하는 어퍼처(aperture)를 가짐 - ;
상기 어퍼처에 또는 그 부근에 위치되고, 그리고 상기 조명 시스템의 상기 내측 벽과 상기 외측 벽 사이에 위치되거나, 또는 상기 리소그래피 장치가 상기 방사선 소스를 포함하는 경우에 상기 조명 시스템의 상기 내측 벽과 상기 방사선 소스를 향해 있는 상기 방사선 소스의 내측 벽 사이에 또한 상기 조명 시스템의 상기 내측 벽에 인접하게 위치된 유출구;
상기 유출구를 통해 상기 방사선 소스 및/또는 상기 조명 시스템으로부터 가스를 펌핑하도록 구성된 펌핑 시스템; 및
상기 패터닝 디바이스를 유지하도록 구성된 지지 구조체 - 상기 패터닝 디바이스는 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 상기 방사선의 단면에 패턴을 부여할 수 있음 - 를 포함한다.
일 실시형태에 따르면, 방사선을 방출하도록 구성된 방사선 소스가 제공되고, 상기 소스는:
연료 액체(fuel liquid)의 액적(droplet)들을 생성하도록 구성된 액적 생성기;
레이저 빔을 생성하도록 구성된 레이저 - 상기 레이저는 점화 위치에서 상기 액적 생성기에 의해 생성된 상기 액적들을 때리기 위해 상기 레이저 빔을 지향시키도록 구성됨 - ;
상기 점화 위치가 위치하는 소스 챔버 - 상기 소스 챔버는 상기 방사선 소스로부터 상기 방사선을 통과시키도록 어퍼처를 갖는 내측 벽을 가짐 - ;
상기 어퍼처에 또는 그 부근에 위치되고 상기 내측 벽 외부에 위치된 유출구; 및
상기 유출구를 통해 상기 방사선 소스로부터 가스를 펌핑하도록 구성된 펌핑 시스템을 포함한다.
일 실시형태에 따르면, 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 투영하도록 구성된 리소그래피 장치가 제공되고, 상기 리소그래피 장치는:
방사선 소스로부터 방사선을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템 - 상기 조명 시스템은 상기 방사선 소스로부터의 방사선이 상기 조명 시스템 안으로 통과하게 하는 어퍼처를 갖는 벽을 가짐 - ;
오염 입자들이 상기 방사선의 방향으로 상기 어퍼처를 통과하는 것을 방지하는 가스 유동을 제공하도록 구성된 억제 유동 시스템 - 상기 억제 유동 시스템은 상기 유동에 대해 횡(transverse) 방향으로 유동 균질성을 향상시키도록 구성된 유동 분배 구조체를 포함함 - ; 및
상기 패터닝 디바이스를 유지하도록 구성된 지지 구조체 - 상기 패터닝 디바이스는 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 상기 방사선의 단면에 패턴을 부여할 수 있음 - 를 포함한다. 상기 유동은 H2, He, Ne, Kr 및 Ar로 구성된 그룹으로부터 1 이상의 가스들을 포함할 수 있다.
이하 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
- 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한 도면;
- 도 2는 도 1의 일 실시예에 따른 리소그래피 투영 장치의 EUV 조명 시스템 및 투영 광학기의 개략적 측면도;
- 도 3a 및 도 3b는 레이저-생성 플라즈마 소스의 셋-업(set-up)을 개략적으로 도시한 도면;
- 도 4는 도 1의 리소그래피 장치의 일루미네이터와 방사선 시스템 간의 계면을 개략적을 도시한 도면;
- 도 5는 도 1의 리소그래피 장치의 방사선 시스템, 일루미네이터 및 펌핑 시스템을 개략적으로 도시한 도면;
- 도 6은 도 4의 개면을 개략적으로 도시한 도면;
- 도 7은 사전설정된 파라미터들을 변화시킬 때,
Figure pct00002
수(number) 및 소스 압력의 상대 차이의 추정(estimate)에 대한 결과들을 도시한 도면;
- 도 8 내지 도 11은 도 4의 계면의 또 다른 실시예들을 개략적으로 도시한 도면; 및
- 도 12는 도 5의 방사선 시스템, 일루미네이터 및 펌핑 시스템에 대한 변형예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는:
- 방사선 빔(B)(예를 들어, EUV 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL);
- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);
- 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및
- 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 반사 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다.
"패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
"투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한 타입의 투영 시스템을 포괄할 수 있다. EUV 또는 전자 빔 방사선에 대해 진공을 사용하는 것이 바람직할 수 있는데, 이는 가스가 너무 많은 방사선 또는 전자들을 흡수할 수 있기 때문이다. 그러므로, 진공 벽 및 1 이상의 진공 펌프들의 도움으로, 전체 빔 경로에 진공 환경이 제공될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 패터닝 디바이스 지지 구조체)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블들 및/또는 지지 구조체들이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블들 및/또는 지지 구조체들이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블들 및/또는 지지 구조체들에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)(도 1에 도시되지 않음)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN)(도 1에 도시되지 않음) 및 콘덴서(CO)(도 1에 도시되지 않음)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)로부터 반사된 후, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 이는 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(IF1)는 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다.
2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다.
3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다. 또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
도 2는 방사선 시스템(42), 조명 시스템(44) 및 투영 시스템(PS)을 포함하는 투영 장치(1)를 더 상세하게 나타낸다. 방사선 시스템(42)은 방전 플라즈마일 수 있는 방사선 소스(SO)를 포함한다. EUV 방사선은, 전자기 스펙트럼의 EUV 범위 내의 방사선을 방출하도록 초고온 플라즈마(very hot plasma)가 생성되는 가스 또는 증기, 예를 들어 Xe 가스, Li 증기 또는 Sn 증기에 의해 생성될 수 있다. 상기 초고온 플라즈마는, 예를 들어 전기 방전에 의해 전체적으로 또는 부분적으로 이온화된 플라즈마를 유도함으로써 생성된다. 방사선의 효율적인 생성을 위해, Xe, Li, Sn 증기 또는 여하한의 다른 적절한 가스 또는 증기의, 예를 들어 10 Pa의 분압(partial pressure)이 요구될 수 있다. 일 실시예에서, EUV 소스로서 Xe, Li 또는 Sn 소스가 적용된다. 전체적으로 또는 부분적으로 이온화된 플라즈마는 적절한 레이저 빔으로, 예를 들어 Sn을 때림으로써 생성될 수 있다. 이러한 실시예에서는, 방사선의 효율적인 생성을 위해, 1200 ℃의 온도에서 Xe, Li 또는 Sn 증기, 또는 여타의 적절한 가스 또는 증기의, 예를 들어 0.75 Pa의 분압이 요구될 수 있다. 방사선 소스(SO)에 의해 방출된 방사선은, 소스 챔버(47) 내의 개구부 내에 또는 그 뒤에 위치되는 선택적인 오염물 방벽(49)을 통해, 소스 챔버(47)로부터 컬렉터 챔버(48) 내로 통과된다. 상기 오염물 방벽(49)은 채널 구조체를 포함할 수 있다. 오염물 방벽(49)은 추가적으로 또는 대안적으로 가스 방벽을 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에 나타낸 오염물 방벽(49)은 해당 기술 분야에 알려진 바와 같이, 적어도 채널 구조체를 포함한다.
컬렉터 챔버(48)는 그레이징 입사 컬렉터(grazing incidence collector)일 수 있는 방사선 컬렉터(50)(본 명세서에서 컬렉터 거울이라고도 지칭됨)를 포함한다. 방사선 컬렉터(50)는 상류 방사선 컬렉터 측(50a) 및 하류 방사선 컬렉터 측(50b)을 갖는다. 컬렉터(50)에 의해 통과된 방사선은 컬렉터 챔버(48) 내의 어퍼처에서 가상 소스 지점(52)으로서 칭해지는 초점에 포커스되도록 격자 스펙트럼 필터(grating spectral filter: 51)로부터 반사될 수 있다. 컬렉터 챔버(48)로부터, 방사선 빔(56)은 조명 시스템(44) 내에서 수직 입사 반사 요소들(53 및 54)을 통해 레티클 또는 마스크 테이블(MT) 상에 위치된 레티클 또는 마스크 상으로 반사된다. 패터닝된 빔(57)이 형성되며, 이는 투영 시스템(PS)에서 반사 요소들(58 및 59)을 통해 기판 테이블(WT) 상에 이미징된다. 조명 시스템(44) 및/또는 투영 시스템(PS) 내에는 도시된 것보다 더 많은 요소들이 존재할 수 있다. 격자 스펙트럼 필터(51)는 리소그래피 장치의 형태에 따라 선택적으로 존재할 수 있다. 또한, 상기 도면들에 도시된 것보다 더 많은 반사 요소들이 존재할 수 있으며, 예를 들어 투영 시스템 내에는 반사 요소들(58 및 59)보다 1 내지 4 개 더 많은 반사 요소가 존재할 수 있다.
일 실시예에서, 본 명세서에서 더 자세히 설명되는 컬렉터(50)는, 예를 들어 도 2에 개략적으로 도시된 바와 같이, 반사기들(142, 143 및 146)을 갖는 네스티드 컬렉터(nested collector)이며, 본 명세서에서 컬렉터(또는 컬렉터 거울)의 일 예시로서 사용된다. 적용가능하다면, 그레이징 입사 컬렉터인 컬렉터(50)가 일반적으로 컬렉터로서 고려될 수도 있으며, 일 실시예에서는 수직 입사 컬렉터로서 고려될 수도 있다.
컬렉터(50)로서 그레이징 입사 거울 대신에, 도 3a에 나타낸 바와 같이, 수직 입사 컬렉터(50')가 적용될 수 있다. 도 3a에서, 적절한 레이저 빔(LA), 예를 들어 CO2 레이저(LA)로, 액적 생성기(51)를 이용하여 공급된 Sn을 때림으로써, 플라즈마가 생성된다. 이러한 구성은 통상적으로 레이저 생성 플라즈마(LPP) 소스(SO)로서 알려져 있다. LPP 소스(SO)와 조합하여 수직 입사 컬렉터(140)가 사용되는 것이 바람직하다.
도 3b는 도 3a와 동일한 일반적인 구성을 나타낸다. 하지만, 도 3b에서는, 도 2를 참조하여 개시된 오염물 방벽(49)과 유사한 오염물 방벽(49)이 도시된다.
도 2에 개략적으로 도시된 바와 같은 격자 스펙트럼 필터(51)에 대해 추가적으로 또는 대안적으로, 투과성 광학 필터가 적용될 수 있거나, 일 실시예에서는 필터가 사용되지 않을 수도 있다. EUV에 대해 투과적이고, UV 방사선에 대해서는 덜 투과적이거나 오히려 실질적으로 이를 흡수하는 광학 필터들이 당업계에 알려져 있다. 본 명세서에서는 "격자 스펙트럼 필터"가 격자 또는 투과성 필터들을 포함하는 "스펙트럼 필터"로도 지칭된다. 도 2에 도시되지 않았지만, 선택적인 광학 요소로서, 예를 들어 컬렉터(50)의 상류에 배치된 EUV 투과성 광학 필터들, 또는 조명 시스템(44) 및/또는 투영 시스템(PS) 내의 광학 EUV 투과성 필터들이 포함될 수 있다.
도 4는 리소그래피 장치(1)의 일 실시예의 일루미네이터(IL) 및 소스(SO)의 일부분들 사이의 계면(60)을 나타낸다. 상기 계면(60)은 방사선 시스템(42)의 내측 벽(62) 및 일루미네이터(IL)의 내측 벽(64)을 포함한다. 이해할 수 있는 바와 같이, 방사선 시스템(42)의 내측 벽(62)은 일루미네이터(IL)의 외측 벽일 수 있거나, 일루미네이터(IL)의 내측 벽(64)은 방사선 시스템(42)의 외측 벽일 수 있다. 도 4에 도시된 실시예의 경우와 같이, 가상 소스 지점(52) 근처의 상기 벽(62)의 일부분이 가상 소스 지점(52)을 향하는 방향으로 테이퍼(taper)질 수 있다. 상기 벽(62)의 일부분은 원뿔형일 수 있다. 또한, 가상 소스 지점(52) 근처의 일루미네이터(IL)의 벽(64)의 일부분이 가상 소스 지점(52)을 향하는 방향으로 테이퍼질 수 있다(도 4 참조). 또한, 상기 벽(64)의 일부분도 원뿔형일 수 있다. 이 실시예에서는, 상기 벽(62)의 일부분과 상기 벽(64)의 일부분 둘 모두가 가상 소스 지점(52)의 0.15 m의 반경 내에 있다. 상기 벽(64)의 일부분은 가상 소스 지점(52)의 0.10 m의 반경 내에 있다. 도 4에서, 상기 원뿔형 부분들은 관형 부분(tubular part: 65)에 의해 서로 연결된다.
리소그래피 장치(1)가 작동 중일 때, 방사선 시스템(42) 내의 압력은 통상적으로 약 40 Pa일 수 있는 한편, 일루미네이터(IL) 내의 압력은 약 3 Pa일 수 있다. 방사선 시스템(42)과 일루미네이터(IL) 간의 압력 차이로 인해, 오염 입자들, 특히 HF, HCL, HBr 또는 HI와 같은 화학제가 일루미네이터(IL)에 들어갈 수 있으며, 수직 입사 반사기들(53, 54)과 같은 조명 광학기를 오염시킬 수 있다.
오염을 억제하기 위해, 계면(60)에 가스 공급부(66)와 같은 억제 유동 시스템이 제공될 수 있다. 상기 가스 공급부(66)는 오염 입자들이 계면(60)을 통해 방사선 빔의 방향으로 통과하는 것을 방지하도록 돕기 위해, 바람직하게는 가상 소스 지점(52) 근처의 일 위치에 가스 유동(68)을 제공하도록 구성된다. 상기 가스 유동은 H2, He, Ne, Ar 및 Kr로 구성된 그룹으로부터 선택된 1 이상의 가스들을 포함할 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 1 이상의 다른 적절한 가스들이 사용될 수도 있다. 일 실시예에서, 상기 가스 유동은 실질적으로 H2로 구성되는데, 이는 H2가 He, Ne, Ar 및 Kr보다 EUV 방사선을 더 적게 흡수하기 때문이다.
방사선 시스템(42) 및 일루미네이터(IL)를 적절한 압력으로 유지하기 위해, 도 5에 도시된 바와 같이 펌핑 시스템(70)이 제공된다. 도 5에는 4 개의 펌프들을 포함하는 펌프 시스템이 도시되어 있다. 하지만, 더 적거나 더 많은 펌프들이 제공될 수 있다. 이 실시예에서, 2 개의 펌프들(72, 74)은 방사선 시스템(42)에서 가스를 펌핑하는데, 펌프(76)는 일루미네이터에서 가스를 펌핑하고, 펌프(78)는 계면(60)[예를 들어, 가상 소스 지점(52)]에 또는 그 부근에 위치된 가스를 펌핑한다. 이 예시에서, 펌프(78)는 별도의 관형 구조체(79)를 통해 가스를 펌핑한다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 관형 구조체(79)의 유출구는 벽(64)과 벽(62) 사이에 위치된다. 그러므로, 예를 들어 상기 유출구는 방사선 소스로부터 멀리 있는 조명 시스템의 내측 벽(64)과 방사선 소스를 향해 있는 조명 시스템의 외측 벽(62) 사이, 또는 방사선 소스의 내측 벽(62)과 방사선 소스로부터 멀리 있는 방사선 소스의 외측 벽(64) 사이에 위치될 수 있으며, 또는 방사선 소스와 조명 시스템 둘 모두에 존재한다면, 조명 시스템의 내측 벽(64)과 방사선 소스의 내측 벽(62) 사이에 위치될 수 있다. 따라서, 소스(SO)를 포함하는 방사선 시스템(42) 및 일루미네이터로부터 가스가 펌핑된다. 계면에서의 펌프 용량(pump capacity)은 방사선 시스템의 압력 사양(pressure specification)을 완화시킨다. 예를 들어, 일 구성에서는 계면(60)에 작은 터보 펌프 하나를 추가함으로써, 소스(SO)에서 4 개의 큰 송풍기(blower)들을 절약할 수 있을 것이다.
플라즈마로부터 계면(60) 또는 가상 소스 지점(52)으로 가스 부하를 완화시키도록 돕기 위해, 방사선 소스(SO)와 계면(60) 또는 가상 소스 지점(52) 사이의 방사선 시스템(42) 내에 오염물 트랩(예를 들어, 정지한 포일 트랩)(80)이 포함될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 이와 유사하게 가스 통과를 제한하도록 돕기 위해, EUV 방사선에 실질적으로 투명한 또 다른 구조체가 사용될 수도 있다. 이러한 구조체는, 오염물 트랩(82)과 유사하게, 통상적으로 소스(SO)와 계면(60) 또는 가상 소스 지점(52) 사이에 위치될 것이다.
도 6은 도 4와 유사한 도면이다. 하지만, 도 6에서는 소위 외측 NA를 정의하는 각도(
Figure pct00003
), 관형 부분(65)의 직경(DIF), 가상 소스 지점(52)과 상기 가상 소스 지점(52)의 소스 측에서의 원뿔의 최상부 간의 거리(Ltop source cone IF), 그리고 가상 소스 지점(52)과 상기 가상 소스 지점의 소스 측에서의 원뿔의 기저(base) 간의 거리(Lbase source cone IF)와 같은 몇몇 치수들이 나타나 있다.
표 1은 예시적인 치수들 및 다른 파라미터들을 나타낸다. 표 1에서, Qcount는 억제 억류이며, 또한 도 6에 나타나 있다. SIF는 펌프(78)의 펌핑 속도이고, PIF는 가상 소스 지점(52)에서의 또는 그 부근에서의 압력이며, PIL은 일루미네이터(IL)의 압력이고, T는 온도이며, Ltop illuminator cone IF는 가상 소스 지점(52)과 상기 가상 소스 지점(52)의 일루미네이터 측에서의 원뿔의 최상부 간의 거리이고, Lbase illuminator cone IF는 가상 소스 지점(52)과 상기 가상 소스 지점의 일루미네이터 측에서의 원뿔의 기저 간의 거리이며, Cilluminator cone, CIF, Csource cone은 각각 일루미네이터-측 벽의 원뿔형 부분, 관형 부분(65), 및 방사선 시스템-측 벽의 원뿔형 부분의 전도도이고, Asource cone은 방사선 시스템-측 벽의 원뿔형 부분의 유효 단면적이며, 외측 NA는
Figure pct00004
인데, 이는 굴절률 η이 단위원(unity)과 거의 같기 때문이다. Ltop illuminator cone IF + Ltop source cone IF
Figure pct00005
D, 또는 Ltop illuminator cone IF + Ltop source cone IF < D인 것이 바람직하다.
Figure pct00006
또한, 다음의 방정식들이 도출될 수 있다:
Figure pct00007
(2)
및
Figure pct00008
(3)
Ps는 소스 압력이고,
Figure pct00009
는 오염 입자들의 질량 확산의 억제량에 대한 척도인 소위
Figure pct00010
수이다. 방정식 (2) 및 (3)을 이용함으로써, 입력 파라미터들 중 하나를 약간 변경할 때, 이를테면 5 % 만큼 증가시킬 때에, 소스 압력(Ps) 및
Figure pct00011
수(
Figure pct00012
)가 어떻게 변화될 것인지가 추정될 수 있다.
상기 결과들은 도 7에 나타나 있다. 가상 소스 지점(52)에서의 또는 그 부근에서의 압력(PIF) 및 펌핑 속력(SIF)의 증가는 소스 압력(Ps)을 증가시킬 것이고,
Figure pct00013
수(
Figure pct00014
)를 감소시킬 것이다. 이를 보상하기 위하여, 억제 억류(Qcount)가 증가되어야 한다. 관형 부분(65)의 직경(DIF)의 감소는 소스 압력(Ps) 및 억제를 증가시킬 것이다.
내측 벽들(62, 64)의 원뿔형 부분들의 가스 유동의 불안정성의 형성을 방지하도록 돕기 위해, 앞서 언급된 억제 유동 시스템은, 가능하게는 공급부(66) 이외에도, 상기 유동에 대해 횡 방향으로 유동 균질성을 향상시키도록 구성되고 배치된 유동 분배 구조체를 포함할 수 있다. 이러한 유동 분배 구조체는 1 이상의 다공성 매질, 체(sieve), 및/또는 여타의 적절한 구성요소 또는 구조체를 포함할 수 있다.
도 8은 가능한 유동 분배 구조체(84)를 도시한다. 공급부(66)에 의해 유동 분배 구조체(84)로 가스가 공급된다. 이 예시에서, 유동 분배 구조체는 균질성, 및 상기 유동에 대한 횡 방향(T)으로의 평활도(smoothness)를 개선시키도록 구성된 노즐들(86)의 세트를 포함한다. 결과적으로, 상기 유동의 적층류(laminarity)가 개선될 수 있다. 상기 유동 분배 구조체(84)를 빠져나갈 때 가스의 불안정성이 생기는 것을 회피하기 위해, 상기 구조체(84)로 공급된 가스는 상기 가스의 음속(velocity of sound)보다 더 낮은 유동 속도를 갖는다. 상기 벽(62)의 원뿔형 부분은, 이 원뿔형 부분에 들어갈 때의 가스의 압력이 이 원뿔형 부분을 빠져나올 때의 가스의 압력과 거의 동일하도록 하기 위해 낮은 유동 저항을 갖도록 구성될 수 있다.
도 10의 예시에서는, 음속 또는 초음속으로 가스를 공급함으로써 확산기 내에 초음속 유동(supersonic flow)이 사용될 수 있다. 이는 대량의 억제를 유도하기 위해 상기 벽(62)의 원뿔형 부분에서 높은 속도를 허용할 수 있다. 또한, 높은 유동 속도는 가능한 오염물들의 통과를 어렵게 하는 충격파를 유도할 수 있다.
도 9는 가능한 유동 분배 구조체(84)의 일 실시예를 도시한다. 상기 벽(62)의 원뿔형 부분은 가상 소스 지점(52)을 향하지 않고, 소스(SO)를 향해 테이퍼진다. 이 예시에서, 유동 분배 구조체(84)에는 상기 소스를 향해 유동을 지향시키는 노즐들(86)의 세트가 제공된다. 상기 노즐들(86)의 세트는 유동 방향에 대해 횡 방향으로 연장된다. 상기 구조체(84)가 확산기인 도 8의 예시에서와 같이, 여기서 유동 분배 구조체(84)의 노즐들의 세트는 상기 유동에 대해 횡 방향(T)으로 균질성 및 평활도를 개선하는데 도움을 준다. 따라서, 상기 유동의 적층류가 개선될 수 있다. 확산기 내의 유속은 가스의 음속보다 더 낮다.
도 10의 실시예에서, 가상 소스 지점(52)에서 소스(SO)를 향해 볼 때, 상기 벽(62)의 단면은 단계식(step-by-step)으로 증가된다. 각각의 단계에서, 한쪽에서는 유동 속력을 보상하고, 다른 한쪽에서는 불안정성의 존재를 최소화하도록 돕기 위해 가스의 유동이 공급된다. 이러한 구성은 소스(SO)를 향해 일정하고 층류인 고속의 유동을 제공할 수 있다. 나아가, 상기 벽(62)을 따른 오염물 확산의 추가적인 억제가 방지될 수 있다.
또 다른 실시예에서는, 도 11에 도시된 바와 같은, 소위 퍼지 후드 구성(purge hood construction)이 제공된다. 이는 평탄한 벽들(62)을 허용할 것이다. 상기 벽들(62)에 다공성 물질이 사용될 수 있으며, 상기 물질은 유동 분배 구조체(84)를 형성한다. 이러한 구성은 유동 분배 구조체(84)를 통한 높은 질량 유동 속도와 낮은 유동 속도를 조합하는 것을 허용한다. 상기 낮은 유동 속도는 상기 유동이 유동 분배 구조체(84)를 떠난 후에 더 빠르게 층류가 되게 하며, 높은 질량 유동 속도는 대량의 억제, 즉 높은
Figure pct00015
수(
Figure pct00016
)를 허용한다.
일반적으로, 상기에 설명된 바와 같은 유동 분배 구조체(84)의 존재는 방사선 시스템(42)과 일루미네이터(IL) 사이의 계면의 더 작은 크기를 허용한다. 억제 유동 시스템은, 방사선 소스로부터 조명 시스템 안으로 방사선을 허용하는 어퍼처에서 또는 그 부근에서 가스를 펌핑하도록 구성된 펌핑 시스템 없이, 상기 유동에 대해 횡 방향으로 유동 균질성을 향상시키도록 구성되고 배치된 유동 분배 구조체를 포함할 수 있다.
상기 리소그래피 장치의 실시예에 대한 변형예가 도 12에 도시된다. 도 12에는, 앞서 언급된 펌프들(72, 74, 76 및 78) 중 하나만이 도시된다. 도 12에 도시된 리소그래피 장치는 방사선 시스템에서 적어도 2 이상의 위치들 간의 온도 차이를 유지하도록 구성된 열 제어 시스템을 포함한다. 이러한 온도 차이를 유지함으로써, 방사선 시스템(42)에서 더 높은 압력을 허용할 수 있다. 도 12의 예시에서, 상기 제어 시스템은 제어기(C), 제 1 온도 센서(88), 제 2 온도 센서(90) 및 열 교환기(92)를 포함한다. 이 예시에서, 제어기(C)는 제 1 온도 센서(88) 및 제 2 온도 센서(90)에 의해 측정된 온도에 기초하여 열 교환기(92)를 활성화하도록 구성된다. 상기 제 1 온도 센서(88)에 의해 측정된 온도는 상기 제 2 온도 센서(90)에 의해 측정된 온도에 비해 낮게 유지되는 것이 바람직하다. 이는, 방사선 시스템(42)의 잔여부의 온도가 양호한 투과를 허용하기 위해 높게 유지되게 하면서, 빠른 이온들을 정지시키도록 소스(SO)와 컬렉터(50') 거울 사이에 비교적 낮은 온도를 허용할 것이다.
상기 원리는 다음의 방정식을 이용하여 이해될 수 있다:
Figure pct00017
(4)
Tr은 극자외선 방사선에 대한 가스의 투과율이고, P는 소정의 흡수 가스의 분압이며, σ는 가스의 흡수 단면이고, L은 투과율이 결정될 방사선 경로의 길이이며, k는 볼츠만 상수(Boltzman constant)이고, T는 온도이다. 방정식 (4)로부터, 투과율은 P 자체보다 오히려 P/T 비율에 본질적으로 의존한다는 것을 알 수 있다. 그러므로, 방사선 시스템(42) 내의 소정 위치들 사이에 소정 온도 차이를 유지함으로써, 높은 압력이 바람직할 수 있는 위치들에서 비교적 높은 압력을 허용하면서, 소스(SO)에 의해 방출된 방사선의 광학 경로를 따른 전체 투과율이 적절한 레벨로 유지될 수 있다.
따라서, 소스(SO)와 컬렉터(50') 사이의 낮은 레벨에서 온도가 유지될 때, 높은 온도를 이용하여 높은 압력이 보상되는 제 2 온도 센서(90)의 부근에서 투과율의 손실이 보상되는 한편, 높은 압력은 빠른 이온들을 정지시키는데 도움을 줄 것이다.
이러한 제어 시스템은 방사선 소스로부터 조명 시스템으로 방사선을 허용하는 어퍼처에서 또는 그 부근에서 가스를 펌핑하도록 구성된 펌핑 시스템의 부재 시에 사용될 수 있다. 열 교환기(92)에 추가하여 또는 그 대신에, 예를 들어 제 2 온도 센서(90) 부근의 일 위치에 열 구조체가 제공될 수도 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 355 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV) 방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV) 방사선뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.

Claims (25)

  1. 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 투영하도록 구성된 리소그래피 장치에 있어서,
    방사선 소스로부터 방사선을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템 - 상기 조명 시스템은 상기 방사선 소스로부터 멀리 있는 내측 벽, 및 상기 방사선 소스를 향해 있는 외측 벽을 가지며, 상기 내측 및 외측 벽들은 상기 방사선 소스로부터의 방사선이 상기 조명 시스템 안으로 통과하게 하는 어퍼처(aperture)를 가짐 - ;
    상기 어퍼처에 또는 그 부근에 위치되고, 그리고 상기 조명 시스템의 상기 내측 벽과 상기 외측 벽 사이에 위치되거나, 또는 상기 리소그래피 장치가 상기 방사선 소스를 포함하는 경우에 상기 조명 시스템의 상기 내측 벽과 상기 방사선 소스를 향해 있는 상기 방사선 소스의 내측 벽 사이에 또한 상기 조명 시스템의 상기 내측 벽에 인접하게 위치된 유출구;
    상기 유출구를 통해 상기 방사선 소스 및/또는 상기 조명 시스템으로부터 가스를 펌핑하도록 구성된 펌핑 시스템; 및
    상기 패터닝 디바이스를 유지하도록 구성된 지지 구조체 - 상기 패터닝 디바이스는 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 상기 방사선의 단면에 패턴을 부여할 수 있음 - 를 포함하는 리소그래피 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유출구는 상기 방사선의 초점에 또는 그 부근에 위치되는 리소그래피 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 방사선 소스, 및 상기 방사선 소스에 의해 방출된 방사선을 초점에 포커스하도록 구성된 컬렉터를 더 포함하는 리소그래피 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 조명 시스템의 상기 외측 벽의 일부분, 또는 상기 리소그래피 장치가 방사선 소스를 포함하는 경우에 상기 방사선 소스의 상기 내측벽의 일 부분은, 초점을 향하는 방향으로 테이퍼(taper)지는 리소그래피 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 부분은 원뿔형인 리소그래피 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 테이퍼진 부분은 상기 초점의 0.15 m의 반경 내에 있는 리소그래피 장치.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 유출구는 상기 부분을 통해 연장되는 리소그래피 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    오염 입자들이 상기 방사선의 방향으로 상기 어퍼처를 통과하는 것을 방지하는 것을 돕기 위해, 가스 유동을 제공하도록 구성된 억제 유동 시스템을 더 포함하는 리소그래피 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 가스 유동은 H2, He, Ne, Kr 및 Ar로 구성된 그룹으로부터 선택된 1 이상의 가스들을 포함하는 리소그래피 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 억제 유동 시스템은 상기 유동에 대해 횡(transverse) 방향으로 유동 균질성을 향상시키도록 구성되고 배치된 유동 분배 구조체를 포함하는 리소그래피 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 및
    상기 기판의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 더 포함하는 리소그래피 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 조명 시스템의 상기 내측 벽의 일 부분은 상기 방사선의 초점을 향하는 방향으로 테이퍼지는 리소그래피 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 조명 시스템의 상기 내측 벽의 상기 부분은 원뿔형인 리소그래피 장치.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 내측 벽의 상기 테이퍼진 부분은 상기 초점의 0.15 m의 반경 내에 있는 리소그래피 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 내측 벽의 상기 테이퍼진 부분은 상기 초점의 0.10 m의 반경 내에 있는 리소그래피 장치.
  16. 제 12 항에 있어서,
    상기 유출구는 상기 조명 시스템의 상기 내측 벽의 상기 부분을 통해 연장되는 리소그래피 장치.
  17. 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 투영하도록 구성된 리소그래피 장치에 있어서,
    방사선 소스로부터 방사선을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템 - 상기 조명 시스템은 상기 방사선 소스로부터의 방사선이 상기 조명 시스템 안으로 통과하게 하는 어퍼처를 갖는 벽을 가짐 - ;
    오염 입자들이 상기 방사선의 방향으로 상기 어퍼처를 통과하는 것을 방지하는 것을 돕기 위해, 가스 유동을 제공하도록 구성된 억제 유동 시스템 - 상기 억제 유동 시스템은 상기 유동에 대해 횡 방향으로 유동 균질성을 향상시키도록 구성된 유동 분배 구조체를 포함함 - ; 및
    상기 패터닝 디바이스를 유지하도록 구성된 지지 구조체 - 상기 패터닝 디바이스는 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 상기 방사선의 단면에 패턴을 부여할 수 있음 - 를 포함하는 리소그래피 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 가스 유동은 H2, He, Ne, Kr 및 Ar로 구성된 그룹으로부터 1 이상의 가스들을 포함하는 리소그래피 장치.
  19. 방사선을 방출하도록 구성된 방사선 소스에 있어서,
    연료 액체(fuel liquid)의 액적(droplet)들을 생성하도록 구성된 액적 생성기;
    레이저 빔을 생성하도록 구성된 레이저 - 상기 레이저는 점화 위치에서 상기 액적 생성기에 의해 생성된 상기 액적들을 때리기 위해 상기 레이저 빔을 지향시키도록 구성됨 - ;
    상기 점화 위치가 위치하는 소스 챔버 - 상기 소스 챔버는 상기 방사선 소스로부터 상기 방사선을 통과시키도록 어퍼처를 갖는 내측 벽을 가짐 - ;
    상기 어퍼처에 또는 그 부근에 위치되고 상기 내측 벽 외부에 위치된 유출구; 및
    상기 유출구를 통해 상기 방사선 소스로부터 가스를 펌핑하도록 구성된 펌핑 시스템을 포함하는 방사선 소스.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 유출구는 상기 방사선의 초점에 또는 그 부근에 위치되는 방사선 소스.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 내측 벽의 일 부분은 상기 방사선의 초점을 향하는 방향으로 테이퍼지는 방사선 소스.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 내측 벽의 상기 부분은 원뿔형인 방사선 소스.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 소스 챔버는 상기 내측 벽과 대향하는 외측 벽을 포함하고, 상기 외측 벽의 일 부분은 상기 방사선의 초점을 향하는 방향으로 테이퍼지는 방사선 소스.
  24. 제 19 항에 있어서,
    오염 입자들이 상기 방사선의 방향으로 상기 어퍼처를 통과하는 것을 방지하는 것을 돕기 위해, 가스 유동을 제공하도록 구성된 억제 유동 시스템을 더 포함하고, 상기 가스 유동은 H2, He, Ne, Kr 및 Ar로 구성된 그룹으로부터 선택된 1 이상의 가스들을 포함하는 방사선 소스.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 억제 유동 시스템은 상기 유동에 대해 횡 방향으로 유동 균질성을 향상시키도록 구성되고 배치된 유동 분배 구조체를 포함하는 방사선 소스.
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