JP5055310B2 - リソグラフィ機器、放射システム、汚染物質トラップ、デバイスの製造方法、及び汚染物質トラップ内で汚染物質を捕らえる方法 - Google Patents
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Description
AR 環状リング
AT 環状チューブ
C 目標部分、ガス注入方向
CG 横切るガスの流れ
CGS 横切るガスの供給システム
Ch チャネル
Col 集光器
CP 汚染粒子
CT 汚染物質トラップ
DS 排出システム
F フォイル、プレート
Fi 内側のフォイル
Fo 外側のフォイル
G ガス
GSS ガス供給システム
ID ガス注入方向
IF1 位置センサ
IF2 位置センサ
IL 照明システム、照明器
MA パターン化装置、マスク
MT 第1支持構造、マスク・テーブル、物体テーブル
M1 マスク位置合わせマーク
M2 マスク位置合わせマーク
O 開口
PB 調整された放射ビーム、投影ビーム
PL 投影システム、投影レンズ
PM 第1位置決め装置
PW 第2位置決め装置
P1 基板位置合わせマーク
P2 基板位置合わせマーク
R 放射
S スロット
SO 供給源
T チューブ
TB 枝管
TF 横断方向のガスの流れ
W 基板
WL 壁
WT 基板テーブル、ウエハ・テーブル、物体テーブル
Claims (15)
- リソグラフィ機器であって、
EUV光パルスを生成する供給源、前記EUV光パルスの経路内に配置された汚染物質トラップ、及び前記供給源によって生成された前記EUV光パルスを調整するように構成された照明システムを備える放射システムと、
前記調整されたEUV光パルスの横断面にパターンを付与するように働くパターン化装置を支持する支持部と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記基板の目標部分に前記パターン化されたEUV光パルスを投影する投影システムとを備え、
前記汚染物質トラップは、前記EUV光パルスの伝播方向にほぼ平行に配置されるチャネルを形成する複数のフォイルを備え、
前記汚染物質トラップは、前記供給源が前記EUV光パルスを放出するのとほぼ同時に前記汚染物質トラップの前記チャネルの少なくとも1つに、ガスのパルスを注入するように構成されたガス供給システムを備える、リソグラフィ機器。 - 前記フォイルの少なくとも1つは、前記ガスを注入するための少なくとも1つの開口を備える、請求項1に記載のリソグラフィ機器。
- 前記ガス供給システム及び前記汚染物質トラップは、前記EUV光パルスの伝播方向に対してほぼ横断する方向と異なる注入方向に前記ガスが注入されるように配置される、請求項1に記載のリソグラフィ機器。
- リソグラフィ機器の放射システム内のEUV光パルスの経路内で使用するのに適した汚染物質トラップであって、前記EUV光パルスの伝播方向にほぼ平行に配置されるチャネルを形成する複数のフォイルを備え、前記EUV光パルスが放出されるのとほぼ同時に、前記汚染物質トラップの前記チャネルの少なくとも1つにガスのパルスを注入するように構成されたガス供給システムを備える、汚染物質トラップ。
- 前記フォイルの少なくとも1つは、前記ガスを注入するための少なくとも1つの開口を備える、請求項4に記載の汚染物質トラップ。
- 前記ガス供給システム及び前記汚染物質トラップは、前記EUV光パルスの伝播方向に対してほぼ横断する方向と異なる注入方向にガスが注入されるように配置される、請求項4に記載の汚染物質トラップ。
- リソグラフィ機器内で使用する調整されたEUV光パルスを提供する放射システムであって、
EUV光パルスを生成する供給源と、
前記EUV光パルスを集光する集光器と、
前記供給源と前記集光器の間に置かれた汚染物質トラップとを備え、前記汚染物質トラップは、前記EUV光パルスの伝播方向にほぼ平行に配置されるチャネルを形成する複数のフォイルを備え、
前記汚染物質トラップは、前記供給源が前記EUV光パルスを放出するのとほぼ同時に前記汚染物質トラップの前記チャネルの少なくとも1つにガスのパルスを注入するように構成されたガス供給システムを備える、放射システム。 - 前記フォイルの少なくとも1つは、前記ガスを注入するための少なくとも1つの開口を備える、請求項7に記載の放射システム。
- 前記ガス供給システム及び前記汚染物質トラップは、前記汚染物質トラップに、前記EUV光パルスの伝播方向に対してほぼ横断する方向と異なる注入方向にガスが注入されるように配置される、請求項7に記載の放射システム。
- デバイスの製造方法であって、
放射源によってEUV光パルスを生成するステップと、
照明システムによって前記EUV光パルスを調整するステップと、
前記放射源が前記EUV光パルスを放出するのとほぼ同時に、前記放射源と前記照明システムの間で前記EUV光パルスの経路内に配設された汚染物質トラップの少なくとも1つのチャネルにガスをパルス状に注入するステップと、
パターン化装置によって、前記調整されたEUV光パルスをパターン化するステップと、
前記パターン化されたEUV光パルスを基板の目標部分に投影するステップとを含み、
前記汚染物質トラップは、前記EUV光パルスの伝播方向にほぼ平行に配置されるチャネルを形成する複数のフォイルを備える、方法。 - 前記EUV光パルスの伝播方向に対してほぼ横断する方向と異なる注入方向に前記ガスを注入するステップをさらに含む、請求項10に記載のデバイスの製造方法。
- 前記注入方向は、前記EUV光パルスの伝播方向の実質的に上流に向かう、請求項10に記載のデバイスの製造方法。
- 放射の経路内に配置された汚染物質トラップ内で汚染物質を捕らえる方法であって、前記汚染物質トラップは、EUV光パルスの伝播方向にほぼ平行に配置されるチャネルを形成する複数のフォイルを備え、前記方法は、前記EUV光パルスが放出されるのとほぼ同時に、前記汚染物質トラップの前記チャネルの少なくとも1つにガスをパルス状に注入するステップを含む、方法。
- 前記EUV光パルスの伝播方向に対してほぼ横断する方向と異なる注入方向に前記ガスを注入するステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。
- 前記注入方向は、前記EUV光パルスの伝播方向の実質的に上流に向かう、請求項13に記載の方法。
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