KR100718742B1 - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 리소그래피 장치는, 사전설정된 파장 또는 사전설정된 파장 범위를 갖는 원하는 방사선 및 다른 파장 또는 파장 범위를 갖는 원하지 않는 방사선을 포함하는 방사선 빔을 전달하도록 구성된 조명시스템; 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하도록 구성된 패터닝 구조체를 지지하도록 구성된 지지구조체; 기판을 잡아주도록 구성된 기판테이블; 및 상기 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부상으로 투영하도록 구성된 투영시스템을 포함하며, 상기 리소그래피 장치의 적어도 일부는, 사용시 상기 원하는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 투과적이며, 상기 원하지 않는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 덜 투과적인 가스를 포함한다.

Description

리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
앞으로 대응되는 참조부호들이 대응되는 부분을 지칭하는 개략적인 첨부도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 설명할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 나타낸 도;
도 2는 도 1에 따른 리소그래피 투영장치의 EUV 조명시스템 및 투영광학기들의 개략적인 측면도;
도 3은 본 발명에 따라 적용될 수 있는 다수의 가스들의 투과율을 개략적으로 나탄내 도;
도 4는 리소그래피 투영장치의 투영광학기들의 또 다른 실시예의 개략적인 측면도이다.
본 발명은 리소그래피 장치, 광학시스템, 예를 들어 리소그래피 장치에서의 방사선 빔의 원하지 않는 방사선 세기를 줄이는 방법, 디바이스 제조방법, 광학시 스템에서의 가스의 사용 및 디바이스에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판의 타겟부상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 상황에서, 마스크와 같은 패터닝구조체가 IC의 개별층에 대응하는 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있으며, 이 패턴은 방사선감응재(레지스트)층을 가지는 기판(예를 들어, 실리콘웨이퍼)상의 (예를 들어, 1 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부상에 묘화(imaging)될 수 있다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 노광되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부상의 전체패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스테퍼, 및 투영빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향 또는 반대 방향으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스캐너를 포함한다.
리소그래피 장치에서, 기판상으로 묘화될 수 있는 피처들의 크기는 투영방사선의 파장에 의하여 제한된다. 보다 높은 디바이스 밀도를 갖는 집적회로를 생산하고 그로 인해 보다 높은 동작 속도를 달성하기 위해서는, 보다 작은 피처들을 묘화시킬 수 있도록 하는 것이 바람직하다. 대부분의 현재의 리소그래피 투영장치들은 수은램프 또는 엑시머 레이저들에 의해 발생된 자외선 광을 채용하지만, 13nm 정도의 보다 짧은 파장의 방사선을 사용하자는 제안이 있어 왔다. 이러한 방사선은 극자외선(EUV) 또는 소프트 x-레이라 불리며, 가능한 소스들로는, 예를 들어 레이저-생성 플라즈마 소스(laser-produced plasma source), 방전 플라즈마 소스 또는 전 자 저장링으로부터의 싱크로트론 방사선이 포함된다.
몇몇 극자외선 소스, 특히 플라즈마 소스들은, 적외선(IR), 가시광선, 자외선(UV) 및 K 자외선(deep ultraviolet;DUV)까지를 포함하는 광범위한 주파수에 걸친 방사선을 방출한다. 이들 원하지 않는 주파수들이 전파되어 조명 및 투영 시스템에 가열 문제들을 야기하여, 차단되지 않을 경우 원하지 않는 레지스트의 노광을 야기할 것이다. 상기 조명 및 투영 시스템들의 다중층 거울들은 원하는 파장, 예를 들어 13nm의 반사를 위해 최적화되지만, 그들은 광학적으로 평탄(flat)하고, IR, 가시광선 및 UV 파장에서 매우 높은 반사율(reflectivities)을 갖는다. 따라서, 소스로부터 투영빔에 대해 상대적으로 좁은 대역폭의 주파수들을 선택하는 것이 바람직하다. 소스가 상대적으로 좁은 방출 라인을 갖는 경우에도, 특히 보다 긴 파장에서 상기 라인으로부터 나온 방사선을 거부(reject)하도록 하는 것이 바람직하다. 이러한 기능을 수행하기 위하여 얇은 멤브레인을 필터로 사용하자는 제안이 있어 왔다. 하지만, 이러한 막은 매우 섬세하고(delicate), 아주 고온, 즉 200-300℃ 이상이 되면, 리소그래피 투영장치에서 필요한 높은 파워 레벨에서 높은 열적 응력과 크랙킹(cracking), 승화 및 산화를 유도한다. 또한, 멤브레인 필터는, 일반적으로 원하는 방사선의 50% 이상을 흡수한다.
EP 1197803은, 리소그래피 투영장치의 방사선 시스템에 격자 스펙트럼 필터(grating spectral filter)가 사용되는 리소그래피 투영장치에 대하여 기술하고 있다. 격자 스펙트럼 필터는, 투영빔을 형성하기 위해 원하는 파장들의 방사선은 통과시키고, 원하지 않는 파장들의 방사선은 편향시키도록 설계된다. 격자 스펙트럼 필터는 실질적으로 원하는 파장들에서 1에 근접한 복소 굴절률(complex refractive index)를 갖는 재료로 형성되고 실리콘 돌출부들을 포함한다{이 구조체는 EUV 방사선에 대해 '비가시성(invisible)'이다}. 상기 돌출부들은 박층(laminar)의 톱니형 프로파일 또는 박층의 구형파 프로파일을 갖는다(각각 EP 1197803의 도 3 및 4 참조).
하지만, EP 1197803의 격자 스펙트럼 필터나, 다른 격자들 또한 원하는 방사선의 반사율에 큰 소실을 야기할 수도 있다. 예를 들어, 방사선 세기의 손실은 50%까지 또는 그 이상에 이를 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 형태는 광학시스템, 예를 들어 리소그래피 장치에 대안의 광학 필터를 제공하는 것으로, 상기 광학 필터는, 예를 들어 원하는 방사선 세기의 손실을 저감시킬 수도 있다. 본 발명의 추가 형태는 광학시스템에서 방사선 빔의 원하지 않는 방사선의 세기를 줄이는 방법 및 디바이스 제조방법을 제공하는 것으로, 예를 들어 원하는 방사선 세기의 손실을 저감시킬 수 있는 광학 필터들이 사용된다.
본 발명에 따르면, 본 발명의 일 실시형태에서는,
리소그래피 장치로서,
- 사전설정된 파장 또는 사전설정된 파장 범위를 갖는 원하는 방사선 및 다른 파장 또는 파장 범위를 갖는 원하지 않는 방사선을 포함하는 방사선을 제공하는 소스;
- 방사선 투영빔을 제공하는 조명시스템;
- 상기 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 역할을 하는 패터닝구조체를 지지하는 지지구조체;
- 기판을 잡아주는 기판테이블; 및
- 상기 패터닝된 빔을 상기 기판의 타겟부상으로 투영하는 투영시스템을 포함하며,
상기 리소그래피 장치의 적어도 일부는, 사용시 상기 원하는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 투과적이며, 상기 원하지 않는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 덜 투과적인 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에서는,
리소그래피 장치로서,
- 사전설정된 파장 또는 사전설정된 파장 범위를 갖는 원하는 방사선 및 다른 파장 또는 파장 범위를 갖는 원하지 않는 방사선을 포함하는 방사선 빔을 전달하도록 구성된 조명시스템;
- 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하도록 구성된 패터닝 구조체를 지지하도록 구성된 지지구조체;
- 기판을 잡아주도록 구성된 기판테이블; 및
- 상기 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부상으로 투영하도록 구성된 투영시스템을 포함하며,
상기 리소그래피 장치의 적어도 일부는, 사용시 상기 원하는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 투과적이며, 상기 원하지 않는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 덜 투과적인 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치가 제공된다.
본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는, (예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚인) 자외(UV)선 및 (예를 들어, 대략 5-20nm 범위의 파장을 갖는) 극자외(EUV)선, 그리고 이온빔 또는 전자빔과 같은 입자빔들을 포함하는 모든 형태의 전자기방사선을 포괄한다. 일반적으로, 대략 780 내지 3000nm(또는 그 이상) 사이의 파장들을 갖는 방사선들은 적외선으로 간주된다. UV는 대략 100 내지 400nm의 파장을 갖는 방사선을 지칭하며; 리소그래피내에서, 그것은 통상적으로 수은 방전 램프(mercury discharge lamp)에 의하여 생성될 수 있는 파장들: G-라인 436nm; H-라인 405nm; I-라인 365nm에도 적용된다. VUV는 진공 UV(즉, 공기에 의하여 흡수되는 UV)이며, 대략 100 내지 200nm의 파장들을 지칭한다. DUV는 K UV이며, 통상적으로 126 내지 248nm와 같이 엑시머 레이저들에 의하여 생성되는 파장들에 대한 리소그래피에 사용된다.
"원하지 않는 방사선" 또는 "원하지 않는 파장"이란 용어는 사용하기로 되어 있는 파장보다 큰(또는 작은) 파장을 갖는 방사선을 지칭한다. 예를 들어, 13.5 nm 정도의 파장(λ)을 갖는 EUV 방사선이 바람직하다면, 대략 10 nm보다 작거나 20nm보다 큰 파장을 갖는 방사선은 바람직하지 않으며, 더욱 바람직하게는, 13nm +/- 2% 정도 범위의 파장을 갖지 않는 방사선은 원하지 않는 방사선이다. 이는, "파장 λ를 갖는 방사선"이란 구가 무한히 작은 대역폭의 λ를 갖는 방사선으로 제한하기 위함이 아니라는 것을 의미하며, 당업자라면 이에 대해서 명백히 이해할 수 있을 것이다. 하나의 특정 파장(λ) 또는 파장들의 범위에 대하여 소정의 광학요소가 디자인될 수도 있으며 소정의 가스가 사용될 수도 있다. "인-밴드(in-band) EUV"라는 용어는 대략 10 nm 내지 16 nm 범위의 파장, 특히 13.5 nm +/- 2% 정도의 범위의 파장을 갖는 EUV 방사선을 지칭하며; 아웃-밴드(out-band) EUV는 인-밴드 EUV에 대한 상기 파장 범위보다 작거나 큰 파장을 갖는 방사선, 예를 들어 x-레이, VUV, DUV, 가시광선 및 IR이 있다.
본 발명의 리소그래피 장치의 한가지 장점은, 예를 들어 EUV 방사선을 적용할 경우, 아웃-밴드 EUV 방사선, VUV 방사선 및 DUV 방사선으로부터 선택된 1이상의 방사선이, 원하는 EUV 방사선(EUV 인-밴드 방사선)보다 상대적으로 많이 감소될 수 있다는 점이다. 이러한 방식으로, 원하지 않는 방사선의 적어도 일부를 필터링 해내는 한편, (EP 1197803의 것과 같은) 종래 기술의 광학 필터의 상태를 이용하는 경우에서 보다 원하는(예를 들어, EUV) 방사선의 적어도 일부의 세기의 손실이 적거나 없도록 하는, 가스성 광학 필터 기능이 제공된다.
특정 실시예에서, 본 발명은, 원하는 방사선이 EUV 방사선을 포함하고, 방사선 빔은 EUV 방사선을 포함하며, 투과성 가스는 EUV 투과성 가스를 포함하는 리소그래피 장치에 관한 것이다. 본 발명의 또 다른 실시예에서, 원하는 방사선은 인-밴드 EUV 방사선을 포함하고; 원하지 않는 방사선은 10 내지 16 nm 이외의 파장을 갖는 모든 방사선(아웃-밴드)이다.
본 발명의 일 실시예에서, 원하는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 투과적이고 원하지 않는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 덜 투과적인 이러한 가스는, 실질적으로 원하지 않는 방사선을 흡수하는 가스이다.
일 실시예에서, 본 발명은 리소그래피 장치에 관한 것으로, 상기 리소그래피 장치의 적어도 일부는 대략 0.1 Pa.m 이상의 EUV 투과성 가스를 포함한다. 본 발명의 또 다른 실시예에서는, 리소그래피 장치의 적어도 일부가 대략 1 Pa.m 정도의 EUV 투과성 가스를 포함하는 리소그래피 장치가 제공되며, 상기 Pa.m은 EUV 투과성 가스를 포함하는 장치의 적어도 일부를 가로지르는 방사선 빔의 길이에 걸쳐 집적된(integrated) 압력이고, 따라서 상기 길이는 미터[m]이고, 상기 압력은 파스칼[Pa]이다. 또한, 예를 들어 1 Pa.m은 0.01 mbarm와 같고, 압력은 "mbar"로, 길이는 "m"로 주어진다. 예를 들어, 10 Pa.m(0.1 mbar.m)의 He는, 방사선 빔이 10 Pa(0.1 mbar) 압력의 He를 가지고 볼륨(volumn)을 통해 1 m 횡단하거나 또는 20 Pa(0.2 mbar)의 He를 가지고 볼륨을 통한 광학 경로 길이가 0.5 m인 경우에 얻어질 수 있다. 특히 원하지 않는 방사선의 흡수율는, 아르곤 또는 질소에 대해서 0.1 Pa.m 정도부터 중요해지며, 헬륨에 대한 이 수치는 1 Pa.m 정도부터이다. 이러한 감쇠율은 흡수되는 가스의 원자들에 따라 좌우되며, 가벼운 가스(예를 들어, 헬륨)에 대해서는 작고, 보다 무거운 가스들(예를 들어, 아르곤, 질소)에 대해서는 보다 크다.
추가 실시예에서, 본 발명은, 리소그래피 장치에 관한 것으로, 상기 리소그래피 장치는 대략 0.1 내지 100 Pa.m 범위내의 EUV 투과성 가스를 포함한다. 본 발 명의 또 다른 실시예에서는, 대략 1 내지 100 Pa.m 범위내의 EUV 투과성 가스를 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다.
방사선 빔이 이와 같은 길이와 압력의 곱의 값을 가지고 횡단하는 경우, DUV 방사선, VUV 방사선 등은 유리하게 저감될 수 있는 한편, 인-밴드 EUV 방사선은 실질적으로 저감되지 않거나 상대적으로 약하게 저감된다. 따라서, 일 실시예에 있어서, 본 발명은, 원하지 않는 방사선이 아웃-밴드 EUV 방사선, VUV 방사선 및 DUV 방사선 중 1이상으로부터 선택된 방사선을 포함하는, 리소그래피 장치에 관한 것이다.
또 다른 실시예에서, 본 발명은, EUV 투과성 가스가 He, Ne, Ar, Kr, Xe, N2, CO, CO2 및 O2 중 1이상으로부터 선택된 가스를 포함하는 리소그래피 장치에 관한 것이다. 이들 가스들은 원하는 광학 필터 기능을 제공하지만 불활성이기도 하다. 예를 들어 일 실시예에서, 본 발명은, 리소그래피 장치에 관한 것으로, 상기 리소그래피 장치의 적어도 일부는 대략 0.1 Pa.m 이상의 Ar, 가령 대략 0.1 내지 10 Pa.m의 Ar, 바람직하게는 1 내지 10 Pa.m 사이의 Ar을 포함한다. 또 다른 실시예에서, 본 발명은 리소그래피 장치에 관한 것으로, 상기 리소그래피 장치의 적어도 일부는 대략 1 Pa.m 이상의 He, 대략 1 내지 100 Pa.m 사이, 바람직하게는 예를 들어 10 내지 100 Pa.m 사이의 He를 포함하며, 또 다른 실시예에서, 본 발명은 리소그래피 장치에 관한 것으로, 상기 리소그래피 장치의 적어도 일부는, 대략 0.1 Pa.m 이상의 N2, 예를 들어 대략 0.1 내지 10 Pa.m 사이의 N2, 바람직하게는 대략 1 내지 10 Pa.m 사이의 N2를 포함한다.
가스성 광학 필터는 상이한 광학 장치 및 상기 광학 장치의 상이한 부분들에서 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 본 발명은 리소그래피 장치에 관한 것으로, 상기 리소그래피 장치의 적어도 일부는 EUV 투과성 가스를 포함하고, 상기 리소그래피 장치는 수집 챔버를 포함하고, 상기 EUV 투과성 가스를 포함하는 상기 리소그래피 장치의 일부는 수집 챔버, 조명시스템 및 투영시스템 중 1이상으로부터 선택된다. 특정 실시예에서, EUV 투과성 가스는 수집 챔버내에 포함된다. 이러한 실시예에서, 바람직한 방사선은 초기 단계에서 적어도 부분적으로 필터링되어, 다른 (비-가스성) 광학 필터들이나 광학 요소들의 잠재적인 손상이 저감되도록 하고, 보다 나은 묘화 특성들을 유도하는 이점이 있다. 또 다른 실시예에서, EUV 투과성 가스를 포함하는 리소그래피 장치의 일부는 수집 챔버, 조명시스템 및 투영시스템을 포함한다.
특정 실시예에서, 본 발명은 리소그래피 장치에 관한 것으로, 수집 챔버, 조명시스템 및 투영시스템 중 1이상이, EUV 투과성 가스의 종류나 EUV 투과성 가스들의 조합에 따라, 대략 0.01 Pa 이상의 EUV 투과성 가스, 예를 들어 대략 0.01 내지 10 Pa의 EUV 투과성 가스, 바람직하게는 대략 0.01 내지 10 Pa 또는 대략 0.1 내지 100 Pa, 예를 들어 0.1 내지 10 Pa의 EUV 투과성 가스의 가스 압력을 갖는다.
또 다른 실시예에서, 본 발명은 리소그래피 장치에 관한 것으로, 상기 리소그래피 장치의 적어도 일부는 EUV 투과성 가스를 포함하고, 상기 리소그래피 장치 는 수집 챔버를 포함하며, 상기 EUV 투과성 가스를 포함하는 상기 리소그래피 장치의 일부는 상기 수집챔버와 상기 조명시스템간의 제1동적 가스 록(dynamic gas lock), 상기 조명시스템과 투영시스템간의 제2동적 가스 록 및 상기 투영시스템과 기판테이블간의 제3동적 가스 록 중 1이상으로부터 선택된 동적 가스 록이다. 예컨대, 이것은, 예를 들어 본 명세서에서 인용 참조되는 US6459472에 기술된 가스 록들을 기초로 하는 가스 록일 수 있다. 추가 실시예에서, 본 발명은, 동적 가스 록이, 1 내지 100 Pa.m, 예를 들어 2 내지 100 Pa.m과 같이, 최소 1 Pa.m의 EUV 투과성 가스, 예를 들어 2 Pa.m이상의 상기 가스를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 광학시스템내에서의 방사선 빔의 원하지 않는 방사선의 세기를 감소시키는 방법이 제공되며, 상기 광학시스템은, 방사선을 제공하는 소스를 포함하되, 상기 방사선은 사전설정된 파장 또는 사전설정된 파장 범위를 갖는 원하는 방사선 및 또 다른 파장 또는 파장 범위를 갖는 원하지 않는 방사선을 포함하며, 상기 방사선 빔에, 상기 원하는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 투과적이며, 상기 원하지 않는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 덜 투과적인 가스를 제공하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 실시예에서는, 광학시스템내에서의 방사선 빔의 원하지 않는 방사선의 세기를 감소시키는 방법이 제공되며, 상기 광학시스템은, 방사선을 제공하도록 구성된 소스를 포함하되, 상기 방사선은 사전설정된 파장 또는 사전설정된 파장 범위를 갖는 원하는 방사선 및 또 다른 파장 또는 또 다른 파장 범위를 갖는 원하지 않는 방사선을 포함하며, 상기 방법은 상기 방사선 빔내로, 상기 원하 는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 투과적이며, 상기 원하지 않는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 덜 투과적인 가스를 도입시키는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 광학시스템에서의 방사선 빔의 원하지 않는 방사선의 세기를 감소시키는 상기 방법의 장점은, 예를 들어, EUV 방사선을 적용하는 경우, 아웃-밴드 EUV 방사선, VUV 방사선 및 DUV 방사선으로부터 선택된 1이상이, 바람직한 EUV 방사선(EUV 인-밴드 방사선)보다 상대적으로 많이 감소될 수 있다는 점이다. 이러한 방식으로, 가스성 광학 필터 기능이 제공되어, 원하지 않는 방사선의 적어도 일부를 필터링해 내는 한편, 예를 들어 (EP 1197803의 것들과 같은) 종래기술의 필터들의 상태를 이용한 경우에서보다 원하는(예를 들어, EUV) 방사선의 적어도 일부의 세기의 손실이 없거나 작아지도록 한다.
또 다른 실시예에서, 본 발명은, 원하는 방사선은 EUV 방사선을 포함하고, 상기 방사선 빔은 EUV 방사선을 포함하며, 투과성 가스는 EUV 투과성 가스를 포함하는 방법에 관한 것이다.
특정 실시예에서, 본 발명은, 원하는 방사선이 아웃-밴드 EUV 방사선, VUV 방사선 및 DUV 방사선 중 1이상으로부터 선택된 방사선을 포함하는 방법에 관한 것이다.
또 다른 실시예에서, 본 발명은, 광학 시스템의 적어도 일부가 EUV 투과성 가스를 포함하는 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 상기 방사선 빔에, 대략 0.1 Pa.m 이상의 EUV 투과성 가스를 제공하는 단계를 더 포함하며, 여기서 상기 Pa.m은 상기 EUV 투과성 가스를 포함하는 광학시스템의 일부를 횡단하는 방사선 빔의 길이에 걸쳐 적분된 압력이다.
또한, 본 발명에 따른 광학시스템에서의 방사선 빔의 원하지 않는 방사선의 세기를 줄이는 방법은, 본 발명의 리소그래피 장치의 상술된 실시예들과 유사하게, 예를 들어 상기 광학시스템의 적어도 일부가 대략 0.1 Pa.m 이상의 Ar을 포함하는 실시예; 상기 광학시스템의 적어도 일부가 대략 1 Pa.m 이상의 He를 포함하는 실시예; 광학시스템의 적어도 일부가 대략 0.1 Pa.m 이상의 N2를 포함하는 실시예에 관한 것이다. 또한, 이 방법에 사용되는 광학시스템은, 가령 리소그래피 장치, 예를 들어 상술된 바와 같은 본 발명의 리소그래피 장치일 수 있다.
광학시스템에서의 방사선 빔의 원하지 않는 방사선의 세기를 줄이는 상술된 방법은 디바이스 제조방법에 적용될 수 있는 것이 좋다. 따라서, 본 발명의 또 다른 형태에서, 본 발명은,
- 사전설정된 파장 또는 사전설정된 파장 범위를 갖는 원하는 방사선, 및 또 다른 파장 또는 파장 범위를 갖는 원하지 않는 방사선을 포함하는 방사선을 제공하는 소스를 제공하는 단계;
- 기판을 제공하는 단계;
- 조명시스템을 사용하여, 방사선 투영빔을 제공하는 단계;
- 패터닝구조체를 사용하여, 상기 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계;
- 상기 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부상으로 투영하는 단계를 포 함하며,
상기 방사선 빔에, 상기 원하는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 투과적이고, 상기 원하지 않는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 덜 투과적인 가스를 제공하는 단계를 특징으로 하는 디바이스 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 또 다른 실시예에서,
- 사전설정된 파장 또는 사전설정된 파장 범위를 갖는 원하는 방사선, 및 또 다른 파장 또는 파장 범위를 갖는 원하지 않는 방사선을 포함하는 방사선 빔을 제공하는 단계;
- 상기 방사선 빔을 원하는 패턴에 따라 패터닝하는 단계;
- 상기 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부상으로 투영하는 단계를 포함하며,
상기 방사선 빔내로, 상기 원하는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 투과적이고, 상기 원하지 않는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 덜 투과적인 가스를 도입시키는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 리소그래피 장치 및 감소 방법에 대하여, 본 명세서에서 언급된 실시예들과 유사하게, 본 발명은 또한, 예를 들어 원하는 방사선은 EUV 방사선을 포함하고, 방사선 빔이 EUV 방사선을 포함하고, 투과성 가스가 EUV 투과성 가스를 포함하는 디바이스 제조방법의 실시예; 또는 원하지 않는 방사선이 아웃-밴드 EUV 방사선, VUV 방사선 및 DUV 방사선 중 1이상으로부터 선택된 방사선을 포함하는 실시예에 관한 것이다.
본 발명의 디바이스 제조방법의 또 다른 실시예에서, 본 발명은, 리소그래피 장치가 사용되고, 상기 리소그래피 장치의 적어도 일부가 EUV 투과성 가스를 포함하는 방법에 관한 것이며, 상기 방법은 방사선 빔에, 대략 0.1 Pa.m 이상의 EUV 투과성 가스를 제공하는 단계를 더 포함하고, 여기서, Pa.m은 상기 EUV 투과성 가스를 포함하는 상기 장치의 일부를 횡단하는 방사선 빔의 길이에 걸쳐 적분된 압력이다. 본 발명의 리소그래피 장치 및 감소 방법에 대하여 본 명세서에서 언급된 실시예들과 유사하게, 본 발명은, 예를 들어 광학시스템의 적어도 일부가 대략 0.1 Pa.m 이상의 Ar을 포함하는 본 발명의 디바이스 제조방법의 실시예; 상기 광학시스템의 적어도 일부가 대략 1 Pa.m 이상의 He를 포함하는 실시예; 상기 광학시스템의 적어도 일부가 대략 0.1 Pa.m 이상의 N2를 포함하는 실시예에 관한 것이다. 또한, 이 방법에 사용되는 광학시스템은, 예를 들어 본 발명의 리소그래피 장치일 수도 있다. 이 디바이스 제조방법에 사용되는 리소그래피 장치는 수집 챔버, 조명시스템 및 투영시스템 등을 포함할 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에서,
제1단부 및 제2단부를 포함하고, 상기 제1단부로부터 상기 제2단부로의 방사선 빔의 경로 주위에서 반경방향으로 연장되는 중공 세장형 몸체(hollow elongated body); 및
상기 몸체와 연통되고 상기 몸체내에 가스를 공급하도록 구성된 가스 플러싱 유닛(gas flushing unit)을 포함하는 동적 가스 록이 제공되며,
상기 방사선 빔은 원하는 방사선 및 원하지 않는 방사선을 포함하고, 상기 가스는 상기 원하는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 투과적이고, 상기 원하지 않는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 덜 투과적이다.
본 발명의 추가 형태에서, 본 발명은 광학시스템의 방사선 빔에서 광학 필터로서의 가스의 사용에 관한 것이며, 상기 광학시스템은 방사선을 제공하는 소스를 포함하되, 상기 방사선은 사전설정된 파장 또는 사전설정된 파장 범위를 갖는 원하는 방사선 및 또 다른 파장 또는 파장 범위를 갖는 원하지 않는 방사선을 포함하고, 상기 광학 필터로서 사용되는 가스는 상기 원하는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 투과적이고, 상기 원하지 않는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 덜 투과적인 가스이다. 특정 실시예에서, 본 발명은, 원하는 방사선은 EUV 방사선을 포함하고, 방사선 빔은 EUV 방사선을 포함하며, 투과성 가스는 EUV 투과성 가스를 포함하는 방법에 관한 것이다.
상술된 장점들 이외의 추가적인 장점은, 예를 들어 상기 가스는, 방사선 빔을 따라 횡단하는 EUV 소스로부터의 더브리(debris)가 상기 기판에 도달하거나 (격자, 거울, 렌즈와 같은) 여타 광학 요소들에 도달하는 것을 스토핑(stop), 트래핑(trap) 또는 감소시키는데 사용될 수 있다는 점이다. 따라서, 투과성 가스는, 광학 필터로서나 방사선 빔으로부터의 더브리를 스토핑 및 트래핑하고 상기 더브리로 인한 스퍼터링(sputtering)을 저감시키는 것 중 1이상을 위한 구조체로서 모두 사용 될 수 있다. 하지만, 상기 가스는 또한, 방사선 빔으로 조사되는 경우 기판으로부터 스퍼터링되는 더브리를 스토핑, 트래핑 또는 감소시키는 데에도 유리하게 사용될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 본 발명의 디바이스 제조방법에 따라 제조되거나 본 발명에 따른 리소그래피 장치를 이용하여 제조되는 디바이스가 제공된다.
본 명세서에서의 "투과적인(transmissive)" 또는 "실질적으로 투과적인(substantially transmissive)"이라는 용어는, (원하는 방사선의 적어도 일부에 대해 투과적인) 가스, 예를 들어 EUV 투과성 가스를 통한 투과율이 0보다 큰, 바람직하게는 대략 30% 이상, 또는 대략 50% 이상, 대략 70% 이상, 대략 80% 이상, 대략 90% 이상 또는 대략 95% 이상, 보다 바람직하게는 대략 98% 이상이라는 것을 의미한다. 따라서, "흡수되는(absorbed)"이라는 의미는, 흡수율이 0보다 큰, 바람직하게는 대략 30% 이상, 또는 대략 50% 이상, 대략 70% 이상, 대략 80% 이상, 대략 90% 이상 또는 대략 95% 이상, 보다 바람직하게는 대략 98% 이상이라는 것을 의미한다. "EUV 투과성" 또는 "EUV 방사선에 대해 투과적인"이라는 용어는, 가스가 EUV 방사선(특히 인-밴드 EUV)의 적어도 일부에 대해 투과적이라는 것을 의미한다. 이것은, 예를 들어 대략 12 내지 14nm 범위내의 사전정의된 인-밴드 파장을 갖는 방사선에 대해 실질적으로 투과적인 가스일 수 있다.
본 발명의 문맥에서, "덜 투과적인" 또는 "실질적으로 덜 투과적인"이라는 구는, 가스가 바람직하지 않은 파장을 갖는 방사선의 투과율과 관련하여 소정의 파장, 파장 범위 또는 파장 범위들에 대해 보다 작은 투과율을 갖는다는 것을 의미한 다. 원하지 않는 방사선의 적어도 일부에 대해서보다는 큰, (예를 들어 인-밴드 EUV 방사선과 같은) 원하는 방사선의 적어도 일부에 대한 투과율을 갖는 각각의 가스는 광학 필터로서 사용될 수 있다. 하지만, 이들 가스들은, 원하지 않는 방사선의 적어도 일부에 대해서보다 원하는 방사선의 적어도 일부에 대해서 실질적으로 더 큰 투과율, 예를 들어 대략 30%의 투과율 차이, 바람직하게는 대략 50%의 투과율 차이를 갖는 것들이 선택된다는 것을 이해해야 한다. 하지만, 이러한 차이는, 단지 예를 들어 대략 0.01 mbar.m(1 Pam)의 N2의 압력이 존재하는 경우인, 13.5 내지 35nm의 투과율 사이의 대략 30%의 투과율 차이와 같이, 특정 파장들을 지칭하는 것으로 언급될 것이다(여기서, Pa.m은 압력을 EUV 투과성 가스를 포함하는 장치의 일부를 횡단하는 방사선 빔의 길이에 걸쳐 적분한 값임)(도 3 참조). 본 발명의 문맥에 있어, "방사선의 적어도 일부"라는 용어는 스펙터럼 파장 범위의 적어도 일부를 지칭한다. 소정의 가스는 실질적으로 투과적이거나 실질적으로 덜 투과적일 수 있고 또는 1이상의 상이한 파장 범위들의 방사선을 실질적으로 흡수할 수 있다.
상기 가스들의 투과율은 무엇보다도 방사선 빔이 횡단하는 경로의 길이 및 가스의 압력에 따라 좌우된다. Pa 또는 Pa.m의 압력값들은 "0.1 이상의 Pa.m" 또는 "0.01 이상의 Pa"로 주어질 수도 있다. 압력은, 방사선 빔의 바람직한 필터 기능이 얻어지고 방사선 빔의 원하는 방사선의 충분한 방사선 세기가 얻어지도록 선택될 수 있다.
본 명세서에서 "흡수되지 않는" 또는 "실질적으로 흡수되지 않는"이라는 용 어는, 방사선의 흡수율이 대략 100%보다 적은, 바람직하게는, 예를 들어 대략 70%보다 적은, 또는 대략 50%보다 적은, 또는 대략 30%보다 적은, 대략 20%보다 적은, 예를 들어 대략 10%보다 적거나 대략 5%보다 적은, 보다 바람직하게는 대략 2%보다 적은 것을 의미한다. "투과적인", "흡수되는" 및 "흡수되지 않는"이란 것은 가스의 투과율 또는 흡수율뿐만 아니라, 예를 들어 가스를 통해 횡단하는 방사선 빔의 경로 길이와 같은 여타 팩터들에 따라 좌우된다.
여기서, "투과적인", "흡수되는" 및 "흡수되지 않는"이란 용어는 소정 파장이나 파장 범위 또는 파장 범위들을 지칭한다. 하지만, 본 발명의 문맥에 있어서, 본 발명에 따라 적용될 수 있는 VUV 방사선에 대해 덜 투과적인 가스가 UV 또는 DUV 방사선의 일부에 대해서는 투과적일 수 있다. 이러한 견지에서, "투과적인", "흡수되는" 및 "흡수되지 않는"이라는 용어들은 원하는 방사선의 적어도 일부 또는 원하지 않는 방사선의 적어도 일부와 관련된 것으로 이해되어야 한다.
본 발명의 문맥에서의 가스들은, 원하지 않는 방사선에 대한 또는 원하지 않는 방사선의 적어도 일부에 대한, 원하는 방사선 또는 원하는 방사선의 적어도 일부의 비를 개선하기 위한 광학 필터로서 사용될 수 있는 가스들이다. 5 내지 20nm의 EUV 파장을 갖는 EUV 적용례들에 대하여, 이러한 가스는 He, Ne, Ar, Kr, Xe, N2, CO, CO2 및 O2 중 1이상으로부터 선택된 가스를 포함한다. 이것은 또한 가스들의 조합을 포함한다. 따라서, Pa(mbar) 또는 Pa.m(mbar.m)로 표현되는 것들과 같은 압력에 관련된 값들은 가스와 관련되거나 가스들의 조합과 관련되어 있으며, 상기 가스들은 본 발명에 따른 가스들이다. 상술된 것과 다른 가스들도 그들이 필터 기능을 충족시킬 수 있는 경우에는 사용될 수 있다. 상기 가스들은 불활성인 것이 바람직하다. 가스들의 조합들이 사용된다면, 가스들의 흡수율 및 흡수율의 차이가 고려되어야 한다는 점을 이해해야 한다.
본 발명의 문맥에 있어서, "광학시스템"은, 예를 들어 리소그래피 장치일 수 있다. 광학시스템은 상이한 구성요소들, 예를 들어 수집 챔버, 조명시스템 및 투영시스템뿐만 아니라, 상기 수집 챔버와 상기 조명시스템간의 제1동적 가스 록, 상기 조명시스템과 투영시스템간의 제2동적 가스 록 및 상기 투영시스템과 기판테이블간의 제3동적 가스 록도 포함할 수 있다. 각각의 구성요소는 가스, 가스들의 조합으로 채워진 특정 볼륨을 갖거나 실질적으로 진공이다. 또한, 광학시스템은, 각각 특정 볼륨을 갖는 상이한 구성요소들을 포함할 경우, 방사선 빔이 횡단하는 중간 공간 또는 뷸륨을 포함할 수도 있다.
"광학시스템의 적어도 일부" 또는 "리소그래피 장치의 적어도 일부"라는 구는, 상기 광학시스템 또는 리소그래피 장치가, 원하는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 투과적이고 원하지 않는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 덜 투과적인 가스를 포함할 수 있는 1이상의 컴파트먼트 또는 중간의 공간(둘 모두 볼륨으로 나타낼 수도 있음)을 포함할 수 있다는 것을 나타낸다. 이러한 컴파트먼트 및 중간의 공간 중 1이상이 존재한다면, 그들 중 1이상은 상기 가스를 포함할 수도 있다. 컴파트먼트, 컴파트먼트들, 중간의 공간 또는 중간의 공간들 각각은 상기 가스를 포함하도록 선택된다. 광학 경로 길이에 걸쳐 적분된 압력의 값 은 투과성 가스를 포함하는 각각의 볼륨에서 (예를 들어 투영빔, 특히 투영빔의 중앙 레이의) 광학 경로 길이에 걸쳐 압력을 적분함으로써 추정된다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서의 리소그래피 장치의 사용에 대하여 언급하였으나, 이러한 장치가, 집적 광학시스템의 제조, 자기 도메인 메모리, 액정표시패널(LCD), 박막자기헤드 등을 위한 가이던스 및 검출패턴의 제조와 같은 여타 응용례들을 가질 수도 있음을 이해해야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서내의 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어의 사용이 각각 "기판" 또는 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로서 고려될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 예를 들어 트랙(통상적으로 레지스트의 층을 기판에 적용하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴)이나 메트롤로지 또는 검사 툴에서 노광 전 또는 후에 처리될 수도 있다. 적용이 가능할 경우, 본 명세서의 내용은 상기 및 기타 기판 처리 툴에 적용될 수 있다. 또한, 기판은 예를 들어 다중 층 IC를 생성시키기 위하여 한번 이상 처리될 수 있어서, 본 명세서에서 사용된 기판이라는 용어는 다중 처리된 층을 이미 포함하는 기판을 지칭할 수도 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝구조체(patterning structure)"라는 용어는 기판의 타겟부에 패턴을 생성시키는 것과 같이 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 수단을 지칭하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 투영빔에 부여되는 패턴은 기판 타겟부내의 원하는 패턴과 정확히 대응하지는 않는다는데 유의해야 한다. 일반적으로, 투영빔에 부여되는 패턴은 집적회로와 같은 타겟부에 형성될 디바이스내의 특정 기능층에 해당할 것이다.
패터닝구조체는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝구조체의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피에서 잘 알려져 있고, 바이너리(binary)형, 교번위상-시프트(alternating phase-shift)형 및 감쇠위상-시프트형과 같은 마스크타입뿐만 아니라 다양한 하이브리드 마스크타입을 포함한다. 프로그램 가능한 거울 어레이의 예로는 작은 거울들의 매트릭스 배열을 들 수 있는데, 상기 거울들 각각은 입사되는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키기 위하여 개별적으로 틸팅될 수 있고; 이러한 방식으로, 반사된 빔이 패터닝된다.
지지구조체는 패터닝구조체의 무게를 지지, 즉 지탱한다. 그것은, 패터닝구조체의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 가령 패터닝구조체가 진공환경내에서 유지되는지의 여부와 같은 여타 조건에 따라 좌우되는 방식으로 상기 패터닝구조체를 잡아준다. 상기 지지는, 기계적 클램핑, 진공, 또는 예를 들어 진공 조건하에서의 정전기 클램핑과 같은 여타 클램핑 기술을 사용하여 이루어질 수 있다. 상기 지지구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정 또는 이동될 수 있고, 패터닝구조체가 가령 투영시스템에 대하여 원하는 위치에 자리할 수 있도록 하는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 "레티클" 또는 "마스크"란 용어의 어떠한 사용도 보다 일반적인 용어인 "패터닝구조체"와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "투영시스템"이라는 용어는, 예를 들어, 사용되는 노광방사선에 대하여 적절하거나 또는 침지유체(immersion fluid)의 사용이나 진공의 사용과 같은 여타의 팩터들에 대하여 적절한, 굴절광학시스템, 반사광학시스템 및 카타디옵트릭 광학시스템을 포함하는 다양한 형태의 투영시스템을 포괄하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서의 "렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
또한, 조명시스템은 방사선 투영빔의 지향, 성형 또는 제어를 위한 굴절, 반사 및 카타디옵트릭 광학구성요소를 포함하는 다양한 종류의 광학구성요소를 포괄할 수 있고, 이후의 설명에서는 이러한 구성요소들을 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급할 수도 있다.
리소그래피장치는 2개(듀얼스테이지)이상의 기판테이블(및/또는 2이상의 마스크테이블)을 갖는 형태일 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있거나, 1이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수도 있다.
또한, 리소그래피장치는 투영시스템의 최종요소와 기판 사이의 공간을 채우도록 비교적 높은 굴절률을 가지는 액체, 예를 들어 물에 기판이 침지되는 형태일 수도 있다. 침지액은 리소그래피장치내의 여타의 공간, 예를 들어 마스크와 투영시스템의 제1요소 사이에 적용될 수도 있다. 당업계에서는 투영시스템의 개구수를 증가시키는 침지 기술이 잘 알려져 있다.
도 1은 본 발명의 특정 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시하고 있다. 상기 장치는: 방사선(예를 들어, UV 또는 EUV 방사선)의 투영빔(PB)을 제공하는 조명시스템(일루미네이터)(IL); 패터닝구조체(MA)(예를 들어, 마스크)를 지지하고, 투영시스템("렌즈")(}PL에 대하여 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키는 제1위치설정디바이스(PM)에 연결된 제1지지구조체(예를 들어, 마스크테이블)(MT); 기판(W)(예를 들어, 레지스트코팅된 웨이퍼)을 잡아주고, 투영시스템(PL)에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제2위치설정디바이스(PW)에 연결된 기판테이블(예를 들어, 웨이퍼테이블)(WT); 및 패터닝구조체(MA)에 의하여 투영빔(PB)에 부여된 패턴을 기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함함)상에 묘화시키는 투영시스템(PL)(예를 들어, 굴절형 투영렌즈)을 포함한다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 상술된 형태의 프로그램가능한 거울 어레이 또는 반사형 마스크를 채용한) 반사형이다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 투과형 마스크를 채용한) 투과형일 수도 있다.
일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 상기 방사선 소스와 리소그래피 장치는, 예를 들어 상기 방사선 소스가 엑시머 레이저인 경우 별도의 객체일 수 있다. 이러한 경우에, 상기 방사선 소스는 리소그래피 장치의 일부를 형성한다고 볼 수 없으며, 방사선 빔은 일반적으로 예를 들어, 적절한 수집 거울 및/또는 스펙트럼 정화 필터를 포함하는 방사선 콜렉터의 도움으로 방사선 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)를 거쳐간다. 여타의 경우, 예를 들어, 방사선 소스가 수은램프인 경우에는 상기 소스는 상기 장치의 통합된 일부일 수 있다. 상기 방사선 소스(SO)와 일루미네이터(IL)는 방사선 시스템이라 칭할 수도 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 빔의 각도 세기분포를 조정하는 조정디바이스를 포함할 수도 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면에서의 세기 분포의 적어도 외측 및/또는 내측의 반경크기(통상 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 상기 일루미네이터는 그 단면에서 소정의 균일성 및 세기 분포를 갖는, 투영빔(PB)이라 칭해지는 콘디셔닝된 방사선 빔을 제공한다.
상기 투영빔(PB)은 마스크테이블(MT)상에 잡혀있는 마스크(MA)상에 입사된다. 마스크(MA)를 가로지른 투영빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하고, 상기 렌즈는 기판(W)의 타겟부(C)위에 상기 빔(PB)을 포커싱한다. 제2위치설정디바이스(PW) 및 위치센서(IF2)(예를 들어, 간섭계 디바이스)의 도움으로, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정디바이스(PM) 및 위치센서(IF1)(예를 들어, 간섭계 디바이스)는, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적인 회수 후에 또는 스캔하는 동안, 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로 대물테이블들(MT 및 WT)의 이동은, 위치설정디바이스들(PM 및 PW)의 일부를 형성하는 긴-행정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이다. 하지만, 스테퍼의 경우에는 (스캐너와는 대조적으로) 마스크테이블(MT)이 짧은 행정 액추에이터에만 연결될 수도 있고 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬마크(M1, M2) 및 기판 정렬마크(P1,P2)를 사용하여 정렬될 수도 있다.
도시된 장치는 다음의 바람직한 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드에서는, 마스크테이블(MT) 및 기판테이블(WT)은 기본적으로 정지상태로 유지되는 한편, 투영빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에(즉, 단일 정적노광) 타겟부(C)상에 투영된다. 이후 기판테이블(WT)이 X 및/또는 Y 방향으로 시프트 되어 다른 타겟부(C)가 노광될 수 있다. 스텝 모드에서, 노광필드의 최대크기는 단일 정적노광시에 묘화되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서는, 마스크테이블(MT)과 기판테이블(WT)이 동시에 스캐닝되는 한편 투영빔에 부여된 패턴이 소정 타겟부(C)(즉, 단일 동적노광)상에 투영된다. 마스크테이블(MT)에 대한 기판테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영시스템(PL)의 확대(축소) 및 이미지 반전(image reversal) 특성에 의하여 결정된다. 스캔 모드에서, 노광필드의 최대크기는 단일 동적노광시의 타겟부의 (스캐닝되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 한편, 스캐닝동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서는, 마스크테이블(MT)이 프로그램가능한 패터닝구조체를 잡아주어 기본적으로 정적인 상태로 유지되며, 투영빔에 부여된 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안 기판테이블(WT)이 움직이거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스방사선소스(pulsed radiation source)가 채용되며, 기판테이블(WT)이 이동한 후, 또는 스캔시 연속적인 방사선펄스들 사이에서 필요에 따라 프로그램가능한 패터닝수단이 업데이트된다. 이 작동 모드는, 위에서 언급된 바와 같은 종류의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝구조체를 활용하는 마스크없는(maskless) 리소그래피에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 전체적으로 상이한 사용 모드가 채용될 수도 있다.
도 2는 방사선 시스템(42), 조명 광학기 유닛(44) 및 투영시스템(PL)을 포함 하는 투영장치(1)를 보다 상세히 나타내고 있다. 방사선 시스템(42)은 방전 플라즈마에 의하여 형성될 수 있는 방사선 소스(SO)를 포함한다. EUV 방사선은, 전자기 스펙트럼의 EUV 범위내의 방사선을 방출하기 위해 매우 고온의 플라즈마가 생성되는 Xe 가스 또는 Li 증기와 같은 가스 또는 증기에 의해 생성될 수도 있다. 매우 고온의 플라즈마는 전기적 방전물의 부분적으로 이온화된 플라즈마가 광학 축선(O)상으로 붕괴(collapse)되도록 함으로써 생성된다. 예를 들어, 10 Pa 부분압의 Xe 또는 Li 증기나 여타 적절한 가스 또는 증기가 방사선의 효율적인 생성을 위해 필요할 수도 있다. 방사선 소스(SO)에 의하여 방출되는 방사선은, 예를 들어 (소스 챔버(47)의 개구부내 또는 뒷쪽에 위치되는) 가스 배리어 구조체 또는 오염물 트랩(49)을 통해, 소스 챔버(47)로부터 수집 챔버(48)내로 진행한다. 가스 배리어 구조체(49)는, 예를 들어 본 명세서에서 인용참조되는 유럽특허출원 EP 1 057 079 또는 EP 1 223 468에 개시된 것과 같은 채널 구조체를 포함한다.
수집 챔버(48)는 그레이징 입사 콜렉터에 의하여 형성될 수 있는 방사선 콜렉터(50)를 포함한다. 콜렉터(50)를 지난 방사선은 격자 스펙트럼 필터(51)에 반사되어 나가, 수집 챔버(48)의 어퍼처(401)에서 가상의 소스 포인트(52)에 포커싱된다. 수집 챔버(48)로부터, 투영빔(56)은 조명광학기 유닛(44)에서 공칭 입사 리플렉터(53,54)를 통해 레티클 또는 마스크테이블(MT)상에 위치한 레티클 또는 마스크상으로 반사된다. 패터닝된 빔(57)이 형성되고, 이것은 투영 광학기 시스템(PL)에서 반사 요소들(58,59)을 통해 웨이퍼 스테이지 또는 기판테이블(WT)상으로 묘화된다. 일반적으로는 조명 광학기 유닛(44) 및 투영시스템(PL)에는 나타낸 것보다 많 은 요소들이 존재할 수도 있다.
방사선 콜렉터(50)들은 종래기술에서 알려져 있다. 본 발명에 사용될 수 있는 방사선 콜렉터의 일 예시는, 예를 들어 본 명세서에서 인용 참조되는 특허출원 EP 1186957에 기술되어 있다.
계속 도 2를 참조하면, 수집 챔버(48), 조명 광학기(44) 및 투영시스템(PL)은 본 발명에 따른 가스를 포함하여, (소스 챔버(47)의 개구부내 또는 뒷쪽에 위치되는) 오염물 트랩(49)에서 시작하여 웨이퍼 테이블(WT)상의 웨이퍼에 이르는, 상기 가스내에서의 투영빔(56)(방사선 빔)의 광학 경로 길이가, 예를 들어 0.1 내지 10 Pa.m의 가스 압력과 경로길이의 곱을 제공하도록 한다. 투영빔내의 중앙 레이의 최단 길이가 길이로서 선택된다. 예를 들면, 이것은 도 2에 점선(410)으로 도시되어 있다{오염물 트랩(49)에서 시작하는 "중앙 레이"(중앙 레이(410)의 일부는 광학 축선(O)과 일치한다는데 유의해야 함)는, 격자 스펙트럼 필터(51)의 중심으로 이동하고, 공칭 입사 리플렉터들(53,54)은 마스크에서 투영되고 반사 요소(58,59)들의 중앙으로 더 멀리 이동한 다음 기판(WT)상에 투영된다}.
여기서, 수집 챔버에서 중앙 레이(410)의 길이를 계산할 경우, 수집 챔버(48)의 중앙 레이(410)의 길이는 소스 챔버(47)에서의 길이는 포함하지 않고 소스 챔버(47) 다음의 (존재할 경우) 오염물 트랩(49)에서 시작한다. 수집 챔버(48), 조명 광학기(44) 및 투영 광학기 시스템(PL){또한, 예를 들어 수집 챔버(48)와 조명시스템(44) 사이, 조명시스템(44)과 투영시스템(PL) 사이, 그리고 투영시스템(PL)과 기판 또는 웨이퍼(WT) 사이의 중간 볼륨들}의 국부적인 압력은, 대략 EUV 투과 성 가스의 0.01 Pa(10-3 mbar) 이상 일 수 있다(EUV 리소그래피 장치를 가정).
본 발명의 일 실시예에 따르면, 도 2에 따른 리소그래피 장치가 사용된다. 이것은, EUV 투과성 가스가 He, Ne, Ar, Kr, Xe, N2, CO, CO2 및 O2 중 1이상으로부터 선택된 가스를 포함하는, 예를 들어 EUV 어플리케이션들을 위한 리소그래피 장치일 수 있다. 본 실시예들의 변형례들에 있어, 압력과 경로 길이의 곱의 값은 사용되는 가스들에 따라 좌우된다. 예를 들어, 예를 들어 리소그래피 장치의 적어도 일부가 대략 0.1 Pa.m 이상의 Ar을 포함하거나; 상기 리소그래피 장치의 적어도 일부가 대략 1 Pa.m 이상의 He를 포함하거나; 또는 상기 리소그래피 장치의 적어도 일부가 대략 0.1 Pa.m 이상의 N2를 포함하는 리소그래피 장치가 사용될 수 있다. 이것은, 전체 장치의 압력 분포가, 광학 경로 길이(410)에 걸친 압력의 적분치가 계산되는 경우, 이들 mbar.m 값들이 얻어지도록 되어 있다는 것을 의미한다.
이러한 값들에 대한 투과율의 개략적인 그림이 도 3에 나타나 있다(1 m에 대해 계산됨). y-축선상에서, 0 내지 1로부터 주어진 투과율은 0 내지 100%의 투과율에 대응된다. x-축선상에서, nm의 파장이 주어진다.
도 3으로부터, 대략 1 Pa.m(0.01 mbar.m)의 Ar은 대략 10 내지 40nm 사이에서는 높은 투과율을 가져오며, 대략 40nm 내지 80nm 사이에서는 다소 낮은 투과율을 갖는다는 것을 추론할 수 있다(Ar에 대해서 보다 큰 파장에서의 투과율은 판정되지 않았다). Ar은 예리한 슬로프를 가지는 것이 좋다. 도 3으로부터, 대략 1 Pa.m(0.01 mbar.m)의 N2는 대략 10 내지 20nm 사이의 높은 투과율을 가져오고, 상기 가스는 대략 20 내지 최대 60nm까지로 덜 투과적이어서, 투과율이 감소하면서 파장은 대략 60nm까지 증가한다는 것을 추론할 수 있다. 대략 60nm로부터, 투과율은 다시 증가하며, 따라서 상기 가스는 덜 원하는 방사선(EUV 어플리케이션을 가정)에 대해 보다 투과적이 된다. N2에 대하여 120nm보다 큰 파장에 대한 투과율은 계산되지 않았다.
끝으로, 도 3으로부터 대략 10 Pa.m(0.1 mbar.m)의 He은 대략 10nm 정도의 높은 투과율을 가지며, 투과율은 대략 10nm부터 대략 50nm까지 일정하게 감소한다는 것을 추론할 수 있다(He에 대하여 보다 높은 파장에서의 투과율은 판정되지 않았다). 또한, He는 예리한 슬로프를 가지는 것이 좋다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 가스들은 주로 수집 챔버(48)내에 존재하고, 상기 장치의 나머지 부분은 실질적으로 진공이며, 대략 1.10-5 mbar(1.10-3 Pa) 아래의 압력을 주로 갖는다. 주로 수집 챔버(48)내에 투과성 가스를 사용할 때의 장점은, 원하지 않는 방사선의 대부분이 거울(53,54) 등과 같은, 상기 장치내의 더 멀리에 있는 다른 광학 요소들에 도달되지 않는다는 점이다. 이 실시예에서, 광학 경로 길이에 걸친 압력의 적분은, 빔 또는 방사선이 투과성 가스를 횡단하는 수집 챔버(48)의 볼륨에서 행해진다.
예를 들어, 수집 챔버(48)에서의 압력은, 예를 들어 Ar은 대략 0.1 내지 10 Pa.m, He은 대략 1 내지 100 Pa.m 또는 N2는 대략 0.1 내지 10 Pa.m 사이에 있을 수 있다. 또한, 바람직한 필터 기능이 얻어지도록 가스들의 조합들이 사용될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 리소그래피 장치의 적어도 일부는 EUV 투과성 가스를 포함하고, 상기 리소그래피 장치는 수집 챔버를 포함하고, 상기 EUV 투과성 가스를 포함하는 상기 리소그래피 장치의 일부는, 상기 수집 챔버와 조명시스템간의 제1동적 가스 록, 상기 조명시스템과 투영시스템간의 제2동적 가스 록, 및 상기 투영시스템과 기판테이블간의 제3동적 가스 록 중 1이상으로부터 선택된 동적 가스 록이다.
이는, 예를 들면 도 1에 나타낸 바와 같이 장치 일부의 실시예를 나타내며 본 발명이 가스 록을 사용할 경우 어떻게 본 명세서내에서 어떻게 적용될 수 있는지를 증명하는 도 4에서도 입증된다. 마스크 테이블(MT)상의 마스크(MA)로부터 입사하는(예를 들어, 반사되는) 빔(PB)은 기판테이블(WT)상에 배치된 기판(W)상에 입사하기 전에 투영시스템(PL)을 통과한다. 하지만, 이 실시예에서는, 상기 투영시스템(PL)이 빔(PB)을 포커싱하는 역할을 하는 4개의 리플렉터들(거울들)(R1,R2,R3,R4)를 갖는 것으로 도시되어 있다(도 2는 예시의 방법으로 2개의 반사형 광학기(58,59)를 나타내고 있음에 유의해야 한다).
이 특정 예시에서는, 도 2의 경우와 마찬가지로, 빔(PB)의 입구 및 출구를 허용하기 위한 어퍼처 403 및 어퍼처 404가 제공되는 인클로저(enclosure)에 투영시스템(PL)이 배치된다. 상기 투영시스템(PL)은 개입 공간(intervening space;L)에 의하여 기판테이블(WT)과 분리된다. 이 공간(L)은 상기 투영시스템(PL)의 위치에서, 상기 투영시스템(PL)의 "최종(final)" 거울(R4)의 솔리드 반사면(S)에 의하여 한정된다(delimit). 이것은, 방사선이 최종적으로 기판(W)을 향해 지향되는 거울 (R4)로부터 비롯된다는 것에 유의해야 한다. 상기 공간(L)은, 방사선 빔(PB)의 경로 주위에서 상기 표면(S)으로부터 기판테이블(WT)로 가는 도중에(on its way)에 위치되는 중공 튜브(hollow tube;T)를 포함한다. 이 튜브(T)는, 그것의 벽이 빔(PB)을 인터셉트하지 않도록 형성되고, 사이징되며 위치된다. 이 실시예에서, 상기 튜브(T)는 출구 어퍼처(404)로부터 바깥쪽으로 돌출된 인클로저(B)의 연속물(continuation)로서 구현된다. 또한, 도시된 바와 같이, 튜브(T)는 기판테이블(WT)의 방향으로 테이퍼져 있다(그러나, 다른 형상들도 가능하다).
본 발명의 일 실시예에 따르면, 튜브(T)는 소정 압력을 갖는 광학 경로 길이에 걸친 가스를 (일시적으로) 포함하는데, 상기 가스는 EUV 방사선의 적어도 일부에 대하여 실질적으로 투과적일 뿐만 아니라 원하지 않는 방사선의 적어도 일부에 대해서 실질적으로 덜 투과적이다. 상기 가스는 튜브(T)를 통해 기판(W)의 방향으로 플러싱(flush)될 수도 있다. 이는, 예를 들어 플러싱 유닛(flushing unit;FU)을 사용하여, 개구부(더미)를 통한 최상부 림 부근(E1)에서 또는 최상부 림과 저부 림 사이의 개구부(GO2)를 통한 소정 지점(E2)에서, 상기 튜브(T)내로 가스(G)의 하향 유동을 도입시킴으로써 달성될 수 있다. 이러한 후자의 중간 지점(E2)에서의 도입의 경우에, 예를 들어 유동의 일부는 하향되고 일부는 상향될 수도 있다. 튜브(T)를 포함하는 유사 가스 록, 1이상의 위치에서 1이상의 가스들을 도입시키도록 구성된 구조체 및 선택적으로는 적어도 부분적으로 튜브(T)를 배기시키도록 구성된 구조체를 포함하는 플러싱 유닛(FU)은, 어퍼처 403이나 다른 어퍼처들에도 제공될 수 있다.
예를 들어, 도 2에서는, 상기 장치의 상이한 부분들에서의 어퍼처들이 각각 참조부호 401 내지 404로 표시되어 있다. 이들 장소들에서, 예를 들어 본 명세서에서 인용 참조되고 있는 US6459472에 기술된 가스 록을 기초로 하는 가스 록과 같은 가스 록들이 사용될 수도 있다. 가스 록들은, 광학시스템의 두 부분들 사이의 개입 공간을 생성하는 중공 튜브들(T)과 같은 개구부들이다. 가스 록들은, 예를 들어 두 방향으로의, 가스를 이용한 플러싱 유닛(FU)의 사용에 의해 플러싱될 수 있다. 이러한 개입 공간을 갖는 어퍼처는 적어도 부분적으로 배기될 수 있는데; 상기 개입 공간은 중공 튜브를 포함하고, 상기 튜브의 형태 및 크기는, 투영시스템에 의하여 기판테이블상으로 포커싱되는 방사선이 상기 중공 튜브의 벽을 인터셉트하지 않도록 이루어진다. 상기 플러싱 유닛은, 중공 튜브에 의하여 형성되는 내부 영역을 가스의 유동을 이용하여 (연속적으로) 플러싱하도록 구성 및 배치될 수 있다.
조명시스템(44)과 투영시스템(PL) 사이의 가스 록("제2동적 가스 록"으로 나타내기도 함)은 403 또는 404 중 어느 한 어퍼처에 위치되거나 두 어퍼처 모두에 위치될 수 있다. 광학시스템, 특히 리소그래피 장치의 종류에 따라서, 그 이하나 이상의 어퍼처들이 존재할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 중공 튜브(T)는 콘의 형태를 갖는다(도 4 참조). 투영시스템은 소정 이미지를 기판상으로 포커싱하는 역할을 하기 때문에, 상기 투영시스템으로부터 나온 방사선은 웨이퍼상의 최종 이미지를 향하여 안쪽으로 테이퍼질 것이다. 채용된 중공 튜브가 이러한 테이퍼링(tapering)을 모방한(imitate) 원뿔형태로 이루어진다면, 상기 튜브는 생성된 방사선을 캡슐화 (encapsulate) 하는데 필요한 최소의 볼륨을 가질 것이다. 이는, 효과적인 플러시를 생성하는데 필요한 가스의 유동을 최소화시켜, 재료의 절감을 가져온다. 또한, 시스템으로의 가스 부하가 저감된다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 가스는 튜브 벽의 1이상의 개구부를 통해 중공 튜브(T)내로 도입된다[이에 의해, 예를 들어 {개구부(GO1)을 통한} 가스 스트림 G1이나 {개구부(GO2)를 통한} G2 또는 둘 모두를 제공한다]. 대안적으로, 상기 가스는, 튜브의 최상부 림(E1)에 걸쳐서 또는 여타 지점(예를 들어, E2로 표시된 지점)에서 도입될 수 있다. 상기 개구부 GO1나 GO2, 또는 두 개구부 모두, 또는 대안적으로는 전체 튜브(T)는 채용된 가스나 가스 혼합물에 대해 다공성인 영역을 포함할 수도 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 플러싱 유닛들은, 중공 튜브내의 가스의 플러시가 적어도 부분적으로 기판테이블(WT)을 향하여 지향되도록 구현된다. (정적이든 또는 동적이든) 기판(W)과 투영시스템 사이 모두에서의 가스의 존재는, 더브리가 기판(W)으로부터 광학 필터 기능부 가까이로 이동하는데 대한 스캐터링 배리어(scattering barrier)를 제공한다. 하지만, 이러한 가스가 기판(W)을 향하여 추가적으로 이동된다면, 이것은 투영시스템(PL)에 도달하는 이러한 더브리에 대한 추가적인 보호수단(safeguard)을 제공한다. 플러시가 전부 기판(W)을 향하여 지향될 필요는 없다는 데 유의해야 한다: 예를 들어, 상한과 하한 (림들) 사이의 소정 지점(예를 들어, E2와 같은 중도의 지점)에 배치되는 튜브 벽의 개구부를 통해 가스가 도입된다면, 이 때 가스 중 일부는 (투영시스템을 향해) 홀(hole)로부터 상향하여 유동할 수 있다. 이 가스 록은 기판테이블(WT)과 투영시스템(PL) 사이의 404에 위치된다. 404에서의 가스 록은 경로길이와 1 Pa.m 이상의 투과성 가스 압력과의 곱의 값을 제공할 수도 있다. 여기서, 상기 압력은, 가스 록의 볼륨내의 방사선 빔의 광학 경로 길이에 걸쳐 적분된다.
또 다른 실시예에서, 가스 록은 지점 401(제1동적 가스 록이라고도 함)상에 존재하고, 조명시스템(IL)으로부터 수집 챔버(48)를 향해 지향되는 가스 유동을 가져, 광학 필터 기능부를 제공하고, {소스 챔버(47)내의} 소스로부터 발생할 수 있는 더브리가, 수집 챔버(48)로부터 조명시스템(IL) 및 장치의 나머지 부분내로 이동하는 것을 저감시킨다.
또 다른 실시예에서, 401(제1동적 가스 록), 402 및 403(제2동적 가스 록)에서 가능한 가스 록에서 뿐만 아니라, 수집 챔버(48), 조명 광학기(44)(IL) 및 투영 광학기 시스템(PL)에서의 투과성 가스들의 존재 또한, 광학 경로 길이와 EUV 투과성 가스(예를 들어, EUV 투과성)의 대략 0.1 Pa.m 이상의 압력, 예를 들어 1 Pa.m 이상의 투과성 가스와 압력과의 곱의 값을 제공한다.
실시예들 중 몇몇은 본질적으로 EUV 어플리케이션들 및 EUV 광학요소들을 기술하고 있다. 하지만, 본 발명은 또한, 예를 들어 DUV, VUV, UV 또는 VIS와 같은 다른 스펙트럼 범위들에 대한 광학시스템들에 적용될 수도 있다. 본 발명은 상기 실시예들에 기술된 리소그래피 장치의 어플리케이션 또는 상기 리소그래피 장치의 사용에만 제한되지 않는다. 본 발명은 또한, 예를 들어 별도의 수집 챔버가 존재하지 않는 투과성 리소그래피 장치에 사용될 수도 있다. 또한, 도면들은 본 발명의 이해를 돕는데 필요한 요소들 및 특징들을 포함하고 있다. 그밖에, 리소그래피 장치의 도면들은 개략적이고 일정한 비율로 축소되지 않았다. 본 발명은 개략적인 도면들에 도시된 요소들로만 제한되지 않는다. 예를 들면, 투과성 가스들을 도입, 제어, 제거하고, 본 발명의 리소그래피 장치와 같은 광학시스템내의 그들의 (부분) 압력을 제어하기 위하여, 가스를 제공하도록 구성된 구조체, 예를 들어 가스 주입부(gas inlet), 펌프, 진공펌프, 도관(conduit), 제트, 밸브, 및 압력계와 센서 등과 같이 가스의 압력을 제어하도록 구성된 구조체들이 제공될 수 있다는 것을 이해해야 한다. 또한, 본 발명에 따른 투과성 가스들의 사용은 여타 가스들이 사용을 배제하지 않는다. 나아가, 본 발명은 본 명세서에 기술된 실시예들로만 제한되지 않는다. 본 발명은 또한 본 명세서에 기술된 실시예들의 조합들에 관한 것이기도 하다.
본 발명에 따르면, 광학시스템, 예를 들어 리소그래피 장치에 대안의 광학 필터를 제공하여, 원하는 방사선의 세기의 손실을 저감시킬 수 있으며, 광학시스템에서의 방사선 빔의 원하지 않는 방사선의 세기를 줄이는 방법 및 디바이스 제조방법을 얻을 수 있다.

Claims (39)

  1. 리소그래피 장치에 있어서,
    사전설정된 파장 또는 사전설정된 파장 범위를 갖는 원하는 방사선 및 또 다른 파장 또는 또 다른 파장 범위를 갖는 원하지 않는 방사선을 포함하는 방사선 빔을 전달하도록 구성된 조명시스템;
    상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하도록 구성된 패터닝 구조체를 지지하도록 구성된 지지구조체;
    기판을 잡아주도록 구성된 기판테이블;
    상기 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부 상으로 투영하도록 구성된 투영시스템; 및
    수집 챔버를 포함하며,
    상기 리소그래피 장치의 적어도 일부는, 사용시, 상기 원하는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 투과적이며, 상기 원하지 않는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 덜 투과적인 가스를 포함하며,
    상기 원하는 방사선은 EUV 방사선을 포함하고, 상기 투과성 가스는 EUV 투과성 가스를 포함하며,
    상기 EUV 투과성 가스를 포함하는 상기 리소그래피 장치의 일부는, 상기 수집 챔버와 상기 조명시스템 사이에 배치되는 제1동적 가스 록, 상기 조명시스템과 상기 투영시스템 사이에 배치되는 제2동적 가스 록 및 상기 투영시스템과 상기 기판테이블 사이에 배치되는 제3동적 가스 록 중 1 이상으로부터 선택되는 동적 가스 록인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 리소그래피 장치의 적어도 일부는 대략 0.1 Pa.m 이상의 EUV 투과성 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 EUV 투과성 가스는, He, Ne, Ar, Kr, Xe, N2, CO, CO2 및 O2 중 1이상으로부터 선택된 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 리소그래피 장치의 적어도 일부는 대략 0.1 Pa.m 이상의 Ar을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 리소그래피 장치의 적어도 일부는 대략 1 Pa.m 이상의 He을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 리소그래피 장치의 적어도 일부는 대략 0.1 Pa.m 이상의 N2을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  8. 제3항에 있어서,
    상기 리소그래피 장치의 적어도 일부는 대략 1 Pa.m 이상의 EUV 투과성 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 EUV 투과성 가스를 포함하는 상기 리소그래피 장치의 일부는, 상기 수집 챔버, 상기 조명시스템 및 상기 투영시스템 중 1 이상으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 수집 챔버, 상기 조명시스템 및 상기 투영시스템 중 1이상은 대략 0.01 Pa 이상의 EUV 투과성 가스 압력을 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  11. 삭제
  12. 제1항에 있어서,
    상기 동적 가스 록은 0.1 Pa.m 이상의 EUV 투과성 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 동적 가스 록은 1 Pa.m 이상의 EUV 투과성 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 원하지 않는 방사선은, 아웃-밴드(out-band) EUV 방사선, VUV 방사선 및 DUV 방사선 중 1이상으로부터 선택된 방사선을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 원하는 방사선은 인-밴드(in-band) EUV 방사선을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 조명시스템에 방사선을 공급하도록 구성된 소스를 더 포함하는 것을 특 징으로 하는 리소그래피 장치.
  17. 리소그래피 장치의 방사선 빔에서 원하지 않는 방사선의 세기를 줄이는 방법에 있어서,
    상기 광학시스템은 방사선을 제공하도록 구성되는 소스를 포함하고, 상기 방사선은 사전설정된 파장 또는 사전설정된 파장 범위를 갖는 원하는 방사선 및 또 다른 파장 또는 또 다른 파장 범위를 갖는 원하지 않는 방사선을 포함하며, 상기 방법은:
    상기 방사선 빔내로, 상기 원하는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 투과적이고 상기 원하지 않는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 덜 투과적인 가스를 도입시키는 단계를 포함하며,
    상기 원하는 방사선은 EUV 방사선을 포함하고, 상기 방사선 빔은 EUV 방사선을 포함하며, 상기 투과성 가스는 EUV 투과성 가스를 포함하고,
    상기 리소그래피 장치는 수집 챔버를 더 포함하고, 상기 EUV 투과성 가스를 포함하는 상기 리소그래피 장치의 일부는, 상기 수집 챔버와 상기 조명시스템 사이에 배치되는 제1동적 가스 록, 상기 조명시스템과 상기 투영시스템 사이에 배치되는 제2동적 가스 록 및 상기 투영시스템과 상기 기판테이블 사이에 배치되는 제3동적 가스 록 중 1 이상으로부터 선택되는 동적 가스 록인 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 삭제
  19. 제17항에 있어서,
    상기 원하지 않는 방사선은, 아웃-밴드 EUV 방사선, VUV 방사선 및 DUV 방사선 중 1 이상으로부터 선택된 방사선을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 광학시스템의 적어도 일부는 상기 EUV 투과성 가스를 포함하고, 상기 도입 단계는 상기 방사선 빔내로, 대략 0.1 Pa.m 이상의 EUV 투과성 가스를 도입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제17항에 있어서,
    상기 EUV 투과성 가스는 He, Ne, Ar, Kr, Xe, N2, CO, CO2 및 O2 중 1이상으로부터 선택된 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 광학시스템의 적어도 일부는 대략 0.1 Pa.m 이상의 Ar을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 제20항에 있어서,
    상기 광학시스템의 적어도 일부는 대략 1 Pa.m 이상의 He을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 제20항에 있어서,
    상기 광학시스템의 적어도 일부는 대략 0.1 Pa.m 이상의 N2을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  25. 삭제
  26. 디바이스 제조방법에 있어서,
    사전설정된 파장 또는 사전설정된 파장 범위를 갖는 원하는 방사선, 및 또 다른 파장 또는 또 다른 파장 범위를 갖는 원하지 않는 방사선을 포함하는 방사선 빔을 제공하는 단계;
    상기 방사선 빔을 원하는 패턴에 따라 패터닝하는 단계;
    상기 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부상으로 투영하는 단계; 및
    상기 방사선 빔내로, 상기 원하는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 투과적이고, 상기 원하지 않는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 덜 투과적인 가스를 도입시키는 단계를 포함하며,
    상기 원하는 방사선은 EUV 방사선을 포함하고, 상기 투과성 가스는 EUV 투과성 가스를 포함하며,
    상기 리소그래피 장치는 수집 챔버를 더 포함하고, 상기 EUV 투과성 가스를 포함하는 상기 리소그래피 장치의 일부는, 상기 수집 챔버와 상기 조명시스템 사이에 배치되는 제1동적 가스 록, 상기 조명시스템과 상기 투영시스템 사이에 배치되는 제2동적 가스 록 및 상기 투영시스템과 상기 기판테이블 사이에 배치되는 제3동적 가스 록 중 1 이상으로부터 선택되는 동적 가스 록인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  27. 삭제
  28. 제26항에 있어서,
    상기 원하지 않는 방사선은, 아웃-밴드 EUV 방사선, VUV 방사선 및 DUV 방사선 중 1 이상으로부터 선택된 방사선을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 제26항에 있어서,
    상기 도입 단계는, 상기 방사선 빔내로, 대략 0.1 Pa.m 이상의 EUV 투과성 가스를 도입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 제26항에 있어서,
    상기 EUV 투과성 가스는 He, Ne, Ar, Kr, Xe, N2, CO, CO2 및 O2 중 1이상으로부터 선택된 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  31. 제29항에 있어서,
    상기 리소그래피 장치의 적어도 일부는 대략 0.1 Pa.m 이상의 Ar을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
  32. 제29항에 있어서,
    상기 리소그래피 장치의 적어도 일부는 대략 1 Pa.m 이상의 He을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  33. 제29항에 있어서,
    상기 리소그래피 장치의 적어도 일부는 대략 0.1 Pa.m 이상의 N2을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  34. 제1항에 있어서,
    상기 가스내의 상기 원하는 방사선과 상기 원하지 않는 방사선간의 투과율 차이는 대략 30%이상인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  35. 제34항에 있어서,
    상기 투과율 차이는 50% 이상인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  36. 동적 가스 록에 있어서,
    제1단부 및 제2단부를 포함하고, 상기 제1단부로부터 상기 제2단부로의 방사선 빔의 경로 주위에서 반경방향으로 연장되는 중공 세장형 몸체; 및
    상기 몸체와 연통되고 상기 몸체내에 가스를 공급하도록 구성된 가스 플러싱 유닛을 포함하며,
    상기 방사선 빔은 원하는 방사선 및 원하지 않는 방사선을 포함하고, 상기 가스는 상기 원하는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 투과적이고, 상기 원하지 않는 방사선의 적어도 일부에 대해서는 실질적으로 덜 투과적인 것을 특징으로 하는 동적 가스 록.
  37. 제36항에 있어서,
    상기 가스 플러싱 유닛은 또한 상기 제1단부에 근접한 위치와 상기 제2단부에 근접한 위치 사이에서 상기 방사선 빔 전파와 동일한 방향으로 상기 가스를 플러싱하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 동적 가스 록.
  38. 제37항에 있어서,
    상기 몸체는 상기 제1단부와 상기 제2단부 사이에서 넓은 상태에서 좁은 상태로 테이퍼지는 것을 특징으로 하는 동적 가스 록.
  39. 삭제
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7502095B2 (en) 2005-03-29 2009-03-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
TWI330762B (en) 2005-03-29 2010-09-21 Asml Netherlands Bv Seal of a lithographic apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method and data storage medium
US7598508B2 (en) * 2005-07-13 2009-10-06 Nikon Corporation Gaseous extreme-ultraviolet spectral purity filters and optical systems comprising same
DE102005048670B3 (de) * 2005-10-07 2007-05-24 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung zur Unterdrückung von unerwünschten Spektralanteilen bei einer plasmabasierten EUV-Strahlungsquelle
US7872729B2 (en) * 2006-08-31 2011-01-18 Christoph Noelscher Filter system for light source
DE102007023444B4 (de) * 2007-05-16 2009-04-09 Xtreme Technologies Gmbh Einrichtung zur Erzeugung eines Gasvorhangs für plasmabasierte EUV-Strahlungsquellen
US7816658B2 (en) * 2007-06-07 2010-10-19 Asml Netherlands B.V. Extreme ultra-violet lithographic apparatus and device manufacturing method
US8901521B2 (en) * 2007-08-23 2014-12-02 Asml Netherlands B.V. Module and method for producing extreme ultraviolet radiation
US20110024651A1 (en) * 2007-11-08 2011-02-03 Asml Netherlands B.V. Radiation system and method, and a spectral purity filter
NL2003181A1 (nl) * 2008-07-14 2010-01-18 Asml Netherlands Bv A source module of an EUV lithographic apparatus, a lithographic apparatus, and a method for manufacturing a device.
NL2003152A1 (nl) * 2008-08-14 2010-02-16 Asml Netherlands Bv Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method.
KR101652361B1 (ko) * 2008-08-14 2016-08-30 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 방사선 소스, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
DE102009016319A1 (de) * 2009-04-06 2010-10-14 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Kontaminationsvermeidung und EUV-Lithographieanlage
NL2004400A (en) 2009-04-09 2010-10-12 Asml Holding Nv Tunable wavelength illumination system.
TWI596384B (zh) * 2012-01-18 2017-08-21 Ａｓｍｌ荷蘭公司 光源收集器元件、微影裝置及元件製造方法
KR102141138B1 (ko) * 2012-03-14 2020-08-05 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치
WO2013156041A1 (en) * 2012-04-18 2013-10-24 Carl Zeiss Smt Gmbh A microlithographic apparatus and a method of changing an optical wavefront in an objective of such an apparatus
JP6280116B2 (ja) * 2012-08-03 2018-02-14 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置および方法
US10767978B2 (en) * 2017-04-14 2020-09-08 Kla-Tencor Corporation Transmission small-angle X-ray scattering metrology system

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010023314A (ko) * 1997-08-26 2001-03-26 오노 시게오 노광 장치, 노광 방법, 투영 광학계의 압력 조정 방법 및노광 장치의 조립 방법
KR20010109188A (ko) * 2000-06-01 2001-12-08 에이에스엠 리소그라피 비.브이. 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 이것에 의해제조된 디바이스
KR200430268Y1 (ko) * 2006-08-24 2006-11-13 삼인싸이언스(주) 이동식 공기여과장치

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH047820A (ja) * 1990-04-25 1992-01-13 Fujitsu Ltd 光励起処理方法
JP3127511B2 (ja) 1991-09-19 2001-01-29 株式会社日立製作所 露光装置および半導体装置の製造方法
JP3367167B2 (ja) * 1993-10-26 2003-01-14 株式会社ニコン 照明光学装置、該装置に使用される放電ランプ、及び露光装置
US6586757B2 (en) * 1997-05-12 2003-07-01 Cymer, Inc. Plasma focus light source with active and buffer gas control
US20020071468A1 (en) * 1999-09-27 2002-06-13 Sandstrom Richard L. Injection seeded F2 laser with pre-injection filter
US6661018B1 (en) * 2000-04-25 2003-12-09 Northrop Grumman Corporation Shroud nozzle for gas jet control in an extreme ultraviolet light source
US7508487B2 (en) * 2000-06-01 2009-03-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
TWI232356B (en) * 2000-09-04 2005-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
EP1197803B1 (en) 2000-10-10 2012-02-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US6597003B2 (en) * 2001-07-12 2003-07-22 Axcelis Technologies, Inc. Tunable radiation source providing a VUV wavelength planar illumination pattern for processing semiconductor wafers
US6724460B2 (en) * 2001-11-19 2004-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, cleaning unit and method of cleaning contaminated objects
US7026629B2 (en) * 2001-12-28 2006-04-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2004021086A1 (en) 2002-08-26 2004-03-11 Carl Zeiss Smt Ag Grating based spectral filter for eliminating out of band radiation in an extreme ultra-violet lithography system
SG129254A1 (en) 2002-08-27 2007-02-26 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and reflector assembly for use in said apparatus
US6770895B2 (en) * 2002-11-21 2004-08-03 Asml Holding N.V. Method and apparatus for isolating light source gas from main chamber gas in a lithography tool
US6919573B2 (en) 2003-03-20 2005-07-19 Asml Holding N.V Method and apparatus for recycling gases used in a lithography tool

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010023314A (ko) * 1997-08-26 2001-03-26 오노 시게오 노광 장치, 노광 방법, 투영 광학계의 압력 조정 방법 및노광 장치의 조립 방법
KR20010109188A (ko) * 2000-06-01 2001-12-08 에이에스엠 리소그라피 비.브이. 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 이것에 의해제조된 디바이스
KR200430268Y1 (ko) * 2006-08-24 2006-11-13 삼인싸이언스(주) 이동식 공기여과장치

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