KR20010109188A - 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 이것에 의해제조된 디바이스 - Google Patents

리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 이것에 의해제조된 디바이스 Download PDF

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KR20010109188A
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Abstract

157nm의 노광 방사선을 사용하는 리소그래피 투영시스템에 있어서, 투영 빔이 가로지르는 영역에서의 가스의 조성, 예를 들어 산소와 수증기의 수준이 측정된다. 상기 가스들에 의해 유발된 감쇠가 예견되어 그에 따라 노광하는 동안에 축적된 방사선의 조사량, 노광하는 동안에 상기 투영 빔에 의해 기판에 전달된 방사선 에너지의 균일성 및 각도 분포가 제어된다. 상기 제어에는 투영 빔이 제어된 감쇠를 일으키도록 투영 빔이 가로지르는 체척에 O2의 공급의 제어가 포함된다. 예를 들어, 공간적으로 분리된 회절차수를 선택적으로 필터링하거나 투영 빔에서 불균일성을 제거하기 위해서, 상기 O2분포는 불균일 할 수도 있다.

Description

리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 이것에 의해 제조된 디바이스{LITHOGRAPHIC APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY}
본 발명은
- 방사 투영 빔을 제공하는 방사 시스템;
- 투영 빔을 소정 패턴에 따라 패터닝하는 역할을 하는 패터닝 수단을 지지하는 지지 구조체;
- 기판을 고정하는 기판 테이블;
- 패터닝된 투영 빔을 기판의 목표영역에 투영하는 투영 시스템을 포함하여 이루어지고, 방사선 감지재료의 층에 의해 적어도 부분적으로 도포된 기판에 패턴을 결상하는 리소그래피 투영장치에 관한 것이다.
여기서 "패터닝 수단(patterning means)"이라는 용어는 입사하는 방사선 빔에 기판의 목표영역에 생성될 패턴에 대응하는 패터닝된 단면을 부여하는 데 사용될 수 있는 수단을 의미하는 것으로서 광범위하게 해석되어야 하며, 본 명세서에서는 "광 밸브(light valve)"라는 용어로도 사용된다. 일반적으로, 상기 패턴은 집적회로 또는 기타 디바이스와 같이 상기 목표영역에 형성될 디바이스내의 특정 기능층에 해당할 것이다(이하 참조). 그러한 패터닝 수단의 예로는 다음과 같은 것들이 포함된다.
- 마스크. 마스크의 개념은 리소그래피 분야에서 이미 잘 알려져 있고, 바이너리(binary)형, 교번 위상-쉬프트(alternating phase-shift)형 및 감쇠 위상-쉬프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크 유형도 포함된다. 방사 빔 영역내에 이러한 마스크가 놓이면, 마스크의 패턴에 따라 마스크에 입사되는 방사선의 선택적인 투과(투과형 마스크의 경우) 또는 반사(반사형 마스크의 경우)가 이루어진다. 마스크의 경우에 있어서, 지지 구조체는 입사하는 투영 빔 영역내의 소정 위치에 마스크를 고정시키면서 필요한 경우에는 마스크를 상기 빔에 대하여 상대적으로 이동시킬 수 있게 해 주는 마스크 테이블이 될 것이다.
- 프로그래밍 가능한 거울 배열. 이러한 장치의 예로는, 점탄성 제어층(viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면이 있다. 이러한 장치의 기본 원리는, (예를 들어) 반사면의 어드레스된 영역에서는 입사광이 회절광으로서 반사되는 한편, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광이 비회절광으로서 반사되는 것이다. 적절한 필터를 사용하면, 반사된 빔 중에서 상기 비회절광을 필터링하여 회절광만 남게 할 수 있다. 이러한 방식으로, 상기 빔은 상기 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 이때 요구되는 매트릭스 어스레싱은 적절한 전자적 수단을 사용하여 수행될 수 있다. 이러한 거울 배열에 관한 더 많은 정보는, 예를 들어 본 명세서에서 참고자료로 활용되고 있는 미국 특허 US 5,296,891호 및 US 5,523,193호로부터 얻을 수 있다. 프로그래밍 가능한 거울 배열의 경우에 있어서, 상기 지지 구조체는 예컨대 필요에 따라 고정되거나 이동될 수 있는 프레임 또는 테이블로서 구현될 수 있다.
- 프로그래밍 가능한 LCD 배열. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 참고자료로 활용되고 있는 미국 특허 US 5,229,872호에 있다. 이 경우에도 상술한 바와 마찬가지로 지지 구조체는 예컨대 필요에 따라 고정되거나 이동될 수 있는 프레임 또는 테이블로서 구현될 수 있다.
설명을 간단히 하려는 목적에서, 본 명세서의 나머지 부분 중 어느 곳에서는그 자체가 마스크 및 마스크 테이블을 포함하는 예시적인 용어로서 지칭될 수도 있다. 하지만, 그러한 예시에서 논의된 일반적인 원리는 상술한 바와 같은 패터닝 수단의 광의의 개념으로 이해되어야 한다.
예컨대, 리소그래피 투영장치는 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이 경우에, 패터닝 수단은 집적회로의 개별층에 대응되는 회로패턴을 만들어낼 수 있고, 이 패턴은 방사선 감지물질(레지스트)층으로 도포된 기판(실리콘 웨이퍼)상의 (1이상의 다이로 이루어진) 목표영역에 결상될 수 있을 것이다. 일반적으로 한 장의 웨이퍼에는 목표영역들이 인접해 있는 전체적인 네트워크가 형성되며, 이들 목표영역은 마스크를 통해 한번에 하나씩 연속적으로 조사된다. 마스크 테이블상의 마스크에 의한 패터닝을 채용하는 근래의 장치는 두 가지 형태의 장치로 구분할 수 있다. 일 형태의 리소그래피 투영장치에서는 한 번에 목표영역상에 전체 마스크 패턴을 노광함으로써 각 목표영역이 조사되는데, 이러한 장치를 통상 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라고 한다. 통상 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)로 불리워지는 대체장치에서는 투영 빔 하에서 소정의 기준방향("스캐닝" 방향)으로 레티클 패턴을 점진적으로 스캐닝하는 한편, 상기 스캐닝 방향과 같은 방향 또는 반대 방향으로 웨이퍼 테이블을 동기화시켜 스캐닝함으로써 각 목표영역이 조사된다. 일반적으로 투영 시스템은 배율인자(magnification factor:Ｍ)(일반적으로 <1)를 가지므로 기판 테이블이 스캐닝되는 속도(V)는 마스크 테이블이 스캐닝되는 속도의 인자 Ｍ배가 된다. 여기에 서술된 리소그래피 장치와 관련된 보다 상세한 정보는 본 명세서에서 참조하고 있는 US 6,046,792호에서 찾을 수 있다.
리소그래피 투영장치를 사용하는 제조 공정에서, 패턴(예를 들어, 마스크 패턴)은 방사선 감지재료(레지스트)층이 최소한의 부분에라도 도포된 기판상에 결상된다. 이 결상단계에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트 도포 및 소프트 베이크와 같은 다양한 절차를 거칠 수 있다. 노광후에는, 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 결상된 형상의 측정/검사와 같은 또 다른 절차를 거칠 것이다. 이러한 일련의 절차는, 예를 들어 IC 디바이스의 개별 층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 그런 다음, 이렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 연마 등과 같은 개별층을 마무리하기 위한 다양한 모든 공정을 거친다. 여러 층이 요구된다면, 새로운 층마다 전체 공정 또는 그 변형 공정이 반복되어져야만 할 것이다. 종국에는, 디바이스의 배열이 기판(웨이퍼)상에 존재하게 될 것이다. 이들 디바이스는 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의해 서로 분리된 후에, 각각의 디바이스가 운반 장치에 탑재되고 핀에 접속될 수 있다. 이와 같은 공정에 관한 추가 정보는 예를 들어, "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing (3판, Peter van Zant 저, McGraw Hill 출판사, 1997, ISBN 0-07-067250-4)" 으로부터 얻을 수 있으며, 본 명세서에서도 참조된다.
설명을 간단히 하기 위해, 상기 투영 시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급될 것이다. 하지만 이 용어는 예를 들어, 굴절 광학, 반사 광학 및 카타디옵트릭 시스템을 포함한 다양한 형태의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 또한 상기 방사 시스템은 방사 투영 빔의 지향, 성형 또는 제어하는 원리들 중의 어느 하나에 따라 동작하는 구성요소를 포함할 수 있고, 이후의 설명에서는 이들 구성요소에 대하여도 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급할 것이다. 또한, 상기 리소그래피 장치는 두 개이상의 기판 테이블(및/또는 두 개이상의 마스크 테이블)을 구비하는 형태가 될 수도 있다. 이러한 "다중 스테이지" 장치에서는, 하나이상의 다른 테이블이 노광을 위하여 사용되고 있는 동안에 하나이상의 부가적인 테이블을 사용하여 병행 또는 그 예비단계를 수행할 것이다. 예를 들어, US 5,969,441호 및 WO 98/40791호에는 트윈 스테이지 리소그래피 장치가 개시되어 있으며 본 명세서에서 참조된다.
리소그래피 투영장치에 있어서, 목표영역을 노광하는 동안에 투영 빔의 방사용 투영 시스템 및 방사 시스템의 투과율이 실질적으로 안정되게 하는 것이 중요하다. 이것은 조사량에 대한 제어("조사량 제어")가 적절하도록 돕는다. 조사량는 목표영역을 노광하는 동안 기판에 전달되는 단위 면적당의 총 에너지로서 정의된다. 바람직하게는 투과율은 중간에 조사량을 교정해야 할 필요가 없도록 인접한 목표영역들을 여러 번 노광하는 동안에도 실질적로 안정되어야 한다. 투과율의 불안정성은 예를 들어, 방사 투영 빔과 상기 방사 및 투영 시스템의 광학요소의 재료간의 상호작용으로 인하여 생길 수 있다고 알려져 있다. 상기 광학요소의 투과율의 알고있는 일시적인 변동은 피드-포워드 제어(feed-forward control)를 통해 보정될 수 있다(예를 들어, 본 명세서에서 인용되고 있는 US 9/461275호를 참조).
단파장의 방사선일수록, 특히 170nm이하의 파장에 대하여는 (산소의 존재로 말미암아) 공기에 의한 흡수가 현저해진다. 따라서, 리소그래피장치의 광학경로는 배기되거나, 또는 사용되는 방사선에 대해 투명한(transparent) 가스(퍼지가스)(통상 드라이 N2)로 플러싱(퍼지)된다. 상술한 공지의 예방조치에도 불구하고, 예를 들어 상기 광학경로내에 잔류 산소의 존재로 인하여 투과율의 현저한 변동이라는 문제가 있어서 바람직하지 않은 생산 에러를 초래하게 된다.
본 발명의 목적은 방사 시스템 및 투영 시스템의 투과율 변동에 대한 제어를 개선시키도록 투영 빔이 가로지르는 가스의 가스조성에 대한 개선된 제어를 제공하는 것이다. 특히, 본 발명의 목적은 특히 약 170nm보다 짧은 파장의 방사선이 사용되는 경우에 리소그래피 투영장치에서 목표영역을 노광하는 동안에 기판에 전달되는 조사량에 대한 개선된 제어를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 나타내는 도면,
도 2는 본 발명의 제1실시예의 투영 시스템, 기판 및 기판 테이블을 나타내는 단면도,
도 3은 본 발명의 제1실시예의 제어 시스템의 다이어그램,
도 4는 본 발명의 제2실시예에서 사용되는 제어가능한 방사선 흡수기의 단면도,
도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 리소그래피 투영장치의 동공면(pupil plane)내에 위치된 제어가능한 방사선 흡수기를 나타내는 다이어그램,
도 6은 제3실시예의 제어가능한 방사선 흡수기의 단면도,
도 7은 본 발명의 제4실시예에서 사용되는 제어가능한 방사선 흡수기의 단면도.
상기 목적과 그 밖의 목적들은 본 발명에 따라 서두에 서술된 바와 같은 리소그래피장치에서 성취되며, 상기 장치는,
투영 빔이 가로지르는 적어도 하나의 영역의 가스조성을 측정하는 센서 수단과;
상기 센서 수단에 의해 측정된 상기 가스조성에 응답하여 목표영역의 노광 중에 상기 투영 빔에 의해 상기 기판에 전달되는 방사선 에너지를 제어하는 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 수단들은 투영 빔이 통과하는 1이상의 영역의 가스조성을 측정한다. 상기 측정결과는 제어수단에 대한 입력값으로 작용할 수 있다. 제어수단은예를 들어, 목표영역의 노광시에 발생할 방사선의 흡수의 예상치를 계산하도록 구성될 수 있다. 상기 흡수 예상치를 가지고 조사량에 대한 적절한 보정이 계산될 수 있고 상기 보정을 실행하기 위한 조정이 가해질 수 있다. 상기 조정은 예를 들어, 상기 방사 시스템으로 방사선을 공급하는 방사원에 의하여 방출된 방사선력의 조정, 또는 상기 방사원이 엑시머 레이저인 경우에는 목표영역의 노광시에 방사원에 의해 방출된 방사선의 펄스의 수에 대한 조정이 포함될 수도 있다. 제어수단에 대한 입력값은 또한 예를 들어, 실질적으로 투영 시스템의 동공면(pupil plane)(또는 방사 시스템이나 투영 시스템 중 하나에서의 상기 동공면에 대하여 켤레인 평면)을 포함하는 디스크형상 체적내의 가스조성을 나타내는 측정결과가 될 수 있다. 이 예시에서, 제어수단은 목표영역의 노광시에 기판에 전달되는 방사선 에너지의 각도 분포를 예견하고 조절하도록 구성될 수 있다. 가스조성의 검출은 예를 들어, 산소 및 물과 같이 투영 빔의 파장의 방사선을 흡수한다고 알려진 가스의 수준의 측정을 포함하는 것이 바람직하다.
관례적으로 노광 중에 전달된 조사량은 상기 방사선력이나 노광의 지속시간, 또는 두 가지 모두를 변화시킴으로써 제어된다. 상기 방사 시스템에 방사선을 공급하는 방사원의 출력을 측정하기 위해서 상기 방사 시스템내의 편리한 위치에 에너지 센서가 제공된다. 상기 측정된 출력값은 예를 들어, 방사원에 의해 방출된 방사선력 또는 노광 지속시간의 조정 및 피드백 제어에 대한 근거를 제공한다. 방사원의 출력을 측정하는 데에 에너지 센서가 사용되는 경우, 본 발명의 센서 수단은 에너지 센서의 하류측에 있는 하나 또는 수개의 영역에서의 가스조성을 측정하도록구성되는 것이 바람직하다. 이러한 방식으로 본 발명은 혹시 조사량 에러를 유발할 지도 모르는 에너지 센서의 하류에서의 흡수를 산입할 수 있다.
본 발명에 따라 투영 빔이 지나는 영역에서의 가스에 의한 흡수를 보상하는 데 필요하도록 결정된 조정값은 그 밖의 요인, 예를 들어 방사원 출력에서의 변동 또는 투영 및/또는 방사 시스템내의 광학요소에 의한 흡수를 보상할 필요가 있는 것으로 결정된 조정값과 조합될 수 있다.
본 발명의 또 다른 형태에 따르면, 가스조성을 측정하고 투영 빔이 가로지르는 체적에 제어된 농도로 흡수제 가스를 공급함으로써 상기 체적내의 가스조성에 대한 개선된 제어를 얻게된다. 상기 흡수제 가스는 상기 투영 빔의 파장의 방사선을 흡수하는 역할을 한다. 상기 흡수제 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하는 방사선 흡수 수단은 부분 투과형 광학 필터로서 기능할 수 있으며, 여기서 투과율은 가스조성을 조정함에 따라 변동될 수 있다.
간단한 형태의 방사선 흡수 수단은, 예를 들어 CaF2로 이루어져 투영 빔의 방사선에 실질적으로 투명인 단부 면을 가진 엔클로저(enclosure)로 이루어진다. 제어 밸브를 통해 상기 엔클로저에 연결된 흡수제 가스의 공급부를 함께 가진다. 또 다른 밸브가 상기 엔클로저에 의해 둘러싸인 영역으로부터의 가스의 배출을 제어하며, 진공 펌프를 사용하여 행해질 수도 있다. 간단히 하기 위해서, 상술한 바와 같은 단부 면을 가진 엔클로저는 이하에서 "챔버"라고 칭할 수도 있다. 챔버내의 가스의 압력 및/또는 밀도는 투영 빔의 소정의 감쇠를 제공하도록 제어된다. 가스 유입구 및 유출구는 챔버내의 가스 농도/밀도가 균일하여 상기 빔이 균일하게 감쇠되도록 구성된다.
좀 더 복잡한 형태로서, 방사선 흡수 수단은 불균일한 농도의 흡수제 가스를 제공하여 소정의 빔 성형 효과를 갖도록 구성된다. 이것은 흡수제 가스 농도의 국부적 제어 또는 흡수제 가스 농도구배를 생성하도록 구성된 유입구 및 유출구의 배치를 가능하게 하는 개별적으로 제어가능한 가스 (마이크로)제트의 배열로 성취될 수 있다.
방사선 흡수 수단의 위치설정은 그것이 사용될 용도에 달려있다. 만일 (상기 정의한 바의) 조사량의 전반적인 제어를 위해 사용된다면 그것은 예를 들어, 방사 시스템내에 놓일 수 있고, 또는 방사원으로서 레이저가 사용되는 경우에는 방사시스템에 제공된 레이저 빔에 놓일 수도 있다. 후자의 경우에는, 예를 들어 비교적 방사원과 가깝게 놓일 수 있다. 마스크를 가로지르는 중에 회절된 방사선의 회절차수를 필터링하기 위해서는, 방사선 흡수 수단이, 예를 들어 투영 시스템의 동공면을 둘러싸도록 위치될 수 있다. 투영 빔의 방사선 에너지의 각도상 분포를 형성하기 위해서는, 방사선 흡수 수단이 예를 들어, 방사 시스템에서 상기 동공면에 켤레인 평면을 둘러싸도록 위치될 수 있다. 스캐닝 슬릿에 걸친 세기 변동을 제어하기 위해서는, 방사선 흡수 수단이 예를 들어, 기판의 근처 또는 마스크의 근처에 놓일 수 있고, 또는 그것이 마스크에 켤레인 평면을 포함하도록 놓일 수도 있다.
방사선 흡수제 가스가 공급되는 체적에는 그 밖의 가스는 없을 수도 있고 투영 빔의 방사선에 대해 투명인 기타 가스들을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 157nm의 파장을 갖는 투영 빔에 대하여, 방사선 흡수 가스로서 02가 사용될 수 있는 한편, 비흡수성 퍼지 가스로서 N2도 주어질 수 있다.
방사선 흡수 수단을 통과하는 방사선 흡수 가스의 흐름이 제공되는 경우, 이것은 투영 빔의 방사선의 흡수시 발생된 열을 멀리 가져가는 데 이용될 수 있다. 또한, 흡수 가스를 가로지르는 방사선 빔은 상기 흡수 가스에 화학적 영향을 유도할 수 있으므로 (그리고 따라서 흡수성의 변화를 유도할 수 있으므로), 상기 흐름은 영향을 받은 흡수 가스를 멀리 가져가는 데 이용될 수 있다.
본 발명의 또 다른 형태에 따르면,
- 적어도 부분적으로는 방사선 감지재료의 층으로 덮여 있는 기판을 제공하는 단계와;
- 방사 시스템을 사용하여 방사선의 투영 빔을 제공하는 단계와;
- 상기 투영 빔에 그 단면이 패터닝 되도록 패터닝 수단을 사용하는 단계와;
- 방사선 감지재료층의 목표영역에 방사선의 패터닝된 방사 빔을 투영시키는 단계를 포함하며,
- 상기 투영 빔이 가로지르는 적어도 하나의 영역내에서 가스들의 조성을 측정하는 단계,
- 상기 측정된 가스조성에 응하여 노광 중에 소정의 조사량이 상기 기판에 전달되도록 상기 투영 빔의 세기 및/또는 노광의 지속시간을 제어하는 단계, 및
- 상기 투영 빔에 소정의 감쇠가 생기도록 상기 투영 빔이 가로지르는 체적에 제어된 농도로 투영 빔의 파장의 방사선을 흡수하는 흡수제 가스를 제공하는 단계 중 적어도 하나를 특징으로 하는 디바이스 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따른 장치를 사용함에 있어 본 명세서에서는 집적회로의 제조에 대해서만 특정하여 언급하였으나, 이러한 장치가 다른 여러 응용례를 가지고 있음은 명백히 이해될 것이다. 예를 들어, 상기 장치는 집적 광학 시스템, 자기영역 메모리용 유도 및 검출 패턴, 액정표시패널, 박막 자기헤드 등의 제조에도 이용될 수 있다. 당업자라면, 전술한 기타 응용분야들을 고려할 때, 본 명세서에서 사용된 "레티클", "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어가 "마스크", "기판" 및 "노광영역" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 각각 대체되어 있음을 이해할 것이다.
본 명세서에서, "방사" 및 "빔"은 자외선(예를 들어 365㎚, 248㎚, 193㎚, 157㎚ 또는 126㎚의 파장을 갖는) 및 EUV(예를 들어, 5-20nm 범위의 파장을 갖는 극자외선)를 포함하는 모든 형태의 전자기 방사를 내포하는 것으로 사용된다.
이하에서 첨부된 개략적인 도면을 참고로 본 발명의 바람직한 실시예가 단지 예시의 방식으로 서술될 것이다.
제1실시예
도 1은 본 발명의 특정 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 개략적으로 나타내고 있다. 상기 장치는,
ㆍ방사선(예를 들어, UV 방사선)의 투영 빔(PB)을 공급하는 방사 시스템(Ex, IL)(특별한 경우에는 상기 방사 시스템에 방사원(LA)도 포함된다).
ㆍ마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 잡아주는 마스크 홀더가 제공되며, 아이템(PL)에 대하여 마스크를 정확히 위치시키는 제1위치설정수단에 연결된 제1대물테이블(마스크 테이블)(MT);
ㆍ기판(W)(예를 들어, 레지스트 코팅된 실리콘 웨이퍼)을 잡아주는 기판 홀더가 제공되며, 아이템(PL)에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제2위치설정수단에 연결된 제2대물테이블(기판 테이블)(WT); 및
ㆍ기판(W)의 목표영역(C)(예를 들어, 하나이상의 다이로 이루어진)에 마스크(MA)의 조사된 부분을 결상하는 투영 시스템("렌즈")(PL)(예를 들어, 굴절형 또는 카타디옵트릭 시스템이나 거울그룹)을 포함하여 이루어진다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예컨대, 투과형 마스크를 구비한) 투과형(transmissive type)이다. 하지만, 일반적으로는 예를 들어, (반사형 마스크를 구비한) 반사형일 수도 있다. 대안적으로는, 상기 장치가 위에서 언급한 형태의 프로그래밍 가능한 거울 배열과 같은 또 다른 종류의 패터닝 수단을 사용할 수도 있다.
방사원(LA)(예컨데, Hg 램프, 엑시머 레이저, 레이저나 방전 플라즈마 소스 또는 방사선의 빔을 생성하는 싱크로트론이나 스토리지 링내의 전자 빔의 경로 주위에 제공된 언듈레이터)은 방사선의 빔을 만든다. 상기 빔은 곧바로 조명 시스템(일루미네이터)(IL)에 들어 가거나, 예를 들어 빔 확장기(Ex)와 같은 컨디셔닝 수단을 거친 다음에 조명 시스템으로 들어간다. 상기 일루미네이터(IL)는 빔 강도 분포의 외측 및/또는 내측 반지름 크기(통상 각각 σ-외측 및 σ-내측라고 함)를 설정하는 조절 수단(AM)을 포함하여 이루어진다. σ-외측 및 σ-내측의 설정("시그마설정")은 예를 들어, 기판에서 상기 투영 빔에 의해 전달되는 방사선 에너지의 각도 분포에 영향을 미친다. 또한 그것은 일반적으로 집적기(IN) 및 집광기(CO)와 같은 그 밖의 다른 다양한 기기들을 포함하고 있다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)에 입사되는 빔(PB)은 그 단면이 소정의 균일성과 세기 분포를 갖게 된다.
도 1과 관련하여, 상기 방사원(LA)은 리소그패픽 투영장치의 하우징내에 놓이지만(예컨대, 간혹 방사원(LA)이 수은 램프인 경우에서 처럼), 그것이 리소그래피 투영장치와 멀리 떨어져서 그것이 만들어 낸 방사 빔이 (가령, 적당한 지향 거울에 의해) 장치 내부로 들어오게 할 수도 있다. 방사원(LA)이 엑시머 레이저인 경우에는 후자 쪽이기 쉽다. 본 발명과 청구 범위는 이러한 두 경우를 모두 포함하고 있다.
계속하여, 상기 빔(PB)은 마스크테이블(MT)상에 고정된 마스크(MA)를 통과한다. 마스크(MA)를 가로 지른 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 목표영역(C)위에 빔(PB)의 초점을 맞춘다. 제2위치설정수단(및 간섭계 측정수단(IF))에 의해, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에 상이한 목표영역(C)을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정수단은 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후에, 또는 스캐닝하는 동안에 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시킬 수 있도록 사용될 수 있다. 일반적으로 대물테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 긴 행정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 행해질 것이다. 하지만, (스텝-앤드-스캔 장치와는 대조적으로) 웨이퍼 스테퍼의 경우에는 마스크 테이블(MT)은 단행정 액추에이터에 연결되어 있거나 고정되어 있을 수도 있다.
상술한 장치는 다음의 두가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드에서는, 마스크테이블(MT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 전체 마스크 이미지는 한 번에(즉, 단일 "섬광"으로) 목표영역(C)으로 투영된다. 이후 기판테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 쉬프트되어 상이한 목표영역(C)이 빔(PB)에 의해 조사될 수 있다.
2. 스캔 모드에서는, 소정 목표영역(C)이 단일 "섬광"으로 노광되지 않은 것을 제외하고는 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크테이블(MT)이ν의 속도로 소정 방향(소위 "스캐닝 방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동 가능해서, 투영 빔(PB)이 마스크 이미지의 모든 부분을 스캐닝하도록 되고, 동시에 기판테이블(WT)은 속도V=Mv로, 동일한 방향 또는 그 반대 방향으로 동시에 이동하며,이 때M은 렌즈(PL)의 배율(통상M=1/4 또는M=1/5)이다. 이러한 방식으로, 해상도를 떨어 뜨리지 않고도 비교적 넓은 목표영역(C)이 노광될 수 있다.
조명 시스템(IL)에서, 투영 빔(PB)의 일부는 빔 스플리터(BS)에 의해 에너지 센서(ES) 쪽으로 진로가 바뀐다. 빔 스플리터(BS)는 석영위에 알루미늄을 퇴적시켜 형성되고 투영 빔을 편리한 배향으로 꺾는 데에 사용되는 반사기일 수도 있다. 이미 알고 있는 비율, 예를 들어 1%의 비율로 에너지 센서를 거치게 하도록 알루미늄층에는 작은 구멍들의 패턴이 에칭된다. 에너지 센서의 출력은 아래에서 더욱 서술되는 바와 같이 노광 중에 전달되는 조사량을 제어하는 데 사용된다.
특히 파장이 157nm이거나 그 이하인 방사선이 사용되는 경우에는, 장치의 전체 광학경로는 투영 빔으로 사용되는 방사선에 대해 투명인, 예를 들어 드라이 N2가스로 플러싱될 수 있는 하나이상의 케이싱(CA)내에 봉해진다. 상기 플러싱(flushing) 또는 퍼지 가스는 청정가스의 콘테이너 또는 공기를 제거 및 건조시키는 플렌트일 수 있는 가스 공급부(GS)로부터 공급될 수 있다.
도 2는 케이싱(16)내에 장착된 복수의 광학요소(11-15) 및 상기 케이싱(16)과 기판 테이블(WT) 사이의 엔클로저(26)를 포함하여 이루어진 투영 시스템(PL)의 단면도이다. 명확히 하기 위해서 단지 5개의 광학요소(렌즈)만이 도시되었지만, 실제로는 투영 시스템(PL)이 30개 이상의 각종의 기기들을 구비할 수도 있다. 상기 광학요소(11-15)는 투영 광학 시스템을 복수의 챔버들(17-20)로 분할하고, 각 챔버 안에는 각각 가스 센서(21-24)가 배치된다. 엔클로저(26)에 의해 형성된 챔버(27)내에는 가스 센서(25)가 위치한다.
가스 센서(21-25)는 상기 투영 렌즈 시스템과 챔버(27)내에 채워진 가스의 조성을 측정한다. 특히, 상기 센서는 예를 들어, O2, O3, H2O 및/또는 탄화수소와 같이 투영 빔의 파장의 방사선을 흡수하는 것으로 알려진 가스들의 수준을 측정한다. 예컨대, 빔 스플리터(BS)의 하류의 다른 영역, 예를 들어 마스크와 마주하는 챔버내에 또는 조명 시스템(IL)의 마지막 스테이지내에 있는 챔버내에 부가적인 가스 센서가 놓일 수도 있다. 가스 센서는 방사선의 흡수량을 측정함으로써 대상 가스들의 농도를 검출하는 것이 바람직하다. 상기 가스 센서는 방사원 및, 흡수제 가스농도가 측정될 체적을 가로질러 소정 거리만큼 떨어져 있는 방사선 센서를 포함할 수도 있다. 방사원이 투영 빔과 동일한 파장의 방사선을 방출시킬 필요는 없다. 센서에서 사용된 방사선과 투영 빔의 방사선에 대한 흡수제 가스의 투과율에서의 여하한 차이가 있더라도 이에 맞추어 측정된 방사선의 흡수량을 보정할 수 있다. 대안적으로는, 상기 가스 센서가 투영 빔의 방향을 벗어난 방사선의 흡수량을 검출하도록 배치된 방사선 검출기를 포함할 수도 있다. 어떤 실시예에서는, 화학 센서가 사용될 수도 있지만 어떤 적용례에 대하여는 응답시간이 너무 느려질 수도 있다.
도 3은 정확한 조사량을 확보하도록 노광을 제어하기 위해서 가스 센서(21-25) 및 에너지 센서(ES)의 출력을 활용하는 제어 시스템의 다이어그램이다. 도 3에 도시되고 상기 서술된 바와 같이, 빔 스플리터(BS)에 의해 투영 빔(PB)의 일부는 에너지 센서(ES) 쪽으로 진로가 바뀐다. 에너지 센서(ES)는 거기에 도달하는 방사선의 세기를 측정하고 그에 대응하는 출력을 한다. 이 출력은 방사원(LA)에 의해 공급된 방사선력에 있어서의 모든 변동과 빔 스플리터(BS)의 상류의 광학경로를 따른 모든 투과율의 변동을 측정한다. 가스 센서(21-25)는 빔 스플리터의 하류의 광학경로의 영역에서 가스조성을 측정하도록 배열되고 각각의 출력을 제공한다.
에너지 센서(ES) 및 가스 센서(21-25)의 출력은 제어회로(326)로 공급된다. 제어회로(326)는 가스 센서(21-25)의 출력으로부터, 빔 스플리터(BS)의 하류에서 발생할 투영 빔(PB)의 감쇠량의 예상치를 도출하고 이 예상치를 에너지 센서(ES)에 의해 측정된 투영 빔의 세기와 함께 조합하여 기판에서의 투영 빔의 실제 세기를 근사적으로 결정한다. 예를 들어, 각 영역에서 빔이 지나간 경로길이와 측정된 가스조성의 투과율에 의존하는 (부분)압력 및 밀도를 통해, 측정된 가스조성으로부터 상기 감쇠의 정도가 대략적으로 결정될 수 있다. 대안적으로는, 흡수제 가스의 농도를 다르게 하면서 감쇠를 측정하도록 기판 수준에서 에너지 센서를 사용하여 경험적으로 도출된 값을 이용하는 것도 가능하다.
에너지 센서(ES)와 가스 센서(21-25)의 출력 뿐만 아니라, 제어회로도 예를 들어, 빔 스플리터의 하류에 있는 광학요소에서의 일시적 감쇠 효과를 예견하는 예견회로(325)에 의해 제공된 그 밖의 보정치를 산입해 넣을 수 있다.
기판에서의 투영 빔의 실제 세기가 근사적으로 결정되었으면, 목표영역(C)의 다음 번 노광 중에 기판에 전달되는 정확한 조사량을 확보하기 위해서 제어회로가 리소그래피 투영장치의 제어를 수행한다. 이 제어는 방사원(LA)에 의해 공급되는 방사선력을 제어하거나, 조명 시스템내의 가변 감쇠기나 셔터(SH)를 제어하거나, 각 노광의 지속시간을 제어하거나 또는 이들 방법을 임의로 조합하는 형태를 취할 수 있다. 노광 파라미터는 각각의 노광 전에 또는 일련의 노광 전에 미리 설정되거나 일시적 효과를 계산하기 위해서 노광 중에 계속해서 제어될 수도 있다. 다양한 센서들의 표본율은 그에 따라 결정된다.
제2실시예
도 4는 본 발명에 따른 방사선 감쇠기 또는 방사선 흡수 수단의 단면을 나타낸다. 방사선 감쇠기는 예를 들어, CaF2와 같이 상기 투영 빔의 방사선에 대해 실질적으로 투명인 재료로 만들어진 단부 면(411, 412)과 엔클로저(410)를 포함하여 이루어진다. 구성요소 410, 411 및 412는 챔버(418)를 형성한다. 상기 단부 면은 리소그래피 투영장치의 조명 또는 투영 시스템내에 다른 용도로 제공된 광학요소일 수도 있다. 예를 들어, 투영 빔이 157nm의 파장을 갖는 경우에 O2와 같은 방사선 흡수 가스가 제1제어밸브(414)를 통해 공급부(413)로부터 상기 챔버(418)로 공급된다. 상기 챔버로부터의 가스의 배출은 제2제어밸브(415)와 선택적 진공펌프(416)에 의해 제어된다.
챔버(418)내의 흡수제 가스의 양은 투영 빔(PB)이 상기 챔버(418)를 통과할 때 소정의 크기로 감쇠되는 것을 확실히 하도록 제어된다. 상기 챔버(418)는 흡수제 가스만을 공급받거나, 예를 들어 N2와 같이 투명인 가스가 적절한 농도로 혼합된 흡수제 가스를 공급받을 수 있다.
피드백 제어를 위해 흡수제 가스의 (부분)압력을 측정하도록 상기 챔버(418)내에는 센서(417)가 제공될 수 있다. 또한 가스 공급부는 에너지 센서 또는 예를 들어, 방사선 감쇠기의 하류에서 투영 빔의 세기를 감지하는 기타 센서의 출력에 응하여 제어될 수 있다.
가스 유입구 및 유출구는 상기 챔버(418)내에 흡수제 가스가 고르게 분포되어 투영 빔(PB)의 감쇠를 균일하게 하도록 배치되는 것이 바람직하다. 방사선 감쇠기는 방사원에서 기판에 이르는 투영 빔의 광학경로내의 임의의 편리한 위치에 놓일 수 있으며 투영 빔의 세기 제어용으로 사용될 수도 있다. 충분한 용량의 방사선 흡수 가스를 추출하기 위해, 적당하게 높은 압력의 가스 공급과 진공 펌프를 가지고 방사선 감쇠의 반응시간을 빔 경로 안에서 필터를 기계적으로 교환하는 시스템에 비하여 훨씬 빠르게 할 수 있다.
제3실시예
제3실시예에서는 이하에 서술되는 것을 제외하면 제2실시예와 동일할 수 있는데, 즉 방사선 감쇠기는 제어가능하게 불균일한 농도의 흡수 가스를 구비하도록 구성되며 마스크를 지나치는 중에 마스크에서 회절된 방사선의 회절 차수를 필터링하는 데 사용된다.
도 5는 리소그래피 투영장치의 마스크(MA)로부터 기판(W)에 이르는 광학 시스템의 단순화된 설계도이다. 도면에서는 개략적으로 두 개의 렌즈(PL1, PL2)로만 표현된 투영 시스템(PL)내에는 적어도 하나의 투영 시스템의 동공면(PP)이 있다. 동공면(PP)에서, 패터닝된 투영 빔의 세기 분포는 마스크상의 패턴의 푸리에 변환이 된다. 마스크에서는 각도상으로 분리되는 패터닝된 빔의 다양한 회절차수가 동공면(PP)에서는 공간상으로 분리된다. 따라서, 상기 회절차수는 불균일한 투명도의 필터를 사용하여 선택적으로 필터링될 수 있다. 이것은 불균일한 농도의 방사선 흡수 가스를 구비하며 상기 동공면의 주위에 또는 인근에 놓인 방사선 감쇠기(520)를 사용함으로써 성취될 수 있다. 불균일한 가스는 방사선 감쇠기(520)의 챔버를 상기 동공면에서 나란히 놓이고 개별적으로 제어가능한 가스 공급부 및 배기 펌프를 구비하는 복수의 셀로 나눔으로써 성취될 수 있다. 대안적으로는, 방사선 감쇠기(520)에 가스 농도의 동적 구배를 형성하도록 구성된 가스 유입구 및 유출구가 제공될 수도 있다.
후자 형태의 방사선 감쇠기(620)가 도 6에 도시되어 있다. 이 감쇠기에서, 방사선 흡수 가스는 감쇠기(620)의 챔버로 연장되어 투영 시스템(PL)의 광학축 부근에 배치된 하나 또는 복수의 출구(622)를 구비한 도관(621)을 통해 공급된다. 가스는 챔버의 바깥 둘레에 분포된 복수의 입구(624)를 구비한 도관(623)을 통해 챔버로부터 제거된다. 출구(들)에서의 압력에 의존하게 될, 가스의 공급량 및 가스가 챔버로부터 제거되는 속도를 적당히 제어함으로써, 반경방향으로 대칭적인 가스 분포 구배가 동적 평형을 이루게 할 수 있다.
제4실시예
제4실시예에서는 이하에 서술되는 것을 제외하면 상술한 제2 및 제3실시예 중 어느 하나의 경우와 동일할 수 있는데, 즉 방사선 감쇠기는 특히 스캐닝 투영장치에서 노광 슬릿에 걸친 세기 변동을 줄이는 데 사용된다.
제4실시예의 방사선 감쇠기(방사선 흡수 수단)(730)는 리소그래피 투영장치에서 광학축에 수직인 투영 빔 프로파일이 실질적으로 기판 수준에서와 같이 동일하게 되는 위치에 놓여있다. 예컨대, 상기 방사선 감쇠기(730)는 마스크나 기판의 평면이나 그 부근에 놓일 수도 있고, 또는 방사선 시스템이나 투영 시스템에서 이들 평면에 실질적으로 켤레가 되는 임의의 평면에 놓일 수도 있다.
도 7은 방사선 감쇠기(730)의 광학축에 수직인 단면도이다. 여기서 알 수 있듯이, 방사선 흡수 가스는 도관(731)을 통해 상기 광학축에 수직인 평면내에서 노광 슬릿의 단면을 갖는, 투영 빔(PB)에 인접하여 배열된 복수의 (마이크로)제트(732)로 공급된다. 상기 제트(732)의 배열은 스캐닝 방향, 예를 들어 Y 방향에 대략 수직이다. 상기 제트(732)의 배열의 반대 쪽에는 그에 대응하여 도관(733)을 통해 적당한 진공 펌프에 연결되어 있는 배기 오리피스(734)의 배열이 있다. 각각의 제트(732)는 독립적으로 제어가능한 밸브를 구비하여 그것을 통과하는 흡수제 가스의 유속을 제어한다. 이들 밸브를 적절히 제어하고 챔버로부터의 가스의 배기율이 적당히 높게 함으로써, 스캐닝 방향에 수직인 투영 빔에서의 세기 변동을 보상하고 기판 수준에서 균일한 조명을 확보하도록, 방사선 흡수 가스의 농도가 슬릿의 길이를 따라 변화될 수 있다. 스캐닝 방향에 평행한 세기 변동은 스캐닝 과정 그 자체로써 평준화된다. 세기 변동은 예를 들어, 투과 이미지 센서(TIS)와 같은 이미지 센서를 사용하여 측정될 수 있다. 이 형태의 TIS의 일례가 US 4,540,277호에 더욱 상세히 개시되어 있으며, 본 명세서에서도 참고된다. 소정의 균일도를 이루기 위해 흡수 가스 농도를 변화시키기에 적합한 제어 수단은 쉽게 제공 받을 수 있다.
이상에서, 본 발명의 특정 실시예에 대하여만 서술되었지만, 본 발명이 서술된 바와 다르게도 실현될 수 있음이 이해될 것이다. 서술 내용은 본 발명을 한정하려는 것이 아니다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따르면 방사 시스템 및 투영 시스템의 투과율 변동에 대한 제어를 향상시키도록 투영 빔이 가로지르는 가스의 가스조성에 대하여 향상된 제어를 제공할 수 있다.

Claims (20)

  1. 적어도 부분적으로 방사선 감지재료의 층으로 도포된 기판에 패턴을 결상하는 리소그래피 투영장치로서,
    - 방사 투영 빔을 제공하는 방사 시스템과;
    - 투영 빔을 소정 패턴에 따라 패터닝하는 역할을 하는 패터닝 수단을 지지하는 지지 구조체와;
    - 기판을 고정하는 기판 테이블과;
    - 패터닝된 투영 빔을 기판의 목표영역에 투영하는 투영 시스템을 포함하며,
    투영 빔이 가로지르는 적어도 하나의 영역의 가스조성을 측정하는 센서 수단; 및
    상기 센서 수단에 의해 측정된 상기 가스조성에 응하여 목표영역의 노광시에 상기 투영 빔에 의해 상기 기판에 전달되는 방사선 에너지를 제어하는 제어 수단을 포함하는 것을 특징하는 리소그래피장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어 수단은,
    - 상기 방사 시스템에 방사선을 공급하는 방사원에 의해 방출된 방사선력,
    - 목표영역의 노광시에 상기 방사원에 의해 전달되는 수개의 방사선 펄스,
    - 상기 방사원에 의해 방출된 방사선의 펄스의 방사선 에너지,
    - 폭표영역의 노광의 지속시간,
    - 상기 투영 빔의 경로에 놓인 이색 필터(dichroic filter)의 투과,
    - 목표영역의 스캐닝 노광시에 기판 테이블이 이동되는 속도,
    - 상기 투영 빔에 의해 전달되는 방사선 에너지의 각도 분포 중의 적어도 하나를 조절하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피장치,
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 센서 수단은 산소 및 수증기를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 가스의 농도를 측정하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 센서 수단은 상기 투영 빔이 가로지르는 대응하는 복수의 영역에서 가스조성을 측정하도록 구성된 복수의 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투영 빔의 세기를 측정하는 에너지 센서를 더욱 포함하며, 상기 센서 수단은 상기 에너지 센서에 상대적으로 상기 투영 빔의 광학경로상 하류에 있는 적어도 하나의 영역의 가스조성을 측정하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 센서 수단은 상기 방사 시스템 및 상기 투영 시스템 중 적어도 하나의 광학 축에 수직인 방향에서의 가스조성의 변동을 측정하도록 구성되며, 상기 제어 수단은 상기 광학 축에 수직인 상기 투영 빔의 세기의 균일성을 제어하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어 수단은 상기 투영 빔이 가로지르는 적어도 하나의 체적으로 제어된 농도의 흡수제 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하며, 상기 흡수제 가스는 상기 투영 빔의 파장의 방사선을 흡수하는 역할을 하는 것을 특징으로 하는 리소그래피장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 방사선 흡수 수단은 적어도 부분적으로 상기 체적을 둘러싸며 전파 방향에 평행인 방향에서 상기 투영 빔의 방사선에 실질적으로 투명인 엔클로저를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피장치.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 체적으로부터 상기 방사선 흡수 가스를 추출하는 추출 수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로하는 리소그래피장치.
  10. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 공급부는 산소 가스를 공급하도록 구현되는 것을 특징으로 하는 리소그래피장치.
  11. 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 공급부는 상기 방사선 흡수 가스와 퍼지 가스를 제어된 농도로 혼합하여 공급하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피장치.
  12. 제7항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방사선 흡수 수단은 상기 투영 빔의 경로에서 상기 방사 시스템과 투영 시스템 중 적어도 하나의 광학 축에 수직인 평면에서 제어가능하게 불균일한 가스 농도를 유지시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 방사선 흡수 수단은 상기 광학 축에 실질적으로 대칭이 되는 가스 농도를 유지시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피장치.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 체적은 상기 투영 시스템의 동공면을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피장치.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 방사선 흡수 수단은 스캐닝 노광시에 기판 테이블이 이동되는 스캐닝 방향에 수직인 방향으로 제어가능하게 변동될 수 있는 가스 농도를 유지시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 방사선 흡수 수단은 상기 패터닝 수단의 평면, 상기 기판의 평면 및 패터닝 수단과 상기 기판의 상기 평면의 켤레 평면을 포함하는 그룹 중에서 선택된 평면에 근접하여 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피장치.
  17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 구조체는 마스크를 고정하는 마스크 테이블을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피장치.
  18. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방사 시스템은 방사원을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피장치.
  19. - 적어도 부분적으로 방사선 감지재료의 층으로 덮여 있는 기판을 제공하는 단계와;
    - 방사 시스템을 사용하여 방사선의 투영 빔을 제공하는 단계와;
    - 상기 투영 빔에 그 단면이 패터닝 되도록 패터닝 수단을 사용하는 단계와;
    - 방사선 감지재료층의 목표영역에 방사선의 투영 빔을 투영시키는 단계를 포함하며,
    - 상기 투영 빔이 가로지르는 적어도 하나의 영역내에서 가스들의 조성을 측정하는 단계,
    - 상기 측정된 가스조성에 응하여 노광시에 소정의 조사량이 상기 기판에 전달되도록 상기 투영 빔의 세기 및/또는 노광의 지속시간을 제어하는 단계, 및
    - 흡수제 가스가 상기 투영 빔에 소정의 감쇠가 생기도록 상기 투영 빔이 가로지르는 체적에 제어된 농도로 투영 빔의 파장의 방사선을 흡수하는 상기 흡수제 가스를 공급하는 단계 중 적어도 하나를 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  20. 제19항의 방법에 따라 제조된 디바이스.
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