JP2004006690A

JP2004006690A - リソグラフ装置およびデバイス製造方法

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Publication number: JP2004006690A
Application number: JP2003060642A
Authority: JP
Inventors: Jeroen Johannes Sophia M Mertens; イエローン　ヨハンネス　ソフィア　マリア　メルテンス
Original assignee: ASML Netherlands BV
Current assignee: ASML Netherlands BV
Priority date: 2002-02-01
Filing date: 2003-01-30
Publication date: 2004-01-08
Also published as: CN1441317A; KR100733128B1; TW587278B; US20030197844A1; KR20030080191A; CN1288504C; TW200305192A; US6847430B2; SG120087A1; DE60321842D1

Abstract

【課題】投影システムの光学部品まで達する外部汚染物の進入を防止するための手段を提供する。
【解決手段】光学部品を密封する第１区画１０の内側中にパージ・ガスの第１の流れ１１、１２を供給し、さらに第１区画１０の外側に第１区画を囲む第２区画を設け、第１区画と第２区画の間の空間にパージ・ガスの第２の流れ１６、１７を供給する。第２区画の包囲体によって外部汚染物の進入に対する追加の障壁が形成され、第１区画の汚染物レベルがさらに低減される。
【選択図】　　　図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、
放射の投影ビームを供給するための放射システムと、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するパターン化手段を支持するための支持構造体と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化されたビームを基板の目標部分に投影するための投影システムと、
その中に汚染敏感部品を有する第１区画と、
第１区画の内部を第１のパージ・ガスでパージするための第１のガス供給手段とを備えるリソグラフ投影装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ここで使用されるような「パターン化手段」という用語は、基板の目標部分に作成すべきパターンに対応するパターン化された断面を入射放射ビームに与えるために使用することができる手段を称するものとして広く解釈すべきである。また、用語「光弁」は、この文脈で使用することができる。一般に、前記のパターンは、集積回路または他のデバイスのような、目標部分に作成されるデバイスの特定の機能層に対応する（下を参照されたい）。そのようなパターン化手段の例は、次のものを含む。
【０００３】
マスク。マスクの概念は、リソグラフではよく知られており、２進位相シフト、交番位相シフト、および減衰位相シフト、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプのようなマスクの種類を含む。そのようなマスクを放射ビーム内に配置することで、マスクのパターンに応じて、マスクに当たる放射の選択的な透過（透過マスクの場合）または反射（反射マスクの場合）が起こる。マスクの場合、支持構造体は一般にマスク・テーブルであり、このマスク・テーブルによって、マスクは、確実に入射放射ビーム内の所望の位置に保持されることができるようになり、さらに、望むならば、マスクをビームに対して移動させることができるようになる。
【０００４】
プログラム可能ミラー・アレイ。そのようなデバイスの一例は、粘弾性制御層および反射表面を有するマトリックス・アドレス指定可能表面である。そのような装置の基本原理は、（例えば）反射表面のアドレス指定された領域は入射光を回折光として反射するが、アドレス指定されていない領域は入射光を非回折光として反射する。適切なフィルタを使用して、前記の非回折光を、反射ビームからフィルタ除去して、後に回折光だけを残すことができる。このようにして、マトリックス・アドレス指定可能表面のアドレス指定パターンに従って、ビームはパターン化される。プログラム可能ミラー・アレイの他の実施形態では、小さなミラーのマトリックス配列が使用される。この小さなミラーの各々は、適当な局部電界を加えることで、または圧電作動手段を使用することで、軸のまわりに個々に傾斜させることができる。やはり、アドレス指定されたミラーが、アドレス指定されていないミラーに対して異なる方向に入射放射ビームを反射するように、ミラーはアドレス指定可能なマトリックである。このようにして、反射ビームは、マトリックス・アドレス指定可能ミラーのアドレス指定パターンに応じてパターン化される。必要なマトリックス・アドレス指定は、適当な電子的な手段を使用して行うことができる。上記の両方の状況で、パターン化手段は１つまたは複数のプログラム可能ミラー・アレイを含むことができる。本明細書で言及するミラー・アレイについて、例えば、米国特許第５，２９６，８９１号および米国特許第５，５２３，１９３号、ならびにＰＣＴ特許出願ＷＯ９８／３８５９７およびＷＯ９８／３３０９６からより多くの情報を収集することができる。これらの特許は、参照により本明細書に組み込む。プログラム可能ミラー・アレイの場合、前記の支持構造体は、例えば、フレームまたはテーブルとして具体化することができ、それは、必要に応じて、固定するか、可動にすることができる。
【０００５】
プログラム可能ＬＣＤアレイ。そのような構造の一例は、米国特許第５，２２９，８７２号に与えられている。この特許は、参照により本明細書に組み込む。上記のように、この場合の支持構造体は、例えば、フレームまたはテーブルとして具体化することができ、それは、必要に応じて、固定するか、可動にすることができる。
【０００６】
簡単にするために、本明細書の残りは、特定の配置による、具体的には、マスクおよびマスク・テーブルを含む例を対象とする。しかし、そのような例で述べる一般的な原理は、上で述べたようなパターン化手段のより広い環境の中で理解すべきである。
【０００７】
リソグラフ投影装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造で使用することができる。そのような場合、パターン化手段は、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することができる。このパターンの像が、放射感応材料（レジスト）の層で覆われた基板（シリコン・ウェーハー）上の目標部分（例えば、１つまたは複数のチップで構成される）に形成される。一般に、単一のウェーハーは全体として網の目状の隣接する目標部分を含み、この隣接する目標部分が、投影システムにより、一度に１つずつ、連続的に照射される。マスク・テーブル上のマスクによるパターン化を採用している現在の装置においては、２つの異なる機械種類に分けることができる。一方の種類のリソグラフ投影装置では、全マスク・パターンを一括して目標部分に露出させることで、各目標部分が照射される。そのような装置は、通常、ウェーハー・ステッパと呼ばれる。走査ステップ式装置と通常呼ばれる他方の装置では、投影ビームの当たるマスク・パターンを所与の基準方向（「走査」方向）に漸進的に走査し、同時に、同期して、この方向に対して平行または逆平行に基板テーブルを走査することで、各目標部分が照射される。一般に、投影システムは、拡大率Ｍ（一般に、Ｍ＜１）を持つので、基板テーブルが走査される速度Ｖは、マスク・テーブルが走査される速度の因数Ｍ倍となる。ここで説明したようなリソグラフ装置に関して、例えば、米国特許第６，０４６，７９２号から、もっと多くの情報を収集することができる。この特許は、参照により本明細書に組み込む。
【０００８】
リソグラフ投影装置を使用する製造プロセスでは、放射感応材料（レジスト）の層で少なくとも部分的に覆われた基板上にパターン（例えば、マスク内の）の像が作られる。この像形成ステップの前に、基板は、下塗り、レジスト被覆、およびソフト・ベークのような様々な手順を経ることができる。露出後に、基板は、露出後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーク、および形成された像の特徴の測定／検査のような他の手順を受けることができる。この手順の配列は、デバイス、例えばＩＣの個々の層をパターン化する基礎として使用される。次に、そのようなパターン化層は、エッチング、イオン打込み（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械研磨などのような、全て個々の層を仕上げるために意図された、様々なプロセスを経ることができる。いくつかの層が必要な場合には、この全手順またはその変形を、新しい層ごとに繰り返さなければならない。最終的に、デバイスの配列が基板（ウェーハー）上に存在するようになる。次に、ダイシングまたは鋸引きのような方法で、これらのデバイスを互いに分離し、それから、個々のデバイスを、ピンなどに接続されたキャリアに取り付けることができる。そのようなプロセスに関するより多くの情報は、例えば、「Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ　Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ　ｐｒａｃｔｉｃａｌ　Ｇｕｉｄｅ　ｔｏ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ（マイクロチップの製造：半導体処理への実用的入門書）」、Ｔｈｉｒｄ　Ｅｄｉｔｉｏｎ、ｂｙ　Ｐｅｔｅｒ　ｖａｎ　Ｚａｎｔ、ＭｃＧｒａｗ　Ｈｉｌｌ　Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ　Ｃｏ．、１９９７、ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４の本から得ることができる。この本を参照により本明細書に組み込む。
【０００９】
簡単にするために、投影システムを以下で「レンズ」と呼ぶことがある。しかし、この用語は、例えば、屈折光学システム、反射光学システム、およびカタディオプトリック・システムなどの様々な種類の投影システムを包含するものとして広く解釈すべきである。また、放射システムは、これらの設計方式のいずれかに従って動作して放射の投影ビームを方向付け、整形し、または制御する構成部品を含むことができる。さらに、そのような構成部品もまた、以下で一括してまたは単独で、「レンズ」と呼ぶことがある。さらに、リソグラフ装置は、２つ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスク・テーブル）を有する種類のものであることがある。そのような「マルチ・ステージ」の装置では、追加のテーブルは、並列に使用されることがあり、または、他の１つまたは複数の他のテーブルを露出に使用しながら、１つまたは複数のテーブルで準備ステップが行われることがある。デュアル・ステージ・リソグラフ装置は、例えば、米国特許第５，９６９，４４１号および国際公開ＷＯ９８／４０７９１に記載されている。これらを参照により本明細書に組み込む。
【００１０】
例えば、投影レンズのような、上記の装置の重要な光学要素は、酸素、水分および炭化水素のような汚染物のない状態に保たれなければならない。汚染物の源としては、装置の周りの周囲環境、装置内のアクチュエータのような部品、レジスト、放射源およびマスクがある。汚染物は放射を吸収して、ビーム強度の許容できない損失および／または局部的なばらつきをもたらすかもしれない。したがって、汚染敏感部品を含む区画への外部汚染物の進入が最小限に抑えられること、およびこの区画近傍またはこの区画内で生じる汚染物のそのような汚染敏感部品への侵入も最小限に抑えられることを保証することが必要である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、光学部品まで達する外部汚染物のレベルを減少させ、かつ内部で生じた汚染物を取り除くことである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
この目的および他の目的は、冒頭のパラグラフで明示されたようなリソグラフ装置であって、さらに、
区画を画定する包囲体の外側表面に第２のパージ・ガスの流れを供給するための第２のガス供給手段を備えることを特徴とする装置で、本発明に従って達成される。
【００１３】
区画の外側表面をパージすることで、この区画の周りに生じた汚染物の大部分を除去し、区画内の部品まで進入する外部汚染物を減少させるので、この装置は有利である。この区画への漏れは主にクリーンなパージ・ガスである。区画の外側表面を第２のガスの流れでパージすることで、この区画内の汚染物のレベルは、この区画を隣接して囲む領域よりもさらに低くなり、結果として非常に低くなる。
【００１４】
本発明の好ましい実施形態では、第１区画を囲む第２区画が設けられ、第２のガス・パージ手段によって、第１区画と第２区画の間の空間がパージされる。第２区画の包囲体によって、外部汚染物の進入に対する追加の障壁が形成されて、第１区画内の汚染物レベルがさらに低減される。さらに、パージを必要とする画定された空間を設けることで、必要なパージ・ガスの量が著しく減少し、かつパージ・ガスが第２区画外の他部品に支障を及ぼすことはない。
【００１５】
第２のガス流で覆われた開口を第２区画の包囲体に設け、リンクがこの開口を貫通するのが好ましい。これによって、区画内の汚染物レベルを実質的に高めることなしに、機械的な接続、他のユーティリティおよび制御を第１区画に与えることができるようになるので、これは効果的である。
【００１６】
有利なことには、開口を囲み、かつ第２区画の外にある、装置の第２部分の中に突き出る境界遮蔽物を、第２区画は備えることができる。これによって、汚染物が開口を通過するために拡散しなければならない距離を長くすることで、第２区画内の汚染物レベルを減少させることができる。結果的に、第１区画内の汚染物レベルも減少する。
【００１７】
本発明のさらに好ましい態様では、第２区画に取り付けられた境界遮蔽物と開口を貫通するリンクの間に封止材が設けられる。これによって、装置の第２部分から第２区画の内部に汚染物が進入するのをさらに減らすことができるので、このことは有益である。
【００１８】
本発明の第２の実施形態に従って、第１区画の外側表面は、カーテン状のパージ・ガスによって、または、この区画の外側表面に向けて噴射される複数のパージ・ガスによってパージされる。このことによって、第２区画が不要になる。
【００１９】
本発明のさらに他の態様に従って、第１区画は、第１区画の内部をパージした後の第１のパージ・ガスを排出する出口を備える。前記の出口は、第１区画を画定する包囲体の外側表面に向かって他のパージ・ガスの流れを発生させる。この出口は、第１区画から排出される第１のパージ・ガスを第２のパージ・ガスと混合し、さらにこのガス混合物を第１区画を画定する包囲体の外側表面に供給するためのガス混合手段に接続してもよいし、または接続しなくてもよい。第１のパージ・ガスを再使用することで、必要なパージ・ガスの量をさらに減らすことができる。
【００２０】
本発明の他の態様に従って、
放射感応材料の層で少なくとも部分的に覆われている基板を供給するステップと、
放射システムを使用して放射の投影ビームを供給するステップと、
投影ビームの断面にパターンを与えるパターン化手段を使用するステップと、パターン化された放射ビームを放射感応材料の層の目標部分に投影するステップと、
デバイス製造装置の汚染敏感部品を含む区画の内部をパージするようにパージ・ガスの第１の流れを供給するステップとを備え、
前記の区画を画定する包囲体の外側表面にパージ・ガスの第２の流れを供給して、前記の表面をパージすることを特徴とするデバイス製造方法が提供される。
【００２１】
この明細書では、ＩＣの製造で本発明に従った装置を使用することを特に参照するかもしれないが、そのような装置は他の多くの可能な用途を有することは明確に理解すべきである。例えば、集積光システム、磁気ドメイン・メモリの誘導および検出、液晶表示パネル、薄膜磁気ヘッド、その他の製造で使用することができる。当業者は理解するであろうが、そのような他の用途の環境では、この明細書での用語「レチクル」、「ウェーハー」または「チップ」の使用は、より一般的な用語「マスク」、「基板」および「目標部分」でそれぞれ置き換えられるものとして考えるべきである。
【００２２】
本文献において、用語「放射」および「ビーム」は、紫外線放射（波長が、３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍである）およびＥＵＶ（極端紫外線放射、例えば、波長が５〜２０ｎｍの範囲にある）ならびにイオンビームや電子ビームなどの粒子ビームを含んだ、全ての種類の電磁放射を包含するように使用される。
【００２３】
本発明の実施形態は、ただ単なる実施例として添付の概略図を参照して説明する。
図において、対応する参照符号は対応する部分を示す。
【００２４】
【発明の実施の形態】
実施形態１
図１は、本発明の特定の実施形態に従ったリソグラフ投影装置を模式的に示す。本装置は、
放射（例えば、ＵＶ放射）の投影ビームＰＢを供給するための、この特定の場合には放射源ＬＡを備える、放射システムＥｘ、ＩＬと、
マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するためのマスク・ホルダを備え、かつ要素ＰＬに対してマスクを正確に位置決めするための第１の位置決め手段に接続された第１の物体テーブル（マスク・テーブル）ＭＴと、
基板Ｗ（例えば、レジスト被覆シリコン・ウェーハー）を保持するための基板ホルダを備え、かつ要素ＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段に接続された第２の物体テーブル（基板テーブル）ＷＴと、
マスクＭＡの放射照射部分の像を、基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つまたは複数のチップで構成される）に形成するための投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば、屈折または反射屈折システムまたはミラー・グループ）とを備える。
【００２５】
ここに示すように、本装置は、透過型（すなわち、透過マスクを有する）である。しかし、一般に、本装置は、例えば、反射型（反射マスクを有する）であることもある。もしくは、本装置は、上で言及したような種類のプログラム可能ミラー・アレイのような、他の種類のパターン化手段を使用することができる。
【００２６】
放射源ＬＡ（例えば、エキシマ・レーザ）は、放射のビームを生成する。このビームは、直接か、または、例えばビーム拡大器Ｅｘなどのコンディショニング手段を通り抜けた後かいずれかで、照明システム（照明装置）ＩＬに送られる。照明装置ＩＬは、ビーム内の強度分布の外側半径範囲および／または内側半径範囲（通常、それぞれ、σ−ｏｕｔｅｒ、σ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を設定するための調整手段ＡＭを備えることができる。さらに、照明装置は、一般に、積分器ＩＮ、集光器ＣＯなどの様々な他の部品を備える。このようにして、マスクＭＡに当たっているビームＰＢは、その断面内に所望の一様強度分布を持つ。
【００２７】
図１に関して留意すべきことであるが、放射源ＬＡは、リソグラフ投影装置のハウジング内にあることがあるが（例えば、放射源ＬＡが水銀ランプの場合、そうであることが多い）、また、放射源ＬＡがリソグラフ投影装置から遠く離れており、それの生成する放射ビームが装置の中に導かれることがある（例えば、適当な方向付けミラーを使用して）。この後者のシナリオは、放射源ＬＡがエキシマ・レーザである場合に多い。本発明および特許請求の範囲は、これらのシナリオの両方を含む。
【００２８】
ビームＰＢは、その後、マスク・テーブルＭＴに保持されているマスクＭＡと交差する。マスクＭＡを通り抜けたビームＰＢは、レンズＰＬを通り抜ける。このレンズＰＬは、基板Ｗの目標部分ＣにビームＰＢを収束させる。第２の位置決め手段（および干渉測定手段ＩＦ）を使って、基板テーブルＷＴを、例えば、ビームＰＢの経路内に異なった目標部分Ｃを位置決めするように、正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決め手段を使用して、例えば、マスク・ライブラリからマスクＭＡを機械的に取り出した後で、または走査中に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、物体テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、長行程モジュール（粗い位置決め）と短行程モジュール（精密位置決め）を使って行われる。これらのモジュールは、図１に明示的に示さない。しかし、ウェーハー・ステッパ（走査ステップ式装置に対して）の場合は、マスク・テーブルＭＴは、短行程用アクチュエータに接続されるだけでよく、または、固定されることもある。
【００２９】
図示の装置は、２つの異なるモードで使用することができる。
１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴは基本的に静止したままであり、全マスク像が一括して（すなわち、単一「フラッシュ」で）目標部分Ｃに投影される。次に、異なる目標部分ＣがビームＰＢで照射されるように、基板テーブルＷＴがｘおよび／またはｙ方向に移動される。
２．走査モードでは、基本的に同じシナリオが当てはまるが、ただ、特定の目標部分Ｃが単一「フラッシュ」で露出されないことが異なる。代わりに、マスク・テーブルＭＴが、特定の方向（いわゆる「走査方向」、例えば、ｙ方向）に速度ｖで移動可能であり、その結果、投影ビームＰＢはマスク像全体を走査することができるようになる。これと並行して、基板テーブルＷＴが、速度Ｖ＝ｍｖで、同じ方向または反対方向に同時に移動する。ここで、ＭはレンズＰＬの拡大率である（一般に、Ｍ＝１／４または１／５）。このようにして、分解能で妥協する必要なく、比較的大きな目標部分Ｃを露出させることができる。
【００３０】
図２は装置の区画１０を示し、この区画は汚染物に敏感な部品を含む。そのような部品は、例えば、投影システム、照明システム、または、投影システムまたは照明システム内の部品（例えば、光学要素）であるかもしれない。この実施形態では、第１区画１０は障壁１５で画定された第２区画９の中にある。第１区画１０を画定する包囲体１４と第２区画９の障壁１５との間の空間が、第１区画外の装置の第１部分６を画定する。障壁１５は、装置の第１部分６を装置の第２部分５から隔てる。汚染物から遮蔽すべき部品によって、第１および第２部分６、５は、例えば、両方とも投影システム内にあるかもしれないし、または、例えば、第１区画は投影システムか何か他の部品であるかもしれない。同様に、区画のいずれか一方が、投影システムを収納する投影光学ボックス（ＰＢＯ）であるかもしれない。
【００３１】
第１区画１０の内側は、入口１１を通して供給され出口１２を通って排出されるガスの流れでパージされる。別個に、第１区画１０の外側表面が、入口１６を通って供給され出口１７を通って排出されるガスの流れでパージされる。障壁１５と装置の第１部分６を通るガスの流れの組合せによって、装置の第１部分６（すなわち、第２区画の中）の汚染物レベルは、装置５の第２部分よりも著しく低くなることが保証される。装置の第１部分６の外の汚染物（装置の外部環境および装置の第２部分５にある部品からの汚染物のような）は、障壁１５を通過しないように制限される。障壁１５を通って漏れる汚染物および装置の第１部分６内で生じた汚染物は、出口１７を通ってパージ・ガスで洗い流される。しかし、光学部品の必要最大汚染物レベルは、装置の第１部分６に達成可能なレベルよりも低くすることができる。したがって、この部品は、第１区画１０を画定する包囲体１４の中に収容される。この包囲体によって、装置の第１部分６から区画１０の内側への、したがって光学部品への汚染物の進入は防止されるか、または著しく低減される。さらに、包囲体１４を通って漏れた汚染物および第１区画１０内で生じた汚染物はどんなものでも、パージ・ガスによって出口１２を通って洗い流される。
【００３２】
第１区画１０と第２区画９の両方を洗うのに使用されるパージ・ガスは、使用される放射に対して透明であるのが好ましい。使用できるガスの適切な例は、Ｎ_２、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｎｅ、Ｘｅまたはこれらの２つ以上の混合物を含むグループからのガスである。本発明の例示の実施形態では、第１区画１０の内側はＨｅガスでパージされ、第１区画１０の外側、すなわち装置の第１部分６は、Ｎ_２ガスでパージされる。いずれにしても、パージに使用されるガスの酸素および水蒸気の含有率は、最小限にすべきであり、実質的にゼロであるのが好ましい。水蒸気含有率の適切な限界は０．５ｐｐｍよりも少なく、さらに酸素含有率の適切な限界は１ｐｐｍよりも少ない。
【００３３】
汚染物部分（すなわち、ガス中の汚染物の割合）は、第１区画の内側をパージするために使用されるパージ・ガスが、第１区画の外側をパージするために使用されるパージ・ガスよりも低くなければならない。しかし、パージ・ガスの必要汚染物部分が低いほど、それを製造するコストが高くなる。したがって、最もクリーンなパージ・ガス、すなわち、第１区画の内側をパージするのに適したガスの使用を最小限にすることが望ましい。したがって、第１区画１０の内側および外側をパージするためのパージ・ガス供給が別個であるのが好ましい。しかし、一部の状況では、装置の複雑さを最小限にするのが好ましいかもしれない。そのような状況では、第１区画１０の内側および外側をパージするためのパージ・ガス供給を結合することができる。いずれにしても、両パージ・ガスの汚染物部分は、第２区画を取り囲む周囲環境の空気の汚染物部分よりも低い。
【００３４】
第１区画１０の外部をパージするための要求条件は、その内部のパージに対する要求条件ほど厳しくないので、前記の第１区画の外部をパージする際に、出口１２を通って排出される第１のパージ・ガスを再使用することは、考えられることである。このために、第１区画１０から排出された第１のパージ・ガスを第２のパージ・ガスと混合し、このガス混合物を第１区画１０の外部に供給するためのガス混合手段（図示しない）に、出口１２を接続することができる。すなわち、前記の第１のパージ・ガスを、第１区画１０の外部に直接供給することができる。
【００３５】
第１区画１０は、一般に、区画１０自体と装置の第２部分内にある装置の部分との間のリンクを必要とする。図３は、装置の第１部分６への汚染物の進入を最小限にしながら、そのようなリンクを設ける手段を示す。第１区画１０は、装置の第１部分６内にあり、かつ装置の第２部分５から障壁２２で隔てられている。上で述べたように、第１区画１０と装置の第１部分６との両方は、ガスの流れでパージされる。
【００３６】
障壁２２は開口２３を有し、リンク２１は、この開口を貫通して、第１区画１０を装置の第２部分５内の装置の部品（図示しない）に接続する。このリンクは、例えば、装置の第２部分５の中にあるアクチュエータを使用して、第１区画１０を位置決めするための手段を与える機械的接続を実現することができる。例えば、第１区画１０に電力またはパージ・ガスを供給するユーティリティ・リンク、または制御リンクを実現することができる。
【００３７】
好ましくは、図３に示すように、開口２３を囲み、かつ装置の第２部分５の中に延びる境界遮蔽物２４を、障壁２２は有する。境界遮蔽物２４によって、装置の第２部分５から装置の第１部分６に進むために汚染物が拡散しなければならない距離が長くなり、それによって、第１部分の汚染物のレベルが減少する。境界遮蔽物２４は実質的に円筒形である。
【００３８】
図４は、図３に関連して上で説明した構成の変形体を示す。第１区画１０は、装置の第１部分６の中にあって、装置の第１部分と第２部分を隔てる障壁３２の開口３３を貫通するリンク３１によって、装置の第２部分５にリンクされている。この場合、リンク３１と境界遮蔽物３４の間に封止材３５が設けられる。この封止材によって、装置の第２部分５から装置の第１部分６中への汚染物の漏れはさらに減少する。この封止材３５は、セルラバー（ｃｅｌｒｕｂｂｅｒ）のような低剛性の柔らかいゴム、または、装置の部品間の振動伝達を低減する同様な剛性のゴムで作られることが重要である。
【００３９】
装置の第１部分６への汚染物の進入の低減に加えて、封止材を使用することで、装置の第１部分６から装置の第２部分へのパージ・ガスの流出が減少する。例えば、装置の第１部分６に使用されるパージ・ガスがＮ_２ガスである場合、このガスは装置の第２部分５にある干渉計の性能に支障を及ぼすので、このことはおそらく重要である。
【００４０】
図５は、図３および図４に関連して上で説明した構成のさらに他の変形体である。この構成は、リンクの、障壁に垂直な必要とされる移動が比較的大きい場合に、特に有用であろう。第１区画１０は、装置の第１部分６にあって、装置の第２部分５にある装置の部品４８にリンクされている。装置の第１部分と第２部分を隔てる障壁４２は、リンク４１が貫通する開口４３を有する。開口４３はパージ・ガスのカーテンで覆われている。このパージ・ガスのカーテンは、開口４３の一方の側の出口４６で供給され、開口の反対の側の出口４７を通って引き出される。パージ・ガスのカーテンによって、開口を通って拡散する汚染物は実質的に減少する。このガス・カーテンは、装置の第１部分６をパージするために使用されるガスに追加して設けることができるし、または、装置の第１部分６をパージする手段の一部とすることができる。
【００４１】
上述のタイプの装置がクリーン・ルーム環境で動作することを理解されたい。そのようなクリーン・ルームは、上述の第２区画として考えるべきでないし、また、そのようなクリーン・ルーム内のどのような空気流もパージ・ガスの第２の供給として考えるべきでない。そのようなクリーン・ルーム内の空気は、酸素および水蒸気を含むので、本出願の背景におけるパージ・ガスとして適切でない。
【００４２】
実施形態２
図６に示す他の実施形態では、パージ・ガスのカーテン５５（２つだけ示す）を使用して、第１区画１０の外側表面をパージする。この場合、洗い流す装置の部分を画定する第２区画は必要でない。前と同じように、第１区画１０の内側はパージされる。本発明のこの実施形態の選択肢では、第１区画の外側表面は、この外側表面に向けて噴出される複数のパージ・ガスでパージされる。
【００４３】
本発明の特定の実施形態を上で説明したが、本発明は、説明したようなものとは別の方法で実施できることがわかるであろう。上記説明は本発明を制限する意図するものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に従ったリソグラフ投影装置を示す。
【図２】外部汚染物の進入が軽減され、かつ内部汚染物が除去される、本発明に従った区画を示す図である。
【図３】外部汚染物の進入が軽減されかつ内部汚染物が除去される第１区画を包囲する第２区画外の部品へのリンクを有する、本発明に従った区画を示す図である。
【図４】図３の部品の変形体を示す図である。
【図５】図３の部品のさらに他の変形体を示す図である。
【図６】外部汚染物の進入が軽減されかつ内部汚染物が除去される、本発明に従った他の区画を示す図である。

Claims

放射の投影ビームを供給するための放射システムと、
所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン化するパターン化手段を支持するための支持構造体と、
基板を保持するための基板テーブルと、
前記基板の目標部分に前記パターン化されたビームを投影するための投影システムと、
その中に汚染敏感部品を有する第１区画と、
前記第１区画の内部を第１のパージ・ガスでパージするための第１のガス供給手段とを備えたリソグラフ投影装置において、該リソグラフ投影装置が、
前記第１区画を画定する包囲体の外側表面に第２のパージ・ガスの流れを供給するための第２のガス供給手段を備えることを特徴とするリソグラフ投影装置。
前記第２のパージ・ガスが、前記第１区画を囲む空気よりも低い汚染物部分を有する請求項１に記載のリソグラフ投影装置。
前記第１区画が少なくとも部分的に前記投影システムを囲む請求項１または請求項２に記載のリソグラフ投影装置。
前記第１区画を囲む第２区画をさらに備え、前記第２のガス供給手段が、前記第１区画と前記第２区画との間の空間をパージする請求項１、請求項２または請求項３に記載のリソグラフ投影装置。
前記第２区画の開口と、前記開口を通過するリンクとをさらに備え、前記リンクが、前記第１区画と前記第２区画外にある部品との間を接続する請求項４に記載のリソグラフ投影装置。
前記第２区画が前記開口を囲みかつ前記第２区画から延びる境界遮蔽物をさらに備える請求項５に記載のリソグラフ投影装置。
前記リンクと前記境界遮蔽物の間に封止材をさらに備える請求項６に記載のリソグラフ投影装置。
前記第２区画が前記開口の一方の側にガス出口を備え、前記開口の反対の側にガス抽出装置を備えて、前記開口をガス・カーテンで覆う請求項５、請求項６または請求項７に記載のリソグラフ投影装置。
前記第２のガス供給手段が前記第１区画の少なくとも１つの面を横切ってパージ・ガスのカーテンを提供する前記請求項のいずれか一項に記載のリソグラフ投影装置。
前記第２のガス供給手段が前記第１区画の少なくとも１つの面の近くにパージ・ガス用の複数の出口を提供する前記請求項のいずれか一項に記載のリソグラフ投影装置。
前記第１区画が前記第１区画の内部をパージした後の前記第１のパージ・ガスを排出する出口を備え、前記出口が前記第１区画を画定する包囲体の外側表面に向かってパージ・ガスの追加の流れを生成する前記請求項のいずれか一項に記載のリソグラフ投影装置。
前記出口が前記第１区画から排出された前記第１のパージ・ガスを前記第２のパージ・ガスと混合し、かつ前記ガス混合物を前記第１区画を画定する包囲体の外側表面に供給するためのガス混合手段に接続される請求項１１に記載のリソグラフ投影装置。
前記第１または第２のガス供給手段が、Ｎ_２、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｎｅ、Ｘｅまたはこれらのうちの２つ以上の混合物を含むグループからガスを供給する前記請求項のいずれか一項に記載のリソグラフ投影装置。
デバイス製造方法であって、
放射感応材料の層で少なくとも部分的に覆われた基板を提供するステップと、
放射システムを使用して放射の投影ビームを提供するステップと、
前記投影ビームの断面にパターンを与えるためにパターン化手段を使用するステップと、
放射感応材料の前記層の目標部分に放射の前記パターン化されたビームを投影するステップと、
デバイス製造装置の汚染敏感部品を含む区画の内部をパージするようにパージ・ガスの第１の流れを提供するステップとを備えたデバイス製造法において、
前記区画を画定する包囲体の外側表面をパージするために、該表面にパージ・ガスの第２の流れを提供することを特徴とするデバイス製造方法。