JP2003234287A - リソグラフィ投影装置、デバイス製造方法およびそれにより製造された装置 - Google Patents

リソグラフィ投影装置、デバイス製造方法およびそれにより製造された装置

Info

Publication number
JP2003234287A
JP2003234287A JP2002369012A JP2002369012A JP2003234287A JP 2003234287 A JP2003234287 A JP 2003234287A JP 2002369012 A JP2002369012 A JP 2002369012A JP 2002369012 A JP2002369012 A JP 2002369012A JP 2003234287 A JP2003234287 A JP 2003234287A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
radiation
optical element
purge gas
projection
space
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002369012A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4194831B2 (ja
Inventor
Schaik Willem Van
ファン シアイク ウイレム
Bastiaan Matthias Mertens
マシアス メルテンス バスチアーン
Hans Meiling
メイリング ハンス
Norbertus Benedictus Koster
ベネディクタス コスター ノルベルトス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of JP2003234287A publication Critical patent/JP2003234287A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4194831B2 publication Critical patent/JP4194831B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Lenses (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 リソグラフィ投影装置で使う光学要素を不安
定な材料を使わずに効率的且つ効果的にクリーニングす
る方法を提供すること。 【解決手段】 リソグラフィ投影装置で使う光学要素３
が入っているスペース２にガス供給源４から分子酸素を
少量含むパージガスを供給する。マスクパターン投影用
の線源ＬＡからの、またはパージ専用線源７からのＵＶ
放射線ビームをこの光学要素に照射するので、この放射
線が酸素を分解して酸素ラジカルを作り、それらが非常
に効果的に光学要素をクリーニングする。上記パージガ
スが含む分子酸素の分圧が１×１０-4Ｐａから１Ｐａで
あれば、十分なクリーニングを短時間に行うことができ
る。この方法は、オゾンのような不安定な材料を使わな
いのでパージガス準備の余分な作業がなく、基板の露出
と同時に光学要素をクリーニングでき、従って光学要素
をリソグラフィ装置から取外す必要もない。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リソグラフィ投影
装置であって： − 波長２５０ｎｍ以下の電磁放射線の投影ビームを
供給するための放射線システム； − 所望のパターンに従ってこの投影ビームをパター
ン化するのに役立つパターニング手段を支持するための
支持構造体； − 基板を保持するるための基板テーブル；および − このパターン化したビームをこの基板の目標部分
上に投影するための投影システムを含む投影装置に関す
る。
【０００２】ここで使う“パターニング手段”という用
語は、入射放射線ビームに、この基板の目標部分に創成
すべきパターンに対応する、パターン化した断面を与え
るために使うことができる手段を指すと広く解釈すべき
であり；“光バルブ”という用語もこのような関係で使
うことができる。一般的に、上記パターンは、集積回路
またはその他のデバイス（以下参照）のような、この目
標部分に創るデバイスの特別の機能層に対応するだろ
う。そのようなパターニング手段の例には次のようなも
のがある； − マスク。マスクの概念は、リソグラフィでよく知
られ、二値、交互位相シフト、および減衰位相シフトの
ようなマスク型、並びに種々のハイブリッドマスク型を
含む。そのようなマスクを放射線ビーム中に置くと、こ
のマスク上のパターンに従って、このマスクに入射する
放射線の選択透過（透過性マスクの場合）または選択反
射（反射性マスクの場合）を生ずる。マスクの場合、こ
の支持構造体は、一般的にマスクテーブルであり、それ
がこのマスクを入射放射線ビームの中の所望の位置に保
持できること、およびもし望むなら、それをこのビーム
に対して動かせることを保証する。 − プログラム可能ミラーアレイ。そのような装置の
一例は、粘弾性制御層および反射面を有するマトリック
スアドレス可能面である。そのような装置の背後の基本
原理は、（例えば）この反射面のアドレス指定された領
域が入射光を回折光として反射し、一方アドレス指定さ
れない領域は入射光を未回折光として反射するというこ
とである。適当なフィルタを使って、上記未回折光を反
射ビームから濾過して取除き、回折光だけを後に残すこ
とができ；この様にして、このビームがマトリックスア
ドレス可能面のアドレス指定パターンに従ってパターン
化されるようになる。必要なアドレス指定は、適当な電
子手段を使って行える。そのようなミラーアレイについ
ての更なる情報は、例えば、米国特許ＵＳ５，２９６，
８９１およびＵＳ５，５２３，１９３から集めることが
でき、それらを参考までにここに援用する。プログラム
可能ミラーアレイの場合、上記支持構造体は、例えば、
必要に応じて固定または可動でもよい、フレームまたは
テーブルとして具体化してもよい。 − プログラム可能ＬＣＤアレイ。そのような構成の
例は、米国特許ＵＳ５，２２９，８７２で与えられ、そ
れを参考までにここに援用する。上記のように、この場
合の支持構造体は、例えば、必要に応じて固定または可
動でもよい、フレームまたはテーブルとして具体化して
もよい。
【０００３】簡単のために、この本文の残りは、ある場
所で、マスクおよびマスクテーブルを伴う例を具体的に
指向するかも知れないが；しかし、そのような場合に議
論する一般原理は、上に示すようなパターニング手段の
広い文脈で見るべきである。
【０００４】
【従来の技術】リソグラフィ投影装置は、例えば、集積
回路（ＩＣ）の製造に使うことができる。そのような場
合、パターニング手段がこのＩＣの個々の層に対応する
回路パターンを創成してもよく、このパターンを、放射
線感応性材料（レジスト）の層で塗被した基板（シリコ
ンウエハ）の目標部分（例えば、一つ以上のダイを含
む）上に結像することができる。一般的に、単一ウエハ
が隣接する目標部分の全ネットワークを含み、それらを
この投影システムを介して、一度に一つずつ、順次照射
する。マスクテーブル上のマスクによるパターニングを
使う現在の装置では、機械の二つの異なる種類を区別す
ることができる。一つの種類のリソグラフィ投影装置で
は、全マスクパターンをこの目標部分上に一度に露出す
ることによって各目標部分を照射し；そのような装置を
普通ウエハステッパと呼ぶ。代替装置 ― 普通ステップ・アンド・スキャン装置と呼ぶ ― で
は、このマスクパターンを投影ビームの下で与えられた
基準方向（“走査”方向）に順次走査し、一方、一般的
に、この投影システムが倍率Ｍ（一般的に＜１）であ
り、この基板テーブルを走査する速度Ｖが、倍率Ｍ掛け
るマスクテーブルを走査する速度であるので、この基板
テーブルをこの方向に平行または逆平行に同期して走査
することによって各目標部分を照射する。ここに説明し
たようなリソグラフィ装置に関する更なる情報は、例え
ば、ＵＳ６，０４６，７９２から収集することができ、
それを参考までにここに援用する。
【０００５】リソグラフィ投影装置を使う製造プロセス
では、パターン（例えば、マスクの中の）を、少なくと
も部分的に放射線感応材料（レジスト）の層で覆われた
基板上に結像する。この結像工程の前に、この基板は、
例えば、下塗り、レジスト塗布およびソフトベークのよ
うな、種々の処理を受けるかも知れない。露出後、基板
は、例えば、露出後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベ
ークおよび結像形態の測定／検査のような、他の処理を
受けるかも知れない。この一連の処理は、デバイス、例
えばＩＣの個々の層をパターン化するための基礎として
使用する。そのようにパターン化した層は、次に、エッ
チング、イオン注入（ドーピング）、金属化処理、酸化
処理、化学・機械的研磨等のような、全て個々の層の仕
上げを意図した種々の処理を受けるかも知れない。も
し、幾つかの層が必要ならば、全処理またはその変形を
各新しい層に反復しなければならないだろう。結局、デ
バイスのアレイが基板（ウエハ）上にできる。次に、こ
れらのデバイスをダイシングまたは鋸引のような手法に
よって互いから分離し、そこから個々のデバイスをキャ
リヤに取付け、ピンに接続し等できる。そのようなプロ
セスに関する更なる情報は、例えば、ピータ・バン・ザ
ントの“マイクロチップの製作：半導体加工の実用ガイ
ド”、第３版、マグロウヒル出版社、1997年、ISBN0-07
-067250-4という本から得ることができ、それを参考ま
でにここに援用する。
【０００６】簡単のために、この投影システムを、以後
“レンズ”と呼ぶかも知れないが；この用語は、例え
ば、屈折性光学素子、反射性光学素子、および反射屈折
性光学素子を含む、種々の型式の投影システムを包含す
るように広く解釈すべきである。この放射線システムも
この放射線の投影ビームを指向し、成形しまたは制御す
るためにこれらの設計形式の何れかに従って作用する部
品を含んでもよく、そのような部品も以下で集合的また
は単独に“レンズ”と呼ぶかも知れない。更に、このリ
ソグラフィ装置は、二つ以上の基板テーブル（および／
または二つ以上のマスクテーブル）を有する型式でもよ
い。そのような“多段”装置では、追加のテーブルを並
列に使ってもよく、または準備工程を一つ以上のテーブ
ルで行い、一方他の一つ以上のテーブルを露出に使って
もよい。二段階リソグラフィ装置は、例えば、ＵＳ５，
９６９，４４１およびＷＯ９８／４０７９１に記載して
あり、それらを参考までにここに援用する。
【０００７】リソグラフィ投影装置を使って結像できる
形態のサイズを低減するには、照明放射線の波長を減少
することが望ましい。従って、約２００ｎｍ未満、例え
ば１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長が企
図されている。また、５０ｎｍ未満、例えば、１３．５
ｎｍの波長の超紫外線ＥＵＶも企図されている。適当な
ＵＶ放射線源には、水銀灯およびエキシマレーザがあ
る。企図するＥＵＶ源には、レーザ励起プラズマ源、放
電源、および貯蔵リングまたはシンクロトロンの電子ビ
ームの経路の周りに設けたアンジュレータまたはウィグ
ラがある。
【０００８】ＥＵＶ放射線の場合、この投影システム
は、一般的にミラーのアレイから成り、マスクは反射型
であろう；例えば、ＷＯ９９／５７５９６に議論してあ
る装置を参照し、それを参考までにここに援用する。
【０００９】そのような低波長で作動する装置は、光波
長で作動するものより汚染物質粒子の存在にかなり敏感
である。炭化水素分子および水蒸気のような汚染物質粒
子は、外部源からこのシステムに持込まれるかも知れ
ず、またはそれらがこのリソグラフィ装置それ自体の中
で発生するかも知れない。例えば、これらの汚染物質粒
子には、例えばＥＵＶ放射線によって、基板から遊離し
たくずおよび副産物、またはこの装置で使うプラスチッ
ク、接着剤および潤滑剤の蒸発によってできた分子があ
るかも知れない。
【００１０】これらの汚染物質は、このシステムの光学
要素に吸着する傾向があり、放射線ビームの伝達に損失
を生ずる。例えば、１５７ｎｍの放射線を使うとき、各
光学面に汚染物質粒子の二、三以下の単層ができるだけ
で、約１％の伝達の損失が観察される。そのような伝達
の損失は、高くて容認しがたい。更に、そのようなシス
テムに対する投影ビーム強度についての均一性要件は、
一般的に０．２％未満である。光学要素の局所化した汚
染がこの要件を満たさなくすることがある。
【００１１】光学要素をクリーニングするための以前の
方法には、例えば、クリーニング材料としてオゾンを使
うことがある。しかし、オゾンは、非常に不安定な材料
で、その生成後ほんの二、三時間で劣化する。もし、光
学面をクリーニングするためにオゾンを使うべきなら、
従ってそれを現場か、またはクリーニングの直前に作る
ことが必要である。しかし、オゾンそれ自体を作るとい
う余分な工程が非常に不便であり、より安定したクリー
ニング材料に依存する代替クリーニング方法が望まれ
る。
【００１２】クリーニング目的でＵＶ放射線と組合せて
より安定した分子酸素を使うことは、ブルームシュタイ
ン外が企図した（Ｔ．Ｍ．ブルームシュタイン、Ｍ．ロ
スチャイルド、Ｖ．リーベルマン、Ｄ．ハーディ、Ｎ．
Ｎ．レーモフ・ジュニアおよびＳ．Ｔ．パルマッチ、Ｓ
ＰＩＥ（光学式マイクロリソグラフィＸIII、Ｅｄ．
Ｃ．Ｊ．プログラ）、４０００巻、１５３７−１５４
５）。ブルームシュタイン外によれば、酸素の実用レベ
ルは、１５７ｎｍ放射線の吸収のために１０ないし１０
００ｐｐｍの範囲に限定される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、一
つ以上の光学要素の効率的且つ効果的クリーニングをす
るリソグラフィ投影装置を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】これおよびその他の目的
は、この発明によれば、冒頭の段落で指定するリソグラ
フィ装置であって、更に上記装置の中のスペースにパー
ジガスを供給するためのガス供給源を含み、上記スペー
スがこの投影ビームと関係するように配置した光学要素
を含み、上記パージガスが分子酸素を１×１０-4Ｐａか
ら１Ｐａの分圧で含む装置で達成される。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明者は、リソグラフィ投影装
置で投影ビームが通過するスペースに供給するパージガ
スに比較的低分圧の安定な分子酸素を加えることによっ
て光学要素のクリーニングを実施できることを発見し
た。分子酸素それ自体はクリーニング剤として有効では
ないので、それをＵＶ放射線と組合わせて使用する。こ
のＵＶ放射線が酸素を分解して酸素ラジカルを作り、そ
れらが非常に有効なクリーニング剤である。パージガス
に上記低濃度のクリーニング剤を入れることによって、
酸素によるＵＶ放射線の吸収による伝達損失が許容でき
るレベルでマスクパターンを目標部分上に投影しなが
ら、光学要素をクリーニングできる。
【００１６】
【発明の効果】この発明によるクリーニング後、放射線
ビームの透過率または反射率が増大し、均一性も向上す
るかも知れない。従って、この発明は、リソグラフィ投
影装置で光学要素をクリーニングする非常に有効な方法
を提供する。それは、オゾンのような不安定な材料を使
用しない。何よりも、それは、光学要素（例えば、レン
ズ素子）を別のクリーニングユニットでクリーニングす
るためにリソグラフィ投影装置から取外すという非常に
時間の掛る作業を免れる。
【００１７】この発明の更なる態様によれば、デバイス
製造方法で： − 少なくとも部分的に放射線感応性材料の層で覆わ
れた基板を用意する工程； − 波長が２５０ｎｍ以下の電磁放射線の投影ビーム
を用意する工程； − この投影ビームの断面にパターンを付けるために
パターニング手段を使う工程； − この放射線のパターン化したビームをこの放射線
感応性材料の層の目標部分上に投影する工程；および − この装置で使うための光学要素を、この投影ビー
ムと関係するように配置した上記光学要素を含むスペー
スを上記投影ビームで照射し、上記スペースに１×１０
-4Ｐａから１Ｐａの全分圧で分子酸素を含むパージガス
を供給することによって、クリーニングする工程を含む
方法が提供される。
【００１８】この本文では、ＩＣの製造に於けるこの発
明による装置の使用を具体的に参照してもよいが、その
ような装置は、他の多くの可能な用途があることを明確
に理解すべきである。例えば、それを集積光学システ
ム、磁区メモリ用誘導検出パターン、液晶ディスプレイ
パネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に使ってもよい。当業
者は、そのような代替用途の関係では、この本文で使う
“レチクル”、“ウエハ”または“ダイ”という用語の
どれも、それぞれ、より一般的な用語“マスク”、“基
板”および“目標部分”で置換えられると考えるべきで
あることが分るだろう。
【００１９】本文書では、“放射線”および“ビーム”
という用語を紫外（ＵＶ）放射線（例えば、３６５、２
４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長の）およ
び超紫外（ＥＵＶまたはＸＵＶ）放射線（例えば、１
２．５ｎｍのような、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有す
る）またはソフトＸ線、並びにイオンビームまたは電子
ビームのような、粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁
放射線を包含するために使用する。
【００２０】この発明およびそれに付随する利点を以下
に実施例および添付の概略図を参照して更に説明する。
これらの図で、類似の部品は、類似の参照記号によって
示す。
【００２１】
【実施例】図１は、この発明の特別の実施例によるリソ
グラフィ投影装置を概略的に描く。この装置は： − ＵＶまたはＥＵＶ放射線の投影ビームＰＢを供給
するための放射線システムＬＡ、ＩＬ； − マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するため
の、およびこのマスクを部材ＰＬに関して正確に位置決
めするために第１位置決め手段に結合された第１物体テ
ーブル（マスクテーブル）ＭＴ； − 基板Ｗ（例えば、レジストを塗被したシリコンウ
エハ）を保持するための、およびこの基板を部材ＰＬに
関して正確に位置決めするために第２位置決め手段に結
合された第２物体テーブル（基板またはウエハテーブ
ル）ＷＴ； − マスクＭＡの被照射部分を基板テーブルＷＴ上に
保持された基板Ｗの露出領域Ｃ上に結像するための、投
影システム（“レンズ”）ＰＬ（例えば、ミラーグルー
プ）を含む。 ここに描くように、この装置は、反射型である（即ち、
反射性のマスクを有する）。しかし、一般的に、それ
は、例えば、透過型でもよい。
【００２２】この放射線システムは、ＵＶまたはＥＵＶ
放射線のビームを作る線源ＬＡ（例えば、水銀灯、エキ
シマレーザ、レーザ励起プラズマ源、放電プラズマ源ま
たは貯蔵リング若しくはシンクロトロンの電子ビームの
経路の周りに設けたアンジュレータ若しくはウィグラ）
を含む。このビームは、放射線システムにも含まれる照
明システムＩＬに含まれる種々の光学要素 − 例えば、
ビーム成形光学素子、積分器およびコンデンサ − を通
され、出来たビームＰＢがその断面に所望の形状および
強度を有する。
【００２３】ビームＰＢは、次に、マスクテーブルＭＴ
上に保持されたマスクＭＡと交差する。マスクＭＡによ
って選択的に反射されてから、ビームＰＢは、レンズＰ
Ｌを通過し、それがこのビームを基板Ｗの露出領域Ｃ上
に集束する。干渉計式変位測定手段ＩＦを使って、基板
テーブルＷＴをこの第２位置決め手段によって、例え
ば、異なる露出領域ＣをビームＰＢの経路に配置するよ
うに、正確に動かすことができる。同様に、第１位置決
め手段を使ってマスクＭＡをビームＰＢの経路に関して
正確に配置することができる。一般的に、物体テーブル
ＭＴ、ＷＴの移動は、図１にはっきりは示さないが、長
ストロークモジュール（粗位置決め）および短ストロー
クモジュール（微細位置決め）を使って実現する。しか
し、ウエハステッパの場合は（ステップアンドスキャン
装置と違って）、マスクテーブルＭＴは、マスク方向決
めおよび位置決めで微細調整をするために、短ストロー
ク位置決め装置にだけ結合してもよく、またはそれを単
純に固定してもよい。
【００２４】図示する装置は、二つの異なるモードで使
うことができる： １．ステップアンドリピート（ステップ）モードでは、
マスクテーブルＭＴを本質的に固定して保持し、全マス
ク像を露出領域Ｃ上に一度に（即ち、単一“フラッシ
ュ”で）投影する。次に基板テーブルＷＴをＸおよび／
またはＹ方向に移動して異なる露出領域ＣをビームＰＢ
で照射できるようにする； ２．ステップアンドスキャン（スキャン）モードでは、
与えられた露出領域Ｃを単一“フラッシュ”では露出し
ないことを除いて、本質的に同じシナリオを適用する。
その代りに、マスクテーブルＭＴが与えられた方向（所
謂“走査方向”、例えば、Ｙ方向）に速度ｖで動き得
て、それで投影ビームＰＢがマスク像の上を走査させら
れ；同時に、基板テーブルＷＴが同じまたは反対方向に
速度Ｖ＝Ｍｖで動かされ、このＭはレンズＰＬの倍率
（典型的には、Ｍ＝１／４または１／５）である。この
様にして、比較的大きい露出領域Ｃを、解像度について
妥協する必要なく、露出できる。
【００２５】本発明の実施例では、クリーニングすべき
光学要素が照明システム内の光学要素である。しかし、
本発明は、このシステムの任意の光学要素、例えばマス
クまたは投影システムに含まれる光学要素から汚染物質
を除去するために使ってもよい。本発明は、一つ以上の
光学要素に同時か別々に適用することができる。
【００２６】図２は、この発明の特定の実施例である照
明システムの一部を更に詳しく示す。この照明システム
内にあり、且つ光学要素３を含むスペース２に、ガス体
または液体のパージガスが入った高圧容器でもよい、パ
ージガス供給源４からパージガスを供給する。分子酸素
を含むこのパージガスをスペース２に、弁を含んでもよ
い入口５を介して供給する。次に、今度は酸素を含むス
ペース２を、線源ＬＡによって作ったＵＶまたはＥＵＶ
放射線で照射する。この実施例では、この照射工程を露
出と同時に実施する、即ち、投影ビームＰＢを使って酸
素を分解する。
【００２７】波長が約２５０ｎｍ以下のＵＶまたはＥＵ
Ｖ放射線で照射したとき、このスペース内の分子酸素
は、分解し、酸素ラジカルを生成する。これらの生成し
た酸素ラジカルは、高効率のクリーニング剤として作用
し、光学要素の表面から炭化水素およびその他の汚染物
質粒子を除去する。
【００２８】本発明の一実施例では、クリーニングすべ
き光学要素を含むスペースを実質的不活性ガスで浄化す
る。この場合、分子酸素がパージガス中に少量存在す
る。このパージガスは、酸素と共に、リソグラフィ装置
で使うのに適したどんなガス成分を含んでもよい。典型
的パージガスは、分子酸素と共に、希ガス若しくは窒素
のような不活性ガスの一つまたは混合物を含む。最好適
不活性ガスは、アルゴン、ヘリウムおよび窒素、例えば
超高純度窒素である。
【００２９】この発明の最好適パージガス組成は、一つ
以上の不活性ガスおよび酸素だけから成る。従って、こ
のガスから他の汚染物質を除去するのが好ましい。典型
的には、清浄器を使ってこのパージガスから炭化水素を
除去する。本発明で、殆どの炭化水素は除去するが酸素
の存在に影響しない清浄器を使うことが可能である。
【００３０】パージガスの中にある分子酸素の全量は、
典型的には容量で約１ｐｐｂから約１０ｐｐｍである。
大気圧環境で、これらの量は、それぞれ、分圧１×１０
-4Ｐａおよび１Ｐａに等しい。もし、酸素の量が容量で
約１ｐｐｂ未満であれば、光学要素から除去する汚染物
質の量は、それ自体好ましくはないがクリーニングを数
時間に亘って実施するのでなければ、不十分かも知れな
い。更に、約１ｐｐｂ以下の濃度は、検出が非常に困難
である。
【００３１】その代り、もし酸素濃度が容量で約１０ｐ
ｐｍ以上であれば、分子酸素による投影ビームの吸収
は、一般的に非常に高く、伝達が許容レベル以下に低下
する。この投影ビームの吸収による伝達損失のレベル
は、クリーニングすべき光学システムの光路長に依る。
例えば、ビーム投射システムは、一般的に光路長が照明
システムより遥かに長く、それで分子酸素の濃度が同じ
だとすれば、ビーム投射システムでのＵＶ吸収による１
０％の伝達減少は、照明システムでのたった１％ぐらい
の減少に等しいかも知れない。従って、１ｐｐｍぐらい
の濃度が照明システムでは許容できるかも知れないが、
光路長の長いシステムでは３００または４００ｐｐｂの
ような低濃度が必要かも知れない。
【００３２】本発明の第１実施例の変形では、クリーニ
ングすべき光学要素を含むスペースが真空になってい
る。この実施例では、含酸素種または酸素の混合物がパ
ージガスの実質的に唯一の成分であるのが好ましい。こ
のパージガスをこのスペースに低分圧で導入する。この
スペース内の分子酸素の圧力は、汚染物質を光学要素か
ら妥当な時間内に効果的にクリーニングできるに十分高
いが、投影ビームの伝達が許容レベル以下に減少しない
ように十分低くなければならない。典型的には、存在す
る酸素の全分圧が約１×１０-4Ｐａから約１Ｐａであ
る。もし、この圧力が約１×１０-4Ｐａ以下であれば、
十分な量の汚染物質を除去するためにはクリーニングを
数時間に亘って行わねばならない。逆に、もし圧力が約
１Ｐａ以上であれば、分子酸素による（Ｅ）ＵＶ放射線
の吸収が高く、伝達に許容できない損失を生ずる。上記
のように、使用する酸素の最大許容量は、クリーニング
すべきシステムの光路長によって変るかも知れない。
【００３３】もし望むなら、汚染の程度をセンサ６を使
って監視してもよい。センサ６は、クリーニングすべき
光学要素による（Ｅ）ＵＶ放射線の反射率または透過率
を測定することによって作用する。図２に示すように、
この光学要素は、反射型でもよく、従って、このセンサ
は（Ｅ）ＵＶ放射線の反射率を測定するだろう。しか
し、もしこの光学要素が透過型であれば、このセンサ
は、それがこの光学要素を通る透過率の程度を測定する
ように配置されるだろう。
【００３４】（Ｅ）ＵＶ放射線の吸収程度を使って、汚
染物質による光学要素の被覆程度を示すことができる。
この実施例では、このシステムから一般的に、濃度が知
られ且つ一定に保つのが好ましい分子酸素を除いて、全
ての（Ｅ）ＵＶ吸収作用物質を一掃する。従って、酸素
の存在に帰することができるものを除いて、観察される
あらゆる（Ｅ）ＵＶ吸収は、汚染物質の存在による。こ
の様にして、センサを使って光学システムの汚染レベ
ル、および汚染レベルの変化を監視できる。
【００３５】このセンサをクリーニングの前および／ま
たは後に使って、問題の光学要素が露出を行うために十
分清浄かどうか、または更なるクリーニングが必要かど
うかを示してもよい。光学要素がクリーニングを必要と
するときを決められるように、この検出過程を定期的に
使うことが望ましかろう。センサをこのクリーニング過
程中にも使ってよい。クリーニングを上記のように行
い、放射線照射を行いながら、上記放射線の吸収をセン
サ６を使って監視する。このセンサが、吸収レベルが十
分なレベル以下に低下し、従ってこの光学要素の汚染レ
ベルが許容できることを示すとき、このクリーニング過
程を停止してもよい。
【００３６】図３は、この発明の第３実施例を示し、そ
れは以下に説明することを除いて第２実施例と同じであ
る。この実施例では、更なるＵＶまたはＥＵＶ放射線源
７を備える。線源７は、２５０ｎｍ以下の波長の放射線
を出す。そのような放射線の適当な線源は、上に線源Ｌ
Ａを参照して説明したものと同じである。
【００３７】この実施例では、光学要素３を、ＥＵＶ放
射線のパターン化したビームを同時に投影しながら、２
５０ｎｍより短い波長のＵＥＶかＵＶの放射線で照射す
る。分子酸素をＥＵＶ放射線より十分に選択的に分離で
きるＵＶ放射線を使うのが好ましい。例えば、酸素の場
合、波長約１５７ｎｍのＵＶ放射線を使うのが好まし
い。この様にして、中の酸素濃度が比較的低いパージガ
スを使って、クリーニング剤によるＥＵＶ放射線の吸収
が比較的低いことを保証できる。それで、ウエハを露出
しながら、許容可能な伝達損失で、光学要素３を清浄化
できる。
【００３８】更に、スペース２の中にある光学要素３を
線源７から供給するＵＶまたはＥＵＶ放射線を使って、
投影ビームＰＢによる露出の前か後に照射することを意
図する。照射を露出の前に行うのが好ましく、それによ
って清浄化した光学要素をもたらし、それが露出中の伝
達および均一性レベルを改善する。この実施例では、線
源７がもたらす放射線を光学要素３に向けてあるように
描く。しかし、この放射線を直接光学要素にではなく、
例えばこの光学要素を横切って導くことも可能である。
もし望むなら、センサ６を使って上に説明したように汚
染レベルを監視してもよい。
【００３９】上に説明した実施例では、マスクまたはレ
チクルを説明し、それがペリクルも含んでよい。このマ
スクとペリクルの間のスペースに、上記スペースから上
に説明したクリーニング過程に従って汚染物質を除去す
るために、分子酸素を含むパージガスを供給できる。
【００４０】この発明の特定の実施例を上に説明した
が、この発明を説明したのと別の方法で実施してもよい
ことが分るだろう。この説明は、この発明を制限するこ
とを意図しない。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例によるリソグラフィ投影装置
を描く。
【図２】この発明の実施例による照明システムの一部を
描く。
【図３】この発明の更なる実施例による照明システムの
一部を描く。
【符号の説明】
Ｃ 目標部分 ＩＬ 照明システム ＬＡ 放射線源 ＭＡ マスク ＭＴ 支持構造体 ＰＢ 投影ビーム ＰＬ 投影システム Ｗ 基板 ＷＴ 基板テーブル ２ スペース ３ 光学要素 ４ ガス供給源 ７ 放射線供給源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハンス メイリング 追って補充致します。 (72)発明者 ノルベルトス ベネディクタス コスター 追って補充致します。 Ｆターム(参考） 2H087 KA21 NA04 TA01 TA03 2H097 BA02 BA04 CA13 CA15 LA10 5F046 AA22 AA28 BA03 CA07 DA11 DA27 DA30 DB03 DB14

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リソグラフィ投影装置で：波長２５０ｎ
    ｍ以下の電磁放射線の投影ビーム（ＰＢ）を供給するた
    めの放射線システム（ＬＡ、ＩＬ）；所望のパターンに
    従ってこの投影ビーム（ＰＢ）をパターン化するのに役
    立つパターニング手段（ＭＡ）を支持するための支持構
    造体（ＭＴ）；基板（Ｗ）を保持するための基板テーブ
    ル（ＷＴ）；およびこのパターン化したビームをこの基
    板（Ｗ）の目標部分（Ｃ）上に投影するための投影シス
    テム（ＰＬ）；および上記装置の中のスペース（２）に
    パージガスを供給するためのガス供給源（４）を含み、
    上記スペース（２）がこの投影ビーム（ＰＢ）と関係す
    るように配置した光学要素（３）を含む投影装置に於い
    て、上記パージガスが分子酸素を１×１０-4Ｐａから１
    Ｐａまでの分圧で含む装置。
  2. 【請求項２】 請求項１による装置に於いて、上記パー
    ジガスが更に不活性ガス、好ましくはヘリウム、アルゴ
    ン、窒素またはそれらの混合物を含み、上記パージガス
    中にある分子酸素の全量が容量で約１ｐｐｂから約１０
    ｐｐｍまである装置。
  3. 【請求項３】 請求項１による装置に於いて、上記スペ
    ース（２）が実質的に真空になっている装置。
  4. 【請求項４】 請求項１による装置に於いて、上記装置
    が更に、波長２５０ｎｍ以下の電磁放射線の更なる供給
    源（７）で、そのような放射線を上記光学要素（３）上
    に供給するように配置してある供給源を含む装置。
  5. 【請求項５】 デバイス製造方法で：少なくとも部分的
    に放射線感応性材料の層で覆われた基板（Ｗ）を用意す
    る工程；波長が２５０ｎｍ以下の電磁放射線の投影ビー
    ム（ＰＢ）を用意する工程；この投影ビーム（ＰＢ）の
    横断面にパターンを付けるためにパターニング手段（Ｍ
    Ａ）を使う工程；この放射線のパターン化したビームを
    この放射線感応性材料の層の目標部分（Ｃ）上に投影す
    る工程；およびこの装置で使うための光学要素（３）
    を、この投影ビームと関係するように配置した上記光学
    要素（３）を含むスペース（２）を上記投影ビーム（Ｐ
    Ｂ）で照射し、更に上記スペース（２）に１×１０-4Ｐ
    ａから１Ｐａまでの全分圧の分子酸素を含むパージガス
    を供給することによって、クリーニングする工程を含む
    方法。
  6. 【請求項６】 請求項５による方法に於いて、このパー
    ジガスが更に不活性ガス、好ましくはヘリウム、アルゴ
    ン、窒素またはそれらの混合物を含み、上記パージガス
    中にある分子酸素の全量が容量で約１ｐｐｂから約１０
    ｐｐｍまでである方法。
  7. 【請求項７】 請求項５による方法に於いて、上記スペ
    ース（２）が実質的に真空になっている方法。
  8. 【請求項８】 請求項５による方法であって、更に：波
    長２５０ｎｍ以下の電磁放射線の更なるビームを供給す
    る工程、および上記放射線のパターン化したビームを上
    記目標部分（Ｃ）上に投影しながら、上記光学要素
    （３）を上記電磁放射線の更なるビームで照射する工程
    を含む方法。
JP2002369012A 2001-11-19 2002-11-15 デバイス製造方法 Expired - Fee Related JP4194831B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/988,391 US6828569B2 (en) 2001-11-19 2001-11-19 Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US988391 2001-11-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003234287A true JP2003234287A (ja) 2003-08-22
JP4194831B2 JP4194831B2 (ja) 2008-12-10

Family

ID=25534075

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002369012A Expired - Fee Related JP4194831B2 (ja) 2001-11-19 2002-11-15 デバイス製造方法

Country Status (8)

Country Link
US (2) US6828569B2 (ja)
EP (1) EP1312984B1 (ja)
JP (1) JP4194831B2 (ja)
KR (1) KR100767829B1 (ja)
CN (1) CN1322545C (ja)
DE (1) DE60218802T2 (ja)
SG (1) SG120897A1 (ja)
TW (1) TWI266960B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005519333A (ja) * 2002-03-07 2005-06-30 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 光学要素上の汚染を防止し、クリーニングするためのデバイス、ｅｕｖリソグラフィーデバイスおよび方法
JP2011519156A (ja) * 2008-04-23 2011-06-30 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置、デバイス製造方法、クリーニングシステム、およびパターニングデバイスをクリーニングする方法
US8149378B2 (en) 2007-04-27 2012-04-03 Canon Kabushiki Kaisha Cleaning apparatus for exposure apparatus and exposure apparatus
JP2013080810A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Lasertec Corp Ｅｕｖマスク検査装置及びｅｕｖマスク検査方法
CN113031391A (zh) * 2021-03-05 2021-06-25 中国科学院光电技术研究所 一种简易紫外纳米压印光刻装置

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050229947A1 (en) * 2002-06-14 2005-10-20 Mykrolis Corporation Methods of inserting or removing a species from a substrate
ITTO20020787A1 (it) * 2002-09-10 2004-03-11 St Microelectronics Srl Macchina di impiantazione ionica perfezionata, relativo
US7189291B2 (en) * 2003-06-02 2007-03-13 Entegris, Inc. Method for the removal of airborne molecular contaminants using oxygen gas mixtures
US20060285091A1 (en) * 2003-07-21 2006-12-21 Parekh Bipin S Lithographic projection apparatus, gas purging method, device manufacturing method and purge gas supply system related application
US7384149B2 (en) * 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
US7476491B2 (en) 2004-09-15 2009-01-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, gas supply system, method for purging, and device manufacturing method and device manufactured thereby
US20060119811A1 (en) * 2004-12-07 2006-06-08 Asml Netherlands B.V. Radiation exposure apparatus comprising a gas flushing system
EP1825332A1 (en) * 2004-12-14 2007-08-29 Radove GmbH Process and apparatus for the production of collimated uv rays for photolithographic transfer
DE102005031792A1 (de) * 2005-07-07 2007-01-11 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Entfernung von Kontamination von optischen Elementen, insbesondere von Oberflächen optischer Elemente sowie ein optisches System oder Teilsystem hierfür
JP2009503899A (ja) * 2005-08-03 2009-01-29 インテグリス・インコーポレーテッド 移送容器
US7986395B2 (en) * 2005-10-24 2011-07-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography apparatus and methods
KR100739424B1 (ko) * 2005-10-28 2007-07-13 삼성전기주식회사 비활성 기체 주입을 이용한 노광 장치 및 인쇄회로 기판의 제조 방법
US7405417B2 (en) * 2005-12-20 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having a monitoring device for detecting contamination
US8507879B2 (en) * 2006-06-08 2013-08-13 Xei Scientific, Inc. Oxidative cleaning method and apparatus for electron microscopes using UV excitation in an oxygen radical source
US20070284541A1 (en) * 2006-06-08 2007-12-13 Vane Ronald A Oxidative cleaning method and apparatus for electron microscopes using UV excitation in a oxygen radical source
US8564759B2 (en) * 2006-06-29 2013-10-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
JP4802937B2 (ja) * 2006-08-24 2011-10-26 大日本印刷株式会社 フォトマスクの洗浄方法
KR100817066B1 (ko) * 2006-10-11 2008-03-27 삼성전자주식회사 기판 노광 및 광학요소 세정을 인시츄로 수행할 수 있는극자외선 노광장치 및 그에 구비된 광학요소의 세정방법
US8394203B2 (en) * 2008-10-02 2013-03-12 Molecular Imprints, Inc. In-situ cleaning of an imprint lithography tool
DE102009045008A1 (de) * 2008-10-15 2010-04-29 Carl Zeiss Smt Ag EUV-Lithographievorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten einer Maske
US8633459B2 (en) 2011-03-02 2014-01-21 Cymer, Llc Systems and methods for optics cleaning in an EUV light source
JP6034598B2 (ja) * 2012-05-31 2016-11-30 ギガフォトン株式会社 Ｅｕｖ光生成装置の洗浄方法
KR102427325B1 (ko) 2015-06-03 2022-08-01 삼성전자주식회사 노광 장치 및 노광 장치 세정 방법
DE102016216266A1 (de) 2016-08-30 2017-08-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Reinigung eines Objekts
DE102017114216A1 (de) * 2017-06-27 2018-04-19 Asml Netherlands B.V. Anordnung zur Kontaminationsreduzierung in einem optischen System, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
CN112204472A (zh) * 2018-05-28 2021-01-08 Asml荷兰有限公司 光刻设备
CN114072732A (zh) * 2019-07-01 2022-02-18 Asml荷兰有限公司 用于对图案化装置和其他衬底进行表面处理的表面处理设备和方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5099557A (en) * 1988-07-08 1992-03-31 Engelsberg Audrey C Removal of surface contaminants by irradiation from a high-energy source
US5559584A (en) * 1993-03-08 1996-09-24 Nikon Corporation Exposure apparatus
BE1007907A3 (nl) 1993-12-24 1995-11-14 Asm Lithography Bv Lenzenstelsel met in gasgevulde houder aangebrachte lenselementen en fotolithografisch apparaat voorzien van een dergelijk stelsel.
US6268904B1 (en) * 1997-04-23 2001-07-31 Nikon Corporation Optical exposure apparatus and photo-cleaning method
KR100636451B1 (ko) * 1997-06-10 2006-10-18 가부시키가이샤 니콘 광학 장치 및 그 세정 방법과 투영 노광 장치 및 그 제조방법
JPH1116802A (ja) * 1997-06-19 1999-01-22 Toshiba Corp 露光方法及び露光装置
US6014398A (en) * 1997-10-10 2000-01-11 Cymer, Inc. Narrow band excimer laser with gas additive
KR100564436B1 (ko) * 1997-07-22 2006-03-29 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치 및 광 세정 방법
JPH11224839A (ja) * 1998-02-04 1999-08-17 Canon Inc 露光装置とデバイス製造方法、ならびに該露光装置の光学素子クリーニング方法
AU1801700A (en) * 1998-12-28 2000-07-24 Nikon Corporation Method for cleaning optical device, exposure apparatus and exposure method, method for manufacturing device, and device
US6394109B1 (en) * 1999-04-13 2002-05-28 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for removing carbon contamination in a sub-atmospheric charged particle beam lithography system
US6387602B1 (en) * 2000-02-15 2002-05-14 Silicon Valley Group, Inc. Apparatus and method of cleaning reticles for use in a lithography tool
US6571057B2 (en) * 2000-03-27 2003-05-27 Nikon Corporation Optical instrument, gas replacement method and cleaning method of optical instrument, exposure apparatus, exposure method and manufacturing method for devices
JP2001293442A (ja) * 2000-04-17 2001-10-23 Canon Inc 光学素子の洗浄方法
US6724460B2 (en) * 2001-11-19 2004-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, cleaning unit and method of cleaning contaminated objects
KR100772125B1 (ko) * 2002-06-26 2007-10-31 이유브이 리미티드 라이어빌러티 코포레이션 방사 주입된 표면 오염을 감소시키는 공정

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005519333A (ja) * 2002-03-07 2005-06-30 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 光学要素上の汚染を防止し、クリーニングするためのデバイス、ｅｕｖリソグラフィーデバイスおよび方法
US8149378B2 (en) 2007-04-27 2012-04-03 Canon Kabushiki Kaisha Cleaning apparatus for exposure apparatus and exposure apparatus
JP2011519156A (ja) * 2008-04-23 2011-06-30 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置、デバイス製造方法、クリーニングシステム、およびパターニングデバイスをクリーニングする方法
JP2013080810A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Lasertec Corp Ｅｕｖマスク検査装置及びｅｕｖマスク検査方法
CN113031391A (zh) * 2021-03-05 2021-06-25 中国科学院光电技术研究所 一种简易紫外纳米压印光刻装置
CN113031391B (zh) * 2021-03-05 2023-06-30 中国科学院光电技术研究所 一种简易紫外纳米压印光刻装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP1312984A3 (en) 2005-05-25
SG120897A1 (en) 2006-04-26
JP4194831B2 (ja) 2008-12-10
DE60218802D1 (de) 2007-04-26
US20030096193A1 (en) 2003-05-22
DE60218802T2 (de) 2007-12-06
US7115886B2 (en) 2006-10-03
KR20030075136A (ko) 2003-09-22
US6828569B2 (en) 2004-12-07
TWI266960B (en) 2006-11-21
TW200407680A (en) 2004-05-16
EP1312984B1 (en) 2007-03-14
KR100767829B1 (ko) 2007-10-17
US20050112508A1 (en) 2005-05-26
EP1312984A2 (en) 2003-05-21
CN1474234A (zh) 2004-02-11
CN1322545C (zh) 2007-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4194831B2 (ja) デバイス製造方法
KR100706076B1 (ko) 리소그래피 투영장치, 디바이스 제조방법, 그 디바이스,오염된 물체를 세정하는 세정 유닛 및 방법
US7315346B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4067078B2 (ja) リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法
JP3696201B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2003007611A (ja) リソグラフィ投影装置、素子製造方法、およびそれによって製造される素子
EP1429189B1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6924492B2 (en) Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP4429201B2 (ja) リソグラフィック装置及びデバイス製造方法
JP2007517397A (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2006093724A (ja) リソグラフィ装置、ガス供給システム、パージ方法、並びにデバイス製造方法およびそれにより製造されたデバイス
EP1220038B1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2004289117A (ja) リトグラフ装置及びデバイス製造方法
JP2010087505A (ja) 非接触洗浄のためのシステム、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
JP2002124464A (ja) リソグラフィ投影装置、デバイス製造方法、及びそれにより製造されたデバイス
JP5021808B2 (ja) 極端紫外線リソグラフィ装置
JP2004274024A (ja) リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれにより製造されたデバイス
EP1186958A2 (en) Lithographic projection apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060712

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060728

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20060904

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20060907

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20060904

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070126

RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20070703

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080910

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080924

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111003

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees