DE102005031792A1 - Verfahren zur Entfernung von Kontamination von optischen Elementen, insbesondere von Oberflächen optischer Elemente sowie ein optisches System oder Teilsystem hierfür - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren bzw. ein optisches System oder Teilsystem zum Entfernen von Kontaminationen von optischen Elementen oder von Teilen davon, insbesondere von mindestens einer Oberfläche eines optischen Elements, mit UV-Licht, wobei Halbleiterlichtquellen zum Entfernen der Kontaminationen eingesetzt werden.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Entfernen von Kontaminationen von optischen Elementen, insbesondere von mindestens einer Oberfläche eines optischen Elements, sowie ein optisches System oder Teilsystem hierfür.
  • Die Kontamination optischer Elemente stellt nach wie vor ein ernsthaftes Problem dar, da hierdurch die Qualität der die optischen Elemente enthaltenen Beleuchtungssysteme nachhaltig beeinträchtigt wird. Bekannte Beleuchtungssysteme sind beispielsweise Projektionsbelichtungsanlagen, die mit Wellenlängen ≤ 193 nm, insbesondere im Bereich ≤ 157 nm, besonders im EUV-Bereich mit Wellenlängen < 30 nm, insbesondere < 13 nm arbeiten. Hier besteht das Problem darin, dass die Strahlung im EUV- bzw. VUV- und DUV-Bereich zu einer Kontamination und/oder Zerstörung der optischen Oberfläche der Komponenten, die auch als optische Elemente bezeichnet werden, führt.
  • Besonders die ersten und letzten optischen Flächen von beispielsweise refraktiven Systemen können kontaminieren, weil diese sich in unmittelbarer Nähe z.B. zu einer Quelle, einer Maske oder einem zu belichtenden Wafer befinden. Hierdurch können Verunreinigungen in das optische System eingebracht werden. Es ist daher üblich diese abschließenden Flächen z.B. durch Pellikels, d. h. dünne Folien, zu schützen. Derartige Folien führen jedoch zur Absorption von Licht und bringen möglicherweise Abbildungsfehler (Aberrationen) in das optische System ein.
  • Hochenergetische Strahlung einer Lichtquelle, beispielsweise im Bereich ≤ 193 nm, führt dazu, dass zum Beispiel die Restsauerstoffanteile durch die Strahlung in Ozon umgewandelt werden, welches wiederum die Oberflächen der optischen Elemente, d.h. deren Beschichtung angreifen und zerstören kann. Durch Restgaskonzentrationen, wie z.B. Kohlenwasserstoffe, können sich in der umgebenden Atmosphäre der optischen Fläche Kontaminationen auf der optischen Fläche bilden, beispielsweise durch Kristallbildung oder Schichten aus Kohlenstoff oder Kohlenstoffverbindungen. Man nimmt an, dass durch die hochenergetische Strahlung kohlenstoffhaltige Moleküle, die beispielsweise auf den Oberflächen der optischen Elemente adsorbiert vorliegen, entweder direkt durch die hochenergetische Strahlung oder über gebildete freie Elektronen in reaktivere Spezies umgewandelt werden, die stärkere Bindungen mit der Oberfläche ausbilden und in zunehmendem Maße aggregieren können.
  • Eine Kontamination führt jedoch zu einer Verminderung der Reflexion im Falle von reflektiven Komponenten und zu einer Verminderung der Transmission im Falle von transmissiven Elementen. Kontaminationen können bei einem optischen Element zum Beispiel bis zu 5 % Absorptionsverluste verursachen. Die Kontamination hängt dabei von der Beleuchtungsstärke ab. Besonders hoch ist die Belastung daher in denjenigen optischen Komponenten, die einer hohen Strahlungsbelastung ausgesetzt sind.
  • Es ist bekannt, Kohlenstoff oder Kohlenstoffverbindungen durch ein regelmäßiges Reinigen von Spiegeln zu entfernen, beispielsweise durch das Beimengen von Argon und Sauerstoff unter einem RF-Plasma. Für die Reinigung von kontaminierten Optiken wird daher verwiesen auf: F. Eggenstein, F. Senf, T. Zeschke, W. Gudat, „Cleaning of contaminated XUV-optics at Bessy II", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 467-468 (2001), S. 325-328, der Offenbarungsgehalt hiervon wird vollumfänglich in das vorliegende Schutzrecht mitaufgenommen.
  • Üblicherweise werden bei der Montage von Beleuchtungssystemen daher mehrere Reinigungsschritte zur Entfernung der erwähnten organischen Kontaminationen eingesetzt. Beispielsweise werden die Module und Einzellinsen mit einem speziellen UV-Brenner bestrahlt. Trotz dieser aufwendigen Reinigung ist es notwendig, das komplette System vor der Inbetriebnahme nochmals mit einem Laser zu reinigen, was als sog. „Freibrennen" bezeichnet wird. Dieses Freibrennen wirkt sich im Wesentlichen auf die Uniformität („Roll-Off") und auch die Transmission der gereinigten Module oder optischen Komponenten aus.
  • Aus dem Stand der Technik sind bereits Vorschläge bekannt geworden, welche sich mit dem Entfernen von Kontaminationen beschäftigen:
    So wird in der US 2001/0026402 A1 ein Verfahren zu Dekontamination von Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen mit optischen Elementen oder Teilen davon, insbesondere von Oberflächen optischer Elemente mit UV-Licht und Fluid beschrieben, wobei in Belichtungspausen eine zweite UV-Lichtquelle zumindest auf einen Teil der optischen Elemente gerichtet wird. Als Reinigungslichtquelle dient beispielsweise ein breitbandiger Laser und zur Entfernung der abgelösten Kontaminationsbestandteile aus dem geschlossenen optischen System wird ein Strom eines Fluids, wie ein ozon- oder sauerstoffhaltiges Gas, bevorzugt parallel zu den zu reinigenden Oberflächen der optischen Elemente bzw. entlang dieser geführt.
  • Weiterhin geht aus dem Stand der Technik gemäß der US 6,268,904 B1 ein optischer Belichtungsapparat sowie ein optisches Reinigungsverfahren hervor. Hierbei wird eine foto-reinigende Einheit zum Verbessern entweder des Transmissionsgrades oder des Reflektionsgrades mindestens eines optischen Elements vorgesehen. Die foto-reinigende Einheit ist eingerichtet zum optischen Reinigen einer Oberfläche des mindestens einen einer Mehrzahl optischer Elemente und ist im optischen Belichtungsapparat vorzugsweise zwischen der Lichtquelle und dem fotosensitiven Substrat angeordnet. Nach einer besonders bevorzugten Ausführungsform wird eine Fotoreinigungslichtquelle getrennt von der Anregungslichtquelle vorgesehen, wobei es insbesondere bevorzugt ist, eine Lichtquelle zu verwenden, deren Wellenlängen nahe der Beleuchtungswellenlänge liegen. Beispielsweise kann als Beleuchtungslichtquelle ein ArF-Laser oder ein optischer Beleuchtungsapparat, der EUV-Licht, wie weiche Röntgenstrahlen, mit einer kurzen Wellenlänge verwendet, eingesetzt werden.
  • Problematisch bei den beschriebenen Dekontaminationsverfahren bzw. bei dem oben beschriebenen letzten Reinigungsschritt, dem sog. Freibrennen, ist, dass nach dem Einbau in der Regel nur noch sehr begrenzte Bereiche eines optischen Elements gereinigt werden können und dies nur in Abhängigkeit von Setting und Feldgröße erfolgen kann.
  • Ein zusätzliches Problem ist die ungleichmäßige und abnehmende Bestrahlungsstärke, insbesondere, wenn nur eine Lichtquelle für mehrere zu reinigende optische Komponenten vorgesehen ist und sich der Abstand zur Lichtquelle vergrößert, d.h. die Strahlungsintensität pro Fläche verringert wird. Neben der unzureichenden Reinigung der Gesamtfläche hat das Licht dann außerdem nicht die notwendige Intensität für eine effektive Reinigung.
  • So stellen optische Elemente mit großem Durchmesser diesbezüglich noch größere Probleme dar, insbesondere gilt dies für Linsen mit großem Durchmesser, die eine sehr geringe Bestrahlungsstärke haben und dadurch nur eine sehr schlechte Reinigung erlauben. Dies gilt insbesondere auch für optische Elemente mit großem Krümmungsradius. Diese Elemente haben in aller Regel am Rand das Problem der Kontamination. Die Ursache hierfür liegt im Beschichtungsprozess. Die Beschichtung am Rand ist poröser und kann somit leichter kontaminieren.
  • Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Verfahren zum Entfernen von Kontaminationen von optischen Elementen bzw. ein optisches System oder Teilsystem zur Durchführung dieses Verfahrens bereitzustellen, womit die Nachteile aus dem Stand der Technik vermieden werden und am einzelnen optischen Element in einem optischen System im Belichtungs-Betrieb bzw. in Belichtungsbetriebspausen Kontaminationen entfernt werden können und zwar ohne die Gefahr von Schädigungen der Oberfläche, von Coatings oder Materialien des optischen Elements oder des optischen Systems.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch das in Anspruch 1 genannte Verfahren gelöst. Anspruch 15 betrifft ein optisches System oder Teilsystem, mit dem das Verfahren durchgeführt werden kann.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren sieht vor, zum Entfernen von Kontaminationen von optischen Elementen oder Teilen davon, insbesondere von mindestens einer Oberfläche eines optischen Elements, mindestens eine Halbleiterlichtquelle einzusetzen. Unter „Halbleiterlichtquellen" sollen Hochleistungslichtquellen, verstanden werden, wobei die störende Wärmeemission der Lichtquelle ausgeschaltet wird. Eine Halbleiterlichtquelle sendet Licht mit stark reduziertem Infrarotanteil aus und kann auch als „Kaltlichtquelle" bezeichnet werden. Sie findet dort Verwendung, wo Licht höchster Intensität im visuellen Spektralbereich benötigt wird, die Hitzeentwicklung einer gewöhnlichen Lichtquelle aber störend oder sogar schädlich wäre. Dies steht völlig im Gegensatz zu üblichen Lichtquellen, wie zum Beispiel Hg-i-Linie-Dampflampen, die eine Hitzeentwicklung zeigen.
  • Gegenstand der Erfindung ist auch ein optisches System oder Teilsystem, insbesondere zum Reinigen eines optischen Elements oder Teilen davon, insbesondere von mindestens einer Oberfläche eines optischen Elements, umfassend mindestens ein optisches Element sowie ein oder mehrere Halbleiterlichtquellen zur Bestrahlung mindestens einer Oberfläche des optischen Elements.
  • Nachfolgend wird die Erfindung in Einzelheiten beschrieben, wobei die Ausführungen für das Verfahren sinngemäß für das optische System oder Teilsystem gelten sollen und umgekehrt:
    Die erfindungsgemäß eingesetzten Halbleiterlichtquellen sind im Rahmen der Erfindung nicht besonders beschränkt. Besonders bevorzugt werden sogenannte UV-LEDs eingesetzt oder auch UV-Laserdioden, Laserdioden, beispielsweise kombiniert mit diffraktiven oder refraktiven optischen Elementen zur Strahlformung, Diodenarrays und dergleichen.
  • Derartige Halbleiterlichtquellen, wie UV-LEDs, bieten die ausreichende Leistung, um die genannten Kontaminationen ohne weiteres, praktisch rückstandsfrei zu entfernen, aber die Oberfläche, eventuell vorhandene Coatings oder dergleichen in keiner Weise zu beeinträchtigen oder zu verändern.
  • UV-LEDs sind Lichtquellen, die bekannt sind für lange Lebensdauer, gut regelbare Intensität, einstellbare Intensität (stromgesteuert), beliebige Anordnung, beliebige Bauform, festes Spektrum (keine Filter notwendig) und definierte Abstrahlcharakteristik.
  • Ganz besonders bevorzugte UV-LEDs sind: i-LEDs und UV-LEDs mit kürzeren Wellenlängen.
  • Unter der Bezeichnung „LED" soll im Rahmen der Erfindung nicht nur die herkömmliche Bauweise mit Glaskörper verstanden werden, sondern auch die reine Montage der so genannten „Chip Die" auf Metall/Keramiksubstrat. Diese „Chip Die" sind LEDs, die in enger Packung, zum Beispiel auf einem Keramiksubstrat gebondet werden. Diese werden beispielsweise von der Fa. Roithner Laser als 66er-Einheiten im Handel vertrieben. Ein „Die" hat üblicherweise die Größe von etwa 300 μm × 300 μm. Somit ist es kein Problem etwa 1000 Chips auf kleinster Fläche unterzubringen, zum Beispiel am Fassungsrand eines optischen Elements. Es gibt eine Zahl an Firmen, die sich auf das Verarbeiten von LED-Chips in beliebiger Anordnung spezialisiert haben.
  • Nach einer bevorzugten Ausführungsform ordnet man ein oder mehrere Halbleiterlichtquellen in und/oder an einer Halterung mindestens eines optischen Elements und/oder in der Nähe mindestens eines optischen Elements derart an, dass das UV-Licht die Oberfläche des optischen Elements trifft, insbesondere im wesentlichen gleichmäßig bestrahlt. Auch ist eine Kombination von Halbleiterlichtquelle(n), zum Beispiel LED und/oder UV-Laserdiode, und mindestens einem optischen Element, wie einem DOE (diffraktiven optischen Element), einem ROE (refraktiven optischen Element) oder einem CGH-Element (computergeneriertes Hologramm; ein diffraktives optisches Element) möglich, um eine individuelle auf die optische Fläche optimierte Intensitätsverteilung zur Reinigung zu erzeugen.
  • Neben einer homogenen Verteilung der Intensität der erfindungsgemäß verwendeten Strahlungsquellen kann es auch Vorteile bringen, wenn gezielt eine inhomogene Intensitätsverteilung verwendet wird. Dies ist beispielsweise dann sinnvoll, wenn sich am Rand der Linse mehr Kontaminationen einlagern.
  • Erfindungsgemäß können zum Beispiel nur gleiche oder gleichartige Halbleiterlichtquellen verwendet werden, d.h. es können beispielsweise ausschließlich UV-Laserdioden eines bestimmten Typs verwendet werden, oder es können auch Kombinationen von verschiedenen Halbleiterlichtquellen eines Typs oder verschiedener Typen miteinander kombiniert zum Einsatz kommen, wie zum Beispiel verschiedene Typen von UV-Laserdioden, die beispielsweise unterschiedliche Leistungsstärken aufweisen, oder es können UV-Laserdioden und UV-LEDs miteinander abwechselnd oder auch in Gruppen angeordnet eingesetzt werden. Selbstverständlich sind auch andere beliebige für die jeweilige Anwendung mögliche Zusammenstellungen einsetzbar.
  • Somit kann eine Entfernung von Kontaminationen unabhängig vom Beleuchtungsmodus des optischen Systems oder Teilsystems, in der das optische Element eingesetzt wird, stattfinden. „In der Nähe" bedeutet eine räumliche Anordnung, die es ermöglicht, ein oder mehrere optische Elemente mit dem Licht der Halbleiterlichtquelle mit einer geeignet hohen Intensität so zu bestrahlen, dass eine Entfernung der Kontaminationen von der bestrahlten Oberfläche erreicht wird. Bevorzugt werden mehrere Halbleiterlichtquellen verwendet, die in geeigneter Anordnung in und/oder an einer Halterung mindestens eines optischen Elements vorgesehen sind.
  • Die Position der Halbleiterlichtquelle(n) in und/oder an der Halterung ist nicht besonders beschränkt, sofern eine ausreichende Dekontamination des optischen Elements erhalten wird. Beispielsweise können UV-LEDs in eine Halterung eines oder mehrerer optischer Elemente integriert sein, oder diese können alternativ oder zusätzlich auf oder an der Halterung angebracht werden.
  • Eine Halterung kann beliebig aufgebaut, ein- oder mehrstückig sein und das optische Element an ein oder mehreren Bereichen halten oder tragen. Die Halterung kann das optische Element teilweise oder vollständig umschließen und kann symmetrisch oder asymmetrisch aufgebaut sein. Dies hängt von der Art und Form des optischen Elements und des optischen Systems oder Teilsystems, in dem das optische Element zum Einsatz kommt, ab.
  • Die ein oder mehreren Halbleiterlichtquellen können ortsfest oder bewegbar angeordnet werden, beispielsweise können diese verschiebbar oder drehbar sein, so dass entweder mehrere Oberflächenbereiche eines optischen Elements mit einer oder mehreren Halbleiterlichtquellen überstrichen werden oder mehrere optische Elemente, beispielsweise zunächst eine Oberfläche eines optischen Elements und daran anschließend durch Drehen eine andere Oberfläche eines optischen Elements, bestrahlt werden können.
  • Die Anzahl der Halbleiterlichtquellen kann auf das zu reinigende optische Element abgestimmt werden, beispielsweise auf den zu erwartenden oder gemessenen Kontaminationsgrad, die Form und Größe des optischen Elements, die Art und Stärke der bei Einsatz des optischen Elements verwendeten Belichtungsstrahlung und eine Reihe weiterer dem Fachmann bekannter Faktoren.
  • Vorzugsweise wird die Anordnung der Halbleiterlichtquellen derart gewählt, dass mindestens eine Oberfläche des zu reinigenden optischen Elements nahezu vollständig bestrahlt und damit gereinigt wird. Insbesondere die Randbereiche der optischen Elemente, die beispielsweise mit dem aus den Stand der Technik bekannten Lichtquellen, wie Lasern, nicht erreicht werden, können so gereinigt werden. Es kann somit eine Entfernung von Kontaminationen praktisch der gesamten Oberfläche des optischen Elements durchgeführt werden, wohingegen im Stand der Technik häufig nur eine Reinigung/Dekontamination bestimmter Bereiche möglich ist.
  • Erfindungsgemäß kann eine Anordnung von mindestens 2 bis beispielsweise 50 UV-LEDs als Halbleiterlichtquellen für mindestens eine Oberfläche eines optischen Elements verwendet werden. Als besonders bevorzugt haben sich Anordnungen von 16 bis 32 UV-LEDs erwiesen (d.h. beispielsweise 3,2-6,4 Watt können ausreichend sein). Die angegebene Anzahl der erfindungsgemäß verwendeten Halbleiterlichtquellen, insbesondere UV-LEDs, soll hierdurch aber keinesfalls beschränkt sein, sondern nur beispielhaft verstanden werden. Selbstverständlich kann keine Obergrenze genannt werden, die sich aus dem Einzelfall für jedes optische Element ergibt und für den Fachmann ohne weiteres festgesetzt und gegebenenfalls optimiert werden kann.
  • Diese Anordnungen von Halbleiterlichtquellen sind vorzugsweise symmetrisch um das optische Element herum angeordnet, um eine möglichst gleichmäßig hohe Lichtintensität über die gesamte bestrahlte Oberfläche zu erzeugen. Wie bereits erwähnt, können jedoch auch asymmetrische Anordnungen Vorteile bieten.
  • Die erfindungsgemäß verwendeten Halbleiterlichtquellen können in einer Anordnung für jedes spezielle optische Element zusammengestellt und hierauf abgestimmt werden, um die an eine Dekontamination gestellten Anforderungen in hohem Maße zu erfüllen, ohne eine Gefahr für die Schädigung der Oberfläche eines optischen Elements darzustellen. Ferner kann die Wellenlänge so gewählt werden, dass Probleme hinsichtlich einer Materialzerstörung, wie z. B. Compaction, minimiert, insbesondere ausgeschlossen werden. Vorzugsweise wird eine Wellenlänge in der Nähe der Wellenlänge, mit der das optische System oder Teilsystem arbeitet, ausgewählt.
  • Es versteht sich von selbst, dass die Anordnung der Halbleiterlichtquellen an und/oder um das oder die optischen Elemente beliebig ist und auf eine optimale Dekontaminationswirkung ausgelegt sein wird, diese jedoch nicht im Strahlengang der Lichtquelle(n) mit der(denen) des optischen Systems oder Teilsystems arbeitet, liegen sollten, in der das oder die optischen Elemente verwendet werden.
  • Der Begriff „optisches Element" ist im Rahmen der Erfindung nicht besonders beschränkt und umfasst alle dem Fachmann bekannten optischen Elemente. Beispielsweise kann das optische Element ein reflektives optisches Element, beispielsweise ein Planspiegel, ein sphärischer Spiegel, ein Gitter, ein optisches Element mit Rasterelementen, wobei die Rasterelemente aus gleichen Spiegeln bestehen können, allgemein ein Spiegel mit einem rotations- bzw. translationsinvariantem Verhalten sein. Das optische Element kann auch ein transmissives optisches Element sein, beispielsweise ein Filterelement oder ein refraktives optisches Element. Refraktive optische Elemente können zum Beispiel eine Planplatte, eine Linse, ein optisches Element mit Rasterelementen, wobei die Rasterelemente z. B. aus Linsen bestehen, ein Strahlteiler oder allgemein ein refraktives Element mit einem rotations- bzw. translationsinvariantem Verhalten sein.
  • Der Begriff optisches Element umfasst insbesondere auch Linsen die in Beleuchtungssystemen eingesetzt werden. Beleuchtungssystem insbesondere für die Mikrolithographie sind aus einer Vielzahl von Schriften wie beispielsweise der US 6,636,367 oder der US 6,333,777 bekannt geworden. Derartige Beleuchtungssysteme umfassen eine Feldebene und gegebenenfalls mehrere hierzu konjugierte Feldebenen sowie eine Pupillenebene und gegebenenfalls mehrere hierzu konjugierte Pupillenebenen. Eine Linie, die in der Nähe der Feldebene oder in der Nähe einer konjugierten Feldebene in einem Beleuchtungssystem angeordnet ist, wird als feldnahe Linse bezeichnet. Mit einer feldnahen Linse kann die Gleichmäßigkeit der Ausleuchtung, die auch als Uniformität bezeichnet wird, beeinflusst werden. Daher ist es möglich auf einer oder mehreren feldnahen Linsen das Entfernen von Kontaminationen zusätzlich zum Uniformitätskorrektiv einzusetzen. Eine Lupe, die in der Nähe der Pupillenebene oder einer konjugierten Pupillenebene angeordnet ist, wird als pupillennahe Linse bezeichnet. Mit Hilfe der pupillennahen Linse kann die Telezentrie bzw. die Elliptizität der Ausbuchtung in der Pupille beeinflusst werden. Daher kann bei einer pupillennahen Linse das Verfahren zum Entfernen von Kontaminationen zusätzlich zur Erstellung der Telezentrie oder Elliptizität verwendet werden kann.
  • Das Reinigungsverfahren wird vorzugsweise unter Vakuum durchgeführt. Als Vakuumkammer kann diejenige des optischen Systems oder Teilsystems dienen, in dem das optische Element verwendet wird, oder es kann eine separate Vakuumkammer hierfür eingerichtet werden. Bevorzugt wird die Entfernung von Kontaminationen in einer im optischen System oder Teilsystem bereits vorhandenen Vakuumkammer durchgeführt.
  • Das Reinigungs-/Dekontaminationsverfahren der Erfindung kann in einem optischen System oder Teilsystem, insbesondere in den Betriebspausen durchgeführt werden. Eine weitere Option ist, dass auch parallel während des Betriebs des optischen Systems oder Teilsystems, beispielsweise parallel zu einem Waferbelichtungsprozeß, eine Reinigung durchgeführt werden kann. Solange das Licht der Halbleiterlichtquellen nicht als Falschlicht, zum Beispiel auf dem Wafer, ankommt, kann auch beim Betrieb gereinigt werden. Es kann auch ein Ausbau des oder der optischen Elemente erfolgen, die dann separat einem Reinigungs-/Dekontaminationsverfahren unterzogen werden. Vorzugsweise findet das erfindungsgemäße Reinigungs-/Dekontaminationsverfahren an einem oder mehreren in ein optisches System oder Teilsystem eingebauten optischen Elementen statt. Das Reinigungsverfahren kann auch mit oder an mehreren optischen Elementen gleichzeitig durchgeführt werden.
  • Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren bzw. des erfindungsgemäßen optischen Systems oder Teilsystems ist es ebenfalls möglich, das Ausmaß der Kontaminationen auf dem optischen Element zunächst zu messen und abhängig vom gemessenen Kontaminationsgrad dann ganz gezielt ein Entfernen der Kontaminationen vorzunehmen. Dies kann beispielsweise mit einer gesonderten Meßvorrichtung erfolgen, welche vor Durchführung der Reinigung eingesetzt wird, aber auch während der Reinigung zum kontrollierten Ablauf und/oder zur Bestimmung der Dauer des Reinigungsverfahrens herangezogen werden kann.
  • Die Zeitspanne zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist nicht besonders begrenzt und kann beliebig nach Verschmutzungsgrad, Art der Kontaminationen, Lichtintensität etc. eingestellt werden. Die Zeitspanne für die Reinigung bestimmt sich anhand jedes Einzelfalls und ist für den Fachmann ohne weiteres festlegbar. Hierfür können auch ein oder mehrere Messvorrichtungen vorgesehen werden, wobei die Messung der erfolgten Reinigung/Dekontamination durch Bestimmung des Transmissionsgrads einer beugenden optischen Komponente oder des Reflexionsgrads einer reflektierenden optischen Komponente durchgeführt werden kann. Dies kann während des Verfahrens zum Entfernen von Kontaminationen erfolgen, um zu bestimmen, wann die Reinigung abgeschlossen ist, und/oder bevor oder nach Durchführung des Verfahrens.
  • Insbesondere im Falle der Entfernung von Kontaminationen von refraktiven optischen Elementen, insbesondere Linsen, werden vorteilhafterweise beide Oberflächen des refraktiven optischen Elements von Kontaminationen befreit. Dies kann beispielsweise durch jeweils eine Anordnung von Halbleiterlichtquellen erfolgen, die in und/oder an einer Halterung des optischen Elements und/oder in dessen Nähe angeordnet werden, wobei die beiden Anordnungen gleichzeitig oder nacheinander die jeweilige Oberfläche des optischen Elements bestrahlen. Es kann aber auch nur eine Anordnung mit einer geeigneten Anzahl von Halbleiterlichtquellen vorgesehen werden, die durch entsprechendes Verschieben nacheinander beide Oberflächen desselben optischen Elements dekontaminieren kann.
  • Lediglich beispielhaft sei eine Anordnung von mindestens 2 bis beispielsweise 30 Halbleiterlichtquellen, beispielsweise UV-LEDs genannt. Die Anordnung ist zum Beispiel stark abhängig von der Leistungsklasse der erfindungsgemäß eingesetzten Halbleiterlichtquellen, wie LEDs. Bei Power-LEDs können zum Beispiel 30 LEDs eine ausreichende Reinigung erzielen. Bei kleinen LEDs, die beispielsweise im mW-Bereich arbeiten, sind durchaus auch 1000 LEDs oder mehr pro Fläche eines optischen Elements, zum Beispiel pro Linsenfläche, möglich. Die Angabe einer Obergrenze ist daher nicht sinnvoll.
  • Nach einer weiteren Ausführungsform der Erfindung kann das erfindungsgemäße optische System oder Teilsystem ein der Halbleiterlichtquelle nachgeschaltetes optisches Element zur Strahlformung aufweisen, beispielsweise um eine individuell angepasste Reinigung durchzuführen. Das nachgeschaltete optische Element ist aus den bekannten beliebig auswählbar und kann beispielsweise ein DOE (diffraktives optisches Element), ein ROE (refraktives optisches Element) oder ein CGH-Element (computergeneriertes Hologramm; ein diffraktives optisches Element) sein.
  • Beispielsweise kann das nachgeschaltete optische Element eine Strahlformung zum Beispiel ähnlich der annularen Verteilung eines Rings auf das zu reinigende Element projeziert. Der Rand ist dann in diesem Beispielfall größerer Strahlungsintensität ausgesetzt als die Mitte des zu reinigenden optischen Elements, so dass analog der zu erwartenden Verunreinigung eine Reinigung durchgeführt werden kann.
  • Das Verfahren der Erfindung kann neben dem Entfernen von Kontaminationen von optischen Elementen oder von Teilen davon, insbesondere von mindestens einer Oberfläche eines optischen Elements, ebenfalls zur Korrektur von Bildfehlern eingesetzt werden.
  • Außer den erfindungsgemäßen Halbleiterlichtquellen können auch weitere Mittel zu Reinigungs-/Dekontaminationszwecken vorgesehen sein, wie ein Gas, z. B. ein sauerstoffhaltiges, ozonhaltiges und/oder ein argonhaltiges Gas als Gasatmosphäre oder als Spülgas, eine RS-Antenne zur Erzeugung eines Hochfrequenzplasmas, Elektroden zum Anlegen von Feldern oder auch mechanische Reinigungsmittel.
  • Vorzugsweise ist das optische System oder Teilsystem ein Beleuchtungssystem beispielsweise einer Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für den Mikrolithographiebereich; es kann aber auch ein Projektionsobjektiv selbst sein, oder ein beliebiges anderes optisches System oder ein Teil hiervon, in dem eine oder mehrere optische Komponenten angeordnet sind, so dass eine einfache Entfernung von Kontaminationen vor Inbetriebnahme oder während des Betriebs, vorzugsweise außerhalb des eigentlichen Betriebs, in Belichtungspausen, durchgeführt werden kann. Die Halbleiterlichtquelle(n) kann(können) auch Teil des Projektionsobjektivs selbst sein.
  • Insbesondere für offene Systeme, welche gegenüber Kontamination empfindlicher sind oder auch für die eingangs erwähnten EUV-Systeme hat das erfindungsgemäße Verfahren bzw. das optische System oder Teilsystem der Erfindung größte Bedeutung.
  • Die Vorteile, die mit der erfindungsgemäßen Lehre erreicht werden können, sind außerordentlich vielschichtig:
    So bietet der Einsatz von Halbleiterlichtquellen, wie UV-LEDs, insbesondere im Vakuum den Vorteil, dass durch den Einsatz dieser sehr speziellen Lichtquellen mit außerordentlich hoher Lebensdauer keine zusätzlichen Kontaminationen durch häufiges Auswechseln der Lichtquellen in das optische System oder Teilsystem, insbesondere das Vakuum, eingetragen werden. Im Gegensatz hierzu müssen andere Lichtquellen, wie beispielsweise Quecksilberlampen, sehr häufig ausgetauscht werden, da deren Lebensdauer aufgrund der schlechten Hitzeabstrahlung, insbesondere im Vakuum, nachhaltig beeinträchtigt wird. Beim Austausch besteht stets die Gefahr, dass von außen Kontaminationen eingeschleppt werden. Zudem muss das Dekontaminationsverfahren zur Auswechselung unterbrochen werden.
  • Die erfindungsgemäß ausgewählten Halbleiterlichtquellen bieten den weiteren Vorteil, dass keine oder nur eine geringe Kühlung erforderlich ist, die beispielsweise direkt integriert werden kann, was bei anderen im Stand der Technik verwendeten Lichtquellen regelmäßig nicht der Fall ist. Darüber hinaus haben die erfindungsgemäß verwendeten Halbleiterlichtquellen einen außerordentlich geringen Platzbedarf, benötigen weniger Raum für die Anschlüsse, insbesondere weniger Kabel als herkömmliche Lichtquellen und sind daher in nahezu beliebigen optischen Systemen ohne weiteres unterzubringen und anzuordnen. Die weiterhin hohe Lebensdauer derartiger Halbleiterlichtquellen erlaubt die Durchführung zahlreicher Reinigungs-/Dekontaminationsvorgänge ohne Störungen. Zudem kann das einmal eingeführte Reinigungs-/Dekontaminationsverfahren bzw. die einmal eingerichtete Reinigungs-/Dekontaminationsvorrichtung auf Grund der hohen Lebensdauer dieser Lichtquellen für längere Zeitspannen unverändert aufrechterhalten bleiben, ohne dass in das System von außen eingegriffen werden muss.
  • Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens bzw. des erfindungsgemäßen Systems oder Teilsystems ist, dass nicht nur eine einzige Lichtquelle zum Einsatz kommt, sondern eine Vielzahl beispielsweise von Dioden eingesetzt werden, so dass für jede mögliche Anordnung und Geometrie die geeignete Anzahl und Gruppierung der Lichtquellen für jeden Einzelfall, d.h. jede Oberfläche jeden optischen Elements, gestaltet werden kann. Dies bedeutet eine hohe Flexibilität in der Anwendbarkeit.
  • Die Anordnungen der Halbleiterlichtquellen können beliebig gestaltet sein, um einen optimalen Reinigungs-/Dekontaminationseffekt in einer relativ kurzen Zeitspanne zu erreichen. Die Anordnungen und Anzahl der Halbleiterlichtquellen kann auf jedes einzelne optische Element in einem optischen System abgestimmt sein; es können mehrere optische Elemente einzeln dekontaminiert werden.
  • Schließlich kann auch bei optischen Elementen mit großen Durchmessern eine optimale Ausleuchtung, die einfach strukturierbar ist, erreicht werden, so dass beispielsweise auch Randbereiche eines optischen Elements miterfasst und damit gereinigt werden können.
  • Die Entfernung von Kontaminationen dient vorzugsweise als abschließende Reinigung, bevor das Belichtungssystem in Betrieb genommen wird, oder kann während des Betriebs, insbesondere in Betriebspausen, zum Einsatz kommen.
  • Der Reinigungs-/Dekontaminationseffekt kann zudem durch Gegenwart eines Gases, insbesondere stark oxidierenden Gases, beschleunigt werden.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen und aus den nachfolgenden, anhand der Zeichnung prinzipiell beschriebenen Ausführungsbeispielen. Die beigefügten Figuren veranschaulichen das vorliegende erfindungsgemäße System oder Teilsystem sowie die erfindungsgemäß durchführbare Verfahrenslehre ohne diese darauf zu beschränken. Im Einzelnen zeigt:
  • 1 eine schematische Darstellung eines Ausschnitts eines optischen Systems, umfassend ein optisches Element mit einer Halterung, wobei die Halbleiterlichtquellen in der Halterung angeordnet sind;
  • 2 eine schematische Darstellung eines Ausschnitts aus einem optischen System, wobei sich die Halbleiterlichtquellen in der Nähe des optischen Elements befinden;
  • 3 eine schematische Darstellung einer transmissiven Planplatte, wobei die Halbleiterlichtquellen an der Halterung angeordnet sind;
  • 4 eine schematische Darstellung einer transmissiven Plankonvexlinse, wobei die Halbleiterlichtquellen an den Halterungen angeordnet sind;
  • 5 eine schematische Darstellung eines Ausschnitts aus einem optischen System umfassend zwei Linsen als optische Elemente, wobei sich die Halbleiterlichtquellen in der Nähe der Linsen befinden;
  • 6 eine schematische Darstellung eines Ausschnitts aus einem optischen System, wobei die Lichteinkopplung am Linsenbund erfolgt;
  • 7 eine schematische Darstellung eines Ausschnitts aus einem optischen System, umfassend ein diffraktives optisches Element in Reflektion zur Erzeugung einer individuellen ortsaufgelösten Reinigung und
  • 8 eine schematische Darstellung eines Ausschnitts aus einem optischen System wie in 7, aber mit einem optischen Element zur Strahlformung in Transmission.
  • 1 zeigt in einem erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel eine Linse 100, die Teil eines refraktiv ausgeführten optischen Teilsystems im Schnitt ist. Die Strahlen 110 treffen auf das refraktive optische Element, hier die Linse 100, auf und treten durch diese hindurch. Während des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Entfernen von Kontaminationen werden die Halbleiterlichtquellen 130.1, 130.2, 130.3 und 130.4, die sich integriert in der ersten Fassung 120.1 sowie integriert in der zweiten Fassung 120.2 befinden, eingeschaltet.
  • Die Figur ist nicht maßstabsgetreu und soll auch nur in schematischer Weise aufzeigen, wie das Verfahren durchzuführen ist, bzw. ein entsprechendes optisches System oder Teilsystem ausgelegt sein kann.
  • Die Halbleiterlichtquellen, insbesondere UV-LEDs 130.1 bis 130.4, können dabei derart angeordnet sein, dass die gesamte Oberfläche des optischen Elements, im vorliegenden Fall beide Oberflächen der Linse 100, bestrahlt und damit dekontaminiert werden. Hierbei ist die Anzahl der UV-LEDs nicht besonders beschränkt, sondern kann für jeden Einzelfall entsprechend ausgewählt und eine geeignete Anordnung eingesetzt werden.
  • Selbstverständlich kann ein Fachmann die für die refraktiven Systeme gegebenen Lehren ohne erfinderisches Zutun auch auf reflektive Systeme übertragen und umgekehrt von reflektiven auf refraktive Systeme, auch wenn dies im Einzelfall nicht explizit beschrieben wird.
  • 2 zeigt als weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung eine optische Komponente, insbesondere ein refraktives oder reflektives optisches Element, wie eine Linse oder einen Spiegel 200, wobei sich die zur Entfernung von Kontaminationen verwendeten Halbleiterlichtquellen in diesem Beispiel nicht an oder in der Halterung befinden. Diese sind in unmittelbarer Nähe des optischen Elements angeordnet und in 2 beispielsweise als UV-LEDs und/oder UV-Laserdioden 220.1 und 220.2 dargestellt.
  • 3 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung, wonach eine transmissive Planplatte 300 in einer Halterung 320.1 und 320.2 gehalten wird, auf die im Betrieb die Strahlen 310 treffen und durch diese hindurch treten. An den Halterungen 320.1 und 320.2 sind eine Vielzahl von Halbleiterlichtquellen, wie UV-LEDs, 330.1, 330.2, 330.3, 330.4, 330.5, 330.6, 330.7 und 330.8 angeordnet. Zur Entfernung von Kontaminationen werden diese über eine gewünschte Zeitspanne angeschaltet, wodurch die Kontaminationen auf einer bzw. beiden Oberflächen der transmissiven Planplatte 300 entfernt werden. In der Regel ist es nicht ausreichend, wenn das reinigende Licht auf eine der beiden Oberflächen des optischen Elements auftrifft, um beide Oberflächen zu reinigen, so dass im Fall eines transmissiven optischen Elements vorzugsweise beide Oberflächen gereinigt werden. Die Halbleiterlichtquellen können auch dreh- oder schwenkbar sein, so dass die Oberfläche eines unmittelbar benachbarten optischen Elements auch von Kontaminationen befreit werden kann.
  • 4 zeigt ein weiteres Beispiel einer erfindungsgemäßen Ausführungsform, wonach eine transmissive Plankonvexlinse 400 mit einer oberen Halterung 420.1 und einer unteren Halterung 420.2 versehen ist. Integriert in diese Halterungen 420.1 und 420.2 sind Halbleiterlichtquellen 430.2 und 430.3, beispielsweise UV-LEDs und/oder Laserdioden oder dergleichen, untergebracht. Ferner sind an den Halterungen 420.1 und 420.2 zusätzliche Halbleiterlichtquellen, wie UV-LEDs, 430.1 und 430.4 vorgesehen. Durch die gewählte Anordnung der Halbleiterlichtquellen, können beide Oberflächen der Linse 400 über die gesamte Fläche bestrahlt werden. Die Halbleiterlichtquellen, hier: UV-LEDs, können ortsfest oder bewegbar sein. Beispielsweise können die LEDs 430.1 und 430.4 ausfahrbar und/oder verschiebbar angeordnet sein und/oder die gesamte LED-Anordnungen, hier repräsentiert durch die Anordnungen 430.1 und 430.2 sowie 430.3 und 430.4, kann ausfahrbar und/oder verschieb- und/oder drehbar sein, um beide Oberflächen der Plankonvexlinse 400 wechselseitig bestrahlen zu können. Eine drehbare Anordnung ist vorteilhaft, um den gesamten Oberflächenbereich mit wenigen Halbleiterlichtquellen auszuleuchten oder um beispielsweise mehrere optische Elemente mit derselben Anordnung zu dekontaminieren/reinigen.
  • Obwohl in den obigen Figuren jeweils nur ein optisches Element gereinigt wird, versteht es sich von selbst, dass auch mehrere optische Elemente in einem optischen System oder Teilsystem gleichzeitig oder nacheinander einem Verfahren zum Entfernen von Kontaminationen unterzogen werden können. Hierfür können die verwendeten Halbleiterlichtquellen entweder direkt am optischen Element, d. h. bspw. in dessen Halterung oder in dessen Nähe angeordnet sein, oder diese können auch verschieb- oder drehbar für mindestens eine Oberfläche eines oder mehrerer optischer Elemente ausgelegt sein. Die Zahl der verwendeten Halbleiterlichtquellen ist dabei nicht besonders beschränkt und kann für jeden Einzelfall in geeigneter Weise ausgewählt werden.
  • Repräsentativ soll in 5 ein erfindungsgemäßes Verfahren bzw. ein erfindungsgemäßes optisches System oder Teilsystem an mehreren optischen Elementen beschrieben werden:
  • 5 zeigt ein Gehäuse 500, vorzugsweise eines Projektionsobjektivs für die Mikrolithographie, wie in der US 6,665,126 B2 oder der US 5,132,845 für refraktive Systeme offenbart oder in der US 6,600,552 B2 für reflektive Systeme beschrieben, deren Offenbarung hiermit durch Bezugnahme vollinhaltlich miteinbezogen wird, in dem beispielhaft 2 Linsen 510.1 und 510.2 angeordnet sind. Im Normalbetrieb des optischen Systems, von dem hier nur ein Ausschnitt schematisch dargestellt wird, dient eine Lichtquelle 503, wie zum Beispiel ein DUV-Excimerlaser, zur Belichtung. Weiterhin sind Spülgaszuführungen 520.1 und 520.2 zur Einführung von Gas vorgesehen. In gleicher Weise erfolgt eine Abfuhr des Spülgases zusammen mit den Kontaminationsbestandteilen über die Leitung 530, beispielsweise an entgegengesetzter Seite des Gehäuses 500. Das Gehäuse 500 kann als Vakuumraum ausgelegt sein.
  • Die Halbleiterlichtquellen, beispielsweise in Form von UV-LEDs und/oder Laserdioden, 550.1, 550.2, 550.3, 550.4, 550.5, 550.6, 550.7 und 550.8 sind in der Nähe der Linsen 510.1 und 510.2 ortsfest angeordnet, um deren Oberfläche durch Bestrahlung mit UV-Licht zu reinigen. Diese können aber auch bewegbar, beispielsweise auf einem schwenkbaren Träger (nicht gezeigt) vorgesehen werden. Zum Entfernen der Kontaminationsbestandteile, wie beispielsweise Kohlenwasserstoffe, aus dem geschlossenen optischen System kann ein Gasfluss, wie zum Beispiel ozonhaltiges Gas oder Sauerstoff und/oder Argon, bevorzugt parallel zu den Oberflächen der Linsen 510.1 und 510.2 oder entlang dieser geführt werden. Der Gasfluss ist vorzugsweise zu- und abschaltbar.
  • Wie in 5 gezeigt, sind die Halbleiterlichtquelle(n) Teil des Projektionsobjektivs selbst.
  • In der Vakuumkammer können ferner weitere und/oder alternative Mittel zur Reinigung, wie beispielsweise eine RF-Antenne zum Erzeugen eines Hochfrequenzplasmas oder Elektroden zum Anlegen einer elektrischen Spannung befinden. Diese zusätzlichen bzw. alternativen Mittel sind in der Figur nicht gezeigt.
  • 6 zeigt in einem erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel eine Linse 600 als Teil eines optischen Systems im Schnitt. Die Lichteinkopplung erfolgt in diesem Beispiel am Linsenbund. Die Halbleiterlichtquelle 620 kann hierzu beispielsweise in der Fassung 630.1 und/oder 630.2 integriert sein. Vorliegend ist nur eine Halbleiterlichtquelle in einer Fassung dargestellt. Es wird demnach ein Reinigungsprinzip verwirklicht, wonach wie bei einem Glasstab das Licht von Innen ausgestrahlt wird.
  • 7 zeigt ein weiteres Beispiel einer erfindungsgemäßen Ausführungsform, wonach eine Lichtquelle 710, beispielsweise eine Laserdiode oder LED, über ein nachgeschaltetes optisches Element, beispielsweise ein diffraktives optisches Element 730, in Reflektion zur Erzeugung einer individuell ortsaufgelösten Reinigung eingesetzt wird. Das zu reinigende optische Element ist vorliegend eine Linse 700 mit einer ersten Fassung 720.1 und einer zweiten Fassung 720.2, welche die Linse 700 im Beispielfall oben und unten hält bzw. trägt. Selbstverständlich sind auch andere Mittel möglich, die ein optisches Element halten bzw. tragen können. Die zur individuell ausgerichteten Reinigung herangezogene nachgeschaltete optische Element 730 kann ein beliebiges optisches Element sein, wie ein DOE (diffraktives optisches Element), ein ROE (refraktives optisches Element) oder ein CGH-Element (computergeneriertes Hologramm; ein diffraktives optisches Element), um – je nach gewünschtem Aufbau – eine individuelle auf die optische Fläche optimierte Intensitätsverteilung zur Reinigung zu erzeugen.
  • In ähnlicher Weise wie in 7 zeigt 8 den Einsatz eines zusätzlichen optischen Elements 830, das im vorliegenden Fall in Transmission zur individuellen ortsaufgelösten Reinigung eines optischen Elements 800 dient. Es ist eine Lichtquelle 810, beispielsweise eine Laserdiode oder LED, dargestellt, sowie ein nachgeschaltetes optisches Element, insbesondere ein refraktives optisches Element 830, das zur Strahlformung in Transmission und individuell ortsaufgelöster Reinigung eingesetzt wird. Das zu reinigende optische Element ist vorliegend eine Linse 800 mit einer ersten Fassung 820.1 und einer zweiten Fassung 820.2, welche die Linse 800 im Beispielfall oben und unten halten bzw. tragen. Selbstverständlich sind auch andere Haltemittel denkbar. Die zur individuell ausgerichteten Reinigung herangezogene optische Element 830 kann ein beliebiges optisches Element darstellen, wie bereits bei 7 detailliert erläutert. Das nachgeschaltete optische Element 830 dient demnach zur Optimierung der Reinigung.
  • Mit der Erfindung wird somit erstmals ein Verfahren bzw. ein optisches System oder Teilsystem zum Entfernen von Kontaminationen bereitgestellt, das/die es ermöglichen, nicht nur Teilbereiche, sondern die gesamte Oberfläche von optischen Elementen, unabhängig von dessen Form und Größe, zu dekontaminieren/reinigen.

Claims (52)

  1. Verfahren zum Entfernen von Kontaminationen von optischen Elementen oder von Teilen davon, insbesondere von mindestens einer Oberfläche eines optischen Elements, mit UV-Licht, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Halbleiterlichtquelle zum Entfernen der Kontaminationen eingesetzt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Halbleiterlichtquelle, in und/oder an einer Halterung von mindestens einem optischen Element und/oder in der Nähe mindestens eines optischen Elements derart angeordnet werden, dass deren Licht die Oberfläche mindestens eines optischen Elements trifft.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterlichtquelle(n) ausgewählt wird(werden) aus UV-LEDs, Laserdioden, Laserdiodenarrays, und/oder Diodenarrays.
  4. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass eine Anordnung von mindestens 2, insbesondere mindestens 3, mindestens 4, mindestens 5 oder mindestens 10 Halbleiterlichtquellen für mindestens eine Oberfläche eines optischen Elements verwendet werden.
  5. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass Halbleiterlichtquellen gleichen Typs oder eine Kombination von Halbleiterlichtquellen verschiedener Typen verwendet werden.
  6. Verfahren nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Halbleiterlichtquelle ortsfest oder bewegbar angeordnet wird.
  7. Verfahren nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Halbleiterlichtquelle verschiebbar und/oder drehbar angeordnet wird.
  8. Verfahren nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren im Vakuum durchgeführt wird.
  9. Verfahren nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Halterung das optische Element teilweise oder vollständig umschließt.
  10. Verfahren nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass als optisches Element ein refraktives optisches Element, insbesondere eine Linse, verwendet wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass als optisches Element eine feldnahe Linse in einem Beleuchtungssystem verwendet wird, bei der das Entfernen von Kontaminationen zusätzlich zur Uniformitätskorrektur einer Ausleuchtung in einer Feldebene des Beleuchtungssystems eingesetzt wird.
  12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass als optisches Element eine pupillennahe Linse in einem Beleuchtungssystem verwendet wird, bei der das Entfernen von Kontaminationen zusätzlich zur Einstellung der Telezentrie oder Elliptizität einer Ausleuchtung in einer Pupillenebene des Beleuchtungssystems eingesetzt wird.
  13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass als optisches Element eine Linse in einem Projektionsobjektiv verwendet wird.
  14. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass beide Oberflächen des refraktiven optischen Elements gleichzeitig oder nacheinander mit mindestens einer Halbleiterlichtquelle bestrahlt und gereinigt werden.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass für beide Oberflächen des refraktiven Elements jeweils eine Anordnung von mindestens 2, insbesondere mindestens 3, mindestens 4, mindestens 5 oder mindestens 10 Halbleiterlichtquellen verwendet werden.
  16. Verfahren nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass als optisches Element ein reflektives optisches Element, insbesondere ein Spiegel, verwendet wird.
  17. Verfahren nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass als Halterung eine Fassung oder ein Träger verwendet wird.
  18. Verfahren nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass das Entfernen von Kontaminationen von optischen Elementen oder von Teilen davon, insbesondere von mindestens einer Oberfläche eines optischen Elements, zur Korrektur von Bildfehlern eingesetzt wird.
  19. Verfahren nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass das Ausmaß der Kontamination auf mindestens einer Oberfläche des optischen Elements gemessen wird, um gezielt ein Entfernen der Kontamination durchzuführen.
  20. Verfahren nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass dieses vor der Inbetriebnahme des in einem optischen System oder Teilsystem untergebrachten optischen Elements und/oder während des Belichtungs-Betriebs und/oder in Belichtungsbetriebspausen des optischen Systems oder Teilsystems durchgeführt wird.
  21. Optisches System oder Teilsystem, umfassend mindestens ein optisches Element sowie ein oder mehrere Halbleiterlichtquellen zur Bestrahlung mindestens einer Oberfläche des optischen Elements.
  22. Optisches System oder Teilsystem nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterlichtquelle(n) ausgewählt sind aus UV-LEDs, Laserdioden, Laserdiodenarrays, und/oder Diodenarrays.
  23. Optisches System oder Teilsystem nach einem der vorangehenden Ansprüche 21 oder 22, dadurch gekennzeichnet, dass das optische System oder Teilsystem ein Beleuchtungssystem einer Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für die Mikrolithographie, oder ein Mikroskop zur Waferinspektion darstellt.
  24. Optisches System oder Teilsystem nach einem der vorangehenden Ansprüche 21 oder 22, dadurch gekennzeichnet, dass das optische System ein Projektionsobjektiv einer Projektionsbelichtungsanlage darstellt.
  25. Optisches System oder Teilsystem nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche 21 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterlichtquelle(n) in und/oder an der Halterung und/oder in der Nähe der Oberfläche des optischen Elements angeordnet sind.
  26. Optisches System oder Teilsystem nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche 21 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass die Halterung eine Fassung oder einen Träger darstellt.
  27. Optisches System oder Teilsystem nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche 21 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element ein refraktives optisches Element, insbesondere eine Linse, darstellt.
  28. Optisches System oder Teilsystem nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, dass für die Entfernung von Kontaminationen an beiden Oberflächen des refraktiven Elements jeweils eine Anordnung von mindestens 2, insbesondere mindestens 3, mindestens 4, mindestens 5 oder mindestens 10 Halbleiterlichtquellen vorgesehen ist.
  29. Optisches System oder Teilsystem nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche 21 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element ein reflektives optisches Element, insbesondere einen Spiegel, darstellt.
  30. Optisches System oder Teilsystem nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche 21 bis 29, dadurch gekennzeichnet, dass eine Vakuumkammer vorgesehen ist, die vakuumtechnisch mit der Kammer, die das optische System oder Teilsystem aufnimmt, weitgehend identisch ist.
  31. Optisches System oder Teilsystem nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche 21 bis 30, dadurch gekennzeichnet, dass das optische System oder Teilsystem einen Gaseinlass zum Einlass von Reinigungsgasen und/oder andere Mittel zur Reinigung umfasst.
  32. Optisches System oder Teilsystem nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche 21 bis 31, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterlichtquellen ortsfest oder bewegbar angeordnet sind.
  33. Optisches System oder Teilsystem nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche 21 bis 32, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Halbleiterlichtquelle verschiebbar und/oder drehbar ist.
  34. Optisches System oder Teilsystem nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche 21 bis 33, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Halbleiterlichtquelle ein nachgeschaltetes optisches Element zur Strahlformung aufweist, um eine individuell angepasste Reinigung durchzuführen.
  35. Optisches System oder Teilsystem nach Anspruch 34, dadurch gekennzeichnet, dass das nachgeschaltete optische Element ausgewählt ist aus einem diffraktiven optischen Element (DOE), einem refraktiven optischen Element (ROE) oder einem Hologramm wie einem CGH (CGH: computergeneriertes Hologramm).
  36. Optisches System oder Teilsystem nach Anspruch 34 oder 35, dadurch gekennzeichnet, dass das nachgeschaltete optische Element ähnlich zu einer annularen Verteilung einen Ring auf das zu reinigende optische Element projeziert.
  37. Optisches System oder Teilsystem nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche 21 bis 36, dadurch gekennzeichnet, dass Mittel vorgesehen sind, um das Ausmaß der Kontamination auf dem optischen Element zu messen, um gezielt eine Entfernung der Kontamination durchzuführen.
  38. Mikrolithographie-Projektionsobjektiv mit mindestens einer integrierten UV-LED und/oder mindestens einer integrierten UV-Laserdiode.
  39. Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach Anspruch 38, dadurch gekennzeichnet, dass das Projektionsobjektiv wenigstens eine Linse umfasst.
  40. Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach Anspruch 38, dadurch gekennzeichnet, dass das Projektionsobjektiv wenigstens einen Spiegel umfasst.
  41. Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach einem der Ansprüche 38 bis 40, dadurch gekennzeichnet, dass das Projektionsobjektiv ein Gehäuse aufweist.
  42. Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach Anspruch 41, dadurch gekennzeichnet, dass das Projektionsobjektiv innerhalb des Gehäuses wenigstens eine Halbleiterlichtquelle aufweist.
  43. Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographiebelichtungsanlage mit mindestens einer integrierten UV-LED und/oder mindestens einer integrierten UV-Laserdiode.
  44. Beleuchtungssystem nach Anspruch 43, dadurch gekennzeichnet, dass das Beleuchtungssystem wenigstens eine Linse umfasst.
  45. Beleuchtungssystem nach Anspruch 43, dadurch gekennzeichnet, dass das Beleuchtungssystem wenigstens einen Spiegel umfasst.
  46. Beleuchtungssystem nach einem der Anspruch 43 bis 45, dadurch gekennzeichnet, dass das Beleuchtungssystem ein Gehäuse aufweist.
  47. Beleuchtungssystem nach Anspruch 46, dadurch gekennzeichnet, dass das Beleuchtungssystem innerhalb des Gehäuses wenigstens eine Halbleiterlichtquelle aufweist.
  48. EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens einer integrierten UV-LED und/oder mindestens einer integrierten UV-Laserdiode.
  49. EUV-Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 48, dadurch gekennzeichnet, dass die EUV-Projektionsbelichtungsanlage wenigstens eine Linse umfasst.
  50. EUV-Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 48, dadurch gekennzeichnet, dass die EUV-Projektionsbelichtungsanlage wenigstens einen Spiegel umfasst.
  51. EUV-Projektionsbelichtungsanlage nach einem der Ansprüche 48 bis 50, dadurch gekennzeichnet, dass die EUV-Projektionsbelichtungsanlage ein Gehäuse aufweist.
  52. EUV-Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 51, dadurch gekennzeichnet, dass die EUV-Projektionsbelichtungsanlage innerhalb des Gehäuses wenigstens eine Halbleiterlichtquelle aufweist.
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