DE60127229T2

DE60127229T2 - Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung

Info

Publication number: DE60127229T2
Application number: DE60127229T
Authority: DE
Inventors: Willem Van Schaik
Original assignee: ASML Netherlands BV
Current assignee: ASML Netherlands BV
Priority date: 2000-12-22
Filing date: 2001-12-20
Publication date: 2007-12-20
Anticipated expiration: 2021-12-21
Also published as: US6924492B2; TW556050B; JP2002270501A; KR100767837B1; DE60127229D1; KR20020051843A; US20020134947A1

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen lithographischen Projektionsapparat, der umfasst:

– ein Bestrahlungssystem zur Zufuhr eines Projektionsstrahls einer Strahlung,
– eine Tragstruktur zum Tragen von Musterungsmitteln, wobei die Musterungsmittel dazu dienen, den Projektionsstrahl gemäß einem gewünschten Muster zu mustern,
– einen Substrattisch zum Halten eines Substrats, und
– ein Projektionssystem zum Projizieren des gemusterten Strahls auf einen Zielabschnitt des Substrats.

Der Begriff "Musterungsmittel", wie hier verwendet, ist breit auszulegen, so dass er sich auf Mittel bezieht, die dazu verwendet werden können, einen Strahl einer einfallenden Strahlung mit einem gemusterten Querschnitt zu versehen, der einem Muster entspricht, das in einem Zielabschnitt des Substrats erzeugt werden soll, der Begriff "Lichtventil" kann ebenfalls in diesem Zusammenhang verwendet werden. Im Allgemeinen entspricht das Muster einer speziellen Funktionsschicht in einer Vorrichtung, die in dem Zielabschnitt erzeugt wird, wie etwa eine integrierte Schaltung oder eine andere Vorrichtung (siehe unten). Beispiele für solche Musterungsmittel umfassen:

– Eine Maske. Das Konzept einer Maske ist in der Lithographie wohlbekannt und umfasst Maskenarten, wie etwa Binär-, harte Phasen- (alternating phase-shift) und weiche Phasen- (attenuated phase-shift) sowie verschiedene Hybrid-Maskenarten. Die Platzierung einer solchen Maske im Strahl einer Strahlung bewirkt eine selektive Durchlassung (bei einer durchlässigen Maske) oder Reflektion (bei einer reflektierenden Maske) der auf die Maske auftreffenden Strahlung in Übereinstimmung mit dem Muster der Maske. Bei einer Maske ist die Tragstruktur im Allgemeinen ein Maskentisch, der sicherstellt, dass die Maske in einer gewünschten Position im Strahl einer einfallenden Strahlung gehalten werden kann und dass sie relativ zum Strahl bewegt werden kann, sofern dies erwünscht ist.
– Eine programmierbare Spiegelanordnung. Ein Beispiel für eine solche Vorrichtung ist eine matrixadressierbare Oberfläche mit einer viskoelastischen Steuerschicht und einer reflektierenden Oberfläche. Das Grundprinzip hinter einem solchen Apparat besteht darin, dass (beispielsweise) adressierte Flächen der reflektierenden Oberfläche einfallendes Licht als gebeugtes Licht reflektieren, während nicht adressierte Flächen einfallendes Licht als ungebeugtes Licht reflektieren. Unter Verwendung eines geeigneten Filters kann das ungebeugte Licht aus dem reflektierten Strahl herausgefiltert werden, wobei nur das gebeugte Licht zurückbleibt, auf diese Weise wird der Strahl in Übereinstimmung mit dem Adressierungsmuster der matrixadressierbaren Oberfläche gemustert. Eine alternative Ausführungsform einer programmierbaren Spiegelanordnung verwendet eine Matrixanordnung aus winzigen Spiegeln, von denen jeder einzeln durch Anlegen eines geeigneten lokalen elektrischen Feldes oder durch Verwenden von piezoelektrischen Betätigungseinrichtungen um eine Achse gekippt werden kann. Wiederum sind die Spiegel matrixadressierbar, so dass die adressierten Spiegel einen Strahl einer einfallenden Strahlung in eine andere Richtung zu nicht adressierten Spiegeln reflektieren, auf diese Weise wird der reflektierte Strahl in Übereinstimmung mit dem Adressierungsmuster der matrixadressierbaren Spiegel gemustert. Die erforderliche Matrixadressierung kann unter Verwendung einer geeigneten elektronischen Einrichtung durchgeführt werden. In beiden vorstehend beschriebenen Situationen kann das Musterungsmittel eine oder mehrere programmierbare Spiegelanordnungen umfassen. Mehr Informationen über Spiegelanordnungen, wie hierin angegeben, können beispielsweise den US-Patenten US 5,296,891 und US 5,523,193 und den PCT-Patentanmeldungen WO 98/38597 und WO 98/33096 entnommen werden. Bei einer programmierbaren Spiegelanordnung kann die Tragstruktur beispielsweise als Rahmen oder Tisch ausgeführt werden, der je nach Bedarf feststehend oder beweglich sein kann.

Aus Gründen der Einfachheit kann sich der Rest dieses Textes an bestimmten Stellen spezifisch auf Beispiele beziehen, die eine Maske und einen Maskentisch umfassen, die in solchen Fällen besprochenen allgemeinen Grundlagen sind jedoch in dem breiteren Zusammenhang der vorstehend dargelegten Musterungsmittel zu sehen.
Ein lithographischer Projektionsapparat kann beispielsweise bei der Herstellung von integrierten Schaltungen (ICs) verwendet werden. In einem solchen Fall kann das Musterungsmittel ein Schaltungsmuster erzeugen, das einer einzelnen Schicht der IC entspricht, wobei dieses Muster auf einem Zielabschnitt (der z.B. ein oder mehrere Halbleiterplättchen umfasst) eines Substrats (Siliziumwafer) abgebildet werden kann, der mit einer Schicht aus strahlungsempfindlichem Material (Fotolack) überzogen ist. Im Allgemeinen enthält ein einzelner Wafer ein ganzes Netzwerk benachbarter Zielabschnitte, die nacheinander, immer einer auf einmal, durch das Projektionssystem bestrahlt werden. Bei dem vorliegenden Apparat, der eine Musterung durch eine Maske auf einem Maskentisch verwendet, kann zwischen zwei verschiedenen Maschinentypen unterschieden werden. Bei einem Typ eines lithographischen Projektionsapparats wird jeder Zielabschnitt durch Belichten des gesamten Maskenmusters auf den Zielabschnitt in einem Schritt bestrahlt, ein solcher Apparat wird für gewöhnlich als Wafer-Stepper bezeichnet. Bei einem alternativen Apparat – der für gewöhnlich als Step-and-Scan-Apparat bezeichnet wird – wird jeder Zielabschnitt durch progressives Scannen des Maskenmusters unter dem Projektionsstrahl in einer gegebenen Bezugsrichtung (der "Scan"-Richtung) bestrahlt, wobei der Substrattisch gleichzeitig parallel oder antiparallel zu dieser Richtung gescannt wird, da das Projektionssystem im Allgemeinen einen Vergrößerungsfaktor M (im Allgemeinen < 1) hat, ist die Geschwindigkeit V, mit der der Substrattisch gescannt wird, ein Faktor M mal derjenigen, mit der der Maskentisch gescannt wird. Mehr Informationen in Bezug auf lithographische Vorrichtungen, wie hierin beschrieben, sind beispielsweise in US 6,046,792 nachzulesen.
Bei einem Herstellungsverfahren, das einen lithographischen Projektionsapparat verwendet, wird ein Muster (z.B. in einer Maske) auf einem Substrat abgebildet, das zumindest zum Teil mit einer Schicht aus strahlungsempfindlichem Material (Fotolack) bedeckt ist. Vor diesem Abbildungsschritt kann das Substrat verschiedenen Verfahren, wie etwa Grundieren, Fotolackbeschichtung und einem leichten Trocknen (soft bake), unterzogen werden. Nach dem Belichten kann das Substrat anderen Verfahren unterzogen werden, wie etwa Post-Exposure Bake (PEB – nachfolgender Heizschritt), Entwickeln, starkes Trocknen (hard bake) und Messen/Untersuchen der abgebildeten Merkmale. Dieser Verfahrensablauf wird als Basis für die Musterung einer einzelnen Schicht einer Vorrichtung, z.B. einer IC, verwendet. Eine derartige gemusterte Schicht kann dann verschiedenen Verfahren, wie etwa Ätzen, Ionenimplantieren (Dotieren), Metallisieren, Oxidieren, chemomechanisches Polieren, etc., unterzogen werden, die alle dazu dienen, eine einzelne Schicht abschließend zu bearbeiten. Wenn mehrere Schichten benötigt werden, dann muss das ganze Verfahren oder eine Variante desselben für jede neue Schicht wiederholt werden. Schließlich ist eine Anordnung von Vorrichtungen auf dem Substrat (Wafer) vorhanden. Diese Vorrichtungen werden dann durch eine Technik, wie etwa mechanisches Trennen (dicing) oder Sägen, voneinander gelöst, wonach die einzelnen Vorrichtungen auf einem Träger montiert, mit Anschlussstiften verbunden, etc. werden können. Weitere Informationen in Bezug auf solche Verfahren können beispielsweise dem Buch "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing", dritte Auflage, von Peter van Zant, McGraw Hill Publishing Co. 1997, ISBN 0-07-067250-4 entnommen werden.
Aus Gründen der Einfachheit kann das Projektionssystem nachfolgend als "Linse" bezeichnet sein, dieser Begriff ist jedoch breit auszulegen, so dass er verschiedene Arten von Projektionssystemen umfasst, einschließlich z.B. Brechungsoptik-, Reflexionsoptik- und katadioptrischer Systeme. Das Bestrahlungssystem kann auch Bauteile umfassen, die in Übereinstimmung mit einem beliebigen dieser Ausführungstypen arbeiten, um den Projektionsstrahl einer Strahlung zu lenken, zu formen oder zu steuern, wobei solche Bauteile nachfolgend entweder kollektiv oder einzeln ebenfalls als "Linse" bezeichnet sein können. Des Weiteren kann der lithographische Apparat von einem Typ sein, der zwei oder mehr Substrattische (und/oder zwei oder mehr Maskentische) aufweist. Bei solchen "Mehr-Tisch-" Vorrichtungen können die zusätzlichen Tische parallel eingesetzt werden oder es können an einem oder mehreren Tischen Vorbereitungsschritte durchgeführt werden, während ein oder mehrere an dere Tische zur Belichtung verwendet werden. Lithographische Zwei-Tisch-Apparate sind beispielsweise in US 5,969,441 und WO 98/40791 beschrieben.
Zur Reduzierung der Größe von Merkmalen, die unter Verwendung eines lithographischen Projektionsapparats abgebildet werden können, ist es erwünscht, die Wellenlänge der Beleuchtungsstrahlung zu verringern. Ultraviolette Wellenlängen von weniger als 180 nm werden daher derzeit in Erwägung gezogen, z.B. 157 nm oder 126 nm. Ebenfalls in Erwägung gezogen werden extreme ultraviolette (EUV) Wellenlängen von weniger als 50 nm, z.B. 13,5 nm. Geeignete Quellen für UV-Strahlung umfassen Hg-Lampen und Excimer-Laser. Erwogene EUV-Quellen umfassen durch Laser erzeugte Plasmaquellen, Entladungsquellen und Undulatoren oder Wiggler, die um den Pfad eines Elektronenstrahls in einem Speicherring oder Synchrotron vorgesehen sind.
Bei EUV-Strahlung besteht das Projektionssystem im Allgemeinen aus einer Anordnung von Spiegeln, wobei die Maske reflektierend ist, siehe beispielsweise den in WO 99/57596 beschriebenen Apparat.
Apparate, die mit solchen Wellenlängen arbeiten, sind jedoch gegenüber dem Vorhandensein von Verunreinigungspartikeln erheblich empfindlicher als diejenigen, die mit höheren Wellenlängen arbeiten. Verunreinigungspartikel, wie etwa Kohlenwasserstoffmoleküle und Wasserdampf, können von externen Quellen in das System eingebracht oder in dem lithographischen Apparat selbst erzeugt werden. Die Verunreinigungspartikel können beispielsweise Trümmer und Nebenprodukte, die beispielsweise durch einen Strahl einer EUV-Strahlung vom Substrat abgesputtert werden, oder Moleküle umfassen, die durch Verdampfen von im Apparat verwendeten Kunststoffen, Klebstoffen und Schmiermitteln erzeugt werden.
Diese Verunreinigungen neigen dazu, an den optischen Bauteilen im System zu adsorbieren und bewirken einen Durchlassungsverlust des Strahls einer Strahlung. Wenn eine 157 nm-Strahlung verwendet wird, wird ein Durchlassungsverlust von ungefähr 1 % beobachtet, wenn sich nur eine oder wenige Monoschichten Verunreinigungspartikel auf jeder optischen Oberfläche bilden. Ein solcher Durchlassungsverlust ist unannehmbar hoch. Des Weiteren beträgt die Gleichförmigkeitsanforderung der Projektionsstrahlintensität bei solchen Systemen weniger als 0,2 %. Eine lokale Verunreinigung kann bewirken, dass diese Anforderung nicht erfüllt wird.
Es besteht außerdem das Risiko, dass die Adsorption von Verunreinigungspartikeln an der Oberfläche der optischen Bauteile oder in der optischen Oberfläche bei einer porösen Oberfläche, z.B. einer Anti-Reflexionsbeschichtung, eine Beschädigung, z.B. ein Bersten, der optischen Bauteile selbst verursacht. Eine solche Beschädigung kann auftreten, wenn die optischen Bauteile plötzlich bei voller Leistung mit UV-Strahlung, z.B. 157 nm-Strahlung, bestrahlt werden. Die Bestrahlung bewirkt eine rasche Verdampfung der kleineren Verunreinigungspartikel, wie etwa Wassermoleküle, die in der porösen Oberfläche der optischen Bauteile eingeschlossen sind, wodurch die optische Oberfläche selbst beschädigt wird. Eine solche Beschädigung ist äußerst kostspielig und sogar ein minimales Risiko des Auftretens einer solchen sollte vermieden werden. Es ist daher erwünscht, dass die optischen Bauteile in einem lithographischen Apparat so weit als möglich frei von Verunreinigungen gehalten werden.
Frühere Verfahren zum Reinigen optischer Bauteile umfassen, z.B. die Verwendung von Ozon als Reinigungsmaterial, dessen Aktivität durch das Vorhandensein von UV-Strahlung erhöht wird. Solche Reinigungsverfahren sind jedoch sehr rau und können das zu reinigende optische Bauteil, insbesondere an seiner Oberfläche, beschädigen. Im Besonderen die Maske, die im Allgemeinen ein auf Teflon basierendes oder ein anderes organisches Material umfasst, kann durch Verwendung solcher Verfahren beschädigt werden.
Ein weiteres Problem, das mit Apparaten zur Verwendung mit EUV-Strahlung zusammenhängt, betrifft im Besonderen das Vorhandensein von Wassermolekülen in dem Apparat. Die bei EUV-Lithographiewerkzeugen zum Betrieb notwendigen Hochvakuumsysteme umfassen typischerweise einen hohen Partialdruck von Wasser. Das Vorhandensein von Wasser zusammen mit EUV-Strahlung hat jedoch die Tendenz, eine Oxidation von Spiegeln zu bewirken. Dies ist ein unumkehrbarer und äußerst schädlicher Vorgang und führt zu einem sehr deutlichen Spiegelreflexionsverlust. Aufgrund der restriktiv hohen Kosten des Austauschens der Spiegel führt dies schließlich zu einem Betrieb des Lithographiewerkzeugs mit schlechten Reflexionsniveaus und daher zu einer Verringerung der Produktivität. Die Verkürzung der Lebensdauer der Spiegel, die ebenfalls daraus folgt, stellt einen weiteren deutlichen wirtschaftlichen Nachteil dar.
Oxidationsschutzdeckschichten wurden als potentielle Lösung für dieses Problem vorgeschlagen. Es wurden auf diesem Gebiet bislang jedoch nur sehr wenige erfolgreiche Ergebnisse erzielt. Es wurde bis jetzt noch kein Schutzverfahren gefunden, das die Lebensdauer von in EUV-Systemen verwendeten Spiegeln auf mehr als 15 Stunden erhöhen kann. Dies liegt deutlich unter den gewünschten 10.000 Stunden.
EP 1 011 128 A offenbart einen Apparat, bei dem optischen Bauteile in einer abgelenkten Position durch Licht gereinigt werden, das vom Belichtungslicht abgelenkt wird, welches von einem KrF-Excimer-Laser emittiertes UV-Licht ist. Eine Niederdruck-Hg-Lampe kann ebenfalls als Reinigungslichtquelle verwendet werden.
EP-A-0 532 236 offenbart einen lithographischen Apparat mit einer Infrarotquelle zum Vorsehen einer Erwärmung eines optischen Bauteils.
Daher besteht ein Ziel der Erfindung darin, einen lithographischen Projektionsapparat bereitzustellen, der Einrichtungen umfasst, die dazu in der Lage sind, Verunreinigungspartikel von den optischen Bauteilen zu entfernen. Ein weiteres Ziel der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Verringern der oxidativen Schäden bereitzustellen, die an den Spiegeln in EUV-Systemen verursacht werden.
Erfindungsgemäß ist ein lithographischer Projektionsapparat bereitgestellt, der umfasst:

– ein Bestrahlungssystem zur Zufuhr eines Projektionsstrahls einer Strahlung,
– eine Tragstruktur zum Tragen von Musterungsmitteln, wobei die Musterungsmittel dazu dienen, den Projektionsstrahl gemäß einem gewünschten Muster zu mustern,
– einen Substrattisch zum Halten eines Substrats, und
– ein Projektionssystem zum Projizieren des gemusterten Strahls auf einen Zielabschnitt des Substrats, und
– eine Strahlungsquelle zur Zufuhr einer Dekontaminierungsstrahlung, die dazu imstande ist, an einem optischen Bauteil anhaftende Verunreinigungspartikel zu entfernen,
– wobei die Strahlungsquelle dafür ausgelegt ist, die Dekontaminierungsstrahlung auf die Verunreinigungspartikel zu richten,

Die Erfinder haben herausgefunden, dass sich das Zuführen solcher Mikrowellen- und/oder Infrarotstrahlung zu einem lithographischen Projektionsapparat so auswirken kann, dass sowohl die optischen Bauteile im System gereinigt als auch die oxidativen Schäden an den Spiegeln verringert werden. Die Reinigung wird durch Richten einer Quelle geeigneter Strahlung auf ein optisches Bauteil im System ausgeführt, wie in den Ansprüchen definiert. Die Strahlung kann durch die Verunreinigungsmoleküle absorbiert werden, die an der Oberfläche des optischen Bauteils adsorbiert sind. Strahlung absorbierende Moleküle werden angeregt und verdampfen, sofern sie ausreichend Energie gewinnen, von der Oberfläche des optischen Bauteils. Mikrowellen- und/oder Infrarotstrahlung kann daher auf diese Weise verwendet werden, um adsorbierte Verunreinigungen von optischen Bauteilen zu entfernen.
Die Erfindung stellt eine sanfte, jedoch effektive Art der Reinigung optischer Bauteile in lithographischen Projektionsapparaten bereit. Nach dem Reinigen ist die Durchlas sung des Strahls einer Strahlung höher und auch die Gleichförmigkeit ist besser. Des Weiteren verringert ein Reinigen der optischen Bauteile erheblich die Anzahl kleiner Moleküle, wie etwa Wasser, die an einer Oberfläche des optischen Bauteils (optische Oberfläche) adsorbiert sind. Dies wiederum verringert die Wahrscheinlichkeit, dass sich aufgrund der unkontrollierten Verdampfung solcher Moleküle, wenn diese mit dem UV-Projektionsstrahl bestrahlt werden, Risse in den optischen Bauteilen bilden oder daran andere Beschädigungen entstehen.
Die Anwendung der vorliegenden Erfindung vermeidet außerdem Schäden an den empfindlichen optischen Oberflächen, die in dem Apparat vorhanden sein können. Im Besonderen kann die Intensität der Mikrowellen- und/oder Infrarotstrahlung variiert werden, was es ermöglicht, die anfängliche Bestrahlung mit einer niedrigen Intensität durchzuführen. Dieses Verfahren ist daher beispielsweise zur Verwendung mit Teflon enthaltenden Masken geeignet.
Materialien, die für optische Bauteile verwendet werden, umfassen z.B. CaF₂, BaF₂, MgF₂ und Quarz, die eine niedrige Anzahl von Hydroxylgruppen aufweisen können oder nicht. Wenn diese Materialien mit Infrarotstrahlung mit relativ niedrigen Frequenzen bestrahlt werden, absorbieren diese Materialien die Infrarotstrahlung und können sich infolgedessen erheblich erwärmen. Ein Beispiel für die Verwendung von Infrarotstrahlung zum Erwärmen von optischen Elementen in einem lithographischen Projektionsapparat kann in EP 0 532 236 A1 nachgelesen werden. Wenn die Wärmelast des auf das optische Bauteil fallenden Projektionsstrahls jedoch relativ niedrig ist, ist ein Erwärmen der Bauteile im Allgemeinen unerwünscht, da es die optischen Eigenschaften des optischen Bauteils beeinträchtigt und somit die Abbildungsleistung des Apparats negativ beeinflussen kann. Ob sich die optischen Bauteile bei der Belichtung erheblich und unannehmbar stark erwärmen, hängt im Allgemeinen beispielsweise von der Art des Materials und der Größe und Form des optischen Bauteils ab. Aus diesem Grund ist Strahlung, die zu 10 %, 20 % oder sogar 30 % durch das optische Bauteil absorbiert wird, für die vorliegende Erfindung geeignet. Zum selektiven Entfernen von Verunreinigungspartikeln, ohne das optische Bauteil erheblich zu erwärmen, ist Infrarotsstrahlung von mehr als 1.000 cm^–1 für aus CaF₂ gefertigte optische Bauteile und Strahlung von mehr als 2800 cm^–1 für aus Quarz gefertigte Bauteile geeignet.
Ein weiterer Vorteil der Verwendung einer solchen Infrarotsstrahlung (die nicht durch das optische Bauteil absorbiert wird) besteht darin, dass beide Seiten eines jeden optischen Bauteils gleichzeitig unter Verwendung einer einzelnen Infrarotquelle gereinigt werden können. Des Weiteren ist das Verfahren effizient, da die Strahlung spezifisch durch die Verunreinigungen anstatt durch das optische Bauteil selbst absorbiert wird. Die gereinigten optischen Bauteile werden selbst nicht erheblich durch das Reinigungsverfahren erwärmt und können daher sofort für eine Belichtung verwendet werden.
Der erfindungsgemäße lithographische Apparat kann auch die oxidativen Schäden an Spiegeln verringern, die in EUV-Systemen häufig auftreten. Bei dieser Ausführungsform der Erfindung wird der Apparat mit Infrarot- oder Mikrowellenstrahlung mit einer Frequenz bestrahlt, die der Rotations- oder Schwingungsfrequenz von Wasser entspricht. Durch Bestrahlung mit einer solchen Frequenz werden die Wassermoleküle im Apparat selektiv erwärmt. Dies bewirkt eine Verdampfung und Entfernung der Wassermoleküle, die an den verschiedenen Oberflächen im Apparat adsorbiert sein können, wodurch die Oxidation von Spiegeln verringert wird.
Da dieses Verfahren selektiv auf Wassermoleküle abzielt, wird dadurch eine effiziente Möglichkeit der Entfernung von Wasser aus dem System bereitgestellt, während eine Erwärmung des Apparats selbst vermieden wird. Dies erhöht die Lebensdauer von EUV-Spiegeln, was für die wirtschaftliche Brauchbarkeit von EUV-Geräten von großer Bedeutung ist, ohne die Anforderungen an die thermische Stabilität des Werkzeugs aufzugeben, ein Merkmal, das für geringe Ausfallzeiten notwendig ist.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ist ein Herstellungsverfahren für eine Vorrichtung bereitgestellt, wobei das Verfahren die Schritte umfasst:

– Bereitstellen eines Substrats, das zumindest teilweise mit einer Schicht aus strahlungsempfindlichem Material bedeckt ist,
– Bereitstellen eines Projektionsstrahls einer Strahlung unter Verwendung eines Bestrahlungssystems,
– Verwenden von Musterungsmitteln, um den Projektionsstrahl in seinem Querschnitt mit einem Muster zu versehen,
– Projizieren des gemusterten Strahls der Strahlung auf einen Zielabschnitt der Schicht aus strahlungsempfindlichem Material,
– Entfernen von Verunreinigungspartikeln, die an einem optischen Bauteil anhaften, durch Bestrahlung mit einer Dekontaminierungsstrahlung, die dazu in der Lage ist, die Verunreinigungspartikel zu entfernen,

Darüber hinaus kann das Verfahren ferner den Schritt des Bestimmens des Verunreinigungsgrades des optischen Bauteils durch Bestrahlen des optischen Bauteils mit Mikrowellen- und/oder Infrarotstrahlung und des Überwachens des Absorptionsgrades der Strahlung umfassen.
Dieses letztere Verfahren sorgt dafür, dass der Verunreinigungsgrad der optischen Bauteile im Apparat bestimmt werden kann, für gewöhnlich vor der Belichtung. Wenn der Absorptionsgrad unerwünscht hoch ist, was auf das Vorhandensein von Verunreinigungen an den optischen Oberflächen hinweist, kann eine Reinigung entweder unter Verwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens oder anderer Verfahren durchgeführt oder fortgesetzt werden. Dadurch kann die Belichtung hinausgezögert werden bis bekannt ist, dass die Verunreinigungsgrade annehmbar sind. Es ist daher möglich, sicherzustellen, dass die Durchlassungs- und Gleichförmigkeitsniveaus während jeder Belichtung hoch sind, wodurch die Effizienz des Apparats maximiert wird.
Obgleich in diesem Text spezifisch auf die Verwendung des erfindungsgemäßen Apparats bei der Herstellung von ICs Bezug genommen wird, versteht es sich ausdrücklich, dass ein solcher Apparat viele andere Anwendungsmöglichkeiten hat. Er kann beispielsweise bei der Herstellung von integrierten optischen Systemen, Führungs- und Erfassungsmustern für Magnetblasenspeicher, Flüssigkristallbildschirmen, Dünnfilmmagnetköpfen, etc. verwendet werden. Ein Fachmann wird erkennen, dass, im Zusammenhang mit solchen alternativen Anwendungen, jegliche Verwendung der Begriffe "Retikel", "Wafer" oder "Halbleiterplättchen" in diesem Text als durch die allgemeineren Begriffe "Maske", "Substrat" bzw. "Zielabschnitt" ersetzt anzusehen ist.
In dem vorliegenden Dokument werden die Begriffe "Strahlung" und "Strahl" so verwendet, dass alle Arten von elektromagnetischer Strahlung enthalten sind, einschließlich Ultraviolettstrahlung (z.B. mit einer Wellenlänge von 365, 248, 193, 157 oder 126 nm) und EUV (extreme Ultraviolettstrahlung, z.B. mit einer Wellenlänge zwischen 5 und 20 nm) sowie Partikelstrahlen, wie etwa Ionenstrahlen oder Elektronenstrahlen.
Die Erfindung und ihre zugehörigen Vorteile sind nachfolgend unter Bezugnahme auf exemplarische Ausführungsformen und die begleitenden schematischen Zeichnungen näher beschrieben. Es zeigt:
1 einen erfindungsgemäßen lithographischen Projektionsapparat, und
2 den Maskentisch einer spezifischen Ausführungsform der Erfindung.
In den Zeichnungen sind gleiche Teile mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet.
Ausführungsform 1
1 stellt schematisch einen lithographischen Projektionsapparat gemäß einer spezifischen Ausführungsform der Erfindung dar. Der Apparat umfasst:

– Ein Bestrahlungssystem Ex, IL zum Zuführen eines Projektionsstrahls PB einer Strahlung (z.B. UV- oder EUV-Strahlung). In diesem speziellen Fall umfasst das Bestrahlungssystem außerdem eine Strahlungsquelle LA.
– Einen ersten Objekttisch (Maskentisch) MT, der mit einem Maskenhalter zum MA (Halten einer Maske z.B. eines Retikels) ausgestattet und mit einer ersten Positionierungseinrichtung zum genauen Positionieren der Maske in Bezug auf das Element PL verbunden ist.
– Einen zweiten Objekttisch (Substrattisch) WT, der mit einem Substrathalter zum Halten eines Substrats W (z.B. eines mit Fotolack beschichteten Siliziumwafers) ausgestattet und mit einer zweiten Positionierungseinrichtung zum genauen Positionierung des Substrats in Bezug auf das Element PL verbunden ist.
– Ein Projektionssystem ("Linse") PL (z.B. eine Spiegelgruppe) zum Abbilden MA auf einen Zielabschnitt C (der eines bestrahlten Abschnitts der Maske z.B. ein oder mehrere Halbleiterplättchen umfasst) des Substrats W.

Wie hier dargestellt, ist der Apparat vom reflektierenden Typ (d.h. er hat eine reflektierende Maske). Im Allgemeinen kann er jedoch auch beispielsweise vom durchlässigen Typ sein (mit einer durchlässigen Maske). Alternativ kann die Vorrichtung eine andere Art von Musterungsmittel umfassen, etwa eine programmierbare Spiegelanordnung eines vorstehend erwähnten Typs.
Die Quelle LA (z.B. eine Hg-Lampe, ein Excimer-Laser, ein um den Pfad eines Elektronenstrahls in einem Speicherring oder Synchrotron angeordneter Undulator oder Wiggler oder eine durch Laser erzeugte Plasmaquelle) erzeugt einen Strahl einer Strahlung. Dieser Strahl wird einem Bestrahlungssystem (Bestrahler) IL zugeführt, und zwar entweder direkt oder nach dem Passieren einer Konditionierungseinrichtung, wie z.B. eines Strahlexpanders Ex. Der Bestrahler IL kann Justiermittel AM zum Einstellen des äußeren und/oder inneren radialen Ausmaßes (für gewöhnlich als σ-Außenmaß bzw. σ-Innenmaß bezeichnet) der Intensitätsverteilung im Strahl umfassen. Darüber hinaus umfasst er im Allgemeinen verschiedene andere Bauteile, wie etwa einen Integrator IN und einen Kondensor CO. Auf diese Weise hat der auf die Maske MA fallende Strahl PB in seinem Querschnitt eine gewünschte Gleichförmigkeits- und Intensitätsverteilung.
Es wird in Bezug auf 1 darauf hingewiesen, dass sich die Quelle LA im Gehäuse des lithographischen Projektionsapparats befinden kann (wie es häufig der Fall ist, wenn die Quelle LA z.B. eine Quecksilberlampe ist), sie kann jedoch auch vom lithographischen Projektionsapparat entfernt sein, wobei der von ihr erzeugte Strahl der Strahlung in den Apparat gelenkt wird (z.B. mit Hilfe von geeigneten Richtspiegeln), wobei dieses letztere Szenario häufig der Fall ist, wenn die Quelle LA ein Excimer-Laser ist. Die vorliegende Erfindung und die Ansprüche umfassen beide dieser Szenarien.
Der Strahl PB erfasst anschließend die auf einem Maskentisch MT gehaltene Maske MA. Nachdem er die Maske MA passiert hat, tritt der Strahl PB durch die Linse PL, die den Strahl PB auf einen Zielabschnitt C des Substrats W fokussiert. Mit Hilfe der zweiten Positionierungseinrichtung (und einer interferometrischen Messeinrichtung IF) kann der Substrattisch WT exakt bewegt werden, z.B. um andere Zielabschnitte C im Pfad des Strahls PB zu positionieren. Ebenso kann die erste Positionierungseinrichtung dazu verwendet werden, die Maske MA in Bezug auf den Pfad des Strahls PB exakt zu positionieren, z.B. nach einer mechanischen Rückholung der Maske MA aus einem Maskenarchiv oder während eines Scans. Im Allgemeinen wird die Bewegung der Objekttische MT, WT mit Hilfe eines Langhubmoduls (Grobpositionierung) und eines Kurzhubmoduls (Feinpositionierung) umgesetzt, die nicht explizit in 1 dargestellt sind. Bei einem Wafer-Stepper jedoch (im Gegensatz zu einem Step-and-Scan-Apparat) kann der Maskentisch MT einfach mit einem Kurzhubaktuator verbunden oder feststehend sein.
Der dargestellte Apparat kann in zwei unterschiedlichen Betriebsarten verwendet werden:

1. In der Step-Betriebsart wird der Maskentisch im Wesentlichen stationär gehalten und ein komplettes Maskenbild wird in einem Schritt (d.h. in einem einzelnen "Blitz") auf einen Zielabschnitt C projiziert. Der Substrattisch WT wird dann in x- und/oder y-Richtung verschoben, so dass ein anderer Zielabschnitt C durch den Strahl PB bestrahlt werden kann.
2. In der Scan-Betriebsart gilt im Wesentlichen dasselbe Szenario, außer dass ein gegebener Zielabschnitt C nicht in einem einzelnen "Blitz" belichtet wird. Stattdessen kann der Maskentisch MT in eine gegebene Richtung (der so genannten "Scan-Richtung", z.B. der y-Richtung) mit einer Geschwindigkeit v bewegt werden, so dass bewirkt wird, dass der Projektionsstrahl PB ein Maskenbild scannt, gleichzeitig wird der Substrattisch WT ebenfalls in dieselbe oder die entgegengesetzte Richtung mit einer Geschwindigkeit V = Mv bewegt, wobei M die Vergrößerung der Linse PL ist (typischerweise M = 1/4 oder 1/5). Auf diese Weise kann ein relativ großer Zielabschnitt C belichtet werden, ohne Abstriche bei der Auflösung machen zu müssen.

Bei einer spezifischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein optisches Bauteil durch Richten eines Strahls einer Infrarot- und/oder Mikrowellenstrahlung auf ein zu reinigendes optisches Bauteil von Verunreinigungspartikeln gereinigt. Das zu reinigende optische Bauteil kann beispielsweise die Maske sein. Die vorliegende Erfindung kann jedoch auch dazu verwendet werden, Verunreinigungen von jedem beliebigen Bauteil des Systems, z.B. den im Bestrahlungs- oder Projektionssystem enthaltenen optischen Bauteilen (oder Linsen), zu entfernen. Die vorliegende Erfindung kann auf eines oder mehrere optische Bauteile entweder gleichzeitig oder separat angewandt werden.
Bei dieser Ausführungsform wird davon ausgegangen, dass das Bestrahlungssystem UV-Licht mit einer Wellenlänge von 157 nm erzeugt, obgleich auch andere Wellenlängen, wie etwa 126 nm, verwendet werden können.
2 zeigt den Maskentisch dieser Ausführungsform der Erfindung genauer. Die Maske M wird mit Mikrowellen- und/oder Infrarotstrahlung bestrahlt. Bei der in 2 gezeigten Ausführungsform der Erfindung ist die Strahlung von der Infrarotquelle IRS erzeugte Infrarotstrahlung. Sämtliche Verunreinigungsmoleküle, die die Strahlung absorbieren, gewinnen Energie und können von der Oberfläche, an der sie adsorbiert sind, verdampfen. Die Bestrahlung kann vor oder gleichzeitig mit der Belichtung erfolgen. Es ist ebenfalls vorgesehen, die Maske oder ein anderes optisches Bauteil, das gereinigt werden muss, vor dem Einsetzen in den lithographischen Projektionsapparat zu bestrahlen.
Geeignete Infrarotstrahlungsquellen IRS umfassen Glühlampen. Geeignete Mikrowellenstrahlungsquellen umfassen Hohlraumresonatoren, Rücklaufwellenoszillatoren und "Klystrone". Die Quelle kann ein Breitbandemitter sein, der Strahlung eines Wellenlängenbereichs bereitstellt oder Strahlung einer einzelnen Wellenlänge oder eines schmäleren Wellenlängenbereichs vorsehen kann. Die Quelle ist bevorzugt so justierbar, dass sie auf verschiedene Wellenlängen eingestellt werden kann, wobei Filter dazu verwendet werden, die gewünschte Wellenlänge auszuwählen.
Die Bindungen in einem Molekül rotieren und schwingen mit spezifischen Frequenzen. Im Allgemeinen liegen die Rotationsfrequenzen im Mikrowellenbereich und die Schwingungsfrequenzen im Infrarotbereich. Daher bewirkt das Bestrahlen mit einer Wellenlänge oder einem Wellenlängenbereich in diesen Bereichen eine Anregung, durch Rotation oder Schwingung, des Verunreinigungsmoleküls, was zu seiner Entfernung führt. Geeignete Wellenlängen oder Wellenlängenbereiche für die Mikrowellen- und/oder Infrarotstrahlung liegen innerhalb des Bereichs von 0,3 cm^–1 bis 4.600 cm^–1, typischerweise von 1 bis 100 cm^–1, wenn eine Rotationsanregung verwendet wird (Mikrowellenbereich), oder von 400 bis 4.600 cm^–1, wenn eine Schwingungsanregung verwendet wird (Infrarotbereich).
Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst das Anvisieren eines oder mehrerer spezifischer Verunreinigungsmoleküle durch Bestrahlung mit einer charak teristischen Rotations- oder Schwingungsfrequenz dieses Moleküls oder einer Bindung in diesem Molekül. Bei Betrachtung der Schwingungsanregung beispielsweise hat eine Alkyl-C-H-Bindung eine Valenzfrequenz zwischen 2.800 cm^–1 und 3.000 cm^–1 und eine O-H-Bindung eine Valenzfrequenz zwischen 2.800 cm^–1 und 3.800 cm^–1. Die genaue Frequenz jeder Schwingung in einem gegebenen Molekül wird durch mehrere Faktoren bestimmt, wie etwa sterische Einflüsse und nichtkovalente Bindung (z.B. Wasserstoffbindung). Ungefähre Schwingungsfrequenzen für eine Vielzahl chemischer Bindungen sind in der unten stehenden Tabelle angegeben:
Infrarotstrahlung einer der oben genannten spezifischen Frequenzen oder eines Frequenzbereichs, der eine der obigen Frequenzen umfasst, kann daher dazu verwendet werden, ein die entsprechende Bindungsart enthaltendes Molekül anzuregen.
Viele der in einem lithographischen Apparat vorhandenen Verunreinigungsmoleküle enthalten O-H-Bindungen, z.B. Wasser und Alkohole, weshalb ein geeigneter Frequenzbereich zwischen 2.800 cm^–1 und 3.800 cm^–1 liegt. Die Schwingungsfrequenz von Wasser befindet sich am oberen Ende dieses Bereichs, so dass, wenn es erwünscht ist, insbesondere Wassermoleküle anzuvisieren, eine Frequenz von 3.500 cm^–1 bis 3.800 cm^–1 verwendet werden kann. Ebenso können andere Verunreinigungen durch Bestrahlen des optischen Bauteils mit einer Strahlung mit einer Frequenz anvisiert werden, die einer Schwingungsfrequenz der relevanten Verunreinigung entspricht. Mehrere Frequenzen können abwechselnd oder gleichzeitig abgestrahlt werden, so dass mehrere unterschiedliche Verunreinigungen anvisiert werden.
Obgleich es erwünscht sein kann, eine bestimmte Wellenlänge zu verwenden, um eine spezifische Art von Verunreinigung zu entfernen, kann es alternativ erforderlich sein, einen breiten Wellenlängenbereich zu verwenden, beispielsweise durch Verwendung eines Breitbandemitters als Quelle der Mikrowellen- und/oder Infrarotstrahlung. Dadurch wird eine große Vielzahl unterschiedlicher Moleküle auf einmal mit Energie versorgt und deren Verdampfung bewirkt.
Sofern erwünscht, kann die Absorption der Mikrowellen- und/oder Infrarotstrahlung unter Verwendung eines Sensors 2 überwacht werden. Dies ist in Ausführungsform 2 näher beschrieben.
Es ist vorgesehen, das erfindungsgemäße Reinigungsverfahren in Verbindung mit anderen Reinigungsverfahren zu verwenden, beispielsweise mit Verfahren, die die Verwendung von Ozon und/oder UV-Strahlung umfassen.
Ausführungsform 2
Bei einer zweiten Ausführungsform der Erfindung, die der ersten Ausführungsform entspricht, mit Ausnahme des nachfolgend Beschriebenen, ist der Apparat mit einem Sensor 2 ausgestattet, um die Absorption der Infrarotstrahlung durch die Verunreinigungen an der Oberfläche der optischen Bauteile zu überwachen. Wie bei der Ausführungsform 1 wurde hierbei Infrarotstrahlung verwendet, es ist jedoch ebenfalls vorgesehen, Mikrowellenstrahlung zu verwenden. In 2 ist der Sensor 2 so dargestellt, dass er die Absorption von auf die Maske gerichteter Infrarotstrahlung ü berwacht, er kann jedoch auch dazu verwendet werden, die Absorption von auf ein beliebiges optisches Bauteil gerichteter Strahlung zu überwachen.
Wie in 2 dargestellt, kann das optische Bauteil reflektierend sein und der Sensor misst daher den Reflexionsgrad der Infrarotstrahlung. Wenn die Maske jedoch vom durchlässigen Typ ist, wird der Sensor so angeordnet, dass er den Durchlassgrad durch die Maske oder ein anderes optisches Bauteil misst.
Der Absorptionsgrad der Infrarotstrahlung gibt den Bedeckungsgrad des optischen Bauteils mit Verunreinigungen an. Daher kann der Sensor dazu verwendet werden, anzuzeigen, ob das fragliche optische Bauteil sauber genug ist, so dass eine Belichtung erfolgen kann, oder ob eine weitere Reinigung erforderlich ist. Eine regelmäßige Anwendung dieses Ermittlungsverfahrens kann erwünscht sein, so dass ermittelt werden kann, wann ein optisches Bauteil gereinigt werden muss.
Der Sensor kann auch während des Reinigungsverfahrens verwendet werden. Die Reinigung wird wie in der Ausführungsform 1 beschrieben durchgeführt, wobei die Absorption der Strahlung während der Bestrahlung unter Verwendung des Sensors 2 überwacht wird. Wenn der Sensor anzeigt, dass der Absorptionsgrad unter ein ausreichendes Niveau gefallen ist und der Verunreinigungsgrad des optischen Bauteils somit annehmbar ist, kann das Reinigungsverfahren gestoppt und die Belichtung durchgeführt werden.
Des Weiteren können, wenn der Sensor anzeigt, dass das optische Bauteil durch das erfindungsgemäße Infrarotverfahren nicht ausreichend gereinigt worden ist, andere Techniken eingesetzt werden.
Ausführungsform 3
Bei einer dritten Ausführungsform der Erfindung, die der ersten Ausführungsform entspricht, mit Ausnahme des nachfolgend Beschriebenen, wird der Partialdruck von Wasser im System durch Bestrahlung mit Infrarot- oder Mikrowellenstrahlung, bevorzugt Infrarotstrahlung, verringert.
Bei dieser Ausführungsform erzeugt das Bestrahlungssystem Strahlung im extremen ultravioletten (EUV) Bereich. Die Strahlung kann beispielsweise eine Wellenlänge haben, die unter ungefähr 50 nm liegt, bevorzugt unter ungefähr 20 nm und besonders bevorzugt unter ungefähr 15 nm. Ein Beispiel für eine Wellenlänge im EUV-Bereich, die in der Lithographieindustrie erhebliches Interesse erregt, beträgt 13,5 nm, obgleich es in diesem Bereich auch andere viel versprechende Wellenlängen gibt, wie z.B. 11 nm.
Bei dieser Ausführungsform wird das Innere des lithographischen Apparats mit IR-Licht von der IR-Quelle IRS bestrahlt. Die Frequenz der Strahlung ist eine Frequenz, die von Wassermolekülen absorbiert wird. Beispielsweise eine Frequenz oder ein Frequenzbereich von 3.400 cm^–1 oder 3.500 cm^–1 bis 3.800 cm^–1, bevorzugt ungefähr 3.400 cm^–1 (2,94 μm). Die Strahlung ist bevorzugt eine einzelne Frequenz oder ein schmaler Frequenzbereich.
Die Bestrahlung kann dynamisch mit einer sehr kurzen Reaktionsdauer gesteuert werden. Der Sensor 2, der bei dieser Ausführungsform ein Massenspektrometer sein kann, das den Partialdruck von Wasser im Apparat messen kann, kann dazu verwendet werden, die Bestrahlung dynamisch zu steuern. Daher kann an das System ein Bestrahlungspuls angelegt werden, wenn der Sensor anzeigt, dass der Partialdruck von Wasser ein spezifisches Niveau überschritten hat.
Eine auf diese Weise durchgeführte Bestrahlung bewirkt eine Verdampfung und Entfernung von Wassermolekülen und verringert somit schließlich den Partialdruck von Wasser im System unter ein annehmbares Niveau. Dies führt zu einer Verringerung der Oxidation jeglicher im Apparat vorhandener Spiegel. Die Belichtung kann nach der IR-Bestrahlung jederzeit durchgeführt werden, auch direkt danach, da der Apparat selbst während der IR-Bestrahlung nicht erwärmt wird und daher keine Abkühlperiode erforderlich ist. Die IR-Bestrahlung kann alternativ gleichzeitig mit der Belichtung durchgeführt werden.
Obgleich vorstehend spezifische Ausführungsformen der Erfindung beschrieben worden sind, versteht es sich, dass die Erfindung auch anders als beschrieben in die Praxis umgesetzt werden kann. Die Beschreibung soll die durch die Ansprüche definierte Erfindung nicht einschränken.

Claims

Ein lithografischer Projektionsapparat, aufweisend: ein Bestrahlungssystem (IL) zur Zufuhr eines Projektionsstrahls einer Strahlung; eine Tragstruktur (MT) zum Tragen von Musterungsmitteln, wobei die Musterungsmittel dazu dienen, den Projektionsstrahl gemäß einem gewünschten Muster zu mustern; einen Substrattisch (WT) zum Halten eines Substrats; ein Projektionssystem (PL) zum Projizieren des gemusterten Strahls auf einen Zielabschnitt des Substrats; und eine Strahlungsquelle (IRS) zur Zufuhr einer Dekontaminierungsstrahlung, welche an einem optischen Bauteil anhaftende Verunreinungspartikel zu entfernen vermag; wobei die Strahlungsquelle (IRS) die Dekontaminierungsstrahlung auf die Verunreinungspartikel zu richten vermag, gekennzeichnet durch einen Filter zur Begrenzung der Dekontaminierungsstrahlung auf gewünschte Wellenlängen, wobei die Wellenlängen in den Mikrowellen- und/oder Infrarotbereichen liegen, und wobei die Dekontaminierungsstrahlung von dem optischen Bauteil um nicht mehr als 30% absorbiert wird.
Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Dekontaminierungsstrahlung im Infrarotbereich eine Frequenz hat oder in einem Frequenzbereich liegt von 1000 cm^–1 bis 4600 cm^–1.
Apparat nach Anspruch 2, wobei das optische Bauteil einen Bestandteil aufweist, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus CaF₂, BaF₂ und MgF₂.
Apparat nach Anspruch 1, wobei die Dekontaminierungsstrahlung im Infrarotbereich eine Frequenz hat oder in einem Frequenzbereich liegt von 2800 cm^–1 bis 4600 cm^–1.
Apparat nach Anspruch 4, wobei das optische Bauteil Quarz aufweist.
Apparat nach Anspruch 1, wobei die Dekontaminierungsstrahlung im Mikrowellenbereich eine Frequenz hat oder in einem Frequenzbereich liegt von 1 bis 100 cm^–1.
Apparat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Strahlungsquelle (IRS) eine Quelle aufweist, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus Glühlampe, Hohlraumresonator, Rücklaufwellenoszillator und Klystron.
Apparat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiterhin aufweisend einen Strahlungssensor (2) zur Überwachung eines Verunreinigungsgrades des optischen Bauteils.
Apparat nach Anspruch 8, wobei der Verunreinigungsgrad überwacht wird durch Analyse eines Absorption der Strahlung durch Verunreinigungspartikel.
Apparat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiterhin aufweisend ein Massenspektrometer zur Erkennung einer Verunreinigung in dem Apparat.
Ein Herstellungsverfahren für eine Vorrichtung, aufweisend die Schritte von: Bereitstellen eines Substrats (W), welches zumindest teilweise mit einer Schicht eines strahlungsempfindlichen Materials bedeckt ist; Bereitstellen eines Projektionsstrahls (PB) einer Strahlung unter Verwendung eines Strahlungssystems; Verwenden von Musterungsmitteln (MD), um den Projektionsstrahl in seinem Querschnitt mit einem Muster zu versehen; Projizieren des gemusterten Strahls der Strahlung auf einen Zielabschnitt der Schicht aus strahlungsempfindlichem Material; Entfernen von Verunreinigungspartikeln, welchen an einem optischen Bauteil anhaften, durch Bestrahlung mit einer Dekontaminierungsstrahlung, die in der Lage ist, die Verunreinigungspartikel zu entfernen, gekennzeichnet durch den Schritt des Begrenzens der Dekontaminierungsstrahlung auf gewünschte Wellenlängen, wobei die Wellenlängen in den Mikrowellen- und/oder Infrarotbereichen liegen.
Ein Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Bestrahlung mit der Dekontaminierungsstrahlung gleichzeitig mit der Belichtung durch den Projektionsstrahl durchgeführt wird.
Ein Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, wobei das Verfahren weiterhin den Schritt aufweist von: Bestimmen des Verunreinigungsgrades des optischen Bauteils durch Bestrahlen des optischen Bauteils mit Mikrowellen- und/oder Infrarotstrahlung und Überwachung des Grads der Absorption der Strahlung.
Ein Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei die Verunreinigungspartikel Wassermoleküle sind.