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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Verunreinigungserkennungsvorrichtung.
Insbesondere betrifft die Erfindung eine Verunreinigungserkennungsvorrichtung
in einer lithographischen Projektionsvorrichtung, welche aufweist:
- • ein
Beleuchtungssystem zum Liefern eines Projektionsstrahls einer Strahlung;
- • einen
ersten Objekttisch zum Halten einer Maske;
- • einen
zweiten Objekttisch, der mit einer Lagerfläche zum Lagern und Halten eines
Substrats an seiner rückseitigen
Oberfläche
versehen ist; und
- • ein
Projektionssystem zum Abbilden eines bestrahlten Abschnitts der
Maske auf einen Zielabschnitt des Substrats.
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Eine
Vorrichtung dieses Typs kann beispielsweise bei der Herstellung
von integrierten Schaltkreisen (ICs) verwendet werden. In so einem
Fall kann die Maske (Strichplatte) ein Schaltkreismuster entsprechend
einer individuellen Schicht des IC enthalten und dieses Muster kann
dann auf einen Zielabschnitt, der einen oder mehrere Elementwafer
auf einem Substrat (Siliciumwafer) aufweist, welches auf ihrer oberen
Oberfläche
mit einer Schicht eines strahlungsempfindlichen Materials (Resist)
beschichtet wurde, abgebildet werden. Für gewöhnlich enthält ein einzelner Wafer ein
ganzes Netzwerk an benachbarten Zielabschnitten, welche aufeinanderfolgend jeweils
einzeln durch die Strichplatte beleuchtet werden. Bei einem Typ
einer lithographischen Projektionsvorrichtung wird jeder Zielabschnitt
durch Belichten des gesamten Strichplattenmusters auf dem Zielabschnitt
in einem Durchgang bestrahlt; Eine solche Vorrichtung wird allgemein
als Waferstepper bezeichnet. Bei einer anderen Vorrichtung – welche
allgemein als Step-and-Scan-Vorrichtung bezeichnet wird – wird jeder
Zielabschnitt durch aufeinander folgendes Abtasten des Strichplattenmusters
unter dem Projektionsstrahl in einer gegebenen Referenzrichtung
(der „Abtastrichtung") bestrahlt, wobei
gleichzeitig der Wafertisch parallel oder gegenparallel in dieser
Richtung abgetastet wird; da üblicherweise
das Projektionssystem einen Vergrößerungsfaktor M (üblicherweise < 1) hat, ist eine
Geschwindigkeit v, mit der der Wafertisch abgetastet wird, M mal
grösser
als diejenige, mit der der Strichplattentisch abgetastet wird. Mehr
Informationen betreffend lithographische Vorrichtungen, wie sie
hier beschrieben werden, lassen sich der internationalen Patentanmeldung
WO 97/33205 entnehmen.
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Für gewöhnlich enthält eine
Vorrichtung dieses Typs einen einzelnen ersten Objekt-(Masken-)Tisch und
einen einzelnen zweiten Objekt-(Substrat-)Tisch. Es sind jedoch
Maschinen verfügbar
geworden, bei denen es wenigstens zwei unabhängig bewegliche Substrattische
gibt; vergleiche beispielsweise die mehrstufige Vorrichtung, wie
sie in den internationalen Patentanmeldungen WO98/28665 und WO98/40791
beschrieben ist. Das grundlegende Arbeitsprinzip hinter derartigen
mehrstufigen Vorrichtungen ist, dass, während ein erster Substrattisch sich
unterhalb des Projektionssystems befindet, um so die Belichtung
eines ersten Substrates, welches sich auf diesem Tisch befindet,
zu ermöglichen,
ein zweiter Substrattisch in eine Ladeposition laufen kann, ein
belichtetes Substrat abgeben kann, ein neues Substrat aufnehmen
kann, einige anfängliche Messschritte
an dem neuen Substrat durchführen kann
und dann in Warteposition sein kann, um dieses neue Substrat in
die Belichtungsposition unter dem Projektionssystem zu bringen,
sobald die Belichtung des ersten Substrates abgeschlossen ist, wonach sich
dieser Zyklus in sich wiederholt; auf diese Weise ist es möglich, einen
wesentlich erhöhten
Maschinendurchsatz zu erreichen, was wiederum die Betriebskosten
der Maschine verbessert.
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Lithographische
Vorrichtungen können
verschiedene Arten von Projektionsstrahlung verwenden, beispielsweise
ultraviolettes Licht (UV), extremes UV, Röntgenstrahlen, Ionenstrahlen
oder Elektronenstrahlen. Abhängig
von dem verwendeten Strahlungstyp und den besonderen Gestaltungsanforderungen
der Vorrichtung kann das Projektionssystem beispielsweise brechend,
reflektiv oder katadioptrisch sein und kann verschiedene glasartige
Bestandteile, Spiegel für
streifenden Einfall, selektive mehrlagige Beschichtungen, magnetische
und/oder elektrostatische Feldlinsen etc. aufweisen; aus Gründen der
Einfachheit werden solche Bestandteile in diesem Text später für sich alleine
oder zusammengefasst als „Linse" bezeichnet. Die
Vorrichtung kann Bestandteile aufweisen, welche im Vakuum arbeiten und
entsprechend vakuumkompatibel sind.
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Wenn
ein Substrat auf der Lagerfläche
des Substrattisches abgelegt wird, kann das Substrat gegen die Lagerfläche durch
Anlegen von Unterdruck an einen Raum zwischen der Lagerfläche und
der rückseitigen
Oberfläche
des Substrates angesaugt werden. Bei Verwendung dieses Verfahrens
nimmt das Substrat eine Form an, welche von der Lagerfläche bestimmt
ist. Die Lagerfläche
kann mit einer Matrixanordnung von Vorsprüngen versehen sein, welche
im wesentlichen senkrecht zur Lagerfläche sind, so dass die Rückseite
des Substrates auf einer Kontaktoberfläche liegt, welche durch einen
oberen Teil der Vorsprünge
gebildet wird. Die Form des Substrates wird dann durch die Kontaktoberfläche bestimmt, welche
alle in einer gemeinsamen Ebene liegen. Wenn Verunreinigungspartikel
zwischen der Lagerfläche
und der rückseitigen
Oberfläche
des Substrats vorhanden sind, wird die Form des Substrats nicht nur
alleine durch die Form der Lagerfläche, sondern auch durch die
Verunreinigungspartikel bestimmt. Die Verunreinigung kann eine unakzeptable
Verformung des Substrates bewirken, welche zu Fokus- und Überlagerungsfehlern
während
der Abbildung des Musters in der Maske auf eine obere Oberfläche des
Substrates führen.
Die Fehler können
zu einer Ausmusterung der hergestellten Substrate und somit zu einem
geringeren Durchsatz in der lithographischen Vorrichtung führen, was
zu einem Anstieg der Betriebskosten führt.
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Die
US 5,559,582 beschreibt
eine lithographische Vorrichtung mit einem Reinigungswerkzeug für den Substrattisch.
Das Reinigungswerkzeug weist einen apparasiven Wetzstein und ein
staubfreies Tuch auf.
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Es
ist eine Aufgabe der Erfindung, Fokus- und Überlagerungsfehler zu vermeiden,
welche durch Verunreinigungspartikel verursacht werden, welche zwischen
der Lagerfläche
und der Substratrückseitenoberfläche vorhanden
sind. Diese und weitere Aufgaben werden gelöst bei einer Vorrichtung, wie
sie im beigefügten
Anspruch 1 beschrieben ist.
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Durch
Erkennung des Vorhandenseins einer Verunreinigung auf der Lagerfläche kann
man die Reinigung der Lagerfläche
derart auslösen,
dass Fokus- und Überlagerungsfehler
aufgrund der Verunreinigung vorab vermieden sind. Weniger hergestellte Substrate
werden ausgemustert und die Betriebskosten der Vorrichtung werden
verbessert.
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In
einer ersten Ausführungsform
der Erfindung weist die Verunreinigungserkennungsvorrichtung auf:
- • eine
Pegelsensierungsvorrichtung, welche zur Erkennung einer Oberflächenformung
eines Substrats aufgebaut und angeordnet ist, welches auf der Lagerfläche angeordnet
ist;
- • Datenspeichermittel
zur Speicherung von Oberflächenformungen
wenigstens zweier Substrate; und
- • Verarbeitungsmittel,
die Oberflächenformungen wenigstens
zweier Substrate zu vergleichen vermögen, die in den Datenspeichermitteln
gespeichert sind, um eine wiederkehrende Verformung in den Oberflächenformungen
der Substrate an ähnlichen
Orten zu erkennen, was das Vorhandensein einer Verunreinigung an
diesem Ort der Lagerfläche
anzeigt.
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Auf
diese Weise kann die Pegelsensierungsvorrichtung, welche bereits
in der Vorrichtung vorhanden ist, für die Erkennung einer Verunreinigung verwendet
werden, welche in der Lagerfläche
vorhanden ist. Eine solche Pegelsensierungsvorrichtung kann die
Oberflächenformung
eines Substrats, welches sich auf der Lagerfläche befindet, erkennen und die
Oberflächenformung
kann während
der Belichtung verwendet werden, Höhe und Neigung des Substrates
so einzustellen, dass das Substrat innerhalb der Brennebene des
Projektionssystems positioniert wird. Für den Fall, dass die Oberflächenformung
von mehr als einem Substrat eine Verformung an einem ähnlichen
Ort aufweist, zeigt diese Verformung eine Verunreinigung der Lagerfläche an besagtem
Ort, da die Verunreinigung jedes Substrats auf dieser Lagerfläche verformen
wird.
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Die
Verunreinigungserkennungsvorrichtung vermag den Ort der Verunreinigung
auf der Lageroberfläche
zu erkennen und die Vorrichtung weist ein Reinigungswerkzeug auf,
welches sich bezüglich
der Lageroberfläche
zu besagtem Ort zu bewegen vermag und den Ort zu reinigen vermag.
Auf diese Weise wird eine an einem bestimmten Ort auf der Lageroberfläche erkannte
Verunreinigung durch das Reinigungswerkzeug in situ gereinigt und
Durchsatzeinbußen
werden vermieden, da das Öffnen, Überprüfen, Reinigen
und Schließen
der Vorrichtung, was viel Zeit kostet, während der die Vorrichtung nicht
betreibbar ist, vermieden ist. Die Reinigung eines bestimmten verunreinigten
Ortes in situ hat den weiteren Vorteil, dass es nicht notwendig
ist, die gesamte Lagerfläche
zu reinigen, was Abnutzung des Reinigungswerkzeuges und der Lagerfläche verursachen würde.
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Das
Reinigungswerkzeug weist einen Reinigungsblock auf, der eine Reinigungsoberfläche hat und
ist weiterhin so aufgebaut und angeordnet, dass es mit seiner Reinigungsoberfläche an der
Lagerfläche
positionierbar und bezüglich
zu und in einer Ebene parallel zu der Lagerfläche bewegbar ist, wenn es gegenüber der
Lagerfläche
positioniert ist. Ein solches Reinigungswerkzeug ist sehr effektiv
bei der Entfernung einer Verunreinigung durch abrasives Reinigen
der Lagerfläche.
Das Reinigungswerkzeug und der zweite Objekttisch können so
aufgebaut und angeordnet sein, dass die Lagerfläche bewegt wird und der Reinigungsblock
gegenüber
dem verunreinigten Ort ortsfest gehalten wird oder so, dass der Reinigungsblock
bewegt wird, während
der zweite Objekttisch ortsfest gehalten wird. Es kann auch vorteilhaft
sein, sowohl den zweiten Objekttisch als auch den Reinigungsblock
zu bewegen. Der Reinigungsblock weist ein Keramikmaterial, beispielsweise
Aluminiumoxid oder Titanoxid auf. Der Reinigungsblock kann zumindest
teilweise elektrisch leitfähig
sein, so dass eine statische elektrische Ladung sich nicht an dem
Reinigungsblock und der Lagerfläche
ansammeln kann. Eine durch eine solche elektrische Ladung zwischen
der Lagerfläche
und dem Reinigungsblock verursachte Anziehung tritt dann nicht auf.
Die Rauigkeit der Reinigungsoberfläche beträgt vorteilhafterweise 0,1 μm oder weniger.
Die Rauigkeit ist als Mittelwert der Absolutdistanzen zwischen der
tatsächlichen
Oberflä chenformung
der Reinigungsoberfläche
und der durchschnittlichen Oberflächenformung der Reinigungsoberfläche definiert.
Eine solche Rauigkeit ist ausreichend zum Abreinigen der Verunreinigung,
beschädigt
jedoch nicht die Lagerfläche.
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Die
Erfindung betrifft auch ein Vorrichtungsherstellungsverfahren, wie
es im beigefügten
Anspruch 6 definiert ist.
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Bei
einem Herstellungsprozess unter Verwendung einer lithographischen
Projektionsvorrichtung wird ein Muster in einer Maske auf ein Substrat abgebildet,
welches zumindest teilweise mit einer Schicht aus strahlungsempfindlichem
Material (Resist) bedeckt ist. Vor diesem Abbildungsschritt kann das
Substrat verschiedene Abläufe
durchlaufen, beispielsweise Priming, Resistbeschichtung und Weichbacken.
Nach der Belichtung kann das Substrat anderen Abläufen unterworfen
sein, beispielsweise Nachbelichtungsbacken (PEB), Entwicklung, Hartbacken
und Messung/Prüfung
der abgebildeten Einzelheiten. Die Reihe dieser Abläufe wird
als Basis zum Mustern einer einzelnen Schicht einer Vorrichtung,
z. B. eines IC, verwendet. Eine solche gemusterte Schicht kann dann
verschiedenen Bearbeitungen unterworfen werden, wie Ätzen, Ionenimplantation
(Dotierung), Metallisierung, Oxidation, chemisch/mechanisches Polieren
etc., welche alle beabsichtigen, eine einzelne Schicht endzubearbeiten.
Wenn mehrere Schichten benötigt
werden, wird der gesamte Ablauf oder eine Abwandlung hiervon für jede neue
Schicht wiederholt. Schließlich
ist eine Reihe von Vorrichtungen auf dem Substrat (Wafer) vorhanden.
Diese Vorrichtungen werden dann voneinander durch eine Technik wie
Trennschneiden oder Sägen
getrennt, wonach die einzelnen Vorrichtungen auf einem Träger angeordnet
werden, mit Stiften verbunden werden etc. Nähere Informationen betreffend
dieser Abläufe
können
beispielsweise dem Buch „Microchip Fabrication:
A Practical Guide to Semiconductor Processing", dritte Ausgabe, Peter van Zant, McGraw Hill
Publishing Co., 1997, ISBN 0-07-067250-4 entnommen werden.
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Obgleich
oben konkreter Bezug genommen wurde auf die Verwendung der Vorrichtung
gemäß der Erfindung
bei der Herstellung von ICs, sei ausdrücklich festgehalten, dass eine
solche Vorrichtung andere mögliche
Anwendungsfälle
haben kann. Beispielsweise kann sie bei der Herstellung integrierter optischer
Systeme, Lenk- und Erkennungsmustern für Magnetic-Domain-Speicher,
Flüssigkristallanzeigeschirme,
Dünnfilmmagnetköpfen etc.
verwendet werden. Der Fachmann auf dem Gebiet erkennt, dass im Zusammenhang
mit solchen anderen Anwendungsfällen
jegliche Verwendung der Begriffe „Strichplatte", „Wafer" oder „Einzelwafer" in diesem Text als
ersetzbar durch die allgemeineren Begriffe „Maske", „Substrat" und „Zielabschnitt" zu verstehen ist.
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Die
Erfindung und ihre zugehörigen
Vorteile ergeben sich besser unter Zuhilfenahme beispielhafter Ausführungsformen
und der beigefügten
schematischen Zeichnung, in der:
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1 schematisch
eine lithographische Projektionsvorrichtung zeigt, welche zur Implementierung
der vorliegenden Erfindung geeignet ist;
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2 schematisch
eine Verunreinigungserkennungsvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform
der Erfindung zeigt;
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3a und 3b schematisch
ein Reinigungswerkzeug gemäß der ersten
Ausführungsform der
Erfindung zeigen; und
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3c schematisch
ein Substratreinigungswerkzeug gemäß einer zweiten Ausführungsform
der Erfindung zeigt.
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Ausführungsform 1
-
1 zeigt
schematisch eine lithographische Projektionsvorrichtung, welche
zur Implementierung der Erfindung geeignet ist. Die Vorrichtung weist
auf:
- • ein
Strahlungssystem LA, Ex, IN, CO zur Zufuhr eines Projektionsstrahls
PB einer Strahlung (z. B. UV- oder EUV-Strahlung, Röntgenstrahlen,
Ionen- oder Elektronen);
- • einen
ersten Objekttisch (Maskentisch) MT mit einem Maskenhalter zum Halten
einer Maske MA (z. B. einer Strichplatte);
- • einem
zweiten Objekttisch (Substrattisch) WT mit einer Lagerfläche zum
Halten eines Substrats W (z. B. eines Resist-beschichtetem Siliciumwafers)
an dessen Rückseitenfläche; und
- • ein
Projektionssystem PL (z. B. eine Linse oder ein katadioptrisches
System oder eine Spiegelgruppe) zur Abbildung eines bestrahlten
Abschnittes der Maske MA auf einen Zielabschnitt C des Substrats
W.
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In
diesem Fall weist die dargestellte Vorrichtung brechende Bauteile
auf. Sie kann jedoch auch alternativ eines oder mehrere reflektierende
Bauteile aufweisen.
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Das
Strahlungssystem weist eine Quelle LA (z. B. eine Hg-Lampe oder
einen Excimerlaser, eine thermoionische Kanone oder eine Ionenquelle,
oder einen Wiggler/Undulator um den Pfad eines Elektronenstrahls
in einem Speicherring oder Synchrotron herum) auf, welche einen
Strahl einer Strahlung erzeugt. Dieser Strahl wird entlang verschiedener
optischer Bauteile geführt,
z. B. eine strahlformende Optik Ex, einen Integrator IN, und einen
Kondensor C, so dass der sich ergebende Strahl PB die gewünschte Form
und Dichtenverteilung in seinem Querschnitt hat.
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Der
Strahl PB durchtritt nachfolgend die Maske MA, welche in einem Maskenhalter
auf dem Maskentisch MT gehalten ist. Nach Durchlauf der Maske MA
läuft der
Strahl PB durch das Projektionssystem PL, der den Strahl PB auf
einen Zielabschnitt PB des Substrates W fokussiert. Unter Zuhilfenahme der
interferometrischen Verschiebungs- und Messvorrichtung IF kann der Substrattisch
WT genau bewegt werden, beispielsweise so, dass unterschiedliche
Zielabschnitte C im Pfad des Strahls PB positioniert werden.
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Die
dargestellte Vorrichtung kann in zwei unterschiedlichen Betriebsarten
verwendet werden:
- • Im Schrittmodus wird der Maskentisch
MT im wesentlichen ortsfest gehalten und ein gesamtes Maskenbild
wird in einem Durchgang (d. h. einem einzelnen „Flash") auf einen Zielabschnitt C projiziert.
Der Substrattisch WT wird dann in x- und/oder y-Richtung verschoben, so
dass ein unterschiedlicher Zielabschnitt C durch den (ortsfesten)
Strahl PB bestrahlt werden kann;
- • Im
Abtastmodus trifft im wesentlichen das gleiche Szenario zu, mit
der Ausnahme, dass ein gegebener Zielabschnitt C nicht in einem
einzelnen „Flash" belichtet wird.
Anstelle hiervon ist der Maskentisch MT in einer bestimmten Richtung (der
sogenannten „Abtastrichtung", z. B. der x-Richtung)
mit einer Geschwindigkeit v beweglich, so dass der Projektionsstrahl
W veranlasst wird, über
ein Maskenbild abzutasten; gleichzeitig wird der Substrattisch WT
in die gleiche oder eine entgegen gesetzte Richtung mit einer Geschwindigkeit
V = M × v
bewegt, wobei M die Vergrößerung des
Projektionssystems PL ist (typischerweise M = 1/4 oder 1/5). Auf
diese Weise wird ein relativ großer Zielabschnitt C belichtbar,
ohne dass Kompromisse bei der Auflösung gemacht werden müssen.
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2 ist
eine Seitenansicht des Substrattisches WT von 1 und
der Verunreinigungserkennungsvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform
der Erfindung. Besagte Verunreinigungserkennungsvorrichtung weist
eine Pegelsensierungsvorrichtung auf, welche eine Strahlungsquelle
S, ein Linsensystem L1, L2 und einen Detektor DE aufweisen. Die
Pegelsensierungsvorrichtung wird verwendet, eine Oberflächenformung
der oberen Oberfläche
BS eines Substrates W zu erkennen, welches mit seiner Rückseite
BS auf einer Lagerfläche
WH eines Substrattisches WT gehalten ist. Wenn die Pegelsensierungsvorrichtung
verwendet wird, erzeugt die Strahlungsquelle S einen Strahl einer
Strahlung, der mit einer Linse L1 in einem Punkt SP gerichtet wird,
der auf der oberen Oberfläche
WS des Substrates W reflektiert und wird nachfolgend durch die Linse
L2 in den Detektor DE geführt.
Der Detektor ist so aufgebaut und angeordnet, dass er eine Änderung
der Richtung des Strahls zu messen vermag, was eine Verformung der
Oberflächenformung
der oberen Fläche
WS des Substrates W anzeigt. Eine solche Verformung kann durch das
Substrat W bewirkt werden, welches an einem bestimmten Ort dicker
ist oder durch eine Verunreinigung, welche zwischen der rückseitigen
Fläche WS
des Substrates W und der Lagerfläche
WH vorhanden ist. Durch Speichern der Oberflächenformungen wenigstens zweier
Substrate in einer Datenspeichervorrichtung und durch Vergleichen
dieser Oberflächenformungen
kann eine wiederkehrende Verformung in den Oberflächenformungen
an einem ähnlichen
Ort erkannt werden. Dies zeigt eine Verunreinigung der Lagerfläche WH an
diesem Ort an. Die Pegelsensierungsvorrichtung kann ein Fokuserkennungssystem
sein, wie es in der US-5,191,200 beschrieben ist.
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3a zeigt
eine Schnitt-Teildarstellung des Substrattisches WT von 1 und
ein Substrattischreinigungswerkzeug 10 gemäß der ersten
Ausführungsform
der Erfindung. Der Substrattisch WT ist mit einer Lagerfläche WH versehen,
welche eine Matrixanordnung von Vorsprüngen 13 aufweist,
welche im wesentlichen senkrecht zu dieser Oberfläche sind. In
einem Bereich zwischen den verschiedenen Vorsprüngen 13 und der Rückseite
des Substrates W wird ein Unterdruck erzeugt, um das Substrat W
auf der Lagerfläche
WH zu halten. Ein Verunreinigungspartikel, welches zwischen einem
Vorsprung 13 und der rückseitigen
Fläche
des Substrates W vorhanden ist, wird eine Verformung des Substrates
W und damit dessen oberer Oberfläche,
auf der ein Muster abzubilden ist, verursachen. Die Vorsprünge 13 stellen eine
relativ kleine Kontaktfläche
mit der rückseitigen Oberfläche des
Substrates W dar, was zu einer geringen Wahrscheinlichkeit führt, dass
zwischen der Lagerfläche
WH und dem Substrat W Verunreinigungen vorhanden sind. Ein weiterer
Vorteil einer relativ kleinen Kontaktfläche ist, dass der Druck von
der rückseitigen
Oberfläche
auf die Kontaktfläche
relativ hoch im Vergleich dazu ist, wenn eine größere Kontaktfläche verwendet
wird. Der höhere
Druck kann irgendwelche Verunreinigungen, welche auf der Lagerfläche vorhanden
sind, zerquetschen.
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Die
Oberfläche
WH kann zwischen dem Entladen eines Substrates von und dem Laden
eines anderen Substrates W auf den Substrattisch WT gereinigt werden,
wenn das Vorhandensein einer Verunreinigung auf der Lagerfläche WH erkannt
wird. Während
der Reinigung der Lagerfläche
WH wird ein Reinigungsblock 11 des Waferhalterreinigungswerkzeuges 10 auf
die Vorsprünge 13 der
Lagerfläche
WH durch eine Reinigungsblockantriebseinheit 12 abgesenkt,
wie in 3b gezeigt. Nachfolgend wird
entweder der Reinigungsblock 11 oder der Wafertisch WT
(oder beide) translatorisch so bewegt, dass sich der Reinigungsblock 11 über die
Lagerfläche
WH bewegt. Eine auf einem oder mehreren der Vorsprünge 13 vorhandene
Verunreinigung wird durch eine abrasive Reinigung weggewischt. Der
Reinigungsvorgang kann automatisiert sein und wird ohne Öffnen der
lithographischen Vorrichtung durchgeführt, was die Abschaltzeit erheblich
verringert und den Durchsatz durch die Vorrichtung wesentlich erhöht.
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Der
Reinigungsblock 11 der gezeigten Ausführungsform weist ein Keramikmaterial
auf, welches elektrisch leitfähig
ist, beispielsweise Aluminiumoxid oder Titanoxid mit einem Metall
als Additiv. Der Reinigungsblock 11 ist elektrisch mit
Massepotential verbunden, um den Aufbau einer elektrostatischen
Ladung während
des Reinigungsvorgangs zu verhindern. Ein solcher Aufbau elektrostatischer
Ladung kann eine elektrostatische Anziehung zwischen der Lagerfläche WH und
dem Reinigungsblock 11 bewirken.
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Weiterhin
hat die Reinigungsoberfläche
des Reinigungsblocks 11 eine Oberflächenrauigkeit in der Größenordnung
von 0,1 μm
oder weniger, um die Kontaktkraft, welche von dem Reinigungsblock 11 ausgeübt wird,
gleichförmig über die
verschiedenen Vorsprünge 13 zu
verteilen, welche in Kontakt mit dem Reinigungsblock 11 sind
und um zu verhindern, dass auf einen einzelnen Vorsprung eine zu
hohe Kraft ausgeübt
wird. Eine derartige zu hohe Kraft könnte einen Vorsprung 13 und
damit die Ebenheit der Kontaktfläche
beschädigen,
welche durch die oberen Teile der Vorsprünge gebildet wird.
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Die 3a und 3b zeigen
eine Markierungsplatte MP, welche auf der Oberseite des Substrattisches
WT benachbart zu den Vorsprüngen
der Lagerfläche
WH vorhan den ist. Die in der Markierungsplatte MP enthaltene Markierung
wird in einem Ausrichtungsvorgang von Substrat W und Substrattisch
WT in der lithographischen Vorrichtung verwendet. Die Oberseite
der Markierungsplatte MP liegt etwa in der gleichen Ebene wie die
Oberseite des Substrates W, das sich auf dem Substrattisch WT befindet.
Während
eines Reinigungsvorgangs der Vorsprünge der Lagerfläche, wo
das Substrat W nicht vorhanden ist, wie in 2b gezeigt,
kann der Reinigungsblock 11 in die Markierungsplatte MP
oder irgendein anderes Werkzeug laufen, welches auf der Oberseite
des Substrattisches WT vorhanden sein kann. Um zu verhindern, dass
die Markierungsplatte MP beschädigt
wird, ist das Reinigungswerkzeug 10 so aufgebaut, dass
sich der Reinigungsblock 11 von den Vorsprüngen zurückzieht,
wenn ein festgelegter Wert einer Kraft, welche auf die Markierungsplatte MP
oder irgendein anderes Werkzeug ausgeübt wird, in welches er laufen
könnte, überschritten
wird.
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Ausführungsform 2
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3c zeigt
ein Reinigungswerkzeug 10 gemäß einer zweiten Ausführungsform
der Erfindung zur Verwendung der Vorrichtung von 1.
Die zweite Ausführungsform
verwendet die Verunreinigungserkennungsvorrichtung der vorliegenden
Erfindung gemäß obiger
Beschreibung zusammen mit bestimmten Veränderungen an dem Reinigungswerkzeug
gemäß nachfolgender
Beschreibung. In dem Reinigungswerkzeug 10 kann eine Rotationseinheit 15 den
Reinigungsblock 11 so in Drehung versetzen, dass durch
die Drehbewegung des Reinigungsblocks 11 ein abrasives
Reinigen der Lagerfläche
WH erfolgt. Die Reinigungsblockantriebseinheit 12 kann verwendet
werden, den Reinigungsblock 11 an einer bestimmten Stelle
auf der Lagerfläche
WH anzuordnen. Das abrasive Reinigen wird durch die Drehbewegung
des Reinigungsblocks 11 verbessert.
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Obgleich
bestimmte Ausführungsformen
der Erfindung oben offenbart wurden, versteht sich, dass die Erfindung
anders als beschrieben in der Praxis umgesetzt werden kann. Die
Erfindung ist durch die Ansprüche
definiert.