DE602005001835T2

DE602005001835T2 - Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung

Info

Publication number: DE602005001835T2
Application number: DE200560001835
Authority: DE
Inventors: Pieter Renaat Maria Hennus; Jeroen Johannes Sophia Maria Mertens; Patrick Johannes Cornelus Hendrik Smulders; Peter Smits
Original assignee: ASML Netherlands BV
Current assignee: ASML Netherlands BV
Priority date: 2004-12-08
Filing date: 2005-12-01
Publication date: 2008-04-17
Anticipated expiration: 2025-12-02
Also published as: SG123683A1; TWI320876B; EP1970763A3; JP4790076B2; US8115905B2; EP1821150B1; DE602005009246D1; KR20060064539A; JP4322865B2; TW200625021A; JP4505042B2; CN1786832A; JP2009152625A; CN101900951B; US20080174752A1; EP1970763A2; CN101916041A; JP4598133B2; EP1669807A1; US8860926B2

Description

GEBIET
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen lithographischen Apparat und ein Verfahren zur Herstellung eines Bausteins.
HINTERGRUND
Ein lithographischer Apparat ist ein Gerät, das ein gewünschtes Muster auf ein Substrat, meistens einen Zielabschnitt des Substrates, aufbringt. Ein lithographischer Apparat kann beispielsweise bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen (ICs) verwendet werden. In diesem Fall kann eine Bemusterungsvorrichtung, die alternativ auch als Maske oder Retikel bezeichnet wird, verwendet werden, um ein Schaltkreismuster zu erzeugen, das auf einer einzelnen Schicht des integrierten Schaltkreises (IC) gebildet wird. Dieses Muster kann auf einen Zielabschnitt (beispielsweise mit einem Teil eines Plättchens, einem ganzen Plättchen oder mehreren Plättchen) auf einem Substrat (beispielsweise einem Silizium-Wafer) übertragen werden. Die Übertragung des Musters erfolgt meistens über eine Abbildung auf eine Schicht aus strahlungsempfindlichem Material (Resist), das sich auf dem Substrat befindet. Im allgemeinen enthält ein einzelnes Substrat ein Netzwerk aneinanderangrenzender Zielabschnitte, die nacheinander bemustert werden. Bekannte lithographische Apparate besitzen sogenannte Stepper, in denen jeder Zielabschnitt bestrahlt wird, indem ein ganzes Muster auf dem Zielabschnitt in einem Durchgang belichtet wird, und sogenannte Scanner, in denen jeder Zielabschnitt bestrahlt wird, indem das Muster durch einen Projektionsstrahl in einer bestimmten Richtung abgetastet wird (der "Abtastrichtung"), während das Substrat gleichzeitig parallel oder antiparallel zu dieser Richtung abgetastet wird. Es ist auch möglich, das Muster von der Bemusterungsvorrichtung auf das Substrat zu übertragen, indem das Muster auf das Substrat aufgedruckt wird.
Es wurde auch vorgeschlagen, das Substrat in der lithographischen Projektionsvorrichtung in eine Flüssigkeit mit einem relativ hohen Brechungsindex, z.B. Wasser, einzutauchen, um einen Raum zwischen dem abschließenden Element des Projektionssystems und dem Substrat zu füllen.
Damit soll die Abbildung kleinerer Merkmale möglich werden, da die Belichtungsstrahlung in der Flüssigkeit eine kürzere Wellenlänge besitzt. (Durch die Wirkung der Flüssigkeit können auch die tatsächliche Blendenzahl des Systems und auch die Fokustiefe erhöht werden.) Es sind auch noch andere Tauchflüssigkeiten vorgeschlagen worden, wie Wasser mit Festpartikeln (beispielsweise Quartz), die darin schweben.
Doch das Eintauchen des Substrates oder des Substrates und des Substrattisches in ein Flüssigkeitsbad (siehe beispielsweise das amerikanische Patent US 4,509,852 ) bedeutet, dass eine große Menge an Flüssigkeit während einer Abtastung (Belichtung) beschleunigt werden muss. Dazu sind zusätzliche oder leistungsstärkere Motoren erforderlich und Turbulenzen in der Flüssigkeit könnten zu unerwünschten und unvorhersehbaren Wirkungen führen.
Einer der Lösungsvorschläge besteht darin, dass ein Flüssigkeitszufuhrsystem nur einem lokal eingegrenzten Bereich auf dem Substrat und zwischen dem abschließenden Element des Projektionssystems und dem Substrat Flüssigkeit zuführt (das Substrat besitzt im allgemeinen eine größere Fläche als das abschließende Element des Projektionssystems). Eine Art und Weise, die für eine solche Anordnung vorgeschlagen wurde, wird in der PCT-Patentanmeldung WO 99/49504 vorgeschlagen. Wie in den 2 und 3 veranschaulicht, wird dem Substrat Flüssigkeit durch mindestens einen Einlass IN – vorzugsweise entlang der Bewegungsrichtung des Substrates in Bezug auf das abschließende Element – zugeführt und sie wird durch mindestens einen Austritt OUT entfernt, nachdem sie unter dem Projektionssystem hindurchgeführt worden ist. Das heißt, während das Substrat unter dem Element in eine –X Richtung abgetastet wurde, wird Flüssigkeit auf der +X Seite des Elementes zugeführt und an der –X Seite aufgenommen. 2 zeigt die Anordnung in schematischer Art und Weise, bei der Flüssigkeit über einen Einlass IN zugeführt und auf der anderen Seite des Elementes durch den Auslass OUT, der mit einer Niederdruckquelle verbunden ist, aufgenommen wird. In der Veranschaulichung von 2 wird die Flüssigkeit entlang der Bewegungsrichtung des Substrates in Bezug auf das abschließende Element zugeführt, doch das muss nicht der Fall sein. Verschiedene Ausrichtungen und eine unterschiedliche Anzahl von Einlässen und Austritten, die um das abschließende Element herum angeordnet sind, sind möglich. Ein Beispiel ist in 3 veranschaulicht, in der vier Satz eines Einlasses mit einem Austritt auf jeder Seite in einem regelmäßigen Muster um das abschließende Element herum bereitgestellt sind.
Selbstverständlich ergeben sich spezifische Schwierigkeiten im Umgang mit Flüssigkeiten in einer Tauchvorrichtung. Insbesondere empfindliche Teile des Substrattisches müssen gegen ein Eindringen von Tauchflüssigkeit flüssigkeitsdicht sein.
EP-A-1,429,188 offenbart eine Abdichtung zwischen dem Substrattisch und einem Substrat.
EP-A-0,860,861 offenbart eine lithographische Projektionsvorrichtung gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1.
KURZE ÜBERSICHT
Demzufolge wäre es beispielsweise vorteilhaft, zwischen verschiedenen Teilen des Substrattisches abzudichten. Insbesondere ist es wünschenswert, Abdichtungen zu haben, die keine Kräfte zwischen den Teilen des Substrattisches, zwischen denen die Abdichtungen verlaufen, übertragen.
Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird eine lithographische Projektionsvorrichtung bereitgestellt, die folgendes besitzt:
einen Substrattisch, der so ausgeführt ist, dass er ein Substrat hält;
ein erstes Teil des Substrattisches, an dem ein flexibler Vorsprung befestigt ist; und dadurch gekennzeichnet, dass
ein zweites Teil des Substrattisches eine Halteeinrichtung besitzt, die so ausgeführt ist, dass sie ein freies Ende des Vorsprunges anzieht und hält, um eine Abdichtung zwischen dem ersten und dem zweiten Teil zu erzeugen.
Nach einem Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bausteins bereitgestellt, das folgendes umfasst:
Befestigung eines Endes eines flexiblen Vorsprunges mittels einer Befestigungsvorrichtung, die an einem ersten Teil eines Substrattisches angeordnet ist, um den Vorsprung anzuziehen und zu halten, so dass dadurch eine Abdichtung zwischen dem ersten Teil und einem zweiten Teil des Substrattisches gebildet wird, an dem der flexible Vorsprung angebracht ist; und
Projektion eines bemusterten Strahls der Strahlung auf ein Substrat, das auf dem Substrattisch gehalten wird.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Ausführungsarten der Erfindung werden nun unter Bezugnahme auf die schematischen Begleitzeichnungen lediglich beispielhaft beschrieben, in denen die entsprechenden Teile mit den jeweiligen Bezugssymbolen versehen sind. Es zeigen:
1 eine lithographische Projektionsvorrichtung gemäß einer Ausführungsart der Erfindung;
2 und 3 ein Flüssigkeitszuführungssystem für den Einsatz in einer lithographischen Projektionsvorrichtung;
4 ein weiteres Flüssigkeitszuführungssystem für den Einsatz in einer lithographischen Projektionsvorrichtung;
5 ein weiteres Flüssigkeitszuführungssystem für den Einsatz in einer lithographischen Projektionsvorrichtung;
6 im Querschnitt einen Substrattisch gemäß einer Ausführungsart der vorliegenden Erfindung;
7 im Querschnitt eine Abdichtung zwischen einer Abdeckplatte und einer Substratabstützung eines Substrattisches gemäß einer Ausführungsart der vorliegenden Erfindung;
7A im Querschnitt eine weitere Abdichtung zwischen einer Abdeckplatte und einer Substratabstützung eines Substrattisches gemäß einer Ausführungsart der vorliegenden Erfindung;
7B im Querschnitt eine weitere Abdichtung zwischen einer Abdeckplatte und einer Substratabstützung eines Substrattisches gemäß einer Ausführungsart der vorliegenden Erfindung; und
8 in der Draufsicht einen Substrattisch von oben.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
1 zeigt in schematischer Form eine lithographische Projektionsvorrichtung gemäß einer Ausführungsart der Erfindung. Die Vorrichtung umfasst:

– ein Beleuchtungssystem (Illuminator) IL zur Aufbereitung eines Projektionsstrahls der Strahlung B (z.B. UV-Strahlung oder Tiefultraviolett-Strahlung).
– eine Haltekonstruktion (z.B. einen Maskentisch) MT zum Halten einer Bemusterungsvorrichtung (z.B. einer Maske) MA, die mit einem ersten Positionierelement PM verbunden ist, um die Bemusterungsvorrichtung in Übereinstimmung mit bestimmten Parametern genau zu positionieren;
– einen Substrattisch (z.B. einen Wafertisch) WT zum Halten eines Substrates (z.B. eines Wafers mit Resistüberzug) W, der mit einem zweiten Positionierelement PW verbunden ist, um das Substrat in Übereinstimmung mit bestimmten Parametern genau zu positionieren; und
– ein Projektionssystem (z.B. ein lichtbrechendes Projektionslinsensystem) PS, um ein Muster, mit dem der Strahl B versehen wurde, mit der Bemusterungsvorrichtung MA auf einen Zielabschnitt C (z.B. mit einem Plättchen oder mehreren Plättchen) des Substrats W zu projizieren.

Das Beleuchtungssystem kann verschiedene Arten von optischen Elementen umfassen, wie beispielsweise lichtbrechende, reflektierende, magnetische, elektromagnetische, elektrostatische oder andere Arten von optischen Komponenten, oder eine Kombination aus diesen optischen Komponenten zum Lenken, Gestalten oder Steuern der Strahlung.
Die Bemusterungsvorrichtung wird von der Haltekonstruktion in einer Art und Weise gehalten, die von der Ausrichtung der Bemusterungsvorrichtung, der Konstruktion des lithographischen Apparates und von anderen Bedingungen abhängt, wie beispielsweise davon, ob die Bemusterungsvorrichtung in einer Vakuumumgebung gehalten wird oder nicht. Für die Haltekonstruktion können mechanische, elektrostatische, Vakuum-Befestigungstechniken oder andere Befestigungstechniken verwendet werden, um die Bemusterungsvorrichtung zu halten. Bei der Haltekonstruktion kann es sich beispielsweise um einen Rahmen oder einen Tisch handeln, der je nach Bedarf befestigt wird oder beweglich ist. Die Haltekonstruktion kann sicherstellen, dass sich die Bemusterungsvorrichtung an einer gewünschten Position, beispielsweise in Bezug auf das Projektionssystem, befindet. Die Verwendung der Begriffe "Retikel" oder "Maske" in diesem Text kann als Synonym für den allgemeineren Begriff "Bemusterungsvorrichtung" angesehen werden.
Der Begriff "Bemusterungsvorrichtung", wie er hier verwendet wird, sollte weitumfassend interpretiert werden als eine Vorrichtung, die dazu verwendet werden kann, um einen Strahl mit einem Muster in seinem Querschnitt zu versehen, um beispielsweise ein Muster in einem Zielabschnitt des Substrates zu erzeugen. Es sollte darauf hingewiesen werden, dass das Muster, mit dem der Strahl versehen wird, unter Umständen nicht exakt dem gewünschten Muster in dem Zielabschnitt des Substrates entspricht, beispielsweise wenn das Muster Phasenverschiebungs-Merkmale oder sogenannte Hilfsstrukturen (assist features) umfasst. Im allgemeinen wird das Muster, mit dem der Strahl versehen wird, einer bestimmten Funktionsschicht in einem Baustein entsprechen, die in dem Zielabschnitt erzeugt wird, wie beispielsweise in einer integrierten Schaltung.
Die Bemusterungsvorrichtung kann durchlässig oder reflektierend sein. Beispiele für Bemusterungsvorrichtungen sind Masken, programmierbare Spiegelanordnungen und programmierbare LCD-Tafeln. Masken sind in der Lithographie wohl bekannt und sie umfassen Maskenarten wie binäre Masken, alternierende Phasenverschiebung und gedämpfte Phasenverschiebung, sowie verschiedene hybride Maskenarten. Ein Beispiel einer programmierbaren Spiegelanordnung verwendet eine Matrixanordnung kleiner Spiegel, die jeweils einzeln gekippt werden können, so dass sie einen hereinkommenden Strahl der Strahlung in verschiedene Richtungen reflektieren können.
Die gekippten Spiegel versehen den Strahl der Strahlung mit einem Muster, das durch die Spiegelmatrix reflektiert wird.
Der Begriff "Projektionssystem", wie er hierin verwendet wird, sollte umfassend interpretiert werden und beinhaltet verschiedene Arten von Projektionssystemen, einschließlich lichtbrechende, reflektierende, katadioptrische, magnetische, elektromagnetische und elektrostatische optische Systeme oder eine Kombination aus diesen, wie sie für die verwendete Belichtungsstrahlung oder für andere Faktoren, wie die Verwendung einer Tauchflüssigkeit oder die Verwendung eines Vakuums, geeignet sind. Die Verwendung des Begriffes "Projektionslinse" in diesem Text kann als Synonym für den allgemeineren Begriff "Projektionssystem" angesehen werden.
Wie hier veranschaulicht, handelt es sich um einen lichtdurchlässigen Apparat (bei dem beispielsweise eine lichtdurchlässige Maske verwendet wird). Alternativ kann es sich auch um einen Reflexionsapparat handeln (bei dem beispielsweise eine programmierbare Spiegelanordnung der oben beschriebenen Art oder eine reflektierende Maske verwendet wird).
Der lithographische Apparat kann derart ausgeführt sein, dass er zwei (zweistufig) oder mehr Substrattische (und/oder zwei oder mehr Haltekonstruktionen) besitzt. Bei diesen "mehrstufigen" Vorrichtungen können die zusätzlichen Tische parallel genutzt werden oder an einem Tisch oder an mehreren Tischen kann bzw. können Vorbereitungsschritte durchgeführt werden, während ein anderer Tisch oder mehrere andere Tische für die Belichtung verwendet werden.
Unter Bezugnahme auf 1 empfängt der Illuminator IL einen Projektionsstrahl der Strahlung von einer Strahlungsquelle SO. Bei der Quelle und dem lithographischen Apparat kann es sich um separate Gebilde handeln, beispielsweise, wenn die Quelle ein Excimer-Laser ist. In diesen Fällen wird die Quelle nicht so angesehen, als wäre sie ein Teil des lithographischen Apparates, und der Projektionsstrahl der Strahlung wird mit Hilfe eines Strahlweiterleitungssystems BD von der Quelle SO zu dem Illuminator IL geleitet, wobei das Strahlweiterleitungssystem BD beispielsweise geeignete Richtspiegel und/oder einen Strahl-Expander besitzt. In anderen Fällen kann die Quelle ein integrierter Bestandteil des Apparates sein, beispielsweise, wenn es sich bei der Quelle um eine Quecksilberlampe handelt. Die Quelle SO und der Illuminator IL können zusammen mit dem Strahlweiterleitungssystem BD, sofern erforderlich, als Strahlungssystem bezeichnet werden.
Der Illuminator IL kann eine Verstelleinrichtung AM für die Einstellung der Winkelintensitätsverteilung des Strahls besitzen. Im allgemeinen kann zumindest die äußere und/oder innere radiale Reichweite (im allgemeinen als σ-outer bzw. σ-iner bezeichnet) der Intensitätsverteilung in einer Pupillenebene des Illuminators verstellt werden. Zusätzlich kann der Illuminator IL verschiedene andere Komponenten, wie einen Integrator IN und einen Kondensator CO, besitzen. Der Illuminator kann zur Aufbereitung des Projektionsstrahls der Strahlung verwendet werden, damit er die gewünschte Gleichmäßigkeit und Intensitätsverteilung in seinem Querschnitt besitzt.
Der Strahl B fällt auf die Bemusterungsvorrichtung (beispielsweise Maske MA), die auf der Haltekonstruktion (beispielsweise Maskentisch MT) gehalten wird, und wird durch die Bemusterungsvorrichtung bemustert. Nachdem er die Bemusterungsvorrichtung MA durchquert hat, verläuft der Strahl B durch das Projektionssystem PS, das den Strahl auf einen Zielabschnitt C des Substrates W fokussiert. Mit Hilfe des zweiten Positionierelementes PW und des Positionssensors IF (beispielsweise einer interferometrischen Vorrichtung, einem linearen Encoder oder einem kapazitiven Sensor) kann der Substrattisch WT exakt bewegt werden, z.B. um die verschiedenen Zielabschnitte C in dem Strahlengang B zu positionieren. In ähnlicher Art und Weise können das erste Positionierelement PM und ein weiterer Positionssensor (der in 1 nicht explizit dargestellt ist) dazu verwendet werden, die Bemusterungsvorrichtung MA in Bezug auf den Strahlengang B exakt zu positionieren, z.B. nach dem mechanischen Abruf aus einer Maskenbibliothek oder während einer Abtastung (scan). Im allgemeinen kann die Bewegung der Haltekonstruktion MT mit Hilfe eines langhubigen Moduls (grobe Positionierung) und eines kurzhubigen Moduls (Feinpositionierung) erfolgen, die Teil des ersten Positionierelementes PM sind. In ähnlicher Art und Weise kann die Bewegung des Substrattisches WT mit Hilfe eines langhubigen Moduls und eines kurzhubigen Moduls erfolgen, die Teil des zweiten Positionierelementes PW sind. Im Falle eines Steppers (im Gegensatz zu einem Scanner) kann die Haltekonstruktion MT nur mit einem kurzhubigen Stellorgan verbunden werden, oder sie kann befestigt werden. Die Maske MA und das Substrat W können mit Hilfe von Ausrichtungsmarkierungen M1, M2 der Bemusterungsvorrichtung und Substrat-Ausrichtungsmarkierungen P1, P2 ausgerichtet werden. Auch wenn die Substrat-Ausrichtungsmarkierungen, wie veranschaulicht, bestimmte Zielabschnitte einnehmen, können sie sich auch in den Zwischenräumen zwischen den Zielabschnitten befinden (diese werden scribe-lane-Ausrichtungsmarkierungen genannt). In ähnlicher Art und Weise können sich die Ausrichtungsmarkierungen der Bemusterungsvorrichtung in Situationen, in denen mehr als ein Plättchen auf der Bemusterungsvorrichtung MA vorgesehen ist, zwischen den Plättchen befinden.
Der dargestellte Apparat könnte auf mindestens eine der beiden folgenden Arten verwendet werden:

1. Im Step-Modus werden die Haltekonstruktion MT und der Substrattisch WT im wesentlichen stationär gehalten, während ein ganzes Muster, mit dem der Strahl versehen ist, in einem Durchgang (d.h. in einer einzigen, statischen Belichtung) auf einen Zielabschnitt C projiziert wird. Der Substrattisch WT wird dann in X- und/oder Y-Richtung verschoben, so dass ein anderer Zielabschnitt C belichtet werden kann. Im Step-Modus begrenzt die maximale Größe des Belichtungsfeldes die Größe des Zielabschnittes C, der in einer einzigen, statischen Belichtung abgebildet wird.
2. Im Scan-Modus werden die Haltekonstruktion MT und der Substrattisch WT synchron abgetastet, während ein Muster, mit dem der Strahl versehen ist, auf einen Zielabschnitt C projiziert wird (d.h. eine einzige, dynamische Belichtung). Die Geschwindigkeit und Richtung des Substrattisches WT in Bezug auf die Haltekonstruktion MT können durch die Vergrößerung (Verkleinerung) und die Bildumkehrmerkmale des Projektionssystems PS bestimmt werden. Im Scan-Modus wird die Breite (in nicht abtastender Richtung) des Zielabschnittes in einer einzigen, dynamischen Belichtung durch die maximale Größe des Belichtungsfeldes begrenzt, während die Länge der Abtastbewegung die Höhe (in abtastender Richtung) des Zielabschnittes bestimmt.
3. In einem anderen Modus wird die Haltekonstruktion MT im wesentlichen stationär gehalten, wobei sie eine programmierbare Bemusterungsvorrichtung hält, und der Substrattisch WT wird bewegt oder abgetastet, während ein Muster, mit dem der Strahl versehen wird, auf einen Zielabschnitt C projiziert wird. Bei diesem Modus wird im allgemeinen eine gepulste Strahlungsquelle verwendet, und die programmierbare Bemusterungsvorrichtung wird nach jeder Bewegung des Substrattisches WT oder zwischen aufeinanderfolgenden Strahlungsimpulsen während einer Abtastung je nach Bedarf aktualisiert. Diese Funktionsweise lässt sich leicht auf die maskenlose Lithographie anwenden, bei der eine programmierbare Bemusterungsvorrichtung verwendet wird, wie eine programmierbare Spiegelanordnung der oben genannten Art.

Kombinationen und/oder Variationen der oben beschriebenen Einsatzarten oder gänzlich andere Einsatzarten können ebenfalls verwendet werden.
Eine weitere Lösung der Immersionslithographie mit einem örtlich eingegrenzten Flüssigkeitszufuhrsystem ist in 4 gezeigt. Flüssigkeit wird durch zwei rillenförmige Einlässe IN auf jeder Seite des Projektionssystems PL zugeführt und durch eine Vielzahl einzelner Austritte OUT, die radial von den Einlässen IN nach außen angeordnet sind, wieder abgezogen. Die Einlässe IN und OUT können in einer Platte mit einem Loch in ihrer Mitte angeordnet werden, durch das der Projektionsstrahl projiziert wird. Die Flüssigkeit wird durch einen rillenförmigen Einlass IN auf der einen Seite des Projektionssystems PL zugeführt und über eine Vielzahl einzelner Austritte OUT auf der anderen Seite des Projektionssystems PL abgezogen, wodurch eine Strömung einer dünnen Flüssigkeitsschicht zwischen dem Projektionssystem PL und dem Substrat W erzeugt wird. Die Entscheidung darüber, welche Kombination aus Einlass IN und Austritten OUT zu verwenden ist, kann von der Bewegungsrichtung des Substrates W abhängen (wobei die andere Kombination von Einlass IN und Austritten OUT aktiv ist).
Eine weitere Lösung der Immersionslithographie mit einem örtlich eingegrenzten Flüssigkeitszufuhrsystem, die vorgeschlagen wurde, besteht darin, dass das Flüssigkeitszufuhrsystem mit einer Flüssigkeits-Beschränkungskonstruktion versehen ist, die mindestens entlang eines Teils einer Begrenzung des Raumes zwischen dem abschließenden Element des Projektionssystems und dem Substrattisch verläuft. Ein solches System ist in 5 gezeigt. Die Flüssigkeits-Beschränkungskonstruktion ist im wesentlichen stationär in Bezug auf das Projektionssystem in der XY-Ebene angeordnet, obwohl es eine gewisse relative Bewegung in Z-Richtung (in Richtung der optischen Achse) geben kann. Eine Abdichtung wird zwischen der Flüssigkeits-Beschränkungskonstruktion und der Substratoberfläche gebildet. In einer Ausführungsart handelt es sich bei der Abdichtung um eine kontaktlose Abdichtung, wie beispielsweise eine Gasabdichtung. Ein solches System mit einer Gasabdichtung ist in US 2004207824 offenbart.
5 zeigt eine Anordnung eines Behälters 10, der eine kontaktlose Abdichtung zu dem Substrat um das Bildfeld des Projektionssystems herum bildet, so dass die Flüssigkeit 11 darauf beschränkt ist, einen Raum zwischen der Substratoberfläche und dem abschließenden Element des Projektionssystems zu füllen. Eine Flüssigkeits-Beschränkungskonstruktion 12, die darunter angeordnet ist, und das abschließende Element des Projektionssystems PL umgibt, bildet den Behälter. Die Flüssigkeit wird in den Raum unter dem Projektionssystem und in die Flüssigkeits-Beschränkungskonstruktion 12 geführt. Die Flüssigkeits-Beschränkungskonstruktion 12 verläuft etwas oberhalb des abschließenden Elementes des Projektionssystems und der Flüssigkeitspegel steigt über das abschließende Element, so dass ein Flüssigkeitspuffer vorhanden ist. Die Flüssigkeits-Beschränkungskonstruktion 12 besitzt eine innere Peripherie, die sich an dem oberen Ende vorzugsweise eng an die Form des Projektionssystems oder sein abschließendes Element anpasst und die beispielsweise rund sein kann. Am unteren Ende passt sich die innere Peripherie eng an die Form des Bildfeldes, beispielsweise ein Rechteck, an, auch wenn dies nicht der Fall sein muss.
Die Flüssigkeit ist in dem Behälter durch eine Gasabdichtung 16 zwischen dem unteren Ende der Flüssigkeits-Beschränkungskonstruktion 12 und der Oberfläche des Substrates W begrenzt. Die Gasabdichtung wird durch Gas, beispielsweise Luft, synthetische Luft, N₂ oder ein inertes Gas gebildet, das unter Druck über den Einlass 15 zu dem Spalt zwischen der Flüssigkeits-Beschränkungskonstruktion 12 und dem Substrat geliefert wird und über den Austritt 14 abgezogen wird. Der Überdruck an dem Gaseintritt 15, der Vakuumpegel an dem Austritt 14 und die Geometrie des Spaltes sind derart angeordnet, dass ein Gasfluss mit hoher Geschwindigkeit nach innen vorhanden ist, der die Flüssigkeit begrenzt. Dem Fachmann wird klar sein, dass auch andere Arten von Abdichtungen verwendet werden könnten, um die Flüssigkeit einzuschließen, wie beispielsweise ein einfacher Auslass, um die Flüssigkeit und/oder das Gas abzuziehen.
6 veranschaulicht einen Substrattisch WT. Der Substrattisch WT besitzt einen Substrattischkörper MB, bei dem es sich in einer Ausführungsart um einen Spiegelblock mit einem oder mehreren Spiegeln für ein Interferometersystem handelt, so dass die Position des Substrates W berechnet werden kann. In dem Substrattischkörper MB können auch ein Stellantrieb oder mehrere Stellantriebe untergebracht sein, um das Substrat W zu positionieren. Das Substrat W wird von einem Substrathalter SS gehalten, der in einer Vertiefung an der Oberseite des Substrattischkörpers MB angeordnet ist. Bei dem Substrathalter SS handelt es sich herkömmlich um einen Tisch mit einer Vielzahl von Vorsprüngen auf Ober- und Unterseite. In den Bereichen zwischen den Vorsprüngen wird ein Vakuum oder Unterdruck angewendet, um den Substrathalter SS an dem Substrattischkörper MB zu halten, und das Substrat W an dem Substrathalter SS zu halten. In einer Ausführungsart kann der Substrathalter SS ein integrierter Bestandteil des Substrattischkörpers MB sein.
Da dieser Substrattisch WT in einem Immersionslithographie-Apparat eingesetzt werden soll, in dem Flüssigkeit zwischen dem Projektionssystem PS und dem Substrat W vorhanden ist, besitzt der Substrattisch außerdem eine Abdeckplatte 100, die auf der Oberseite des Substrattischkörpers MB angebracht ist. Die Abdeckplatte 100 stellt eine flache und kontinuierliche Oberseite zur Verfügung, so dass ein Flüssigkeitszufuhrsystem in lokal eingegrenztem Bereich (d.h. das Flüssigkeit jeweils nur einem lokal eingegrenzten Bereich des Substrates W zuführt) verwendet werden kann. Somit ist die Oberseite der Abdeckplatte 100 im wesentlichen koplanar zu der Oberseite des Substrates W (und ebenso zu der Oberseite eines Sensors, der in Vertiefungen in der Oberseite des Substrattischkörpers MB angeordnet sein könnte, wie in 8 gezeigt und weiter unten beschrieben). In einer Ausführungsart kann die Abdeckplatte 100 ein integrierter Bestandteil des Substrattischkörpers MB sein.
Um das Eintreten von Flüssigkeit in die Vertiefung 80 zwischen dem Substrathalter SS und dem Substrattischkörper MB zu reduzieren oder zu verhindern, kann eine Abdichtung als Überstand 200 vorgesehen werden, die zwischen der unteren Innenkante der Abdeckplatte 100 und der Oberseite des Substrathalters SS verläuft. Die Anordnung ist im Detail in 7 zu sehen.
In einer Ausführungsart ist es nützlich, wenn der Substrathalter SS von dem Substrattischkörper MB abgenommen werden kann, ohne dass es einer größeren Demontage des Substrattisches WT bedarf. Aus diesem Grund kann beispielsweise eine abnehmbare und/oder deaktivierbare Abdichtung als Überstand 200 zwischen der Abdeckplatte 100 und dem Substrathalter SS vorgesehen werden. Die Abdeckplatte 100 kann auch an der Oberseite des Substrattischkörpers MB abnehmbar montiert sein, so dass Elemente des Substrattisches WT, die durch die Abdeckplatte 100 geschützt werden, leicht gewartet werden können. Die Abdeckplatte 100 umfasst einen Abdeckplattenüberstand 110, bei dem es sich um ein sogenanntes Kantenabdichtelement handelt, wie es beispielsweise in dem europäischen Patent EP 1486828 beschrieben ist. Die grundlegendste Form dieses Kantenabdichtelementes ist in 7 veranschaulicht. Andere Arten von Kantenabdichtelementen und/oder andere Konfigurationen können ebenfalls verwendet werden.
Nach einer alternativen oder zusätzlichen Ausführungsart der vorliegenden Erfindung ist die Abdichtung als Überstand 200 mit einem Ende 211 versehen, das im allgemeinen halbkreisförmig ist. Dies ist in 7A mehr im Detail dargestellt. Dadurch, dass das Ende mit einem halbkreisförmigen Querschnitt versehen wird, erhöht sich die Gesamtfläche der Abdichtung als Überstand 200, die einer Druckdifferenz ausgesetzt ist, insbesondere das Ende 211, das auf ihrer Unterseite dem Unterdruckanschluss 85 ausgesetzt ist. Dies führt zu einer höheren Kraft, die die Befestigung der Abdichtung als Überstand 200 an dem Substrathalter SS unterstützt. Das Ende 211 kann aus dem gleichen Material hergestellt sein, wie die Abdichtung als Überstand 200, doch es kann auch aus einem anderen, geeigneten Material hergestellt werden.
Nach einer weiteren alternativen oder zusätzlichen Ausführungsart der vorliegenden Erfindung wird ein separates Kraftelement 212 bereitgestellt, das eine Kraft auf das als Überstand ausgeführte Abdichtelement 200 ausüben kann. Dies ist mehr im Detail in 7B gezeigt. Das Kraftelement 212 wird an dem Substrathalter SS befestigt und sein freies Ende berührt die als Überstand ausgeführte Abdichtung 200.
Dadurch, dass das Kraftelement 212 – das aus einem elastischen Material hergestellt sein kann, beispielsweise einem ähnlichen Material wie das Material der als Überstand ausgeführten Abdichtung 200 – die als Überstand ausgeführte Abdichtung 200 berührt, kann eine zusätzliche Haltekraft ausgeübt werden, die dabei hilft, die als Überstand ausgeführte Abdichtung 200 an dem Substrathalter SS zu befestigen.
Die Abdichtung als Überstand 200 verläuft in einer Ausführungsart, wie dies veranschaulicht ist, zwischen der Unterseite der Abdeckplatte 100 unter dem Abdeckplattenüberstand 110 und der Oberseite des Substrathalters SS. In einer Ausführungsart verläuft die Abdichtung als Überstand 200 in einem Stück um die gesamte Peripherie des Substrathalters SS herum. Dies könnte eine optimale Anordnung für die Flüssigkeitsdichtigkeit sein. Das Material der Abdichtung als Überstand 200 ist elastisch, so dass keine Kräfte in alle Richtungen, aber insbesondere in Z-Richtung, zwischen dem Substrattisch SS und der Abdeckplatte 100 übertragen werden können, d.h. die Abdichtung ist von der Abdeckplatte 100 und dem Substrathalter SS im wesentlichen in der Richtung der optischen Achse des lithographischen Apparates abgekoppelt. In einer Ausführungsart übt die elastische Abdichtung eine maximale Kraft von weniger als ca. 1N/m der Abdichtung aus. Ein Ende der Abdichtung als Überstand 200 ist durch eine Klebemittelwulst 220 an der Abdeckplatte befestigt. Es können auch andere Arten der Befestigung der Abdichtung in einer flüssigkeitsdichten Art und Weise verwendet werden. Das andere Ende der Abdichtung als Überstand 200 wird von dem Substrathalter SS angezogen und wird durch eine Halteeinrichtung lösbar an diesem gehalten, und zwar in dem veranschaulichten Beispiel in der Form eines Unterdruckanschlusses 85. Bei der Halteeinrichtung kann es sich um jede beliebige Art von Halteeinrichtung handeln, wie beispielsweise um eine elektromagnetische Halteeinrichtung, eine elektrostatische Halteeinrichtung und/oder ein abnehmbares Klebemittel. So lässt sich die Abdeckplatte entfernen und die Abdichtung als Überstand 200 kann durch Fernbedienung aktiviert oder deaktiviert werden.
Um eine gute Abdichtung zwischen der elastischen Abdichtung als Überstand 200 und dem Substrathalter SS zu erzielen, wird an dem freien Ende der Abdichtung als Überstand 200, das von der Abdeckplatte 100 hervorragt, ein im wesentlichen nicht elastischer Abschnitt 210 (ein Abschnitt, der zumindest weniger elastisch ist als die als Überstand ausgeführte, elastische Abdichtung 200) positioniert. Bei dem nicht elastischen Abschnitt kann es sich beispielsweise um ein Metallteil handeln, das an der Oberseite des elastischen Materials der als Überstand ausgeführten, elastischen Abdichtung 200 befestigt ist. Wenn der Unterdruckanschluss 85 also aktiviert wird, biegt sich die als Überstand ausgeführte, elastische Abdichtung 200 nach unten, so dass das elastische Material zwischen dem nicht elastischen Element 210 und dem Unterdruckanschluss 85 festgehalten wird, um eine gute Abdichtung zu erzeugen. Auf diese Art und Weise kann es sein, dass der Unterdruckanschluss 85 der Halteeinrichtung ein vollständig trockener Unterdruckanschluss 85 ist, da verhindert werden kann, dass Flüssigkeit eintritt. Dies steht wahrscheinlich im Gegensatz zu dem Unterdruckanschluss, der von dem Substrathalter SS verwendet wird, bei dem es sich um einen nicht gezeigten, nassen Unterdruckanschluss handeln kann, da sich zwischen der Abdeckplatte 100 und dem Substrat W eine nicht so gute Abdichtung erreichen lässt. Deshalb kann es sein, dass Flüssigkeit in den Spalt zwischen dem Substrat W und dem Substrathalter SS eindringt. Der nicht elastische Teil 210 füllt teilweise den Spalt zwischen dem elastischen Abschnitt, dem Substrathalter SS, der Abdeckplatte 100 und dem Substrat W. In einer Ausführungsart wird dieser Spalt im Hinblick auf eine optimale Leistung des Flüssigkeitszufuhrsystems so klein wie möglich gehalten.
In einer Ausführungsart ist die als Überstand ausgeführte Abdichtung 200 und/oder der nicht elastische Teil 210 aus einem flexiblen Polymer oder einem elastischen Material hergestellt, das gegenüber der Strahlung des lithographischen Apparates strahlungsfest ist. Die als Überstand ausgeführte Abdichtung 200 und/oder der nicht elastische Teil 210 können auch aus Metall hergestellt sein. Selbst Gummi kann beispielsweise verwendet werden, wenn der Abdeckplattenüberstand 110 die als Überstand ausgeführte Abdichtung 200 und/oder den nicht elastischen Teil 210 vor Einstrahlung durch den Projektionsstrahl B schützt.
In einer Ausführungsart können der nicht elastische Abschnitt 210, das halbkreisförmige Ende 211 und das Kraftelement 212 die als Überstand ausgeführte Abdichtung 200 vor der Strahlung des Projektionsstrahls B abschirmen bzw. schützen, so dass für die als Überstand ausgeführte Abdichtung 200 ein Material ausgewählt werden kann, das gegenüber der Strahlung des Projektionssystems nicht strahlungsfest ist.
In einer Ausführungsart beträgt die Stärke der Halteeinrichtung (die Unterdruck-Halteeinrichtung 85 in dem Ausführungsbeispiel) ungefähr 25N/m, um mit dem Material der als Überstand ausgeführten, elastischen Abdichtung 200 eine flüssigkeitsdichte Abdichtung zu schaffen.
Weitere Einzelheiten des Substrattisches WT gemäß einer Ausführungsart der vorliegenden Erfindung werden unter Bezugnahme auf 8 veranschaulicht. 8 ist eine Draufsicht auf die Oberseite des Substrattisches WT. Zu sehen ist die Oberseite der Abdeckplatte 100 mit verschiedenen Öffnungen. Bei der mittleren Öffnung handelt es sich um die Öffnung für die Vertiefung 80, in der der Substrathalter SS angeordnet ist. Verschiedene Komponenten sind um die zentrale Öffnung herum angeordnet, die durch den Projektionsstrahl B des Projektionssystems PS beleuchtet werden können. Bei diesen verschiedenen Komponenten kann es sich um einen Sensor oder mehrere Sensoren handeln, einschließlich beispielsweise zwei Übertragungsbildsensoren (TIS) 310, einen Spot-Sensor 330 und ein integriertes Linsen- Interferometer (ILIAS) 320. In einer Ausführungsart ist es wünschenswert, dass sich die Abdeckplatte 100 von dem Substrattischkörper MB leicht abnehmen lässt, doch zwischen der Abdeckplatte 100, einem Sensor oder mehreren Sensoren 310, 320, 330 und dem Substrattischkörper MB sollte auch eine gute Abdichtung vorhanden sein.
Auch wenn die Abdichtung in dieser Beschreibung in Bezug auf eine Abdichtung zwischen der Abdeckplatte 100 und dem Substrathalter SS und dem Substrattischkörper MB und einem Sensor 310, 320, 330 diskutiert wird, handelt es sich hier doch nur um Beispiele, und die hierin besprochenen Arten von Abdichtungen können auch zur Abdichtung zwischen zwei beliebigen Teilen des Substrattisches, in oder an dem Substrattisch und/oder zwischen dem Substrattisch und dem Substrat W verwendet werden.
In dem europäischen Patent EP 1420300 wird das Konzept eines zweistufigen Immersionslithographie-Apparates offenbart. Ein solcher Apparat besitzt zwei Tische zum Halten eines Substrates. Nivellier- bzw. Ausgleichsmessungen werden mit einem Tisch in einer ersten Position ohne Tauchflüssigkeit ausgeführt und die Belichtung wird durchgeführt, indem sich ein Tisch in einer zweiten Position befindet, an der Tauchflüssigkeit vorhanden ist. Alternativ besitzt der Apparat nur einen Tisch.
Auch wenn in diesem Text speziell auf die Verwendung des lithographischen Apparates bei der Herstellung von ICs (integrierten Schaltkreisen) Bezug genommen wird, so wird doch ausdrücklich darauf hingewiesen, dass der hierin beschriebene, lithographische Apparat weitere Anwendungsmöglichkeiten besitzen kann. So kann er beispielsweise bei der Herstellung von integrierten optischen Systemen, Führungs- und Erfassungsmodellen für Magnetblasenspeicher, Flachbildschirmen, LCD-Anzeigen, Dünnschicht-Magnetköpfen etc. verwendet werden. Der Fachmann wird wissen, dass im Kontext dieser alternativen Anwendungen die Verwendung der Begriffe "Wafer" oder "Plättchen" in diesem Text als synonym für die allgemeineren Begriffe "Substrat" bzw. "Zielabschnitt" angesehen werden kann. Das Substrat, auf das hierin Bezug genommen wird, kann vor oder nach der Belichtung, beispielsweise in einem Track (einem Werkzeug, mit dem meistens ein Resistschicht auf ein Substrat W aufgetragen und das belichtete Resist entwickelt wird), einem Messwerkzeug und/oder einem Prüfwerkzeug bearbeitet werden. Wo dies zutreffend ist, kann die vorliegende Offenlegung auf dieses und andere Substratbearbeitungswerkzeuge angewendet werden. Außerdem kann das Substrat mehr als ein Mal bearbeitet werden, beispielsweise um eine integrierte Schaltung (IC) mit mehreren Schichten zu erzeugen, so dass der hierin verwendete Begriff Substrat sich auch auf ein Substrat beziehen kann, das bereits mehrere bearbeitete Schichten enthält.
Auch wenn in der obigen Beschreibung insbesondere auf die Verwendung der Ausführungsbeispiele der Erfindung im Kontext der optischen Lithographie Bezug genommen wurde, sollte doch klar sein, dass die Erfindung auch in anderen Anwendungen zum Einsatz kommen kann, beispielsweise in der Imprint-Lithographie, und dass sie nicht auf die optische Lithographie begrenzt ist, wo es der Kontext zulässt. In der Imprint-Lithographie wird das auf einem Substrat erzeugte Muster durch eine Topographie in einer Bemusterungsvorrichtung definiert. Die Topographie der Bemusterungsvorrichtung kann in eine dem Substrat zugeführte Resistschicht gedrückt werden, woraufhin das Resist durch Anwendung elektromagnetischer Strahlung, Wärme, Druck oder einer Kombination aus diesen Anwendungen aushärtet. Die Bemusterungsvorrichtung wird von dem Resist entfernt, und nachdem das Resist ausgehärtet ist, bleibt ein Muster zurück.
In diesem Dokument umfassen die Begriffe "Strahlung" und "Strahl" sämtliche Arten von elektromagnetischer Strahlung, einschließlich Ultraviolettstrahlung (UV-Strahlung) (z.B. mit einer Wellenlänge von ungefähr 365, 248, 193, 157 oder 126 nm) und Extrem-Ultraviolettstrahlung (EUV-Strahlung), (z.B. mit einer Wellenlänge im Bereich zwischen 5 und 20 nm), sowie Teilchenstrahlen wie Ionenstrahlen oder Elektronenstrahlen.
Der Begriff "Linse" kann sich, wo der Kontext es zulässt, auf jede Art von optischen Komponenten einschließlich lichtbrechende, reflektierende, magnetische, elektromagnetische und elektrostatische optische Komponenten, oder eine Kombination daraus beziehen.
Auch wenn oben spezifische Ausführungsbeispiele der Erfindung beschrieben worden sind, wird doch klar sein, dass die Erfindung auch auf andere Art und Weise, als in der beschriebenen verwendet werden kann. So kann die Erfindung beispielsweise die Form eines Computerprogrammes annehmen, das eine Sequenz oder mehrere Sequenzen maschinenlesbarer Anweisungen enthält, die ein Verfahren beschreiben, wie es oben offengelegt wurde, oder es kann sich dabei um ein Datenspeichermedium (beispielsweise einen Halbleiterspeicher, eine Magnetplatte oder eine Bildplatte) handeln, auf dem ein solches Computerprogramm gespeichert ist.
Ein Ausführungsbeispiel oder mehrere Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung können auf einen beliebigen Immersionslithographie-Apparat wie die oben genannten Arten angewendet werden, und zwar unabhängig davon, ob die Tauchflüssigkeit in Form eines Bades oder nur auf einer lokal eingegrenzten Fläche des Substrates vorhanden ist. Ein Flüssigkeitszufuhrsystem ist jeder Mechanismus, der einem Raum zwischen dem Projektionssystem und dem Substrat und/oder dem Substrattisch Flüssigkeit zuführt. Er kann jede Kombination einer Konstruktion oder von mehreren Konstruktionen, einen Flüssigkeitseinlass oder mehrere Flüssigkeitseinlässe, einen Gaseintritt oder mehrere Gaseintritte, einen Gasaustritt oder mehrere Gasaustritte und/oder einen Flüssigkeitsaustritt oder mehrere Flüssigkeitsaustritte umfassen, wobei die Flüssigkeit dem Raum durch diese Kombination zugeführt wird und sie durch diese Kombination auf den Raum beschränkt wird. In einem Ausführungsbeispiel kann eine Fläche des Raums auf einen Teil des Substrates und/oder des Substrattisches begrenzt sein, eine Fläche des Raums kann eine Oberfläche des Substrates und/oder des Substrattisches vollständig bedecken, oder der Raum kann das Substrat und/oder den Substrattisch einschließen.
Die obigen Beschreibungen dienen der Veranschaulichung. Sie sind nicht einschränkend zu verstehen. Somit wird es dem Fachmann auf dem Gebiet klar sein, dass Änderungen an der Erfindung, wie beschrieben, vorgenommen werden können, ohne dass man sich aus dem Geltungsbereich der nachfolgenden Patentansprüche entfernt.

Claims

Lithographische Projektionsvorrichtung, folgendes aufweisend: einen Substrattisch (WT), der eingerichtet ist, ein Substrat zu halten; wobei ein erstes Teil (100) des Substrattisches einen flexiblen Vorsprung (200) hat, der daran befestigt ist, und dadurch gekennzeichnet, dass ein zweites Teil (SS, 310, 320, 330) des Substrattisches eine Halteeinrichtung (85) hat, die angeordnet ist, um ein freies Ende des Vorsprunges anzuziehen und zu halten, um eine Dichtung zwischen dem ersten und dem zweiten Teil zu erzeugen.
Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Halteeinrichtung einen Anschluss für Unterdruck hat.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei der flexible Vorsprung einen im Wesentlichen nicht-flexiblen Abschnitt (210) am freien Ende hat.
Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei der im Wesentlichen nicht-flexible Abschnitt aus einem Material hergestellt ist, das im Wesentlichen resistent ist gegen Beschädigungen durch Strahlung der Vorrichtung.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der flexible Vorsprung an dem ersten Teil befestigt ist.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das erste Teil eine Abdeckplatte aufweist zur Abdeckung eines Abschnittes der oberen Fläche des Substrattisches.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das zweite Teil eine Substratabstützung ist, die das Substrat auf dem Substrattisch abstützt.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der flexible Vorsprung das zweite Teil umgibt und das erste Teil eine Vertiefung (80) aufweist, in welcher das zweite Teil angeordnet ist.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der flexible Vorsprung aus einem Material gemacht ist, das im Wesentlichen resistent ist gegen eine Beschädigung durch Strahlung der Vorrichtung.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das erste Teil einen Abdeckplattenvorsprung (110) aufweist, und wobei der flexible Vorsprung (200) und der Abdeckplattenvorsprung (110) so angeordnet sind, dass im Betrieb der Abdeckplattenvorsprung (110) den flexiblen Vorsprung im Wesentlichen gegenüber Strahlung der Vorrichtung abschirmt.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiterhin folgendes aufweisend: ein Projektionssystem (PL), das eingerichtet ist, gemusterte Strahlung auf einen Zielabschnitt des Substrates zu richten; und ein Flüssigkeitszuführsystem (IH), das eingerichtet ist, um einen Raum zwischen dem Projektionssystem und dem Substrat zumindest teilweise mit einer Flüssigkeit zu füllen.
Verfahren zur Produktherstellung, folgende Schritte aufweisend: Bereitstellen eines Substrattisches (WT) zum Halten eines Substrates, wobei der Substrattisch ein erstes Teil (100) aufweist mit einem flexiblen Vorsprung (200), der daran befestigt ist, und ein zweites Teil (SS, 310, 320, 330) mit einer Halteeinrichtung, die ein freies Ende des flexiblen Abschnittes (200) auf dem zweiten Teil hält unter Verwendung der Halteeinrichtung (85), um den flexiblen Abschnitt (200) anzuziehen und zu halten und so eine Abdichtung zwischen dem ersten Teil (100) und dem zweiten Teil (SS, 310, 320, 330) des Substrattisches zu formen, und Projizieren eines gemusterten Strahls aus Strahlung auf das Substrat.
Verfahren nach Anspruch 12, wobei das Halten unter Verwendung eines Unterdruckanschlusses durchgeführt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 12 oder 13, wobei der flexible Vorsprung einen im Wesentlichen nicht-flexiblen Abschnitt (210) am Ende des flexiblen Abschnittes aufweist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 12, 13 oder 14, wobei der flexible Vorsprung an dem ersten Teil befestigt ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 12-15, wobei das zweite Teil eine Substratabstützung ist, die eingerichtet ist, dass Substrat auf dem Substrattisch zu stützen.
Verfahren nach einem der Ansprüche 12-16, weiterhin den Schritt einer wesentlichen Abschirmung des flexiblen Vorsprungs gegenüber Strahlung des gemusterten Strahls unter Verwendung eines Abdeckplattenvorsprunges (110) aufweisend.
Verfahren nach einem der Ansprüche 12-17, mit weiterhin dem Schritt der Projektion des gemusterten Strahls durch eine Flüssigkeit auf einen Zielabschnitt des Substrates.