JP4790076B2 - リソグラフィ装置 - Google Patents
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Description
基板を保持するように構成される基板テーブルと、
添着された可撓性投影を有する基板テーブルの第1部分と、
第1部分と第2部分との間に封止を創出するために、突出部の自由端部を引き付けて保持するように構成されるクランプ・デバイスを有する基板テーブルの第2部分とを備える、リソグラフィ投影装置が提供される。
基板を保持するように構成される基板テーブルと、
一端において基板テーブルに添着され、他端において基板テーブル上のクランプによって取外し式に定位置に保持される封止突出部とを備える、リソグラフィ投影装置が提供される。
基板を保持するように構成される基板テーブルと、
基板テーブルの上に配置されるセンサと、
センサと基板テーブルとの間に配置され、一端においてセンサに接着され、他端において基板テーブルに接着される封止構造とを備える、リソグラフィ装置が提供される。
基板テーブルの第1部分と第2部分との間に封止を形成するように、基板テーブルの第1部分上に配置されるクランプ・デバイスを使用して可撓性突出部の端部をクランプするステップと、
基板テーブルの上に保持されている基板の上に放射のパターン形成ビームを投影することとを備える、デバイス製造方法が提供される。
放射ビームをセンサ上に投影することを備えるデバイス製造方法が提供され、封止構造が、センサと、基板を保持するように構成される基板テーブルとの間に配置され、封止構造が、一端においてセンサに接着され、他端において基板テーブルに接着される。
放射ビームB(例えば、UV放射又はDUV放射)を調整するように構成される照明システム(照明装置)ILと、
パターニング・デバイス(例えば、マスク)MAを保持するように構築され、あるパラメータに従ってパターニング・デバイスを正確に配置するように構成される第1位置決め装置PMに接続される支持構造(例えば、マスク・テーブル)MTと、
基板(例えば、レジストコーティング基板)Wを保持するように構築され、あるパラメータに従って基板を正確に配置するように構成される第2位置決め装置PWに接続される基板テーブル(例えば、ウェハ・テーブル)WTと、
放射ビームに付与されたパターンをパターニング・デバイスMAによって基板Wの標的部分C(例えば、1つ又は複数のダイを備える)の上に投影するように構成される投影システム(例えば、屈折投影レンズ・システム)PSとを備える。
1.ステップ・モードにおいて、支持構造MT及び基板テーブルWTは、本質的に静止して維持され、一方、放射ビームに付与されるパターン全体は、標的部分Cの上に一度に投影される(すなわち、単一静的露光)。次いで、基板テーブルWTは、異なる標的部分Cを露光させることができるように、X及び/又はY方向においてシフトされる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズは、単一静的露光において結像される標的部分Cのサイズを限定する。
2.走査モードにおいて、支持構造MT及び基板テーブルWTは、放射ビームに付与されるパターンが標的部分Cの上に投影される間、同期して走査される(すなわち、単一動的露光)。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの(縮小)倍率及び像反転特性によって決定されることが可能である。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズは、単一動的露光における標的部分の幅(非走査方向における)を限定し、一方、走査動きの長さは、標的部分の高さ(走査方向における)を決定する。
3.他のモードにおいて、支持構造MTは、本質的に静止して維持されて、プログラム可能パターニング・デバイスを保持し、基板テーブルWTは、放射ビームに付与されるパターンが標的部分Cの上に投影される間、移動又は走査される。このモードでは、一般に、パルス放射線源が使用され、プログラム可能パターニング・デバイスは、基板テーブルWTの各移動後、又は走査中の連続放射パルス間で、必要に応じて更新される。この動作モードは、上記で記述されたタイプのプログラム可能ミラー・アレイなど、プログラム可能パターニング・デバイスを使用するマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
B 放射ビーム
MT 支持構造(マスク・テーブル)
MA パターニング・デバイス(マスク)
PM 第1位置決め装置
WT 基板テーブル
W 基板
PW 第2位置決め装置
PS 投影システム
C 標的部分
SO 放射線源
BD ビーム送達システム
AD 調節装置
IN 積分器
CO コンデンサ
IF 位置センサ
M1、M2 パターニング・デバイス・アライメント・マーク
P1、P2 基板アライメント・マーク
MB 基板テーブル本体
SS 基板サポート
IN 入り口
OUT 出口
10 リザーバ
12 液体閉込め構造
14 出口
15 入り口
85 低圧入り口
100 カバー・プレート
140 低圧入り口
200 封止突出部
210 非可撓性部分
211 末端
212 分離力部材
220 接着剤
310 透過増センサ
320 集積レンズ干渉計
330 スポット・センサ
400 封止構造
410、420 接着剤のビード
500 狭窄、ギャップ
Claims (6)
- テーブルの上に配置され、放射ビームが投影されるセンサと、
前記センサと前記テーブルとの間に配置された液体封止構造とを備え、
前記液体封止構造は、狭窄として機能する上部層と液密封止として機能する底部層からなる2重封止層を備え、
前記上部層は、前記センサと、取り外し可能なカバープレートとの間のギャップである、リソグラフィ装置。 - 前記上部層と前記下部層との間に配置される低圧入り口ポートをさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 前記上部層は、前記テーブルの上から前記下部層までの経路が蛇行性となるように、前記下部層の上に配置された前記センサの縁と前記テーブルの縁との間のギャップである、請求項1または2に記載の装置。
- 前記下部層は、一端において前記センサに接着され、他端において前記テーブルに接着されている封止構造を備える、請求項1〜3のいずれか1の請求項に記載の装置。
- 前記放射ビームを投影する放射システムと、
前記放射システムと前記テーブルとの間の空間を液体で少なくとも部分的に充填する液体供給システムとをさらに備える、請求項1〜4のいずれか1の請求項に記載の装置。 - 前記センサは、透過性センサ、スポットセンサ、または集計レンズ干渉計のいずれかである、請求項1〜5のいずれか1の請求項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/006,550 | 2004-12-08 | ||
US11/006,550 US7365827B2 (en) | 2004-12-08 | 2004-12-08 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009033893A Division JP4598133B2 (ja) | 2004-12-08 | 2009-02-17 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010212711A JP2010212711A (ja) | 2010-09-24 |
JP4790076B2 true JP4790076B2 (ja) | 2011-10-12 |
Family
ID=36084289
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005353110A Expired - Fee Related JP4322865B2 (ja) | 2004-12-08 | 2005-12-07 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2009033893A Expired - Fee Related JP4598133B2 (ja) | 2004-12-08 | 2009-02-17 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2009282658A Active JP4505042B2 (ja) | 2004-12-08 | 2009-12-14 | リソグラフィ装置 |
JP2010101340A Expired - Fee Related JP4790076B2 (ja) | 2004-12-08 | 2010-04-26 | リソグラフィ装置 |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005353110A Expired - Fee Related JP4322865B2 (ja) | 2004-12-08 | 2005-12-07 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2009033893A Expired - Fee Related JP4598133B2 (ja) | 2004-12-08 | 2009-02-17 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2009282658A Active JP4505042B2 (ja) | 2004-12-08 | 2009-12-14 | リソグラフィ装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7365827B2 (ja) |
EP (3) | EP1821150B1 (ja) |
JP (4) | JP4322865B2 (ja) |
KR (1) | KR100760316B1 (ja) |
CN (3) | CN1786832B (ja) |
DE (2) | DE602005009246D1 (ja) |
SG (2) | SG123683A1 (ja) |
TW (1) | TWI320876B (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7365827B2 (en) * | 2004-12-08 | 2008-04-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7352440B2 (en) * | 2004-12-10 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Substrate placement in immersion lithography |
US7684010B2 (en) * | 2005-03-09 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing |
US7633073B2 (en) * | 2005-11-23 | 2009-12-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7830498B2 (en) * | 2006-10-10 | 2010-11-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Hydraulic-facilitated contact lithography apparatus, system and method |
US7791709B2 (en) | 2006-12-08 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Substrate support and lithographic process |
US20080137055A1 (en) * | 2006-12-08 | 2008-06-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL2004807A (en) | 2009-06-30 | 2011-01-04 | Asml Netherlands Bv | Substrate table for a lithographic apparatus, litographic apparatus, method of using a substrate table and device manufacturing method. |
NL2005120A (en) * | 2009-09-21 | 2011-03-22 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, coverplate and device manufacturing method. |
NL2005126A (en) * | 2009-09-21 | 2011-03-22 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, coverplate and device manufacturing method. |
NL2005478A (en) * | 2009-11-17 | 2011-05-18 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, removable member and device manufacturing method. |
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NL2006203A (en) * | 2010-03-16 | 2011-09-19 | Asml Netherlands Bv | Cover for a substrate table, substrate table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method. |
NL2006244A (en) | 2010-03-16 | 2011-09-19 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, cover for use in a lithographic apparatus and method for designing a cover for use in a lithographic apparatus. |
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JP5313293B2 (ja) | 2010-05-19 | 2013-10-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置、リソグラフィ装置で使用する流体ハンドリング構造およびデバイス製造方法 |
CN104412164B (zh) | 2012-05-29 | 2017-09-12 | Asml荷兰有限公司 | 支撑装置、光刻装置和器件制造方法 |
Family Cites Families (141)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE224448C (ja) | ||||
DE206607C (ja) | ||||
DE221563C (ja) | ||||
DE242880C (ja) | ||||
US2759254A (en) * | 1953-08-17 | 1956-08-21 | Robert M Soehnlen | Method of connecting fluid pipes |
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-
2004
- 2004-12-08 US US11/006,550 patent/US7365827B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-11-25 TW TW94141634A patent/TWI320876B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-12-01 DE DE200560009246 patent/DE602005009246D1/de active Active
- 2005-12-01 EP EP07007495A patent/EP1821150B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-01 DE DE200560001835 patent/DE602005001835T2/de active Active
- 2005-12-01 EP EP08012007.4A patent/EP1970763A3/en not_active Withdrawn
- 2005-12-01 EP EP20050257410 patent/EP1669807B1/en active Active
- 2005-12-05 SG SG200507806A patent/SG123683A1/en unknown
- 2005-12-05 SG SG200806312-5A patent/SG145772A1/en unknown
- 2005-12-07 CN CN 200510131051 patent/CN1786832B/zh active Active
- 2005-12-07 CN CN 201010233655 patent/CN101916041A/zh active Pending
- 2005-12-07 CN CN 201010233642 patent/CN101900951B/zh active Active
- 2005-12-07 JP JP2005353110A patent/JP4322865B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-07 KR KR1020050118580A patent/KR100760316B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-03-21 US US12/076,731 patent/US8115905B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-02-17 JP JP2009033893A patent/JP4598133B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-12-14 JP JP2009282658A patent/JP4505042B2/ja active Active
-
2010
- 2010-04-26 JP JP2010101340A patent/JP4790076B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-09-22 US US13/240,650 patent/US8860926B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4598133B2 (ja) | 2010-12-15 |
JP2010212711A (ja) | 2010-09-24 |
CN101900951B (zh) | 2013-07-10 |
KR20060064539A (ko) | 2006-06-13 |
CN101900951A (zh) | 2010-12-01 |
EP1970763A3 (en) | 2013-10-09 |
EP1669807A1 (en) | 2006-06-14 |
EP1821150A1 (en) | 2007-08-22 |
US8115905B2 (en) | 2012-02-14 |
TW200625021A (en) | 2006-07-16 |
SG123683A1 (en) | 2006-07-26 |
DE602005001835D1 (de) | 2007-09-13 |
KR100760316B1 (ko) | 2007-09-20 |
US20120008114A1 (en) | 2012-01-12 |
JP2006165572A (ja) | 2006-06-22 |
US8860926B2 (en) | 2014-10-14 |
JP2009152625A (ja) | 2009-07-09 |
CN1786832B (zh) | 2010-08-11 |
SG145772A1 (en) | 2008-09-29 |
JP4505042B2 (ja) | 2010-07-14 |
DE602005009246D1 (de) | 2008-10-02 |
EP1669807B1 (en) | 2007-08-01 |
US20080174752A1 (en) | 2008-07-24 |
EP1970763A2 (en) | 2008-09-17 |
JP2010103549A (ja) | 2010-05-06 |
US20060119817A1 (en) | 2006-06-08 |
DE602005001835T2 (de) | 2008-04-17 |
EP1821150B1 (en) | 2008-08-20 |
TWI320876B (en) | 2010-02-21 |
CN101916041A (zh) | 2010-12-15 |
JP4322865B2 (ja) | 2009-09-02 |
US7365827B2 (en) | 2008-04-29 |
CN1786832A (zh) | 2006-06-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100826 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101126 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110125 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110523 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110531 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110621 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110719 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140729 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4790076 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |