DE10210899A1 - Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie - Google Patents

Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie

Info

Publication number
DE10210899A1
DE10210899A1 DE2002110899 DE10210899A DE10210899A1 DE 10210899 A1 DE10210899 A1 DE 10210899A1 DE 2002110899 DE2002110899 DE 2002110899 DE 10210899 A DE10210899 A DE 10210899A DE 10210899 A1 DE10210899 A1 DE 10210899A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
lens
lens group
projection
preceding
refractive power
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE2002110899
Other languages
English (en)
Inventor
Hans-Juergen Rostalski
Wilhelm Ulrich
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Priority to DE2002110899 priority Critical patent/DE10210899A1/de
Publication of DE10210899A1 publication Critical patent/DE10210899A1/de
Priority claimed from US10/886,696 external-priority patent/US7092069B2/en
Application status is Withdrawn legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
    • G02B13/00Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/14Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infra-red or ultra-violet radiation
    • G02B13/143Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infra-red or ultra-violet radiation for use with ultra-violet radiation
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Exposure apparatus for microlithography
    • G03F7/70216Systems for imaging mask onto workpiece
    • G03F7/70241Optical aspects of refractive systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Exposure apparatus for microlithography
    • G03F7/70216Systems for imaging mask onto workpiece
    • G03F7/70341Immersion

Abstract

Ein für die Immersions-Mikrolithographie geeignetes, rein refraktives Projektionsobjektiv ist als Ein-Taillen-System mit fünf Linsengruppen ausgelegt, bei dem eine erste Linsengruppe mit negativer Brechkraft, eine zweite Linsengruppe mit positiver Brechkraft, eine dritte Linsengruppe mit negativer Brechkraft, eine vierte Linsengruppe mit positiver Brechkraft und eine fünfte Linsengruppe mit positiver Brechkraft vorgesehen sind. Die Systemblende liegt im Bereich maximaler Strahldurchmesser zwischen der vierten und der fünften Linsengruppe. Ausführungsformen erfindungsgemäßer Projektionsobjektive erreichen eine sehr hohe numerische Apertur NA > 1 bei großem Bildfeld und zeichnen sich durch guten optischen Korrektionszustand und moderate Baugröße aus. Bei Verwendung von Immersionsfluiden zwischen Projektionsobjektiv und Substrat sind bei Arbeitswellenlängen unterhalb 200 nm Strukturbreiten deutlich unter 100 nm auflösbar.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein refraktives Projektionsobjektiv zur Abbildung eines in einer Objektebene des Projektionsobjektivs angeordneten Musters in eine Bildebene des Projektionsobjektives mit Hilfe eines Immersionsmediums, welches zwischen einem letzten optischen Element des Projektionsobjektivs und der Bildebene angeordnet ist.
  • Photolithographische Projektionsobjektive werden seit mehreren Jahrzehnten zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und anderen fein strukturierten Bauteilen verwendet. Sie dienen dazu, Muster von Photomasken oder Strichplatten, die nachfolgend auch als Masken oder Retikel bezeichnet werden, auf einen mit einer lichtempfindlichen Schicht beschichteten Gegenstand mit höchster Auflösung in verkleinerndem Maßstab zu projizieren.
  • Zur Erzeugung immer feiner Strukturen in der Größenordnung von 100 nm oder darunter tragen vor allem drei parallel verlaufende Entwicklungen bei. Erstens wird versucht, die bildseitige numerische Apertur (NA) der Projektionsobjektive über die derzeit üblichen Werte hinaus in den Bereich von NA = 0,8 oder darüber zu vergrößern. Zweitens werden immer kürzere Wellenlängen von Ultraviolettlicht verwendet, vorzugsweise Wellenlängen von weniger als 260 nm, beispielsweise 248 nm, 193 nm, 157 nm oder darunter. Schließlich werden noch andere Maßnahmen zur Auflösungsvergrößerung genutzt, beispielsweise phasenschiebende Masken und/oder schräge Beleuchtung.
  • Es gibt auch schon Ansätze, die erzielbare Auflösung dadurch zu verbessern, dass in den Raum zwischen dem letzten optischen Element des Projektionsobjektives und dem Substrat ein Immersionsmedium mit hohem Brechungsindex eingebracht wird. Diese Technik wird hier als Immersions-Lithographie bezeichnet. Durch Einbringung des Immersionsmediums ergibt sich eine effektive Wellenlänge

    λeff = λ0/n

    wobei λ0 die Vakuum-Arbeitswellenlänge und n der Brechungsindex des Immersionsmediums ist. Daraus ergeben sich eine Auflösung

    R = k1eff/NA0)

    und eine Schärfentiefe (depth of focus, DOF)

    DOF = ±k2eff/NA0 2),

    wobei NA0 = sinΘ0, die "trockene" numerische Apertur und Θ0 der halbe Öffnungswinkel des Objektives ist. Die empirischen Konstanten k1 und k2 sind prozessabhängig.
  • Die theoretischen Vorteile der Immersions-Lithographie liegen in der Verringerung der effektiven Arbeitswellenlänge und der damit verbesserten Auflösung. Dies kann bei unveränderter Vakuum-Wellenlänge erreicht werden, so dass für die entsprechende Wellenlänge etablierte Techniken zur Lichterzeugung, zur Wahl von optischen Materialien, zur Beschichtungstechnik etc. weitgehend unverändert übernommen werden können. Allerdings sind Maßnahmen zur Bereitstellung von Projektionsobjektiven mit höchsten numerischen Aperturen im Bereich von NA = 1 oder darüber erforderlich. Weiterhin müssen geeignete Immersionsmedien verfügbar sein.
  • In dem Artikel "Immersion Lithography at 157 nm" von M. Switkes und M. Rothschild, J. Vac. Sci. Technol. B 19(6), Nov./Dec. 2001, Seiten 1 ff werden Immersionsflüssigkeiten auf Basis von Perfluorpolyethern (PFPE) vorgestellt, welche für 157 nm Arbeitswellenlänge ausreichend transparent und mit einigen derzeit in der Mikrolithographie verwendeten Photoresist-Materialien kompatibel sind. Eine getestete Immersionsflüssigkeit hat bei 157 nm einen Brechungsindex n = 1,37. In der Veröffentlichung ist auch ein mit Kalziumfluorid-Elementen und Silizium-Spiegeln arbeitendes, linsenfreies, optisches System zur Immersions-Interferenz- Lithographie dargestellt, welches bei einer numerischen Apertur von NA = 0,86 die Abbildung von 60 nm-Stukturen und darunter ermöglichen soll. Das optische System dürfte für den Einsatz in der Serienproduktion von Hableitern oder dergleichen nicht geeignet sein.
  • Die Patentschrift US 5,610,683 (entsprechend EP 0 605 103) beschreibt eine für die Immersions-Lithographie vorgesehene Projektionsbelichtungsanlage mit Einrichtungen zur Einbringung von Immersionsfluid zwischen dem Projektionsobjektiv und dem Substrat. Es ist kein Design für die Projektionsoptik angegeben.
  • Im US-Patent US 5,900,354 wird vorgeschlagen, bei der Immersions- Lithographie als Immersionsmedium ein super-kritisches Fluid zu verwenden, beispielsweise Xenongas. Es ist kein Design für ein geeignetes Projektionsobjektiv gezeigt.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein für die Immersions- Lithographie geeignetes, refraktives Projektionsobjektiv zu schaffen, welches bei moderater Baugröße eine für die Immersions-Lithographie geeignete hohe numerische Apertur, ein für den praktischen Einsatz in Wafersteppern oder Waferscannern ausreichend großes Bildfeld sowie guten Korrektionszustand aufweist.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Projektionsobjektiv mit den Merkmalen von Anspruch 1. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben. Der Wortlaut sämtlicher Ansprüche wird durch Bezugnahme zum Inhalt der Beschreibung gemacht.
  • Gemäß einem Aspekt der Erfindung hat ein refraktives Projektionsobjektiv zur Abbildung eines in einer Objektebene des Projektionsobjektivs angeordneten Musters in die Bildebene des Projektionsobjektivs mit Hilfe eines Immersionsmediums, welches zwischen einem fetzten optischen Element des Projektionsobjektivs und der Bildebene angeordnet ist,
    eine auf die Bildebene folgende erste Linsengruppe mit negativer Brechkraft;
    eine darauffolgende zweite Linsengruppe mit positiver Brechkraft;
    eine darauffolgende dritte Linsengruppe mit negativer Brechkraft;
    eine darauffolgende vierte Linsengruppe mit positiver Brechkraft;
    eine darauffolgende fünfte Linsengruppe mit positiver Brechkraft; sowie
    eine Systemblende, die im Bereich maximaler Strahldurchmesser zwischen der vierten Linsengruppe und der fünften Linsengruppe angeordnet ist.
  • Diese Brechkraftverteilung ergibt ein Projektionsobjektiv mit zwei Bäuchen und einer dazwischenliegenden Taille, wodurch eine gute Korrektur der Bildfeldwölbung erreicht wird. Die Systemblende sitzt im Bereich größter Strahldurchmesser des der Bildebene nächsten Bauches, wobei am Ort der Systemblende vorzugsweise mindestens 90% oder 95% des maximalen Strahldurchmessers im bildnahen Bauch vorliegen. Bei gewissen Ausführungsformen kann die Systemblende zwischen einer bildnahen Ebene maximalen Strahldurchmessers und der Bildebene liegen und somit in einem Bereich, in dem der durchleuchtete Durchmesser des Objektivs zur Bildebene schon abnimmt. Dies ist ein wesentlicher Unterschied zu herkömmlichen, refraktiven Projektionsobjektiven, bei denen die Systemblende objektseitig in größerem Abstand vor dem Bereich maximaler Strahldurchmesser im bildnahen Bauch liegt.
  • Die Konstruktion ermöglicht bildseitige numerische Aperturen NA ≥ 0,9, wobei bei bevorzugten Ausführungsformen NA = 1,1 oder darüber erzielbar ist. Bevorzugte Projektionsobjektive sind an ein Immersionsfluid angepasst, welches bei der Arbeitswellenlänge einen Brechungsindex n > 1,3 hat. Hierdurch kann eine Verringerung der effektiven Arbeitswellenlänge um 30% oder mehr gegenüber Systemen ohne Immersion geschaffen werden.
  • Vorteilhafterweise kann das Projektionsobjektiv so ausgelegt sein, dass der von dem Immersionsmedium auszufüllende Raum eine derart geringe axiale Dicke hat, dass Transmissionsverluste im Immersionsmedium nicht mehr als 10 bis 20% der eindringenden Lichtintensität betragen. Günstig sind daher bildseitige Arbeitsabstände von weniger als 200 µm insbesondere weniger als 100 µm. Da andererseits ein Berührungskontakt zwischen dem letzten optischen Element und der Substratoberfläche vermieden werden soll, sollte eine untere Grenze des Arbeitsabstandes von 10 bis 20 µm nicht unterschritten werden. Bei geeignet transparenten Immersionsmedien sind auch größere Arbeitsabstände im Bereich von einem oder mehreren Millimetern möglich.
  • Bevorzugte Projektionsobjektive zeichnen sich durch eine Anzahl günstiger konstruktiver und optischer Merkmale aus, die alleine oder in Kombination für die Eignung des Objektivs als Immersionsobjektiv förderlich sind.
  • Beispielsweise kann es günstig sein, wenn die Brechkräfte der Linsengruppen beidseits der Systemblende die gleiche Größenordnung haben. Insbesondere kann vorgesehen sein, dass ein Verhältnis zwischen der Brennweite der vierten Linsegruppe und der Brennweite der fünften Linsengruppe zwischen ca. 0,9 und ca. 1,1 liegt. Ebenfalls günstig kann es sein, wenn die Brennweiten bzw. Brechkräfte der objektnahen und der bildnahen Linsengruppen betragsmäßig ähnlich sind. Insbesondere kann ein Verhältnis der Beträge der Brennweiten der ersten Linsegruppe und der fünften Linsengruppe zwischen ca. 0,7 und ca. 1,3, vorzugsweise zwischen ca. 0,9 und 1,1 liegen. Für die Erzeugung einer hohen bildseitigen numerischen Apertur kann es weiterhin günstig sein, wenn eine starke positive Brechkraft im bildnahen Bereich konzentriert ist. Bei bevorzugten Ausführungsformen ist ein Verhältnis zwischen der Baulänge des Projektionsobjektivs und der Brennweite der auf die Systemblende folgenden fünften Linsengruppe größer als fünf, insbesondere größer als sechs, sieben oder sogar acht. Als Baulänge wird hier der axiale Abstand zwischen Objektebene und Bildebene bezeichnet.
  • Für die Erzielung eines guten Korrekturzustandes ist bei bevorzugten Ausführungsformen vorgesehen, dass die erste Linsengruppe mindestens eine asphärische Fläche enthält. Günstigerweise können hier sogar mehrere Asphären z. B. zwei vorgesehen sein. Asphären in diesem Bereich tragen besonders wirksam zur Korrektion von Verzeichnung und Astigmatismus bei. Für die Korrektion von Koma und Astigmatismus ist es weiterhin günstig, wenn die im Bereich der Taille liegende dritte Linsengruppe mindestens eine asphärische Fläche aufweist, wobei mehrere Asphären, z. B. zwei Asphären, bevorzugt sind. Bei bevorzugten Ausführungsformen ist in jeder Linsengruppe mindestens eine Asphäre vorgesehen, um eine Feineinstellung des Korrekturzustandes des Projektionsobjektivs zu erleichtern. Im Hinblick auf einfache Herstellung der Linsen sollte die Zahl der Asphären begrenzt sein, beispielsweise auf weniger als neun oder weniger als sieben, wie bei einer bevorzugten Ausführungsform.
  • Die günstigen Abbildungseigenschaften erfindungsgemäßer Projektionsobjektive, insbesondere der gute Korrekturzustand bei höchster numerischer Apertur, werden durch einige Besonderheiten bei Art und Anordnung der verwendeten Linsen gefördert. Beispielsweise ist es günstig, wenn im Nahbereich der Objektebene, insbesondere in der ersten Linsengruppe, mindestens eine zur Objektebene konvexe Meniskuslinse mit negativer Brechkraft angeordnet ist. Diese Linse, die beispielsweise die dritte Linse des Objektivs bilden kann, begünstigt die Korrektion von tangentialem Astigmatismus.
  • Die zweite Linsengruppe hat auf ihrer der Objektebene zugewandten Seite vorzugsweise mindestens eine, insbesondere mehrere zur Objektebene konkave Meniskuslinsen mit positiver Brechkraft. Diese treten vorzugsweise in Kombination mit mindestens einer, vorzugsweise mehreren zur Objektebene konvexen Meniskuslinsen mit positiver Brechkraft an der der Bildebene zugewandten Seite der zweiten Linsengruppe auf. Günstigerweise liegt zwischen den Menisken oder Meniskengruppen gegensinniger Durchbiegung mindestens eine bikonvexe Positivlinse. Dadurch kann in der zweiten Linsengruppe eine Abfolge mindestens einer zur Objektebene konkaven Positiv-Meniskuslinse, einer bikonvexen Positivlinse und mindestens einer zur Bildebene konkaven Positiv- Meniskuslinse gebildet sein. Diese Abfolge von Linsen im Bereich größer Strahldurchmesser des ersten Bauches ist günstig für eine starke "Verbiegung" des Hauptstrahles in diesem Bereich bei gleichzeitig niedrigen Flächenbelastungen der optischen Flächen. Dies ist günstig für geringe Gesamtaberrationen des Projektionsobjektivs. Eine günstige Flächenbelastung im Sinne dieser Anmeldung ist dann gegeben, wenn die Inzidenzwinkel der auf eine optische Fläche treffenden Strahlen möglichst gering sind und einen kritischen Grenzwert nicht überschreiten. Als Inzidenzwinkel wird hier der Winkel zwischen der Auftreffrichtung eines Strahls auf eine optische Fläche und der Flächennormalen der optischen Fläche am Auftreffpunkt des Strahles bezeichnet. Je geringer die Inzidenzwinkel und entsprechend je geringer die Flächenbelastung ist, desto einfacher ist die Entwicklung geeigneter Anti- Reflexbeschichtungen und desto größer ist die Toleranz des Designs gegen die Justierung.
  • Der Bereich engster Einschnürung des Strahls wird als Taille bezeichnet. Die im Bereich der Taille liegende dritte Linsengruppe hat die Aufgabe, die hinter dem ersten Bauch konvergierende Strahlung mit geringst möglichen Abberationen wieder aufzuweiten. Hierzu ist es günstig, wenn die dritte Linsengruppe nur Linsen mit negativer Brechkraft aufweist. Als besonders vorteilhaft hat sich herausgestellt, wenn die dritte Linsengruppe in Bezug auf eine innerhalb der dritten Linsengruppe liegende Symmetrieebene einen im wesentlichen symmetrischen Aufbau hat. Dieser zeichnet sich insbesondere dadurch aus, dass objektseitig und bildseitig der Symmetrieebene einander zugeordnete Linsen gleichen Typs angeordnet sind. Die Symmetrie der Linsentypen erstreckt sich bevorzugt auch in den angrenzenden Bereich der zweiten und der vierten Linsengruppe, so dass bevorzugt ein der dritten Linsengruppe zugewandter Austrittsbereich der zweiten Linsengruppe und ein der dritten Linsengruppe folgender Eintrittsbereich der vierten Linsengruppe im wesentlichen symmetrisch zu der innerhalb der dritten Linsengruppe liegenden Symmetrieebene aufgebaut sein können. Eine symmetrische Anordnung von Negativ- und Positiv-Meniskuslinsen wird bei den Ausführungsformen noch näher erläutert. Die Symmetrie ist förderlich für eine geringe Flächenbelastung der Linsen bei geringen Aberrationen.
  • Im Bereich unmittelbar vor der Systemblende, d. h. in der vierten Linsengruppe, ist vorzugsweise mindestens ein Doublett mit einer bikonvexen Positivlinse und einer bildwärts folgenden meniskusförmigen Negativlinse mit objektwärts konkaven Linsenflächen vorgesehen. Besonders günstig sind Ausführungsformen mit zwei solcher Doubletts, die unmittelbar aufeinander folgen können. Zwischen den Linsen des Doubletts ist jeweils eine zur Bildebene konvexe, positive Luftlinse angeordnet. Derartige Doubletts aus sammelnder Bikonvexlinse und zerstreuendem Meniskus wirken sich positiv auf den Korrekturzustand aus und können den Abberationen entgegen wirken, die durch Linsen mit starker, positiver Brechkraft hinter der Systemblende eingeführt werden. Weiterhin kann es günstig sein, im objektseitigen Eintrittsbereich der vierten Linsengruppe mindestens eine objektwärts konkave Meniskuslinse mit positiver Brechkraft anzuordnen, um die aus der Taille kommende Strahlung bei geringer Flächenbelastung zu sammeln.
  • Zur Erzielung höchster numerischer Aperturen ist es vorteilhaft, wenn die fünfte Linsengruppe ausschließlich Positivlinsen hat. Es können z. B. vier oder mehr Positivlinsen zwischen Aperturblende und Bildebene angeordnet sein. Dabei sind günstige Flächenbelastungen dann erzielbar, wenn in der fünften Linsengruppe mindestens eine bildwärts konkave Meniskuslinse mit positiver Brechkraft vorgesehen ist. Insbesondere können zwei oder mehr solcher Linsen vorgesehen sein. Das letzte optische Element wird bevorzugt durch eine Plankonvexlinse gebildet, die eine vorzugsweise sphärische Eintrittsfläche und eine im wesentlichen ebene Austrittsfläche hat. Hierdurch kann einerseits eine gute Korrektur von sphärischer Abberation und Koma erreicht werden und andererseits ist eine im wesentlichen ebene Austrittsfläche günstig für die Immersions-Lithographie. Bei bevorzugten Ausführungsformen ist die Plankonvexlinse nicht-hemisphärisch, wobei der Mittelpunkt der sphärischen Fläche außerhalb der Linse liegt. Abgeschnittene Halbkugellinsen dieser Art können eine reduzierte Empfindlichkeit gegen Schwankungen des Arbeitsabstandes ergeben.
  • Durch Anwendung einiger oder aller dieser Designprinzipien ist es bei bevorzugten Ausführungsformen gelungen, die Flächenbelastung der Linsen so gering zu halten, dass trotz einer Apertur von mehr als NA = 0,9 oder 1 an keiner der optischen Flächen Einfallswinkel auftreten, deren Sinus größer als ca. 90% oder sogar ca. 85% der bildseitigen numerischen Apertur ist, was die Entspiegelung der Linsen und die Objektivjustage vereinfacht.
  • Bei bevorzugten Ausführungsformen bestehen alle Linsen des Projektionsobjektives aus dem gleichen Material. Als Material kann beispielsweise bei Arbeitswellenlängen von 193 nm synthetisches Quarzglas und bei Arbeitswellenlängen von 157 nm Kalziumfluorid verwendet werden. Die Verwendung nur einer Materialsorte erleichtert die Herstellung und ermöglicht eine einfache Anpassung des Objektivdesigns an andere Wellenlängen. Es ist auch möglich, mehrere Materialsorten zu kombinieren, um beispielsweise die Korrektur von Farbfehlern zu unterstützen. Auch der Einsatz anderer UV-transparenter Materialien wie BaF2, NaF, LiF, SrF, MgF2 oder dergleichen ist möglich.
  • Die vorstehenden und weiteren Merkmale gehen außer aus den Ansprüchen auch aus der Beschreibung und den Zeichnungen hervor, wobei die einzelnen Merkmale jeweils für sich alleine oder zu mehreren in Form von Unterkombinationen bei Ausführungsformen der Erfindung und auf anderen Gebieten verwirklicht sein und vorteilhafte sowie für sich schutzfähige Ausführungen darstellen können. Es zeigen:
  • Fig. 1 ist ein Linsenschnitt durch eine erste Ausführungsform eines refraktiven Projektionsobjektivs, dass für 193 nm Arbeitswellenlänge ausgelegt ist;
  • Fig. 2 ist ein Linsenschnitt durch eine zweite Ausführungsform eines Projektionsobjektivs, das für 193 nm Arbeitswellenlänge ausgelegt ist;
  • Fig. 3 ist ein Linsenschnitt durch eine dritte Ausführungsform eines Projektionsobjektivs, welches für 157 nm Arbeitswellenlänge ausgelegt ist; und
  • Fig. 4 ist ein Linsenschnitt durch eine vierte Ausführungsform eines Projektionsobjektivs, welches für 193 nm Arbeitswellenlänge ausgelegt ist.
  • Bei der folgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen bezeichnet der Begriff "optische Achse" eine gerade Linie durch die Krümmungsmittelpunkte der optischen Komponenten. Richtungen und Abstände werden als bildseitig oder bildwärts beschrieben, wenn sie in Richtung der Bildebene bzw. des dort befindlichen, zu belichtenden Substrats gerichtet sind und als objektseitig bzw. objektwärts, wenn sie in Bezug auf die optische Achse zum Objekt gerichtet sind. Das Objekt ist in den Beispielen eine Maske (Retikel) mit dem Muster einer integrierten Schaltung, es kann sich aber auch um ein anderes Musters, beispielsweise eines Gitters handeln. Das Bild wird in den Beispielen auf einem als Substrat dienenden, mit einer Photoresistschicht dienenden Wafer gebildet, jedoch sind auch andere Substrate möglich, beispielsweise Elemente für Flüssigkristallanzeigen oder Substrate für optische Gitter. Die angegebenen Brennweiten sind Brennweiten bezüglich Luft.
  • Im folgenden werden identische oder einander entsprechende Merkmale der verschiedenen Ausführungsformen aus Gründen der Übersichtlichkeit mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet.
  • Anhand Fig. 1 wird ein typischer Aufbau einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen, rein refraktiven Reduktionsobjektivs 1 gezeigt. Es dient dazu, bei nahezu homogener Immersion ein in einer Objektebene 2 angeordnetes Muster eines Retikels oder dergleichen in eine Bildebene 3 in reduziertem Maßstab abzubilden, beispielsweise im Maßstab 5 : 1. Es handelt sich um ein rotationssymmetrisches Ein-Taillesystem mit fünf Linsengruppen, die entlang der senkrecht auf Objektebene und Bildebene stehenden optischen Achse 4 angeordnet sind und einen objektseitigen Bauch 6, einen bildseitigen Bauch 8 und eine dazwischen liegende Taille 7 bilden. Die auf die Bildebene 2 folgende erste Linsengruppe LG1 hat negative Brechkraft und eine Brennweite von -166 mm. Eine darauf folgende zweite Linsengruppe LG2 hat positive Brechkraft mit einer Brennweite von 121 mm. Eine darauf folgende dritte Linsengruppe LG3 hat negative Brechkraft und eine Brennweite von -33 mm. Eine darauf folgende vierte Linsengruppe LG4 hat positive Brechkraft mit einer Brennweite von 166 mm, welche somit betragsmäßig der Brennweite der ersten Linsengruppe entspricht. Eine darauf folgende fünfte Linsengruppe LG5 hat positive Brechkraft und eine Brennweite von 170 mm, was in der Größenordnung der Brennweite der vierten Linsengruppe und betragsmäßig der ersten Linsengruppe LG1 liegt. Zwischen der vierten Linsengruppe LG4 und der fünften Linsengruppe LG5 ist im bildnahen Bereich maximaler Strahldurchmesser, d. h. im zweiten Bauch 8 des Objektivs, die Systemblende 5 angeordnet.
  • Die auf die Objektebene 2 folgende erste Linsengruppe LG1 ist im wesentlichen zuständig für die Aufweitung der Lichtbündel in den ersten Bauch 6 hinein. Sie umfasst drei Linsen 11, 12, 13 mit negativer Brechkraft, wobei die erste Linse 11 und die zweite Linse 12 als bikonvexe Negativlinsen gestaltet sind. Die dritte Linsen 13 ist ein zerstreuender Meniskus, bei dem als Besonderheit die konkave Seite nicht zum Objekt 2, sondern zur Bildebene 3 gerichtet ist. Diese Anordnung ist sehr günstig für die Korrektion des tangentialen Astigmatismus. Im übrigen enthält die erste Linsengruppe zwei Asphären, nämlich die Eintrittsseiten der zweiten und der dritten Linse. Die Asphären haben einen positiven Einfluss auf die sehr gute Korrektion der Verzeichnung und des Astigmatismus.
  • Die zweite Linsengruppe LG2 besteht aus vier dem Retikel bzw. der Objektebene 2 mit ihrer konkaven Seite zugewandten sammelnden Menisken 14, 15, 16, 17, einer bikonvexen Positivlinse 18 und zwei mit ihrer konkaven Seite den Wafer bzw. der Bildebene 3 zugewandten sammelnden Menisken 19, 20. Dieser Aufbau, bei dem die Krümmungen der Meniskusflächen objektseitig und bildseitig der Bikonvexlinse 18 gegensinnig mit von einander abgewandten Konkavflächen verlaufen, gewährleistet kleine Flächenbelastungen für die Menisken und die Positivlinse 18 und somit geringe Abberationen. Die bikonkave Luftlinse zwischen der bikonvexen Positivlinse 18 und der folgenden Meniskuslinse 19 hat mit ihrer starken astigmatischen Unterkorrektur einen günstigen Einfluss auf das Ausbalancieren des Astigmatismus im vorderen Teil des Systems vor der Taille 7.
  • Die dritte Linsengruppe LG3 besteht ausschließlich aus zerstreuenden Linsen, nämlich einer Negativ-Meniskuslinse 21 mit bildseitigen Konkavflächen, einer darauf folgenden bikonkaven Negativlinse 22, einer weiteren darauf folgenden bikonkaven Negativlinse und einer darauffolgenden Negativ-Meniskuslinse 24 mit objektseitigen Konkavflächen. Diese vier Linsen sind bezüglich einer zwischen den Linsen 22 und 23 liegenden Symmetrieebene 9 hinsichtlich Linsentyp (Meniskuslinse oder Bikonkavlinse) und Krümmungsrichtung der optischen Flächen spiegelsymmetrisch aufgebaut. Zusammen mit den letzten beiden Linsen 19, 20 der zweiten Linsengruppe und den ersten beiden Linsen 25, 26 der darauffolgenden vierten Linsengruppe LG4 ist eine Reihenfolge von zwei sammelnden Menisken 19, 20 und einem zerstreuenden Meniskus 21 gegeben, die alle drei der Taille bzw. der Symmetrieebene 9zugewandte, konkave Flächen haben. In entgegengesetzter, gespiegelter Richtung, d. h. auf der Bildseite der Symmetrieebene 9, folgen auf die beiden bikonkaven Negativlinsen 22, 23 in der Taille, also auf den Bereich kleinster Durchmesser, wieder ein zerstreuender Meniskus 24 und zwei sammelnde Menisken 25, 26 der vierten Linsengruppe. Dieser zur Symmetrieebene 9 spiegelsymmetrische Aufbau unterstützt eine geringe Anspannung bzw. eine geringe Flächenbelastung der optischen Flächen und damit geringe Abberationen.
  • Die dritte Linsengruppe enthält mit der Austrittsfläche der kleinsten Linse 22 und der Austrittsfläche der Negativ-Meniskuslinse 24 zwei Asphären, die wesentlich zur Korrektion der Koma und des Astigmatismus beitragen.
  • Die vierte Linsengruppe LG4 umfasst an ihrer Eintrittsseite zwei zur Objektebene konkave Positiv-Meniskuslinsen 25, 26, auf die zwei Doubletts 27, 28 sowie 29, 30 folgen. Jedes der Doubletts hat objektseitig eine sammelnde Bikonvexlinse 27 bzw. 29 und dahinter einen zerstreuenden Meniskus 28 bzw. 30, deren konkave Flächen zur Objektebene zeigen. Die beiden sphärisch stark überkorrigierten, zerstreuenden Menisken 28 (f' = -728 mm) und 30 (f' = -981 mm) wirken den stark unterkorrigierenden, sammelnden Linsen der hinter der Systemblende 5 folgenden fünften Linsengruppe LG5 entgegen. Die Kombination der sammelnden Bikonvexlinse und des zerstreuenden Meniskus innerhalb eines Doubletts wirkt sich sehr positiv auf die Korrektion von Bildfehlern im Bereich des zweiten Bauches 8 aus. Die beiden Menisken 28, 30, insbesondere der dicke Meniskus 28, wirken mit ihrer starken Überkorrektur des tangentialen Astigmatismus der Unterkorrektur in der fünften Linsengruppe LG5 entgegen.
  • Die hinter der Systemblende 5 liegende fünfte Linsengruppe LG5 ist im wesentlichen für die Erzeugung der hohen numerischen Apertur verantwortlich. Dazu sind ausschließlich sammelnde Linsen vorgesehen, nämlich eine im Bereich der Systemblende 5 angeordnete Positiv- Meniskuslinse 31 mit bildwärts konkaven Flächen, eine darauf folgende bikonvexe Positivlinse 32 mit schwach gekrümmter Eintrittsseite und stärker gekrümmter Austrittsseite, eine darauf folgende Positiv- Meniskuslinse 23 mit bildwärts konkaven Flächen, eine weitere Positiv- Meniskuslinse 24 ebenfalls mit bildwärts konkaven Flächen sowie eine abschließende Plankonvexlinse 35 mit einer sphärischen Eintrittsseite und einer ebenen Austrittsseite. Die Positivlinsen 31, 32, 33 und 34 sind sphärisch stark unterkorrigiert und betreffend der Koma überkorrigiert. Die Korrektion der sphärischen Abberation und der Koma wird bei diesem Design somit im wesentlichen im Zusammenhang mit der Gestaltung der vor der Systemblende 5 liegenden vierten Linsengruppe LG4 realisiert, die einen entsprechenden Vorhalt dieser Abberationen schafft. Somit sind die vierte Linsengruppe LG4 und die fünfte Linsengruppe LG5 in Kombination für die Erzielung eines guten Korrektionszustandes der sphärischen Abberation und von Koma zuständig. Eine asphärische Fläche auf der Eintrittsseite der Bikonvexlinse 27 des ersten Doubletts unterstützt wesentlich die Korrektion der sphärischen Abberation, aber auch der Koma dritter Ordnung. Eine in der Nähe der Systemblende 5 angeordnete asphärische Fläche auf der Austrittsseite der objektwärts konvexen Positiv-Meniskuslinse 31 am Eingang der fünften Linsengruppe LG5 korrigiert vorrangig Abberationen höherer Ordnung und trägt dabei wesentlich zum Einstellen eines guten Abberationskompromisses bei. Einen ebenfalls positiven Einfluss auf die Korrektion von Öffnungsfehler und Koma hat die sphärische, konvexe Eintrittsfläche der Plankonvexlinse 35. Diese ist sphärisch überkorrigiert und betreffs Koma unterkorrigiert.
  • Das System hat einen bildseitigen Arbeitsabstand von ca. 8,4 mm, der durch eine Immersionsflüssigkeit 10 ausgefüllt werden kann. Als Immersionsflüssigkeit kann bei 193 nm beispielsweise deionisiertes Wasser (Brechungsindex n = 1,47) oder eine andere geeignete transparente Flüssigkeit verwendet werden.
  • Der Korrektionszustand des optischen Systems 1 ist ausgezeichnet. Alle Abberationen sind korrigiert. Der RMS-Wert der Wellenfrontdeformation ist mit 4 mλ sehr gering. Die Verzeichnung liegt für alle Feldpunkte im Bereich unterhalb von 1 nm. Damit ist ein Projektionsobjektiv geschaffen, das bei einer Arbeitswellenlänge von 193 nm arbeitet, mit Hilfe konventioneller Techniken für Linsenherstellung und Beschichtung hergestellt werden kann und eine Auflösung von Strukturen deutlich unterhalb 100 nm erlaubt.
  • Durch den Einsatz einer homogenen Immersion ist der beschriebene Aufbau grundsätzlich auch zur Nahfeld-Lithographie geeignet. Hierzu ist die abschließende Plankonvexlinse 35 mit der Immersionsschicht 10 zu einer Linse zusammenzufassen, die z. B. aus synthetischem Quarzglas bestehen kann. Um eine Einkopplung von ausreichend Lichtenergie des evaneszenten Feldes zu ermöglichen, sollte in diesem Fall der Arbeitsabstand zwischen der Austrittsfläche des Projektionsobjektivs und der Bildebene im Bereich von 100 nm oder darunter liegen.
  • In Tabelle 1 ist die Spezifikation des Designs in bekannter Weise in tabellarischer Form zusammengefasst. Dabei gibt Spalte 1 die Nummer einer brechenden oder auf andere Weise ausgezeichneten Fläche, Spalte 2 den Radius r der Fläche (in mm), Spalte 3 den als Dicke bezeichneten Abstand d der Fläche zur nachfolgenden Fläche (in mm), Spalte 4 das Material der optischen Komponenten und Spalte 5 die Brechzahl bzw. den Brechungsindex des Materials des Bauelementes an, welches der Eintrittsfläche folgt. In Spalte 6 sind die nutzbaren, freien Radien bzw. der halbe freie Durchmesser der Linsen (in mm) angegeben.
  • Bei der Ausführungsform sind sechs der Flächen, nämlich die Flächen 4, 6, 15, 29, 34 und 44 asphärisch. Tabelle 2 gibt die entsprechenden Asphärendaten an, wobei sich die asphärischen Flächen nach folgender Vorschrift berechnen:

    p(h) = [((1/r)h2)/(1 + SQRT(1 - (1 + K)(1/r)2h2)] + C1.h4 + C2.h6 + . . .
  • Dabei gibt der Kehrwert (1/r) des Radius die Flächenkrümmung und h den Abstand eines Flächenpunktes von der optischen Achse an. Somit gibt p(h) die sogenannten Pfeilhöhe, d. h. den Abstand des Flächenpunktes vom Flächenscheitel in z-Richtung, d. h. in Richtung der optischen Achse. Die Konstanten K, C1, C2, . . . sind in Tabelle 2 wiedergegeben.
  • Das mit Hilfe dieser Angaben reproduzierbare optische System 1 ist für eine Arbeitswellenlänge von ca. 193 nm ausgelegt, bei der das für alle Linsen verwendete, synthetisches Quarzglas einen Brechungsindex n = 1,56029 hat. Die bildseitige numerische Apertur beträgt 1,1. Das System ist auf einen Brechungsindex des Immersionsmediums 10 von n = 1,56 angepasst, der eine nahezu ideal Einkopplung des Lichtes in die Immersionsschicht 10 erlaubt. Das Objektiv hat eine Baulänge (Abstand zwischen Bildebene und Objektebene) von 1162 mm. Bei einer Bildgröße von 22 mm wird ein Lichtleitwert (Produkt aus numerischer Apertur und Bildgröße) von 24,1 mm erreicht.
  • Anhand von Fig. 2 wird eine Variante des in Fig. 1 gezeigten Projektionsobjektiv erläutert. Linsen bzw. Linsengruppen gleichen Typs bzw. gleicher Funktion werden aus Gründen der Übersichtlichkeit mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet. Das System 1' ist für eine Brechzahl des Immersionsmediums von n = 1,37 optimiert, was einem aus der Literatur bekannt gewordenen Wert für die Brechzahl eines Immersionsfluides auf Basis von Perfluorpolyether (PFPE) bei (157 nm) entspricht.
  • Ein Unterschied zum Design gemäß Fig. 1 besteht in der vierten und der fünften Linsengruppe. In LG4 ist die dicke Meniskuslinse 28 des ersten Doubletts in Fig. 1 aufgespalten in eine objektseitige, bikonkav Negativlinse 28' mit einer nur schwach gekrümmten Austrittsseite und eine nachfolgende bikonvexe Positivlinse 28" mit einer entsprechend nur schwach gekrümmten Eintrittsseite. Diese Aufspaltung vermindert weiter die Flächenbelastung der optischen Flächen in diesem Bereich. Im Luftraum zwischen den nachfolgenden Linsen 29, 30 vor der objektwärts, konkaven Eintrittsfläche des Meniskus 30 verläuft der Randstrahl der Abbildung konvergent. In der fünften Linsengruppe LG5 sind die beim Design in Fig. 1 getrennten, eintrittsseitigen Linsen 31, 32 hinter der Systemblende 5 zu einer einzigen, bikonvexen Positivlinse 32' zusammengefasst. Diese liegt mit Abstand hinter der Systemblende 5, die besonders gut zugänglich ist. Eine weitere Besonderheit besteht darin, dass die Systemblende 5 zwischen einer bildnahen Ebene maximalen Strahldurchmessers und der Bildebene 3 hegt, also dort, wo der durchstrahlte Durchmesser der Linsen zur Bildebene hin bereits abnimmt. Die anderen Linsen entsprechen hinsichtlich Typ und Reihenfolge der Linsen gleicher Bezugszeichen in Fig. 1. Auch bei diesem Design bestehen alle Linsen als synthetischem Quarzglas. Die Spezifikation dieses Designs in der beschriebenen Notation ist in Tabellen 3 und 4 angegeben.
  • In Fig. 3 ist eine für eine Arbeitswellenlänge von 157 nm ausgelegte dritte Ausführungsform eines Projektionsobjektivs 1" gezeigt, deren Spezifikation in Tabelle 5 und 6 angegeben ist. An der Abfolge und der Art der Linsen ist zu erkennen, dass das Design auf dem anhand von Fig. 1 und 2 erläuterten Designprinzip beruht, so dass für Linsen bzw. Linsengruppen entsprechender Funktion die gleichen Bezugszeichen verwendet werden. Wie bei der Ausführungsform gemäß Fig. 1 ist vor der ersten, bikonkaven Negativlinse 11 des Objektivs kein weiteres optisches Element angeordnet. Wie bei der Ausführungsform gemäß Fig. 2 ist in der vierten Linsengruppe LG4 die in Fig. 1 noch einstückige, dicke Meniskuslinse 28 aufgespalten in eine bikonkave Negativlinse 28' und eine unmittelbar folgende bikonvexe Positivlinse 28". Ebenfalls wie bei der Ausführungsform gemäß Fig. 2 wird die Funktion der eintrittsseitigen Linsen 31, 32 der Ausführungsform gemäß Fig. 1 durch eine einzige, bikonvexe Positivlinse 32' übernommen, welche die Strahlzusammenführung zur Bildebene hin einleitet. Ähnlich wie bei der Ausführungsform gemäß Fig. 2 liegt die Systemblende 5 innerhalb des zweiten Bauches 8 hinter dem Bereich maximalen Strahldurchmessers, also dort, wo der Strahldurchmesser zu Bildebene bereits wieder abnimmt.
  • Als Brechzahl für das Immersionsmedium ist n = 1,37 angesetzt, was einem aus der Literatur bekannt gewordenen Wert für eine bei 157 nm ausreichend transparente Immersionsflüssigkeit auf Basis von PFPE entspricht. Der bildseitige Arbeitsabstand ist auf ca. 50 µm eingestellt, was im praktischen Einsatz der Dicke der Immersionsschicht entspricht. Es ist davon auszugehen, dass geeignete Immersionsflüssigkeiten bei dieser geringen Dicke noch hohe Transmissionswerte von mehr als 90% aufweisen, so dass im Bereich der Immersion nur vernachlässigbare, geringe Transmissionsverluste auftreten, was für die Erzielung eines ausreichenden Waferdurchsatzes günstig ist. Mit diesem rein refraktiven, mit konventionellen Mitteln realisierbaren Projektionsobjektiv hervorragenden Korrekturzustandes sind Strukturbreiten von weniger als 70 nm auflösbar.
  • Die Tabellen 7 und 8 zeigen die Spezifikation einer bildlich nicht dargestellten Ausführungsform eines Projektionsobjektivs, welches aus der Ausführungsform gemäß Fig. 3 abgeleitet ist und sich von dieser im wesentlich dadurch unterscheidet, dass die dortige, objektwärts konkave, dicke Meniskuslinse 17 durch eine dünnere, in gleicher Richtung gekrümmte Meniskuslinse ersetzt ist. Ein Vergleich von Tabellen 5 und 6 zeigt, dass hierdurch eine noch kompaktere Bauweise mit geringeren Linsendurchmessern und geringerer Baulänge bei unverändert guten optischen Eigenschaften möglich ist.
  • In Fig. 4 ist eine für eine Arbeitswellenlänge von 193 nm ausgelegte vierte Ausführungsform eines Projektionsobjektivs 1''' gezeigt, deren Spezifikation in Tabellen 9 und 10 angegeben ist. Diese Ausführungsform hat einen Abbildungsmaßstab von 4 : 1 und eine bildseitige numerische Apertur NA = 0,9. Ein Vergleich zu den übrigen Ausführungsformen zeigt, dass bei gleichem optischen Grundprinzip weniger Linsenmaterial benötigt wird. Es sind nur 23 anstatt 25 Linsen, wie bei den anderen Ausführungsformen, erforderlich, außerdem sind die mittleren und maximalen Linsendurchmesser kleiner als bei den vorhergehenden Ausführungsformen. Insbesondere sind in der zweiten Linsengruppe LG2 nur drei objektwärts konkave Menisken 14, 15, 16 vorgesehen, eine den Menisken 17 der anderen Ausführungsformen entsprechende Linse fehlt. In der vierten Linsengruppe LG4 ist im Unterschied zu den anderen Ausführungsformen nur ein Doublett 27, 28 vorgesehen, so dass auch in dieser Linsengruppe eine Linse eingespart wird. Der symmetrische Aufbau der dritten Linsegruppe LG3 und der daran angrenzenden Linsenpaar 19, 20 der zweiten Linsengruppe und 25, 26 der vierten Linsengruppe entspricht demjenigen der anderen Ausführungsformen. Die Ausführungsform gemäß Fig. 4 belegt, dass auch Lösungen für größere Abbildungsmaßstäbe und größere Felder im Rahmen der Erfindung konstruktiv günstig realisiert werden können.
  • Der Korrektionszustand aller gezeigten Ausführungsformen ist ausgezeichnet. Alle Aberrationen sind korrigiert. Der maximale RMS-Wert der Wellenfrontdeformation ist sehr gering und liegt bei den Ausführungsformen gemäß Fig. 1 und 2 unterhalb 4,5 mλ, bei der Ausführungsform gemäß Tabellen 7 und 8 unterhalb 6,5 mλ und bei der Ausführungsform gemäß Fig. 4 unterhalb 5,2 mλ. Die Verzeichnung liegt bei allen Systemen für alle Feldpunkte im Bereich unterhalb von 1 nm.
  • Anhand der Beispiele ist für den Fachmann erkennbar, dass zahlreiche Abwandlungen der Designs im Rahmen der Erfindung möglich sind. Beispielsweise können einzelne Linsen in zwei oder mehr gesonderte Linsen aufgespalten werden oder es können getrennte Linsen zu einer einzigen Linse im wesentlichen gleicher Funktion zusammengefasst werden.
  • Es sind auch Ausführungsformen mit zwei oder mehr Linsenmaterialien möglich. Beispielsweise kann bei Ausführungsformen für 193 nm eine Kombination von Linsen aus synthetischem Quarzglas und Kalziumfluorid vorgesehen sein, um die chromatische Korrektion zu erleichtern und um in Bereichen großer Strahlungsenergiedichten durch Platzierung von Kalziumfluoridlinsen Brechzahländerungen aufgrund von Compaction zu vermeiden. Auch der Einsatz anderer, für das verwendete Ultraviolettlicht transparenter Materialien wie Bariumfluorid, Natriumfluorid, Lithiumfluorid, Strontiumfluorid, Magnesiumfluorid oder dergleichen ist möglich.
  • Unter Nutzung wesentlicher Gestaltungsmerkmale der hier dargestellten Ausführungsformen, insbesondere im bildnahen Bereich des zweiten Bauches und der Aperturblende, können auch katadioptrische Systeme für die Immersions-Lithographie aufgebaut werden.
  • Die anhand verschiedener Ausführungsbeispiele erläuterte technische Lehre der Erfindung zeigt, dass eine Reihe von konstruktiven Randbedingungen berücksichtigt werden sollten, wenn ein für die Immersions- Lithographie geeignetes optisches System, insbesondere ein solches mit kompakter Bauweise, konstruiert werden soll. Die folgenden Merkmale können einzeln oder in Kombination förderlich sein. Günstig sind Immersionsobjektive, bei denen der Bildfelddurchmesser größer als ca. 1%, insbesondere größer als ca. 1,5% der Baulänge ist. Günstige Lichtleitwerte (Produkt aus Bildfelddurchmesser und numerischer Apertur) liegen im Bereich oberhalb von 1%, insbesondere oberhalb von 2% der Baulänge. Günstig sind vier oder mehr Sammellinsen zwischen Aperturblende und Bildebene, wobei in diesem Bereich vorzugsweise nur Sammellinsen vorgesehen sind. In der zweiten Linsengruppe sind vorzugsweise mehr als vier, fünf oder sechs aufeinander folgende Sammellinsen günstig. Dabei sind vorzugsweise im Eintrittsbereich der zweiten Linsengruppe zwei oder mehr sammelnde Menisken mit objektseitiger Konkavfläche und am Ende der zweiten Linsengruppe zwei oder mehr sammelnde Menisken mit bildwärts konkaven Flächen günstig. Im Bereich des ersten Bauches bzw. der zweiten Linsengruppe ist eine starke Strahlaufweitung förderlich, bei der der maximale Strahldurchmesser vorzugsweise mehr als das 1,8-fache, insbesondere mehr als das 2-fach des Objektfelddurchmessers beträgt. Der maximale Linsendurchmesser in der zweiten Linsengruppe kann etwa das Doppelte des minimalen freien Linsendurchmessers der dritten Linsengruppe im Bereich der Einschnürung betragen. Der maximale Linsendurchmesser im der Einschnürung nachfolgenden zweiten Bauch liegt bevorzugt in der gleichen Größenordnung und kann insbesondere größer als das Doppelte des minimalen freien Durchmessers in dritten Linsengruppe betragen. Im Bereich der dritten Linsengruppe, d. h. im Bereich der Taille des Systems, stehen sich bevorzugt zwei konkave Flächen direkt gegenüber und werden von zwei im gleichen Sinne gekrümmten Flächen eingeschlossen. Auch die jeweils objektwärts und bildwärts anschließenden Linsen sind vorzugsweise in dieser Weise symmetrisch ausgebildet und angeordnet.
  • Es können besondere Linsenverteilungen günstig sein. Insbesondere ist es günstig, wenn deutlich mehr Linsen vor der Systemblende liegen als hinter der Blende. Bevorzugt beträgt die Zahl der Linsen vor der Blende mindestens das Vierfache, insbesondere mehr als das Fünffache der Zahl der Linsen hinter der Systemblende. Zwischen dem Bereich engster Einschürung und der Systemblende bzw. Aperturblende sind bevorzugt fünf oder mehr Sammellinsen angeordnet, der axiale Abstand zwischen dem Bereich engster Einschnürung und der außergewöhnlich bildnah angeordneten Aperturblende beträgt günstigerweise mindestens 26%, gegebenenfalls mehr als 30% oder 35% der Baulänge der Projektionsobjektive.
  • Weitere Besonderheiten betreffenden den Verlauf und die Verhältnisse zwischen Hauptstrahlen und Randstrahlen der Abbildung. Als Hauptstrahl wird hier ein Strahl bezeichnet, der von einem Randpunkt des Objektfeldes parallel oder im spitzen Winkel zur optischen Achse verläuft und die optische Achse im Bereich der Systemblende schneidet. Ein Randstrahl im Sinne der vorliegenden Anmeldung führt von der Mitte des Objektfeldes zum Rand der Aperturblende. Der senkrechte Abstand dieser Strahlen zur optischen Achse ergibt die entsprechende Strahlhöhe. Es kann günstig sein, wenn die Hauptstrahlhöhe dem Betrag nach bis zum Ende der zweiten Linsengruppe größer ist als die Randstrahlhöhe, wobei sich dieses Verhältnis vorzugsweise erst im Bereich der dritten Linsengruppe umkehrt. Die maximale Randstrahlhöhe beträgt vorzugsweise mehr als das Doppelte, insbesondere mehr als das 2,3- bis 2,5-fache der Randstrahlhöhe im Bereich der engsten Einschürung innerhalb der dritten Linsegruppe. Günstig ist es, wenn der Durchmesser des Randstrahles im Bereich zwischen vierter und fünfter Linsengruppe, d. h. im Bereich der Systemblende klein gehalten wird. Dies entspricht einer möglichst kleinen Brennweite der der Systemblende folgenden fünften Linsengruppe. Die Brennweite der fünften Linsengruppe ist vorzugsweise kleiner als 15%, insbesondere kleiner als 10% der Baulänge. Bevorzugte Systeme sind doppeltelezentrisch, so dass der Hauptstrahl sowohl auf der Objektebene als auch auf der Bildebene im wesentlichen senkrecht steht. Bei bevorzugten Systemen sollte der vom Objektfeld kommende Hauptstrahl noch nach mindestens fünf Linsen einen divergenten Verlauf haben, also einen Verlauf mit noch steigender Hauptstrahlhöhe weg von der optischen Achse. Günstig ist weiterhin, wenn der Sinus des maximalen Hauptstrahldivergenzwinkels im objektnahen Objektivbereich mehr als 50% der objektseitigen numerischen Apertur beträgt. Im objektnahen Bereich, in welchem die Randstrahlhöhe größer als die Hauptstrahlhöhe ist, sind vorzugsweise mehrere asphärische Flächen vorgesehen, um einen günstigen Korrekturzustand zu fördern.
  • Die Erfindung betrifft auch eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, die sich dadurch auszeichnet, dass sie ein refraktives Projektionsobjektiv gemäß der Erfindung enthält. Die Projektionsbelichtungsanlage hat vorzugsweise auch Einrichtungen, um zwischen der letzten optischen Fläche des Projektionsobjektivs und dem zu belichtenden Substrat ein Immersionsmedium, beispielsweise eine Flüssigkeit geeigneter Brechzahl, einzubringen und zu halten. Umfasst ist auch ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und anderen fein strukturierten Bauteilen, bei dem ein Bild eines in der Objektebene eines Projektionsobjektives angeordneten Musters im Bereich der Bildebene abgebildet wird, wobei ein zwischen dem Projektionsobjektiv und dem zu belichtenden Substrat angeordnetes, für Licht der Arbeitswellenlänge transparentes Immersionsmedium durchstrahlt wird. Tabelle 1

    Tabelle 2

    Tabelle 3

    Tabelle 4

    Tabelle 5

    Tabelle 6

    Tabelle 7

    Tabelle 8

    Tabelle 9

    Tabelle 10

Claims (36)

1. Refraktives Projektionsobjektiv zur Abbildung einer in einer Objektebene des Projektionsobjektivs angeordneten Musters in eine Bildebene des Projektionsobjektivs mit Hilfe eines Immersionsmediums, welches zwischen einem letzten optischen Element des Projektionsobjektives und der Bildebene angeordnet ist, mit:
einer auf die Bildebene folgenden ersten Linsengruppe (LG1) mit negativer Brechkraft;
einer auf die erste Linsengruppe folgende zweite Linsengruppe (LG2) mit positiver Brechkraft;
einer auf die zweite Linsengruppe folgende dritte Linsengruppe (LG3) mit negativer Brechkraft;
einer auf die dritte Linsengruppe folgende vierte Linsengruppe (LG4) mit positiver Brechkraft;
einer auf die vierte Linsengruppe folgende fünfte Linsengruppe (LG5) mit positiver Brechkraft; sowie
einer Systemblende (5), die im Bereich maximaler Strahldurchmesser zwischen der vierten und der fünften Linsengruppe angeordnet ist.
2. Projektionsobjektiv nach Anspruch 1, bei dem die Systemblende (5) zwischen einer bildnahen Ebene maximalen Strahldurchmessers und der Bildebene (3) liegt.
3. Projektionsobjektiv nach Anspruch 1 oder 2, das eine bildseitige numerische Apertur NA ≥ 0,9 hat, wobei die bildseitige numerische Apertur vorzugsweise mindestens NA = 1,0 beträgt.
4. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Projektionsobjektiv an ein Immersionsmedium (10) angepasst ist, welches bei der Arbeitswellenlänge einen Brechungsindex n > 1,3 hat.
5. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Projektionsobjektiv einen bildseitigen Arbeitsabstand zwischen ca. 10 µm und ca. 200 µm hat, insbesondere zwischen ca. 20 µm und ca. 100 µm.
6. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem ein Verhältnis zwischen der Brennweite der vierten Linsengruppe (LG4) und der Brennweite der fünften Linsengruppe (LG5) zwischen ca. 0,9 und ca. 1,1 liegt.
7. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem ein Verhältnis der Beträge der Brennweiten der ersten Linsengruppe (LG1) und der fünften Linsengruppe (LG5) zwischen ca. 0,7 und ca. 1,3, insbesondere zwischen ca. 0,9 und ca. 1,1 liegt.
8. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem ein Verhältnis zwischen der Baulänge des Projektionsobjektivs und der Brennweite der fünften Linsengruppe (LG5) größer als fünf, vorzugsweise größer als sechs, insbesondere größer als acht ist.
9. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die erste Linsengruppe (LG1) mindestens eine asphärische Fläche enthält, wobei in der ersten Linsengruppe vorzugsweise zwei asphärische Flächen vorgesehen sind.
10. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem in der dritten Linsengruppe (LG3) mindestens eine asphärische Fläche vorgesehen ist, wobei vorzugsweise zwei asphärische Flächen vorgesehen sind.
11. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem in jeder Linsengruppe mindestens eine asphärische Fläche angeordnet ist und/oder bei dem nicht mehr als neun asphärische Flächen vorgesehen sind, wobei vorzugsweise weniger als sieben asphärische Flächen vorgesehen sind.
12. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem im Nahbereich der Objektebene (2), insbesondere innerhalb der ersten Linsengruppe (LG1), mindestens eine zur Objektebene konvexe Meniskuslinse (13) mit negativer Brechkraft angeordnet ist.
13. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die zweite Linsengruppe mindestens vier, vorzugsweise mindestens fünf oder sechs aufeinander folgende Linsen (14 bis 20) mit positiver Brechkraft aufweist.
14. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die zweite Linsengruppe (LG2) auf einer der Objektebene (2) zugewandten Eintrittsseite mindestens eine, vorzugsweise mehrere zur Objektebene konkave Meniskuslinsen (14, 15, 16, 17) mit positiver Brechkraft aufweist und/oder wobei die zweite Linsengruppe an der der Bildebene zugewandten Austrittsseite mindestens eine, vorzugsweise mehrere zur Objektebene konvexe Meniskuslinsen (19, 20) mit positiver Brechkraft aufweist.
15. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die zweite Linsengruppe (LG2) in dieser Reihenfolge mindestens eine zur Objektebene konkave Meniskuslinse (14, 15, 16, 17) mit positiver Brechkraft, eine bikonvexe Positivlinse (18) und mindestens eine zur Bildebene konkave Meniskuslinse (19, 20) mit positiver Brechkraft aufweist.
16. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die dritte Linsengruppe (LG3) nur Linsen (21, 22, 23, 24) mit negativer Brechkraft aufweist.
17. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die dritte Linsengruppe (LG3) in Bezug auf eine innerhalb der dritten Linsengruppe liegende Symmetrieebene (9) einen im wesentlichen symmetrischen Aufbau hat und/oder bei dem sich in der dritten Linsengruppe (LG3) zwei gegenläufig gekrümmte, konkave Flächen direkt gegenüberstehen und von zwei konkav zueinander stehenden konkaven Flächen umschlossen sind.
18. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem ein der dritten Linsengruppe (LG3) zugewandter Austrittsbereich der zweiten Linsengruppe (LG2) und ein der dritten Linsengruppe folgender Eintrittsbereich der vierten Linsengruppe (LG4) im wesentlichen symmetrisch zu einer innerhalb der dritten Linsengruppe liegenden Symmetrieebene (9) ausgebildet sind.
19. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die vierte Linsengruppe (LG4) mindestens ein Doublett (27, 28, 29, 30) mit einer bikonvexen Positivlinse (27, 29) und einer nachfolgenden Negativ-Meniskuslinse (28, 30) mit objektwärts konvexen Linsenflächen aufweist, wobei vorzugsweise mindestens zwei Doubletts vorgesehen sind.
20. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die vierte Linsengruppe (LG4) in einem objektseitigen Eintrittsbereich mindestens eine zur Objektebene (2) konkave Meniskuslinse (25, 26) mit positiver Brechkraft aufweist, wobei vorzugsweise aufeinanderfolgend mehrere derartige Meniskuslinsen vorgesehen sind.
21. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Sinus des maximalen Einfallswinkels der auf optische Flächen auffallenden Strahlung weniger als 90%, insbesondere weniger als 85% der bildseitigen numerischen Apertur beträgt.
22. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die fünfte Linsengruppe (LG5) ausschließlich Linsen mit positiver Brechkraft aufweist.
23. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die fünfte Linsengruppe mindestens vier Positivlinsen (31 bis 35) hat.
24. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die fünfte Linsengruppe (LG5) mindestens eine Meniskuslinse (33, 34) mit positiver Brechkraft und bildwärts konkaven Linsenflächen aufweist.
25. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die fünfte Linsengruppe (LG5) als letztes optisches Element eine Plankonvexlinse (35) aufweist, die vorzugsweise eine sphärische Eintrittsfläche und ein im wesentlichen ebene Austrittsfläche hat.
26. Projektionsobjektiv nach Anspruch 25, bei dem die Plankonvexlinse (35) nicht-hemisphärisch ausgebildet ist.
27. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem alle Linsen aus dem gleichen Material bestehen, wobei vorzugsweise als Linsenmaterial für 193 nm Arbeitswellenlänge synthetisches Quarzglas und/oder als Linsenmaterial für 157 nm Wellenlänge Kalziumfluorid verwendet wird.
28. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei es sich um ein Ein-Taillen-System mit einem objektnahen Bauch (6), einem bildnahen Bauch (8) und einer dazwischenliegenden Taille (7) handelt.
29. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Bildfelddurchmesser mehr als 10 mm beträgt, insbesondere mehr als 20 mm und/oder bei dem der Bildfelddurchmesser mehr als 1,0%, insbesondere mehr als 1,5% der Baulänge beträgt.
30. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Lichtleitwert mehr als ca. 1%, insbesondere mehr als ca. 2% der Baulänge beträgt.
31. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem vor der Systemblende (5) deutlich mehr Linsen angeordnet sind als hinter der Systemblende, vorzugsweise mindestens viermal so viele.
32. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem zwischen der Taille und der Systemblende (5) mindestens fünf Linsen mit positiver Brechkraft angeordnet sind.
33. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem bei dem ein Abstand zwischen der Taille und der Systemblende mindestens 26% der Baulänge beträgt, vorzugsweise mehr als 30% der Baulänge.
34. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine maximale Randstrahlhöhe mindestens doppelt so groß ist wie die Randstrahlhöhe am Ort der engsten Einschnürung.
35. Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, gekennzeichnet durch ein refraktives Projektionsobjektiv (1, 1', 1") gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche.
36. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und anderen fein strukturierten Bauteilen mit folgenden Schritten:
Bereitstellung einer Maske mit einem vorgegebenen Muster;
Beleuchtung der Maske mit Ultraviolettlicht einer vorgegebenen Wellenlänge;
Projektion eines Bildes des Musters auf ein im Bereich der Bildebene eines Projektionsobjektivs angeordnetes, lichtempfindliches Substrat mit Hilfe eines Projektionsobjektivs gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 34;
wobei bei der Projektion ein zwischen einer letzten optischen Fläche des Projektionsobjektives und dem Substrat angeordnetes Immersionsmedium durchstrahlt wird.
DE2002110899 2002-03-08 2002-03-08 Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie Withdrawn DE10210899A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2002110899 DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2002-03-08 Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie

Applications Claiming Priority (16)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2002110899 DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2002-03-08 Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
AU2002312872A AU2002312872A1 (en) 2002-03-08 2002-05-03 High-aperture projection lens
PCT/EP2002/004846 WO2003077036A1 (de) 2002-03-08 2002-05-03 Projektionsobjektiv höchster apertur
EP20020738025 EP1483625A1 (de) 2002-03-08 2002-05-03 Projektionsobjektiv höchster apertur
JP2003575189A JP2005519347A (ja) 2002-03-08 2002-05-03 最大開口型の投影対物レンズ
CN 03805575 CN100573222C (zh) 2002-03-08 2003-02-26 用于浸液式光刻的折射投影物镜
AU2003221490A AU2003221490A1 (en) 2002-03-08 2003-02-26 Refractive projection objective for immersion lithography
EP20030717197 EP1485760A1 (de) 2002-03-08 2003-02-26 Refraktives projektionsobjektiv für die immersionslithographie
JP2003575190A JP2005519348A (ja) 2002-03-08 2003-02-26 液浸リソグラフィ用の屈折投影対物レンズ
KR20047014023A KR100991590B1 (ko) 2002-03-08 2003-02-26 침지 리소그래피용 굴절 투영 대물렌즈
PCT/EP2003/001954 WO2003077037A1 (en) 2002-03-08 2003-02-26 Refractive projection objective for immersion lithography
US10/379,809 US6891596B2 (en) 2002-03-08 2003-03-06 Refractive projection objective for immersion lithography
US10/886,696 US7092069B2 (en) 2002-03-08 2004-07-09 Projection exposure method and projection exposure system
US10/935,321 US7203008B2 (en) 2002-03-08 2004-09-08 Very high-aperture projection objective
US11/085,602 US7312847B2 (en) 2002-03-08 2005-03-22 Refractive projection objective for immersion lithography
US11/723,441 US7495840B2 (en) 2002-03-08 2007-03-20 Very high-aperture projection objective

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10210899A1 true DE10210899A1 (de) 2003-09-18

Family

ID=27762884

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2002110899 Withdrawn DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2002-03-08 Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie

Country Status (8)

Country Link
US (4) US6891596B2 (de)
EP (2) EP1483625A1 (de)
JP (2) JP2005519347A (de)
KR (1) KR100991590B1 (de)
CN (1) CN100573222C (de)
AU (2) AU2002312872A1 (de)
DE (1) DE10210899A1 (de)
WO (2) WO2003077036A1 (de)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10308610A1 (de) * 2003-02-27 2004-09-16 Carl Zeiss Immersionsflüssigkeit für die Mikroskopie bei Wasserimmersion
WO2005050321A1 (de) * 2003-10-22 2005-06-02 Carl Zeiss Smt Ag Refraktives projektionsobjektiv für die immersions-lithographie
WO2006125617A2 (en) 2005-05-27 2006-11-30 Carl Zeiss Smt Ag Method for improving the imaging properties of a projection objective, and such a projection objective
US7190527B2 (en) 2002-03-01 2007-03-13 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective
US7209292B2 (en) 2002-12-09 2007-04-24 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective, especially for microlithography, and method for adjusting a projection objective
US7463423B2 (en) 2005-06-14 2008-12-09 Carl Zeiss Smt Ag Lithography projection objective, and a method for correcting image defects of the same
US7501367B2 (en) 2005-04-15 2009-03-10 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Optical component of quartz glass, method for producing said component, and method for exposing a substrate

Families Citing this family (252)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7466489B2 (en) 2003-12-15 2008-12-16 Susanne Beder Projection objective having a high aperture and a planar end surface
WO2005059654A1 (en) * 2003-12-15 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Objective as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
JP5106858B2 (ja) * 2003-12-15 2012-12-26 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 高開口数と平面状端面とを有する投影対物レンズ
US7187503B2 (en) 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
JP2005189850A (ja) * 2003-12-15 2005-07-14 Carl Zeiss Smt Ag 液浸リソグラフィー用屈折性投影対物レンズ
US7203007B2 (en) * 2000-05-04 2007-04-10 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure machine comprising a projection lens
KR100866818B1 (ko) * 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
DE10229249A1 (de) 2002-03-01 2003-09-04 Zeiss Carl Semiconductor Mfg Refraktives Projektionsobjektiv mit einer Taille
DE10210899A1 (de) * 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
JP2005536775A (ja) 2002-08-23 2005-12-02 株式会社ニコン 投影光学系、フォトリソグラフィ方法および露光装置、並びに露光装置を用いた方法
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7372541B2 (en) * 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG2010050110A (en) 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI251127B (en) 2002-11-12 2006-03-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101424881B (zh) 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI255971B (en) 2002-11-29 2006-06-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7948604B2 (en) * 2002-12-10 2011-05-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
SG171468A1 (en) 2002-12-10 2011-06-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US7242455B2 (en) * 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
KR101101737B1 (ko) * 2002-12-10 2012-01-05 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
SG2011031200A (en) 2002-12-10 2014-09-26 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus and device manufacturing method
SG158745A1 (en) * 2002-12-10 2010-02-26 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
EP2945184B1 (de) 2003-02-26 2017-06-28 Nikon Corporation Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und verfahren zur herstellung der vorrichtung
KR101181688B1 (ko) 2003-03-25 2012-09-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
DE602004020200D1 (de) 2003-04-07 2009-05-07 Nippon Kogaku Kk Belichtungsgerät und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
EP2270597B1 (de) 2003-04-09 2017-11-01 Nikon Corporation Belichtungsmethode und -apparat sowie Methode zur Herstellung einer Vorrichtung
KR20110104084A (ko) 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
WO2004090633A2 (en) * 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
KR101323993B1 (ko) * 2003-04-10 2013-10-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
KR101178754B1 (ko) 2003-04-10 2012-09-07 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템
CN1771463A (zh) 2003-04-10 2006-05-10 株式会社尼康 用于沉浸光刻装置收集液体的溢出通道
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
AT449982T (de) 2003-04-11 2009-12-15 Nikon Corp Reinigungsverfahren für optik in immersionslithographie
SG10201504396VA (en) 2003-04-11 2015-07-30 Nikon Corp Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly
KR101369582B1 (ko) * 2003-04-17 2014-03-04 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에서 이용하기 위한 오토포커스 소자의 광학적 배열
KR101273713B1 (ko) 2003-05-06 2013-06-12 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US7348575B2 (en) 2003-05-06 2008-03-25 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1624481A4 (de) * 2003-05-15 2008-01-30 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung und verfahren zur bauelementeherstellung
TW201806001A (zh) 2003-05-23 2018-02-16 尼康股份有限公司 曝光裝置及元件製造方法
TWI612557B (zh) * 2003-05-23 2018-01-21 Nikon Corp 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
CN100541717C (zh) 2003-05-28 2009-09-16 株式会社尼康 曝光方法、曝光装置以及器件制造方法
TWI347741B (en) 2003-05-30 2011-08-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261742A3 (de) 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands BV Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
TWI607292B (zh) 2003-06-13 2017-12-01 Nikon Corp Exposure device, exposure method, and device manufacturing method
TWI540612B (zh) 2003-06-19 2016-07-01 尼康股份有限公司 An exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
US6809794B1 (en) * 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP1498778A1 (de) 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1491956B1 (de) 2003-06-27 2006-09-06 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
DE60321779D1 (de) 2003-06-30 2008-08-07 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
EP1494074A1 (de) 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
WO2005006026A2 (en) * 2003-07-01 2005-01-20 Nikon Corporation Using isotopically specified fluids as optical elements
EP2853943B1 (de) 2003-07-08 2016-11-16 Nikon Corporation Waferplatte für die Immersionslithografie
KR101296501B1 (ko) * 2003-07-09 2013-08-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4515385B2 (ja) 2003-07-09 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
CN102944981A (zh) 2003-07-09 2013-02-27 株式会社尼康 曝光装置、器件制造方法
US7738074B2 (en) 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1500982A1 (de) 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
JP4524669B2 (ja) 2003-07-25 2010-08-18 株式会社ニコン 投影光学系の検査方法および検査装置
CN104122760B (zh) 2003-07-28 2017-04-19 株式会社尼康 曝光装置、器件制造方法
EP1503244A1 (de) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8488102B2 (en) * 2004-03-18 2013-07-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7579135B2 (en) * 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7700267B2 (en) * 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
US8149381B2 (en) 2003-08-26 2012-04-03 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
TWI439823B (zh) 2003-08-26 2014-06-01 尼康股份有限公司 Optical components and exposure devices
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261740B1 (de) 2003-08-29 2014-07-09 ASML Netherlands BV Lithographischer Apparat
US7113259B2 (en) * 2003-10-31 2006-09-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101242886B1 (ko) 2003-08-29 2013-03-12 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
WO2005111722A2 (en) 2004-05-04 2005-11-24 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
KR101523180B1 (ko) 2003-09-03 2015-05-26 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
WO2005033800A1 (de) 2003-09-09 2005-04-14 Carl Zeiss Smt Ag Lithographie-objektiv und projektionsbelichtungsanlage mit mindestens einem solchen lithographie-objektiv
WO2005029559A1 (ja) 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
DE60302897T2 (de) 2003-09-29 2006-08-03 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7158211B2 (en) 2003-09-29 2007-01-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN1860585B (zh) * 2003-09-29 2010-04-28 株式会社尼 液浸型透镜系统和投影曝光装置
EP1519230A1 (de) 2003-09-29 2005-03-30 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Methode zur Herstellung einer Vorrichtung
SG2014014971A (en) 2003-09-29 2014-04-28 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US7056646B1 (en) 2003-10-01 2006-06-06 Advanced Micro Devices, Inc. Use of base developers as immersion lithography fluid
ITMI20031914A1 (it) * 2003-10-03 2005-04-04 Solvay Solexis Spa Perfluoropolieteri.
JP2005136364A (ja) * 2003-10-08 2005-05-26 Nikon Corp 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
EP1672682A4 (de) 2003-10-08 2008-10-15 Zao Nikon Co Ltd Substrat-transport-vorrichtung und -verfahren, belichtungs-vorrichtung und -verfahren und bauelementherstellungsverfahren
WO2005036621A1 (ja) 2003-10-08 2005-04-21 Zao Nikon Co., Ltd. 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
TWI376724B (de) 2003-10-09 2012-11-11 Nikon Corp
EP1524557A1 (de) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Methode zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1524558A1 (de) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7411653B2 (en) * 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7352433B2 (en) 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI474132B (zh) 2003-10-28 2015-02-21 尼康股份有限公司 照明光學裝置、投影曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
JP4295712B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置製造方法
TWI512335B (zh) 2003-11-20 2015-12-11 尼康股份有限公司 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101255854B1 (ko) * 2003-12-02 2013-04-17 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 프로젝션 광학 시스템
KR101394764B1 (ko) 2003-12-03 2014-05-27 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품
AT491221T (de) 2003-12-15 2010-12-15 Nikon Corp Bühnensystem, belichtungsvorrichtung und belichtungsverfahren
WO2005057635A1 (ja) * 2003-12-15 2005-06-23 Nikon Corporation 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法
US20070081133A1 (en) * 2004-12-14 2007-04-12 Niikon Corporation Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method
US7460206B2 (en) * 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
JP5102492B2 (ja) * 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
JP4429023B2 (ja) * 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20080151365A1 (en) 2004-01-14 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective
US8208198B2 (en) 2004-01-14 2012-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
CN1938646B (zh) 2004-01-20 2010-12-15 卡尔蔡司Smt股份公司 曝光装置和用于投影透镜的测量装置
TWI259319B (en) 2004-01-23 2006-08-01 Air Prod & Chem Immersion lithography fluids
US20050161644A1 (en) 2004-01-23 2005-07-28 Peng Zhang Immersion lithography fluids
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR20070039869A (ko) * 2004-02-03 2007-04-13 브루스 더블유. 스미스 용액을 사용한 포토리소그래피 방법 및 관련 시스템
KR101227211B1 (ko) 2004-02-03 2013-01-28 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI614795B (zh) 2004-02-06 2018-02-11 尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7326522B2 (en) * 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US20070165198A1 (en) * 2004-02-13 2007-07-19 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
CN100592210C (zh) * 2004-02-13 2010-02-24 卡尔蔡司Smt股份公司 微平版印刷投影曝光装置的投影物镜
US7741012B1 (en) 2004-03-01 2010-06-22 Advanced Micro Devices, Inc. Method for removal of immersion lithography medium in immersion lithography processes
US7215431B2 (en) 2004-03-04 2007-05-08 Therma-Wave, Inc. Systems and methods for immersion metrology
KR101607035B1 (ko) 2004-03-25 2016-04-11 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4510494B2 (ja) * 2004-03-29 2010-07-21 キヤノン株式会社 露光装置
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005098504A1 (en) 2004-04-08 2005-10-20 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
US7317504B2 (en) 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005103788A1 (de) * 2004-04-26 2005-11-03 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zum verbinden eines optischen elements mit einer haltestruktur
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060244938A1 (en) * 2004-05-04 2006-11-02 Karl-Heinz Schuster Microlitographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
KR101639964B1 (ko) 2004-05-17 2016-07-14 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈를 포함하는 투사 노광 시스템
US7616383B2 (en) * 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) * 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050260528A1 (en) * 2004-05-22 2005-11-24 Hynix Semiconductor Inc. Liquid composition for immersion lithography and lithography method using the same
WO2005119369A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection system with compensation of intensity variatons and compensation element therefor
KR101368523B1 (ko) 2004-06-04 2014-02-27 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 광학적 결상 시스템의 결상 품질을 측정하기 위한 시스템
KR101162128B1 (ko) 2004-06-09 2012-07-03 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
EP1768171A4 (de) * 2004-06-10 2008-01-09 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren
US7481867B2 (en) 2004-06-16 2009-01-27 Edwards Limited Vacuum system for immersion photolithography
DE102004031688B4 (de) * 2004-06-30 2006-06-14 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Anpassung von Strukturabmessungen bei der photolithographischen Projektion eines Musters von Strukturelementen auf einen Halbleiterwafer
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101202230B1 (ko) 2004-07-12 2012-11-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7161663B2 (en) 2004-07-22 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7304715B2 (en) 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1626571A1 (de) * 2004-08-13 2006-02-15 SGS-Thomson Microelectronics Limited Bildaufzeichnungskombination
KR20070048164A (ko) 2004-08-18 2007-05-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060044533A1 (en) * 2004-08-27 2006-03-02 Asmlholding N.V. System and method for reducing disturbances caused by movement in an immersion lithography system
US7301707B2 (en) * 2004-09-03 2007-11-27 Carl Zeiss Smt Ag Projection optical system and method
US7529030B2 (en) * 2004-09-06 2009-05-05 Olympus Corporation Optical apparatus with optical element made of a medium exhibiting negative refraction
US7133114B2 (en) 2004-09-20 2006-11-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060060653A1 (en) * 2004-09-23 2006-03-23 Carl Wittenberg Scanner system and method for simultaneously acquiring data images from multiple object planes
US7522261B2 (en) 2004-09-24 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7355674B2 (en) 2004-09-28 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product
JP2008516420A (ja) * 2004-10-05 2008-05-15 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー マイクロリソグラフィ投影露光装置
US7894040B2 (en) 2004-10-05 2011-02-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7209213B2 (en) 2004-10-07 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7508488B2 (en) 2004-10-13 2009-03-24 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure system and method of manufacturing a miniaturized device
US7119876B2 (en) 2004-10-18 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7379155B2 (en) 2004-10-18 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7128427B2 (en) * 2004-11-05 2006-10-31 Sematech, Inc. Method and apparatus for fluid handling in immersion lithography
JP4868209B2 (ja) * 2004-11-10 2012-02-01 株式会社ニコン 投影光学系、露光装置、および露光方法
TW200616043A (en) * 2004-11-10 2006-05-16 Nikon Corp Optical projection system, exposure apparatus, exposure method and method of fabricating devices
US7414699B2 (en) * 2004-11-12 2008-08-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7423720B2 (en) 2004-11-12 2008-09-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7251013B2 (en) 2004-11-12 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7583357B2 (en) * 2004-11-12 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7145630B2 (en) 2004-11-23 2006-12-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7161654B2 (en) 2004-12-02 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7248334B2 (en) 2004-12-07 2007-07-24 Asml Netherlands B.V. Sensor shield
US7397533B2 (en) * 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7365827B2 (en) 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7508489B2 (en) 2004-12-13 2009-03-24 Carl Zeiss Smt Ag Method of manufacturing a miniaturized device
US7403261B2 (en) 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) * 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006069795A2 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Projection optical system
SG124351A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE602006012746D1 (de) 2005-01-14 2010-04-22 Asml Netherlands Bv Lithografische Vorrichtung und Herstellungsverfahren
US20060158615A1 (en) * 2005-01-18 2006-07-20 Williamson David M Catadioptric 1x projection system and method
KR101440617B1 (ko) 2005-01-31 2014-09-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US7282701B2 (en) * 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
US7324185B2 (en) 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1720069A2 (de) 2005-04-07 2006-11-08 Carl Zeiss SMT AG Methode zur Herstellung eines Projektionsobjektivs
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102006013560A1 (de) * 2005-04-19 2006-10-26 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US20060232753A1 (en) 2005-04-19 2006-10-19 Asml Holding N.V. Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006121009A1 (ja) 2005-05-12 2006-11-16 Nikon Corporation 投影光学系、露光装置、および露光方法
US20070013882A1 (en) * 2005-06-07 2007-01-18 Carl Zeiss Smt Ag Method of manufacturing projection objectives and set of projection objectives manufactured by that method
US7385673B2 (en) * 2005-06-10 2008-06-10 International Business Machines Corporation Immersion lithography with equalized pressure on at least projection optics component and wafer
US7262422B2 (en) * 2005-07-01 2007-08-28 Spansion Llc Use of supercritical fluid to dry wafer and clean lens in immersion lithography
US7535644B2 (en) 2005-08-12 2009-05-19 Asml Netherlands B.V. Lens element, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
WO2007020004A1 (de) 2005-08-17 2007-02-22 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv und verfahren zur optimierung einer systemblende eines projektionsobjektivs
US7357768B2 (en) * 2005-09-22 2008-04-15 William Marshall Recliner exerciser
US8202460B2 (en) * 2005-09-22 2012-06-19 International Business Machines Corporation Microelectronic substrate having removable edge extension element
US7773195B2 (en) 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
US20070124987A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 Brown Jeffrey K Electronic pest control apparatus
KR100768849B1 (ko) * 2005-12-06 2007-10-22 엘지전자 주식회사 계통 연계형 연료전지 시스템의 전원공급장치 및 방법
WO2007071569A1 (en) * 2005-12-23 2007-06-28 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7893047B2 (en) * 2006-03-03 2011-02-22 Arch Chemicals, Inc. Biocide composition comprising pyrithione and pyrrole derivatives
DE102006021797A1 (de) 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
US8072577B2 (en) 2006-06-05 2011-12-06 Macronix International Co., Ltd. Lithography systems and processes
EP1906251A1 (de) * 2006-09-26 2008-04-02 Carl Zeiss SMT AG Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungssystem
US20080084549A1 (en) * 2006-10-09 2008-04-10 Rottmayer Robert E High refractive index media for immersion lithography and method of immersion lithography using same
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US8654305B2 (en) 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8237911B2 (en) 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
US20080259308A1 (en) * 2007-04-18 2008-10-23 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for microlithography
JP2010527160A (ja) * 2007-05-14 2010-08-05 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー マイクロリソグラフィ用投影対物器械及び投影露光装置
CN100504618C (zh) 2007-07-17 2009-06-24 上海微电子装备有限公司 一种全折射浸液式投影光学系统、装置及其应用
CN100492181C (zh) * 2007-07-17 2009-05-27 上海微电子装备有限公司 一种全折射浸液式投影光学系统、装置及其应用
US7760425B2 (en) * 2007-09-05 2010-07-20 Carl Zeiss Smt Ag Chromatically corrected catadioptric objective and projection exposure apparatus including the same
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
JP5013119B2 (ja) * 2007-09-20 2012-08-29 信越化学工業株式会社 パターン形成方法並びにこれに用いるレジスト材料
JP5267029B2 (ja) 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
WO2009050977A1 (en) 2007-10-16 2009-04-23 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101562073B1 (ko) 2007-10-16 2015-10-21 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5228995B2 (ja) * 2008-03-05 2013-07-03 信越化学工業株式会社 重合性モノマー化合物、パターン形成方法並びにこれに用いるレジスト材料
KR101448152B1 (ko) * 2008-03-26 2014-10-07 삼성전자주식회사 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서
KR101695034B1 (ko) 2008-05-28 2017-01-10 가부시키가이샤 니콘 공간 광 변조기의 검사 장치, 조명 광학계, 노광 장치, 검사 방법, 조명 광학계의 조정 방법, 조명 방법, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법
JP5097166B2 (ja) 2008-05-28 2012-12-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置の動作方法
JP5253081B2 (ja) * 2008-10-14 2013-07-31 キヤノン株式会社 投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
JP5218227B2 (ja) * 2008-12-12 2013-06-26 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
US8946514B2 (en) * 2009-12-28 2015-02-03 E.I. Du Pont De Nemours And Company Sorghum fertility restorer genotypes and methods of marker-assisted selection
EP2381310B1 (de) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Flüssigkeitshandhabungsstruktur und lithographischer Apparat
CN102298198B (zh) * 2010-06-22 2013-05-22 上海微电子装备有限公司 一种大视场光刻投影物镜
US8476004B2 (en) 2011-06-27 2013-07-02 United Microelectronics Corp. Method for forming photoresist patterns
DE102012006244A1 (de) * 2012-03-21 2013-09-26 Jenoptik Optical Systems Gmbh Farbkorrigiertes F-Theta-Objektiv für die Lasermaterialbearbeitung
KR101407076B1 (ko) * 2012-05-24 2014-06-13 주식회사 비엘시스템 근적외선을 이용한 인쇄판 프린터용 고해상도 노광장치
US8701052B1 (en) 2013-01-23 2014-04-15 United Microelectronics Corp. Method of optical proximity correction in combination with double patterning technique
US8627242B1 (en) 2013-01-30 2014-01-07 United Microelectronics Corp. Method for making photomask layout
JP5664697B2 (ja) * 2013-05-13 2015-02-04 株式会社ニコン 反射屈折型の投影光学系、露光装置、および露光方法
US9230812B2 (en) 2013-05-22 2016-01-05 United Microelectronics Corp. Method for forming semiconductor structure having opening
CN103499876B (zh) * 2013-10-10 2015-07-29 中国科学院光电技术研究所 一种大数值孔径的纯折射式投影光学系统
CN109581622A (zh) * 2017-09-29 2019-04-05 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种投影物镜

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4480910A (en) * 1981-03-18 1984-11-06 Hitachi, Ltd. Pattern forming apparatus
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
EP1139138A1 (de) * 1999-09-29 2001-10-04 Nikon Corporation Projektionsbelichtungsverfahren, vorrichtung und optisches projektionssystem
WO2002091078A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus employing an index matching medium

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT1462T (de) * 1979-07-27 1982-08-15 Werner W. Dr. Tabarelli Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe.
US5121256A (en) * 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
DE4417489A1 (de) 1994-05-19 1995-11-23 Zeiss Carl Fa Höchstaperturiges katadioptrisches Reduktionsobjektiv für die Miktrolithographie
JP3747951B2 (ja) 1994-11-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
US6169627B1 (en) * 1996-09-26 2001-01-02 Carl-Zeiss-Stiftung Catadioptric microlithographic reduction objective
US6631036B2 (en) 1996-09-26 2003-10-07 Carl-Zeiss-Stiftung Catadioptric objective
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP3747566B2 (ja) * 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JPH116957A (ja) 1997-04-25 1999-01-12 Nikon Corp 投影光学系および投影露光装置並びに投影露光方法
US5900354A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
US6700645B1 (en) * 1998-01-22 2004-03-02 Nikon Corporation Projection optical system and exposure apparatus and method
WO1999049504A1 (en) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Projection exposure method and system
US6097537A (en) * 1998-04-07 2000-08-01 Nikon Corporation Catadioptric optical system
US5986824A (en) * 1998-06-04 1999-11-16 Nikon Corporation Large NA projection lens system with aplanatic lens element for excimer laser lithography
DE69933973T2 (de) 1998-07-29 2007-06-28 Carl Zeiss Smt Ag Katadioptrisches optisches system und damit ausgestattete belichtungsvorrichtung
DE19855108A1 (de) * 1998-11-30 2000-05-31 Zeiss Carl Fa Mikrolithographisches Reduktionsobjektiv, Projektionsbelichtungsanlage und -Verfahren
EP1006388A3 (de) 1998-11-30 2002-05-02 Carl Zeiss Reduktions-Projektionsobjektiv der Mikrolithographie
JP3423644B2 (ja) 1999-06-14 2003-07-07 キヤノン株式会社 投影光学系及びそれを用いた投影露光装置
US6867922B1 (en) * 1999-06-14 2005-03-15 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system and projection exposure apparatus using the same
JP2001023887A (ja) 1999-07-09 2001-01-26 Nikon Corp 投影光学系、該光学系を備える投影露光装置及び露光方法
WO2001023933A1 (en) * 1999-09-29 2001-04-05 Nikon Corporation Projection optical system
EP1094350A3 (de) 1999-10-21 2001-08-16 Carl Zeiss Optisches Projektionslinsensystem
TW448307B (en) * 1999-12-21 2001-08-01 Zeiss Stiftung Optical projection system
US6995930B2 (en) * 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
TW538256B (en) * 2000-01-14 2003-06-21 Zeiss Stiftung Microlithographic reduction projection catadioptric objective
JP2001228401A (ja) * 2000-02-16 2001-08-24 Canon Inc 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法
US7301605B2 (en) 2000-03-03 2007-11-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices
JP2001343582A (ja) * 2000-05-30 2001-12-14 Nikon Corp 投影光学系、当該投影光学系を備えた露光装置、及び当該露光装置を用いたマイクロデバイスの製造方法
US6486940B1 (en) 2000-07-21 2002-11-26 Svg Lithography Systems, Inc. High numerical aperture catadioptric lens
JP4245286B2 (ja) 2000-10-23 2009-03-25 株式会社ニコン 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置
JP2002244035A (ja) 2000-12-11 2002-08-28 Nikon Corp 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
JP2002323653A (ja) 2001-02-23 2002-11-08 Nikon Corp 投影光学系,投影露光装置および投影露光方法
JP2003185920A (ja) 2001-12-18 2003-07-03 Nikon Corp 結像光学系及び投影露光装置
JP4016179B2 (ja) 2002-02-28 2007-12-05 ソニー株式会社 露光装置及び収束レンズの制御方法
WO2003075097A2 (de) 2002-03-01 2003-09-12 Carl Zeiss Smt Ag Refraktives projektionsobjektiv mit einer taille
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
JP3982362B2 (ja) * 2002-08-23 2007-09-26 住友電気工業株式会社 光データリンク
JP2005536775A (ja) 2002-08-23 2005-12-02 株式会社ニコン 投影光学系、フォトリソグラフィ方法および露光装置、並びに露光装置を用いた方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4480910A (en) * 1981-03-18 1984-11-06 Hitachi, Ltd. Pattern forming apparatus
EP1139138A1 (de) * 1999-09-29 2001-10-04 Nikon Corporation Projektionsbelichtungsverfahren, vorrichtung und optisches projektionssystem
WO2002091078A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus employing an index matching medium

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SWITKES,M.,ROTHSCHILD,M.: Immersion lithography at 157 nm. In: J.Vac. Sci.Technol.B 19(6),Nov./Dec.2001,S.2353-2356 *

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7382540B2 (en) 2002-03-01 2008-06-03 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective
US7190527B2 (en) 2002-03-01 2007-03-13 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective
US7310187B2 (en) 2002-12-09 2007-12-18 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective, especially for microlithography, and method for adjusting a projection objective
US7209292B2 (en) 2002-12-09 2007-04-24 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective, especially for microlithography, and method for adjusting a projection objective
DE10308610A1 (de) * 2003-02-27 2004-09-16 Carl Zeiss Immersionsflüssigkeit für die Mikroskopie bei Wasserimmersion
US7285231B2 (en) 2003-02-27 2007-10-23 Carl-Zeiss-Stiftung Trading As Carl Zeiss Immersion liquid for water-immersion microscopy
DE10308610B4 (de) * 2003-02-27 2006-04-13 Carl Zeiss Immersionsflüssigkeit für die Mikroskopie bei Wasserimmersion
US7969663B2 (en) 2003-10-22 2011-06-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection objective for immersion lithography
WO2005050321A1 (de) * 2003-10-22 2005-06-02 Carl Zeiss Smt Ag Refraktives projektionsobjektiv für die immersions-lithographie
US7751129B2 (en) 2003-10-22 2010-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
US7501367B2 (en) 2005-04-15 2009-03-10 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Optical component of quartz glass, method for producing said component, and method for exposing a substrate
US9069263B2 (en) 2005-05-27 2015-06-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for improving the imaging properties of a projection objective, and such a projection objective
US7777963B2 (en) 2005-05-27 2010-08-17 Carl Zeiss Smt Ag Method for improving the imaging properties of a projection objective, and such a projection objective
WO2006125617A2 (en) 2005-05-27 2006-11-30 Carl Zeiss Smt Ag Method for improving the imaging properties of a projection objective, and such a projection objective
US9581813B2 (en) 2005-05-27 2017-02-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for improving the imaging properties of a projection objective, and such a projection objective
US7463423B2 (en) 2005-06-14 2008-12-09 Carl Zeiss Smt Ag Lithography projection objective, and a method for correcting image defects of the same
US8054557B2 (en) 2005-06-14 2011-11-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithography projection objective, and a method for correcting image defects of the same
US8879159B2 (en) 2005-06-14 2014-11-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithography projection objective, and a method for correcting image defects of the same
US7692868B2 (en) 2005-06-14 2010-04-06 Carl Zeiss Smt Ag Lithography projection objective, and a method for correcting image defects of the same
US9316922B2 (en) 2005-06-14 2016-04-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithography projection objective, and a method for correcting image defects of the same
US9964859B2 (en) 2005-06-14 2018-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithography projection objective, and a method for correcting image defects of the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN1639644A (zh) 2005-07-13
KR20040099307A (ko) 2004-11-26
AU2002312872A1 (en) 2003-09-22
JP2005519348A (ja) 2005-06-30
US7203008B2 (en) 2007-04-10
KR100991590B1 (ko) 2010-11-04
WO2003077037A1 (en) 2003-09-18
US6891596B2 (en) 2005-05-10
AU2003221490A1 (en) 2003-09-22
US20050141098A1 (en) 2005-06-30
US20030174408A1 (en) 2003-09-18
US20050231814A1 (en) 2005-10-20
US7312847B2 (en) 2007-12-25
EP1485760A1 (de) 2004-12-15
US7495840B2 (en) 2009-02-24
EP1483625A1 (de) 2004-12-08
JP2005519347A (ja) 2005-06-30
CN100573222C (zh) 2009-12-23
US20070188880A1 (en) 2007-08-16
WO2003077036A1 (de) 2003-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101200654B1 (ko) 고 개구율 및 평평한 단부면을 가진 투사 대물렌즈
TW503466B (en) Reflection/refraction optical system and projection exposure apparatus comprising the optical system, exposure method and manufacturing method of micro-device
KR101323888B1 (ko) 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈
DE602005003665T2 (de) Katadioptrisches projektionsobjektiv mit zwischenbildern
TW528880B (en) Projection exposure lens with aspheric elements
US6995930B2 (en) Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
KR100991584B1 (ko) 반사굴절식 투영 대물렌즈
JP2007516613A (ja) 少なくとも1つの液体レンズを備えるマイクロリソグラフィー投影対物レンズとしての対物レンズ
EP2722703A2 (de) Optisches Projektionssystem, und Belichtungsvorrichtung und Belichtungsverfahren
US20070153398A1 (en) Microlithographic reduction projection catadioptric objective
EP1199590A1 (de) 8-Spiegel-Mikrolithographie-Projektionsobjektiv
CN102169226B (zh) 反射折射投影物镜
US6169627B1 (en) Catadioptric microlithographic reduction objective
US7209292B2 (en) Projection objective, especially for microlithography, and method for adjusting a projection objective
EP1242843B1 (de) Projektionsobjektiv mit benachbart angeordneten asphärischen linsenoberflächen
JP3747951B2 (ja) 反射屈折光学系
JP4803301B2 (ja) 投影光学系、露光装置、および露光方法
EP0770895B1 (de) Optisches Projektionssystem mit Belichtungsgerät
US5861997A (en) Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same
JP3500745B2 (ja) 投影光学系、投影露光装置及び投影露光方法
US20070153252A1 (en) Projection system for EUV lithograhphy
JP2005115394A (ja) 広範囲ズーム機能を備えた超広帯域紫外顕微鏡映像システム
DE69933973T2 (de) Katadioptrisches optisches system und damit ausgestattete belichtungsvorrichtung
KR100524662B1 (ko) 마이크로리소그래피투영노광장치용대물렌즈
US20040070743A1 (en) Projection system for EUV lithography

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8141 Disposal/no request for examination