DE69933973T2 - Katadioptrisches optisches system und damit ausgestattete belichtungsvorrichtung - Google Patents

Katadioptrisches optisches system und damit ausgestattete belichtungsvorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE69933973T2
DE69933973T2 DE69933973T DE69933973T DE69933973T2 DE 69933973 T2 DE69933973 T2 DE 69933973T2 DE 69933973 T DE69933973 T DE 69933973T DE 69933973 T DE69933973 T DE 69933973T DE 69933973 T2 DE69933973 T2 DE 69933973T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
lens
projection exposure
lenses
refractive power
concave mirror
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69933973T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69933973D1 (de
Inventor
David R. Fairfield Schafer
Helmut Beierl
Gerhard Fürter
Karl-Heinz Schuster
Wilhelm Ulrich
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Application granted granted Critical
Publication of DE69933973D1 publication Critical patent/DE69933973D1/de
Publication of DE69933973T2 publication Critical patent/DE69933973T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/08Catadioptric systems
    • G02B17/0892Catadioptric systems specially adapted for the UV
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/14Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation
    • G02B13/143Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation for use with ultraviolet radiation
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/08Catadioptric systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70225Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70275Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems

Description

  • Allgemeiner Stand der Technik
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Projektionsbelichtungsobjektiv in einer Projektionsbelichtungsvorrichtung wie zum Beispiel einem Wafer-Scanner oder einem Wafer-Stepper, die zur Herstellung von Halbleiterelementen oder sonstigen mikrostrukturierten Bauelementen mittels Fotolithografie verwendet werden, und insbesondere ein katadioptrisches optisches Projektionsobjektiv mit einem objektseitigen katadioptrischen System, einem Zwischenbild und einem brechenden Linsensystem zur Verwendung in einer solchen Projektionsbelichtungsvorrichtung.
  • 2. Beschreibung des Standes der Technik
  • US-Patent Nr. 4,779,966 an Friedman ist ein frühes Beispiel eines solchen Objektivs, wobei jedoch das katadioptrische System auf der Bildseite angeordnet ist. Es wird seine Entwicklung ausgehend vom Prinzip eines Schupmann-Achromaten beschrieben. Es ist eine Aufgabe dieses Patents, ein zweites Linsenmaterial zu vermeiden, so dass folglich alle Linsen aus Quarzglas bestehen. Eine Lichtquelle wird nicht spezifiziert, und die Bandbreite ist auf 1 nm begrenzt.
  • US-Patent Nr. 5,052,763 an Singh ( EP 0 475 020 ) ist ein weiteres Beispiel. Hier ist relevant, dass ungerade Aberrationen im Wesentlichen durch jedes Teilsystem separat korrigiert werden, wofür es bevorzugt ist, dass das katadioptrische System ein 1:1-System ist und keine Linse zwischen dem Objekt und dem ersten Ablenkspiegel angeordnet ist. Zwischen dem ersten Ablenkspiegel und dem Hohlspiegel ist in einer Position näher zu dem Ablenkspiegel hin ein Gehäuse angeordnet. In allen Beispielen werden nur Quarzglaslinsen verwendet. Die NA ist auf 0,7 erweitert, und ein 248 nm-Excimer-Laser oder andere werden vorgeschlagen. Eine Verringerung der Strichbreite des Lasers wird als ausreichend vorgeschlagen, um eine chromatische Korrektur durch Verwendung unterschiedlicher Linsenmaterialien zu vermeiden.
  • US-Patent Nr. 5,691,802 an Takahashi ist ein weiteres Beispiel, wo eine erste Gruppe optischer Elemente mit einer positiven Brechkraft zwischen dem ersten Ablenkspiegel und dem Hohlspiegel erforderlich ist. Das dient dazu, den Durchmesser des Spiegels zu verringern, weshalb sich diese positive Linse nahe dem ersten Ablenkspiegel befindet. Alle Beispiele weisen eine große Anzahl von CaF2-Linsen auf.
  • EP 0 736 789 A an Takahashi ist ein Beispiel, wo es erforderlich ist, dass zwischen dem ersten Ablenkspiegel und dem Hohlspiegel drei Linsengruppen mit plus-minus-plus-Brechkraft angeordnet sind, ebenfalls mit dem Ziel der Verringerung des Durchmessers des Hohlspiegels. Darum befindet sich die erste positive Linse recht nahe dem ersten Reflexionsspiegel. Des Weiteren werden viele CaF2-Linsen zur Achromatisierung verwendet.
  • DE 197 26 058 A an Omura beschreibt ein System, wo das katadioptrische System ein Verkleinerungsverhältnis von 0,75 < /β1/ < 0,95 aufweist und auch eine bestimmte Beziehung für die Geometrie dieses Systems erfüllt ist. Des Weiteren werden viele CaF2-Linsen zur Achromatisierung verwendet.
  • Für rein brechende Linsen von Mikrolithografieprojektionsbelichtungssystemen ist ein Linsendesign, bei dem der Lichtstrahl zweimal stark verbreitert wird, einschlägig bekannt, siehe zum Beispiel Glatzel, E., Zeiss-Information 26 (1981), Nr. 92, Seiten 8-13. Ein jüngstes Beispiel eines solchen Projektionsobjektivs mit "+ – + – +"-Linsengruppen findet sich in EP 0 770 895 an Matsuzawa und Suenaga.
  • Die partiellen Brechungsobjektive der bekannten katadioptrischen Objektive des generischen Typs der Erfindung sind jedoch viel einfacher aufgebaut.
  • Der Inhalt dieser Dokumente wird durch Bezugnahme in den vorliegenden Text aufgenommen. Sie enthalten Hintergründe und beschreiben Umstände des erfindungsgemäßen Systems.
  • 3. Kurzdarstellung der Erfindung
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein katadioptrisches optisches System mit neuen Konstruktionsprinzipien bereitzustellen, das eine große numerische Apertur, ein großes Bildfeld, genügend Laserbandbreite und eine solide und stabile Konstruktion bietet und die derzeitigen Beschränkungen bei der Verfügbarkeit von CaF2 in Menge und Qualität berücksichtigt. Dies trifft auf ein DUV-Projektionsobjektiv zu und bildet die Basis für eine aus einem einzigen Material bestehende Linse für VW (157 nm).
  • Um das oben genannte Ziel zu erreichen, wird gemäß der vorliegenden Erfindung ein Projektionsbelichtungsobjektiv gemäß Anspruch 1 bereitgestellt.
  • Vorteilhafte Versionen erhält man, wenn Merkmale nach einem oder mehreren der abhängigen Ansprüche 2 bis 24 integriert werden.
  • Eine vorteilhafte Projektionsbelichtungsvorrichtung nach Anspruch 25 erhält man durch Integrieren eines Projektionsbelichtungsobjektivs nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 28 in eine bekannte Vorrichtung.
  • Ein Verfahren zum Herstellen mikrostrukturierter Bauelemente durch Litografie (Anspruch 26) gemäß der Erfindung ist durch die Verwendung einer Projektionsbelichtungsvorrichtung gemäß dem vorangehenden Anspruch 25 gekennzeichnet. Anspruch 27 enthält einen vorteilhaften Modus dieses Verfahrens.
  • Die vorliegende Erfindung wird anhand der folgenden detaillierten Beschreibung und der begleitenden Zeichnungen besser verstanden. Sie dienen lediglich der Veranschaulichung und dürfen nicht so verstanden werden, als würden sie die vorliegende Erfindung einschränken. Ein breiteres Anwendungsspektrum der vorliegenden Erfindung geht aus der folgenden detaillierten Beschreibung hervor. Es versteht sich jedoch, dass die detaillierte Beschreibung und die konkreten Beispiele zwar bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung darstellen, sie aber lediglich der Veranschaulichung dienen, weil dem Fachmann beim Studium dieser detaillierten Beschreibung verschiedene Änderungen und Modifikationen im Rahmen des Geltungsbereichs der Ansprüche einfallen.
  • 4. Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine Ansicht, welche die Anordnung einer Belichtungsvorrichtung zeigt, auf die ein katadioptrisches optisches System gemäß der vorliegende Erfindung Anwendung finden kann.
  • 2 ist eine Schnittansicht der Objektivanordnung eines ersten Vergleichsbeispiels.
  • 3 ist eine Schnittansicht der Objektivanordnung einer ersten Ausführungsform.
  • 4 ist eine Schnittansicht der Objektivanordnung einer zweiten Ausführungsform.
  • 5 ist eine Schnittansicht der Objektivanordnung einer dritten Ausführungsform.
  • 6a ist eine Schnittansicht der Objektivanordnung einer vierten Ausführungsform.
  • 6b ist eine Darstellung eines Abbildungsfehlers der vierten Ausführungsform.
  • 7 ist eine schematische Schnittansicht eines Teils der Objektivanordnung einer fünften Ausführungsform.
  • Die schematisch in 1 gezeigte Projektionsbelichtungsvorrichtung enthält eine Excimer-Laserlichtquelle 1 mit einer Anordnung 11, welche die Bandbreite schwach verringert. Ein Beleuchtungssystem 2 erzeugt ein großes Feld, das scharf begrenzt und sehr homogen ausgeleuchtet ist, was den Telezentrizitätsanforderungen des Projektionsobjektivs entspricht, und mit einem wählbaren Beleuchtungsmodus. Ein solcher Modus kann eine herkömmliche Beleuchtung von variablem Kohärenzgrad, eine Ring- oder Quadrupolbeleuchtung sein.
  • Eine Maske 3 wird im Beleuchtungsbereich durch eine Maskenhalte- und -handhabungssystem 31 verschoben, das den Scan-Antrieb im Fall einer Waferscanner-Projektionsbelichtungsvorrichtung enthält. Anschließend folgt das katadioptrische Projektionsbelichtungsobjektiv 4 gemäß der Erfindung, was weiter unten noch näher beschrieben wird.
  • Dieses Objektiv 4 erzeugt ein maßstabsverkleinertes Bild der Maske 3 auf einem Wafer 5. Der Wafer 5 wird durch die Einheit 51 gehalten, gehandhabt und schließlich gescannt.
  • Alle Systeme werden durch die Steuereinheit 6 gesteuert. Eine solche Einheit und die Art und Weise ihres Gebrauchs sind auf dem Gebiet der mikrolithografischen Projektionsbelichtung einschlägig bekannt.
  • Für die Belichtung von Strukturen im Regime von etwa 0,2 μm und geringerer Auflösung bei hohem Durchsatz besteht jedoch Bedarf an verschiedenen Projektionsbelichtungsobjektiven, die mit 193 nm, vielleicht auch mit 248 nm oder 157 nm Excimer-Laserwellenlängen mit hinreichend verfügbaren Bandbreiten (zum Beispiel 15 pm bei 193 nm) bei hoher bildseitiger numerischer Apertur von 0,65 bis 0,8 oder mehr und mit hinreichend großen rechteckigen oder kreisförmigen Scan-Bildfeldern von zum Beispiel 7 × 20 bis 10 × 30 mm2 arbeiten können.
  • Katadioptrische Systeme des oben genannten Typs sind im Prinzip dafür geeignet.
  • Es wurde jedoch gemäß der Erfindung festgestellt, dass eine Reihe von Maßnahmen und Merkmalen diese Systeme verbessern.
  • Das in der Schnittansicht von 2 gezeigte Vergleichsbeispiel hat die in Tabelle 1 angegebenen Objektivdaten und arbeitet ausschließlich mit Quarzglaslinsen. Da nur ein einziges Linsenmaterial verwendet wird, kann dieses Design problemlos an andere Wellenlängen wie 248 nm oder 157 nm angepasst werden.
  • Das Zwischenbild IMI ist frei zugänglich, so dass es auf einfache Weise möglich ist, eine Feldblende einzufügen. Die Aperturblende AP befindet sich zwischen den Linsenoberflächen 139 und 140 und ist ebenfalls gut zugänglich.
  • Die Ablenkspiegel DM1 und DM2 in dem katadioptrischen System CS sind in ihrer Geometrie durch die Erfordernisse der Trennung der Lichtstrahlen zu und von dem Hohlspiegel 209 und des Abstands von der Linse 201, 202 definiert. Es ist von Vorteil, dass sich der Spiegelwinkel des Spiegels DM1 von 45° unterscheidet, dergestalt, dass der Strahlablenkwinkel größer als 90° ist. Dies hilft, einen großen freien Arbeitsabstand sowie einen breiten Freiraum für den Lichtstrahl relativ zu dem ersten Linsenelement 201, 202 zu schaffen, und verschafft außerdem einen uneingeschränkten Abstand des Objektivtubus' des katadioptrischen Systems CS von der Objektebene 0.
  • Die Anordnung der zwei Ablenkspiegel DM1, DM2 ermöglicht eine gerade optische Achse und eine parallele Anordnung der Ursprungsebene 0 und der Bildebene IM, d. h. Maske und Wafer sind parallel und können problemlos gescannt werden. Jedoch kann einer der Ablenkspiegel DM1, DM2 weggelassen oder eventuell durch einen Ablenkspiegel in dem Brechungsobjektiv RL ersetzt werden, zum Beispiel in dem Luftraum zwischen den Linsenoberflächen 225 und 226. Es ist auch klar, dass die Ablenkspiegel durch andere optische Ablenkelemente (wie zum Beispiel das Prisma in Ausführungsform 6 oder andere) ersetzt werden können.
  • Eine schwache positive Linse 201, 202 ist nahe der Ursprungsebene 0 in dem Bereich mit einfachem Strahldurchgang angeordnet. Ihre Brennweite ist ungefähr gleich ihrer Entfernung von dem Hohlspiegel 209. Dadurch befindet sich der Hohlspiegel 209 in einer Pupillenebene, wodurch der benötigte Durchmesser minimiert wird.
  • Eine zweite positive Linse befindet sich in dem Bereich mit doppeltem Strahldurchgang zwischen den Ablenkspiegeln DM1, DM2 und dem Hohlspiegel 209. Da die Produktionsbedingungen von Hohlspiegeln von 200 mm bis 300 mm Durchmesser kleinere Einheiten nicht besonders bevorzugen – im Gegensatz zu Linsen, und zwar solchen, die aus CaF2 hergestellt sind, wo Inhomogenitäten usw. erhebliche Beschränkungen auferlegen –, besteht keine Notwendigkeit, diese positive Linse 203, 204 zur Verkleinerung des Radius' des Hohlspiegels 209 zu verwenden. Sie befindet sich näher am Hohlspiegel 209 als am ersten Reflexionsspiegel DM1 an einer Stelle, wo sie Bildfehler am besten minimieren kann.
  • Die zwei negativen Menisken 205, 206; 207, 208 wirken mit dem Hohlspiegel 209 in einer bekannten Weise zusammen, wodurch größere Einfallswinkel und eine stärkere Krümmung und somit ein stärkerer Korrektureinfluss des Hohlspiegels 209 entstehen.
  • Es ist wichtig, dass die Anzahl der Linsen in dem Bereich mit doppeltem Strahldurchgang des katadioptrischen Systems CS auf drei beschränkt ist, weil hier jede Linse im Hinblick auf die Systemenergieübertragung und die Wellenfrontqualitätsverschlechterung doppelt zählt, ohne dass größere Freiheitsgrade für eine Korrektur entstehen.
  • Von einem Gesamtverkleinerungsverhältnis von β = 0,25 trägt das katadioptrische System CS seinen Teil von βcs = 1,008 bei.
  • An der Zwischenbildebene IMI wird vorzugsweise eine Feldblende FS eingefügt, die Streulicht vorteilhaft verringert.
  • Das Brechungsobjektiv RL, das auf das Zwischenbild IMI folgt, ist komplexer aufgebaut, als es auf diesem technischen Gebiet üblich ist. Es hat eine höhere Qualität, als vollständig brechende Projektionsbelichtungsobjektive jüngeren Entwicklungsdatums sie im Allgemeinen aufweisen.
  • Es ist zu erkennen, dass das Fünfer-Linsengruppen-Design verwendet wird, das aus hoch-entwickelten brechenden Mikrolitografieobjektivdesigns bekannt ist, die zwei Einschnürungen und drei Ausbauchungen mit "+ – + – +"-Linsengruppen – in dieser Reihenfolge – aufweisen. Obgleich die ersten zwei Ausbauchungen (Linsenoberflächen 210 bis 219, 224 bis 227) nicht besonders stark ausgeprägt sind, sind die zwei Einschnürungen W1, W2 deutlich ausgeprägt, und zwar jeweils durch ein Paar negativer Menisken 220, 221; 222, 223 und 228, 229; 230, 231, deren konvexe Oberflächen nach außen weisen.
  • Es ist bekannt, dass diese Linsengruppen an den Einschnürungen W1, W2, wie die anderen, durch Integrieren weiterer Linsen weiterentwickelt werden können, zum Beispiel um die numerische Apertur oder den Bildbereich zu vergrößern.
  • Aus einem anderen Blickwinkel betrachtet, besteht das Brechungsobjektiv RL aus einer Feldlinsengruppe (Linsenoberflächen 210 bis 219) von positiver Kraft zum Umwandeln des divergierenden Hauptstrahls in einen konvergierenden Hauptstrahl, einer bildseitigen positiven Fokussierlinsengruppe (Linsenoberflächen 232 bis 251), welche die benötigte große numerische Apertur erzeugt, und dazwischen angeordneten Linsenelementen, die Bildfehler korrigieren, insbesondere mit Gruppen von entgegengesetzt angeordneten negativen Menisken (w1, w2).
  • Die Dubletten mit "– +"-Kraft mit den Oberflächen 235 bis 238 und 239 bis 242 sind der Schlüssel zu der breiten Spektralbandbreite bei guter Korrektur der chromatischen Änderung in sphärischer Aberration, die die hauptsächliche Restaberration bei diesen Designs ist. Es wurde festgestellt, dass dort die alternative Anordnung von Dubletten mit "+ –"-Kraft zu einer viel schlimmeren chromatischen Änderung der sphärischen Aberration führt. Hier wird ein Wert von 0,35 μm bei 15 pm Laserbandbreite erhalten.
  • Dieses Vergleichsbeispiel von 2 eignet sich zum Drucken von Mikrostrukturen bei einer Auflösung von weniger als 0,2 μm über einem rechteckigen Bildfeld von 30 × 7 mm2 bei 6 mm seitlich der Achse mit einer Excimer-Laserquelle von 0,015 nm Bandbreite.
  • 3 und Tabelle 2 zeigen die erste Ausführungsform der Erfindung. Das katadioptrische System CS bleibt sehr ähnlich, doch sein Verkleinerungsverhältnis ist nun geringerer als Eins bei βcs = 0,944.
  • In dem Brechungsobjektiv ist die zweite Linse 212, 213 von 2 weggelassen, während die dicke negative Linse 245, 246 in drei Einheiten 342, 343; 344, 345; 346, 347 aufgeteilt ist.
  • Außerdem bestehen nun zwei Linsen aus CaF2, nämlich die Elemente mit den Oberflächen 342, 343 und 348, 349. Im Vergleich zum Durchmesser der größten Linse 330, 331 von etwa 250 mm sind ihre Durchmesser von etwa 205 mm und ungefähr 165 mm kleiner als 0,81-fach und 0,67-fach. Darum ist ihre Abmessung nicht zu groß, und es wird eine effektive Produktion erreicht.
  • Des Weiteren sind sie in dem konvergierenden Lichtstrahl in der fünften Linsengruppe nach der dritten Ausbauchung nahe der Bildebene angeordnet. Sie unterstützen die Achromatisierung. Die anderen Merkmale ähneln weitgehend denen des Beispiels von 2, einschließlich beispielsweise der Dubletten mit "– +"-Kraft 332 bis 339.
  • 4 und Tabelle 3 zeigen ein weiteres Beispiel eines katadioptrischen Objektivs gemäß der Erfindung.
  • Nun weist das katadioptrische System CS eine wichtige Umgestaltung auf, da alle Linsen in dem Bereich mit doppeltem Strahldurchgang zu einer Einzellinsengruppe neben dem Hohlspiegel 411 kombiniert sind. Es enthält die positive Linse 403, 404 und drei negative Linsen 405 bis 410. Der Wechsel von zwei zu drei solcher negativer Linsen sorgt für eine sanftere Vergrößerung der Strahlwinkel und optimiert so die Korrektur. Somit wird die Konstruktion des Objektivtubus' des katadioptrischen Systems CS vereinfacht. Die Linsen 403 bis 410 und der Spiegel 411 können in einer kompakten Einheit von herkömmlicher Bauart montiert werden, wie man es von brechenden Projektionsbelichtungsobjektiven kennt. Die lange Distanz zu den Ablenkspiegeln DM1, DM2 kann durch einen thermisch stabilen röhrenförmigen Körper überbrück werden, der zum Beispiel aus einem Faserverbundwerkstoff, Glaskeramik oder einer Bimetallverbundstruktur hergestellt ist.
  • Die positive Linse 403, 404 besteht nun aus Fluorit (etwa 200 mm Durchmesser), wodurch die Achromatisierung unterstützt wird. Es ist für die Erfindung von Bedeutung, dass höchstens insgesamt drei bis vier Linsen, die aus einem zweiten Material bestehen, ausreichen, um eine gute Achromatisierung in diesem Grunddesign zu erreichen.
  • Das Verkleinerungsverhältnis des katadioptrischen Systems beträgt βcs = 0,931. Das brechende Linsensystem ist sehr ähnlich dem von Tabelle 2 aufgebaut.
  • Eine dritte Ausführungsform ist in 5 und in Tabelle 4 gezeigt.
  • Nun ist das katadioptrische System CS wieder frei von jeglichen Elementen aus CaF2. Sein grundsätzlicher Aufbau mit einer kompakten Einheit aus einer positiven (503, 504) und drei negativen Linsen (505-510) und dem Hohlspiegel 511 in einer kompakten Einheit bleibt der gleiche wie in der dritten Ausführungsform. Das Verkleinerungsverhältnis βcs beträgt im bevorzugtesten Bereich 0,961.
  • Des Weiteren hat das Brechungsobjektiv RL den gleichen Gesamtaufbau wie die zuvor erwähnten Beispiele. Jedoch hat die Verwendung von CaF2-Linsenelementen einen neuartigen Charakter:
    Während das Linsenelement 544, 545 in einer bekannten Weise zur Achromatisierung dient, ist der Grund für die Verwendung von CaF2 in den zwei Linsen 552, 553; 554, 555 neben der Bildebene IM ein anderer:
    Der Grund für die Verwendung von CaF2 besteht hier in der Verringerung des durch die Kompaktierung hervorgerufenen Verschlechterungseffekts, der bei Quarzglaslinsen bei hoher Lichtintensität und starker Asymmetrie (durch ein schmales Scan-Bildfeld verursacht) bei 193 nm Wellenlänge recht stark ist, aber mit CaF2-Linsen (oder anderem kristallinen Material) weit geringer ist.
  • Bei einer Gesamtlänge – Objekt 0 zu Bild IM – von 1455 mm, einer Abweichung von der Achse des Hohlspiegel 511 von 590 mm, einem Durchmesser des Hohlspiegels 511 von 250 mm, einem größten Linsendurchmesser in dem brechenden Linsensystem RL von 240 mm (bei Linse 534, 535) und Durchmessern der CaF2-Linsen von 195 mm (544, 545), 135 mm (552, 553) und 85 mm (554, 555) sind die Abmessungen dieser Konstruktion sehr akzeptabel. Bei Lambda = 193 nm, 15 pm Bandbreite, einem Verkleinerungsverhältnis von 0,25 und einer numerischen Apertur von 0,7 wird ein rechteckiges Bildfeld von 26 × 9 mm2 mit einer Auflösung von besser als 0,20 μm abgebildet.
  • Eine vierte Ausführungsform ist in 6a und in Tabelle 5 wiedergegeben. Sie unterscheidet sich von Ausführungsform 4 darin, dass lediglich die letzten beiden Linsen C1, C2 (654, 655; 656, 657) aus CaF2 bestehen, mit dem Ziel der Verringerung der langfristigen Verschlechterung durch Kompaktierung von Quarzglas unter 193 nm-Strahlung, aber es wird kein CaF2 zum Zweck der Achromatisierung verwendet.
  • Das katadioptrische System CS besteht aus einer Feldlinse 601, 602 mit eine Brennweite f', die zu ihrer Entfernung B zum Hohlspiegel durch f'/B = 1,004 in Beziehung steht.
  • Der Ablenkspiegel DM1 lenkt die optische Achse ab. Seine Normale ist relativ zur optischen Achse um 50° geneigt. Das schafft einen besseren Strahlfreiraum von der Feldlinse 601, 602 als die normalen 45°.
  • Die positive Linse 603, 604 ist mit drei negativen Linsen 605-610 und dem Hohlspiegel 611 in einer kompakten Einheit kombiniert. Die Entfernung DM1-603 beträgt 432 mm. Verglichen mit der Entfernung DM1-611 zum Hohlspiegel von 597 mm sind das 72%.
  • Das Verkleinerungsverhältnis des katadioptrischen Systems βcs = 0,9608 liegt in einem bevorzugten Bereich nahe Einheit, wo der Achromatisierungseffekt des Hohlspiegels am besten ausgenutzt wird und auch andere Bildfehler (zum Beispiel Krümmung des Feldes) gering gehalten werden. Der positive Effekt der Petzval-Summe ist sehr gut.
  • Das Konzept der Korrektur ungerader Aberrationen (Singh am genannten Ort) wird jedoch nicht übernommen: An der Zwischenbildebene IMI übersteigen die Werte von Koma – 0,1724 – und Verzerrung – –0,0833 – bei weitem gute Korrelationswerte, während an der letzten Bildebene IM Koma (–0,00098) und Verzerrung (–0,000115) sehr gut korrigiert sind, was auch für andere typische Fehler gilt.
  • Ein Feldblende FS an der Zwischenbildebene IMI trennt vorteilhafterweise störendes Streulicht ab.
  • Gemäß der Erfindung ist das katadioptrische System mit sehr wenigen Elementen in kompakter Anordnung konstruiert, und seine Funktion konzentriert sich auf die Implementierung des Einflusses der Achromatisierung und der Petzval-Summe des Hohlspiegels 611.
  • Eine detaillierte Korrektur ist das Gebiet des brechenden Linsensystems RL. Es besteht aus einer Feldlinsengruppe FL (Oberflächen 612 bis 621) und einer Fokussierlinsengruppe FG (Oberflächen 634 bis 655). Korrigierende Linsenelemente sind dazwischen angeordnet, einschließlich zweier Paare entgegengesetzter negativer Menisken 622-625 und 630-633. Diese bilden zwei Strahleinschnürungen W1, W2. Auf diese Weise entsteht das "+ – + – +"-Fünfer-Linsengruppendesign, das man aus hoch-entwickelten brechenden Projektionsbelichtungsobjektiven kennt.
  • Die Fokussierlinsengruppe FG beherbergt die Systemapertur AP sowie zwei Linsengruppen PG1 und PG2 mit "– +"-Kraft mit den oben angesprochenen Vorteilen.
  • Es gibt keine achromatisierende CaF2-Linse, sondern in Ausführungsform 4 bestehen die zwei Linsen C1, C2 (654-657), die sich neben der Bildebene IM befinden, aus den oben genannten Gründen des Vermeidens der Kompaktierung aus CaF2.
  • Bei einer Länge 0-IM von 1400 mm und einer Seitwärtsabweichung von 590 mm zum Hohlspiegel 611 ist der Durchmesser des Hohlspiegels 611 (und der benachbarten Linse 609, 610) auf 252 mm beschränkt, während die größte Linse 636, 637 des brechenden Linsensystems RL einen Durchmesser von 240 mm hat und die CaF2-Linsen nur Durchmesser von 130 mm (C1) und 85 mm (C2) haben.
  • Somit sind die Anforderungen an eine Produktion, die extreme Durchmesser vermeidet, bestens erfüllt.
  • 6b zeigt die sphärische Längsaberration und ihre chromatische Änderung bei Lambda = 193,30 nm ±0,015 nm für diese Ausführungsform 5, die, wie oben erwähnt, der Restabbildungsfehler ist, der die Leistung dieses Systems beschränkt.
  • Es ist zu erkennen, dass mit einer geringfügig schmaler gestalteten Excimer-Laserquelle von Lambda = 193,3 nm mit 15 pm Bandbreite ein rechteckiges Feld von 26 × 9 mm mit einer Auflösung von besser als 0,2 μm abgebildet werden kann.
  • Eine fünfte Ausführungsform ist in 7 und in Tabelle 6 gezeigt. Hier ist ein Ablenkprisma DP zum Ablenken des Lichtweges in Richtung des Hohlspiegels 711 eingefügt.
  • Da sich die Lichtstrahlen im Inneren des Prismas DP weniger stark auf spreizen, als sie es in Luft (oder Stickstoff oder Helium) tun, kann die Feldgröße um einen bestimmten Betrag vergrößert werden, ohne eine Abschattung der Lichtstrahlen durch die Kanten des Prismas hervorzurufen. Die Bedeutung dieser Designmodifikation nimmt bei größerer numerischer Apertur noch zu. Eine Abschattung von Strahlen begrenzt die Feldgröße, die durch die Knickungselemente gehandhabt werden kann, und selbst eine relativ geringe Zunahme der Feldgröße ist sehr wünschenswert – aus einer Vielzahl von Gründen, einschließlich der Möglichkeit, alle Linsendurchmesser für ein bestimmtes benötigtes Feld zu schrumpfen. Es stellt sich heraus, dass es nicht relevant ist, dies für den zweiten Flachspiegel DM2 auszuprobieren. Während 7 schematisch die Ablenkspiegelregion zeigt, sind beispielhafte Objektivdaten für das komplette System in Tabelle 6 gezeigt. Diese Prismaanordnung kann auch dabei helfen, den freien Arbeitsabstand zu erweitern oder andere Spiegelwinkel (zum Beispiel 45°) zu verwenden.
  • Ausführungsform 6, für die Designdaten in Tabelle 7 angegeben sind, zeigt die mögliche Erweiterung des Bildes mit einer seitlichen numerischen Apertur weit jenseits des Wertes von 0,7 der anderen Beispiele. Der Wert von NA = 0,8 ist für diese Art von Linse noch nicht einschränkend. Die Gesamtkonstruktion entspricht den anderen Ausführungsformen, so dass zur Erläuterung keine zusätzliche Zeichnung benötigt wird.
  • Ein zweites Vergleichsbeispiel 8 mit den Objektivdaten von Tabelle 8 führt zu einem reinen CaF2-Design für 157 nm Wellenlänge als ein Beispiel, das die Möglichkeiten des erfindungsgemäßen Designs zur Verwendung mit VUV-Wellenlängen zeigt. Die Gesamtkonstruktion entspricht weitestgehend 6a.
  • Weitere Kombinationen beanspruchter Merkmale als die, die oben ausdrücklich beschrieben sind, liegen im Geltungsbereich der Ansprüche.
  • Die Möglichkeiten des Schupman-Achromaten zur Achromatisierung mit nur einem einzigen Linsenmaterial werden im ersten und im zweiten Vergleichsbeispiel in vollem Umfang ausgeschöpft. Folglich stellt das zweite Vergleichsbeispiel das erste 157 nm-Design des Schupman-Achromaten dar, das sich für die VUV-Litografie eignet. Das Einfügen von Asphären und die folgliche Verringerung der Anzahl und der Dicke von Linsen optimiert dies noch weiter.
  • Ein neuer Aspekt der Verwendung eines zweiten Materials in einer Linse zum Vermeiden einer Kompaktierung ist in den Ausführungsformen 3 bis 6 aufgezeigt.
  • Zum Vereinfachen der Achromatisierung durch Verwendung eines zweiten Materials reichen sehr wenige daraus hergestellte Elemente aus, wie die Ausführungsformen 2, 3, 5 und 6 zeigen.
  • Vorzugsweise sind die Linsen zwischen den Ablenkelementen und dem Hohlspiegel in einer kompakten Einheit angeordnet, wie sie in den Ausführungsformen 2 bis 6 gezeigt ist. Alle Linsen sind von den Ablenkelementen weiter entfernt als von dem Hohlspiegel. Ihre kleinsten Entfernungen übersteigen nicht ihre größte Dicke (beides über den Durchmesser gemessen), oder die Länge der kompakten Einheit übersteigt nicht ihren Durchmesser, wenigstens nicht um mehr als 50%. Das hoch-entwickelte Design des hier gezeigten brechenden Linsensystems gestattet eine gute Korrektur bei vergrößerter bildseitiger numerischer Apertur im Bereich von 0,65 bis 0,85.
  • Obgleich Beispiele für das Scan-Belichtungsregime gezeigt sind, eignet sich die Erfindung ebenso für Step-and-Repeat oder Stitching. Stitching ermöglicht spezifisch kleinere Optiken.
  • Tabelle 1
    Figure 00180001
  • Figure 00190001
  • Tabelle 2
    Figure 00200001
  • Figure 00210001
  • Tabelle 3
    Figure 00220001
  • Figure 00230001
  • Tabelle 4
    Figure 00240001
  • Figure 00250001
  • Tabelle 5
    Figure 00260001
  • Figure 00270001
  • Tabelle 6
    Figure 00280001
  • Figure 00290001
  • Tabelle 7
    Figure 00300001
  • Figure 00310001
  • Tabelle 8
    Figure 00320001
  • Figure 00330001
  • Brechungsindizes CaF2
    Figure 00330002

Claims (27)

  1. Projektionsbelichtungsobjektiv, das für den Einsatz mit 248-nm- oder 193-nm-Licht ausgelegt ist, mit einem objektseitigen katadioptrischen System, einem Zwischenbild und einem brechenden Linsensystem, wobei Linsen aus einem ersten Material und Linsen aus einem zweiten Material hergestellt sind, wobei nicht mehr als vier, bevorzugt nicht mehr als drei Linsen aus dem zweiten Material hergestellt sind, wobei bei dem brechenden Linsensystem alle aus dem zweiten Linsenmaterial hergestellten Linsen in einem konvergierenden Lichtstrahl neben der Bildebene angeordnet sind, wobei das erste Linsenmaterial Quarzglas und das zweite Linsenmaterial Calciumfluorid ist.
  2. Projektionsbelichtungsobjektiv nach Anspruch 1, wobei das katadioptrische System mindestens ein ablenkendes Element, einen konkaven Spiegel und eine Reihe von Linsen dazwischen aufweist, wobei der konkave Spiegel und alle zwischen dem ablenkenden Element und dem konkaven Spiegel angeordneten Linsen in einer kompakten Einheit angeordnet sind, wobei bevorzugt die Entfernung von einer beliebigen der Linsen zu einem ablenkenden Element größer ist als seine Entfernung zu dem konkaven Spiegel.
  3. Projektionsbelichtungsobjektiv nach Anspruch 1 oder 2, wobei das katadioptrische System mindestens ein ablenkendes Element, einen konkaven Spiegel und eine Reihe von Linsen aufweist, wobei das katadioptrische System mindestens eine positive Linse zwischen der Objektseite und dem ersten ablenkenden Element, nicht mehr als eine positive und nicht mehr als drei negative Linsen zwischen dem ersten ablenkenden Element und dem konkaven Spiegel aufweist.
  4. Projektionsbelichtungsobjektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das brechende Linsensystem von der Zwischenbildseite aus folgendes aufweist: eine erste Linsengruppe mit positiver Brechkraft, eine zweite Linsengruppe mit negativer Brechkraft, eine dritte Linsengruppe mit positiver Brechkraft, eine vierte Linsengruppe mit negativer Brechkraft, eine fünfte Linsengruppe mit positiver Brechkraft.
  5. Projektionsbelichtungsobjektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei mindestens ein Dublett mit positiver Brechkraft mit einer Linse mit negativer Brechkraft und einer Linse mit positiver Brechkraft in dieser Reihenfolge von der Objektseite aus in dem brechenden Linsensystem angeordnet ist.
  6. Projektionsbelichtungsobjektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das brechende Linsensystem aus einer Feldlinsengruppe, einer dazwischenliegenden korrigierenden Linsengruppe und einer fokussierenden Linsengruppe besteht.
  7. Projektionsbelichtungsobjektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei das katadioptrische System ein Abbildungsverhältnis größer als 0,95, aber von Eins verschieden, aufweist.
  8. Projektionsbelichtungsobjektiv nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das beugende Linsensystem mindestens ein Paar Menisken enthält, wobei die konvexe Oberfläche des zwischenbildseitigen Meniskus dem Zwischenbild zugewandt ist, die konvexe Oberfläche der anderen entgegengesetzt gewandt ist.
  9. Projektionsbelichtungsobjektiv nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das mindestens eine Paar von Menisken in der korrigierenden Linsengruppe angeordnet ist.
  10. Projektionsbelichtungsobjektiv nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Dublett mit positiver Brechkraft in der fokussierenden Linsengruppe angeordnet ist.
  11. Projektionsbelichtungsobjektiv nach mindestens einem der Ansprüche 5 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß eines der Dubletten mit positiver Brechkraft neben der Systemblende angeordnet ist.
  12. Projektionsbelichtungsobjektiv nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß höchstens eine Linse des katadioptrischen Systems aus dem zweiten Linsenmaterial hergestellt ist.
  13. Projektionsbelichtungsobjektiv nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Durchmesser von aus dem zweiten Linsenmaterial hergestellten Linsen das 0,85-fache des Durchmessers des größten optischen Elements nicht übersteigt.
  14. Projektionsbelichtungsobjektiv nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Durchmesser von aus dem zweiten Linsenmaterial hergestellten Linsen 220 mm nicht übersteigt.
  15. Projektionsbelichtungsobjektiv nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß das katadioptrische System nicht mehr als 6, bevorzugt nicht mehr als 5 Linsen enthält.
  16. Projektionsbelichtungsobjektiv nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß chromatische Längsaberration unter 0,015 μm pro Bandbreite von 1 pm bei 193 nm liegt.
  17. Projektionsbelichtungsobjektiv nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß chromatische Längsaberration unter 0,05 μm pro Bandbreite von 1 pm bei 157 nm liegt.
  18. Projektionsbelichtungsobjektiv nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß das Abbildungsverhältnis des katadioptrischen Systems größer als 0,8, bevorzugt größer als 0,95 ist.
  19. Projektionsbelichtungsobjektiv nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß es auf beiden Seiten telezentrisch ist.
  20. Projektionsbelichtungsobjektiv nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß es mindestens eine Strahltaille in dem brechenden Teilsystem aufweist und die Dubletten mit positiver Brechkraft hinter der letzten Strahltaille angeordnet sind.
  21. Projektionsbelichtungsobjektiv nach Anspruch 5 oder 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Dubletten mit positiver Brechkraft derart angeordnet sind, daß der Lichtstrahldurchmesser innerhalb ihrer Linsenelemente mehr als 80% des größten Strahldurchmessers beträgt.
  22. Projektionsbelichtungsobjektiv nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß ein reflektierendes Prisma zur Reflexion des Lichtstrahls zwischen dem Objekt und dem konkaven Spiegel eingefügt ist.
  23. Projektionsbelichtungsobjektiv nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß exakt eine Linse zwischen dem Objekt und dem ersten ablenkenden Element plaziert ist.
  24. Projektionsbelichtungsobjektiv nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis Brennweite der Linse vor dem ersten ablenkenden Spiegel über die Entfernung von der Linse zu dem konkaven Spiegel Eins innerhalb von (+/–) 15% beträgt.
  25. Projektionsbelichtungsvorrichtung, die folgendes umfaßt: eine Excimerlaser-Lichtquelle, ein Beleuchtungssystem, ein Maskenhandhabungs- und -positionierungssystem, ein Projektionsbelichtungsobjektiv nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 24, ein Waferhandhabungs- und -positionierungssystem.
  26. Verfahren zum Herstellen mikrostrukturierter Bauelemente durch Lithographie unter Verwendung einer Projektionsbelichtungsvorrichtung nach Anspruch 25.
  27. Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß Step-and-Repeat-, Scan- oder Stitching-Belichtungsverfahren verwendet werden.
DE69933973T 1998-07-29 1999-07-01 Katadioptrisches optisches system und damit ausgestattete belichtungsvorrichtung Expired - Lifetime DE69933973T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US9457998P 1998-07-29 1998-07-29
US94579P 1998-07-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69933973D1 DE69933973D1 (de) 2006-12-28
DE69933973T2 true DE69933973T2 (de) 2007-06-28

Family

ID=22245979

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69933973T Expired - Lifetime DE69933973T2 (de) 1998-07-29 1999-07-01 Katadioptrisches optisches system und damit ausgestattete belichtungsvorrichtung

Country Status (6)

Country Link
US (4) US6496306B1 (de)
EP (1) EP0989434B1 (de)
JP (1) JP4693947B2 (de)
KR (1) KR100615068B1 (de)
DE (1) DE69933973T2 (de)
TW (1) TW466349B (de)

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3395801B2 (ja) 1994-04-28 2003-04-14 株式会社ニコン 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法
US6512631B2 (en) * 1996-07-22 2003-01-28 Kla-Tencor Corporation Broad-band deep ultraviolet/vacuum ultraviolet catadioptric imaging system
US6680803B2 (en) * 1996-12-21 2004-01-20 Carl-Zeiss Smt Ag Partial objective in an illuminating systems
US7130129B2 (en) 1996-12-21 2006-10-31 Carl Zeiss Smt Ag Reticle-masking objective with aspherical lenses
EP1293831A1 (de) 1998-06-08 2003-03-19 Nikon Corporation Verfahren und Vorrichtung zur Projektionsbelichtung
US6451507B1 (en) 1998-08-18 2002-09-17 Nikon Corporation Exposure apparatus and method
EP1094350A3 (de) * 1999-10-21 2001-08-16 Carl Zeiss Optisches Projektionslinsensystem
US6995930B2 (en) * 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
EP1115019A3 (de) * 1999-12-29 2004-07-28 Carl Zeiss Projektionsobjektiv mit asphärischen Elementen
TW538256B (en) 2000-01-14 2003-06-21 Zeiss Stiftung Microlithographic reduction projection catadioptric objective
WO2002044786A2 (en) * 2000-11-28 2002-06-06 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection system for 157 nm lithography
US6480330B1 (en) * 2000-02-24 2002-11-12 Silicon Valley Group, Inc. Ultraviolet polarization beam splitter for microlithography
US7301605B2 (en) * 2000-03-03 2007-11-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices
KR20010113527A (ko) * 2000-06-19 2001-12-28 시마무라 테루오 투영 광학계, 그 제조 방법 및 투영 노광 장치
JP2002083766A (ja) 2000-06-19 2002-03-22 Nikon Corp 投影光学系、該光学系の製造方法、及び前記光学系を備えた投影露光装置
JP2002244034A (ja) * 2001-02-21 2002-08-28 Nikon Corp 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
US7031069B2 (en) 2001-05-19 2006-04-18 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic illumination method and a projection lens for carrying out the method
DE10127227A1 (de) 2001-05-22 2002-12-05 Zeiss Carl Katadioptrisches Reduktionsobjektiv
US7136220B2 (en) 2001-08-21 2006-11-14 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric reduction lens
US7453641B2 (en) * 2001-10-30 2008-11-18 Asml Netherlands B.V. Structures and methods for reducing aberration in optical systems
JP2005512151A (ja) * 2001-12-10 2005-04-28 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー カタジオプトリック縮小対物レンズ
WO2003052462A2 (en) * 2001-12-18 2003-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric reduction lens
US7046459B1 (en) 2001-12-18 2006-05-16 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric reductions lens
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
JP4292497B2 (ja) * 2002-04-17 2009-07-08 株式会社ニコン 投影光学系、露光装置および露光方法
DE10220324A1 (de) 2002-04-29 2003-11-13 Zeiss Carl Smt Ag Projektionsverfahren mit Pupillenfilterung und Projektionsobjektiv hierfür
US20050190446A1 (en) * 2002-06-25 2005-09-01 Carl Zeiss Amt Ag Catadioptric reduction objective
US6922293B2 (en) 2002-07-02 2005-07-26 Nikon Corporation Kinematic optical mounting assembly with flexures
KR101484435B1 (ko) 2003-04-09 2015-01-19 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
US6995833B2 (en) 2003-05-23 2006-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8208198B2 (en) 2004-01-14 2012-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
US7466489B2 (en) * 2003-12-15 2008-12-16 Susanne Beder Projection objective having a high aperture and a planar end surface
WO2005059654A1 (en) 2003-12-15 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Objective as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
WO2005059645A2 (en) * 2003-12-19 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Microlithography projection objective with crystal elements
US20080151365A1 (en) 2004-01-14 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective
CN100592210C (zh) * 2004-02-13 2010-02-24 卡尔蔡司Smt股份公司 微平版印刷投影曝光装置的投影物镜
WO2005081067A1 (en) * 2004-02-13 2005-09-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
US20060244938A1 (en) * 2004-05-04 2006-11-02 Karl-Heinz Schuster Microlitographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
WO2005111689A2 (en) * 2004-05-17 2005-11-24 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with intermediate images
JP2006119490A (ja) 2004-10-25 2006-05-11 Canon Inc 反射屈折型投影光学系及び当該反射屈折型投影光学系を有する露光装置、デバイス製造方法
US20060198018A1 (en) * 2005-02-04 2006-09-07 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system
US20090115986A1 (en) * 2005-06-02 2009-05-07 Carl Zeiss Smt Ag Microlithography projection objective
DE102005031084A1 (de) * 2005-06-28 2007-01-04 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithografisches Belichtungsverfahren sowie Projektionsbelichtungsanlage zur Durchführung des Verfahrens
EP1837695A1 (de) * 2006-03-22 2007-09-26 Carl Zeiss SMT AG Katadioptrisches Abbildungssystem mit Strahlteiler
US8125613B2 (en) 2006-04-21 2012-02-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20070247729A1 (en) * 2006-04-25 2007-10-25 Rudolph Technologies, Inc. Reflective objective
EP1852745A1 (de) * 2006-05-05 2007-11-07 Carl Zeiss SMT AG Projektionsobjektiv mit hoher NA
KR100839487B1 (ko) 2006-10-16 2008-06-19 삼성전자주식회사 팝업 노이즈 방지 회로, 이를 포함하는 디지털 앰프 및디지털 앰프의 팝업 노이즈 방지 방법
US8715909B2 (en) * 2007-10-05 2014-05-06 Infineon Technologies Ag Lithography systems and methods of manufacturing using thereof
DE102008007449A1 (de) * 2008-02-01 2009-08-13 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik zur Beleuchtung eines Objektfeldes einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
US8345350B2 (en) 2008-06-20 2013-01-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Chromatically corrected objective with specifically structured and arranged dioptric optical elements and projection exposure apparatus including the same
JP5253081B2 (ja) * 2008-10-14 2013-07-31 キヤノン株式会社 投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
US8830590B2 (en) * 2012-05-30 2014-09-09 Ultratech, Inc. Unit magnification large-format catadioptric lens for microlithography
CN112965212B (zh) * 2021-03-24 2023-04-07 江西晶超光学有限公司 成像系统、摄像模组及电子设备

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4779966A (en) * 1984-12-21 1988-10-25 The Perkin-Elmer Corporation Single mirror projection optical system
US5052763A (en) * 1990-08-28 1991-10-01 International Business Machines Corporation Optical system with two subsystems separately correcting odd aberrations and together correcting even aberrations
JPH06242379A (ja) * 1992-12-24 1994-09-02 Nikon Corp 反射屈折縮小投影光学系
US5668673A (en) 1991-08-05 1997-09-16 Nikon Corporation Catadioptric reduction projection optical system
JP3235077B2 (ja) * 1991-09-28 2001-12-04 株式会社ニコン 露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた半導体素子製造方法
US5323563A (en) * 1992-07-31 1994-06-28 Stageright Corporation Retractable locators for deck panels of portable staging
US5323263A (en) * 1993-02-01 1994-06-21 Nikon Precision Inc. Off-axis catadioptric projection system
US5592329A (en) * 1993-02-03 1997-01-07 Nikon Corporation Catadioptric optical system
JP3747951B2 (ja) * 1994-11-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
JPH09311278A (ja) 1996-05-20 1997-12-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JP3747958B2 (ja) 1995-04-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
JP3635684B2 (ja) 1994-08-23 2005-04-06 株式会社ニコン 反射屈折縮小投影光学系、反射屈折光学系、並びに投影露光方法及び装置
JPH0713070A (ja) * 1993-06-29 1995-01-17 Nikon Corp 負レンズ及び該負レンズを有する光学系並びに 該負レンズの製造方法
JPH0772393A (ja) * 1993-09-06 1995-03-17 Nikon Corp 反射縮小投影光学系
JP3395801B2 (ja) 1994-04-28 2003-04-14 株式会社ニコン 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法
DE4417489A1 (de) * 1994-05-19 1995-11-23 Zeiss Carl Fa Höchstaperturiges katadioptrisches Reduktionsobjektiv für die Miktrolithographie
JPH08203812A (ja) 1995-01-30 1996-08-09 Nikon Corp 反射屈折縮小投影光学系及び露光装置
JP3624973B2 (ja) * 1995-10-12 2005-03-02 株式会社ニコン 投影光学系
JPH103039A (ja) * 1996-06-14 1998-01-06 Nikon Corp 反射屈折光学系
US6157498A (en) * 1996-06-19 2000-12-05 Nikon Corporation Dual-imaging optical system
JPH1010431A (ja) * 1996-06-20 1998-01-16 Nikon Corp 反射屈折光学系
US6631036B2 (en) * 1996-09-26 2003-10-07 Carl-Zeiss-Stiftung Catadioptric objective
DE19639586A1 (de) * 1996-09-26 1998-04-02 Zeiss Carl Fa Katadioptrisches Mikrolithographie-Reduktionsobjektiv
US6486940B1 (en) * 2000-07-21 2002-11-26 Svg Lithography Systems, Inc. High numerical aperture catadioptric lens

Also Published As

Publication number Publication date
TW466349B (en) 2001-12-01
JP4693947B2 (ja) 2011-06-01
US20020196533A1 (en) 2002-12-26
US20060007532A1 (en) 2006-01-12
US6496306B1 (en) 2002-12-17
KR100615068B1 (ko) 2006-08-22
DE69933973D1 (de) 2006-12-28
US6985286B2 (en) 2006-01-10
EP0989434B1 (de) 2006-11-15
KR20000011933A (ko) 2000-02-25
EP0989434A2 (de) 2000-03-29
EP0989434A3 (de) 2001-10-17
US6717722B2 (en) 2004-04-06
US20040169914A1 (en) 2004-09-02
JP2000047114A (ja) 2000-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69933973T2 (de) Katadioptrisches optisches system und damit ausgestattete belichtungsvorrichtung
DE69531153T3 (de) Optisches Projektionssystem mit Belichtungsgerät
DE60208045T2 (de) Objektiv mit pupillenverdeckung
EP1122608B1 (de) Projektionsbelichtungsanlage mit reflektivem Retikel
EP0783137B1 (de) REMA-Objektiv für Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen
DE102011077509B4 (de) Anamorphotisches Objektiv und optisches System
EP1855160B1 (de) Projektionsbelichtungsanlage, Projektionsbelichtungsverfahren und Verwendung eines Projektionsobjektivs
DE10127227A1 (de) Katadioptrisches Reduktionsobjektiv
EP1097404A1 (de) Projektionsobjektiv für die mikrolithographie
DE69824658T2 (de) Optisches System für Projektion
DE102014208770A1 (de) Projektionsoptik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Projektionsoptik
DE10210899A1 (de) Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
EP0687956A1 (de) Beleuchtungseinrichtung
EP1199590A1 (de) 8-Spiegel-Mikrolithographie-Projektionsobjektiv
EP1686405A1 (de) Mikrolithographisches Reduktionsobjektiv mit fünf Linsengruppen
EP0809125A1 (de) Hochauflösendes lichtstarkes Objektiv
DE102008007449A1 (de) Beleuchtungsoptik zur Beleuchtung eines Objektfeldes einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
EP1102100A2 (de) Katadioptrisches Objektiv mit physikalischem Strahlteiler
EP1235112B1 (de) Teilobjektiv für Beleuchtungssystem
DE4203464B4 (de) Katadioptrisches Reduktionsobjektiv
EP1006388A2 (de) Reduktions-Projektionsobjektiv der Mikrolithographie
DE102022205700A1 (de) Projektionsobjektiv, Projektionsbelichtungsanlage und Projektionsbelichtungsverfahren
DE60306042T2 (de) Relaisobjektiv in einem Beleuchtungssystem eines lithographischen Systems
EP1456705A2 (de) Katadioptrisches reduktionsobjektiv
DE102006028222A1 (de) Verfahren zum Betreiben von Projektionsbelichtungsanlagen und Verwendung eines Projektionsobjektivs

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: CARL ZEISS SMT GMBH, 73447 OBERKOCHEN, DE