JPH103039A - 反射屈折光学系 - Google Patents
反射屈折光学系Info
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- JPH103039A JPH103039A JP8153770A JP15377096A JPH103039A JP H103039 A JPH103039 A JP H103039A JP 8153770 A JP8153770 A JP 8153770A JP 15377096 A JP15377096 A JP 15377096A JP H103039 A JPH103039 A JP H103039A
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- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
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- G02B17/08—Catadioptric systems
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/7025—Size or form of projection system aperture, e.g. aperture stops, diaphragms or pupil obscuration; Control thereof
Abstract
(57)【要約】
【課題】紫外線波長域で大きな開口数を達成し、光学系
全体が実用的な大きさで、クオーターミクロン単位の解
像度を有し、光学系の各構成部材を小型化した反射屈折
光学系を提供する。 【解決手段】光線が進行する順に、屈折部材によって構
成された第１結像光学系Ｓ１と、凹面鏡Ｍ１と、屈折部
材によって構成された第２結像光学系Ｓ２とを含み、半
導体素子のパターンを基板上へ投影する反射屈折光学系
において、前記第１結像光学系を構成する屈折部材及び
前記第２結像光学系を構成する屈折部材のうち、少なく
とも１つの屈折部材は非球面を有する反射屈折光学系を
提供する。
全体が実用的な大きさで、クオーターミクロン単位の解
像度を有し、光学系の各構成部材を小型化した反射屈折
光学系を提供する。 【解決手段】光線が進行する順に、屈折部材によって構
成された第１結像光学系Ｓ１と、凹面鏡Ｍ１と、屈折部
材によって構成された第２結像光学系Ｓ２とを含み、半
導体素子のパターンを基板上へ投影する反射屈折光学系
において、前記第１結像光学系を構成する屈折部材及び
前記第２結像光学系を構成する屈折部材のうち、少なく
とも１つの屈折部材は非球面を有する反射屈折光学系を
提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素
子、または液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で
製造する際に使用される投影露光装置で用いられる光学
系に関する。特に、光学系の要素として反射鏡を用いる
ことにより、紫外線波長域でクオーターミクロン単位の
解像度を有する反射屈折光学系に関する。
子、または液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で
製造する際に使用される投影露光装置で用いられる光学
系に関する。特に、光学系の要素として反射鏡を用いる
ことにより、紫外線波長域でクオーターミクロン単位の
解像度を有する反射屈折光学系に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子等を製造するためのフォトグ
ラフィ工程において、半導体素子のパターンが描かれた
フォトマスクまたはレチクル（以下、まとめてレチクル
と称する）を投影光学系を介して、フォトレジスト等が
塗布されたウエハーまたはガラスプレート等の基板（以
下、まとめてウエハーと称する）上に露光する投影露光
装置が使用されている。半導体素子等の集積度が向上す
るにつれて、投影露光装置に使用されている投影光学系
に要求される解像力は益々高まっている。この要求を満
足するために、照明光の波長を短く且つ投影光学系の開
口数（ＮＡ）を大きくする必要が生じた。これら要求を
満たすために、反射系と屈折系とを組み合わせた所謂反
射屈折光学系で投影光学系を構成する種々の技術が提案
されている。
ラフィ工程において、半導体素子のパターンが描かれた
フォトマスクまたはレチクル（以下、まとめてレチクル
と称する）を投影光学系を介して、フォトレジスト等が
塗布されたウエハーまたはガラスプレート等の基板（以
下、まとめてウエハーと称する）上に露光する投影露光
装置が使用されている。半導体素子等の集積度が向上す
るにつれて、投影露光装置に使用されている投影光学系
に要求される解像力は益々高まっている。この要求を満
足するために、照明光の波長を短く且つ投影光学系の開
口数（ＮＡ）を大きくする必要が生じた。これら要求を
満たすために、反射系と屈折系とを組み合わせた所謂反
射屈折光学系で投影光学系を構成する種々の技術が提案
されている。
【０００３】例えば、特開昭６３−１６３３１９号公報
及び特公平５−２５１７０号公報には、光軸上の光線を
含む露光領域を用いる反射屈折光学系が開示されてい
る。また、光軸上を用いず輪帯状の露光領域を用いる光
学系としては、特公平７−１１１５１２号公報及びＵＳ
Ｐ−４，７７９，９６６号に開示された光学系がある。
及び特公平５−２５１７０号公報には、光軸上の光線を
含む露光領域を用いる反射屈折光学系が開示されてい
る。また、光軸上を用いず輪帯状の露光領域を用いる光
学系としては、特公平７−１１１５１２号公報及びＵＳ
Ｐ−４，７７９，９６６号に開示された光学系がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の光軸上の光線を
含む露光領域を用いる反射屈折光学系では、光路分割の
ために透過反射面を持ったビームスプリッターを使う必
要がある。このような光学系ではウエハー面からの反射
光による内面反射や、ビームスプリッター以降の光学系
の屈折面での内面反射、ビームスプリッターの透過反射
面等において、フレアーや照明ムラの原因となる迷光が
発生し易い。また開口数を大きくすると大型のビームス
プリッターが必要となり、光量ロスによる露光時間の長
大化は半導体製造工程におけるスループットの低下を招
く。さらに特開平６−３００９７３号公報等にも開示さ
れているように、光量ロスを防ぐ為に偏光ビームスプリ
ッターの採用が必要となるが、大型の偏光ビームスプリ
ッターを製造することは極めて難しく、透過反射膜の不
均一性、角度特性、吸収、位相変化などが結像特性を劣
化させるという不都合があった。
含む露光領域を用いる反射屈折光学系では、光路分割の
ために透過反射面を持ったビームスプリッターを使う必
要がある。このような光学系ではウエハー面からの反射
光による内面反射や、ビームスプリッター以降の光学系
の屈折面での内面反射、ビームスプリッターの透過反射
面等において、フレアーや照明ムラの原因となる迷光が
発生し易い。また開口数を大きくすると大型のビームス
プリッターが必要となり、光量ロスによる露光時間の長
大化は半導体製造工程におけるスループットの低下を招
く。さらに特開平６−３００９７３号公報等にも開示さ
れているように、光量ロスを防ぐ為に偏光ビームスプリ
ッターの採用が必要となるが、大型の偏光ビームスプリ
ッターを製造することは極めて難しく、透過反射膜の不
均一性、角度特性、吸収、位相変化などが結像特性を劣
化させるという不都合があった。
【０００５】一方、輪帯状の露光領域を用いるＵＳＰ−
４，７７９，９６６号に開示された反射屈折光学系で
は、反射光学系を中間像よりもウエハー面よりの縮小側
に採用している。しかし縮小側はレチクル面側に比べて
ＮＡが大きいため、光路分割が困難で光学系のＮＡを大
きくすることができず、十分な解像力を持つことができ
ない。また凹面鏡の大型化も避けられない。
４，７７９，９６６号に開示された反射屈折光学系で
は、反射光学系を中間像よりもウエハー面よりの縮小側
に採用している。しかし縮小側はレチクル面側に比べて
ＮＡが大きいため、光路分割が困難で光学系のＮＡを大
きくすることができず、十分な解像力を持つことができ
ない。また凹面鏡の大型化も避けられない。
【０００６】同様に輪帯状の露光領域を用いる特公平７
−１１１５１２号公報に開示された反射屈折光学系で
は、中間像を形成するための凹面鏡を含む第１結像光学
系が完全対称型の光学系で構成されており、中間像はレ
チクル面の等倍像となっている。これにより第１結像光
学系の収差発生を軽減させているが、第２結像光学系が
全系の倍率を一手に受け持つこととなり、第２結像光学
系にかかる負担が重くなる。特に光学系に大きなＮＡが
要求されると、第２結像光学系の大型化、複雑化は避け
られない。
−１１１５１２号公報に開示された反射屈折光学系で
は、中間像を形成するための凹面鏡を含む第１結像光学
系が完全対称型の光学系で構成されており、中間像はレ
チクル面の等倍像となっている。これにより第１結像光
学系の収差発生を軽減させているが、第２結像光学系が
全系の倍率を一手に受け持つこととなり、第２結像光学
系にかかる負担が重くなる。特に光学系に大きなＮＡが
要求されると、第２結像光学系の大型化、複雑化は避け
られない。
【０００７】本発明は斯かる点に鑑み、紫外線波長域で
大きな開口数を達成し、光学系全体が実用的な大きさ
で、クオーターミクロン単位の解像度を有し、光学系の
各構成部材を小型化した反射屈折光学系を提供すること
を目的とする。
大きな開口数を達成し、光学系全体が実用的な大きさ
で、クオーターミクロン単位の解像度を有し、光学系の
各構成部材を小型化した反射屈折光学系を提供すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明では、光線が進行する順に、屈折部材によ
って構成された第１結像光学系Ｓ１と、凹面鏡Ｍ１と、
屈折部材によって構成された第２結像光学系Ｓ２とを含
み、半導体素子のパターンを基板上へ投影する反射屈折
光学系において、前記第１結像光学系を構成する屈折部
材及び前記第２結像光学系を構成する屈折部材のうち、
少なくとも１つの屈折部材は非球面を有することを特徴
とする反射屈折光学系を提供する。
めに、本発明では、光線が進行する順に、屈折部材によ
って構成された第１結像光学系Ｓ１と、凹面鏡Ｍ１と、
屈折部材によって構成された第２結像光学系Ｓ２とを含
み、半導体素子のパターンを基板上へ投影する反射屈折
光学系において、前記第１結像光学系を構成する屈折部
材及び前記第２結像光学系を構成する屈折部材のうち、
少なくとも１つの屈折部材は非球面を有することを特徴
とする反射屈折光学系を提供する。
【０００９】
【発明の実施の形態】上述の様に本発明においては、屈
折部材に非球面形状を採用することで、高次収差の発生
を軽減すること及び光学系のＮＡを大きくすることが可
能となり、光学系の大型化、複雑化を防ぐことができ
る。これは、屈折面を球面からずらすことにより、レン
ズ面周辺の光束を理想的に曲げることができるようにな
る。それによって、光束全体を広げずに、高次の収差補
正ができるようになるからである。
折部材に非球面形状を採用することで、高次収差の発生
を軽減すること及び光学系のＮＡを大きくすることが可
能となり、光学系の大型化、複雑化を防ぐことができ
る。これは、屈折面を球面からずらすことにより、レン
ズ面周辺の光束を理想的に曲げることができるようにな
る。それによって、光束全体を広げずに、高次の収差補
正ができるようになるからである。
【００１０】特に、第１結像光学系Ｓ１に非球面形状の
屈折面を導入すると、第１結像光学系Ｓ１の大型化を防
ぐことができ、第２結像光学系Ｓ２に非球面形状の屈折
面を導入すると、第２結像光学系Ｓ２の大型化を防ぐこ
とができる。また、本発明では、第１結像光学系Ｓ１
は、光線が一度だけ通過する第１レンズ群Ｇ１と、光線
が往復する第２レンズ群Ｇ２とからなり、第２レンズ群
Ｇ２の最も凹面鏡Ｍ１に近いレンズは、負レンズＬＳで
あり、第２レンズ群Ｇ２を射出した光線は、第２結像光
学系Ｓ２に入射する前に半導体素子のパターンを一度結
像することが好ましい。特にこのような光学系の配置に
すると、各構成部材の小型化が達成できる。その上、光
線の進行する順に、第２レンズ群Ｇ２の最も凹面鏡Ｍ１
に近いレンズを負レンズＬＳ、凹面鏡Ｍ１、第２結像光
学系Ｓ２と配置し、第２レンズ群Ｇ２を射出した光線が
第２結像光学系Ｓ２に入射する前に半導体素子のパター
ンを一度結像するという構成は、軸上色収差の低減に非
常に有効である。
屈折面を導入すると、第１結像光学系Ｓ１の大型化を防
ぐことができ、第２結像光学系Ｓ２に非球面形状の屈折
面を導入すると、第２結像光学系Ｓ２の大型化を防ぐこ
とができる。また、本発明では、第１結像光学系Ｓ１
は、光線が一度だけ通過する第１レンズ群Ｇ１と、光線
が往復する第２レンズ群Ｇ２とからなり、第２レンズ群
Ｇ２の最も凹面鏡Ｍ１に近いレンズは、負レンズＬＳで
あり、第２レンズ群Ｇ２を射出した光線は、第２結像光
学系Ｓ２に入射する前に半導体素子のパターンを一度結
像することが好ましい。特にこのような光学系の配置に
すると、各構成部材の小型化が達成できる。その上、光
線の進行する順に、第２レンズ群Ｇ２の最も凹面鏡Ｍ１
に近いレンズを負レンズＬＳ、凹面鏡Ｍ１、第２結像光
学系Ｓ２と配置し、第２レンズ群Ｇ２を射出した光線が
第２結像光学系Ｓ２に入射する前に半導体素子のパター
ンを一度結像するという構成は、軸上色収差の低減に非
常に有効である。
【００１１】上述の様な構成の光学系の場合は、更に、
第２レンズ群Ｇ２が少なくとも２つの異なる負の屈折力
を持つ屈折部材と、少なくとも２つの異なる正の屈折力
を持つ屈折部材から構成されることが好ましい。負の屈
折力を持つレンズは、コマ収差や球面収差、像面湾曲等
の補正に大いに有効であり、正の屈折力を持つレンズは
光学系が大きくなることなく、大きなＮＡや大きな露光
領域を持つために有効である。さらに、第２結像光学系
Ｓ２の収差を補償し、第２結像光学系Ｓ２の収差補正の
負担を軽くするためには少なくとも各々２つずつのレン
ズを有することが望ましい。
第２レンズ群Ｇ２が少なくとも２つの異なる負の屈折力
を持つ屈折部材と、少なくとも２つの異なる正の屈折力
を持つ屈折部材から構成されることが好ましい。負の屈
折力を持つレンズは、コマ収差や球面収差、像面湾曲等
の補正に大いに有効であり、正の屈折力を持つレンズは
光学系が大きくなることなく、大きなＮＡや大きな露光
領域を持つために有効である。さらに、第２結像光学系
Ｓ２の収差を補償し、第２結像光学系Ｓ２の収差補正の
負担を軽くするためには少なくとも各々２つずつのレン
ズを有することが望ましい。
【００１２】そして、更に、第１レンズ群Ｇ１は、少な
くとも３つの異なる屈折力を持つ屈折部材から構成され
ることが好ましい。近時、光学系に解像力が求められる
につれて、歪曲収差の補正や像面湾曲の補正も厳しいス
ペックが要求されている。この達成のためには、製造時
の調整が必要となるが、調整用のレンズはレチクル面近
傍のレンズが有効である。しかし本発明の光学系の第２
レンズ群Ｇ２は、往復兼用光学系であるため、調整用の
レンズとしては不向きといえる。従って、第１レンズ群
Ｇ１に少なくとも３つの異なる屈折力を持つレンズで構
成することにより、歪曲収差や像面湾曲の製造時の調整
が可能となる。また、上記の構成に第１レンズ群Ｇ１を
することで、レチクルＲ面付近でのワーキングディスタ
ンスを大きくすることが可能となり、ステップ・アンド
・スキャン方式の露光を実現できる。
くとも３つの異なる屈折力を持つ屈折部材から構成され
ることが好ましい。近時、光学系に解像力が求められる
につれて、歪曲収差の補正や像面湾曲の補正も厳しいス
ペックが要求されている。この達成のためには、製造時
の調整が必要となるが、調整用のレンズはレチクル面近
傍のレンズが有効である。しかし本発明の光学系の第２
レンズ群Ｇ２は、往復兼用光学系であるため、調整用の
レンズとしては不向きといえる。従って、第１レンズ群
Ｇ１に少なくとも３つの異なる屈折力を持つレンズで構
成することにより、歪曲収差や像面湾曲の製造時の調整
が可能となる。また、上記の構成に第１レンズ群Ｇ１を
することで、レチクルＲ面付近でのワーキングディスタ
ンスを大きくすることが可能となり、ステップ・アンド
・スキャン方式の露光を実現できる。
【００１３】また、第２結像光学系Ｓ２は、主に球面収
差やコマ収差を補正し、光学系が大きなＮＡを持つため
の重要な役割を果たす。本発明では、第１結像光学系Ｓ
１と第２結像光学系Ｓ２との間に、光路偏向部材Ｍ３を
配置することが好ましい。これは、ミラー等の光路偏向
部材を配置することによって、光学系全体を折り曲げる
ことが可能になり、光学系全体の小型化を達成すること
ができるためである。
差やコマ収差を補正し、光学系が大きなＮＡを持つため
の重要な役割を果たす。本発明では、第１結像光学系Ｓ
１と第２結像光学系Ｓ２との間に、光路偏向部材Ｍ３を
配置することが好ましい。これは、ミラー等の光路偏向
部材を配置することによって、光学系全体を折り曲げる
ことが可能になり、光学系全体の小型化を達成すること
ができるためである。
【００１４】また、本発明では、波長が３００ｎｍを越
えた短波長を露光用の光源として使用するため、特に、
この領域での光量透過特性が良く、経済的で、加工性の
良い石英か蛍石を使用することが好ましい。また、本発
明では、凹面鏡Ｍ１を非球面形状に形成しても構わな
い。凹面鏡Ｍ１が非球面形状であると、高次収差の発生
なく凹面鏡Ｍ１の持つ正の屈折力を大きくすることがで
き、光学系の小型化及び大ＮＡ化の実現、さらに広帯域
の波長についての色収差補正が可能となる。
えた短波長を露光用の光源として使用するため、特に、
この領域での光量透過特性が良く、経済的で、加工性の
良い石英か蛍石を使用することが好ましい。また、本発
明では、凹面鏡Ｍ１を非球面形状に形成しても構わな
い。凹面鏡Ｍ１が非球面形状であると、高次収差の発生
なく凹面鏡Ｍ１の持つ正の屈折力を大きくすることがで
き、光学系の小型化及び大ＮＡ化の実現、さらに広帯域
の波長についての色収差補正が可能となる。
【００１５】尚、第２結像光学系Ｓ２の光路中に開口絞
り（可変絞り）を設けることで、コヒーレンスファクタ
（σ値）を調整できる。焦点深度を深くして且つ解像力
を上げる一つの手法として、例えば特公昭６２−５０８
１１号公報において、レチクルのパターン中の所定部分
の位相を他の部分からずらす位相シフト法が提案されて
いる。本発明においては、コヒーレンスファクタ（σ
値）を調整することが可能であるため、この位相シフト
法の効果をさらに向上できる利点がある。
り（可変絞り）を設けることで、コヒーレンスファクタ
（σ値）を調整できる。焦点深度を深くして且つ解像力
を上げる一つの手法として、例えば特公昭６２−５０８
１１号公報において、レチクルのパターン中の所定部分
の位相を他の部分からずらす位相シフト法が提案されて
いる。本発明においては、コヒーレンスファクタ（σ
値）を調整することが可能であるため、この位相シフト
法の効果をさらに向上できる利点がある。
【００１６】
【実施例】以下に本発明による反射屈折光学系の数値実
施例を示す。各数値実施例による反射屈折光学系は、レ
チクルＲ側から順に（光線が進行する順に）、屈折部材
によって構成された第１結像光学系Ｓ１、凹面鏡Ｍ１、
屈折部材によって構成された第２結像光学系Ｓ２とによ
って構成され、第１結像光学系Ｓ１は、光線が一度だけ
通過する第１レンズ群Ｇ１と光線が往復する第２レンズ
群Ｇ２とからなり、第２レンズ群の最も凹面鏡Ｍ１に近
いレンズは、負レンズＬＳで構成されている。
施例を示す。各数値実施例による反射屈折光学系は、レ
チクルＲ側から順に（光線が進行する順に）、屈折部材
によって構成された第１結像光学系Ｓ１、凹面鏡Ｍ１、
屈折部材によって構成された第２結像光学系Ｓ２とによ
って構成され、第１結像光学系Ｓ１は、光線が一度だけ
通過する第１レンズ群Ｇ１と光線が往復する第２レンズ
群Ｇ２とからなり、第２レンズ群の最も凹面鏡Ｍ１に近
いレンズは、負レンズＬＳで構成されている。
【００１７】また、各数値実施例とも、ＮＡ＝０．６
で、像高が５から１８．６までの範囲で収差補正がなさ
れている。尚、露光領域としては、前述の像高の範囲を
輪帯状にしてもよいし、光軸から５離れたところに６×
３０の長方形にしてもよい。第１実施例及び第２実施例
の各表中、ｒは面の曲率半径を表し、ｄは面の間隔を表
している。また、硝材として、石英はＳｉＯ2 と、蛍石
はＣａＦ2 と各表中記載してある。石英及び蛍石の１９
３．０ｎｍに対する屈折率ｎ及び±０．１ｎｍに対する
分散値１／νは、次の通りである。
で、像高が５から１８．６までの範囲で収差補正がなさ
れている。尚、露光領域としては、前述の像高の範囲を
輪帯状にしてもよいし、光軸から５離れたところに６×
３０の長方形にしてもよい。第１実施例及び第２実施例
の各表中、ｒは面の曲率半径を表し、ｄは面の間隔を表
している。また、硝材として、石英はＳｉＯ2 と、蛍石
はＣａＦ2 と各表中記載してある。石英及び蛍石の１９
３．０ｎｍに対する屈折率ｎ及び±０．１ｎｍに対する
分散値１／νは、次の通りである。
【００１８】 また、各実施例中、非球面は、以下の式によって表され
るものである。 Ｚ＝（Ｙ2 ／ｒ）／〔１＋sqrt｛１−（１＋Ｋ）Ｙ2 ／
ｒ｝〕＋Ｃ4 Ｙ4 ＋Ｃ6 Ｙ6 ＋Ｃ8 Ｙ8 ＋Ｃ10Ｙ10＋Ｃ
12Ｙ12 但し、 Ｚ ： 頂点より光軸方向に測った距離 Ｙ ： 頂点より光軸に垂直な方向に測った距離 Ｋ ： 円錐係数 ｒ ： 頂点の曲率半径 Ｃ4 、Ｃ6 、Ｃ8 ・・・ ： ４次、６次、８次・・・
の非球面係数 〔第１実施例〕第１実施例では、第１レンズ群Ｇ１は、
レチクルＲ面より順に、両凸レンズ、両凹レンズ、レチ
クルＲ面側に凸面を向けたメニスカスレンズ、レチクル
Ｒ面側に凸面を向けたメニスカスレンズ、平行平面板に
よって構成されている。また、第２レンズ群は、レチク
ルＲ面より順に、両凸レンズ、両凹レンズ、両凸レン
ズ、両凹レンズ、両凸レンズ、レチクルＲ面側に凹面を
向けたメニスカスレンズ、両凸レンズ、レチクルＲ面側
に凸面を向けたメニスカスレンズ、レチクルＲ側の面を
非球面ＡＳ１に形成したレチクルＲ面側に凹面を向けた
負メニスカスレンズＬＳによて構成されている。ここ
で、第１レンズ群Ｇ１の中の平行平面板は、レンズの一
部を、光路偏向部材として平面鏡Ｍ２に加工している。
そして、この平面鏡Ｍ２付近で、一度レチクルＲの像を
結像する。また、本実施例中では、凹面鏡Ｍ１は、非球
面ＡＳ２に形成している。
るものである。 Ｚ＝（Ｙ2 ／ｒ）／〔１＋sqrt｛１−（１＋Ｋ）Ｙ2 ／
ｒ｝〕＋Ｃ4 Ｙ4 ＋Ｃ6 Ｙ6 ＋Ｃ8 Ｙ8 ＋Ｃ10Ｙ10＋Ｃ
12Ｙ12 但し、 Ｚ ： 頂点より光軸方向に測った距離 Ｙ ： 頂点より光軸に垂直な方向に測った距離 Ｋ ： 円錐係数 ｒ ： 頂点の曲率半径 Ｃ4 、Ｃ6 、Ｃ8 ・・・ ： ４次、６次、８次・・・
の非球面係数 〔第１実施例〕第１実施例では、第１レンズ群Ｇ１は、
レチクルＲ面より順に、両凸レンズ、両凹レンズ、レチ
クルＲ面側に凸面を向けたメニスカスレンズ、レチクル
Ｒ面側に凸面を向けたメニスカスレンズ、平行平面板に
よって構成されている。また、第２レンズ群は、レチク
ルＲ面より順に、両凸レンズ、両凹レンズ、両凸レン
ズ、両凹レンズ、両凸レンズ、レチクルＲ面側に凹面を
向けたメニスカスレンズ、両凸レンズ、レチクルＲ面側
に凸面を向けたメニスカスレンズ、レチクルＲ側の面を
非球面ＡＳ１に形成したレチクルＲ面側に凹面を向けた
負メニスカスレンズＬＳによて構成されている。ここ
で、第１レンズ群Ｇ１の中の平行平面板は、レンズの一
部を、光路偏向部材として平面鏡Ｍ２に加工している。
そして、この平面鏡Ｍ２付近で、一度レチクルＲの像を
結像する。また、本実施例中では、凹面鏡Ｍ１は、非球
面ＡＳ２に形成している。
【００１９】更に、第２結像光学系Ｓ２は、レチクルＲ
面より順に、両凸レンズ、レチクルＲ面側に凹面を向け
たメニスカスレンズ、両凸レンズ、レチクルＲ面側に凸
面を向けたメニスカスレンズ、両凸レンズ、開口絞りＡ
Ｐ、両凸レンズ、レチクルＲ側の面を非球面ＡＳ３に形
成したレチクルＲ面側に凸面を向けたメニスカスレン
ズ、レチクルＲ面側に凸面を向けたメニスカスレンズ、
レチクルＲ面側に凸面を向けたメニスカスレンズ、両凹
レンズ、レチクルＲ面側に凹面を向けたメニスカスレン
ズ、レチクルＲ面側に凸面を向けたメニスカスレンズか
ら構成されている。ここで、本実施例では、第２結像光
学系Ｓ２の中の一番目のレンズと二番目のレンズとの間
に、光路偏向部材として平面鏡Ｍ３を配置して、レチク
ルＲ面とウェハーＷ面とが平行になるようにしている。 面番号 ｒ ｄ 硝材 0.000 50.000 Ｒ １ 1827.099 25.000 ＳｉＯ2 Ｓ１ Ｇ１ ２ -391.019 13.420 ３ -396.812 25.000 ＳｉＯ2 ４ 829.284 1.000 ５ 459.609 25.000 ＳｉＯ2 ６ 745.296 1.000 ７ 488.042 25.000 ＳｉＯ2 ８ 586.033 25.000 ９ 0.000 35.000 ＳｉＯ2 １０ 0.000 16.000 １１ 361.664 32.175 ＣａＦ2 Ｇ２ １２ -449.989 1.000 １３ -561.169 20.000 ＳｉＯ2 １４ 255.230 1.000 １５ 223.249 39.738 ＣａＦ2 １６ -756.196 57.483 １７ -315.859 20.000 ＳｉＯ2 １８ 299.543 1.000 １９ 260.236 32.584 ＣａＦ2 ２０ -675.594 211.188 ２１ -163.356 20.000 ＳｉＯ2 ２２ -252.267 38.241 ２３ 2280.139 25.000 ＳｉＯ2 ２４ -1082.014 3.367 ２５ 556.937 40.000 ＳｉＯ2 ２６ 4236.526 156.695 ２７ -215.826 25.000 ＳｉＯ2 ＬＳ ＡＳ１ ２８ -4417.336 33.561 ２９ -354.342 -33.561 Ｍ１ ＡＳ２ ３０ -4417.336 -25.000 ＳｉＯ2 ＬＳ ３１ -215.826 -156.695 ＡＳ１ ３２ 4236.526 -40.000 ＳｉＯ2 ３３ 556.937 -3.367 ３４ -1082.014 -25.000 ＳｉＯ2 ３５ 2280.139 -38.241 ３６ -252.267 -20.000 ＳｉＯ2 ３７ -163.356 -211.188 ３８ -675.594 -32.584 ＣａＦ2 ３９ 260.236 -1.000 ４０ 299.543 -20.000 ＳｉＯ2 ４１ -315.859 -57.483 ４２ -756.196 -39.738 ＣａＦ2 ４３ 223.249 -1.000 ４４ 255.230 -20.000 ＳｉＯ2 ４５ -561.169 -1.000 ４６ -449.989 -32.175 ＣａＦ2 ４７ 361.664 -5.000 ４８ 0.000 235.151 Ｍ２ ４９ 687.782 30.000 ＳｉＯ2 Ｓ２ ５０ -1403.174 170.000 ５１ 0.000 -150.026 Ｍ３ ５２ 262.520 -25.000 ＳｉＯ2 ５３ 474.401 -1.304 ５４ -632.711 -27.786 ＳｉＯ2 ５５ 5490.382 -168.081 ５６ -1783.259 -25.000 ＳｉＯ2 ５７ -321.439 -4.402 ５８ -357.850 -44.750 ＣａＦ2 ５９ 3152.678 -173.787 ６０ 0.000 -28.467 ＡＰ ６１ -566.009 -45.000 ＣａＦ2 ６２ 806.950 -1.000 ６３ -212.463 -31.096 ＣａＦ2 ＡＳ３ ６４ -368.988 -65.190 ６５ -260.201 -44.295 ＳｉＯ2 ６６ -544.105 -1.000 ６７ -169.071 -31.373 ＣａＦ2 ６８ -824.497 -9.524 ６９ 1558.569 -30.000 ＳｉＯ2 ７０ -466.123 -8.738 ７１ 7503.078 -29.965 ＳｉＯ2 ７２ 566.609 -15.714 ７３ -197.683 -64.000 ＳｉＯ2 ７４ -1633.285 -17.000 ７５ 0.000 Ｗ 円錐係数Ｋ及び非球面係数Ｃ ＡＳ１ ＡＳ２ ＡＳ３ ｒ２７（＝ｒ３１） ｒ２９（Ｍ１） ｒ６３ Ｋ 0.000000 0.000000 0.000000 Ｃ4 0.184947＊10-8 0.820832＊10-9 0.184651＊10-8 Ｃ6 0.211178＊10-12 0.447187＊10-13 0.427327＊10-13 Ｃ8 -0.382898＊10-17 -0.564120＊10-18 0.101914＊10-17 Ｃ10 0.152790＊10-21 0.229674＊10-22 -0.159307＊10-22 Ｃ12 -0.561578＊10-26 -0.558227＊10-27 0.167653＊10-26 以上の様に、本実施例では、ＮＡが０．６で像高Ｙが５
から１８．６まで使用可能で、全ての光学部材の径が２
０程度の反射屈折光学系を示した。図２は、本実施例で
の反射屈折光学系の横収差図であり、（ａ）が像高Ｙ＝
１８．６のとき、（ｂ）が像高Ｙ＝５のときの各波長で
の収差を表している。図２からも分かるように本実施例
の反射屈折光学系は、非常に良く収差補正されている。 〔第２実施例〕第２実施例では、第１レンズ群Ｇ１は、
レチクルＲ面より順に、レチクルＲ面側に凸面を向けた
メニスカスレンズ、両凸レンズ、両凹レンズ、レチクル
Ｒ面側に凸面を向けたメニスカスレンズ、平行平面板に
よって構成されている。また、第２レンズ群は、レチク
ルＲ面より順に、両凸レンズ、レチクルＲ面側に凹面を
向けたメニスカスレンズ、両凸レンズ、レチクルＲ面側
に凸面を向けたメニスカスレンズ、両凹レンズ、両凸レ
ンズ、レチクルＲ面側に凸面を向けたメニスカスレン
ズ、両凸レンズ、レチクルＲ面側に凹面を向けたメニス
カスレンズ、レチクルＲ面側に凹面を向けた負メニスカ
スレンズＬS によて構成されている。ここで、第１レン
ズ群Ｇ１の中の平行平面板は、レンズの一部を、光路偏
向部材として平面鏡Ｍ２に加工している。そして、この
平面鏡Ｍ２付近で、一度レチクルＲの像を結像する。ま
た、本実施例中では、凹面鏡Ｍ１は、非球面ＡＳ１に形
成している。
面より順に、両凸レンズ、レチクルＲ面側に凹面を向け
たメニスカスレンズ、両凸レンズ、レチクルＲ面側に凸
面を向けたメニスカスレンズ、両凸レンズ、開口絞りＡ
Ｐ、両凸レンズ、レチクルＲ側の面を非球面ＡＳ３に形
成したレチクルＲ面側に凸面を向けたメニスカスレン
ズ、レチクルＲ面側に凸面を向けたメニスカスレンズ、
レチクルＲ面側に凸面を向けたメニスカスレンズ、両凹
レンズ、レチクルＲ面側に凹面を向けたメニスカスレン
ズ、レチクルＲ面側に凸面を向けたメニスカスレンズか
ら構成されている。ここで、本実施例では、第２結像光
学系Ｓ２の中の一番目のレンズと二番目のレンズとの間
に、光路偏向部材として平面鏡Ｍ３を配置して、レチク
ルＲ面とウェハーＷ面とが平行になるようにしている。 面番号 ｒ ｄ 硝材 0.000 50.000 Ｒ １ 1827.099 25.000 ＳｉＯ2 Ｓ１ Ｇ１ ２ -391.019 13.420 ３ -396.812 25.000 ＳｉＯ2 ４ 829.284 1.000 ５ 459.609 25.000 ＳｉＯ2 ６ 745.296 1.000 ７ 488.042 25.000 ＳｉＯ2 ８ 586.033 25.000 ９ 0.000 35.000 ＳｉＯ2 １０ 0.000 16.000 １１ 361.664 32.175 ＣａＦ2 Ｇ２ １２ -449.989 1.000 １３ -561.169 20.000 ＳｉＯ2 １４ 255.230 1.000 １５ 223.249 39.738 ＣａＦ2 １６ -756.196 57.483 １７ -315.859 20.000 ＳｉＯ2 １８ 299.543 1.000 １９ 260.236 32.584 ＣａＦ2 ２０ -675.594 211.188 ２１ -163.356 20.000 ＳｉＯ2 ２２ -252.267 38.241 ２３ 2280.139 25.000 ＳｉＯ2 ２４ -1082.014 3.367 ２５ 556.937 40.000 ＳｉＯ2 ２６ 4236.526 156.695 ２７ -215.826 25.000 ＳｉＯ2 ＬＳ ＡＳ１ ２８ -4417.336 33.561 ２９ -354.342 -33.561 Ｍ１ ＡＳ２ ３０ -4417.336 -25.000 ＳｉＯ2 ＬＳ ３１ -215.826 -156.695 ＡＳ１ ３２ 4236.526 -40.000 ＳｉＯ2 ３３ 556.937 -3.367 ３４ -1082.014 -25.000 ＳｉＯ2 ３５ 2280.139 -38.241 ３６ -252.267 -20.000 ＳｉＯ2 ３７ -163.356 -211.188 ３８ -675.594 -32.584 ＣａＦ2 ３９ 260.236 -1.000 ４０ 299.543 -20.000 ＳｉＯ2 ４１ -315.859 -57.483 ４２ -756.196 -39.738 ＣａＦ2 ４３ 223.249 -1.000 ４４ 255.230 -20.000 ＳｉＯ2 ４５ -561.169 -1.000 ４６ -449.989 -32.175 ＣａＦ2 ４７ 361.664 -5.000 ４８ 0.000 235.151 Ｍ２ ４９ 687.782 30.000 ＳｉＯ2 Ｓ２ ５０ -1403.174 170.000 ５１ 0.000 -150.026 Ｍ３ ５２ 262.520 -25.000 ＳｉＯ2 ５３ 474.401 -1.304 ５４ -632.711 -27.786 ＳｉＯ2 ５５ 5490.382 -168.081 ５６ -1783.259 -25.000 ＳｉＯ2 ５７ -321.439 -4.402 ５８ -357.850 -44.750 ＣａＦ2 ５９ 3152.678 -173.787 ６０ 0.000 -28.467 ＡＰ ６１ -566.009 -45.000 ＣａＦ2 ６２ 806.950 -1.000 ６３ -212.463 -31.096 ＣａＦ2 ＡＳ３ ６４ -368.988 -65.190 ６５ -260.201 -44.295 ＳｉＯ2 ６６ -544.105 -1.000 ６７ -169.071 -31.373 ＣａＦ2 ６８ -824.497 -9.524 ６９ 1558.569 -30.000 ＳｉＯ2 ７０ -466.123 -8.738 ７１ 7503.078 -29.965 ＳｉＯ2 ７２ 566.609 -15.714 ７３ -197.683 -64.000 ＳｉＯ2 ７４ -1633.285 -17.000 ７５ 0.000 Ｗ 円錐係数Ｋ及び非球面係数Ｃ ＡＳ１ ＡＳ２ ＡＳ３ ｒ２７（＝ｒ３１） ｒ２９（Ｍ１） ｒ６３ Ｋ 0.000000 0.000000 0.000000 Ｃ4 0.184947＊10-8 0.820832＊10-9 0.184651＊10-8 Ｃ6 0.211178＊10-12 0.447187＊10-13 0.427327＊10-13 Ｃ8 -0.382898＊10-17 -0.564120＊10-18 0.101914＊10-17 Ｃ10 0.152790＊10-21 0.229674＊10-22 -0.159307＊10-22 Ｃ12 -0.561578＊10-26 -0.558227＊10-27 0.167653＊10-26 以上の様に、本実施例では、ＮＡが０．６で像高Ｙが５
から１８．６まで使用可能で、全ての光学部材の径が２
０程度の反射屈折光学系を示した。図２は、本実施例で
の反射屈折光学系の横収差図であり、（ａ）が像高Ｙ＝
１８．６のとき、（ｂ）が像高Ｙ＝５のときの各波長で
の収差を表している。図２からも分かるように本実施例
の反射屈折光学系は、非常に良く収差補正されている。 〔第２実施例〕第２実施例では、第１レンズ群Ｇ１は、
レチクルＲ面より順に、レチクルＲ面側に凸面を向けた
メニスカスレンズ、両凸レンズ、両凹レンズ、レチクル
Ｒ面側に凸面を向けたメニスカスレンズ、平行平面板に
よって構成されている。また、第２レンズ群は、レチク
ルＲ面より順に、両凸レンズ、レチクルＲ面側に凹面を
向けたメニスカスレンズ、両凸レンズ、レチクルＲ面側
に凸面を向けたメニスカスレンズ、両凹レンズ、両凸レ
ンズ、レチクルＲ面側に凸面を向けたメニスカスレン
ズ、両凸レンズ、レチクルＲ面側に凹面を向けたメニス
カスレンズ、レチクルＲ面側に凹面を向けた負メニスカ
スレンズＬS によて構成されている。ここで、第１レン
ズ群Ｇ１の中の平行平面板は、レンズの一部を、光路偏
向部材として平面鏡Ｍ２に加工している。そして、この
平面鏡Ｍ２付近で、一度レチクルＲの像を結像する。ま
た、本実施例中では、凹面鏡Ｍ１は、非球面ＡＳ１に形
成している。
【００２０】更に、第２結像光学系Ｓ２は、レチクルＲ
面より順に、両凸レンズ、レチクルＲ面側に凸面を向け
たメニスカスレンズ、レチクルＲ面側に凸面を向けたメ
ニスカスレンズ、レチクルＲ面側に凹面を向けたメニス
カスレンズ、開口絞りＡＰ、レチクルＲ側の面を非球面
ＡＳ２に形成した両凸レンズ、レチクルＲ面側に凸面を
向けたメニスカスレンズ、両凹レンズ、レチクルＲ面側
に凸面を向けたメニスカスレンズ、レチクルＲ面側に凸
面を向けたメニスカスレンズ、両凸レンズから構成され
ている。ここで、本実施例では、第２結像光学系Ｓ２の
中の二番目のレンズと三番目のレンズとの間に、光路偏
向部材として平面鏡Ｍ３を配置して、レチクルＲ面とウ
ェハーＷ面とが平行になるようにしている。 面番号 ｒ ｄ 硝材 0.000 45.000 Ｒ １ 281.775 18.000 ＳｉＯ2 Ｓ１ Ｇ１ ２ 195.859 1.598 ３ 196.715 40.418 ＳｉＯ2 ４ -480.361 14.536 ５ -548.718 20.000 ＳｉＯ2 ６ 204.428 5.448 ７ 203.274 20.000 ＳｉＯ2 ８ 401.273 25.000 ９ 0.000 35.000 ＳｉＯ2 １０ 0.000 15.500 １１ 303.555 30.000 ＣａＦ2 Ｇ２ １２ -1740.057 5.924 １３ -425.354 20.000 ＳｉＯ2 １４ -2761.815 1.849 １５ 300.937 40.000 ＣａＦ2 １６ -2581.928 1.849 １７ 288.864 20.000 ＳｉＯ2 １８ 177.975 57.224 １９ -175.888 20.000 ＳｉＯ2 ２０ 764.840 0.500 ２１ 342.881 36.406 ＣａＦ2 ２２ -329.279 48.341 ２３ 270.936 25.000 ＳｉＯ2 ２４ 328.277 66.732 ２５ 778.307 40.000 ＳｉＯ2 ２６ -518.576 15.753 ２７ -223.579 25.000 ＳｉＯ2 ２８ -658.513 42.435 ２９ -229.025 25.000 ＳｉＯ2 ＬＳ ３０ -1514.955 17.542 ３１ -332.936 -17.542 Ｍ１ ＡＳ１ ３２ -1514.955 -25.000 ＳｉＯ2 ＬＳ ３３ -229.025 -42.435 ３４ -658.513 -25.000 ＳｉＯ2 ３５ -223.579 -15.753 ３６ -518.576 -40.000 ＳｉＯ2 ３７ 778.307 -66.732 ３８ 328.277 -25.000 ＳｉＯ2 ３９ 270.936 -48.341 ４０ -329.279 -36.406 ＣａＦ2 ４１ 342.881 -0.500 ４２ 764.840 -20.000 ＳｉＯ2 ４３ -175.888 -57.224 ４４ 177.975 -20.000 ＳｉＯ2 ４５ 288.864 -1.849 ４６ -2581.928 -40.000 ＣａＦ2 ４７ 300.937 -1.849 ４８ -2761.815 -20.000 ＳｉＯ2 ４９ -425.354 -5.924 ５０ -1740.057 -30.000 ＣａＦ2 ５１ 303.555 -0.500 ５２ 0.000 233.000 Ｍ２ ５３ 415.207 31.117 ＣａＦ2 Ｓ２ ５４ -631.341 0.500 ５５ 306.049 20.000 ＳｉＯ2 ５６ 218.635 150.000 ５７ 0.000 -165.240 Ｍ３ ５８ -711.482 -25.000 ＳｉＯ2 ５９ -2123.013 -302.795 ６０ 3482.765 -30.000 ＳｉＯ2 ６１ 654.764 -15.000 ６２ 0.000 -59.904 ＡＰ ６３ -230.331 -70.000 ＣａＦ2 ＡＳ２ ６４ 1603.607 -0.500 ６５ -204.918 -28.538 ＳｉＯ2 ６６ -602.518 -14.615 ６７ 1240.449 -30.000 ＳｉＯ2 ６８ -510.567 -0.500 ６９ -308.492 -70.000 ＳｉＯ2 ７０ -714.386 -0.500 ７１ -170.397 -45.000 ＳｉＯ2 ７２ -62.983 -4.156 ７３ -63.147 -62.343 ＳｉＯ2 ７４ 766.887 -17.000 ７５ 0.000 Ｗ 円錐係数Ｋ及び非球面係数Ｃ ＡＳ１ ＡＳ２ ｒ３１（Ｍ１） ｒ６３ Ｋ 0.000000 0.000000 Ｃ4 0.815186＊10-9 0.371510＊10-8 Ｃ6 0.106110＊10-13 0.507303＊10-13 Ｃ8 0.216157＊10-18 0.416256＊10-18 Ｃ10 -0.473987＊10-23 0.261764＊10-22 Ｃ12 0.490366＊10-27 -0.397276＊10-27 以上の様に、本実施例では、ＮＡが０．６で像高Ｙ＝５
から１８．６まで使用可能で、全ての光学部材の径が２
０程度の反射屈折光学系を示した。図４は、本実施例で
の反射屈折光学系の横収差図であり、（ａ）が像高Ｙ＝
１８．６とき、（ｂ）が像高Ｙ＝５のときの各波長での
収差を表している。図４からも分かるように本実施例の
反射屈折光学系は、非常に良く収差補正されている。
面より順に、両凸レンズ、レチクルＲ面側に凸面を向け
たメニスカスレンズ、レチクルＲ面側に凸面を向けたメ
ニスカスレンズ、レチクルＲ面側に凹面を向けたメニス
カスレンズ、開口絞りＡＰ、レチクルＲ側の面を非球面
ＡＳ２に形成した両凸レンズ、レチクルＲ面側に凸面を
向けたメニスカスレンズ、両凹レンズ、レチクルＲ面側
に凸面を向けたメニスカスレンズ、レチクルＲ面側に凸
面を向けたメニスカスレンズ、両凸レンズから構成され
ている。ここで、本実施例では、第２結像光学系Ｓ２の
中の二番目のレンズと三番目のレンズとの間に、光路偏
向部材として平面鏡Ｍ３を配置して、レチクルＲ面とウ
ェハーＷ面とが平行になるようにしている。 面番号 ｒ ｄ 硝材 0.000 45.000 Ｒ １ 281.775 18.000 ＳｉＯ2 Ｓ１ Ｇ１ ２ 195.859 1.598 ３ 196.715 40.418 ＳｉＯ2 ４ -480.361 14.536 ５ -548.718 20.000 ＳｉＯ2 ６ 204.428 5.448 ７ 203.274 20.000 ＳｉＯ2 ８ 401.273 25.000 ９ 0.000 35.000 ＳｉＯ2 １０ 0.000 15.500 １１ 303.555 30.000 ＣａＦ2 Ｇ２ １２ -1740.057 5.924 １３ -425.354 20.000 ＳｉＯ2 １４ -2761.815 1.849 １５ 300.937 40.000 ＣａＦ2 １６ -2581.928 1.849 １７ 288.864 20.000 ＳｉＯ2 １８ 177.975 57.224 １９ -175.888 20.000 ＳｉＯ2 ２０ 764.840 0.500 ２１ 342.881 36.406 ＣａＦ2 ２２ -329.279 48.341 ２３ 270.936 25.000 ＳｉＯ2 ２４ 328.277 66.732 ２５ 778.307 40.000 ＳｉＯ2 ２６ -518.576 15.753 ２７ -223.579 25.000 ＳｉＯ2 ２８ -658.513 42.435 ２９ -229.025 25.000 ＳｉＯ2 ＬＳ ３０ -1514.955 17.542 ３１ -332.936 -17.542 Ｍ１ ＡＳ１ ３２ -1514.955 -25.000 ＳｉＯ2 ＬＳ ３３ -229.025 -42.435 ３４ -658.513 -25.000 ＳｉＯ2 ３５ -223.579 -15.753 ３６ -518.576 -40.000 ＳｉＯ2 ３７ 778.307 -66.732 ３８ 328.277 -25.000 ＳｉＯ2 ３９ 270.936 -48.341 ４０ -329.279 -36.406 ＣａＦ2 ４１ 342.881 -0.500 ４２ 764.840 -20.000 ＳｉＯ2 ４３ -175.888 -57.224 ４４ 177.975 -20.000 ＳｉＯ2 ４５ 288.864 -1.849 ４６ -2581.928 -40.000 ＣａＦ2 ４７ 300.937 -1.849 ４８ -2761.815 -20.000 ＳｉＯ2 ４９ -425.354 -5.924 ５０ -1740.057 -30.000 ＣａＦ2 ５１ 303.555 -0.500 ５２ 0.000 233.000 Ｍ２ ５３ 415.207 31.117 ＣａＦ2 Ｓ２ ５４ -631.341 0.500 ５５ 306.049 20.000 ＳｉＯ2 ５６ 218.635 150.000 ５７ 0.000 -165.240 Ｍ３ ５８ -711.482 -25.000 ＳｉＯ2 ５９ -2123.013 -302.795 ６０ 3482.765 -30.000 ＳｉＯ2 ６１ 654.764 -15.000 ６２ 0.000 -59.904 ＡＰ ６３ -230.331 -70.000 ＣａＦ2 ＡＳ２ ６４ 1603.607 -0.500 ６５ -204.918 -28.538 ＳｉＯ2 ６６ -602.518 -14.615 ６７ 1240.449 -30.000 ＳｉＯ2 ６８ -510.567 -0.500 ６９ -308.492 -70.000 ＳｉＯ2 ７０ -714.386 -0.500 ７１ -170.397 -45.000 ＳｉＯ2 ７２ -62.983 -4.156 ７３ -63.147 -62.343 ＳｉＯ2 ７４ 766.887 -17.000 ７５ 0.000 Ｗ 円錐係数Ｋ及び非球面係数Ｃ ＡＳ１ ＡＳ２ ｒ３１（Ｍ１） ｒ６３ Ｋ 0.000000 0.000000 Ｃ4 0.815186＊10-9 0.371510＊10-8 Ｃ6 0.106110＊10-13 0.507303＊10-13 Ｃ8 0.216157＊10-18 0.416256＊10-18 Ｃ10 -0.473987＊10-23 0.261764＊10-22 Ｃ12 0.490366＊10-27 -0.397276＊10-27 以上の様に、本実施例では、ＮＡが０．６で像高Ｙ＝５
から１８．６まで使用可能で、全ての光学部材の径が２
０程度の反射屈折光学系を示した。図４は、本実施例で
の反射屈折光学系の横収差図であり、（ａ）が像高Ｙ＝
１８．６とき、（ｂ）が像高Ｙ＝５のときの各波長での
収差を表している。図４からも分かるように本実施例の
反射屈折光学系は、非常に良く収差補正されている。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、本発明では、紫外線波長
域で大きな開口数を達成し、光学系全体が実用的な大き
さで、クオーターミクロン単位の解像度を有し、更に製
造も容易な反射屈折光学系を提供することが可能になっ
た。
域で大きな開口数を達成し、光学系全体が実用的な大き
さで、クオーターミクロン単位の解像度を有し、更に製
造も容易な反射屈折光学系を提供することが可能になっ
た。
【図１】図１は、第１実施例の反射屈折光学系の構成図
である。
である。
【図２】図２は、第１実施例の反射屈折光学系の収差図
である。
である。
【図３】図３は、第２実施例の反射屈折光学系の構成図
である。
である。
【図４】図４は、第２実施例の反射屈折光学系の収差図
である。
である。
Ｓ１ 第１結像光学系 Ｓ２ 第２結像光学系 Ｇ１ 第１レンズ群 Ｇ２ 第２レンズ群 Ｍ１ 凹面鏡 Ｍ２ 第１光路偏向部材 Ｍ３ 第２光路偏向部材 ＡＳ 非球面に形成された面 ＡＰ 開口絞り Ｒ レチクル Ｗ ウェハー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１７
Claims (5)
- 【請求項１】光線が進行する順に、屈折部材によって構
成された第１結像光学系と、凹面鏡と、屈折部材によっ
て構成された第２結像光学系とを含み、半導体素子のパ
ターンを基板上へ投影する反射屈折光学系において、 前記第１結像光学系を構成する屈折部材及び前記第２結
像光学系を構成する屈折部材のうち、少なくとも１つの
屈折部材は非球面を有することを特徴とする反射屈折光
学系。 - 【請求項２】前記第１結像光学系は、光線が一度だけ通
過する第１レンズ群と、光線が往復する第２レンズ群と
からなり、 該第２レンズ群の最も凹面鏡に近いレンズは、負レンズ
であり、 前記第２レンズ群を射出した光線は、前記第２結像光学
系に入射する前に前記半導体素子のパターンを一度結像
することを特徴とする請求項１記載の反射屈折光学系。 - 【請求項３】前記第１結像光学系と前記第２結像光学系
との間に光路偏向部材を配置したことを特徴とする請求
項１又は２記載の反射屈折光学系。 - 【請求項４】前記第１結像光学系を構成する屈折部材及
び前記第２結像光学系を構成する屈折部材は、石英及び
蛍石、またはその何れか１つの硝材により構成されるこ
とを特徴とする請求項１乃至３記載の反射屈折光学系。 - 【請求項５】前記凹面鏡は非球面形状であることを特徴
とする請求項１乃至４記載の反射屈折光学系。
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| JP (1) | JPH103039A (ja) |
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