JPH08203812A - 反射屈折縮小投影光学系及び露光装置 - Google Patents
反射屈折縮小投影光学系及び露光装置Info
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- JPH08203812A JPH08203812A JP7012502A JP1250295A JPH08203812A JP H08203812 A JPH08203812 A JP H08203812A JP 7012502 A JP7012502 A JP 7012502A JP 1250295 A JP1250295 A JP 1250295A JP H08203812 A JPH08203812 A JP H08203812A
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
Abstract
(57)【要約】
【目的】ビームスプリッタを比較的小さくしつつ大きな
開口数を達成し、半導体製造装置として優れた性能を達
成する。 【構成】第１物体(R) の縮小像を第２物体(W) 上に形成
する露光装置は、第１レンズ群(G1)と、ビームスプリッ
タ(BS)と、第２レンズ群(G2)と、凹面反射鏡(M) とを有
し第１物体(R) の１次像(I1)を形成する第１部分光学系
と、正屈折力の第４レンズ群(G4)を有し１次像(I1)の縮
小像を第２物体(W) に形成する第２部分光学系とを備え
る。そして、第１部分光学系と第２部分光学系との間の
光路中には、第３レンズ群(G3)が配置される。
開口数を達成し、半導体製造装置として優れた性能を達
成する。 【構成】第１物体(R) の縮小像を第２物体(W) 上に形成
する露光装置は、第１レンズ群(G1)と、ビームスプリッ
タ(BS)と、第２レンズ群(G2)と、凹面反射鏡(M) とを有
し第１物体(R) の１次像(I1)を形成する第１部分光学系
と、正屈折力の第４レンズ群(G4)を有し１次像(I1)の縮
小像を第２物体(W) に形成する第２部分光学系とを備え
る。そして、第１部分光学系と第２部分光学系との間の
光路中には、第３レンズ群(G3)が配置される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反射面と屈折面とを有
する反射屈折型光学系に関し、特に縮小投影を行う結像
光学系に関する。また、本発明は、投影光学系として反
射屈折型光学系を用いた露光装置に関する。
する反射屈折型光学系に関し、特に縮小投影を行う結像
光学系に関する。また、本発明は、投影光学系として反
射屈折型光学系を用いた露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩ等の集積回路を製造する際
にウェハ上のフォトレジストにマスクパターンを投影露
光するのに好適な光学系が種々提案されている。例え
ば、ダイソン型反射屈折光学系は、比較的大きな開口数
において収差が良好に補正されることが知られている。
しかしダイソン型反射屈折光学系は、結像倍率が等倍で
あるため、微細なパターンの転写には限界があった。
にウェハ上のフォトレジストにマスクパターンを投影露
光するのに好適な光学系が種々提案されている。例え
ば、ダイソン型反射屈折光学系は、比較的大きな開口数
において収差が良好に補正されることが知られている。
しかしダイソン型反射屈折光学系は、結像倍率が等倍で
あるため、微細なパターンの転写には限界があった。
【０００３】そこで、より微細なパターンからなる半導
体の製造に好適な縮小倍率を有する光学系として、ダイ
ソン型反射屈折光学系を変形した光学系が例えば特開昭
63-163319 号公報や、特開平2-66510 号公報などにおい
て提案されている。
体の製造に好適な縮小倍率を有する光学系として、ダイ
ソン型反射屈折光学系を変形した光学系が例えば特開昭
63-163319 号公報や、特開平2-66510 号公報などにおい
て提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、縮小投
影を可能とする上記特開昭63-163319 号公報に開示した
光学系によれば、輪帯状の視野を持つ縮小倍率の結像が
可能であるが、基本的には３つの凹面鏡と１つの凸面鏡
とを有し、マイクロリソグラフィー用の露光装置として
用いるためには、多数のレンズとの組み合わせによるき
わめて複雑な構成とならざるを得なかった。また、特開
昭63-163319 号公報の光学系では、光路が複雑に行き来
するため、あまり大きな開口数を達成することができな
いという欠点がある。
影を可能とする上記特開昭63-163319 号公報に開示した
光学系によれば、輪帯状の視野を持つ縮小倍率の結像が
可能であるが、基本的には３つの凹面鏡と１つの凸面鏡
とを有し、マイクロリソグラフィー用の露光装置として
用いるためには、多数のレンズとの組み合わせによるき
わめて複雑な構成とならざるを得なかった。また、特開
昭63-163319 号公報の光学系では、光路が複雑に行き来
するため、あまり大きな開口数を達成することができな
いという欠点がある。
【０００５】また、上記特開平2-66510 号公報に提案さ
れている縮小光学系は、１つの凹面反射鏡とレンズ系と
ビームスプリッタを組み合わせた構成である。この特開
平2-66510 号公報の縮小光学系においては、ビームスプ
リッタが光学系の瞳面の近傍に位置するため、開口数を
大きくすることを試みると、ビームスプリッタ自体の体
積が大幅に増え、その製造が困難になる問題がある。
れている縮小光学系は、１つの凹面反射鏡とレンズ系と
ビームスプリッタを組み合わせた構成である。この特開
平2-66510 号公報の縮小光学系においては、ビームスプ
リッタが光学系の瞳面の近傍に位置するため、開口数を
大きくすることを試みると、ビームスプリッタ自体の体
積が大幅に増え、その製造が困難になる問題がある。
【０００６】そこで、本発明は、ビームスプリッタを比
較的小さくしつつ大きな開口数を達成し、半導体製造装
置として優れた性能を達成することを目的とする。
較的小さくしつつ大きな開口数を達成し、半導体製造装
置として優れた性能を達成することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明による反射屈折縮小投影光学系は、以下の
構成を有する。例えば図１に示す如く、本発明による反
射屈折縮小投影光学系は、第１物体Ｒの縮小像を第２物
体Ｗ上に形成する反射屈折型投影光学系であって、第１
レンズ群Ｇ1 と、ビームスプリッタＢＳと、第２レンズ
群Ｇ2 と、凹面反射鏡Ｍ1 とを有し、第１物体Ｒからの
光を第１レンズ群Ｇ1 、ビームスプリッタＢＳ及び第２
レンズ群Ｇ2 の順に通過させて凹面反射鏡Ｍ1 へ導くと
共に、凹面反射鏡Ｍ1 にて反射された光を第２レンズ群
Ｇ2 及びビームスプリッタＢＳの順に通過させて第１物
体Ｒの１次像Ｉ1 を形成する第１部分光学系と、正屈折
力の第４レンズ群Ｇ4 を有し、かつ１次像Ｉ1 の縮小像
を第２物体上に形成する第２部分光学系と、第１部分光
学系と第２部分光学系との間の光路中に配置される第３
レンズ群Ｇ 3 とを有するように構成される。
めに、本発明による反射屈折縮小投影光学系は、以下の
構成を有する。例えば図１に示す如く、本発明による反
射屈折縮小投影光学系は、第１物体Ｒの縮小像を第２物
体Ｗ上に形成する反射屈折型投影光学系であって、第１
レンズ群Ｇ1 と、ビームスプリッタＢＳと、第２レンズ
群Ｇ2 と、凹面反射鏡Ｍ1 とを有し、第１物体Ｒからの
光を第１レンズ群Ｇ1 、ビームスプリッタＢＳ及び第２
レンズ群Ｇ2 の順に通過させて凹面反射鏡Ｍ1 へ導くと
共に、凹面反射鏡Ｍ1 にて反射された光を第２レンズ群
Ｇ2 及びビームスプリッタＢＳの順に通過させて第１物
体Ｒの１次像Ｉ1 を形成する第１部分光学系と、正屈折
力の第４レンズ群Ｇ4 を有し、かつ１次像Ｉ1 の縮小像
を第２物体上に形成する第２部分光学系と、第１部分光
学系と第２部分光学系との間の光路中に配置される第３
レンズ群Ｇ 3 とを有するように構成される。
【０００８】また、上述の目的を達成するために、本発
明による露光装置は、以下の構成を有する。例えば図１
に示す如く、本発明による露光装置は、第１物体Ｒの縮
小像を第２物体Ｗ上に投影露光する露光装置であって、
エキシマレーザを含み、第１物体を照明する照明光学系
ＩＳと、第１レンズ群Ｇ1 と、ビームスプリッタＢＳ
と、第２レンズ群Ｇ2 と、凹面反射鏡Ｍ1 とを有し、第
１物体Ｒからの光を第１レンズ群Ｇ1 、ビームスプリッ
タＢＳ及び第２レンズ群Ｇ2 の順に通過させて凹面反射
鏡Ｍ1 へ導くと共に、凹面反射鏡Ｍ1 にて反射された光
を第２レンズ群Ｇ2 及びビームスプリッタＢＳの順に通
過させて第１物体Ｒの１次像Ｉ1 を形成する第１部分光
学系と、正屈折力の第４レンズ群Ｇ4 を有し、かつ１次
像Ｉ1 の縮小像を第２物体Ｗ上に形成する第２部分光学
系と、第１部分光学系と第２部分光学系との間の光路中
に配置される第３レンズ群Ｇ3 とを備え、サブミクロン
の分解能を有する。
明による露光装置は、以下の構成を有する。例えば図１
に示す如く、本発明による露光装置は、第１物体Ｒの縮
小像を第２物体Ｗ上に投影露光する露光装置であって、
エキシマレーザを含み、第１物体を照明する照明光学系
ＩＳと、第１レンズ群Ｇ1 と、ビームスプリッタＢＳ
と、第２レンズ群Ｇ2 と、凹面反射鏡Ｍ1 とを有し、第
１物体Ｒからの光を第１レンズ群Ｇ1 、ビームスプリッ
タＢＳ及び第２レンズ群Ｇ2 の順に通過させて凹面反射
鏡Ｍ1 へ導くと共に、凹面反射鏡Ｍ1 にて反射された光
を第２レンズ群Ｇ2 及びビームスプリッタＢＳの順に通
過させて第１物体Ｒの１次像Ｉ1 を形成する第１部分光
学系と、正屈折力の第４レンズ群Ｇ4 を有し、かつ１次
像Ｉ1 の縮小像を第２物体Ｗ上に形成する第２部分光学
系と、第１部分光学系と第２部分光学系との間の光路中
に配置される第３レンズ群Ｇ3 とを備え、サブミクロン
の分解能を有する。
【０００９】なお、本発明において、「光がビームスプ
リッタＢＳを通過する」とは、光がビームスプリッタＢ
Ｓを透過する、またはビームスプリッタＢＳにて反射さ
れることを意味する。
リッタＢＳを通過する」とは、光がビームスプリッタＢ
Ｓを透過する、またはビームスプリッタＢＳにて反射さ
れることを意味する。
【００１０】
【作用】上述の構成の如き本発明においては、反射屈折
光学系である第１部分光学系によって１次像Ｉ1 を形成
し、この１次像Ｉ1 を屈折光学系である第２部分光学系
によって再結像させる構成であるため、それぞれの部分
光学系における収差補正上の負担を軽減し、全系におい
て優れた光学性能を達成することが可能である。さら
に、第１部分光学系において、ビームスプリッタＢＳに
よって凹面反射鏡Ｍ 1 への入射光と、凹面反射鏡Ｍ1 か
らの反射光とを分離する構成であるため、露光フィール
ドの大きさに比較して各光学要素の口径を小さくするこ
とが可能である。
光学系である第１部分光学系によって１次像Ｉ1 を形成
し、この１次像Ｉ1 を屈折光学系である第２部分光学系
によって再結像させる構成であるため、それぞれの部分
光学系における収差補正上の負担を軽減し、全系におい
て優れた光学性能を達成することが可能である。さら
に、第１部分光学系において、ビームスプリッタＢＳに
よって凹面反射鏡Ｍ 1 への入射光と、凹面反射鏡Ｍ1 か
らの反射光とを分離する構成であるため、露光フィール
ドの大きさに比較して各光学要素の口径を小さくするこ
とが可能である。
【００１１】次に各光学要素の機能について詳述する。
本発明における第１レンズ群Ｇ1 は、最も物体側に配置
されて物体側におけるテレセントリック性を確保し、か
つ軸外収差を補正する機能を有する。本発明における凹
面反射鏡Ｍ1 は、１次像Ｉ1 を形成するための主たる屈
折力を担う機能を有する。また、本発明の第２レンズ群
Ｇ2 は、凹面反射鏡Ｍ1 の近傍に配置されて凹面反射鏡
Ｍ1 にて発生する球面収差を補正する機能を有する。
本発明における第１レンズ群Ｇ1 は、最も物体側に配置
されて物体側におけるテレセントリック性を確保し、か
つ軸外収差を補正する機能を有する。本発明における凹
面反射鏡Ｍ1 は、１次像Ｉ1 を形成するための主たる屈
折力を担う機能を有する。また、本発明の第２レンズ群
Ｇ2 は、凹面反射鏡Ｍ1 の近傍に配置されて凹面反射鏡
Ｍ1 にて発生する球面収差を補正する機能を有する。
【００１２】本発明のビームスプリッタＢＳは、第１レ
ンズ群Ｇ1 を介した光を凹面反射鏡Ｍ1 へ導くと共に、
凹面反射鏡Ｍ1 にて反射された光束を１次像Ｉ1 の形成
位置へ導く機能を有している。ここで、本発明ではビー
ムスプリッタＢＳが光学系の瞳位置から比較的遠い位置
に設けられているため、大きな開口数を実現する場合に
おいてもビームスプリッタＢＳの大型化を防ぐことがで
きる。
ンズ群Ｇ1 を介した光を凹面反射鏡Ｍ1 へ導くと共に、
凹面反射鏡Ｍ1 にて反射された光束を１次像Ｉ1 の形成
位置へ導く機能を有している。ここで、本発明ではビー
ムスプリッタＢＳが光学系の瞳位置から比較的遠い位置
に設けられているため、大きな開口数を実現する場合に
おいてもビームスプリッタＢＳの大型化を防ぐことがで
きる。
【００１３】本発明における第３レンズ群Ｇ3 は、１次
像Ｉ1 の近傍に配置されて軸外収差の補正をコントロー
ルする機能を有する。これにより、１次像Ｉ1 の縮小像
を得る機能を有する第４レンズ群Ｇ4 における収差補正
の負担を軽減することが可能となる。また、本発明にお
いては、全系の縮小倍率をβとし、１次像Ｉ1 の横倍率
をβPIとするとき、 −４．０＜βPI／β＜−２．５ …（１） の条件を満足するように構成されることが望ましい。
像Ｉ1 の近傍に配置されて軸外収差の補正をコントロー
ルする機能を有する。これにより、１次像Ｉ1 の縮小像
を得る機能を有する第４レンズ群Ｇ4 における収差補正
の負担を軽減することが可能となる。また、本発明にお
いては、全系の縮小倍率をβとし、１次像Ｉ1 の横倍率
をβPIとするとき、 −４．０＜βPI／β＜−２．５ …（１） の条件を満足するように構成されることが望ましい。
【００１４】この条件式（１）は、第１及び第２部分光
学系における適切な使用倍率（横倍率）を規定するもの
であり、それぞれの部分光学系が共に縮小倍率で結像を
行うことを意味している。これにより、各部分光学系に
収差補正上の大きな負担をかけることなく全系として所
定の縮小倍率を得ることができる。さらに、このときに
は、第１及び第２部分光学系のうち開口数の大きな方の
部分光学系の瞳位置から遠い位置にビームスプリッタＢ
Ｓが設けられることになるため、さらなるビームスプリ
ッタＢＳの小型化を達成することができる。
学系における適切な使用倍率（横倍率）を規定するもの
であり、それぞれの部分光学系が共に縮小倍率で結像を
行うことを意味している。これにより、各部分光学系に
収差補正上の大きな負担をかけることなく全系として所
定の縮小倍率を得ることができる。さらに、このときに
は、第１及び第２部分光学系のうち開口数の大きな方の
部分光学系の瞳位置から遠い位置にビームスプリッタＢ
Ｓが設けられることになるため、さらなるビームスプリ
ッタＢＳの小型化を達成することができる。
【００１５】ここで、条件式（１）の上限を越える場合
には、第１部分光学系の倍率が第２部分光学系に対して
相対的に大きくなるため、凹面反射鏡Ｍ1 の屈折力が大
きくなりがちである。このときには、球面収差とペッツ
バール和の補正が難しくなるため好ましくない。さらに
望ましくは、条件式（１）の上限を−３．２として、−
３．２＜βPI／βとすることが望ましい。
には、第１部分光学系の倍率が第２部分光学系に対して
相対的に大きくなるため、凹面反射鏡Ｍ1 の屈折力が大
きくなりがちである。このときには、球面収差とペッツ
バール和の補正が難しくなるため好ましくない。さらに
望ましくは、条件式（１）の上限を−３．２として、−
３．２＜βPI／βとすることが望ましい。
【００１６】一方、条件式（１）の下限を越える場合に
は、１次像Ｉ1 が物体に対して拡大像となるため、第２
部分光学系にかかる負担が大きくなり収差補正上の困難
さを増すこととなるため好ましくない。また、本発明で
は、全系の縮小倍率をβとし、凹面反射鏡Ｍ1 の横倍率
をβM1とするとき、 −４．１＜βM1／β＜−２．８ …（２） の条件を満足するように構成されることが望ましい。
は、１次像Ｉ1 が物体に対して拡大像となるため、第２
部分光学系にかかる負担が大きくなり収差補正上の困難
さを増すこととなるため好ましくない。また、本発明で
は、全系の縮小倍率をβとし、凹面反射鏡Ｍ1 の横倍率
をβM1とするとき、 −４．１＜βM1／β＜−２．８ …（２） の条件を満足するように構成されることが望ましい。
【００１７】上記条件式（２）は凹面反射鏡Ｍ1 の適切
な倍率を規定するものである。ここで、条件式（２）の
上限を超える場合には、凹面反射鏡Ｍ1 の屈折力が大き
くなるため、球面収差とペッツバール和の補正が難しく
なる。さらに望ましくは、条件式（２）の上限を−３．
２として、−３．２＜βM1／βとすることがより望まし
い。
な倍率を規定するものである。ここで、条件式（２）の
上限を超える場合には、凹面反射鏡Ｍ1 の屈折力が大き
くなるため、球面収差とペッツバール和の補正が難しく
なる。さらに望ましくは、条件式（２）の上限を−３．
２として、−３．２＜βM1／βとすることがより望まし
い。
【００１８】一方、条件式（２）の下限を越えると、凹
面反射鏡Ｍ1 の倍率が著しく拡大倍率となり、屈折光学
要素において縮小倍率を得るための負担が増える。この
ことは収差補正上の負担を増すことになるため好ましく
ない。また、本発明において、第３レンズ群Ｇ3 は、正
屈折力を有するように構成されることが望ましく、これ
により、第４レンズ群Ｇ4 へ導かれる光束の広がりをコ
ントロールすることが可能となり、第４レンズ群Ｇ4 の
小口径化を達成することができる。
面反射鏡Ｍ1 の倍率が著しく拡大倍率となり、屈折光学
要素において縮小倍率を得るための負担が増える。この
ことは収差補正上の負担を増すことになるため好ましく
ない。また、本発明において、第３レンズ群Ｇ3 は、正
屈折力を有するように構成されることが望ましく、これ
により、第４レンズ群Ｇ4 へ導かれる光束の広がりをコ
ントロールすることが可能となり、第４レンズ群Ｇ4 の
小口径化を達成することができる。
【００１９】また、本発明において、第１レンズ群Ｇ1
の屈折力は正とすることが望ましい。これにより、第１
レンズ群Ｇ1 を介した光束をあまり広げることなくビー
ムスプリッタＢＳへ導くことができるため、さらなるビ
ームスプリッタＢＳの小型化を図ることが可能となる。
次に、本発明では、第４レンズ群Ｇ4 内に開口絞りＡＳ
を有するように構成されることが望ましい。一般に、中
間像を形成する再結像光学系では開口絞りを設定するこ
とのできる位置が複数あり、そのいずれかを選択するこ
とができる。本発明では、第１部分光学系によって１次
像Ｉ1 を形成し、第２部分光学系によって１次像Ｉ1 再
結像させることで所定の縮小像を得ている。すなわち、
各部分光学系に少なくとも１つの開口絞り位置を有して
いる。しかしながら、第１部分光学系に開口絞りを設定
する場合、凹面反射鏡Ｍ1 とビームスプリッタＢＳとの
間の光路中では、光束が往復通過するため開口絞りの配
置が困難である。さらに、テレセントリック性の確保や
各光学要素（レンズ、反射鏡、ビームスプリッタ等）の
径方向の大きさなどを考慮すると、第１部分光学系内の
凹面反射鏡Ｍ1 のごく近傍に配置することが望ましい
が、この場合には、光学設計上の自由度を少なくし、機
械設計上の困難を招く恐れがあるので好ましくない。
の屈折力は正とすることが望ましい。これにより、第１
レンズ群Ｇ1 を介した光束をあまり広げることなくビー
ムスプリッタＢＳへ導くことができるため、さらなるビ
ームスプリッタＢＳの小型化を図ることが可能となる。
次に、本発明では、第４レンズ群Ｇ4 内に開口絞りＡＳ
を有するように構成されることが望ましい。一般に、中
間像を形成する再結像光学系では開口絞りを設定するこ
とのできる位置が複数あり、そのいずれかを選択するこ
とができる。本発明では、第１部分光学系によって１次
像Ｉ1 を形成し、第２部分光学系によって１次像Ｉ1 再
結像させることで所定の縮小像を得ている。すなわち、
各部分光学系に少なくとも１つの開口絞り位置を有して
いる。しかしながら、第１部分光学系に開口絞りを設定
する場合、凹面反射鏡Ｍ1 とビームスプリッタＢＳとの
間の光路中では、光束が往復通過するため開口絞りの配
置が困難である。さらに、テレセントリック性の確保や
各光学要素（レンズ、反射鏡、ビームスプリッタ等）の
径方向の大きさなどを考慮すると、第１部分光学系内の
凹面反射鏡Ｍ1 のごく近傍に配置することが望ましい
が、この場合には、光学設計上の自由度を少なくし、機
械設計上の困難を招く恐れがあるので好ましくない。
【００２０】一方、第２部分光学系の第４レンズ群Ｇ4
に開口絞りＡＳを配置する場合には、上記のような困難
を招くことがないため好ましい。次に、本発明におい
て、300nm 以下の波長の光源によって照明される場合に
は、第１乃至第４レンズ群を構成する光学部材は、石英
ガラスと蛍石との２種類の材料から構成されることが望
ましい。この構成により、ある程度広帯域の色収差補正
が可能となる。また、第２部分光学系が屈折光学要素の
みからなるときに軸上色収差を補正するために負レンズ
の少なくとも１つを石英ガラス、正レンズの少なくとも
１つを蛍石とする事が望ましい。
に開口絞りＡＳを配置する場合には、上記のような困難
を招くことがないため好ましい。次に、本発明におい
て、300nm 以下の波長の光源によって照明される場合に
は、第１乃至第４レンズ群を構成する光学部材は、石英
ガラスと蛍石との２種類の材料から構成されることが望
ましい。この構成により、ある程度広帯域の色収差補正
が可能となる。また、第２部分光学系が屈折光学要素の
みからなるときに軸上色収差を補正するために負レンズ
の少なくとも１つを石英ガラス、正レンズの少なくとも
１つを蛍石とする事が望ましい。
【００２１】また、本発明においては、第２レンズ群Ｇ
2 の焦点距離をｆg2とするとき、 ｆg2＜０ …（３） の条件を満足するように構成されることが望ましい。こ
の条件式（３）は、第２レンズ群Ｇ2 の適切な焦点距離
を規定するものであって、第２レンズ群Ｇ2 がこの条件
式（３）から外れる場合には、凹面反射鏡Ｍ 1 によって
発生する球面収差を補正することが難しくなるため好ま
しくない。
2 の焦点距離をｆg2とするとき、 ｆg2＜０ …（３） の条件を満足するように構成されることが望ましい。こ
の条件式（３）は、第２レンズ群Ｇ2 の適切な焦点距離
を規定するものであって、第２レンズ群Ｇ2 がこの条件
式（３）から外れる場合には、凹面反射鏡Ｍ 1 によって
発生する球面収差を補正することが難しくなるため好ま
しくない。
【００２２】
【実施例】次に、本発明による実施例について詳述す
る。本実施例における反射屈折縮小投影光学系は、図１
に示す露光装置に応用したものである。まず、図１につ
いて簡単に説明すると、図示の如く、所定の回路パター
ンが形成されたレチクルＲ（第１物体）は、レチクルス
テージＲＳ上に載置されており、このレチクルＲの上方
には、レチクルＲを均一照明する照明光学系ＩＳが設け
られている。均一照明されたレチクルＲからの光は、第
１レンズ群Ｇ1 を通過してビームスプリッタＢＳにて反
射された後、第２レンズ群Ｇ2 を介して凹面反射鏡Ｍ1
に達する。この凹面反射鏡Ｍ1 にて反射される光は、再
び第２レンズ群Ｇ 2 を介した後、ビームスプリッタＢＳ
を透過して第３レンズ群Ｇ3 に入射する。ここで、第１
及び第２レンズ群Ｇ2 、凹面反射鏡Ｍ1 及びビームスプ
リッタＢＳにより、レチクルＲの１次像Ｉ1 が形成され
る。
る。本実施例における反射屈折縮小投影光学系は、図１
に示す露光装置に応用したものである。まず、図１につ
いて簡単に説明すると、図示の如く、所定の回路パター
ンが形成されたレチクルＲ（第１物体）は、レチクルス
テージＲＳ上に載置されており、このレチクルＲの上方
には、レチクルＲを均一照明する照明光学系ＩＳが設け
られている。均一照明されたレチクルＲからの光は、第
１レンズ群Ｇ1 を通過してビームスプリッタＢＳにて反
射された後、第２レンズ群Ｇ2 を介して凹面反射鏡Ｍ1
に達する。この凹面反射鏡Ｍ1 にて反射される光は、再
び第２レンズ群Ｇ 2 を介した後、ビームスプリッタＢＳ
を透過して第３レンズ群Ｇ3 に入射する。ここで、第１
及び第２レンズ群Ｇ2 、凹面反射鏡Ｍ1 及びビームスプ
リッタＢＳにより、レチクルＲの１次像Ｉ1 が形成され
る。
【００２３】レチクルＲの１次像Ｉ1 からの光は、第３
レンズ群Ｇ3 から射出されて、光路折曲げミラーＭ2 に
て反射されて第４レンズ群Ｇ4 に入射する。本実施例で
は第４レンズ群Ｇ4 内に開口絞りＡＳが設けられてお
り、この開口絞りＡＳの位置が反射屈折光学系全体の瞳
位置に対応している。本実施例においてこの開口絞りＡ
Ｓの位置には、照明光学系ＩＳの光源の像が形成され
る。すなわち本実施例の照明光学系は、ケーラー照明を
行うものである。
レンズ群Ｇ3 から射出されて、光路折曲げミラーＭ2 に
て反射されて第４レンズ群Ｇ4 に入射する。本実施例で
は第４レンズ群Ｇ4 内に開口絞りＡＳが設けられてお
り、この開口絞りＡＳの位置が反射屈折光学系全体の瞳
位置に対応している。本実施例においてこの開口絞りＡ
Ｓの位置には、照明光学系ＩＳの光源の像が形成され
る。すなわち本実施例の照明光学系は、ケーラー照明を
行うものである。
【００２４】次に、第４レンズ群Ｇ4 から射出された光
は、ウェハステージＷＳ上に載置されたウェハＷ（第２
物体）上にレチクルＲの２次像を形成する。ここで、レ
チクルＲの２次像の倍率は縮小倍率である。なお、図１
にて示す例では、光路折曲げミラーＭ2 を第３レンズ群
Ｇ3 と第４レンズ群Ｇ4 との間に配置して、レチクルＲ
とウェハＷとが平行となるように構成しているが、光学
設計上においては光路折曲げミラーＭ2 はどこに配置し
ても良い。
は、ウェハステージＷＳ上に載置されたウェハＷ（第２
物体）上にレチクルＲの２次像を形成する。ここで、レ
チクルＲの２次像の倍率は縮小倍率である。なお、図１
にて示す例では、光路折曲げミラーＭ2 を第３レンズ群
Ｇ3 と第４レンズ群Ｇ4 との間に配置して、レチクルＲ
とウェハＷとが平行となるように構成しているが、光学
設計上においては光路折曲げミラーＭ2 はどこに配置し
ても良い。
【００２５】次に、図２〜図４を参照して第１〜第３実
施例の反射屈折縮小投影光学系を説明する。図２〜図４
は、本発明による第１〜第３実施例の反射屈折縮小投影
光学系の光路図である。 〔第１実施例〕図２に示す第１実施例の反射屈折縮小投
影光学系は、像側（第２物体側，ウェハＷ側）の開口数
ＮＡが0.6 、全系の縮小倍率βが+0.25 すなわち１／４
倍であり、ウェハＷ上における露光領域の直径が30.6mm
であり、図１の照明光学系ＩＳ中に設けられる光源とし
て、 193.4±0.1nm の露光波長λを持つ光を供給するエ
キシマレーザを適用している。
施例の反射屈折縮小投影光学系を説明する。図２〜図４
は、本発明による第１〜第３実施例の反射屈折縮小投影
光学系の光路図である。 〔第１実施例〕図２に示す第１実施例の反射屈折縮小投
影光学系は、像側（第２物体側，ウェハＷ側）の開口数
ＮＡが0.6 、全系の縮小倍率βが+0.25 すなわち１／４
倍であり、ウェハＷ上における露光領域の直径が30.6mm
であり、図１の照明光学系ＩＳ中に設けられる光源とし
て、 193.4±0.1nm の露光波長λを持つ光を供給するエ
キシマレーザを適用している。
【００２６】次に、第１実施例の具体的なレンズ構成を
説明すると、図２に示す如く、まず、第１レンズ群Ｇ1
は、物体側から順に、物体側に凹面を向けた正メニスカ
スレンズＬ1aと、物体側に凸面を向けた正メニスカスレ
ンズＬ1bとから構成される。第２レンズ群Ｇ2 は、ビー
ムスプリッタＢＳ側に凹面を向けた負メニスカスレンズ
から構成される。また、第３レンズ群Ｇ3 は、ビームス
プリッタＢＳ側から順に、光路折曲げミラーＭ2 側に強
い凸面を向けた両凸形状の正レンズＬ3aと、ビームスプ
リッタＢＳ側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ
3bと、ビームスプリッタ側に凸面を向けた負メニスカス
レンズＬ3cと、ビームスプリッタ側に凸面を向けた負メ
ニスカスレンズＬ3dと、両凸形状の正レンズＬ3eとから
構成される。そして、第４レンズ群Ｇ4 は、光路折曲げ
ミラーＭ2 側から順に、ウェハＷ側に強い凸面を向けた
正レンズＬ4aと、光路折曲げミラーＭ2 側に凹面を向け
た負メニスカスレンズＬ4bと、光路折曲げミラーＭ2 側
に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ4cと、光路折曲げ
ミラーＭ2 側に強い凹面を向けた両凹形状の負レンズＬ
4dと、光路折曲げミラーＭ2 側に凹面を向けた正メニス
カスレンズＬ4eと、光路折曲げミラーＭ2 側に強い凸面
を向けた両凸形状の正レンズＬ4fと、光路折曲げミラー
側に強い面を向けたほぼ平凸形状の正レンズＬ4gと、両
凹形状の負レンズＬ4hと、光路折曲げミラーＭ2 側に強
い凸面を向けた両凸形状の正レンズＬ4iと、ウェハＷ側
に強い凹面を向けた両凹形状の負レンズＬ4Jと、光路折
曲げミラーＭ2 側に強い凸面を向けたほぼ平凸形状の正
レンズＬ4kと、ウェハＷ側に凹面を向けた負メニスカス
レンズＬ4lと、光路折曲げミラーＭ2 側に凸面を向けた
正メニスカスレンズＬ4mとから構成される。
説明すると、図２に示す如く、まず、第１レンズ群Ｇ1
は、物体側から順に、物体側に凹面を向けた正メニスカ
スレンズＬ1aと、物体側に凸面を向けた正メニスカスレ
ンズＬ1bとから構成される。第２レンズ群Ｇ2 は、ビー
ムスプリッタＢＳ側に凹面を向けた負メニスカスレンズ
から構成される。また、第３レンズ群Ｇ3 は、ビームス
プリッタＢＳ側から順に、光路折曲げミラーＭ2 側に強
い凸面を向けた両凸形状の正レンズＬ3aと、ビームスプ
リッタＢＳ側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ
3bと、ビームスプリッタ側に凸面を向けた負メニスカス
レンズＬ3cと、ビームスプリッタ側に凸面を向けた負メ
ニスカスレンズＬ3dと、両凸形状の正レンズＬ3eとから
構成される。そして、第４レンズ群Ｇ4 は、光路折曲げ
ミラーＭ2 側から順に、ウェハＷ側に強い凸面を向けた
正レンズＬ4aと、光路折曲げミラーＭ2 側に凹面を向け
た負メニスカスレンズＬ4bと、光路折曲げミラーＭ2 側
に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ4cと、光路折曲げ
ミラーＭ2 側に強い凹面を向けた両凹形状の負レンズＬ
4dと、光路折曲げミラーＭ2 側に凹面を向けた正メニス
カスレンズＬ4eと、光路折曲げミラーＭ2 側に強い凸面
を向けた両凸形状の正レンズＬ4fと、光路折曲げミラー
側に強い面を向けたほぼ平凸形状の正レンズＬ4gと、両
凹形状の負レンズＬ4hと、光路折曲げミラーＭ2 側に強
い凸面を向けた両凸形状の正レンズＬ4iと、ウェハＷ側
に強い凹面を向けた両凹形状の負レンズＬ4Jと、光路折
曲げミラーＭ2 側に強い凸面を向けたほぼ平凸形状の正
レンズＬ4kと、ウェハＷ側に凹面を向けた負メニスカス
レンズＬ4lと、光路折曲げミラーＭ2 側に凸面を向けた
正メニスカスレンズＬ4mとから構成される。
【００２７】本実施例においては、第３レンズ群Ｇ3 中
の負メニスカスレンズＬ3cと負メニスカスレンズＬ3dと
の間の光路中にレチクルＲの１次像Ｉ1 が形成される。
また、本実施例において、両凹形状の負レンズＬ4dと正
メニスカスレンズＬ4eとの間の光路中に開口絞りＡＳが
配置される。 〔第２実施例〕図３に示す第２実施例の反射屈折縮小投
影光学系においては、像側（第２物体側，ウェハＷ側）
の開口数ＮＡが0.6 、全系の縮小倍率βが+0.25 すなわ
ち１／４倍であり、ウェハＷ上における露光領域の直径
が30.6mmである。図１の照明光学系ＩＳ中に設けられる
光源として、 193.4±0.1nm の露光波長λを持つ光を供
給するエキシマレーザを適用している。
の負メニスカスレンズＬ3cと負メニスカスレンズＬ3dと
の間の光路中にレチクルＲの１次像Ｉ1 が形成される。
また、本実施例において、両凹形状の負レンズＬ4dと正
メニスカスレンズＬ4eとの間の光路中に開口絞りＡＳが
配置される。 〔第２実施例〕図３に示す第２実施例の反射屈折縮小投
影光学系においては、像側（第２物体側，ウェハＷ側）
の開口数ＮＡが0.6 、全系の縮小倍率βが+0.25 すなわ
ち１／４倍であり、ウェハＷ上における露光領域の直径
が30.6mmである。図１の照明光学系ＩＳ中に設けられる
光源として、 193.4±0.1nm の露光波長λを持つ光を供
給するエキシマレーザを適用している。
【００２８】次に、第２実施例の具体的なレンズ構成を
説明すると、図３に示す如く、まず、第１レンズ群Ｇ1
は、レチクルＲ側から順に、レチクルＲ側に凹面を向け
た正メニスカスレンズＬ1aと、レチクルＲ側に凸面を向
けた正メニスカスレンズＬ1bとから構成される。第２レ
ンズ群Ｇ2 は、ビームスプリッタＢＳ側に凹面を向けた
負メニスカスレンズから構成される。また、第３レンズ
群Ｇ3 は、ビームスプリッタＢＳ側から順に、両凸形状
の正レンズＬ3aと、ビームスプリッタＢＳ側に凹面を向
けた負メニスカスレンズＬ3bと、ビームスプリッタＢＳ
側に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ3cと、同じくビ
ームスプリッタＢＳ側に凸面を向けた負メニスカスレン
ズＬ3dと、ビームスプリッタ側により強い凸面を向けた
両凸形状の正レンズＬ3eとから構成される。
説明すると、図３に示す如く、まず、第１レンズ群Ｇ1
は、レチクルＲ側から順に、レチクルＲ側に凹面を向け
た正メニスカスレンズＬ1aと、レチクルＲ側に凸面を向
けた正メニスカスレンズＬ1bとから構成される。第２レ
ンズ群Ｇ2 は、ビームスプリッタＢＳ側に凹面を向けた
負メニスカスレンズから構成される。また、第３レンズ
群Ｇ3 は、ビームスプリッタＢＳ側から順に、両凸形状
の正レンズＬ3aと、ビームスプリッタＢＳ側に凹面を向
けた負メニスカスレンズＬ3bと、ビームスプリッタＢＳ
側に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ3cと、同じくビ
ームスプリッタＢＳ側に凸面を向けた負メニスカスレン
ズＬ3dと、ビームスプリッタ側により強い凸面を向けた
両凸形状の正レンズＬ3eとから構成される。
【００２９】そして、第４レンズ群Ｇ4 は、光路折曲げ
ミラーＭ2 側から順に、ウェハＷ側に凸面を向けた正メ
ニスカスレンズＬ4aと、光路折曲げミラーＭ2 側に凹面
を向けた負メニスカスレンズＬ4bと、光路折曲げミラー
側に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ4cと、光路折曲
げミラーＭ2 側により強い凸面を向けた両凸形状の正レ
ンズＬ4dと、ウェハ側により強い凸面を向けたほぼ平凸
形状の正レンズＬ4eと、同じくウェハ側により強い凸面
を向けたほぼ平凸形状の正レンズＬ4fと、光路折曲げミ
ラーＭ2 側により強い凸面を向けた両凸形状の正レンズ
Ｌ4gと、両凹形状の負レンズＬ4hと、光路折曲げミラー
Ｍ2 側により強い凸面を向けた両凸形状の正レンズＬ4i
と、ウェハＷ側により強い凹面を向けた両凹形状の負レ
ンズＬ4jと、光路折曲げミラーＭ2 側により強い凸面を
向けた両凸形状の正レンズＬ4kと、ウェハＷ側に凹面を
向けた正メニスカスレンズＬ4lと、光路折曲げミラーＭ
2側により強い凸面を向けた両凸形状の正レンズＬ4mと
から構成される。
ミラーＭ2 側から順に、ウェハＷ側に凸面を向けた正メ
ニスカスレンズＬ4aと、光路折曲げミラーＭ2 側に凹面
を向けた負メニスカスレンズＬ4bと、光路折曲げミラー
側に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ4cと、光路折曲
げミラーＭ2 側により強い凸面を向けた両凸形状の正レ
ンズＬ4dと、ウェハ側により強い凸面を向けたほぼ平凸
形状の正レンズＬ4eと、同じくウェハ側により強い凸面
を向けたほぼ平凸形状の正レンズＬ4fと、光路折曲げミ
ラーＭ2 側により強い凸面を向けた両凸形状の正レンズ
Ｌ4gと、両凹形状の負レンズＬ4hと、光路折曲げミラー
Ｍ2 側により強い凸面を向けた両凸形状の正レンズＬ4i
と、ウェハＷ側により強い凹面を向けた両凹形状の負レ
ンズＬ4jと、光路折曲げミラーＭ2 側により強い凸面を
向けた両凸形状の正レンズＬ4kと、ウェハＷ側に凹面を
向けた正メニスカスレンズＬ4lと、光路折曲げミラーＭ
2側により強い凸面を向けた両凸形状の正レンズＬ4mと
から構成される。
【００３０】本実施例においては、第３レンズ群Ｇ3 と
第４レンズ群Ｇ4 との間、詳述すると両凸形状の正レン
ズＬ3eと光路折曲げミラーＭ2 との間の光路中にレチク
ルＲの１次像Ｉ1 が形成される。また、本実施例におい
て、両凸形状の正レンズＬ4dとほぼ平凸形状の正レンズ
Ｌ4eとの間の光路中に開口絞りＡＳが配置される。 〔第３実施例〕図４に示す第３実施例の反射屈折縮小投
影光学系においては、像側（第２物体側，ウェハＷ側）
の開口数ＮＡが0.6 、全系の縮小倍率βが+0.25 すなわ
ち１／４倍であり、ウェハＷ上における露光領域の直径
が30.6mmである。図１の照明光学系ＩＳ中に設けられる
光源として、193.4nm の露光波長λを持つ光を供給する
エキシマレーザを適用している。
第４レンズ群Ｇ4 との間、詳述すると両凸形状の正レン
ズＬ3eと光路折曲げミラーＭ2 との間の光路中にレチク
ルＲの１次像Ｉ1 が形成される。また、本実施例におい
て、両凸形状の正レンズＬ4dとほぼ平凸形状の正レンズ
Ｌ4eとの間の光路中に開口絞りＡＳが配置される。 〔第３実施例〕図４に示す第３実施例の反射屈折縮小投
影光学系においては、像側（第２物体側，ウェハＷ側）
の開口数ＮＡが0.6 、全系の縮小倍率βが+0.25 すなわ
ち１／４倍であり、ウェハＷ上における露光領域の直径
が30.6mmである。図１の照明光学系ＩＳ中に設けられる
光源として、193.4nm の露光波長λを持つ光を供給する
エキシマレーザを適用している。
【００３１】第３実施例の反射屈折縮小投影光学系にお
いては、第１及び第２実施例のものとは異なり、均一照
明されたレチクルＲからの光は、第１レンズ群Ｇ1 を通
過した後に、ビームスプリッタＢＳを透過し、第２レン
ズ群Ｇ2 を介して凹面反射鏡Ｍ1 に達する。凹面反射鏡
Ｍ1 にて反射された光は、再び第２レンズ群Ｇ2 を介し
てビームスプリッタＢＳにて反射され、第３レンズ群を
介した後に、光路折曲げミラーＭ2 にて偏向されて第４
レンズ群Ｇ4 を通過する。この第４レンズ群Ｇ 4 からの
光によりレチクルＲの像がウェハＷ上に形成される。
いては、第１及び第２実施例のものとは異なり、均一照
明されたレチクルＲからの光は、第１レンズ群Ｇ1 を通
過した後に、ビームスプリッタＢＳを透過し、第２レン
ズ群Ｇ2 を介して凹面反射鏡Ｍ1 に達する。凹面反射鏡
Ｍ1 にて反射された光は、再び第２レンズ群Ｇ2 を介し
てビームスプリッタＢＳにて反射され、第３レンズ群を
介した後に、光路折曲げミラーＭ2 にて偏向されて第４
レンズ群Ｇ4 を通過する。この第４レンズ群Ｇ 4 からの
光によりレチクルＲの像がウェハＷ上に形成される。
【００３２】次に、第３実施例の具体的なレンズ構成を
説明すると、図４に示す如く、まず第１レンズ群Ｇ
1 は、レチクルＲ側から順に、両凸形状の正レンズＬ1a
と、レチクルＲ側に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ
1bと、レチクルＲ側に凸面を向けた正メニスカスレンズ
Ｌ1cとから構成される。第２レンズ群Ｇ2 は、ビームス
プリッタＢＳ側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ2a
から構成される。
説明すると、図４に示す如く、まず第１レンズ群Ｇ
1 は、レチクルＲ側から順に、両凸形状の正レンズＬ1a
と、レチクルＲ側に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ
1bと、レチクルＲ側に凸面を向けた正メニスカスレンズ
Ｌ1cとから構成される。第２レンズ群Ｇ2 は、ビームス
プリッタＢＳ側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ2a
から構成される。
【００３３】第３レンズ群Ｇ3 は、ビームスプリッタＢ
Ｓ側から順に、両凸形状の正レンズＬ3aと、ビームスプ
リッタ側に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ3bと、光
路折曲げミラーＭ2 側に強い凸面を向けた両凸形状の正
レンズＬ3cとから構成される。第４レンズ群Ｇ4 は、光
路折曲げミラーＭ2 側から順に、ウェハＷ側により強い
凸面を向けた両凸形状の正レンズＬ4aと、光路折曲げミ
ラーＭ2 側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ4bと、
ウェハＷ側により強い凸面を向けた両凸形状の正レンズ
Ｌ4cと、光路折曲げミラーＭ2 側により強い凸面を向け
た両凸形状の正レンズＬ4dと、両凹形状の負レンズＬ4e
と、光路折曲げミラーＭ2 側に凹面を向けた正メニスカ
スレンズＬ4fと、光路折曲げミラーＭ2 側により強い凸
面を向けた両凸形状の正レンズＬ4gと、光路折曲げミラ
ー側に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ4hと、ウェハ
Ｗ側により強い凹面を向けた両凹形状の負レンズＬ
4iと、光路折曲げミラーＭ2 側により強い凸面を向けた
両凸形状の正レンズＬ4jと、ウェハＷ側により強い凹面
を向けた両凹形状の負レンズＬ4kと、光路折曲げミラー
Ｍ2 側に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ4lと、ウェ
ハＷ側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ4mと、光路
折曲げミラーＭ2 側に凸面を向けた正メニスカスレンズ
Ｌ4nとから構成される。
Ｓ側から順に、両凸形状の正レンズＬ3aと、ビームスプ
リッタ側に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ3bと、光
路折曲げミラーＭ2 側に強い凸面を向けた両凸形状の正
レンズＬ3cとから構成される。第４レンズ群Ｇ4 は、光
路折曲げミラーＭ2 側から順に、ウェハＷ側により強い
凸面を向けた両凸形状の正レンズＬ4aと、光路折曲げミ
ラーＭ2 側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ4bと、
ウェハＷ側により強い凸面を向けた両凸形状の正レンズ
Ｌ4cと、光路折曲げミラーＭ2 側により強い凸面を向け
た両凸形状の正レンズＬ4dと、両凹形状の負レンズＬ4e
と、光路折曲げミラーＭ2 側に凹面を向けた正メニスカ
スレンズＬ4fと、光路折曲げミラーＭ2 側により強い凸
面を向けた両凸形状の正レンズＬ4gと、光路折曲げミラ
ー側に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ4hと、ウェハ
Ｗ側により強い凹面を向けた両凹形状の負レンズＬ
4iと、光路折曲げミラーＭ2 側により強い凸面を向けた
両凸形状の正レンズＬ4jと、ウェハＷ側により強い凹面
を向けた両凹形状の負レンズＬ4kと、光路折曲げミラー
Ｍ2 側に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ4lと、ウェ
ハＷ側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ4mと、光路
折曲げミラーＭ2 側に凸面を向けた正メニスカスレンズ
Ｌ4nとから構成される。
【００３４】本実施例においては、第３レンズ群Ｇ3 中
の負メニスカスレンズＬ3bと正レンズＬ3cとの間の光路
中にレチクルＲの１次像Ｉ1 が形成される。また、本実
施例において、開口絞りＡＳは、両凹形状の負レンズＬ
4eと正メニスカスレンズＬ4fとの間の光路中に配置され
る。さて、以下の表１乃至表３に第１乃至第３実施例の
諸元の値及び条件対応値を掲げる。表１乃至表３におい
ては、物体面としてのレチクルＲ（第１物体）から像面
としてのウェハＷ（第２物体）へ向かう順序で各面の曲
率半径ｒ、面間隔ｄおよび硝材を示している。表１中に
おいて、各面の曲率半径ｒの符号は、レチクルＲから凹
面反射鏡Ｍ1 へ向かう光路中ではレチクルＲ側に凸面を
向ける場合を正としており、凹面反射鏡Ｍ1 からウェハ
Ｗに到る光路中ではその符号が反転するものとしてい
る。また、面間隔ｄの符号は、レチクルＲから凹面反射
鏡Ｍ1 へ向かう光路中では正にとり、凹面反射鏡Ｍ1 か
らウェハＷに到る光路中ではその符号が反転するものと
している。
の負メニスカスレンズＬ3bと正レンズＬ3cとの間の光路
中にレチクルＲの１次像Ｉ1 が形成される。また、本実
施例において、開口絞りＡＳは、両凹形状の負レンズＬ
4eと正メニスカスレンズＬ4fとの間の光路中に配置され
る。さて、以下の表１乃至表３に第１乃至第３実施例の
諸元の値及び条件対応値を掲げる。表１乃至表３におい
ては、物体面としてのレチクルＲ（第１物体）から像面
としてのウェハＷ（第２物体）へ向かう順序で各面の曲
率半径ｒ、面間隔ｄおよび硝材を示している。表１中に
おいて、各面の曲率半径ｒの符号は、レチクルＲから凹
面反射鏡Ｍ1 へ向かう光路中ではレチクルＲ側に凸面を
向ける場合を正としており、凹面反射鏡Ｍ1 からウェハ
Ｗに到る光路中ではその符号が反転するものとしてい
る。また、面間隔ｄの符号は、レチクルＲから凹面反射
鏡Ｍ1 へ向かう光路中では正にとり、凹面反射鏡Ｍ1 か
らウェハＷに到る光路中ではその符号が反転するものと
している。
【００３５】また、表１乃至表３において、NAはウェハ
Ｗ側の開口数（像側開口数）を表し、d0はレチクルＲ
（物体側）から第１レンズ群Ｇ1 の最もレチクルＲ側
（物体側）のレンズ面（第１レンズ面）までの距離を表
し、WDは第４レンズ群Ｇ4 の最もウェハＷ側（像側）の
レンズ面からウェハＷ（像面）までの距離（作動距離）
を表し、βは全系の縮小倍率、βPIは１次像Ｉ1 の横倍
率、βM1は凹面反射鏡Ｍ1の横倍率、ｆg2は第２レンズ
群Ｇ2 の焦点距離を表している。なお、表１乃至表３で
は硝材として、ＣａＦ2 は蛍石、ＳｉＯ2 は石英ガラス
をそれぞれ表す。ここで、石英ガラスおよび蛍石の使用
基準波長(ArFエキシマレーザの波長：λ＝ 193.4nm) に
おける屈折率は以下の通りである。 石英ガラス（ＳｉＯ2 ）：1.56019 蛍石 （ＣａＦ2 ）：1.50138 なお、光路折曲げミラーＭ2 の位置は、光学設計上にお
いて本質的ではないため表１乃至表３では省略してい
る。
Ｗ側の開口数（像側開口数）を表し、d0はレチクルＲ
（物体側）から第１レンズ群Ｇ1 の最もレチクルＲ側
（物体側）のレンズ面（第１レンズ面）までの距離を表
し、WDは第４レンズ群Ｇ4 の最もウェハＷ側（像側）の
レンズ面からウェハＷ（像面）までの距離（作動距離）
を表し、βは全系の縮小倍率、βPIは１次像Ｉ1 の横倍
率、βM1は凹面反射鏡Ｍ1の横倍率、ｆg2は第２レンズ
群Ｇ2 の焦点距離を表している。なお、表１乃至表３で
は硝材として、ＣａＦ2 は蛍石、ＳｉＯ2 は石英ガラス
をそれぞれ表す。ここで、石英ガラスおよび蛍石の使用
基準波長(ArFエキシマレーザの波長：λ＝ 193.4nm) に
おける屈折率は以下の通りである。 石英ガラス（ＳｉＯ2 ）：1.56019 蛍石 （ＣａＦ2 ）：1.50138 なお、光路折曲げミラーＭ2 の位置は、光学設計上にお
いて本質的ではないため表１乃至表３では省略してい
る。
【００３６】
【表１】 〔第１実施例の諸元〕 NA = 0.6 d0 = 79.857 WD = -15.333 No. ｒ ｄ 硝材 素子番号 1 -311.138 27.000 ＳｉＯ2 Ｌ1a 2 -271.921 0.500 3 237.260 30.000 ＣａＦ2 Ｌ1b 4 610.698 117.712 5 0.000 170.000 ＳｉＯ2 ＢＳ 6 0.000 314.541 7 -201.381 20.000 ＳｉＯ2 Ｌ2a 8 -994.854 94.340 9 -381.239 -94.340 Ｍ1 10 -994.854 -20.000 ＳｉＯ2 Ｌ2a 11 -201.381 -314.541 12 0.000 -170.000 ＳｉＯ2 ＢＳ 13 0.000 -2.218 14 -1206.774 -35.000 ＣａＦ2 Ｌ3a 15 297.899 -5.000 16 285.664 -20.000 ＳｉＯ2 Ｌ3b 17 375.528 -44.302 18 -378.397 -15.000 ＳｉＯ2 Ｌ3c 19 -282.214 -134.601 20 -516.078 -20.000 ＳｉＯ2 Ｌ3d 21 -371.665 -5.000 22 -585.552 -30.000 ＣａＦ2 Ｌ3e 23 627.032 -562.158 24 -2779.3 -45.600 ＣａＦ2 Ｌ4a 25 298.390 -12.000 26 263.463 -17.100 ＳｉＯ2 Ｌ4b 27 369.388 -0.570 28 -477.301 -45.600 ＳｉＯ2 Ｌ4c 29 -3437.574 -20.000 30 443.088 -29.667 ＳｉＯ2 Ｌ4d 31 -8075.675 -276.226 32 0.000 -47.749 ＡＳ 33 1076.200 -39.937 ＳｉＯ2 Ｌ4e 34 458.143 -1.140 35 -337.836 -39.900 ＣａＦ2 Ｌ4f 36 1801.600 -0.570 37 -290.085 -40.000 ＣａＦ2 Ｌ4g 38 28919.470 -9.600 39 801.910 -19.000 ＳｉＯ2 Ｌ4h 40 -321.339 -0.570 41 -156.673 -47.500 ＣａＦ2 Ｌ4i 42 2500.000 -1.140 43 2000.000 -19.000 ＳｉＯ2 Ｌ4j 44 -136.158 -11.000 45 -198.569 -30.000 ＳｉＯ2 Ｌ4k 46 -11265.580 -0.570 47 -175.348 -57.000 ＳｉＯ2 Ｌ4l 48 -113.028 -4.000 49 -100.548 -68.400 ＳｉＯ2 Ｌ4m 50 -5285.724 (WD) 《第１実施例の条件対応値》 βPI／β＝ -3.656 βM1／β＝ -3.969 ｆg2 ＝ -454.552
【００３７】
【表２】 〔第２実施例の諸元〕 NA = 0.6 d0 = 206.194 WD = -15.333 No. ｒ ｄ 硝材 素子番号 1 -730.441 30.000 ＳｉＯ2 Ｌ1a 2 -302.928 4.657 3 265.869 40.000 ＳｉＯ2 Ｌ1b 4 305.215 373.987 5 0.000 190.000 ＳｉＯ2 ＢＳ 6 0.000 35.128 7 -194.144 20.000 ＳｉＯ2 Ｌ2a 8 -1440.408 94.762 9 -387.896 -94.762 Ｍ1 10 -1440.408 -20.000 ＳｉＯ2 Ｌ2a 11 -194.144 -35.128 12 0.000 -190.000 ＳｉＯ2 ＢＳ 13 0.000 -236.433 14 -607.213 -35.000 ＣａＦ2 Ｌ3a 15 430.362 -5.000 16 670.375 -20.000 ＳｉＯ2 Ｌ3b 17 888.244 -44.811 18 -299.512 -15.000 ＳｉＯ2 Ｌ3c 19 -214.161 -148.534 20 -485.840 -20.000 ＳｉＯ2 Ｌ3d 21 -207.182 -5.000 22 -209.670 -35.000 ＣａＦ2 Ｌ3e 23 551.618 -491.952 24 4130.370 -45.600 ＳｉＯ2 Ｌ4a 25 362.364 -12.000 26 248.616 -17.100 ＳｉＯ2 Ｌ4b 27 662.143 -0.570 28 -706.743 -30.000 ＳｉＯ2 Ｌ4c 29 -422.409 -10.000 30 -481.701 -45.985 ＣａＦ2 Ｌ4d 31 1521.700 -265.591 32 0.000 -10.919 ＡＳ 33 -7977.613 -60.000 ＳｉＯ2 Ｌ4e 34 574.523 -1.368 35 -4657.727 -47.880 ＳｉＯ2 Ｌ4f 36 716.625 -0.684 37 -277.940 -52.000 ＣａＦ2 Ｌ4g 38 3179.880 -10.320 39 667.602 -20.000 ＳｉＯ2 Ｌ4h 40 -468.367 -0.684 41 -209.087 -57.000 ＣａＦ2 Ｌ4i 42 7010.900 -4.170 43 1426.600 -20.000 ＳｉＯ2 Ｌ4j 44 -180.418 -4.800 45 -208.577 -44.400 ＣａＦ2 Ｌ4k 46 712.163 -0.684 47 -207.093 -68.400 ＳｉＯ2 Ｌ4l 48 -213.466 -4.800 49 -172.836 -82.080 ＣａＦ2 Ｌ4m 50 1159.260 (WD) 《第２実施例の条件対応値》 βPI／β＝ -3.411 βM1／β＝ -4.045 ｆg2 ＝ -402.876
【００３８】
【表３】 〔第３実施例の諸元〕 NA = 0.6 d0 = 173.320 WD = -11.333 No. ｒ ｄ 硝材 素子番号 1 581.368 30.000 ＳｉＯ2 Ｌ1a 2 -391.135 11.360 3 924.600 20.000 ＳｉＯ2 Ｌ1b 4 269.179 0.746 5 175.001 40.000 ＳｉＯ2 Ｌ1c 6 241.476 70.301 7 0.000 180.000 ＳｉＯ2 ＢＳ 8 0.000 254.826 9 -207.288 20.000 ＳｉＯ2 Ｌ2a 10 -797.747 97.963 11 -393.360 -97.963 Ｍ1 12 -797.747 -20.000 ＳｉＯ2 Ｌ2a 13 -207.288 -254.826 14 0.000 -180.000 ＳｉＯ2 ＢＳ 15 0.000 -16.169 16 -700.885 -35.000 ＳｉＯ2 Ｌ3a 17 722.684 -83.129 18 -514.396 -15.000 ＳｉＯ2 Ｌ3b 19 -240.329 -60.245 20 -919.660 -35.000 ＳｉＯ2 Ｌ3c 21 352.479 -491.844 22 -4123.923 -40.000 ＣａＦ2 Ｌ4a 23 355.068 -15.767 24 193.083 -17.100 ＳｉＯ2 Ｌ4b 25 651.781 -4.199 26 -3560.029 -45.600 ＣａＦ2 Ｌ4c 27 435.428 -10.020 28 -325.006 -45.600 ＣａＦ2 Ｌ4d 29 2283.310 -12.525 30 677.099 -50.000 ＳｉＯ2 Ｌ4e 31 -327.839 -52.774 32 0.000 -62.953 ＡＳ 33 897.654 -57.000 ＳｉＯ2 Ｌ4f 34 344.802 -1.140 35 -393.740 -39.900 ＣａＦ2 Ｌ4g 36 1030.220 -0.570 37 -259.990 -40.000 ＣａＦ2 Ｌ4h 38 -1505.829 -8.000 39 3309.440 -17.000 ＳｉＯ2 Ｌ4i 40 -396.541 -0.570 41 -170.438 -47.500 ＣａＦ2 Ｌ4j 42 3070.940 -3.140 43 1740.290 -17.000 ＳｉＯ2 Ｌ4k 44 -156.254 -2.000 45 -162.182 -40.000 ＣａＦ2 Ｌ4l 46 -914.393 -0.570 47 -152.174 -57.000 ＳｉＯ2 Ｌ4m 48 -63.377 -2.850 49 -65.057 -68.400 ＳｉＯ2 Ｌ4n 50 -615.935 (WD) 《第３実施例の条件対応値》 βPI／β＝ -3.554 βM1／β＝ -3.604 ｆg2 ＝ -506.087 以下の図５、図６及び図７に第１、第２及び第３実施例
のコマ収差図を示す。ここで、図５(a) 、図６(a) 及び
図７(a) はそれぞれ像高１０割（像高１５．３ｍｍ）に
おけるコマ収差図であり、図５(b) 、図６(b) 及び図７
(b) はそれぞれ像高５割（像高７．６５ｍｍ）における
横収差図であり、図５(c) 、図６(c) 及び図７(c) はそ
れぞれ像高０割（光軸上：像高０．０ｍｍ）における横
収差図である。なお、各コマ収差図において、実線は基
準波長（λ＝ 193.4nm）における収差曲線を表し、点線
は波長λ＝ 193.5nmにおける収差曲線、一点鎖線は波長
λ＝193.45nmにおける収差曲線、破線はλ＝193.35nmに
おける収差曲線、二点鎖線は波長λ＝ 193.3nmにおける
収差曲線をそれぞれ表す。
のコマ収差図を示す。ここで、図５(a) 、図６(a) 及び
図７(a) はそれぞれ像高１０割（像高１５．３ｍｍ）に
おけるコマ収差図であり、図５(b) 、図６(b) 及び図７
(b) はそれぞれ像高５割（像高７．６５ｍｍ）における
横収差図であり、図５(c) 、図６(c) 及び図７(c) はそ
れぞれ像高０割（光軸上：像高０．０ｍｍ）における横
収差図である。なお、各コマ収差図において、実線は基
準波長（λ＝ 193.4nm）における収差曲線を表し、点線
は波長λ＝ 193.5nmにおける収差曲線、一点鎖線は波長
λ＝193.45nmにおける収差曲線、破線はλ＝193.35nmに
おける収差曲線、二点鎖線は波長λ＝ 193.3nmにおける
収差曲線をそれぞれ表す。
【００３９】図５、図６及び図７に示す各コマ収差図よ
り、本発明の各実施例による反射屈折縮小投影光学系
は、Ｎ．Ａ．＝０．６という非常に大きな開口数を達成
しているにもかかわらず、良好に収差が補正されてお
り、優れた結像性能を有していることが分かる。さら
に、第１及び第２実施例による反射屈折縮小投影光学系
は、 193.4nm±0.1nm の範囲において色収差が良好に補
正されていることが分かる。
り、本発明の各実施例による反射屈折縮小投影光学系
は、Ｎ．Ａ．＝０．６という非常に大きな開口数を達成
しているにもかかわらず、良好に収差が補正されてお
り、優れた結像性能を有していることが分かる。さら
に、第１及び第２実施例による反射屈折縮小投影光学系
は、 193.4nm±0.1nm の範囲において色収差が良好に補
正されていることが分かる。
【００４０】尚、上述の如き各実施例において、ビーム
スプリッタＢＳの代わりに偏光ビームスプリッタＰＢＳ
を用い、ビームスプリッタＢＳと凹面反射鏡Ｍ1 との間
の光路中にλ／４板を配置しても良い。具体的には、レ
チクルステージＲＳ上に載置されたレチクルＲを均一照
明する照明光学装置ＩＳは、所定の振動面を有する直線
偏光光で物体を照明する。レチクルＲを介した直線偏光
光は、第１レンズ群Ｇ 1 を通過して偏光ビームスプリッ
タＰＢＳに達する。
スプリッタＢＳの代わりに偏光ビームスプリッタＰＢＳ
を用い、ビームスプリッタＢＳと凹面反射鏡Ｍ1 との間
の光路中にλ／４板を配置しても良い。具体的には、レ
チクルステージＲＳ上に載置されたレチクルＲを均一照
明する照明光学装置ＩＳは、所定の振動面を有する直線
偏光光で物体を照明する。レチクルＲを介した直線偏光
光は、第１レンズ群Ｇ 1 を通過して偏光ビームスプリッ
タＰＢＳに達する。
【００４１】ここで、偏光ビームスプリッタＰＢＳは、
その方向変換面上に偏光分離膜を設けたものであって、
図８の例では、照明光学装置ＩＳはこの偏光分離膜に対
してＰ偏光となる直線偏光光を供給する。従って、第１
レンズ群Ｇ1 からの直線偏光光は、偏光ビームスプリッ
タＰＢＳを透過して、その射出側に配置されるλ／４板
ＱＷを通過し、円偏光に変換される。この円偏光は、第
２レンズ群Ｇ2 を通過した後に、凹面反射鏡Ｍ1 にて反
射されて、再び第２レンズ群Ｇ2 及びλ／４板ＱＷを通
過し、偏光ビームスプリッタＰＢＳの偏光分離膜に対し
てＳ偏光となる直線偏光光に変換される。この直線偏光
光は、偏光ビームスプリッタＰＢＳにて反射されて第３
レンズ群Ｇ3 に入射する。図８の例では、これらの第１
及び第２レンズ群、凹面反射鏡Ｍ1 及び偏光ビームスプ
リッタＰＢＳによって、レチクルＲの１次像Ｉ1 が形成
される。
その方向変換面上に偏光分離膜を設けたものであって、
図８の例では、照明光学装置ＩＳはこの偏光分離膜に対
してＰ偏光となる直線偏光光を供給する。従って、第１
レンズ群Ｇ1 からの直線偏光光は、偏光ビームスプリッ
タＰＢＳを透過して、その射出側に配置されるλ／４板
ＱＷを通過し、円偏光に変換される。この円偏光は、第
２レンズ群Ｇ2 を通過した後に、凹面反射鏡Ｍ1 にて反
射されて、再び第２レンズ群Ｇ2 及びλ／４板ＱＷを通
過し、偏光ビームスプリッタＰＢＳの偏光分離膜に対し
てＳ偏光となる直線偏光光に変換される。この直線偏光
光は、偏光ビームスプリッタＰＢＳにて反射されて第３
レンズ群Ｇ3 に入射する。図８の例では、これらの第１
及び第２レンズ群、凹面反射鏡Ｍ1 及び偏光ビームスプ
リッタＰＢＳによって、レチクルＲの１次像Ｉ1 が形成
される。
【００４２】レチクルＲの１次像Ｉ1 からの直線偏光光
は、前述の図１の例と同様に、第３レンズ群Ｇ3 から射
出されて、光路折曲げミラーＭ2 、第４レンズ群Ｇ4 を
順に通過して、ウェハステージＷＳ上に載置されたウェ
ハＷ（第２物体）上にレチクルＲの縮小像（２次像）を
形成する。この構成により、ウェハＷ（像面）上におい
て十分な照度を得ることができ、高スループットを実現
することができる。また、この構成によれば、フレアー
を抑える効果も有するため、高コントラストな像を得る
ことができる露光装置とすることができる。
は、前述の図１の例と同様に、第３レンズ群Ｇ3 から射
出されて、光路折曲げミラーＭ2 、第４レンズ群Ｇ4 を
順に通過して、ウェハステージＷＳ上に載置されたウェ
ハＷ（第２物体）上にレチクルＲの縮小像（２次像）を
形成する。この構成により、ウェハＷ（像面）上におい
て十分な照度を得ることができ、高スループットを実現
することができる。また、この構成によれば、フレアー
を抑える効果も有するため、高コントラストな像を得る
ことができる露光装置とすることができる。
【００４３】なお、図８にて示す例では、λ／４板ＱＷ
を偏光ビームスプリッタＰＢＳと第２レンズ群Ｇ2 との
間の光路中に配置しているが、これを図中破線にて示す
如く、第２レンズ群Ｇ2 と凹面反射鏡Ｍ1 との間の光路
中に配置しても良い。さらに、図１の例においてビーム
スプリッタＢＳを偏光ビームスプリッタにし、この偏光
ビームスプリッタと凹面反射鏡Ｍ1 との間にλ／４板を
配置しても良い。
を偏光ビームスプリッタＰＢＳと第２レンズ群Ｇ2 との
間の光路中に配置しているが、これを図中破線にて示す
如く、第２レンズ群Ｇ2 と凹面反射鏡Ｍ1 との間の光路
中に配置しても良い。さらに、図１の例においてビーム
スプリッタＢＳを偏光ビームスプリッタにし、この偏光
ビームスプリッタと凹面反射鏡Ｍ1 との間にλ／４板を
配置しても良い。
【００４４】また、各実施例の反射屈折縮小投影光学系
は、一括露光方式及び走査露光方式の何れにも適用でき
る。例えば一括露光方式の場合には、レチクルステージ
ＲＳとウェハステージＷＳとを固定した状態で露光を行
えば良く、走査露光方式の場合には、図１及び図８にお
いてレチクルステージＲＳとウェハステージＷＳを図中
左右方向に移動させつつ露光を行えば良い。なお、走査
露光方式を採用する場合には、照明光学装置ＩＳによる
照明領域を紙面垂直方向に延びたスリット状とすること
が好ましく、さらには１次像Ｉ1 の位置に視野絞りを配
置することが好ましい。
は、一括露光方式及び走査露光方式の何れにも適用でき
る。例えば一括露光方式の場合には、レチクルステージ
ＲＳとウェハステージＷＳとを固定した状態で露光を行
えば良く、走査露光方式の場合には、図１及び図８にお
いてレチクルステージＲＳとウェハステージＷＳを図中
左右方向に移動させつつ露光を行えば良い。なお、走査
露光方式を採用する場合には、照明光学装置ＩＳによる
照明領域を紙面垂直方向に延びたスリット状とすること
が好ましく、さらには１次像Ｉ1 の位置に視野絞りを配
置することが好ましい。
【００４５】
【発明の効果】以上の通り本発明によれば、ビームスプ
リッタを比較的小さくしつつ大きな開口数を達成し、半
導体製造装置として優れた性能を達成することができ
る。
リッタを比較的小さくしつつ大きな開口数を達成し、半
導体製造装置として優れた性能を達成することができ
る。
【図１】本発明を露光装置に適用した一例を示す概略構
成図である。
成図である。
【図２】本発明の第１実施例の光路図である。
【図３】本発明の第２実施例の光路図である。
【図４】本発明の第３実施例の光路図である。
【図５】第１実施例のコマ収差図である。
【図６】第２実施例のコマ収差図である。
【図７】第３実施例のコマ収差図である。
【図８】本発明を露光装置に適用した別の例を示す概略
構成図である。
構成図である。
Ｇ1 … 第１レンズ群、 Ｇ2 … 第２レンズ群、 Ｇ3 … 第３レンズ群、 Ｇ4 … 第４レンズ群、 ＢＳ… ビームスプリッタ、 Ｍ1 … 凹面反射鏡、 Ｍ2 … 光路折曲げミラー、 Ｒ … レチクル（第１物体）、 Ｗ … ウェハ（第２物体）、
Claims (8)
- 【請求項１】第１物体の縮小像を第２物体上に形成する
反射屈折型投影光学系において、 第１レンズ群と、ビームスプリッタと、第２レンズ群
と、凹面反射鏡とを有し、前記第１物体からの光を前記
第１レンズ群、前記ビームスプリッタ及び前記第２レン
ズ群の順に通過させて前記凹面反射鏡へ導くと共に、前
記凹面反射鏡にて反射された光を前記第２レンズ群及び
前記ビームスプリッタの順に通過させて前記第１物体の
１次像を形成する第１部分光学系と、 正屈折力の第４レンズ群を有し、かつ前記１次像の縮小
像を前記第２物体上に形成する第２部分光学系と、 前記ビームスプリッタと前記第４レンズ群との間の光路
中に配置される第３レンズ群とを有することを特徴とす
る反射屈折縮小投影光学系。 - 【請求項２】全系の縮小倍率をβとし、前記１次像の横
倍率をβPIとするとき、 −４．０＜βPI／β＜−２．５ の条件を満足することを特徴とする請求項１記載の反射
屈折縮小投影光学系。 - 【請求項３】全系の縮小倍率をβとし、前記凹面反射鏡
の横倍率をβM1とするとき、 −４．１＜βM1／β＜−２．８ の条件を満足することを特徴とする請求項１または請求
項２記載の反射屈折縮小投影光学系。 - 【請求項４】前記第３レンズ群は、正の屈折力を持つこ
とを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項記載の反射
屈折縮小投影光学系。 - 【請求項５】前記第１レンズ群は、正の屈折力を持つこ
とを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項記載の反射
屈折縮小投影光学系。 - 【請求項６】前記第４レンズ群中には、開口絞りが設け
られることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか
一項記載の反射屈折縮小投影光学系。 - 【請求項７】前記第１乃至第４レンズ群を構成する光学
部材は、石英ガラスと蛍石との２種類の材料から構成さ
れることを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れか一
項記載の反射屈折縮小投影光学系。 - 【請求項８】第１物体の縮小像を第２物体上に投影露光
する露光装置において、 エキシマレーザを含み、前記第１物体を照明する照明光
学系と、 第１レンズ群と、ビームスプリッタと、第２レンズ群
と、凹面反射鏡とを有し、前記第１物体からの光を前記
第１レンズ群、前記ビームスプリッタ及び前記第２レン
ズ群の順に通過させて前記凹面反射鏡へ導くと共に、前
記凹面反射鏡にて反射された光を前記第２レンズ群及び
前記ビームスプリッタの順に通過させて前記第１物体の
１次像を形成する第１部分光学系と、 正屈折力の第４レンズ群を有し、かつ前記１次像の縮小
像を前記第２物体上に形成する第２部分光学系と、 前記ビームスプリッタと前記第４レンズ群との間の光路
中に配置される第３レンズ群とを備え、サブミクロンの
分解能を有することを特徴とする露光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7012502A JPH08203812A (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | 反射屈折縮小投影光学系及び露光装置 |
| US08/577,280 US5694241A (en) | 1995-01-30 | 1995-12-22 | Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus employing the same |
| KR1019960001951A KR960029910A (ko) | 1995-01-30 | 1996-01-29 | 반사굴절 축소 투영 광학계 및 그를 사용하는 노광 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7012502A JPH08203812A (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | 反射屈折縮小投影光学系及び露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08203812A true JPH08203812A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11807146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7012502A Pending JPH08203812A (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | 反射屈折縮小投影光学系及び露光装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5694241A (ja) |
| JP (1) | JPH08203812A (ja) |
| KR (1) | KR960029910A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003043362A (ja) * | 2001-05-22 | 2003-02-13 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | 反射屈折縮小レンズ |
| JP2009016852A (ja) * | 2001-08-21 | 2009-01-22 | Asml Us Inc | マイクロリソグラフィ用の高開口数投影システム |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09311278A (ja) * | 1996-05-20 | 1997-12-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
| JP3395801B2 (ja) | 1994-04-28 | 2003-04-14 | 株式会社ニコン | 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法 |
| USRE38438E1 (en) | 1994-08-23 | 2004-02-24 | Nikon Corporation | Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same |
| JPH08179204A (ja) | 1994-11-10 | 1996-07-12 | Nikon Corp | 投影光学系及び投影露光装置 |
| JP3454390B2 (ja) | 1995-01-06 | 2003-10-06 | 株式会社ニコン | 投影光学系、投影露光装置及び投影露光方法 |
| JPH103040A (ja) * | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
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| JPH1184248A (ja) * | 1997-09-12 | 1999-03-26 | Nikon Corp | 反射屈折縮小光学系 |
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| AU2002350478A1 (en) * | 2002-08-19 | 2004-03-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric reduction lens having a polarization beamsplitter |
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| US8208198B2 (en) | 2004-01-14 | 2012-06-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
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| US20080151365A1 (en) | 2004-01-14 | 2008-06-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective |
| WO2005111689A2 (en) | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with intermediate images |
| CN103278913B (zh) * | 2013-05-15 | 2015-07-01 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种非球面光刻耦合物镜 |
| JP6595405B2 (ja) * | 2016-05-25 | 2019-10-23 | 富士フイルム株式会社 | 結像光学系、投写型表示装置、および、撮像装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4747678A (en) * | 1986-12-17 | 1988-05-31 | The Perkin-Elmer Corporation | Optical relay system with magnification |
| US4953960A (en) * | 1988-07-15 | 1990-09-04 | Williamson David M | Optical reduction system |
| US5052763A (en) * | 1990-08-28 | 1991-10-01 | International Business Machines Corporation | Optical system with two subsystems separately correcting odd aberrations and together correcting even aberrations |
| JP3085481B2 (ja) * | 1991-09-28 | 2000-09-11 | 株式会社ニコン | 反射屈折縮小投影光学系、及び該光学系を備えた露光装置 |
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-
1995
- 1995-01-30 JP JP7012502A patent/JPH08203812A/ja active Pending
- 1995-12-22 US US08/577,280 patent/US5694241A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-01-29 KR KR1019960001951A patent/KR960029910A/ko not_active Application Discontinuation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960029910A (ko) | 1996-08-17 |
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