JPH1197344A - 投影光学系、該光学系を備えた露光装置、及び該装置を用いたデバイスの製造方法 - Google Patents

投影光学系、該光学系を備えた露光装置、及び該装置を用いたデバイスの製造方法

Info

Publication number
JPH1197344A
JPH1197344A JP9335161A JP33516197A JPH1197344A JP H1197344 A JPH1197344 A JP H1197344A JP 9335161 A JP9335161 A JP 9335161A JP 33516197 A JP33516197 A JP 33516197A JP H1197344 A JPH1197344 A JP H1197344A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lens group
optical system
projection optical
lens
negative
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9335161A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3925576B2 (ja
Inventor
Koji Shigematsu
幸二 重松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP33516197A priority Critical patent/JP3925576B2/ja
Priority to US09/116,388 priority patent/US6333781B1/en
Priority to DE19833481A priority patent/DE19833481A1/de
Publication of JPH1197344A publication Critical patent/JPH1197344A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3925576B2 publication Critical patent/JP3925576B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/7025Size or form of projection system aperture, e.g. aperture stops, diaphragms or pupil obscuration; Control thereof
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/14Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation
    • G02B13/143Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation for use with ultraviolet radiation
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70241Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 大きな開口数と広い投影領域とを確保しつつ
両側テレセントリックにすることが可能で、且つ諸収差
を極めて良好に補正し得る高性能な投影光学系を提供す
る。 【解決手段】 物体面側から順に、部分群G1pを含み
正の屈折力を有する第1レンズ群G1と、部分群G2n
を含み負の屈折力を有する第2レンズ群G2と、少なく
とも1枚の負レンズを含み正の屈折力を有する第3レン
ズ群G3と、部分群G4nを有し負の屈折力を有する第
4レンズ群G4と、部分群G5pを含み開口数を決定す
る開口絞りASを内部のレンズ間に有すると共に正の屈
折力を有する第5レンズ群G5とを配置して構成され、
これらのレンズ群、又はこれらの内部の部分群の焦点距
離、物像間距離、及び開口数等との間に所定の関係が成
立するものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、第1物体のパター
ンの像を第2物体上に投影するための投影光学系、この
投影光学系を備え、半導体素子、又は液晶表示素子等を
製造するためのリソグラフィ工程中でマスクパターンを
基板上に転写する際に使用される露光装置、及びこの露
光装置を用いたデバイス(半導体素子、撮像素子、液晶
表示素子、薄膜磁気ヘッド等)の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子等を製造する際に、マスクと
してのレチクルのパターンの像を投影光学系を介して、
レジストが塗布されたウエハ(又はガラスプレート等)
上に転写する一括露光型(ステッパー等)、又はステッ
プ・アンド・スキャン方式のような走査露光型の投影露
光装置が使用されている。半導体集積回路等のパターン
の微細化が進むに従って、その種の露光装置に備えられ
ている投影光学系に対しては特に解像力の向上が望まれ
ている。投影光学系の解像力を向上するためには、露光
波長をより短くするか、あるいは開口数(N.A.)を大き
くすることが考えられる。
【0003】そこで、近年、露光光については、水銀ラ
ンプのg線(波長436nm)からi線(波長365n
m)が主に用いられるようになってきており、最近では
より短波長の露光光、例えばKrF(波長248n
m)、更にはArF(波長193nm)等のエキシマレ
ーザ光が用いられようとしている。そして、これらの短
波長の露光光のもとで使用できる投影光学系が開発され
ている。
【0004】また、投影光学系においては、解像力の向
上と共に、像歪の低減要求も一段と厳しくなってきてい
る。その像歪には、投影光学系自体に起因するディスト
ーション(歪曲収差)による要素の他、投影光学系の像
側で投影像が焼き付けられるウエハの反り等による要素
と、投影光学系の物体側で回路パターン等が描かれてい
るレチクルの反りによる要素とがある。そこで、ウエハ
の反りによる像歪への影響を少なくするため、投影光学
系の像側で射出瞳位置を遠くに位置させる、所謂像側テ
レセントリック光学系が従来より用いられてきた。
【0005】一方、レチクルの反りによる像歪の軽減に
ついても、投影光学系の入射瞳位置を物体から遠くに位
置させる、所謂物体側テレセントリック光学系の導入が
考えられてきた。そのため、例えば特開昭63−118
115号公報、特開平4−157412号公報、特開平
5−173065号公報等で、そのように投影光学系の
入射瞳位置を物体面から比較的遠くに位置させる投影光
学系が提案されている。
【0006】更に最近の半導体素子、又は液晶表示素子
等の製造工程では、レチクル上のパターン及び各種の使
用条件に応じて、より最適な開口数(N.A.)を選択使用
することが求められているため、露光装置においても開
口数を可変できる絞りを有する投影光学系が要求されて
きている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記の如く、ウエハの
反り、及びレチクルの反りの像歪への影響を軽減するた
めには、投影光学系を像側、及び物体側でテレセントリ
ックにすることが望ましい。そこで、上記の公報にも開
示されているように、物体側と像側とが共にテレセント
リックである、所謂両側テレセントリックな投影光学系
も開発されている。しかしながら、従来の両側テレセン
トリックな投影光学系では、広い投影領域で諸収差を低
減した上で解像力に寄与する開口数(N.A.)を十分に大
きくするのが困難であり、特にディストーションの補正
が十分ではなかった。
【0008】また、投影光学系の開口数を可変とするた
めの可変開口絞りを設けた場合、この可変開口絞りの開
口数を変化させると、瞳での球面収差によって像面の投
影領域の周辺部で口径食(vignetting)の影響が生じる
ことがあった。そのため、像面の投影領域の周辺部にお
いて、開口数を可変にした際にテレセントリック性の悪
化や像面上での照度均一性の悪化などが生じ、投影領域
をあまり広くできないという不都合があった。
【0009】本発明は斯かる点に鑑み、開口数を変化さ
せても口径食の影響があまり大きくならないと共に、両
側テレセントリックにすることが可能な投影光学系を提
供することを第1の目的とする。更に本発明は、大きな
開口数と広い投影領域とを確保しつつ両側テレセントリ
ックにすることが可能で、且つ諸収差、特にディストー
ションを極めて良好に補正し得る高性能な投影光学系を
提供することを第2の目的とする。
【0010】更に本発明は、広い投影領域を確保しつつ
両側テレセントリックにすることが可能で、且つ開口数
を変化させた場合でも諸収差を良好に補正し得る投影光
学系を提供することを第3の目的とする。また、本発明
は、そのような投影光学系を備えた露光装置、及びこの
露光装置を用いたデバイスの製造方法を提供することを
第4の目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明による第1の投影
光学系は、第1物体(R)のパターンの像を第2物体
(W)上に形成する屈折型の投影光学系において、開口
数を決定するための開口絞り(AS)と、複数のレンズ
素子からなり、その第1物体とその開口絞りとの間に位
置する前レンズ群(GF)と、複数のレンズ素子からな
り、その開口絞りとその第2物体との間に位置する後レ
ンズ群(GR)とを備え、その第1物体からその第2物
体までの距離をLとし、近軸上において、その第2物体
側から光軸(AX)に平行にその投影光学系へ入射する
光線がその光軸と交わる位置(Q)からその開口絞りま
での光軸上の距離をd、その投影光学系のその第2物体
側の開口数をN.A.とするとき、以下の条件を満足するよ
うに構成したものである。
【0012】 0.005<d/{L×(1−N.A.)}<0.2 (A) 斯かる本発明によれば、条件式(A)が満たされている
ため、容易に両側テレセントリックにできると共に、投
影領域内で口径食の影響が均一化されて、その開口絞り
(AS)の開口数を変化させた場合でも特に口径食の影
響が大きくなることがない。このとき、条件式(A)の
上限を超えると、瞳の収差が大きくなり過ぎ、第1物体
と第2物体との両側にテレセントリックな光学系を得る
ことが困難となり好ましくない。一方、条件式(A)の
下限を下回ると、瞳の収差を必要以上に補正して、結果
的に投影光学系の長大化を招くことになり好ましくな
い。
【0013】この場合、その開口絞り(AS)を可変開
口絞りとして、その開口絞りによってその第2物体側の
開口数N.A.を変えたときに、その第2物体上の投影領域
において口径食の差が最小になるように、その開口絞り
の位置を、近軸上においてその第2物体側からの光軸
(AX)と平行な光線がその光軸と交わる位置(Q)よ
りその第2物体側に配置することが好ましい。
【0014】ここで、その投影光学系へ第2物体側から
平行光束が入射した場合を考える。この平行光束の内、
近軸上の光線(近軸主光線)は、第2物体側に配置され
た正レンズ(主には後レンズ群)の屈折作用により所定
の位置(Q)で光軸と交差する。このとき、後レンズ群
が正の屈折力を有しているため、光軸に対して所定の角
度をなして後レンズ群に入射する平行光束は、上記近軸
上で光軸に沿って入射する平行光束の結像位置(Q)よ
り第2物体側にずれた位置に結像する。ここで、上記結
像位置(Q)よりも第2物体側に開口絞り(AS)を配
置すれば、この開口絞りの開口径を変化させても瞳の像
面湾曲による投影領域周辺部での口径食の影響を実用上
十分に抑えることができ、諸収差も良好に補正すること
ができる。
【0015】また、本発明による第1の投影光学系で
は、その前レンズ群とその後レンズ群とは、全体として
その第1物体側から順に、正の屈折力を有する第1レン
ズ群(G1)と、負の屈折力を有する第2レンズ群(G
2)と、正の屈折力を有する第3レンズ群(G3)と、
負の屈折力を有する第4レンズ群(G4)と、正の屈折
力を有する第5レンズ群(G5)と、を配置して構成さ
れることが好ましい。
【0016】このとき、第1レンズ群(G1)はテレセ
ントリック性を維持しながら主にディストーションの補
正に寄与しており、第2レンズ群(G2)、及び第4レ
ンズ群(G4)は、主にペッツバール和の補正に寄与
し、像面の平坦化を達成する機能を有している。また、
第3レンズ群(G3)は第1レンズ群(G1)と共に、
正のディストーションを発生させ、第2、第4、第5レ
ンズ群で発生する負のディストーションを補正する役割
を担っている。更に、第3レンズ群(G3)と第2レン
ズ群(G2)とは、第2物体側から見ると、正・負の屈
折力配置を有する望遠系を構成しており、これにより、
投影光学系全系の長大化を防ぐ機能を有している。ま
た、第5レンズ群(G5)は、第2物体側での高開口数
化に十分対応するために、特に球面収差の発生を極力避
けた状態で、ディストーションの発生を抑えて、第2物
体上に光束を導き、結像させる役割を担っている。
【0017】また、その第1レンズ群は両側を負レンズ
に挟まれた部分群G1pを含み、その第2レンズ群は両
側を正レンズに挟まれた部分群G2nを含み、その第4
レンズ群は少なくとも3枚の負レンズを含む部分群G4
nを有し、その第5レンズ群は少なくとも4枚の正レン
ズを含む部分群G5pを有し、その第1物体からその第
2物体までの距離をL、その第1レンズ群中の部分群G
1pの焦点距離をf1、その第2レンズ群中の部分群G
2nの焦点距離をf2、その第3レンズ群の焦点距離を
f3、その第4レンズ群中の部分群G4nの焦点距離を
f4、その第5レンズ群中の部分群G5pの焦点距離を
f5としたとき、以下の条件を満足することが好まし
い。
【0018】 0.05<f1/L<0.4 (B) 0.025<−f2/L<0.15 (C) 0.08<f3/L<0.35 (D) 0.04<−f4/L<0.16 (E) 0.06<f5/L<0.35 (F)
【0019】この場合、条件式(B)〜(F)は、それ
ぞれ次の本発明の第2の投影光学系における条件式
(1)〜(5)に対応しており、その作用はその第2の
投影光学系において説明する。
【0020】次に、本発明による第2の投影光学系は、
第1物体(R)のパターンの像を第2物体(W)上に形
成する投影光学系において、その第1物体側から順に、
両側を負レンズに挟まれた部分群G1pを含む、正の屈
折力を有する第1レンズ群(G1)と、両側を正レンズ
に挟まれた部分群G2nを含む、負の屈折力を有する第
2レンズ群(G2)と、少なくとも1枚の負レンズを含
む、正の屈折力を有する第3レンズ群(G3)と、少な
くとも3枚の負レンズを含む部分群G4nを有し、負の
屈折力を有する第4レンズ群(G4)と、少なくとも4
枚の正レンズを含む部分群G5pを有し、全体として少
なくとも2枚の負レンズを含み、開口数を決定する開口
絞り(AS)を内部のレンズ間に有すると共に、正の屈
折力を有する第5レンズ群(G5)と、を備え、近軸上
において、その第2物体側からの光軸(AX)と平行な
光線がこの光軸と交わる位置(Q)を、その第4レンズ
群とその第5レンズ群との間に有し、以下の条件を満足
するものである。
【0021】 0.05<f1/L<0.4 (1) 0.025<−f2/L<0.15 (2) 0.08<f3/L<0.35 (3) 0.04<−f4/L<0.16 (4) 0.06<f5/L<0.35 (5) 0.005<d/{L×(1−N.A.)}<0.2 (6)
【0022】但し、各パラメータの定義は以下の通りで
ある。 L :その第1物体からその第2物体までの距離、 f1:その第1レンズ群中の部分群G1pの焦点距離、 f2:その第2レンズ群中の部分群G2nの焦点距離、 f3:その第3レンズ群の焦点距離、 f4:その第4レンズ群中の部分群G4nの焦点距離、 f5:その第5レンズ群中の部分群G5pの焦点距離、 d :近軸上においてその第2物体側からの光軸と平行
な光線が光軸と交わる位置(Q)からその第5レンズ群
中のその開口絞り(AS)までの光軸上の距離、 N.A.:その投影光学系のその第2物体側の開口数。
【0023】斯かる本発明の第2の投影光学系は、第1
物体側から順に、正の屈折力を持つ第1レンズ群(G
1)と、負の屈折力を持つ第2レンズ群(G2)と、正
の屈折力を持つ第3レンズ群(G3)と、負の屈折力を
持つ第4レンズ群(G4)と、正の屈折力を持つ第5レ
ンズ群(G5)とを有している。ここで、第1レンズ群
(G1)はテレセントリック性を維持しながら主にディ
ストーションの補正に寄与しており、具体的には、第1
レンズ群(G1)にて正のディストーションを発生させ
て、このディストーションで第1レンズ群(G1)より
も第2物体側に配置される複数のレンズ群、特に第2、
第4、第5レンズ群で発生する負のディストーションを
バランスよく補正している。
【0024】そして、負の屈折力を持つ第2レンズ群
(G2)、及び負の屈折力を持つ第4レンズ群(G4)
は、主にペッツバール和の補正に寄与し、像面の平坦化
を達成する機能を有している。正の屈折力を持つ第3レ
ンズ群(G3)も第1レンズ群(G1)と同様、正のデ
ィストーションを発生させ、第2、第4、第5レンズ群
で発生する負のディストーションを補正する役割を担っ
ている。更に、第3レンズ群(G3)と第2レンズ群
(G2)とは、第2物体側から見ると、正・負の屈折力
配置を有する望遠系を構成しており、これにより、投影
光学系全系の長大化を防ぐ機能を有している。
【0025】また、正の屈折力を持つ第5レンズ群(G
5)は、第2物体側での高開口数化に十分対応するため
に、特に球面収差の発生を極力避けた状態で、ディスト
ーションの発生を抑えて、第2物体上に光束を導き、結
像させる役割を担っている。次に、本発明の第1、及び
第2の投影光学系における条件式について説明する。条
件式(1),(B)は、第1レンズ群(G1)中におい
て、主たる正の屈折力を担う部分群G1pの適正な屈折
力を規定するものである。条件式(1),(B)の上限
を超えると、第1レンズ群で発生する正のディストーシ
ョンが、第2、第4及び第5レンズ群で発生する負のデ
ィストーションを補正しきれなくなるため好ましくな
い。一方、条件式(1),(B)の下限を下回ると、高
次の正のディストーションの発生する原因となるため好
ましくない。
【0026】条件式(2),(C)は、第2レンズ群
(G2)中において、主たる負の屈折力を担う部分群G
2nの適正な屈折力を規定するものである。条件式
(2),(C)の上限を超えると、ペッツバール和の補
正が不十分となり、像面の平坦化の達成が困難となる。
一方、条件式(2),(C)の下限を下回ると、負のデ
ィストーションの発生量が大きくなり、第1及び第3レ
ンズ群だけでは、この大きな負のディストーションの良
好な補正が困難となる。
【0027】条件式(3),(D)は、第3レンズ群
(G3)の適正な正の屈折力を規定するものである。条
件式(3),(D)の上限を超えると、第2レンズ群と
第3レンズ群とで形成する望遠系の望遠比(telephoto
ratio)が大きくなり、投影光学系の長大化を招くと共
に、第3レンズ群で発生する正のディストーションの発
生量が小さくなり、第2、第4及び第5レンズ群で発生
する負のディストーションを良好に補正しきれなくなる
ため好ましくない。一方、条件式(3),(D)の下限
を下回ると、高次の球面収差が発生し良好な結像性能を
第2物体上で得ることができなくなるため好ましくな
い。
【0028】条件式(4),(E)は、第4レンズ群
(G4)中において、主たる負の屈折力を担う部分群G
4nの適正な屈折力を規定するものである。条件式
(4),(E)の上限を超えると、ペッツバール和の補
正が不十分となり、像面の平坦性の悪化を招く。一方、
条件式(4),(E)の下限を下回ると、高次の球面収
差やコマ収差の発生の原因となり、像のコントラストの
悪化を招く。
【0029】条件式(5),(F)は、第5レンズ群
(G5)中において、主たる正の屈折力を担う部分群G
5pの適正な屈折力を規定するものである。条件式
(5),(F)の上限を超えると、第5レンズ群全体の
正の屈折力が弱くなり過ぎ、結果的に投影光学系の長大
化を招くため好ましくない。一方、条件式(5),
(F)の下限を下回ると、高次の球面収差の発生の原因
となり、像のコントラストの悪化を招くため好ましくな
い。
【0030】また、本発明の第2の投影光学系における
条件式(6)は、第5レンズ群(G5)中において、開
口数を決定する絞り(AS)の適正な位置を規定するも
のである。ここで、第2物体側からの平行光束が第5レ
ンズ群(G5)に入射したときの、第5レンズ群の結像
を考える。光軸に平行な平行光束は、近軸上において第
2物体側からの光軸と平行な光線が光軸と交わる位置の
近傍に結像する。
【0031】しかし、第5レンズ群(G5)は正の屈折
力を持つため、光軸に対して平行でない平行光束は、そ
の光軸に平行な平行光束の結像位置より第2物体側にず
れた位置で結像する。これは所謂瞳の像面湾曲収差であ
る。一方、例えば投影露光装置に用いられる投影光学系
では、結像性能が保証されている最大開口数(N.A.の最
大値)の60%程度まで絞って使用できる光学系が要求
されている。そのため、或る範囲の開口数N.A.を実現可
能な投影光学系において、その開口数を決定する絞り
(AS)の位置は、瞳の像面湾曲を考慮して決定するこ
とが必要となる。そして、条件式(6)の上限を超える
と、瞳の収差が大きくなり過ぎ、第1物体と第2物体と
の両側にテレセントリックな光学系を得ることが困難と
なり好ましくない。また、条件式(6)の下限を下回る
と、瞳の収差を必要以上に補正するために、結果的に投
影光学系の長大化を招くため好ましくない。
【0032】次に、本発明の第2の投影光学系において
は、その第2物体上の投影領域の最周辺から光軸と平行
にその第2物体側から入射する光線と、その第1レンズ
群中の部分群G1pを挟む2枚の負レンズの各々の面と
が交わる点と光軸との距離の最大値をH1max 、最小値
をH1min とするとき、以下の条件を満足することが好
ましい。
【0033】 1.2<H1max /H1min <1.8 (7) 第1レンズ群(G1)は前述のとおりディストーション
補正の役割を担っており、主に正のディストーションを
発生するが、異なる光線の高さを持つ2枚の負レンズの
面で、高次のディストーションを補正している。そし
て、条件式(7)の上下限を超えると、2枚の負レンズ
の面で発生する高次のディストーションのバランスが崩
れ好ましくない。
【0034】また、その第2物体上の投影領域の最周辺
から光軸と平行にその第2物体側から入射する光線と、
その第2レンズ群中の部分群G2nを挟む2枚のその正
レンズの各々の面とが交わる点と光軸との距離の最大値
をH2max 、最小値をH2min とするとき、以下の条件
を満足することが好ましい。 1.15<H2max /H2min <1.75 (8) 第2レンズ群(G2)は前述のとおり像面補正の役割を
担っており、主に正の像面湾曲を発生するが、異なる光
線の高さを持つ2枚の正レンズの面で、高次の像面湾曲
を補正している。そして、条件式(8)の上下限を超え
ると、2枚の正レンズの面で発生する高次の像面湾曲の
バランスが崩れ好ましくない。
【0035】更に、その第5レンズ群中の少なくとも2
枚のその負レンズは、その第1物体側に向けられた凹面
を有することが好ましく、この凹面の曲率半径をRn1
とするとき、以下の条件を満たすことが好ましい。 0.15<−Rn1/L<0.3 (9) 第5レンズ群中の第1物体側に向けられた凹面では、主
に第5レンズ群中の正レンズから発生する負の球面収差
を補正する機能を担っている。そして、条件式(9)
は、物像間距離に対するその凹面の適切な曲率半径の比
を規定している。条件式(9)の上限を超えると、正レ
ンズで発生する負の球面収差の補正不足となるため好ま
しくない。一方、条件式(9)の下限を下回ると、正レ
ンズで発生する負の球面収差の補正過剰となり、高次の
正の球面収差が発生するため好ましくない。
【0036】また、その第5レンズ群中の少なくとも2
枚のその負レンズは、その第1物体側に向けられた凹面
よりもその第2物体側に、その第2物体側に向けられた
第2の凹面を有することが好ましく、この第2の凹面の
曲率半径をRn2とするとき、以下の条件を満たすこと
が好ましい。 0.06<Rn2/L<0.1 (10) 第5レンズ群中の第2物体側に向けられた第2の凹面で
は、主に第5レンズ群中の正レンズから発生する負の球
面収差及び負のディストーションを補正する機能を担っ
ている。条件式(10)は、物像間距離に対する第2の
凹面の適切な曲率半径の比を規定している。条件式(1
0)の上限を超えると、正レンズで発生する負の球面収
差や負のディストーションの補正不足となるため好まし
くない。一方、条件式(10)の下限を下回ると、正レ
ンズで発生する負の球面収差や負のディストーションの
補正過剰となるため好ましくない。
【0037】また、その第3レンズ群(G3)は、1枚
の負レンズと、複数枚の正レンズとを含み、その第3レ
ンズ群中のその負レンズは、第3レンズ群(G3)と第
2レンズ群(G2)とで構成される望遠系のパワーを調
整するために、その複数枚の正レンズよりもその第1物
体側に配置されることが好ましい。更に、その第4レン
ズ群(G4)中の最もその第1物体側には、その第1物
体側に凸面を向けたレンズが配置され、その第4レンズ
群中の最もその第2物体側には、その第2物体側に凸面
を向けたレンズが配置されることが好ましい。ここで、
その第4レンズ群(G4)中の最もその第1物体側のそ
の第1物体側に凸面を向けたレンズと、その第4レンズ
群(G4)中の最もその第2物体側のその第2物体側に
凸面を向けたレンズとは、高次の球面収差とコマ収差と
の発生を抑えており、逆にこれらのレンズのそれぞれが
第1及び第2物体側へ凹面を向けているときには、これ
らのレンズで発生する高次の球面収差とコマ収差とを補
正できなくなるため好ましくない。
【0038】また、その開口絞りは可変開口絞りであ
り、その開口絞りによってその第2物体側の開口数N.A.
を変えたときに、その第2物体上の投影領域において口
径食の差が最小になるように、その開口絞りの位置を、
近軸上においてその第2物体側からの光軸と平行な光線
が光軸と交わる位置よりその第2物体側に配置すること
が好ましい。
【0039】これによって、その可変開口絞りを用いて
開口数N.A.を変化させた場合でも、第2物体側の露光領
域内での口径食の差を最小にできるため、この露光領域
内での結像性能の差(例えば線幅差)や照明むらを抑え
ることができる。更に、本発明による露光装置は、本発
明による投影光学系(PL)と、その第1物体としての
マスク(R)、及びその第2物体としての基板(W)を
位置決めするステージ系(RS,WS)と、そのマスク
を照明する照明光学系(IS)とを備え、その照明光学
系からの露光エネルギービームのもとで、そのマスクの
パターンの像をその投影光学系を介してその基板上に投
影するものである。
【0040】本発明による投影光学系(PL)は大きい
開口数で両側テレセントリックにできるため、高い解像
度が得られると共に、マスク(R)や基板(W)の反り
が生じても投影倍率が変化しない。また、広い露光領域
が得られるため、大きなチップパターンを一度に露光で
きる。次に、本発明によるデバイス製造方法は、その本
発明による露光装置を用いたデバイスの製造方法であっ
て、その基板上に感光材料を塗布する第1工程(ステッ
プ102)と、その基板上にその投影光学系を介してそ
のマスクのパターンの像を投影する第2工程(ステップ
103)と、その基板上のその感光材料を現像する第3
工程(ステップ104)とこの、現像後の感光材料をマ
スクとしてその基板上に所定の回路パターンを形成する
第4工程(ステップ105)と、を有するものである。
本発明による露光装置の使用によって、その基板上に高
い解像度でデバイス用の回路パターンを形成できる。
【0041】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第1の実施の形態
につき図1〜図4を参照して説明する。本例は、投影露
光装置の投影光学系に本発明を適用したものである。図
1は、本例の投影光学系PLを備えた投影露光装置を示
し、この図1において、投影光学系PLの物体面には所
定の回路パターンが形成された投影原版としてのレチク
ルR(第1物体)が配置され、投影光学系PLの像面に
は、基板としてのフォトレジストが塗布されたウエハW
(第2物体)が配置されている。レチクルRはレチクル
ステージRS上に保持され、ウエハWはウエハステージ
WS上に保持され、レチクルRの上方には、レチクルR
を均一照明するための照明光学装置ISが配置されてい
る。
【0042】本例の投影光学系PLは、瞳位置に可変の
開口絞りASを有すると共に、レチクルR側及びウエハ
W側において、実質的にテレセントリックとなってい
る。そして、照明光学装置ISは、KrFエキシマレー
ザ光源よりなる露光光源、この光源からの波長248.
4nmの露光光の照度分布を均一化するためのフライア
イレンズ、照明系開口絞り、可変視野絞り(レチクルブ
ラインド)、及びコンデンサレンズ系等から構成されて
いる。なお、露光光としては、波長193nmのArF
エキシマレーザ光、YAGレーザの高調波、又は水銀ラ
ンプのi線(波長365nm)等を使用することもでき
る。照明光学装置ISから供給される露光光は、レチク
ルRを照明し、投影光学系PLの瞳位置(開口絞りAS
の位置)には照明光学装置IS中の光源の像が形成さ
れ、所謂ケーラー照明が行われる。そして、ケーラー照
明されたレチクルRのパターンの像が、投影光学系PL
を介して投影倍率β(βは本例では1/5であるが、他
に1/4等もある)で縮小されてウエハW上に露光(転
写)される。
【0043】以下、投影光学系PLの光軸AXに平行に
Z軸を取り、Z軸に垂直な平面内で図1の紙面に平行に
X軸を取り、図1の紙面に垂直にY軸を取って説明す
る。このとき、レチクルステージRSは、X方向、Y方
向、回転方向にレチクルRの位置決めを行い、ウエハス
テージWSは、ウエハWの表面を投影光学系PLの像面
に合わせ込むと共に、X方向、Y方向へのウエハWの位
置決めを行う。露光時には、ウエハW上の1つのショッ
ト領域へのレチクルRのパターン像の露光が終わった
後、ウエハステージWSをステッピング駆動することに
よって、ウエハW上の次のショット領域を投影光学系P
Lの露光領域に移動して露光を行うという動作が、ステ
ップ・アンド・リピート方式で繰り返される。
【0044】このように本例の投影露光装置は、ステッ
パー型(一括露光方式)であるが、本発明の投影光学系
は、ウエハWの各ショット領域への露光時にレチクルR
とウエハWとを投影光学系PLに対して投影倍率βを速
度比として同期走査する、ステップ・アンド・スキャン
方式の投影露光装置にも適用できる。ステップ・アンド
・スキャン方式では、スリット状の露光領域内で良好な
結像特性が得られればよいため、投影光学系PLを大型
化することなく、ウエハW上のより広いショット領域に
露光を行うことができる。
【0045】次に、この第1の実施の形態の投影光学系
PLの構成につき説明する。本例の露光波長λは24
8.4nmである。図2は、本例の投影光学系を示すレ
ンズ断面図であり、この図2において、投影光学系は、
第1物体としてのレチクルR(物体面)側から順に、正
の屈折力を有する第1レンズ群G1と、負の屈折力を有
する第2レンズ群G2と、正の屈折力を有する第3レン
ズ群G3と、負の屈折力を有する第4レンズ群G4と、
正の屈折力を有する第5レンズ群G5とを配列して構成
されている。そして、その投影光学系は、レチクルR
(物体面)側、及び第2物体としてのウエハW(像面)
側の両方でテレセントリックとなっている。
【0046】また、第1レンズ群G1は、物体面側から
順に、像面に凹面を向けた平凹形状の負レンズL11
と、両凸形状の正レンズL12と、物体面に凸面を向け
た正メニスカスレンズL13と、物体面に凸面を向けた
平凸形状の正レンズL14と、像面に凹面を向けた負メ
ニスカスレンズL15とからなる5枚のレンズを配置し
て構成されている。この第1レンズ群G1においては、
両側を負レンズL11及びL15に挟まれた3枚の正レ
ンズL12,L13,L14が、正の屈折力を有する部
分群G1pを構成している。また、ウエハW上の露光領
域(投影領域)の最周辺から光軸AXと平行にウエハW
側から入射する光線と、この第1レンズ群G1内の部分
群G1pを挟む2枚の負レンズL11,L15の各面と
が交わる点の光軸AXからの距離をH1とすると、この
距離H1が最大値H1max となるのは負レンズL11の
像面側の面A1であり、この距離H1が最小値H1min
となるのは負メニスカスレンズL15の像面側の面B1
である。
【0047】次に、第2レンズ群G2は、物体面側から
順に、両凸形状の正レンズL21と、像面に凹面を向け
た平凹形状の負レンズL22と、両凹形状の負レンズL
23と、物体面に凹面を向けた平凹形状の負レンズL2
4と、像面に凸面を向けた平凸形状の正レンズL25と
からなる5枚のレンズを配置して構成され、両側を正レ
ンズL21及びL25に挟まれた3枚の負レンズL2
2,L23,L24が、負の屈折力を有する部分群G2
nを構成している。
【0048】また、ウエハW上の露光領域の最周辺から
光軸AXと平行にウエハW側から入射する光線と、この
第2レンズ群G2内で部分群G2nを挟む2枚の正レン
ズL21,L25の各面とが交わる点の光軸AXからの
距離をH2とすると、この距離H2が最大値H2max と
なるのは正レンズL21の物体面側の面A2であり、こ
の距離H2が最小値H2min となるのは正レンズL25
の物体面側の面B2である。
【0049】第3レンズ群G3は、物体面側から順に、
像面に凸面を向けた負メニスカスレンズL31と、像面
に凸面を向けた正メニスカスレンズL32と、両凸形状
の正レンズL33と、両凸形状の正レンズL34と、物
体面に凸面を向けた正メニスカスレンズL35とよりな
る5枚のレンズを配置して構成されている。即ち、第3
レンズ群G3においては、4枚の正レンズL32〜L3
5よりなるレンズ群に対してレチクルR側に負メニスカ
スレンズL31が配置されている。
【0050】また、第4レンズ群G4は、物体面側から
順に、物体面に凸面を向けた負メニスカスレンズL41
と、物体面に凸面を向けた負メニスカスレンズL42
と、両凹形状の負レンズL43と、物体面に凹面を向け
た負メニスカスレンズL44とよりなる4枚のレンズを
配置して構成されている。即ち、第4レンズ群G4中の
最も物体面側には、物体面に凸面を向けた負メニスカス
レンズL41が配置され、最も像面側には像面に凸面を
向けた負メニスカスレンズL44が配置されている。本
例では、4枚の負レンズL41〜L44が、そのまま負
の屈折力を有する部分群G4nを構成している。
【0051】第5レンズ群G5は、物体面側から順に、
像面に凸面を向けた正メニスカスレンズL51と、両凸
形状の正レンズL52と、両凸形状の正レンズL53
と、像面に凸面を向けた負メニスカスレンズL54と、
両凸形状の正レンズL55と、像面に凹面を向けた正メ
ニスカスレンズL56と、像面に凹面を向けた正メニス
カスレンズL57と、像面に凹面を向けた正メニスカス
レンズL58と、像面に凹面を向けた負メニスカスレン
ズL59と、物体面に凸面を向けた正メニスカスレンズ
L510とよりなる10枚のレンズを配置して構成され
ている。従って、第5レンズ群G5は、2枚の負レンズ
L54,L59を備えている。そして、正レンズL52
〜正メニスカスレンズL56よりなるレンズ群が、4枚
の正レンズを含み正の屈折力を有する部分群G5pを構
成し、正メニスカスレンズL51と正レンズL52との
間に、この投影光学系の開口数(N.A.)を決定する可変
の開口絞りASが配置されている。
【0052】その第5レンズ群G5中で最も物体面側の
負レンズである負メニスカスレンズL54の物体面に向
けられた凹面の曲率半径をRn1として、その凹面より
も像面側に配置された負レンズとしての負メニスカスレ
ンズL59の像面に向けられた凹面の曲率半径をRn2
とする。また、図2の投影光学系において、近軸上にお
いて、ウエハW側からの光軸AXと平行な光線が光軸A
Xと交わる位置Qは、第4レンズ群G4と第5レンズ群
G5との間に存在しており、開口絞りASはその位置Q
よりウエハW側に配置されている。これによって、ウエ
ハW上の露光領域の全面で口径食(vignetting)の差が最
小になっている。
【0053】また、本例の投影光学系は、開口絞りAS
を挟む2群のレンズに分けることも可能である。この場
合、開口絞りASより物体面側の負レンズL11〜正メ
ニスカスレンズL51より前レンズ群GFが構成され、
開口絞りASより像面側の正レンズL52〜正メニスカ
スレンズL510より後レンズ群GRが構成される。次
に、この第1の実施の形態の投影光学系の諸元の値を表
1に掲げる。但し、表1において、D0はレチクルR
(第1物体)から第1レンズ群G1の最もレチクルR側
のレンズ面までの光軸上の距離、WDは第5レンズ群G
5の最もウエハW(第2物体)側のレンズ面からウエハ
Wまでの光軸上の距離(作動距離)、βは投影光学系の
投影倍率、N.A.は投影光学系のウエハW側の開口数、φ
EXは投影光学系のウエハW面における円形の露光領域
(投影領域)の直径、Lは物像間(レチクルRとウエハ
Wとの間)の光軸上の距離であり、距離、又は長さの単
位は一例としてmmである。更に、表1の下欄におい
て、左端の数字はレチクルR(第1物体)側からのレン
ズ面の順序、rは当該レンズ面の曲率半径、dは当該レ
ンズ面から次のレンズ面までの間隔、nは波長246.
4nmにおける硝材の屈折率をそれぞれ表している。硝
材としては、例えば石英が使用できる。
【0054】
【表1】[第1の実施の形態の諸元] D0=95.789 WD=18.023 β=1/5 N.A.の最大値=0.65 φEX=31.2 L=1250
【0055】この表1より明らかなように、本例の投影
光学系を構成する複数のレンズは全て互いに非接触、即
ち非貼り合わせであるため、露光を継続した場合でも貼
り合わせ面の経時変化等による結像特性の劣化は生じな
い。次に、本例の投影光学系の諸元の本発明の条件式
(A)〜(F),(1)〜(10)に対応する値(条件
対応値)を表2に掲げる。但し、条件式(A)等と条件
式(6)等とは同じであるため、それぞれ1つにまとめ
てある。また、f1は第1レンズ群G1中の部分群G1
pの焦点距離、f2は第2レンズ群G2中の部分群G2
nの焦点距離、f3は第3レンズ群G3の焦点距離、f
4は第4レンズ群G4中の部分群G4nの焦点距離、f
5は第5レンズ群G5中の部分群G5pの焦点距離であ
る。また、表1より、物像間(第1物体と第2物体との
間)の距離Lと、近軸上においてウエハW(第2物体)
側からの光軸AXと平行な光線が光軸AXと交わる位置
Qから第5レンズ群G5中の開口絞りASまでの光軸上
の距離dとは、それぞれ以下の通りである。
【0056】L=1250,d=34.528 また、本例の投影光学系のウエハW側の開口数N.A.の最
大値は0.65であり、開口数N.A.の可変範囲を最大値
の60%程度までとすると、開口絞りASによる開口数
N.A.の可変範囲は以下の通りである。 0.65≧N.A.≧0.4 更に、上述のようにウエハW(第2物体)上での露光領
域の最周辺から光軸AXと平行にウエハW側から入射し
た光線が、面A1及び面B1と交わる点の光軸AXから
の距離がそれぞれH1max 、及びH1min であり、その
露光領域の最周辺から光軸AXと平行にウエハW側から
入射した光線が、面A2及び面B2と交わる点の光軸A
Xからの距離がそれぞれH2max 、及びH2min であ
る。そして、第5レンズ群G5中で、負メニスカスレン
ズL54の物体面側の凹面の曲率半径、及び負メニスカ
スレンズL59の像面側の凹面の曲率半径がそれぞれR
n1、及びRn2である。
【0057】
【表2】[第1の実施の形態の条件対応値] (1)(B) f1/L=0.136 (2)(C)−f2/L=0.055 (3)(D) f3/L=0.170 (4)(E)−f4/L=0.089 (5)(F) f5/L=0.127 (6)(A) 0.046≦d/{L・(1−N.A.)}≦0.079 (7) H1max/H1min =1.49 (8) H2max/H2min =1.43 (9) −Rn1/L=0.206 (10) Rn2/L=0.064
【0058】また、図3は、第1の実施の形態の投影光
学系の縦収差図を示し、図4は、その子牛方向(タンジ
ェンシャル方向)及び球欠方向(サジタル方向)におけ
る横収差図(コマ収差図)を示している。各収差図にお
いて、NAは投影光学系の開口数、Yは像高を示してお
り、非点収差図中において、点線は子牛的像面(タンジ
ェンシャル方向像面)、実線は球欠的像面(サジタル像
面)を示している。これらの収差図より、本例の投影光
学系は、広い露光領域の全てにおいて、特にディストー
ションが良好に補正されていると共に、他の諸収差もバ
ランス良く補正されていることが理解される。また、本
例の投影光学系は、両側テレセントリックであるにも拘
らず、開口数N.A.の最大値は0.65と大きく、口径食
の影響も少ない。且つ、開口数N.A.を大きく変えた場合
でも、諸収差が良好に補正されている。
【0059】次に、本発明の第2の実施の形態の投影光
学系につき図5〜図7を参照して説明する。本例の露光
波長λも248.4nmである。図5は、本例の投影光
学系を示すレンズ断面図であり、この図5において、投
影光学系は、第1物体としてのレチクルR(物体面)側
から順に、正の屈折力を有する第1レンズ群G1と、負
の屈折力を有する第2レンズ群G2と、正の屈折力を有
する第3レンズ群G3と、負の屈折力を有する第4レン
ズ群G4と、正の屈折力を有する第5レンズ群G5とを
配列して構成され、両側テレセントリックとなってい
る。
【0060】また、第1レンズ群G1は、物体面側から
順に、両凸形状の正レンズL11と、両凹形状の負レン
ズL12と、両凸形状の正レンズL13と、両凸形状の
正レンズL14と、物体面に凸面を向けた正メニスカス
レンズL15と、物体面に凸面を向けた負メニスカスレ
ンズL16とからなる6枚のレンズを配置して構成され
ている。そして、両側を負レンズL12及びL16に挟
まれた3枚の正レンズL13,L14,L15が、正の
屈折力を有する部分群G1pを構成している。また、ウ
エハW上の露光領域(投影領域)の最周辺から光軸AX
と平行にウエハW側から入射する光線と、この第1レン
ズ群G1内の部分群G1pを挟む2枚の負レンズL1
2,L16の各面とが交わる点の光軸AXからの距離H
1が、最大値H1max となるのは負レンズL12の像面
側の面A1であり、この距離H1が最小値H1min とな
るのは負メニスカスレンズL16の像面側の面B1であ
る。
【0061】次に、第2レンズ群G2は、物体面側から
順に第1の実施の形態(図2)と同様に、両凸形状の正
レンズL21と、平凹形状の負レンズL22と、両凹形
状の負レンズL23と、平凹形状の負レンズL24と、
平凸形状の正レンズL25とからなる5枚のレンズを配
置して構成され、中央の3枚の負レンズL22,L2
3,L24が、負の屈折力を有する部分群G2nを構成
している。そして、ウエハW上の露光領域の最周辺から
光軸AXと平行にウエハW側から入射する光線と、その
部分群G2nを挟む2枚の正レンズL21,L25の各
面とが交わる点の光軸AXからの距離H2が、最大値H
2max となるのは正レンズL21の物体面側の面A2で
あり、この距離H2が最小値H2min となるのは正レン
ズL25の物体面側の面B2である。
【0062】第3レンズ群G3は、物体面側から順に第
1の実施の形態(図2)と同様に、負メニスカスレンズ
L31と、正メニスカスレンズL32と、両凸形状の正
レンズL33と、両凸形状の正レンズL34と、正メニ
スカスレンズL35とよりなる5枚のレンズを配置して
構成されている。また、第4レンズ群G4は、物体面側
から順に、物体面に凸面を向けた負メニスカスレンズL
41と、物体面に凸面を向けた負メニスカスレンズL4
2と、両凹の負レンズL43と、物体面に凹面を向けた
負メニスカスレンズL44と、物体面に凹面を向けた正
メニスカスレンズL45とよりなる5枚のレンズを配置
して構成されている。即ち、第4レンズ群G4中の最も
物体面側には、物体面に凸面を向けた負メニスカスレン
ズL41が配置され、最も像面側には像面に凸面を向け
た正メニスカスレンズL45が配置されている。本例で
は、第4レンズ群G4内で物体面側の4枚の負レンズL
41〜L44が、負の屈折力を有する部分群G4nを構
成している。
【0063】第5レンズ群G5は、物体面側から順に、
両凸形状の正レンズL51と、両凸形状の正レンズL5
2と、像面に凸面を向けた負メニスカスレンズL53
と、両凸形状の正レンズL54と、像面に凹面を向けた
正メニスカスレンズL55と、像面に凹面を向けた正メ
ニスカスレンズL56と、像面に凹面を向けた正メニス
カスレンズL57と、像面に凹面を向けた負メニスカス
レンズL58と、物体面に凸面を向けた正メニスカスレ
ンズL59とよりなる9枚のレンズを配置して構成され
ている。従って、第5レンズ群G5は、2枚の負レンズ
L53,L58を備えている。そして、正レンズL52
〜正メニスカスレンズL56よりなるレンズ群が、4枚
の正レンズを含み正の屈折力を有する部分群G5pを構
成し、正レンズL51と正レンズL52との間に、この
投影光学系の開口数(N.A.)を決定する可変の開口絞り
ASが配置されている。
【0064】その第5レンズ群G5中で最も物体面側の
負レンズである負メニスカスレンズL53の物体面に向
けられた凹面の曲率半径をRn1として、その凹面より
も像面側に配置された負レンズとしての負メニスカスレ
ンズL58の像面に向けられた凹面の曲率半径をRn2
とする。また、図5の投影光学系において、近軸上にお
いて、ウエハW側からの光軸AXと平行な光線が光軸A
Xと交わる位置Qは、第4レンズ群G4と第5レンズG
5との間に存在しており、開口絞りASはその位置Qよ
りウエハW側に配置されている。これによって、ウエハ
W上の露光領域の全面で口径食(vignetting)の差が最小
になっている。
【0065】また、本例の投影光学系も、開口絞りAS
を挟む2群のレンズに分けることが可能である。この場
合、開口絞りASより物体面側の正レンズL11〜正メ
ニスカスレンズL45より前レンズ群GFが構成され、
開口絞りASより像面側の正レンズL52〜正メニスカ
スレンズL59より後レンズ群GRが構成されている。
【0066】次に、この第2の実施の形態の投影光学系
の諸元の値を表3に掲げる。但し、表3における各パラ
メータの定義は表1と同様であり、本例の投影光学系を
構成する複数のレンズも全て非貼り合わせである。
【0067】
【表3】[第2の実施の形態の諸元] D0=86.551 WD=17.504 β=1/5 N.A.の最大値=0.65 φEX=31.2 L=1250
【0068】次に、本例の投影光学系の諸元の本発明の
条件式(A)〜(F),(1)〜(10)に対応する値
(条件対応値)を表4に掲げる。表4中のパラメータ
は、表2と同様である。また、本例では、表3より、物
像間(第1物体と第2物体との間)の距離Lと、近軸上
においてウエハW(第2物体)側からの光軸AXと平行
な光線が光軸AXと交わる位置Qから第5レンズ群G5
中の開口絞りASまでの光軸上の距離dと、開口数N.A.
の可変範囲とはそれぞれ以下の通りである。 L=1250,d=45.506,0.65≧N.A.≧0.4
【0069】
【表4】[第2の実施の形態の条件対応値] (1)(B) f1/L=0.128 (2)(C) −f2/L=0.056 (3)(D) f3/L=0.167 (4)(E) −f4/L=0.077 (5)(F) f5/L=0.155 (6)(A) 0.061≦d/{L・(1−N.A.)}≦0.104 (7) H1max/H1min =1.46 (8) H2max/H2min =1.45 (9) −Rn1/L=0.199 (10) Rn2/L=0.065
【0070】また、図6は、第2の実施の形態の投影光
学系の縦収差図を示し、図7は、その子牛方向(タンジ
ェンシャル方向)及び球欠方向(サジタル方向)におけ
る横収差図(コマ収差図)を示している。各収差図中の
パラメータは第1の実施の形態と同様であり、これらの
収差図より、第2の実施の形態の投影光学系も、広い露
光領域の全てにおいて、特にディストーションが良好に
補正されていると共に、他の諸収差もバランス良く補正
されていることが理解される。
【0071】次に、本発明の第3の実施の形態の投影光
学系につき図8〜図10を参照して説明する。本例の露
光波長λも248.4nmである。図8は、本例の投影
光学系を示すレンズ断面図であり、この図8において、
投影光学系は、第1物体としてのレチクルR(物体面)
側から順に、正の屈折力を有する第1レンズ群G1と、
負の屈折力を有する第2レンズ群G2と、正の屈折力を
有する第3レンズ群G3と、負の屈折力を有する第4レ
ンズ群G4と、正の屈折力を有する第5レンズ群G5と
を配列して構成され、両側テレセントリックとなってい
る。
【0072】また、第1レンズ群G1は、物体面側から
順に第1の実施の形態(図2)と同様に、平凹形状の負
レンズL11と、両凸形状の正レンズL12と、正メニ
スカスレンズL13と、平凸形状の正レンズL14と、
負メニスカスレンズL15とからなる5枚のレンズを配
置して構成され、中央の3枚の正レンズL12,L1
3,L14が、正の屈折力を有する部分群G1pを構成
している。また、ウエハW上の露光領域(投影領域)の
最周辺から光軸AXと平行にウエハW側から入射する光
線と、部分群G1pを挟む2枚の負レンズL11,L1
5の各面とが交わる点の光軸AXからの距離H1が、最
大値H1max となるのは負レンズL11の像面側の面A
1であり、この距離H1が最小値H1min となるのは負
メニスカスレンズL15の像面側の面B1である。
【0073】次に、第2レンズ群G2は、物体面側から
順に第1の実施の形態(図2)と同様に、両凸形状の正
レンズL21と、平凹形状の負レンズL22と、両凹形
状の負レンズL23と、平凹形状の負レンズL24と、
平凸形状の正レンズL25とからなる5枚のレンズを配
置して構成され、中央の3枚の負レンズL22,L2
3,L24が、負の屈折力を有する部分群G2nを構成
している。また、ウエハW上の露光領域の最周辺から光
軸AXと平行にウエハW側から入射する光線と、部分群
G2nを挟む2枚の正レンズL21,L25の各面とが
交わる点の光軸AXからの距離H2が、最大値H2max
となるのは正レンズL21の物体面側の面A2であり、
この距離H2が最小値H2min となるのは正レンズL2
5の物体面側の面B2である。
【0074】第3レンズ群G3は、物体面側から順に第
1の実施の形態(図2)と同様に、負メニスカスレンズ
L31と、正メニスカスレンズL32と、両凸形状の正
レンズL33と、両凸形状の正レンズL34と、正メニ
スカスレンズL35とよりなる5枚のレンズを配置して
構成されている。また、第4レンズ群G4は、物体面側
から順に、物体面に凸面を向けた負メニスカスレンズL
41と、両凹の負レンズL42と、物体面に凹面を向け
た負メニスカスレンズL43とよりなる3枚のレンズを
配置して構成されている。即ち、第4レンズ群G4中の
最も物体面側、及び最も像面側には、それぞれ物体面及
び像面に凸面を向けた負レンズL41,L43が配置さ
れており、3枚の負レンズL41〜L43が、そのまま
負の屈折力を有する部分群G4nを構成している。
【0075】第5レンズ群G5は、物体面側から順に第
1の実施の形態(図2)と同様に、正メニスカスレンズ
L51と、両凸形状の正レンズL52と、両凸形状の正
レンズL53と、負メニスカスレンズL54と、両凸形
状の正レンズL55と、正メニスカスレンズL56と、
正メニスカスレンズL57と、正メニスカスレンズL5
8と、負メニスカスレンズL59と、正メニスカスレン
ズL510とよりなる10枚のレンズを配置して構成さ
れている。但し、本例の第5レンズ群G5は、正レンズ
L52〜正メニスカスレンズL57よりなるレンズ群
が、5枚の正レンズを含み正の屈折力を有する部分群G
5pを構成し、正メニスカスレンズL51と正レンズL
52との間に、この投影光学系の開口数(N.A.)を決定
する可変の開口絞りASが配置されている。
【0076】その第5レンズ群G5中で最も物体面側の
負レンズである負メニスカスレンズL54の物体面に向
けられた凹面の曲率半径をRn1として、その凹面より
も像面側に配置された負レンズとしての負メニスカスレ
ンズL59の像面に向けられた凹面の曲率半径をRn2
とする。また、図8の投影光学系において、近軸上にお
いて、ウエハW側からの光軸AXと平行な光線が光軸A
Xと交わる位置Qは、第4レンズ群G4と第5レンズG
5との間に存在しており、開口絞りASはその位置Qよ
りウエハW側に配置されている。これによって、ウエハ
W上の露光領域の全面で口径食(vignetting)の差が最小
になっている。
【0077】更に、本例の投影光学系も、開口絞りAS
を挟む2群のレンズに分けることも可能である。この場
合、開口絞りASより物体面側の負レンズL11〜正メ
ニスカスレンズL51より前レンズ群GFが構成され、
開口絞りASより像面側の正レンズL52〜正メニスカ
スレンズL510より後レンズ群GRが構成されてい
る。
【0078】次に、この第3の実施の形態の投影光学系
の諸元の値を表5に掲げる。但し、表5における各パラ
メータの定義は表1と同様であり、本例の投影光学系を
構成する複数のレンズも全て非貼り合わせである。
【0079】
【表5】[第3の実施の形態の諸元] D0=87.378 WD=17.634 β=1/5 N.A.の最大値=0.65 φEX=31.2 L=1250
【0080】次に、本例の投影光学系の諸元の本発明の
条件式(A)〜(F),(1)〜(10)に対応する値
(条件対応値)を表6に掲げる。表6中のパラメータ
は、表2と同様である。また、本例では、表5より、物
像間(第1物体と第2物体との間)の距離Lと、近軸上
においてウエハW(第2物体)側からの光軸AXと平行
な光線が光軸AXと交わる位置Qから第5レンズ群G5
中の開口絞りASまでの光軸上の距離dと、開口数N.A.
の可変範囲とはそれぞれ以下の通りである。L=1250,
d=35.998,0.65≧N.A.≧0.4
【0081】
【表6】[第3の実施の形態の条件対応値] (1)(B) f1/L=0.132 (2)(C) −f2/L=0.056 (3)(D) f3/L=0.168 (4)(E) −f4/L=0.089 (5)(F) f5/L=0.128 (6)(A) 0.048≦d/{L・(1−N.A.)}≦0.082 (7) H1max/H1min =1.49 (8) H2max/H2min =1.47 (9) −Rn1/L=0.210 (10) Rn2/L=0.062
【0082】また、図9は、第3の実施の形態の投影光
学系の縦収差図を示し、図10は、その子牛方向(タン
ジェンシャル方向)及び球欠方向(サジタル方向)にお
ける横収差図(コマ収差図)を示している。各収差図中
のパラメータは第1の実施の形態と同様であり、これら
の収差図より、第3の実施の形態の投影光学系も、大き
い開口数が得られており、且つ広い露光領域の全てにお
いて特にディストーションが良好に補正されていると共
に、他の諸収差もバランス良く補正されていることが理
解される。
【0083】なお、上記の実施の形態では、露光光とし
て波長248.4nmの光を用いた例を示したが、本発
明はこれに限定されることなく、ArF(波長193n
m)等のエキシマレーザ光等の極紫外光や、水銀ランプ
のg線(波長435.8nm)やi線(波長365.0
nm)等、更にはそれ以外の紫外領域の光を使用する場
合にも適用できることは言うまでもない。また、硝材と
しては、蛍石(CaF 2)等も使用できる。
【0084】次に、上記の実施の形態の投影露光装置を
用いてウエハ上に所定の回路パターンを形成する際の動
作の一例につき図11のフローチャートを参照して説明
する。先ず、図11のステップ101において、1ロッ
トのウエハ上に金属膜が蒸着される。次のステップ10
2において、その1ロットのウエハ上の金属膜上にフォ
トレジストが塗布される。その後、ステップ103にお
いて、第1の実施の形態(図2)の投影光学系PLを備
えた図1の投影露光装置を用いて、レチクルR上のパタ
ーンの像がその投影光学系PLを介して、その1ロット
のウエハ上の各ショット領域に順次露光転写される。そ
の後、ステップ104において、その1ロットのウエハ
上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ10
5において、その1ロットのウエハ上でレジストパター
ンをマスクとしてエッチングを行うことによって、レチ
クルR上のパターンに対応する回路パターンが、各ウエ
ハ上の各ショット領域に形成される。その後、更に上の
レイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半
導体素子等のデバイスが製造される。
【0085】この際に、本例の投影光学系PLは、両側
テレセントリックであると共に、開口数N.A.が大きくで
きるため、レチクルRの反りや露光対象の各ウエハに反
りがあっても、各ウエハ上に微細な回路パターンを高い
解像度で安定に形成できる。また、投影光学系PLの露
光領域が広いため、大きなデバイスを高いスループット
で製造できる。
【0086】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取
り得ることは勿論である。
【0087】
【発明の効果】本発明の第1の投影光学系によれば、条
件式(A)が満たされているため、開口数を可変として
も口径食の影響があまり大きくならないと共に、両側テ
レセントリックにすることが可能である利点がある。ま
た、更に条件式(B)〜(F)が満たされている場合に
は、球面収差やコマ収差を抑制でき、特にディストーシ
ョンを良好に補正できると共に、投影光学系の長大化を
防止できる。
【0088】次に、本発明の第2の投影光学系によれ
ば、条件式(1)〜(6)が満足されているため、大き
な開口数と広い投影領域とを確保しつつ両側テレセント
リックにすることが可能で、且つ諸収差、特にディスト
ーションを極めて良好に補正できる利点がある。また、
条件式(7)が満たされていると、高次のディストーシ
ョンが良好に補正され、条件式(8)が満たされている
と、高次の像面湾曲が良好に補正され、条件式(9)が
満たされていると、負の球面収差が良好に補正され、条
件式(10)が満たされていると、負の球面収差や負の
ディストーションが良好に補正される。
【0089】また、これらの場合に開口絞りは可変開口
絞りであり、その開口絞りによって第2物体側の開口数
N.A.を変えたときに、その第2物体上の投影領域におい
て口径食の差が最小になるように、その開口絞りの位置
を、近軸上においてその第2物体側からの光軸と平行な
光線がその光軸と交わる位置よりその第2物体側に配置
したときには、広い投影領域を確保しつつ両側テレセン
トリックにすることが可能で、且つ開口数を変化させた
場合でも諸収差を良好に補正できる利点がある。
【0090】また、本発明の露光装置によれば、本発明
による両側テレセントリックで、且つ高い開口数が得ら
れる投影光学系を備えているため、マスクや基板に反り
があっても基板上に高い解像度でマスクパターン像を転
写できる利点がある。また、本発明の投影光学系は露光
領域が広いため、極めて微細な回路パターンを基板上の
広い露光領域に形成できる。
【0091】更に、本発明のデバイスの製造方法によれ
ば、マスクや基板に反りがある場合でも高性能なデバイ
スを製造できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態で使用される投影露
光装置を示す概略構成図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態の投影光学系を示す
レンズ断面図である。
【図3】第1の実施の形態の投影光学系の縦収差図であ
る。
【図4】第1の実施の形態の投影光学系の横収差図であ
る。
【図5】本発明の第2の実施の形態の投影光学系を示す
レンズ断面図である。
【図6】第2の実施の形態の投影光学系の縦収差図であ
る。
【図7】第2の実施の形態の投影光学系の横収差図であ
る。
【図8】本発明の第3の実施の形態の投影光学系を示す
レンズ断面図である。
【図9】第3の実施の形態の投影光学系の縦収差図であ
る。
【図10】第3の実施の形態の投影光学系の横収差図で
ある。
【図11】本発明の実施の形態の投影露光装置を用いて
所定の回路パターンを形成する場合の動作の一例を示す
フローチャートである。
【符号の説明】
R レチクル(第1物体) PL 投影光学系 W ウエハ(第2物体) G1 第1レンズ群 G1p 部分群 G2 第2レンズ群 G2n 部分群 G3 第3レンズ群 G4 第4レンズ群 G4n 部分群 G5 第5レンズ群 G5p 部分群 AS 開口絞り

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1物体のパターンの像を第2物体上に
    形成する屈折型の投影光学系において、 開口数を決定するための開口絞りと、 複数のレンズ素子からなり、前記第1物体と前記開口絞
    りとの間に位置する前レンズ群と、 複数のレンズ素子からなり、前記開口絞りと前記第2物
    体との間に位置する後レンズ群と、を備え、 前記第1物体から前記第2物体までの距離をL、近軸上
    において、前記第2物体側から光軸に平行に前記投影光
    学系へ入射する光線が前記光軸と交わる位置から前記開
    口絞りまでの光軸上の距離をd、前記投影光学系の前記
    第2物体側の開口数をN.A.としたとき、以下の条件を満
    足することを特徴とする投影光学系。 0.005<d/{L×(1−N.A.)}<0.2 (A)
  2. 【請求項2】 請求項1記載の投影光学系であって、 前記開口絞りは可変開口絞りであり、前記開口絞りによ
    って前記第2物体側の開口数N.A.を変えたときに、前記
    第2物体上の投影領域において口径食の差が最小になる
    ように、前記開口絞りの位置を、近軸上において前記第
    2物体側からの光軸と平行な光線が前記光軸と交わる位
    置より前記第2物体側に配置したことを特徴とする投影
    光学系。
  3. 【請求項3】 請求項1、又は2記載の投影光学系であ
    って、 前記前レンズ群と前記後レンズ群とは、全体として前記
    第1物体側から順に、 正の屈折力を有する第1レンズ群と、 負の屈折力を有する第2レンズ群と、 正の屈折力を有する第3レンズ群と、 負の屈折力を有する第4レンズ群と、 正の屈折力を有する第5レンズ群と、を配置して構成さ
    れることを特徴とする投影光学系。
  4. 【請求項4】 請求項3記載の投影光学系であって、 前記第1レンズ群は両側を負レンズに挟まれた部分群G
    1pを含み、前記第2レンズ群は両側を正レンズに挟ま
    れた部分群G2nを含み、前記第4レンズ群は少なくと
    も3枚の負レンズを含む部分群G4nを有し、前記第5
    レンズ群は少なくとも4枚の正レンズを含む部分群G5
    pを有し、 前記第1物体から前記第2物体までの距離をL、前記第
    1レンズ群中の部分群G1pの焦点距離をf1、前記第
    2レンズ群中の部分群G2nの焦点距離をf2、前記第
    3レンズ群の焦点距離をf3、前記第4レンズ群中の部
    分群G4nの焦点距離をf4、前記第5レンズ群中の部
    分群G5pの焦点距離をf5としたとき、以下の条件を
    満足することを特徴とする投影光学系。 0.05<f1/L<0.4 (B) 0.025<−f2/L<0.15 (C) 0.08<f3/L<0.35 (D) 0.04<−f4/L<0.16 (E) 0.06<f5/L<0.35 (F)
  5. 【請求項5】 第1物体のパターンの像を第2物体上に
    形成する投影光学系において、 前記第1物体側から順に、 両側を負レンズに挟まれた部分群G1pを含む、正の屈
    折力を有する第1レンズ群と、 両側を正レンズに挟まれた部分群G2nを含む、負の屈
    折力を有する第2レンズ群と、 少なくとも1枚の負レンズを含む、正の屈折力を有する
    第3レンズ群と、 少なくとも3枚の負レンズを含む部分群G4nを有し、
    負の屈折力を有する第4レンズ群と、 少なくとも4枚の正レンズを含む部分群G5pを有し、
    全体として少なくとも2枚の負レンズを含み、開口数を
    決定する開口絞りを内部のレンズ間に有すると共に、正
    の屈折力を有する第5レンズ群と、を備え、 近軸上において、前記第2物体側からの光軸と平行な光
    線が光軸と交わる位置を、前記第4レンズ群と前記第5
    レンズ群との間に有し、 前記第1物体から前記第2物体までの距離をL、前記第
    1レンズ群中の部分群G1pの焦点距離をf1、前記第
    2レンズ群中の部分群G2nの焦点距離をf2、前記第
    3レンズ群の焦点距離をf3、前記第4レンズ群中の部
    分群G4nの焦点距離をf4、前記第5レンズ群中の部
    分群G5pの焦点距離をf5、近軸上において前記第2
    物体側からの光軸と平行な光線が光軸と交わる位置から
    前記第5レンズ群中の前記開口絞りまでの光軸上の距離
    をd、前記投影光学系の前記第2物体側の開口数をN.A.
    としたとき、以下の条件を満足することを特徴とする投
    影光学系。 0.05<f1/L<0.4 (1) 0.025<−f2/L<0.15 (2) 0.08<f3/L<0.35 (3) 0.04<−f4/L<0.16 (4) 0.06<f5/L<0.35 (5) 0.005<d/{L×(1−N.A.)}<0.2 (6)
  6. 【請求項6】 請求項5記載の投影光学系であって、 前記第2物体上の投影領域の最周辺から光軸と平行に前
    記第2物体側から入射する光線と、前記第1レンズ群中
    の部分群G1pを挟む2枚の前記負レンズの各々の面と
    が交わる点と光軸との距離の最大値をH1max 、最小値
    をH1min とするとき、以下の条件を満足することを特
    徴とする投影光学系。 1.2<H1max /H1min <1.8 (7)
  7. 【請求項7】 請求項5、又は6記載の投影光学系であ
    って、 前記第2物体上の投影領域の最周辺から光軸と平行に前
    記第2物体側から入射する光線と、前記第2レンズ群中
    の部分群G2nを挟む2枚の前記正レンズの各々の面と
    が交わる点と光軸との距離の最大値をH2max 、最小値
    をH2min とするとき、以下の条件を満足することを特
    徴とする投影光学系。 1.15<H2max /H2min <1.75 (8)
  8. 【請求項8】 請求項5、6、又は7記載の投影光学系
    であって、 前記第5レンズ群中の少なくとも2枚の前記負レンズ
    は、前記第1物体側に向けられた凹面を有し、該凹面の
    曲率半径をRn1とするとき、以下の条件を満たすこと
    を特徴とする投影光学系。 0.15<−Rn1/L<0.3 (9)
  9. 【請求項9】 請求項8記載の投影光学系であって、 前記第5レンズ群中の少なくとも2枚の前記負レンズ
    は、前記第1物体側に向けられた凹面よりも前記第2物
    体側に、前記第2物体側に向けられた第2の凹面を有
    し、該第2の凹面の曲率半径をRn2とするとき、以下
    の条件を満たすことを特徴とする投影光学系。 0.06<Rn2/L<0.1 (10)
  10. 【請求項10】 請求項5〜9の何れか一項記載の投影
    光学系であって、 前記第3レンズ群は、1枚の負レンズと、複数枚の正レ
    ンズとを含み、 前記第3レンズ群中の前記負レンズは、前記複数枚の正
    レンズよりも前記第1物体側に配置されることを特徴と
    する投影光学系。
  11. 【請求項11】 請求項5〜10の何れか一項記載の投
    影光学系であって、 前記第4レンズ群中の最も前記第1物体側には、前記第
    1物体側に凸面を向けたレンズが配置され、前記第4レ
    ンズ群中の最も前記第2物体側には、前記第2物体側に
    凸面を向けたレンズが配置されることを特徴とする投影
    光学系。
  12. 【請求項12】 請求項5〜11の何れか一項記載の投
    影光学系であって、 前記開口絞りは可変開口絞りであり、前記開口絞りによ
    って前記第2物体側の開口数N.A.を変えたときに、前記
    第2物体上の投影領域において口径食の差が最小になる
    ように、前記開口絞りの位置を、近軸上において前記第
    2物体側からの光軸と平行な光線が光軸と交わる位置よ
    り前記第2物体側に配置したことを特徴とする投影光学
    系。
  13. 【請求項13】 請求項1〜12の何れか一項記載の投
    影光学系と、 前記第1物体としてのマスク、及び前記第2物体として
    の基板を位置決めするステージ系と、 前記マスクを照明する照明光学系と、を備え、 前記照明光学系からの露光エネルギービームのもとで、
    前記マスクのパターンの像を前記投影光学系を介して前
    記基板上に投影することを特徴とする露光装置。
  14. 【請求項14】 請求項13記載の露光装置を用いたデ
    バイスの製造方法であって、 前記基板上に感光材料を塗布する第1工程と、 前記基板上に前記投影光学系を介して前記マスクのパタ
    ーンの像を投影する第2工程と、 前記基板上の前記感光材料を現像する第3工程と、 該現像後の感光材料をマスクとして前記基板上に所定の
    回路パターンを形成する第4工程と、を有することを特
    徴とするデバイス製造方法。
JP33516197A 1997-07-24 1997-12-05 投影光学系、該光学系を備えた露光装置、及び該装置を用いたデバイスの製造方法 Expired - Lifetime JP3925576B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33516197A JP3925576B2 (ja) 1997-07-24 1997-12-05 投影光学系、該光学系を備えた露光装置、及び該装置を用いたデバイスの製造方法
US09/116,388 US6333781B1 (en) 1997-07-24 1998-07-16 Projection optical system and exposure apparatus and method
DE19833481A DE19833481A1 (de) 1997-07-24 1998-07-24 Optisches Projektionssystem, dieses verwendende Belichtungsvorrichtung und Belichtungsverfahren

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9-198180 1997-07-24
JP19818097 1997-07-24
JP33516197A JP3925576B2 (ja) 1997-07-24 1997-12-05 投影光学系、該光学系を備えた露光装置、及び該装置を用いたデバイスの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1197344A true JPH1197344A (ja) 1999-04-09
JP3925576B2 JP3925576B2 (ja) 2007-06-06

Family

ID=26510818

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33516197A Expired - Lifetime JP3925576B2 (ja) 1997-07-24 1997-12-05 投影光学系、該光学系を備えた露光装置、及び該装置を用いたデバイスの製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6333781B1 (ja)
JP (1) JP3925576B2 (ja)
DE (1) DE19833481A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000171706A (ja) * 1998-11-30 2000-06-23 Carl Zeiss:Fa マイクロリソグラフィ用縮小対物レンズ,投影露光装置及び投影露光方法
WO2002031870A1 (fr) * 2000-10-11 2002-04-18 Nikon Corporation Systeme optique de projection, aligneur comportant ledit systeme et procede de fabrication d'un appareil comportant ledit aligneur

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1195095A (ja) 1997-09-22 1999-04-09 Nikon Corp 投影光学系
KR20000034967A (ko) * 1998-11-30 2000-06-26 헨켈 카르스텐 수정-렌즈를 갖는 오브젝티브 및 투사 조명 장치
US6635914B2 (en) * 2000-09-08 2003-10-21 Axon Technologies Corp. Microelectronic programmable device and methods of forming and programming the same
WO2001023933A1 (fr) * 1999-09-29 2001-04-05 Nikon Corporation Systeme optique de projection
EP1139138A4 (en) * 1999-09-29 2006-03-08 Nikon Corp PROJECTION EXPOSURE PROCESS, DEVICE AND OPTICAL PROJECTION SYSTEM
DE19955984A1 (de) * 1999-11-20 2001-05-23 Zeiss Carl Optische Abbildungsvorrichtung, insbesondere Objektiv mit wenigstens einer Systemblende
EP1344112A2 (de) * 2000-12-22 2003-09-17 Carl Zeiss SMT AG Projektionsobjektiv
DE10064685A1 (de) * 2000-12-22 2002-07-04 Zeiss Carl Lithographieobjektiv mit einer ersten Linsengruppe, bestehend ausschließlich aus Linsen positiver Brechkraft
JP2002244034A (ja) 2001-02-21 2002-08-28 Nikon Corp 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
JP2002323652A (ja) 2001-02-23 2002-11-08 Nikon Corp 投影光学系,該投影光学系を備えた投影露光装置および投影露光方法
DE10143385C2 (de) * 2001-09-05 2003-07-17 Zeiss Carl Projektionsbelichtungsanlage
JP2004086128A (ja) * 2002-07-04 2004-03-18 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2011237588A (ja) * 2010-05-10 2011-11-24 Sony Corp ズームレンズ及び撮像装置
WO2013085997A1 (en) 2011-12-05 2013-06-13 Bioptigen, Inc. Optical imaging systems having input beam shape control and path length control
US8777412B2 (en) 2012-04-05 2014-07-15 Bioptigen, Inc. Surgical microscopes using optical coherence tomography and related methods
JP6373366B2 (ja) 2013-06-04 2018-08-15 バイオプティジェン,インコーポレイテッドBioptigen, Inc. 走査ビーム型システムの作動方法および光走査ビーム型システム
JP6415553B2 (ja) * 2013-07-29 2018-10-31 バイオプティジェン, インコーポレイテッドBioptigen, Inc. 外科手術用手技光干渉断層計及び関連するシステム及びその方法
CN105612453B (zh) 2013-08-28 2018-03-27 拜尔普泰戈恩公司 用于光学相干断层成像集成外科显微镜的抬头显示器
WO2022120792A1 (zh) * 2020-12-11 2022-06-16 欧菲光集团股份有限公司 光学系统、摄像头模组及终端设备

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3504961A (en) 1968-04-01 1970-04-07 Perkin Elmer Corp Modified double gauss objective
US3897138A (en) 1971-11-24 1975-07-29 Canon Kk Projection lens for mask pattern printing
JPS5336326B2 (ja) 1972-12-26 1978-10-02
JPS581763B2 (ja) 1978-06-19 1983-01-12 旭光学工業株式会社 回折限界の解像力を有する等倍複写用レンズ
US4666273A (en) 1983-10-05 1987-05-19 Nippon Kogaku K. K. Automatic magnification correcting system in a projection optical apparatus
GB2153543B (en) 1983-12-28 1988-09-01 Canon Kk A projection exposure apparatus
US4811055A (en) 1984-02-27 1989-03-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
US4619508A (en) 1984-04-28 1986-10-28 Nippon Kogaku K. K. Illumination optical arrangement
US4977663A (en) 1986-04-01 1990-12-18 Huck Manufacturing Company Method for securing workpieces of composite materials
US4939630A (en) 1986-09-09 1990-07-03 Nikon Corporation Illumination optical apparatus
US4772107A (en) 1986-11-05 1988-09-20 The Perkin-Elmer Corporation Wide angle lens with improved flat field characteristics
JPH0812329B2 (ja) 1986-11-06 1996-02-07 株式会社シグマ 投影レンズ
US4770477A (en) 1986-12-04 1988-09-13 The Perkin-Elmer Corporation Lens usable in the ultraviolet
JPH0786647B2 (ja) 1986-12-24 1995-09-20 株式会社ニコン 照明装置
US5307207A (en) 1988-03-16 1994-04-26 Nikon Corporation Illuminating optical apparatus
JP2699433B2 (ja) 1988-08-12 1998-01-19 株式会社ニコン 投影型露光装置及び投影露光方法
US5105075A (en) 1988-09-19 1992-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
US5157550A (en) * 1989-10-26 1992-10-20 Olympus Optical Co., Ltd. Vari-focal lens system
JP3041939B2 (ja) 1990-10-22 2000-05-15 株式会社ニコン 投影レンズ系
US5473410A (en) 1990-11-28 1995-12-05 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JP3353902B2 (ja) 1990-12-12 2002-12-09 オリンパス光学工業株式会社 投影レンズ系
US5172275A (en) 1990-12-14 1992-12-15 Eastman Kodak Company Apochromatic relay lens systems suitable for use in a high definition telecine apparatus
JP3360686B2 (ja) 1990-12-27 2002-12-24 株式会社ニコン 照明光学装置および投影露光装置並びに露光方法および素子製造方法
JP3298131B2 (ja) 1991-10-24 2002-07-02 株式会社ニコン 縮小投影レンズ
JP3158691B2 (ja) 1992-08-07 2001-04-23 株式会社ニコン 露光装置及び方法、並びに照明光学装置
JPH06313845A (ja) 1993-04-28 1994-11-08 Olympus Optical Co Ltd 投影レンズ系
JP3396935B2 (ja) 1993-11-15 2003-04-14 株式会社ニコン 投影光学系及び投影露光装置
JP3360387B2 (ja) 1993-11-15 2002-12-24 株式会社ニコン 投影光学系及び投影露光装置
DE4417489A1 (de) 1994-05-19 1995-11-23 Zeiss Carl Fa Höchstaperturiges katadioptrisches Reduktionsobjektiv für die Miktrolithographie
JPH0817719A (ja) 1994-06-30 1996-01-19 Nikon Corp 投影露光装置
JPH08179204A (ja) 1994-11-10 1996-07-12 Nikon Corp 投影光学系及び投影露光装置
JP3500745B2 (ja) 1994-12-14 2004-02-23 株式会社ニコン 投影光学系、投影露光装置及び投影露光方法
JP3454390B2 (ja) 1995-01-06 2003-10-06 株式会社ニコン 投影光学系、投影露光装置及び投影露光方法
JP3819048B2 (ja) 1995-03-15 2006-09-06 株式会社ニコン 投影光学系及びそれを備えた露光装置並びに露光方法
JPH08259230A (ja) 1995-03-24 1996-10-08 Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center 酸化物超電導体およびその製造方法
JP3624973B2 (ja) 1995-10-12 2005-03-02 株式会社ニコン 投影光学系
US5781728A (en) 1996-03-15 1998-07-14 Motorola Inc. Flexible asymmetrical digital subscriber line ADSL transmitter, remote terminal using same, and method therefor
JP3750123B2 (ja) 1996-04-25 2006-03-01 株式会社ニコン 投影光学系
US5808814A (en) 1996-07-18 1998-09-15 Nikon Corporation Short wavelength projection optical system
JPH1048517A (ja) 1996-08-07 1998-02-20 Nikon Corp 投影光学系
JP3864399B2 (ja) 1996-08-08 2006-12-27 株式会社ニコン 投影露光装置及び該投影露光装置に用いられる投影光学系並びにデバイス製造方法
US5852490A (en) * 1996-09-30 1998-12-22 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus
JP3757536B2 (ja) * 1996-10-01 2006-03-22 株式会社ニコン 投影光学系及びそれを備えた露光装置並びにデバイス製造方法
JP3823436B2 (ja) 1997-04-03 2006-09-20 株式会社ニコン 投影光学系
JPH116957A (ja) 1997-04-25 1999-01-12 Nikon Corp 投影光学系および投影露光装置並びに投影露光方法
US5990926A (en) * 1997-07-16 1999-11-23 Nikon Corporation Projection lens systems for excimer laser exposure lithography
US5856884A (en) 1997-09-05 1999-01-05 Nikon Corporation Projection lens systems

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000171706A (ja) * 1998-11-30 2000-06-23 Carl Zeiss:Fa マイクロリソグラフィ用縮小対物レンズ,投影露光装置及び投影露光方法
WO2002031870A1 (fr) * 2000-10-11 2002-04-18 Nikon Corporation Systeme optique de projection, aligneur comportant ledit systeme et procede de fabrication d'un appareil comportant ledit aligneur

Also Published As

Publication number Publication date
US6333781B1 (en) 2001-12-25
JP3925576B2 (ja) 2007-06-06
DE19833481A1 (de) 1999-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4717974B2 (ja) 反射屈折光学系及び該光学系を備える投影露光装置
EP0770895B1 (en) Projection optical system and exposure apparatus provided therewith
JP3925576B2 (ja) 投影光学系、該光学系を備えた露光装置、及び該装置を用いたデバイスの製造方法
US6259508B1 (en) Projection optical system and exposure apparatus and method
KR100387003B1 (ko) 투영광학시스템,투영노광장치,노광방법,및노광장치제조방법
JP3750123B2 (ja) 投影光学系
US7403262B2 (en) Projection optical system and exposure apparatus having the same
US5930049A (en) Projection optical system and method of using such system for manufacturing devices
EP1310818A2 (en) Projection optical system
US7965453B2 (en) Projection objective and projection exposure apparatus including the same
JPH07140385A (ja) 投影光学系及び投影露光装置
JPH07140384A (ja) 投影光学系及び投影露光装置
US5856884A (en) Projection lens systems
JPH1054936A (ja) 投影露光装置及び該投影露光装置に用いられる投影光学系並びにデバイス製造方法
US6600550B1 (en) Exposure apparatus, a photolithography method, and a device manufactured by the same
EP1235091A2 (en) Projection optical system and exposure apparatus with the same
KR100386870B1 (ko) 투영광학계및노광장치
WO2002031870A1 (fr) Systeme optique de projection, aligneur comportant ledit systeme et procede de fabrication d'un appareil comportant ledit aligneur
US6700645B1 (en) Projection optical system and exposure apparatus and method
JP2000121933A (ja) 投影光学系及びそれを備えた露光装置並びにデバイス製造方法
JP2005107362A (ja) 投影光学系及び露光装置、デバイスの製造方法
JP4300509B2 (ja) 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP3423644B2 (ja) 投影光学系及びそれを用いた投影露光装置
JP2004086128A (ja) 投影光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
USRE38465E1 (en) Exposure apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041125

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050128

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060714

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060720

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060905

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070207

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070220

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100309

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20180309

Year of fee payment: 11

EXPY Cancellation because of completion of term