JP2000171706A - マイクロリソグラフィ用縮小対物レンズ，投影露光装置及び投影露光方法 - Google Patents
マイクロリソグラフィ用縮小対物レンズ，投影露光装置及び投影露光方法Info
- Publication number
- JP2000171706A JP2000171706A JP11317966A JP31796699A JP2000171706A JP 2000171706 A JP2000171706 A JP 2000171706A JP 11317966 A JP11317966 A JP 11317966A JP 31796699 A JP31796699 A JP 31796699A JP 2000171706 A JP2000171706 A JP 2000171706A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- lens group
- projection objective
- microlithography
- refractive power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 title description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 abstract description 21
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 206010073261 Ovarian theca cell tumour Diseases 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 208000001644 thecoma Diseases 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
- G02B13/14—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation
- G02B13/143—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation for use with ultraviolet radiation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
- G02B13/24—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for reproducing or copying at short object distances
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Lenses (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 周知の従来の技術の環境の中で像視野が広く
且つ全長は短い構成をもちながら高い分解能を有し、且
つ歪みに関して、様々な照明モード及び明らかな遮光に
対しても、像収差補正が安定したままであるような種類
の対物レンズを提供すること。 【解決手段】 正の屈折力の第１のレンズ群（ＬＧ１）
と、負の屈折力の第２のレンズ群（ＬＧ２）と、負の屈
折力の第３のレンズ群（ＬＧ３）と、負の屈折力の第４
のレンズ群（ＬＧ４）と、正の屈折力の第５のレンズ群
（ＬＧ５）とから構成されるレンズ構造を有し、光学系
絞り（ＡＳ）が第５のレンズ群（ＬＧ５）に位置し、第
５のレンズ群（ＬＧ５）の少なくとも２つのレンズは光
学系絞り（ＡＳ）の前方に位置するマイクロリソグラフ
ィ用投影対物レンズ。
且つ全長は短い構成をもちながら高い分解能を有し、且
つ歪みに関して、様々な照明モード及び明らかな遮光に
対しても、像収差補正が安定したままであるような種類
の対物レンズを提供すること。 【解決手段】 正の屈折力の第１のレンズ群（ＬＧ１）
と、負の屈折力の第２のレンズ群（ＬＧ２）と、負の屈
折力の第３のレンズ群（ＬＧ３）と、負の屈折力の第４
のレンズ群（ＬＧ４）と、正の屈折力の第５のレンズ群
（ＬＧ５）とから構成されるレンズ構造を有し、光学系
絞り（ＡＳ）が第５のレンズ群（ＬＧ５）に位置し、第
５のレンズ群（ＬＧ５）の少なくとも２つのレンズは光
学系絞り（ＡＳ）の前方に位置するマイクロリソグラフ
ィ用投影対物レンズ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロリソグラ
フィ用投影対物レンズに関する。請求項１の前文に記載
の当該種類のマイクロリソグラフィ用縮小対物レンズ
は、高分解能マイクロリソグラフィ、特にＤＵＶ波長範
囲のマイクロリソグラフィに必要とされる真に屈折形の
高性能対物レンズである。
フィ用投影対物レンズに関する。請求項１の前文に記載
の当該種類のマイクロリソグラフィ用縮小対物レンズ
は、高分解能マイクロリソグラフィ、特にＤＵＶ波長範
囲のマイクロリソグラフィに必要とされる真に屈折形の
高性能対物レンズである。
【０００２】
【従来の技術】２つのビームくびれ部分を含むこの種の
屈折対物レンズは、既に、Ｅ．Ｇｌａｔｚｅｌの論文
「Ｎｅｗ ｌｅｎｓｅｓ ｆｏｒ ｍｉｃｒｏｌｉｔｈ
ｏｇｒａｐｈｙ」（ＳＰＩＥ，２３７巻，３１０ページ
（１９８０年））に記載されており、それ以降も絶えず
開発されている。Ｃａｒｌ Ｚｅｉｓｓ社のこの種の対
物レンズは、オランダのＡＳＭＬ社のウェハステッパ及
びウェハスキャナＰＡＳで販売されている。
屈折対物レンズは、既に、Ｅ．Ｇｌａｔｚｅｌの論文
「Ｎｅｗ ｌｅｎｓｅｓ ｆｏｒ ｍｉｃｒｏｌｉｔｈ
ｏｇｒａｐｈｙ」（ＳＰＩＥ，２３７巻，３１０ページ
（１９８０年））に記載されており、それ以降も絶えず
開発されている。Ｃａｒｌ Ｚｅｉｓｓ社のこの種の対
物レンズは、オランダのＡＳＭＬ社のウェハステッパ及
びウェハスキャナＰＡＳで販売されている。
【０００３】１９９１年以降、Ｔｒｏｐｅｌ社から出て
いるこの種の対物レンズは、Ｊ．Ｈ．Ｂｒｕｎｉｎｇの
「Ｏｐｔｉｃａｌ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ−Ｔｈｉｒ
ｔｙｙｅａｒｓ ａｎｄ ｔｈｒｅｅ ｏｒｄｅｒｓ
ｏｆ ｍａｇｎｉｔｕｄｅ」（ＳＰＩＥ，３０４９巻，
１４〜２７ページ（１９９７年））の図１６に示されて
いる。この種の投影対物レンズの多数の変形構成は、た
とえば、欧州特許第０７１２０１９−Ａ号（１９９４年
１１月１０日出願の米国特許出願第３３７６４７号）、
欧州特許第０７１７２９９−Ａ号、欧州特許第０７２１
１５０−Ａ号、欧州特許第０７３２６０５−Ａ号、欧州
特許第０７７０８９５−Ａ号、欧州特許第０８０３７５
５−Ａ号（米国特許第５，７８１，２７８号）、欧州特
許第０８２８１７２−Ａ号などの特許出願の中に見られ
る。
いるこの種の対物レンズは、Ｊ．Ｈ．Ｂｒｕｎｉｎｇの
「Ｏｐｔｉｃａｌ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ−Ｔｈｉｒ
ｔｙｙｅａｒｓ ａｎｄ ｔｈｒｅｅ ｏｒｄｅｒｓ
ｏｆ ｍａｇｎｉｔｕｄｅ」（ＳＰＩＥ，３０４９巻，
１４〜２７ページ（１９９７年））の図１６に示されて
いる。この種の投影対物レンズの多数の変形構成は、た
とえば、欧州特許第０７１２０１９−Ａ号（１９９４年
１１月１０日出願の米国特許出願第３３７６４７号）、
欧州特許第０７１７２９９−Ａ号、欧州特許第０７２１
１５０−Ａ号、欧州特許第０７３２６０５−Ａ号、欧州
特許第０７７０８９５−Ａ号、欧州特許第０８０３７５
５−Ａ号（米国特許第５，７８１，２７８号）、欧州特
許第０８２８１７２−Ａ号などの特許出願の中に見られ
る。
【０００４】更に幾分小さい開口数を有する類似の対物
レンズは、スイス特許第１６５９９５５−Ａ号、欧州特
許第０７４２４９２−Ａ号（図３）、米国特許第５，１
０５，０７５号（図２及び図４）、米国特許第５，２６
０，８３２号（図９）及び東ドイツ特許第２９９０１７
−Ａ号の中にも見られる。
レンズは、スイス特許第１６５９９５５−Ａ号、欧州特
許第０７４２４９２−Ａ号（図３）、米国特許第５，１
０５，０７５号（図２及び図４）、米国特許第５，２６
０，８３２号（図９）及び東ドイツ特許第２９９０１７
−Ａ号の中にも見られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、周知
の従来の技術の環境の中で像視野が広く且つ全長は短い
構成をもちながら高い分解能を有することによってすぐ
れており且つ特に歪みに関して、様々な照明モード（異
なるコヒーレンスレベルなど）及び明らかな遮光（より
大きい鮮鋭深度範囲を有する照明の場合）に対しても、
像収差補正が安定したままであるような種類の対物レン
ズを提供することである。
の従来の技術の環境の中で像視野が広く且つ全長は短い
構成をもちながら高い分解能を有することによってすぐ
れており且つ特に歪みに関して、様々な照明モード（異
なるコヒーレンスレベルなど）及び明らかな遮光（より
大きい鮮鋭深度範囲を有する照明の場合）に対しても、
像収差補正が安定したままであるような種類の対物レン
ズを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、正の屈折力を
有する第１のレンズ群と、負の屈折力を有する第２のレ
ンズ群と、正の屈折力を有する第３のレンズ群と、負の
屈折力を有する第４のレンズ群と、正の屈折力を有する
第５のレンズ群とから構成され、像側開口数は０．６
５、好ましくは０．６８より大きく、光学系絞りは第５
のレンズ群に位置し且つ第５のレンズ群の少なくとも２
つのレンズは光学系絞りの前方に位置していることを特
徴とする。
有する第１のレンズ群と、負の屈折力を有する第２のレ
ンズ群と、正の屈折力を有する第３のレンズ群と、負の
屈折力を有する第４のレンズ群と、正の屈折力を有する
第５のレンズ群とから構成され、像側開口数は０．６
５、好ましくは０．６８より大きく、光学系絞りは第５
のレンズ群に位置し且つ第５のレンズ群の少なくとも２
つのレンズは光学系絞りの前方に位置していることを特
徴とする。
【０００７】絞りは光束の第３のふくらみ部分の第５の
レンズ群の領域に配置される。この第５のレンズ群及び
光学系絞りの導入は総じてより大きな意味をもつ。実施
態様に示すように、従来の技術において、くびれ部分、
特に第１のくびれ部分の形成に注がれていた注意の一部
はほとんど意味のないものになる。
レンズ群の領域に配置される。この第５のレンズ群及び
光学系絞りの導入は総じてより大きな意味をもつ。実施
態様に示すように、従来の技術において、くびれ部分、
特に第１のくびれ部分の形成に注がれていた注意の一部
はほとんど意味のないものになる。
【０００８】特に全長とレンズ直径をある程度小さく維
持すべき場合、高い分解能を得るための第１の手段とし
ての大きな開口数は一般に光学系絞りと、像平面との間
の設計に多大な負担をもたらす。全長とレンズ直径を小
さく抑えることは、既にある投影露光装置の概念に容易
に組み込むことができるようにするために、また、製造
上の理由から、更にはコスト上の理由から非常に好まし
い。
持すべき場合、高い分解能を得るための第１の手段とし
ての大きな開口数は一般に光学系絞りと、像平面との間
の設計に多大な負担をもたらす。全長とレンズ直径を小
さく抑えることは、既にある投影露光装置の概念に容易
に組み込むことができるようにするために、また、製造
上の理由から、更にはコスト上の理由から非常に好まし
い。
【０００９】そこで、請求項３から９及び１２は第５の
レンズ群の有利な実施態様である。請求項１０は、対物
レンズの特に有利な遮光可能性を有し、これは様々な像
収差を個々に最小にすることにより実現される。これ
も、本発明の設計概念によって可能になる。開口が一定
の対物レンズの場合とは異なり、様々な大きい収差を減
法平均することはできない。その利点は、適用する場面
に関連させてユーザが分解能と鮮鋭深度とのトレードオ
フを最適化できることである。
レンズ群の有利な実施態様である。請求項１０は、対物
レンズの特に有利な遮光可能性を有し、これは様々な像
収差を個々に最小にすることにより実現される。これ
も、本発明の設計概念によって可能になる。開口が一定
の対物レンズの場合とは異なり、様々な大きい収差を減
法平均することはできない。その利点は、適用する場面
に関連させてユーザが分解能と鮮鋭深度とのトレードオ
フを最適化できることである。
【００１０】さらに有利な実施態様は請求項１３から１
６の対象である。請求項１７又は１８記載の投影露光装
置はこの対物レンズの最適な適用形態を表わし、適用範
囲の広さを特徴としている。請求項１８に従って得られ
る照明設定の変化に対する結像性能の大きな許容差は特
別の意味をもつ。
６の対象である。請求項１７又は１８記載の投影露光装
置はこの対物レンズの最適な適用形態を表わし、適用範
囲の広さを特徴としている。請求項１８に従って得られ
る照明設定の変化に対する結像性能の大きな許容差は特
別の意味をもつ。
【００１１】請求項１９記載の製造方法は、製造工程の
中で次々に行われる露光の際に照明と開口を融通性をも
って設定することにより、対物レンズのすぐれた補正を
行えるということを利用している。個々の露光は様々に
異なるマスクを使用する投影露光装置で実行できるか、
又は複数の本発明による投影露光装置（他の装置と組み
合わせても良い）を製造ラインで利用することができ
る。
中で次々に行われる露光の際に照明と開口を融通性をも
って設定することにより、対物レンズのすぐれた補正を
行えるということを利用している。個々の露光は様々に
異なるマスクを使用する投影露光装置で実行できるか、
又は複数の本発明による投影露光装置（他の装置と組み
合わせても良い）を製造ラインで利用することができ
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、添付の実施形態を表す図面
を参照して本発明を更に詳細に説明する。本発明による
投影対物レンズに対する第１の要求に応じて、図１から
図３及び図６の実施形態は、ＤＵＶマイクロリソグラフ
ィで通常使用される２４８．３８nmの波長のエキシマー
レーザーによって動作するように設計されており、石英
ガラスレンズのみを含む。その焦点距離は慣例値及び製
造可能値の下限で、図２，図３及び図６の１０００mmか
ら図１の１１５０mmまでである。０．７０（図２，図３
及び図６）の開口数、図１の０．８０という開口数はこ
れまで知られていた値より明らかに大きく、本実施形態
による設計の能力を示し、０．１８μｍ以下の分解能に
より、大量生産条件の下でマイクロリソグラフィを実施
することができる。ごく最近まで、光学リソグラフィに
おいて、このような分解能は全く実現不可能とみなされ
ていた。
を参照して本発明を更に詳細に説明する。本発明による
投影対物レンズに対する第１の要求に応じて、図１から
図３及び図６の実施形態は、ＤＵＶマイクロリソグラフ
ィで通常使用される２４８．３８nmの波長のエキシマー
レーザーによって動作するように設計されており、石英
ガラスレンズのみを含む。その焦点距離は慣例値及び製
造可能値の下限で、図２，図３及び図６の１０００mmか
ら図１の１１５０mmまでである。０．７０（図２，図３
及び図６）の開口数、図１の０．８０という開口数はこ
れまで知られていた値より明らかに大きく、本実施形態
による設計の能力を示し、０．１８μｍ以下の分解能に
より、大量生産条件の下でマイクロリソグラフィを実施
することができる。ごく最近まで、光学リソグラフィに
おいて、このような分解能は全く実現不可能とみなされ
ていた。
【００１３】像高さ２ＹB ＝２７．２mmのとき、ＮＡ＝
０．７０では、非常に大きい光導値ＬＬＷ＝ＮＡ・２Ｙ
B ＝１９．０４が得られる。従って、この対物レンズ
は、像視野の広さが８×２６mm2 であるスキャナに適し
ている。
０．７０では、非常に大きい光導値ＬＬＷ＝ＮＡ・２Ｙ
B ＝１９．０４が得られる。従って、この対物レンズ
は、像視野の広さが８×２６mm2 であるスキャナに適し
ている。
【００１４】そこで、像側開口数を０．６３から実現さ
れている０．７の値（図２，図３，図６）まで引き上げ
ることは、たとえば、０．４５から０．６まで引き上げ
る場合より著しく困難であるということに注目すべきで
ある。これは、周知のように、ＮＡ＝１．０であると
き、空気中では全ての像収差が極限に達し、それに相応
してこの値に近づくほど収差は益々大きくなり、補正す
るのが難しくなるためである。図１の実施形態は、ＮＡ
＝０．８ですぐれた構成を示す。
れている０．７の値（図２，図３，図６）まで引き上げ
ることは、たとえば、０．４５から０．６まで引き上げ
る場合より著しく困難であるということに注目すべきで
ある。これは、周知のように、ＮＡ＝１．０であると
き、空気中では全ての像収差が極限に達し、それに相応
してこの値に近づくほど収差は益々大きくなり、補正す
るのが難しくなるためである。図１の実施形態は、ＮＡ
＝０．８ですぐれた構成を示す。
【００１５】図１の実施形態のレンズの数値を表１に示
す。３１個のレンズＬ１からＬ３１と、平坦な板Ｐ１と
が設けられている。Ｐ１は容易に交換できるウェハ側終
端窓として使用される。あらゆる像高さについて１３ｍ
λ以下のＲＭＳ収差が達成されることは、すぐれた結像
性能を表している。レンズＬ１からＬ５は、レンズＬ４
の背面に光束の第１のふくらみ部分Ｂ１を有する第１の
レンズ群ＬＧ１を形成する。負レンズＬ２は必要なビー
ムの広がりを生じさせる。
す。３１個のレンズＬ１からＬ３１と、平坦な板Ｐ１と
が設けられている。Ｐ１は容易に交換できるウェハ側終
端窓として使用される。あらゆる像高さについて１３ｍ
λ以下のＲＭＳ収差が達成されることは、すぐれた結像
性能を表している。レンズＬ１からＬ５は、レンズＬ４
の背面に光束の第１のふくらみ部分Ｂ１を有する第１の
レンズ群ＬＧ１を形成する。負レンズＬ２は必要なビー
ムの広がりを生じさせる。
【００１６】負レンズＬ６からＬ９から成るレンズ群Ｌ
Ｇ２は、レンズＬ７の背面で、第１のくびれ部分Ｔ１を
形成する。このレンズ群ＬＧ２で特徴的であるのは、く
びれ部分に向かう側が凹面であるメニスカスレンズＬ６
及びＬ９である。
Ｇ２は、レンズＬ７の背面で、第１のくびれ部分Ｔ１を
形成する。このレンズ群ＬＧ２で特徴的であるのは、く
びれ部分に向かう側が凹面であるメニスカスレンズＬ６
及びＬ９である。
【００１７】第３のレンズ群ＬＧ３は５つの正レンズＬ
１０からＬ１４と、像側が凹面である負のメニスカスレ
ンズＬ１５とから構成され、正レンズのうち外側のレン
ズＬ１０及びＬ１４は外側が凹面のメニスカスレンズと
して形成されている。レンズＬ１２の背面には、その位
置で局所的に最大の光束直径を有する第２のふくらみ部
分Ｂ２が形成されている。
１０からＬ１４と、像側が凹面である負のメニスカスレ
ンズＬ１５とから構成され、正レンズのうち外側のレン
ズＬ１０及びＬ１４は外側が凹面のメニスカスレンズと
して形成されている。レンズＬ１２の背面には、その位
置で局所的に最大の光束直径を有する第２のふくらみ部
分Ｂ２が形成されている。
【００１８】第４のレンズ群ＬＧ４は２つの負レンズＬ
１６とＬ１７から構成されている。レンズＬ１６の背面
には第２のくびれ部分Ｔ２が形成されている。その場所
には、強力な両凸空気レンズがある。
１６とＬ１７から構成されている。レンズＬ１６の背面
には第２のくびれ部分Ｔ２が形成されている。その場所
には、強力な両凸空気レンズがある。
【００１９】第５のレンズ群ＬＧ５はＬ１８からＬ３１
の１４個のレンズを含み、本発明による対物レンズに関
しては最も重要なレンズ群である。レンズＬ２２の前方
には光学系絞りＡＳが配置されている。続くレンズＬ２
２の前面には、絞り直径（３０６．３mm）と比較してご
くわずかに大きい光束直径（３０８．０mm）を有する第
３のふくらみ部分（Ｂ３）が形成されている。
の１４個のレンズを含み、本発明による対物レンズに関
しては最も重要なレンズ群である。レンズＬ２２の前方
には光学系絞りＡＳが配置されている。続くレンズＬ２
２の前面には、絞り直径（３０６．３mm）と比較してご
くわずかに大きい光束直径（３０８．０mm）を有する第
３のふくらみ部分（Ｂ３）が形成されている。
【００２０】本実施形態によれば、ふくらみ部分Ｂ３の
領域で、絞りＡＳの両側に配置された複数の適度な強さ
で、従って、かなり薄い正レンズＬ１９からＬ２３がビ
ームを偏向させる。これにより、この領域の球面補正不
足は最小限に抑えられると同時に、像の長さはより少な
い数ではあるが、強く厚いレンズを使用する場合と比べ
て短縮される。
領域で、絞りＡＳの両側に配置された複数の適度な強さ
で、従って、かなり薄い正レンズＬ１９からＬ２３がビ
ームを偏向させる。これにより、この領域の球面補正不
足は最小限に抑えられると同時に、像の長さはより少な
い数ではあるが、強く厚いレンズを使用する場合と比べ
て短縮される。
【００２１】また、この構成によって、遮光時又は様々
な照明モードの設定時における像収差の変動も減少す
る。発散光路に位置する２つのレンズＬ１９及びＬ２０
のうち、レンズＬ２０のほうが大きい屈折力を有する。
レンズＬ２１とレンズＬ２２は均一に分割された屈折力
を有し、これら２つのレンズの間の光路はほぼ平行であ
る。レンズＬ２１からＬ２３は、球面過剰補正をできる
限り小さくするときの光学系屈折力の重要な部分を占
め、収差補正が開口数及び照明モードによって左右され
るという問題（ＮＡ−シグマ問題）を緩和させる。従っ
て、様々に異なる照明設定や開口設定に対しても、すぐ
れた結像特性を実現することができる。
な照明モードの設定時における像収差の変動も減少す
る。発散光路に位置する２つのレンズＬ１９及びＬ２０
のうち、レンズＬ２０のほうが大きい屈折力を有する。
レンズＬ２１とレンズＬ２２は均一に分割された屈折力
を有し、これら２つのレンズの間の光路はほぼ平行であ
る。レンズＬ２１からＬ２３は、球面過剰補正をできる
限り小さくするときの光学系屈折力の重要な部分を占
め、収差補正が開口数及び照明モードによって左右され
るという問題（ＮＡ−シグマ問題）を緩和させる。従っ
て、様々に異なる照明設定や開口設定に対しても、すぐ
れた結像特性を実現することができる。
【００２２】第５のレンズ群ＬＧ５の第１のレンズＬ１
８は屈折力が弱く、厚い、物体側が凹面のメニスカスレ
ンズである。ここで、球面過補正空気レンズによる分割
は続くレンズの補正作用に関しては負担を軽減するもの
であろうが、全長が長くなり、不利になるであろう。
８は屈折力が弱く、厚い、物体側が凹面のメニスカスレ
ンズである。ここで、球面過補正空気レンズによる分割
は続くレンズの補正作用に関しては負担を軽減するもの
であろうが、全長が長くなり、不利になるであろう。
【００２３】レンズＬ２４は、狭い空隙により離間され
た続く両凸レンズＬ２５と共に、通常屈折力の弱い厚い
メニスカスレンズを形成する。このメニスカスレンズ
は、球面過補正により、先行するレンズＬ１８〜Ｌ２３
の対応する作用を均衡させる。２つの部分Ｌ２４及びＬ
２５への分割はここでも全長を最短にする働きをしてい
る。２つのレンズは、光学系絞りＡＳの像側で、物体側
が凹面である唯一のレンズである。
た続く両凸レンズＬ２５と共に、通常屈折力の弱い厚い
メニスカスレンズを形成する。このメニスカスレンズ
は、球面過補正により、先行するレンズＬ１８〜Ｌ２３
の対応する作用を均衡させる。２つの部分Ｌ２４及びＬ
２５への分割はここでも全長を最短にする働きをしてい
る。２つのレンズは、光学系絞りＡＳの像側で、物体側
が凹面である唯一のレンズである。
【００２４】厚いレンズＬ１８と、分割されたメニスカ
スレンズＬ２４，Ｌ２５との全く逆の長所は、様々に異
なる周囲条件やメニスカスレンズの動作範囲から明らか
である。Ｌ１８は発散光路で少ししか負荷を受けない。
全てのビームはレンズ面をほぼ垂直に通過する。メニス
カスレンズＬ１８は第１にペッツヴァル要素として作用
し、対物レンズのペッツヴァルの和を押し下げる。しか
し、厚さを減少させることができるように、この機能を
分割することもできる。
スレンズＬ２４，Ｌ２５との全く逆の長所は、様々に異
なる周囲条件やメニスカスレンズの動作範囲から明らか
である。Ｌ１８は発散光路で少ししか負荷を受けない。
全てのビームはレンズ面をほぼ垂直に通過する。メニス
カスレンズＬ１８は第１にペッツヴァル要素として作用
し、対物レンズのペッツヴァルの和を押し下げる。しか
し、厚さを減少させることができるように、この機能を
分割することもできる。
【００２５】これに対し、分割メニスカスレンズＬ２
４，Ｌ２５は収束光路にあり、中程度から大きな負荷を
受ける。このレンズは付近の周囲の球面過補正の役割の
みを果たす。一体に構成してしまうと、レンズは著しく
厚くなる。負荷の少ない空間を介してメニスカスレンズ
を分割することにより、メニスカスレンズの半径と厚さ
の条件は緩和される。そのため、２つのレンズＬ２４，
Ｌ２５を厚く設定して、全体としての厚みを減らすこと
が可能になる。
４，Ｌ２５は収束光路にあり、中程度から大きな負荷を
受ける。このレンズは付近の周囲の球面過補正の役割の
みを果たす。一体に構成してしまうと、レンズは著しく
厚くなる。負荷の少ない空間を介してメニスカスレンズ
を分割することにより、メニスカスレンズの半径と厚さ
の条件は緩和される。そのため、２つのレンズＬ２４，
Ｌ２５を厚く設定して、全体としての厚みを減らすこと
が可能になる。
【００２６】２つの負メニスカスレンズＬ２９及びＬ３
０と、最後の収束レンズＬ３１は、文献によっては、第
６のレンズ群として表されている場合もある。
０と、最後の収束レンズＬ３１は、文献によっては、第
６のレンズ群として表されている場合もある。
【００２７】開口が大きくなると、サジタル方向の傾斜
球面収差を補正することにより、特別の問題が起こる。
絞りの領域で上記のような措置を講じることで、この問
題は緩和されるが、解決されたとはいえない。絞りＡＳ
と像ＩＭとの間の視野有効領域では、サジタル方向の傾
斜球面収差を補正するために、正レンズ（Ｌ２６，Ｌ２
７，Ｌ２８，Ｌ３１）及び負レンズ（Ｌ２９，Ｌ３０）
の個々の屈折力を大きくしている。従って、選択すべき
手段はより高次の像収差の補正による修正である。これ
は、絞り空間にあるレンズＬ１９からＬ２５の直径が相
対的に大きいことに起因するものである。負レンズＬ２
９の屈折力は大きく、その前に位置する正レンズＬ２６
からＬ２８は分割されながら、対応する正の屈折力を生
み出している。３つのレンズに、レンズ湾曲に対して広
い自由空間があるため、コマビームのｉ角の正弦を０．
８０の大きい開口数の値より小さく保持することが可能
である。負のメニスカスレンズＬ２９の強い湾曲があ
り、その背後に球面過補正空間がある。最後の物体側レ
ンズＬ３１の前の全てのレンズにおける縁部ビームのｉ
角の正弦（ｓｉｎｉrand）は物体側開口数ＮＡより小さ
い（ｓｉｎｉrand＜ＮＡ）ことが望ましい。
球面収差を補正することにより、特別の問題が起こる。
絞りの領域で上記のような措置を講じることで、この問
題は緩和されるが、解決されたとはいえない。絞りＡＳ
と像ＩＭとの間の視野有効領域では、サジタル方向の傾
斜球面収差を補正するために、正レンズ（Ｌ２６，Ｌ２
７，Ｌ２８，Ｌ３１）及び負レンズ（Ｌ２９，Ｌ３０）
の個々の屈折力を大きくしている。従って、選択すべき
手段はより高次の像収差の補正による修正である。これ
は、絞り空間にあるレンズＬ１９からＬ２５の直径が相
対的に大きいことに起因するものである。負レンズＬ２
９の屈折力は大きく、その前に位置する正レンズＬ２６
からＬ２８は分割されながら、対応する正の屈折力を生
み出している。３つのレンズに、レンズ湾曲に対して広
い自由空間があるため、コマビームのｉ角の正弦を０．
８０の大きい開口数の値より小さく保持することが可能
である。負のメニスカスレンズＬ２９の強い湾曲があ
り、その背後に球面過補正空間がある。最後の物体側レ
ンズＬ３１の前の全てのレンズにおける縁部ビームのｉ
角の正弦（ｓｉｎｉrand）は物体側開口数ＮＡより小さ
い（ｓｉｎｉrand＜ＮＡ）ことが望ましい。
【００２８】主断面の外側の像収差の補正は、開口が大
きくなることにより、著しく阻害される。補正のため、
第３のレンズ群ＬＧ３における屈折力のチューニングは
第２のふくらみ部分Ｂ２の領域で最適になる。１対のレ
ンズＬ１４及びＬ１５は光束を第２のくびれ部分Ｔ２へ
と偏向させ、それにより、レンズＬ１８と同様に、スペ
ースを節約するようにペッツヴァル補正に好都合に寄与
する。第３のレンズ群ＬＧ３の正レンズＬ１０からＬ１
３及び負レンズ群ＬＧ４は、これにより、屈折力を軽減
される。
きくなることにより、著しく阻害される。補正のため、
第３のレンズ群ＬＧ３における屈折力のチューニングは
第２のふくらみ部分Ｂ２の領域で最適になる。１対のレ
ンズＬ１４及びＬ１５は光束を第２のくびれ部分Ｔ２へ
と偏向させ、それにより、レンズＬ１８と同様に、スペ
ースを節約するようにペッツヴァル補正に好都合に寄与
する。第３のレンズ群ＬＧ３の正レンズＬ１０からＬ１
３及び負レンズ群ＬＧ４は、これにより、屈折力を軽減
される。
【００２９】Ｌ１４の正の屈折力は、開口を通る４５°
の断面で見ると、像収差を改善する。Ｌ１５の負の屈折
力により、球面過補正レンズＬ１６及びＬ１７を含む負
の第４のレンズ群ＬＧ４は負荷を取り除かれ、その結
果、開口及び視野のゾーン収差は減少する。
の断面で見ると、像収差を改善する。Ｌ１５の負の屈折
力により、球面過補正レンズＬ１６及びＬ１７を含む負
の第４のレンズ群ＬＧ４は負荷を取り除かれ、その結
果、開口及び視野のゾーン収差は減少する。
【００３０】２つの個別のレンズＬ１４，Ｌ１５は厚い
メニスカスレンズであるのが明らかに好ましい。第１
に、図示するように、像収差を大幅に改善することがで
き、第２に、レンズの冷却が改善される。スキャナの視
野がスリット状であり、放射出力が高いときの吸収が無
視できない場合には、「レンズヒーティング」として知
られる問題が生じている（特に１９３nmの場合）。これ
らの特徴は以下の実施形態においても相応して見られ
る。
メニスカスレンズであるのが明らかに好ましい。第１
に、図示するように、像収差を大幅に改善することがで
き、第２に、レンズの冷却が改善される。スキャナの視
野がスリット状であり、放射出力が高いときの吸収が無
視できない場合には、「レンズヒーティング」として知
られる問題が生じている（特に１９３nmの場合）。これ
らの特徴は以下の実施形態においても相応して見られ
る。
【００３１】図２，図３及び図６に示す別の実施形態
は、適度に大きい開口ＮＡ＝０．７に対して構成されて
いる。この場合の焦点距離は１０００mmまで短くなって
いる。図２及び表２による第２の実施形態は、初めの２
つのレンズ群ＬＧ１及びＬＧ２の変更を除いて構成はほ
ぼ安定していることを示す。第１のレンズ群ＬＧ１にお
いて、初めの２つのレンズ２０１及び２０２は図１と比
べて場所を入れ換えられている。第２のレンズ群ＬＧ２
では、負レンズ２０６と負レンズ２０８から２１０との
間に正レンズ２０７が挿入されている。正レンズを含む
又は含まないこのレンズ群ＬＧ２の構成は従来の技術の
中に何度も重要であるとして表示されている。たとえ
ば、欧州特許第０７７０８９５−Ａ号（正レンズなし）
及び欧州特許第０７１７２９９−Ａ号（正レンズあり）
を参照。
は、適度に大きい開口ＮＡ＝０．７に対して構成されて
いる。この場合の焦点距離は１０００mmまで短くなって
いる。図２及び表２による第２の実施形態は、初めの２
つのレンズ群ＬＧ１及びＬＧ２の変更を除いて構成はほ
ぼ安定していることを示す。第１のレンズ群ＬＧ１にお
いて、初めの２つのレンズ２０１及び２０２は図１と比
べて場所を入れ換えられている。第２のレンズ群ＬＧ２
では、負レンズ２０６と負レンズ２０８から２１０との
間に正レンズ２０７が挿入されている。正レンズを含む
又は含まないこのレンズ群ＬＧ２の構成は従来の技術の
中に何度も重要であるとして表示されている。たとえ
ば、欧州特許第０７７０８９５−Ａ号（正レンズなし）
及び欧州特許第０７１７２９９−Ａ号（正レンズあり）
を参照。
【００３２】特に第５のレンズ群は質的に同様の特徴を
示すが、開口数が小さくなっているため、レンズの直径
は著しく小さい。
示すが、開口数が小さくなっているため、レンズの直径
は著しく小さい。
【００３３】この場合、１対のメニスカスレンズＬ２４
／Ｌ２５に対して、レンズ２２５，２２６のところの狭
い空隙の湾曲は明らかに小さい。図１でＬ２４／Ｌ２５
に関して説明した球面過補正の主要な効果はそのまま保
持される。
／Ｌ２５に対して、レンズ２２５，２２６のところの狭
い空隙の湾曲は明らかに小さい。図１でＬ２４／Ｌ２５
に関して説明した球面過補正の主要な効果はそのまま保
持される。
【００３４】図３及び表３に示す第３の実施形態は、第
２の実施形態と同様の第１のレンズ群を有する。第２の
レンズ群ＬＧ２では、正レンズ３０８はそれぞれ２つず
つの正レンズ３０６，３０７及び３０９，３１０の中央
に移動している。
２の実施形態と同様の第１のレンズ群を有する。第２の
レンズ群ＬＧ２では、正レンズ３０８はそれぞれ２つず
つの正レンズ３０６，３０７及び３０９，３１０の中央
に移動している。
【００３５】ここで、第５のレンズ群ＬＧ５は、図１の
レンズＬ２４及びＬ２５を厚いメニスカスレンズ３２５
に統合することにより、１つ少ない１３個のレンズから
構成されている。この構造により、メニスカスレンズを
２つのレンズＬ２４及びＬ２５に分割したときと同様
に、同じ高い結像性能を得ることができる。
レンズＬ２４及びＬ２５を厚いメニスカスレンズ３２５
に統合することにより、１つ少ない１３個のレンズから
構成されている。この構造により、メニスカスレンズを
２つのレンズＬ２４及びＬ２５に分割したときと同様
に、同じ高い結像性能を得ることができる。
【００３６】図２及び図３に示す２つの実施形態では、
終端の平坦な板Ｐ２の他に、絞りに近い平坦な板Ｐ１が
更に設けられている。たとえば、アポダイゼーションフ
ィルタとしてこの板を利用することができる。
終端の平坦な板Ｐ２の他に、絞りに近い平坦な板Ｐ１が
更に設けられている。たとえば、アポダイゼーションフ
ィルタとしてこの板を利用することができる。
【００３７】そこで、図１の実施形態について、実現さ
れるすぐれた像収差補正を更に詳細に説明する。図４ａ
から図４ｃは、像高さが１３．６mm、９．６mm及び０mm
の場合のサジタル横方向収差ＤＺＳと、半開口角ＤＷ′
との関係を示す。図５ａから図５ｃは、それに対応する
メリディオナル断面ＤＹＭを示す。
れるすぐれた像収差補正を更に詳細に説明する。図４ａ
から図４ｃは、像高さが１３．６mm、９．６mm及び０mm
の場合のサジタル横方向収差ＤＺＳと、半開口角ＤＷ′
との関係を示す。図５ａから図５ｃは、それに対応する
メリディオナル断面ＤＹＭを示す。
【００３８】表４には、異なる像高さ（最大像高さＹ″
＝１３．６mmに占める割合（分数））に対する主ビーム
の歪みを示す。歪みは全ての像高さに対して最大で１．
５nmである。
＝１３．６mmに占める割合（分数））に対する主ビーム
の歪みを示す。歪みは全ての像高さに対して最大で１．
５nmである。
【００３９】表５は、開口数ＮＡ及びコヒーレンスレベ
ルであるシグマの様々な設定値に対するＶｈｓからの歪
みの偏差ΔＶを示す。シグマが０．３５〜０．７０及び
０．５０〜０．８５の値であるときの環状開口照明も考
慮した。この偏差の最大値は４．７nmであり、値は主に
３nm以下である。
ルであるシグマの様々な設定値に対するＶｈｓからの歪
みの偏差ΔＶを示す。シグマが０．３５〜０．７０及び
０．５０〜０．８５の値であるときの環状開口照明も考
慮した。この偏差の最大値は４．７nmであり、値は主に
３nm以下である。
【００４０】総じて、歪みはあらゆる場合に、あらゆる
設定値に対して１０nm以下、更には６nm以下であり、大
体にわたりそれ未満となっている。これらの値は非常に
大きな０．８０というＮＡと関連させてみなされるべき
である。ＮＡがこれより小さくなると、著しく小さい歪
みを実現できる。
設定値に対して１０nm以下、更には６nm以下であり、大
体にわたりそれ未満となっている。これらの値は非常に
大きな０．８０というＮＡと関連させてみなされるべき
である。ＮＡがこれより小さくなると、著しく小さい歪
みを実現できる。
【００４１】従って、利用される開口数ＮＡ（遮光）の
変化や、照明設定（シグマ）の変化に対しても、この設
計は非常に安定していることがわかる。
変化や、照明設定（シグマ）の変化に対しても、この設
計は非常に安定していることがわかる。
【００４２】図６及び表６に示す更に別の実施形態は、
主として、実際の絞り位置の変化が２５mmから１５mmに
小さくなったという点で、先の実施形態とは異なる。こ
れは、瞳の湾曲した像（絞り）が接線断面で収差を適切
に補正することにより部分的に補正されることによって
実現された。これにより、絞りＡＳの位置を変えずに遮
光を行うことができる。結像縮尺は１：４、開口数はＮ
Ａ＝０．７０である。
主として、実際の絞り位置の変化が２５mmから１５mmに
小さくなったという点で、先の実施形態とは異なる。こ
れは、瞳の湾曲した像（絞り）が接線断面で収差を適切
に補正することにより部分的に補正されることによって
実現された。これにより、絞りＡＳの位置を変えずに遮
光を行うことができる。結像縮尺は１：４、開口数はＮ
Ａ＝０．７０である。
【００４３】総じて、この構造は図１の実施形態にほぼ
相応している。レンズ６２４とレンズ６２５との間の空
隙はごくわずかに湾曲している。
相応している。レンズ６２４とレンズ６２５との間の空
隙はごくわずかに湾曲している。
【００４４】図７は、本発明による投影対物レンズを含
む投影露光装置の一実施形態の概要を示す。適切な照明
光学系Ｂは、たとえば、欧州特許第０７４７７７２−Ａ
号（米国特許出願第０８／６５８，６０５号）から知ら
れている。
む投影露光装置の一実施形態の概要を示す。適切な照明
光学系Ｂは、たとえば、欧州特許第０７４７７７２−Ａ
号（米国特許出願第０８／６５８，６０５号）から知ら
れている。
【００４５】レーザー１は、深紫外線（ＤＵＶ）のマイ
クロリソグラフィでよく使用されている２４８nmの波長
のＫｒＦエキシマーレーザーである。
クロリソグラフィでよく使用されている２４８nmの波長
のＫｒＦエキシマーレーザーである。
【００４６】ビーム拡張器１４、たとえば、ドイツ特許
第Ａ４１２４３１１号に記載のミラー構造は、コヒーレ
ンズを減少させると共に、ビームの横断面を縮小させる
働きをする。
第Ａ４１２４３１１号に記載のミラー構造は、コヒーレ
ンズを減少させると共に、ビームの横断面を縮小させる
働きをする。
【００４７】第１の光学回折格子要素９は対物レンズ２
の物体平面を形成し、対物レンズ２の射出瞳に第２の光
学回折格子要素８が設けられている。
の物体平面を形成し、対物レンズ２の射出瞳に第２の光
学回折格子要素８が設けられている。
【００４８】入射光学系４は光をガラス棒５の入射面５
ｅに入射させる。ガラス棒５は何度かの内面反射により
光を混合し、均質化させる。射出面５ａのすぐ前には中
間視野平面があり、そこに調整自在の視野絞りであるレ
チクルマスキング光学系（ＲＥＭＡ）５１が配置されて
いる。続くＲＥＭＡ対物レンズ６は、レンズ群６１，６
３，６５、偏向ミラー６４及び瞳平面６２と共に、レチ
クルマスキング光学系５１の中間視野平面をレチクル７
上に結像する。
ｅに入射させる。ガラス棒５は何度かの内面反射により
光を混合し、均質化させる。射出面５ａのすぐ前には中
間視野平面があり、そこに調整自在の視野絞りであるレ
チクルマスキング光学系（ＲＥＭＡ）５１が配置されて
いる。続くＲＥＭＡ対物レンズ６は、レンズ群６１，６
３，６５、偏向ミラー６４及び瞳平面６２と共に、レチ
クルマスキング光学系５１の中間視野平面をレチクル７
上に結像する。
【００４９】ウェハスキャナの場合、レチクル７上に
は、１：２から１：８の縦横比を有する矩形である細い
条片が照明され、走査により、チップの全体として構造
を規定された視野が逐次照明されて行く。この照明はき
わめて一様に、縁部も鮮鋭に（走査方向に対し垂直な方
向にのみ）行われるべきである。
は、１：２から１：８の縦横比を有する矩形である細い
条片が照明され、走査により、チップの全体として構造
を規定された視野が逐次照明されて行く。この照明はき
わめて一様に、縁部も鮮鋭に（走査方向に対し垂直な方
向にのみ）行われるべきである。
【００５０】ガラス棒５の前に配置される要素、特に光
学格子要素８及び９の仕様は、入射開口５ｅができる限
り均質に照明されるばかりでなく、できる限り高い効率
で、すなわち、入射開口５ｅの付近で大きな光の損失を
生じずに照明されるように選択されている。
学格子要素８及び９の仕様は、入射開口５ｅができる限
り均質に照明されるばかりでなく、できる限り高い効率
で、すなわち、入射開口５ｅの付近で大きな光の損失を
生じずに照明されるように選択されている。
【００５１】ドイツ特許第４４２１０５３号に記載され
ているように、対物レンズ２は、一体に調整自在のアク
シコンレンズ対２１を有するズーム対物レンズ（可動レ
ンズ２２）である。焦点距離は３倍の伸長範囲を有して
いるので、約０．３≦σ≦０．９の通常値を有する部分
的にコヒーレントな照明を発生させることができる。
ているように、対物レンズ２は、一体に調整自在のアク
シコンレンズ対２１を有するズーム対物レンズ（可動レ
ンズ２２）である。焦点距離は３倍の伸長範囲を有して
いるので、約０．３≦σ≦０．９の通常値を有する部分
的にコヒーレントな照明を発生させることができる。
【００５２】アクシコンレンズ対２１を調整することに
より、それに適合する環状開口照明を調整できる。更に
遮光するか又はアクシコンレンズ対２１を特殊なピラミ
ッド形にすることにより、照明を特別な形態で行うこと
ができる。
より、それに適合する環状開口照明を調整できる。更に
遮光するか又はアクシコンレンズ対２１を特殊なピラミ
ッド形にすることにより、照明を特別な形態で行うこと
ができる。
【００５３】それぞれが走査手段７１，９１と、周知の
補助手段とを有するレチクル（マスク）７と、ウェハ９
との間に、レンズ群Ｐ１からＰ５を含む本発明による投
影対物レンズＰが配置されている。
補助手段とを有するレチクル（マスク）７と、ウェハ９
との間に、レンズ群Ｐ１からＰ５を含む本発明による投
影対物レンズＰが配置されている。
【表１】
【表２】
【表３】
【表４】
【表５】
【表６】
【表７】
【表８】
【表９】
【表１０】
【表１１】
【表１２】
【表１３】
【図１】 第１の実施形態のレンズ断面を示す図。
【図２】 第２の実施形態のレンズ断面を示す図。
【図３】 第３の実施形態のレンズ断面を示す図。
【図４】 図１の実施形態の様々な像高さに対するサジ
タル方向断面の横方向収差を示す図。
タル方向断面の横方向収差を示す図。
【図５】 図１の実施形態の様々な像高さに対するメリ
ディオナル方向断面の横方向収差を示す図。
ディオナル方向断面の横方向収差を示す図。
【図６】 第４の実施形態のレンズ断面を示す図。
【図７】 本発明による投影露光装置の一実施形態を概
略的に示す図。
略的に示す図。
Ｌ１〜Ｌ３１…レンズ、ＬＧ１…第１のレンズ群、ＬＧ
２…第２のレンズ群、ＬＧ３…第３のレンズ群、ＬＧ４
…第４のレンズ群、ＬＧ５…第５のレンズ群、ＡＳ…光
学系絞り、Ｂ１…第１のふくらみ部分、Ｂ２…第２のふ
くらみ部分、Ｂ３…第３のふくらみ部分、Ｔ１…第１の
くびれ部分、Ｔ２…第２のくびれ部分、Ｂ…照明光学
系、Ｐ…投影対物レンズ、１…光源、７…レチクル、９
…第１の光学回折格子要素、７１，９１…走査手段、２
０１〜２３２，３０１〜３３１，６０１〜６３１…レン
ズ。
２…第２のレンズ群、ＬＧ３…第３のレンズ群、ＬＧ４
…第４のレンズ群、ＬＧ５…第５のレンズ群、ＡＳ…光
学系絞り、Ｂ１…第１のふくらみ部分、Ｂ２…第２のふ
くらみ部分、Ｂ３…第３のふくらみ部分、Ｔ１…第１の
くびれ部分、Ｔ２…第２のくびれ部分、Ｂ…照明光学
系、Ｐ…投影対物レンズ、１…光源、７…レチクル、９
…第１の光学回折格子要素、７１，９１…走査手段、２
０１〜２３２，３０１〜３３１，６０１〜６３１…レン
ズ。
Claims (19)
- 【請求項１】 正の屈折力を有する第１のレンズ群（Ｌ
Ｇ１）と、 負の屈折力を有する第２のレンズ群（ＬＧ２）と、 正の屈折力を有する第３のレンズ群（ＬＧ３）と、 負の屈折力を有する第４のレンズ群（ＬＧ４）と、 正の屈折力を有する第５のレンズ群（ＬＧ５）とから構
成されるレンズ構造を有するマイクロリソグラフィ用投
影対物レンズにおいて、 像側開口数は０．６５、好ましくは０．６８より大き
く、光学系絞り（ＡＳ）は第５のレンズ群（ＬＧ５）に
位置し且つ第５のレンズ群（ＬＧ５）の少なくとも２つ
のレンズは光学系絞り（ＡＳ）の前方に位置しているこ
とを特徴とするマイクロリソグラフィ用投影対物レン
ズ。 - 【請求項２】 正の屈折力を有する第１のレンズ群（Ｌ
Ｇ１）と、負の屈折力を有する第２のレンズ群（ＬＧ
２）と、正の屈折力を有する第３のレンズ群（ＬＧ３）
と、負の屈折力を有する第４のレンズ群（ＬＧ４）と、
正の屈折力を有する第５のレンズ群（ＬＧ５）とから構
成されるレンズ構造を有するマイクロリソグラフィ用投
影対物レンズにおいて、光学系絞りは第５のレンズ群
（ＬＧ５）に位置し、第５のレンズ群（ＬＧ５）の少な
くとも２つのレンズ（Ｌ１８，Ｌ１９，Ｌ２０，Ｌ２
１）は光学系絞り（ＡＳ）の前方に位置し、且つ第５の
レンズ群（ＬＧ５）は少なくとも１３個のレンズ（Ｌ１
８〜Ｌ３１）を有することを特徴とするマイクロリソグ
ラフィ用投影対物レンズ。 - 【請求項３】 光学系絞り（ＡＳ）は２つの収束レンズ
（Ｌ２１，Ｌ２２）の間に配置され、且つ像側に少なく
とも１つの収束レンズ（Ｌ２３）がすぐ続いていること
を特徴とする請求項１又は２記載のマイクロリソグラフ
ィ用投影対物レンズ。 - 【請求項４】 第５のレンズ群（ＬＧ５）の第１のレン
ズ（Ｌ１８）は屈折力の弱い、厚い物体側が凹面のメニ
スカスレンズであることを特徴とする請求項１から３の
少なくとも１項に記載のマイクロリソグラフィ用投影対
物レンズ。 - 【請求項５】 光学系絞り（ＡＳ）の後に物体側が凹面
のレンズ（２２５，３２５）が続いていることを特徴と
する請求項１から４の少なくとも１項に記載のマイクロ
リソグラフィ用投影対物レンズ。 - 【請求項６】 物体側が凹面のレンズ（３２５）は厚い
メニスカスレンズであることを特徴とする請求項５記載
のマイクロリソグラフィ用投影対物レンズ。 - 【請求項７】 物体側が凹面のレンズ（２２５）の後に
細い空隙を挟んで収束レンズ（２２６）が続くことを特
徴とする請求項５記載のマイクロリソグラフィ用投影対
物レンズ。 - 【請求項８】 光学系絞り（ＡＳ）の後に、細い空隙に
より互いに離間されている物体側が凹面の一対のレンズ
（Ｌ２４，Ｌ２６）が続くことを特徴とする請求項１か
ら４の少なくとも１項に記載のマイクロリソグラフィ用
投影対物レンズ。 - 【請求項９】 空隙は物体側が凹面であることを特徴と
する請求項７又は８記載のマイクロリソグラフィ用投影
対物レンズ。 - 【請求項１０】 開口数の７０％まで遮光したとき、歪
みは１０nm以下、好ましくは６nm以下のままであること
を特徴とする請求項１から９の少なくとも１項に記載の
マイクロリソグラフィ用投影対物レンズ。 - 【請求項１１】 光束のふくらみ部分（Ｂ１）を形成す
る正の屈折力を有する第１のレンズ群（ＬＧ１）と、 光束のくびれ部分（Ｔ１）を形成する負の屈折力を有す
る第２のレンズ群（ＬＧ２）と、 光束の第２のふくらみ部分（Ｂ２）を形成する正の屈折
力を有する第３のレンズ群（ＬＧ３）と、 光束の第２のくびれ部分（Ｔ２）を形成する負の屈折力
を有する第４のレンズ群（ＬＧ４）と、 光束の第３のふくらみ部分（Ｂ３）を形成する正の屈折
力を有する第５のレンズ群（ＬＧ５）とから構成される
レンズ構造を有するマイクロリソグラフィ用投影対物レ
ンズにおいて、 光学系絞り（ＡＳ）は第５のレンズ群（ＬＧ５）、特
に、光束が最大の直径となるレンズ（Ｌ２２）及びそれ
に隣接する２つのレンズ（Ｌ２１，Ｌ２３）の領域に配
置されていることを特徴とするマイクロリソグラフィ用
投影対物レンズ。 - 【請求項１２】 光学系絞り（ＡＳ）は第５のレンズ群
（ＬＧ５）の２つの収束レンズ（Ｌ２１，Ｌ２２）の間
に配置されていることを特徴とする請求項１から１１の
少なくとも１項に記載のマイクロリソグラフィ用投影対
物レンズ。 - 【請求項１３】 第２のレンズ群（ＬＧ２）は少なくと
も２つの負レンズ（２０６，２０８〜２１０）と、１つ
の正レンズ（２０７）とを含むことを特徴とする請求項
１から１２の少なくとも１項に記載のマイクロリソグラ
フィ用投影対物レンズ。 - 【請求項１４】 第１のレンズ（２０１）は物体側が凹
形であることを特徴とする請求項１から１３の少なくと
も１項に記載のマイクロリソグラフィ用投影対物レン
ズ。 - 【請求項１５】 第４のレンズ群（ＬＧ４）の領域の第
２のくびれ部分（Ｔ２）の周囲に、３つの負レンズ（Ｌ
１５〜Ｌ１７）が配置されていることを特徴とする請求
項１から１４の少なくとも１項に記載のマイクロリソグ
ラフィ用投影対物レンズ。 - 【請求項１６】 最後の物体側レンズ（Ｌ３１）の前の
全てのレンズにおける縁部ビームのｉ角の正弦（ｓｉｎ
ｉrand）は物体側開口数（ＮＡ）より小さい（ｓｉｎｉ
rand＜ＮＡ）ことを特徴とする請求項１から１５の少な
くとも１項に記載のマイクロリソグラフィ用投影対物レ
ンズ。 - 【請求項１７】 光源（１）、特にＤＵＶエキシマーレ
ーザーと、 照明光学系（Ｂ）と、 マスク保持／調整装置（７，７１）と、 請求項１から１６の少なくとも１項に記載の投影対物レ
ンズ（Ｐ）と、 物体保持／調整装置（９，９１）とを具備するマイクロ
リソグラフィの投影露光装置。 - 【請求項１８】 照明光学系（Ｂ）は様々な照明モー
ド、特に様々なコヒーレンスレベルで照明し且つ投影対
物レンズ（Ｐ）は様々な照明モードに対して１０nm以
下、好ましくは６nm以下の歪みを保持することを特徴と
する請求項１６記載の投影露光装置。 - 【請求項１９】 請求項１７及び９の特徴を有する投影
露光装置により複数のマイクロリソグラフィ用露光を使
用して微細構造素子を製造する方法において、様々な露
光に際して様々な照明モード及び／又は開口数が設定さ
れる方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19855108A DE19855108A1 (de) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | Mikrolithographisches Reduktionsobjektiv, Projektionsbelichtungsanlage und -Verfahren |
| DE19855108.8 | 1998-11-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000171706A true JP2000171706A (ja) | 2000-06-23 |
| JP2000171706A5 JP2000171706A5 (ja) | 2006-12-28 |
Family
ID=7889445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11317966A Pending JP2000171706A (ja) | 1998-11-30 | 1999-11-09 | マイクロリソグラフィ用縮小対物レンズ，投影露光装置及び投影露光方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6349005B1 (ja) |
| EP (2) | EP1686405A1 (ja) |
| JP (1) | JP2000171706A (ja) |
| KR (1) | KR100671317B1 (ja) |
| DE (1) | DE19855108A1 (ja) |
| TW (1) | TW480347B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007311783A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-29 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| WO2012072004A1 (zh) * | 2010-12-01 | 2012-06-07 | 上海微电子装备有限公司 | 一种投影物镜系统及使用该投影物镜系统的微光刻系统 |
| KR101200654B1 (ko) | 2003-12-15 | 2012-11-12 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 고 개구율 및 평평한 단부면을 가진 투사 대물렌즈 |
| JP2020535482A (ja) * | 2017-09-29 | 2020-12-03 | シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント（グループ）カンパニー リミティド | 投影対物レンズ |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1195095A (ja) | 1997-09-22 | 1999-04-09 | Nikon Corp | 投影光学系 |
| US6700645B1 (en) | 1998-01-22 | 2004-03-02 | Nikon Corporation | Projection optical system and exposure apparatus and method |
| US6635914B2 (en) * | 2000-09-08 | 2003-10-21 | Axon Technologies Corp. | Microelectronic programmable device and methods of forming and programming the same |
| WO2001023933A1 (fr) | 1999-09-29 | 2001-04-05 | Nikon Corporation | Systeme optique de projection |
| EP1139138A4 (en) | 1999-09-29 | 2006-03-08 | Nikon Corp | PROJECTION EXPOSURE PROCESS, DEVICE AND OPTICAL PROJECTION SYSTEM |
| EP1094350A3 (en) * | 1999-10-21 | 2001-08-16 | Carl Zeiss | Optical projection lens system |
| US6590715B2 (en) * | 1999-12-21 | 2003-07-08 | Carl-Zeiss-Stiftung | Optical projection system |
| JP2001343582A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-14 | Nikon Corp | 投影光学系、当該投影光学系を備えた露光装置、及び当該露光装置を用いたマイクロデバイスの製造方法 |
| JP3413160B2 (ja) * | 2000-06-15 | 2003-06-03 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた走査型露光装置 |
| DE10064685A1 (de) * | 2000-12-22 | 2002-07-04 | Zeiss Carl | Lithographieobjektiv mit einer ersten Linsengruppe, bestehend ausschließlich aus Linsen positiver Brechkraft |
| EP1344112A2 (de) * | 2000-12-22 | 2003-09-17 | Carl Zeiss SMT AG | Projektionsobjektiv |
| JP2002244034A (ja) | 2001-02-21 | 2002-08-28 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
| JP2002323653A (ja) | 2001-02-23 | 2002-11-08 | Nikon Corp | 投影光学系，投影露光装置および投影露光方法 |
| JP2002323652A (ja) | 2001-02-23 | 2002-11-08 | Nikon Corp | 投影光学系，該投影光学系を備えた投影露光装置および投影露光方法 |
| DE10138847A1 (de) * | 2001-08-15 | 2003-02-27 | Zeiss Carl | Blende für eine Integratoreinheit |
| DE10143385C2 (de) | 2001-09-05 | 2003-07-17 | Zeiss Carl | Projektionsbelichtungsanlage |
| WO2003075096A2 (de) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Carl Zeiss Smt Ag | Refraktives projektionsobjektiv |
| US7154676B2 (en) * | 2002-03-01 | 2006-12-26 | Carl Zeiss Smt A.G. | Very-high aperture projection objective |
| DE10229249A1 (de) | 2002-03-01 | 2003-09-04 | Zeiss Carl Semiconductor Mfg | Refraktives Projektionsobjektiv mit einer Taille |
| US7190527B2 (en) | 2002-03-01 | 2007-03-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective |
| AU2003208872A1 (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection lens with a middle part |
| DE10210899A1 (de) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
| DE10221386A1 (de) | 2002-05-14 | 2003-11-27 | Zeiss Carl Smt Ag | Projektionsbelichtungssystem |
| US8208198B2 (en) | 2004-01-14 | 2012-06-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
| US20080151365A1 (en) | 2004-01-14 | 2008-06-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective |
| US8107162B2 (en) | 2004-05-17 | 2012-01-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective with intermediate images |
| CN100370313C (zh) * | 2005-05-20 | 2008-02-20 | 清华大学 | 傅里叶变换光学系统及体全息存储傅里叶变换光学系统 |
| DE102008001497A1 (de) | 2007-05-07 | 2008-11-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie und Subsystem einer Projektionsbelichtungsanlage |
| CN101587230B (zh) * | 2009-04-09 | 2010-12-29 | 上海微电子装备有限公司 | 一种投影物镜 |
| CN102540416B (zh) * | 2010-12-10 | 2014-09-17 | 上海微电子装备有限公司 | 大视场大工作距投影光刻物镜 |
| CN102540415B (zh) * | 2010-12-10 | 2014-06-18 | 上海微电子装备有限公司 | 一种投影光刻物镜 |
| CN102981249B (zh) * | 2012-09-21 | 2015-01-28 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种投影光学系统 |
| US10702057B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-07-07 | Colgate-Palmolive Company | Oral care implement and monofilament bristle for use with the same |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19818444A1 (de) * | 1997-04-25 | 1998-10-29 | Nikon Corp | Abbildungsoptik, Projektionsoptikvorrichtung und Projektionsbelichtungsverfahren |
| JPH1197344A (ja) * | 1997-07-24 | 1999-04-09 | Nikon Corp | 投影光学系、該光学系を備えた露光装置、及び該装置を用いたデバイスの製造方法 |
| JPH1195095A (ja) * | 1997-09-22 | 1999-04-09 | Nikon Corp | 投影光学系 |
| JPH11133301A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-05-21 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置及び半導体デバイスの製造方法 |
| JPH11214293A (ja) * | 1998-01-22 | 1999-08-06 | Nikon Corp | 投影光学系及び該光学系を備えた露光装置並びにデバイス製造方法 |
| JP2000056219A (ja) * | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影光学系 |
| JP2000066075A (ja) * | 1998-08-17 | 2000-03-03 | Nikon Corp | 光学系及びその製造方法、並びに前記光学系を備えた露光装置 |
| JP2000121933A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-04-28 | Nikon Corp | 投影光学系及びそれを備えた露光装置並びにデバイス製造方法 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US337647A (en) | 1886-03-09 | Band-saw mill | ||
| DD299017A7 (de) | 1988-09-02 | 1992-03-26 | Jenoptik Carl Zeiss Jena Gmbh,De | Projektionsobjektiv |
| US5105075A (en) | 1988-09-19 | 1992-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
| SU1659955A1 (ru) | 1989-07-31 | 1991-06-30 | Конструкторское бюро точного электронного машиностроения | Проекционный объектив с увеличением - 1/5 @ |
| US5469299A (en) * | 1990-05-15 | 1995-11-21 | Olympus Optical Co., Ltd. | Objective lens system |
| JP3041939B2 (ja) * | 1990-10-22 | 2000-05-15 | 株式会社ニコン | 投影レンズ系 |
| DE4124311A1 (de) | 1991-07-23 | 1993-01-28 | Zeiss Carl Fa | Anordnung zur kohaerenzreduktion und strahlformung eines laserstrahls |
| DE19520563A1 (de) | 1995-06-06 | 1996-12-12 | Zeiss Carl Fa | Beleuchtungseinrichtung für ein Projektions-Mikrolithographie-Gerät |
| US6285443B1 (en) | 1993-12-13 | 2001-09-04 | Carl-Zeiss-Stiftung | Illuminating arrangement for a projection microlithographic apparatus |
| ES1027924Y (es) | 1994-05-06 | 1995-04-01 | Medina Manuel Sierra | Chaleco de seguridad autoinchable para motoristas. |
| DE4421053A1 (de) | 1994-06-17 | 1995-12-21 | Zeiss Carl Fa | Beleuchtungseinrichtung |
| EP0687956B2 (de) | 1994-06-17 | 2005-11-23 | Carl Zeiss SMT AG | Beleuchtungseinrichtung |
| JPH08179204A (ja) | 1994-11-10 | 1996-07-12 | Nikon Corp | 投影光学系及び投影露光装置 |
| JP3500745B2 (ja) | 1994-12-14 | 2004-02-23 | 株式会社ニコン | 投影光学系、投影露光装置及び投影露光方法 |
| JP3454390B2 (ja) | 1995-01-06 | 2003-10-06 | 株式会社ニコン | 投影光学系、投影露光装置及び投影露光方法 |
| JP3819048B2 (ja) | 1995-03-15 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 投影光学系及びそれを備えた露光装置並びに露光方法 |
| JP3402850B2 (ja) | 1995-05-09 | 2003-05-06 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| JP3624973B2 (ja) | 1995-10-12 | 2005-03-02 | 株式会社ニコン | 投影光学系 |
| DE19548805A1 (de) * | 1995-12-27 | 1997-07-03 | Zeiss Carl Fa | REMA-Objektiv für Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen |
| JP3750123B2 (ja) | 1996-04-25 | 2006-03-01 | 株式会社ニコン | 投影光学系 |
| JPH1048517A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-20 | Nikon Corp | 投影光学系 |
| JPH1079345A (ja) | 1996-09-04 | 1998-03-24 | Nikon Corp | 投影光学系及び露光装置 |
| US5852490A (en) * | 1996-09-30 | 1998-12-22 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
| DE19653983A1 (de) * | 1996-12-21 | 1998-06-25 | Zeiss Carl Fa | REMA-Objektiv für Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen |
-
1998
- 1998-11-30 DE DE19855108A patent/DE19855108A1/de not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-09-14 KR KR1019990039313A patent/KR100671317B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-10-12 US US09/416,105 patent/US6349005B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-10-23 EP EP06003699A patent/EP1686405A1/de not_active Withdrawn
- 1999-10-23 EP EP99121205A patent/EP1006389A3/de not_active Ceased
- 1999-11-09 TW TW088119509A patent/TW480347B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-11-09 JP JP11317966A patent/JP2000171706A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19818444A1 (de) * | 1997-04-25 | 1998-10-29 | Nikon Corp | Abbildungsoptik, Projektionsoptikvorrichtung und Projektionsbelichtungsverfahren |
| JPH1197344A (ja) * | 1997-07-24 | 1999-04-09 | Nikon Corp | 投影光学系、該光学系を備えた露光装置、及び該装置を用いたデバイスの製造方法 |
| JPH11133301A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-05-21 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置及び半導体デバイスの製造方法 |
| JPH1195095A (ja) * | 1997-09-22 | 1999-04-09 | Nikon Corp | 投影光学系 |
| JPH11214293A (ja) * | 1998-01-22 | 1999-08-06 | Nikon Corp | 投影光学系及び該光学系を備えた露光装置並びにデバイス製造方法 |
| JP2000056219A (ja) * | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影光学系 |
| JP2000066075A (ja) * | 1998-08-17 | 2000-03-03 | Nikon Corp | 光学系及びその製造方法、並びに前記光学系を備えた露光装置 |
| JP2000121933A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-04-28 | Nikon Corp | 投影光学系及びそれを備えた露光装置並びにデバイス製造方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101200654B1 (ko) | 2003-12-15 | 2012-11-12 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 고 개구율 및 평평한 단부면을 가진 투사 대물렌즈 |
| JP2007311783A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-29 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| US7952803B2 (en) | 2006-05-15 | 2011-05-31 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| WO2012072004A1 (zh) * | 2010-12-01 | 2012-06-07 | 上海微电子装备有限公司 | 一种投影物镜系统及使用该投影物镜系统的微光刻系统 |
| US8970964B2 (en) | 2010-12-01 | 2015-03-03 | Shanghai Micro Electronics Equipment Co., Ltd. | Projection objective lens system |
| JP2020535482A (ja) * | 2017-09-29 | 2020-12-03 | シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント（グループ）カンパニー リミティド | 投影対物レンズ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6349005B1 (en) | 2002-02-19 |
| EP1006389A3 (de) | 2002-03-20 |
| DE19855108A1 (de) | 2000-05-31 |
| KR100671317B1 (ko) | 2007-01-18 |
| EP1006389A2 (de) | 2000-06-07 |
| TW480347B (en) | 2002-03-21 |
| EP1686405A1 (de) | 2006-08-02 |
| KR20000034926A (ko) | 2000-06-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000171706A (ja) | マイクロリソグラフィ用縮小対物レンズ，投影露光装置及び投影露光方法 | |
| USRE38421E1 (en) | Exposure apparatus having catadioptric projection optical system | |
| US5861997A (en) | Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same | |
| KR100615068B1 (ko) | 반사 굴절 광학 시스템 및 이를 구비하는 노광 장치 | |
| US6392822B1 (en) | Dual-imaging optical system | |
| JP4717974B2 (ja) | 反射屈折光学系及び該光学系を備える投影露光装置 | |
| KR100387003B1 (ko) | 투영광학시스템,투영노광장치,노광방법,및노광장치제조방법 | |
| US5675401A (en) | Illuminating arrangement including a zoom objective incorporating two axicons | |
| KR100485376B1 (ko) | 투영광학계와이를구비하는노광장치,및디바이스제조방법 | |
| JPH103039A (ja) | 反射屈折光学系 | |
| EP0828172A1 (en) | Optical projection system and exposure apparatus | |
| JP3925576B2 (ja) | 投影光学系、該光学系を備えた露光装置、及び該装置を用いたデバイスの製造方法 | |
| JP2001185480A (ja) | 投影光学系及び該光学系を備える投影露光装置 | |
| JPH09197270A (ja) | マイクロリソグラフィ用投影露光装置のｒｅｍａ対物レンズ | |
| JP2000171699A (ja) | 投影対物レンズ | |
| US5891806A (en) | Proximity-type microlithography apparatus and method | |
| USRE38438E1 (en) | Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same | |
| US7170686B2 (en) | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method using the same | |
| KR100888011B1 (ko) | 리소그래피 시스템의 조명 시스템에서 사용되는 릴레이렌즈 | |
| US20030210385A1 (en) | Projection optical system, a projection exposure apparatus provided with the same, as well as a device manufacturing method | |
| JPH0572478A (ja) | カタジオプトリツク縮小対物レンズ | |
| KR20010049550A (ko) | 투영광학계 및 이것을 가진 투영노광장치, 그리고디바이스제조방법 | |
| EP0581585A1 (en) | Catadioptric reduction projection optical system | |
| JP2000121933A (ja) | 投影光学系及びそれを備えた露光装置並びにデバイス製造方法 | |
| JPH1010429A (ja) | ２回結像光学系 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040819 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061109 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061109 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061222 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20061222 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100209 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100720 |