JP2000121933A

JP2000121933A - 投影光学系及びそれを備えた露光装置並びにデバイス製造方法

Info

Publication number: JP2000121933A
Application number: JP10290584A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Hatada; 仁志畑田
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1998-10-13
Filing date: 1998-10-13
Publication date: 2000-04-28

Abstract

(57)【要約】【課題】十分な露光範囲と大きな開口数との双方を実現
する【解決手段】第１物体Ｒの像を第２物体Ｗ上に形成する
投影光学系は、第１物体側から順に、正の第１レンズ群
Ｇ１と、負の第２レンズ群Ｇ２と、正の第３レンズ群Ｇ
３と、負の第４レンズ群Ｇ４と、正の第５レンズ群Ｇ５
と、正の第６レンズ群Ｇ６とを備える。第３レンズ群
は、連続して配置された少なくとも５枚の正レンズを含
み、第５レンズ群は、最も第２物体側の第１負レンズＧ
５ｎ１と、この第１負レンズＧ５ｎ１よりも第１物体側
の第２負レンズＧ５ｎ２と、これら第１及び第２負レン
ズの間に位置する少なくとも４枚の第２物体側に凹の正
メニスカスレンズとを有する。この構成において、第３
レンズ群中の少なくとも５枚の正レンズのパワーと、第
５レンズ群中の少なくとも４枚の正レンズのパワーとを
規定した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、半導体素子や液晶
表示素子等を製造するためのリソグラフィ工程中におい
て、投影原版上のパターンを基板上に転写する際に使用
される投影露光装置、この投影露光装置に好適な投影光
学系、及びこの投影露光装置を用いたデバイス（半導体
素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等）の
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来において、上述の如き投影露光装置
に用いられる投影光学系に好適な光学系としては、例え
ば特開平9-105861号公報などに開示されているものが知
られている。この特開平9-105861号公報に開示される投
影光学系は、物体側及び像側の双方が実質的にテレセン
トリックとなっている光学系である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】近年においては、製造
されるデバイスにおけるパターンの微細化が進むに従っ
て、より細かいパターンを形成するための高解像な投影
光学系が求められている。従って、露光光の波長を短波
長化して解像度の向上を図った露光装置においても、よ
り大きな開口数を達成して更に解像度の向上を図ること
が要求されている。

【０００４】そこで、本発明は、十分な露光範囲を有し
つつ、大きな開口数を持つ投影露光光学系を提供するこ
とを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の請求項１にかかる投影露光光学系は、例
えば図１に示す如く、第１物体Ｒの像を第２物体Ｗ上に
形成する投影光学系であって、第１物体側から順に、正
のパワーを有する第１レンズ群Ｇ１と；負のパワーを有
する第２レンズ群Ｇ２と；連続して配置された少なくと
も５枚の正レンズを含み、正のパワーを有する第３レン
ズ群Ｇ３と；負のパワーを有する第４レンズ群Ｇ４と；
少なくとも２枚の負レンズを含み、全体として正のパワ
ーを有する第５レンズ群Ｇ５と；正のパワーを有する第
６レンズ群Ｇ６と；を備える。そして、第５レンズ群Ｇ
５の少なくとも２枚の負レンズは、第５レンズ群Ｇ５中
で最も第２物体Ｗ側に配置される第１の負レンズＧ５ｎ
１と、この第１の負レンズＧ５ｎ１よりも第１物体Ｒ側
に配置される第２の負レンズＧ５ｎ２とを含み、第５レ
ンズ群Ｇ５中の第１の負レンズＧ５ｎ１と第２の負レン
ズＧ５ｎ２との間には、少なくとも４枚の第２物体側に
凹面を向けた正メニスカスレンズが配置される。そし
て、以下の条件式を満足する。（１）１．０＜Ｆ3a／Ｆ3 ＜３．０（２）１．０＜Ｆ5a／Ｆ5 ＜５．０（３）０．５＜Ｆ3a／Ｆ5a＜５．０（４） PEN ／ＴＴ＞５但し、Ｆ3a：第３レンズ群Ｇ３中の少なくとも５枚の正レンズ
の合成焦点距離、Ｆ3 ：第３レンズ群Ｇ３の焦点距離、Ｆ5a：第５レンズ群Ｇ５中の少なくとも４枚の正メニス
カスレンズの合成焦点距離、Ｆ5 ：第５レンズ群Ｇ５の焦点距離、 PEN：最も第１物体Ｒ側に位置するレンズの第１物体側
のレンズ面から近軸入射瞳位置までの距離、 TT ：第１物体Ｒから第２物体Ｗまでの光軸に沿った距
離、である。

【０００６】また、本発明の請求項２にかかる投影光学
系は、請求項１記載の投影光学系において、投影光学系
の像側最大開口数をＮＡとしたとき、ＮＡ＞０．６８を
満足するものである。また、本発明の請求項３にかかる
投影光学系は、請求項１または請求項２の投影光学系に
おいて、第１レンズＧ１群は少なくとも３枚以上の正レ
ンズを含み、第２レンズ群Ｇ２は少なくとも４枚の負レ
ンズを含み、第３レンズ群Ｇ３は少なくとも３枚以上の
レンズ群を含み、第４レンズ群Ｇ４は少なくとも３枚の
負レンズ群を含み、第５レンズ群Ｇ５は少なくとも６枚
の正レンズを含み、第６レンズ群Ｇ６は少なくとも１枚
の負レンズを含むものである。

【０００７】また、本発明の請求項４にかかる投影光学
系は、請求項１〜請求項３の何れかの投影光学系におい
て、以下の条件式を満足するものである。（５）０．１３＜Ｆ1 ／TT ＜０．１６（６）０．０７０＜−Ｆ2 ／TT ＜０．０５６（７）０．１０８＜Ｆ3 ／TT ＜０．１１４（８）０．０５５＜−Ｆ4 ／TT ＜０．０６１（９）０．０８７＜Ｆ5 ／TT ＜０．０９５（１０）０．１４＜Ｆ6 ／TT ＜０．１５但し、Ｆ1 ：第１レンズ群Ｇ１の焦点距離、Ｆ2 ：第２レンズ群Ｇ２の焦点距離、Ｆ3 ：第３レンズ群Ｇ３の焦点距離、Ｆ4 ：第４レンズ群Ｇ４の焦点距離、Ｆ5 ：第５レンズ群Ｇ５の焦点距離、Ｆ6 ：第６レンズ群Ｇ６の焦点距離、 TT ：第１物体Ｒから第２物体Ｗまでの光軸に沿った距
離（物像間距離）、である。

【０００８】また、本発明の請求項５にかかる投影光学
系は、請求項１〜請求項４の何れかの投影光学系におい
て、以下の条件式を満足するものである。

【０００９】

【数２】

【００１０】但し、Ｅφ：投影光学系の最大有効径Ｈｉ：第２物体上の最大像高ＮＡ：投影光学系の像側最大開口数である。

【００１１】また、本発明の請求項６にかかる投影露光
装置は、例えば図７に示す如く、投影原版Ｒ上のパター
ンを感光性基板Ｗ上へ投影する投影露光装置であって、
狭帯化された光を供給する光源ＬＳと；この狭帯化され
た光により投影原版を照明する照明光学系ＩＳと；請求
項１乃至請求項５の何れか一項記載の投影光学系ＰＬ
と；を備え、投影光学系ＰＬは、第１面上に投影原版が
位置し、かつ第２面上に感光性基板が位置するように位
置決めされ、投影光学系ＰＬを構成するレンズの材質が
単一種類である。

【００１２】また、本発明の請求項７にかかるデバイス
製造方法は、所定の回路パターンが描かれた原板を紫外
域の露光光で照明する工程と、請求項１乃至請求項６の
いずれか一項記載の投影光学系を用いて照明された原板
の像を基板上に形成する工程とを含むものである。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる投影光学系
について図１を参照して説明する。正の屈折力を有する
第１レンズ群Ｇ１は、第１物体面Ｒからテレセントリッ
クに出射した光束を開口絞りＡＳへと導くために必要な
光学系であると同時に、第２、第４レンズ群Ｇ２，Ｇ４
で発生する負のディストーションを補償する働きをす
る。負の屈折力を有する第２レンズ群Ｇ２は、第４レン
ズ群Ｇ４とともにペッツバール和を負の方向に補正する
働きを持つ。第３レンズ群Ｇ３は、第５レンズ群Ｇ５及
び第６レンズ群Ｇ６と共に物体の実像を形成させるため
の正の屈折力を有している。第４レンズ群Ｇ４は、上述
のように負のペッツバール和を発生させるとともに、第
３、第５および第６レンズ群Ｇ３，Ｇ５，Ｇ６によって
発生する負の球面収差を補正する働きを持つ。

【００１４】さて、第２物体側から考えると、第６レン
ズ群Ｇ６は、大きな開口数の光束を無理なく正の屈折力
の第５レンズ群Ｇ５へ導くための適切な正のパワーを有
している。第５レンズ群Ｇ５は、上述のように正の屈折
力を持ち、第４レンズ群Ｇ４との組み合わせによって大
きな開口数の光束を良好な収差状態で結像させる機能を
有している。

【００１５】本発明では第５レンズ群Ｇ５において、最
も第２物体側に配置される第１の負レンズＧ５ｎ１の第
１物体側には、凹面を第２物体側に向けた少なくとも４
枚の正メニスカスレンズが配置されている。これら少な
くとも４枚の正メニスカスレンズを通過する光束は、投
影光学系の第２物体側の開口数が大きいために大きな開
口数を有することになり、この位置でのレンズ面に対す
る光線の角度は大きくなる。そこで、本発明では、この
位置に置かれるレンズを、第２物体側に凹面を向けたメ
ニスカス形状のレンズとして光線を緩やかに曲げて、収
差発生を抑えている。

【００１６】また、本発明では、第３レンズ群Ｇ３中に
少なくとも５枚の正レンズを配置することによって、第
５レンズ群Ｇ５の正のパワーを補い、かつペッツバール
和を適正に補正する働きをさせている。なお、本発明に
おいては、第２レンズ群Ｇ２は少なくとも２組の互いに
向かい合う凹面の組を有することが好ましく、また、第
４レンズ群Ｇ４は少なくとも１組の互いに向かい合う凹
面の組を有することが好ましい。この構成は、適切な位
置に負のパワーの集合体を配置することを意味し、これ
によって、より効果的にペッツバール和の補正を行うこ
とが可能となる。

【００１７】さて、本発明では、第３レンズ群Ｇ３中の
少なくとも５枚の正レンズの合成焦点距離をＦ3aとし、
第３レンズ群Ｇ３の焦点距離をＦ3 とするとき、以下の
条件式（１）を満足することが好ましい（１）１．０＜Ｆ3a／Ｆ3 ＜３．０この条件式（１）は、正のパワーを持つ第３レンズ群Ｇ
３と第３レンズ群中に配置される少なくとも５枚の正レ
ンズとの適切なパワー配分の関係を示しており、縮小投
影するために原板の広い範囲に描かれたパターンをディ
ストーションの良好に補正された像として結像するため
の条件である。この条件式（１）の上限を越えると、相
対的に第３レンズ群Ｇ３全体のパワーが強くなることを
意味しており、正のディストーションと内コマが大きく
発生してそれらを良好に補正することが難しくなるため
好ましくない。また、条件式（１）の下限を越えると、
相対的に第３レンズ群Ｇ３の正のパワーが弱くなること
を意味しており、このときには負のディストーションが
発生しこれを良好に補正することが難しくなるため好ま
しくない。

【００１８】また、本発明においては、第５レンズ群Ｇ
５中の少なくとも４枚の正メニスカスレンズの合成焦点
距離をＦ5aとし、第５レンズ群Ｇ５の焦点距離をＦ5 と
するとき、以下の条件式（２）を満足することが好まし
い。（２）１．０＜Ｆ5a／Ｆ5 ＜５．０この条件式（２）は、正のパワーを持つ第５レンズ群Ｇ
５と第５レンズ群中の少なくとも４枚の正メニスカスレ
ンズとの適切なパワー配分の関係を示しており、縮小投
影するために原板の広い範囲に描かれたパターンをディ
ストーションの良好に補正された像として結像するため
の条件である。この条件式（２）の上限を越えると、相
対的に第５レンズ群Ｇ５全体のパワーが強くなることを
意味しており、正のディストーションと内コマが大きく
発生してそれらを良好に補正することが難しくなるため
好ましくない。また、条件式（２）の下限を越えると、
相対的に第５レンズ群Ｇ５の正のパワーが弱くなること
を意味しており、負のディストーションが発生しこれを
良好に補正することが難しくなるため好ましくない。

【００１９】また、本発明においては、第３レンズ群Ｇ
３中の少なくとも５枚の正レンズの合成焦点距離をＦ3a
とし、第５レンズ群Ｇ５中の少なくとも４枚の正メニス
カスレンズの合成焦点距離をＦ5aとするとき、以下の条
件式（３）を満足することが好ましい。（３）０．５＜Ｆ3a／Ｆ5a＜５．０この条件式（３）は、第３レンズ群Ｇ３から第５レンズ
群Ｇ５まで光束を導く際に、各レンズ群の有効径を小さ
く抑えつつ、大きな開口数の光束とするための条件であ
る。この条件式（３）の上限を越える場合、第３レンズ
群Ｇ３の正のパワーが強いことを意味しており、全体の
系に対してこの部分系（第３レンズ群Ｇ３）が物理的に
大きくなる。従って、第３レンズ群Ｇ３におけるレンズ
径が大きくなり、コストの増大を招くため好ましくな
い。一方、条件式（３）の下限を越える場合、第５レン
ズ群Ｇ５の正のパワーが強くなることを意味しており、
全体の系に対してこの部分系（第５レンズ群Ｇ５）が物
理的に大きくなる。従って、第５レンズ群Ｇ５における
レンズ径が大きくなり、コストの増大を招くため好まし
くない。

【００２０】また、本発明においては、最も第１物体Ｗ
側に位置するレンズの第１物体側のレンズ面から近軸入
射瞳位置までの距離をPEN とし、物像間距離（第１物体
から第２物体までの光軸に沿った距離）をTTとすると
き、（４） PEN ／ＴＴ＞５を満足することが好ましい。この条件式（４）は第１及
び第２物体側において実質的にテレセントリックな光学
系とするための条件であり、条件式（４）の下限を下回
ると、テレセントリシティーが悪くなってしまうため好
ましくない。

【００２１】さて、本発明においては、以下の条件式
（５）〜（１０）を満足することが望ましい。（５）０．１３＜Ｆ1 ／TT ＜０．１６（６）０．０７０＜−Ｆ2 ／TT ＜０．０５６（７）０．１０８＜Ｆ3 ／TT ＜０．１１４（８）０．０５５＜−Ｆ4 ／TT ＜０．０６１（９）０．０８７＜Ｆ5 ／TT ＜０．０９５（１０）０．１４＜Ｆ6 ／TT ＜０．１５但し、Ｆ1 ：第１レンズ群Ｇ１の焦点距離、Ｆ2 ：第２レンズ群Ｇ２の焦点距離、Ｆ3 ：第３レンズ群Ｇ３の焦点距離、Ｆ4 ：第４レンズ群Ｇ４の焦点距離、Ｆ5 ：第５レンズ群Ｇ５の焦点距離、Ｆ6 ：第６レンズ群Ｇ６の焦点距離、 TT ：第１物体Ｒから第２物体Ｗまでの光軸に沿った距
離（物像間距離）、である。

【００２２】上記条件式（５）〜（１０）は、各レンズ
群の適正なパワーを規定するものである。条件式（５）
の上限を越える場合には、第１レンズ群Ｇ１において、
第２及び第４レンズ群Ｇ２，Ｇ４で発生する負のディス
トーションを補正しきれないため好ましくない。条件式
（５）の下限を越えると、高次の正のディストーション
が発生する原因となるため好ましくない。

【００２３】条件式（６）の上限を越える場合には、ペ
ッツバール和の補正が不十分となり、像の平坦性の悪化
を招くため好ましくない。また、条件式（６）の下限を
越えると、正のディストーションの発生が大きくなり、
良好な補正が困難となるため好ましくない。条件式
（７）の上限を越える場合には、この第３レンズ群Ｇ３
と第２レンズ群Ｇ２とで形成する逆望遠系のテレ比が大
きくなり、全系の長大化を招き、また第３レンズ群にお
ける正のディストーションの発生量が小さくなり、第２
及び第４レンズ群Ｇ２，Ｇ４で発生する負のディストー
ションの補正が難しくなるため好ましくない。一方、条
件式（７）の下限を越えると、高次の球面収差およびコ
マが発生し、像の悪化を招くため好ましくない。

【００２４】条件式（８）の上限を越える場合には、ペ
ッツバール和の補正が不十分となり、像の平坦性の悪化
を招くため好ましくない。条件式（８）の下限を越える
場合には、高次の球面収差の発生原因となりコントラス
トの悪化を招くため好ましくない。条件式（９）の上限
を越える場合には、全系の長大化および径の拡大を招く
ため好ましくない。条件式（９）の下限を越えると、高
次の球面収差およびコマが発生し、像の悪化を招くため
好ましくない。

【００２５】条件式（１０）の上限を越える場合には、
第５レンズ群Ｇ５の有効径の拡大を招くため好ましくな
い。一方、条件式（１０）の下限を越える場合には、高
次のコマ収差が発生じ、像の悪化を招き好ましくない。
さて、本発明においては、投影光学系を構成する各光学
素子のうち最大有効径をＥφとし、第２物体上での最大
像高をＨｉとし、投影光学系の第２物体側の最大開口数
をＮＡとするとき、以下の条件式（１１）を満足するこ
とが好ましい。

【００２６】

【数３】

【００２７】上記条件式（１１）は、本発明の投影光学
系において、十分な光学性能を達成するための光軸方向
と光軸垂直方向との適切なスケールファクターを規定す
るものである。条件式（１１）のの上限を越える場合に
は、全長に対してレンズ径が大きくなり、特に正レンズ
群である第１レンズ群Ｇ１、第３レンズ群Ｇ３、第５レ
ンズ群Ｇ５または第６レンズ群Ｇ６のレンズ径が大きく
なり、他のレンズ群のスペースが小さくなる。その結
果、収差補正に十分なレンズ配置を実現できなくなり、
十分な光学性能を達成できなくなるので好ましくない。
また、条件式（１１）の下限を越える場合には、負のパ
ワーのレンズ群に対して、正レンズ群である第１レンズ
群Ｇ１、第３レンズ群Ｇ３、第５レンズ群Ｇ５または第
６レンズ群Ｇ６のパワーが大きくなり、高次の球面収
差、コマやディストーションが特に悪化し、十分な光学
性能を達成できなくなるので好ましくない。

【００２８】次に、本発明の投影光学系を備えた投影露
光装置の構成について図７を参照して説明する。図７
は、本例の投影光学系ＰＬを備えた投影露光装置を示
し、この図７において、投影光学系ＰＬの物体面には所
定の回路パターンが形成された投影原版としてのレチク
ルＲ（第１物体）が配置され、投影光学系ＰＬの像面に
は、基板としてのフォトレジストが塗布されたウエハＷ
（第２物体）が配置されている。レチクルＲはレチクル
ステージＲＳ上に保持され、ウエハＷはウエハステージ
ＷＳ上に保持される。そして、レチクルＲの上方には、
光源ＬＳからの光に基づいてレチクルＲを均一照明する
ための照明光学系ＩＳが配置されている。

【００２９】本例の投影光学系ＰＬは、瞳位置に可変の
開口絞りＡＳを有すると共に、レチクルＲ側及びウエハ
Ｗ側において、実質的にテレセントリックとなってい
る。そして、光源ＬＳは、ＫｒＦエキシマレーザ光源か
らなり、波長２４８ｎｍの露光光を供給する。なお、な
お、露光用の光源としては、波長１９３ｎｍのＡｒＦエ
キシマレーザ、波長１５７ｎｍのＦ₂エキシマレーザ、
波長１４７ｎｍのＫｒ₂レーザ、ＹＡＧレーザの高調
波、または水銀ランプのｉ線（波長３６５ｎｍ）等を使
用することもできる。

【００３０】照明光学系ＩＳは、光源ＬＳからの露光光
の照度分布を均一化するためのフライアイレンズ、照明
系開口絞り、可変視野絞り（レチクルブラインド）、及
びコンデンサレンズ系等から構成されている。照明光学
系ＩＳから供給される露光光は、レチクルＲを照明し、
投影光学系ＰＬの瞳位置（開口絞りＡＳの位置）には照
明光学装置ＩＳ中の光源の像が形成され、所謂ケーラー
照明が行われる。そして、ケーラー照明されたレチクル
Ｒのパターンの像が、投影光学系ＰＬを介して投影倍率
β（｜β｜は本例では１／４であるが、他に１／５、１
／６等もある）で縮小されてウエハＷ上に露光（転写）
される。

【００３１】以下、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに平行に
Ｚ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内で図７の紙面に平行に
Ｘ軸を取り、図７の紙面に垂直にＹ軸を取って説明す
る。このとき、レチクルステージＲＳは、Ｘ方向、Ｙ方
向、Ｚ軸を中心とした回転方向にレチクルＲの位置決め
を行い、ウエハステージＷＳは、ウエハＷの表面を投影
光学系ＰＬの像面に合わせ込むと共に、Ｘ方向、Ｙ方向
へのウエハＷの位置決めを行う。

【００３２】レチクルＲとウエハＷとを投影光学系ＰＬ
に対して投影倍率βを速度比として同期走査することに
より、レチクルＲのパターン像をウエハＷ上の１つのシ
ョット領域へ転写した後、ウエハステージＷＳをステッ
ピング駆動することによって、ウエハＷ上の次のショッ
ト領域へ投影光学系のスリット状の露光領域を移動さ
せ、このショット領域に対して走査露光を行うという動
作がステップ・アンド・スキャン方式で繰り返される。
なお、本発明の投影光学系は、ウエハＷ上の１つのショ
ット領域へのレチクルＲのパターン像の露光が終わった
後、ウエハステージＷＳをステッピング駆動することに
よって、ウエハＷ上の次のショット領域を投影光学系Ｐ
Ｌの露光領域に移動して露光を行うというステップ・ア
ンド・リピート方式（一括露光方式）の投影露光装置に
も適用できる。

【００３３】

【実施例】以下、本発明にかかる投影光学系の数値実施
例について図面を参照して説明する。ここで、図１は第
１実施例の投影光学系のレンズ断面図であり、図４は第
２実施例の投影光学系のレンズ断面図である。［第１実施例］図１において、第１実施例の投影光学系
は、第１物体（レチクルＲ）側から順に、正の屈折力の
第１レンズ群Ｇ１と、負の屈折力の第２レンズ群Ｇ２
と、正の屈折力の第３レンズ群Ｇ３と、負の屈折力Ｇ４
と、正の屈折力の第５レンズ群Ｇ５と正の屈折力の第６
レンズ群Ｇ６とから構成される。

【００３４】第１レンズ群Ｇ１は、第１物体側から順
に、第１物体側に凸の負のメニスカスレンズＬ１１、両
凸レンズＬ１２、両凸レンズＬ１３、及び第１物体側に
凸の正のメニスカスレンズＬ１４からなる。第２レンズ
群Ｇ２は、第１物体側へ凸の負のメニスカスレンズＬ２
１、第１物体側へ凸の負のメニスカスレンズＬ２２、両
凹レンズＬ２３、及び両凹レンズＬ２４からなる。

【００３５】第３レンズ群Ｇ３は、第２物体側に凸の正
のメニスカスレンズＬ３１、第２物体側に凸の負のメニ
スカスレンズＬ３２、第２物体側に凸の正のメニスカス
レンズＬ３３、両凸レンズＬ３４、両凸レンズＬ３５、
第１物体側に正のメニスカスレンズＬ３６、及び第１物
体側に正のメニスカスレンズＬ３７からなる。第４レン
ズ群Ｇ４は、第１物体側に凸の負メニスカスレンズＬ４
１、両凹レンズＬ４２、第２物体側に凸の負のメニスカ
スレンズＬ４３、及び第２物体側に凸の負のメニスカス
レンズＬ４４からなる。

【００３６】第５レンズ群Ｇ５は、第２物体側に凸の正
のメニスカスレンズＬ５１、第２物体側に凸の正メニス
カスレンズＬ５２、両凸レンズＬ５３、第２物体側に凸
の負メニスカスレンズＬ５４、第１物体側に凸の正メニ
スカスレンズＬ５５、第１物体側に凸の正メニスカスレ
ンズＬ５６、第１物体側に凸の正メニスカスレンズＬ５
７、第１物体側に凸の正メニスカスレンズＬ５８、及び
第２物体側に凹の負メニスカスレンズＬ５９からなる。

【００３７】第６レンズ群Ｇ６は、第１物体側に凸の正
メニスカスレンズＬ６１からなる。そして、本実施例で
は、開口絞りＡＳは、第５レンズ群Ｇ５中の第２物体側
に凸の正メニスカスレンズＬ５２と両凸レンズＬ５３と
の間の光路中に配置されている。ここで、第３レンズ群
Ｇ３においては、第２物体側に凸の正のメニスカスレン
ズＬ３３、両凸レンズＬ３４、両凸レンズＬ３５、第１
物体側に正のメニスカスレンズＬ３６、及び第１物体側
に正のメニスカスレンズＬ３７が連続して配置された少
なくとも５枚の正レンズに対応している。また、第５レ
ンズ群Ｇ５においては、第２物体側に凹の負メニスカス
レンズＬ５９が最も第２物体側に配置されて第２物体側
に凹面を向けた第１の負レンズＧ５ｎ１に対応し、第２
物体側に凸の負メニスカスレンズＬ５４が第２の負レン
ズＧ５ｎ２に対応し、第１物体側に凸の正メニスカスレ
ンズＬ５５、第１物体側に凸の正メニスカスレンズＬ５
６、第１物体側に凸の正メニスカスレンズＬ５７、及び
第１物体側に凸の正メニスカスレンズＬ５８が第１及び
第２の負レンズＧ１ｎ１，Ｇ５ｎ２の間に配置される少
なくとも４枚の正のメニスカスレンズに対応している。
次に、この第１の実施の形態の投影光学系の諸元の値を
表１に掲げる。但し、表１において、Ｄ０はレチクルＲ
（第１物体）から第１レンズ群Ｇ１の最もレチクルＲ側
のレンズ面までの光軸上の距離、ＷＤは第６レンズ群Ｇ
６の最もウエハＷ（第２物体）側のレンズ面からウエハ
Ｗまでの光軸上の距離（作動距離）、βは投影光学系の
投影倍率、ＮＡは投影光学系のウエハＷ側の開口数、φ
ＥＸは投影光学系のウエハＷ面における円形の露光領域
（投影領域）の直径、ＴＴは物像間（レチクルＲとウエ
ハＷとの間）の光軸上の距離、ＰＥＮは最もレチクルＲ
側に位置するレンズのレチクルＲ側レンズ面から近軸入
射瞳位置までの距離、Ｅφは各レンズ面の最大有効径で
あり、距離、又は長さの単位は一例としてｍｍである。
さらに、表１の下欄において、左端の数字はレチクルＲ
（第１物体）側からのレンズ面の順序を示し、Ｒｄｉの
列には当該レンズ面の曲率半径を示し、Ｔｈｉの列には
当該レンズ面から次のレンズ面までの間隔を示し、Ｇｌ
ａの列には硝材の種類を示し、ＣＬの列には当該レンズ
面の有効径を示している。

【００３８】なお、本実施例では、硝材として合成石英
（ＳｉＯ₂）を用いており、この露光波長（２４８．４
ｎｍ）における屈折率は１．５０８３９である。

【００３９】

【表１】Ｄ０＝９６．０４３ＷＤ＝２２．１７９｜β｜＝１／４ＮＡ＝０．６８ φＥＸ＝２６．４ＴＴ＝１２４７．９０３ＰＥＮ＝６５３０．７３３Ｅφ＝２６８．５１ＲｄｉＴｈｉＧｌａＣＬ O: ∞ 96.043 （物体面） 1: 1410.751 13.279 SiO₂ 140.52 L11 2: 286.107 4.853 144.55 3: 363.441 23.160 SiO₂ 146.36 L12 4: -572.117 1.742 148.91 5: 340.506 22.423 SiO₂ 152.27 L13 6: -889.282 1.181 152.16 7: 297.190 21.855 SiO₂ 150.69 L14 8: -816.455 0.445 148.55 9: 254.111 32.130 SiO₂ 141.94 L21 10: 122.930 18.432 122.40 11: 484.465 11.968 SiO₂ 121.16 L22 12: 138.856 28.315 116.46 13: -265.568 16.192 SiO₂ 117.59 L23 14: 286.107 25.171 124.59 15: -153.120 19.246 SiO₂ 127.36 L24 16: 2955.373 15.968 151.90 17: -274.463 22.234 SiO₂ 156.37 L31 18: -169.454 11.188 167.74 19: -131.939 19.889 SiO₂ 169.95 L32 20: -183.868 1.711 196.12 21: -384.358 35.921 SiO₂ 212.78 L33 22: -190.941 1.841 225.65 23: 733.657 39.268 SiO₂ 259.40 L34 24: -493.973 4.165 262.35 25: 620.058 39.286 SiO₂ 268.51 L35 26: -600.217 4.465 268.14 27: 293.156 39.120 SiO₂ 253.58 L36 28: 2955.239 3.832 246.97 29: 240.982 34.910 SiO₂ 224.99 L37 30: 522.255 6.281 209.90 31: 637.048 26.927 SiO₂ 205.49 L41 32: 135.919 46.422 166.84 33: -342.725 13.286 SiO₂ 162.87 L42 34: 234.311 37.570 157.48 35: -165.909 12.049 SiO₂ 158.03 L43 36: -318.645 17.236 167.33 37: -159.707 18.219 SiO₂ 169.01 L44 38: -2087.962 15.068 195.62 39: -406.729 26.952 SiO₂ 200.47 L51 40: -206.783 15.340 209.57 41: -2955.521 37.102 SiO₂ 237.15 L52 42: -266.840 1.500 241.95 43: ∞ 2.275 248.83 （開口絞り） 44: 462.640 49.887 SiO₂ 258.37 L53 45: -429.950 12.884 259.51 46: -278.133 24.017 SiO₂ 259.36 L54 47: -403.953 15.838 267.30 48: 290.730 35.669 SiO₂ 267.82 L55 49: 1380.582 2.058 264.69 50: 243.631 32.809 SiO₂ 252.07 L56 51: 738.201 0.395 246.74 52: 166.756 32.066 SiO₂ 220.23 L57 53: 332.971 2.190 211.54 54: 140.353 30.835 SiO₂ 184.51 L58 55: 248.895 12.467 168.18 56: 509.920 17.679 SiO₂ 159.63 L59 57: 77.687 30.408 113.56 58: 79.827 40.069 SiO₂ 93.99 L61 59: 433.159 22.179 65.49 次の表２に第１実施例の条件対応数値を示す。

【００４０】

【表２】［条件対応値］（１）１．０６６（２）１．４７６（３）０．８３９（４）５．２３３（５）０．１５６（６）０．０５８（７）０．１０９（８）０．０６１（９）０．０９４（１０）０．１４９（１１）１０．８０２図２及び図３に第１実施例の投影光学系の諸収差図を示
す。ここで、図２は、第１実施例の投影光学系の縦収差
図であり、図２（ａ）は球面収差図、図２（ｂ）は非点
収差図、図２（ｃ）は歪曲収差図（ディストーション）
である。また、図３は第１実施例の投影光学系の横収差
図（コマ収差図）であり、図３（ａ）は物体高Ｙ＝５
２．８ｍｍにおけるタンジェンシャル方向（子午方向）
の横収差図、図３（ｂ）は物体高Ｙ＝３６．９６ｍｍに
おけるタンジェンシャル方向の横収差図、図３（ｃ）は
物体高Ｙ＝２６．４ｍｍにおけるタンジェンシャル方向
の横収差図、図３（ｄ）は物体高Ｙ＝１５．８４ｍｍに
おけるタンジェンシャル方向の横収差図、図３（ｅ）は
物体高Ｙ＝０．０ｍｍにおけるタンジェンシャル方向の
横収差図、図３（ｆ）は物体高Ｙ＝５２．８ｍｍにおけ
るサジタル方向（子午方向）の横収差図、図３（ｇ）は
物体高Ｙ＝３６．９６ｍｍにおけるサジタル方向の横収
差図、図３（ｈ）は物体高Ｙ＝２６．４ｍｍにおけるサ
ジタル方向の横収差図、図３（ｉ）は物体高Ｙ＝１５．
８４ｍｍにおけるサジタル方向の横収差図、図３（ｊ）
は物体高Ｙ＝０．０ｍｍにおけるサジタル方向の横収差
図である。なお、図２及び図３は、波長２４８．４ｎｍ
の光を用いてウエハＷ側から光線追跡することにより得
られているここで、図２（ｂ）の非点収差図において、破線は子午
的像面（タンジェンシャル像面）、実線は球欠像面（サ
ジタル像面）を示している。

【００４１】これらの収差図より、本例の投影光学系
は、０．６８という大きな開口数でありながら、直径２
６．４ｍｍという十分に広い露光領域内の全体にわたっ
て極めて良好に収差補正がなされ、高い解像力を有して
いることが明らかである。［第２実施例］図４において、第２実施例の投影光学系
は、第１物体（レチクルＲ）側から順に、正の屈折力の
第１レンズ群Ｇ１と、負の屈折力の第２レンズ群Ｇ２
と、正の屈折力の第３レンズ群Ｇ３と、負の屈折力Ｇ４
と、正の屈折力の第５レンズ群Ｇ５と正の屈折力の第６
レンズ群Ｇ６とから構成される。

【００４２】第１レンズ群Ｇ１は、第１物体側から順
に、第１物体側に凸の負のメニスカスレンズＬ１１、両
凸レンズＬ１２、両凸レンズＬ１３、及び第１物体側に
凸の正のメニスカスレンズＬ１４からなる。第２レンズ
群Ｇ２は、第１物体側から順に、第１物体側へ凸の負の
メニスカスレンズＬ２１、第１物体側へ凸の負のメニス
カスレンズＬ２２、第１物体側へ凸の負のメニスカスレ
ンズＬ２３、両凹レンズＬ２４、及び両凹レンズＬ２５
からなる。

【００４３】第３レンズ群Ｇ３は、第１物体側から順
に、第２物体側に凸の正のメニスカスレンズＬ３１、第
２物体側に凸の負のメニスカスレンズＬ３２、第２物体
側に凸の正のメニスカスレンズＬ３３、両凸レンズＬ３
４、両凸レンズＬ３５、第１物体側に凸の正のメニスカ
スレンズＬ３６、及び第１物体側に凸の正のメニスカス
レンズＬ３７からなる。

【００４４】第４レンズ群Ｇ４は、第１物体側から順
に、第１物体側に凸の負メニスカスレンズＬ４１、両凹
レンズＬ４２、第２物体側に凸の負のメニスカスレンズ
Ｌ４３、及び第２物体側に凸の負のメニスカスレンズＬ
４４からなる。第５レンズ群Ｇ５は、第１物体側から順
に、第２物体側に凸の正のメニスカスレンズＬ５１、第
２物体側に凸の正メニスカスレンズＬ５２、両凸レンズ
Ｌ５３、第２物体側に凸の負メニスカスレンズＬ５４、
第１物体側に凸の正メニスカスレンズＬ５５、第１物体
側に凸の正メニスカスレンズＬ５６、第１物体側に凸の
正メニスカスレンズＬ５７、第１物体側に凸の正メニス
カスレンズＬ５８、及び第２物体側に凹の負メニスカス
レンズＬ５９からなる。

【００４５】第６レンズ群Ｇ６は、物体側に凸の正メニ
スカスレンズＬ６１からなる。そして、本実施例では、
開口絞りＡＳは、第２物体側に凸の正のメニスカスレン
ズＬ５１と第２物体側に凸の正メニスカスレンズＬ５２
との間の光路中に配置されている。

【００４６】ここで、第３レンズ群Ｇ３においては、第
２物体側に凸の正のメニスカスレンズＬ３３、両凸レン
ズＬ３４、両凸レンズＬ３５、第１物体側に凸の正のメ
ニスカスレンズＬ３６、及び物体側に正のメニスカスレ
ンズＬ３７が連続して配置された少なくとも５枚の正レ
ンズに対応している。また、第５レンズ群Ｇ５において
は、第２物体側に凹の負メニスカスレンズＬ５９が最も
第２物体側に配置されて第２物体側に凹面を向けた第１
の負レンズＧ５ｎ１に対応し、第２物体側に凸の負メニ
スカスレンズＬ５４が第２の負レンズＧ５ｎ２に対応
し、第１物体側に凸の正メニスカスレンズＬ５５、第１
物体側に凸の正メニスカスレンズＬ５６、第１物体側に
凸の正メニスカスレンズＬ５７、及び第１物体側に凸の
正メニスカスレンズＬ５８が第１及び第２の負レンズＧ
１ｎ１，Ｇ５ｎ２の間に配置される少なくとも４枚の正
のメニスカスレンズに対応している。

【００４７】次に、この第２の実施の形態の投影光学系
の諸元の値を表３に掲げる。但し、表３において、Ｄ０
はレチクルＲ（第１物体）から第１レンズ群Ｇ１の最も
レチクルＲ側のレンズ面までの光軸上の距離、ＷＤは第
６レンズ群Ｇ６の最もウエハＷ（第２物体）側のレンズ
面からウエハＷまでの光軸上の距離（作動距離）、βは
投影光学系の投影倍率、ＮＡは投影光学系のウエハＷ側
の開口数、φＥＸは投影光学系のウエハＷ面における円
形の露光領域（投影領域）の直径、ＴＴは物像間（レチ
クルＲとウエハＷとの間）の光軸上の距離、ＰＥＮは最
もレチクルＲ側に位置するレンズのレチクルＲ側レンズ
面から近軸入射瞳位置までの距離、Ｅφは各レンズ面の
最大有効径であり、距離、又は長さの単位は一例として
ｍｍである。さらに、表３の下欄において、左端の数字
はレチクルＲ（第１物体）側からのレンズ面の順序を示
し、Ｒｄｉの列には当該レンズ面の曲率半径を示し、Ｔ
ｈｉの列には当該レンズ面から次のレンズ面までの間隔
を示し、Ｇｌａの列には硝材の種類を示し、ＣＬの列に
は当該レンズ面の有効径を示している。

【００４８】なお、本実施例では、硝材として合成石英
（ＳｉＯ₂）を用いており、この露光波長（２４８．４
ｎｍ）における屈折率は１．５０８３９である。

【００４９】

【表３】Ｄ０＝９６．６５９ＷＤ＝２２．０４３｜β｜＝１／４ＮＡ＝０．６８ φＥＸ＝２６．４ＴＴ＝１２５１．８４５ＰＥＮ＝６６８１．８９２Ｅφ＝２６９．３６ＲｄｉＴｈｉＧｌａＣＬ O: ∞ 96.659 （物体面） 1: 1438.276 13.263 SiO₂ 139.68 L11 2: 284.804 5.929 143.71 3: 365.511 23.295 SiO₂ 146.17 L12 4: -575.548 1.854 148.79 5: 342.142 22.332 SiO₂ 152.21 L13 6: -896.080 1.005 152.13 7: 298.099 21.660 SiO₂ 150.75 L14 8: -820.353 0.338 148.69 9: 254.423 14.783 SiO₂ 142.21 L21 10: 300.199 2.830 135.93 11: 300.049 16.916 SiO₂ 134.52 L22 12: 122.943 15.828 121.72 13: 483.013 12.272 SiO₂ 121.00 L23 14: 138.969 28.794 116.31 15: -266.111 16.468 SiO₂ 117.55 L24 16: 286.995 25.413 124.67 17: -153.217 19.219 SiO₂ 127.59 L25 18: 3069.581 15.854 152.20 19: -274.830 21.959 SiO₂ 156.57 L31 20: -169.667 10.922 167.74 21: -131.827 20.290 SiO₂ 169.74 L32 22: -184.223 1.929 196.35 23: -385.214 36.003 SiO₂ 213.29 L33 24: -191.138 1.802 226.17 25: 735.961 39.270 SiO₂ 260.15 L34 26: -494.755 4.269 263.09 27: 620.479 39.395 SiO₂ 269.36 L35 28: -600.351 4.772 269.00 29: 292.929 39.163 SiO₂ 254.29 L36 30: 2984.342 3.993 247.75 31: 240.663 34.685 SiO₂ 225.46 L37 32: 523.972 6.287 210.63 33: 634.418 26.718 SiO₂ 206.13 L41 34: 136.116 47.105 167.41 35: -343.357 13.567 SiO₂ 163.17 L42 36: 234.880 37.913 157.67 37: -166.056 12.127 SiO₂ 158.25 L43 38: -318.376 17.376 167.54 39: -159.843 18.188 SiO₂ 169.24 L44 40: -2074.367 15.138 195.77 41: -406.816 26.904 SiO₂ 200.66 L51 42: -206.964 15.208 209.70 43: -2938.156 36.998 SiO₂ 237.04 L52 44: -267.770 1.500 241.83 45: ∞ 2.390 248.59 （開口絞り） 46: 463.037 49.902 SiO₂ 258.05 L53 47: -429.947 12.839 259.19 48: -277.812 23.869 SiO₂ 259.05 L54 49: -403.914 15.824 266.92 50: 291.479 35.628 SiO₂ 267.34 L55 51: 1377.065 2.012 264.16 52: 243.825 32.795 SiO₂ 251.66 L56 53: 739.673 0.416 246.29 54: 166.825 32.168 SiO₂ 219.93 L57 55: 333.824 2.390 211.11 56: 140.430 30.729 SiO₂ 184.03 L58 57: 249.605 12.480 167.75 58: 508.642 17.523 SiO₂ 159.01 L59 59: 77.736 30.354 113.37 60: 79.768 40.292 SiO₂ 93.79 L61 61: 435.213 22.043 65.03 次の表４に第２実施例の条件対応数値を示す。

【００５０】

【表４】［条件対応値］（１）１．０６６（２）１．４７４（３）０．８３９（４）５．３８３（５）０．１５６（６）０．０５８（７）０．１０９（８）０．０５８（９）０．０９４（１０）０．１４８（１１）１０．７８９図５及び図６に第２実施例の投影光学系の諸収差図を示
す。ここで、図５は、第２実施例の投影光学系の縦収差
図であり、図５（ａ）は球面収差図、図５（ｂ）は非点
収差図、図５（ｃ）は歪曲収差図（ディストーション）
である。また、図６は第２実施例の投影光学系の横収差
図（コマ収差図）であり、図６（ａ）は物体高Ｙ＝５
２．８ｍｍにおけるタンジェンシャル方向（子午方向）
の横収差図、図６（ｂ）は物体高Ｙ＝３６．９６ｍｍに
おけるタンジェンシャル方向の横収差図、図６（ｃ）は
物体高Ｙ＝２６．４ｍｍにおけるタンジェンシャル方向
の横収差図、図６（ｄ）は物体高Ｙ＝１５．８４ｍｍに
おけるタンジェンシャル方向の横収差図、図６（ｅ）は
物体高Ｙ＝０．０ｍｍにおけるタンジェンシャル方向の
横収差図、図６（ｆ）は物体高Ｙ＝５２．８ｍｍにおけ
るサジタル方向（子午方向）の横収差図、図６（ｇ）は
物体高Ｙ＝３６．９６ｍｍにおけるサジタル方向の横収
差図、図６（ｈ）は物体高Ｙ＝２６．４ｍｍにおけるサ
ジタル方向の横収差図、図６（ｉ）は物体高Ｙ＝１５．
８４ｍｍにおけるサジタル方向の横収差図、図６（ｊ）
は物体高Ｙ＝０．０ｍｍにおけるサジタル方向の横収差
図である。なお、図５及び図６は、波長２４８．４ｎｍ
の光を用いてウエハＷ側から光線追跡することにより得
られているここで、図５（ｂ）の非点収差図において、破線は子午
的像面（タンジェンシャル像面）、実線は球欠像面（サ
ジタル像面）を示している。

【００５１】これらの収差図より、本例の投影光学系
は、０．６８という大きな開口数でありながら、直径２
６．４ｍｍという十分に広い露光領域内の全体にわたっ
て極めて良好に収差補正がなされ、高い解像力を有して
いることが明らかである。次に、上記の実施の形態の投
影露光装置を用いてウエハ上に所定の回路パターンを形
成する際の動作の一例につき図８のフローチャートを参
照して説明する。

【００５２】先ず、図８のステップ１０１において、１
ロットのウエハ上に金属膜が蒸着される。次のステップ
１０２において、その１ロットのウエハ上の金属膜上に
フォトレジストが塗布される。その後、ステップ１０３
において、第１または第２実施例（図１または図４）の
投影光学系ＰＬを備えた図７の投影露光装置を用いて、
レチクルＲ上のパターンの像がその反射屈折光学系Ｃを
介して、その１ロットのウエハ上の各ショット領域に順
次露光転写される。その後、ステップ１０４において、
その１ロットのウエハ上のフォトレジストの現像が行わ
れた後、ステップ１０５において、その１ロットのウエ
ハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行
うことによって、レチクルＲ上のパターンに対応する回
路パターンが、各ウエハ上の各ショット領域に形成され
る。その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を
行うことによって、極めて微細な回路を有する半導体素
子等のデバイスが製造される。

【００５３】上記の例においては、投影光学系が波長域
が狭帯化された光源と組み合わせて使用されることが前
提であったため、投影光学系を構成するレンズの材質を
単一の種類（上記の例では合成石英）としたが、広帯域
の波長幅の露光光を供給する光源と組み合わせる際に
は、投影光学系を構成するレンズの材質を複数種類とす
れば良い。この場合、レンズの材質としては、蛍石（Ｃ
ａＦ₂）などを適用することができる。

【００５４】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取
り得ることは勿論である。

【００５５】

【発明の効果】以上の通り本発明によれば、十分な露光
範囲を有しつつ、大きな開口数を持つ投影光学系を実現
できる。そして、本発明にかかる投影光学系を備えた投
影露光装置では、高い解像度のもとで大きな露光範囲を
露光できるため、極めて微細な回路パターンを高いスル
ープットのもとで感光性基板上へ転写できる。さらに、
本発明のデバイス製造方法によれば、高集積度のデバイ
スを高いスループットのもとで製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の投影光学系のレンズ断面
図である。

【図２】第１実施例の投影光学系の縦収差図である。

【図３】第１実施例の投影光学系の横収差図である。

【図４】本発明の第２実施例の投影光学系のレンズ断面
図である。

【図５】第２実施例の投影光学系の縦収差図である。

【図６】第２実施例の投影光学系の横収差図である。

【図７】本発明の実施の形態にかかる投影露光装置を概
略的に示す図である。

【図８】本発明のデバイス製造方法を示すフローチャー
ト図である。

【符号の説明】

ＰＬ：投影光学系Ｇ１：第１レンズ群Ｇ２：第２レンズ群Ｇ３：第３レンズ群Ｇ４：第４レンズ群Ｇ５：第５レンズ群Ｇ６：第６レンズ群

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１物体の像を第２物体上に形成する投影
光学系において、前記第１物体側から順に、正のパワーを有する第１レンズ群と；負のパワーを有す
る第２レンズ群と；連続して配置された少なくとも５枚
の正レンズを含み、正のパワーを有する第３レンズ群
と；負のパワーを有する第４レンズ群と；少なくとも２
枚の負レンズを含み、全体として正のパワーを有する第
５レンズ群と；正のパワーを有する第６レンズ群と；を
備え、前記第５レンズ群の前記少なくとも２枚の負レンズは、
前記第５レンズ群中で最も第２物体側に配置される第１
の負レンズと、該第１の負レンズよりも第１物体側に配
置される第２の負レンズとを含み、前記第５レンズ群中の前記第１の負レンズと前記第２の
負レンズとの間には、少なくとも４枚の第２物体側に凹
面を向けた正メニスカスレンズが配置され、以下の条件式を満足することを特徴とする投影光学系。１．０＜Ｆ3a／Ｆ3 ＜３．０１．０＜Ｆ5a／Ｆ5 ＜５．００．５＜Ｆ3a／Ｆ5a＜５．０ PEN ／ＴＴ＞５但し、Ｆ3a：前記第３レンズ群中の前記少なくとも５枚の正レ
ンズの合成焦点距離、Ｆ3 ：前記第３レンズ群の焦点距離Ｆ5a：前記第５レンズ群中の前記少なくとも４枚の正メ
ニスカスレンズの合成焦点距離、Ｆ5 ：前記第５レンズ群の焦点距離、 PEN：最も第１物体側に位置するレンズの第１物体側面
から近軸入射瞳位置までの距離、 TT ：第１物体から第２物体までの光軸に沿った距離、である。
【請求項２】前記投影光学系の像側最大開口数をＮＡと
したとき、ＮＡ＞０．６８を満足することを特徴とする
請求項１記載の投影光学系。
【請求項３】前記第１レンズ群は少なくとも３枚以上の
正レンズを含み、前記第２レンズ群は少なくとも４枚の
負レンズを含み、前記第３レンズ群は少なくとも３枚以
上のレンズ群を含み、前記第４レンズ群は少なくとも３
枚の負レンズ群を含み、前記第５レンズ群は少なくとも
６枚の正レンズを含み、前記第６レンズ群は少なくとも
１枚の負レンズを含むことを特徴とする請求項１または
請求項２記載の投影光学系。
【請求項４】以下の条件を満足することを特徴とする請
求項１乃至請求項３の何れか一項記載の投影光学系。０．１３＜Ｆ1 ／TT ＜０．１６０．０７０＜−Ｆ2 ／TT ＜０．０５６０．１０８＜Ｆ3 ／TT ＜０．１１４０．０５５＜−Ｆ4 ／TT ＜０．０６１０．０８７＜Ｆ5 ／TT ＜０．０９５０．１４＜Ｆ6 ／TT ＜０．１５但し、Ｆ1 ：前記第１レンズ群の焦点距離、Ｆ2 ：前記第２レンズ群の焦点距離、Ｆ3 ：前記第３レンズ群の焦点距離、Ｆ4 ：前記第４レンズ群の焦点距離、Ｆ5 ：前記第５レンズ群の焦点距離、Ｆ6 ：前記第６レンズ群の焦点距離、 TT ：第１物体から第２物体までの光軸に沿った距離、である。
【請求項５】以下の条件を満足することを特徴とする請
求項１乃至請求項４の何れか一項記載の投影光学系。【数１】但し、Ｅφ：前記投影レンズの最大有効径Ｈｉ：第２物体上の最大像高ＮＡ：前記投影レンズの像側最大開口数である。
【請求項６】投影原版上のパターンを感光性基板上へ投
影する投影露光装置において、狭帯化された光を供給する光源と；該狭帯化された光に
より前記投影原版を照明する照明光学系と；請求項１乃
至請求項５の何れか一項記載の投影光学系と；を備え、前記投影光学系は、前記第１面上に前記投影原版が位置
し、かつ前記第２面上に前記感光性基板が位置するよう
に位置決めされ、前記投影光学系を構成するレンズの材質は、単一種類で
あることを特徴とする投影露光装置。
【請求項７】所定の回路パターンが描かれた原板を紫外
域の露光光で照明する工程と、請求項１乃至請求項５の
いずれか一項記載の投影光学系を用いて前記照明された
原板の像を基板上に形成する工程とを含むことを特徴と
するデバイス製造法。