JPH07140384A - 投影光学系及び投影露光装置 - Google Patents

投影光学系及び投影露光装置

Info

Publication number
JPH07140384A
JPH07140384A JP5336470A JP33647093A JPH07140384A JP H07140384 A JPH07140384 A JP H07140384A JP 5336470 A JP5336470 A JP 5336470A JP 33647093 A JP33647093 A JP 33647093A JP H07140384 A JPH07140384 A JP H07140384A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lens group
optical system
projection optical
lens
reticle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5336470A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3360387B2 (ja
Inventor
Toshihiro Sasaya
俊博 笹谷
Kazuo Ushida
一雄 牛田
Yutaka Suenaga
豊 末永
Ai Merukado Romeo
アイ.メルカド ロメオ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Publication of JPH07140384A publication Critical patent/JPH07140384A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3360387B2 publication Critical patent/JP3360387B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/14Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/24Optical objectives specially designed for the purposes specified below for reproducing or copying at short object distances
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/7025Size or form of projection system aperture, e.g. aperture stops, diaphragms or pupil obscuration; Control thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Abstract

(57)【要約】 【目的】 比較的広い露光領域を確保しながら、第1物
体(レチクル)および第2物体(ウェハ)の平面度が極
めて悪い場合でも、実質的に少ない像歪が得られ、レン
ズ系の全長のみならずレンズの径を極力小さくし得るコ
ンパクトで、高い開口数を持つ高解像力な投影光学系の
提供にある。 【構成】 第1物体の像を所定の縮小倍率のもとで第2
物体に投影する投影光学系において、前記投影光学系
は、前記第1物体側より順に、正の屈折力を持つ第1レ
ンズ群G1と、アフォーカル系で構成される第2レンズ群
G2と、正の屈折力を持つ第3レンズ群G3とを有し、さら
に所定の条件を満足するように構成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、第1物体のパターンを
第2物体としての基板等に縮小投影するための投影光学
系及び露光装置に関するものであり、特に、第1物体と
してのレチクル(マスク)上に形成された回路パターン
を第2物体としての基板(ウエハ)上に投影露光するの
に好適な投影光学系及び投影露光装置に係るものであ
る。
【0002】
【従来の技術】集積回路のパターンが微細になるに従っ
て、ウェハの焼付けに用いられる投影光学系に対し要求
される性能もますます厳しくなってきている。このよう
な状況の中で、投影光学系の解像力の向上については、
露光波長λをより短くするか、あるいは投影光学系の開
口数NAを大きくする事が考えられる。
【0003】近年においては、転写パターンの微細化に
対応するために、露光用の光源は、g線(436nm) の露光
波長の光を発するものからi線(365nm) の露光波長の光
を発するものが主として用いられるようになってきてお
り、さらには、より短波長の光を発する光源、例えばエ
キシマレーザ(248nm,193nm)が用いられようとしてい
る。そして、以上の各種の露光波長の光によってレチク
ル上のパターンをウエハ上に投影露光するための投影光
学系が提案されている。
【0004】投影光学系においては、解像力の向上と共
に要求されるのは、像歪を少なくすることである。ここ
で、像歪とは、投影光学系に起因するディストーション
(歪曲収差)によるものの他、投影光学系の像側で焼き
付けられるウェハの反りによるものと、投影光学系の物
体側で回路パターン等が描かれているレチクルの反りに
よるものがある。
【0005】そこで、ウェハの反りによる像歪への影響
を少なくするために、投影光学系の像側での射出瞳位置
を遠くに位置させる、所謂像側テレセントリック光学系
が従来より用いられてきた。
【0006】一方、レチクルの反りによる像歪の軽減に
ついても、投影光学系の物体側をテレセントリック光学
系にすることが考えられ、またそのように投影光学系の
入射瞳位置を物体面から比較的遠くに位置させる提案が
なされている。それらの例としては、特開昭63−11
8115号、特開平4−157412号、特開平5−1
73065号等のものがある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
各特許公報にて提案された投影光学系は、開口数NAが
小さくて高解像ではなく、あるいは露光領域が狭い。ま
た、投影光学系の入射瞳位置についても、単に物体面
(レチクル)から比較的遠くするというだけで、物体側
(レチクル側)でのテレセントリック性や像側(ウエハ
側)でのテレセントリック性の補正が不十分であった。
【0008】また、以上の特許公報に提案された投影光
学系の中には、物体面(レチクル)から投影光学系の第
1レンズ面までの距離を大きくして、物体側のテレセン
トリック性を実現したものがあるが、露光領域に比べて
物像間距離(レチクルとウエハとの間の距離)が非常に
大きくなっており、光学系自体の大型化を招いていると
いう問題がある。
【0009】本発明は、以上の問題点に鑑みてなされた
ものであり、比較的広い露光領域を確保しながら、第1
物体(レチクル)および第2物体(ウェハ)の平面度が
極めて悪い場合でも、実質的に少ない像歪が得られ、レ
ンズ系の全長のみならずレンズの径を極力小さくし得る
コンパクトで、高い開口数を持つ高解像力な投影光学系
を提供することを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の目的な達成するた
めに、本発明は、例えば図2に示す如く、第1物体の像
を所定の縮小倍率のもとで第2物体に投影する投影光学
系において、前記投影光学系は、前記第1物体側より順
に、正の屈折力を持つ第1レンズ群G1と、アフォーカル
系で構成される第2レンズ群G2と、正の屈折力を持つ第
3レンズ群G3とを有し、前記投影光学系の焦点距離をF
とし、前記投影光学系の投影倍率をB、前記第1物体と
前記第2物体との間の距離をL、前記第1物体から前記
第1レンズ群Gの最も第1物体側のレンズ面までの距
離をd 、前記第1物体上での軸上物点からの近軸マ
ージナル光線が第2レンズ群G2に入射する時の近軸マー
ジナル光線の光軸からの入射高をh1 、前記第1物体上
での軸上物点からの近軸マージナル光線が第2レンズ群
G2を射出する時の近軸マージナル光線の光軸からの射出
高をh2 とするとき、以下の条件を満足する構成とした
ものである。 (I) 1.8≦|F/(B・L)|≦6 (II) d0 /L≦0.2 (III) 4≦|h2 /h1 |≦10 そして、上記の基本構成に基づいて、さらに以下の条件
を満足する構成とすることが好ましい。 (IV) 0.05≦f1 /L≦0.3
【0011】
【作用】図1に示す如く、通常、投影光学系の瞳位置に
は開口絞りASが設けられており、投影光学系の入射瞳
位置は、その開口絞りASよりも物体側(レチクル側)
にある光学系による像位置として、近軸光線により与え
られる近軸量より求められる。しかし、一般に光学系の
入射瞳位置は物体高H(光軸からの物体の高さ)によっ
て変化する。そのため、投影光学系の入射瞳位置は、各
物体高Hに応じて決定されと考えられる。
【0012】一方、投影光学系の物体側でのレチクルの
反りによる像歪への影響は、レチクルから投影光学系に
入射する入射光束のテレセントリック性T、即ち投影光
学系の光軸に対する入射光束の主光線の傾き量に比例す
る。ここで、レチクル上における光軸から高さH(物体
高H)からの入射光束(主光線)のテレセントリック性
をT(H) 、レチクル上における光軸から高さH(以下、
物体高Hと称する。)からの入射光束(主光線)による
決定される投影光学系の入射瞳位置とレチクルとの間の
距離をE(H) とすると、 T(H) =H/E(H) ・・・・・・・・・・・(1) の関係が成立する。
【0013】そこで、物体高Hによらず像歪への影響を
均一にするために常に一定のテレセントリック性を得る
には、投影光学系の入射瞳位置を物体高Hの高さに比例
させて変化させれば良いこととなる。つまり、物体高H
が低いときの投影光学系の入射瞳位置を、物体高Hの高
い時の投影光学系の入射瞳位置よりも物体側(レチクル
側)に近い位置に位置させることにより、像歪への影響
をほぼ一定にすることが可能となる。よって、本発明で
は、一般に光学系の入射瞳の位置は物体高の高低で変化
するものの、光学系の入射瞳位置の像歪への影響の度合
いも物体高の高低で変化するという事に着目し、投影光
学系の入射瞳位置を物体高H(レチクル上における光軸
からの高さ)の高低で振り分けてバランスをとることに
より、物体面全体(レンズ全面)での像歪への影響を均
一にすることを可能としている。
【0014】条件(I)では、以下の示す如く、投影光
学系の焦点距離Fと、投影光学系の結像倍率Bに物像間
距離L(レチクルからウエハまでの距離)を乗じた値と
の最適な比率を規定している。 1.8≦|F/(B・L)|≦6 ・・・・・・・・・ (I) この条件(I)は、像側(ウエハ側)での投影光学系の
近軸射出瞳位置(近軸光線により決定される投影光学系
の射出瞳位置)を無限遠の位置と仮定したときの、物体
面(レチクル面)から投影光学系の近軸入射瞳までの距
離Eと物像間距離L(レチクルからウエハまでの距離)
との比を規定した事と等価となる事を意味する。
【0015】この事を具体的に説明すると、図1に示す
如く、投影光学系全体の前側焦点位置f(レチクル側焦
点位置)は、像側(ウエハ側)における投影光学系の近
軸射出瞳位置を無限遠と仮定したときの近軸入射瞳位置
に相当し、hを投影光学系の前側主平面とする時の投影
光学系全体の焦点距離をF、投影光学系の投影倍率を
B、物体面(レチクル面)より投影光学系全体の前側焦
点位置fまでの距離をEとすると、横倍率の式より、 B=F/E ・・・・・・・・・・・(2) の関係が成立する。そして、上記(2)式を変形する
と、 E=F/B ・・・・・・・・・・・(3) となり、上記(3)式の両辺を物像間距離L(レチクル
からウエハまでの距離)で割って、その値の絶対値をと
れば、上記条件(I)に関する(4)式が最終的に導出
される。 |E/L|=|F/(B・L)| ・・・・・・・・・・・(4)
【0016】以上の事から、条件(I)は、像側(ウエ
ハ側)における投影光学系の近軸射出瞳位置を無限遠と
仮定したときの、物体面(レチクル面)から近軸入射瞳
までの距離Eと、物像間距離L(レチクルからウエハま
での距離)との最適な比率の絶対値を規定していること
が理解できる。
【0017】条件(I)の下限を越えると、物像間距離
L(レチクルからウエハまでの距離)に比べて投影光学
系の入射瞳位置が近すぎる事となり、物体面全体(レチ
クル面全体)でのテレセントリック性が悪化し、これを
バランスさせて補正することが困難となる。条件(I)
の上限を越えると、許容される入射高(物体高H)によ
る入射瞳位置の差が少なくなり、物体面全面(レチクル
全面)でのテレセントリック性を良好に保つために物体
高H(レチクル上における光軸から高さH)からの光束
により決定される投影光学系の入射瞳位置を振り分けて
バランスを取るという設計上の自由度が少なり過ぎてし
まう。このため、物体面全面(レチクル全面)で投影光
学系の入射瞳位置を必要以上に遠方に保つ事が必要とな
り、この結果、投影光学系をより多くのレンズ構成枚数
で構成せざるを得ず、投影光学系の大型化、複雑化を招
く。
【0018】また、条件(I)は、像側(ウエハ側)に
おける投影光学系の近軸射出瞳位置を無限遠と仮定した
ときの、投影光学系の最適な近軸入射瞳位置(近軸光線
により決定される投影光学系の射出瞳位置)を規定して
いるが、同時に投影光学系の最適な射出瞳位置に関して
も考慮されている。この事を具体的に説明すると、物体
側(レチクル側)における投影光学系の近軸入射瞳位置
を無限遠と仮定したとき、この投影光学系の近軸射出瞳
位置から像面(ウエハ面)までの距離をE’とすると、
横倍率の関係式より、 1/B=F/E’ ・・・・・・・・・・・(5) の関係が成立する。そして、上式(5)式を変形する
と、次式(6)が導出される。 E’=F・B=(F/B)・B2 ・・・・・・・・・・・(6)
【0019】上記(3)式を用いて上記(6)式をさら
に変形すると、次式(7)が導出される。 E’=E・B2 ・・・・・・・・・・・(7) この(7)式は上記の(3)式に投影光学系の投影倍率
Bの2乗(B2 )を乗じたものと等しくなり、上記
(7)式の両辺を投影光学系の物像間距離L(レチクル
からウエハまでの距離)で割って、その値の絶対値をと
ると以下の(8)式が導出される。 |F・B/L|=|〔F/(B・L)〕|・B2 ・・・・・・・・・・・(8)
【0020】この(8)式は、上記条件(I)に関する
(4)式に投影光学系の投影倍率Bの2乗(B2 )を乗
じたものに等しくなり、これを上記条件(I)に対応さ
せて示せば、以下に示す(9)式の如くなる。 1.8・B2 ≦|F/(B・L)|・B2 ≦6・B2 ・・・・・・・・・・・(9) 従って、条件(I)では投影光学系の近軸射出瞳位置を
無限遠と仮定した時の、投影光学系の最適な近軸入射瞳
位置を規定していると同時に、条件式全体にB2 を乗じ
た量を考慮する事により、投影光学系の近軸入射瞳位置
を無限遠と仮定したときの近軸射出瞳位置をも規定して
いる事が理解できる。
【0021】よって、物体側(レチクル側)における投
影光学系の近軸入射瞳位置と同様に像側(ウエハ側)に
おける投影光学系の近軸射出瞳位置も、必ずしも完全に
無限遠とする必要は無く、条件(I)の範囲であれば、
像側(ウエハ側)と物体側(レチクル側)の双方のテレ
セントリック性を実質的にバランス良く良好に保つこと
ができる事が分かる。
【0022】条件(II)では、以下に示す如く、物像
間距離L(レチクルからウエハまでの距離)に対する、
物体面(レチクル面)から投影光学系の第1レンズ群の
最も物体側のレンズ面(第1レンズ面)までの最適な距
離d0 を規定している。 d0 /L≦0.2 ・・・・・・・・・・・ (II) 投影光学系の入射瞳位置を遠くにして、物体面(レチク
ル面)側をテレセントリックにするには、物体面(レチ
クル面)から投影光学系の第1レンズ群の最も物体側の
レンズ面までの距離d0 を大きく取ることによって実現
する事は可能である。しかしながら、条件(II)の上
限を越えてその距離d0 を大きくすると、物像間距離L
(レチクルからウエハまでの距離)に対する距離d0
割合が大きくなる。従って、所望の光学性能を得るため
には投影光学系を構成するレンズ、反射鏡等の光学部材
間の空間はそれほど変わらないため、投影光学系全体と
して全長が長くなり、投影光学系のコンパクト化を実現
することは困難となる。
【0023】また、条件(III)では、投影光学系
が、第1物体側より順に、正の屈折力を持つ第1レンズ
群G1と、実質的にアフォーカル系で構成される第2レン
ズ群G2と、正の屈折力を持つ第3レンズ群G3とを含む基
本構成とした場合、以下に示す如く、軸上物点からの近
軸マージナル光線が第2レンズ群G2に入射する時の近軸
マージナル光線の光軸からの入射高をh1 と、軸上物点
からの近軸マージナル光線が第2レンズ群G2を射出する
時の近軸マージナル光線の光軸からの射出高をh2 との
最適な比率を規定している。 4≦h2 /h1 ≦10 ・・・・・・・・・・・ (III)
【0024】なお、本発明で言う近軸マージナル光線と
は、所定の発散角を持ってある物点から発散する光線が
光学系を入射する時に、最も周縁(外側)の入射光線を
近軸光線追跡によって求めた光線の事を意味する。この
条件(III)では、レンズ系の全長を短くすると共に
レンズ系全体の径方向をもコンパクトにする条件であ
る。ここで、条件(III)について説明するに当たっ
て、まず、本発明の投影光学系の基本構成について図2
を参照しながら検討する。
【0025】図2に示す如く、本発明の投影光学系は、
物体側(レチクル側)より順に、正の屈折力を持つ第1
レンズ群G1、アフォーカル系で構成される第2レンズ群
G2、正の屈折力を持つ第3レンズ群G3を含むレンズ群構
成を基本としている。
【0026】ここで、物体(レチクル)上の物体高Hが
零となる位置(レチクルと投影光学系の光軸とが交わる
位置)での軸上物点(物体の中心)からの近軸マージナ
ル光線(図2の実線で示す光線)が第2レンズ群G2に入
射する時の近軸マージナル光線の光軸からの入射高をh
1 、軸上物点からの近軸マージナル光線が第2レンズ群
G2を射出する時の近軸マージナル光線の光軸からの射出
高をh2 とするとき、第2レンズ群G2の横倍率βは、 β=h2 /h1 ・・・・・・・・・・(10) となるため、投影光学系全体の結像倍率Bは以下の(1
1)式の如くなる。 B=f3 /(f1 ・β) ・・・・・・・・・・(11)
【0027】そして、最大物体高HMAX (光軸から最も
離れた位置の物体の高さ)の位置での軸外物点からの近
軸マージナル光線(図2の点線で示す光線)が第1レン
ズ群G1及び第3レンズ群G3に入射する時の近軸マージナ
ル光線の光軸からの最大入射高をそれぞれh1H、h2H
するとき、以下の(12)式及び(13)式の関係が成
立する。 h1H=h1 +HMAX ・・・・・・・・・・(12) h2H=h2 +B・HMAX ・・・・・・・・・・(13) この(12)式及び(13)式は、基本的に投影光学系
全体の最大のレンズ径を規定するものである。特に、最
大物体高HMAX の位置での軸外物点からの近軸マージナ
ル光線が第1レンズ群G1に入射する時の近軸マージナル
光線の最大入射高h1Hは、投影光学系の物体側(レチク
ル側)でのレンズ系における最大のレンズ径を規定する
ものであり、最大物体高HMAX の位置での軸外物点から
の近軸マージナル光線が第3レンズ群G3に入射する時の
近軸マージナル光線の最大入射高h2Hは、投影光学系の
像側(ウエハ側)でのレンズ系における最大のレンズ径
を規定するものである。
【0028】ここで、これら2つの最大のレンズ径(h
1H,h2H)のいずれか一方を大きくすると、光線が各レ
ンズ面を通過する時の通過高が高くなるため、高次の収
差が発生し易くなるため好ましくない。具体的には、最
大物体高HMAX の位置での軸外物点からの近軸マージナ
ル光線が第1レンズ群G1に入射する時の近軸マージナル
光線の最大入射高h1Hを高くすると、軸外光線による収
差(像面湾曲、コマ収差等)の高次収差が発生し、ま
た、最大物体高HMAX の位置での軸外物点からの近軸マ
ージナル光線が第3レンズ群G3に入射する時の最大入射
高h2Hを高くすると、投影光学系の像側(ウエハ側)の
開口数を大きくするために補正しなければならない軸上
光線による収差(球面収差)の高次の収差が発生する。
【0029】逆に、2つの最大のレンズ径(h1H
2H)のいずれか一方を小さくすると、投影光学系中の
正レンズのパワー(屈折力)が強くせざるを得ず、これ
によって、特に像面湾曲の補正が困難となる。
【0030】以上の事より、軸外光線による収差と軸上
光線による収差とをバランス良く補正するためには、こ
れら2つの最大のレンズ径(h1H,h2H)をほぼ等しく
することが望ましく、これを数式化して表現すれば、以
下の(14)式の如くなる。 h1 +HMAX =h2 +B・HMAX ・・・・・・・・・・(14)
【0031】次に、双方の最大のレンズ径(h1H
2H)を小さくして、投影光学系全体のレンズ径を小さ
くする事について検討すると、まず、上記(10)式の
関係より、以下の(15)式及び(16)式の関係が成
立する。 h1 =h2 /β ・・・・・・・・・・(15) h2 =h1 ・β ・・・・・・・・・・(16)
【0032】このため、上記(14)式を用いて上記
(15)式と(16)式とをそれぞれ変形すると、最終
的に以下の(17)式及び(18)式が導出される。 h1 ={(1−B)/(β−1)}・HMAX ・・・・・・・・・・(17) h2 ={β/(β−1)}・(1−B)HMAX ・・・・・・・・・・(18)
【0033】以上の(17)式及び(18)式より、軸
外光線による収差と軸上光線による収差とをバランス良
く補正しつつ、投影光学系全体の径を小さく保つには、
上記(17)式または(18)式の右辺を小さくしてや
れば良い事が理解される。このため、投影光学系全体の
結像倍率Bと最大物体高HMAX を一定とするとき、上記
(17)式及び(18)式の右辺の値を正としながらそ
の右辺の値自体を小さするには、できるだけβ(第2レ
ンズ群G2に関する軸上物点からの近軸マージナル光線の
入射高h1 と射出高h2 との比)の値を大きくすれば良
い事が理解できる。
【0034】そこで、本発明による条件(III)は、
以上にて述べた如く、軸外光線による収差と軸上光線に
よる収差とをバランス良く補正しつつ、投影光学系全体
の径を小さく保つために、第2レンズ群G2に対する軸上
物点からの近軸マージナル光線の入射高h1 と射出高h
2 との最適な比率の絶対値を規定するものである。条件
(III)の下限を越えた状態で、第2レンズ群G2にお
ける軸上物点からの近軸マージナル光線の射出高h2
対して第2レンズ群G2における軸上物点からの近軸マー
ジナル光線の入射高h1 が大きくなり過ぎると、投影光
学系における物体側(レチクル側)のレンズ径が大きく
なる。このため、所望の結像倍率Bを得るために第2レ
ンズ群G2の横倍率(h2 /h1 )を一定に保ちながら、
投影光学系における物体側(レチクル側)のレンズ径を
小さくしようとすると、軸上物点からの近軸マージナル
光線が前記第2レンズ群G2を射出する時の射出高h
小さくなる。この結果、第3レンズ群Gの焦点距離が
短くなるため、軸上光線による収差(球面収差)の補正
が困難となり、投影光学系の像側での開口数NAを大き
くすることが困難となる。そこで、さらに、軸上光線に
よる収差(球面収差)を良好に補正しようとすると、第
3レンズ群G3のレンズ構成枚数の増加を招き、投影光学
系の全長が大きくなる。反対に、条件(III)の上限
を越えた状態で、第2レンズ群G2における軸上物点から
の近軸マージナル光線の入射高h1に対して第2レンズ
群G2における軸上物点からの近軸マージナル光線の射出
高h2 が大きくなり過ぎると、投影光学系における像側
(ウエハ側)のレンズ径が大きくなる。このため、所望
の結像倍率Bを得るために第2レンズ群G2の横倍率(h
2 /h1 )を一定に保ちながら、この投影光学系におけ
る像側(ウエハ側)のレンズ径を小さくしようとする
と、軸上物点からの近軸マージナル光線が前記第2レン
ズ群G2に入射する時の入射高h1 が小さくなる。この結
果、第1レンズ群G1の焦点距離が短くなるため、軸外光
線による収差(像面湾曲、コマ収差等)を補正が困難と
なる。そこで、さらに、軸外光線による収差(像面湾
曲、コマ収差等)を良好に補正しようとすると、第1レ
ンズ群G1のレンズ構成枚数の増加を招き、投影光学系の
全長が大きくなる。
【0035】また、より十分なるコンパクト化を実現す
るには、以上の条件(I)〜(III)に加えて、さら
に以下の条件(IV)を満足することがより好ましい。 0.05≦f1 /L≦0.3 ・・・・・・・・・・・(IV) 但し、f1 は第1レンズ群G1の焦点距離f1 であり、L
は第1物体(レチクル)と第2物体(ウエハ)との間の
距離(物像間距離)である。条件(IV)は、第1レン
ズ群G1の焦点距離f1 と物像間距離Lとの最適な比率を
規定することにより、投影光学系の全長を短くするのを
保証するためのものである。
【0036】条件(IV)の下限を越えると、物像間距
離Lに対して第1レンズ群G1のパワー(屈折力)が強く
なり過ぎるため、諸収差補正が困難になる。逆に、条件
(IV)の上限を越えると、投影光学系の全長が長くな
るため、投影光学系をコンパクトにすることが困難とな
る。
【0037】また、投影光学系の全長を十分に短くする
には、以下の条件(V)を満足することがより望まし
い。 0.04≦HMAX /L≦0.2 ・・・・・・・・・・・(V) 但し、HMAX は第1物体(レチクル)上における投影光
学系の光軸からの最大の物体高(レチクル上の有効パタ
ーン領域内の対角線長の半分)であり、Lは第1物体
(レチクル)と第2物体(ウエハ)の間の距離(物像間
距離)である。
【0038】条件(V)は、最大物体高HMAX に対する
物像間距離Lの最適な割合を規定するものである。上述
した条件(II)の値が一定であっても、条件(V)の
下限を越えて、最大物体高HMAX に対する物像間距離L
が大きくなると、投影光学系の全長が長くなり過ぎるた
め、コンパクト化を図ることができない。逆に、条件
(V)の上限を越えると、結像面全面(ウエハ面全面)
にわたり諸収差を良好に補正することが困難となる。な
お、諸収差の補正上の自由度を確保しつつ、諸収差をバ
ランス良く補正するには、第1レンズ群G1は少なくとも
2枚以上の正レンズを含み、第2レンズ群G2は少なくと
も4枚以上の負レンズと少なくとも4枚以上の正レンズ
を含み、第3レンズ群G3は、少なくとも2枚以上の正レ
ンズを含むことがより好ましい。
【0039】さて、以上においては、物体側(レチクル
側)より順に、正の屈折力を持つ第1レンズ群G1、アフ
ォーカル系で構成される第2レンズ群G2、正の屈折力を
持つ第3レンズ群G3を含むレンズ群構成を基本とした投
影光学系について述べたが、第2レンズ群G2の構成によ
って投影光学系全体をしてコンパクト化を図り、さらに
像面湾曲を良好に補正するには、アフォーカル系で構成
される第2レンズ群G2は、図2に示す如く、物体側(レ
チクル側)より順に、負の屈折力を持つ第1サブレンズ
群G21 、正の屈折力を持つ第2サブレンズ群G22 、負の
屈折力を持つ第3サブレンズ群G23 を少なくとも有する
構成とすることが好ましい。
【0040】まず、この第2レンズ群G2における負の第
1サブレンズ群G21 と正の第2サブレンズ群G22 とは逆
ガリレオ系(あるいはレトロフォーカス系)を形成する
ため、主点を像側(ウエハ側)へ位置させて、物体面
(レチクル面)から投影光学系までの距離を短縮し、投
影光学系の全長を短くしている。また、第2レンズ群G2
中の第3サブレンズ群G23 は、主にペッツバール和の補
正に寄与するため、像面湾曲を良好に補正して像面を平
坦にしている。
【0041】なお、以上の第1サブレンズ群G21 と第2
サブレンズ群G22 との構成により、投影光学系の入射瞳
は物体面(レチクル面)に近くなる恐れがあるため、こ
の場合には、正の第1レンズ群G1の後側(像側またはウ
エハ側)の焦点位置をほぼそのときの投影光学系の入射
瞳位置に合致させることが好ましく、これにより、投影
光学系の全長を短く保ちつつ、投影光学系の入射瞳位置
を物体面(レチクル面)より遠くに位置させることが可
能である。
【0042】以上の第2レンズ群G2の基本構成に基づい
て、十分なるコンパクト化を図りながら、十分なる収差
補正の機能を第2レンズ群G2に担わすには、第1サブレ
ンズ群G21 の焦点距離をf21、第2サブレンズ群G22
焦点距離をf22、第3サブレンズ群G23 の焦点距離をf
23とするとき、さらに以下の条件式(VI)、(VII)
を満足することがより好ましい。 1.5≦|f22/f21|≦5 ・・・・・・・・・・・ (VI) 0.02≦|f23/L|≦0.10 ・・・・・・・・・・・ (VII) 条件(VI)は逆ガリレオ系(またはレトロフォーカス
系)を構成する第1サブレンズ群G21 と第2サブレンズ
群G22 との最適な倍率を与えることに相当し、投影光学
系の全長をコンパクトにする条件である。条件(VI)
の下限を越えると、投影光学系をコンパクトにすること
が困難となる。なお、十分なるコンパクト化を果たすに
は、条件(VI)の下限値を1.7として、1.7≦|
22/f21|とするのがより望ましい。反対に、条件
(VI)の上限を越えると、第1サブレンズ群G21 の焦
点距離f21が短くなって、諸収差補正が極めて困難とな
り、また第1サブレンズ群G21 の焦点距離f21を一定と
しても、第2サブレンズ群G2 2 焦点距離f22が長くな
り、十分にコンパクトにはならない。
【0043】また、条件(VII)は第3サブレンズ群
G23 においてペッツバール和を補正するための機能を十
分に担わせるための条件である。条件(VII)の下限
を越えると、第3サブレンズ群G23 の焦点距離をf23
短くなり過ぎて、諸収差補正が困難になり、逆に条件
(VII)の上限を越えると、ペッツバール和が補正不
足となって、像面の平坦化が困難となる。
【0044】なお、諸収差の補正上の自由度を確保しつ
つ、諸収差を補正するために、第2レンズ群G2は少なく
とも4枚以上の負レンズと少なくとも4枚以上の正レン
ズを含む構成とすることが好ましい旨を先に述べたが、
第2レンズ群G2のより好ましき構成としては、第1サブ
レンズ群G21 は少なくとも2枚以上の負レンズを含み、
第2サブレンズ群G22 は少なくとも4枚以上の正レンズ
を含み、第3サブレンズG23 は少なくとも2枚以上の負
レンズを含む構成とすることがより好ましい。さらに好
ましくは、第2サブレンズ群G22 における少なくとも4
枚以上の正レンズの内の2枚の正レンズを両凸形状のレ
ンズとすることが良い。
【0045】ところで、本発明における第2レンズ群G2
は、アフォーカル系を構成しているが、完全なるアフォ
ーカル系とする必要はない。
【0046】具体的には、物体(レチクル)上の物体高
Hが零となる位置(レチクルと投影光学系の光軸とが交
わる位置)を軸上物点として、近軸マージナル光線の追
跡を行った時に、近軸マージナル光線の傾角の変化量が
最初に小さくなるような最も物体側(レチクル側)に近
い領域において、近軸マージナル光線の傾角が零または
最も零に近くなるレンズ間隔の箇所を第1レンズ群G1
第2レンズ群G2の境界とし、近軸マージナル光線の傾角
の変化量が最後に小さくなるような最も像側(ウエハ
側)に近い領域において、近軸マージナル光線の傾角が
零または最も零に近くなるレンズ間隔の箇所を第2レン
ズ群G2と第3レンズ群G3の境界とした場合、この時の第
2レンズ群G2は本発明の意味するアフォーカル系に含ま
れる。そこで、本発明の意味する第2レンズ群G2のアフ
ォーカル系についてより分かり易くするために、本発明
の第1レンズ群G1〜第3レンズ群G3との群分けについて
図3〜図6を参照しながら説明する。図3及び図4は近
軸マージナル光線の追跡を行った時に、近軸マージナル
光線の傾角の変化量が最初に小さくなるような最も物体
側(レチクル側)に近い領域(a1 ,a2 )における近
軸マージナル光線の光路を定性的に示しており、図5及
び図6は近軸マージナル光線の傾角の変化量が最後に小
さくなるような最も像側(ウエハ側)に近い領域(b
1 ,b2 )における近軸マージナル光線の光路の様子を
定性的に示している。但し、図3〜図6における近軸マ
ージナル光線の光路中にプロットされた点は、投影光学
系中の各レンズ面での近軸マージナル光線の光軸Axか
らの通過位置を示している。
【0047】まず、図3では、投影光学系の各レンズへ
入射する近軸マージナル光線の通過高が最初の極大値と
なる位置もしくはその近傍において、近軸マージナル光
線の傾角の変化量が小さくなる領域a1 が含まれる時の
近軸マージナル光線の様子を示している。この場合に
は、第1レンズ群G1と第2レンズ群G2との境界は、その
領域a1 において、近軸マージナル光線の傾角が零また
は最も零に近くなるようなレンズ間隔da1の位置とする
のが良い。
【0048】図4では、投影光学系中の物体側(レチク
ル側)に近い領域において、投影光学系の各レンズへ入
射する近軸マージナル光線の傾角の変化量が最初に小さ
くなるような領域a2 を含んだ状態で近軸マージナル光
線の傾角が増加する傾向にある時の近軸マージナル光線
の様子を示している。この場合には、第1レンズ群G1
第2レンズ群G2との境界は、その領域a2 において、近
軸マージナル光線の傾角が零または最も零に近くなるよ
うなレンズ間隔da2の位置とするのが良い。
【0049】図5では、投影光学系の各レンズへ入射す
る近軸マージナル光線の通過高が最後の極大値となる位
置もしくはその近傍において、近軸マージナル光線の傾
角の変化量が小さくなる領域b1 が含まれる時の近軸マ
ージナル光線の様子を示している。この場合には、第2
レンズ群G2と第3レンズ群G3との境界は、その領域b1
において、近軸マージナル光線の傾角が零または最も零
に近くなるようなレンズ間隔の位置db1とするのが良
い。
【0050】図6では、投影光学系中の像側(ウエハ
側)に近い領域において、投影光学系の各レンズへ入射
する近軸マージナル光線の傾角の変化量が最後に小さく
なるような領域b2 を含んだ状態で近軸マージナル光線
の傾角が減少する傾向にある時の近軸マージナル光線の
様子を示している。この場合には、第2レンズ群G2と第
3レンズ群G3との境界は、その領域b2 において、近軸
マージナル光線の傾角が零または最も零に近くなるよう
なレンズ間隔の位置db2とするのが良い。以上の第1レ
ンズ群G1〜第3レンズ群G3のレンズ構成に基づいて、第
2レンズ群G2を実質的にアフォーカル系として十分に機
能させるには、物体(レチクル)上での軸上物点からの
近軸マージナル光線が第1レンズ群G1に入射する時の近
軸マージナル光線の入射角をu1 、物体(レチクル)上
での軸上物点からの近軸マージナル光線が第2レンズ群
G2に入射する時の近軸マージナル光線の入射角をu2
物体(レチクル)上での軸上物点からの近軸マージナル
光線が第2レンズ群G2を射出する時の近軸マージナル光
線の射出角をu2'、物体(レチクル)上での近軸マージ
ナル光線が第3レンズ群G3を射出する時の近軸マージナ
ル光線の射出角をu3'とするとき、 |u2 /u1 |≦0.5 ・・・・・・・・・・・ (VIII) |u2'/u3'|≦0.5 ・・・・・・・・・・・ (IX) を満足することがより望ましい。
【0051】条件式(VIII)、(IX)の関係を満
足しないと、画角による収差(像面湾曲、非点収差、コ
マ収差及び歪曲収差)と、投影光学系の像側開口数NA
に関する収差(球面収差)とをバランス良く補正するこ
とが困難となり、本発明が目的とする投影光学系を実現
することができない。さらに、第2レンズ群G2をより十
分なるアフォーカル系として機能させるには、第1レン
ズ群G1の焦点距離をf1 とし、第2レンズ群G2の焦点距
離をf2 、第3レンズ群G3の焦点距離をf3 とすると
き、 |f2 |>f1 ・・・・・・・・・・・ (X) |f2 |>f3 ・・・・・・・・・・・ (XI) を満足することがさらに好ましい。条件(X)の関係を
満足しないと、第1レンズ群G1では物体側(レチクル
側)をテレセントリックとすることが困難となり、本発
明の目的とする投影光学系が得られない。
【0052】また、条件(XI)の関係から外れて、第
2レンズ群G2の焦点距離が負となる場合には、第2レン
ズ群G2を射出する近軸マージナル光線が発散する。この
ため、投影光学系の像側(ウエハ側)での開口数NAが
小さくなり、高解像な投影光学系を実現することが困難
となる。そこで、投影光学系の像側(ウエハ側)での開
口数NAを確保しようとすると、第3レンズ群G3のレン
ズ径が大きくなり、コンパクト化を図ることが困難とな
る。また、条件(XI)の関係から外れて、第2レンズ
群G2の焦点距離が正となる場合には、投影光学系の像側
(ウエハ側)での開口数NAを確保することは可能とな
るものの、投影光学系と像面(ウエハ面)との間の距離
(バックフォーカス)を確保できなくなり好ましくな
い。このため、投影光学系と像面(ウエハ面)との間の
距離(バックフォーカス)を確保しようとすると、第2
レンズ群G2のレンズ径の大型化を招き、コンパクト化を
図ることができない。
【0053】なお、第2レンズ群G2は、物体側(レチク
ル側)より順に、負の屈折力を持つ第1サブレンズ群G
21 、正の屈折力を持つ第2サブレンズ群G22 、負の屈
折力を持つ第3サブレンズ群G23 を少なくとも有する構
成とすることが好ましいという事は先に述べた通りであ
るが、図2に示す如く、負の屈折力を持つ第3サブレン
ズ群G23 の像側に、正の屈折力を持つ第4サブレンズ群
G24 を配置しても良い。これにより、投影光学系の像側
(ウエハ側)での開口数NAを大きくするために球面収
差の補正に大きく関与する第3レンズ群G3における球面
収差補正上の負荷を第4サブレンズ群G24 に分担できる
ため、バランス良い球面収差の補正が達成できる。この
とき、第1サブレンズG21 と第2サブレンズ群G22
は、逆ガリレオ系もしくはレトロフォーカス系を構成
し、第3サブレンズG23 と第4サブレンズ群G24 とは、
逆ガリレオ系もしくはレトロフォーカス系を構成する。
これにより、第2レンズ群G2は、投影光学系のコンパク
ト化に寄与する2つの光学系(逆ガリレオ系もしくはレ
トロフォーカス系)を有する事になるため、第4サブレ
ンズ群G24 が付加されても投影光学系の大型化を実質的
に招くことはない。なお、第2レンズ群G2が4つのサブ
レンズ群を有する場合においても、上記条件(I)〜
(XI)を適用し得る事は勿論であり、さらには、第2
レンズ群中に第4サブレンズ群G24 を配置した場合、球
面収差補正を十分に果たすためには、少なくとも2枚以
上の正レンズを含む構成とすることがより好ましい。
【0054】また、第2レンズ群G2は、物体側(レチク
ル側)より順に、負の屈折力を持つ第1サブレンズ群G
21 、正の屈折力を持つ第2サブレンズ群G22 、負の屈
折力を持つ第3サブレンズ群G23 のみを有する構成とし
た場合には、第2サブレンズ群G22 から射出する光束を
収斂気味にする事によって、第3サブレンズ群G23 から
射出する光束をほぼ平行光束にとする事が可能である。
この場合にも、上記条件式(I)〜(XI)の適用が可
能である。従って、第2レンズ群G2を具体的に構成する
上で、第4サブレンズ群G24 のレンズ構成は必須なもの
ではない。
【0055】
【実施例】次に、本発明よる実施例について説明する。
本実施例における投影光学系は、図7に示す露光装置に
応用したものである。
【0056】まず、図7について簡単に説明すると、図
示の如く、投影光学系PLの物体面には所定の回路パタ
ーンが形成された投影原版としてのレチクルRが配置さ
れており、投影光学系PLの像面には、基板としてのウ
エハWが配置されている。レチクルRはレチクルステー
ジRSに保持され、ウエハWはウエハステージWSに保
持されている。また、レチクルRの上方には、レチクル
Rを均一照明するための照明光学装置ISが配置されて
いる。
【0057】以上の構成により、照明光学装置ISから
供給される光は、レチクルRを照明し、投影光学系PL
の瞳位置(開口絞りAS位置)には照明光学装置IS中
の光源の像が形成され、所謂ケーラー照明がされる。そ
して、投影光学系PLによって、ケーラー照明されたレ
チクルRのパターン像が、投影光学系PLによりウエハ
W上に露光(転写)される。
【0058】本実施例では、照明光学装置IS内部に配
置される光源として、248nm の露光波長λを持つ光を供
給するエキシマレーザとした時の投影光学系の例を示し
ており、図8〜図10には本発明による第1〜第3実施
例の投影光学系のレンズ構成図を示している。
【0059】図8〜図10に示す如く、各実施例の投影
光学系は、物体側(レチクル側)より順に、正の屈折力
を持つ第1レンズ群G1と、アフォーカル系で構成される
第2レンズ群G2と、正の屈折力を持つ第3レンズ群G3
を有し、第2レンズ群G2は、物体側(レチクル側)より
順に、負の屈折力を持つ第1サブレンズ群G21 と、正の
屈折力を持つ第2サブレンズ群G22 と、負の屈折力を持
つ第3サブレンズ群G2 3 、正の屈折力を持つ第4サブレ
ンズ群G24 を有し、物体側(レチクル側)及び像側(ウ
エハ側)においてテレセントリックとなっている。ま
ず、図8に示す第1実施例の投影光学系は、物像間距離
(物体面から像面までの距離、またはレチクルRからウ
エハWまでの距離)Lが1000、像側の開口数NAが0.5
7、投影倍率Bが1/4、ウエハW上での露光領域の直
径が24.6のスペックを有する。
【0060】第1実施例の具体的なレンズ構成を説明す
ると、図8に示す如く、正の屈折力を持つ第1レンズ群
G1は、物体側から順に、像側に凸面を向けたメニスカス
形状の正レンズL11 と、両凸形状の正レンズL12 とを有
し、第2レンズ群G2中の第1サブレンズ群G21 は、物体
側から順に、像側により強い曲率の面を向けたメニスカ
ス形状の負レンズL211と、両凹形状の負レンズL212と、
像側により強い曲率の面を向けた負レンズL213と、物体
側により強い曲率の面を向けた負レンズL214とを有す
る。そして、第2レンズ群G2中の第2サブレンズ群G22
は、物体側から順に、像側により強い曲率の面を向けた
正レンズL221と、3枚の両凸形状の正レンズ(L222〜L
224)と、物体側に凸面を向けたメニスカス形状の正レ
ンズL225とを有し、第2レンズ群G2中の第3サブレンズ
群G23 は、物体側から順に、像側により強い曲率の面を
向けた負レンズL231と、両凹形状の負レンズL232と、物
体側により強い曲率の面を向けた負レンズL233とを有す
る。第2レンズ群G2中の第4サブレンズ群G24 は、物体
側から順に、像側に凸面を向けた2枚の正レンズ
(L241,L242)と、両凸形状の正レンズL243とを有し、
第3レンズ群G3は、物体側から順に、物体側に凸面を向
けた2枚の正レンズ(L31,L32)と、物体側に凸面を向け
たメニスカスレンズ形状の負レンズL33 と、物体側に凸
面を向けた正レンズL34とを有する。
【0061】次に、図9に示す第2実施例の投影光学系
は、物像間距離Lが1000、像側の開口数NAが0.59、投
影倍率Bが1/4、ウエハW上での露光領域の直径が2
4.4のスペックを有する。
【0062】第2実施例の具体的なレンズ構成は、図9
に示す如く、先に述べた図8に示す第1実施例のものと
基本的に同一である。また、図10に示す第3実施例の
投影光学系は、物像間距離Lが1000、像側の開口数NA
が0.56、投影倍率Bが1/4、ウエハW上での露光領域
の直径が24.4のスペックを有する。
【0063】第3実施例の具体的なレンズ構成は、図1
0に示す如く、先に述べた第1及び第2実施例のものと
類似しているが、第2レンズ群G2中の第1サブレンズ群
G21のレンズ構成が異なる。すなわち、第1及び第2実
施例では、第1サブレンズ群G21 を4枚の負レンズで構
成しているが、図10に示す第3実施例では、第1サブ
レンズ群G21 を3枚の負レンズで構成している。具体的
には、第3実施例の第1サブレンズ群G21 は、物体側か
ら順に、物体側に凸面を向けたメニスカス形状の負レン
ズL211と、両凹形状の負レンズL212と、物体側により強
い曲率の面を向けた負レンズL213とを有する。
【0064】さて、以下において、それぞれ本発明にお
ける各実施例の諸元の値並びに条件対応数値を掲げる。
但し、左端の数字は物体側(レチクル側)からの順序を
表し、rはレンズ面の曲率半径、dはレンズ面間隔、n
は露光波長λが248nm における溶融石英SiO2 の屈折
率、d0 は物体(レチクル)から第1レンズ群G1の最も
物体側(レチクル側)のレンズ面(第1レンズ面)まで
の距離、Bは投影光学系の投影倍率、NAは投影光学系
の像側での開口数、Fは全系の焦点距離、Lは物体面
(レチクル面)から像面(ウエハ面)までの物像間距
離、物体(レチクル)上での軸上物点(レチクル中心)
からの近軸マージナル光線が第2レンズ群G2に入射する
時の光軸からの入射高をh1 、物体(レチクル)上での
軸上物点(レチクル中心)からの近軸マージナル光線が
第2レンズ群G2を射出するときの光軸からの射出高をh
2 、f1 は第1レンズ群G1の焦点距離、f2 は第2レン
ズ群G2の焦点距離、f3は第3レンズ群G3の焦点距離、
MAX は投影光学系の光軸からの物体の最大の高さ(最
大物体高)、f21は第1サブレンズ群G21 の焦点距離、
22は第2サブレンズ群G22 の焦点距離、f23は第3サ
ブレンズ群G23 の焦点距離、u1 は物体(レチクル)上
での軸上物点(レチクル中心)からの近軸マージナル光
線が第1レンズ群G1に入射する時の近軸マージナル光線
の入射角、u2 は物体(レチクル)上での軸上物点(レ
チクル中心)からの近軸マージナル光線が第2レンズ群
G2に入射する時の近軸マージナル光線の入射角、u2'は
物体(レチクル)上での軸上物点(レチクル中心)から
の近軸マージナル光線が第2レンズ群G2を射出する時の
近軸マージナル光線の射出角、u3'は物体(レチクル)
上での軸上物点(レチクル中心)からの近軸マージナル
光線が第3レンズ群G3を射出する時の近軸マージナル光
線の射出角を表している。
【0065】
【第1実施例】 0 =111.457 、B=1/4、NA=0.57、|F/(B
・L)|=1.972 、d0 /L=0.1115、|h2 /h1
=4.404 、f1 /L=0.2123、HMAX /L=0.0492、f
22/f21=1.861 、f23/L=0.0441、|u2 /u1
=0.3108、|u2'/u3'|=0.1194、|f2 |/f1
1.696 、|f2 |/f3 =2.054
【0066】
【第2実施例】 0 =114.2133、B=1/4、NA=0.59、|F/(B
・L)|=4.623 、d0 /L=0.1142、|h2 /h1
=4.441 、f1 /L=0.1877、HMAX /L=0.0488、f
22/f21=1.954 、f23/L=0.0428、|u2 /u1
=0.2743、|u2'/u3'|=0.1241、|f2 |/f1
1.726 、|f2 |/f3 =1.951
【0067】
【第3実施例】 0 =109.638 、B=1/4、NA=0.56、F/B・L
=3.493 、d0 /L=0.1096、|h2 /h1 |=4.540
、f1 /L=0.1775、HMAX /L=0.488 、f22/f
21=1.974 、f23/L=0.0421、|u2 /u1 |=0.24
46、|u2'/u3'|=0.1223、|f2 |/f1 =1.784
、|f2 |/f3 =1.899
【0068】以上の各実施例の諸元の値より、各実施例
のものは、比較的少ないレンズ構成枚数で全長並びにレ
ンズ径が小さく抑えられているにもかかわず、比較的広
い露光領域と0.55以上の高い開口数とを確保しながら、
物体側(レチクル側)及び像側(ウェハ側)においてテ
レセントリックが達成されている事が理解される。
【0069】また、図11、図12、図13はそれぞれ
本発明による第1〜第3実施例における諸収差図を示し
ている。ここで、各収差図において、NAは投影光学系
の開口数、Yは像高を示しており、また、各非点収差図
中において、点線は子午的像面(メリジオナル像面)、
実線は球欠的像面(サジタル像面)を示している。各収
差図の比較より、各実施例とも諸収差がバランス良く補
正されながら、0.55以上の高い開口数を持つ高解像力な
投影光学系が達成されていることが理解される。特に、
歪曲収差は、像全体にわたり限り無く零に近い状態まで
良好に補正されていることが理解される。
【0070】なお、以上の各実施例では、第2レンズ群
G2を負・正・負・正の4つのサブレンズ群で構成した例
を示したが、これに限ることなく、第2レンズ群G2を負
・正・負の3つのサブレンズ群で構成し得ることは言う
までもない。また、以上の各実施例の第2レンズ群G2
屈折力は比較的弱い正の屈折力を有しているが、第2レ
ンズ群G2を零の屈折力、あるいは比較的弱い負の屈折力
で構成しても良いことは勿論である。
【0071】さらに、以上の各実施例では、投影光学系
を構成する光学材料として単一の硝子材料、即ち全て石
英(SiO2 )を用いているが、露光光にある半値幅を
持つ場合には、石英(SiO2 )と蛍石(CaF2 )と
を組み合わせて、色収差を補正することが可能であり、
さらには、その他の紫外域の光を通過させる光学材料を
組み合わせて色収差を補正することも可能である。ま
た、各実施例では、248nm の光を供給するエキシマレー
ザを光源として用いた例を示したがこれに限ることな
く、g線(436nm),i線(365nm)の光を供給する水銀ア
ークランプや、193nm の光を供給するエキシマレーザ、
さらにはそれ以外の紫外領域の光を供給する光源を用い
たものにも応用し得ることは言うまでもない。また、投
影光学系を構成する1部のレンズの代わりに反射鏡等の
反射部材を用いることも可能である。
【0072】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、レンズ
径のみならず投影光学系の全長が小さいにもかかわず、
比較的広い露光領域を確保しながら、諸収差がバランス
良く補正され、しかも高い開口数を持つ高解像力な投影
光学系が達成できる。これにより、高性能な投影露光装
置が実現できる。
【0073】また、投影光学系の入射瞳位置を物体面
(レチクル面)より遠くに、また射出瞳位置も像面(ウ
エハ面)から遠くにする、所謂両側テレセントリックな
光学系が実現できるため、物体面や像面でのそりによる
像歪の問題を解消することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の両側テレセントリックな投影光学系を
示す概念図である。
【図2】本発明の投影光学系の基本構成を示す図であ
る。
【図3】軸上物点(レチクル中心)からの近軸マージナ
ル光線の傾角の変化量が最初に小さくなるような最も物
体側(レチクル側)に近い領域において、近軸マージナ
ル光線のレンズ面通過高さが極大値を示す時の近軸マー
ジナル光線の光路の様子を定性的に示す図である。
【図4】軸上物点(レチクル中心)からの近軸マージナ
ル光線の傾角の変化量が最初に小さくなるような最も物
体側(レチクル側)に近い領域において、近軸マージナ
ル光線の傾角が増加する傾向にある時の近軸マージナル
光線の光路の様子を定性的に示す図である。
【図5】軸上物点(レチクル中心)からの近軸マージナ
ル光線の傾角の変化量が最後の小さくなるような最も像
側(ウエハ側)に近い領域において、近軸マージナル光
線のレンズ面通過高さが極大値を示す時の近軸マージナ
ル光線の光路の様子を定性的に示す図である。
【図6】軸上物点(レチクル中心)からの近軸マージナ
ル光線の傾角の変化量が最初に小さくなるような最も像
側(ウエハ側)に近い領域において、近軸マージナル光
線の傾角が減少する傾向にある時の近軸マージナル光線
の光路の様子を定性的に示す図である。
【図7】本発明による投影光学系を露光装置に応用した
時の露光装置の概略的構成を示す図である。
【図8】本発明による第1実施例のレンズ構成図を示す
図である。
【図9】本発明による第2実施例のレンズ構成図を示す
図である。
【図10】本発明による第3実施例のレンズ構成図を示
す図である。
【図11】本発明による第1実施例の諸収差の様子を示
す諸収差図である。
【図12】本発明による第2実施例の諸収差の様子を示
す諸収差図である。
【図13】本発明による第3実施例の諸収差の様子を示
す諸収差図である。
【符号の説明】
1 ・・・・・・・・・ 第1レンズ群 G2 ・・・・・・・・・ 第2レンズ群 G3 ・・・・・・・・・ 第3レンズ群 G21・・・・・・・・・ 第1サブレンズ群 G22・・・・・・・・・ 第2サブレンズ群 G23・・・・・・・・・ 第3サブレンズ群 G24・・・・・・・・・ 第4サブレンズ群
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成7年2月10日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 投影光学系及び投影露光装置
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/027 (72)発明者 ロメオ アイ.メルカド アメリカ合衆国.カリフォルニア,フレモ ント,マウンテン ドライヴ 2977

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1物体の像を所定の縮小倍率のもとで第
    2物体に投影する投影光学系において、 前記投影光学系は、前記第1物体側より順に、正の屈折
    力を持つ第1レンズ群G1と、アフォーカル系で構成され
    る第2レンズ群G2と、正の屈折力を持つ第3レンズ群G3
    とを有し、 全系の焦点距離をFとし、前記投影光学系の投影倍率を
    B、前記第1物体と前記第2物体との間の距離をL、前
    記第1物体から前記第1レンズ群G1の最も第1物体側の
    レンズ面までの距離をd0 、近軸マージナル光線が前記
    第2レンズ群G2に入射する時の光軸からの入射高をh
    1 、近軸マージナル光線が前記第2レンズ群G2を射出す
    るときの光軸からの射出高をh2 とするとき、以下の条
    件を満足することを特徴とする投影光学系。 (I) 1.8≦|F/(B・L)|≦6 (II) d0 /L≦0.2 (III) 4≦|h2 /h1 |≦10
  2. 【請求項2】前記第1レンズ群G1の焦点距離をf1 とす
    るとき、前記第1物体と前記第2物体との間の距離Lに
    対する前記第1レンズ群G1の焦点距離f1 の比率を以下
    の条件を満足するように構成することを特徴とする請求
    項1記載の投影光学系。 (IV) 0.05≦f1 /L≦0.3
JP33647093A 1993-11-15 1993-12-28 投影光学系及び投影露光装置 Expired - Lifetime JP3360387B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15216493A 1993-11-15 1993-11-15
US152164 1993-11-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07140384A true JPH07140384A (ja) 1995-06-02
JP3360387B2 JP3360387B2 (ja) 2002-12-24

Family

ID=22541755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33647093A Expired - Lifetime JP3360387B2 (ja) 1993-11-15 1993-12-28 投影光学系及び投影露光装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5831776A (ja)
JP (1) JP3360387B2 (ja)
KR (1) KR100357640B1 (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0712019A3 (en) * 1994-11-10 1997-10-08 Nippon Kogaku Kk Optical projection system and projection exposure apparatus
EP0803755A2 (en) 1996-04-25 1997-10-29 Nikon Corporation Projection optical system and exposure apparatus with the same
US5808814A (en) * 1996-07-18 1998-09-15 Nikon Corporation Short wavelength projection optical system
US5831770A (en) * 1995-10-12 1998-11-03 Nikon Corporation Projection optical system and exposure apparatus provided therewith
US5903400A (en) * 1996-08-08 1999-05-11 Nikon Corporation Projection-optical system for use in a projection-exposure apparatus
US5930049A (en) * 1996-10-01 1999-07-27 Nikon Corporation Projection optical system and method of using such system for manufacturing devices
US6333781B1 (en) 1997-07-24 2001-12-25 Nikon Corporation Projection optical system and exposure apparatus and method
USRE37846E1 (en) 1995-01-06 2002-09-17 Nikon Corporation Projection optical system and exposure apparatus using the same
USRE38421E1 (en) 1994-04-28 2004-02-10 Nikon Corporation Exposure apparatus having catadioptric projection optical system
USRE38438E1 (en) 1994-08-23 2004-02-24 Nikon Corporation Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same
USRE39296E1 (en) 1993-03-12 2006-09-19 Nikon Corporation Catadioptric projection systems
KR100652498B1 (ko) * 1998-11-30 2006-11-30 칼 짜이스 에스엠테 아게 투영 대물렌즈

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3819048B2 (ja) * 1995-03-15 2006-09-06 株式会社ニコン 投影光学系及びそれを備えた露光装置並びに露光方法
JPH116957A (ja) * 1997-04-25 1999-01-12 Nikon Corp 投影光学系および投影露光装置並びに投影露光方法
JPH1195095A (ja) 1997-09-22 1999-04-09 Nikon Corp 投影光学系
US6700645B1 (en) 1998-01-22 2004-03-02 Nikon Corporation Projection optical system and exposure apparatus and method
JPH11214293A (ja) 1998-01-22 1999-08-06 Nikon Corp 投影光学系及び該光学系を備えた露光装置並びにデバイス製造方法
DE60040181D1 (de) 1999-07-14 2008-10-16 Nec Display Solutions Ltd Durchsichtprotektionssystem mit schief einfallendem Lichtbündel
WO2002052303A2 (de) * 2000-12-22 2002-07-04 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv
JP2002244034A (ja) 2001-02-21 2002-08-28 Nikon Corp 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
JP2002323652A (ja) 2001-02-23 2002-11-08 Nikon Corp 投影光学系,該投影光学系を備えた投影露光装置および投影露光方法
KR100476840B1 (ko) * 2002-08-22 2005-03-18 최춘식 벽체 간이방수 검사장치 및 그를 이용한 누수지수그라우팅 방법
KR100503290B1 (ko) * 2002-09-03 2005-07-25 주식회사 우지스 토류벽의 차수를 위한 전면방수 그라우팅 공법
US8208198B2 (en) 2004-01-14 2012-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
US20080151364A1 (en) 2004-01-14 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective
KR20180078354A (ko) 2004-05-17 2018-07-09 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
JP2008527403A (ja) * 2004-12-30 2008-07-24 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 投影光学系
JP5063165B2 (ja) * 2007-04-06 2012-10-31 キヤノン株式会社 ズームレンズ及び画像投射装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3504961A (en) * 1968-04-01 1970-04-07 Perkin Elmer Corp Modified double gauss objective
US3897138A (en) * 1971-11-24 1975-07-29 Canon Kk Projection lens for mask pattern printing
JPS581763B2 (ja) * 1978-06-19 1983-01-12 旭光学工業株式会社 回折限界の解像力を有する等倍複写用レンズ
JPS56165111A (en) * 1980-05-26 1981-12-18 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Telecentric illuminating system
JPS5878115A (ja) * 1981-11-04 1983-05-11 Nippon Kogaku Kk <Nikon> テレセントリツク照明用補助コンデンサ−レンズ
JPS58150924A (ja) * 1982-03-04 1983-09-07 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 二重共役維持光学系
US4666273A (en) * 1983-10-05 1987-05-19 Nippon Kogaku K. K. Automatic magnification correcting system in a projection optical apparatus
GB2153543B (en) * 1983-12-28 1988-09-01 Canon Kk A projection exposure apparatus
US4811055A (en) * 1984-02-27 1989-03-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
US4772107A (en) * 1986-11-05 1988-09-20 The Perkin-Elmer Corporation Wide angle lens with improved flat field characteristics
JPH0812329B2 (ja) * 1986-11-06 1996-02-07 株式会社シグマ 投影レンズ
JPS63121810A (ja) * 1986-11-11 1988-05-25 Canon Inc 投影レンズ系
US4770477A (en) * 1986-12-04 1988-09-13 The Perkin-Elmer Corporation Lens usable in the ultraviolet
DE68916451T2 (de) * 1988-03-11 1994-11-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optisches Projektionssystem.
US5105075A (en) * 1988-09-19 1992-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
JPH0442208A (ja) * 1990-06-08 1992-02-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd テレセントリック投影レンズ
JP3041939B2 (ja) * 1990-10-22 2000-05-15 株式会社ニコン 投影レンズ系
JP3353902B2 (ja) * 1990-12-12 2002-12-09 オリンパス光学工業株式会社 投影レンズ系
JP3298131B2 (ja) * 1991-10-24 2002-07-02 株式会社ニコン 縮小投影レンズ

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE39296E1 (en) 1993-03-12 2006-09-19 Nikon Corporation Catadioptric projection systems
USRE39024E1 (en) 1994-04-28 2006-03-21 Nikon Corporation Exposure apparatus having catadioptric projection optical system
USRE38421E1 (en) 1994-04-28 2004-02-10 Nikon Corporation Exposure apparatus having catadioptric projection optical system
USRE38438E1 (en) 1994-08-23 2004-02-24 Nikon Corporation Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same
EP0712019A3 (en) * 1994-11-10 1997-10-08 Nippon Kogaku Kk Optical projection system and projection exposure apparatus
US5805344A (en) * 1994-11-10 1998-09-08 Nikon Corporation Projection optical system and projection exposure apparatus
EP1091230A3 (en) * 1994-11-10 2004-02-11 Nikon Corporation Projection optical system that projects an image of a pattern formed on a reticle onto a substrate
USRE38403E1 (en) 1994-11-10 2004-01-27 Nikon Corporation Projection optical system and projection exposure apparatus
USRE37846E1 (en) 1995-01-06 2002-09-17 Nikon Corporation Projection optical system and exposure apparatus using the same
EP0770895B1 (en) * 1995-10-12 2003-06-25 Nikon Corporation Projection optical system and exposure apparatus provided therewith
US5831770A (en) * 1995-10-12 1998-11-03 Nikon Corporation Projection optical system and exposure apparatus provided therewith
EP0803755A2 (en) 1996-04-25 1997-10-29 Nikon Corporation Projection optical system and exposure apparatus with the same
US5808814A (en) * 1996-07-18 1998-09-15 Nikon Corporation Short wavelength projection optical system
US5903400A (en) * 1996-08-08 1999-05-11 Nikon Corporation Projection-optical system for use in a projection-exposure apparatus
US5930049A (en) * 1996-10-01 1999-07-27 Nikon Corporation Projection optical system and method of using such system for manufacturing devices
US6333781B1 (en) 1997-07-24 2001-12-25 Nikon Corporation Projection optical system and exposure apparatus and method
KR100652498B1 (ko) * 1998-11-30 2006-11-30 칼 짜이스 에스엠테 아게 투영 대물렌즈

Also Published As

Publication number Publication date
JP3360387B2 (ja) 2002-12-24
US5831776A (en) 1998-11-03
KR950014993A (ko) 1995-06-16
KR100357640B1 (ko) 2003-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3396935B2 (ja) 投影光学系及び投影露光装置
JP3360387B2 (ja) 投影光学系及び投影露光装置
KR100387003B1 (ko) 투영광학시스템,투영노광장치,노광방법,및노광장치제조방법
JP3500745B2 (ja) 投影光学系、投影露光装置及び投影露光方法
JP3454390B2 (ja) 投影光学系、投影露光装置及び投影露光方法
JP3819048B2 (ja) 投影光学系及びそれを備えた露光装置並びに露光方法
US5781278A (en) Projection optical system and exposure apparatus with the same
KR100573913B1 (ko) 투영광학계및노광장치
JPH11214293A (ja) 投影光学系及び該光学系を備えた露光装置並びにデバイス製造方法
JP2005519347A (ja) 最大開口型の投影対物レンズ
JPH09105861A (ja) 投影光学系
JPH0534593A (ja) 縮小投影レンズ
JPH1054936A (ja) 投影露光装置及び該投影露光装置に用いられる投影光学系並びにデバイス製造方法
JPH10282411A (ja) 投影光学系
JPH1197344A (ja) 投影光学系、該光学系を備えた露光装置、及び該装置を用いたデバイスの製造方法
JPH1195095A (ja) 投影光学系
JPH06313845A (ja) 投影レンズ系
JPH07128592A (ja) 縮小投影レンズ
KR20010007381A (ko) 투영광학계 및 그것을 사용한 투영노광장치, 및디바이스제조방법
JP3423644B2 (ja) 投影光学系及びそれを用いた投影露光装置
JPH09329742A (ja) 光学系の収差補正方法および収差補正光学系を備えた投影露光装置
JPH11109244A (ja) 反射屈折光学系
JPS63121810A (ja) 投影レンズ系
USRE38465E1 (en) Exposure apparatus
JP2000131607A (ja) 投影光学系

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081018

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111018

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141018

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term