KR950014993A - 투영광학계 및 투영 조정기 - Google Patents

투영광학계 및 투영 조정기 Download PDF

Info

Publication number
KR950014993A
KR950014993A KR1019940030128A KR19940030128A KR950014993A KR 950014993 A KR950014993 A KR 950014993A KR 1019940030128 A KR1019940030128 A KR 1019940030128A KR 19940030128 A KR19940030128 A KR 19940030128A KR 950014993 A KR950014993 A KR 950014993A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lens group
sub
lens
represented
optical system
Prior art date
Application number
KR1019940030128A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100357640B1 (ko
Inventor
도시히로 사사야
가즈오 우시다
유따까 수에나가
아이. 머카도 로미오
Original Assignee
오노 시게오
가부시끼가이샤 니콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오노 시게오, 가부시끼가이샤 니콘 filed Critical 오노 시게오
Publication of KR950014993A publication Critical patent/KR950014993A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100357640B1 publication Critical patent/KR100357640B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/24—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for reproducing or copying at short object distances
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/14—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/7025—Size or form of projection system aperture, e.g. aperture stops, diaphragms or pupil obscuration; Control thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

소정의 감소율을 갖는 제 2대물위로 제1대물의 상을 투영하는 투영광학계와 그 투영광학계에 장칙된 투영조정기에 있어서, 상기 투영광학계는, 상기 대물측에서 보아 연속하여 정굴절력을 갖는 제1렌즈군, 가시적으로 초점계를 이루고 있는 제2렌즈군 및, 정 굴절력을 갖는 제3렌즈군을 구비하고 있다.
상기 투영 광학계의 초점거리는 F로 나타내고, 상기 투영 광학계의 투영 배율은 B로 나타내고, 상기 제1대물과 상기 제2대물사이의 거리는 L로 나타내고, 상기 제1물체로부터 상기 제1렌즈군에 가장 가까이 있는 렌즈면까지의 거리는 do로 나타내고, 상기 제1대물의 축 방향 대물점으로부터의 근축 주변 광선이 제2렌즈군(G2)에 입사할 때 광축으로부터 근축 주변 광선의 입사 높이는 h1으로 나타내고, 상기 제1대물의 축방향 대물점으로부터의 근축 주변광선이 제2렌즈군으로부터 출사할 때 광축으로부터 근축 주변 광선의 출사 높이는 h2로 나타내면, 다음의 조건

Description

투영광학계 및 투영 조정기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 투영 광학계의 기본 구조도.

Claims (31)

  1. 제1대물의 상을 고정된 축소 배율을 가진 제2대물에 투영하는 투영 광학계에 있어서, 상기 제1대물측에서 보아 연속계로서 정 굴절력을 가진 제1렌즈군과, 초점계를 실제로 구성하는 제2렌즈군 및 정굴절력을 가진 제3렌즈군을 포함하고, 상기 투영 광학계의 초점거리는 F로 나타내고, 상기 투영 광학계의 투영 배율은 B로 나타내고, 상기 제1대물과 상기 제2대물사이의 거리는 L로 나타내고, 상기 제1물체로부터 상기 제1렌즈군에 가장 가까이 있는 렌즈면까지의 거리는 do로 나타내고, 상기 제1대물의 축방향 대물점으로부터의 근축 주변 광선이 제2렌즈군(G2)에 입사할 때 광축으로부터 근축 주변 광선의 입사 높이는 h1으로 나타내고, 상기 제1대물의 축방향 대물점으로부터의 근축 주변광선이 제2렌즈군으로부터 출사할 때 광축으로부터 근축 주변 광선의 출사 높이는 h2로 나타내면, 다음의 조건이 만족되어지는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1대물과 상기 제2대물간의 거리는 L로 나타내고, 제1렌즈군의 초점거리는 fl으로 나타내면, 다음 조건 0.05≤f1/L≤0.3이 만족되어지는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1대물에서 투영 광학계의 광축으로부터 대물의 최대 높이는 HMAX로 나타내고, 제1대물과 제2대물간의 거리를 L로 나타내면, 다음 조건 0.04≤HMAX/L≤0.2가 만족되어지는 것을 특징으로 하는 투영 광학계
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1렌즈군은 적어도 2개 이상의 정렌즈를 포함하고, 상기 제2렌즈군은 적어도 4개 이상의 부렌즈와 적어도 4개 이상의 정렌즈를 포함하며, 상기 제3렌즈군은 적어도 2개 이상의 정렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제2렌즈군은 상기 제1대물측에서 보아 연속계로서 부굴절력을 가진 제1서브렌즈군과, 정굴절력을 가진 제2서브렌즈군 및 부굴절력을 가진 제3서브렌즈군을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1서브렌즈군의 초점거리는 f21으로 나타내고, 제2서브 렌즈군의 초점거리를 f22로 나타내면, 다음 조건가 만족되어지는 것을 특징으로 하는 투명 광학계.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제3서브렌즈군의 초점거리는 f23로 나타내고 상기 제1대물 및 제2대물간의 거리는 L로 나타내면 다음조건가 만족되어지는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  8. 제5항에 있어서, 상기 제1서브 렌즈군의 초점거리는 f21으로 나타내고 상기 제2서브렌즈군의 초점 거리는 f22로 나타내면, 다음조건가 만족되어지는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  9. 제3항에 있어서, 상기 제1렌즈군은 적어도 2개 이상의 정렌즈를 포함하고, 상기 제3렌즈군은 적어도 2개 이상의 정렌즈를 포함하고, 상기 제2렌즈군은 상기 제1대물 측에서 보아 연속계로서, 부 굴절력을 가진 제1서브렌즈군과 정 굴절력을 가진 제2서브 렌즈군 및 부굴절력을 가진 제3서브 렌즈군을 포함하고, 상기 제1서브 렌즈군은 적어도 2개 이상의 부렌즈를 포함하고, 상기 제2서브 렌즈군은 적어도 2개 이상의 정렌즈를 포함하고, 상기 제3서브 렌즈군은 적어도 2개 이상의 부렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제2서브 렌즈군은 2개 이상의 양 블록렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  11. 제8항에 있어서, 상기 제1물체에서 축방향 대물점으로부터의 근축 주변 광선이 상기 제1렌즈군에 입사할 때, 근축 주변 광선의 입사각을 ul으로 나타내고, 상기 제1대물에서 축방향 대물점으로부터의 근축 주변광선이 상기 제2렌즈군에 입사할 때, 근축 주변 광선의 입사각을 u2로 나타내고, 상기 제1대물에서 축방향 대물점으로부터의 근축 주변광선이 상기 제2렌즈군으로부터 출사할 때, 근축 주변광선의 출사각은 u2'로 나타내고, 상기 제1대물에서 축방향 대물점으로부터의 근축주변 광선이 상기 제3렌즈군으로부터 출사할 때, 근축 주변 광선의 출사각은 u3'로 나타내면, 다음 조건,로 만족되어지는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1렌즈군이 초점거리는 f1으로 나타내고, 상기 제2렌즈군의 초점거리는 f2로 나타내고, 제3렌즈군의 초점거리는 f3는 나타내면, 다음조건가 만족되어지는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  13. 제3항에 있어서, 상기 제2렌즈군은 상기 제1대물측에서 보아 연속계로서, 부굴절력을 가진 제1서브렌즈와, 정굴절력을 가진 제2서브렌즈와, 부굴절력을 가진 제3서브렌즈군 및 정굴절력을 가진 제4서브 렌즈군을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  14. 제13항에 있어신, 상기 제1렌즈군은 적어도 2개 이상의 정렌즈를 포함하고, 상기 제3렌즈군은 적어도 2개 이상의 정렌즈를 포함하고, 상기 제1서브렌즈군은 적어도 2개 이상의 부렌즈를 포함하고, 상기 제2서브렌즈군은 적어도 4개 이상의 정렌즈를 포함하고, 상기 제3서브렌즈군은 적어도 2개 이상의 부렌즈를 포함하며, 상기 제4서브렌즈군은 적어도 2개 이상의 정렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제1서브렌즈군의 초점거리는 f21으로 나타내고 상기 제2서브렌즈군의 초점 거리는 f22나타내면, 다음조건가 만족되어지는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제3렌즈군의 초점거리는 f23로 나타내고, 상기 제1대물와 상기 제2대물간의 거리는 L로 나타내면, 다음 조건가 만족되어지는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제1서브렌즈군의 초점거리는 f21으로 나타내고 상기 제2서브렌즈군의 초점거리는 f22로 나타내면, 다음 조건가 만족되어지는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  18. 제1항에 있어서, 상기 제2렌즈군이 상기 제1대물측에서 보아 연속계로서 부굴절력을 가진 제1서브렌즈군과, 정굴절력을 가진 제2서브렌즈군 및 부굴절력을 가진 제3서브렌즈군을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 광학 시스템.
  19. 제18항에 있어서, 상기 제1서브렌즈군은 상기 제2대물측을 향해 더 높은 곡률을 가진 부렌즈와 부양 오목부렌즈 및, 상기 제1대물측에 직면하는 더 높은 곡률을 가진 정렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 광학 시스템.
  20. 제19항에 있어서, 상기 제2서브렌즈군은 제1대물측을 향해 더 높은 곡률을 가진 정렌즈와, 적어도 2개의 정 양불록 렌즈 및, 상기 제2대물측에 직면하는 더 강한 곡률을 가진 정렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  21. 제20항에 있어서, 상기 제3서브 렌즈군은 상기 제2대물측을 향해 더 높은 곡률을 가진 부렌즈와, 양외측렌즈 및, 상기 제1대물측을 향하는 더 높은 곡률을 가진 부렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  22. 제21항에 있어서, 상기 제2렌즈군은 상기 제3서브렌즈군의 제2대물측에서 정굴절력을 가진 제4서브렌즈군을 포함하며, 상기 제4서브렌즈군은 상기 제2대물측을 향해 볼록한 채로 적어도 2개 이상의 정렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 광학제.
  23. 제22항에 있어서, 상기 제1렌즈군은 상기 제2대물측 및 정 양블록렌즈를 향해 더 높은 곡률을 가진 정렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  24. 제23항에 있어서, 상기 제3렌즈군은 상기 제1대물측을 향해 블록한 채로 적어도 3개의 정렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  25. 제1항에 있어서, 상기 제2렌즈군은 약한 정굴절력을 갖는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  26. 고정된 패턴이 형성된 제1대물에 조사시키는 조사 수단과, 상기 제1대물의 상을 제2대물에 투영하는 투영 광학계와, 상기 제2물체를 지지하는 제1지지 수단 및 상기 제2물체를 지지하는 제2지지 수단을 포함하고 투명 조정기(aligner)에 있어서, 상기 투영 광학계는 상기 제1대물측에서 보아 연속계로서, 정굴절력을 가진 제1렌즈군과, 초점계를 실제로 구성하는 상기 제2렌즈군 및 정굴절력을 가진 제3렌즈군을 포함하고, 상기 투영 광학계의 초점거리는 F로 나타내고, 상기 투영 광학계의 투영 배율은 B로 나타내며, 상기 제1대물과 상기 제2대물간의 거리는 L로 나타내고, 상기 제1대체로부터 상기 제1렌즈군엣 제1물체에 가장 가까이 있는 렌즈 표면까지의 거리를 do로 나타내면, 상기 제1대물체의 축방향 대물점으로부터 근축 주변 광선이 제2렌즈군(G2)에 입사할 때 광경로로부터 근축 주변 광선의 입사 높이는 h1으로 나타내고, 상기 제1물체의 축방향 대물점으로부터 근축 주변광선이 제2렌즈군(G)에서 출사할때 광경로로부터 근축 주변의 광선의 출사높이는 h2로 나타내면, 다음 조건이 만족되어지는 것을 특징으로 하는 투영 조정기.
  27. 제26항에 있어서, 상기 제2렌즈군은 상기 제1대물측에서 보아 연속계로서 적어도 부굴절력을 가진 제1서브렌즈군과, 정굴절력을 가진 제2서브렌즈군 및 부굴절력을 가진 제3서브렌즈군을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 조정기.
  28. 제26항에 있어서, 상기 제1서브렌즈군은 상기 제2대물측을 향해 더 높은 곡률을 가진 부렌즈와, 부양오목렌즈 및, 상기 제1대물측을 향해 더 높은 곡률을 가진 부렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 조정기.
  29. 제26항에 있어서, 상기 제2서브렌즈군의 상기 제1대물측을 향해 더 높은 곡률을 가진 정렌즈와, 적어도 2개 이상의 정 양블록 렌즈 및, 상기 제2대물측을 향해 더 높은 곡률을 가진 양 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 조정기.
  30. 제26항에 있어서, 상기 제3서브렌즈군은 상기 제2대물측을 항해 더 높은 곡률을 가진 부렌즈와, 부양오목렌즈 및, 상기 제1대물측을 향해 더 높은 곡률을 가진 부렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 조정기.
  31. 제26항에 있어서, 상기 제2렌즈군은 상기 제3서브렌즈군의 제2대물측에서 정굴절력을 가진 제4서브렌즈군을 포함하고, 상기 제4서브렌즈군은 상기 제2대물측을 향해 볼록한 채로 적어도 2개의 정렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 조정기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940030128A 1993-11-15 1994-11-15 투영광학계,투영노광장치,투영노광방법,및집적회로의제조방법 KR100357640B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15216493A 1993-11-15 1993-11-15
US152,164 1993-11-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950014993A true KR950014993A (ko) 1995-06-16
KR100357640B1 KR100357640B1 (ko) 2003-03-19

Family

ID=22541755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940030128A KR100357640B1 (ko) 1993-11-15 1994-11-15 투영광학계,투영노광장치,투영노광방법,및집적회로의제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5831776A (ko)
JP (1) JP3360387B2 (ko)
KR (1) KR100357640B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100476840B1 (ko) * 2002-08-22 2005-03-18 최춘식 벽체 간이방수 검사장치 및 그를 이용한 누수지수그라우팅 방법
KR100503290B1 (ko) * 2002-09-03 2005-07-25 주식회사 우지스 토류벽의 차수를 위한 전면방수 그라우팅 공법

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09311278A (ja) 1996-05-20 1997-12-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JP3395801B2 (ja) 1994-04-28 2003-04-14 株式会社ニコン 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法
USRE38438E1 (en) 1994-08-23 2004-02-24 Nikon Corporation Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same
JPH08179204A (ja) * 1994-11-10 1996-07-12 Nikon Corp 投影光学系及び投影露光装置
JP3454390B2 (ja) 1995-01-06 2003-10-06 株式会社ニコン 投影光学系、投影露光装置及び投影露光方法
JP3819048B2 (ja) * 1995-03-15 2006-09-06 株式会社ニコン 投影光学系及びそれを備えた露光装置並びに露光方法
JP3624973B2 (ja) * 1995-10-12 2005-03-02 株式会社ニコン 投影光学系
JP3750123B2 (ja) † 1996-04-25 2006-03-01 株式会社ニコン 投影光学系
US5808814A (en) * 1996-07-18 1998-09-15 Nikon Corporation Short wavelength projection optical system
JP3864399B2 (ja) * 1996-08-08 2006-12-27 株式会社ニコン 投影露光装置及び該投影露光装置に用いられる投影光学系並びにデバイス製造方法
JP3757536B2 (ja) * 1996-10-01 2006-03-22 株式会社ニコン 投影光学系及びそれを備えた露光装置並びにデバイス製造方法
JPH116957A (ja) * 1997-04-25 1999-01-12 Nikon Corp 投影光学系および投影露光装置並びに投影露光方法
JP3925576B2 (ja) 1997-07-24 2007-06-06 株式会社ニコン 投影光学系、該光学系を備えた露光装置、及び該装置を用いたデバイスの製造方法
JPH1195095A (ja) 1997-09-22 1999-04-09 Nikon Corp 投影光学系
US6700645B1 (en) 1998-01-22 2004-03-02 Nikon Corporation Projection optical system and exposure apparatus and method
JPH11214293A (ja) 1998-01-22 1999-08-06 Nikon Corp 投影光学系及び該光学系を備えた露光装置並びにデバイス製造方法
DE19855157A1 (de) * 1998-11-30 2000-05-31 Zeiss Carl Fa Projektionsobjektiv
WO2001006295A1 (fr) * 1999-07-14 2001-01-25 Eiki Matsuo Systeme optique de formation d'images
EP1344112A2 (de) * 2000-12-22 2003-09-17 Carl Zeiss SMT AG Projektionsobjektiv
JP2002244034A (ja) 2001-02-21 2002-08-28 Nikon Corp 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
JP2002323652A (ja) 2001-02-23 2002-11-08 Nikon Corp 投影光学系，該投影光学系を備えた投影露光装置および投影露光方法
US8208198B2 (en) 2004-01-14 2012-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
US20080151365A1 (en) 2004-01-14 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective
KR20160085375A (ko) 2004-05-17 2016-07-15 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
CN101107570B (zh) * 2004-12-30 2011-02-09 卡尔蔡司Smt股份公司 投影光学系统
JP5063165B2 (ja) * 2007-04-06 2012-10-31 キヤノン株式会社 ズームレンズ及び画像投射装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3504961A (en) * 1968-04-01 1970-04-07 Perkin Elmer Corp Modified double gauss objective
US3897138A (en) * 1971-11-24 1975-07-29 Canon Kk Projection lens for mask pattern printing
JPS581763B2 (ja) * 1978-06-19 1983-01-12 旭光学工業株式会社 回折限界の解像力を有する等倍複写用レンズ
JPS56165111A (en) * 1980-05-26 1981-12-18 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Telecentric illuminating system
JPS5878115A (ja) * 1981-11-04 1983-05-11 Nippon Kogaku Kk <Nikon> テレセントリツク照明用補助コンデンサ−レンズ
JPS58150924A (ja) * 1982-03-04 1983-09-07 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 二重共役維持光学系
US4666273A (en) * 1983-10-05 1987-05-19 Nippon Kogaku K. K. Automatic magnification correcting system in a projection optical apparatus
GB2153543B (en) * 1983-12-28 1988-09-01 Canon Kk A projection exposure apparatus
US4811055A (en) * 1984-02-27 1989-03-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
US4772107A (en) * 1986-11-05 1988-09-20 The Perkin-Elmer Corporation Wide angle lens with improved flat field characteristics
JPH0812329B2 (ja) * 1986-11-06 1996-02-07 株式会社シグマ 投影レンズ
JPS63121810A (ja) * 1986-11-11 1988-05-25 Canon Inc 投影レンズ系
US4770477A (en) * 1986-12-04 1988-09-13 The Perkin-Elmer Corporation Lens usable in the ultraviolet
DE68916451T2 (de) * 1988-03-11 1994-11-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optisches Projektionssystem.
US5105075A (en) * 1988-09-19 1992-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
JPH0442208A (ja) * 1990-06-08 1992-02-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd テレセントリック投影レンズ
JP3041939B2 (ja) * 1990-10-22 2000-05-15 株式会社ニコン 投影レンズ系
JP3353902B2 (ja) * 1990-12-12 2002-12-09 オリンパス光学工業株式会社 投影レンズ系
JP3298131B2 (ja) * 1991-10-24 2002-07-02 株式会社ニコン 縮小投影レンズ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100476840B1 (ko) * 2002-08-22 2005-03-18 최춘식 벽체 간이방수 검사장치 및 그를 이용한 누수지수그라우팅 방법
KR100503290B1 (ko) * 2002-09-03 2005-07-25 주식회사 우지스 토류벽의 차수를 위한 전면방수 그라우팅 공법

Also Published As

Publication number Publication date
US5831776A (en) 1998-11-03
JPH07140384A (ja) 1995-06-02
KR100357640B1 (ko) 2003-03-19
JP3360387B2 (ja) 2002-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950014993A (ko) 투영광학계 및 투영 조정기
KR950014906A (ko) 투영광학계 및 투영조정기
KR960018769A (ko) 투영 광학 시스템 및 투영 노광장치
KR960024688A (ko) 노광 장치
KR960032097A (ko) 투영 노광 장치
EP0859258A3 (en) Optical system and image taking apparatus
KR960029823A (ko) 투영 광학계 및 이를 이용한 노광 장치
JP2001021804A5 (ko)
KR970071147A (ko) 투영 광학계 및 노광 장치
KR910008066B1 (ko) 피조사면의 주변부의 조도를 증가시키는 광학계
US4527858A (en) Uniform speed scanning lens having a high resolving power
US4015896A (en) Reflecting-lens objective
JPS5432318A (en) Lens for micro-reduction photography
US5909307A (en) Optical system for infrared camera
JPS54158225A (en) Photographic lens having long back focus and large aperture ratio
JPS63188115A (ja) ビ−ム整形光学系
JPS5667822A (en) Focal diaphragm
JPS5443755A (en) Reproducing lens for video disc
RU2244330C2 (ru) Объектив
SU1670662A1 (ru) Фотографический объектив
SU531115A1 (ru) Светосильный объектив
JPS56130725A (en) Optical device for focus detection
SU672594A1 (ru) Широкоугольный светосильный объектив
SU1089538A1 (ru) Лупа
JPH06273674A (ja) 反射屈折光学系

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Re-publication after modification of scope of protection [patent]
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120924

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130924

Year of fee payment: 12

EXPY Expiration of term