JPH11326767A - 反射屈折縮小光学系 - Google Patents
反射屈折縮小光学系Info
- Publication number
- JPH11326767A JPH11326767A JP10140623A JP14062398A JPH11326767A JP H11326767 A JPH11326767 A JP H11326767A JP 10140623 A JP10140623 A JP 10140623A JP 14062398 A JP14062398 A JP 14062398A JP H11326767 A JPH11326767 A JP H11326767A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- beam splitter
- optical
- concave mirror
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
- G02B17/0892—Catadioptric systems specially adapted for the UV
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lenses (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】走査型露光装置の投影光学系として使用され、
ビームスプリッタと凹面鏡が実用的な大きさであり、し
かもクォーターミクロン単位の解像度を有する反射屈折
縮小光学系を提供する。 【解決手段】第１面Ｒ上のパターンの像を第２面Ｗ上に
結像し、第１面Ｒと第２面Ｗとを同期して走査すること
により、走査方向に拡大した範囲のパターンの像を第２
面Ｗ上に結像する反射屈折縮小光学系において、第１面
Ｒ側から順に、正の屈折力を持つ第１光学系Ｇ1と、透
過反射面Ｓの入射平面が走査方向を含むように配置され
たビームスプリッタＢＳと、ビームスプリッタＢＳに入
射した光束の反射光路又は透過光路に配置され、１枚の
凹面鏡ＭCを含む第２光学系Ｇ2と、第２光学系Ｇ2から
ビームスプリッタＢＳに戻る光束の透過光路又は反射光
路に配置され、負の屈折力を持つ第３光学系Ｇ3と、平
面反射面ＭPと、正の屈折力を持つ第４光学系Ｇ4より構
成される。
ビームスプリッタと凹面鏡が実用的な大きさであり、し
かもクォーターミクロン単位の解像度を有する反射屈折
縮小光学系を提供する。 【解決手段】第１面Ｒ上のパターンの像を第２面Ｗ上に
結像し、第１面Ｒと第２面Ｗとを同期して走査すること
により、走査方向に拡大した範囲のパターンの像を第２
面Ｗ上に結像する反射屈折縮小光学系において、第１面
Ｒ側から順に、正の屈折力を持つ第１光学系Ｇ1と、透
過反射面Ｓの入射平面が走査方向を含むように配置され
たビームスプリッタＢＳと、ビームスプリッタＢＳに入
射した光束の反射光路又は透過光路に配置され、１枚の
凹面鏡ＭCを含む第２光学系Ｇ2と、第２光学系Ｇ2から
ビームスプリッタＢＳに戻る光束の透過光路又は反射光
路に配置され、負の屈折力を持つ第３光学系Ｇ3と、平
面反射面ＭPと、正の屈折力を持つ第４光学系Ｇ4より構
成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素
子、または液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で
製造する際に使用される露光装置の投影光学系に関し、
特に走査型露光装置の投影光学系として使用され、光学
系の要素として反射系と屈折系とを用いることにより、
紫外線波長域でクオーターミクロン単位以下の解像度を
有する反射屈折型の縮小投影光学系に関する。
子、または液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で
製造する際に使用される露光装置の投影光学系に関し、
特に走査型露光装置の投影光学系として使用され、光学
系の要素として反射系と屈折系とを用いることにより、
紫外線波長域でクオーターミクロン単位以下の解像度を
有する反射屈折型の縮小投影光学系に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子等を製造するためのフォトリ
ソグラフィ工程においては、フォトマスクまたはレチク
ル（以下、レチクルと総称する。）上のパターンの像
を、投影光学系を介して、フォトレジスト等が塗布され
たウエハまたはガラスプレート等（以下、ウエハと総称
する。）上に投影する露光装置が使用されている。半導
体素子等は近年ますます大型化し、且つますます集積度
が高くなっているが、半導体素子の大型化に対処するた
めに、走査型露光装置が開発されている。他方、半導体
素子の集積度が高くなるにつれて、投影光学系に要求さ
れる解像力は益々高まっている。この要求を満足するた
めに、照明光の波長を短くし、且つ投影光学系の開口数
（Ｎ．Ａ．）を大きくする必要が生じた。
ソグラフィ工程においては、フォトマスクまたはレチク
ル（以下、レチクルと総称する。）上のパターンの像
を、投影光学系を介して、フォトレジスト等が塗布され
たウエハまたはガラスプレート等（以下、ウエハと総称
する。）上に投影する露光装置が使用されている。半導
体素子等は近年ますます大型化し、且つますます集積度
が高くなっているが、半導体素子の大型化に対処するた
めに、走査型露光装置が開発されている。他方、半導体
素子の集積度が高くなるにつれて、投影光学系に要求さ
れる解像力は益々高まっている。この要求を満足するた
めに、照明光の波長を短くし、且つ投影光学系の開口数
（Ｎ．Ａ．）を大きくする必要が生じた。
【０００３】しかし、照明光の波長が短くなると、光の
吸収によって実用に耐える硝材の種類は限られ、波長が
３００ｎｍ以下になると、現在のところ実用上使える硝
材は合成石英と蛍石だけとなる。両者のアッベ数は、色
収差を補正するのに十分な程は離れていないので、色収
差の補正が困難となる。また求められる光学性能は極め
て高いため、各収差をほぼ無収差にすることが必要とな
る。これをレンズ群のみで構成される屈折光学系で達成
するためには、多数のレンズが必要となり、透過率の低
減や光学系を製造するためのコストの増大を避けること
ができない。
吸収によって実用に耐える硝材の種類は限られ、波長が
３００ｎｍ以下になると、現在のところ実用上使える硝
材は合成石英と蛍石だけとなる。両者のアッベ数は、色
収差を補正するのに十分な程は離れていないので、色収
差の補正が困難となる。また求められる光学性能は極め
て高いため、各収差をほぼ無収差にすることが必要とな
る。これをレンズ群のみで構成される屈折光学系で達成
するためには、多数のレンズが必要となり、透過率の低
減や光学系を製造するためのコストの増大を避けること
ができない。
【０００４】これに対して凹面鏡等の反射面を用いた反
射光学系は色収差がなく、しかもレンズとは逆のぺッツ
バール和への寄与を示すため、反射光学系と屈折光学系
とを組み合わせたいわゆる反射屈折光学系によれば、レ
ンズ枚数の増加を招くことなく、色収差をはじめとする
各種の収差をほぼ無収差にすることができる。こうした
反射屈折光学系により投影光学系を構成した種々の技術
が提案されてきているが、その中で、反射系に対する光
束の入出力を行うための光路変換用ビームスプリッタを
有する反射屈折縮小光学系としては、特公平７−１１７
６４８号公報、特開平６−３００９７３号公報、特開平
５−８８０８９号公報、特開平３−２８２５２７号公報
及びＰＣＴ／ＥＰ９５／０１７１９等に開示されてい
る。
射光学系は色収差がなく、しかもレンズとは逆のぺッツ
バール和への寄与を示すため、反射光学系と屈折光学系
とを組み合わせたいわゆる反射屈折光学系によれば、レ
ンズ枚数の増加を招くことなく、色収差をはじめとする
各種の収差をほぼ無収差にすることができる。こうした
反射屈折光学系により投影光学系を構成した種々の技術
が提案されてきているが、その中で、反射系に対する光
束の入出力を行うための光路変換用ビームスプリッタを
有する反射屈折縮小光学系としては、特公平７−１１７
６４８号公報、特開平６−３００９７３号公報、特開平
５−８８０８９号公報、特開平３−２８２５２７号公報
及びＰＣＴ／ＥＰ９５／０１７１９等に開示されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の技術
では、光路分割のために透過反射面を持ったビームスプ
リッタを使う必要があり、ビームスプリッタの形状は、
非対称収差を発生させないためにプリズム形状にする必
要がある。しかるに上記従来の技術では、解像力を上げ
るために像側開口数を大きくすると、１辺が２００ｍｍ
以上の大型のプリズムが必要となる。このような大型の
プリズムは製造が非常に困難で、プリズム内部の材料の
不均一性や歪みにより解像力が劣化するという不都合が
ある。また光量ロスやフレアー等の迷光の発生を防ぐた
めには、特開平３−２８２５２７号公報等にも開示され
ているように、偏光ビームスプリッタの採用が考えられ
るが、偏光ビームスプリッタの透過反射面には、入射光
がＰ偏光の場合には透過し、Ｓ偏光の場合には反射する
多層構造の透過反射膜が必要である。また偏光状態を変
えるための１／４波長板が不可欠となる。しかるに、偏
光ビームスプリッタや１／４波長板などの光学要素は、
大きくなればなるほど製造が非常に困難であり、クォー
ターミクロン単位以下の解像度を達成するためには製造
コストも非常に高くなる。本発明はかかる点に鑑み、走
査型露光装置の投影光学系として使用され、紫外線波長
域で大きな開口数を達成しつつ、光路分割のためのプリ
ズム型ビームスプリッタと凹面鏡が実用的な大きさであ
り、像側の作動距離も十分確保され、しかもクォーター
ミクロン単位の解像度を有する反射屈折縮小光学系を提
供することを課題とする。
では、光路分割のために透過反射面を持ったビームスプ
リッタを使う必要があり、ビームスプリッタの形状は、
非対称収差を発生させないためにプリズム形状にする必
要がある。しかるに上記従来の技術では、解像力を上げ
るために像側開口数を大きくすると、１辺が２００ｍｍ
以上の大型のプリズムが必要となる。このような大型の
プリズムは製造が非常に困難で、プリズム内部の材料の
不均一性や歪みにより解像力が劣化するという不都合が
ある。また光量ロスやフレアー等の迷光の発生を防ぐた
めには、特開平３−２８２５２７号公報等にも開示され
ているように、偏光ビームスプリッタの採用が考えられ
るが、偏光ビームスプリッタの透過反射面には、入射光
がＰ偏光の場合には透過し、Ｓ偏光の場合には反射する
多層構造の透過反射膜が必要である。また偏光状態を変
えるための１／４波長板が不可欠となる。しかるに、偏
光ビームスプリッタや１／４波長板などの光学要素は、
大きくなればなるほど製造が非常に困難であり、クォー
ターミクロン単位以下の解像度を達成するためには製造
コストも非常に高くなる。本発明はかかる点に鑑み、走
査型露光装置の投影光学系として使用され、紫外線波長
域で大きな開口数を達成しつつ、光路分割のためのプリ
ズム型ビームスプリッタと凹面鏡が実用的な大きさであ
り、像側の作動距離も十分確保され、しかもクォーター
ミクロン単位の解像度を有する反射屈折縮小光学系を提
供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の課題を達成するた
めに、本発明の反射屈折縮小光学系は、第１面上のパタ
ーンの一部分の像を反射部材と屈折部材とによって縮小
して第２面上に結像し、且つ前記第１面と第２面とを前
記縮小倍率に対応した速度比にて同期して走査すること
により、前記一部分よりも前記走査方向に拡大した範囲
の前記パターンの像を前記第２面上に結像する反射屈折
縮小光学系において、前記第１面側から順に、正の屈折
力を持つ第１光学系と、透過反射面の入射平面が前記走
査方向を含むように配置されたビームスプリッタと、該
ビームスプリッタに入射した光束の反射光路又は透過光
路に配置され、１枚の凹面鏡を含む第２光学系と、該第
２光学系から前記ビームスプリッタに戻る光束の透過光
路又は反射光路に配置され、負の屈折力を持つ第３光学
系と、平面反射面と、正の屈折力を持つ第４光学系より
構成している。
めに、本発明の反射屈折縮小光学系は、第１面上のパタ
ーンの一部分の像を反射部材と屈折部材とによって縮小
して第２面上に結像し、且つ前記第１面と第２面とを前
記縮小倍率に対応した速度比にて同期して走査すること
により、前記一部分よりも前記走査方向に拡大した範囲
の前記パターンの像を前記第２面上に結像する反射屈折
縮小光学系において、前記第１面側から順に、正の屈折
力を持つ第１光学系と、透過反射面の入射平面が前記走
査方向を含むように配置されたビームスプリッタと、該
ビームスプリッタに入射した光束の反射光路又は透過光
路に配置され、１枚の凹面鏡を含む第２光学系と、該第
２光学系から前記ビームスプリッタに戻る光束の透過光
路又は反射光路に配置され、負の屈折力を持つ第３光学
系と、平面反射面と、正の屈折力を持つ第４光学系より
構成している。
【０００７】本発明は、主として走査型露光装置に用い
る反射屈折縮小光学系に関するものである。結像光学系
の各光学要素の大きさは、開口絞りから離れて第１面
（物体面）に近づくに従い、物体側開口数ＮＡ1のほ
か、物体高Ｈにも対応した大きさが必要となり、第２面
（像面）に近づくに従い、像側開口数ＮＡ2のほか、像
高Ｙにも対応した大きさが必要となる。他方、走査露光
では、レチクルとウエハとを同期して走査することによ
り、レチクルパターンの全域をウエハに転写する。した
がって、物体面上の物体領域と像面上の像領域とは、走
査方向には短く、走査方向と直交する非走査方向には長
いスリット状の領域が用いられる。すなわち走査方向に
ついては、物体高Ｈあるいは像高Ｙは十分に小さい。そ
れ故、プリズム型ビームスプリッタの透過反射面の入射
平面（入射光軸と反射光軸が作る平面）が走査方向を含
むように配置すれば、ビームスプリッタの入射平面と平
行な断面形状は、ほぼ物体側開口数ＮＡ1あるいは像側
開口数ＮＡ2にのみ対応するように形成すれば足りるこ
ととなる。しかるに縮小光学系では、物体側開口数ＮＡ
1は像側開口数ＮＡ2よりも小さい。本発明では、開口絞
りよりも第１面側にビームスプリッタを配置しており、
こうしてビームスプリッタの小型化を図っている。
る反射屈折縮小光学系に関するものである。結像光学系
の各光学要素の大きさは、開口絞りから離れて第１面
（物体面）に近づくに従い、物体側開口数ＮＡ1のほ
か、物体高Ｈにも対応した大きさが必要となり、第２面
（像面）に近づくに従い、像側開口数ＮＡ2のほか、像
高Ｙにも対応した大きさが必要となる。他方、走査露光
では、レチクルとウエハとを同期して走査することによ
り、レチクルパターンの全域をウエハに転写する。した
がって、物体面上の物体領域と像面上の像領域とは、走
査方向には短く、走査方向と直交する非走査方向には長
いスリット状の領域が用いられる。すなわち走査方向に
ついては、物体高Ｈあるいは像高Ｙは十分に小さい。そ
れ故、プリズム型ビームスプリッタの透過反射面の入射
平面（入射光軸と反射光軸が作る平面）が走査方向を含
むように配置すれば、ビームスプリッタの入射平面と平
行な断面形状は、ほぼ物体側開口数ＮＡ1あるいは像側
開口数ＮＡ2にのみ対応するように形成すれば足りるこ
ととなる。しかるに縮小光学系では、物体側開口数ＮＡ
1は像側開口数ＮＡ2よりも小さい。本発明では、開口絞
りよりも第１面側にビームスプリッタを配置しており、
こうしてビームスプリッタの小型化を図っている。
【０００８】また、一般にビームスプリッタの透過反射
面は光軸に対して４５°の角度をなすように配置される
から、ビームスプリッタを往復通過することにより、光
軸は９０°折り曲げられる。他方、第１面（物体面）と
第２面（像面）は、一般に平行であることが好ましい。
それ故、ビームスプリッタによって９０°折り曲げられ
た光軸を、−９０°折り曲げて元の方向に戻すように、
平面反射面が配置される。本出願人は、特願平９−２６
７９４１号において、開口絞りよりも第１面側にビーム
スプリッタ及び凹面鏡を配置し、ビームスプリッタ及び
凹面鏡よりも第１面側に平面反射面を配置した技術を提
案しているが、本発明では、開口絞りよりも第１面側に
平面反射面を配置し、平面反射面よりも第１面側にビー
ムスプリッタ及び凹面鏡を配置している。しかるに開口
絞りから第１面側に離れれば離れるほど、必要な光学系
の大きさは小さくなるから、本発明によれば、特願平９
−２６７９４１号に開示された技術よりも、ビームスプ
リッタ及び凹面鏡の小型化を図ることができる。
面は光軸に対して４５°の角度をなすように配置される
から、ビームスプリッタを往復通過することにより、光
軸は９０°折り曲げられる。他方、第１面（物体面）と
第２面（像面）は、一般に平行であることが好ましい。
それ故、ビームスプリッタによって９０°折り曲げられ
た光軸を、−９０°折り曲げて元の方向に戻すように、
平面反射面が配置される。本出願人は、特願平９−２６
７９４１号において、開口絞りよりも第１面側にビーム
スプリッタ及び凹面鏡を配置し、ビームスプリッタ及び
凹面鏡よりも第１面側に平面反射面を配置した技術を提
案しているが、本発明では、開口絞りよりも第１面側に
平面反射面を配置し、平面反射面よりも第１面側にビー
ムスプリッタ及び凹面鏡を配置している。しかるに開口
絞りから第１面側に離れれば離れるほど、必要な光学系
の大きさは小さくなるから、本発明によれば、特願平９
−２６７９４１号に開示された技術よりも、ビームスプ
リッタ及び凹面鏡の小型化を図ることができる。
【０００９】次に、本発明の反射屈折縮小光学系は、第
１面側と第２面側との双方にテレセントリックに形成さ
れることが好ましい。これにより、レチクル又はウエハ
にたわみなどの光軸方向の位置ずれが生じても、像歪み
が無視できる量に低減されることとなる。また開口絞り
は、第４光学系の中に配置されることが好ましい。これ
により、露光領域全域で均等にコヒーレンスファクタ
（σ値）を調整できることとなる。なお、開口絞りは、
第４光学系の前側焦点位置付近に配置されることが一層
好ましい。
１面側と第２面側との双方にテレセントリックに形成さ
れることが好ましい。これにより、レチクル又はウエハ
にたわみなどの光軸方向の位置ずれが生じても、像歪み
が無視できる量に低減されることとなる。また開口絞り
は、第４光学系の中に配置されることが好ましい。これ
により、露光領域全域で均等にコヒーレンスファクタ
（σ値）を調整できることとなる。なお、開口絞りは、
第４光学系の前側焦点位置付近に配置されることが一層
好ましい。
【００１０】次に、本発明においては、 Ｌ1：第１面から凹面鏡までの光軸上の距離 Ｌ2：凹面鏡から第２面までの光軸上の距離 とするとき、 ０．２＜Ｌ1／Ｌ2＜１．３ ‥‥（１） なる条件式を満足することが好ましい。条件式（１）
は、ビームスプリッタの小型化を実現しつつ、各光学系
を実用的な大きさに保ち、しかも歪曲収差等の軸外収差
を良好に補正するための条件式である。条件式（１）の
上限を超えると、ビームスプリッタの小型化を達成する
ことができない。逆に条件式（１）の下限を超えると、
第１光学系の大型化を招き、且つ軸外収差の悪化を避け
ることができない。条件式（１）の上限を１．０とし、
下限を０．３５とすると、さらに好ましくい。
は、ビームスプリッタの小型化を実現しつつ、各光学系
を実用的な大きさに保ち、しかも歪曲収差等の軸外収差
を良好に補正するための条件式である。条件式（１）の
上限を超えると、ビームスプリッタの小型化を達成する
ことができない。逆に条件式（１）の下限を超えると、
第１光学系の大型化を招き、且つ軸外収差の悪化を避け
ることができない。条件式（１）の上限を１．０とし、
下限を０．３５とすると、さらに好ましくい。
【００１１】次に、本発明においては、 Ｓ3：第１面上の光軸上の物点から発した周辺光束の、
第３光学系における最大有効面積 Ｓ4：第１面上の光軸上の物点から発した周辺光束の、
第４光学系における最大有効面積 とするとき、 ０．１＜Ｓ3／Ｓ4＜０．８ ‥‥（２） なる条件式を満足することが好ましい。条件式（２）
は、ビームスプリッタの小型化を実現しつつ、光学系が
大きな像側開口数ＮＡ2を持ち、しかも各諸収差が良好
に補正されるための条件式である。この条件式（２）を
満たすことで、ビームスプリッタの小型化とクォーター
ミクロン単位以下の解像度とを同時に達成することがで
きる。条件式（２）の上限を０．５とし、下限を０．１
５とすると、さらに好ましい。
第３光学系における最大有効面積 Ｓ4：第１面上の光軸上の物点から発した周辺光束の、
第４光学系における最大有効面積 とするとき、 ０．１＜Ｓ3／Ｓ4＜０．８ ‥‥（２） なる条件式を満足することが好ましい。条件式（２）
は、ビームスプリッタの小型化を実現しつつ、光学系が
大きな像側開口数ＮＡ2を持ち、しかも各諸収差が良好
に補正されるための条件式である。この条件式（２）を
満たすことで、ビームスプリッタの小型化とクォーター
ミクロン単位以下の解像度とを同時に達成することがで
きる。条件式（２）の上限を０．５とし、下限を０．１
５とすると、さらに好ましい。
【００１２】次に本発明の第２光学系は、凹面鏡のほか
に、凹面鏡とビームスプリッタの間に配置される少なく
とも１枚の負レンズを有することが好ましい。これによ
り、全系のペッツバール和を０に補償することができ、
像面湾曲を良好に補正することができる。また、従来の
反射屈折縮小光学系では、凹面鏡とビームスプリッタの
間に配置される負レンズは、ビームスプリッタ側により
強い負の屈折力を持っていたが、本発明においては、凹
面鏡側により強い負の屈折力を持つことが好ましい。こ
れにより、コマ収差、非点収差及び歪曲収差を良好に補
正することができる。
に、凹面鏡とビームスプリッタの間に配置される少なく
とも１枚の負レンズを有することが好ましい。これによ
り、全系のペッツバール和を０に補償することができ、
像面湾曲を良好に補正することができる。また、従来の
反射屈折縮小光学系では、凹面鏡とビームスプリッタの
間に配置される負レンズは、ビームスプリッタ側により
強い負の屈折力を持っていたが、本発明においては、凹
面鏡側により強い負の屈折力を持つことが好ましい。こ
れにより、コマ収差、非点収差及び歪曲収差を良好に補
正することができる。
【００１３】次に、本発明においては、 β：全系の結像倍率 β1：第１光学系の結像倍率 ｆ1：第１光学系の焦点距離 ｆ2：第２光学系の焦点距離 とするとき、 ｜β／β1｜＜０．１ ‥‥（３） ｜ｆ1／ｆ2｜＜１．５ ‥‥（４） なる条件式を満足することが好ましい。条件式（３）及
び（４）は、ビームスプリッタの透過反射面に入射する
光線の角度差を少なくし、透過反射膜の角度特性による
フレアー等の迷光の発生をなくすための条件式である。
これらの条件式を満たすことで、ビームスプリッタの透
過反射面に入射する光線の角度差が小さくなり、透過反
射膜の性能を上げることができるようになり、光量ロス
や迷光の発生を防ぐことができる。更に露光波長の短波
長化に伴い、膜として用いることのできる材料が少なく
なることを考えると、条件式（３）の上限を０．０５と
し、条件式（４）の上限を１．０とすることが一層好ま
しい。
び（４）は、ビームスプリッタの透過反射面に入射する
光線の角度差を少なくし、透過反射膜の角度特性による
フレアー等の迷光の発生をなくすための条件式である。
これらの条件式を満たすことで、ビームスプリッタの透
過反射面に入射する光線の角度差が小さくなり、透過反
射膜の性能を上げることができるようになり、光量ロス
や迷光の発生を防ぐことができる。更に露光波長の短波
長化に伴い、膜として用いることのできる材料が少なく
なることを考えると、条件式（３）の上限を０．０５と
し、条件式（４）の上限を１．０とすることが一層好ま
しい。
【００１４】また、光の有効利用を図るために、ビーム
スプリッタとして偏光ビームスプリッタを用いることが
できる。この場合、偏光ビームスプリッタから一旦射出
してその後に偏光ビームスプリッタに戻る光束の光路
（中間光路）に、１／４波長板を配置することとなる。
また、偏光ビームスプリッタを用いるときには、偏光ビ
ームスプリッタから最後に射出する光束は直線偏光であ
るが、パターンの方向によっては、第２面上に円偏光で
結像した方が好ましい場合がある。この場合には、偏光
ビームスプリッタから最後に射出する光束の光路（射出
光路）に１／４波長板を配置して、円偏光に変換するこ
ととなる。この場合にも、走査方向についての光束径が
十分に小さくなっているから、１／４波長板の小型化を
図ることができる。但し、偏光ビームスプリッタからの
射出光路に配置する１／４波長板は、第２面の近傍に配
置することもできる。
スプリッタとして偏光ビームスプリッタを用いることが
できる。この場合、偏光ビームスプリッタから一旦射出
してその後に偏光ビームスプリッタに戻る光束の光路
（中間光路）に、１／４波長板を配置することとなる。
また、偏光ビームスプリッタを用いるときには、偏光ビ
ームスプリッタから最後に射出する光束は直線偏光であ
るが、パターンの方向によっては、第２面上に円偏光で
結像した方が好ましい場合がある。この場合には、偏光
ビームスプリッタから最後に射出する光束の光路（射出
光路）に１／４波長板を配置して、円偏光に変換するこ
ととなる。この場合にも、走査方向についての光束径が
十分に小さくなっているから、１／４波長板の小型化を
図ることができる。但し、偏光ビームスプリッタからの
射出光路に配置する１／４波長板は、第２面の近傍に配
置することもできる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面によっ
て説明する。図１は本発明による反射屈折縮小光学系の
第１実施例を示し、図３は第２実施例を示す。両実施例
とも、レチクルＲ上のパターンの一部分の像を縮小して
ウエハＷ上に結像し、且つレチクルＲとウエハＷとを光
学系の縮小倍率βに対応した速度比にて同期して走査す
ることにより、走査方向に拡大した範囲のパターンの像
をウエハＷ上に結像する光学系である。なお走査方向
は、図１及び図３の紙面内の方向である。
て説明する。図１は本発明による反射屈折縮小光学系の
第１実施例を示し、図３は第２実施例を示す。両実施例
とも、レチクルＲ上のパターンの一部分の像を縮小して
ウエハＷ上に結像し、且つレチクルＲとウエハＷとを光
学系の縮小倍率βに対応した速度比にて同期して走査す
ることにより、走査方向に拡大した範囲のパターンの像
をウエハＷ上に結像する光学系である。なお走査方向
は、図１及び図３の紙面内の方向である。
【００１６】両実施例とも、レチクルＲ側から順に、正
の屈折力を持つ第１光学系Ｇ1と、透過反射面Ｓの入射
平面が走査方向を含むように配置されたビームスプリッ
タＢＳと、ビームスプリッタに入射した光束の反射光路
に配置され、１枚の凹面鏡ＭCを含む第２光学系Ｇ2と、
第２光学系Ｇ2からビームスプリッタに戻る光束の透過
光路に配置され、負の屈折力を持つ第３光学系Ｇ3と、
平面反射面ＭPと、正の屈折力を持つ第４光学系Ｇ4より
構成されている。なお、両実施例とも、平面反射面ＭP
は平面鏡によって構成されており、開口絞りＡＳは第４
光学系Ｇ4中に配置されている。また、両実施例では、
ビームスプリッタＢＳに最初に入射した光束は、先ず透
過反射面Ｓで反射し、次に透過反射面Ｓを透過する。但
しこの構成に代えて、先ず透過反射面Ｓを透過し、次に
透過反射面Ｓで反射する構成とすることもでき、このと
きには、凹面鏡ＭCは水平方向に配置されることとな
る。
の屈折力を持つ第１光学系Ｇ1と、透過反射面Ｓの入射
平面が走査方向を含むように配置されたビームスプリッ
タＢＳと、ビームスプリッタに入射した光束の反射光路
に配置され、１枚の凹面鏡ＭCを含む第２光学系Ｇ2と、
第２光学系Ｇ2からビームスプリッタに戻る光束の透過
光路に配置され、負の屈折力を持つ第３光学系Ｇ3と、
平面反射面ＭPと、正の屈折力を持つ第４光学系Ｇ4より
構成されている。なお、両実施例とも、平面反射面ＭP
は平面鏡によって構成されており、開口絞りＡＳは第４
光学系Ｇ4中に配置されている。また、両実施例では、
ビームスプリッタＢＳに最初に入射した光束は、先ず透
過反射面Ｓで反射し、次に透過反射面Ｓを透過する。但
しこの構成に代えて、先ず透過反射面Ｓを透過し、次に
透過反射面Ｓで反射する構成とすることもでき、このと
きには、凹面鏡ＭCは水平方向に配置されることとな
る。
【００１７】図１に示す第１実施例の第１光学系Ｇ
1は、レチクル側に凹面を向けたメニスカスレンズＬ11
と、ウエハ側に凹面を向けたメニスカスレンズＬ12と、
レチクル側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ13と、
３枚の正レンズＬ14、Ｌ15、Ｌ16からなる。第２光学系
Ｇ2は、両凹レンズＬ21と凹面鏡ＭCからなり、両凹レン
ズＬ21は、凹面鏡ＭC側の曲率の方が強い。第３光学系
Ｇ3は、ウエハ側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ
31からなる。第４光学系Ｇ4は、２枚の正レンズＬ41、
Ｌ42と、レチクル側に凹面を向けたメニスカスレンズＬ
43と、３枚の正レンズＬ44、Ｌ45、Ｌ46と、レチクル側
に凹面を向けたメニスカスレンズＬ47と、正レンズＬ48
からなる。このうち、レンズＬ42とＬ46は蛍石（ＣａＦ
2）によって形成されており、その他のレンズとビーム
スプリッタＢＳは石英硝子（ＳｉＯ2）によって形成さ
れている。
1は、レチクル側に凹面を向けたメニスカスレンズＬ11
と、ウエハ側に凹面を向けたメニスカスレンズＬ12と、
レチクル側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ13と、
３枚の正レンズＬ14、Ｌ15、Ｌ16からなる。第２光学系
Ｇ2は、両凹レンズＬ21と凹面鏡ＭCからなり、両凹レン
ズＬ21は、凹面鏡ＭC側の曲率の方が強い。第３光学系
Ｇ3は、ウエハ側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ
31からなる。第４光学系Ｇ4は、２枚の正レンズＬ41、
Ｌ42と、レチクル側に凹面を向けたメニスカスレンズＬ
43と、３枚の正レンズＬ44、Ｌ45、Ｌ46と、レチクル側
に凹面を向けたメニスカスレンズＬ47と、正レンズＬ48
からなる。このうち、レンズＬ42とＬ46は蛍石（ＣａＦ
2）によって形成されており、その他のレンズとビーム
スプリッタＢＳは石英硝子（ＳｉＯ2）によって形成さ
れている。
【００１８】図３に示す第２実施例の第１光学系Ｇ
1は、両凹レンズＬ11と、ウエハ側に凹面を向けたメニ
スカスレンズＬ12と、レチクル側に凹面を向けた負メニ
スカスレンズＬ13と、３枚の正レンズＬ14、Ｌ15、Ｌ16
からなる。第２光学系Ｇ2は、第１の１／４波長板Ｑ
1と、凹面鏡ＭC側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ
21と凹面鏡ＭCからなり、負レンズＬ21はメニスカス形
状をしているから、凹面鏡ＭC側の曲率の方が強い。第
３光学系Ｇ3は、第２の１／４波長板Ｑ2と、ウエハ側に
凹面を向けた負メニスカスレンズＬ31からなる。第４光
学系Ｇ4は、３枚の正レンズＬ41、Ｌ42、Ｌ43と、レチ
クル側に凹面を向けたメニスカスレンズＬ44と、４枚の
正レンズＬ45、Ｌ46、Ｌ47、Ｌ48と、ウエハ側に凹面を
向けた負メニスカスレンズＬ49と、正レンズＬ50からな
る。この実施例では、ビームスプリッタが偏光ビームス
プリッタＰＢＳによって形成されており、レチクルＲ上
のパターンはＳ偏光によって照明される。また、すべて
のレンズと偏光ビームスプリッタＰＢＳと１／４波長板
Ｑ1、Ｑ2は、石英硝子（ＳｉＯ2）によって形成されて
いる。
1は、両凹レンズＬ11と、ウエハ側に凹面を向けたメニ
スカスレンズＬ12と、レチクル側に凹面を向けた負メニ
スカスレンズＬ13と、３枚の正レンズＬ14、Ｌ15、Ｌ16
からなる。第２光学系Ｇ2は、第１の１／４波長板Ｑ
1と、凹面鏡ＭC側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ
21と凹面鏡ＭCからなり、負レンズＬ21はメニスカス形
状をしているから、凹面鏡ＭC側の曲率の方が強い。第
３光学系Ｇ3は、第２の１／４波長板Ｑ2と、ウエハ側に
凹面を向けた負メニスカスレンズＬ31からなる。第４光
学系Ｇ4は、３枚の正レンズＬ41、Ｌ42、Ｌ43と、レチ
クル側に凹面を向けたメニスカスレンズＬ44と、４枚の
正レンズＬ45、Ｌ46、Ｌ47、Ｌ48と、ウエハ側に凹面を
向けた負メニスカスレンズＬ49と、正レンズＬ50からな
る。この実施例では、ビームスプリッタが偏光ビームス
プリッタＰＢＳによって形成されており、レチクルＲ上
のパターンはＳ偏光によって照明される。また、すべて
のレンズと偏光ビームスプリッタＰＢＳと１／４波長板
Ｑ1、Ｑ2は、石英硝子（ＳｉＯ2）によって形成されて
いる。
【００１９】以下の表１と表２に、それぞれ第１実施例
と第２実施例の諸元を示す。両表の［光学部材諸元］
中、第１欄ＮｏはレチクルＲ側からの各光学面の番号、
第２欄ｒは各光学面の曲率半径、第３欄ｄは各光学面か
ら次の光学面までの光軸上の距離、第４欄は各光学面か
ら次の光学面までの硝材（空欄は空気）、第５欄は各光
学部材の番号を示す。曲率半径ｒと光軸上の間隔ｄは光
の進行方向を正とするが、１回反射するごとに正負を逆
転して表示している。また第２実施例では全ての光学部
材の硝材は石英硝子（ＳｉＯ2）であるから、第４欄を
削除している。使用波長λ（λ＝１９３．３ｎｍ）での
石英硝子（ＳｉＯ2）と蛍石（ＣａＦ2）の屈折率は次の
通りである。 ＳｉＯ2：１．５６０３２６ ＣａＦ2：１．５０１４５５
と第２実施例の諸元を示す。両表の［光学部材諸元］
中、第１欄ＮｏはレチクルＲ側からの各光学面の番号、
第２欄ｒは各光学面の曲率半径、第３欄ｄは各光学面か
ら次の光学面までの光軸上の距離、第４欄は各光学面か
ら次の光学面までの硝材（空欄は空気）、第５欄は各光
学部材の番号を示す。曲率半径ｒと光軸上の間隔ｄは光
の進行方向を正とするが、１回反射するごとに正負を逆
転して表示している。また第２実施例では全ての光学部
材の硝材は石英硝子（ＳｉＯ2）であるから、第４欄を
削除している。使用波長λ（λ＝１９３．３ｎｍ）での
石英硝子（ＳｉＯ2）と蛍石（ＣａＦ2）の屈折率は次の
通りである。 ＳｉＯ2：１．５６０３２６ ＣａＦ2：１．５０１４５５
【００２０】また第１欄Ｎｏ中、＊印を付した光学面は
非球面を示し、非球面についての第２欄ｒは、頂点曲率
半径である。非球面の形状は、 ｙ：光軸からの高さ ｚ：接平面から非球面までの光軸方向の距離 ｒ：頂点曲率半径 κ：円錐係数 Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ：非球面係数 によって表わしており、［非球面データ］に、非球面係
数Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄと円錐係数κの値を示した。
非球面を示し、非球面についての第２欄ｒは、頂点曲率
半径である。非球面の形状は、 ｙ：光軸からの高さ ｚ：接平面から非球面までの光軸方向の距離 ｒ：頂点曲率半径 κ：円錐係数 Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ：非球面係数 によって表わしており、［非球面データ］に、非球面係
数Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄと円錐係数κの値を示した。
【００２１】
【表１】 ［主要諸元及び条件式対応値］ ＮＡ2＝0.65 β＝0.25 露光エリア（スリット）＝25ｍｍ×8ｍｍ 露光波長＝193.3ｎｍ±1ｐｍ ビームスプリッタの大きさ＝130ｍｍ×130ｍｍ×200ｍｍ Ｌ1＝541.92 Ｌ2＝771.49 Ｓ3＝9727.83 Ｓ4＝27603.54 β1＝8.16 ｆ1＝347.87 ｆ2＝-1767.59 （１）Ｌ1／Ｌ2＝0.7024 （２）Ｓ3／Ｓ4＝0.3524 （３）｜β／β1｜＝0.0306 （４）ｆ1／ｆ2＝0.1968 ［光学部材諸元］ Ｎｏ ｒ ｄ 硝材 0 ∞ 57.331 Ｒ 1 -153.1541 23.661 ＳｉＯ2 Ｌ11 2 -230.8002 0.500 3 235.6958 15.000 ＳｉＯ2 Ｌ12 ＊4 210.0000 96.454 5 -124.5527 15.014 ＳｉＯ2 Ｌ13 6 -223.1037 2.735 7 -1189.4584 29.677 ＳｉＯ2 Ｌ14 8 -231.4485 3.773 9 1693.4491 25.538 ＳｉＯ2 Ｌ15 10 -482.0075 6.363 11 449.2508 24.083 ＳｉＯ2 Ｌ16 12 -5305.8747 70.000 13 ∞ 65.000 ＳｉＯ2 ＢＳ 14 ∞ -65.000 ＳｉＯ2 Ｓ（反射） 15 ∞ -6.748 16 710.0054 -15.000 ＳｉＯ2 Ｌ21 17 -371.7333 -20.039 18 516.7041 20.039 ＭC 19 -371.7333 15.000 ＳｉＯ2 Ｌ21 20 710.0054 6.748 21 ∞ 65.000 ＳｉＯ2 ＢＳ 22 ∞ 65.000 ＳｉＯ2 Ｓ（透過） 23 ∞ 0.500 24 332.3467 15.306 ＳｉＯ2 Ｌ31 25 168.1156 130.000 26 ∞ -100.000 ＭP ＊27 -443.0711 -23.168 ＳｉＯ2 Ｌ41 28 733.1198 -10.000 29 − -10.000 ＡＳ 30 -286.7891 -25.014 ＣａＦ2 Ｌ42 31 7561.5538 -10.137 32 492.8999 -25.000 ＳｉＯ2 Ｌ43 33 1269.2772 -58.855 34 -1033.9777 -25.000 ＳｉＯ2 Ｌ44 35 432.9074 -0.500 36 -229.5620 -26.638 ＳｉＯ2 Ｌ45 37 2047.5408 -0.500 38 -127.6925 -24.732 ＣａＦ2 Ｌ46 39 -419.1295 -9.601 40 833.6161 -36.247 ＳｉＯ2 Ｌ47 41 973.7202 -0.500 42 -1242.0973 -56.000 ＳｉＯ2 Ｌ48 43 23719.9498 -12.000 44 ∞ Ｗ ［非球面データ］ Ｎｏ＝4 κ=0.0 Ａ＝-0.321495×10-7 Ｂ＝ 0.973748×10-12 Ｃ＝-0.486853×10-16 Ｄ＝ 0.134711×10-20 Ｎｏ＝27 κ=0.0 Ａ＝ 0.139028×10-7 Ｂ＝ 0.139351×10-12 Ｃ＝ 0.209333×10-17 Ｄ＝ 0.165121×10-21
【００２２】
【表２】 ［主要諸元及び条件式対応値］ ＮＡ1＝0.80 β＝0.25 露光エリア（スリット）＝25ｍｍ×8ｍｍ 露光波長 193.3ｎｍ±0.5ｐｍ 偏光ビームスプリッタの大きさ＝180ｍｍ×180ｍｍ×270ｍｍ Ｌ1＝648.38 Ｌ2＝1016.28 Ｓ3＝17676.63 Ｓ4＝71856.10 β1＝7.43 ｆ1＝421.01 ｆ2＝18583.51 （１）Ｌ1／Ｌ2＝0.6380 （２）Ｓ3／Ｓ4＝0.2460 （３）｜β／β1｜＝0.0336 （４）ｆ1／ｆ2＝0.0227 ［光学部材諸元］ Ｎｏ ｒ ｄ 0 ∞ 45.779 Ｒ 1 -334.1305 48.066 Ｌ11 2 725.6366 50.024 3 418.3870 38.810 Ｌ12 4 1086.6168 44.046 5 -150.8403 27.176 Ｌ13 6 -230.4165 1.505 7 -928.0353 29.029 Ｌ14 8 -315.2488 1.008 9 -7635.0848 30.350 Ｌ15 10 -464.3986 0.500 11 1401.6433 32.180 Ｌ16 12 -643.1938 70.652 13 ∞ 85.000 ＰＢＳ 14 ∞ -85.000 Ｓ（反射） 15 ∞ -1.000 16 ∞ -8.000 Ｑ1 17 ∞ -0.500 18 -4072.6632 -20.000 Ｌ21 ＊19 -346.9845 -29.749 20 694.6245 29.749 ＭC ＊21 -346.9845 20.000 Ｌ21 22 -4072.6632 0.500 23 ∞ 8.000 Ｑ1 24 ∞ 1.000 25 ∞ 85.000 ＰＢＳ 26 ∞ 85.000 Ｓ（透過） 27 ∞ 1.000 28 ∞ 8.000 Ｑ2 29 ∞ 0.500 30 1777.8289 20.015 Ｌ31 31 227.6422 180.000 32 ∞ -140.000 ＭP ＊33 -512.9805 -36.668 Ｌ41 34 1543.4659 -5.000 35 − -8.025 ＡＳ 36 -438.3116 -44.882 Ｌ42 37 -8385.5474 -12.948 38 -336.3081 -35.261 Ｌ43 39 -1238.6529 -54.431 40 315.8425 -28.000 Ｌ44 41 430.0000 -0.500 42 ∞ -25.770 Ｌ45 43 585.7079 -0.500 44 -942.8948 -30.000 Ｌ46 45 2032.4766 -0.500 46 -201.2200 -25.729 Ｌ47 47 -367.1800 -1.000 48 -127.6266 -30.529 Ｌ48 49 -253.4279 -14.686 50 -696.3401 -15.000 Ｌ49 51 -86.3431 -3.483 52 -92.4548 -53.000 Ｌ50 53 -4239.8801 -11.600 44 ∞ Ｗ ［非球面データ］ Ｎｏ＝19(21) κ＝ 1.14032 Ａ＝0.640687×10-8 Ｂ＝ 0.132104×10-13 Ｃ＝0.353193×10-18 Ｄ＝-0.556927×10-23 Ｎｏ＝33 κ＝-2.69288 Ａ＝0.384944×10-8 Ｂ＝ 0.108895×10-13 Ｃ＝0.114774×10-20 Ｄ＝-0.305554×10-23
【００２３】図２と図４にそれぞれ第１実施例と第２実
施例の横収差を示す。横収差図中、Ｙは像高を示す。両
図より明らかなように、両実施例とも優れた結像性能を
有することが分かる。
施例の横収差を示す。横収差図中、Ｙは像高を示す。両
図より明らかなように、両実施例とも優れた結像性能を
有することが分かる。
【００２４】
【発明の効果】本発明により、走査型露光装置の投影光
学系として使用され、紫外線波長域で大きな開口数を達
成しつつ、プリズム型ビームスプリッタと凹面鏡が実用
的な大きさであり、像側の作動距離も十分確保され、し
かもクオーターミクロン単位の解像度を有する反射屈折
縮小光学系が提供された。
学系として使用され、紫外線波長域で大きな開口数を達
成しつつ、プリズム型ビームスプリッタと凹面鏡が実用
的な大きさであり、像側の作動距離も十分確保され、し
かもクオーターミクロン単位の解像度を有する反射屈折
縮小光学系が提供された。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による反射屈折縮小光学系の第１実施例
を示す断面図
を示す断面図
【図２】第１実施例の横収差図
【図３】第２実施例を示す断面図
【図４】第２実施例の横収差図
Ｒ…レチクル Ｗ…ウエハ Ｇ1〜Ｇ4…第１〜第４光学系 Ｌ11〜Ｌ50…レンズ ＭC…凹面鏡 ＭP…平面反射面 ＢＳ…ビームスプリッタ ＰＢＳ…偏光ビーム
スプリッタ Ｑ1、Ｑ2…１／４波長板 ＡＳ…開口絞り
スプリッタ Ｑ1、Ｑ2…１／４波長板 ＡＳ…開口絞り
Claims (6)
- 【請求項１】第１面上のパターンの一部分の像を反射部
材と屈折部材とによって縮小して第２面上に結像し、且
つ前記第１面と第２面とを前記縮小倍率に対応した速度
比にて同期して走査することにより、前記一部分よりも
前記走査方向に拡大した範囲の前記パターンの像を前記
第２面上に結像する反射屈折縮小光学系において、 前記第１面側から順に、正の屈折力を持つ第１光学系
と、透過反射面の入射平面が前記走査方向を含むように
配置されたビームスプリッタと、該ビームスプリッタに
入射した光束の反射光路又は透過光路に配置され、１枚
の凹面鏡を含む第２光学系と、該第２光学系から前記ビ
ームスプリッタに戻る光束の透過光路又は反射光路に配
置され、負の屈折力を持つ第３光学系と、平面反射面
と、正の屈折力を持つ第４光学系より構成されることを
特徴とする反射屈折縮小光学系。 - 【請求項２】前記反射屈折縮小光学系は前記第１面側と
第２面側との双方にテレセントリックに形成され、前記
第４光学系の中に開口絞りを有することを特徴とする請
求項１記載の反射屈折縮小光学系。 - 【請求項３】以下の条件式を満足することを特徴とする
請求項１又は２記載の反射屈折縮小光学系。 ０．２＜Ｌ1／Ｌ2＜１．３ ‥‥（１） 但し、Ｌ1：前記第１面から凹面鏡までの光軸上の距離 Ｌ2：前記凹面鏡から第２面までの光軸上の距離 である。 - 【請求項４】前記第１面と第２面が互いに平行に配置さ
れていることを特徴とする請求項１、２又は３記載の反
射屈折縮小光学系。 - 【請求項５】以下の条件式を満足することを特徴とする
請求項１、２、３又は４記載の反射屈折縮小光学系。 ０．１＜Ｓ3／Ｓ4＜０．８ ‥‥（２） 但し、Ｓ3：前記第１面上の光軸上の物点から発した周
辺光束の、第３光学系における最大有効面積 Ｓ4：前記第１面上の光軸上の物点から発した周辺光束
の、第４光学系における最大有効面積 である。 - 【請求項６】前記第２光学系は、前記凹面鏡のほか、少
なくとも１枚の負レンズを含み、且つ以下の条件式を満
足することを特徴とする請求項１、２、３、４又は５記
載の反射屈折縮小光学系。 ｜β／β1｜＜０．１ ‥‥（３） ｜ｆ1／ｆ2｜＜１．５ ‥‥（４） 但し、β：全系の結像倍率 β1：前記第１光学系の結像倍率 ｆ1：前記第１光学系の焦点距離 ｆ2：前記第２光学系の焦点距離 である。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10140623A JPH11326767A (ja) | 1998-05-07 | 1998-05-07 | 反射屈折縮小光学系 |
| US09/305,540 US6081382A (en) | 1998-05-07 | 1999-05-05 | Catadioptric reduction projection optical system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10140623A JPH11326767A (ja) | 1998-05-07 | 1998-05-07 | 反射屈折縮小光学系 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11326767A true JPH11326767A (ja) | 1999-11-26 |
Family
ID=15273018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10140623A Pending JPH11326767A (ja) | 1998-05-07 | 1998-05-07 | 反射屈折縮小光学系 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6081382A (ja) |
| JP (1) | JPH11326767A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018092116A (ja) * | 2016-12-05 | 2018-06-14 | キヤノン株式会社 | カタディオプトリック光学系、照明光学系、露光装置および物品製造方法 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1115019A3 (en) * | 1999-12-29 | 2004-07-28 | Carl Zeiss | Projection exposure lens with aspheric elements |
| US6995930B2 (en) * | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
| KR100783669B1 (ko) * | 2000-04-25 | 2007-12-07 | 에이에스엠엘 유에스, 인크. | 바이어스에 의해 유도된 레티클 회절을 제거한 광학 축소시스템 |
| DE10104177A1 (de) * | 2001-01-24 | 2002-08-01 | Zeiss Carl | Katadioptrisches Reduktionsobjektiv |
| US6683710B2 (en) * | 2001-06-01 | 2004-01-27 | Optical Research Associates | Correction of birefringence in cubic crystalline optical systems |
| US7136220B2 (en) * | 2001-08-21 | 2006-11-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric reduction lens |
| JP2005504337A (ja) * | 2001-09-20 | 2005-02-10 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 反射屈折縮小レンズ |
| US6995908B2 (en) | 2001-10-30 | 2006-02-07 | Asml Netherlands B.V. | Methods for reducing aberration in optical systems |
| US6970232B2 (en) * | 2001-10-30 | 2005-11-29 | Asml Netherlands B.V. | Structures and methods for reducing aberration in integrated circuit fabrication systems |
| US7453641B2 (en) * | 2001-10-30 | 2008-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Structures and methods for reducing aberration in optical systems |
| US6844972B2 (en) * | 2001-10-30 | 2005-01-18 | Mcguire, Jr. James P. | Reducing aberration in optical systems comprising cubic crystalline optical elements |
| US20050190446A1 (en) * | 2002-06-25 | 2005-09-01 | Carl Zeiss Amt Ag | Catadioptric reduction objective |
| US7075720B2 (en) * | 2002-08-22 | 2006-07-11 | Asml Netherlands B.V. | Structures and methods for reducing polarization aberration in optical systems |
| US6731374B1 (en) * | 2002-12-02 | 2004-05-04 | Asml Holding N.V. | Beam-splitter optics design that maintains an unflipped (unmirrored) image for a catadioptric lithographic system |
| US6969028B2 (en) * | 2003-01-22 | 2005-11-29 | The Boeing Company | Scarf nozzle for a jet engine and method of using the same |
| EP1837695A1 (en) * | 2006-03-22 | 2007-09-26 | Carl Zeiss SMT AG | Catadioptric imaging system with beam splitter |
| KR20160091085A (ko) * | 2015-01-23 | 2016-08-02 | 삼성전자주식회사 | 반사 굴절 광학계 및 이미지 촬영 장치 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4417489A1 (de) * | 1994-05-19 | 1995-11-23 | Zeiss Carl Fa | Höchstaperturiges katadioptrisches Reduktionsobjektiv für die Miktrolithographie |
| JPH08171054A (ja) * | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
| JPH08203812A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-08-09 | Nikon Corp | 反射屈折縮小投影光学系及び露光装置 |
-
1998
- 1998-05-07 JP JP10140623A patent/JPH11326767A/ja active Pending
-
1999
- 1999-05-05 US US09/305,540 patent/US6081382A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018092116A (ja) * | 2016-12-05 | 2018-06-14 | キヤノン株式会社 | カタディオプトリック光学系、照明光学系、露光装置および物品製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6081382A (en) | 2000-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3395801B2 (ja) | 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法 | |
| JP3747951B2 (ja) | 反射屈折光学系 | |
| JP4717974B2 (ja) | 反射屈折光学系及び該光学系を備える投影露光装置 | |
| JP3747958B2 (ja) | 反射屈折光学系 | |
| JP5705182B2 (ja) | 反射屈折投影対物レンズ | |
| US7075726B2 (en) | Projection optical system and projection exposure apparatus | |
| JP3635684B2 (ja) | 反射屈折縮小投影光学系、反射屈折光学系、並びに投影露光方法及び装置 | |
| US5805357A (en) | Catadioptric system for photolithography | |
| JPH103039A (ja) | 反射屈折光学系 | |
| JPH11326767A (ja) | 反射屈折縮小光学系 | |
| JPH08171054A (ja) | 反射屈折光学系 | |
| JP2001343589A (ja) | 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法 | |
| US6069749A (en) | Catadioptric reduction optical system | |
| JPH0588087A (ja) | 反射屈折縮小投影光学系 | |
| JPH08179216A (ja) | 反射屈折光学系 | |
| JP3812051B2 (ja) | 反射屈折投影光学系 | |
| JP2003233009A (ja) | 反射屈折投影光学系、反射屈折光学系、投影露光装置、及び投影露光方法 | |
| JPH11109244A (ja) | 反射屈折光学系 | |
| JP2003241099A (ja) | 反射屈折投影光学系、並びに投影露光方法及び装置 | |
| JP2000208396A (ja) | 視野絞り投影光学系及び投影露光装置 | |
| JPH10301058A (ja) | 反射屈折投影光学系 | |
| JP2003295062A (ja) | 反射屈折型結像光学系 | |
| JPH07218839A (ja) | 反射屈折光学系 |