JP2000208396A - 視野絞り投影光学系及び投影露光装置 - Google Patents
視野絞り投影光学系及び投影露光装置Info
- Publication number
- JP2000208396A JP2000208396A JP11006344A JP634499A JP2000208396A JP 2000208396 A JP2000208396 A JP 2000208396A JP 11006344 A JP11006344 A JP 11006344A JP 634499 A JP634499 A JP 634499A JP 2000208396 A JP2000208396 A JP 2000208396A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- field stop
- optical system
- projection optical
- projection
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Lenses (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
影光学系に特に着目し、レンズ枚数が少ない視野絞り投
影光学系を提供する。 【解決手段】 光源1からの光に基づいて投影原版M上
のパターンを感光基板上の感光面13に転写する露光装
置に用いられ、光源1と投影原版Mとの間に配置される
視野絞りBの像を投影原版M上ヘ投影する視野絞り投影
光学系10であって、1枚の凹面鏡MCと1つ以上の屈
折光学部材LPとを有する。
Description
し、特に半導体集積回路の製造工程中の投影露光工程に
使用される投影露光装置に関し、更に詳しくは、視野絞
りの像を投影原版のパターン面に投影する視野絞り投影
光学系に関するものである。
露光工程では、マスク、レチクルなどの投影原版上のパ
ターンを照明光学系によって照明し、パターンを通過し
た光束を投影光学系によってウエハ、ガラスプレートな
どの感光基板の感光面(被露光面)上に投影して転写す
る投影露光装置が用いられている。この露光装置におい
て、視野絞りは、マスクやウエハ上には直接配置され
ず、視野絞り投影光学系(リレー光学系)を介して、視
野絞りをマスク上に投影するのが普通である。このよう
な構造を採用する理由は、以下の2つによる。
るために、視野絞りを可動とする必要があり、視野絞り
を可動とすると多少の発塵はどうしても抑え切れないか
ら、可変視野絞りをマスクやウエハから離隔した位置に
配置する必要があるからである。半導体集積回路の製造
分野においては、一般にパターン寸法がこれらの塵より
も微細であり、マスクやウエハの近傍での発塵は、半導
体製品の不良発生の原因となりうる。
めに、視野絞りをマスク上やウエハ上に密着して配置す
ることができず、多少のボケを生じるためである。すな
わち、複数のパターンを一枚のマスク上に形成する際
に、視野絞りにボケがあると、パターン間をその分だけ
離さざるを得ないから、マスクの面積を有効に使用でき
ないこととなる。
に配置され、視野絞り投影光学系によって、視野絞りの
像をマスク上に投影している。この場合、空間的にはマ
スクとは全く異なる場所に視野絞りを配しながら、光学
的にはマスクの場所にマスクと視野絞りとを配置したの
と等価の状態が得られる。この視野絞り投影光学系とし
て、従来は、レンズのみによって構成される屈折系の視
野絞り投影光学系が使用されていた。一般に視野絞り投
影光学系には、収差が少ないことのほかに、物体側(視
野絞り側)と像側(マスク側)の双方にほぼテレセント
リックであることが求められ、これらの要請を満たすた
めに、従来の屈折系の視野絞り投影光学系の使用レンズ
枚数は、8枚程度となっていた。
限界解像力は、おおよそ、 λ/NA (λ:波長、NA:開口数) に比例する。そのため、この種の露光装置には常に、よ
り短い波長の光源を使用することと、より大きなNAを
持つ光学系を採用することとが要求されている。特に、
短波長化については、大NA化に比較して、焦点深度を
狭くする度合いが少ないことから、その要求が強い。
170nmを割り込むと、その波長を透過する硝材が極
端に少なくなり、又、その数少ない硝材もあまり大きな
透過率を持たない。更に、レンズ表面に蒸着される反射
防止膜についても、膜材料が少なくなることや、短波長
化に伴い膜厚の公差が厳しくなることなどから、良好な
設計解を得ることが困難になり、さらに設計解通りの性
能を持つ製品を製造することが困難になり、透過率を上
げる効果が低減する。更に、硝材の表面荒れによる光の
散乱量は、おおよそ波長の2乗に反比例するため、露光
装置において光源の短波長化は困難を極める。
0nm以下の波長を用いる露光装置において、光学系の
設計解には、とにかく先ずレンズ枚数の低減が要求され
る。また、露光装置用の硝材は、短波長用になればなる
ほど一般に高価になる。したがって装置全体の価格を下
げる意味でも、レンズ枚数を極力減らした設計解が望ま
れる。そこで本発明は、視野絞りの像をマスク上に投影
する視野絞り投影光学系に特に着目し、レンズ枚数が少
ない視野絞り投影光学系を提供することを課題とする。
に、本発明では、視野絞り投影光学系として、1枚の凹
面鏡と1つ以上の屈折光学部材とを用いた、反射屈折型
の視野絞り投影光学系を提案する。 すなわち、本発明
は、光源からの光に基づいて投影原版上のパターンを感
光基板上の感光面に転写する露光装置に用いられ、前記
光源と前記投影原版との間に配置される視野絞りの像を
前記投影原版上へ投影する視野絞り投影光学系であっ
て、1枚の凹面鏡と1つ以上の屈折光学部材とを有する
ことを特徴とする視野絞り投影光学系である。このよう
に凹面鏡を用いることで、屈折光学部材の数(レンズ枚
数)を大幅に減らすことが可能となり、光源の短波長化
に対応することかでき、露光装置の解像力の向上に非常
に寄与する。
の向上を達成するためには、前記1つ以上の屈折光学部
材を1枚の正レンズとすることが好ましい。また、上記
構成において、前記凹面鏡と前記屈折光学部材とを共軸
に配置すれば、視野絞り投影光学系の製造を容易に高精
度化することができる。この場合、1つ以上の屈折光学
部材のうちの全ての屈折光学部材を共軸に配置すること
によって、さらなる効果が期待できる。
る往路の光束と凹面鏡で反射される復路の光束とか、全
ての前記屈折光学部材を通過するようにした場合には、
視野絞り投影光学系が凹面鏡を挟んで対称な構成となる
ため、比較的簡単な構成で結像性能の向上を図ることが
できる。
が可能な範囲が狭いことから、他のレンズ配置に自由度
が少なくなりがちである。視野絞り投影光学系で特に問
題となるのは、視野絞りから視野絞り投影光学系までの
間隔と、視野絞り投影光学系から投影原版までの間隔で
ある。これらの間隔が十分に長くないと、光学設計は可
能であっても、その他の機械的な機構が組み込めず、装
置として成り立たない場合がありうる。そのため、本発
明の好ましい態様では、視野絞りから視野絞り投影光学
系までの間隔と、視野絞り投影光学系から投影原版まで
の間隔を極力長くする手段も提案する。
に、正屈折力を持つレンズ群と、負屈折力を持つレンズ
群とを、この順で配置する。その際、正屈折力のレンズ
群として単に1枚の正レンズを用い、負屈折力のレンズ
群として単に1枚の負レンズを用いることによっても、
十分に所望の効果を得ることかできる。また、視野絞り
から凹面反射鏡までの光路と、凹面鏡から投影原版まで
の光路とのうちの、少なくとも何れか一方の光路には、
この光路を折り曲げるための反射面が配置されることが
好ましい。この場合、視野絞り周りの機械的な機構と投
影原版周りの機械的な機構の組み込みの自由度や装置全
体の光路の引き回しの自由度を向上させることができ
る。ここで、光路を折り曲げるための反射面は、1つ以
上の屈折光学部材のうち凹面鏡から最も離れた位置に配
置される屈折光学部材と視野絞りとの間の光路と、1つ
以上の屈折光学部材のうち凹面鏡から最も離れた位置に
配置される屈折光学部材と投影原版との間の光路とのう
ちの少なくとも一方に配置されることが好ましい。この
構成により、視野絞りの周りの機械的な機構と投影原版
周りの機械的な機構の組み込みの自由度をさらに向上す
ることができる。
野絞り投影光学系の光学面のうち、少なくとも1つの光
学面は非球面形状であることが好ましい。これにより、
屈折光学部材の使用枚数をさらに減らすことができ、視
野絞り投影光学系自体の透過率向上を図れ、ひいては光
量ロスをさらに低減できる。また、本発明に係る露光装
置は、光源と、該光源からの光に基づいて所定面上を均
一に照明する照明光学系と、前記所定面上に配置される
視野絞りの像を投影原版上へ投影する視野絞り投影光学
系とを備え、前記視野絞り投影光学系からの光に基づい
て前記投影原版上のパターンを感光基板上の感光面に転
写する露光装置であって、前記視野絞り投影光学系とし
て、上述の構成の何れかにかかる視野絞り投影光学系を
用いたことを特徴とする露光装置である。
長は180nm以下であることが好ましい。また、本発
明にかかる露光方法は、光源からの光を所定形状の開口
を有する視野絞りへ導く第1ステップと、該視野絞りの
開口を経た光を少なくとも1つの屈折光学部材と凹面鏡
とを介して投影原版ヘ導く第2ステップと、該投影原版
ヘ導かれた光に基づいて前記投影原版上のパターンを感
光基板上の感光面に転写する第3ステップとを含み、第
2ステップでは、前記視野絞りの開口の像を前記投影原
版上に形成することを特徴とする露光方法である。
前記視野絞りの開口を経た光を、前記少なくとも1つの
屈折光学部材を通過させる第1サブステップと前記屈折
光学部材を通過した光を前記凹面鏡で反射させる第2サ
ブステップと前記凹面鏡で反射された光を、前記屈折光
学部材を再び通過させる第3サブステップとを含むこと
が好ましい。また、上記露光方法の何れかにおいて、前
記光源は180nm以下の波長の光を供給することが好
ましい。
て説明する。図1は、本発明による投影露光装置の第1
実施例を示す。光源1を発した光束は、整形光学系2を
通過した後に、折り曲げミラー3を経て、複数の要素レ
ンズを並列に配置して構成される第1のフライアイレン
ズ4に入射する。第1のフライアイレンズ4に入射した
光束は、要素レンズを単位にして波面分割されて、それ
ぞれ光源1の像を形成する。第1のフライアイレンズ4
によって形成される個々の光源像を通過した光束群は、
第1のコンデンサーレンズ5により、第2のフライアイ
レンズ6の入射面上で重ね合わされる。第2のフライア
イレンズ6により更に波面分割された光束群は、第2の
フライアイレンズ6の個々の要素レンズの射出面の近傍
に、第1のフライアイレンズによって形成された複数の
光源像の再結像を形成する。こうして第2のフライアイ
レンズ6の射出面の近傍には、第1のフライアイレンズ
4の要素レンズの個数と、第2のフライアイレンズ6の
要素レンズの個数との積だけ、光源1の像が形成され
る。
近傍には、照明系開口絞り7が配置されている。照明系
開口絞り7により光束径を制限された光束は、その後、
第2のコンデンサーレンズ8により、視野絞りBの面上
で重ね合わされる。視野絞りBの面上に集まった光束
は、視野絞り投影光学系10と平面鏡11とを通過し
て、マスクM上に伝達される。マスクMのパターンを通
過した光束は、主投影光学系12を介して、感光基板の
感光面(被露光面)13上にパターンの像を投影する。
主投影光学系12中には、この主投影光学系のNAを決
定する投影系開口絞り14が配されている。
影光学系10は、正レンズLPと凹面鏡MCからなり、凹
面鏡MCに入射する往路の光束と、凹面鏡MCで反射する
復路の光束は、共に正レンズLPを通過し、すなわち正
レンズLPは往復光学系となっている。また図2に、視
野絞り投影光学系10の光路図を示す。但し視野絞りB
からマスクMまでの光路のうち、平面鏡11は除外して
いる。
絞り投影光学系10の諸元を掲げる。表1の[光学部材
諸元]中、第1欄Noは視野絞りB側からの各光学面の
番号、第2欄rは各光学面の曲率半径、第3欄dは各光
学面から次の光学面までの光軸上の距離、第4欄nは各
光学面から次の光学面までを満たす媒質の屈折率(空欄
はn=1)、第5欄は各光学面の記号又は各光学面から
次の光学面までを満たす光学部材の番号を示す。曲率半
径rと光軸上の距離dは、光の進行方向を正とするが、
1回反射するごとに正負を逆転して表示している。
用いられており、非球面の形状は、以下の(a)式で表
現している。 (a) x=(y2/r)/[1+{(1+κ)y2/r
2)}1/2]+ay4+by6+cy8+dy10 y:光軸からの高さ x:高さyでの非球面頂点での接平面から非球面までの
光軸方向の距離 r:頂点曲率半径 κ:円錐係数 a,b,c,d:非球面係数 表1の[非球面データ]に、非球面を用いた光学面の番
号と、非球面係数a〜dの値を示す。なお、非球面につ
いての[光学部材諸元]中の曲率半径rは、非球面頂点
での曲率半径である。
野絞り投影光学系10について説明する。視野絞り投影
光学系10とマスクMとの間には、通常マスクMを交換
するためのロボットアームなどが配される。そのため、
この間隔は極力長いことが望まれる。この第2実施例
は、第1実施例に比較して、視野絞り投影光学系10と
マスクMとの間隔を長くしたものであり、図3と表2
に、平面鏡11を除外した視野絞り投影光学系10の光
路図と諸元を示す。図3と表2に示されるように、視野
絞りBから凹面鏡MCまでの間に、正の屈折力を有する
レンズ系LPと、負の屈折力を有するレンズ系LNをこの
順で配することにより、視野絞り投影光学系10とマス
クMとの間隔を広げた設計解が得られる。
用いられており、非球面の形状は、上記(a)式で表現
している。表2の[非球面データ]に、非球面を用いた
光学面の番号と、非球面係数a〜dの値を示す。なお、
非球面についての[光学部材諸元]中の曲率半径rは、
非球面頂点での曲率半径である。
系10について説明する。上述の第1及び第2実施例の
視野絞り投影光学系10では、凹面鏡MCの位置が瞳
面、すなわち凹面鏡MCの位置で主光線が光軸と交差し
ていたが、このような場合では凹面鏡MCの反射面上に
光スポットの集合体からなる光源像が形成されて、凹面
鏡MC上で部分的にエネルギー密度が高くなり、凹面鏡
MC、特に反射膜の損傷を招く恐れがある。
は、第2実施例の視野絞り投影光学系10の構成を基本
として、レンズ系LP、LN及び凹面鏡MCと共軸な付加
レンズ系LAを設けて、その瞳面を凹面鏡MCの位置とは
異なる空間としたものである。図4と表3に、平面鏡1
1を除外した視野絞り投影光学系10の光路図と諸元を
示す。図4と表3に示されるように、凹面鏡MCから視
野絞りBまでの間に負の屈折力を有するレンズ系L
Nと、正の屈折力を有するレンズ系LPと、付加レンズ系
LAとがこの順で配置されている。
には非球面が用いられており、第3実施例における非球
面の形状は上記(a)式で表現している。
た光学面の番号と、非球面係数A〜Dの値を示す。な
お、非球面についての[光学部材諸元]中の曲率半径r
は、非球面頂点での曲率半径である。
鏡MCから外れた位置で主光線が光軸と交差している、
すなわち光源像が凹面鏡MCの反射面上ではなく、反射
面から外れた位置に形成される。従って、本実施例で
は、エネルギ−密度の高い光源像が反射面上に形成され
ないため反射面の損傷を少なくすることができる利点が
ある。なお、本実施例の視野絞り投影光学系の結像倍率
は等倍であるが、これを拡大倍率、あるいは縮小倍率と
しても良いことは言うまでもない。
学系10として反射屈折系を採用している。そこで、比
較例として、屈折系のみによって視野絞り投影光学系を
構成した場合の設計例を、図5と以下の表4に示す。図
2〜図4と、図5とを比較すれば、反射屈折系を採用す
ることにより、使用レンズ枚数を著しく低減できること
が分かる。表4の比較例では、一部の光学面には非球面
が用いられており、非球面の形状は、上記(a)式で表
現している。表4の[非球面データ]に、非球面を用い
た光学面の番号と、非球面係数a〜dの値を示す。な
お、非球面についての[光学部材諸元]中の曲率半径r
は、非球面頂点での曲率半径である。
Cで反射する復路の光束の光路に平面鏡11を配置し
て、復路の光路を折り曲げたが、図6に示すように、凹
面鏡M Cに入射する往路の光束の光路に平面鏡9を配置
して、往路の光路を折り曲げることもできる。また、図
7に示すように、往路の光路と復路の光路との双方に、
それぞれ平面鏡9、11を配置することもできる。
に示すように視野絞りBとレンズ系LPとの間の光路中
に平面鏡9を配置して往路の光路を折り曲げることがで
きる。このとき、付加レンズ系LAをレンズ系LP、LN
及び凹面鏡MCと共軸に設けることができるため、これ
らレンズ系LP、LN及び凹面鏡MCを1つの光軸に沿っ
て1つの鏡筒に収納できるため、製造及び調整が極めて
容易となる。なお、この場合、複数の鏡筒に収納しても
良い。
の光路中に平面鏡11を配置して復路の光路を折り曲げ
ることもでき、これら双方の光路のそれぞれに平面鏡
9、11を配置することもできる。また、付加レンズ系
LAは、必ずしもレンズ系LP、LN及び凹面鏡MCと共軸
に設ける必要はなく、また付加レンズ系LAの周囲の機
械的な機構の自由度を向上させるために、その一部を切
り欠く形状であっても良い。
て移動可能に設けることにより、マスクM上での視野絞
りBの像の投影倍率を微調整することができる。第3実
施例では、付加レンズ系LAは1枚のレンズで構成され
ていたが、複数のレンズで構成しても良い。付加レンズ
系LAを複数のレンズで構成する場合には、これら複数
のレンズの間隔を相対的に可変とすれば、上記のごとき
投影倍率の微調整が可能となる。この場合、例えば付加
レンズ系LAを平凹レンズ、両凸レンズ及び平凹レンズ
の組み合わせ、あるいは平凸レンズ、両凹レンズ及び平
凸レンズの組み合わせからなり全体としてアフォーカル
系とし、両凸レンズまたは両凹レンズを光軸方向に可動
とする構成や、平凹レンズ及び平凸レンズの組み合わせ
からなり全体としてアフォーカル系とし、平凹レンズ及
び平凸レンズの間隔を相対的に変化させる構成などが考
えられる。さらに、視野絞り投影光学系を構成する光学
部材(レンズ系LP、(LN)、付加レンズ系LA、凹面
鏡MC)のうち少なくとも1つの光学部材の位置を変化
させることにより、被照明面としてのマスクM上での照
度分布を調整することが可能となる。
ティカルインテグレータとして波面分割型のオプティカ
ルインテグレータ(フライアイレンズ4、6)を用いた
が、その代りに、内面反射型のオプティカルインテグレ
ータ(ロッド型インテグレータ)を用いてもよい。
カルインテグレータを用いた第4実施例について説明す
る。なお、説明を簡単にするために、図1と同様の機能
を有する部材には同じ符号を付している。図9におい
て、例えばL2レーザ等の光源1を発した光束は、整形
光学系2を通過した後に、折り曲げミラー3を経て、円
錐状屈折面または多角錐状屈折面を持つアキシコンプリ
ズム部材Aに入射する。このアキシコンプリズム部材A
は、2つの円錐状屈折面またはた角錐状屈折面を有し、
これらの錐状屈折面の相対的な間隔が可変であるように
設けられている。アキシコンプリズム部材Aを経た光束
は、変倍光学系Zを経て、集光レンズ8aにより集光さ
れる。本実施例では、変倍光学系Zは、光軸方向に沿っ
て移動可能な複数のレンズ群からなるアフォーカル変倍
光学系を採用しているが、その代りに有限の焦点距離を
持つ変倍光学系を採用しても良い。
8aによる光束集光位置の近傍に光入射面が位置決めさ
れたロッド型インテグレータ(内面反射型インテグレー
タ)Rに入射する。このロッド型インテグレータRは、
多角柱(四角柱、六角柱等))状の棒状光学部材で構成
される。この光射出面では、光入射面に入射した光束が
この内部で名面反射を繰り返した後に射出されるため、
あたかも光入射面の位置に複数の光源像(面光源)が形
成されるように光束が射出される。このロッド型インテ
グレータとしては例えば特開平1−271718号公報
に開示されている。
Aの錘状屈折面同士の間隔が実質的に0と見なせる場合
には、アキシコンプリズム部材Aを通過する光束は何ら
影響を受けずに変倍光学系Zへ向かう。また、アキシコ
ンプリズム部材Aの錘状屈折面同士の間隔を0から広げ
ると、変倍光学系Zへ向かう光束の断面形状は、円錐状
屈折面の場合に輪帯状となり、多角錐状屈折面の場合に
は光軸から複数の放射方向へ局在した形状となる。この
断面形状が変換された光束がロッド型インテグレータR
へ入射すると、ロッド型インテグレータRの光入射面に
形成される面光源の光強度分布は、アキシコンプリズム
Aからの光束の断面形状に類似した形状、すなわち円錐
状屈折面を用いた場合には輪帯状、多角錐状屈折面を用
いた場合には多重極状となる。ここで、変倍光学系Aに
よる倍率を変更することにより、輪帯または多重極状の
面光源自体の大きさを変更することができる。なお、こ
のようなアキシコンプリズムと変倍光学系とを組み合わ
せた照明系としては特開平5−251308号公報に開
示されアキシコンプリズムをロッド型インテグレータに
組み込んだ照明系としては例えば特開平5010200
3号に開示されている。
面は、光入射面の面光源からの光束により均一照明がな
されており、本実施例ではこの光射出面の近傍に所定の
方向に伸びたスリット形状(長方形状)の開口を持つ視
野絞りBを配置する。視野絞りBを経た光束は、第1実
施例と同様に、視野絞り投影光学系10と平面鏡11と
を通過した後、マスクM上に伝達される。なお、本実施
二おいては、アキシコンプリズムA及び変倍光学系Zを
用いているため、照明光学系のσ絞り(開口数等を変更
するための絞り)は必須ではないが、視野絞り投影光学
系10の凹面鏡MCの位置の近傍にσ絞りを配置しても
良い。
投影光学系12を介して、感光基板の感光面(被露光
面)13上にパターンの縮小像を投影する。本実施例で
は、主投影光学系12として、マスクMの中間像を形成
する屈折型光学系と、この中間像の像(マスクMの2次
像)を被露光面に形成する中抜け型の反射屈折光学系と
からなる2回結像型の反射屈折光学系を用いる。この主
投影光学系12中の屈折型光学系内には、主投影光学系
12の開口数NAを決定するための投影系可変開口絞り
14が配置されている。なお、本実施例では、視野絞り
投影光学系10として、図3に示した第2実施例の視野
絞り投影光学系を採用している。このように、光源から
視野絞りBからの光学系は、視野絞りBさえ均一に照明
されていればその種類は問わない。
ータRを光と羽化正の棒状光学部材(ガラスロッド)で
構成したが、その代りに、内面に反射膜を設けた棒状の
中空部材(中空パイプ)で構成しても良い。さらに上述
の例において、ロッド型インテグレータRに加えて、フ
ライアイレンズやマイクロレンズアレイ等の波面分割型
オプティカルインテグレータを用いても良い。この場
合、波面分割型のオプティカルインテグレータは、図9
における整形光学系2と集光レンズ8aとの間の光路中
に配置されることになる。
影光学系においては、全てのレンズ(透過性光学材料)
を、単一の硝材、例えば蛍石で製造することができる。
このため、硝材の種類が限定される、露光波長が170
nm以下の投影露光装置の視野絞り投影光学系に使用す
ることができる。このような短波長(真空紫外)の光源
(フッ素レーザー等)を使用すると、転写できるパター
ンの解像度が向上し、微細パターンの転写に有利とな
る。
1.56は、波長157nm近傍での蛍石の屈折率であ
る。これは、170nm以下の波長において、透過率が
最も高く、かつ異方性が無い硝材が蛍石であるためであ
るが、フッ化マグネシウム、フッ化リチウム、フッ化バ
リウム、等の他の透過硝材があれば、透過光学部材とし
て使用することができる。
で、その部分を透過する照明光束のエネルギー密度の高
い部材(光束の径が小さい)に付いては、フッ化マグネ
シウムのように、真空紫外領域の光束に対する透過率が
より高い材料を用いた方が、耐久性の点から好ましい。
マグネシウムとすれば、蛍石とした場合に比べ、より短
波長の130nm程度までの波長に対して使用すること
ができ、解像度の点でさらに有利になる。
や、その他の不純物(水蒸気や炭化水素ガス)による吸
収をさけるために、He、N2、Ne、Ar等のガスに
より満たされていることが望ましい。
スクMあるいは感光性基板13の位置を検出するための
アライメント光学系を設ける場合には、例えば、折り曲
げミラー11の近傍の空間であって照明光が通過しない
領域にアライメント対物系を設ける構成、折り曲げミラ
ー11をダイクロイックミラーとして折り曲げミラー1
1の裏側にアライメント対物系を設ける構成、凹面鏡M
Cに開口部を穿つ、あるいは凹面鏡MCの反射面をダイク
ロイックミラーとしてその裏側にアライメント対物系を
設ける構成、視野絞りBとレンズ系LPとの間であって
レンズ光が通過しない領域にアライメント対物系を設け
る構成などが考えられる。
面を非球面としたが、その代りに凹面鏡の反射面を非球
面としても良く、また、屈折光学部材の屈折面及び凹面
鏡の反射面の双方を非球面としてもよい。
レーザを用いているが、その代りに、157nmに発振
スペクトルを持つYAGレーザなどの固体レーザの高調
波を用いるようにしても良い。また、DFB半導体レー
ザまたはファイバーレーザから発振される赤外域、また
は可視域の単一波長レーザを、例えばエルビウム(また
エルビウムとイットリビウムの両方)がドープされたフ
ァイバーアンプで増幅し、非線系光学結晶を用いて紫外
光の波長変換した光長波を用いても良い。
51〜1.59μmの範囲内とすると、発生波長が15
1〜159nmの範囲内である10倍高調波が出力され
る。特に発振波長を1.57〜1.58μmの範囲内と
すると、157〜158nmの範囲内の10倍高調波、
即ちF2レーザとほぼ同一波長となる紫外線光が得られ
る。また、発振波長を1.03〜1.12μmの範囲内
とすると、発生波長が147〜160nmの範囲内であ
る7倍高調波が出力され、特に発振波長を1.099〜
1.106μmの範囲内とすると、157〜158nm
の範囲内の7倍高調波、即ちF2レーザとほぼ同一波長
となる紫外線光が得られる。なお、短いつ波長発振レー
ザとしてはイットリビウム・ドープ・ファイバーレーザ
を用いる。
ショット領域へマスクのパターン像を一括して転写した
後に、ウエハを投影光学系の光軸と直交する面内で移動
させて次のショット領域を投影光学系の露光領域に移動
させて露光を行なうステップ・アンド・リピート方式
(一括露光方式)や、ウエハの各ショット領域への露光
時にマスクR等エハWとを投影光学系に言い痛いして投
影倍率βを速度比として同期走査するステップ・アンド
・スキャン方式(走査露光方式)の双方に適用できる。
なお、ステップ・アンド・スキャン方式では、スリット
上の露光領域内で良好な結像特性が得られれば良いた
め、投影光学系を大型化することなく、ウエハ上のより
広いショット領域似露光を行なうことができる。
等倍系または拡大系(例えば液晶ディスプレイ製造用露
光装置など)を用いても良い。さらに、半導体素子の製
造に用いられる、デバイスパターンをガラスプレート上
に転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられ
る、デバイスパターンをセラミックウエハ上に転写する
露光装置、撮像素子(CCDなど)の製造に用いられる
露光装置にも本発明を適用できる。
ク上の回路パターンをウエハへ転写するプロキシミティ
か型の露光装置の照明光学系における視野絞り投影光学
系として用いることもできる。なお、本発明は上述の実
施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で種々の構成を取り得ることは無論である。
置において、効率のよい露光装置を実現できる。
図である。
の光路を示す図である。
の光路を示す図である。
の光路を示す図である。
図である。
図である。
図である。
図である。
図である。
イレンズ 5…第1のコンデンサーレンズ 6…第2のフライア
イレンズ 7…照明系開口絞り 8…第2のコンデン
サーレンズ 9,11…平面鏡 10…視野絞り投影
光学系 12…主投影光学系 13…感光面 14…投影系開口絞り M…マスク MC…凹面鏡 LP…正レンズ LN…負レンズ B…視野絞り
Claims (6)
- 【請求項1】光源からの光に基づいて投影原版上のパタ
ーンを感光基板上の感光面に転写する露光装置に用いら
れ、前記光源と前記投影原版との間に配置される視野絞
りの像を前記投影原版上ヘ投影する視野絞り投影光学系
であって、1枚の凹面鏡と1つ以上の屈折光学部材とを
有することを特徴とする視野絞り投影光学系。 - 【請求項2】前記凹面鏡と前記屈折光学部材とは共軸に
配置されることを特徴とする請求項1記載の視野絞り投
影光学系。 - 【請求項3】前記視野絞り投影光学系はほぼ等倍の投影
倍率を有し、前記凹面鏡に入射する往路の光束と前記凹
面鏡で反射される復路の光束とは、全ての前記屈折光学
部材を通過することを特徴とする請求項1又は2記載の
視野絞り投影光学系。 - 【請求項4】前記1つ以上の屈折光学部材は、正屈折力
のレンズ群と、該正屈折力のレンズ群と前記凹面鏡との
間に配置された負屈折力のレンズ群とを有することを特
徴とする請求項1乃至3の何れか一項記載の視野絞り投
影光学系。 - 【請求項5】前記視野絞りから前記凹面反射鏡までの光
路と、前記凹面鏡から前記投影原版までの光路とのうち
の、少なくとも何れか一方の光路には、該光路を折り曲
げるための反射面が配置されることを特徴とする請求項
1乃至4の何れか一項記載の視野絞り投影光学系。 - 【請求項6】光源と、該光源からの光に基づいて所定面
上を均一に照明する照明光学系と、前記所定面上に配置
される視野絞りの像を投影原版上へ投影する視野絞り投
影光学系とを備え、前記視野絞り投影光学系からの光に
基づいて前記投影原版上のパターンを感光基板上の感光
面に転写する露光装置であって、 前記視野絞り投影光学系として、請求項1〜5の何れか
一項記載の視野絞り投影光学系を用いたことを特徴とす
る露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11006344A JP2000208396A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 視野絞り投影光学系及び投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11006344A JP2000208396A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 視野絞り投影光学系及び投影露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000208396A true JP2000208396A (ja) | 2000-07-28 |
JP2000208396A5 JP2000208396A5 (ja) | 2008-01-24 |
Family
ID=11635766
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11006344A Pending JP2000208396A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 視野絞り投影光学系及び投影露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000208396A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2006043666A1 (ja) * | 2004-10-21 | 2008-05-22 | ソニー株式会社 | 投射光学系及び投射型画像表示装置 |
CN104040562A (zh) * | 2012-04-12 | 2014-09-10 | 惠普发展公司,有限责任合伙企业 | 具有远焦光学系统的非接触式指纹识别系统 |
WO2018168993A1 (ja) * | 2017-03-17 | 2018-09-20 | 株式会社ニコン | 照明装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
-
1999
- 1999-01-13 JP JP11006344A patent/JP2000208396A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2006043666A1 (ja) * | 2004-10-21 | 2008-05-22 | ソニー株式会社 | 投射光学系及び投射型画像表示装置 |
US8217374B2 (en) | 2004-10-21 | 2012-07-10 | Sony Corporation | Projection optical system and projection-type image display apparatus |
CN104040562A (zh) * | 2012-04-12 | 2014-09-10 | 惠普发展公司,有限责任合伙企业 | 具有远焦光学系统的非接触式指纹识别系统 |
JP2015505403A (ja) * | 2012-04-12 | 2015-02-19 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.Hewlett‐Packard Development Company, L.P. | アフォーカル光学系を有する非接触フィンガープリンティングシステム |
WO2018168993A1 (ja) * | 2017-03-17 | 2018-09-20 | 株式会社ニコン | 照明装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
KR20190117642A (ko) * | 2017-03-17 | 2019-10-16 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 장치 및 방법, 노광 장치 및 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
CN110431487A (zh) * | 2017-03-17 | 2019-11-08 | 株式会社尼康 | 照明装置及方法、曝光装置及方法、以及元件制造方法 |
JPWO2018168993A1 (ja) * | 2017-03-17 | 2019-12-19 | 株式会社ニコン | 照明装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
CN110431487B (zh) * | 2017-03-17 | 2021-08-10 | 株式会社尼康 | 照明装置及方法、曝光装置及方法、以及元件制造方法 |
KR102315115B1 (ko) * | 2017-03-17 | 2021-10-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 장치 및 방법, 노광 장치 및 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4717974B2 (ja) | 反射屈折光学系及び該光学系を備える投影露光装置 | |
JP4345232B2 (ja) | 反射屈折結像光学系および該光学系を備えた投影露光装置 | |
US7006304B2 (en) | Catadioptric reduction lens | |
US20050088761A1 (en) | Projection optical system and projection exposure apparatus | |
US5805334A (en) | Catadioptric projection systems | |
JP2001185480A (ja) | 投影光学系及び該光学系を備える投影露光装置 | |
WO1999052004A1 (fr) | Appareil et procede d'exposition a projection, et systeme optique reflechissant a refraction | |
JP2003107354A (ja) | 結像光学系および露光装置 | |
JP2001343589A (ja) | 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法 | |
US6081382A (en) | Catadioptric reduction projection optical system | |
JPH1184248A (ja) | 反射屈折縮小光学系 | |
JP2002208551A (ja) | 反射屈折光学系及び投影露光装置 | |
JP2004022708A (ja) | 結像光学系、照明光学系、露光装置及び露光方法 | |
JP7029564B2 (ja) | カタディオプトリック光学系、照明光学系、露光装置および物品製造方法 | |
JP2004198748A (ja) | オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置および露光方法 | |
US20030210385A1 (en) | Projection optical system, a projection exposure apparatus provided with the same, as well as a device manufacturing method | |
JP2002082285A (ja) | 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置 | |
TW200844677A (en) | Image forming optical system, exposure equipment and device manufacturing method | |
EP1316832A1 (en) | Relay image optical system, and illuminating optical device and exposure system provided with the optical system | |
JP2005107362A (ja) | 投影光学系及び露光装置、デバイスの製造方法 | |
JP2000208396A (ja) | 視野絞り投影光学系及び投影露光装置 | |
JPH06265789A (ja) | 反射屈折投影光学系 | |
JP3455992B2 (ja) | 投影光学系、それを備えた走査型投影露光装置、及び素子製造方法 | |
JP2006184709A (ja) | 結像光学系、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 | |
JP2000195772A (ja) | 投影露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20050811 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051020 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20051020 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071128 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080417 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080507 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080909 |