JP3747958B2 - 反射屈折光学系 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体素子又は液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に使用されるステッパー等の投影露光装置の投影光学系に関する。特に、本発明は、光学系の要素として反射系を用いた反射屈折投影光学系に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子又は液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に、レチクル(又はフォトマスク等)のパターン像を投影光学系を介して例えば1/4〜1/5程度に縮小して、フォトレジスト等が塗布されたウェハ(又はガラスプレート等)上に露光する投影露光装置が使用されている。投影露光装置としては、従来は主にステッパーのような一括露光方式が使用されていた。
【0003】
近年、半導体の製造や半導体チップ実装基板の製造ではますます微細化しており、これらのパターンを焼き付ける露光装置は、より解像力の高いものが要求されている。
この要求を満足するためには、露光用の光源の波長(露光波長)を短波長化するか、又は投影光学系の開口数NAを大きくしなければならない。しかしながら、露光波長が短くなると照明光の吸収のため実用に耐える光学ガラスが限られており、屈折系のみで投影光学系を構成することは困難である。特に、波長が300nm以下となると、実用上使用できる硝材は、合成石英と螢石とのみになってしまう。
【0004】
一方、反射系のみで投影光学系を構成することも試みられているが、この場合、投影光学系が大型化し、且つ反射面の非球面化が必要となる。ところが、大型の高精度の非球面を製作するのは極めて困難である。
そこで、反射系と使用される露光波長に耐える光学ガラスからなる屈折系とを組み合わせたいわゆる反射屈折光学系で投影光学系を構成する技術が種々提案されている。
【0005】
その一例として、凹面鏡を1枚含む光学系と屈折光学系とを組み合わせて所定の縮小倍率のもとでレチクルの像を投影する反射屈折光学系が、例えば米国特許第4,779,966号公報、特開平4−234722号公報に開示されている。
上記米国特許第4,779,966号公報に開示される反射屈折光学系は、物体側から順に、屈折光学系と、この屈折光学系による中間像を再結像させる反射屈折光学系とから構成されている。
【0006】
また、特開平4−234722号公報に開示される光学系は、物体側から順に、完全対称型の反射屈折光学系と、この反射屈折光学系による中間像を縮小倍率のもとで再結像させる屈折光学系とから構成されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上記米国特許第4,779,966号公報及び特開平4−234722号公報に開示される反射屈折光学系では、凹面鏡を含む反射屈折光学系中の屈折光学部材として、負屈折力のレンズ成分のみを用いていた。従って、物体(中間像)から凹面鏡へ達する光束の光束径は拡大される一方であるため、凹面鏡自体の口径の小型化を図ることが困難であった。
【0008】
上述の問題点に加えて、特に上記米国特許第4,779,966号公報に開示される反射屈折光学系において、像側の開口数を上げることを考えると、像側に近い光学系の開口数を上げざるを得ない。このときには、像側に配置される反射屈折光学系中の凹面鏡に入射させる光束の径を拡大させる必要があるため、この凹面鏡の口径が大型化する問題点がある。さらに、米国特許第4,779,966号公報に開示される反射屈折光学系では、縮小倍率の関係から凹面反射鏡M2 からウェハに到る光路が長く取れないため、この光路中に配置される屈折レンズのレンズ枚数を多くすることができず、十分な結像性能が得られにくいという不都合があった。また、このため、最もウェハ側の光学素子の端面とウェハとの距離、即ちウェハ側の作動距離(ワーキングディスタンス)が長く取れないという不都合があった。
【0009】
また、特開平4−234722号公報に開示された反射屈折光学系では、往路と復路とが兼用となる光学系が完全対称型の光学系を構成しており、そこの光学系での収差発生を極力抑え、後に続く屈折光学系の収差補正負担を軽くしているものであるが、対称型光学系を構成しているため、第1面付近での作動距離(ワーキングディスタンス)が長く取れないという不都合があった。
【0010】
以上のことに鑑み、本発明は、光学系の性能を劣化させることなく、凹面鏡の口径の小径化を達成することを目的とする。更に、本発明は、凹面鏡の口径の小径化を達成しつつ、作動距離を十分に確保し、高い開口数を実現することを第2の目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明では、
第1面の中間像を形成する第1反射屈折結像光学系と、
前記中間像の像を第2面上に形成する第2屈折結像光学系と、
前記第1反射屈折結像光学系から前記第2屈折結像光学系へ到る光路中に配置され、
前記第1反射屈折結像光学系からの光を前記第2屈折結像光学系へ導く光路偏向部材とを有し、
前記第1反射屈折結像光学系は、少なくとも、全体として正の屈折力を有する第3レンズ群G3と、凹面鏡と前記第1面側に凹面を向けた負レンズ成分とを有する第4レンズ群G4と、を有し、
前記第3レンズ群G3は、少なくとも、前記第1面側から順に、正の屈折力を有する第10レンズ群G10と、負の屈折力を有する第11レンズ群G11と、正の屈折力を有する第12レンズ群G12と、を含み、
かつ前記第1面からの光を、前記第10レンズ群G10、前記第11レンズ群G11、前記第12レンズ群G12、前記第4レンズ群G4、前記第12レンズ群G12、前記第11レンズ群G11、前記第10レンズ群G10の順に導き、
前記第1反射屈折結像光学系と前記第2屈折結像光学系との合成倍率は縮小倍率である反射屈折光学系を提供する。
【0012】
【発明の実施の形態】
上述の構成の如き本発明によれば、凹面鏡の前側に配置される第3レンズ群G3が正の屈折力を有しているため、第1面から発した光束に収束作用を及ぼし、第4レンズ群G4に入射する光束が絞り込まれる。これにより、第4レンズ群G4中の凹面鏡は、小型化が達成される。また、第3レンズ群G3を正の屈折力の第10レンズ群G10、負の屈折力の第11レンズ群G11、正の屈折力の第12レンズ群G12と構成することにより、諸収差を良好に補正することができる。更に、この上述の構成により、第1結像光学系の長さを短くすることも可能である。
【0013】
また、本発明では、上述の構成により、第1面付近の作動距離を大きくすることができるため、光路偏向部材が容易に挿入可能となる。ここで、光路偏向部材は単に光路を折り曲げる機能のみを持つようにすることが、好ましい。このような光路偏向部材とすれば、ビームスプリッタの如く光束を分離する光路偏向部材の機能を持たせる必要がないため、光量損失をほぼ0%に抑えることが可能となり、フレアーの発生も極めて少なくできる利点が生じる。単に光路を折り曲げる機能のみを持つ光路偏向部材では、ビームスプリッタを用いる場合において発生するビームスプリッタの光分割面の特性の不均一性による収差の発生や、熱吸収により光分割面の特性が変化することによる収差の発生は、生じない。
【0014】
ここでは、光路偏向部材を第1結像光学系が形成する中間像の近傍に配置することがさらに好ましい。この構成により、光路を折り曲げる際の偏心誤差の影響を非常に少なくできる。例えば、光路偏向部材に角度誤差が生じている場合には、第1結像光学系に対する第2結像光学系の偏心を招くことになるが、この結果としては、第2面上に形成される像が第1面に対してシフトするだけになり、結像性能に対する影響はほとんど生じない。
【0015】
本発明では、第2結像光学系中に凹面鏡を持たない構成であるため、高い開口数のもとでも、像側の作動距離を十分に確保することができる。
また、本発明においては、第2結像光学系は、正屈折力の第5レンズ群G5と、正屈折力の第6レンズ群G6とを有する構成が好ましい。そして、本発明においては、これらの第5レンズ群G5と第6レンズ群G6との間の光路中に開口絞りを配置する構成をとることが好ましい。この開口絞りを可変開口絞りとすれば、コヒーレンスファクタ(σ値)を調整できる。
【0016】
ここで、焦点深度を深くして且つ解像力を上げる一つの手法として、例えば特公昭62−50811号公報において、レチクルのパターン中の所定部分の位相を他の部分からずらす位相シフト法が提案されている。本発明においては、コヒーレンスファクタ(σ値)を調整することが可能であるため、この位相シフト法の効果をさらに向上できる利点がある。
【0017】
本発明では、前記第1結像光学系は縮小倍率を有し、前記第2結像光学系は縮小倍率を有することが好ましい。この様な屈折力の配置によって、光学系を無理なく構成することができる。
また、本発明においては、第1結像光学系は、第1面と第3レンズ群G3との間の光路中に配置された第7レンズ群G7を有するように構成されることが好ましい。この第7レンズ群G7は、第1結像光学系及び第2結像光学系では補正しきれない非対称収差、特に歪曲収差、倍率色収差を良好に補正する機能を有する。そして、この第7レンズ群G7は、第1面側から順に、正屈折力の前群と、負屈折力の後群とを有するように構成されることが好ましい。この構成により、第7レンズ群G7全体としては小径化を達成しつつ、テレセントリック性を良好に維持できる。
【0018】
本発明において、第2結像光学系を構成する光学材料は、互いに分散値の異なる少なくとも二種類の光学材料であることが好ましい。これにより、色収差の補正効果を向上できる。
また、本発明において、第2結像光学系中の前記第5レンズ群G5は、高分散ガラスから構成される負レンズ成分と、低分散ガラスから構成される正レンズ成分とを含むように構成され、第2結像光学系中の前記第6レンズ群G6は、低分散ガラスから構成される正レンズ成分を含むように構成されることが好ましい。この構成により、色収差の補正効果をさらに向上できる利点がある。
【0019】
更に、本発明では、以下の条件を満足することが好ましい。
0.4<|Y0/Y1|<1.2 (1)
ここで、Y0は第1面上の物体の高さであり、Y1は前記第1結像光学系によって結像される前記中間像の高さである。
以上の様な条件範囲とすることにより、無理なく光学系を構成することが可能となる。下限を超えると、第1結像光学系の縮小倍率が大きくなり、広範囲の露光が困難になる。また、上限を超えると、第1群の縮小倍率が小さくなり、凹面鏡を小型化するという本発明の目的から外れることになる。尚、下限を0.6、上限を1.0とすると、更に良い結果が得られる。
【0020】
また更に、本発明では、以下の条件を満足することが好ましい。
1/10<|β|<1/2 (2)
ここで、βは、全体の倍率である。
以上の様な条件範囲とすることにより、前記条件(1)同様に、無理なく光学系を構成することが可能となる。下限を超えると、縮小倍率が大きくなり、広範囲の露光が困難になる。また、上限を超えると、光学系の縮小倍率が小さくなり、縮小投影露光装置とは言えなくなってしまう。ここで、下限を1/8とすると、更に良い結果が得られる。
【0021】
また、本発明は、以下の条件を満たすことが望ましい。
P4<0 (3)
ここで、P4は、第4レンズ群G4のペッツバール和である。もし、条件(3)を満足しないと、第4レンズ群G4に入射する光束に対し射出する光束が大きくなるため、第3レンズ群G3の各レンズが大型化するようになるので、好ましくない。また更に、反射屈折光学系自体のペッツバール和が大きくなり、像面が平坦でなくなるので、好ましくない。
【0022】
更に、本発明は、以下の条件を満たすことが望ましい。
P3+P5+P6+P7<0 (4)
ここで、P3は第3レンズ群G3のペッツバール和であり、P5は第5レンズ群G5のペッツバール和であり、P6は第6レンズ群G6のペッツバール和であり、P7は第7レンズ群G7のペッツバール和である。もし、条件(4)を満足しないと、反射屈折光学系全体の倍率が大きくなり、好適な縮小倍率が得られなくなるので、好ましくない。
【0023】
また更に、本発明は、以下の条件を満たすことが望ましい。
|P3+P4+P5+P6+P7|<0 (5)
上記条件は、光学系の全構成要素のペッツバール和に関するものである。もし、条件(5)を満足しないと、像面がプラス側に湾曲するようになり、像面での平坦性がなくなるので、好ましくない。
【0024】
そして、本発明は、以下の条件を満たすことが望ましい。
|P1+P2|<0 (6)
ここで、P1は第1結像光学系を光線が透過する際の各要素のペッツバール和であり、P2は第2結像光学系のペッツバール和である。P1及びP2は、
P1=(2×P3)+P4+P7
P2=P5+P6
と表すことができる。もし、条件(6)を満足しないと、像面の平坦性がなくなるので、好ましくない。
【0025】
【実施例】
以下、本発明による反射屈折光学系の実施例を図面を参照して説明する。以下に説明する各実施例は、レチクル上に形成されたパターンの像をレジストが塗布されたウェハ上に転写する露光装置の投影光学系に本発明を適用したものである。
【0026】
まず、図1を参照して、本発明による反射屈折光学系の概略的な構成を説明する。図1において、光軸からの高さがY0で第1面上のレチクルRからの光束は、正の屈折力を有する第10レンズ群G10と負の屈折力を有する第11レンズ群G11と正の屈折力を有する第12レンズ群G12とを含む第3レンズ群G3を通過した後に、凹面鏡M1と前記第1面側に凹面を向けたメニスカス成分とを有する第4レンズ群G4に達する。第2実施例中では上述の第3レンズ群G3と第4レンズ群G4とで第1結像光学系G1を構成しているが、第1実施例中では、第1面上のレチクルRと第3レンズ群G3との間に、正の屈折力を有する第8レンズ群G8と負の屈折力を有する第9レンズ群G9とから構成される第7レンズ群G7が存在する。
【0027】
ここで、第3レンズ群G3を通過した光束は、第4レンズ群G4に達する。この第4レンズ群G4に達した光束は、第4レンズ群G4中の凹面鏡M1 によって反射され、再び第3レンズ群G3を通過して、光路偏向部材としての光路折曲げミラーM2 へ向かう。この光路折曲げミラーM2 は、第1結像光学系G1、第2結像光学系G2の光軸に対して45°で斜設されている。そして、第1結像光学系G1からの光束は、収斂光束となり、光路折曲げミラーM2 の近傍にレチクルRの中間像をY1の高さで形成する。次に、光路折曲げミラーM2 にて反射された光束は、第2結像光学系G2を構成する第5レンズ群G5及び第6レンズ群G6を順に介して、第2面上のウェハーW上にレチクルRの2次像(中間像の像)を形成する。ここで、第5レンズ群G5と第6レンズ群G6との間には、開口絞りaが配置されている。
【0028】
また、図2は、本発明による反射屈折光学系の別の配置を示す図である。尚、図2においては、図1と同様の機能を有する部材には同一の符号を付してある。
図2において、図1の例とは異なる点は、第1面と第3レンズ群G3との間の光路中に、光路偏向部材としての光路折曲げミラーM0 を配置した点である。ここで、光路折曲げミラーM0 は第3レンズ群G3の光軸に対して45°で斜設されており、光路折曲げミラーM2 に対して直交して設けられている。この構成により、第1結像光学系G1 及び光路折曲げミラーM2 を介した光束が第1面からの光束の進行方向と同方向となるため、第1面と第2面とを平行な配置とすることができる。この構成により、第1面及び第2面をそれぞれ保持し、かつそれぞれ走査させるための機構の構成が容易となる利点がある。
【0029】
なお、図2において、光路折曲げミラーM0 と光路折曲げミラーM2 とを一体の部材で構成しても良い。この構成の場合には、互いに直交する光路折曲げミラーM0 の反射面と光路折曲げミラーM2 の反射面との加工が容易となり、この角度の維持が容易となる利点がある。また、一体に構成する場合には、光路折曲げミラーM0 ,M2 の小型化を図ることができ、レンズの配置の自由度を向上させることができる利点がある。
【0030】
また、図3は、本発明による反射屈折光学系のさらに別の配置を示す図である。なお、図3においては、図1と同様の機能を有する部材には同一の符号を付してある。
図3において、図1の例とは異なる点は、第2結像光学系中の第5レンズ群G5と第6レンズ群G6との間に、第5レンズ群G5の光軸に対して(第6レンズ群G6の光軸に対して)45°で斜設された光路偏向部材としての光路折曲げミラーM3 を配置した点である。この構成により、レンズ群G22から射出されて第2面に到る光束の進行方向が、第1面から第1結像光学系へ入射する光束の進行方向と同方向となるため、第1面と第2面とを互いに平行な配置とすることができる。この構成により、第1面及び第2面をそれぞれ保持し、かつそれぞれ走査させるための機構の構成が容易となる利点がある。
【0031】
また、図3の例では、第1結像光学系G1の第10レンズ群G10から光路折曲げミラーM2 へ向かう光束の進行方向と、第2結像光学系G2中の光路折曲げミラーM3 から第6レンズ群G6へ向かう光束の進行方向とを互いに逆方向とするように、光路折曲げミラーM2 ,M3 を配置しているため、反射屈折光学系自体をコンパクトに構成することができる。特に、この構成によれば、第1面と第2面との間隔を短くすることができる利点があり、露光装置全体のコンパクト化を図ることができる。さらに、図3の例では、光路折曲げミラーM2 を第1結像光学系が形成する中間像の近傍に配置することができるため、光路折曲げミラーM2 の小型化を実現でき、光学系の配置の自由度を増すことができる。
【0032】
更に、図2に示す実施例においては、第1面の法線と第2面の法線とが重力方向に対して直角をなすように配置することが好ましい。この様に配置すると、第1面、第2面及び最も精度が要求される凹面鏡M1 が重力による非対称な変形を受けなくなるので、大型のフォトマスクやガラスプレートを用いて投影露光する際に有利になる。
【0033】
また、図3に示す実施例においては、第1面及び第2面が水平方向となるように光学系を配置すると、重力によって非対称な変形を受ける光学素子が少なくなる。それ故、第1面及び第2面が水平方向で、第1面を第2面よりも上方となるように配置することが好ましい。特に、第2結像光学系中の第5レンズ群G5以外は非対称な変形を受けないため、この様な配置とすると、光学性能上非常に有利である。ここで、凹面鏡M1 が水平に配置されているということは、殊更有効である。
【0034】
また、上記各実施例では、凹面鏡M1 付近又は第2結像光学系中(特に、第5レンズ群G5と第6レンズ群G6との間)に開口絞りを配置することが可能である。また、このとき、照明光学系の開口数NAと投影光学系の開口数NAとの比であるシグマ(σ)値を、可変にすることも可能である。本実施例中では、機械的干渉が起こりにくい第2光学系に配置することが特に好ましい。
【0035】
また、開口絞りを配置する代わりに、様々な特殊フィルターを配置することによって、焦点深度を深くすることが可能である。特殊フィルターの一例の図を示した図8を参照しながら説明する。
下記の各数値実施例は、物体側及び像側がテレンセントリックな光学系となっていて、物体側の各点からの主光線はある光軸の一点で交わるようになっている。この様な状況で主光線が光軸と交わる一点を含む平面を、フーリエ変換面と呼び、特殊フィルターは、このフーリエ変換面に配置する。以下に示す各数値実施例では、凹面鏡M1 付近又は第2結像光学系中にフーリエ変換面を設けることが可能である。フーリエ変換面では、光軸から放れた特定の位置によって回折光の次数が決まる。光軸から離れるほど次数は高くなる。一般的な投影露光光学系は、0次及び1次の回折光を取り入れている。これより、図8(a)及び(b)に示す様に、0次光の成分が存在する半径r1 の光軸付近の領域FAと、半径r1 から半径r2 までの1次光(及びそれ以上の次数の回折光)が存在する開口部周辺付近の領域FBとに、フィルターの領域を分割する。
【0036】
図8(c)に示す通り、同心円状に分割したフィルターは、中心部領域FAがS偏光のみを透過し、周辺部領域FBがP偏光のみを透過するように偏光膜を形成する。当然のことながら、中心部領域FAがP偏光、周辺部領域FBがS偏光のみを透過するようにしても構わない。また、このとき、中心部領域FAの屈折率が、周辺部領域FBの屈折率より低くなるようにする。
【0037】
上記に示した構成により、特殊フィルターの周辺部領域FBを透過した光束は、焦点面で通常の結像を行う。一方、特殊フィルターの中心部領域FAを透過した光束は、屈折率が低いために、通常の焦点面よりレンズから遠ざかる位置に焦点を結ぶ。ここで、周辺部領域FBを透過した光束と中心部領域FAを透過した光束とは偏光状態が違うため、それぞれの光束が干渉することは無い。これにより、焦点深度を深くすることが可能となる。また、焦点深度を深くする技術としては、特開昭61−91662号公報、特開平5−234850号公報、特開平6−120110号公報、特開平6−124870号公報、特開平7−57992号公報及び特開平7−57993号公報等に開示された技術があり、それぞれ本発明に適用可能である。特に、この様な技術は、孤立パターンを形成するときに有効である。
【0038】
ここで、凹面鏡M1 付近に特殊フィルターを配置した場合、第2結像光学系の方に開口絞りを配置して、開口数を変化させることが可能である。また、第2結像光学系に特殊フィルターを配置し、凹面鏡M1 付近に開口絞りを配置することも可能である。このように、本実施例中における反射屈折光学系は、開口絞りと特殊フィルターとを同一光学系中に分離して配置することができ、空間配置において有利である。
【0039】
また、中間像を形成する場所に絞りを置けば、この絞りは、視野絞りとすることができる。各実施例の場合、第1結像光学系と第2結像光学系の間に、視野絞りを設けることが可能である。上記実施例では、図1から図3までに示すように、中間像のできる位置がミラーの付近となっている。このため、ミラーの付近に絞りを配置すればよい。絞りを配置する構成としては、例えば、図9に示す例がある。
【0040】
視野絞りを設ける場合は、図9に示す例のごとく、光路折り曲げミラーM2 をなるべく第1結像光学系G1の第10レンズ群G10の近傍となるように配置する。これにより、中間像が形成される面が、光路折り曲げミラーM2 近傍から第2結像光学系中の第5レンズ群G5よりとなる。この様な配置とすることにより、光路折り曲げミラーM2 と第1結像光学系G1の第10レンズ群G10と視野絞り機能とが機械的干渉が起こりにくくなる。そして、中間像を形成する面に、視野絞りSを配置する。視野絞りSが動くことにより、中間像のできる範囲が変化する。これにより、最終的に第2面上で像の形成される範囲が変化するとになる。
【0041】
また、視野の大きさを変化させるものとして、特開昭57−192024号公報、特開昭60−30132号公報、特開昭60−45252号公報、実開昭62−124845号公報、米国特許第4,473,293号公報及び米国特許第4,474,463号公報等に開示された技術があり、それぞれ応用可能である。
【0042】
上記のように、可動な遮光部材を場合に応じて動かすことにより視野絞りを達成する方法以外に、大きさの異なるミラー自体を交換することにより、視野絞りの代わりとすることができる。
なお、図9に示す開口可変な視野絞りの形状は、四角形のみならず、円弧状及び四角以上の多角形状にも適用できることは言うまもない。また、投影光学系中に視野絞りを配置することができるため、照明光学系に配置された所謂レチクルブラインドを無くすこと可能であることも言うまでもない。
【0043】
次に、本発明の反射屈折光学系の数値実施例を説明する。以下の数値実施例においては、レンズ配置を図4及び図6に示すように、展開光路図で表す。展開光路図においては、反射面は透過面として表され、レチクルRからの光が通過する順に各光学要素が配列される。また、凹面反射鏡の反射面では、平面の仮想面を使用している。そして、レンズの形状及び間隔を表すために、例えば図4に示すように、レチクルRのパターン面を第0面として、レチクルRから射出された光がウェハーWに達するまでに通過する面を順次第i面(i=1,2,‥‥)としている。ここで、第i面の曲率半径ri の符号は展開光路図の中でレチクルRに対して凸面を向ける場合を正にとる。また、第i面と第(i+1)面との面間隔をdi とする。また、硝材として、SiO2 は溶融石英を表し、CaF2 は蛍石を表す。溶融石英及び蛍石の使用基準波長(193.0nm)に対する屈折率は次のとおりである。
溶融石英: 1.56019
蛍石 : 1.50138
また、分散値1/νは、次の通りである。
合成石英: 1780
蛍石 : 2550
但し、実施例中での分散値は、使用基準波長(193.0nm)に対する±0.1nmの分散値である。
〔第1実施例〕
図4を参照して本発明による第1実施例を説明する。図4は第1実施例における反射屈折光学系の展開光路図である。
【0044】
図4に示す各レンズ群のレンズ構成について説明すると、第7レンズ群G7は、レチクルR側から順に、第8レンズ群G8である両凸形状の正レンズL1 と第9レンズ群G9である両凹形状の負レンズL2 とから構成される。第7レンズ群G7に続いて配置される第3レンズ群G3は、第10レンズ群G10である両凸形状の正レンズL3 と、第11レンズ群G11であるレチクルR側に凸面を向けたメニスカス形状の負レンズL4 と、第12レンズ群G12である両凸形状の正レンズL5 とから構成される。更に、第3レンズ群G3に続いて配置される第4レンズ群G4は、レチクルR側に凹面を向けたメニスカス形状の負レンズL6 と凹面鏡M1 とから構成される。
【0045】
ここで、レチクルRからの光束は、第8レンズ群G8、第9レンズ群G9、第10レンズ群G10、第11レンズ群G11、第12レンズ群G12、第4レンズ群G4、第12レンズ群G12、第11レンズ群G11、第10レンズ群G10を順に経由して、第3レンズ群G3と第7レンズ群G7との間にレチクルRの中間像を形成する。
【0046】
第5レンズ群G5は、この中間像側から順に、屈折力の弱い両凸形状の正レンズL7 と、両凸形状の正レンズL8 と、両凹形状の負レンズL9 と、中間像側に凸面を向けたメニスカス形状の負レンズL10と、両凹形状の負レンズL11と、中間像側に凹面を向けたメニスカス形状の負レンズL12と、両凸形状の正レンズL13と、両凸形状の正レンズL14とから構成される。
【0047】
また、この第5レンズ群G5に続いて配置される第6レンズ群G6は、中間像側から順に、中間像側に凸面を向けたメニスカス形状の正レンズL15と、中間像側に凸面を向けたメニスカス形状の正レンズL16と、中間像側に凹面を向けたメニスカス形状の負レンズL17と、両凸形状の正レンズL18と、中間像側に凸面を向けたメニスカス形状の負レンズL19と、中間像側に凸面を向けたメニスカス形状の正レンズ成分L20と、屈折力の弱い両凹形状の負レンズL21と、中間像側に凸面を向けたメニスカス形状の負レンズL22と、中間像側に凸面を向けたメニスカス形状の正レンズL23とから構成される。
【0048】
以下の表1に本実施例の諸元の値を掲げる。本実施例において、全系の倍率は1/4倍(縮小)であり、ウェハW側の開口数NAは0.57である。そして、図1に示す如く、本実施例の反射屈折光学系は、レチクルR上における露光領域は、縦方向が光軸Axからの物体高の範囲が52から76までの長さ24で、横方向が120の矩形状である。
【0049】
なお、表1に示す本実施例においては、光路折曲げミラーM2 は、第7面と第28面とに位置する。また、表1では、凹面鏡M1 は第18面に相当する。本実施例中において第17面(仮想面)と第18面とを反射面(屈折率=−1)とすることで、図4に示す展開光路図を作成可能とした。
【0050】
【表1】
条件対応値を以下に示す。
(1)|Y0/Y1|= 0.97
(2)|β|= 0.25
(3)P4= -0.00689
(4)P3+P5+P6+P7= 0.00608
(5)|P3+P4+P5+P6+P7|= -0.00081
(6)|P1+P2|= 0.00000
図5 (a) は第1実施例の縦収差図であり、図5 (b) は第1実施例の倍率色収差図、図5 (c) は第1実施例の横収差図である。各収差図中において、NAは開口数を表し、Yは像高を表す。また、符号J、P及びQは、波長がそれぞれ193.0nm、192.9nm及び193.1nmであることを示す。そして、図5 (a) において、球面収差中において、破線は正弦条件違反量を表し、非点収差中においては、破線はメリジオナル像面、実線はサジタル像面をそれぞれ表す。図5 (c) に示す横収差図において、各コマ収差図中の上部に記載される数字は、物体高を表し、特に、RANDは物体高0のときを表している。
【0051】
図5 (a) 〜 (c) に示す諸収差図より、本実施例では、0.57という大きな開口数NAでありながら、広い領域において諸収差が良好に補正されていることが分かる。また、図5 (a) 〜 (c) に示す諸収差図より、本実施例では、波長幅0.1nmの範囲において軸上及び倍率の色収差も良好に補正されていることが分かる。
〔第2実施例〕
図6を参照して本発明による第2実施例を説明する。図6は第2実施例による反射屈折光学系の展開光路図である。
【0052】
図6に示す各レンズ群のレンズ構成について説明すると、レチクルR側から順に、第10レンズ群G10、第11レンズ群G11、第12レンズ群G12から構成される。ここで、第10レンズ群G10は、両凸形状の正レンズL1 と、両凹形状の負レンズL2 と、両凸形状の正レンズL3 と、レチクルR側に凹面を向けたメニスカス形状の負レンズL4 から構成される。また、第11レンズ群G11は、レチクルR側に凸面を向けたメニスカス形状の負レンズL5 である。第12レンズ群G12は、両凸形状の正レンズL6 と、レチクルR側に凸面を向けたメニスカス形状の負レンズL7 と、両凸形状の正レンズL8 とから構成される。更に、第3レンズ群G3に続いて配置される第4レンズ群G4は、負レンズL 9と凹面鏡M1 とから構成される。
【0053】
ここで、レチクルRからの光束は、第10レンズ群G10、第11レンズ群G11、第12レンズ群G12、第4レンズ群G4、第12レンズ群G12、第11レンズ群G11、第10レンズ群G10を順に経由して、第3レンズ群G3とレチクルRとの間にレチクルRの中間像を形成する。
第5レンズ群G5は、この中間像側から順に、中間像に凹面を向けたメニスカス形状の負レンズL10と、両凸形状の正レンズL11と、両凹形状の負レンズL12と、両凸形状の正レンズL13と、中間像側に凹面を向けたメニスカス形状の負レンズL14と、両凸形状の正レンズL15と、両凸形状の正レンズL16ととから構成される。
【0054】
また、この第5レンズ群G5に続いて配置される第6レンズ群G6は、中間像側から順に、中間像側に凸面を向けたメニスカス形状の正レンズL17と、両凸形状の正レンズL18と、両凹形状の負レンズL19と、中間像側に凸面を向けたメニスカス形状の正レンズL20と、中間像側に凸面を向けたメニスカス形状の負レンズL21と、中間像側に凸面を向けたメニスカス形状の正レンズ成分L22と、中間像側に凹面を向けたメニスカス形状の負レンズL23と、両凸形状の正レンズL24と、中間像側に凸面を向けたメニスカス形状の正レンズL25とから構成される。また、このとき、開口絞りaは、第5レンズ群G5と第6レンズ群G6との間に配置される。
【0055】
以下の表2に本実施例の諸元の値を掲げる。本実施例において、全系の倍率は1/4倍(縮小)であり、ウェハWー側の開口数NAは0.57である。本実施例の反射屈折光学系は、レチクルR上における露光領域は、縦方向が光軸Axからの物体高の範囲が48から72までの長さ24で、横方向が120の矩形状である。
【0056】
なお、表2では、凹面鏡M1 は第20面に相当する。本実施例中において第19面(仮想面)と第20面とを反射面(屈折率=−1)とすることで、図6に示す展開光路図を作成可能とした。
【0057】
【表2】
条件対応値を以下に示す。
(1)|Y0/Y1|= 0.97
(2)|β|= 0.25
(3)P4= -0.01
(4)P3+P5+P6+P7= 0.00855
(5)|P3+P4+P5+P6+P7|= -0.00145
(6)|P1+P2|= 0.00001
図7 (a) は第2実施例の縦収差図であり、図7 (b) は第2実施例の倍率色収差図、図7 (c) は第2実施例の横収差図である。各収差図中において、NAは開口数を表し、Yは像高を表す。また、符号J、P及びQは、波長がそれぞれ193.0nm、192.9nm及び193.1nmであることを示す。そして、図7 (a) において、球面収差中において、破線は正弦条件違反量を表し、非点収差中においては、破線はメリジオナル像面、実線はサジタル像面をそれぞれ表す。図7 (c) に示す横収差図において、各コマ収差図中の上部に記載される数字は物体高を表し、特に、RANDは物体高0のときを表している。
【0058】
図7 (a) 〜 (c) に示す諸収差図より、本実施例では、0.57という大きな開口数NAでありながら、広い領域において諸収差が良好に補正されていることが分かる。また、図7 (a) 〜 (c) に示す諸収差図より、本実施例では、波長幅0.1nmの範囲において軸上及び倍率の色収差も良好に補正されていることが分かる。
【0059】
以上の通り、本発明による各実施例によれば、非常に大きな開口数でありながら、凹面鏡M1 が小さく、広い露光領域において諸収差が良好に補正された反射屈折光学系を提供することが可能である。そして、第1実施例中では、凹面鏡M1 は、直径を330程度とすることができる。第2実施例中では、凹面鏡M1 は、直径を210程度とすることができる。また、各実施例の屈折レンズの直径についても、小型化することが可能となっている。
【0060】
また、上述の各実施例では、光路偏向手段としての光路折曲げミラーM2 が第1結像光学系G1が形成する中間像の近傍に配置される構成であるため、光路折曲げミラーM2 に対する第1及び第2結像光学系G1,G2の偏心誤差の影響を少なくできる。また、上記各実施例では、光路折曲げミラーM2 の反射面に達する光束の径が小さくなるため、光路折曲げミラーM2 自体の小型化を図ることができる。従って、光路折曲げミラーM2 による光束の遮蔽を少なくできるため、露光領域の拡大化を達成できる利点もある。
【0061】
さらに、各実施例では、光路折曲げミラーM2 によって、第1結像光学系G1からの光束を90°偏向させた後に第2結像光学系G2へ導く構成としているため、第1結像光学系G1と第2結像光学系G2との偏心調整が容易に行なえる利点がある。
また、各実施例においては、第2結像光学系G2中の第5レンズ群G5と第6レンズ群G6との間に開口絞りaを配置できるため、この開口絞りaを開口径可変となるように構成すれば、NA可変(或いはσ可変)による露光をも達成できる。
【0062】
尚、上述の第1及び第2実施例の光路折曲げミラーM1 の代わりに、ビームスプリッタを用いる構成をとる場合には、レチクルR上の光軸Axからの物体高が0〜72の範囲内(第1実施例では〜76の範囲内まで使用可能)を用いる一括露光を行うこともできる。
【0063】
【発明の効果】
以上の通り本発明によれば、凹面鏡の口径の小型化をも達成することができ、なお且つ、作動距離を十分に確保したうえで高い開口数を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の基本的な光学系の構成の概略を示す平面図である。
【図2】本発明の別の態様の構成の概略を示す平面図である。
【図3】本発明の別の態様の構成の概略を示す平面図である。
【図4】本発明の第1実施例による反射屈折光学系の展開光路図である。
【図5】第1実施例による反射屈折光学系の諸収差図である。
【図6】本発明の第2実施例による反射屈折光学系の展開光路図である。
【図7】第2実施例による反射屈折光学系の諸収差図である。
【図8】実施例における特殊フィルターの一例を示した図である。
【図9】実施例における視野絞りの一例を示した図である。
【符号の説明】
G1 … 第1結像光学系、
G2 … 第2結像光学系、
G3 … 第3レンズ群、
G10 … 第10レンズ群、
G11 … 第11レンズ群、
G12 … 第12レンズ群、
M1 … 凹面鏡、
M2 … 光路折曲げミラー(光路偏向部材)、
R … レチクル(第1面)、
W … ウェハ(第2面)、
Claims (18)
- 第1面の中間像を形成する第1反射屈折結像光学系と、
前記中間像の像を第2面上に形成する第2屈折結像光学系と、
前記第1反射屈折結像光学系から前記第2屈折結像光学系へ到る光路中に配置され、
前記第1反射屈折結像光学系からの光を前記第2屈折結像光学系へ導く第1光路偏向部材とを有し、
前記第1反射屈折結像光学系は、少なくとも、全体として正の屈折力を有する第3レンズ群G3と、凹面鏡及び前記第1面側に凹面を向けた負レンズ成分とを有する第4レンズ群G4とを有し、
前記第3レンズ群G3は、少なくとも、前記第1面側から順に、正の屈折力を有する第10レンズ群G10と、負の屈折力を有する第11レンズ群G11と、正の屈折力を有する第12レンズ群G12とを含み、
かつ前記第1面からの光を、前記第10レンズ群G10、前記第11レンズ群G11、前記第12レンズ群G12、前記第4レンズ群G4、前記第12レンズ群G12、前記第11レンズ群G11、前記第10レンズ群G10の順に導き、
前記第1反射屈折結像光学系と前記第2屈折結像光学系との合成倍率は縮小倍率であることを特徴とする反射屈折光学系。 - 前記第2屈折結像光学系は縮小倍率を有することを特徴とした請求項1記載の反射屈折光学系。
- 前記第1光路偏向部材を前記第1面と前記第3レンズ群G3との間の光路中であって、前記第3レンズ群G3の光軸からそれた位置に配置することを特徴とする請求項1又2記載の反射屈折光学系。
- 前記第2屈折結像光学系は、正屈折力の第5レンズ群G5と、正屈折力の第6レンズ群G6とを有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の反射屈折光学系。
- 前記第5レンズ群G5と前記第6レンズ群G6との間の光路中に開口絞りを配置することを特徴とする請求項4記載の反射屈折光学系。
- 前記第1反射屈折結像光学系は、前記第1面と前記第3レンズ群G3との間の光路中に配置された第7レンズ群G7を有し、
該第7レンズ群G7は、前記第1面側から順に、正屈折力の前群と負屈折力の後群とを有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の反射屈折光学系。 - 前記第1光路偏向部材を前記第3レンズ群G3と前記第7レンズ群G7との間の光路中であって、前記第7レンズ群G7の光軸からそれた位置に配置することを特徴とする請求項6に記載の反射屈折光学系。
- 前記第1面上の物体の高さをY0とし、前記第1反射屈折結像光学系によって結像される前記中間像の像高をY1とするとき、
0.4<|Y0/Y1|<1.2
を満足することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の反射屈折光学系。 - 前記第2屈折結像光学系を構成する光学材料は、互いに分散値の異なる少なくとも二種類の光学材料であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の反射屈折光学系。
- 前記第2屈折結像光学系中の前記第5レンズ群G5は、高分散ガラスから構成される負レンズ成分と、低分散ガラスから構成される正レンズ成分とを含み、
前記第2屈折結像光学系中の前記第6レンズ群G6は、低分散ガラスから構成される正レンズ成分を含むことを特徴とする請求項4又は5に記載の反射屈折光学系。 - 前記第1面と前記第2面とを平行にするために、前記第1面と前記第1反射屈折結像光学系中の前記第3レンズ群G3との間に前記第1面からの光を偏向させる第2光路偏向部材を配置することを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の反射屈折光学系。
- 前記第1面の法線と前記第2面の法線とが重力方向に対して直角をなすように前記第1面及び前記第2面を配置することを特徴とする請求項11記載の反射屈折光学系。
- 前記第1面と前記第2面との配置を平行にするために、第1光路偏向部材と前記第2結像光学系中の前記第5レンズ群G5と前記第6レンズ群G6の間に、前記第1光路偏向部材を経由した光を偏向させる第3光路偏向部材を配置することを特徴とする請求項4又は5に記載の反射屈折光学系。
- 前記第1面と前記第2面とを水平に配置し、且つ前記第1面を前記第2面よりも上方に配置することを特徴とする請求項13記載の反射屈折光学系。
- 前記第1反射屈折結像光学系と前記第2屈折結像光学系との間に形成される中間像の位置に、前記第2面上の像形成領域の大きさが可変となる視野絞りを設けることを特徴とする請求項1乃至14のいずれか一項に記載の反射屈折光学系。
- 前記第1反射屈折結像光学系中の前記凹面鏡付近の光路中又は前記第2屈折結像光学系の光路中に、焦点深度を深くするフィルターを設けることを特徴とする請求項1乃至15のいずれか一項に記載の反射屈折光学系。
- 前記第2屈折結像光学系の光路中に、開口絞りを配置することを特徴とする請求項1乃至15のいずれか一項に記載の反射屈折光学系。
- レチクルに形成されたパターンを投影光学系を介して感光物が塗布された基板上に投影露光する投影露光装置において、
前記投影光学系が請求項1乃至請求項17のいずれか一項に記載の反射屈折光学系であることを特徴とする投影露光装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03097896A JP3747958B2 (ja) | 1995-04-07 | 1996-02-19 | 反射屈折光学系 |
KR1019960009936A KR960038439A (ko) | 1995-04-07 | 1996-04-03 | 반사 굴절 광학계 |
EP96105452A EP0736789B1 (en) | 1995-04-07 | 1996-04-04 | Catadioptric optical system and exposure apparatus having the same |
DE69626712T DE69626712T2 (de) | 1995-04-07 | 1996-04-04 | Catadioptrisches System und dieses verwendender Belichtungsapparat |
US08/628,165 US5689377A (en) | 1995-04-07 | 1996-04-05 | Catadioptric optical system and exposure apparatus having the same |
US09/659,375 USRE39296E1 (en) | 1993-03-12 | 2000-09-08 | Catadioptric projection systems |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8238095 | 1995-04-07 | ||
JP7-82380 | 1995-04-07 | ||
JP03097896A JP3747958B2 (ja) | 1995-04-07 | 1996-02-19 | 反射屈折光学系 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08334695A JPH08334695A (ja) | 1996-12-17 |
JP3747958B2 true JP3747958B2 (ja) | 2006-02-22 |
Family
ID=26369432
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03097896A Expired - Lifetime JP3747958B2 (ja) | 1993-03-12 | 1996-02-19 | 反射屈折光学系 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5689377A (ja) |
EP (1) | EP0736789B1 (ja) |
JP (1) | JP3747958B2 (ja) |
KR (1) | KR960038439A (ja) |
DE (1) | DE69626712T2 (ja) |
Families Citing this family (109)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09311278A (ja) * | 1996-05-20 | 1997-12-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JP3395801B2 (ja) | 1994-04-28 | 2003-04-14 | 株式会社ニコン | 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法 |
USRE38438E1 (en) | 1994-08-23 | 2004-02-24 | Nikon Corporation | Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same |
JPH08179204A (ja) | 1994-11-10 | 1996-07-12 | Nikon Corp | 投影光学系及び投影露光装置 |
JP3454390B2 (ja) | 1995-01-06 | 2003-10-06 | 株式会社ニコン | 投影光学系、投影露光装置及び投影露光方法 |
US6512631B2 (en) * | 1996-07-22 | 2003-01-28 | Kla-Tencor Corporation | Broad-band deep ultraviolet/vacuum ultraviolet catadioptric imaging system |
US6157498A (en) | 1996-06-19 | 2000-12-05 | Nikon Corporation | Dual-imaging optical system |
JPH1020195A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
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DE19757074A1 (de) | 1997-12-20 | 1999-06-24 | Zeiss Carl Fa | Projektionsbelichtungsanlage und Belichtungsverfahren |
EP1079253A4 (en) | 1998-04-07 | 2004-09-01 | Nikon Corp | DEVICE AND PROCESS FOR PROJECTION EXPOSURE, AND OPTICAL SYSTEM WITH REFLECTION AND REFRACTION |
US6097537A (en) * | 1998-04-07 | 2000-08-01 | Nikon Corporation | Catadioptric optical system |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040119 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040309 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040510 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040528 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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|
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081209 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20161209 Year of fee payment: 11 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |