JP2002217095A - 露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場及び露光装置の保守方法並びに位置検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ベースライン変動による計測誤差の影響を小
さくし、被検物（位置検出マーク）の位置を高精度に検
出でき、高精度なアライメントを実現する。 【解決手段】光源１からの照明光を原版であるマスク４
に照射する照明光学系３と、マスク４に形成されたパタ
ーン像を感光性の基板であるウエハ８上に形成するため
の投影光学系７と、ウエハ８上のアライメントマークを
検出する位置検出系を構成するアライメントセンサ１６
とを備え、ウエハ８上のパターン領域が投影光学系７の
投影中心に対してアライメントセンサ１６寄りに偏心し
た位置に形成され、アライメントセンサ１６は、光軸Ａ
Ｘよりもウエハ８上に偏心して形成される前記パターン
領域に近い側に配置される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は露光装置に関し、特
に、半導体素子などをフォトリソグラフィ工程で製造す
る際に使用される露光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩなどの集積回路の作製に際して、
縮小投影露光装置が広く用いられている。縮小投影露光
装置では、投影光学系を介してマスクパターンの縮小像
を感光性基板であるウエハ上に形成する。近年では、半
導体基板上に投影露光する集積回路のパターンがますま
す微細化しており、投影露光装置の解像度の向上及びア
ライメント精度の向上が要求されている。

【０００３】また、微細化を達成するため露光装置以外
の周辺装置も高性能化が求められ、装置価格が高騰して
おり、生産設備のイニシャルコスト、ランニングコスト
の低減が大きな課題となっている。まず投影露光装置の
解像度の向上について見ると、解像度を向上させるに
は、投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくすることや、
露光波長を短くすることが必要とされる。しかしなが
ら、投影光学系のＮＡを所定の値以上に大きくすること
は光学系の構成上難しい。また、投影光学系のＮＡを大
きくすると、利用することのできる焦点深度が小さくな
り、その結果、理論上可能な分解能を実現することが困
難となる。このため、現実的には、投影露光装置の解像
度を向上させるために露光波長を短くすることが特に強
く求められている。

【０００４】一般に、露光光源として、波長が２４８ｎ
ｍのＫｒＦエキシマレーザや波長が１９３ｎｍのＡｒＦ
エキシマレーザが提案され、実施されている。また、さ
らに波長の短い１８０ｎｍ以下の光源、特にＦ₂ レーザ
（波長１５７．６ｎｍ）の利用も有望である。しかしな
がら、露光波長が短くなると光学部品による光の吸収が
大きくなり、光学部品として使用可能な硝材の種類は限
られてくる。例えば、これらの短波長光に対して使用す
ることのできる実用的な屈折光学材料としては、ＣａＦ
₂ 結晶（蛍石）が知られているのみである。このため従
来より投影光学系に使用されていた屈折光学系だけで
は、諸収差を所望量に追い込んだ光学系を製作すること
は困難となる。

【０００５】また、２００ｎｍ以下の波長のレーザ光源
は、発振波長域の狭帯化を行ってもある程度の幅を有し
ている。このため、良好なコントラストを維持しマスク
のパターンを投影露光するためには、ｐｍ（ピコメート
ル）オーダーまで色収差を低減する必要がある。

【０００６】色収差を低減する光学系としては、凹面反
射鏡等を利用する反射型光学系が一般に用いられてい
る。また、反射光学系と屈折光学系とを組み合わせた反
射屈折型光学系は、レンズ枚数の増加を招くことなく、
色収差をはじめ各諸収差を低減することが可能である。
このため、レーザ光の有する波長幅によって生じる色収
差を除去するために、反射屈折型の縮小投影光学系が提
案されている。

【０００７】［反射屈折型の投影光学系について］例え
ば、特開平８−３３４６９５号公報に開示されたタイプ
の投影光学系は、光軸から外れた領域を光路として使用
する、いわゆる軸外し光学系である。このような軸外し
構成は、光軸を含む領域を光路として利用するタイプの
光学系と比べると、光量の低下が少なく、結像光束の遮
蔽がないために像質が良く、各光学部材の製作が他のタ
イプに比して容易である、という利点を有する。

【０００８】同様な例として、特開平２０００−１９５
７７２号公報に開示されたタイプの投影光学系は、色収
差を良好に補正できるように凹面反射鏡を位置決めして
いる。

【０００９】さらに反射屈折光学系を用いた投影光学系
の提案として、特開２００１−２７７２７号公報には、
第１面の中間像を形成するための反射屈折型の第１結像
光学系と、その中間像からの光に基づいて該第１面の最
終像を第２面上にテレセントリックに形成するための屈
折型の第２結像光学系とを備えた反射屈折光学系が記載
されている。これは、一般にシングルバレル方式と呼ば
れる光学系である。この投影光学系は、反射屈折光学系
の構成であるため、ウエハ上に形成されるマスクパター
ンの投影領域は投影光学系の中心に対し偏心した位置に
形成される。ここで、投影光学系の中心とは物理的に
は、屈折光学系に使用される光学部品の中心または光学
系の光軸中心であり、特開２００１−２７７２７号公報
の中で示される光軸ＡＸである。また投影光学系内に中
間像を有するとともに偶数回の反射光学系を有するた
め、マスク側の視野領域も上記パターン投影領域と同じ
側に偏心した位置に形成される。

【００１０】また、反射屈折光学系の別の提案として、
特開２００１−１５４０５号公報には、反射屈折光学系
であるがツインバレル方式と呼ばれる投影光学系が記載
されている。これは、通常配置される投影光学鏡筒の横
にさらに同様の大きさの鏡筒が配置され、両鏡筒はさら
に他の鏡筒で接続される構成となっている。このため、
特開２００１−２７７２７号公報に開示されたものと比
較し、装置が大型になってしまう。

【００１１】［アライメント精度の向上について］次
に、アライメント精度の向上についてみると、露光装置
におけるウエハとレチクルのアライメントについては、 １．投影光学系を介してウエハのアライメントマークの
位置を測定するＴＴＬ方式 ２．投影光学系を介することなく直接ウエハのアライメ
ントマークの位置を計測するオフ・アクシス方式 ３．投影光学系を介してウエハとレチクルを同時に観察
し、両者の相対位置関係を検出するＴＴＲ方式等があ
る。

【００１２】上記のＴＴＬ方式の例として、ＴＴＬ−Ａ
Ａ（Through the Lens Auto Alignment）と呼ばれる投
影光学系を介して、非露光光のアライメント波長の光を
用いてウエハ上のアライメントマークを検出する方法が
ある。このＴＴＬ−ＡＡのメリットとしては次の点が挙
げられる。投影光学系の光軸とＴＴＬ−ＡＡの光軸を結
ぶライン（所謂、ベースライン）の距離を非常に短く配
置出来る為、アライメント計測時と露光時のウエハステ
ージの駆動量が少ない。従って、ウエハステージ回りの
環境変化による投影光学系の光軸とＴＴＬ−ＡＡの光軸
までの距離の変動で発生する測定誤差を小さく抑える事
が出来る。つまり、ベースラインの変動が少ないと言う
メリットがある。

【００１３】ところが、露光光がＡｒＦレーザーやＦ₂
レーザーを光源とした短波長光に移行すると、使用硝材
が限定される為、投影光学系のアライメント波長に対す
る色収差の補正が困難になる。従って、投影光学系の色
収差の影響を受けないオフ・アクシス方式（以下、オフ
アクシスアライメント検出系（Off-Axis Auto Alignmen
t、以下「ＯＡ検出系」と呼ぶ。）が重要になる。

【００１４】また、ＯＡ検出系の場合、投影光学系を介
さない為、任意の波長に対して、或いは、広い波長域の
光源を使用出来ると言うメリットもある。広帯域の波長
光を使用するメリットとしては、ウエハ上に塗布された
感光材（レジスト）に対して、薄膜干渉の影響を除去で
きるといった事が上げられる。従って、広帯域の波長光
に対して収差補正可能なＯＡ検出系は重要なアライメン
ト検出系と言える。

【００１５】さて、検査位置と実際の露光位置の関係が
直接見えないＯＡ検出系を使用して、レチクルとウエハ
とのアライメントを行う場合、予めアライメント検出系
の計測中心とレチクル上パターンの投影像中心と（露光
中心）との間隔である、所謂ベースライン量が求められ
る。そして、ＯＡ検出系のアライメントセンサによって
ウエハ上のアライメントマークの計測中心からのずれ量
が検出され、このずれ量をベースライン量で補正した距
離だけウエハを移動することによって当該ショット領域
の中心が露光中心に正確に位置合わせされる。ところ
が、露光装置を使用していく過程で、経時変化により次
第にベースライン量が変動することがある。このような
ベースライン変動が生じると、アライメント精度（重ね
合わせ精度）が低下することになる。従って、定期的に
アライメントセンサの計測中心と露光中心との間隔を正
確に計測するためのベースラインチェックを行う必要が
あった。

【００１６】図５は、投影露光装置のベースライン計測
の原理を模式的に示した図である。レチクルＲには、図
５（ａ）に略示するように、中心Ｃを挟んで対称な位置
にマークＲＭａとマークＲＭｂが設けられている。図５
（ｂ）に示すように、レチクルＲはレチクルステージ６
上に保持され、このレチクルステージ６はレチクルＲの
中心Ｃを投影光学系７の光軸ＡＸと合致させるように移
動される。ウエハステージ１０上には、感光基板８の表
面に形成されたアライメントマークと同等の基準マーク
ＦＭを有する基準部材ＦＰが感光基板８と干渉しない位
置に付設され、この基準マークＦＭが投影光学系７の投
影視野内の所定位置にくるようにウエハステージ１０を
位置決めすると、レチクルＲの上方に設けられたＴＴＬ
（スルー・ザ・レンズ）方式のマスクアライメント系５
０ａによって、レチクルＲのマークＲＭａと基準マーク
ＦＭとが同時に検出される。また、ウエハステージ１０
を別の位置に移動すると、マスクアライメント系５０ｂ
によってレチクルＲのマークＲＭｂと基準マークＦＭを
同時に検出することができる。

【００１７】投影光学系７の外側（投影視野外）には、
ＯＡ検出系のアライメントセンサ１６が固設されてい
る。アライメントセンサ１６の光軸は、投影像側面では
投影光学系７の光軸ＡＸと平行である。そしてアライメ
ントセンサ１６の内部には、感光基板８上のマーク、ま
たは基準マークＦＭをアライメントする際の基準となる
視準マークがガラス板に設けられ、投影像面（感光基板
表面または基準マークＦＭの面）とほぼ共役に配置され
ている。図５（ｂ）に示すように、マスクアライメント
系５０ａを用いてレチクルＲのマークＲＭａと基準部材
ＦＰ上の基準マークＦＭとがアライメントされたときの
ウエハステージ１０の位置Ｘ１をレーザ干渉計で計測す
る。同様に、マスクアライメント系５０ｂを用いてレチ
クルＲのマークＲＭｂと基準マークＦＭとがアライメン
トされたときのウエハステージ１４の位置Ｘ２、及びア
ライメントセンサ１６の指標マークと基準マークＦＭと
がアライメントされたときのウエハステージ１０の位置
Ｘ４をレーザ干渉計等でそれぞれ計測する。位置Ｘ１と
Ｘ２の中心位置をＸ３とすると、位置Ｘ３は投影光学系
１３の光軸ＡＸ上にあり、レチクル中心Ｃと共役な位置
である。

【００１８】ベースライン量ＢＬは、差（Ｘ３−Ｘ４）
を計算することで求められる。このベースライン量ＢＬ
は、後で感光基板８上のアライメントマークをアライメ
ントセンサ１６でアライメントして投影光学系７の直下
に送り込むときの基準量となるものである。すなわち、
感光基板８上の１ショット（被露光領域）の中心と感光
基板８上のアライメントマークとの間隔をＸＰ、感光基
板８上のアライメントマークがアライメントセンサ１６
の指標マークと合致したときのウエハステージ１０の位
置をＸ５とすると、ショット中心とレチクル中心Ｃとを
合致させるためには、ウエハステージ１０を次式の位置
に移動させればよい。

【００１９】（Ｘ５−ＢＬ−ＸＰ）または（Ｘ５−ＢＬ
＋ＸＰ） このように、ＯＡ検出系のアライメントセンサ１６を用
いて感光基板８上のアライメントマーク位置を検出した
後、ベースライン量ＢＬに関連する一定量だけウエハス
テージ１０を送り込むだけで、直ちにレチクルＲのパタ
ーンを感光基板８上のショット領域に正確に重ね合わせ
て露光することができる。なお、ここでは１次元方向に
ついてのみ考えたが、実際には２次元で考える必要があ
る。

【００２０】ＯＡ検出系の従来例として、特開平９−２
１９３５４号公報に記載の装置が提案されている。特開
平９−２１９３５４号公報に係る装置は、特に短期的
な、アライメントセンサの計測中心の変動に着目し、ア
ライメントセンサ対物レンズ部に指標マークを設け、前
記指標マークの検出系とウエハ側マークの検出系を極力
共通な系で構成することにより、検出系に対する熱ある
いは機械的振動によるドリフトの影響を低減し、検出精
度の向上を図っている。

【００２１】上述したように、ウエハの位置を検出する
位置検出装置に、上記のようなＯＡ検出系を使用した場
合、投影光学系の光軸とＯＡ検出系の検出領域が離れて
いる為、アライメント計測時と露光時にウエハステージ
を駆動しなければならない。その為、ウエハステージ周
辺の環境変化によって、ベースラインの変動等のアライ
メント精度が影響される。例えば、干渉計の長さが異な
る事で、空気揺らぎの影響が変化し、干渉計の計測誤差
が発生する。このような要因の為に、露光時のウエハ駆
動格子とアライメント検出時のウエハ駆動格子に差が生
じ、結果的にアライメント精度が劣化すると云う現象が
発生する。

【００２２】従って、このベースラインを出来るだけ短
くし、ウエハステージの環境をアライメント時と露光時
で同じ様にすることが、こうしたアライメント精度劣化
の除去に有効である。その為に、そのような位置にＯＡ
検出系を配置する事が必要となる。

【００２３】特開２０００−９１２１９号公報には、ウ
エハ側から順に正の屈折力の第１レンズ群と、該第１レ
ンズ群からの光束を反射偏向するミラー、そして該ミラ
ーからの光束を集光する第２レンズ群とを含む対物レン
ズを構成し、該対物レンズによって形成した該アライメ
ントマーク像を光電変換する画像検出素子を有するＯＡ
検出系が記載されている。

【００２４】また、他の例として特開平１１−３４５７
６１号公報には、波長５〜２０ｎｍのＥＵＶ光を露光光
として用いるＥＵＶ露光装置におけるＯＡ検出系の配置
が提案されている。本提案によれば、投影光学系が反射
光学系で構成され、ウエハ側寄りに構成される反射ミラ
ーの露光光が通過する部分を切断し、空間を設ける。そ
して、この空間にＯＡ検出系を配置することによりベー
スラインを極力短く配置している。

【００２５】［装置の小型化について］次に半導体生産
設備のコスト低減という面では、露光装置および周辺装
置をコンパクト化することが肝要である。これにより、
露光装置および周辺装置を設置するクリンルームの小型
化によるイニシャルコスト、ランニングコストの低減を
図ることができる。或は、クリンルーム内により多くの
露光装置および周辺装置を設置し、生産量を増加するこ
とが可能となる。特開平４−３５２６０８号公報には、
露光装置の小型化についての提案がある。特開平４−３
５２６０８号公報に開示されている露光装置では、従来
露光装置のチャンバ内でデッドスペースとなっていた部
分に空調フィルタを配置し、効率よくスペースを使用す
ることにより露光装置の小型化を実現している。

【００２６】

【発明が解決しようとする課題】ＯＡ検出系における問
題点として上述したベースラインの変動要因はアライメ
ントセンサの計測中心位置のドリフトだけではなく、投
影像の中心に対するアライメントセンサ全体の位置の変
動あるいは、ウエハステージの駆動精度があげられる。
投影像の中心からアライメントセンサの計測中心までの
距離をＢＬとすると、温度が１度変化することにより、
投影光学系、アライメントセンサを支持している構造物
の熱膨張係数×ＢＬだけ熱変形が発生する。また、ウエ
ハステージの駆動精度、例えばヨーイング成分θが発生
すると、θ×ＢＬだけ計測誤差が発生する。これらがア
ライメント誤差となる。特に、ＯＡ検出系のアライメン
トセンサはウエハ上のアライメントマークの検出に際し
て投影光学系を介さないため、投影光学系を介したＴＴ
Ｌ方式等のアライメントセンサに比べてドリフトによる
計測誤差の影響を極力小さくすることが重要である。

【００２７】特に、ＫｒＦ、ＡｒＦエキシマレーザ光
や、Ｆ₂ レーザ光を露光用の照明光として使用する投影
露光装置では、ＴＴＬ方式のアライメントセンサを採用
する場合に様々な技術的困難を伴う。このため、設計上
の自由度が大きく、潜在能力の高いオフ・アクシス方式
のアライメントセンサの重要度が高まっている。しかし
ながら、このようなオフ・アクシス方式でアライメント
を行う場合、上述のようにベースライン変動による計測
誤差の影響を小さくしないと、ＴＴＬ方式等でアライメ
ントを行う場合に比較してアライメント精度が低下する
という不都合がある。

【００２８】また、上述したように、露光装置の解像度
向上には露光光の短波長化が有効であり、短波長化を実
現するためには投影光学系を反射型あるいは反射屈折型
光学系とすることが有効である。また、アライメント精
度を向上するにはベースラインを短くすることが有効で
ある。また、半導体生産設備のコスト低減の観点から
は、露光装置の小型化が有効である。これらの３項目、
すなわち、投影光学系を反射屈折型光学系とし、ベース
ラインを短くし、装置を小型化することを全て満足する
従来技術は存在しない。

【００２９】例えば、投影光学系を反射屈折光学系とし
た特開２００１−２７７２７号公報に開示された所謂シ
ングルバレル方式の投影光学系の場合、解像度向上は満
足したとしてもアライメント精度向上には対応していな
い。特開２００１−２７７２７号公報に開示された所謂
シングルバレル方式の投影光学系を構成した露光装置
に、特開２０００−９１２１９号公報に開示されている
ＯＡ検出系を構成し、ベースラインを短くすることは可
能であるが、装置サイズはパターン投影領域が投影光学
系中心から偏心している量だけ、大型化する可能性があ
る。ウエハを保持して駆動可能なウエハステージは、少
なくとも前記パターン投影領域を中心として、ウエハ全
面が露光できる可動領域が必要である。パターン投影領
域が投影光学系中心から偏心する場合、前記偏心量だけ
前記ウエハステージの配置を前記投影光学系に対してシ
フトする必要があり、このシフト量だけ装置が大型化す
るという問題がある。

【００３０】また、特開２００１−１５４０５号公報に
開示されている所謂ツインバレル方式の投影光学系の場
合、露光装置の解像度向上は満足したとしてもアライメ
ント精度向上には対応していない。前記シングルバレル
方式同様特開２０００−９１２１９号公報に開示されて
いるＯＡ検出系を構成しても、ツインバレル方式である
こと自体が装置の大型化の要因となってしまう。

【００３１】また、特開平１１−３４５７６１号公報に
開示されているＥＵＶ（Extreme Ultraviolet）露光装
置は、露光装置の解像度向上およびアライメント精度向
上が満足したとしても、投影光学系そのものが大型化し
ており、装置が大型化してしまうという問題がある。ア
ライメント精度の向上についても、投影光学系が反射型
光学系であるため、最もウエハ側に構成される光学部品
がミラーとなり露光光が通過する部分を切断できるため
に実現できる方式である。所謂シングルバレル方式の反
射屈折型の光学系を採用した場合には、最もウエハ側に
配置される光学部品をミラーとすることは光学設計上困
難であることから、反射型の光学系を採用した場合に限
定される。

【００３２】さらにＥＵＶ露光装置であるため、装置内
部は真空が前提となっており、真空対応構造のチャンバ
が必要であり、益々装置大型化してしまうという問題が
ある。真空にするためのバキュームポンプを設備側もし
くは露光装置側に構成するにしても、ポンプを配置する
ため大型化してしまう。さらに消費電力の増加等一段と
生産設備のコストが増加してしまうという問題がある。

【００３３】さらに、特開平１１−３４５７６１号公報
の場合、マスクの照明領域は前記パターン投影領域が投
影光学系中心から偏心する量以上に偏心した位置に構成
される。しかも前記マスク照明領域は、前記投影光学系
中心に対して前記パターン投影領域が形成される方向の
逆の方向に偏心して構成されるため、更に装置は大型化
してしまうという問題がある。

【００３４】また、特開２００１−２７７２７号公報に
開示された所謂シングルバレル方式の場合においても、
特開平１１−３４５７６１号公報の露光装置同様に、投
影光学系中心から偏心するのは前記パターン投影領域の
みではなく、レチクルの照明領域も偏心する。この偏心
量と露光装置サイズの関係は何ら対応されていないた
め、偏心量がそのまま装置の大型化に繋がってしまうと
いう問題がある。

【００３５】また、特開平４−３５２６０８号公報に開
示されている露光装置は、小型化の面では満足するもの
の、解像度、アライメント精度向上には対応できていな
いという問題がある。

【００３６】本発明はかかる点に鑑み、ベースライン変
動による計測誤差の影響を小さくし、被検物（位置検出
マーク）の位置を高精度に検出することができ、高精度
なアライメントを実現する露光装置を提供することを目
的とする。

【００３７】さらに、本発明の他の目的は、反射屈折型
光学系の利用により露光光を短波長化して解像度を向上
するとともに、ベースラインを短縮化してアライメント
精度を向上させ、さらに装置の小型化を実現した露光装
置を提供することにある。

【００３８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明による露光装置は以下の構成を備える。すな
わち、光源からの照明光を原版に照射する照明光学系
と、前記原版に形成されたパターンを感光性の基板上に
投影するための投影光学系と、前記基板上のアライメン
トマークを検出する位置検出系とを備え、前記投影光学
系による前記基板上へのパターン投影領域が、該投影光
学系の投影中心に対して前記位置検出系側に偏心した位
置に形成される。

【００３９】また、上記の目的を達成するための本発明
の他の構成による露光装置は以下の構成を備える。すな
わち、、原版上に形成されたパターンを感光性の基板上
に投影するための投影光学系と、前記基板を保持し、移
動可能な基板ステージと、前記基板ステージに前記基板
を搬送する基板搬送系と、前記基板上のアライメントマ
ークを検出するための位置検出系とを備え、前記投影光
学系を介した前記基板上に形成される前記パターンの投
影領域が前記投影光学系の投影中心に対して偏心した位
置に形成され、前記基板搬送系は前記投影中心に対して
前記投影領域側に配置される。

【００４０】また、上記の目的を達成するための本発明
の更に他の態様による露光装置は以下の構成を備える。
すなわち、原版上に形成されたパターンを感光性の基板
上に投影するための投影光学系と、該投影光学系は、前
記基板上に形成される前記パターンの投影領域を当該投
影光学系の投影中心に対して偏心した位置に形成し、前
記基板上のアライメントマークを検出するための複数の
位置検出系とを備え、前記複数の位置検出系が、前記投
影中心に対して前記投影領域側に配置される。

【００４１】また、上記の目的を達成するための本発明
の更に他の態様による露光装置は以下の構成を備える。
すなわち、マスク上のパターンを感光性の基板上に投影
するための投影光学系と、前記マスクを保持し、移動可
能なマスクステージと、前記マスクステージにマスクを
搬送するマスク搬送系とを備え、前記投影光学系を介し
た前記基板上に形成される前記パターンの投影領域が前
記投影光学系の投影中心に対して偏心した位置に形成さ
れ、前記マスクにおける照明領域が前記投影中心に対し
て偏心した位置に形成され、前記マスク搬送系は前記投
影中心に対して前記照明領域の側に配置される。

【００４２】また、上記の目的を達成するための本発明
の更に他の態様による露光装置は以下の構成を備える。
すなわち、マスク上のパターンを感光性の基板上に投影
するための投影光学系と、前記マスクを保持し、移動可
能なマスクステージと、前記マスクステージにマスクを
搬送するマスク搬送系と、前記基板を保持し、移動可能
な基板ステージと、前記基板ステージに前記基板を搬送
する基板搬送系と、前記基板上のアライメントマークを
検出するための位置検出系とを備え、前記投影光学系を
介した前記基板上に形成される前記パターンの投影領域
および前記マスク上の照明領域が、前記投影光学系の投
影中心に対して同じ側に偏心した位置に形成され、前記
マスク搬送系および前記基板搬送系は前記投影中心に対
して、前記投影領域および前記照明領域の側に配置され
る。

【００４３】前記投影光学系は反射屈折型の投影光学系
であってもよく、前記露光装置は、走査型露光装置とす
ることができ、本発明はいずれかに記載の前記露光装置
によりデバイスを製造するデバイス製造方法にも適用可
能である。

【００４４】また、本発明は、上記いずれかの露光装置
を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に
設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセス
によって半導体デバイスを製造する工程とを有する半導
体デバイス製造方法にも適用可能であり、前記製造装置
群をローカルエリアネットワークで接続する工程と、前
記ローカルエリアネットワークと前記半導体製造工場外
の外部ネットワークとの間で、前記製造装置群の少なく
とも１台に関する情報をデータ通信する工程とをさらに
有する半導体デバイス製造方法にも適用でき、前記露光
装置のベンダもしくはユーザが提供するデータベースに
前記外部ネットワークを介してアクセスしてデータ通信
によって前記製造装置の保守情報を得る、もしくは前記
半導体製造工場とは別の半導体製造工場との間で前記外
部ネットワークを介してデータ通信して生産管理を行う
半導体デバイス製造方法にも適用できる。

【００４５】また、本発明は、上記いずれかの露光装置
を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を
接続するローカルエリアネットワークと、該ローカルエ
リアネットワークから工場外の外部ネットワークにアク
セス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装置群の
少なくとも１台に関する情報をデータ通信することを可
能にした半導体製造工場にも適用でき、上記いずれかの
露光装置の保守方法であって、前記露光装置のベンダも
しくはユーザが、半導体製造工場の外部ネットワークに
接続された保守データベースを提供する工程と、前記半
導体製造工場内から前記外部ネットワークを介して前記
保守データベースへのアクセスを許可する工程と、前記
保守データベースに蓄積される保守情報を前記外部ネッ
トワークを介して半導体製造工場側に送信する工程とを
有する露光装置の保守方法とすることもできる。

【００４６】また、本発明は、上記いずれかの露光装置
において、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、ネットワーク用ソフトウェアを実行するコンピュ
ータとをさらに有し、露光装置の保守情報をコンピュー
タネットワークを介してデータ通信することを可能にし
た露光装置であってもよく、前記ネットワーク用ソフト
ウェアは、前記露光装置が設置された工場の外部ネット
ワークに接続され前記露光装置のベンダもしくはユーザ
が提供する保守データベースにアクセスするためのユー
ザインタフェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記
外部ネットワークを介して該データベースから情報を得
ることを可能にすることが望ましい。

【００４７】また、これとは別に本発明は、光源からの
照明光を照明光学系で原版に照射し、前記原版に形成さ
れたパターンを投影光学系で感光性の基板上に該投影光
学系の投影中心から偏心した位置に投影する露光装置に
用いられ、前記基板上のアライメントマークを検出する
センサを有する位置検出装置において、前記センサは、
該投影光学系の投影中心に対して前記基板上のパターン
投影領域の存在する側に配置されることを特徴とする。

【００４８】

【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照して本発
明の好適な実施形態を説明する。

【００４９】＜第１の実施形態＞以下に述べる第１実施
形態では、ドリフトによる計測誤差の影響を小さくする
ためには、前記ＢＬを極力短くすることが有効であるこ
とと、パターン像が投影光学系の光軸または鏡筒に対し
偏心して形成することが可能であることに着目し、オフ
・アクシス方式のアライメントセンサを前記パターン像
が偏心している側に配置される。

【００５０】図４は、本発明を適用した露光装置におけ
る反射屈折型の投影光学系の基本的な構成を概略的に説
明するための概念図である。図４に示す投影光学系は、
中間像Ｉを挟んで反射屈折光学系Ａと、屈折光学系Ｂと
から構成されている。マスクＲの投影像は第１の結像光
学系である反射屈折光学系Ａにより中間像Ｉが形成さ
れ、第２の結像光学系である屈折光学系Ｂによりウエハ
Ｗ上にマスクパターン像が形成される。

【００５１】投影光学系の光軸は凹面反射鏡により折り
返され、反射光学部材及び屈折光学部材は光軸上に配置
される。以下、反射屈折光学系Ａ及び屈折光学系Ｂの説
明において、光路折り曲げ用の反射面の存在を除いて説
明する。反射屈折光学系Ａは、複数枚のレンズ（Ｇ１、
Ｇ２）と、１枚の凹面反射鏡（Ｍ）とからなる。反射屈
折光学ＡにおいてマスクＲは光軸から偏心した位置に配
置する必要がある。反射屈折光学系Ａの光軸上にマスク
Ｒを配置した場合、マスクＲを照明した光はレンズＧ
１、Ｇ２を介し凹面反射鏡Ｍによって反射し、再びレン
ズＧ１、Ｇ２を介しマスクＲに戻る。その結果照明光と
戻り光が干渉してしまう。干渉を避けるために、凹面反
射鏡Ｍへの入射光と凹面反射鏡Ｍで反射する出射光とを
分離するために、マスクＲ面を光軸から外す（偏心させ
る）必要がある。また、マスクＲの光軸からの偏心に対
応して、ウエハＷ面も光軸から偏心させる必要がある。

【００５２】その結果、図３に示すように、ウエハＷ面
上においてマスクＲのパターン像を投影することが可能
な領域すなわち使用可能領域ＦＲは、投影光学系の光軸
ＡＸを中心とする円形領域の内、半分の領域となる。そ
して、実際にマスクＲのパターン像を投影しウエハＷの
露光に使用する露光領域ＥＲは、たとえば半円状の使用
可能領域ＦＲの中で光軸ＡＸから境界部に対する製造上
の余裕を考慮した矩形状の領域となる。

【００５３】図１は本発明に係る露光装置の構成を示す
図である。この露光装置は、反射屈折型の投影光学系７
で軸外し光学系を構成することにより、上述の如く露光
領域ＥＲが光軸ＡＸから距離ＬＸだけ偏心した位置とな
る。ここでは、光軸ＡＸから偏心した場合であるが、鏡
筒中心から偏心した場合も同様である。

【００５４】オフ・アクシス方式のアライメントセンサ
１６は、投影光学系７の周辺で、ウエハ８上のアライメ
ントマークが観察できる位置に配置されればよい。本発
明の構成ではオフ・アクシス方式のアライメントセンサ
を光軸ＡＸに対し、露光領域ＥＲに近い側に配置する。
これによりベースラインＢＬが最短となる構成が可能と
なる。 （露光装置の実施形態）本発明の実施形態に係る露光装
置について、図１を用いることにより具体的に説明す
る。

【００５５】図１は、本発明の実施形態に係る投影露光
装置の全体構成を概略的に示す図である。なお、図１に
おいて、ウエハ面の法線方向にＺ軸を、ウエハ面内にお
いて図１の紙面に平行にＸ軸を、紙面に垂直にＹ軸を設
定している。

【００５６】図示の投影露光装置において、Ｆ₂ レーザ
（発振中心波長１５７．６ｎｍ）１からＸ方向に射出さ
れた光は、折り曲げミラー２でＺ方向に偏向された後、
照明光学系３を介して原版であるマスク４を均一に照明
する。なお、図１では、光源１から照明光学系３までの
光路に１枚の折り曲げミラー２しか図示していないが、
実際には、整光学系及び光量調整部などの光学系が配置
される。

【００５７】光源としてＦ₂ レーザーを使用しているた
め、光路中に存在する気体による吸収を低減するため基
本的に密封構造で構成されている。光源１と照明光学系
３はケーシングＣ１で接続されている。接続部は密封構
造となっている。ケーシングＣ１も密封構造であり内部
の空間はヘリウムガスなどの不活性ガスで置換されてい
る。なお、光路の折り曲げ方は図１の構成に限定するも
のではない。マスク４には転写されるパターンが形成さ
れ、マスクホルダ５を介して、マスクステージ６に保持
されている。マスク４はＹ方向を長手方向として構成さ
れる矩形状のパターン領域が照明される。マスクステー
ジ６は、図示を省略した駆動系によりマスク面に沿って
二次元的に移動可能であり、その位置座標はマスク移動
鏡１１、干渉計１２によって計測され且つ位置制御され
るように構成されている。

【００５８】マスク４を照明した光は、投影光学系７を
介して、ウエハ８上にマスク４のパターン像を形成す
る。

【００５９】投影光学系７の構成は、例えば特開平８−
３３４６９５号公報に開示された反射屈折光学系と同じ
タイプでよい。ここでは、説明は省略する。

【００６０】一方、ウエハ８は不図示のウエハ搬送装置
によりウエハステージ１０に載置され、ウエハホルダ９
を介して、ウエハステージ１０上においてＸＹ平面に平
行に保持されている。

【００６１】ウエハ８の上方には、オフ・アクシス方式
の位置検出装置を構成するアライメントセンサ１６が配
置されている。アライメントセンサ１６により、ウエハ
上のアライメントマークが検出される。

【００６２】マスク４を照明する矩形状の照明パターン
領域に光学的に対応するように、ウエハ８上にはＹ方向
を長手方向として構成される矩形状パターン像が形成さ
れる。ウエハステージ１０は、図示を省略した駆動系に
よりウエハ面に沿って二次元的に移動可能であり、その
位置座標はウエハ移動鏡１３、干渉計１４によって計測
され且つ位置制御されるように構成されている。

【００６３】また、投影光学７の内部を気密状態に保つ
ためマスク４に近い側に平行平面板Ｐ１を配置しシール
構造としている。ウエハ８に近い側に配置されたレンズ
Ｌｒもシール構造としている。投影光学系７の内部は露
光光の吸収率を低くおさえるためにヘリウムガスで置換
されている。同様に、光源１から照明光学系３までの光
路もヘリウムガスで置換されている。そして、マスク４
及びマスクステージ６はケーシングＣ２の内部に配置さ
れ、ケーシングＣ２内部は窒素やヘリウムガスなどの不
活性ガスが充填される。

【００６４】また、ウエハ８及びウエハステージ１０は
ケーシングＣ３内部に配置される。ケーシングＣ３の内
部もケーシングＣ２と同様に窒素やヘリウムガスなどの
不活性ガスが充填される。

【００６５】マスクステージ６とウエハステージ１０と
を、Ｙ方向を長手方向として形成される矩形状の照明領
域あるいは露光領域に直交する方向に同期的に走査させ
ることにより、ウエハ８上にはマスクパターンが走査露
光される。このように、本実施形態の露光装置は、走査
型露光装置の構成としているが、本発明はこれに限られ
ず、例えば静止露光型としてもかまわない。

【００６６】図２は、本実施形態に係るアライメントセ
ンサ（マーク検出系）の配置とウエハ付近について示し
たものであり、（ａ）は本発明を適用したもの、（ｂ）
は適用しないものについて示しており、（ａ）及び
（ｂ）はいずれも下側の図が立面図、上側の図がウエハ
の平面図である。図２（ａ）は投影光学系７の投影中心
としての光軸よりも露光領域ＥＲに近い側にアライメン
トセンサ１６を配置した場合を示している。このときの
アライメントセンサ１６の計測中心と露光領域ＥＲの中
心までの距離ＢＬ１がベースラインとなる。一方、図２
（ｂ）は、光軸よりも露光領域ＥＲに遠い側にアライメ
ントセンサ１６を配置した場合を示している。このとき
のベースラインはＢＬ２である。本発明を適用すること
により、アライメントセンサ１６の配置位置によるベー
スラン量の差である、距離（ＢＬ２−ＢＬ１）だけベー
スラインを短く配置出来る。

【００６７】なお、好ましくは、アライメントセンサ１
６の計測中心が、図２（ａ）の光軸ＡＸと露光領域ＥＲ
の中心Ｃとを通る直線上であって、光軸ＡＸに対して露
光領域側に存在することが好ましい。

【００６８】このように光軸から露光中心を結ぶ線方向
にアライメントセンサ１６を配置するのがよりよい形態
であるが、本発明はこの方向に配置することのみには限
られない。例えばパターン投影領域が投影光学系の光軸
に対して前記位置検出系寄りに偏心した位置に形成され
る、即ち図３に示された半円状の使用可能領域ＦＲの外
周部（光軸ＡＸに対して前記基板上のパターン投影領域
の存在する側）に配置すれば、光軸に対して反対側の領
域の外周に配置するよりもベースラインを短く配置でき
る。更に露光中心からパターン投影領域の長手方向に延
びる線を仮想し、この線を基準に光軸とは反対側にアラ
イメントセンサ１６が配置されれば、よりベースライン
を短くできる。

【００６９】以上説明したように、上記実施形態によれ
ば、例えばＦ₂ レーザ光のような短波長光を光源とした
反射屈折型等の投影領域を投影中心に対して偏心させる
投影光学系を有する露光装置で、オフ・アクシス方式の
アライメントセンサを配置する場合に、ベースラインが
最短となるように配置することが出来る。このことによ
り、投影像の中心に対するアライメントセンサ全体の位
置の熱、振動等による変動あるいは、ウエハステージの
駆動精度誤差により従来発生していた計測誤差が低減で
き、被検物（位置検出マーク）の位置を高精度にて検出
する位置検出装置を提供することができ、解像度が高
く、アライメント精度も高い露光装置を提供することが
できる。

【００７０】本実施形態では露光領域が投影光学系の光
軸中心から偏心した場合を説明したが、鏡筒中心から偏
心した場合であれば、同様に偏心した側にすなわちアラ
イメントセンサ１６の計測中心と露光領域の中心までの
距離が短く配置出来る側に配置すればよい。さらに、鏡
筒が対称形状でない場合でも同様に鏡筒断面の面積中心
に対して偏心した場合であれば、同様にアライメントセ
ンサ１６の計測中心と露光領域の中心までの距離が短く
配置出来る側に配置すればよい。また、本例では反射屈
折型の投影光学系の構成の場合を説明したが、屈折型あ
るいは反射型など他の光学系の構成でもかまわない。露
光領域が偏心して形成され、偏心した側にアライメント
センサを配置することでベースラインが短縮できるもの
であれば本案と同様の効果が得られるものである。

【００７１】＜第２の実施形態＞第２実施形態では、上
記第１実施形態で説明した原理を利用し、投影光学系を
反射光学系型とし、ベースラインを短くし、装置を小型
化することを実現する露光装置について説明する。

【００７２】まず、第２実施形態による露光装置の特徴
的な構成の概要を図６により説明する。本実施形態の露
光装置は、マスク（レチクルＲ）のパターンを基板（ウ
エハＷ）上に投影するための投影光学系２４と、ウエハ
を保持して移動可能なウエハステージ２７と、ウエハス
テージ２７にウエハを搬送するウエハ搬送系（３３、３
５）と、ウエハ上のアライメントマークを検出するため
の位置検出系（ＯＡ検出系６８）とを有する。投影光学
系２７は、レチクル上のパターンをウエハ上に投影する
が、そのパターンの投影領域は当該投影光学系の投影中
心に対して偏心した位置に形成される。そして、ウエハ
搬送系（３５、３７）を、投影中心に対して、上記投影
領域側に配置する。

【００７３】また、ＯＡ検出系６８はウエハ搬送系（３
３、３５）と投影光学系２４の間に配置される。このＯ
Ａ検出系は露光装置内に複数配置することも可能であ
る。例えば２つのＯＡ検出系を配置する場合には、上記
投影領域の中心或はほぼ中心を通り、ウエハの露光面と
平行で互いに直交するＸＹ方向に配置する。こうするこ
とにより、Ｘ方向に配置されたＯＡ検出系でアライメン
トマークのＹ方向位置を、Ｙ方向に配置された位置検出
系でアライメントマークのＸ方向位置を検出することが
できる。

【００７４】前述のように、解像度の向上、アライメン
ト精度の向上、生産設備のイニシャル、ランニングコス
トの低減が露光装置に求められている。そこで本実施形
態の露光装置では、解像度を向上させるために露光光を
短波長化し、これに対応するために投影光学系２４に反
射型あるいは反射屈折型の光学系を採用する。反射型あ
るいは反射屈折型の投影光学系を採用することにより、
ウエハ上に形成されるレチクルパターンの投影領域は前
記投影光学系の投影中心に対して偏心した位置に形成さ
れる。このことに着目し、ＯＡ検出系６８を投影光学系
２４の投影中心に対して、偏心した位置に形成される投
影領域側に配置することで、ベースラインを短縮しアラ
イメント精度を向上する。さらに、ウエハ搬送系（３
３、３５）を、偏心した位値に形成される投影領域側に
配置することで装置サイズの小型化が実現され、装置サ
イズの小型化により生産設備のコストが低減される。

【００７５】また、レチクルＲに関する機構に注目する
と、レチクルを保持して移動可能なれチクルステージ２
６と、レチクルステージ２６にレチクルを搬送するレチ
クル搬送系３１とが設けられる。ここで、レチクルに対
して露光光を照明する照明系２３によって形成されるレ
チクル上の照明領域は、投影光学系２４の投影中心に対
して偏心した位置に形成される。そして、レチクル搬送
系３１は投影中心に対して、上記照明領域側に配置され
る。

【００７６】反射型あるいは反射屈折型の投影光学系２
４の場合、ウエハ上におけるレチクルパターンの投影領
域のみならず、照明系２３によるレチクル上の照明領域
も、投影光学系２４の投影中心に対し偏心して形成され
る。このことに着目し、レチクル搬送系３１を投影光学
系の投影中心に対して照明領域側に配置することで、装
置サイズを小型化し生産設備のイニシャル、ランニング
コストを低減することができる。

【００７７】更に、上記構成において、ウエハ上の投影
領域とレチクル上の照明領域とが、投影光学系２４の投
影中心に対して同じ側に、好ましくは同一方向に偏心し
た位置に形成され、レチクル搬送系３１およびウエハ搬
送系（３３、３５）は、投影中心に対して投影領域およ
び照明領域側に配置される。

【００７８】この構成によれば、露光装置チャンバ内に
おけるウエハ搬送系、ＯＡ検出系、レチクル搬送系の配
置がより適切になる。

【００７９】特に、投影光学系２４が反射型あるいは反
射屈折型の光学系であり、その反射回数が偶数回であ
り、投影光学系内に中間像を形成する構成とした場合に
は、投影光学系を介してウエハ上に形成されるレチクル
パターンの投影領域および照明系２３によるレチクル上
のマスク照明領域は、投影光学系の投影中心に対して同
じ方向に偏心した位置に形成される。これに着目し、レ
チクル搬送系およびウエハ搬送系を投影中心に対して投
影領域および照明領域側に配置することにより、装置サ
イズを小型化し、生産設備のイニシャル、ランニングコ
ストが低減される。

【００８０】以下、第２の実施形態について詳細に説明
する。

【００８１】図６に示すように、露光装置本体はチャン
バ２１に収納され、周囲温度をたとえば±０．０３℃程
度に温調されている。露光装置本体は構造体２５にウエ
ハステージ２７、投影光学系２４および照明系２３が搭
載されている。また、構造体３０を介してレチクルステ
ージ２６が搭載されている。

【００８２】照明系２３はレチクルステージ２６に保持
されたレチクルＲに所定波長の照明光を照射するもので
ある。照明系２３にはＦ₂レーザー光源２２から照明光
が導光されている。この照明光としては、ＫｒＦ，Ａｒ
Ｆ，Ｆ₂等のエキシマレーザー光、ＹＡＧレーザ、金属
蒸気レーザ等の高調波あるいはｉ線等の紫外光が挙げら
れる。照明系２３は密閉あるいは略密閉構造であり、内
部は温度、湿度が調整された窒素、ヘリウム等の不活性
ガスで置換されている。

【００８３】投影光学系２４は特開２００１−２７７２
７号公報に開示されている投影光学系と同様にシングル
バレル方式の反射屈折型光学系である。投影光学系２４
は密閉構造であり、内部は温度、湿度が調整された窒
素、ヘリウム等の不活性ガスで置換されている。投影光
学系２４内には、図７に示すように、中間像面Ｐと２面
の反射面を有している。

【００８４】図７に前記投影光学系２４の光学構成の概
略図を示す。レチクルＲを透過した露光光は光学系Ｇ１
を介し、ミラーＭ１、Ｍ２で反射し、光学系Ｇ２を介し
てウエハＷに照射される。Ｐは中間像面を示す。ミラー
Ｍ２は、ミラーＭ１に向う露光光を通過させるため、露
光光の反射に使用しない部分が削除された形状を有す
る。同様に、ミラーＭ１は、ミラーＭ２より光学系Ｇ２
へ向かう露光光を通過させるために、露光光の反射に使
用しない部分が削除された形状を有する。

【００８５】レチクルＲの照明領域ＲＥは、光軸Ｘに対
しＬＲＥだけ偏心した位置に構成される。また、ウエハ
Ｗ上に形成されるレチクルパターンの投影領域ＷＥは、
光軸Ｘに対しＬＷＥだけ偏心した位置に形成される。

【００８６】図８に照明領域ＲＥおよびレチクルパター
ンの投影領域ＷＥの配置を示す。図８に示すように、照
明領域ＲＥおよびレチクルパターンの投影領域ＷＥは、
ともに光軸Ｘに対して、同じ方向にそれぞれＬＲＥ，Ｌ
ＷＥだけ偏心して構成される。

【００８７】図６に戻り、ウエハステージ２７は不図示
の干渉計により位置を計測され、投影光学系２４の光軸
方向ＺおよびＺに垂直なＸＹ方向および各軸まわりω
ｘ，ωｙ，ωｚ方向に駆動可能となっている。また、レ
チクルステージ２６も不図示の干渉計により位置を計測
され、前記投影光学系４の光軸方向Ｚに垂直なＸＹ方向
に駆動可能となっている。

【００８８】ウエハステージ２７の上方にはウエハ上の
マークまたはウエハステージ２７上に構成される基準マ
ークを検出するためのオフアクシス検出系６８が構成さ
れている。なお、図６には１つのオフアクシス検出系６
８が図示されているが、オフアクシス検出系を複数配置
することも可能である。オフアクシス検出系を複数配置
する場合は、たとえば、別のオフアクシス検出系を紙面
に垂直な方向で、オフアクシス検出系６８と直交する方
向に配置する。そして、図６に示したオフアクシス検出
系６８はウエハＷの紙面に垂直な方向の位置を、不図示
のオフアクシス検出系はウエハＷの紙面方向の位置検出
を行う構成として配置する。或は、各オフアクシス検出
系６８が、２方向の位置検出を可能な構成としてもよ
い。

【００８９】照明系２３の照明により、レチクルＲのパ
ターン像は投影光学系２４を介してウエハステージ２７
に保持されたウエハＷ上に投影される。このとき、ウエ
ハステージ２７とレチクルステージ２６は投影光学系２
４の光軸方向Ｚに垂直なＹ方向に相対移動される。これ
によりウエハＷ上の所定領域にパターン像が転写され
る。そしてウエハＷ上の複数の露光領域に対してステッ
プ・アンド・スキャン方式にて同様の転写動作が繰り返
しなされ、ウエハＷ全面にパターンの転写が行われる。

【００９０】レチクルＲはレチクル収納部３２に収納さ
れていて、レチクル搬送系３１により搬送される。レチ
クル収納部３２およびレチクル搬送系３１はチャンバ内
の空間６９に配置されている。レチクルＲはレチクル搬
送系３１によりレチクルアライメント部２９に搬送され
る。レチクルアライメント部２９は構造体３０の上面に
固定されていて、レチクルＲをレチクルステージ２６に
搭載あるいは回収するとともにレチクルＲの位置をアラ
イメントする。

【００９１】一方、ウエハＷはウエハ収納部３４に収納
されていて、ウエハ搬送系３３により搬送される。ウエ
ハ収納部３４およびウエハ搬送系３３はチャンバ内の空
間７０に配置されている。ウエハＷはウエハ搬送系３３
によりウエハ受け渡し部３５に搬送される。ウエハ受け
渡し部３５は構造体２５に固定されて、ウエハＷをウエ
ハステージ２７に搭載あるいは回収する。

【００９２】ウエハ受け渡し部３５によりウエハステー
ジ２７に搬送されたウエハＷは、検出系６８によりウエ
ハＷ上のアライメントマークが検出されその位置検出が
行われる。位置検出では、まず、プリアライメントマー
クを用いたプリアライメントが実施され、次にアライメ
ントマークにより高精度にウエハＷの位置検出が行われ
る。

【００９３】チャンバ２１の構成について説明する。チ
ャンバ２１は、装置本体を収納するチャンバ部２１、空
調機部３６、空調機等の制御部３７より構成されてい
る。チャンバ部２１は、更に、装置本体を収納する空間
７１とレチクル搬送部を収納する空間６９、ウエハ搬送
部を収納する空間７０に区画されている。

【００９４】空間７２には、制御部３７により制御され
た冷媒循環器４３、熱交換器４４、温調機４５、送風フ
ァン３８、温度計５１により温調されたエアがフィルタ
４６を介して送風されている。送風されたエアは空間７
１内を通過し、リターン部７２より再び空調機部３６に
戻り、温調され送風される循環系が構成されている。こ
こで、空間７１は略密閉構造であり、外部に対して陽圧
となるように構成され、この略密閉構造部からの漏れを
補うために外気を取り込むための外気取り入れ部５０が
形成されている。

【００９５】空間６９，７０も空間７１同様に不図示の
冷媒循環器、熱交換器、温調機、送風ファンおよび温度
計５２、温度計５４による循環系が構成され、それぞれ
フィルタ４７、４８を介し送風されている。空間７１と
異なる点は、空間６９はレチクルを照射する空間に、空
間７０はウエハが露光される空間にそれぞれ連結されて
いるため、窒素等の不活性ガスが循環される空間として
構成されている。従って空調機部３６は、空間７１内を
循環するエアを空調する部分と、空間６９．７０を循環
する不活性ガスを空調する部分が区分けされている。な
お、空間７０には循環用のリターン部４９が構成され、
空間５１内のエアとは分離される循環路が構成されてい
る。また、図示は省略しているが、空間６９にも同様の
リターン部が設けられている。

【００９６】空間６９と連結される装置本体のレチクル
部も不活性ガスにより空調されている。制御部３７によ
り制御された冷媒循環器４２、熱交換器４１、温調機７
３、送風ファン３９、温度計３２により温調された不活
性ガスが送風ダクト５６、フィルタ５２を介して送風さ
れている。空間７１との分離のために、フィルタ５２は
照明系２３、レチクルステージ２６と連結材６０により
接続されている。連結材６０は、気密性を有しかつ振動
伝達を防止するため、ジャバラ構造の樹脂材等で構成さ
れている。同様に空間６９とレチクルアライメント部２
９も連結材６４により接続されている。

【００９７】レチクルステージ２６の上方にはＴＴＬ検
出系２８が構成されている。そして、検出系２８と照明
系２３およびレチクルアライメント部２９の間も、連結
材６１，６２、６３でそれぞれ接続されている。

【００９８】装置本体のレチクル部と同様に、ウエハ部
も不活性ガスにより空調されている。制御部３７により
制御された冷媒循環器４２、熱交換器４１、温調機７
４、送風ファン４０、温度計５５により温調された不活
性ガスが送風ダクト５８、フィルタ５９を介して送風さ
れている。空間７１と区画するために、フィルタ５８は
構造体５と連結材６７により接続されている。また、空
間７０も連結材６５，６６によりウエハ部と接続されて
いる。

【００９９】以上の構成の本実施形態の露光装置による
作用を説明する。

【０１００】図９Ａ，Ｂはレチクル部を示す。図６と同
じ構成については説明を省略する。図９Ａは本発明を適
応した実施形態を示す。投影光学系２４の構成により、
レチクルＲの照明領域ＲＥは、光軸Ｘに対しＬＲＥだけ
偏心した位置に形成される。レチクル搬送系３１および
レチクルアライメント部２９は、図９Ａのように照明領
域ＲＥ寄りに配置される。この配置により照明領域ＲＥ
とレチクル搬送系３１の距離はＬＲ１となる。

【０１０１】これに対し、図９Ｂはレチクル搬送系３１
およびレチクルアライメント部２９を光軸Ｘに対して照
明領域ＲＥとは反対側に配置したものである。この配置
によれば、照明領域ＲＥとレチクル搬送系３１との距離
はＬＲ２となる。

【０１０２】図９Ａと図９Ｂの配置を比較すると、ＬＲ
１とＬＲ２の差分、すなわち２ＬＲＥだけ図９Ａの配置
の方が、スペースが少なく構成出来る。図９Ｂにおい
て、レチクルアライメント部２９をさらに照明領域ＲＥ
に近づけて配置することは可能である。しかしながら、
レチクルアライメント部２９が投影光学系２４と干渉し
ないために紙面に垂直な前後方向にまたぐ構造で配置す
る必要がある。このことにより、紙面に垂直な前後方向
のスペースが必要になってしまう。紙面前後方向のスペ
ースを同じとした場合には、図９Ａに示す配置構成にす
ることで照明領域ＲＥとレチクル搬送系３１の距離が短
く配置でき、装置の小型化が可能となるものである。ま
た、図９Ｂにおいてレチクルアライメント部２９を照明
領域ＲＥに近づけて配置しようとする場合でも、構造体
３０と空間６９とが干渉しない位置までしか近づけられ
ない。

【０１０３】次に、ウエハ部について図１０Ａ〜Ｃを用
いて説明する。なお、図１と同じ構成については説明を
省略する。図１０Ａは本発明を適用した実施形態を示
す。投影光学系２４の構成により、ウエハＷ上に形成さ
れるレチクルパターンの投影領域ＷＥは、光軸Ｘに対し
ＬＷＥだけ偏心した位置に形成される。ウエハ搬送系３
３、ウエハ送り込み部３５および検出系６８は、投影領
域ＷＥ寄りに配置されている。

【０１０４】検出系６８は投影領域ＷＥから距離ＢＬ１
離れた位置に配置されている。検出系４８と前記ウエハ
送り込み部３５の距離はＬＷ１となる。

【０１０５】これに対し、図１０Ｂはウエハ搬送系３
３、ウエハ送り込み部３５および検出６８を光軸Ｘに対
して投影領域ＷＥとは反対側に配置したものである。検
出系６８とウエハ送り込み部３５の距離は、図１０Ａと
同じくＬＷ１となる。ところが、検出系６８と投影領域
ＷＥの距離はＢＬ２となり、ＢＬ１に比較して投影領域
ＷＥが偏心する量ＬＷＥの２倍長くなる。このことはベ
ースライン長が長くなるということであり、アライメン
ト精度の低下を招く。

【０１０６】図１０Ｃは、図１０Ｂの問題点であるベー
スライン長を長くしないために、検出系６８を投影領域
ＷＥ寄りに配置し、ウエハ搬送系３３およびウエハ送り
込み部３５を光軸Ｘに対して投影領域ＷＥとは反対側に
配置したものである。この配置により、ベースラインは
図１０Ａと同じくＢＬ１の距離で配置されることにな
る。また、検出系６８とウエハ送り込み部３５が光軸Ｘ
を挟んで反対側に配置されるため、検出系６８とウエハ
送り込み部３５の距離はＬＷ２となる。

【０１０７】図１０Ａと図１０Ｃの配置を比較すると、
ＬＷ１に対してＬＷ２が大幅に延長された配置となる。
このため、検出系６８とウエハ送り込み部３５の距離が
長くなってしまう。

【０１０８】ウエハ送り込み部３５によりウエハステー
ジ２７に搬送されたウエハＷは、位置検出のため前記検
出系６８の観察位置まで移動される。検出系６８とウエ
ハ送り込み部３５との距離が長くなることは、検出系６
８の観察位置までの移動距離が長くなり、移動時間が延
長されることになる。このため、露光装置のスループッ
トが低下し、生産性が低下してしまう。

【０１０９】すなわち、図１０Ａに示す配置構成にする
ことにより、検出系６８とウエハ送り込み部３５の距離
が短くなるように配置構成することが可能となり、検出
系６８の観察位置までの移動距離が短くなり、移動時間
が短縮されることになる。このことにより露光装置のス
ループットが向上し生産性が向上する。

【０１１０】再び、図６を参照すると、本実施形態では
レチクル部およびウエハ部の両方に、本実施形態で示さ
れる配置形態、すなわち、偏心側にアライメント検出
系、搬送系を設ける配置形態が適用されている。このこ
とにより、チャンバ内の空間が効率良く使用でき、装置
が小型化できる。

【０１１１】なお、本実施形態ではレチクル部およびウ
エハ部の両方の配置に上述した本実施形態の配置形態を
適用したがこれに限られるものではない。例えば、投影
光学系２４が反射型光学系の場合など、レチクル照明領
域とパターン投影領域が同じ側に偏心しない場合であっ
ても、ウエハ部の配置のみに本実施形態で規定される配
置形態を適用することで装置の小型化を図ることが可能
である。すなわち、ウエハ部、レチクル部の両者につい
て同時に本実施形態の配置形態を適用することに限定さ
れるものではなく、個別にどちらか一方に本実施形態の
配置形態を適用してもかまわない。

【０１１２】また、図６に示される実施形態では、レチ
クル部およびウエハ部の配置を紙面上の左右方向に展開
したが、紙面に垂直な前後方向に配置することも可能で
ある。この場合も、上述した実施形態と同様に、照明領
域および投影領域がある側にレチクル部およびウエハ部
の検出系、搬送系を配置することで、装置の小型化が可
能になる。

【０１１３】さらに、図６の実施形態に示されるよう
に、レチクル部およびウエハ部の配置を上下に配置する
ことでチャンバ内のスペースが効率的に使用でき、装置
の小型化が可能となる。

【０１１４】なお、本実施形態では走査型露光装置につ
いて本発明を適用した例を示したが、走査型露光装置に
限定するものではなく、逐次露光型の露光装置に適用し
ても同等の効果が得られる。また、露光光に軟Ｘ線領域
の波長５〜１５ｎｍの光を使用したＥＵＶ露光装置に本
発明を適用しても同等の効果が得られる。例えば、特開
平１１−２１９９００号公報に開示されているＥＵＶ露
光装置では投影光学系が反射型光学系の構成となる。こ
のため、反射型の投影光学系は鏡筒径が大型になり、装
置の大型化が避けられない状況となる。このような装置
に対して本発明を適用することは、特に装置の小型化の
点で非常に有効なものとなる。

【０１１５】［第３の実施形態］第３の実施形態では、
第１及び第２の実施形態で説明した露光装置を用いた半
導体デバイス生産システム等について説明する。

【０１１６】（半導体生産システムの実施形態）次に、
上述した本発明に係る露光装置を用いた半導体デバイス
（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣ
Ｄ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システ
ムの例を説明する。これは半導体製造工場に設置された
製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あるいは
ソフトウェア提供などの保守サービスを、製造工場外の
コンピュータネットワークを利用して行うものである。

【０１１７】図１１は全体システムをある角度から切り
出して表現したものである。図中、１０１は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の
事業所である。製造装置の実例としては、半導体製造工
場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例え
ば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッ
チング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装
置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査
装置等）を想定している。事業所１０１内には、製造装
置の保守データベースを提供するホスト管理システム１
０８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結
んでイントラネット等を構築するローカルエリアネット
ワーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム
１０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークで
あるインターネット１０５に接続するためのゲートウェ
イと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能
を備える。

【０１１８】一方、１０２〜１０４は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場
であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良
い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装
置１０６と、それらを結んでイントラネット等を構築す
るローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各
製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホ
スト管理システム１０７とが設けられている。各工場１
０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７
は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワーク
であるインターネット１０５に接続するためのゲートウ
ェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からイ
ンターネット１０５を介してベンダ１０１側のホスト管
理システム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理
システム１０８のセキュリティ機能によって限られたユ
ーザだけにアクセスが許可となっている。具体的には、
インターネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼
動状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生
した製造装置の症状）を工場側からベンダ側に通知する
他、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに
対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェア
やデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの
保守情報をベンダ側から受け取ることができる。各工場
１０２〜１０４とベンダ１０１との間のデータ通信およ
び各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インタ
ーネットで一般的に使用されている通信プロトコル（Ｔ
ＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネット
ワークとしてインターネットを利用する代わりに、第三
者からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線
ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもでき
る。また、ホスト管理システムはベンダが提供するもの
に限らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワ
ーク上に置き、ユーザの複数の工場から該データベース
へのアクセスを許可するようにしてもよい。

【０１１９】さて、図１２は本実施形態の全体システム
を図１１とは別の角度から切り出して表現した概念図で
ある。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装
置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部
ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデー
タ通信するものである。図中、２０１は製造装置ユーザ
（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、
成膜処理装置２０４が導入されている。なお図１２では
製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数の
工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装
置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネットを構成
し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動管理
がされている。

【０１２０】一方、露光装置メーカ２１０、レジスト処
理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０などベンダ
（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供給した
機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム２１
１，２２１，２３１を備え、これらは上述したように保
守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備
える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管
理システム２０５と、各装置のベンダの管理システム２
１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２００で
あるインターネットもしくは専用線ネットワークによっ
て接続されている。このシステムにおいて、製造ライン
の一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、
製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起き
た機器のベンダからインターネット２００を介した遠隔
保守を受けることで迅速な対応が可能であり、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。

【０１２１】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図１３に一例を示す様な画面のユーザインタフェース
をディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理
するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機
種４０１、シリアルナンバー４０２、トラブルの件名４
０３、発生日４０４、緊急度４０５、症状４０６、対処
法４０７、経過４０８等の情報を画面上の入力項目に入
力する。入力された情報はインターネットを介して保守
データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が
保守データベースから返信されディスプレイ上に提示さ
れる。またウェブブラウザが提供するユーザインタフェ
ースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能４１０〜
４１２を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報
にアクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライ
ブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフト
ウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する
操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができ
る。ここで、保守データベースが提供する保守情報に
は、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前
記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最
新のソフトウェアも提供する。

【０１２２】（半導体デバイスの製造プロセス）次に上
記説明した生産システムを利用した半導体デバイスの製
造プロセスを説明する。図１４は半導体デバイスの全体
的な製造プロセスのフローを示す。ステップ１（回路設
計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２
（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマ
スクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）では
シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ
４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意した
マスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウ
エハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み
立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製され
たウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッ
センブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケー
ジング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステ
ップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバ
イスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。
こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出
荷（ステップ７）する。前工程と後工程はそれぞれ専用
の別の工場で行い、これらの工場毎に上記説明した遠隔
保守システムによって保守がなされる。また前工程工場
と後工程工場との間でも、インターネットまたは専用線
ネットワークを介して生産管理や装置保守のための情報
がデータ通信される。

【０１２３】図１５は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能であり、従来に比
べて半導体デバイスの生産性を向上させることができ
る。

【０１２４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ベースライン変動による計測誤差の影響を小さくし、被
検物（位置検出マーク）の位置を高精度に検出すること
ができ、高精度なアライメントを実現できる。

【０１２５】また、本発明によれば、反射屈折型の投影
光学系を用いつつベースラインを短縮できるので、露光
光を短波長化し解像度を向上するとともに、ベースライ
ンを短縮できることでアライメント精度を向上すること
が可能である。さらに装置の小型化が図られ生産設備の
イニシャルコストおよびランニングコストの低減が可能
となる。更に、本発明によれば、スループットの向上が
図られ生産性の高い露光装置を提供することが可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した露光装置の一例を示す概略図
である。

【図２】本発明の実施形態を説明するための図であっ
て、（ａ）は本発明を適用したもの、（ｂ）は適用しな
いものについて示し、いずれも下側の図が立面図、上側
の図がウエハの平面図である。

【図３】本発明の実施形態においてウエハ面上に形成さ
れる像の領域を示す図である。

【図４】本発明に係る実施形態による反射屈折型の投影
光学系の概略図である。

【図５】従来の露光装置及びベースライン計測の説明用
図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は立面図である。

【図６】第２の実施形態による露光装置の構成を示す図
である。

【図７】反射屈折型の投影光学系の概念を示す図であ
る。

【図８】照明領域および投影領域の概念を示す図であ
る。

【図９Ａ】第２の実施形態によるレチクル部を示す図で
ある。

【図９Ｂ】本発明を適応しないレチクル部を示す図であ
る。

【図１０Ａ】第２の実施形態によるウエハ部を示す図で
ある。

【図１０Ｂ】本発明を適応しない場合のウエハ部を示す
図である。

【図１０Ｃ】本発明を適応しない場合のウエハ部を示す
図である。

【図１１】本発明に係る露光装置を用いた半導体デバイ
スの生産システムをある角度から見た概念図である。

【図１２】本発明に係る露光装置を用いた半導体デバイ
スの生産システムを別の角度から見た概念図である。

【図１３】ユーザインタフェースの具体例を示す図であ
る。

【図１４】デバイスの製造プロセスのフローを説明する
図である。

【図１５】ウエハプロセスを説明する図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１８ ５０２Ｇ Ｆターム(参考） 2F065 AA03 AA04 AA21 BB02 BB27 CC17 CC20 DD02 DD06 GG04 GG05 LL12 LL19 MM02 MM03 MM04 PP12 5F046 AA28 BA04 BA05 CA04 CA08 CB02 CB12 CB25 CD01 CD04 DD06 FA17 FA20 FC05

Claims (24)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光源からの照明光を原版に照射する照明
   光学系と、 前記原版に形成されたパターンを感光性の基板上に投影
   するための投影光学系と、 前記基板上のアライメントマークを検出する位置検出系
   とを備え、 前記投影光学系による前記基板上へのパターン投影領域
   が、該投影光学系の投影中心に対して前記位置検出系側
   に偏心した位置に形成されることを特徴とする露光装
   置。
2. 【請求項２】 前記基板上における前記投影光学系の投
   影中心より前記パターン投影領域の中心へ延びる直線の
   延長上に、前記位置検出系の中心が存在するように構成
   されることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 【請求項３】 原版上に形成されたパターンを感光性の
   基板上に投影するための投影光学系と、 前記基板を保持し、移動可能な基板ステージと、 前記基板ステージに前記基板を搬送する基板搬送系と、 前記基板上のアライメントマークを検出するための位置
   検出系とを備え、 前記投影光学系を介した前記基板上に形成される前記パ
   ターンの投影領域が前記投影光学系の投影中心に対して
   偏心した位置に形成され、 前記基板搬送系は前記投影中心に対して前記投影領域側
   に配置されることを特徴とする露光装置。
4. 【請求項４】 前記位置検出系は前記基板搬送系と前記
   投影光学系の間に配置されることを特徴とする請求項３
   に記載の露光装置。
5. 【請求項５】 原版上に形成されたパターンを感光性の
   基板上に投影するための投影光学系と、 該投影光学系は、前記基板上に形成される前記パターン
   の投影領域を当該投影光学系の投影中心に対して偏心し
   た位置に形成し、 前記基板上のアライメントマークを検出するための複数
   の位置検出系とを備え、 前記複数の位置検出系が、前記投影中心に対して前記投
   影領域側に配置されることを特徴とする露光装置。
6. 【請求項６】 前記複数の位置検出系は、前記投影領域
   の中心またはほぼ中心を通り、前記基板の面に平行で互
   いに直交するＸＹ方向にそれぞれ配置されることを特徴
   とする請求項５に記載の露光装置。
7. 【請求項７】 前記Ｘ方向に配置された位置検出系で前
   記アライメントマークの前記Ｙ方向の位置を検出し、該
   Ｙ方向に配置した位置検出系で該アライメントマークの
   該Ｘ方向の位置を検出することを特徴とする請求項６に
   記載の露光装置。
8. 【請求項８】 マスク上のパターンを感光性の基板上に
   投影するための投影光学系と、 前記マスクを保持し、移動可能なマスクステージと、 前記マスクステージにマスクを搬送するマスク搬送系と
   を備え、 前記投影光学系を介した前記基板上に形成される前記パ
   ターンの投影領域が前記投影光学系の投影中心に対して
   偏心した位置に形成され、 前記マスクにおける照明領域が前記投影中心に対して偏
   心した位置に形成され、 前記マスク搬送系は前記投影中心に対して前記照明領域
   の側に配置されることを特徴とする露光装置。
9. 【請求項９】 マスク上のパターンを感光性の基板上に
   投影するための投影光学系と、 前記マスクを保持し、移動可能なマスクステージと、 前記マスクステージにマスクを搬送するマスク搬送系
   と、 前記基板を保持し、移動可能な基板ステージと、 前記基板ステージに前記基板を搬送する基板搬送系と、 前記基板上のアライメントマークを検出するための位置
   検出系とを備え、 前記投影光学系を介した前記基板上に形成される前記パ
   ターンの投影領域および前記マスク上の照明領域が、前
   記投影光学系の投影中心に対して同じ側に偏心した位置
   に形成され、 前記マスク搬送系および前記基板搬送系は前記投影中心
   に対して、前記投影領域および前記照明領域の側に配置
   されることを特徴とする露光装置。
10. 【請求項１０】 前記投影光学系は投影光学系内に中間
    像を形成することを特徴とする請求項１乃至９のいずれ
    かに記載の露光装置。
11. 【請求項１１】 前記位置検出系が、前記投影中心に対
    して、前記投影領域および前記照明領域の側に配置され
    ることを特徴とする請求項９に記載の露光装置。
12. 【請求項１２】 前記マスクの位置決めを行なうための
    マスク位置検出系を更に備え、 前記マスク位置検出系は、前記投影中心に対して、前記
    投影領域および前記照明領域の側に配置されることを特
    徴とする請求項９に記載の露光装置。
13. 【請求項１３】 前記投影光学系は反射型の投影光学系
    であることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに
    記載の露光装置。
14. 【請求項１４】 前記投影光学系は反射屈折型の投影光
    学系であることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれ
    かに記載の露光装置。
15. 【請求項１５】 前記露光装置は走査型露光装置である
    ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の
    露光装置。
16. 【請求項１６】 請求項１乃至１５のいずれかに記載の
    露光装置によりデバイスを製造するデバイス製造方法。
17. 【請求項１７】 請求項１乃至１５のいずれかに記載の
    露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製
    造工場に設置する工程と、 該製造装置群を用いて複数のプロセスによって半導体デ
    バイスを製造する工程とを有することを特徴とする半導
    体デバイス製造方法。
18. 【請求項１８】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
    トワークで接続する工程と、 前記ローカルエリアネットワークと前記半導体製造工場
    外の外部ネットワークとの間で、前記製造装置群の少な
    くとも前記露光装置に関する情報をデータ通信する工程
    とをさらに備えることを特徴とする請求項１７に記載の
    半導体デバイス製造方法。
19. 【請求項１９】 前記露光装置のベンダもしくはユーザ
    が提供するデータベースに前記外部ネットワークを介し
    てアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守
    情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導
    体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデー
    タ通信して生産管理を行うことを特徴とする請求項１８
    に記載の半導体デバイス製造方法。
20. 【請求項２０】 請求項１乃至１５のいずれかに記載の
    露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、 該製造装置群を接続するローカルエリアネットワーク
    と、 該ローカルエリアネットワークから工場外の外部ネット
    ワークにアクセス可能にするゲートウェイを有し、 前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ
    通信することを可能にしたことを特徴とする半導体製造
    工場。
21. 【請求項２１】 半導体製造工場に設置された請求項１
    乃至１５のいずれかに記載の露光装置の保守方法であっ
    て、 前記露光装置のベンダもしくはユーザが、半導体製造工
    場の外部ネットワークに接続された保守データベースを
    提供する工程と、 前記半導体製造工場内から前記外部ネットワークを介し
    て前記保守データベースへのアクセスを許可する工程
    と、 前記保守データベースに蓄積される保守情報を前記外部
    ネットワークを介して半導体製造工場側に送信する工程
    とを備えることを特徴とする露光装置の保守方法。
22. 【請求項２２】 ディスプレイと、 ネットワークインタフェースと、 ネットワーク用ソフトウェアを実行するコンピュータと
    をさらに備え、 露光装置の保守情報をコンピュータネットワークを介し
    てデータ通信することを可能にしたことを特徴とする請
    求項１乃至１５のいずれかに記載の露光装置。
23. 【請求項２３】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
    前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
    続され前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供する
    保守データベースにアクセスするためのユーザインタフ
    ェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネット
    ワークを介して該データベースから情報を得ることを可
    能にすることを特徴とする請求項２２に記載の露光装
    置。
24. 【請求項２４】 光源からの照明光を照明光学系で原版
    に照射し、前記原版に形成されたパターンを投影光学系
    で感光性の基板上に該記投影光学系の投影中心から偏心
    した位置に投影する露光装置に用いられ、前記基板上の
    アライメントマークを検出するセンサを有する位置検出
    装置であって、 前記センサは、該投影光学系の投影中心に対して前記基
    板上のパターン投影領域の存在する側に配置されること
    を特徴とする位置検出装置。