JP5305568B2 - 露光装置及びケミカルフィルタ寿命検知方法 - Google Patents

露光装置及びケミカルフィルタ寿命検知方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5305568B2
JP5305568B2 JP2006142035A JP2006142035A JP5305568B2 JP 5305568 B2 JP5305568 B2 JP 5305568B2 JP 2006142035 A JP2006142035 A JP 2006142035A JP 2006142035 A JP2006142035 A JP 2006142035A JP 5305568 B2 JP5305568 B2 JP 5305568B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chemical filter
exposure apparatus
optical component
transmittance
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006142035A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007311722A (ja
Inventor
真希子 片野
拓也 河野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2006142035A priority Critical patent/JP5305568B2/ja
Priority to US11/802,291 priority patent/US20070268467A1/en
Publication of JP2007311722A publication Critical patent/JP2007311722A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5305568B2 publication Critical patent/JP5305568B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70933Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

本発明は、半導体装置製造用等の露光装置に関し、ケミカルフィルタの寿命をモニターすることができる露光装置及びケミカルフィルタ寿命検知方法に関する。
KrF、ArFレーザーを使用する露光装置では、使用に従いミラーやレンズなどの光学部材に曇りが発生する問題が起きている。これは、露光装置の設置環境中のSi含有有機不純物や硫酸、アンモニアなどが原因であると考えられている。この曇りの発生を防止するために、通常、露光装置の空調系にケミカルフィルタを設置して、光学部材付近の環境中の不純物濃度を下げる対策が行われている。
しかし、ケミカルフィルタ自体の寿命を管理する機構は特に設けられておらず、光学部材の曇りが許容量を超えたところで使用者がケミカルフィルタを交換している。このため、ケミカルフィルタを交換する時点で既に光学部材の交換も必要な場合が多く、光学部材の交換のために費用がかかったり、交換作業のために露光装置の稼働率が低下したりするなどの問題があった。
また、ケミカルフィルタの前後段で不純物の濃度を測定し、ケミカルフィルタの寿命を判断することも可能だが、この場合、定期的な測定作業が必要であり手間がかかる問題がある。
なお、特許文献1では、露光装置用ケミカルフィルタにおいて、該フィルタの上流側に不純物を吸着するガスセンサを設け、そのガスセンサに吸着される物質の量をガスセンサの共振周波数測定により求め、その結果に基づいて該フィルタの寿命を判定している。
特許文献2では、露光装置が収容されたチャンバに、汚染物質を除去する交換型フィルタを通した気体を供給する際、前記フィルタの一部に汚染物質除去容量の低い部位を設け、その下流側に配置した汚染物質検知手段を用いて、フィルタの交換時期を予測している。
特許文献3では、露光装置に用いるケミカルフィルタにおいて、フィルタを厚さ方向に複数個に分割し、フィルタ交換時には上流側のフィルタのみを廃棄し、下流側フィルタは再利用する。
特許文献4では、ケミカルフィルタと同一のフィルタ部材の両側に電極を取り付けた吸着状況検知用センサと、リファレンス用センサとをフィルタユニットに取り付け、各センサのインピーダンスの変化を検出してフィルタの交換時を判定する。
特許文献5では、ケミカルフィルタシートを多段に重ね合わせたケミカルフィルタにおいて、フィルタシート間に塩基性ガス等を検出するQCMガスセンサを設け、空気浄化装置の稼動時間の累計値、ガスセンサがしきい値に達するまでの時間等からフィルタの除去寿命を予測する。
特開平8−55774号公報 特開平8−306599号公報 特開平9−280640号公報 特開2002−221507号公報 特開2004−200402号公報
本発明の目的は、露光装置の空調系で使用するケミカルフィルタの寿命を簡易に検知できる露光装置及びケミカルフィルタ寿命検知方法を提供することにある。
本発明の一形態の露光装置は、空調系に備えられ気中の不純物濃度を下げるためのケミカルフィルタと、前記ケミカルフィルタの下流の気体に曝されるよう配置された光学部品と、前記光学部品に露光工程と同じ波長の光を照射する照射手段と、前記照射手段から照射された光が前記光学部品を透過する透過率を測定する測定手段と、を具備する。
本発明の他の形態の露光装置は、空調系に備えられ気中の不純物濃度を下げるための複数のケミカルフィルタと、前記各ケミカルフィルタの下流の気体に曝されるようそれぞれ配置された複数の光学部品と、前記複数の光学部品に露光工程と同じ波長の光を照射する照射手段と、前記照射手段から照射された光が前記複数の光学部品を透過する各透過率を測定する測定手段と、を具備する。
本発明の他の形態のケミカルフィルタ寿命検知方法は、露光装置の空調系に備えられ気中の不純物濃度を下げるためのケミカルフィルタの下流の気体に曝されるよう配置された光学部品に露光工程と同じ波長の光を照射し、前記光が前記光学部品を透過する透過率を測定することで前記ケミカルフィルタの寿命を検知する。
本発明によれば、露光装置の空調系で使用するケミカルフィルタの寿命を簡易に検知できる露光装置及びケミカルフィルタ寿命検知方法を提供できる。
以下、実施の形態を図面を参照して説明する。
図1は、本実施の形態に係る露光装置の概略構成を示す側面図である。本実施の形態の露光装置は半導体装置製造用の露光装置であり、ケミカルフィルタの寿命モニターを備えている。
露光装置本体1の背面には、エアー取り込み口2が設けられており、露光装置本体1内のエアー取り込み口2付近には2段のケミカルフィルタ31,32が備えられている。2段のケミカルフィルタ31,32は、空調系の気中の不純物濃度を下げるためのものである。
ケミカルフィルタ31,32の下流側の光学系エリア4には、各種光学部材が備えられている。露光装置本体1には、レーザー光源5が備えられている。レーザー光源5から出射した露光用のレーザー光aは、光学系エリア4内の光学部材に照射される。
露光装置本体1内には、レーザー光源5の光路上に分岐ミラー6が設けられており、分岐ミラー6の反射光路上には、SiO、蛍石等からなる寿命検知用の光学部品7が設けられている。分岐ミラー6は、レーザー光源5から出射された露光用のレーザー光aを光学系エリア4へ透過するとともに、レーザー光aの一部を分岐して光学部品7に照射する。
一方、1段目のケミカルフィルタ1の下流側から光学部品7に向けて、エアー吹き付け用チューブ8が備えられている。エアー吹き付け用チューブ8には、ポンプ9が設けられている。これにより、寿命の検知を行いたいケミカルフィルタ31の下流の気体が、エアー吹き付け用チューブ8を介して寿命検知用の光学部品7の表面まで導かれ、光学部品7の表面に吹き付けられる。
また、露光装置本体1内の光学部品7付近には、透過率測定装置10が備えられている。透過率測定装置10は、分岐ミラー6からのレーザー光が寿命検知用の光学部品7を透過する透過率、または、透過率測定用光源11からの光が光学部品7を透過する透過率を定期的に自動測定し、透過率値をモニターする機構を有する。
以上のように構成された露光装置において、エアー取り込み口2から外部の気体が露光装置本体1内に吸入されると、気体は2段のケミカルフィルタ31,32を通過して光学系エリア4へ流れ、露光装置本体1内を循環する。一方で、1段目のケミカルフィルタ31を通過した気体の一部が、ポンプ9の作用によりエアー吹き付け用チューブ8に吸い込まれ、エアー吹き付け用チューブ8を介して光学部品7の表面に吹き付けられる。
ケミカルフィルタ31の除去率が低下してケミカルフィルタ31下流の不純物濃度が高くなると、光学部品7の表面に吹き付けられた気体内の不純物が、光学部品7に照射されるレーザー光により光学部品7上で曇りの原因となる物質(曇り物質)となって部品表面に付着する。その結果として、光学部品7の透過率が低下していく。
透過率測定装置10では、光学部品7の透過率を定期的にモニターし、時間を横軸、透過率の値を縦軸としてプロットする。そして透過率測定装置10では、透過率が設定値以下になったとき、または透過率の変化率の絶対値が設定値以上になったときにアラームを表示するように設定される。
また、通常露光装置では、エアー取り込み口とエアー循環経路内にそれぞれケミカルフィルタを取り付けている。これに対して本実施の形態では、エアー取り込み口2に設置した1段目のケミカルフィルタ31下流の気体を光学部品7に吹き付けることにより、1段目のケミカルフィルタ31の寿命を検知することができる。この時点では、通常2段目のケミカルフィルタ32は十分な除去性能を保っているため、露光装置本体1内の光学系には曇りは発生していない。よって、この段階でケミカルフィルタ31を交換すれば、光学系のメンテナンスは不要である。また、1段目のケミカルフィルタ31のみを交換すればよいため、作業が容易で装置の稼働時間への影響を少なくすることができる。
なお、モニター用の光学部品7に照射するレーザー光として、露光に用いる光でなく、露光装置本体1内でキャリブレーション用に分岐している光を、キャリブレーションを行わないタイミングで使用することも可能である。また、露光工程に用いる光と同じ波長を有する光を照射するランプ(透過率測定用光源)11を別途露光装置本体1内に設け、ランプ11からの光を光学部品7に照射する構成でもよい。モニター用の光学部品7は、露光装置の空調系のリターン領域に設置するのが望ましい。
また、モニター用の光学部品7に曇りをより効率的に速く発生させるべく、分岐ミラー6からのレーザー光を光学部品7に照射させるとともに、光学部品7の透過率測定にランプ11からの光を光学部品7に照射させてもよい。この場合、分岐ミラー6からのレーザー光は曇り発生の光反応を促すために用いられ、ランプ11からの光は透過率評価のために用いられる。分岐ミラー6からのレーザー光は、常時照射または露光時に常時照射の状態とする。光反応は光の波長に依存するので、露光用のレーザー光を用いない場合は、露光用のレーザー光と同じ波長のレーザー光を発生するレーザー光源か、同じ波長を多く含むランプを使用してもよい。一方、透過率測定は定期的に(例えば1日に1回)行えばよく、そのときだけランプ11からの光を照射すればよい。ランプ11からの光の波長は露光用の光と同じ波長が基本であるが、露光用の光の透過率変化と相関があれば別波長の光を用いることも可能である。
また、エアー吹き付けの流量を増加させることにより、検知感度を上げることが可能であり、早い段階でのケミカルフィルタの寿命検知が可能である。
図2は、本実施の形態の第1の変形例に係る露光装置の概略構成を示す側面図である。ケミカルフィルタが複数設置されている場合、図2に示すように、各ケミカルフィルタ31,32下流の大気に対してそれぞれエアー吹き付けチューブ81,82を設けて、複数のケミカルフィルタをモニターすることも可能である。その場合は、各ケミカルフィルタ31,32に対応するモニター箇所ごとに寿命検知用の光学部品71,72を設ける。レーザー光源またはランプ、透過率測定装置などは、各ケミカルフィルタ31,32で兼用してもよく、ケミカルフィルタ31,32ごとに備えてもよい。図2では、ケミカルフィルタ31,32ごとにランプ111,112と透過率測定装置101,102が設けられている。
光学部品71,72に照射する光としてレーザー光源5からのレーザー光を用いる場合、レーザー光源5から出射した露光用のレーザー光aの一部が、分岐ミラー6で分岐し、光分岐用部品110で分岐され、光学部品71,72に照射される。透過率測定装置101,102は、それぞれ光分岐用部品110からのレーザー光が寿命検知用の光学部品71,72を透過する透過率、または、ランプ(透過率測定用光源)111,112からの光が光学部品71,72を透過する透過率を定期的に自動測定し、透過率値をモニターする機構を有する。
図3は、本実施の形態の第2の変形例に係る露光装置の概略構成を示す側面図である。
図3に示すように、レーザー光源51またはランプ11、寿命検知用の光学部品7、及び透過率測定装置10を含む外付けユニット200を構成して露光装置本体1に外付けし、エアー吹き付け用チューブ8を露光装置本体1内のケミカルフィルタ31の下流から露光装置本体1外部へ導出し、外付けユニット200内の寿命検知用の光学部品7に向けて備えるように構成することもできる。透過率測定装置10は、レーザー光源51からのレーザー光が寿命検知用の光学部品7を透過する透過率、または、ランプ(透過率測定用光源)11からの光が光学部品7を透過する透過率を定期的に自動測定し、透過率値をモニターする機構を有する。
図4は、本実施の形態の第3の変形例に係る露光装置の概略構成を示す側面図である。露光装置本体1内にケミカルフィルタが複数設置されている場合、図4に示すように、各ケミカルフィルタ31,32下流の大気に対してそれぞれエアー吹き付けチューブ81,82を設け、それらに対応してそれぞれ外付けユニット201,202を設けることもできる。外付けユニット201,202は、それぞれレーザー光源51,52またはランプ111,112、寿命検知用の光学部品71,72、及び透過率測定装置101,102を含む。透過率測定装置101,102は、それぞれレーザー光源51,52からのレーザー光が寿命検知用の光学部品71,72を透過する透過率、または、ランプ(透過率測定用光源)111,112からの光が光学部品71,72を透過する透過率を定期的に自動測定し、透過率値をモニターする機構を有する。
図5は、本実施の形態の第4の変形例に係る露光装置の概略構成を示す側面図である。
露光装置本体1内にケミカルフィルタが複数設置されている場合、図5に示すように、各ケミカルフィルタ31,32下流の大気に対してそれぞれエアー吹き付けチューブ81,82を設け、それらに対して1つの外付けユニット200を設けることもできる。外付けユニット200は、レーザー光源51と光分岐用部品110またはランプ111,112、寿命検知用の光学部品71,72、及び透過率測定装置101,102を含む。透過率測定装置101,102は、それぞれ光分岐用部品110からのレーザー光が寿命検知用の光学部品71,72を透過する透過率、または、ランプ(透過率測定用光源)111,112からの光が光学部品71,72を透過する透過率を定期的に自動測定し、透過率値をモニターする機構を有する。
第2〜4の変形例によれば、露光装置内にレーザー光源またはランプ、寿命検知用の光学部品、及び透過率測定装置を設けることなく、外付けユニットによる寿命モニターを簡易に設置することで、ケミカルフィルタの寿命検知を行うことができる。
また、上記実施の形態ではケミカルフィルタの下流の気体をエアー吹き付け用チューブ8を介して光学部品7まで導くようにしたが、光学部品7を露光装置本体1内のケミカルフィルタの下流の気体に曝されるよう、ケミカルフィルタ付近に配置することで、エアー吹き付け用チューブ8を除いた構成とすることもできる。
以上のように本実施の形態では、露光装置の空調系で使用するケミカルフィルタの寿命をモニターする機構を備えた露光装置を提供している。露光装置内にモニター用の光学部品を設け、その部品表面にケミカルフィルタ下流の気体を吹き付けながら、露光用の光源から分岐した光を照射する。一方、モニター用の光学部品の透過率を測定する機構を設けて透過率をモニターする。
ケミカルフィルタの除去率が低下し、ケミカルフィルタ下流の気中の不純物濃度が上がると、モニター用の光学部品上に曇りが発生し透過率が低下する。このため、光学部品の透過率の変化をモニターすることにより、ケミカルフィルタの寿命を検知することができる。
本実施の形態の露光装置により、露光装置内の空調系に搭載されたケミカルフィルタの寿命の検知が容易に行えるようになった。露光装置内のプロセス用光学部材に曇りなどのダメージが発生する前に、ケミカルフィルタの寿命を検知して交換のタイミングを知ることができるようになった。このため、光学部品の交換のための費用を削減でき、また光学部品の交換や洗浄などのメンテナンス時間による露光装置の稼働率低下を改善することができる。ケミカルフィルタが2段に搭載された露光装置では、1段目(上流側)のフィルタの寿命をモニターすることにより、1段目のみの交換で装置を運用できるようになり、交換時間や費用を削減できる。
また、従来ではケミカルフィルタの上流と下流の気中の不純物濃度を測定することにより寿命評価を行っており、測定の手間や費用がかかったり、測定結果が出るまでに時間がかかったりしていたが、本実施の形態により、手間や費用をかけずにリアルタイムで寿命検知が行えるようになった。
なお、本発明は上記実施の形態のみに限定されず、要旨を変更しない範囲で適宜変形して実施できる。
本実施の形態に係る露光装置の概略構成を示す側面図。 本実施の形態の第1の変形例に係る露光装置の概略構成を示す側面図。 本実施の形態の第2の変形例に係る露光装置の概略構成を示す側面図。 本実施の形態の第3の変形例に係る露光装置の概略構成を示す側面図。 本実施の形態の第4の変形例に係る露光装置の概略構成を示す側面図。
符号の説明
1…露光装置本体 2…エアー取り込み口 31,32…ケミカルフィルター 4…光学系エリア 5,51,52…レーザー光源 6…分岐ミラー 7,71,72…光学部品 8,81,82…チューブ 9,91,92…ポンプ 10,101、102…透過率測定装置、110…光分岐用部品 11,111,112…ランプ 200,201,202…外付けユニット

Claims (4)

  1. 空調系に備えられ気中の不純物の濃度を下げるためのケミカルフィルタと、
    前記ケミカルフィルタの下流に備えられた他のケミカルフィルタと、
    前記ケミカルフィルタの下流且つ前記他のケミカルフィルタの上流の気体に曝されるよう配置された光学部品と、
    前記光学部品に、前記不純物と光反応を起こす露光工程と同じ波長の光を照射する照射手段と、
    前記光学部品を透過する光の透過率を測定する測定手段と、
    を具備することを特徴とする露光装置。
  2. 空調系に備えられ気中の不純物の濃度を下げるためのケミカルフィルタと、
    前記ケミカルフィルタの下流の気体に曝されるよう配置された光学部品と、
    前記ケミカルフィルタの下流の気体を前記光学部品の表面にポンプによって導く手段と、
    前記光学部品に、前記不純物と光反応を起こす露光工程と同じ波長の光を照射する照射手段と、
    前記光学部品を透過する光の透過率を測定する測定手段と、
    を具備することを特徴とする露光装置。
  3. 空調系に備えられ気中の不純物の濃度を下げるための複数のケミカルフィルタと、
    前記各ケミカルフィルタの下流の気体に曝されるようそれぞれ配置された複数の光学部品と、
    前記各ケミカルフィルタの下流の気体を前記複数の光学部品の表面にポンプによって導く手段と、
    前記複数の光学部品に、前記不純物と光反応を起こす露光工程と同じ波長の光を照射する照射手段と、
    前記複数の光学部品を透過する光の各透過率を測定する測定手段と、
    を具備することを特徴とする露光装置。
  4. 露光装置の空調系に備えられ気中の不純物の濃度を下げるためのケミカルフィルタの下流の気体であって且つポンプによって導かれた気体に曝されるよう配置された光学部品に、前記不純物と光反応を起こす露光工程と同じ波長の光を照射し、
    前記光学部品を透過する光の透過率を測定することで前記ケミカルフィルタの寿命を検知することを特徴とするケミカルフィルタ寿命検知方法。
JP2006142035A 2006-05-22 2006-05-22 露光装置及びケミカルフィルタ寿命検知方法 Expired - Fee Related JP5305568B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006142035A JP5305568B2 (ja) 2006-05-22 2006-05-22 露光装置及びケミカルフィルタ寿命検知方法
US11/802,291 US20070268467A1 (en) 2006-05-22 2007-05-22 Exposure apparatus and semiconductor device manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006142035A JP5305568B2 (ja) 2006-05-22 2006-05-22 露光装置及びケミカルフィルタ寿命検知方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007311722A JP2007311722A (ja) 2007-11-29
JP5305568B2 true JP5305568B2 (ja) 2013-10-02

Family

ID=38711665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006142035A Expired - Fee Related JP5305568B2 (ja) 2006-05-22 2006-05-22 露光装置及びケミカルフィルタ寿命検知方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20070268467A1 (ja)
JP (1) JP5305568B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110001952A1 (en) * 2008-09-25 2011-01-06 Eran & Jan, Inc Resist exposure and contamination testing apparatus for EUV lithography
JP7093214B2 (ja) * 2018-04-02 2022-06-29 キヤノン株式会社 インプリント装置の管理方法、インプリント装置、平坦化層形成装置の管理方法、および、物品製造方法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3448670B2 (ja) * 1993-09-02 2003-09-22 株式会社ニコン 露光装置及び素子製造方法
JP3365571B2 (ja) * 1993-11-10 2003-01-14 株式会社ニコン 光学式計測装置及び露光装置
US5685895A (en) * 1994-08-10 1997-11-11 Nikon Corporation Air cleaning apparatus used for an exposure apparatus
JP3433844B2 (ja) * 1994-08-10 2003-08-04 株式会社ニコン 露光装置用のフィルタ装置及び投影露光装置
KR100542414B1 (ko) * 1996-03-27 2006-05-10 가부시키가이샤 니콘 노광장치및공조장치
JPH09270385A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Nikon Corp 露光装置の環境制御装置
IL132431A0 (en) * 1997-04-18 2001-03-19 Nikon Corp Method and device for exposure control method and device for exposure and method of manufacture of device
KR20010006467A (ko) * 1997-04-18 2001-01-26 오노 시게오 노광 장치, 해당 장치를 이용한 노광 방법 및 회로 장치 제조 방법
AU7552498A (en) * 1997-06-10 1998-12-30 Nikon Corporation Optical device, method of cleaning the same, projection aligner, and method of producing the same
JPH1131647A (ja) * 1997-07-11 1999-02-02 Oki Electric Ind Co Ltd 投影露光装置
WO1999010917A1 (fr) * 1997-08-26 1999-03-04 Nikon Corporation Dispositif d'alignement, procede d'exposition, procede de regulation de la pression d'un systeme optique de projection, et procede de montage du dispositif d'alignement
WO1999027568A1 (fr) * 1997-11-21 1999-06-03 Nikon Corporation Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection
JPH11204396A (ja) * 1998-01-08 1999-07-30 Canon Inc 半導体製造システムおよびデバイス製造方法
AU2962099A (en) * 1998-04-07 1999-10-25 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, method of producing the same, device, and method of fabricating the same
AU3957599A (en) * 1998-05-29 1999-12-20 Nikon Corporation Laser-excited plasma light source, exposure apparatus and its manufacturing method, and device manufacturing method
WO2000074118A1 (fr) * 1999-05-27 2000-12-07 Nikon Corporation Systeme d'exposition, procede de dispositif de fabrication, et procede de traitement ecologique du systeme d'exposition
JP2000346817A (ja) * 1999-06-07 2000-12-15 Nikon Corp 測定装置、照射装置および露光方法
US6571057B2 (en) * 2000-03-27 2003-05-27 Nikon Corporation Optical instrument, gas replacement method and cleaning method of optical instrument, exposure apparatus, exposure method and manufacturing method for devices
JP3869999B2 (ja) * 2000-03-30 2007-01-17 キヤノン株式会社 露光装置および半導体デバイス製造方法
JP2001345263A (ja) * 2000-03-31 2001-12-14 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2002158170A (ja) * 2000-09-08 2002-05-31 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2002217095A (ja) * 2000-11-14 2002-08-02 Canon Inc 露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場及び露光装置の保守方法並びに位置検出装置
JP2005101018A (ja) * 2001-02-19 2005-04-14 Nikon Corp 露光システム、露光装置及びデバイス製造方法
JP3595791B2 (ja) * 2001-11-19 2004-12-02 キヤノン株式会社 半導体製造装置
US7050149B2 (en) * 2002-06-11 2006-05-23 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method
DE10251435B3 (de) * 2002-10-30 2004-05-27 Xtreme Technologies Gmbh Strahlungsquelle zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung
SG115621A1 (en) * 2003-02-24 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Method and device for measuring contamination of a surface of a component of a lithographic apparatus
JP2005072076A (ja) * 2003-08-28 2005-03-17 Nikon Corp 露光装置及びケミカルフィルタ並びにデバイスの製造方法
JP4510433B2 (ja) * 2003-12-03 2010-07-21 キヤノン株式会社 露光装置及び洗浄方法
US7196342B2 (en) * 2004-03-10 2007-03-27 Cymer, Inc. Systems and methods for reducing the influence of plasma-generated debris on the internal components of an EUV light source
JP2006134974A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Canon Inc 露光装置、判定方法及びデバイス製造方法
US7405417B2 (en) * 2005-12-20 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having a monitoring device for detecting contamination
US7541603B2 (en) * 2006-09-27 2009-06-02 Asml Netherlands B.V. Radiation system and lithographic apparatus comprising the same
US8054446B2 (en) * 2008-08-21 2011-11-08 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV lithography apparatus and method for determining the contamination status of an EUV-reflective optical surface

Also Published As

Publication number Publication date
US20070268467A1 (en) 2007-11-22
JP2007311722A (ja) 2007-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100542414B1 (ko) 노광장치및공조장치
KR100433349B1 (ko) 노광 장치에 사용되는 기체 정화 장치 및 기체 정화 방법과 노광장치
US20060108221A1 (en) Method and apparatus for improving measuring accuracy in gas monitoring systems
JP4942325B2 (ja) 空気浄化装置
JP2010127830A (ja) 過酸化水素の定量方法および定量装置
JP6254985B2 (ja) レーザ光路内の不純ガスを監視するレーザ加工システム
JP5305568B2 (ja) 露光装置及びケミカルフィルタ寿命検知方法
JP3413131B2 (ja) 光学装置及びデバイス製造方法
US8183536B2 (en) System for monitoring optical modules of high-power lasers
KR102597198B1 (ko) 인라인 입자 센서
US20170080524A1 (en) Laser processing system having function of cleaning laser optical path
JPH08306599A (ja) 空気浄化装置及び露光装置
JP3658852B2 (ja) 露光装置
JP2002079203A (ja) 紫外線照射装置と紫外線照射装置の制御方法
JP2008082710A (ja) 煙感知装置
JP4566032B2 (ja) 測定装置
WO2020004288A1 (ja) レーザ装置及びレーザ装置の除湿管理方法
JP7231614B2 (ja) レーザガス管理システム、電子デバイスの製造方法及びエキシマレーザシステムの制御方法
KR100579859B1 (ko) 오염 측정부를 구비하는 리소그래피 장비
JP2001242077A (ja) ガス分析装置、ガスレーザの診断装置及び診断方法
JP2006339346A (ja) 露光装置
JP2005167017A (ja) レーザ発振器診断装置及びレーザ発振器診断装置を備えたレーザ加工機
JP3601171B2 (ja) 露光装置
KR20230096606A (ko) 인쇄소 발생 대기오염 저감 시스템 및 그 운영 방법
JP2010249518A (ja) 劣化判定装置及び該劣化判定装置を装備した検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090209

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110614

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110621

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110811

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20120529

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120605

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120803

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130604

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130625

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5305568

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees