JP2002158170A - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光学部材の曇りによる照度低下等の弊害の発
生と、気体の温度変動幅の増加を効果的に抑制する。 【解決手段】 気体中から化学的汚染物質を除去すると
ともに、通過前後における気体の温度変動を所定範囲内
に抑制するケミカルフィルタＣＦ１ａ，ＣＦ１ｂが、空
調装置の少なくとも一部を収容する機械室１４から露光
装置本体２２を収容する本体チャンバ１２に至る通気経
路の一部に配置される。従って、ケミカルフィルタＣＦ
１ａ，ＣＦ１ｂの下流側に配置された露光装置本体２２
の周辺雰囲気を化学的に清浄度の高い状態に保たれると
ともに、空調装置によって目標温度に設定された気体
の、ケミカルフィルタＣＦ１ａ，ＣＦ１ｂ通過後の温度
変動が抑制される。すなわち、光学部材の曇りによる照
度低下等の弊害の発生と、本体チャンバ１２内に供給さ
れる気体の温度変動幅の増加を効果的に抑制することが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置及びデバ
イス製造方法に係り、更に詳しくは、半導体素子、液晶
表示素子等を製造する際にリソグラフィ工程で用いられ
る露光装置、及び該露光装置を用いて露光を行うデバイ
ス製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体素子、液晶表示素子等
を製造するリソグラフィ工程では、ステップ・アンド・
リピート方式の縮小投影露光装置（いわゆるステッパ）
や、ステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光
装置（いわゆるスキャニング・ステッパ）などの露光装
置が用いられている。

【０００３】近年、これらの露光装置では、半導体素子
等の高集積化に応じて回路パターンが微細化し、必然的
に解像力の向上が要請されるようになったのに伴い、露
光波長が短波長化している。現在では、発振波長２４８
ｎｍのＫｒＦエキシマレーザや、更に短波長の発振波長
１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザが光源として使用さ
れるに至っている。かかる短波長化した光源を用いる露
光装置では、各光源の輝度不足を補うためにレジストの
感度を上げて対応しようとの観点から、基板上に塗布さ
れるレジストとして、レジスト中の感光剤に酸発生剤を
含み、露光で発生した酸により、続く熱処理（ＰＥＢ）
において触媒反応が誘起され、現像液に対して不溶化
（ネガ型）又は可溶化（ポジ型）が促進される、高感度
の化学増幅型レジスト（chemically amplified resis
t）が用いられるようになっている。

【０００４】ところで、最近になって雰囲気中の微量ガ
スが、露光装置に対して悪影響をもたらすことが分かっ
てきた。例えば、基板上にポジ型化学増幅型レジストを
塗布した場合、雰囲気中のｐｐｂレベルの微量な塩基性
ガスが、当該ポジ型化学増幅型レジストの表面に発生し
た酸触媒を中和して表面難溶化層を形成し、露光して現
像した後、矩形になるべきレジスト断面がＴシェイプと
呼ばれる、Ｔの字に似たひさしを形成してしまう現象が
生じる。そのままでは好感度レジストである化学増幅型
レジストを用いることができないので、オーバーコート
等が必要となり、スループットが低下することになる。

【０００５】また、露光光の短波長化、高照度化に伴
い、雰囲気中の例えばアンモニアガス、硫黄酸化物、あ
るいは有機珪素化合物などが短波長紫外線による強いエ
ネルギを受けて光化学反応を起こし、露光装置内の光学
部品の表面に曇り物質として析出する。この析出が、あ
る程度の量になってくると光線の散乱や吸収の原因とな
り、照射面上での照度低下や照度の面内均一性悪化とい
う現象を生じさせることがわかってきた。このように、
雰囲気中の化学汚染物質を低濃度に抑え込んでおくこと
が重要になってきている。

【０００６】このような理由により、現状の露光装置で
は、内部の環境を厳密に管理することが求められてい
る。

【０００７】一方、露光装置は、非常に精密な装置であ
ることからその各部に所望の性能を発揮させるため、内
部の温度状態が一定に制御されている必要がある。かか
る温度制御のため、従来の露光装置では、温度調整装置
により温度制御された気体を露光装置本体が収容された
環境制御チャンバ（エンバイロンメンタル・チャンバ）
内に送り込むことにより、その環境制御チャンバ内部の
空間が均一な温度分布となるようにしている。更に、環
境制御チャンバ内部の前述したアンモニアその他の化学
汚染物質の濃度を低濃度にするためには、温度制御され
た気体が環境制御チャンバ内部に送り込まれる前に化学
汚染物質を除去しておけば良い。このため、気体中の化
学汚染物質を化学吸着及び物理吸着にて除去するフィル
タ装置（以下、適宜「ケミカルフィルタ装置」とも呼
ぶ）が一般的に用いられている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】半導体素子は将来的に
更なる高集積化の実現が要請されることは確実であり、
露光装置にもこれに応えるべく、より高精度な露光を実
現できることが要請される。このため、露光装置の構成
各部の更なる性能の向上が求められ、その１つとして、
環境制御チャンバ内部の温度制御性能の更なる向上があ
る。

【０００９】しかしながら、最近になって、環境制御チ
ャンバ内の温度制御をより高精度に行うため、空調用気
体、例えば空気を、温度調整装置、例えば空調装置等に
よって目標温度に対する温度変動幅をより厳しくある値
以下に抑制した状態で、環境制御チャンバ内に送り込ん
だ場合には、環境制御チャンバ内ではその送り込まれた
空気の目標温度に対する温度変動の幅が増加することが
判明した。このままでは、要求される露光精度が厳しく
なると、温度変動がその実現の障害となりかねない。

【００１０】発明者等は、上記の温度変動幅の増加は、
露光精度が厳しくなって初めて顕現するものであるか
ら、露光精度を向上させるための何らかの構成要素が、
その要因であろうと推測した。そして、かかる推測の
下、種々の実験等を繰り返した。その結果、前述したケ
ミカルフィルタ装置を通過する前より通過した後で空気
の温度変動の幅が増加することが判明した。

【００１１】本発明は、上述した発明者等の得た新規知
見に基づいてなされたもので、その第１の目的は、光学
部材の曇りに起因する照度低下等の弊害の発生と温度変
動幅の増加とを同時に抑制することができる露光装置を
提供することにある。

【００１２】本発明の第２の目的は、高集積度のマイク
ロデバイスを生産性良く製造することができるデバイス
製造方法を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、エネルギビームにより基板（Ｗ）を露光して所定の
パターンを前記基板上に形成する露光装置本体（２２）
と；前記露光装置本体の少なくとも一部を収容する本体
チャンバ（１２）と；前記本体チャンバ内に所定の気体
を供給し、前記本体チャンバ内の環境を制御する環境制
御装置と；前記環境制御装置により前記本体チャンバに
供給される前記気体の通気経路の一部に配置され、前記
気体中から化学的汚染物質を除去するとともに、通過後
における前記気体の温度変動を所定範囲内に抑制する少
なくとも１つの第１のフィルタ装置（ＣＦ１ａ，ＣＦ１
ｂ）と；を備える露光装置である。

【００１４】ここで、環境制御装置により前記本体チャ
ンバに供給される前記気体の通気経路とは、環境制御装
置と本体チャンバとの間の通気経路に限らず、厳密に
は、環境制御装置及び本体チャンバ内部の給気経路をも
含む概念である。

【００１５】これによれば、気体中から化学的汚染物質
を除去するとともに、通過後における気体の温度変動を
所定範囲内に抑制する第１のフィルタ装置が、環境制御
装置により前記本体チャンバに供給される前記気体の通
気経路の一部に配置される。従って、第１のフィルタ装
置の下流側の通気経路を含む空間内は、化学的汚染物質
が除去された雰囲気となるとともに、環境制御装置によ
って目標温度に設定された気体の第１のフィルタ装置通
過後における温度変動が抑制される。すなわち、露光装
置本体周辺の雰囲気を化学的に清浄度の高い状態（ケミ
カルクリーンな状態）に保つことができ、これにより光
学部材の曇りによる照度低下等の弊害の発生を長時間に
渡って効果的に抑制することができる。また、本体チャ
ンバ内に供給される気体の温度変動幅の増加を効果的に
抑制することができる。

【００１６】この場合において、請求項２に記載の発明
の如く、前記第１のフィルタ装置は、通過後の前記気体
の目標温度に対する温度誤差が所定範囲内に抑制される
ように、通過後における前記気体の温度変動を抑制する
こととすることができる。かかる場合には、第１のフィ
ルタ装置を通過した後の気体の温度を、露光装置の性能
を長期的に維持できる程度の温度変動幅とすることが可
能であることが、発明者等の実験によって確認された。

【００１７】ところで、前述のように、発明者等は、ケ
ミカルフィルタ装置が通過する気体の通過後における温
度変動幅を増加させる要因であるとの確信を得たが、気
体がフィルタ装置を通過した後における温度変動の要因
をより深く追求すべく、発明者等は、更に鋭意研究を重
ねた結果、フィルタ装置を通過する前の湿度変動が、フ
ィルタ装置を通過した後の気体の温度に予想外の影響を
与えていることを発見した。

【００１８】フィルタ装置を通過する前の湿度変動が、
フィルタ装置を通過した後の気体の温度に影響を与える
理由は、次のようなものであると考えられる。すなわ
ち、気体がフィルタ装置を通過する際には、フィルタ装
置と気体との間で平衡となるまで、フィルタ装置、気体
間で水分の受け渡しが行なわれる。このとき、気体から
フィルタ装置に水分が移動する（吸着する）とフィルタ
装置で吸着熱が発生するため、通過する気体の温度が上
昇する。また、フィルタ装置から気体に水分が移動する
（蒸発する）と、フィルタ装置から蒸発熱が奪われるた
めフィルタ装置を通過する気体の温度が、低下する。従
って、フィルタ部を通過する気体の温度が、所定の温度
範囲内に保たれていても、フィルタ装置を通過する前の
気体の湿度が変動すると、熱の与奪量も変動するので、
フィルタ装置通過後における気体の温度が変動する。

【００１９】なお、フィルタ装置を通過する前の湿度変
動は、本体チャンバが設置されるクリーンルーム内の空
気の湿度変動に対応する。ここで、フィルタ装置を通過
する前の湿度変動を小さくするために、環境制御装置に
湿度変動を小さくする機能を付加することも考えられ
る。しかしながら、フィルタ装置を通過した後の気体を
目標温度に調整するために要求される、フィルタ装置を
通過する前の湿度変動は、クリーンルーム内の空気の湿
度変動より小さい。このように環境制御装置が、クリー
ンルーム内の空気の湿度変動より小さい湿度変動を調整
するためには、装置コストが高くなり、かつ装置自体が
大型化してしまう。

【００２０】上記請求項１及び２に記載の各露光装置に
おいて、請求項３に記載の露光装置の如く、前記第１の
フィルタ装置は、前記気体中に含まれる化学的汚染物質
を除去するとともに前記気体中の水分の吸着及び前記気
体中への水分の放出を行う少なくとも１つのフィルタ媒
体（１２４）を有するフィルタ部（１２６）を備えてい
ることとすることができる。かかる場合には、フィルタ
部における気体中の水分の吸着及び気体中への水分の放
出を所定の範囲に抑えることとすれば、フィルタ部を通
過する前後における目標温度からの温度誤差の変動を小
さくすることができる。

【００２１】この場合において、請求項４に記載の発明
の如く、前記フィルタ部は、前記気体の通過方向に沿っ
て所定間隔で配置された少なくとも２つのフィルタ媒体
（１２４Ａ，１２４Ｂ）を有することとすることができ
る。かかる場合には、化学的汚染物質の除去能力を低下
させることなく、気体中の水分の吸着及び放出を所定範
囲に抑えることができ、気体の温度変動を抑制すること
が可能となる。この理由は、次の通りであると考えられ
る。

【００２２】気体の通過方向に沿って少なくとも２つの
フィルタ媒体が所定の間隔で配置されるので、各フィル
タ媒体の間隙にフィルタ媒体の存在しない部分（中間空
間層）が形成される。そして、気体の通過方向１つ目
（あるいは上流側のいくつか）のフィルタ媒体を気体が
通過することで、上述したのと同様の理由により、気体
の湿度が高い場合は、気体の湿度が低下するように、気
体の湿度が低い場合は、気体の湿度が上昇するようにフ
ィルタ媒体との間で水分の受渡しが行なわれる。すなわ
ち、気体の湿度変動が一定の値に近づく。その一方で、
それ以降のフィルタ媒体を気体が通過するときには、湿
度がほぼ一定とされていることから、気体中の水分量は
殆ど変化せず、気体中からは化学的汚染物質のみが除去
されることとなり、気体の温度も殆ど変化しない。すな
わち、化学的汚染物質の除去能力を低下させることな
く、気体の通過方向１つ目（あるいは上流側の幾つか）
のフィルタ媒体でのみ気体の温度変化が起こることか
ら、気体中の水分の吸着及び放出を所定範囲に抑えるこ
とができ、気体の温度変動を抑制することが可能とな
る。

【００２３】上記請求項３及び４に記載の各露光装置に
おいて、請求項５に記載の露光装置の如く、第１のフィ
ルタ装置が備える前記フィルタ媒体の少なくとも１つ
は、その少なくとも一部の充填率が他よりも低く設定さ
れていることとすることができる。かかる場合には、気
体中の水分の吸着及び放出を抑制することが可能となる
ので、第１のフィルタ装置通過後の気体の目標温度に対
する温度誤差を小さくすることが可能となる。

【００２４】ここで、「フィルタ媒体の少なくとも１つ
は、その少なくとも一部の充填率が他よりも低く設定さ
れている」とは、同一のフィルタ媒体の一部領域の充填
率が他の領域よりも低く設定されている場合は勿論、複
数のフィルタ媒体が存在する場合に、フィルタ媒体相互
間で充填率が異なる場合をも含む。

【００２５】上記請求項１〜５に記載の各露光装置にお
いて、請求項６に記載の露光装置の如く、前記環境制御
装置は、前記第１のフィルタ装置を介して前記本体チャ
ンバ内に前記気体を供給する気体供給用ファン（５８，
６４）と、前記気体の温度を所定範囲内に調整する温度
調整装置（５２，５６，６２）とを備えることとするこ
とができる。かかる場合には、温度調整装置により所定
範囲内の温度に調整された気体が、気体供給用ファンに
よって本体チャンバ内に供給される。このとき、供給用
ファンから供給される気体は、通過後における温度変化
の小さい第１のフィルタ装置を介して本体チャンバ内に
供給される。従って、本体チャンバ内（更に詳しくは第
１のフィルタ装置の下流）に対して化学的汚染物質を十
分に除去したケミカルクリーンな気体を目標温度に対す
る温度誤差を十分に抑制した状態で供給し、本体チャン
バ内の化学的環境条件及び温度条件を所望の条件に制御
することが可能となる。

【００２６】この場合において、、請求項７に記載の露
光装置の如く、前記温度調整装置は、前記気体供給用フ
ァンによって供給される前記気体を冷却する冷却装置
（５２）を有することとすることができる。かかる場合
には、例えば、目標温度以上に加熱された気体が外部か
ら供給された場合等に、冷却装置によりその気体を冷却
することで、第１のフィルタ装置通過前の気体の温度を
所定範囲内に調整することが可能となる。

【００２７】この場合において、請求項８に記載の露光
装置の如く、前記冷却装置は、その表面に結露が生じな
い程度の温度とされていることとすることができる。

【００２８】上記請求項７及び８に記載の各露光装置に
おいて、請求項９に記載の露光装置の如く、前記温度調
整装置は、前記気体供給用ファンによって前記本体チャ
ンバ内に供給される気体を加熱する加熱装置（５６，６
２）を更に有することとすることができる。かかる場合
には、外部から供給された気体の温度にかかわらず、第
１のフィルタ装置通過前の気体の温度を所定範囲内に調
整することが可能となる。

【００２９】上記請求項６に記載の露光装置において、
請求項１０に記載の露光装置の如く、前記温度調整装置
は、冷却装置の有無にかかわらず、前記気体供給用ファ
ンによって前記本体チャンバ内に供給される前記気体を
加熱する加熱装置（５６，６２）を有することとするこ
とができる。かかる場合には、目標温度以下に冷却され
た気体が外部から供給された場合等に、加熱装置により
その気体を加熱することで、第１のフィルタ装置を通過
する前の気体の温度を所定範囲内に調整することが可能
となる。

【００３０】上記請求項１〜１０に記載の各露光装置に
おいて、請求項１１に記載の露光装置の如く、前記本体
チャンバ内には、前記露光装置本体が収容された露光室
（１６）が設けられ、前記露光室に対して供給される前
記気体の供給経路（２４）に前記第１のフィルタ装置
（ＣＦ１ａ）が配置されていることとすることができ
る。かかる場合には、化学的汚染物質を除去するととも
に、通過後における気体の温度変動を所定範囲内に抑制
する第１のフィルタ装置が、露光室に供給される気体の
供給経路に配置されているので、化学的汚染物質が十分
に除去された化学的清浄度の高い（ケミカルクリーン
な）気体が温度変動が抑制された状態で露光室内に供給
される。従って、露光装置本体の周辺雰囲気をケミカル
クリーンな状態にすることが可能となる。また、第１の
フィルタ装置においては、通過した後における気体の温
度変動が小さいことから、第１のフィルタ装置を通過す
る前に、例えば環境制御装置により気体の温度制御を高
精度に行っておけば、通過後の気体の温度変動を所定範
囲内に抑制することができる。

【００３１】上記請求項１〜１１に記載の各露光装置に
おいて、請求項１２に記載の露光装置の如く、前記露光
装置本体は、前記基板を保持する基板ステージ（ＷＳ
Ｔ）と該基板ステージの位置を計測する干渉計（ＩＦ）
とを有し、前記基板ステージと前記干渉計とが配置され
る前記本体チャンバ内の一部空間に対して供給される前
記気体の供給経路に、前記第１のフィルタ装置（ＣＦ１
ｂ）が配置されていることとすることができる。かかる
場合には、化学的汚染物質の除去と、温度変動の抑制が
可能な第１のフィルタ装置が基板ステージと干渉計とが
配置される本体チャンバ内の一部空間に対して供給され
る気体の供給経路に配置されるので、いわゆる空気揺ら
ぎ（温度揺らぎ）に起因する干渉計の計測誤差を可能な
限り抑制して、特に精度が要求される基板ステージの位
置制御を要求される精度で実現することができる。

【００３２】上記請求項１〜１２に記載の各露光装置に
おいて、請求項１３に記載の露光装置の如く、前記本体
チャンバ内には、前記露光装置本体に対して前記基板を
搬入し、かつ前記露光装置本体から前記基板を搬出する
基板搬送系（８４，８６，８８）が収容された基板搬送
系収容室（２０）が設けられ、前記基板搬送系収容室に
供給される前記気体の供給経路（２４）に前記第１のフ
ィルタ装置（ＣＦ１ａ）が配置されていることとするこ
とができる。かかる場合には、基板を露光装置本体に対
して搬入し、かつ露光装置本体から搬出する基板搬送系
が収容された基板搬送系収容室内をケミカルクリーン、
かつ温度の安定した状態とすることができる。また、例
えば、基板上に化学的汚染物質の影響を受けやすい化学
増幅型レジストが塗布される場合には、この基板搬送系
収容室内においても、化学増幅型レジストの表面難溶化
現象が生じるのを効果的に抑制することができる。

【００３３】上記請求項１〜１３に記載の各露光装置に
おいて、請求項１４に記載の露光装置の如く、前記本体
チャンバ内には、前記露光装置本体に対して前記パター
ンが形成されたマスク（Ｒ）を搬入し、かつ前記露光装
置本体から前記マスクを搬出するマスク搬送系が収容さ
れたマスク搬送系収容室（１８）が設けられ、前記マス
ク搬送系収容室に供給される前記気体の供給経路（２
４）に前記第１のフィルタ装置（ＣＦ１ａ）が配置され
ていることとすることができる。かかる場合には、マス
クを露光装置本体に搬入し、かつ露光装置本体から搬出
するマスク搬送系が収容されたマスク搬送系収容室内を
ケミカルクリーン、かつ温度が安定した状態とすること
ができる。

【００３４】上記請求項１〜１４に記載の各露光装置に
おいて、請求項１５に記載の露光装置の如く、前記環境
制御装置の少なくとも一部を収容するとともに、前記本
体チャンバに接続されて該本体チャンバとともに前記気
体の循環経路を構成する機械室（１４）と；前記本体チ
ャンバから前記機械室に戻る排気経路（４２，４８，６
６）に配置された前記第１のフィルタ装置に比べて前記
化学的汚染物質の除去率の高い少なくとも１つの第２の
フィルタ装置（ＣＦ２ａ）とを更に備えることとするこ
とができる。かかる場合には、第２のフィルタ装置が、
本体チャンバから機械室に戻る排気経路に配置されてい
るので、露光装置本体で発生した脱ガスに起因する気体
中の化学的汚染物質が、第２のフィルタ装置で効率的に
除去された後、機械室内に戻り、その機械室内に少なく
とも一部が収容された環境制御装置により第１のフィル
タ装置を介して本体チャンバ内に再度供給される。従っ
て、本体チャンバ内の露光装置本体周辺の雰囲気を化学
的に清浄度の高い状態（ケミカルクリーンな状態）に保
つことができ、これにより光学部材の曇りによる照度低
下等の弊害の発生をより長時間に渡って効果的に抑制す
ることができる。また、第２のフィルタ装置により化学
的汚染物質が除去され、ケミカルクリーンとされた気体
が第１のフィルタ装置に送り込まれる。さらに、本体チ
ャンバから機械室に戻る排気経路は、温度変動を考慮し
なくても良い場所なので、通過後における気体の温度変
動が大きくても、化学的汚染物質の除去能力が大きいフ
ィルタ装置を使用することにより、何ら支障無く、化学
的汚染物質を効果的に除去したケミカルクリーンな気体
を第１のフィルタ装置に送り込むことも可能となる。従
って、第１のフィルタ装置の寿命が長くなり、長期間に
渡って交換が不要となる。

【００３５】上記請求項１〜１４に記載の各露光装置に
おいて、請求項１６に記載の露光装置の如く、前記環境
制御装置の少なくとも一部を収容するとともに、外気取
り入れ口（５０）が設けられた機械室（１４）と；前記
外気取り入れ口から取り入れられる外気の通路に配置さ
れた前記第１のフィルタ装置に比べて前記化学的汚染物
質の除去率の高い少なくとも１つの第２のフィルタ装置
（ＣＦ２ｂ）とを更に備えることとすることができる。
かかる場合には、第２のフィルタ装置が、機械室に設け
られた外気取り入れ口から取り入れられる外気の通路に
配置されているので、第２のフィルタ装置によって化学
的汚染物質が除去されたケミカルクリーンな外気が装置
内に取り入れられる。従って、本体チャンバ内の露光装
置本体周辺の雰囲気を化学的に清浄度の高い状態（ケミ
カルクリーンな状態）に保つことができ、これにより光
学部材の曇りによる照度低下等の弊害の発生をより長時
間に渡って効果的に抑制することができる。また、第２
のフィルタ装置により化学的汚染物質が除去され、ケミ
カルクリーンとされた気体が第１のフィルタ装置に送り
込まれる。さらに、機械室内の外気の通路は、温度変動
を考慮しなくても良い場所なので、通過後における気体
の温度変動が大きくても、化学的汚染物質の除去能力が
大きいフィルタ装置を使用することにより、何ら支障無
く、化学的汚染物質を効果的に除去したケミカルクリー
ンな気体を第１のフィルタ装置に送り込むことも可能と
なる。従って、第１のフィルタ装置の寿命が長くなり、
長期間に渡って交換が不要となる。

【００３６】この場合において、請求項１７に記載の露
光装置の如く、前記機械室から前記本体チャンバを介し
て前記機械室に戻る前記気体の循環経路が構成されてい
ることとすることができる。

【００３７】上記請求項１〜１７に記載の各露光装置に
おいて、請求項１８に記載の露光装置の如く、前記基板
表面には、感光剤として化学増幅型レジストが塗布され
ていることとしても良い。かかる場合には、本体チャン
バ内をケミカルクリーンな状態に維持できるので、化学
増幅型レジストの表面難溶化現象をも低減することがで
きる。

【００３８】請求項１９に記載の発明は、リソグラフィ
工程を含むデバイス製造方法であって、前記リソグラフ
ィ工程において請求項１〜１８のいずれか一項に記載の
露光装置を用いて露光を行うことを特徴とするデバイス
製造方法である。

【００３９】これによれば、リソグラフィ工程におい
て、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の露光装置を
用いて露光が行われるので、長期に渡って光学材料の曇
りによる照度低下等の弊害の発生を抑制することがで
き、これにより高いスループットを維持して高集積度の
デバイスを生産性良く製造することができる。

【００４０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図１
〜図６に基づいて説明する。図１には、一実施形態に係
る露光装置１０の全体構成が概略的に示されている。

【００４１】この露光装置１０は、クリーンルーム内の
床面Ｆ上に設置された本体チャンバ１２と、この本体チ
ャンバ１２に隣接して配置された機械室１４とを備えて
いる。

【００４２】本体チャンバ１２の内部は、環境条件（清
浄度、温度、圧力等）がほぼ一定に維持され、その内部
空間内には、機械室１４側の１つの大部屋１６と、この
大部屋１６の機械室１４と反対側に上下２段に配置され
た２つの小部屋１８、２０とが設けられている。この
内、大部屋１６は、その内部に露光装置本体２２が収容
された露光室となっている。以下においては、この大部
屋１６を、露光室１６と呼ぶ。

【００４３】上記一方の小部屋１８は、その内部に、複
数枚のマスクとしてのレチクルを保管するレチクルライ
ブラリ８０、水平多関節型ロボットから成るレチクルロ
ーダ８２が、露光室１６と反対側から順次配置されてい
る。レチクルローダ８２によって、レチクルＲが露光装
置本体２２を構成する後述するレチクルステージＲＳＴ
上に搬入され、かつレチクルステージＲＳＴ上から搬出
される。本実施形態では、これらレチクルライブラリ８
０とレチクルローダ８２とによってマスク搬送系として
のレチクルローダ系が構成され、このレチクルローダ系
が小部屋１８に収容されている。そこで、以下において
は、小部屋１８を、レチクルローダ室１８と呼ぶものと
する。このレチクルローダ室１８によってマスク搬送系
収容室が構成されている。

【００４４】なお、レチクルローダ系は、上記構成に限
られるものではなく、例えば複数枚のレチクルを収容可
能なボトムオープンタイプの密閉式カセット（コンテ
ナ）をレチクルライブラリ８０の代わりに用いても良い
し、あるいはレチクルローダとして搬送アームをスライ
ドさせる機構を用いても良い。また、レチクル保管部
（レチクルライブラリ８０）とレチクルローダ８２とを
異なる部屋に配置しても良いし、あるいは前述の密閉式
カセットをレチクルローダ室１８の上部に載置し、その
気密性を維持した状態でボトムオープンにてレチクルを
レチクルローダ室１８内に搬入するようにしても良い。
すなわち、小部屋１８にはレチクルローダのみが配置さ
れていても良い。

【００４５】また、他方の小部屋２０は、その内部に、
複数枚の基板としてのウエハを保管するウエハキャリア
８４、ウエハキャリア８４に対してウエハを出し入れす
る水平多関節型ロボット８６及び該ロボット８６と露光
装置本体２２を構成する基板ステージとしてのウエハス
テージＷＳＴとの間でウエハを搬送するウエハ搬送装置
８８とが収容されている。本実施形態では、これらウエ
ハキャリア８４、ロボット８６及びウエハ搬送装置８８
によって基板搬送系としてのウエハローダ系が構成さ
れ、このウエハローダ系が小部屋２０に収容されてい
る。そこで、以下においては、小部屋２０をウエハロー
ダ室２０と呼ぶものとする。このウエハローダ室２０に
よって基板搬送系収容室が構成されている。

【００４６】なお、ウエハローダ系は、上記構成に限ら
れるものではなく、例えば多関節型のロボットのみでウ
エハローダ系を構成しても良いし、ウエハローダ室２０
内にウエハローダのみを配置しても良い。

【００４７】上記露光室１６、レチクルローダ室１８、
ウエハローダ室２０は、ステンレス（ＳＵＳ）あるいは
テフロン（登録商標）等の脱ガスの少ない素材から成る
給気経路としての給気管路２４及び伸縮可能な蛇腹状の
接続部２６を介して機械室１４に接続されている。

【００４８】前記露光室１６に収容された露光装置本体
２２は、ミラーＭ１，Ｍ２を含む照明光学系２８、この
照明光学系２８の下方に配置された投影光学系ＰＬ、こ
の投影光学系ＰＬと照明光学系２８との間に配置され、
マスクとしてのレチクルＲを保持するレチクルステージ
ＲＳＴ、投影光学系ＰＬの下方に配置され、基板として
のウエハＷを保持するウエハステージＷＳＴ、及び投影
光学系ＰＬを保持するとともにウエハステージＷＳＴが
搭載された本体コラム３０等を備えている。

【００４９】照明光学系２８は、ミラーＭ１，Ｍ２の
他、オプティカルインテグレータ、視野絞り（いずれも
図示省略）等を含み、これらの光学部材が不図示の照明
系ハウジング内に所定の位置関係で収容されて成る。こ
の照明光学系２８は、不図示の引き回し光学系（リレー
光学系）を介して不図示の光源としてのＫｒＦエキシマ
レーザ（出力波長２４８ｎｍ）あるいはＡｒＦエキシマ
レーザ（出力波長１９３ｎｍ）等のエキシマレーザに接
続されている。上記の引き回し光学系は、その少なくと
も一部にビーム・マッチング・ユニットと呼ばれる、光
源と照明光学系２８との間の光軸調整用の光学系を含
む。また、図示は省略されているが、照明光学系２８が
収容される照明系ハウジング、上記引き回し光学系が収
容される筐体（鏡筒）は、それぞれ内部が不活性ガス
（例えば窒素、ヘリウムなど）でパージされ、清浄度が
極めて良好に維持されるようになっている。

【００５０】なお、照明光学系２８の少なくとも一部を
露光室１６の外部に配置しても良いし、これに加えて、
あるいは単独で、光源、引き回し光学系、及び照明光学
系２８を除く残りの一部（例えばウエハステージＷＳＴ
など）を露光室とは別の筐体内に配置しても良い。この
場合、上記別の筐体は、露光室の内部に配置しても良い
し、露光室外に配置しても良い。要は、露光室１６内に
は露光装置本体の少なくとも一部が配置されていれば良
く、露光室１６内に配置する部材やその構成は任意で構
わない。

【００５１】前記本体コラム３０は、本体チャンバ１２
の底面上に設置されたベースプレートＢＰの上方に複数
の防振台３２を介して支持されている。この本体コラム
３０は、防振台３２によって支持されたメインコラム３
４と、このメインコラム３４上部に立設されたサポート
コラム３６とを有している。メインコラム３４の天井面
を成すメインフレームにファーストインバと呼ばれる不
図示の保持部材を介して投影光学系ＰＬがその光軸方向
を上下方向として保持されている。この投影光学系ＰＬ
としては、ここでは、投影倍率が１／４あるいは１／５
の縮小光学系が用いられている。サポートコラム３６
は、不図示の照明系ハウジングの少なくとも一部を下方
から支持している。

【００５２】ウエハステージＷＳＴは、メインコラム３
４の底板を構成するステージベース上で不図示の平面モ
ータやリニアモータ等の駆動装置によって２次元方向に
駆動される。このウエハステージＷＳＴの上面には、ウ
エハホルダ３８を介してウエハＷが真空吸着等によって
固定されている。ウエハステージＷＳＴのＸＹ面内の位
置、及び回転量（ヨーイング量、ピッチング量、及びロ
ーリング量の少なくとも１つ）は、ウエハステージＷＳ
Ｔ上に設けられた不図示の移動鏡を介して干渉計として
のレーザ干渉計ＩＦによって例えば０．５〜１ｎｍ程度
の分解能で計測されている。

【００５３】前記レチクルステージＲＳＴは、メインコ
ラム３４の上面に設けられた不図示のセカンドインバと
呼ばれる支持部材の天井部を構成する不図示のレチクル
ステージベース上に載置されている。このレチクルステ
ージＲＳＴは、露光装置本体２２が静止露光を行うタイ
プの場合には、水平面内で微少駆動可能に構成され、走
査露光を行うタイプの場合には、上記に加え、所定の走
査方向に所定ストローク範囲で駆動可能に構成される。

【００５４】このようにして構成された露光装置本体２
２によると、不図示のエキシマレーザから出射されたパ
ルス紫外光が、各種レンズやミラー等からなる照明光学
系２８で必要な大きさ、及び照度均一性に整形されて、
所定のパターンが形成されたレチクルＲを照明し、この
レチクルＲに形成されたパターンが投影光学系ＰＬを介
してウエハステージＷＳＴ上に保持されたウエハＷ上の
各ショット領域に縮小転写されるようになっている。

【００５５】本実施形態では、ウエハＷとして、例え
ば、その表面に感光剤としてポジ型の化学増幅型レジス
トが塗布されたものが使用される。

【００５６】本体チャンバ１２内における前記給気管路
２４の一端（機械室１４側の端部）には、第１のフィル
タ装置としてのケミカルフィルタＣＦ１ａが配置されて
いる。なお、このケミカルフィルタＣＦ１ａの構成等に
ついては、後に詳述する。

【００５７】給気管路２４の他端側は、２つに分岐さ
れ、その一方の分岐路２４ａはレチクルローダ室１８に
接続され、そのレチクルローダ室１８側の噴き出し口の
部分には、レチクルローダ室１８内に流入する空気中の
パーティクルを除去するＵＬＰＡフィルタ（ultra low
penetration air-filter）及びフィルタプレナムから成
るフィルタボックスＡＦ１が設けられている。また、レ
チクルローダ室１８のフィルタボックスＡＦ１と反対側
には、リターン部４０が設けられ、このリターン部４０
の外側の部分に排気経路としてのリターンダクト４２の
一端が接続され、このリターンダクト４２の他端側は機
械室１４の底面の一部に接続されている。

【００５８】前記分岐路２４ａには、更に分岐路２４ｃ
が設けられ、この分岐路２４ｃは、ウエハローダ室２０
に接続され、そのウエハローダ室２０側の噴き出し口の
部分には、ウエハローダ室２０内に流入する空気中のパ
ーティクルを除去するエアフィルタとしてのＵＬＰＡフ
ィルタ及びフィルタプレナムから成るフィルタボックス
ＡＦ２が設けられている。また、ウエハローダ室２０の
フィルタボックスＡＦ２と反対側には、リターン部４４
が設けられ、このリターン部４４のウエハローダ室２０
と反対側には、リターンダクト４２に連通する排気口が
設けられている。

【００５９】また、前記他方の分岐路２４ｂは、レチク
ルローダ室１８の露光室１６との境界部に形成された噴
き出し口９０のレチクルローダ室１８側に配置された露
光室１６内に流入する空気中のパーティクルを除去する
ＵＬＰＡフィルタ及びフィルタプレナムから成るフィル
タボックスＡＦ３に接続されている。そして、噴き出し
口９０から均一な気流がサイドフローにて露光室１６の
上部空間に送り込まれるようになっている。噴き出し口
９０が形成されたレチクルローダ室１８と露光室１６と
の境界部分には、図１のＡ−Ａ線断面図である図２に示
されるように、レチクル搬送エリア９２を除いて、その
周囲に複数のフィルタボックスＡＦ３が配置されてい
る。

【００６０】また、露光室１６の底部の機械室１４側に
は、図１に示されるように、リターン部４６が設けら
れ、このリターン部４６下方のチャンバ１２の底壁に
は、排気経路としてのリターンダクト４８の一端側に連
通する排気口が形成され、リターンダクト４８の他端側
は機械室１４の底面の一部に接続されている。

【００６１】前記機械室１４底部の本体チャンバ１２と
反対側には、外気取り入れ口としてのＯＡ口５０が形成
され、このＯＡ口５０部分に対向して第２のフィルタ装
置としてのケミカルフィルタＣＦ２ｂが配置されてい
る。本体チャンバ１２内、特に露光室１６内は、清浄度
を保つために、外部に対して常に陽圧に保たれており、
そのため本体チャンバ１２の前面等や不図示のインライ
ンインターフェイス部等から空気が外部に漏れており、
この漏れ分の外気を取り入れるため、ＯＡ口５０が設け
られている。また、本実施形態では、化学増幅型レジス
トのいわゆるＴシェイプ対策のため等の目的で、ＯＡ口
５０を介して装置内部に取り込まれる空気中の化学的汚
染物質（不純物）を除去して清浄な空気のみを装置内に
取り入れるため、ケミカルフィルタＣＦ２ｂがＯＡ口５
０部分に設けられている。なお、このケミカルフィルタ
ＣＦ２ｂの構成等については後に詳述する。

【００６２】機械室１４内部の高さ方向中央やや下側の
位置には、冷却装置としてのクーラー（ドライコイル）
５２が設けられている。このクーラー５２の出口部分に
は、クーラー表面の温度を検出する第１温度センサ５４
が配置されている。この第１温度センサ５４の検出値
は、制御装置７０（図１では図示せず、図３参照）に供
給されている。

【００６３】機械室１４内の空気通路のクーラー５２上
方には、クーラー５２から所定間隔を隔てて加熱装置と
しての第１ヒータ５６が配置されている。この第１ヒー
タ５６上方の機械室１４の出口部分には、気体供給用フ
ァンとしての第１送風機５８が配置されている。

【００６４】また、機械室１４内の空気通路の第１ヒー
タ５６の下方には、クーラー５２を下方から上方に通過
した空気の約１／５が流れ込む分岐路６０が設けられ、
この分岐路６０の機械室１４側の端部は、伸縮可能な蛇
腹状部材６０ａにより構成されている。分岐路６０の蛇
腹状部材６０ａより機械室１４と反対側の部分は、露光
室１６内に配置されている。分岐路６０内には、加熱装
置としての第２ヒータ６２、気体供給用ファンとしての
第２送風機６４が順次配置され、この第２送風機６４の
機械室１４と反対側に、ウエハステージＷＳＴ近傍に対
する空気の噴き出し口が形成されている。なお、クーラ
ー５２、第１ヒータ５６、第２ヒータ６２により、温度
調整装置が構成され、この温度調整装置、第１送風機５
８、第２送風機６４及びこれらの制御系等により、環境
制御装置としての空調装置が構成されている。

【００６５】本実施形態では、環境制御装置によって、
フィルタ装置を通過する気体として、相対湿度５０％程
度で、温度が２３℃前後に設定されるものとするが、フ
ィルタ装置を通過する気体としては、相対湿度３０〜７
０％、温度２０〜３０℃の間に設定されれば良い。

【００６６】ウエハステージＷＳＴ近傍の、第２送風機
６４から送られる空気の噴き出し口部分に第１のフィル
タ装置としてのケミカルフィルタＣＦ１ｂ、ＵＬＰＡフ
ィルタ及びフィルタプレナムから成るフィルタボックス
ＡＦ４が配置されている。これらケミカルフィルタＣＦ
１ｂ、フィルタボックスＡＦ４が設けられた噴き出し口
に対向して、露光室１６のウエハローダ室２０寄りの部
分には、排気経路としてのリターンダクト６６の一端側
の開口端が配置され、このリターンダクト６６の他端側
は機械室１４の底面の一部に接続されている。なお、ケ
ミカルフィルタＣＦ１ｂの構成等については後に詳述す
る。

【００６７】前記３つのリターンダクト４２，４８，６
６が接続された機械室１４の底面の一部には、開口が形
成され、この開口部に対向して第２のフィルタ装置とし
てのケミカルフィルタＣＦ２ａが設けられている。この
ケミカルフィルタＣＦ２ａは、機械室１４に設けられた
不図示の開閉扉を介して容易に出し入れできるようにな
っている。なお、このケミカルフィルタＣＦ２ａの構成
等については、後に詳述する。

【００６８】更に、機械室１４内のクーラー５２の下方
には、ドレインパン６８が配置されている。

【００６９】前記本体チャンバ１２内の前記給気管路２
４の分岐部の機械室１４寄りの部分には、給気管路２４
内部の空気の温度を検出する第２温度センサ７２が配置
されている。この第２温度センサ７２の検出値は、制御
装置７０（図１では図示せず、図３参照）に供給されて
いる。

【００７０】また、ケミカルフィルタＣＦ１ｂの上流側
には、第２送風機６４から送り出される空気の温度を検
出する第３温度センサ７４が配置されている。この第３
温度センサ７４の検出値は、制御装置７０（図１では図
示せず、図３参照）に供給されている。

【００７１】図３には、空調装置の温度制御に関連する
制御系の構成が簡略化して示されている。この制御系
は、マイクロコンピュータ（又はワークステーション）
から構成される制御装置７０を中心として構成されてい
る。

【００７２】次に、機械室１４の底面の一部に形成され
た開口部に対向して設けられた前記ケミカルフィルタＣ
Ｆ２ａと、ＯＡ口５０部分に対向して配置された前記ケ
ミカルフィルタＣＦ２ｂの構成例について、図４に基づ
いて説明する。

【００７３】図４には、ケミカルフィルタＣＦ２ａ，Ｃ
Ｆ２ｂとして用いられるフィルタ装置１３０が模式的に
示されている。この図４に示されるフィルタ装置１３０
は、化学的汚染物質を除去する性質を有するフィルタ媒
体１３４と、このフィルタ媒体１３４を保持する保持枠
１３２とを備えている。

【００７４】前記保持枠１３２は、気体の通過方向に対
する垂直断面が矩形状である枠状の部材であり、空気の
通過方向両側面（図４における紙面左右方向の両端面）
に開口部が形成されている。

【００７５】前記フィルタ媒体１３４は、保持枠１３２
の内部で保持枠１３２内を通過する気体（空気）の全て
が通過するような状態（気密状態）で保持されている。
このフィルタ装置１３０におけるフィルタ媒体１３４と
しては、ここでは、ハニカム状の構造をした炭素繊維が
用いられている。

【００７６】なお、図４に示されるように、フィルタ媒
体１３４は、空気の通過方向の幅がａとされ、その充填
率を以下ではｄと表すものとし、いずれの値も、フィル
タ装置１３０の化学的汚染物質を除去する能力、大きさ
及び設置スペース等を総合的に勘案して決定される。

【００７７】次に、本体チャンバ１２内の給気管路２４
の一端に設けられた第１のフィルタ装置としてのケミカ
ルフィルタＣＦ１ａ、及びウエハステージＷＳＴ近傍に
設けられたケミカルフィルタＣＦ１ｂの構成例等につい
て説明する。

【００７８】ケミカルフィルタＣＦ１ａ，ＣＦ１ｂとし
ては、例えば、図５に示される、第１の変温抑制ケミカ
ルフィルタ（以下、便宜上、「第１変温抑制フィルタ」
と呼ぶ）１２０₁や、図６に示される、第２の変温抑制
ケミカルフィルタ（以下、便宜上、「第２変温抑制フィ
ルタ」と呼ぶ）１２０₂等を用いることができる。

【００７９】第１変温抑制フィルタ１２０₁は、図５に
示されるように、フィルタ媒体（メディア）１２４と、
該フィルタ媒体１２４を保持する保持枠１２２とを備え
ている。保持枠１２２は、空気の通過方向（図５中の矢
印ｖで示される方向）に垂直な断面が矩形の枠部材から
成り、空気の通過方向両側面（図５における紙面左右方
向両端面）に開口部が形成されている。この保持枠１２
２は、フィルタ媒体１２４の外周部を隙間無く保持して
おり、保持枠１２２の内部空間に入り込んだ空気は全て
フィルタ媒体１２４を通過するようになっている。

【００８０】また、図５の第１変温抑制フィルタ１２０
₁では、フィルタ媒体１２４のみによってフィルタ部１
２６が構成されている。なお、この変温抑制フィルタ１
２０ ₁に、保持枠１２２を用いず、フィルタ部１２６を
所定の給気管路等に直接的に設けることも可能である。
この場合には、給気管路の壁面が実質的に保持枠の役目
を兼ねる。

【００８１】前記フィルタ媒体１２４としては、図４に
示されるフィルタ装置１３０を構成するフィルタ媒体１
３４と同様にハニカム状の構造を有する炭素繊維から成
るものが用いられている。

【００８２】フィルタ媒体１２４は、前述したフィルタ
媒体１３４と同一面積、同一厚さａを有するが、充填率
（密度に対応）がフィルタ媒体１３４の約半分のｄ／２
に設定されている。

【００８３】ところで、発明者等の得た知見によると、
気体中の化学物質を除去するフィルタ媒体（メディア）
は、一般に、気体の湿度と平衡する量の水分を含む性質
があり、湿度が高いほど多くの水を含む性質がある。従
って、本実施形態においても、ヒータ５６，６２により
空気が加熱され、ケミカルフィルタＣＦ１ａ，ＣＦ１ｂ
に送られる空気の湿度が下がると、それらのケミカルフ
ィルタＣＦ１ａ，ＣＦ１ｂのフィルタ部１２６を構成す
るフィルタ媒体１２４が水分を空気に対して補給するよ
うに放散し、フィルタ媒体１２４から蒸発潜熱が奪わ
れ、フィルタ媒体１２４の温度が低下する。その結果、
フィルタ媒体１２４を通過する空気の温度は、フィルタ
媒体１２４に入る前よりも通過後の方が低くなる。

【００８４】上記と反対に、クーラー５２により空気が
冷却され、ケミカルフィルタＣＦ１ａ，ＣＦ１ｂに送ら
れる空気の湿度が上がると、それらのケミカルフィルタ
ＣＦ１ａ，ＣＦ１ｂのフィルタ部１２６を構成するフィ
ルタ媒体１２４が空気中から増加した水分を取り込むよ
うに吸着し、吸着熱（凝縮熱）がフィルタ媒体１２４に
与えられ、フィルタ媒体１２４の温度が上昇する。その
結果、フィルタ媒体１２４を通過する空気の温度は、フ
ィルタ媒体１２４に入る前よりも通過後の方が高くな
る。

【００８５】このように、ヒータ及びクーラーにより一
定の温度に調整された空気であってもケミカルフィルタ
のフィルタ媒体１２４を通過させると、フィルタ媒体１
２４に入る前の空気中の湿度変動のために、上述したフ
ィルタ媒体１２４の性質により空気の温度変動が生じ
る。蒸発潜熱としてフィルタ媒体が奪われる熱量や吸着
熱としてフィルタ媒体が与えられる熱量は、フィルタ媒
体が吸着し、あるいは放出する水分量によって決まる。

【００８６】また、気体の温度は、与えられる又は奪わ
れる熱量と、通過する気体の量とによって決まる。すな
わち、同量の気体が通過したとき、フィルタ媒体が放散
あるいは吸着する水分の量が多いほど、与えられあるい
は奪われる熱量も多くなり、気体の温度変化も大きくな
る。従って、温度変動を抑制するためには、フィルタ媒
体が放散あるいは吸着する水分の量を減らすか、気体の
通過量を大きくすれば良い。気体の通過量を大きくする
には、例えば送風機として、より大型のものを用いたり
すれば良い。しかし、ケミカルフィルタで時間当たり除
去しなければならない化学的汚染物質の量も増加するた
め、化学的汚染物質の除去率低下の欠点が現れることか
ら、気体の通過量を大きくするには限界がある。

【００８７】そのため、前述の如く、第１変温抑制フィ
ルタ１２０₁を構成するフィルタ媒体１２４は、炭素繊
維の充填率が同一面積、同一厚さａを有する前述したフ
ィルタ媒体１３４の充填率の約半分のｄ／２に設定され
ている。従って、同一条件下では、フィルタ媒体１２４
と通過する空気との間における水分のやりとりの絶対量
は、フィルタ媒体１３４と通過する空気との間における
水分のやりとりの絶対量の約１／２となる。このよう
に、第１変温抑制フィルタ１２０₁を用いることによ
り、フィルタ媒体１２４が放散あるいは吸着する水分の
量をフィルタ装置１３０よりも減らして、これに応じて
通過した後における空気の温度変動を抑制することが可
能となる。

【００８８】なお、フィルタ媒体１２４を構成する炭素
繊維の充填率を低下させると、化学的汚染物質を吸着す
る能力も低下することが懸念されるが、気体中に含まれ
る化学的汚染物質は、含有率が数１０％もある水分と比
べると非常に微量であるため、フィルタ媒体１２４を構
成する炭素繊維の充填率とフィルタ媒体１２４の化学的
汚染物質を吸着する能力との間の関係は直線的な関係に
はない（比例しない）。すなわち、前述のようにフィル
タ媒体１２４を構成する炭素繊維の充填率を減らして
も、化学的汚染物質を吸着する能力が極端に低下するこ
とはない。従って、第１変温抑制フィルタ１２０₁によ
れば、気体中の化学的汚染物質を除去する能力をあまり
低下させることなく、通過する気体の温度変動を抑制す
ることが可能となる。

【００８９】次に、この第１変温抑制フィルタ１２０₁
の具体例とともに、これを用いた具体的な実験結果につ
いて説明する。なお、この実験は、図５に示されるよう
に、フィルタ通過前後の空気の温度を検出する通過前温
度センサ１４１、及び通過後温度センサ１４２が、第１
変温抑制フィルタ１２０₁の上流、下流それぞれに設け
られた通気経路１９を備える実験装置を用いて行った。
なお、この第１変温抑制フィルタ１２０₁の上流側に
は、空気の温度を制御する不図示の温度制御装置が設け
られており、目標温度に設定された空気が第１変温抑制
フィルタ１２０₁に対して供給されるようになってい
る。

【００９０】なお、この第１変温抑制フィルタ１２０₁
を用いた具体的な実験結果については、前述のフィルタ
装置１３０との比較で説明する。

【００９１】図５に示される実験装置を用い、約０．０
４３ｇ／ｃｍ³の密度をもつハニカム状の炭素繊維を充
填した厚さａ（＝５０ｍｍ）のフィルタ媒体１２４を用
いて第１変温抑制フィルタ１２０₁を構成し、図５に示
されるように、速度ｖ（＝０．５ｍ／ｓｅｃ）で空気を
通過させた。このとき、空気の目標温度を２３℃とし
た。また、第１変温抑制フィルタ１２０₁を通過する前
の空気の湿度変動は、図４に示されるフィルタ装置１３
０を通過した後の温度変動幅が２３℃±０．０３℃とな
るような変動幅をもつものとする。なお、このフィルタ
装置１３０は、密度が０．０９ｇ／ｃｍ³のハニカム状
の炭素繊維を充填した厚さａ（＝５０ｍｍ）のフィルタ
媒体１３４で構成されているものとする。

【００９２】このような速度、及び湿度変動のもとで、
第１変温抑制フィルタ１２０₁の実験を行うと、第１変
温抑制フィルタ１２０₁を通過した直後の空気の温度
（通過後温度センサ１４２で検出される）は、２３℃±
０．０１５℃となることが分かった。

【００９３】これより、フィルタ媒体１２４を通過した
直後の目標温度に対する温度誤差ΔＴ１と、フィルタ装
置１３０のフィルタ媒体１３４を通過した直後の目標温
度に対する温度誤差ΔＴ２の間には、ΔＴ１／ΔＴ２＝
０．５の関係があることが分かる。

【００９４】これより、第１変温抑制フィルタ１２０₁
は、フィルタ装置１３０に比べて、通過後における空気
の温度変動を約半分程度に抑制できることが確認され
た。また、第１変温抑制フィルタ１２０₁を用いること
により、通過後における空気の温度誤差の増加は、十分
に許容できる範囲にあり、本体チャンバ１２の露光室１
６内に設けられた露光装置本体２２の動作に殆ど悪影響
を与えない。

【００９５】なお、第１変温抑制フィルタ１２０₁の具
体的な例として、フィルタ媒体１２４の炭素繊維の充填
率を図４のフィルタ装置１３０を構成するフィルタ媒体
１３４の１／２とした場合について説明したが、化学物
質の除去能力の低下が許容できる範囲内で、更にフィル
タ媒体１２４の充填率を下げることも可能である。ある
いは、フィルタ媒体１２４の充填率が上記と同一の値で
あれば、その厚さａを薄くすることによっても、充填率
を下げた場合と同様に、通過後における空気の温度変動
を抑制することができる。

【００９６】また、上記第１変温抑制フィルタ１２０₁
においては、フィルタ媒体１２４全体の充填率が低く設
定されていたが、これに限らず、フィルタ媒体１２４の
一部分の充填率をその他の部分よりも低く設定しても良
い。この場合、フィルタ媒体１２４を気体の通過方向に
複数層に区分し、少なくとも１つの層の充填率をその他
の部分よりも低く設定しても良い。いずれにしても、フ
ィルタ媒体１３４と同程度の充填率のフィルタ媒体を全
体に用いるフィルタ装置と比べて、通過する気体の通過
後における温度変動を抑制することができる。

【００９７】次に、図１におけるケミカルフィルタＣＦ
１ａ，ＣＦ１ｂとして用いることができる第２変温抑制
フィルタ１２０₂について、図６に基づいて説明する。
ここで、前述した第１変温抑制フィルタ１２０₁と同一
若しくは同等の構成部分については同一の符号を用いる
とともに、その説明を簡略化し若しくは省略するものと
する。

【００９８】第２変温抑制フィルタ１２０₂は、図６に
示されるように、保持枠１２２と、該保持枠１２２に前
述したフィルタ媒体１２４と同様にしてその周囲の部分
が保持された２つのフィルタ媒体（メディア）１２４
Ａ，１２４Ｂとを備えている。なお、前述した第１変温
抑制フィルタ１２０₁と同様、保持枠１２２を用いず、
フィルタ媒体１２４Ａ，１２４Ｂを所定の給気管路に直
接的に設けることも可能である。

【００９９】フィルタ媒体１２４Ａ，１２４Ｂは、矢印
ｖで示される空気の通過方向に沿って間隔ｂを隔てて配
置され、フィルタ媒体１２４Ａとフィルタ媒体１２４Ｂ
との間には、中間空間層１２８が形成されている。この
第２変温抑制フィルタ１２０ ₂では、フィルタ媒体１２
４Ａ，１２４Ｂと中間空間層１２８とによってフィルタ
部１２６が構成されている。フィルタ媒体１２４Ａ，１
２４Ｂは、前述と同様にハニカム状の構造を有する炭素
繊維から成り、気体の通過方向の厚さがａ／２であっ
て、図４に示されるフィルタ装置１３０を構成するフィ
ルタ媒体１３４の気体の通過方向厚さの１／２とされて
いる。また、各フィルタ媒体１２４Ａ，１２４Ｂの充填
率は、フィルタ媒体１３４の充填率と同一とされてい
る。

【０１００】ここで、この第２変温抑制フィルタ１２０
₂の作用について、図４に示されるフィルタ装置１３０
と比較しつつ、図６に基づいて説明する。

【０１０１】前述のように、第２変温抑制フィルタ１２
０₂を構成するフィルタ媒体１２４Ａは、図６に示され
るフィルタ媒体１３４の約１／２の厚さを有している。
このため、第２変温抑制フィルタ１２０₂を構成するフ
ィルタ媒体１２４Ａを通過し、中間空間層１２８に至る
空気は、フィルタ媒体１３４を通過する空気に比べて約
１／２の水分変化量となる。このように、フィルタ媒体
１２４Ａが放散するあるいは吸着する水分の量をフィル
タ装置１３０よりも減らしているので、これに応じてフ
ィルタ媒体１２４Ａの通過前後における空気の温度変動
を抑制することが可能となる。従って、フィルタ媒体１
２４Ａを通過し、中間空間層１２８に到達した気体は、
フィルタ媒体１２４Ａの通過前の湿度変動に対して、通
過後の湿度変動が小さくなっている。

【０１０２】すなわち、フィルタ媒体１２４Ａは、下流
側のフィルタ媒体１２４Ｂに送られる空気の湿度変動を
小さく調整する役割を果たしている。

【０１０３】従って、中間空間層１２８に到達した気体
は、図４のフィルタ媒体１３４の約１／２の厚さで形成
されたフィルタ媒体１２４Ａを通過することにより、図
４のフィルタ媒体１３４を通過した後の気体の温度変動
に対して、約１／２の変動に抑制される。また、湿度変
動もフィルタ媒体１２４Ａの通過前後では小さくなって
いる。このため、下流側のフィルタ媒体１２４Ｂを中間
空間層１２８の気体が通過するときには、気体とフィル
タ媒体１２４Ｂとの間で、水分の放散あるいは吸収が行
われるが、フィルタ媒体１２４Ｂを通過した後の温度変
動にはほとんど寄与しない。

【０１０４】なお、第２変温抑制フィルタ１２０₂はフ
ィルタ媒体１２４Ａとフィルタ媒体１２４Ｂとに分割す
ることにより、温度変動がフィルタ装置１３０より抑制
されているが、フィルタ媒体１２４Ａとフィルタ媒体１
２４Ｂのトータル厚さは、図４のフィルタ装置１３０を
構成するフィルタ媒体１３４と同等の厚さとなるので、
気体中から化学物質を除去する能力は、フィルタ装置１
３０と同等である。

【０１０５】次に、この第２変温抑制フィルタ１２０₂
の具体例とともに、これを用いた具体的な実験結果につ
いて説明する。なお、この実験に際しては、前述の第１
変温抑制フィルタ１２０₁の場合と同様の実験装置が用
いられる。

【０１０６】なお、第２変温抑制フィルタ１２０₂を用
いた具体的な実験結果については、前述した第１変温抑
制フィルタ１２０₁の場合と同様、図４のフィルタ装置
１３０との比較で説明する。

【０１０７】気体の通過方向の厚さがａ／２（＝２５ｍ
ｍ）であるフィルタ媒体１２４Ａ，１２４Ｂ（密度はそ
れぞれ約０．０９ｇ／ｃｍ³）を間隔ｂ（＝１０ｍｍ）
の中間空間層１２８を介して配置し、気体通過方向のフ
ィルタ媒体の全幅を実質５０ｍｍになるように第２変温
抑制フィルタ１２０₂を構成し、図６に示されるよう
に、速度ｖ（＝０．５ｍ／ｓｅｃ）で空気を通過させ
た。このとき、空気の目標温度を２３℃とした。また、
第２変温抑制フィルタ１２０₂を通過する前の空気の湿
度変動は、図４に示されるフィルタ装置１３０を通過し
た後の温度変動幅が２３℃±０．０３℃となるような変
動幅を持つものとする。

【０１０８】このような速度、及び湿度変動のもとで、
第２変温抑制フィルタ１２０₂の実験を行うと、第２変
温抑制フィルタ１２０₂を通過した直後の空気の温度
（通過後温度センサ１４２で計測される）は、２３℃±
０．０１５℃となることが実験の結果分かった。

【０１０９】これより、フィルタ部１２６を通過した直
後の目標温度に対する温度誤差ΔＴ１とフィルタ装置１
３０を通過した直後の目標温度に対する温度誤差ΔＴ２
の間には、ΔＴ１／ΔＴ２＝０．５の関係があることが
わかる。

【０１１０】これより、第２変温抑制フィルタ１２０₂
を用いる場合には、図４のフィルタ装置１３０を用いる
場合に比べて、通過後における空気の温度変動を約半分
程度に抑制できることが確認された。また、第２変温抑
制フィルタ１２０₂を用いることにより、通過後におけ
る空気の温度誤差の増加は、十分に許容できる範囲にあ
り、本体チャンバ１２内部の露光室１６内に配置された
露光装置本体２２の動作に殆ど悪影響を与えない。

【０１１１】この場合、気体の通過方向のフィルタ媒体
の厚さの合計が図４のフィルタ装置１３０と同一で、か
つ充填率も同一であるフィルタ媒体を使用することがで
きるので、化学物質の除去能力を低下させることがな
い。

【０１１２】なお、上記の説明では、第２変温抑制フィ
ルタ１２０₂を構成するフィルタ部１２６は、図４のフ
ィルタ装置１３０を構成するフィルタ媒体１３４の１／
２の厚さを有する２つのフィルタ媒体１２４Ａ，１２４
Ｂを有するものとしたが、これに限らず、気体の通過方
向の厚さの合計が一定であれば、フィルタ部１２６を構
成するフィルタ媒体の数、及び各フィルタ媒体の厚さに
ついては、任意とすることができる。例えば、フィルタ
媒体の数が２つで、それぞれのフィルタ媒体の厚さを、
図４のフィルタ装置１３０を構成するフィルタ媒体の１
／３（厚さａ／３），２／３（厚さ２ａ／３）とした
り、フィルタ媒体の数が３つで、それぞれのフィルタ媒
体の厚さを、図４のフィルタ装置１３０を構成するフィ
ルタ媒体１３４の厚さの１／３（厚さａ／３）としても
良い。

【０１１３】また、各フィルタ媒体１２４Ａ，１２４Ｂ
の間の中間空間層１２８の幅ｂも任意に設定可能であっ
て、第２変温抑制フィルタ１２０₂の気体通過方向の全
幅と、フィルタの化学物質を除去する性能を考慮して、
設計上、最適な幅(厚さ）とすることができる。

【０１１４】また、上記第２変温抑制フィルタ１２０₂
としては、フィルタ装置１３０を構成するフィルタ媒体
１３４と同一の充填率を有するフィルタ媒体１２４Ａ，
１２４Ｂを用いたが、これに限らず、一方のフィルタ媒
体の充填率を他方の充填率よりも低くしても良いし、あ
るいは、一方のフィルタ媒体の一部の充填率を低くした
り、両方のフィルタ媒体の一部の充填率を低くしても良
い。このように、フィルタ媒体の一部の充填率を低くす
ると、フィルタ媒体による気体中の水分の吸着、気体中
への水分の放出をより抑制することが可能となるので、
フィルタ部通過後の目標温度に対する温度誤差をより小
さくすることが可能となる。

【０１１５】次に、上述のようにして構成された露光装
置における空調について図３を適宜参照しつつ、図１に
基づいて説明する。

【０１１６】まず、制御装置７０により、第１、第２送
風機５８，６４が作動され、これにより、フィルタボッ
クスＡＦ１，ＡＦ２，ＡＦ３，ＡＦ４をそれぞれ介して
レチクルローダ室１８、ウエハローダ室２０、露光室１
６及び露光室１６内のウエハステージＷＳＴ近傍に、空
気が送り込まれ、前記各部の空調が行われる。この場
合、レチクルローダ室１８、ウエハローダ室２０内で
は、ダウンフローにより空調が行われる。また、露光室
１６内では、前述した露光動作中の露光装置本体２２の
各部の空調がサイドフローにより行われる。そして、リ
ターン部４０，４４をそれぞれ介してリターンダクト４
２に戻された空気、リターン部４６を介してリターンダ
クト４８に戻された空気、及びリターンダクト６６に戻
された空気は、これらのリターンダクトの機械室１４側
の出口（本実施形態では機械室１４の入口）部分に設け
られたケミカルフィルタＣＦ２ａを通過する。このケミ
カルフィルタＣＦ２ａを通過中に、各リターンダクト４
２，４８，６６内の空気に含まれる化学的汚染物質がケ
ミカルフィルタＣＦ２ａによって吸着除去される。

【０１１７】そして、このケミカルフィルタＣＦ２ａを
通過したケミカルクリーンな空気は、ＯＡ口５０を介し
て露光装置外から取り入れられ、ケミカルフィルタＣＦ
２ｂを通過したケミカルクリーンな空気と一緒になって
空調装置を構成するクーラー５２によって所定温度まで
冷却される。この場合において、本実施形態では、制御
装置７０により、第１温度センサ５４の出力をモニタし
つつ、クーラー５２の冷却動作が制御され、この際、ク
ーラー部分を通過する空気の湿度、圧力においてクーラ
ー表面に結露が生じない程度の温度、例えば５℃より僅
かに高い温度ないしは１５℃前後まで冷却される。この
ように、クーラー５２表面には、結露が生じないので、
本実施形態ではドレイン配管系を設けていない。但し、
第１温度センサ５４の故障や、クーラー５２の何らかの
不具合の発生により、上述したようなクーラー５２の表
面温度制御が困難となるおそれがある。そこで、本実施
形態ではかかる非常事態を考慮して、ドレインパン６８
を設けているのである。

【０１１８】そして、クーラー５２を通過して所定温度
まで冷却された空気は、約８０％が第１ヒータ５６に送
り込まれ、残りの約２０％が分岐路６０内の第２ヒータ
６２に送り込まれ、それぞれの目標温度まで加熱され
る。この場合、制御装置７０では、第２温度センサ７２
の検出値に基づいて第１ヒータ５６をフィードバック制
御するとともに、第３温度センサ７４の検出値に基づい
て第２ヒータ６２をフィードバック制御する。この場
合、給気管路２４を介して露光室１６等の内部に噴き出
される空気の目標温度（温度制御範囲を含む）と、分岐
路６０を介してウエハステージＷＳＴ近傍に噴き出され
る空気の目標温度（温度制御範囲を含む）とは、それぞ
れ個別に設定することができる。

【０１１９】そして、第１、第２ヒータ５６，６２によ
りそれぞれの目標温度まで加熱された化学的に相当に清
浄な空気は、第１、第２送風機５８，６４により、ケミ
カルフィルタＣＦ１ａ，ＣＦ１ｂにそれぞれ送り込まれ
る。そして、ケミカルフィルタＣＦ１ａを通過した空気
は、本体チャンバ１２内の給気管路２４及びフィルタボ
ックスＡＦ１，ＡＦ２，ＡＦ３をそれぞれ介して、レチ
クルローダ室１８、ウエハローダ室２０、露光室１６内
にそれぞれ送り込まれる。また、ケミカルフィルタＣＦ
１ｂを通過した空気は、フィルタボックスＡＦ４を通過
してウエハステージＷＳＴ（及びレーザ干渉計ＩＦ）の
近傍に送り込まれる。

【０１２０】空気中のパーティクルは、フィルタボック
スＡＦ１，ＡＦ２，ＡＦ３，ＡＦ４内のＵＬＰＡフィル
タをそれぞれ通過することにより、ほぼ確実に除去され
るので、レチクルローダ室１８、ウエハローダ室２０、
露光室１６内及びウエハステージＷＳＴ近傍には、パー
ティクル及び化学的汚染物質等の微小粒子を含まないと
いう意味で清浄度の高い空気のみが供給され、この清浄
な空気によってレチクルローダ系、ウエハローダ系、露
光装置本体２２が空調される。そして、この空調が終了
し、露光装置本体２２等からの脱ガスに起因する化学的
汚染物質を含む化学的に汚れた空気が、リターンダクト
４２，４８，６６内に戻され、以後、上述したようにし
て各部の空調が繰り返し行われる。

【０１２１】ここで、変温抑制フィルタ１２０₁（ある
いは１２０₂）から成るケミカルフィルタＣＦ１ａ，Ｃ
Ｆ１ｂ、及びフィルタ装置１３０から成るケミカルフィ
ルタＣＦ２ａ，ＣＦ２ｂをそれぞれ図１に示される位置
に配置した理由について説明する。

【０１２２】第１の理由は、それぞれのフィルタ装置の
特性を考慮したものである。すなわち、変温抑制フィル
タ１２０₁（あるいは１２０₂）は、化学的汚染物質の除
去能力がフィルタ装置１３０に比べて劣る反面、通過す
る気体の温度変動の抑制能力が高いので、シビアな温調
が要求される場所に配置することによって、より効果的
な使用ができる。そこで、本実施形態では、ケミカルフ
ィルタＣＦ１ａ，ＣＦ１ｂを、それぞれ露光室１６内等
に対する給気経路中に配置し、空気の温度変動の増加に
起因する露光精度の低下等を極力抑制することとした。
この一方、フィルタ装置１３０は、化学的汚染物質の除
去能力に優れ、通過する気体の温度変動抑制能力が劣る
ため、温度変動が殆ど問題とならず、化学的汚染物質の
除去能力が要請される場所に配置することによって、よ
り効果的な使用ができる。そこで、外部から空気が取り
入れられる部分やリターンダクトから空気が戻ってくる
部分に、ケミカルフィルタＣＦ２ａ，ＣＦ２ｂ（フィル
タ装置１３０）を配置したのである。

【０１２３】第２の理由は、二種類のフィルタ、すなわ
ち変温抑制フィルタ１２０₁（あるいは１２０₂）と、フ
ィルタ装置１３０との組み合わせによる利点を考慮した
ものである。すなわち、フィルタ装置１３０によって化
学的汚染物質が効果的に除去された空気が、変温抑制フ
ィルタ１２０₁（あるいは１２０₂）に送り込まれる構成
を採用することにより、変温抑制フィルタ１２０₁（あ
るいは１２０₂）のフィルタ部を構成するフィルタ媒体
として、炭素繊維の充填率が低く、温度変動抑制効果が
大きなフィルタ媒体を採用しても、露光室１６等の内部
のケミカルクリーン度を十分に高く維持することができ
る。また、この場合、変温抑制フィルタ１２０₁（ある
いは１２０₂）の汚れを抑制できるので、長期間に渡っ
てこれらの変温抑制フィルタ１２０₁（あるいは１２
０₂）の交換が不要になるという利点もある。

【０１２４】以上詳細に説明したように、本実施形態に
よれば、気体中から化学的汚染物質を除去するととも
に、通過後における気体の温度変動を所定範囲内に抑制
する変温抑制フィルタ１２０₁（あるいは１２０₂）から
成るケミカルフィルタＣＦ１ａ，ＣＦ１ｂが、機械室１
４から本体チャンバ１２に至る通気経路としての給気管
路２４、分岐路６０の一部にそれぞれ配置されている。
このため、ケミカルフィルタＣＦ１ａ，ＣＦ１ｂの下流
側の通気路を含む空間（具体的には、上記実施形態にお
いては、露光室１６、レチクルローダ室１８、ウエハロ
ーダ室２０の内部空間、ウエハステージＷＳＴ近傍の空
間）は、化学的汚染物質が除去されたケミカルクリーン
な雰囲気となる。また、機械室１４内に大部分が収容さ
れた空調装置によって目標温度に設定された空気が、ケ
ミカルフィルタＣＦ１ａ，ＣＦ１ｂ通過することにより
その通過後における温度変動が抑制される。

【０１２５】この場合、本体チャンバ１２内には、露光
装置本体２２が収容された露光室１６が設けられ、該露
光室１６に対して供給される空気の供給経路である給気
管路２４にケミカルフィルタＣＦ１ａが配置されている
ため、化学的汚染物質が十分に除去された化学的清浄度
の高い（ケミカルクリーンな）空気が温度変動が抑制さ
れた状態で露光室１６内に供給される。従って、露光装
置本体２２の周辺雰囲気をケミカルクリーンな状態にす
ることが可能となる。これにより照明光学系内等の光学
部材の曇りによる照度低下等の弊害の発生を長時間に渡
って効果的に抑制することができる。

【０１２６】また、露光装置本体２２は、ウエハＷを保
持するウエハステージＷＳＴと該ウエハステージＷＳＴ
の位置を計測する干渉計ＩＦとを有し、ウエハステージ
ＷＳＴと干渉計ＩＦとが配置される露光室１６内の一部
空間に対して供給される空気の供給経路に、ケミカルフ
ィルタＣＦ１ｂが配置されている。このため、いわゆる
空気揺らぎ（温度揺らぎ）に起因する干渉計ＩＦの計測
誤差を可能な限り抑制して、特に精度が要求されるウエ
ハステージＷＳＴの位置制御を要求される精度で実現す
ることができる。

【０１２７】また、本体チャンバ１２内には、露光装置
本体２２のウエハステージＷＳＴに対してウエハＷを搬
入し、かつウエハステージＷＳＴからウエハＷを搬出す
るウエハローダ系（８４，８６，８８）が収容されたウ
エハローダ室２０が設けられ、ウエハローダ室２０にも
ケミカルフィルタＣＦ１ａを通過した空気が供給される
ようになっている。このため、ウエハローダ室２０内を
ケミカルクリーン、かつ温度の安定した状態とすること
ができる。

【０１２８】また、本体チャンバ１２内には、露光装置
本体２２のレチクルステージＲＳＴに対してレチクルＲ
を搬入し、かつレチクルステージＲＳＴからレチクルＲ
を搬出するレチクルローダ系（８０，８２）が収容され
たレチクルローダ室１８が設けられ、レチクルローダ室
１８にもケミカルフィルタＣＦ１ａを通過した空気が供
給されるようになっている。レチクルローダ室１８内を
ケミカルクリーン、かつ温度が安定した状態とすること
ができる。

【０１２９】また、本実施形態の露光装置１０では、機
械室１４から本体チャンバ１２を介して機械室１４に戻
る空気の循環経路が構成され、本体チャンバ１２から機
械室１４に戻る排気経路（４２，４８，６６）と、機械
室１４に設けられたＯＡ口５０から取り入れられる外気
の通路とに第１のフィルタ装置に比べて化学的汚染物質
の除去率の高いケミカルフィルタＣＦ２ａ，ＣＦ２ｂが
それぞれ配置されている。このため、本体チャンバ１２
から機械室１４に戻る排気経路に配置されたケミカルフ
ィルタＣＦ２ａにより、露光装置本体２２で発生した脱
ガスに起因する空気中の化学的汚染物質が、効率的に除
去される。また、機械室１４内のＯＡ口５０から取り入
れられる外気の通路に配置されたケミカルフィルタＣＦ
２ｂにより化学的汚染物質が除去されたケミカルクリー
ンな外気が装置内に取り入れられる。そして、これらの
空気が、再度空調装置によりケミカルフィルタＣＦ１
ａ、ＣＦ１ｂそれぞれを介して本体チャンバ１２内に供
給される。従って、本体チャンバ１２内の露光装置本体
２２周辺の雰囲気を化学的に清浄度の高い状態（ケミカ
ルクリーンな状態）に保つことができ、これにより光学
部材の曇りによる照度低下等の弊害の発生をより長時間
に渡って効果的に抑制することができる。また、これら
のケミカルフィルタＣＦ２ａ，ＣＦ２ｂにより化学的汚
染物質が除去されたケミカルクリーンな空気が、ケミカ
ルフィルタＣＦ１ａ，ＣＦ１ｂに送り込まれる。さら
に、本体チャンバから機械室に戻る排気経路や機械室内
の外気の通路は、いずれも温度変動を考慮しなくても良
い場所なので、通過後における気体の温度変動が大きく
ても、何らの支障も生じないので、化学的汚染物質の除
去能力が大きいフィルタ装置を使用することができる。
従って、ケミカルフィルタＣＦ１ａ，ＣＦ１ｂの寿命が
長くなり、長期間に渡って交換が不要となる。

【０１３０】また、ケミカルフィルタＣＦ１ａより下流
の給気管路２４の少なくとも内壁部分は、ＳＵＳあるい
はテフロン（登録商標）等の脱ガスの少ない素材によっ
て形成されていることから、ケミカルフィルタＣＦ１ａ
より下流の給気管路部分で脱ガスが殆ど生じないので、
真にケミカルクリーンな空気を露光装置本体２２が収容
された露光室１６、レチクルローダ室１８、ウエハロー
ダ室２０に対して送り込むことができる。

【０１３１】なお、上記実施形態では、温度調整装置と
してクーラー５２及びヒータ５６，６２を備えるものと
したが、本発明に係る温度調整装置がこれに限定される
ものではない。例えば、露光の際に、露光装置本体２２
の周辺雰囲気は、露光光のエネルギにより高温となり、
かつ、露光室１６から排出される空気がリターン部を介
して再び温度調整装置に戻る循環系を備える、上記実施
形態のような場合には、温度調整装置に戻る空気の温度
は、設定温度（目標温度）よりも必ず高くなるので、ク
ーラーのみを備えることとしても良い。かかる場合に
は、目標温度以上に加熱された気体をクーラーにより冷
却することで、ケミカルフィルタＣＦ１ａ，ＣＦ１ｂ通
過前の気体の温度を所定範囲内に調整することができ
る。

【０１３２】また、目標温度以下に冷却された気体が外
部から供給される場合等には、その気体をヒータにより
加熱することで、フィルタ装置通過前の気体の温度を目
標温度に対して所定範囲内に調整することができるの
で、ヒータのみが設けられていても良い。

【０１３３】また、上記実施形態では、本体チャンバ１
２内に空調用の気体が循環供給される場合について説明
したが、これに限らず、本体チャンバ１２内に外部から
機械室１４を経由してケミカルフィルタＣＦ１ａ，ＣＦ
１ｂを通過後、本体チャンバ１２内に空気が供給され、
本体チャンバ１２から外部に排出されるような構成を採
用することも可能である。かかる場合にも、機械室１４
などに設けられる外気取り入れ口には、化学的汚染物質
の除去率の高いフィルタ装置を配置することが望まし
い。かかる場合にも、上記実施形態と同様の効果が期待
できる。

【０１３４】なお、上記実施形態で説明した変温抑制フ
ィルタ１２０₁，１２０₂及びフィルタ装置１３０等で挙
げた数値、例えばフィルタ媒体を構成する炭素繊維の密
度及び気体の通過方向の総厚さ等の具体的な数値は、一
例に過ぎず、その数値に本発明が限定されるものではな
い。

【０１３５】また、上記実施形態では、フィルタ装置１
３０及び変温抑制フィルタ１２０₁，１２０₂のフィルタ
部１２６を構成するフィルタ媒体として、ハニカム状の
構造を有する炭素繊維を用いる場合について説明した
が、これに限らず、これらのフィルタ媒体として、酸性
物質、アルカリ性物質、有機物の少なくとも１つを除去
する性質を有する材料、具体的には、カチオン成分及び
アニオン成分の一方を活性炭やセラミック等の多孔質部
材に添着させた添着型や、イオン交換基を有する繊維、
樹脂シート等から成るイオン交換型、及び粒状活性炭、
粉末状活性炭、セラミック等の多孔質部材から成る物質
吸着型を用いることもできる。

【０１３６】フィルタ媒体として炭素繊維以外の前述し
た各種の材料から成るフィルタ媒体を用いた場合であっ
ても、フィルタ装置の水分吸着及び放出を抑制するため
に、フィルタ媒体の充填率を低下させたり、複数のフィ
ルタ媒体の間に空間を設けるという概念を採用すること
により、上記と同等の効果を得ることができる。

【０１３７】また、特に、前述した第２変温抑制フィル
タ１２０₂においては、フィルタ部を構成する複数のフ
ィルタ媒体としては、それぞれ同じ材料から成るフィル
タ媒体である必要はなく、アルカリ性物質を除去するた
めのフィルタ媒体、酸性物質を除去するためのフィルタ
媒体、有機物質を除去するためのフィルタ媒体を組み合
わせることも可能である。

【０１３８】なお、上記実施形態中に挙げた第１変温抑
制フィルタ、第２変温抑制フィルタの実験例は、フィル
タ媒体として炭素繊維を用いた場合の実験結果であっ
て、上記その他の材料から成るフィルタ媒体を用いる場
合には、フィルタ媒体の単位重量当たりの水分脱吸着量
が異なるため、実験結果は当然に異なり、フィルタを設
計する上での最適値（フィルタ媒体の充填率や気体の通
過方向の幅）も異なる。

【０１３９】また、上記実施形態では、ケミカルフィル
タＣＦ１ａ，ＣＦ１ｂ，ＣＦ２ａ，ＣＦ２ｂとして、活
性炭フィルタあるいはゼオライトフィルタなどが用いら
れても良く、この場合、通常クリーンルーム内及び露光
装置内で生じる化学的不純物の殆ど全てを除去可能であ
る。すなわち、チャンバ内や、投影光学系及び照明光学
系における光学素子間の空間内に存在する不純物とし
て、シロキサン（Ｓｉ−Ｏの鎖が軸の物質）あるいはシ
ラザン（Ｓｉ−Ｎの鎖が軸の物質）等のシリコン系の有
機物が問題となる。これを更に詳述すると、シロキサン
は、Ｓｉ−Ｏの鎖が輪となった「環状シロキサン」とい
う物質が、投影露光装置で用いられる接着剤、シーリン
グ剤、塗料等に含まれており、これが経年変化により、
脱ガスとして発生する。環状シロキサンは、シリコンウ
エハ等の半導体基板表面やレンズ等の誘電体表面に良く
付着することが知られており、さらに紫外光（ＵＶ光）
が当たると、酸化されて、光学素子表面における珪素酸
化物系の曇りの原因となる。

【０１４０】また、シラザンには、多くのユーザがレジ
スト塗布の工程で用いている前処理剤として、Ｓｉの数
が２個のＨＭＤＳ（ヘキサ・メチル・ジ・シラザン）が
ある。ＨＭＤＳは、水と反応するだけでシラノールとい
う、半導体基板の表面又は誘電体表面に非常に付着し易
い物質に変化（加水分解）し、さらに、紫外光が当たる
と、シロキサンと同様に酸化されて、光学素子表面にお
ける珪素酸化物系の曇りの原因となる。なお、シラザン
は上記加水分解でアンモニアを発生するが、このアンモ
ニアがシロキサンと共存すると更に光学素子表面を曇り
易くする。

【０１４１】これらシロキサンやシラザン等のシリコン
系の有機物を、活性炭フィルタあるいはゼオライトフィ
ルタでは除去することができる。

【０１４２】また、ＫｒＦエキシマレーザ光やＡｒＦエ
キシマレーザ光あるいはそれより短波長の光を露光用照
明光として用いる投影露光装置では、いわゆる光洗浄に
より光学素子の表面を洗浄することが一般的に行われる
が、この光洗浄により光学素子表面に付着していた有機
物（ハイドロカーボンなど）が取り除かれ、空気中に浮
遊することになるが、この有機物も活性炭フィルタある
いはゼオライトフィルタにより除去することができる。

【０１４３】また、現在では、シリコン系の不純物だけ
でなく、チャンバ内にある配線やプラスチック等の脱ガ
スとして、可塑剤（フタル酸エステルなど）、難然剤
（燐酸、塩素系物質）なども不純物として問題となりつ
つあるが、これら可塑剤や難然剤等も活性炭フィルタあ
るいはゼオライトフィルタにより除去することができ
る。

【０１４４】なお、上記実施形態においては、第１送風
機５８、第２送風機６４、レチクルの照明条件を変更す
るために光学素子を駆動するための駆動部材（例えば、
ズームレンズ、視野絞りなど）などを備えている。これ
ら送風機及び駆動部材は、滑動部として、モータと、そ
のモータ軸を受ける軸受けとを有し、軸受けの滑りを円
滑に保つために潤滑剤が使用される。この潤滑剤として
のグリースには、アウトガス（有機物質として、例え
ば、炭化物など）の発生が抑制された材質、例えば、フ
ッ素系グリースを用いている。このグリースは、窒素雰
囲気中で、約１０ｍｇのグリースを６０℃で１０分間加
熱したときに発生するアウトガス（有機物質）の量が、
トルエン換算値で１５０μｇ／ｍ³以下である。特に、
上記加熱条件で発生するアウトガス（有機物質）の量
が、トルエン換算値で１００μｇ／ｍ ³以下であること
が望ましい。また、さらに好ましくは、４０μｇ／ｍ³
以下であることが望ましい。このように４０μｇ／ｍ³
のグリースとしては、ダイキン製のデムナム（商品名）
が知られている。

【０１４５】このように、チャンバ内に配置される送風
機や駆動部材の滑動部に上述したグリースを使用するこ
とによって、チャンバ内の汚染を抑制することができ、
さらにはチャンバ内に配置されるケミカルフィルタの寿
命の延命化を図ることができる。

【０１４６】また、上記実施形態では、本体チャンバの
機械室近傍と、ウエハステージ近傍に変温抑制ケミカル
フィルタが設けられた場合について説明したが、これに
限らず、レチクルローダ室や、ウエハローダ室に供給さ
れる空気の供給口部分に設けることも可能である。これ
により、レチクルローダ室、ウエハローダ室の内部が更
にケミカルクリーンとされるため、レチクル交換、ウエ
ハ交換を行う際に、各ローダ室と露光室とが連通して
も、露光室内の雰囲気が汚染されることが無く、露光精
度を高精度に維持することが可能である。

【０１４７】また、上記実施形態で説明したケミカルフ
ィルタＣＦ１ａ，ＣＦ１ｂ等の配置、図１に示される空
調装置や通気経路等の構成は任意で構わない。

【０１４８】また、上記実施形態ではレチクルローダ
室、ウエハローダ室と露光室とが本体チャンバ内に設け
られる場合について説明したが、これに限らず、本体チ
ャンバ内に露光室のみを設け、レチクルローダ室、ウエ
ハローダ室を別の環境制御チャンバ内に一緒あるいはそ
れぞれ単独に設けても良い。

【０１４９】また、上記実施形態では、本体チャンバと
は別に機械室が設けられる場合について説明したが、こ
れに限らず、１つのチャンバを隔壁により仕切って露光
装置本体が収容される本体チャンバと機械室とを形成し
ても良い。

【０１５０】なお、図１では本体チャンバに隣接して機
械室を配置するものとしたが、クリーンルームの床下
（ユーティリティスペース）などに機械室を配置するよ
うにしても良い。この場合、光源もその床下に配置して
も良い。また、空調装置では空気の温度を制御するもの
としたが、それに加えて圧力をも制御するようにしても
良い。

【０１５１】また、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９
３ｎｍ）を露光用照明光として用いる場合には、照明光
学系２８と同様に、投影光学系ＰＬの鏡筒内、あるいは
投影光学系ＰＬを収容する筐体内にも不活性ガス（窒素
など）が供給される。さらに、Ｆ₂レーザ光（波長１５
７ｎｍ）を露光用照明光として用いる場合には、レチク
ルステージ及びウエハステージがそれぞれサブチャンバ
内に配置され、照明光学系２８及び投影光学系ＰＬに加
えて、照明光学系２８と投影光学系ＰＬとの間、及び投
影光学系ＰＬとウエハＷとの間にもそれぞれ不活性ガス
（ヘリウムなど）が供給される。従って、光源内を含め
てその光源からウエハＷに至る照明光路の少なくとも一
部を密閉してその内部に不活性ガスなどを供給する露光
装置では、例えば照明光学系に供給された不活性ガスが
通る排気経路の途中、又は出口にも、化学物質除去フィ
ルタ（ケミカルフィルタ）を設けておくことが好まし
い。勿論、不活性ガスの流入経路の途中又は入口にもケ
ミカルフィルタを設けても良く、これは特に回収した不
活性ガスを清浄化して再利用する場合に有効である。ま
た、上述のように、例えば波長１２０ｎｍ〜２００ｎｍ
程度の真空紫外域に属する光を露光用照明光として用い
る場合などには、空調用気体として上記不活性ガス（窒
素ガス、ヘリウムガスなど）が用いられる。従って、本
発明の環境制御装置は、不活性ガスなどを供給（循環供
給を含む）し温度調整などを行うガスコンディショニン
グ装置をも含むものである。

【０１５２】なお、上記実施形態では、光源としてＫｒ
Ｆエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ等を用いる場
合について説明したが、これに限らず、光源としてＦ₂
レーザ、Ａｒ₂レーザを用いても良く、あるいは金属蒸
気レーザやＹＡＧレーザを用い、これらの高調波を露光
用照明光としても良い。あるいは、ＤＦＢ半導体レーザ
又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視
域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（Ｅｒ）
（又はエルビウムとイッテルビウム（Ｙｂ）の両方）が
ドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結
晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を、露光用照明
光として用いても良い。

【０１５３】また、本発明はステップ・アンド・リピー
ト方式、ステップ・アンド・スキャン方式、又はステッ
プ・アンド・スティッチ方式の露光装置だけでなく、例
えばミラープロジェクション・アライナー、プロキシミ
ティ方式の露光装置、及びフォトリピータなどにも適用
することができる。即ち、露光装置本体の構成などに関
係なく、環境制御装置（空調装置等）を有する露光装置
であれば本発明を適用できる。

【０１５４】《デバイス製造方法》次に、上述した露光
装置をリソグラフィ工程で使用したデバイスの製造方法
の実施形態について説明する。

【０１５５】図７には、デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半
導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等）の製造例のフローチャートが示されて
いる。図７に示されるように、まず、ステップ２０１
（設計ステップ）において、デバイスの機能・性能設計
（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その
機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、
ステップ２０２（マスク製作ステップ）において、設計
した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、
ステップ２０３（ウエハ製造ステップ）において、シリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。

【０１５６】次に、ステップ２０４（ウエハ処理ステッ
プ）において、ステップ２０１〜ステップ２０３で用意
したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソ
グラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成
する。次いで、ステップ２０５（デバイス組立ステッ
プ）において、ステップ２０４で処理されたウエハを用
いてデバイス組立を行う。このステップ２０５には、ダ
イシング工程、ボンディング工程、及びパッケージング
工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。

【０１５７】最後に、ステップ２０６（検査ステップ）
において、ステップ２０５で作製されたデバイスの動作
確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工
程を経た後にデバイスが完成し、これが出荷される。

【０１５８】図８には、半導体デバイスの場合におけ
る、上記ステップ２０４の詳細なフロー例が示されてい
る。図８において、ステップ２１１（酸化ステップ）に
おいてはウエハの表面を酸化させる。ステップ２１２
（ＣＶＤステップ）においてはウエハ表面に絶縁膜を形
成する。ステップ２１３（電極形成ステップ）において
はウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ２
１４（イオン打込みステップ）においてはウエハにイオ
ンを打ち込む。以上のステップ２１１〜ステップ２１４
それぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成し
ており、各段階において必要な処理に応じて選択されて
実行される。

【０１５９】ウエハプロセスの各段階において、上述の
前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程
が実行される。この後処理工程では、まず、ステップ２
１５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光
剤を塗布する。引き続き、ステップ２１６（露光ステッ
プ）において、上で説明した露光装置によってマスクの
回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップ２１
７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像
し、ステップ２１８（エッチングステップ）において、
レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエ
ッチングにより取り去る。そして、ステップ２１９（レ
ジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不
要となったレジストを取り除く。

【０１６０】これらの前処理工程と後処理工程とを繰り
返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターン
が形成される。

【０１６１】以上説明した本実施形態のデバイス製造方
法を用いれば、露光工程（ステップ２１６）において上
記実施形態の露光装置１０が用いられるので、長期に渡
って化学的汚染物質及び温度変動等による露光精度の低
下等を効果的に抑制することができ、これにより高集積
度のデバイスを生産性良く製造することができる。

【０１６２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る露光
装置によれば、光学部材の曇りに起因する照度低下等の
弊害の発生と温度変動幅の増加とを同時に抑制すること
ができるという効果がある。

【０１６３】本発明に係るデバイス製造方法によれば、
高集積度のマイクロデバイスを生産性良く製造すること
ができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る露光装置の
全体構成を概略的に示す図である。

【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。

【図３】図１の露光装置の温度制御に関連する制御系を
概略的に示すブロック図である。

【図４】図１のケミカルフィルタＣＦ２ａ，ＣＦ２ｂと
して用いられるフィルタ装置の構成を概略的に示す図で
ある。

【図５】図１のケミカルフィルタＣＦ１ａ，ＣＦ１ｂと
して用いられる第１変温抑制フィルタの構成を概略的に
示す図である。

【図６】図１のケミカルフィルタＣＦ１ａ，ＣＦ１ｂと
して用いられる第２変温抑制フィルタの構成を概略的に
示す図である。

【図７】本発明に係るデバイスを製造する製造方法の実
施形態を説明するためのフローチャートである。

【図８】図７のステップ２０４における処理を示すフロ
ーチャートである。

【符号の説明】

１０…露光装置、１２…本体チャンバ、１４…機械室、
１６…露光室、１８…レチクルローダ室（マスク搬送系
収容室）、２０…ウエハローダ室（基板搬送系収容
室）、２２…露光装置本体、２４…供給経路（給気経
路）、４２…リターンダクト（排気経路）、４８…リタ
ーンダクト（排気経路）、５０…ＯＡ口（外気取り入れ
口）、５２…クーラー（冷却装置、温度調整装置の一
部、環境制御装置の一部）、５６…第１ヒータ（加熱装
置、温度調整装置の一部、環境制御装置の一部）、５８
…第１送風機（気体供給用ファン、環境制御装置の一
部）、６２…第２ヒータ（加熱装置、温度調整装置の一
部、環境制御装置の一部）、６４…第２送風機（気体供
給用ファン、環境制御装置の一部）、６６…リターンダ
クト（排気経路）、８０…レチクルライブラリ（マスク
搬送系の一部）、８２…レチクルローダ（マスク搬送系
の一部）、８４…ウエハキャリア（基板搬送系の一
部）、８６…ロボット（基板搬送系の一部）、８８…基
板搬送装置（基板搬送系の一部）、１２０₁…第１変温
抑制フィルタ（第１のフィルタ装置）、１２０₂…第２
変温抑制フィルタ（第１のフィルタ装置）、１２４，１
２４Ａ，１２４Ｂ…フィルタ媒体、１２６…フィルタ
部、１２８…中間空間層（フィルタ部の一部）、１３０
…フィルタ装置（第２のフィルタ装置）、ＣＦ１ａ，Ｃ
Ｆ１ｂ…ケミカルフィルタ（第１のフィルタ装置）、Ｃ
Ｆ２ａ，ＣＦ２ｂ…ケミカルフィルタ（第２のフィルタ
装置）、ＩＦ…レーザ干渉計（干渉計）、Ｒ…レチクル
（マスク）、Ｗ…ウエハ（基板）、ＷＳＴ…ウエハステ
ージ（基板ステージ）。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 道憲 東京都江東区亀戸９丁目11番１号 日本ピ ュアテック株式会社内 (72)発明者 苅部 文夫 東京都江東区亀戸９丁目11番１号 日本ピ ュアテック株式会社内 Ｆターム(参考） 5F046 AA17 BA04 BA05 DA04 DA26 DA27

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 エネルギビームにより基板を露光して所
   定のパターンを前記基板上に形成する露光装置本体と；
   前記露光装置本体の少なくとも一部を収容する本体チャ
   ンバと；前記本体チャンバ内に所定の気体を供給し、前
   記本体チャンバ内の環境を制御する環境制御装置と；前
   記環境制御装置により前記本体チャンバに供給される前
   記気体の通気経路の一部に配置され、前記気体中から化
   学的汚染物質を除去するとともに、通過後における前記
   気体の温度変動を所定範囲内に抑制する少なくとも１つ
   の第１のフィルタ装置と；を備える露光装置。
2. 【請求項２】 前記第１のフィルタ装置は、通過後の前
   記気体の目標温度に対する温度誤差が所定範囲内に抑制
   されるように、通過後における前記気体の温度変動を抑
   制することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 【請求項３】 前記第１のフィルタ装置は、前記気体中
   に含まれる化学的汚染物質を除去するとともに前記気体
   中の水分の吸着及び前記気体中への水分の放出を行う少
   なくとも１つのフィルタ媒体を有するフィルタ部を備え
   ていることを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装
   置。
4. 【請求項４】 前記フィルタ部は、前記気体の通過方向
   に沿って所定間隔で配置された少なくとも２つのフィル
   タ媒体を有することを特徴とする請求項３に記載の露光
   装置。
5. 【請求項５】 前記フィルタ媒体の少なくとも１つは、
   その少なくとも一部の充填率が他よりも低く設定されて
   いることを特徴とする請求項３又は４に記載の露光装
   置。
6. 【請求項６】 前記環境制御装置は、前記第１のフィル
   タ装置を介して前記本体チャンバ内に前記気体を供給す
   る気体供給用ファンと、前記気体の温度を所定範囲内に
   調整する温度調整装置とを備えることを特徴とする請求
   項１〜５のいずれか一項に記載の露光装置。
7. 【請求項７】 前記温度調整装置は、前記気体供給用フ
   ァンによって供給される前記気体を冷却する冷却装置を
   有することを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
8. 【請求項８】 前記冷却装置は、その表面に結露が生じ
   ない程度の温度とされていることを特徴とする請求項７
   に記載の露光装置。
9. 【請求項９】 前記温度調整装置は、前記気体供給用フ
   ァンによって前記本体チャンバ内に供給される前記気体
   を加熱する加熱装置を更に有することを特徴とする請求
   項７又は８に記載の露光装置。
10. 【請求項１０】 前記温度調整装置は、前記気体供給用
    ファンによって前記本体チャンバ内に供給される前記気
    体を加熱する加熱装置を有することを特徴とする請求項
    ６に記載の露光装置。
11. 【請求項１１】 前記本体チャンバ内には、前記露光装
    置本体が収容された露光室が設けられ、 前記露光室に対して供給される前記気体の供給経路に前
    記第１のフィルタ装置が配置されていることを特徴とす
    る請求項１〜１０のいずれか一項に記載の露光装置。
12. 【請求項１２】 前記露光装置本体は、前記基板を保持
    する基板ステージと該基板ステージの位置を計測する干
    渉計とを有し、 前記基板ステージと前記干渉計とが配置される前記本体
    チャンバ内の一部空間に対して供給される前記気体の供
    給経路に、前記第１のフィルタ装置が配置されているこ
    とを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の
    露光装置。
13. 【請求項１３】 前記本体チャンバ内には、前記露光装
    置本体に対して前記基板を搬入し、かつ前記露光装置本
    体から前記基板を搬出する基板搬送系が収容された基板
    搬送系収容室が設けられ、 前記基板搬送系収容室に供給される前記気体の供給経路
    に前記第１のフィルタ装置が配置されていることを特徴
    とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の露光装
    置。
14. 【請求項１４】 前記本体チャンバ内には、前記露光装
    置本体に対して前記パターンが形成されたマスクを搬入
    し、かつ前記露光装置本体から前記マスクを搬出するマ
    スク搬送系が収容されたマスク搬送系収容室が設けら
    れ、 前記マスク搬送系収容室に供給される前記気体の供給経
    路に前記第１のフィルタ装置が配置されていることを特
    徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載の露光装
    置。
15. 【請求項１５】 前記環境制御装置の少なくとも一部を
    収容するとともに、前記本体チャンバに接続されて該本
    体チャンバとともに前記気体の循環経路を構成する機械
    室と；前記本体チャンバから前記機械室に戻る排気経路
    に配置された前記第１のフィルタ装置に比べて前記化学
    的汚染物質の除去率の高い少なくとも１つの第２のフィ
    ルタ装置と；を更に備えることを特徴とする請求項１〜
    １４のいずれか一項に記載の露光装置。
16. 【請求項１６】 前記環境制御装置の少なくとも一部を
    収容するとともに、外気取り入れ口が設けられた機械室
    と；前記外気取り入れ口から取り入れられる外気の通路
    に配置された前記第１のフィルタ装置に比べて前記化学
    的汚染物質の除去率の高い少なくとも１つの第２のフィ
    ルタ装置と；を更に備えることを特徴とする請求項１〜
    １４のいずれか一項に記載の露光装置。
17. 【請求項１７】 前記機械室から前記本体チャンバを介
    して前記機械室に戻る前記気体の循環経路が構成されて
    いることを特徴とする請求項１６に記載の露光装置。
18. 【請求項１８】 前記基板表面には、感光剤として化学
    増幅型レジストが塗布されていることを特徴とする請求
    項１〜１７のいずれか一項に記載の露光装置。
19. 【請求項１９】 リソグラフィ工程を含むデバイス製造
    方法であって、 前記リソグラフィ工程において請求項１〜１８のいずれ
    か一項に記載の露光装置を用いて露光を行うことを特徴
    とするデバイス製造方法。