JP2005142382A - 露光装置 - Google Patents
露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005142382A JP2005142382A JP2003377657A JP2003377657A JP2005142382A JP 2005142382 A JP2005142382 A JP 2005142382A JP 2003377657 A JP2003377657 A JP 2003377657A JP 2003377657 A JP2003377657 A JP 2003377657A JP 2005142382 A JP2005142382 A JP 2005142382A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- exposure apparatus
- chamber
- gradient control
- controlling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
- G03F7/70891—Temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】 露光装置の環境システムにおいて、循環運転起動、停止時に生じるパージチャンバー内圧変動をレンズ耐圧範囲内に抑制しレンズの破壊を防止する。
【解決手段】 露光装置本体の一部または全部を包囲するチャンバーに接続した循環装置6に、温調ヒーターの昇温速度の勾配制御部20と、冷却器21の冷却速度の勾配制御機構23を設けて、循環装置6の不活性ガス循環運転起動時、および停止時に生じるパージチャンバー3の内圧変動を抑制可能にする。
【選択図】図1
【解決手段】 露光装置本体の一部または全部を包囲するチャンバーに接続した循環装置6に、温調ヒーターの昇温速度の勾配制御部20と、冷却器21の冷却速度の勾配制御機構23を設けて、循環装置6の不活性ガス循環運転起動時、および停止時に生じるパージチャンバー3の内圧変動を抑制可能にする。
【選択図】図1
Description
本発明は、露光装置に関し、特に露光装置本体の一部または全部を包囲するチャンバーと、該チャンバー内の動作環境を制御する空調システムとを有する露光装置において、該空調システムの循環運転起動および停止時のチャンバー内圧変動を抑制した露光装置に関するものである。
半導体製造等に用いられる露光装置の光源は、露光パターンの微細化に伴い短波長化が進んでいる。すなわち、露光光源は、i線からエキシマレーザーへとシフトし、さらにはそのレーザー光源もKrFからArFへとシフトしてきた。現在更なる微細化への要求を満足するためにF2レーザーの使用が検討されている。
F2レーザーを光源に用いた露光システムを構築するためには、露光光エネルギー減衰に対する対策が必要となる。F2レーザー光は大気中に含まれる水分や酸素、有機ガス等にエネルギーが吸収されるため、従来の露光装置をそのまま適用することはできない。
そこでF2レーザーへの対応を図る手段として、露光光が通過する空間全てを隔壁で密閉し、その空間に窒素等の不活性ガスを充填する方法が考えられる。しかし、この方法においてもウエハおよびレチクルが配置される空間はステージのリニアモーター等による発熱量が多く、位置精度を維持するためには空間内温度揺らぎ除去を目的とする不活性ガスの温調循環システムを必要とする。
図5に従来の不活性ガス循環システムの概略図を示す。露光装置本体内部のウエハ空間1およびレチクル空間2をチャンバー3R、3Wで囲み、チャンバー3(3R、3W)内部を密閉空間とする。各空間には温調ガス吹出し部4および回収部5が設けられている。
前記チャンバー3に温調およびコンタミ除去された不活性ガスを循環させるために、循環装置6が設置され、循環装置6は供給ダクト7を介して吹出し部4に、リターンダクト8を介して回収部5にそれぞれ接続されている。循環装置6は、不活性ガスの流れ方向に冷却器9、送風機10、フィルター11、加熱器12の順に配置された内部機器を備える。
ウエハ空間1およびレチクル空間2内部からリターンダクト8を経て回収された不活性ガスは、ウエハ空間1およびレチクル空間2の内部発熱を吸収しているため、冷却器9にて冷媒と熱交換される。冷却された不活性ガスは、フィルター11へ送られコンタミ除去される。ここでフィルター11は、レジスト反応性に富むアンモニアを除去するケミカルフィルターや光学部材を劣化させるシロキサンその他有機ガス等を除去する活性炭フィルターやさらにはパーティクルを除去するULPAフィルター等で構成される。冷却およびコンタミ除去された不活性ガスは、さらに加熱器12にて加熱温調され、温調ガス吹出し部4へ循環される。この循環の流体移送の動力源は送風機10である。
また、合わせて不活性ガス注入弁13より高純度の不活性ガスをウエハ空間1およびレチクル空間2に注入することにより、ウエハ空間1およびレチクル空間2内の不活性ガスの濃度を維持し、排出弁14より所定量のガスを絞り弁15を経て排出させることにより、ウエハ空間1およびレチクル空間2の内圧を外気圧より高くして、外気の進入を防止する。
不活性ガスの温調は、温度センサー16が不活性ガスの温度を検出し、その信号が温調器17に入力され、PIDフィードバック制御によりその加熱器12の出力を調整することにより行われる。
特開2003−142395
特開2000−315640
不活性ガス循環システム運転開始時において、循環送風機運転後に、温調ヒーターを運転した際、パージチャンバー内圧が大きく変動することが確認された。同様に運転停止時にも内圧変動は確認された。この内圧変動は、循環ガスの昇温をヒーターにより急激に行った場合や、温調ヒーターを落とした際に循環ガスが冷却器により急冷されると、生じることが明らかとなった。さらに投影レンズには耐圧があり、上限圧と下限圧が定められている。すなわち、この圧力変動によってレンズ等、圧力に敏感な機器を破壊する危険がある。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、より故障の少ない、信頼性の高い露光装置を提供することを課題とする。
上記課題を達成するため、本発明の露光装置は、露光装置本体と、該本体の一部または全部を包囲するチャンバーと、該チャンバー内に空調ガスを循環させるとともに該チャンバー内の温度を制御する空調システムとを有する露光装置において、前記空調システムは、前記チャンバー内の温度を変化させる際の温度勾配を制御する温度勾配制御手段を備えることを特徴とする。
前記勾配制御手段は、例えば、前記空調システムが、前記空調ガスを加熱する加熱手段を備える場合または前記空調ガスを冷却する冷却手段を備える場合、該加熱手段の発熱量または該冷却手段の吸熱量を制御するものである。冷却手段の吸熱量を制御する方法としては、冷却用コンプレッサの回転数を制御する方法、または、圧縮前または圧縮液化後の冷媒をヒーターで加熱する方法を例示することができる。温度勾配は、例えば、前記加熱手段および/または冷却手段の上流側および下流側に温度センサーを設け、該上流側および下流側の温度に基づいて前記発熱量および/または吸熱量を制御するとよい。この場合、勾配制御用温度センサーの少なくとも1つとして、前記チャンバー内に従来より設けられている空調用温度センサーを兼用することができる。
本発明によれば、チャンバー内の温度を変化させる際の温度勾配を制御する温度勾配制御手段を備えることにより、特に、空調システムの運転開始時や運転停止時にチャンバー内の急激な温度変化を防止することができる。また、これにより、チャンバー内の急激な圧力変化を防止でき、例えばレンズの破壊や劣化を防止することができ、露光装置の信頼性を向上させることができる。
本発明の好ましい第1の実施の形態に係る露光装置は、気密チャンバーと、該気密チャンバーに不活性ガスを循環させる送風機と不活性ガスを冷却する冷却器と不活性ガスを加熱する加熱器と不活性ガスのコンタミ除去を行うフィルターと前記気密チャンバー、送風機、冷却器、加熱器、フィルターからなる不活性ガス循環系の所定位置に設置されたセンサーとにより前記気密チャンバー内部の温調並びに清浄化を行う空調手段を有する露光装置において、気密チャンバー内圧変動によるレンズ破壊防止のために、加熱器による目標設定温度までの昇温速度を制御することが可能な勾配制御機構を備えたことを特徴とする。
前記制御機構は循環系において加熱器上流部に温度センサーを有し、循環温度と目標設定温度との差を検知でき、気密チャンバー内圧変動によるレンズ破壊防止のために、体積と流量により決定された単位時間あたりの上昇温度より昇温速度勾配を決定できることを特徴とする。
本発明の好ましい第2の実施の形態に係る露光装置は、気密チャンバーと、該気密チャンバーに不活性ガスを循環させる送風機と不活性ガスを冷却する冷却器と不活性ガスを加熱する加熱器と不活性ガスのコンタミ除去を行うフィルターと前記気密チャンバー、送風機、冷却器、加熱器、フィルターからなる不活性ガス循環系の所定位置に設置されたセンサーとにより前記気密チャンバー内部の温調並びに清浄化を行う空調手段を有する露光装置において、チラーに冷媒用ヒーターと温調器を備え、気密チャンバー内圧変動によるレンズ破壊防止のために、冷却器の目標設定温度までの冷却速度を制御することが可能な勾配制御機構を備えたことを特徴とする。
この第2の実施の形態において、前記制御機構は、循環系において冷却器上流側と下流側に温度センサーを有し、循環温度と目標設定温度との差を検知でき、気密チャンバー内圧変動によるレンズ破壊防止のために、冷却速度勾配を決定できることを特徴とする。
また、冷却速度の制御機構として、チラー内のポンプ回転数制御機構を設けたことにより、気密チャンバー内圧変動によるレンズ破壊防止のために、冷媒の流量制御を行い冷却器の冷却速度勾配を制御することを特徴とする。
本発明の好ましい第3の実施の形態に係る露光装置は、気密チャンバーと、該気密チャンバーに不活性ガスを循環させる送風機と不活性ガスを冷却する冷却器と不活性ガスを加熱する温調用ヒーターと不活性ガスのコンタミ除去を行うフィルターと前記気密チャンバー、送風機、冷却器、加熱器およびフィルターからなる不活性ガス循環系の所定の位置に設置されたセンサーとにより前記気密チャンバー内部の温調並びに清浄化を行う空調手段を有する露光装置であって、温調用ヒーターの目標設定温度までの昇温速度および冷却器の目標設定温度までの降温速度を制御することが可能な勾配制御機構を備えたことを特徴とする。
この第3の実施の形態において、前記勾配制御機構は、ガス循環系においてヒーター上流側に温度センサーを備えた。さらに冷却器の冷却速度を制御できる機構として、チラー内部に冷媒用ヒーターと温調器、勾配制御機構を備え、冷却器上流側と下流側に温度センサーとを設けたことにより、循環内温度と設定温度との差を検知し勾配制御を行い循環運転起動、停止時に生じるパージチャンバー内圧変動をレンズ耐圧範囲内に抑制可能とした。
また、冷却速度の制御機構としては、チラー内のポンプ回転数制御機構を設け、気密チャンバー内圧変動によるレンズ破壊防止のために、冷媒の流量制御を行い冷却器の冷却速度勾配を制御するようにした。
また、冷却速度の制御機構としては、チラー内のポンプ回転数制御機構を設け、気密チャンバー内圧変動によるレンズ破壊防止のために、冷媒の流量制御を行い冷却器の冷却速度勾配を制御するようにした。
上記第1〜第3の実施の形態に係る露光装置によれば、循環運転起動、停止時の循環ガスの急激な温度上昇や急冷により、起こりうるパージチャンバー内圧変動を抑制し、パージチャンバー内循環温度をモニターしながら昇温、冷却速度の勾配制御をすることにより、レンズ耐圧を守ることを保証することができる。
以下、本発明を実施例により説明する。
[実施例1]
図1は、本発明の一実施例に係る露光装置の概念図である。図1の装置は、図5の従来例に対し、温度センサー18、19、24、ヒーター勾配制御部20、冷媒用ヒーター22および勾配制御機構23を付加したものである。図5の構成と共通する部分は同じ番号で示し、詳細な説明は省略する。なお、21はチラー、25はポンプ、26は熱交換器であり、これらは図5には不図示であるが、図5の従来例と共通のものである。
[実施例1]
図1は、本発明の一実施例に係る露光装置の概念図である。図1の装置は、図5の従来例に対し、温度センサー18、19、24、ヒーター勾配制御部20、冷媒用ヒーター22および勾配制御機構23を付加したものである。図5の構成と共通する部分は同じ番号で示し、詳細な説明は省略する。なお、21はチラー、25はポンプ、26は熱交換器であり、これらは図5には不図示であるが、図5の従来例と共通のものである。
図1の露光装置において、不活性ガスの温調は、温度センサー18と温度センサー16が不活性ガスの温度を検出し、その信号をヒーター勾配制御部20に入力し、循環内温度と目標設定温度との差より勾配制御を行い、その信号を温調器17へ出力し加熱器(温調用ヒーター)12の制御を行う。
また、不活性ガスの冷却についても温度センサー19と温度センサー24が不活性ガスの温度を検出し、その信号をチラー21内の勾配制御機構23に入力し、循環温度と目標設定温度との差より勾配制御を行う。その信号を温調器17へ出力し冷媒用ヒーター22の制御を行う。冷媒の勾配制御を行うことにより不活性ガスの冷却速度を制御する。
本実施例によれば、パージチャンバー内循環温度をモニターしながら、昇温または冷却速度勾配を制御することによって、循環ガスの急激な温度上昇や急冷状態を避け、パージチャンバー内圧変動を抑制し、レンズ耐圧を守ることを保証することができる。
上記実施形態によれば、勾配制御部と温調器は独立して構成されているが、一体化の制御機構として構成されてもかまわない。
[実施例2]
図2は、本発明の他の実施例に係る露光装置の概念図である。図2の装置は、図5の従来例に対し、温度センサー18、19、24、インバーター27および勾配制御機構28を付加したものである。前述の従来例並びに実施例1と共通する部分は同じ番号で示し、詳細な説明は省略する。
本実施例は、機能としては実施例1のものと同じであるが、冷却部の冷却速度制御をチラー21内のインバーター27を制御してポンプ25の回転数を制御することにより、冷媒の流量制御を行うことで冷却速度の勾配制御を行うことを特徴とする。
図2は、本発明の他の実施例に係る露光装置の概念図である。図2の装置は、図5の従来例に対し、温度センサー18、19、24、インバーター27および勾配制御機構28を付加したものである。前述の従来例並びに実施例1と共通する部分は同じ番号で示し、詳細な説明は省略する。
本実施例は、機能としては実施例1のものと同じであるが、冷却部の冷却速度制御をチラー21内のインバーター27を制御してポンプ25の回転数を制御することにより、冷媒の流量制御を行うことで冷却速度の勾配制御を行うことを特徴とする。
図1の露光装置において、不活性ガスの温調は、温度センサー18と温度センサー16が不活性ガスの温度を検出し、その信号をヒーター制御部20に入力し、循環内温度と目標設定温度との差より勾配制御を行い、その信号を温調器17へ出力し加熱器12の出力制御を行う。
また、不活性ガスの冷却についても温度センサー19と温度センサー24が不活性ガスの温度を検出し、その信号を勾配制御部28に入力し循環内温度と目標設定温度との差より勾配制御を行う。勾配制御方法としては、チラー21内のポンプ25のインバーター27によりポンプ回転数を制御することにより、冷媒の流量制御で冷却速度の勾配制御を行う。
本実施例によれば、冷却器の勾配制御を冷媒の流量により行う点以外は、実施例1と同様で、昇温または冷却速度を併せて制御することによって、パージチャンバー内圧変動を抑制しレンズ耐圧を守ることを保証することができる。
実施例2によれば、インバーターと勾配制御機構がそれぞれ独立して構成されているが、一体化の制御機構として構成されてもかまわない。
本実施例によれば、循環運転起動、停止時の循環ガスの急激な温度上昇や急冷により、起こりうるパージチャンバー内圧変動を抑制し、パージチャンバー内循環温度をモニターしながら昇温、冷却速度の勾配制御をすることにより、レンズ耐圧を守ることを保証することができる。
本実施例によれば、循環運転起動、停止時の循環ガスの急激な温度上昇や急冷により、起こりうるパージチャンバー内圧変動を抑制し、パージチャンバー内循環温度をモニターしながら昇温、冷却速度の勾配制御をすることにより、レンズ耐圧を守ることを保証することができる。
[実施例3]
次に、上記説明した露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図3は微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1(回路設計)ではデバイスのパターン設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計したパターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
次に、上記説明した露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図3は微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1(回路設計)ではデバイスのパターン設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計したパターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
図4は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施例の生産方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造することができる。
1 ウエハ空間
2 レチクル空間
3(3R、3W) チャンバー
4 温調ガス吹出し部
5 回収部
6 循環装置
7 供給ダクト
8 リターンダクト
9 冷却器
10 送風機
11 フィルター
12 加熱器
13 不活性ガス注入弁
14 排出弁
15 絞り弁
16 温度センサー
17 温調器
18 温度センサー
19 温度センサー
20 勾配制御機構
21 チラー
22 冷媒用ヒーター
23 勾配制御機構
24 温度センサー
25 ポンプ
26 熱交換器
27 インバーター
28 勾配制御機構
2 レチクル空間
3(3R、3W) チャンバー
4 温調ガス吹出し部
5 回収部
6 循環装置
7 供給ダクト
8 リターンダクト
9 冷却器
10 送風機
11 フィルター
12 加熱器
13 不活性ガス注入弁
14 排出弁
15 絞り弁
16 温度センサー
17 温調器
18 温度センサー
19 温度センサー
20 勾配制御機構
21 チラー
22 冷媒用ヒーター
23 勾配制御機構
24 温度センサー
25 ポンプ
26 熱交換器
27 インバーター
28 勾配制御機構
Claims (8)
- 露光装置本体と、該本体の一部または全部を包囲するチャンバーと、該チャンバー内に空調ガスを循環させるとともに該チャンバー内の温度を制御する空調システムとを有する露光装置において、
前記空調システムは、前記チャンバー内の温度を変化させる際の温度勾配を制御する温度勾配制御手段を備えることを特徴とする露光装置。 - 前記空調システムは、前記空調ガスを加熱する加熱手段を備え、前記勾配制御手段は、該加熱手段の発熱量を制御することにより前記チャンバー内の昇温速度を制御することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記空調システムは、前記空調ガスを冷却する冷却手段を備え、前記勾配制御手段は、該冷却手段の吸熱量を制御することにより前記チャンバー内の昇温速度を制御することを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。
- 前記勾配制御手段は、前記冷却手段の冷媒を加熱する冷媒用ヒーターを備え、該ヒーターの発熱量を制御することにより該冷却手段の吸熱量を制御することを特徴とする請求項3に記載の露光装置。
- 前記勾配制御手段は、前記冷却手段の冷媒を圧縮するポンプの回転数を制御することにより該冷却手段の吸熱量を制御することを特徴とする請求項3または4に記載の露光装置。
- 前記勾配制御手段は、前記加熱手段および/または冷却手段の上流側および下流側に温度センサーを有し、該上流側および下流側の温度に基づいて前記発熱量および/または吸熱量を制御することを特徴とする請求項2〜5のいずれか1つに記載の露光装置。
- 露光光として遠紫外光を用い、投影光学系を介してレチクルのパターン像を被露光基板上に露光する露光装置であって、前記チャンバーが前記投影光学系の物空間および/または像空間を包囲する密閉チャンバーであり、前記温調ガスが不活性ガスであることを特徴とする請求項2〜6のいずれか1つに記載の露光装置。
- 請求項1〜7のいずれか1つに記載の露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003377657A JP2005142382A (ja) | 2003-11-07 | 2003-11-07 | 露光装置 |
US10/981,777 US7317505B2 (en) | 2003-11-07 | 2004-11-05 | Exposure apparatus and device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003377657A JP2005142382A (ja) | 2003-11-07 | 2003-11-07 | 露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005142382A true JP2005142382A (ja) | 2005-06-02 |
JP2005142382A5 JP2005142382A5 (ja) | 2007-04-05 |
Family
ID=34587226
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003377657A Withdrawn JP2005142382A (ja) | 2003-11-07 | 2003-11-07 | 露光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7317505B2 (ja) |
JP (1) | JP2005142382A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008300702A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Canon Inc | 露光システムおよびデバイス製造方法 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005166961A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Canon Inc | 不活性ガスパージ方法、露光装置、デバイス製造方法、及びデバイス |
JP4418724B2 (ja) * | 2004-09-17 | 2010-02-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP2006222165A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Canon Inc | 露光装置 |
JP4781049B2 (ja) * | 2005-08-30 | 2011-09-28 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2007123295A (ja) * | 2005-10-24 | 2007-05-17 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2007142190A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US8953148B2 (en) * | 2005-12-28 | 2015-02-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and making method thereof |
EP1975980A4 (en) * | 2005-12-28 | 2010-08-04 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
JP2007281142A (ja) * | 2006-04-05 | 2007-10-25 | Canon Inc | 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 |
US7408728B2 (en) * | 2006-12-04 | 2008-08-05 | Quality Vision International, Inc. | System and method for focal length stabilization using active temperature control |
GB2446414A (en) * | 2007-02-06 | 2008-08-13 | Thorn Security | A Detector |
JP4490459B2 (ja) | 2007-06-29 | 2010-06-23 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
CN101276150B (zh) * | 2008-03-21 | 2010-06-02 | 上海微电子装备有限公司 | 一种步进重复曝光装置 |
US20100033694A1 (en) * | 2008-08-01 | 2010-02-11 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method |
KR101297242B1 (ko) * | 2008-09-29 | 2013-08-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 냉각장치 |
CN107246919B (zh) * | 2017-05-03 | 2019-08-23 | 华中光电技术研究所(中国船舶重工集团公司第七一七研究所) | 一种制冷型红外探测器的控制系统及其制冷判定方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD160756A3 (de) * | 1981-04-24 | 1984-02-29 | Gudrun Dietz | Anordnung zur verbesserung fotochemischer umsetzungsprozesse in fotoresistschichten |
JPS61160934A (ja) * | 1985-01-10 | 1986-07-21 | Canon Inc | 投影光学装置 |
US4825247A (en) * | 1987-02-16 | 1989-04-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
JP3500619B2 (ja) * | 1993-10-28 | 2004-02-23 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US6545746B1 (en) * | 1996-03-04 | 2003-04-08 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
AU8749798A (en) * | 1997-08-29 | 1999-03-22 | Nikon Corporation | Temperature adjusting method and aligner to which this method is applied |
EP1030351A1 (en) * | 1997-11-12 | 2000-08-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, apparatus for manufacturing devices, and method of manufacturing exposure apparatuses |
JP2000315640A (ja) | 1999-04-28 | 2000-11-14 | Canon Inc | 半導体露光装置及びこれを用いたデバイス製造方法 |
AU4779700A (en) * | 1999-05-27 | 2000-12-18 | Nikon Corporation | Exposure system, method of manufacturing device, and method of environmental control of exposure system |
JP3869999B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置および半導体デバイス製造方法 |
JP2002158170A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-05-31 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2003014239A (ja) | 2001-06-29 | 2003-01-15 | Hitachi Hometec Ltd | 加熱調理器 |
JP2004128213A (ja) * | 2002-10-02 | 2004-04-22 | Canon Inc | 温調システム及びそれを組み込んだ露光装置 |
-
2003
- 2003-11-07 JP JP2003377657A patent/JP2005142382A/ja not_active Withdrawn
-
2004
- 2004-11-05 US US10/981,777 patent/US7317505B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008300702A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Canon Inc | 露光システムおよびデバイス製造方法 |
US7760325B2 (en) | 2007-05-31 | 2010-07-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure system and method for manufacturing device |
KR101037227B1 (ko) * | 2007-05-31 | 2011-05-25 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광 시스템 및 디바이스 제조방법 |
TWI399619B (zh) * | 2007-05-31 | 2013-06-21 | Canon Kk | 曝光系統及製造裝置的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7317505B2 (en) | 2008-01-08 |
US20050110968A1 (en) | 2005-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4418724B2 (ja) | 露光装置 | |
JP2005142382A (ja) | 露光装置 | |
US7148955B2 (en) | Temperature adjusting system and exposure apparatus incorporating the same | |
US6224248B1 (en) | Light-source device and exposure apparatus | |
US7262830B2 (en) | Exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP5574799B2 (ja) | 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法、並びに気体供給装置 | |
EP1788447A2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
JP2002158170A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
US20050175497A1 (en) | Temperature control method and apparatus and exposure method and apparatus | |
US7760325B2 (en) | Exposure system and method for manufacturing device | |
JPH09270385A (ja) | 露光装置の環境制御装置 | |
JP2000243684A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP2005033179A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
US7671964B2 (en) | Exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP2006216866A (ja) | 位置決め装置、露光装置およびそれを用いたデバイス製造方法 | |
US20040072434A1 (en) | Device manufacturing apparatus | |
JP4273421B2 (ja) | 温度制御方法及び装置、並びに露光方法及び装置 | |
JP2006041251A (ja) | 露光装置 | |
JP2006261273A (ja) | チャンバおよびこれを用いた露光装置 | |
JPH10149970A (ja) | 処理装置及びデバイス生産方法 | |
JP2002353127A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP2001218424A (ja) | 流体軸受けモータ | |
US20050122493A1 (en) | Inert-gas purge method, exposure apparatus, device fabrication method and devices | |
JP2004080059A (ja) | 投影露光装置及び投影露光方法 | |
JP2003173964A (ja) | 露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061102 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070215 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20090406 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090604 |