JPH09283401A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH09283401A JPH09283401A JP8086711A JP8671196A JPH09283401A JP H09283401 A JPH09283401 A JP H09283401A JP 8086711 A JP8086711 A JP 8086711A JP 8671196 A JP8671196 A JP 8671196A JP H09283401 A JPH09283401 A JP H09283401A
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- gas
- wafer
- atmosphere
- exposure apparatus
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ホトリソグラフィー工程において生じる気中
の不純物や水分の影響を排除する。 【解決手段】 湿度除去手段２２から乾燥ガスを得、そ
の乾燥ガスをエアー吹き付け部２０からウエハ待機部１
０、ウエハ搬送部１１、ステージ８等に吹き付けること
で、ウエハ６の周囲に湿度除去されたガスを供給する。
湿度除去されたガスが供給される雰囲気中でウエハと接
触する部材は金属製とし、アース２４で接地することで
静電気を除去する。
の不純物や水分の影響を排除する。 【解決手段】 湿度除去手段２２から乾燥ガスを得、そ
の乾燥ガスをエアー吹き付け部２０からウエハ待機部１
０、ウエハ搬送部１１、ステージ８等に吹き付けること
で、ウエハ６の周囲に湿度除去されたガスを供給する。
湿度除去されたガスが供給される雰囲気中でウエハと接
触する部材は金属製とし、アース２４で接地することで
静電気を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路、
液晶ディスプレイ等の微細パターンの形成に用いられる
投影露光装置に関するものである。
液晶ディスプレイ等の微細パターンの形成に用いられる
投影露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造で使用する装置、例えばＤＵ
ＶやＵＶ（以下、両者をまとめて紫外線という）光源を
使用する露光装置の場合、装置雰囲気を冷却しないと装
置自体の温度が徐々に上昇し、投影系部等が熱膨張を起
こして結像特性を劣化させる可能性があった。そのた
め、従来は露光装置の全部もしくは一部をチャンバーで
覆い、そのチャンバー内部の温度制御のみを行ってい
た。
ＶやＵＶ（以下、両者をまとめて紫外線という）光源を
使用する露光装置の場合、装置雰囲気を冷却しないと装
置自体の温度が徐々に上昇し、投影系部等が熱膨張を起
こして結像特性を劣化させる可能性があった。そのた
め、従来は露光装置の全部もしくは一部をチャンバーで
覆い、そのチャンバー内部の温度制御のみを行ってい
た。
【０００３】また、酸発生剤（以下、ＰＡＧという）を
有する化学増幅型のレジストを使用する場合、レジスト
の使用雰囲気中にアンモニアやアミン類のような塩基性
の不純物が存在すると、レジスト中のＰＡＧから発生し
た酸とこれらの不純物が中和反応を起こしてしまう可能
性があった。その場合、レジスト感度が低下したり、レ
ジスト表面に現像液難溶化層が形成されたりして結像性
能を悪化させる原因となりえた。そのため、従来は前記
チャンバーにガス状不純物除去手段を設置してこれらの
不純物の除去されたエアーをレジスト雰囲気に供給する
ことで対応していた。
有する化学増幅型のレジストを使用する場合、レジスト
の使用雰囲気中にアンモニアやアミン類のような塩基性
の不純物が存在すると、レジスト中のＰＡＧから発生し
た酸とこれらの不純物が中和反応を起こしてしまう可能
性があった。その場合、レジスト感度が低下したり、レ
ジスト表面に現像液難溶化層が形成されたりして結像性
能を悪化させる原因となりえた。そのため、従来は前記
チャンバーにガス状不純物除去手段を設置してこれらの
不純物の除去されたエアーをレジスト雰囲気に供給する
ことで対応していた。
【０００４】さらに、大気中の物質が化学反応を起こ
し、照明系部内の光学部材に付着することで光学性能が
低下するという現象があった。そのため、従来はガス状
不純物除去手段によって大気中不純物ガスの除去された
エアーを照明系雰囲気に供給するか、もしくは前記照明
系雰囲気に純窒素ガスや不活性ガスを供給することで対
応していた。
し、照明系部内の光学部材に付着することで光学性能が
低下するという現象があった。そのため、従来はガス状
不純物除去手段によって大気中不純物ガスの除去された
エアーを照明系雰囲気に供給するか、もしくは前記照明
系雰囲気に純窒素ガスや不活性ガスを供給することで対
応していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】大気中不純物の多く
は、大気中の粉塵や水分に付着して粒子状になって存在
することが知られている。半導体工場内雰囲気及び工場
内の装置内雰囲気においてある程度までの大きさの粉塵
は、例えばＵＬＰＡフィルターなどの除塵フィルターに
よってほぼ除去されている。しかし、湿度は例えば３０
％〜５０％程度に維持されているのが現状である。湿度
があるということは気中に水粒子が存在するということ
であり、これにイオン性物質などの不純物が付着して微
小な粒子として気中を漂い、装置内を汚染する可能性が
あった。
は、大気中の粉塵や水分に付着して粒子状になって存在
することが知られている。半導体工場内雰囲気及び工場
内の装置内雰囲気においてある程度までの大きさの粉塵
は、例えばＵＬＰＡフィルターなどの除塵フィルターに
よってほぼ除去されている。しかし、湿度は例えば３０
％〜５０％程度に維持されているのが現状である。湿度
があるということは気中に水粒子が存在するということ
であり、これにイオン性物質などの不純物が付着して微
小な粒子として気中を漂い、装置内を汚染する可能性が
あった。
【０００６】また、半導体処理工程で多く使用されてい
るヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）は下記の反応式
に示すように、気中の水分によって加水分解を起こし、
トリメチルシラノールとアンモニアを発生する。
るヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）は下記の反応式
に示すように、気中の水分によって加水分解を起こし、
トリメチルシラノールとアンモニアを発生する。
【０００７】
【化１】
【０００８】このアンモニアがレジストのＰＡＧから発
生した酸と反応してレジストの結像性能を劣化させる原
因となっていた。また、ＮＭＰのようなアミン類もレジ
ストの結像性能に悪影響を与えることが知られている。
この他にも、気中の水分と反応して不純物を生成する可
能性のある物質が存在する可能性は高い。
生した酸と反応してレジストの結像性能を劣化させる原
因となっていた。また、ＮＭＰのようなアミン類もレジ
ストの結像性能に悪影響を与えることが知られている。
この他にも、気中の水分と反応して不純物を生成する可
能性のある物質が存在する可能性は高い。
【０００９】大気中の水分自身がレジストの結像性能に
悪影響を与える可能性もあったが、従来は湿度について
はなんら考慮されていなかった。しかし、半導体工場内
及び装置内の湿度を完全に除去してしまうと、静電気が
発生し、装置に悪影響を与えることが懸念される。
悪影響を与える可能性もあったが、従来は湿度について
はなんら考慮されていなかった。しかし、半導体工場内
及び装置内の湿度を完全に除去してしまうと、静電気が
発生し、装置に悪影響を与えることが懸念される。
【００１０】また、ヘリウムガスや、液体窒素を気化さ
せて供給する窒素ガスも乾燥ガスであるが、常時装置内
を置換する必要があるため、多量の消費があり、コスト
がかかる上、多量の供給を行うと工場内の酸素濃度が低
下し、作業者に危険が及ぶという問題があった。本発明
は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたもの
で、大気中不純物の影響が懸念される部位を湿度除去さ
れた雰囲気にすることを目的とする。
せて供給する窒素ガスも乾燥ガスであるが、常時装置内
を置換する必要があるため、多量の消費があり、コスト
がかかる上、多量の供給を行うと工場内の酸素濃度が低
下し、作業者に危険が及ぶという問題があった。本発明
は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたもの
で、大気中不純物の影響が懸念される部位を湿度除去さ
れた雰囲気にすることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明では、装置の所定
の箇所に湿度除去を行った乾燥ガスを供給することで前
記目的を達成する。ただし、半導体工場内及び装置内の
湿度を完全に除去してしまうと、静電気が発生しやすく
なる。半導体製品は静電気の放電によって破壊されたり
回路機能が不良となる等の支障が生じやすいため、静電
気が発生すると歩留まりの悪化が懸念される。また、常
時装置内の全領域を乾燥ガスで置換すると、コストがか
かる。
の箇所に湿度除去を行った乾燥ガスを供給することで前
記目的を達成する。ただし、半導体工場内及び装置内の
湿度を完全に除去してしまうと、静電気が発生しやすく
なる。半導体製品は静電気の放電によって破壊されたり
回路機能が不良となる等の支障が生じやすいため、静電
気が発生すると歩留まりの悪化が懸念される。また、常
時装置内の全領域を乾燥ガスで置換すると、コストがか
かる。
【００１２】従って、本発明では感光性基板の雰囲気も
しくは照明光学系雰囲気のみを湿度除去された雰囲気と
し、乾燥ガスは通常大気を湿度除去したものを使用す
る。一般的な湿度除去の方法としては、大気を−３０〜
−４０℃程度の低温雰囲気にし、気中の水分を凍結させ
て除去する方法が用いられる。感光性基板の存在を検知
する手段を備え、感光性基板の有無に応じて湿度除去さ
れたガスの供給量を制御するようにしてもよい。乾燥ガ
スは、ガス状不純物除去フィルターを通したガスを湿度
除去手段に通すことによって湿度除去されたガスを得る
ようにしてもよい。露光装置が複数台ある場合、乾燥ガ
スを得るための湿度除去手段は、各装置毎に設置しても
よいし、工場に設置された１台の湿度除去手段で乾燥エ
アーを得てそれを複数の装置に分配してもよい。
しくは照明光学系雰囲気のみを湿度除去された雰囲気と
し、乾燥ガスは通常大気を湿度除去したものを使用す
る。一般的な湿度除去の方法としては、大気を−３０〜
−４０℃程度の低温雰囲気にし、気中の水分を凍結させ
て除去する方法が用いられる。感光性基板の存在を検知
する手段を備え、感光性基板の有無に応じて湿度除去さ
れたガスの供給量を制御するようにしてもよい。乾燥ガ
スは、ガス状不純物除去フィルターを通したガスを湿度
除去手段に通すことによって湿度除去されたガスを得る
ようにしてもよい。露光装置が複数台ある場合、乾燥ガ
スを得るための湿度除去手段は、各装置毎に設置しても
よいし、工場に設置された１台の湿度除去手段で乾燥エ
アーを得てそれを複数の装置に分配してもよい。
【００１３】静電気の放電を避けるため、湿度除去され
たガスが供給される雰囲気で感光性基板と接触する部材
等、摩擦によって静電気が発生しやすい部材はアースす
る等して静電気除去手段を講ずるのが好ましい。本発明
によると、装置内の限られた空間のみを湿度除去するた
め湿度除去を効果的に行うことができ、水分が媒介とな
る汚染や水分自身による汚染が無くなることでレジスト
像のバラツキの低減及び光学材料の汚染が低減される。
たガスが供給される雰囲気で感光性基板と接触する部材
等、摩擦によって静電気が発生しやすい部材はアースす
る等して静電気除去手段を講ずるのが好ましい。本発明
によると、装置内の限られた空間のみを湿度除去するた
め湿度除去を効果的に行うことができ、水分が媒介とな
る汚染や水分自身による汚染が無くなることでレジスト
像のバラツキの低減及び光学材料の汚染が低減される。
【００１４】また、ガス状不純物除去フィルターを通し
て不純物を除去したガスを湿度除去して乾燥ガスを得る
ことで、装置の汚染をより効果的に低減できる。ガス状
不純物除去フィルターとしては、ケミカルフィルターを
用いることができる。ケミカルフィルターは、ＨＥＰＡ
フィルターやＵＬＰＡフィルターでは除去できない雰囲
気中のガス状不純物を除去できるフィルターであり、繊
維状又は粒状の活性炭を用いたもの、イオン交換樹脂に
よるイオン交換反応を利用したもの、活性炭繊維に薬品
を添着したもの等がある。イオン交換反応を利用したケ
ミカルフィルターの例としては荏原製作所製の「ＥＰＩ
Ｘ」があり、活性炭繊維に薬品を添着したケミカルフィ
ルターの例としては近藤工業製の「ＣＬＥＡＮ ＳＯＲ
Ｂ」などがある。ケミカルフィルターで除去すべきガス
状不純物としては、例えばＳＯ4 2-、ＮＨ4 +、Ｓｉを分
子中に含む炭化水素系物質、トリメチルシラノール、Ｎ
−メチル−２−ピロリドン等がある。
て不純物を除去したガスを湿度除去して乾燥ガスを得る
ことで、装置の汚染をより効果的に低減できる。ガス状
不純物除去フィルターとしては、ケミカルフィルターを
用いることができる。ケミカルフィルターは、ＨＥＰＡ
フィルターやＵＬＰＡフィルターでは除去できない雰囲
気中のガス状不純物を除去できるフィルターであり、繊
維状又は粒状の活性炭を用いたもの、イオン交換樹脂に
よるイオン交換反応を利用したもの、活性炭繊維に薬品
を添着したもの等がある。イオン交換反応を利用したケ
ミカルフィルターの例としては荏原製作所製の「ＥＰＩ
Ｘ」があり、活性炭繊維に薬品を添着したケミカルフィ
ルターの例としては近藤工業製の「ＣＬＥＡＮ ＳＯＲ
Ｂ」などがある。ケミカルフィルターで除去すべきガス
状不純物としては、例えばＳＯ4 2-、ＮＨ4 +、Ｓｉを分
子中に含む炭化水素系物質、トリメチルシラノール、Ｎ
−メチル−２−ピロリドン等がある。
【００１５】加えて、供給するエアーは通常大気を湿度
除去したものであるため、漏洩時にも作業者が安全であ
り、窒素ガスやヘリウムガスを使用するよりもコストが
かからないという利点がある。
除去したものであるため、漏洩時にも作業者が安全であ
り、窒素ガスやヘリウムガスを使用するよりもコストが
かからないという利点がある。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１に露光装置の概略図を示す。
遠紫外線を射出する例えばエキシマレーザーやＨｇラン
プのような光源１からの照明光は、照明光反射部材２ａ
〜２ｃにより反射されながら照明光学系３ａ〜３ｃを通
り、均一な照明光に整形される。照明光学系３ａ〜３ｃ
で均一化された照明光は、パターンが形成されたレチク
ル４を均一に照明し、レチクル４のパターンは投影レン
ズ５によってレジストの塗布されたウエハ等の感光性基
板（以下、ウエハという）６上に像を結び、転写され
る。ウエハ６は、ウエハホルダー７に固定されて２次元
方向に移動可能なステージ８上に載置されている。露光
前あるいは露光後のウエハ９はウエハ待機位置１０で待
機する。ウエハ待機位置１０とステージ８上のウエハホ
ルダー７の間でのウエハの受け渡しは、ウエハ搬送手段
１１によって行われる。
施の形態を説明する。図１に露光装置の概略図を示す。
遠紫外線を射出する例えばエキシマレーザーやＨｇラン
プのような光源１からの照明光は、照明光反射部材２ａ
〜２ｃにより反射されながら照明光学系３ａ〜３ｃを通
り、均一な照明光に整形される。照明光学系３ａ〜３ｃ
で均一化された照明光は、パターンが形成されたレチク
ル４を均一に照明し、レチクル４のパターンは投影レン
ズ５によってレジストの塗布されたウエハ等の感光性基
板（以下、ウエハという）６上に像を結び、転写され
る。ウエハ６は、ウエハホルダー７に固定されて２次元
方向に移動可能なステージ８上に載置されている。露光
前あるいは露光後のウエハ９はウエハ待機位置１０で待
機する。ウエハ待機位置１０とステージ８上のウエハホ
ルダー７の間でのウエハの受け渡しは、ウエハ搬送手段
１１によって行われる。
【００１７】図２は、図１に略示した露光装置に適用し
た本発明の第１の実施の形態を示す説明図である。露光
装置内に運ばれたウエハ６は、先ずウエハ待機位置１０
で待機し、ウエハ搬送手段１１によってステージ８上に
運ばれてウエハホルダー７に固定され、投影レンズ５を
介してレチクルパターンが露光される。
た本発明の第１の実施の形態を示す説明図である。露光
装置内に運ばれたウエハ６は、先ずウエハ待機位置１０
で待機し、ウエハ搬送手段１１によってステージ８上に
運ばれてウエハホルダー７に固定され、投影レンズ５を
介してレチクルパターンが露光される。
【００１８】ウエハ待機位置１０からステージ８までの
ウエハ移動経路の上方には、乾燥エアー吹き付け手段２
０が設置される。乾燥エアー吹き付け手段２０は、下方
に多数の小孔が設けられた１本又は複数本の中空管、あ
るいは下面に多数の小孔又はスリットが設けられた板状
の中空部材からなる。圧送ファン２１により吸引、送風
された外気は、湿度除去手段２２によって湿度数％に湿
度除去されたのち、ウエハ雰囲気を満たすことができる
ような流量で乾燥エアー吹き付け手段２０から下方に向
けて吹き付けられる。乾燥エアー吹き付け手段２０は、
図では１つの手段でウエハ待機位置１０、ウエハ搬送部
１１、ステージ８の全てをカバーしているが、ウエハ待
機位置１０、ウエハ搬送部１１、ステージ８などの各部
位毎に分割してエアー吹き付け手段を取り付けてもよ
い。エアー吹き付け方向は、ウエハの雰囲気を湿度除去
されたエアーで満たすことができれば、どの様な方向で
あってもよい。
ウエハ移動経路の上方には、乾燥エアー吹き付け手段２
０が設置される。乾燥エアー吹き付け手段２０は、下方
に多数の小孔が設けられた１本又は複数本の中空管、あ
るいは下面に多数の小孔又はスリットが設けられた板状
の中空部材からなる。圧送ファン２１により吸引、送風
された外気は、湿度除去手段２２によって湿度数％に湿
度除去されたのち、ウエハ雰囲気を満たすことができる
ような流量で乾燥エアー吹き付け手段２０から下方に向
けて吹き付けられる。乾燥エアー吹き付け手段２０は、
図では１つの手段でウエハ待機位置１０、ウエハ搬送部
１１、ステージ８の全てをカバーしているが、ウエハ待
機位置１０、ウエハ搬送部１１、ステージ８などの各部
位毎に分割してエアー吹き付け手段を取り付けてもよ
い。エアー吹き付け方向は、ウエハの雰囲気を湿度除去
されたエアーで満たすことができれば、どの様な方向で
あってもよい。
【００１９】湿度除去された雰囲気では静電気が起きや
すくなり、静電気がウエハを通って放電するとウエハ上
に形成された素子が破壊されたり、回路機能が不良とな
る等の問題が生じる。従って、湿度除去された雰囲気の
部材、特にウエハケース２３、ウエハ搬送部１１、ウエ
ハホルダー７等ウエハと接触する部材あるいは可動部材
には金属等の導電性部材を使用し、アース線２４を設け
る等して静電気の除去を行う。
すくなり、静電気がウエハを通って放電するとウエハ上
に形成された素子が破壊されたり、回路機能が不良とな
る等の問題が生じる。従って、湿度除去された雰囲気の
部材、特にウエハケース２３、ウエハ搬送部１１、ウエ
ハホルダー７等ウエハと接触する部材あるいは可動部材
には金属等の導電性部材を使用し、アース線２４を設け
る等して静電気の除去を行う。
【００２０】また、ウエハ雰囲気に湿度測定手段２５を
設置してウエハ雰囲気の湿度を常に監視する。制御部２
７は、湿度測定手段２５によって湿度の上昇が確認され
たとき報知部２８に信号を送ることで、装置オペレータ
にウエハ雰囲気の湿度上昇を報知する。さらに、圧送フ
ァン２１による外気取り込み部の近くに湿度測定手段２
６を設置することもできる。制御部２７は、湿度測定手
段２６の出力により外気の湿度をモニターし、湿度除去
手段２２の湿度除去能力を外気湿度に応じて制御してウ
エハ雰囲気の湿度が外気湿度によらず常に一定になるよ
うにする。
設置してウエハ雰囲気の湿度を常に監視する。制御部２
７は、湿度測定手段２５によって湿度の上昇が確認され
たとき報知部２８に信号を送ることで、装置オペレータ
にウエハ雰囲気の湿度上昇を報知する。さらに、圧送フ
ァン２１による外気取り込み部の近くに湿度測定手段２
６を設置することもできる。制御部２７は、湿度測定手
段２６の出力により外気の湿度をモニターし、湿度除去
手段２２の湿度除去能力を外気湿度に応じて制御してウ
エハ雰囲気の湿度が外気湿度によらず常に一定になるよ
うにする。
【００２１】図３は、本発明の第２の実施の形態を示す
説明図である。この実施の形態では、ウエハ待機位置１
０とウエハ搬送部１１をそれぞれチャンバー３３ａ，３
３ｂで囲い、チャンバー３３ａ，３３ｂの内部を数％の
湿度になるように湿度除去された乾燥エアーで満たす。
乾燥エアーは、図２と同様に、圧送ファン２１で吸引、
送風された外気を湿度除去手段２２を通して湿度除去す
ることによって作られる。チャンバー３３ａ，３３ｂの
間及びチャンバー３３ａ，３３ｂと外部との開口部には
シャッター３４ａ〜３４ｃが設けられており、シャッタ
ー３４ａ〜３４ｃは各チャンバーにウエハを出し入れす
るときのみシャッター駆動手段３５ａ〜３５ｃによって
開けられ、それ以外の時は閉じられている。このように
各部位をブロックに分割することで容積を小さくし、乾
燥エアーでの置換が行われやすくなるようにしている。
また、チャンバー内部を外部に対してやや正の圧力に保
つことで、チャンバー外部からの湿度の混入を防ぐこと
ができる。ステージ８の周囲は可動部が多くチャンバー
で覆うことは困難であるため、ここではステージ８の上
方に乾燥エアー吹き付け部３０を設けて、ステージ８上
に載置されたウエハ６の雰囲気に湿度除去されたエアー
を吹き付けている。
説明図である。この実施の形態では、ウエハ待機位置１
０とウエハ搬送部１１をそれぞれチャンバー３３ａ，３
３ｂで囲い、チャンバー３３ａ，３３ｂの内部を数％の
湿度になるように湿度除去された乾燥エアーで満たす。
乾燥エアーは、図２と同様に、圧送ファン２１で吸引、
送風された外気を湿度除去手段２２を通して湿度除去す
ることによって作られる。チャンバー３３ａ，３３ｂの
間及びチャンバー３３ａ，３３ｂと外部との開口部には
シャッター３４ａ〜３４ｃが設けられており、シャッタ
ー３４ａ〜３４ｃは各チャンバーにウエハを出し入れす
るときのみシャッター駆動手段３５ａ〜３５ｃによって
開けられ、それ以外の時は閉じられている。このように
各部位をブロックに分割することで容積を小さくし、乾
燥エアーでの置換が行われやすくなるようにしている。
また、チャンバー内部を外部に対してやや正の圧力に保
つことで、チャンバー外部からの湿度の混入を防ぐこと
ができる。ステージ８の周囲は可動部が多くチャンバー
で覆うことは困難であるため、ここではステージ８の上
方に乾燥エアー吹き付け部３０を設けて、ステージ８上
に載置されたウエハ６の雰囲気に湿度除去されたエアー
を吹き付けている。
【００２２】ウエハ待機位置１０、ウエハ搬送部１１、
ステージ８上などのウエハ移動経路の各部位にはウエハ
６が存在するかどうかを検出する検出手段３６ａ〜３６
ｃが設けられている。制御部３７は、検出手段３６ａ〜
３６ｃの出力をモニターし、各検出手段３６ａ〜３６ｃ
の検出領域にウエハが存在しない場合には、そのウエハ
が存在しない部位へエアーを供給する経路の流量制御弁
３８ａ〜３８ｃを絞ったり閉じたりして、吹き付けるエ
アーの供給量を制御する。このウエハの有無に応じたエ
アー供給量制御は、特にガスボンベやストレージタンク
から乾燥エアーを供給する場合に、ランニングコストの
低減に寄与する。
ステージ８上などのウエハ移動経路の各部位にはウエハ
６が存在するかどうかを検出する検出手段３６ａ〜３６
ｃが設けられている。制御部３７は、検出手段３６ａ〜
３６ｃの出力をモニターし、各検出手段３６ａ〜３６ｃ
の検出領域にウエハが存在しない場合には、そのウエハ
が存在しない部位へエアーを供給する経路の流量制御弁
３８ａ〜３８ｃを絞ったり閉じたりして、吹き付けるエ
アーの供給量を制御する。このウエハの有無に応じたエ
アー供給量制御は、特にガスボンベやストレージタンク
から乾燥エアーを供給する場合に、ランニングコストの
低減に寄与する。
【００２３】この第２の実施の形態においても、ウエハ
雰囲気に湿度測定手段を設置して湿度管理を行うことが
可能である。湿度除去手段２２のエアー取り入れ口には
不純物除去フィルターを設置するのが好ましい。不純物
除去フィルターは、図４に示すように、ケミカルフィル
ター４１とＨＥＰＡフィルターやＵＬＰＡフィルター等
の除塵フィルター４２を組み合わせるのが好適である。
ケミカルフィルター４１で除去すべきガス状不純物とし
ては、例えばＳＯ4 2-、ＮＨ4 +、Ｓｉを分子中に含む炭
化水素系物質、トリメチルシラノール、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン等がある。
雰囲気に湿度測定手段を設置して湿度管理を行うことが
可能である。湿度除去手段２２のエアー取り入れ口には
不純物除去フィルターを設置するのが好ましい。不純物
除去フィルターは、図４に示すように、ケミカルフィル
ター４１とＨＥＰＡフィルターやＵＬＰＡフィルター等
の除塵フィルター４２を組み合わせるのが好適である。
ケミカルフィルター４１で除去すべきガス状不純物とし
ては、例えばＳＯ4 2-、ＮＨ4 +、Ｓｉを分子中に含む炭
化水素系物質、トリメチルシラノール、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン等がある。
【００２４】図５は、本発明の第３の実施の形態を示す
説明図である。この実施の形態では、照明系雰囲気をカ
バー５１で覆い、カバー５１で覆われた雰囲気に配管５
２を介して湿度除去されたエアーを供給する。カバー５
１で覆う部位は、照明系全体もしくは特に汚染の可能性
が高いか、汚染によって光学性能の劣化に与える影響が
高いと考えられる照明系の一部でよく、必ずしも照明系
部全体である必要はない。
説明図である。この実施の形態では、照明系雰囲気をカ
バー５１で覆い、カバー５１で覆われた雰囲気に配管５
２を介して湿度除去されたエアーを供給する。カバー５
１で覆う部位は、照明系全体もしくは特に汚染の可能性
が高いか、汚染によって光学性能の劣化に与える影響が
高いと考えられる照明系の一部でよく、必ずしも照明系
部全体である必要はない。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、汚染が懸念される部位
に、汚染源の媒介もしくは汚染源となりうる水分を除去
したエアーを供給するため、装置の内部汚染を低減で
き、装置のメンテナンス間隔を延ばすことができる。ま
た、液体窒素を気化させて供給した場合に比べて、通常
大気を湿度除去したエアーを供給する本発明は低コスト
ですみ、不必要時には供給するエアー流量を制御できる
ため無駄にエアーを消費せず、より装置の維持に対する
コストの低減が期待できる。
に、汚染源の媒介もしくは汚染源となりうる水分を除去
したエアーを供給するため、装置の内部汚染を低減で
き、装置のメンテナンス間隔を延ばすことができる。ま
た、液体窒素を気化させて供給した場合に比べて、通常
大気を湿度除去したエアーを供給する本発明は低コスト
ですみ、不必要時には供給するエアー流量を制御できる
ため無駄にエアーを消費せず、より装置の維持に対する
コストの低減が期待できる。
【図１】露光装置の概略図。
【図２】第１の実施の形態の説明図。
【図３】第２の実施の形態の説明図。
【図４】エアー取り入れ口に不純物除去フィルターを設
置した例の説明図。
置した例の説明図。
【図５】第３の実施の形態の説明図。
１…光源部、２ａ，２ｂ，２ｃ…照射光反射部材、３
ａ，３ｂ，３ｃ…照明系部、４…レチクル、５…投影レ
ンズ、６…ウエハ、７…ウエハホルダー、８…ステー
ジ、９…ウエハ、１０…ウエハ待機部、１１…ウエハ搬
送部、２０…乾燥エアー吹き付け部、２１…圧送ファ
ン、２２…湿度除去手段、２３…ウエハケース、２４…
アース、２５，２６…湿度測定手段、２７…制御部、２
８…報知部、３０…乾燥エアー吹き付け部、３３ａ，３
３ｂ…チャンバー、３４ａ，３４ｂ，３４ｃ…シャッタ
ー、３５ａ，３５ｂ，３５ｃ…シャッター駆動部、３６
ａ，３６ｂ，３６ｃ…ウエハ検出手段、３７…制御部、
３８ａ〜３８ｃ…流量制御弁、４１…除塵フィルター、
４２…ケミカルフィルター、５１…カバー、５２…配管
ａ，３ｂ，３ｃ…照明系部、４…レチクル、５…投影レ
ンズ、６…ウエハ、７…ウエハホルダー、８…ステー
ジ、９…ウエハ、１０…ウエハ待機部、１１…ウエハ搬
送部、２０…乾燥エアー吹き付け部、２１…圧送ファ
ン、２２…湿度除去手段、２３…ウエハケース、２４…
アース、２５，２６…湿度測定手段、２７…制御部、２
８…報知部、３０…乾燥エアー吹き付け部、３３ａ，３
３ｂ…チャンバー、３４ａ，３４ｂ，３４ｃ…シャッタ
ー、３５ａ，３５ｂ，３５ｃ…シャッター駆動部、３６
ａ，３６ｂ，３６ｃ…ウエハ検出手段、３７…制御部、
３８ａ〜３８ｃ…流量制御弁、４１…除塵フィルター、
４２…ケミカルフィルター、５１…カバー、５２…配管
Claims (8)
- 【請求項１】 紫外線を射出する光源部と、前記光源部
から射出された紫外線でレチクルを照明する照明光学系
と、前記レチクルの像を感光性基板上に転写する投影系
部と、装置の一部もしくは全部を収容するチャンバーと
を備える露光装置において、任意の部位に湿度除去され
た気体を供給することを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記感光性基板雰囲気に湿度除去された
気体を供給することを特徴とする請求項１記載の露光装
置。 - 【請求項３】 感光性基板の存在を検知する手段を備
え、感光性基板の有無に応じて湿度除去された気体の供
給量を制御することを特徴とする請求項２記載の露光装
置。 - 【請求項４】 前記感光性基板の周囲雰囲気の湿度を測
定する手段を備えることを特徴とする請求項２又は３記
載の露光装置。 - 【請求項５】 湿度除去された気体が供給される雰囲気
中で前記感光性基板と接触する部材に静電気除去手段を
設けたことを特徴とする請求項２、３又は４記載の露光
装置。 - 【請求項６】 前記照明光学系雰囲気に湿度除去された
気体を供給することを特徴とする請求項１記載の露光装
置。 - 【請求項７】 ガス状不純物除去フィルターと湿度除去
手段を備え、前記ガス状不純物除去フィルターを通した
気体を前記湿度除去手段に通すことによって湿度除去さ
れた気体を得ることを特徴とする請求項１〜６のいずれ
か１項記載の露光装置。 - 【請求項８】 前記気体は大気を湿度除去したものであ
ることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の
露光装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8086711A JPH09283401A (ja) | 1996-04-09 | 1996-04-09 | 露光装置 |
| KR1019970012127A KR100542414B1 (ko) | 1996-03-27 | 1997-03-27 | 노광장치및공조장치 |
| US09/266,873 US6535270B1 (en) | 1996-03-27 | 1999-03-12 | Exposure apparatus and air-conditioning apparatus for use with exposure apparatus |
| US10/237,133 US20030035087A1 (en) | 1996-03-27 | 2002-09-09 | Exposure apparatus and air-conditioning apparatus for use with exposure apparatus |
| US11/071,106 US20050185156A1 (en) | 1996-03-27 | 2005-03-04 | Exposure apparatus and air-conditioning apparatus for use with exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8086711A JPH09283401A (ja) | 1996-04-09 | 1996-04-09 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283401A true JPH09283401A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=13894499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8086711A Withdrawn JPH09283401A (ja) | 1996-03-27 | 1996-04-09 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09283401A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002024600A1 (fr) * | 2000-09-20 | 2002-03-28 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Ceramique a faible dilatation thermique et element pour systeme d'exposition |
| JP2002535703A (ja) * | 1999-01-15 | 2002-10-22 | ドナルドソン カンパニー，インコーポレイティド | 気体の光透過率を最適化するための化学的フィルタリング |
| US6522385B2 (en) | 2000-05-29 | 2003-02-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Air shower head of photolithography equipment for directing air towards a wafer stage |
| US6762820B2 (en) | 2000-09-08 | 2004-07-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| JP2005333134A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| US7075617B2 (en) | 2003-10-30 | 2006-07-11 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a lithographic apparatus |
| JP2009111186A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-05-21 | Toshiba Corp | 基板処理方法、基板搬送方法および基板搬送装置 |
| KR101319108B1 (ko) * | 2003-09-29 | 2013-10-17 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 노광 장치, 투영 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR20190108913A (ko) * | 2018-03-16 | 2019-09-25 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 랩핑 장치 |
-
1996
- 1996-04-09 JP JP8086711A patent/JPH09283401A/ja not_active Withdrawn
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002535703A (ja) * | 1999-01-15 | 2002-10-22 | ドナルドソン カンパニー，インコーポレイティド | 気体の光透過率を最適化するための化学的フィルタリング |
| US6522385B2 (en) | 2000-05-29 | 2003-02-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Air shower head of photolithography equipment for directing air towards a wafer stage |
| US6762820B2 (en) | 2000-09-08 | 2004-07-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US7112549B2 (en) * | 2000-09-20 | 2006-09-26 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Low thermal expansion ceramic and member for exposure system |
| WO2002024600A1 (fr) * | 2000-09-20 | 2002-03-28 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Ceramique a faible dilatation thermique et element pour systeme d'exposition |
| KR101319108B1 (ko) * | 2003-09-29 | 2013-10-17 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 노광 장치, 투영 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| US8797502B2 (en) | 2003-09-29 | 2014-08-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device with electricity removal device by adding additive to liquid |
| US7075617B2 (en) | 2003-10-30 | 2006-07-11 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a lithographic apparatus |
| JP2005333134A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| JP4669735B2 (ja) * | 2004-05-18 | 2011-04-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| US9623436B2 (en) | 2004-05-18 | 2017-04-18 | Asml Netherlands B.V. | Active drying station and method to remove immersion liquid using gas flow supply with gas outlet between two gas inlets |
| US10761438B2 (en) | 2004-05-18 | 2020-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Active drying station and method to remove immersion liquid using gas flow supply with gas outlet between two gas inlets |
| JP2009111186A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-05-21 | Toshiba Corp | 基板処理方法、基板搬送方法および基板搬送装置 |
| KR20190108913A (ko) * | 2018-03-16 | 2019-09-25 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 랩핑 장치 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041130 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060920 |