JP2005333134A - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005333134A
JP2005333134A JP2005143396A JP2005143396A JP2005333134A JP 2005333134 A JP2005333134 A JP 2005333134A JP 2005143396 A JP2005143396 A JP 2005143396A JP 2005143396 A JP2005143396 A JP 2005143396A JP 2005333134 A JP2005333134 A JP 2005333134A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
gas
liquid
substrate table
drying station
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005143396A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4669735B2 (ja
Inventor
Bob Streefkerk
シュトレーフケルク ボブ
Sjoerd Nicolaas Lambertus Donders
ニコラース ラムベルテュス ドンデルス シュールド
Erik Roelof Loopstra
ロエロフ ロープシュトラ エリック
Johannes Catharinus Hubertus Mulkens
キャサリヌス ヒューベルテュス ムルケンス ヨハネス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of JP2005333134A publication Critical patent/JP2005333134A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4669735B2 publication Critical patent/JP4669735B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70991Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70341Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C9/00Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important
    • B05C9/08Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important for applying liquid or other fluent material and performing an auxiliary operation
    • B05C9/12Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important for applying liquid or other fluent material and performing an auxiliary operation the auxiliary operation being performed after the application
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

【課題】リソグラフィ装置及びデバイス製造方法を提供すること。
【解決手段】液体供給システムが投射装置の最後の要素と基板との間に浸漬液を供給する、リソグラフィ投射装置が開示される。能動的乾燥ステーションが、基板を浸漬した後、基板W又は他の対象物から浸漬液を能動的に除去するために、設けられる。
【選択図】図1

Description

本発明は、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。
リソグラフィ装置は、基板の対象部分上に所望のパターンを形成する機械である。たとえば、リソグラフィ装置を集積回路(IC)の製造で使用することができる。その環境では、ICの個々の層に対応する回路パターンを生成するために、マスクなどのパターン形成手段を使用することができる。このパターンは、放射感光性材料(レジスト)の層を有する基板(たとえば、シリコン・ウェハ)上の対象部分(たとえば、一部分、1つ又はいくつかのダイを含む)上に投影することができる。一般に、単一基板は、連続的に露光される互いに隣接する対象部分の網を含むはずである。周知のリソグラフィ装置は、1回で対象部分上にパターン全体を露光することによって、各対象部分が照射されるいわゆるステッパと、同期して所与の方向(「走査」方向)に対して平行又は逆平行に基板を走査しながらこの方向で投射ビームがパターンを走査することによって、各対象部分が照射されるいわゆるスキャナとを含む。
投射システムの最後の要素と基板の間のスペースを充填するために、屈折率が比較的高い液体、たとえば水の中に、リソグラフィ投射装置中の基板を浸漬することが提案されてきた。これの要点は、露光放射は液体中で波長がより短くなるはずなので、より小さな形状の投影が可能になることである。(液体の効果は、システムの有効NAが増加し、焦点深さも増加することと見なすことができる。)
しかし、基板、或いは基板及び基板テーブルを液体の槽中に水没させること(参照として本明細書に組み込まれる米国特許第4,509,852号を参照。)は、走査する露光中に加速しなければならない液体の大きな塊があるということを意味する。これには、追加の又はより強力なモータが必要になり、液体中の乱れによって、不要で予測できない作用が生じる恐れがある。
提案された解決策の1つは、液体供給システムが、液体封じ込めシステムを使用して、基板の限定された領域上だけに、かつ投射システムの最後の要素と基板との間の中に液体を供給することである(一般に、基板は、表面面積が、投射システムの最後の要素より広い)。提案されたこれを行うためにアレンジされた1つの方法は、特許出願第WO 99/49504号に開示されており、参照により本明細書にその全体を組み込むものとする。図6及び7に示すように、液体は、少なくとも1つの注入口INから基板上に、好ましくは最後の要素に対する基板の移動方向に沿って供給されて、投射システムの下を通過した後、少なくとも1つの排出口OUTから除去される。すなわち、基板が、要素の下においてX方向に走査されるので、液体は、要素の+X側で供給され、−X側で除去される。図6に、液体が、注入口INから供給され、要素の他方側において低圧源に接続された排出口OUTから除去される構成を概略的に示す。図6の説明図では、液体は、必ずしもそうである必要はないが、最後の要素に対する基板の移動方向に沿って供給される。注入口及び排出口は、様々な方向及び数で、最後の要素のまわりに配置することが可能である。図7に、4組の注入口が、その注入口の両側に1つの排出口を有して、最後の要素のまわりに規則的なパターンで設けられた一実施例を示す。
提案された別の解決策は、液体供給システムに、投射システムの最後の要素と基板テーブルとの間のスペースの少なくとも一部の境界に沿って延在するシール部材を設けることである。シール部材は、Z方向(光軸方向)にはいくらか相対的な運動が生じることがあるが、XY平面では投射システムに対して実質的に静止している。シール部材と基板の表面との間で封止される。この封止は、ガス・シールなどの非接触シール、ヨーロッパ特許出願第03252955.4号に開示されたシステムなどで行われることが好ましく、この特許出願は、参照により本明細書にその全体を組み込むものとする。
明らかに、液体が、浸漬リソグラフィ投射装置中に存在することによって、従来のリソグラフィ装置中では存在しない難題が持ち上がる。たとえば、基板を支持する基板テーブルの位置を測定するための干渉計IFなどのセンサが、浸漬液から生じた湿気によって影響を受けることがあり得る。さらに、上記に述べた液体供給システムのための解決策のすべてが、浸漬液をすべて含むことにおいて完全でなく、いくらかの漏出又は流出が起こり得る。
本発明の一目的は、リソグラフィ投射装置中に浸漬液が存在することに関連する問題を軽減することである。
本発明の一態様によれば、放射の投射ビームを供給するための照明システムと、投射ビームにパターンをその断面において付与するパターン形成手段を支持するための支持構造と、基板を保持するための基板テーブルと、パターン形成されたビームを基板の対象部分上に投射するための投射システムと、投射システムと基板テーブル上に位置する対象物との間のスペースを少なくとも部分的に浸漬液で充填するための液体供給システムとを含み、対象物、基板テーブル、又はその両方から能動的に液体を除去するための能動型乾燥ステーションをさらに含むことを特徴とするリソグラフィ装置が提供される。
このようにして、能動的に浸漬液を除去することによって(実質的に基板を加熱せずに行われることが好ましい)、浸漬液は、できるだけ短い時間の間(基板が対象物の場合)基板上の感光性レジストと接触することが保証される。これは、浸漬液が、感光性レジストと反応することができ、したがって感光性レジストの浸漬液と接触している時間の長さに従って、基板上の像の品質が変化し得るので、重要である。さらに、能動型乾燥ステーションがセンサから液体を除去した場合、これらのセンサの性能が高められる。対象物及び基板テーブルから液体を除去することによって、浸漬液の蒸気が引き起こす装置中の空気の汚染が低減される。これによって、装置中に存在することがあるどんな光学センサも、その性能が高められる。対象物及び/又は基板テーブルが、投射システムの下から移動された後、及び/又は液体供給システムから取り外された後、すなわち対象物及び/又は基板テーブルへの浸漬液の供給が停止された後、この能動的な除去が実施される。
基板テーブルは、対象物を能動型乾燥ステーションへ搬送し、能動型乾燥ステーションによって対象物から浸漬液が能動的に除去される間、対象物を支持することが好ましい。これによって、投射システムの下から(又は液体供給システムから)移動された後、できるだけ速やかに能動的な浸漬液の除去が行われ、それによって浸漬液が、装置の大気に曝される時間及び、基板上の感光性レジストに曝される時間の長さが減少する。基板は、乾燥するまで基板テーブルから取り外す必要がない。
能動型乾燥ステーションは、投射システムと基板露光後処理モジュールの間に位置させることができ、したがって露光位置と露光後処理モジュールの間で、又は基板テーブル搭載センサの場合は、そのセンサを使用して測定する直前に、浸漬液の除去を行うことができる。すなわち、能動型乾燥ステーションは、投射装置の中にある及び/又はその一部分であって、露光後処理モジュールではない。
乾燥ステーションは、前記対象物又は前記基板テーブルの表面の上を流れるガス流を生成するガス流手段を含むことが好ましい。ガス流手段は、少なくとも50リットル/分のガス流を生成することができることが好ましい。これによって、リソグラフィ装置内部の湿度が低いままであることが保証され、たとえば温度変動の面では装置を安定に保つ助けになり得る。能動型乾燥ステーションは、前記基板の表面上にガスを供給するために少なくとも1つのガス注入口、及び/又は対象物の表面からガス及び/又は液体を除去するために少なくとも1つのガス排出口を含むことができる。ガス注入口の場合、少なくとも1つのガス注入口は、ガス・ナイフ又は少なくとも10個の注入口を備えたガス・シャワーを含むことができる。これらの両解決策は、対象物又は基板テーブルの表面から浸漬液を除去する点で極めて有効であることが分かっている。
能動型乾燥ステーションは、対象物を回転させるためのスピナーを含むことができる。スピナーは、遠心力を利用して対象物から浸漬液を除去する。この解決策は、対象物が、基板の中心のまわりをその主平面で回転する場合の基板である場合に、極めて適している。
単独で、又は上述した他の手段のどれかに付加して使用することができる他の代替策は、浸漬液を溶解する液体を対象物の表面に供給する浸漬液体溶解液供給手段を含む。このようにして、浸漬液体溶解液中に浸漬液を溶解することができる。浸漬液体溶解液自体は、基板から容易に排除されるように選択される。たとえば、これは、乾燥を促進するという対象物表面の湿潤性のある液体を選択することによって、果たすことができる。又は、浸漬液体溶解液は、浸漬液よりも揮発性が高くなるように選択され、したがって対象物の表面から容易に蒸発する。浸漬液体溶解液は、ケトン又はアルコールであることが好ましい。
本発明の他の態様によれば、基板テーブルによって支持される基板を設けるステップと、照明システムを使用して放射の投射ビームを供給するステップと、パターン形成手段を使用して投射ビームにパターンをその断面において付与するステップと、投射システムと基板テーブル上の対象物の間に浸漬液を供給するステップと、投射システムを使用して放射のパターン形成されたビームを対象物の対象部分上に投射するステップとを含み、能動的に対象物、基板テーブル、又はその両方から液体を除去するステップを特徴とするデバイス製造方法が提供される。
本文で、IC製造上でのリソグラフィ装置の使用に関して具体的に言及することがあるが、本明細書で述べたリソグラフィ装置は、光集積システム、磁気領域メモリの誘導及び検出パターン、液晶表示装置(LCD)、薄膜磁気ヘッドなどの製造など他の用途を有することができることを理解されたい。そのような代替の用途の文脈では、本明細書で用語「ウェハ」又は「ダイ」のいかなる使用も、それぞれより一般的な用語「基板」又は「対象部分」と同義と考えられることを、当業者は理解するはずである。本明細書で言及される基板は、たとえばトラック(通常、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール)中で、或いは計測ツール又は検査ツール中で、露光前又は露光後に、処理することができる。適用できる場合、本明細書の開示は、そのような及び他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、2回以上、たとえば多層IC製作のために処理することができ、したがって本明細書で使用される用語「基板」は、複数の処理済の層をすでに含む基板も指すことができる。
本明細書で使用される用語「放射」及び「ビーム」は、紫外線(UV)(たとえば、波長が、365、248、193、157又は126nm)、及び極紫外線(EUV)(たとえば、波長が、5から20nmまでの範囲)、並びにイオン・ビーム又は電子ビームなどの粒子ビームを含め、すべての種類の電磁放射を包含する。
本明細書で使用される用語「パターン形成手段」は、基板の対象部分中にパターンを生成するために、投射ビームにパターンをその断面において付与する目的で使用することができる手段を言及すると広く解釈すべきである。投射ビームに付与されたパターンが、基板の対象部分中では所望のパターンと正確に一致しないことがあることを留意されたい。一般に、投射ビームに付与されたパターンは、集積回路などの対象部分中に生成されるデバイス中の特定の機能層に一致するはずである。
パターン形成手段は、透過的又は反射的とすることができる。パターン形成手段の実施例には、マスク、プログラム可能なミラー・アレイ及びプログラム可能なLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、交互位相変移(alternating phase−shift)及び減衰位相変移(attenuated phase−shift)などのマスクの種類、並びに様々なハイブリッド・マスクの種類を含む。プログラム可能なミラー・アレイの一実施例では、小さなミラーの行列構成が使用され、各ミラーは、入射放射ビームを互いに異なる方向に反射するように個々に傾けることができ、このようにして反射ビームがパターン形成される。パターン形成手段の各実施例では、支持構造は、フレーム又はテーブルとすることができ、たとえば要求に応じて、固定され又は移動することができ、その支持構造によってパターン形成手段が、たとえば投射システムに対して所望の位置にあることを保証することができる。用語「レチクル」又は「マスク」の本明細書におけるいかなる使用も、より一般的な用語「パターン形成手段」と同義と考えることができる。
本明細書で使用される用語「投射システム」は、たとえば放射露光用として使用するのに適した、或いは浸漬液の使用又は真空の使用などの他の要因に適した、屈折光学システム、反射光学システム及び反射屈折光学システムを含め、様々な種類の投射システムを包含するものと広く解釈すべきである。用語「レンズ」の本明細書におけるいかなる使用も、より一般的な用語「投射システム」と同義と考えることができる。
照明システムは、放射の投射ビームを誘導、整形又は制御するための、屈折光学構成要素、反射光学構成要素及び反射屈折光学構成要素を含め、様々な種類の光学構成要素を包含することもでき、そのような構成要素は、以下で総称的に又は単独で「レンズ」として言及されることもある。
リソグラフィ装置は、2つ(二重ステージ)又はそれより多い基板テーブル(及び/又は2又はそれより多いマスク・テーブル)を有する種類のものとすることができる。そのような「複数ステージ」の機械では、追加のテーブルを並行に使用することができるか、又は1つ又は複数のテーブルを露光するために使用しながら、準備工程を1つ又は複数の他のテーブル上で実施することができる。
ここで、本発明の実施例について、例としてだけで、添付の概略図面を参照して説明する。図面では、一致する参照記号は、一致する部品を示す。
図1に、本発明の特定の実施例によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射(たとえば、UV放射)の投射ビームPBを供給するための照明システム(照明器)ILと、パターン形成手段(たとえば、マスク)MAを支持するための、用品PLに対してパターン形成手段を正確に位置決めするための第1の位置決め手段に接続された第1の支持構造(たとえば、マスク・テーブル)MTと、基板(たとえば、レジスト被覆ウェハ)Wを保持するための、用品PLに対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決め手段に接続された基板テーブル(たとえば、ウェハ・テーブル)WTと、パターン形成手段MAによって投射ビームPBに付与されたパターンを基板Wの対象部分C(たとえば、1つ又は複数のダイを含む)上に投影するための投射システム(たとえば、屈折投射レンズ)PLとを含む。
この図に示すように、この装置は、透過型の種類(たとえば、透過型マスクを使用する)のものである。或いは、装置は、反射型の種類(たとえば、上記で言及した種類のプログラム可能なミラー・アレイを使用する)のものとすることができる。
照明器ILは、放射源SOからの放射のビームを受光する。放射源及びリソグラフィ装置は、たとえば放射源がエキシマレーザの場合に、別々にあってもよい。その場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部をなすとは見なされず、放射ビームは、たとえば適切な誘導ミラー及び/又はビーム拡大器を含むビーム送出システムBDの助けを得て、放射源SOから照明器ILに送出される。他の場合、放射源は、たとえば放射源が水銀ランプのとき、装置の一体部分とすることができる。放射源SO及び照明器ILは、必要ならビーム送出システムBDとともに、放射システムと呼ばれることがある。
照明器ILは、ビームの角度強度分布を調節するための調節手段AMを含むことができる。一般に、少なくとも照明器の瞳面中の強度分布の外側及び/又は内側の半径方向大きさ(通常、それぞれ外側σ及び内側σといわれる)を調節することができる。さらに、照明器ILは、一般に、インテグレータIN及び集光レンズCOなど様々な他の構成要素を含む。照明器は、投射ビームPBと呼ばれる、所望の一様性及び強度分布をその断面において有した、放射の調整されたビームを供給する。
投射ビームPBは、マスク・テーブルMT上に保持されたマスクMAに入射される。マスクMAを横切った後、投射ビームPBは、基板Wの対象部分C上にビームを合焦させるレンズPLを通過する。第2の位置決め手段及び位置センサIF(たとえば、干渉計デバイス)の助けによって、たとえばビームPBの経路中に様々な対象部分Cを位置決めするために、基板テーブルWTを正確に移動することができる。同様に、第1の位置決め手段及び他の位置センサ(図1には明示せず)を使用して、たとえばマスク・ライブラリから機械的に検索した後に、又は走査中に、ビームPBの経路に対して正確にマスクMAを位置決めすることができる。一般に、対物テーブルMT及びWTの移動は、長行程モジュール(粗位置決め用)及び短行程モジュール(微位置決め用)の助けによって実現されるであろうし、それらは、位置決め手段の一部をなす。しかし、ステッパの場合(スキャナとは違い)、マスク・テーブルMTは、短行程アクチュエータだけに接続される、又は固定されることができる。マスクMA及び基板Wは、マスク位置合わせマークM1及びM2、並びに基板位置合わせマークP1及びP2を使用して、位置合わせすることができる。
この図に示した装置は、以下の好ましいモードで使用することができる。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に保たれ、一方投射ビームに付与されたパターン全体は、1回で(すなわち1回の静止した露光で)対象部分C上に投射される。次いで、基板テーブルWTは、X方向及び/又はY方向に移動されて、異なる対象部分Cを露光することができる。ステップ・モードでは、照射野の最大サイズが、1回の静止した露光で投影される、対象部分Cのサイズを限定する。
2.走査モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが、投射ビームに付与されたパターンが対象部分C上に投射される間に(すなわち1回の動的な露光)、同期して走査される。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投射システムPLの倍率(縮小率)及び像反転特性によって決められる。走査モードでは、照射野の最大サイズが、1回の動的な露光の対象部分の幅(非走査方向)を限定し、一方走査運動の移動距離が、対象部分の高さ(走査方向)を決める。
3.他のモードでは、マスク・テーブルMTは、基本的に静止状態に保たれてプログラム可能なパターン形成手段を保持し、基板テーブルWTは、投射ビームに付与されたパターンが対象部分C上に投射される間、移動される又は走査される。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、プログラム可能なパターン形成手段が、基板テーブルWTの移動毎の後に、又は走査中の連続する放射パルス間に、必要に応じて更新される。このモードの動作は、上記で言及した種類のプログラム可能なミラー・アレイなどのプログラム可能なパターン形成手段を利用する、マスクを使用しないリソグラフィに容易に適用することができる。
上記で述べた使用のモードの組合せ及び/又はその変形を使用することができ、或いはまったく異なる使用のモードを使用することもできる。
装置には、少なくとも1つの能動型乾燥ステーションADSを設ける。この能動型乾燥ステーションADSは、投射システムPL、及び投射システムPLの下に位置する液体供給システムLSSにできるだけ近接して位置決めすることが好ましい。能動的乾燥とは、液体が蒸発する、又は自然に流れ出す恐れがある動作期間中、対象物に通常の操作だけを施し、対象物を乾燥するという具体的な目的で対象物になんら措置を施さないのではなく、積極的な措置を取って対象物から液体を除去することを意味する。液体供給システムLSSは、基板の限定された領域に、並びに基板全体を浸漬する槽に液体を供給する領域限定液体供給システムなどを含め、どんな種類のものでよい。
基板Wが、まず、液体供給システムLSSから離れて(たとえば、槽の形の液体供給システムから引き上げられたとき、又は水がその槽から排出されたとき)投射システムPLの下から移動されたとき、基板は能動型乾燥ステーションADSに渡される。能動型乾燥ステーションADSにおいて、基板W上に残った浸漬液は、以下で説明する措置の1つ又は組合せによって、能動的に除去される。レジスト(基板上の放射感光性被膜)は、能動型乾燥ステーションADSによって、作用されない、又は除去されない。
能動型乾燥ステーションADSについては基板Wから液体を除去することに関連して説明するが、能動型乾燥ステーションは、センサ(基板テーブルWT上に位置することができ、その性能は液体を除去することによって高められるはずである)から、並びに基板テーブル自体から浸漬液を除去するために、使用することもできる。能動型乾燥ステーションは、他の対象物から液体を除去するために使用することもできる。センサの場合、液体は、有利にも測定に先だち、すなわち基板Wを露光する前に、除去することができる。
浸漬液が基板Wに供給された後、処理されるまで、基板の表面から残った浸漬液をすべて除去することは、ほぼ不可能である。残念ながら、浸漬液は基板上の感光性レジスト中に溶解し、並びに感光性レジストは浸漬液中に溶解することがあり得る。したがって、基板を一様に現像する目的で、できるだけ速やかに残った浸漬液を除去することが望ましい。これは、能動型乾燥ステーションADS中で実施される。能動型乾燥ステーションADSは、基板を露光した後の所定時間内に基板を乾燥できるように、位置決めされることが好ましい。この所定の時間は、5秒より短いことが好ましく、2秒より短いことがより好ましく、1秒より短いことが最も好ましい。さらに、不利なことに装置中の湿度が高くなるので、基板テーブル及びセンサなどの上に残った浸漬液をできるだけ速やかに除去することが有利になる。これらの機能は、好ましくはリソグラフィ投射装置中に位置し、及び/又はそのリソグラフィ投射装置の一部分をなす、能動型乾燥ステーションADSによって、すべて実施し得る。センサから残った液体を除去することは、液体が、以前は問題であったその後の基板の適切なレベリングを妨げることができないことを意味する。
図1には示していないが、能動型乾燥ステーションADSには、乾燥時の対象物を完全に取り囲むための調節板又は適切な他の手段を設けることができる。たとえば、基板テーブルWTの上面全体を、能動型乾燥ステーションADS中のカーテン又は調節板によって取り囲み、浸漬液が、実質的に装置のまわりに広がるのを防止することができる。トレイを使用して滴りをすべて捕らえることができるはずである。
図1に、リソグラフィ装置の一部分として能動型乾燥ステーションADSを示しているが、これは必ずしもそうである必要はなく、能動型乾燥ステーションADSは、基板Wが投射ビームPBに露光される位置と、感光性レジストのベーキング及び現像、エッチング、及び堆積などの様々な処理工程が施される基板露光後処理モジュールの前との間のどこにでも位置決めすることができる。したがって、能動型乾燥ステーションは、リソグラフィ投射装置の外側にあってもよい。
能動型乾燥ステーションADSは、基板Wから液体を除去するために、どんな手段も利用することができる。基板Wを実質的に加熱せずに乾燥を行うことが好ましいのは、加熱して熱勾配が生じることによって、装置の平衡が崩れる恐れがあるためである。能動型乾燥ステーションADSが基板Wから液体を除去する方法の、いくつかの実施例を以下で説明する。これらの方法は、適切なように、単独で又はその組合せで、同時に又は次々とそのどちらででも、使用することができる。
能動型乾燥ステーションADSが、リソグラフィ投射装置内に位置し、基板テーブルが乾燥する基板(又は他の対象物)を能動型乾燥ステーションADSに搬送し、能動型乾燥ステーションADSによって対象物から浸漬液が能動的に除去されている間、基板/対象物を支持することが好ましい。複数の能動型乾燥ステーションが、たとえば基板W用のもの及び基板テーブルWT上のセンサ用のものであってもよい。
その最も簡単な形では、能動型乾燥ステーションADSは、基板Wの表面の上にガス流を生成するガス流手段10を含む。ガス流量が高くなればなるほど、基板Wからの浸漬液の除去は、より効率的で迅速になる。好ましくは、少なくとも50リットル/分のガス流量、より好ましくは、少なくとも100リットル/分のガス流量が、達成できることである。ガスは、このガスがレジストと相溶性の場合(248nmの放射に使用されるいくつかのレジストの場合には当てはまらない)、基板Wの表面の汚れを避けるために、基板W上に吹き付けられる前に、フィルタリング及び/又は乾燥されることが好ましい。
図2に示す実施例では、ガス流手段10は、注入口50及び排出口60を含む。加圧されたガスが、注入口50から供給され、排出口60中の低圧により排出される。図2に示す構成では、注入口50が、高流率及び高速の両方の状態でガスを基板上に当てるように、基板Wに向けてガスを加速するノズルである、いわゆるガス・ナイフである。ガス・ジェット流は、排出口60に向かう方向で基板Wに対して鋭角で基板上に当たることが好ましい。その構成は、基板Wの表面から液体を除去することにおいて極めて効率的である。ガス流手段10は、注入口50を1つだけ又は排出口60を1つだけ含むことができ、或いは複数の注入口50及び排出口60を含むことができる。基板Wは、矢印によって示すように、静止した注入口50及び排出口60の下を移動することができる。注入口50及び排出口60は、連続した溝、並びに別々の注入ポート及び排出ポートでもよい。注入口50及び排出口60は、可動とすることもできる。
ガス流手段が、低圧部に接続された排出口60だけを含むことも可能である。この場合、ガス並びに基板Wの上面の上にある浸漬液を排出口60から吸い込むことになるはずである。
図3に、ガス流手段10が、複数の注入口50を含み、過剰なガスを排出するためにどこかに排出口を設ける必要があるかもしれないが、基板の上には排出口を含まない別の実施例を示す。これが、いわゆるシャワー・ヘッドである。シャワー・ヘッドは、少なくとも10個の注入口50を含むことが好ましい。シャワー・ヘッドは、基板Wの表面全体を覆うに足る大きさである断面領域のもの、又は乾燥時にシャワー・ヘッド10の下で基板Wを移動できるものとすることができる。
能動型乾燥ステーションは、基板テーブルWT上の対象物(基板及びセンサを含む)をすべて1回で乾燥することができるように、基板テーブルと同じ長さの大きさにすることが好ましい。
ガスは、フィルタリングして、シャワー・ヘッド10中で使用することがやはり好ましい。
図5に、基板W又はセンサから液体を除去するためのガス・ナイフの極めて効率的な形を示す。浸漬液5は、低圧部に接続された中央流路110から吸い上げられる。流路110は、(このページの内側及び外側に延在する)スロットの形であることが好ましい。ガスは、中央流路の両側にある外側流路120から供給される。これらの外側流路120は、スロットでもよい。したがって、ガス及び浸漬液5を中央流路110に引き込む助けをするガス流が、基板Wの表面の上に生じる。外側流路は、出口において基板の表面へ向かう角度で垂直から中央通路110の入口に向けて、道付けることができる。流路110の入口及び流路120の出口がそこに形成されるガス・ナイフの底部表面は、外側流路120から中央流路110へのガス流が滑らかになるように、たとえば中央通路110への入口の縁部、及び任意選択によって外側流路120の出口の縁部を丸くする(すなわち、縁部に半径を付ける)ことによって、輪郭外形を付けることができる。
基板テーブルWTが、露光後又はその前の基板テーブルの垂直移動中に能動型乾燥ステーションの下を移動するように、能動型乾燥ステーションADSを位置付け、基板テーブルWTの経路を選ぶことが好ましい(すなわち、経路変更が必要でない)。このように、損なわれる処理効率が最小化される。
能動型乾燥ステーションADS中で使用することができる更なるシステムは、基板Wの平面でその中心まわりに基板Wを回転させるために使用される、スピナーである。基板Wが回転しているとき(図4に示すように)、遠心力は基板Wの表面上の液体に働きかけ、浸漬液が凝集していることがある場合、外側へ投げ飛ばす。
能動型乾燥ステーションADSは、乾燥されている対象物から除去された浸漬用流体を回収するための液体回収手段を含むことが好ましい。これは、浸漬液が水でない場合、極めて有利である。
前述の実施例の実行前又は実行後に位置付けられ、前述の実施例の任意の1つとも組み合わせて使用することができる他の実施例は、基板Wの表面上で浸漬液を溶解する乾燥用液体を使用することである。浸漬液を溶解する乾燥用液体が、浸漬液より容易に基板の表面から除去される種類のものである場合、これによって乾燥プロセスが加速されるはずである。さらに、浸漬液を溶解することによって、使用する乾燥用液体を注意深く選択すると、感光性レジストの溶解を、又は感光性レジスト中への拡散を低減することが可能になり得る。このように、浸漬液を溶解する乾燥用液体を基板Wの表面に供給することができる、浸漬液体溶解液供給手段を設ける。この作業のために選択される乾燥用液体は、浸漬液より揮発性が高く、したがって浸漬液より容易に除去できる(すなわち蒸発する)ことが好ましい。若しくは、又は追加して、液体は、基板W上で浸漬液より容易に数珠つなぎになるように、基板Wとの接触角度が大きくなるように選択することができるため、除去することが可能となる。適した液体は、ケトン又はアルコールであり、とりわけIPA(イソプロピルアルコール)である。
本発明は、基板テーブルWT上に位置するときの、能動型乾燥ステーションADSによって乾燥される基板Wに関して説明してきたことを理解されるはずである。これは必ずしもそうである必要がなく、基板テーブルWT自体又は基板テーブルWT上のセンサなど他の対象物を、能動型乾燥ステーションによって乾燥させることができる。浸漬液中に浸漬されることのある(たとえば、偶然に又は照明のため)基板上のセンサの乾燥は、極めて有利である。センサの性能が、測定中に液体がない、及び/又は乾燥用マークがないことによって向上する。さらに、上記に述べたようにリソグラフィ装置の外側に位置することがある能動型乾燥ステーションADSによる乾燥の前に、基板テーブルWTから基板Wを取り外す必要があり得る。実際、たとえ能動型乾燥ステーションが、リソグラフィ装置中に位置する場合でも、能動型乾燥ステーションADSによって乾燥するために、基板テーブルから基板/対象物を取り外すという技術的問題が、必要なことがある。
提案された他の浸漬リソグラフィの解決策は、投射システムの最後の要素と基板テーブルとの間のスペースの少なくとも境界の一部分に沿って延在するシール部材を、液体供給システムに設けることである。このシール部材は、Z方向(光軸の方向)にいくらか相対運動があり得るが、XY平面上で投射システムに対して実質的に静止している。シール部材と基板テーブルの間で封止される。ある実装では、この封止は、ガス・シールなどの非接触シールである。そのシステムは、たとえばヨーロッパ特許出願第US 10/705,783号に記載され、参照によって本明細書にその全体が組み込まれるものとする。
図8に、限定液体供給システムを有した他の浸漬リソグラフィの解決策を示す。液体が、投射システムPLの両側にある2つの溝の注入口INから供給され、その注入口INから放射状で外側に配置された別々の複数の排出口OUTから除去される。注入口IN及び排出口OUTは、中心に穴のあるプレート中に配置することができ、その穴を貫通して投射ビームが投射される。液体は、投射システムPLの一方側にある1つの溝の注入口INから供給され、投射システムPLの他方側にある別々の複数の排出口OUTから除去され、それによって投射システムPLと基板Wとの間で薄い膜状の液体の流れが生じる。注入口IN及び排出口OUTのどの組合せを使用するかの選択は、基板Wの運動の方向に依存する(他の注入口IN及び排出口OUTの組合せは、使用できない)。
ヨーロッパ特許出願第03257072.3号に、一対又は二重のステージの浸漬リソグラフィ装置の考えが開示されており、参照によって本明細書にその全体が組み込まれるものとする。その装置には、2つの基板テーブルが、基板を支持するために設けられる。レベリング測定が第1の位置にある基板テーブルによって浸漬液がない状態で実行され、露光が第2の位置にある基板テーブルによって浸漬液が存在する状態で実施される。或いは、装置は、第1と第2の位置との間を移動する基板テーブルを1つだけ有することができる。
本発明の実施例は、どんな浸漬リソグラフィ装置及びどんな液体供給システム(それに関連する部品を含む)にも適用することができ、とりわけ、しかしそれだけでなく、上記で言及された液体供給システムのいずれかに、及び上記で述べた液体の槽に、適用することができる。
本発明の具体的な実施例を上記に述べてきたが、本発明は、述べたようにではなく別の方法で実施できることを理解されたい。本記述は、本発明を限定するように企図されていない。
本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。 ガス・ナイフを使用した能動型乾燥ステーションの一実施例を示す図である。 ガス・シャワーを使用した能動型乾燥手段の一実施例を示す図である。 能動型乾燥ステーションの一実施例中で使用されるスピナーの原理を概略的に示す図である。 ガス・ナイフの例示的実施例の横断面図を示す図である。 本発明による液体供給手段の横断面図を表す図である。 図6の液体供給システムの平面図を表す図である。 本発明の一実施例による液体供給システムを示す図である。
符号の説明
SO 放射源
BD ビーム送出システム
AM 調節手段
IL 照明システム、照明器
IN インテグレータ
CO 集光レンズ
PB 投射ビーム
MT 第1の支持構造、対物テーブル、マスク・テーブル
MA パターン形成手段、マスク
PL 用品、投射システム、レンズ
W 基板
C 対象部分
IF 干渉計、位置センサ
WT 基板テーブル、対物テーブル
M1、M2 マスク位置合わせマーク
P1、P2 基板位置合わせマーク
LSS 液体供給システム
ADS 能動型乾燥ステーション
5 浸漬液
10 ガス流手段、シャワー・ヘッド
50 注入口
60 排出口
110 中央流路
120 外側流路
IN 注入口
OUT 排出口

Claims (30)

  1. リソグラフィ装置であって、
    放射の投射ビームを供給するための照明システムと、
    前記投射ビームにパターンをその断面で付与するように働くパターン形成手段を支持するための支持構造と、
    基板を保持するための基板テーブルと、
    前記パターン形成されたビームを前記基板の対象部分上に投射するための投射システムと、
    前記投射システムと前記基板テーブル上に位置する対象物との間のスペースを少なくとも部分的に浸漬液で充填するための液体供給システムとを含み、
    前記対象物、前記基板テーブル、又はその両方から能動的に液体を除去するための能動型乾燥ステーションをさらに含むことを特徴とする装置。
  2. 前記能動型乾燥ステーションが、前記投射システムと基板露光後処理モジュールとの間に位置する、請求項1に記載の装置。
  3. 前記基板テーブルが、前記能動型乾燥ステーションに前記対象物を搬送する、請求項1又は2に記載の装置。
  4. 前記基板テーブルが、前記能動型乾燥ステーションによって前記対象物から能動的に液体が除去される間、前記対象物を支持する、請求項1、2又は3に記載の装置。
  5. 前記能動型乾燥ステーションが、前記対象物、前記基板テーブル、又はその両方の表面の上にガス流を供給するためのガス流手段を含む、前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
  6. 前記能動型乾燥ステーションが、前記対象物、前記基板テーブル、又はその両方の表面上にガスを供給するための少なくとも1つのガス注入口を含む、請求項1から5までのいずれか一項に記載の装置。
  7. 前記ガス注入口が、ガス・ナイフを形成する、請求項6に記載の装置。
  8. 前記ガス・ナイフが、追加のガス注入口と、前記ガス注入口間に配置されたガス排出口とをさらに含む、請求項7に記載の装置。
  9. 前記対象物、前記基板テーブル、又はその両方の表面からガスを排出するためのガス排出口をさらに含み、
    前記ガス注入口が、実質的に前記ガス排出口の周辺部を囲う、請求項6に記載の装置。
  10. 前記ガス注入口が、少なくとも10個の注入口を持つガス・シャワーを含む、請求項6に記載の装置。
  11. 前記能動型乾燥ステーションが、前記対象物、前記基板テーブル、又はその両方の表面に、浸漬液を溶解する液体を供給するための浸漬液体溶解液供給手段を含む、前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
  12. 前記浸漬液体溶解液が、前記浸漬液より揮発性が高い、請求項11に記載の装置。
  13. 前記浸漬液体溶解液が、ケトン又はアルコールである、請求項11又は12に記載の装置。
  14. 前記能動型乾燥ステーションが、前記対象物、前記基板テーブル、又はその両方の表面からガス、液体、又はその両方を除去するための、少なくとも1つのガス排出口を含む、前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
  15. 前記能動型乾燥ステーションが、前記対象物、前記基板テーブル、又はその両方を回転させるためのスピナーを含む、前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
  16. 前記対象物が基板を含む、前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
  17. 前記対象物がセンサを含む、前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
  18. デバイス製造方法であって、
    基板テーブルによって支持される基板を設けるステップと、
    照明システムを使用して放射の投射ビームを供給するステップと、
    パターン形成手段を使用して前記投射ビームにパターンをその断面で付与するステップと、
    投射システムの最後の要素と前記基板テーブル上の対象物との間に浸漬液を供給するステップと、
    前記投射システムを使用して、前記パターン形成された放射のビームを前記対象物の対象部分上に投射するステップとを含み、
    前記対象物、前記基板テーブル、又はその両方から能動的に液体を除去するステップを特徴とする方法。
  19. 前記対象物、前記基板テーブル、又はその両方の表面の上にガス流を供給するステップを含む、請求項18に記載の方法。
  20. 前記ガス流が、ガス・ナイフを形成する、請求項19に記載の方法。
  21. 前記ガス・ナイフが、2つの位置においてガスを供給するステップと、前記2つの位置間の位置からガスを排出するステップとを含む、請求項20に記載の方法。
  22. ガスが供給される位置の周辺部を実質的に囲繞する位置において、前記対象物、前記基板テーブル、又はその両方の表面からガスを排出するステップをさらに含む、請求項19に記載の方法。
  23. 少なくとも10個の注入口を持つガス・シャワーを使用してガスを供給するステップを含む、請求項19に記載の方法。
  24. 前記対象物、前記基板テーブル、又はその両方の表面に、前記浸漬液を溶解する溶解液体を供給するステップをさらに含む、請求項18に記載の方法。
  25. 前記溶解液体が、前記浸漬液より揮発性が高い、請求項24に記載の方法。
  26. 前記溶解液体が、ケトン又はアルコールを含む、請求項24に記載の方法。
  27. 前記対象物、前記基板テーブル、又はその両方の表面からガス、液体、又はその両方を除去するステップを含む、請求項18に記載の方法。
  28. 前記対象物、前記基板テーブル、又はその両方を回転させるステップを含む、請求項18から27までのいずれか一項に記載の方法。
  29. 前記対象物が基板を含む、請求項18から28までのいずれか一項に記載の方法。
  30. 前記対象物がセンサを含む、請求項18から29までのいずれか一項に記載の方法。
JP2005143396A 2004-05-18 2005-05-17 リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 Expired - Fee Related JP4669735B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/847,661 US7616383B2 (en) 2004-05-18 2004-05-18 Lithographic apparatus and device manufacturing method

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009044651A Division JP4997258B2 (ja) 2004-05-18 2009-02-26 能動型乾燥ステーション及び能動乾燥方法
JP2010132174A Division JP5236691B2 (ja) 2004-05-18 2010-06-09 リソグラフィ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005333134A true JP2005333134A (ja) 2005-12-02
JP4669735B2 JP4669735B2 (ja) 2011-04-13

Family

ID=34941237

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005143396A Expired - Fee Related JP4669735B2 (ja) 2004-05-18 2005-05-17 リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2009044651A Active JP4997258B2 (ja) 2004-05-18 2009-02-26 能動型乾燥ステーション及び能動乾燥方法
JP2010132174A Active JP5236691B2 (ja) 2004-05-18 2010-06-09 リソグラフィ装置

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009044651A Active JP4997258B2 (ja) 2004-05-18 2009-02-26 能動型乾燥ステーション及び能動乾燥方法
JP2010132174A Active JP5236691B2 (ja) 2004-05-18 2010-06-09 リソグラフィ装置

Country Status (7)

Country Link
US (4) US7616383B2 (ja)
EP (2) EP1598705A1 (ja)
JP (3) JP4669735B2 (ja)
KR (1) KR100610646B1 (ja)
CN (2) CN100524033C (ja)
SG (1) SG117565A1 (ja)
TW (1) TWI266964B (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008072647A1 (en) * 2006-12-13 2008-06-19 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device fabrication method
JP2008147667A (ja) * 2006-12-07 2008-06-26 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置、乾燥器および表面から液体を除去する方法
JP2009231838A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Asml Netherlands Bv 液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2016540216A (ja) * 2013-12-13 2016-12-22 ベンタナ メディカル システムズ, インコーポレイテッド 生体試料の自動化された組織学的処理および関連付けられた技術

Families Citing this family (86)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101713932B (zh) 2002-11-12 2012-09-26 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG171468A1 (en) * 2002-12-10 2011-06-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
TWI591445B (zh) 2003-02-26 2017-07-11 尼康股份有限公司 Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
CN106444292A (zh) 2003-04-11 2017-02-22 株式会社尼康 沉浸式光刻装置、清洗方法、器件制造方法及液体沉浸式光刻装置
KR101861493B1 (ko) 2003-04-11 2018-05-28 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
TWI612557B (zh) 2003-05-23 2018-01-21 Nikon Corp 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
TWI612556B (zh) * 2003-05-23 2018-01-21 Nikon Corp 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
CN100541717C (zh) 2003-05-28 2009-09-16 株式会社尼康 曝光方法、曝光装置以及器件制造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1486827B1 (en) 2003-06-11 2011-11-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW200511388A (en) 2003-06-13 2005-03-16 Nikon Corp Exposure method, substrate stage, exposure apparatus and method for manufacturing device
TW201721717A (zh) 2003-06-19 2017-06-16 尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法、及元件製造方法
JP2007527615A (ja) * 2003-07-01 2007-09-27 株式会社ニコン 同位体特定流体の光学素子としての使用方法
EP2853943B1 (en) * 2003-07-08 2016-11-16 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
WO2005006418A1 (ja) * 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
ATE513309T1 (de) * 2003-07-09 2011-07-15 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung und verfahren zur bauelementeherstellung
KR20060026883A (ko) 2003-07-09 2006-03-24 가부시키가이샤 니콘 결합장치, 노광장치 및 디바이스 제조방법
EP3346485A1 (en) 2003-07-25 2018-07-11 Nikon Corporation Projection optical system inspecting method and inspection apparatus, and a projection optical system manufacturing method
KR101599649B1 (ko) * 2003-07-28 2016-03-14 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101288632B1 (ko) * 2003-08-21 2013-07-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101242886B1 (ko) 2003-08-29 2013-03-12 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
EP3223053A1 (en) * 2003-09-03 2017-09-27 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
JP4444920B2 (ja) 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
EP3093711A3 (en) 2003-09-29 2017-05-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
WO2005036623A1 (ja) 2003-10-08 2005-04-21 Zao Nikon Co., Ltd. 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
KR101111364B1 (ko) 2003-10-08 2012-02-27 가부시키가이샤 자오 니콘 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광방법, 디바이스 제조 방법
TW201738932A (zh) 2003-10-09 2017-11-01 Nippon Kogaku Kk 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法
SG2014014955A (en) 2003-12-03 2014-07-30 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, method for producing device, and optical part
KR101499405B1 (ko) 2003-12-15 2015-03-05 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2005076321A1 (ja) 2004-02-03 2005-08-18 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR100557222B1 (ko) * 2004-04-28 2006-03-07 동부아남반도체 주식회사 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치 및 방법
US8054448B2 (en) 2004-05-04 2011-11-08 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100594430C (zh) 2004-06-04 2010-03-17 卡尔蔡司Smt股份公司 用于测量光学成像系统的图像质量的系统
KR101433496B1 (ko) 2004-06-09 2014-08-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE602005016429D1 (de) 2004-07-12 2009-10-15 Nippon Kogaku Kk Hren
JP4983257B2 (ja) * 2004-08-18 2012-07-25 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法、計測部材、及び計測方法
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006080143A (ja) 2004-09-07 2006-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置及びパターン形成方法
US7133114B2 (en) * 2004-09-20 2006-11-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070242248A1 (en) * 2004-10-26 2007-10-18 Nikon Corporation Substrate processing method, exposure apparatus, and method for producing device
WO2006046562A1 (ja) * 2004-10-26 2006-05-04 Nikon Corporation 基板処理方法、露光装置及びデバイス製造方法
US7414699B2 (en) * 2004-11-12 2008-08-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7362412B2 (en) * 2004-11-18 2008-04-22 International Business Machines Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate in an immersion lithography system
JP4794232B2 (ja) * 2004-12-06 2011-10-19 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5154007B2 (ja) 2004-12-06 2013-02-27 株式会社Sokudo 基板処理装置
EP1833082A4 (en) * 2004-12-06 2010-03-24 Nikon Corp SUBSTRATE PROCESSING METHOD, EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS
US7397533B2 (en) 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1863070B1 (en) 2005-01-31 2016-04-27 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US7282701B2 (en) 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101479392B1 (ko) 2005-04-28 2015-01-05 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
US7834974B2 (en) 2005-06-28 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20080031376A (ko) * 2005-07-11 2008-04-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2007103658A (ja) * 2005-10-04 2007-04-19 Canon Inc 露光方法および装置ならびにデバイス製造方法
US7929109B2 (en) 2005-10-20 2011-04-19 Nikon Corporation Apparatus and method for recovering liquid droplets in immersion lithography
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8027019B2 (en) 2006-03-28 2011-09-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2007135990A1 (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Nikon Corporation 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法
CN102109773A (zh) * 2006-05-22 2011-06-29 株式会社尼康 曝光方法、曝光装置以及维修方法
JP5019170B2 (ja) * 2006-05-23 2012-09-05 株式会社ニコン メンテナンス方法、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
KR20090033170A (ko) * 2006-06-30 2009-04-01 가부시키가이샤 니콘 메인터넌스 방법, 노광 방법 및 장치 및 디바이스 제조 방법
US9632425B2 (en) 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US8654305B2 (en) 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
CA2699803C (en) 2007-09-13 2013-01-15 Applied Precision, Inc. Method of dispersing immersion liquid on a specimen substrate for high resolution imaging and lithographie
KR101448152B1 (ko) * 2008-03-26 2014-10-07 삼성전자주식회사 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서
JP5097166B2 (ja) 2008-05-28 2012-12-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置の動作方法
JP5199982B2 (ja) 2008-12-08 2013-05-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置
NL2005528A (en) * 2009-12-02 2011-06-07 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2005717A (en) * 2009-12-18 2011-06-21 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
US9222194B2 (en) 2010-08-19 2015-12-29 International Business Machines Corporation Rinsing and drying for electrochemical processing
US9570576B2 (en) * 2013-12-10 2017-02-14 Infineon Technologies Ag Method for forming a semiconductor device having insulating parts or layers formed via anodic oxidation
JP6232138B2 (ja) 2013-12-13 2017-11-15 ベンタナ メディカル システムズ, インコーポレイテッド 生物学的試料の組織学的処理のための染色試薬および他の液体ならびに関連技術
DE112014005277T5 (de) * 2014-06-12 2016-10-06 Fuji Electric Co., Ltd. Vorrichtung zum Einbringen von Verunreinigungen, Verfahren zum Einbringen von Verunreinigungen und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements
JP6251825B2 (ja) 2014-06-16 2017-12-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置、及び基板を搬送する方法

Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH06168866A (ja) * 1992-11-27 1994-06-14 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH09283401A (ja) * 1996-04-09 1997-10-31 Nikon Corp 露光装置
JPH10303114A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
JP2001227868A (ja) * 2000-02-14 2001-08-24 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 基板乾燥装置及び乾燥方法
JP2002016124A (ja) * 2000-06-28 2002-01-18 Sony Corp ウェーハ搬送アーム機構
JP2002289575A (ja) * 2001-03-28 2002-10-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法及びその装置
JP2003007669A (ja) * 2001-06-25 2003-01-10 Tokyo Electron Ltd 基板の処理装置
JP2003178943A (ja) * 2001-12-10 2003-06-27 Tokyo Electron Ltd 現像処理方法及び現像処理装置
WO2004102646A1 (ja) * 2003-05-15 2004-11-25 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005022616A1 (ja) * 2003-08-29 2005-03-10 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005024325A2 (en) * 2003-08-29 2005-03-17 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
JP2005086030A (ja) * 2003-09-09 2005-03-31 Canon Inc 露光装置及び露光装置の制御方法
JP2005101487A (ja) * 2002-12-10 2005-04-14 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム
WO2005036623A1 (ja) * 2003-10-08 2005-04-21 Zao Nikon Co., Ltd. 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
WO2005036621A1 (ja) * 2003-10-08 2005-04-21 Zao Nikon Co., Ltd. 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
JP2005183656A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Canon Inc 露光装置
JP2005197469A (ja) * 2004-01-07 2005-07-21 Tokyo Electron Ltd 塗布・現像装置及び塗布・現像方法
JP2006523031A (ja) * 2003-04-11 2006-10-05 株式会社ニコン 液浸リソグラフィにおける光学素子の洗浄方法

Family Cites Families (203)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE221563C (ja)
DE224448C (ja)
DE206207C (ja)
GB1242527A (en) 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) * 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
DE2963537D1 (en) 1979-07-27 1982-10-07 Tabarelli Werner W Optical lithographic method and apparatus for copying a pattern onto a semiconductor wafer
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) * 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4390273A (en) * 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS62188322A (ja) * 1986-02-14 1987-08-17 Hitachi Micro Comput Eng Ltd 洗浄装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
US5040020A (en) * 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
WO1998009278A1 (en) * 1996-08-26 1998-03-05 Digital Papyrus Technologies Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JPH1133506A (ja) * 1997-07-24 1999-02-09 Tadahiro Omi 流体処理装置及び洗浄処理システム
JP3511441B2 (ja) * 1996-11-29 2004-03-29 忠弘 大見 洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、ウエット処理装置及びウエット処理方法
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3070511B2 (ja) * 1997-03-31 2000-07-31 日本電気株式会社 基板乾燥装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US5900354A (en) * 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
AU1175799A (en) * 1997-11-21 1999-06-15 Nikon Corporation Projection aligner and projection exposure method
JPH11283903A (ja) 1998-03-30 1999-10-15 Nikon Corp 投影光学系検査装置及び同装置を備えた投影露光装置
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
WO1999031717A1 (fr) 1997-12-12 1999-06-24 Nikon Corporation Procede d'exposition par projection et graveur a projection
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
US6254936B1 (en) * 1998-09-14 2001-07-03 Silicon Valley Group, Inc. Environment exchange control for material on a wafer surface
TWI242111B (en) * 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
US6995930B2 (en) * 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7187503B2 (en) * 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
US6421932B2 (en) * 2000-02-14 2002-07-23 Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. Method and apparatus for drying substrate plates
JP2001272604A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Olympus Optical Co Ltd 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置
US7234477B2 (en) * 2000-06-30 2007-06-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces
TW591653B (en) * 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
KR100866818B1 (ko) * 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
JP4189141B2 (ja) * 2000-12-21 2008-12-03 株式会社東芝 基板処理装置及びこれを用いた基板処理方法
US20020163629A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
US6810109B2 (en) 2001-07-13 2004-10-26 Medtronic Ave, Inc. X-ray emitting system and method
JP3886424B2 (ja) * 2001-08-28 2007-02-28 鹿児島日本電気株式会社 基板処理装置及び方法
US6600547B2 (en) * 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
CN1791839A (zh) * 2001-11-07 2006-06-21 应用材料有限公司 光点格栅阵列光刻机
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
DE10210899A1 (de) * 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
US7092069B2 (en) * 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
AU2003256081A1 (en) 2002-08-23 2004-03-11 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US6988326B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US6954993B1 (en) * 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US7367345B1 (en) * 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US7093375B2 (en) * 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
TWI232357B (en) * 2002-11-12 2005-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101713932B (zh) * 2002-11-12 2012-09-26 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
CN101424881B (zh) * 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US6829035B2 (en) * 2002-11-12 2004-12-07 Applied Materials Israel, Ltd. Advanced mask cleaning and handling
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420299B1 (en) 2002-11-12 2011-01-05 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
SG131766A1 (en) * 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10253679A1 (de) * 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
DE60319658T2 (de) * 2002-11-29 2009-04-02 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE10258718A1 (de) * 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
SG171468A1 (en) * 2002-12-10 2011-06-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
CN1723539B (zh) 2002-12-10 2010-05-26 株式会社尼康 曝光装置和曝光方法以及器件制造方法
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
EP1571696A4 (en) 2002-12-10 2008-03-26 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE
AU2003302830A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
JP4179283B2 (ja) 2002-12-10 2008-11-12 株式会社ニコン 光学素子及びその光学素子を用いた投影露光装置
AU2003289272A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method
EP1429190B1 (en) * 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
KR20120127755A (ko) 2002-12-10 2012-11-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
CN100446179C (zh) * 2002-12-10 2008-12-24 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
AU2003302831A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device
JP4184346B2 (ja) * 2002-12-13 2008-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去
US7514699B2 (en) 2002-12-19 2009-04-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US7010958B2 (en) * 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
EP1732075A3 (en) 2002-12-19 2007-02-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US6781670B2 (en) * 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
TWI247339B (en) 2003-02-21 2006-01-11 Asml Holding Nv Lithographic printing with polarized light
US6943941B2 (en) * 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7206059B2 (en) * 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) * 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
KR20110104084A (ko) 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
JP4656057B2 (ja) 2003-04-10 2011-03-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子
EP2950148B1 (en) 2003-04-10 2016-09-21 Nikon Corporation Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus
EP3352010A1 (en) 2003-04-10 2018-07-25 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
KR101431938B1 (ko) * 2003-04-10 2014-08-19 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
KR101861493B1 (ko) 2003-04-11 2018-05-28 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
JP4146755B2 (ja) * 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4025683B2 (ja) * 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
TWI295414B (en) * 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005277363A (ja) * 2003-05-23 2005-10-06 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
US6995833B2 (en) * 2003-05-23 2006-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
TWI612556B (zh) 2003-05-23 2018-01-21 Nikon Corp 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
TW594841B (en) * 2003-05-28 2004-06-21 Au Optronics Corp Apparatus and method for preventing contamination of substrate from condensate liquid
EP1486827B1 (en) * 2003-06-11 2011-11-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4084710B2 (ja) * 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4054285B2 (ja) * 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6867844B2 (en) * 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4029064B2 (ja) * 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084712B2 (ja) * 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
EP1498778A1 (en) 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
JP2007527615A (ja) 2003-07-01 2007-09-27 株式会社ニコン 同位体特定流体の光学素子としての使用方法
EP2853943B1 (en) * 2003-07-08 2016-11-16 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
SG109000A1 (en) * 2003-07-16 2005-02-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7175968B2 (en) * 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7326522B2 (en) * 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7700267B2 (en) * 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7579135B2 (en) * 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7061578B2 (en) * 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7085075B2 (en) * 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
US6954256B2 (en) * 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
JP4305095B2 (ja) * 2003-08-29 2009-07-29 株式会社ニコン 光学部品の洗浄機構を搭載した液浸投影露光装置及び液浸光学部品洗浄方法
US7014966B2 (en) 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
EP3223053A1 (en) 2003-09-03 2017-09-27 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US6961186B2 (en) * 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
US7369217B2 (en) * 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
US7678527B2 (en) * 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
JP2007525824A (ja) 2003-11-05 2007-09-06 ディーエスエム アイピー アセッツ ビー.ブイ. マイクロチップを製造するための方法および装置
US7924397B2 (en) * 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
EP1695148B1 (en) 2003-11-24 2015-10-28 Carl Zeiss SMT GmbH Immersion objective
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7125652B2 (en) 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
US7385764B2 (en) 2003-12-15 2008-06-10 Carl Zeiss Smt Ag Objectives as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
WO2005059617A2 (en) 2003-12-15 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective having a high aperture and a planar end surface
WO2005106589A1 (en) 2004-05-04 2005-11-10 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
US7460206B2 (en) * 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US20050185269A1 (en) * 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
WO2005059645A2 (en) 2003-12-19 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Microlithography projection objective with crystal elements
JP2005183744A (ja) * 2003-12-22 2005-07-07 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) * 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) * 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
US7145641B2 (en) * 2003-12-31 2006-12-05 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP4371822B2 (ja) * 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) * 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
KR101204114B1 (ko) * 2004-01-14 2012-11-23 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 반사굴절식 투영 대물렌즈
CN1910522B (zh) 2004-01-16 2010-05-26 卡尔蔡司Smt股份公司 偏振调制光学元件
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
KR101204157B1 (ko) 2004-01-20 2012-11-22 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 마이크로 리소그래픽 투영 노광 장치 및 그 투영 렌즈를 위한 측정 장치
US7026259B2 (en) * 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) * 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
EP1723467A2 (en) 2004-02-03 2006-11-22 Rochester Institute of Technology Method of photolithography using a fluid and a system thereof
WO2005076321A1 (ja) * 2004-02-03 2005-08-18 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005076084A1 (en) 2004-02-09 2005-08-18 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
US7050146B2 (en) * 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1714192A1 (en) 2004-02-13 2006-10-25 Carl Zeiss SMT AG Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
WO2005081030A1 (en) 2004-02-18 2005-09-01 Corning Incorporated Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light
KR20060129387A (ko) 2004-02-19 2006-12-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 디바이스 제조 방법
US20050205108A1 (en) * 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
US7027125B2 (en) * 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) * 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7227619B2 (en) * 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7295283B2 (en) * 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7712905B2 (en) 2004-04-08 2010-05-11 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
US7898642B2 (en) * 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100514996B1 (ko) 2004-04-19 2005-09-15 주식회사 이오테크닉스 레이저 가공 장치
US7271878B2 (en) * 2004-04-22 2007-09-18 International Business Machines Corporation Wafer cell for immersion lithography
US7244665B2 (en) * 2004-04-29 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Wafer edge ring structures and methods of formation
US7379159B2 (en) * 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8054448B2 (en) 2004-05-04 2011-11-08 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7091502B2 (en) * 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
KR20160085375A (ko) 2004-05-17 2016-07-15 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
US7616383B2 (en) * 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) * 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100594430C (zh) 2004-06-04 2010-03-17 卡尔蔡司Smt股份公司 用于测量光学成像系统的图像质量的系统
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7414699B2 (en) * 2004-11-12 2008-08-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7248334B2 (en) * 2004-12-07 2007-07-24 Asml Netherlands B.V. Sensor shield

Patent Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH06168866A (ja) * 1992-11-27 1994-06-14 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH09283401A (ja) * 1996-04-09 1997-10-31 Nikon Corp 露光装置
JPH10303114A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
JP2001227868A (ja) * 2000-02-14 2001-08-24 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 基板乾燥装置及び乾燥方法
JP2002016124A (ja) * 2000-06-28 2002-01-18 Sony Corp ウェーハ搬送アーム機構
JP2002289575A (ja) * 2001-03-28 2002-10-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法及びその装置
JP2003007669A (ja) * 2001-06-25 2003-01-10 Tokyo Electron Ltd 基板の処理装置
JP2003178943A (ja) * 2001-12-10 2003-06-27 Tokyo Electron Ltd 現像処理方法及び現像処理装置
JP2005101487A (ja) * 2002-12-10 2005-04-14 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム
JP2006523031A (ja) * 2003-04-11 2006-10-05 株式会社ニコン 液浸リソグラフィにおける光学素子の洗浄方法
WO2004102646A1 (ja) * 2003-05-15 2004-11-25 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005022616A1 (ja) * 2003-08-29 2005-03-10 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005024325A2 (en) * 2003-08-29 2005-03-17 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
JP2007504646A (ja) * 2003-08-29 2007-03-01 東京エレクトロン株式会社 基板を乾燥させる方法とシステム。
JP2005086030A (ja) * 2003-09-09 2005-03-31 Canon Inc 露光装置及び露光装置の制御方法
WO2005036623A1 (ja) * 2003-10-08 2005-04-21 Zao Nikon Co., Ltd. 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
WO2005036621A1 (ja) * 2003-10-08 2005-04-21 Zao Nikon Co., Ltd. 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
JP2005183656A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Canon Inc 露光装置
JP2005197469A (ja) * 2004-01-07 2005-07-21 Tokyo Electron Ltd 塗布・現像装置及び塗布・現像方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008147667A (ja) * 2006-12-07 2008-06-26 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置、乾燥器および表面から液体を除去する方法
WO2008072647A1 (en) * 2006-12-13 2008-06-19 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device fabrication method
JP2009231838A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Asml Netherlands Bv 液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US8259283B2 (en) 2008-03-24 2012-09-04 Asml Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2016540216A (ja) * 2013-12-13 2016-12-22 ベンタナ メディカル システムズ, インコーポレイテッド 生体試料の自動化された組織学的処理および関連付けられた技術

Also Published As

Publication number Publication date
US20170235236A1 (en) 2017-08-17
TWI266964B (en) 2006-11-21
US9623436B2 (en) 2017-04-18
CN100524033C (zh) 2009-08-05
EP1598705A1 (en) 2005-11-23
CN101587303A (zh) 2009-11-25
SG117565A1 (en) 2005-12-29
US7616383B2 (en) 2009-11-10
JP2010239146A (ja) 2010-10-21
EP2267538A1 (en) 2010-12-29
US20050259232A1 (en) 2005-11-24
US20140224173A1 (en) 2014-08-14
KR100610646B1 (ko) 2006-08-10
EP2267538B1 (en) 2012-03-14
JP5236691B2 (ja) 2013-07-17
KR20060047974A (ko) 2006-05-18
CN1700098A (zh) 2005-11-23
US8638415B2 (en) 2014-01-28
JP2009164623A (ja) 2009-07-23
JP4997258B2 (ja) 2012-08-08
TW200608150A (en) 2006-03-01
US10761438B2 (en) 2020-09-01
JP4669735B2 (ja) 2011-04-13
CN101587303B (zh) 2011-07-20
US20100014061A1 (en) 2010-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4669735B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP5085585B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP5145206B2 (ja) リソグラフィ装置
KR100632891B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
JP5063641B2 (ja) 液浸リソグラフィ装置、乾燥デバイス、液浸メトロロジー装置及びデバイス製造方法
JP4728382B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP5286431B2 (ja) リソグラフィ装置
JP2009164622A (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2010021568A (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP5065432B2 (ja) 流体ハンドリングデバイス、液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2007288185A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2011023749A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP5503938B2 (ja) 液浸リソグラフィ装置
JP4990327B2 (ja) リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置を操作する方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20060904

RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20070528

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080826

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20081126

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20081201

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090226

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100309

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100609

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100908

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101203

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101220

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110117

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4669735

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees