WO2005036623A1 - 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

　投影光学系と液体とを介したパターンの像によって露光された基板を搬送する基板搬送装置は、前記基板を支持する基板支持部材と、前記基板支持部材と、前記基板の裏面のうち少なくとも一部の領域との少なくとも一方に付着した前記液体を除去する液体除去機構とを備える。

Description

基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製 造方法

技術分野

[0001] 本発明は、液浸法により露光された基板を搬送する基板搬送装置及び基板搬送方 法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法に関するものである。

本願は、 2003年 10月 8日に出願された特願 2003— 349549号および特願 2003— 349552号に対し優先権を主張し、その内容をここに援用する。

背景技術

[0002] 半導体デバイスや液晶表示デバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光性の 基板上に転写する、いわゆるフォトリソグラフィの手法により製造される。このフォトリソ グラフイエ程で使用される露光装置は、マスクを支持するマスクステージと基板を支 持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながら マスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写するものである。近年、デバイス ノターンのより一層の高集積ィ匕に対応するために投影光学系の更なる高解像度化 が望まれている。投影光学系の解像度は、使用する露光波長が短くなるほど、また投 影光学系の開口数が大きいほど高くなる。そのため、露光装置で使用される露光波 長は年々短波長化しており、投影光学系の開口数も増大している。そして、現在主 流の露光波長は、 KrFエキシマレーザの 248nmであるが、更に短波長の ArFェキ シマレーザの 193nmも実用化されつつある。また、露光を行う際には、解像度と同様 に焦点深度 (DOF)も重要となる。解像度 及び焦点深度 δはそれぞれ以下の式 で表される。

[0003] R=k · λ /ΝΑ … (1)

δ = ±k - λ /ΝΑ² … (2)

2

ここで、 λは露光波長、 ΝΑは投影光学系の開口数、 k、 kはプロセス係数である。

1 2

(1)式、（2)式より、解像度 Rを高めるために、露光波長えを短くして、開口数 NAを 大きくすると、焦点深度 δが狭くなることが分力る。 [0004] 焦点深度 δが狭くなり過ぎると、投影光学系の像面に対して基板表面を合致させる ことが困難となり、露光動作時のフォーカスマージンが不足する恐れがある。そこで、 実質的に露光波長を短くして、且つ焦点深度を広くする方法として、例えば下記特 許文献 1に開示されている液浸法が提案されている。この液浸法は、投影光学系の 下面と基板表面との間を水や有機溶媒等の液体で満たし、液体中での露光光の波 長力 空気中の lZn (nは液体の屈折率で通常 1. 2-1. 6程度）になることを利用し て解像度を向上するとともに、焦点深度を約 η倍に拡大するというものである。

特許文献 1：国際公開第 99Ζ49504号パンフレット

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0005] ところで、液浸法により露光された基板は、基板搬送部材によって基板ステージか ら搬出される。このとき、基板の裏面に液体が付着していると、基板搬送部材と基板と の間の液体が潤滑膜となって、基板が基板搬送部材に対して滑りやすくなり (位置ず れしゃすくなり）、基板搬送部材は基板を所望の状態で搬送できなくなる不都合が生 じる可能性がある。また、基板搬送部材に液体が付着していると、その液体が膜とな つて基板搬送部材に対して基板が滑るなどにより、基板を良好に搬送できないおそ れがある。基板搬送部材が基板を真空吸着保持する構成の場合、基板に液体が付 着していると、その液体が真空系に浸入して真空系を破損させる不都合が生じる可 能性もある。

[0006] また、基板や基板搬送部材に液体が付着した状態で搬送すると、搬送中にお!、て 液体が基板から落下し、落下した液体により搬送経路周辺の各装置や部材が鲭び たり、露光装置が配置されている環境のクリーン度を維持できなくなる等の不都合が 生じる。あるいは、落下した液体により露光装置周辺の環境変化 (湿度変化)をもたら す場合もある。

[0007] 基板搬送部材に液体が付着して!/ヽると、その液体が基板に付着して、基板を汚染 したり、基板に付着した液体が露光処理前に乾燥した場合、その痕が基板表面に残 ることにより、製造されるデバイスの品質低下を招く可能性があった。また、露光処理 後において基板に液体を付着させた状態で例えば現像処理が実行されると現像む ら等を引き起こしたり、基板に付着した液体が雰囲気中の不純物 (塵等)を集めて基 板を汚染し、所望の性能を有するデバイスが製造できなくなるおそれが生じる。

[0008] 本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液浸法により露光された 基板を所望の状態で良好に搬送できる基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置 及び露光方法、デバイス製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0009] 上記の課題を解決するため、請求項 1に係る発明では、投影光学系と液体とを介し たパターンの像によって露光された基板を搬送する基板搬送装置において、前記基 板を支持する基板支持部材と、前記基板支持部材と、前記基板の裏面のうち少なく とも一部の領域との少なくとも一方に付着した前記液体を除去する液体除去機構とを 備えることとした。

[0010] また、請求項 11に係る発明では、投影光学系と液体とを介したパターンの像によつ て露光された基板を搬送する基板搬送装置において、前記基板を搬送し、かつ前記 液体を吸収する吸湿材を備える基板搬送部材を有することとした。

[0011] また、請求項 23に係る発明では、投影光学系と液体とを介してパターンの像が露 光された基板を搬送する基板搬送装置において、前記基板の裏面のうち一部の領 域に付着した液体を除去する第 1液体除去機構と、前記基板の裏面のうち一部の領 域に付着した液体を前記第 1液体除去機構で除去した後に、前記基板の表面に付 着した前記液体を除去する第 2液体除去機構とを備えることとした。

[0012] また、請求項 27に係る発明では、投影光学系と液体とを介してパターンの像が露 光された基板を搬送する基板搬送方法にお!ヽて、前記基板の裏面を基板支持部材 で支持する前に、前記基板の裏面のうち前記基板支持部材が支持する支持領域に 付着した液体を除去することとした。

[0013] さらに、請求項 33に記載された発明では、投影光学系と液体とを介してパターンの 像が露光された基板を搬送する基板搬送方法において、前記基板の裏面のうち一 部の領域に付着した前記液体を除去し、前記一部の領域に付着した前記液体を除 去した後に、前記基板の表面に付着した液体を除去することとした。

[0014] 上述した本発明によれば、液浸露光処理後の基板を搬送する際、基板を所望の状 態で搬送でき、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。

図面の簡単な説明

[図 1]本発明の露光装置としてのデバイス製造システムの一実施形態を示す概略構 成図である。

[図 2]図 1を上方から見た図である。

[図 3]露光処理を行う露光装置本体の一実施形態を示す概略構成図である。

[図 4]供給ノズル及び回収ノズルの配置例を示す図である。

[図 5]本発明に係る搬送アーム部材の一実施形態を示す概略構成図である。

[図 6A]本発明に係る搬送アーム部材による液体除去動作の一実施形態を示す図で ある。

[図 6B]本発明に係る搬送アーム部材による液体除去動作の一実施形態を示す図で ある。

[図 7A]本発明に係る保持テーブルの一実施形態を示す概略構成図である。

[図 7B]本発明に係る保持テーブルの一実施形態を示す概略構成図である。

[図 8A]本発明に係る保持テーブルによる液体除去動作の一実施形態を示す図であ る。

[図 8B]本発明に係る保持テーブルによる液体除去動作の一実施形態を示す図であ る。

[図 9]第 1の液体除去システムによる液体除去動作の一実施形態を示す図である。

[図 10]本発明に係る搬送アーム部材の別の実施形態を示す概略構成図である。

[図 11]本発明に係る搬送アーム部材の別の実施形態を示す概略構成図である。

[図 12A]第 1の液体除去システムによる液体除去動作の別の実施形態を示す図であ る。

[図 12B]第 1の液体除去システムによる液体除去動作の別の実施形態を示す図であ る。

[図 13]第 1の液体除去システムによる液体除去動作の別の実施形態を示す図である [図 14]第 1の液体除去システムによる液体除去動作の別の実施形態を示す図である [図 15]第 2の液体除去システムの構成例を模式的に示す図である。

[図 16]第 2の液体除去システムの他の構成例を模式的に示す図である。

[図 17]第 2の液体除去システムの他の構成例を模式的に示す図である。

[図 18]第 2の液体除去システムを備える搬送システムの他の形態例を模式的に示す 図である。

[図 19]半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。

符号の説明

[0016] 31 · · ·吸着穴（開口部、第 1開口部）、 32· · ·吹付穴（開口部、第 2開口部）、

34…真空系（吸着機構)、 35…気体供給系 (気体吹付機構)、

36· · ·気体吹付機構 (液体除去機構)、37· ··吸着機構、

38…第 1流路 (接続機構)、 38Α· · 'バルブ (接続機構)、

39· "第 2流路 (接続機構)、 39Α· · 'バルブ (接続機構)、 41…吸着穴（開口部)、 42

…吹付穴（開口部)、 45…吸着機構、

46· ··気体吹付機構 (液体除去機構)、 90· ··吸湿材、

100…第 1の液体除去システム、 122…回転機構、

150…乾燥装置 (乾燥機構)、 EX…露光装置本体、 EX - SYS…露光装置、

Η· ··基板搬送システム (基板搬送装置）、 H2- ··第 2アーム部材 (基板支持部材)、

HT…保持テーブル (基板支持部材)、 LQ…液体、 Ρ· ··基板、 PL…投影光学系、 P

ST- "基板ステージ、 SYS · "デバイス製造システム、

CZD— SYS…コータ ·デベロツバ装置、 IF- · 'インターフェース部、

220…第 2の液体除去システム

発明を実施するための最良の形態

[0017] 以下、本発明を実施するための形態について図面を参照しながら説明する。図 1は 本発明の露光装置を備えたデバイス製造システムの一実施形態を示す図であって 側方から見た概略構成図、図 2は図 1を上方から見た図である。

[0018] 図 1、図 2において、デバイス製造システム SYSは、露光装置 EX— SYSと、コータ. デベロツバ装置 CZD-SYS (図 2参照）とを備えている。露光装置 EX-SYSは、コ 一タ ·デベロッパ装置 CZD— SYSとの接続部を形成するインターフェース部 IF (図 2 参照）と、投影光学系 PLと基板 Pとの間を液体 LQで満たし、投影光学系 PLと液体 L Qとを介して、マスクに形成されたパターンを基板 P上に投影して基板 Pを露光する露 光装置本体 EXと、インターフェース部 IFと露光装置本体 EXとの間で基板 Pを搬送 する搬送システム Hと、搬送システム Hの搬送経路の途中に設けられ、基板 Pの表面 に付着した液体 LQを除去する第 1の液体除去システム 100と、上記搬送経路の途 中に設けられ、第 2アーム部材 H2の表面に付着した液体 LQを除去する第 2の液体 除去システム 220と、露光装置 EX - SYS全体の動作を統括制御する制御装置 CO NTとを備えている。コータ 'デベロッパ装置 CZD-SYSは、露光処理される前の基 板 Pの基材に対してフォトレジスト (感光剤）を塗布する塗布装置 Cと、露光装置本体 EXにお ヽて露光処理された後の基板 Pを現像処理する現像装置 (処理装置) Dとを 備えている。図 2に示すように、露光装置本体 EXはクリーン度が管理された第 1チヤ ンバ装置 CH1内部に配置されている。一方、塗布装置 C及び現像装置 Dは第 1チヤ ンバ装置 CH1とは別の第 2チャンバ装置 CH2内部に配置されている。そして、露光 装置本体 EXを収容する第 1チャンバ装置 CH1と、塗布装置 C及び現像装置 Dを収 容する第 2チャンバ装置 CH2とは、インターフェース部 IFを介して接続されている。こ こで、以下の説明において、第 2チャンバ装置 CH2内部に収容されている塗布装置 C及び現像装置 Dを合わせて「コータ ·デベロツバ本体 CZD」と適宜称する。

図 1に示すように、露光装置本体 EXは、露光光 ELでマスクステージ MSTに支持さ れているマスク Mを照明する照明光学系 ILと、露光光 ELで照明されたマスク Mのパ ターンの像を基板 P上に投影する投影光学系 PLと、基板 Pを支持する基板ステージ PSTとを備えている。また、本実施形態における露光装置本体 EXは、マスク Mと基 板 Pとを走査方向における互いに異なる向き（逆方向）に同期移動しつつマスク Mに 形成されたパターンを基板 Pに露光する走査型露光装置 (所謂スキャニングステツパ )である。以下の説明において、水平面内においてマスク Mと基板 Pとの同期移動方 向（走査方向）を X軸方向、水平面内において X軸方向と直交する方向を Y軸方向（ 非走査方向）、 X軸及び Y軸方向に垂直で投影光学系 PLの光軸 AXと一致する方向 を Z軸方向とする。また、 X軸、 Y軸、及び Z軸まわりの回転 (傾斜)方向をそれぞれ、 0 X、 0 Y、及び θ Ζ方向とする。なお、ここでいう「基板」は半導体ウェハ上にレジス トを塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンが形 成されたレチクルを含む。

[0020] 搬送システム Ηは、露光処理される前の基板 Ρを基板ステージ PSTに搬入 (ロード） する第 1アーム部材 HIと、露光処理された後の基板 Pを基板ステージ PSTから搬出 (アンロード)する第 2アーム部材 H2とを備えている。図 2に示すように、塗布装置じか ら搬送された露光処理前の基板 Pはインターフェース部 IFを介して第 3アーム部材 H 3に渡される。第 3アーム部材 H3は、基板 Pをブリアライメント部 PALに渡す。プリァラ ィメント部 PALは、基板ステージ PSTに対して基板 Pの大まかな位置合わせを行う。 ブリアライメント部 PALで位置合わせされた基板 Pは第 1アーム部材 HIによって基板 ステージ PSTにロードされる。露光処理を終えた基板 Pは第 2アーム部材 H2によつ て基板ステージ PSTよりアンロードされる。第 2アーム部材 H2は露光処理後の基板 P を、その基板 Pの搬送経路の途中に設けられた保持テーブル HTに渡す。保持テー ブル HTは、第 1の液体除去システム 100の一部を構成するものであって、渡された 基板 Pを一時保持する。保持テーブル HTはカバー部材 70内部に配置されており、 カバー部材 70には、搬送される基板 Pを通過させるための開口部 71、 72が設けられ ている。開口部 71、 72にはシャツタ部 71A、 72Aが設けられており、開口部 71、 72 を開閉する。保持テーブル HTは基板 Pを保持して回転可能であって、その保持テー ブル HTの回転によって向きを変えられた基板 Pは、第 4アーム部材 H4に保持され、 インターフェース部 IFまで搬送される。インターフェース部 IFに搬送された基板 Pは 現像装置 Dに渡される。現像装置 Dは渡された基板 Pに対して現像処理を施す。

[0021] そして、第 1一第 4アーム部材 (搬送アーム部材) HI— H4、ブリアライメント部 PAL 、及び保持テーブル HTも第 1チャンバ装置 CHI内部に配置されている。ここで、第 1、第 2チャンバ装置 CH1、 CH2それぞれのインターフェース部 IFと対面する部分に は開口部及びこの開口部を開閉するシャツタが設けられている。基板 Pのインターフ ース部 IFに対する搬送動作中にはシャツタが開放される。

[0022] 第 1アーム部材 HIは露光処理される前の液体 LQが付着してない基板 Pを保持し て基板ステージ PSTにロードする。一方、第 2アーム部材 H2は液浸露光処理された 後の液体 LQが付着している可能性のある基板 Pを保持して基板ステージ PSTよりァ ンロードする。このように、液体 LQが付着していない基板 Pを搬送する第 1アーム部 材 HIと、液体 LQが付着して 、る可能性のある基板 Pを搬送する第 2アーム部材 H2 とを使い分けているので、第 1アーム部材 HIには液体 LQが付着することなぐ基板 ステージ PSTにロードされる基板 Pの裏面などへの液体 LQの付着を防止することが できる。したがって、基板ステージ PSTの基板ホルダが基板 Pを真空吸着保持する構 成であっても、基板ホルダの吸着穴を介して真空ポンプなどの真空系に液体 LQが 浸入する不都合の発生を防止することができる。

[0023] 図 3は、露光装置本体 EXの概略構成図である。

[0024] 照明光学系 ILは、マスクステージ MSTに支持されているマスク Mを露光光 ELで照 明するものであり、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化す るオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光 ELを集光 するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光 ELによるマスク M上の照明領域をスリ ット状に設定する可変視野絞り等を有している。マスク M上の所定の照明領域は照 明光学系 ILにより均一な照度分布の露光光 ELで照明される。照明光学系 IL力 射 出される露光光 ELとしては、例えば水銀ランプ力 射出される紫外域の輝線 (g線、 h 線、 i線)及び KrFエキシマレーザ光（波長 248nm)等の遠紫外光（DUV光）や、 Ar Fエキシマレーザ光（波長 193nm)及び Fレーザ光（波長 157nm)等の真空紫外光

2

(VUV光)などが用いられる。本実施形態では、 ArFエキシマレーザ光を用いた場合 を例に挙げて説明する。

[0025] マスクステージ MSTは、マスク Mを支持するものであって、投影光学系 PLの光軸 AXに垂直な平面内、すなわち XY平面内で 2次元移動可能及び θ Z方向に微小回 転可能である。マスクステージ MSTはリニアモータ等のマスクステージ駆動装置 MS TDにより駆動される。マスクステージ駆動装置 MSTDは制御装置 CONTにより制御 される。マスクステージ MST上には移動鏡 56が設けられ、移動鏡 56に対向する位 置にはレーザ干渉計 57が設けられて!/、る。マスク Mを保持したマスクステージ MST の 2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計によりリアルタイムで計測され、計 測結果は制御装置 CONTに出力される。制御装置 CONTはレーザ干渉計の計測 結果に基づいてマスクステージ駆動装置 MSTDを駆動することでマスクステージ M STに支持されて!、るマスク Mの位置決めを行う。

[0026] 投影光学系 PLは、マスク Mのパターンを所定の投影倍率 13で基板 Pに投影露光 するものであって、複数の光学素子（レンズやミラー）で構成されており、これら光学 素子は鏡筒 PK内に収容されている。本実施形態において、投影光学系 PLは、投影 倍率 j8が例えば 1Z4あるいは 1Z5の縮小系である。なお、投影光学系 PLは等倍 系及び拡大系のいずれでもよい。また、本実施形態の投影光学系 PLの先端側 (基 板 P側）には、光学素子（レンズ) 2が鏡筒 PKより露出している。この光学素子 2は鏡 筒 PKに対して着脱 (交換)可能に設けられて 、る。

[0027] 光学素子 2は蛍石で形成されて 、る。蛍石は純水との親和性が高!、ので、光学素 子 2の先端面 (液体接触面） 2aのほぼ全面に液体 LQを密着させることができる。すな わち、本実施形態にぉ 、ては光学素子 2の液体接触面 2aとの親和性が高 、液体（ 水) LQを供給するようにしているので、光学素子 2の液体接触面 2aと液体 LQとの密 着性が高い。なお、光学素子 2は水との親和性が高い石英であってもよい。また光学 素子 2の液体接触面 2aに親水化 (親液化)処理を施して、液体 LQとの親和性をより 高めるようにしてもよい。

[0028] 基板ステージ PSTは、基板 Pを支持するものであって、基板 Pを基板ホルダを介し て保持する Zステージ 51と、 Zステージ 51を支持する XYステージ 52と、 XYステージ 52を支持するベース 53とを備えて 、る。基板ステージ PSTはリニアモータ等の基板 ステージ駆動装置 PSTDにより駆動される。基板ステージ駆動装置 PSTDは制御装 置 CONTにより制御される。 Zステージ 51を駆動することにより、 Zステージ 51に保持 されている基板 Pの Z軸方向における位置（フォーカス位置）、及び Θ X、 Θ Y方向に おける位置が制御される。また、 XYステージ 52を駆動することにより、基板 Pの XY方 向における位置 (投影光学系 PLの像面と実質的に平行な方向の位置）が制御される 。すなわち、 Zステージ 51は、基板 Pのフォーカス位置及び傾斜角を制御して基板 P の表面をオートフォーカス方式、及びオートレべリング方式で投影光学系 PLの像面 に合わせ込み、 XYステージ 52は基板 Pの X軸方向及び Y軸方向における位置決め を行う。なお、 Zステージと XYステージとを一体的に設けてよいことは言うまでもない。 [0029] 基板ステージ PST(Zステージ 51)上には移動鏡 54が設けられている。また、移動 鏡 54に対向する位置にはレーザ干渉計 55が設けられている。基板ステージ PST上 の基板 Pの 2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計 55によりリアルタイムで 計測され、計測結果は制御装置 CONTに出力される。制御装置 CONTはレーザ干 渉計 55の計測結果に基づいて基板ステージ駆動装置 PSTDを駆動することで基板 ステージ PSTに支持されている基板 Pの位置決めを行う。

[0030] 本実施形態では、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに、焦点深 度を実質的に広くするために、液浸法を適用する。そのため、少なくともマスク Mのパ ターンの像を基板 P上に転写している間は、基板 Pの表面と投影光学系 PLの光学素 子 2の先端面 2aとの間に所定の液体 LQが満たされる。上述したように、投影光学系 PLの先端側には光学素子 2が露出しており、液体 LQは光学素子 2のみに接触する ように構成されている。これにより、金属からなる鏡筒 PKの腐蝕等が防止されている 。本実施形態において、液体 LQには純水が用いられる。純水は、 ArFエキシマレー ザ光のみならず、露光光 ELを例えば水銀ランプ力 射出される紫外域の輝線 (g線、 h線、 i線)及び KrFエキシマレーザ光（波長 248nm)等の遠紫外光（DUV光）とした 場合にも、この露光光 ELを透過可能である。

[0031] 露光装置本体 EXは、投影光学系 PLの光学素子 2の先端面 2aと基板 Pとの間に液 体 LQを供給する液体供給機構 10と、基板 P上の液体 LQを回収する液体回収機構 20とを備えている。液体供給機構 10は、基板 P上に液浸領域 AR2を形成するため に所定の液体 LQを供給するものであって、液体 LQを送出可能な液体供給装置 11 と、液体供給装置 11に供給管 12を介して接続され、この液体供給装置 11から送出 された液体 LQを基板 P上に供給する供給口を有する供給ノズル 13とを備えて 、る。 供給ノズル 13は基板 Pの表面に近接して配置されている。

[0032] 液体供給装置 11は、液体 LQを収容するタンク、及び加圧ポンプ等を備えており、 供給管 12及び供給ノズル 13を介して基板 P上に液体 LQを供給する。また、液体供 給装置 11の液体供給動作は制御装置 CONTにより制御され、制御装置 CONTは 液体供給装置 11による基板 P上に対する単位時間あたりの液体供給量を制御可能 である。また、液体供給装置 11は液体 LQの温度調整機構を有しており、装置が収 容されるチャンバ内の温度とほぼ同じ温度 (例えば 23°C)の液体 LQを基板 P上に供 給するようになっている。

[0033] 液体回収機構 20は基板 P上の液体 LQを回収するものであって、基板 Pの表面に 接触することなぐ近接して配置された回収ノズル 23と、この回収ノズル 23に回収管 22を介して接続された液体回収装置 21とを備えている。液体回収装置 21は例えば 真空ポンプ等の真空系（吸引装置)及び回収した液体 LQを収容するタンク等を備え ており、基板 P上の液体 LQを回収ノズル 23及び回収管 22を介して回収する。液体 回収装置 21の液体回収動作は制御装置 CONTにより制御され、制御装置 CONT は液体回収装置 21による単位時間あたりの液体回収量を制御可能である。

[0034] 走査露光時には、投影光学系 PLの先端の光学素子 2の直下の投影領域 AR1に マスク Mの一部のパターン像が投影され、投影光学系 PLに対して、マスク Mがー X方 向（又は +X方向）に速度 Vで移動するのに同期して、 XYステージ 52を介して基板 Pが +X方向（又は- X方向）に速度 β ·ν ( βは投影倍率)で移動する。そして、 1つ のショット領域への露光終了後に、基板 Ρのステッピングによって次のショット領域が 走査開始位置に移動し、以下、ステップ ·アンド'スキャン方式で各ショット領域に対 する露光処理が順次行われる。本実施形態では、基板 Ρの移動方向に沿って液体 L Qを流すように設定されて 、る。

[0035] 図 4は、投影光学系 PLの投影領域 AR1と、液体 LQを X軸方向に供給する供給ノ ズル 13 (13A— 13C)と、液体 LQを回収する回収ノズル 23 (23A、 23B)との位置関 係を示す図である。図 4において、投影光学系 PLの投影領域 AR1の形状は Y軸方 向に細長い矩形状となっており、その投影領域 AR1を X軸方向に挟むように、 +X方 向側に 3つの供給ノズル 13A— 13Cが配置され、 X方向側に 2つの回収ノズル 23 A、 23Bが配置されている。そして、供給ノズル 13 A— 13Cは供給管 12を介して液 体供給装置 11に接続され、回収ノズル 23A、 23Bは回収管 22を介して液体回収装 置 21に接続されている。また、供給ノズル 13A— 13Cと回収ノズル 23A、 23Bとをほ ぼ 180° 回転した位置関係で、供給ノズル 15A— 15Cと、回収ノズル 25A、 25Bと が配置されている。供給ノズル 13A— 13Cと回収ノズル 25A、 25Bとは Y軸方向に 交互に配列され、供給ノズル 15A— 15Cと回収ノズル 23A、 23Bとは Y軸方向に交 互に配列され、供給ノズル 15A— 15Cは供給管 14を介して液体供給装置 11に接続 され、回収ノズル 25A、 25Bは回収管 24を介して液体回収装置 21に接続されてい る。

[0036] そして、矢印 Xaで示す走査方向（一 X方向）に基板 Pを移動させて走査露光を行う 場合には、供給管 12、供給ノズル 13A— 13C、回収管 22、及び回収ノズル 23A、 2 3Bを用いて、液体供給装置 11及び液体回収装置 21により液体 LQの供給及び回 収が行われる。すなわち、基板 Pがー X方向に移動する際には、供給管 12及び供給 ノズル 13 (13A— 13C)を介して液体供給装置 11から液体 LQが基板 P上に供給さ れるとともに、回収ノズル 23 (23A、 23B)及び回収管 22を介して液体 LQが液体回 収装置 21に回収され、投影光学系 PLと基板 Pとの間を満たすように X方向に液体 LQが流れる。一方、矢印 Xbで示す走査方向（+X方向）に基板 Pを移動させて走査 露光を行う場合には、供給管 14、供給ノズル 15A— 15C、回収管 24、及び回収ノズ ル 25A、 25Bを用いて、液体供給装置 11及び液体回収装置 21により液体 LQの供 給及び回収が行われる。すなわち、基板 Pが +X方向に移動する際には、供給管 14 及び供給ノズル 15 (15A— 15C)を介して液体供給装置 11から液体 LQが基板 P上 に供給されるとともに、回収ノズル 25 (25A、 25B)及び回収管 24を介して液体 LQ が液体回収装置 21に回収され、投影光学系 PLと基板 Pとの間を満たすように +X方 向に液体 LQが流れる。このように、制御装置 CONTは、液体供給装置 11及び液体 回収装置 21を用いて、基板 Pの移動方向に沿つて基板 Pの移動方向と同一方向へ 液体 LQを流す。この場合、例えば液体供給装置 11から供給ノズル 13を介して供給 される液体 LQは基板 Pの X方向への移動に伴って投影光学系 PLと基板 Pとの間 に引き込まれるようにして流れるので、液体供給装置 11の供給エネルギーが小さくて も液体 LQを投影光学系 PLと基板 Pとの間に容易に供給できる。そして、走査方向に 応じて液体 LQを流す方向を切り替えることにより、 +X方向、又は X方向のどちらの 方向に基板 Pを走査する場合にも、投影光学系 PLと基板 Pとの間を液体 LQで満た すことができ、高 、解像度及び広 、焦点深度を得ることができる。

[0037] 図 5は、露光処理後の液体 LQが付着している可能性のある基板 Pを基板ステージ PSTよりアンロードする第 2アーム部材 H2を示す概略斜視図である。図 5において、 第 2アーム部材 H2は、フォーク型ハンドにより構成され、基板 Pの裏面を支持してそ の基板 Pを搬送するものである。第 2アーム部材 H2は基板 Pの裏面に対向する上面（ 支持面） 30を有しており、支持面 30で基板 Pを支持する。第 2アーム部材 H2の支持 面 30には基板 Pの裏面を吸着保持するための開口部である複数の吸着穴 31が所 定間隔でその支持面 30のほぼ全域に均等に設けられている。吸着穴 31には、第 2 アーム部材 H2の内部に形成された流路 31 Aを介して真空系（吸着機構) 34が接続 されている。真空系 34は露光装置本体 EXに設けられた真空ポンプ、あるいはデバ イス製造システム SYSが設置される工場内の真空系により構成される。真空系 34及 び吸着穴 31を含んで構成される吸着機構 37は、基板 Pの裏面を支持するために、 真空系 34を駆動して吸着穴 31を介して基板 Pの裏面を吸着する。

[0038] また、第 2アーム部材 H2の支持面 30において、吸着穴 31と異なる位置には開口 部である吹付穴 32が設けられている。本実施形態では、吹付穴 32は複数設けられ ており、複数設けられた吸着穴 31のそれぞれの間に配置され、第 2アーム部材 H2の 支持面 30の全域にほぼ均等に設けられている。吹付穴 32には、第 2アーム部材 H2 の内部に形成された流路 32Aを介して気体供給系 35が接続されている。前記気体 供給系 35及び吹付穴 32を含んで気体吹付機構 (液体除去機構) 36が構成されて いる。流路 32Aには、基板 Pに対して吹き付ける気体中の異物（ゴミやオイルミスト）を 除去するフィルタが設けられている。気体供給系 35が駆動することにより、流路 32A を介して吹付穴 32より所定の気体が吹き出すようになつている。また、気体供給系 35 の動作は制御装置 CONTにより制御され、制御装置 CONTは気体供給系 35を制 御することによって、吹付穴 32より吹き出す単位時間あたりの気体量を調整可能であ る。

[0039] また、第 2アーム部材 H2の支持面 30の複数の所定位置には位置決め部材である 突起部 33がそれぞれ設けられている。突起部 33により、第 2アーム部材 H2の支持 面 30で基板 Pの裏面を支持したとき、基板 Pが位置ずれしたり第 2アーム部材 H2より 落下したりする不都合の発生が防止されて!、る。

[0040] 次に、上述した露光装置本体 EX及び搬送システム Hの動作について説明する。

[0041] 露光装置本体 EXにお ヽて、基板ステージ PSTに保持された基板 Pは、液浸法を 用いて露光処理される。基板 P上に設定された複数のショット領域のそれぞれに対す る液浸露光処理が終了した後、制御装置 CONTは液体供給機構 10による基板 P上 への液体供給を停止する。一方で、制御装置 CONTは、液体供給機構 10による液 体供給動作を停止した後も所定時間だけ液体回収機構 20の駆動を継続する。これ により、基板 P上の液体 LQは十分に回収される。そして前記所定時間経過後、制御 装置 CONTは液体回収機構 20の駆動を停止するとともに、図 6Aの模式図に示すよ うに、投影光学系 PLの下力も基板ステージ PSTを水平方向に退避させる。ここで、 基板ステージ PSTの Zステージ 51 (基板ホルダ)の内部には昇降可能なピン部材 57 が設けられている。ピン部材 57は昇降することにより Zステージ 51の上面に対して出 没するようになっている。基板ステージ PSTが投影光学系 PLの下力も退避した後、 制御装置 CONTはピン部材 57を上昇して Zステージ 51上の基板 Pを上昇させる。そ して、制御装置 CONTは、ピン部材 57で上昇された基板 Pの下側 (裏面側）に第 2ァ 一ム部材 H2を進入させる。制御装置 CONTは、基板 Pの下側に第 2アーム部材 H2 を配置した後、第 2アーム部材 H2が基板 Pの裏面を支持する前に、気体供給系 35 を駆動して、基板 Pの裏面に対して吹付穴 32を介して気体を吹き付ける。なお、吹付 穴 32より基板 Pの裏面に対して気体を吹き付けているときには、基板 Pの裏面と第 2 アーム部材 H2の支持面 30とは所定距離離れている。気体供給系 35及び吹付穴 32 を含んで構成される気体吹付機構 (第 1液体除去装置) 36は、基板 Pの裏面に気体 を吹き付けることにより、仮に基板 Pの裏面に液体 LQが付着していても、その液体 L Qを基板 Pから飛ばして除去することができる。

ここで、気体吹付機構 36の吹付穴 32より基板 Pの裏面に対して気体を吹き付けて いるとき、図 6Aに示すように、第 2アーム部材 H2及び基板 Pを囲むようにカバー部材 58を配置することが好ましい。こうすること〖こより、基板 Pの裏面より飛ばされた液体 L Qの周辺装置への飛散 (付着)を防止することができる。本実施形態において、カバ 一部材 58は複数の分割部材により構成されており、分割部材のそれぞれには駆動 機構が設けられている。そして、基板ステージ PSTが投影光学系 PLの下力も退避し た後、前記駆動機構により前記分割部材 (カバー部材)のそれぞれが基板ステージ P STに接近するようになって 、る。 [0043] ここで、気体吹付機構 36は、第 2アーム部材 H2を基板 Pの裏面に対して所定距離 離した状態で位置決めし、基板 Pの裏面のうち、一部の領域に気体を吹き付けたり、 あるいは第 2アーム部材 H2を基板 Pの裏面に対して所定距離離した状態を維持した 状態で移動しつつ基板 Pの裏面のうち、上述した一部の領域より広い領域に気体を 吹き付けることができる。なお、第 2アーム部材 H2と基板 Pの裏面との間隔を変化さ せながら基板 Pの裏面の全域又は一部に気体を吹き付けてもよい。こうすることにより 、基板 Pの裏面に付着している液体 LQを除去することができる。もちろんこのとき、第 2アーム部材 H2を移動せずに基板 Pをピン部材 57を介して支持している基板ステー ジ PSTを移動しつつ基板 Pの裏面に気体を吹き付けてもよ 、し、第 2アーム部材 H2 と基板 P (基板ステージ PST)とを相対移動しつつ気体を吹き付けるようにしてもよ!ヽ

[0044] なお、気体吹付機構 36は、基板 Pの裏面のうち少なくとも第 2アーム部材 H2の支 持面 30が接する一部の領域、すなわち第 2アーム部材 H2で支持される支持領域に 付着して!/ヽる液体 LQを除去すればょ ヽ。

[0045] 基板 Pの裏面のうち少なくとも第 2アーム部材 H2により支持される領域に付着して いる液体 LQを除去した後、気体供給系 35の駆動が停止される。次いで、図 6Bに示 すように、基板 Pの裏面に対して第 2アーム部材 H2が接近し、基板 Pの裏面と第 2ァ 一ム部材 H2の支持面 30とが接する。その後、制御装置 CONTは、吸着機構 37を 構成する真空系 34を駆動する。これにより、基板 Pの裏面は、第 2アーム部材 H2の 支持面 30に設けられた吸着穴 31を介して吸着保持される。第 2アーム部材 H2で基 板 Pの裏面を支持する前に、その基板 Pの裏面に付着している液体 LQは除去されて いるので、第 2アーム部材 H2は基板 Pの位置ずれを起こすことなぐ基板 Pを良好に 保持することができる。また、基板 Pの裏面には液体 LQが付着していないので、基板 Pの裏面を吸着機構 37で吸着保持した際にも、吸着穴 31を介して真空系 34に液体 LQが浸入することがない。したがって、真空系 34の破損等の不都合の発生を防止 することができる。

[0046] 基板 Pを保持した第 2アーム部材 H2は、その基板 Pを保持テーブル HTまで搬送す る。ここで、基板 Pの表面や、基板 Pの裏面のうち第 2アーム部材 H2に支持されてい る以外の領域に液体 LQが付着している可能性がある。ところ力 図 1に示すように、 基板 Pの搬送経路のうち、基板ステージ PSTと保持テーブル HTとの間には、露光後 の基板 Pから落下した液体を回収する回収機構 60が配置されているので、たとえ液 体 LQを付着した状態で基板 Pを搬送しても、搬送経路上の周辺装置 ·部材への基 板 Pからの液体 LQの付着 ·飛散を防止することができる。ここで、回収機構 60は、図 1に示すように、第 2アーム部材 H2の搬送経路の下に配置された樋部材 61と、樋部 材 61を介して回収された液体 LQを樋部材 61より排出する液体吸引装置 62とを備え ている。樋部材 61は第 1チャンバ装置 CH1内部に設けられ、液体吸引装置 62は第 1チャンバ装置 CH 1外部に設けられて 、る。樋部材 61と液体吸弓 I装置 62とは管路 6 3を介して接続されており、管路 63には、この管路 63の流路を開閉するバルブ 63A が設けられている。

[0047] 露光後の液体 LQが付着して 、る基板 Pを第 2アーム部材 H2で搬送して 、る最中、 基板 Pから液体 LQが落下する可能性があるが、その落下した液体 LQは樋部材 61 で回収することができる。落下した液体 LQを樋部材 61で回収することで、搬送経路 の周囲に液体 LQが飛散する等の不都合を防止できる。そして、液体吸引装置 62は チャンバ装置 CH 1内部に設けられた樋部材 61上の液体 LQを吸弓 Iすることでチャン バ装置 CH1外部に排出し、チャンバ装置 CH1内部の樋部材 61に液体 LQが留まら ないようにすることができ、チャンバ装置 CH1内部に湿度変動 (環境変動）が生じる 不都合を防止することができる。ここで、液体吸引装置 62は、樋部材 61に回収され た液体 LQの吸引動作を連続的に行うことができるし、予め設定された所定期間にお V、てのみ吸弓 I動作を断続的に行うこともできる。吸弓 I動作を連続的に行うことにより、 樋部材 61には液体 LQが留まらないので、チャンバ装置 CH1内部の湿度変動をより 一層防止することができる。一方、例えば露光装置本体 EXでの基板 Pの露光中には 、液体吸引装置 62による吸引動作 (排出動作)を行わず、露光以外の期間において のみ吸引動作を行うことにより、吸引動作によって発生する振動が露光精度に影響を 与えるといった不都合を防止することができる。

[0048] 図 7A— Bは、第 2アーム部材 H2により搬送された基板 Pを一時保持する保持テー ブル HTを示す図であって、図 7Aは側面図、図 7Bは平面図である。図 7A— Bにお いて、基板支持部材を構成する保持テーブル HTは平面視略円形状であって、その 上面 (支持面) 40の略中央部には、開口部である吹付穴 42が設けられている。本実 施形態において、吹付穴 42は 1つ設けられた構成であるが、支持面 40上の任意の 複数位置のそれぞれに設けることも可能である。更に支持面 40には吹付穴 42を囲 むように複数の吸着穴 41が所定間隔で設けられている。そして、吸着穴 41には保持 テーブル HTの内部に形成された流路 41 Aを介して真空系 34が接続されて ヽる。真 空系 34及び吸着穴 41を含んで吸着機構 45が構成されている。また、吹付穴 42〖こ は保持テーブル HTの内部に形成された流路 42Aを介して気体供給系 35が接続さ れている。気体供給系 35及び吹付穴 42を含んで気体吹付機構 46が構成されてい る。流路 42Aには、基板 Pに対して吹き付ける気体中の異物（ゴミやオイルミスト）を除 去するフィルタが設けられて 、る。

図 8A— Bは、第 1の液体除去システム 100を示す図である。第 1の液体除去システ ム 100は、主に基板 Pの表面又は裏面の少なくとも一方に付着した液体 LQを除去す るものである。第 2アーム部材 H2により基板 Pを保持テーブル HTに搬送する動作を 示す図である。図 8Aにおいて、基板 Pを保持した第 2アーム部材 H2は、保持テープ ル HTを収容したカバー部材 70の内部に開口部 71より進入する。このとき制御装置 CONTはシャツタ部 71Aを駆動して開口部 71を開放している。一方、開口部 72はシ ャッタ部 72Aにより閉じられて 、る。第 2アーム部材 H2で所定領域を支持されて 、る 基板 Pが保持テーブル HTの上方に配置された後、制御装置 CONTは、気体吹付 機構 46を構成する気体供給系 35を駆動し、吹付穴 42より基板 Pの裏面に気体を吹 き付ける。ここで、上述したように、基板 Pの裏面のうち第 2アーム部材 H2で支持され る一部の領域 (第 1支持領域）は、第 2アーム部材 H2に設けられている吹付穴 32か ら吹き付けられた気体によって既に液体 LQを除去されている力 基板 Pの裏面のう ち第 2アーム部材 H2で支持されてな 、領域には液体 LQが付着して 、る可能性があ る。そこで、制御装置 CONTは、第 1の液体除去システム 100の一部を構成する保 持テーブル HTが基板 Pの裏面を支持する前に、基板 Pの裏面のうち保持テーブル HTが支持する領域 (第 2支持領域）に付着した液体 LQを、基板 Pの裏面に対して吹 付穴 42より気体を吹き付けることで、飛ばして除去する。すなわち、吹付穴 42及びそ の吹付穴 42に接続する気体供給系 35は、基板 Pの裏面のうち保持テーブル HT (第 2液体除去装置)が保持する領域 (第 2支持領域)に付着している液体 LQを除去す る第 3液体除去装置を構成して ヽる。

[0050] 基板 Pの裏面に付着した液体 LQを除去する際には、第 2アーム部材 H2に保持さ れている基板 Pの裏面と保持テーブル HTの支持面 40とを所定間隔離した状態で、 吹付穴 42より基板 Pの裏面に対して気体が吹き付けられる。気体を吹き付けられるこ とにより、基板 Pの裏面に付着している液体 LQは飛ばされて除去される。除去された 液体 LQはカバー部材 70により周囲に飛散することがない。なおここでは、気体を基 板 Pの裏面に吹き付けるとき、基板 Pを保持した第 2アーム部材 H2及び吹付穴 42を 有する保持テープ HTは移動しな 、構成である力 吹付穴 42より吹き出した気体は 基板 Pの裏面の略中央部に吹き付けられた後、基板 Pのエッジ部向力つて流れるた め、基板 Pの裏面のエッジ部近傍に付着して ヽる液体 LQも良好に除去することがで きる。もちろん、基板 Pを吹付穴 42に対して相対的に移動しながら基板 Pの裏面に気 体を吹き付けることも可能である。例えば、基板 Pを保持する第 2アーム部材 H2を X 軸方向（Y軸方向）に移動させ、吹付穴 42を有する保持テーブル HTを Y軸方向（X 軸方向）に移動させつつ、基板 Pの裏面に気体を吹き付けるようにしてもよい。あるい は、基板 Pと吹付穴 42とを相対的に回転移動させるようにしてもよい。更に、第 2ァー ム部材 H2を駆動して基板 Pを傾斜させた状態で、その基板 Pの裏面に気体を吹き付 けるようにしてもよい。こうすることにより、基板 Pの裏面に付着している液体 LQは自 重 (重力作用）により一個所に集められ、基板 Pより落下（除去)しゃすくなる。さらに、 第 2アーム部材 H2に液体 LQが付着していた場合には、この液体 LQは、基板 Pに付 着した液体 LQと共に除去することができる。

[0051] カバー部材 70には、液体回収部 80が回収管 81を介して接続されている。回収管 81にはその回収管 81の流路を開閉するバルブ 82が設けられている。基板 Pから飛 ばされた液体 LQはカバー部材 70に接続されている液体回収部 80により回収される 。液体回収部 80はカバー部材 70内部の気体を飛散した液体 LQとともに吸引するこ とで、基板 Pから飛ばされた液体 LQを回収する。ここで、液体回収部 80は、カバー 部材 70内部の気体及び飛散した液体 LQの吸弓 I動作を継続的に行う。これにより、 カバー部材 70の内壁や底などカバー部材 70内部に液体 LQが留まらないので、力 バー部材 70内部の湿度が大きく変動することはない。また、シャツタ部 71A、 72Aが 開放されたときにも、カバー部材 70内の湿った気体がカバー部材 70の外へ流れ出 ることちない。

[0052] 基板 Pの裏面の液体 LQの除去を行った後、保持テーブル HTより不図示のピン部 材が上昇し、基板 Pの裏面を支持する。なお保持テーブル HTに設けられているピン 部材は図 6Aを参照して説明したピン部材 57と同等の構成を有する。そして、ピン部 材に基板 Pが支持された後、第 2アーム部材 H2がカバー部材 70の外へ退避するとと もに、シャツタ部 71Aにより開口部 71が閉じられる。そして、基板 Pを支持したピン部 材が下降することにより、図 8Bに示すように、基板 Pが保持テーブル HTの支持面 40 に支持される。支持面 40上に基板 Pが支持された後、制御装置 CONTは、真空系 3 4を駆動し、吸着穴 41を介して基板 Pを吸着保持する。

[0053] また、カバー部材 70内部には、第 1の液体除去システム 100の一部を構成する吹 付ノズル 103が配置されており、吹付ノズル 103には流路 105を介して気体供給系 1 04が接続されている。流路 105には、基板 Pに対して吹き付ける気体中の異物（ゴミ やオイルミスト）を除去するフィルタが設けられている。そして、気体供給系 104が駆 動することにより、流路 105を介して吹付ノズル 103より所定の気体が基板 Pの表面 に吹き付けられ、基板 Pの表面に付着して 、る液体 LQは吹き付けられた気体によつ て飛ばされて除去される。

[0054] 図 9は、図 8Bのカバー部材 70内部を上方から見た図である。基板 Pはその裏面を 保持テーブル HTの支持面 40に支持されて ヽる。吹付ノズル 103は Y軸方向を長手 方向とするノズル本体部 103Aと、ノズル本体部 103Aの長手方向に複数並んで設 けられたノズル孔 103Bとを備えて 、る。気体供給系 104から供給された気体は複数 のノズル孔 103Bのそれぞれから吹き出される。保持テーブル HTに保持された基板 Pと吹付ノズル 103とは相対移動可能に設けられている。本実施形態では、吹付ノズ ル 103が保持テーブル HTに保持された基板 Pに対して X軸方向に走査移動するよ うになつている。なお、基板 Pを保持した保持テーブル HTが、吹付ノズル 103に対し て移動するようにしてもょ 、し、保持テーブル HT及び吹付ノズル 103の双方を移動 させてもよい。そして、基板 Pの表面力も飛ばされた液体 LQは液体回収部 80に回収 される。

[0055] 表面及び裏面それぞれの液体 LQを除去された基板 Pは、第 4アーム部材 H4によ つて現像装置 Dまで搬送される。第 4アーム部材 H4で保持テーブル HTから基板 P を搬送する際には、制御装置 CONTは、シャツタ部 72Aを駆動して開口部 72を開口 し、その開口部 72からカバー部材 70内部に第 4アーム部材 H4を進入させる。これと 並行して、保持テーブル HTのピン部材が基板 Pを上昇させ、第 4アーム部材 H4は 上昇された基板 Pの裏面を保持する。なお保持テーブル HTは、基板 Pを第 4アーム 部材 H4に渡す前に回転し、基板 Pを所望の向きに変える。そして、基板 Pを保持した 第 4アーム部材 H4は開口部 72を介してその基板 Pをカバー部材 70内部より搬出す る。

[0056] 以上説明したように、第 2アーム部材 H2 (あるいは保持テーブル HT)で基板 Pの裏 面を支持する前に、その第 2アーム部材 H2 (保持テーブル HT)に設けられた液体除 去機構を構成する吹付穴 32 (42)を介して気体を吹き付けて基板 Pの被支持面であ る裏面の液体 LQを除去することで、残留した液体 LQが潤滑膜となって基板 Pが第 2 アーム部材 H2 (保持テーブル HT)に対して位置ずれを起こすなどと!/ヽつた不都合 の発生を防止し、基板 Pを所望の状態で支持することができる。また、第 2アーム部材 H2 (又は保持テーブル HT)が吸着穴 31 (41)を介して基板 Pを真空吸着保持する 構成であっても、基板 Pの裏面の液体 LQを除去することで、真空系 34に液体 LQが 浸入する不都合を防止できる。

[0057] また、第 2アーム部材 H2で基板 Pの裏面のうち少なくともその第 2アーム部材 H2で 支持する支持領域に付着した液体 LQを除去することで、基板 Pを良好に保持した状 態で搬送することができる。そして、その後に第 1の液体除去システム 100で基板 Pの 裏面及び表面に付着した液体 LQを除去することで、その後の基板 Pの搬送経路中 にその基板 Pから液体 LQが落下 '飛散したりする等の不都合の発生を防止すること ができる。更に、基板 Pの表面及び裏面の双方の液体 LQを十分に除去することで、 現像処理等の液浸露光処理後の所定のプロセス処理を残留した液体 LQの影響を 受けることなく円滑に行うことができる。 [0058] 上記実施形態では、基板 Pに対して気体を吹き付けることによりその基板 Pに付着 している液体 LQを除去している。ここで、吹き付ける気体としてはドライエア等の乾燥 した気体を吹き付けることが好ましい。こうすること〖こより、基板 Pに付着した液体 LQ は乾燥され、除去を促進される。また、吹き付ける気体としてはチャンバ装置 CH1内 部とほぼ同じ温度の気体のほかに、チャンバ装置 CH1内部の温度より高い温風を吹 き付けるようにしてもよい。また、吹き付ける気体は、乾燥空気、窒素ガス、ヘリウムガ ス等の気体を用いることができる。

[0059] なお、本実施形態にお!、ては、基板 Pの裏面を第 2アーム部材 H2で支持する前に 、その第 2アーム部材 H2に設けられた液体除去機構の一部を構成する吹付穴 32を 使って液体 LQを除去している力 第 2アーム部材 H2とは別の部材に設けられた吹 付穴より基板 Pの裏面に気体を吹き付けて液体 LQを除去した後、第 2アーム部材 H 2で基板 Pの裏面を支持するようにしてもよい。同様に、保持テーブル HTで基板 Pを 保持する前にも、その保持テーブル HTに設けられた吹付穴 42を使って基板 Pの裏 面の液体 LQを除去するかわりに、別の部材に設けられた吹付穴より基板 Pの裏面に 気体を吹き付けて液体 LQを除去するようにしてもょ 、。

[0060] 以下、本発明の別の実施形態について図 10を参照しながら説明する。以下の説明 において、上述した実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を 付し、その説明を簡略もしくは省略する。

[0061] 上記実施形態においては、第 2アーム部材 H2の支持面 30には吸着穴 31と吹付 穴 41とは互いに異なる位置に設けられている構成であった力 本実施形態の特徴的 な部分は、支持面 30に設けられた開口部が吸着穴と吹付穴とを兼用している点にあ る。

[0062] 図 10において、第 2アーム部材 H2の支持面 30には開口部 31が設けられている。

そして、開口部 31にその一端部を接続する流路 31Aの他端部は第 1流路 38と第 2 流路 39とに分岐しており、第 1流路 38は真空系 34に接続され、第 2流路 39は気体 供給系 35に接続されている。第 1流路 38の途中にはその第 1流路 38を開閉するバ ルブ 38Aが設けられ、第 2流路 39の途中にはその第 2流路 39を開閉するノ レブ 39 Aが設けられている。バルブ 38A、 39Aの動作は制御装置 CONTにより制御される [0063] 制御装置 CONTは、図 10に示した第 2アーム部材 H2で液浸露光処理を終えた基 板 Pの裏面を保持する前に、バルブ 38A、 39Aを駆動して、第 2流路 39を開けるとと もに第 1流路 38を閉じ、気体供給系 35を駆動する。これにより、基板 Pの裏面に対し て、開口部（吹付穴） 31を介して気体を吹き付けて基板 Pの裏面に付着して 、る液体 LQを除去することができる。そして、基板 Pの裏面に付着している液体 LQの除去を 終えた後、制御装置 CONTは、バルブ 38A、 39Aを駆動して、第 1流路 38を開ける とともに第 2流路 39を閉じ、気体供給系 35の駆動を停止するとともに、真空系 34を 駆動させる。こうすることにより、第 2アーム部材 H2は開口部（吸着穴） 31を介して基 板 Pを吸着保持することができる。このように、第 1、第 2流路 38、 39及びバルブ 38A 、 39Aを使って、開口部 31に対して気体供給系 35と真空系 34とを選択的に接続す ることによつても、基板 Pに付着している液体 LQの除去と、基板 Pの吸着保持とを行う ことができる。また、気体の吹き付けによる液体の除去に限らず、基板 Pの裏面の液 体を吸引してもよいし、両者を併用してもよい。

[0064] 図 11は、第 2アーム部材 H2の上面 30に吸湿材 90を設けた例を示す図である。図 11において、第 2アーム部材 H2の上面 30には、液体 LQを吸湿する吸湿材 90が設 けられている。吸湿材 90としては、スポンジ状部材ゃ多孔質セラミックス等を用いるこ とがでさる。

[0065] 図 11に示した第 2アーム部材 H2で基板 Pの裏面を支持する場合には、基板 Pの裏 面を支持する前に、第 2アーム部材 H2に設けられた吸湿材 90を基板 Pの裏面に接 触させる。こうすることにより、基板 Pの裏面に付着している液体 LQは吸湿材 90で吸 湿されて基板 Pの裏面より除去される。なお、吸湿材 90を使って基板 Pの裏面に付着 して ヽる液体 LQを除去する場合には、吸湿材 90と基板 Pとを所定距離だけ離れた 位置まで吸湿材 90を基板 Pに接近させ、毛細管現象を利用して基板 Pの裏面に付 着して 、る液体 LQを吸湿（除去)するようにしてもょ 、。

[0066] 基板 Pの裏面に付着している液体 LQを吸湿材 90を使って除去した後、制御装置 CONTは、基板 Pの裏面に対して第 2アーム部材 H2 (吸湿材 90)を接触させ、吸着 穴 31に流路 31 Aを介して接続して 、る真空系 34を駆動する。吸着穴 31は吸湿材 9 0を介して基板 Pの裏面を吸着保持する。こうすることによつても、基板 Pと第 2アーム 部材 H2 (吸湿材 90)との間には液体 LQの潤滑膜が形成されないので、基板 Pが第 2アーム部材 H2に対して位置ずれを起こすといった不都合の発生を防止することが できる。ここで、流路 31Aのうち吸着穴 31と真空系 34との間に気液分離器 80を設け ておくことが好ましい。吸湿材 90は液体 LQを含んでいるため、真空系 34を駆動する ことで吸湿材 90に含まれている液体 LQが真空系 34に浸入するおそれがある力 気 液分離器 80で吸着穴 31より吸引された液体成分を分離し、気体成分のみが真空系 34に流入するようにすることで、真空系 34の破損などの不都合の発生を防止するこ とがでさる。

[0067] なおここでは、第 2アーム部材 H2の上面 30に吸湿材 90を設けている力 第 2ァー ム部材 H2に吸湿材 90を設けずに別の支持部材に吸湿材 90を支持させ、基板 Pの 裏面を第 2アーム部材 H2で支持する前に、前記支持部材に支持されて 、る吸湿材 90で基板 Pの裏面に付着して 、る液体 LQを吸湿（除去）した後、第 2アーム部材 H2 で基板 Pの裏面を支持するようにしてもよい。また、吸湿材 90を使って基板 Pの裏面 に付着している液体 LQを除去する場合には、吸湿材 90を基板 Pの裏面に押し当て て吸湿するようにしてもよいし、基板 Pと吸湿材 90とを相対的に移動しつつ吸湿する ようにしてもよい。またこの場合においても、吸湿材 90と基板 Pの裏面とを接触させず に、僅かに離した状態で毛細管現象を利用して吸湿することができる。こうすることに より、基板 Pの裏面を傷付けずにすむ。また、吸湿材 90は、保持テーブル HTの上面 40に設けることも可能である。

[0068] 上記実施形態では、基板 Pの表面に付着した液体 LQを除去する第 1の液体除去 システム 100は、基板 Pの表面に対して吹付ノズル 103より気体を吹き付けて液体 L Qを除去している力 基板 Pを回転することによって基板 Pの表面に付着した液体 LQ を飛ばして除去することも可能である。

[0069] 図 12A— Bは、基板 Pを回転することによって基板 Pの表面に付着した液体 LQを飛 ばす回転機構を有する第 1の液体除去システム 100を示す図である。図 12A— Bに おいて、第 1の液体除去システム 100の保持テーブル HTは、基板 Pの裏面中央部を 保持するホルダ部 121と、基板 Pを保持したホルダ部 121を回転する回転機構 122と を備えている。ホルダ部 121の上面には吸着穴が設けられており、ホルダ部 121は 基板 Pの裏面中央部を吸着保持する。回転機構 122は保持テーブル HT内部に設 けられたモータにより構成されており、ホルダ部 121に接続された軸部 123を回転す ることでホルダ部 121を回転する。軸部 123は伸縮可能に設けられており、ホルダ部 121は軸部 123とともに保持テーブル HTの上面 40に対して昇降可能に設けられて V、る。基板 Pを保持したホルダ部 121が保持テーブル HTの上面 40に対して上昇し たとき、基板 Pは保持テーブル HTより離れ、回転機構 122の駆動により回転可能と なる。一方、ホルダ部 121が下降しているときは基板 Pは保持テーブル HTの上面 40 に吸着穴 41により吸着保持される。

[0070] 図 12Aに示すように、保持テーブル HTで基板 Pの裏面を支持する前に、保持テー ブル HTの基板支持部材としてのホルダ部 122中央部に形成された吹付穴 42より基 板 Pの裏面に対して気体が吹き付けられる。これにより、基板 Pの裏面に付着している 液体 LQが除去される。次いで、ホルダ部 122が基板 Pを吸着保持するとともに上昇 し、図 12Bに示すように基板 Pを回転する。これにより、基板 Pの表面に付着していた 液体 LQが飛ばされて除去される。

[0071] ところで、図 12A— Bに示したカバー部材 70の下部は、下方に向力うにつれて漸 次拡がるように傾斜している。これにより、基板 Pから飛ばされた液体 LQがカバー部 材 70の内壁に当たっても、カバー部材 70が下方に向力 につれて漸次拡がる形状 となって!/、るので、内壁に当たった液体 LQが跳ね返って再び基板 Pに付着してしま う不都合を防止することができる。なお、液体 LQの跳ね返り防止機構としては、カバ 一部材 70の内壁を傾斜させる他に、カバー部材 70の内壁に吸湿材を取り付けたり、 内壁を凹凸形状 (波形形状）にしたり、あるいは液体吸引装置に接続された吸引口を 設けることによつても、カバー部材 70の内壁に当たった液体 LQが基板 P側に跳ね返 る不都合を防止することができる。

[0072] 図 13に示すように、基板 Pの表面に付着している液体 LQを、液体吸引装置 140を 使って吸引回収することで除去することも可能である。図 13において、液体吸引装置 140には回収管 141を介して回収ノズル 142が接続されている。回収ノズル 142は、 保持テーブル HTに保持された基板 Pの表面に近接して配置される。液体吸引装置 140は例えば真空系を含んで構成されており、回収管 141の途中には回収ノズル 1 42より回収された液体と気体とを分離する不図示の気液分離器が設けられている。 基板 Pの表面に付着している液体 LQを除去する際には、回収ノズル 142を基板 Pの 表面に近付け、液体吸引装置 140を駆動することで、基板 Pの表面上の液体 LQは 回収ノズル 142及び回収管 141を介して液体吸引装置 140に設けられている回収タ ンクなどに集められる。また、回収ノズル 142を介して基板 Pの表面の液体 LQを除去 する際にも、回収ノズル 142と基板 Pとを相対的に移動しながら液体 LQを除去するこ とがでさる。

[0073] なお、回収ノズル 142としては、例えば図 4を参照して説明したような回収ノズル（1

5)の形状及び配置を採用してもよい。あるいは、回収ノズルとして環状の回収口を有 する回収部材を採用してもょ 、。

[0074] また、基板 Pを収容したカバー部材 70の内部に対して、乾燥装置 150よりドライエ ァ又は温風を供給することで、基板 Pの表面に付着した液体 LQを乾燥するようにし てもよい。

[0075] 上記実施形態では、第 2アーム部材 H2に設けられた気体吹付機構で基板 Pの裏 面に対して気体を吹き付け、基板 Pの裏面のうち、第 2アーム部材 H2が支持する一 部の領域の液体を除去している力 それ以外の裏面、及び基板 Pの表面の液体を以 下の構成で除去してもよい。すなわち、図 14に示すように、第 2アーム部材 H2の搬 送経路の途中に壁部材 160を設け、その壁部材 160の上下両側のそれぞれに気体 吹付ノズル 161を取り付ける。そして、開口部 162を基板 Pが通過するときに、気体吹 付ノズル 161より基板 Pの表面及び裏面のそれぞれに気体を吹き付けることによって 基板 Pに付着した液体 LQを除去することができる。そして、基板 Pを搬送移動しつつ その基板 Pに対して気体吹付ノズル 161より気体を吹き付けることにより、基板 Pの全 域に気体を吹き付けることができる。この構成においても、基板 Pの表面あるいは裏 面に付着した液体 LQと共に、第 2アーム部材 H2に付着した液体を除去することがで きる。

[0076] なお基板 Pの裏面に対して、気体吹付ノズル力 気体を吹き付ける場合、本例では 、基板 Pの裏面に対して直交する方向から気体を吹き付けている力 裏面に対して交 差する方向（傾斜した方向、例えば 45度傾斜した方向）から吹き付けてもよい。

[0077] 次に、本例の搬送システム Hが備える第 2の液体除去システム 220について説明す る。この第 2の液体除去システム 220は、主に第 2アーム部材 H2の表面に付着した 液体 LQを除去するものである。第 2の液体除去システム 220は、図 1及び図 2に示す ように、第 2アーム部材 H2の移動経路上、具体的には、基板ステージ PSTと保持テ 一ブル HTとの間における基板 Pの搬送経路上に設けられている。すなわち、本例の 搬送システム Hでは、第 2アーム部材 H2による露光処理後の基板 Pを基板ステージ PSTから搬出し、その基板 Pを保持テーブルに対して搬送した後、第 2の液体除去シ ステム 220によって第 2アーム部材 H2に付着した液体を除去する。

[0078] 図 15は、第 2の液体除去システム 220の構成例を模式的に示している。

[0079] 図 15において、第 2の液体除去システム 220は、第 2アーム部材 H2に対して気体 を噴き付ける気体噴射部 (第 1気体噴射部 221、第 2気体噴射部 222)と、気体噴射 部 221、 222に気体を供給する気体供給装置 223と、気体噴射部 221、 222を収容 するチャンバ 224と、チャンバ 224内の液体を吸引する液体吸引装置 225とを含ん で構成されている。

[0080] 第 1気体噴射部 221は、第 2アーム部材 H2の上面に向けて気体を噴射するもので あり、第 2気体噴射部 222は、第 2アーム部材 H2の下面に向けて気体を噴射するも のである。第 1気体噴射部 221と第 2気体噴射部 222とは、互いに所定の間隔を空け て配されており、両者の間に第 2アーム部材 H2が挿入されるようになっている。また、 第 1気体噴射部 221及び第 2気体噴射部 222はそれぞれ、供給管 226を介して気体 供給装置 223に接続されている。供給管 226には、気体中の不純物 (パーティクルあ るはオイルミストなど）を除去する不図示のフィルタが設けられている。なお、本例で は、噴射気体として、乾燥空気が用いられる。噴射気体としては、この他、窒素ガス、 ヘリゥムガスなどの他の気体を用いてもよい。

[0081] 液体吸引装置 225は、真空圧を発生させて、チャンバ 224内の液体を吸引するも のであり、配管 225aを介してチャンバ 224に接続されている。また、配管 225aには、 開閉自在なバルブ 225bが配設されている。

[0082] チャンバ 224には、第 2アーム部材 H2の出し入れを行うための開口 227が設けら れており、この開口 227にはシャツタ 228が配設されている。さらに、チャンバ 224の 外側でかつ、チャンバ 224の開口 227の近傍には、第 2アーム部材 H2に液体が付 着して 、る力否かを検出する液体検出器 229が配設されて 、る。

[0083] 液体検出器 229の検出結果、第 2アーム部材 H2に液体が付着していることが検出 された場合に、第 2アーム部材 H2をチャンバ 224に挿入して第 2アーム部材 H2に付 着した液体を除去し、液体が付着していない、あるいは許容範囲内の液体が付着し ている場合には、第 2アーム部材 H2をチャンバ 224に挿入せずに、基板ステージ PS Tから基板 Pを搬出する。

[0084] 上記液体検出器 229としては、本例では、 CCDカメラ等の撮像素子が用いられる。

撮像素子で撮像された画像情報は、制御装置 CONT (図 1参照）に送られる。制御 装置 CONTには、液体が未付着状態の第 2アーム部材 H2の画像情報が記憶され ている。制御装置 CONTは、例えば、事前に記憶された画像情報と、現時点の画像 情報とを比較することにより、第 2アーム部材 H2に液体が付着しているカゝ否かを判断 する。なお、この判断は自動で行うものに限らず、撮像素子で撮像された画像情報を モニタに表示し、表示された第 2アーム部材 H2の状態に基づいて、オペレータが第 2アーム部材 H2に液体が付着しているか否かを判断してもよい。なお、第 2アーム部 材 H2に液体が付着しているカゝ否かを判断する際に、第 2アーム部材 H2を所定角度 傾斜することができる。

[0085] また、液体検出器 229としては、撮像素子を用いるものに限らず、投光器と受光器 とを有し、第 2アーム部材 H2に光を照射し、液体を介した第 2アーム部材 H2の表面 から反射光や散乱光の強度と、液体を介さな!、第 2アーム部材 H2の表面からの反射 光や散乱光の強度との差異に基づいて第 2アーム部材 H2に液体が付着しているか 否かを判断したり、第 2アーム部材 H2の表面に液体が付着しているときの誘電率と、 第 2アーム部材 H2の表面に液体が付着していないときの誘電率との差異力 検出 するものなど、第 2アーム部材 H2に付着した液体検出が可能であれば他の検出器を 用いてもよい。また、液体検出器 129として、非接触式に限らず、接触式を用いてもよ い。接触式の液体検出器を用いる場合は、その検出器を介して第 2アーム部材 H2 に不純物が付着しな 、ようにクリーン対策を十分に施すのが好ま 、。 [0086] 上記構成の搬送システム Hでは、基板 Pの搬送経路上を移動する第 2アーム部材 H2の表面を液体検出器 229によって適宜検出する。第 2アーム部材 H2に液体が付 着していることが検出された場合、制御装置 CONT (図 1参照）は、第 2アーム部材 H 2をチャンバ 224内に挿入し、気体供給装置 223から気体噴射部 221、 222を介して 第 2アーム部材 H2に向けて気体を噴射する。このとき、気体噴射部 221、 222に対し て相対的に第 2アーム部材 H2を水平方向 (X方向）に移動させることにより、第 2ァー ム部材 H2の表面に付着した液体が噴射気体によって吹き飛ばされ、これにより、第 2 アーム部材 H2から液体が除去される。また、第 2アーム部材 H2から除去された液体 は、配管 225aを介して液体吸引装置 225に回収される。

[0087] 以上説明したように、本例のデバイス製造システム SYSでは、露光装置本体 EXに おいて、液浸法に基づく露光処理を行う。露光処理時に基板 Pに付着した液体は、 第 1の液体除去システム 100によって基板 Pから除去される。また、露光処理後の基 板 Pを搬送する第 2アーム部材 H2に液体が付着した場合は、第 2の液体除去システ ム 220によってその液体が第 2アーム部材 H2から除去される。第 2の液体除去シス テム 220は、第 2アーム部材 H2の搬送経路上に配設されていることから、上記液体 除去に際して第 2アーム部材 H2の動きに無駄が少なぐスループットの低下が抑制 される。第 2アーム部材 H2に付着した液体が除去されることにより、次の基板 Pの搬 送時など、第 2アーム部材 H2上で基板 Pが滑るなどの搬送不具合の発生が防止され る。その結果、このデバイス製造システム SYSでは、液浸法に基づいて露光処理さ れた基板 Pが良好に搬送され、安定した処理動作を行うことができる。

[0088] ここで、第 2アーム部材 H2に付着した液体の除去は、少なくとも、基板ステージ PS Tから基板 Pを搬出する前の時点で行われる。基板搬出前に第 2アーム部材 H2に付 着した液体が除去されることで、第 2アーム部材 H2上で基板が滑るなどの搬送不具 合の発生が確実に防止される。

[0089] また、上述した基板搬出前に加え、第 2アーム部材 H2による基板搬出動作が完了 した直後に、上記第 2アーム部材 H2に対する液体除去を行ってもよい。すなわち、 液体が付着した第 2アーム部材 H2が移動すると、その液体が飛散することによって 動作不具合や環境変化を招くおそれがある。そのため、基板 Pの第 1の液体除去シ ステム 100への受け渡しを終了した後に、液体検出器 229で第 2アーム部材 H2の液 体の付着の有無を確認し、第 2アーム部材 H2に液体が付着している場合には、第 2 の液体除去システム 220を使って、第 2アーム部材 H2に付着した液体を除去するこ とにより、そうした不具合の発生を抑制することができる。

[0090] 第 2アーム部材 H2に対する液体除去を行う際、第 2アーム部材 H2が支持する基 板 Pの表面又は裏面の少なくとも一方の面に付着している液体を同時に除去すること ができる。基板 Pの表面又は裏面の少なくとも一方の面に付着した液体が除去できる 場合、前述した第 1の液体除去システム 100を省略することも可能である。

[0091] また、本例では、液体検出器 229の検出結果に基づいて必要時にのみ第 2アーム 部材 H2の液体除去を行うことから、液体除去に伴うスループットの低下が抑制される という利点を有している。なお、第 2アーム部材 H2に液体が付着している可能性が高 い場合は、液体検出器 129による液体検出動作を省き、常に第 2アーム部材 H2に 対して液体除去を行ってもよ!、。

[0092] 図 16及び図 17は、第 2の液体除去システム 220の他の形態例を示している。

[0093] 図 16の第 2の液体除去システム 220は、液体吸引装置 230と、液体吸引装置 230 に配管 231を介して接続され、第 2アーム部材 H2の表面及び裏面のそれぞれに付 着している液体を吸引する第 1、第 2吸引部 232、 233と、チャンバ 234内部を乾燥 する乾燥装置 235とを備えている。なお、第 1、第 2吸引部 232、 233は、第 2アーム 部材 H2に対して X軸方向に相対移動可能に設けられている。また、チャンバ 234に は、図 15の例と同様に、第 2アーム部材 H2を出し入れを行うための開口 236が設け られ、この開口 236にはシャツタ 237が配設されている。

[0094] 図 16の第 2の液体除去システム 220では、第 2アーム部材 H2の液体除去に際して 、第 1、第 2吸引部 232、 233を第 2アーム部材 H2に接近させた状態で、液体吸引装 置 230が駆動される。これにより、第 2アーム部材 H2に付着している液体が第 1、第 2 吸引部 232、 233を介して液体吸引装置 230に吸引される。このとき、第 1、第 2吸引 部 232、 233と第 2アーム部材 H2とを X軸方向に相対移動することにより、第 2アーム 部材 H2に付着して 、る液体が除去される。

[0095] また、この第 2の液体除去システム 220では、乾燥装置 235によってチャンバ 234 内に乾燥した気体 (乾燥エア）が適宜供給される。供給される乾燥エアは、室温でも よぐあるいは所定の温度に制御された温風であってもよい。乾燥エアの供給により、 チャンバ 234内が乾燥し、その結果、第 2アーム部材 H2の液体除去が促進される。

[0096] なお、上記構成の第 2の液体除去システム 220において、乾燥装置 235による乾燥 エアの供給のみで、第 2アーム部材 H2から液体が速やかに除去される場合は、液体 吸引装置 230や吸引部 232、 233を省く構成としてもよい。また、乾燥方法は、気体 供給法に限らず、減圧法や赤外線照射法などの他の乾燥方法を用いてもよ!ヽ。

[0097] 図 17の第 2の液体除去システム 220は、液体吸引装置 240と、液体吸引装置 240 に配管 241を介して接続される吸湿材 242、 243と、吸湿材 242、 243を Z方向に移 動させる駆動装置 244とを備えている。吸湿材 242、 243としては、例えば、スポンジ 状部材ゃ多孔質セラミックス等が用いられる。

[0098] 図 17の第 2の液体除去システム 220では、第 2アーム部材 H2の液体除去に際して 、駆動装置 244により吸湿材 242、 243が第 2アーム部材 H2に密着される。この状態 で、液体吸引装置 240が駆動され、吸湿材 242、 243で吸湿した液体が回収される と、第 2アーム部材 H2に付着した液体が除去される。吸湿材 242、 243を用いた液 体除去では、液体の飛散が少ない。そのため、チャンバ一（筐体)の配設を回避し、 装置のコンパクトィ匕を図ることが可能である。なお、吸湿材 242、 243による吸湿では 、第 2アーム部材 H2の液体除去を速やかに行えない場合は、先の図 16に示したよう に、乾燥装置と組み合わせた構成としてもよい。

[0099] なお、図 11に示した吸湿材 90にアーム用液体除去の機能をもたせることもできる。

[0100] この例では、第 2アーム部材 H2に液体 LQが付着した場合に、吸湿材 90によって 吸湿することができる。そして、基板を保持するための真空系 34を介して吸湿材 90 で吸湿した液体を回収するように構成すればよい。この構成によれば、吸湿材 90が 第 2アーム部材 H2の一部を構成していることから、装置の小型化が図られる。また、 任意の位置やタイミングで第 2アーム部材 H2に対する液体除去を行うことが可能で ある。例えば、第 2アーム部材 H2の移動中に、第 2アーム部材 H2の液体除去を行う ことも可能である。そのため、スループットの向上が図られる。

[0101] 以上、第 2の液体除去システム 220の構成例について説明した力 第 2アーム部材 H2の液体を除去する構成としては、上述したものに限らない。また、上述した各構成 を適宜組み合わせてもよ 、ことは言うまでもな 、。

[0102] 図 18は、第 2の液体除去システム 220を備える搬送システム Hの他の形態例を示し ている。図 18において、搬送システム Hは、第 2アーム部材 H2に付着した液体を除 去する第 2の液体除去システム 220に加え、第 2アーム部材 H2を洗浄する洗浄装置 260を備えている。なお、本例では、第 2の液体除去システム 220として、図 15に示 した気体噴射型を用いて!/ヽるが、本実施形態で説明した ヽずれの構成例を適用して ちょい。

[0103] 洗浄装置 260は、洗浄液を供給する洗浄液供給装置 261と、洗浄液供給装置 261 に配管 262を介して接続され、第 2アーム部材 H2に向けて洗浄液を噴射する液体 噴射部 263、 264と、液体噴射部 263、 264を収容するチャンバ 265とを備えている 。洗浄液としては、純水の他に、各種薬品が適宜用いられる。また、液体噴射部 263 、 264は、例えば、洗浄液供給装置 261に接続されたヘッダに複数の噴射ノズルが 配設された構成カゝらなる。なお、図 18に示す構成例では、第 2の液体除去システム 2 20と洗浄装置 260とを垂直方向に並べて配置して!/、るが、水平方向に並べて配置し てもよい。なお、チャンバ 265内の洗浄液は不図示の回収配管を介して適宜回収さ れる。

[0104] 第 2アーム部材 H2に液体が付着すると、それに伴って不純物が第 2アーム部材 H 2に付着する可能性があり、その不純物が第 2アーム部材 H2に残っていると、次に露 光処理する基板の搬送時に、その基板に不純物が付着するおそれがある。図 18の 搬送システム Hでは、第 2アーム部材 H2による露光処理後の基板 Pを基板ステージ PSTから搬出し、その基板 Pを保持テーブル HTに対して搬送した後、第 2アーム部 材 H2を洗浄装置 260において洗浄し、その後、第 2の液体除去システム 220によつ て第 2アーム部材 H2に付着した液体を除去する。したがって、この搬送システム Hで は、第 2アーム部材 H2が洗浄されることで、露光処理前の基板への不純物の付着が 抑制される。

[0105] なお、第 2アーム部材 H2の洗浄方法としては、洗浄液を噴射する方法に限らず、タ ンクに貯溜された洗浄液に第 2アーム部材 H2を浸漬する方法、あるいは超音波洗浄 法など、他の方法を用いてもよい。また、洗浄液を用いるものに限らず、例えば、光（ UV光など）やオゾンを用いたいわゆる光洗浄法を用いてもよい。なお、第 2アーム部 材 H2の洗浄は、基板 Pのアンロードの度に行わずに、所定枚の基板 Pのアンロード 毎に行うようにしてもよい。また、液体検出器 229とは別に第 2アーム部材 H2表面（ 裏面、側面含む)の異物 (不純物）を検出する異物検出器を設け、例えば第 2の液体 除去システム 220での液体除去後に第 2アーム部材 H2への異物の付着の有無を確 認し、異物が付着して ヽる場合に洗浄装置 260を使って第 2アーム部材 H2の洗浄を 行うようにしてもよい。露光処理前の基板への不純物の付着が抑制されることで、露 光処理時における露光精度の向上が図られる。

[0106] ここで、液浸法による露光処理に関して、本実施形態では、露光処理で用いる液体 LQとして純水を用いている。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手でき るとともに、基板 P上のフォトレジストや光学素子 (レンズ)等に対する悪影響がない利 点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極め て低いため、基板 Pの表面、及び投影光学系 PLの先端面に設けられている光学素 子の表面を洗浄する作用も期待できる。

[0107] 上述したように、本実施形態における液体 LQは純水により構成されている。純水は 、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板 P上のフォトレジストや 光学素子 (レンズ)等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する 悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板 Pの表面、及び投 影光学系 PLの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待でき る。

[0108] そして、波長が 193nm程度の露光光 ELに対する純水（水）の屈折率 nはほぼ 1. 4 4と言われており、露光光 ELの光源として ArFエキシマレーザ光（波長 193nm)を用 いた場合、基板 P上では lZn、すなわち約 134nmに短波長化されて高い解像度が 得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約 n倍、すなわち約 1. 44倍に拡大され るため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、 投影光学系 PLの開口数をより増カロさせることができ、この点でも解像度が向上する。

[0109] 本実施形態では、投影光学系 PLの先端にレンズ 2が取り付けられている力 投影 光学系 PLの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系 PLの光学特性、例え ば収差 (球面収差、コマ収差等）の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるい は露光光 ELを透過可能な平行平面板であってもよい。

[0110] なお、液体 LQの流れによって生じる投影光学系 PLの先端の光学素子と基板 Pと の間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなぐその圧 力によって光学素子が動かな 、ように堅固に固定してもよ 、。

[0111] なお、本実施形態では、投影光学系 PLと基板 P表面との間は液体 LQで満たされ ている構成であるが、例えば基板 Pの表面に平行平面板力もなるカバーガラスを取り 付けた状態で液体 LQを満たす構成であってもよ ヽ。

[0112] なお、本実施形態の液体 LQは水である力 水以外の液体であってもよい。例えば

、露光光 ELの光源が Fレーザである場合、この Fレーザ光は水を透過しないので、

2 2

液体 LQとしては Fレーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル (PFPE)や

2

フッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。また、液体 LQとしては、その他に も、露光光 ELに対する透過性があってできるだけ屈折率が高ぐ投影光学系 PLや 基板 P表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を 用いることも可能である。

[0113] なお、上記各実施形態の基板 Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウェハ のみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミック ウェハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版 (合成石英、シリ コンウェハ）等が適用される。

[0114] また、上述の実施形態においては、投影光学系 PLと基板 Pとの間を局所的に液体 で満たす露光装置を採用している力 特開平 6— 124873号公報に開示されているよ うな露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置や、 特開平 10— 303114号公報に開示されているようなステージ上に所定深さの液体槽 を形成し、その中に基板を保持する液浸露光装置にも本発明を適用可能である。

[0115] 露光装置 (露光装置本体) EXとしては、マスク Mと基板 Pとを同期移動してマスク M のパターンを走査露光するステップ ·アンド'スキャン方式の走査型露光装置 (スキヤ ニンダステッノ ）の他に、マスク Mと基板 Pとを静止した状態でマスク Mのパターンを 一括露光し、基板 Pを順次ステップ移動させるステップ'アンド'リピート方式の投影露 光装置 (ステツパ）にも適用することができる。また、本発明は基板 P上で少なくとも 2 つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ 'アンド'ステイッチ方式の露光装 置にも適用できる。

[0116] 露光装置 EXの種類としては、基板 Pに半導体素子パターンを露光する半導体素 子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の 露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子 (CCD)あるいはレチクル又はマスクなどを 製造するための露光装置などにも広く適用できる。

[0117] 以上のように、本願実施形態の露光装置 EXは、本願特許請求の範囲に挙げられ た各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的 精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、 この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調 整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系につい ては電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステム力 露光装置 への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接 続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステム力 露光装置への組 み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない 。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ 、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およ びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

[0118] 半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図 19に示すように、マイクロデバイスの機 能 ·性能設計を行うステップ 301、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル)を製 作するステップ 302、デバイスの基材である基板を製造するステップ 303、前述した 実施形態の露光装置 EXによりマスクのパターンを基板に露光する露光処理ステップ 304、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージェ 程を含む） 305、検査ステップ 306等を経て製造される。

[0119] 以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが 、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求 の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に 想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属す るちのと了解される。

Claims

請求の範囲

[1] 投影光学系と液体とを介したパターンの像によって露光された基板を搬送する基 板搬送装置において、

前記基板を支持する基板支持部材と、

前記基板支持部材と、前記基板の裏面のうち少なくとも一部の領域との少なくとも 一方に付着した前記液体を除去する液体除去機構とを備えることを特徴とする基板 搬送装置。

[2] 前記基板支持部材は、前記基板を搬送する基板搬送部材であることを特徴とする 請求項 1に記載の基板搬送装置。

[3] 前記基板搬送部材に前記液体が付着しているカゝ否かを検出する液体検出器をさら に備え、

前記液体除去機構は、前記液体検出器の検出結果に基づいて、前記基板搬送部 材に付着した前記液体を除去することを特徴とする請求項 2に記載の基板搬送装置

[4] 前記液体除去機構は、前記基板搬送部材に対して、所定の気体を噴き付ける気体 噴射部を有することを特徴とする請求項 2又は請求項 3に記載の基板搬送装置。

[5] 前記液体除去機構は、前記基板搬送部材に付着した前記液体を吸湿する吸湿材 を有することを特徴とする請求項 2又は請求項 3に記載の基板搬送装置。

[6] 前記液体除去機構は、前記基板搬送部材に付着した前記液体を吸引することを特 徴とする請求項 2又は請求項 3に記載の基板搬送装置。

[7] 前記液体除去機構は、前記基板搬送部材に付着した前記液体を乾燥させることを 特徴とする請求項 2又は請求項 3に記載の基板搬送装置。

[8] 前記液体除去機構は、前記基板搬送部材に付着した前記液体と共に、前記基板 の裏面のうち少なくとも一部の領域に付着した前記液体を除去することを特徴とする 請求項 2から請求項 7のいずれか一項に記載の基板搬送装置。

[9] 前記基板搬送部材を洗浄する洗浄装置を備えることを特徴とする請求項 2から請 求項 8の ヽずれか一項に記載の基板搬送装置。

[10] 前記液体除去機構は、前記基板搬送部材の移動経路上に設けられることを特徴と する請求項 2から請求項 9のいずれか一項に記載の基板搬送装置。

[11] 投影光学系と液体とを介したパターンの像によって露光された基板を搬送する基 板搬送装置において、

前記基板を搬送し、かつ前記液体を吸収する吸湿材を備える基板搬送部材を有す ることを特徴とする基板搬送装置。

[12] 前記吸湿材は、前記基板に付着した前記液体を吸湿することを特徴とする請求項

11に記載の基板搬送装置。

[13] 前記基板支持部材は、前記基板の裏面を支持し、

前記液体除去機構は、前記基板支持部材に設けられ、前記基板支持部材が前記 基板の裏面を支持する前に、前記基板の裏面のうち少なくとも一部の領域に付着し た液体を除去することを特徴とする請求項 1に記載の基板搬送装置。

[14] 前記基板支持部材は、液体が付着した前記基板を搬送する基板搬送部材であるこ とを特徴とする請求項 13記載の基板搬送装置。

[15] 前記基板搬送部材は、前記基板の裏面に対向する少なくとも 1つの開口部を有し、 前記液体除去機構は、前記開口部を介して、前記基板の裏面のうち少なくとも一部 の領域に対して所定の気体を吹き付ける気体吹付機構を有することを特徴とする請 求項 14記載の基板搬送装置。

[16] 前記基板の裏面を支持するために、前記開口部を介して前記基板の裏面を吸着 する吸着機構と、

前記開口部に対して、前記気体吹付機構と前記吸着機構とを選択的に接続する接 続機構とを有することを特徴とする請求項 15記載の基板搬送装置。

[17] 前記基板の裏面を支持するために、前記基板の裏面を吸着する吸着機構を備え、 前記基板搬送部材は、前記吸着機構に接続され、且つ前記基板の裏面に対向す る少なくとも 1つの第 1開口部と、前記基板の裏面に対向し、且つ前記第 1開口部と は異なる位置に設けられる少なくとも 1つの第 2開口部を有し、

前記液体除去機構は、前記第 2開口部を介して、前記基板の裏面に対して所定の 気体を吹き付ける気体吹付機構を有することを特徴とする請求項 14記載の基板搬 送装置。

[18] 前記液体除去機構は、前記基板の裏面のうち少なくとも一部の領域に付着した前 記液体を吸湿する吸湿材を有することを特徴とする請求項 13記載の基板搬送装置。

[19] 前記基板の搬送経路の途中に設けられ、前記基板の表面に付着した液体を除去 する液体除去システムを有し、

前記基板支持部材及び前記液体除去機構は、前記液体除去システムに設けられ ることを特徴とする請求項 13記載の基板搬送装置。

[20] 前記液体除去システムは、前記基板の表面に付着した前記液体を乾燥する乾燥 機構、又は前記基板を回転することによって前記基板の表面に付着した液体を飛ば す回転機構を有することを特徴とする請求項 19記載の基板搬送装置。

[21] 前記基板の搬送経路の途中に設けられ、前記基板を一時保持する保持テーブル を有し、

前記基板支持部材及び前記液体除去機構は、前記保持テーブルに設けられるこ とを特徴とする請求項 13記載の基板搬送装置。

[22] 前記液体除去機構は、前記少なくとも一部の領域として、前記基板支持部材が支 持する支持領域に付着している液体を除去することを特徴とする請求項 13から請求 項 21の 、ずれか一項記載の基板搬送装置。

[23] 投影光学系と液体とを介してパターンの像が露光された基板を搬送する基板搬送 装置において、

前記基板の裏面のうち一部の領域に付着した液体を除去する第 1液体除去機構と 前記基板の裏面のうち一部の領域に付着した液体を前記第 1液体除去機構で除 去した後に、前記基板の表面に付着した前記液体を除去する第 2液体除去機構とを 備えたことを特徴とする基板搬送装置。

[24] 前記液体が付着した前記基板を搬送する基板搬送部材を有し、

前記第 1液体除去機構は、前記基板の裏面のうち、前記基板搬送部材が前記基板 の裏面を支持する第 1支持領域に付着した液体を除去することを特徴とする請求項 2 3記載の基板搬送装置。

[25] 前記基板搬送部材は、前記液体が除去された前記第 1領域を支持して、前記基板 を前記第 2液体除去機構に搬送することを特徴とする請求項 24記載の基板搬送装 置。

[26] 前記第 2液体除去機構は、前記基板の表面に付着した前記液体を乾燥する乾燥 機構、又は前記基板を回転することによって前記基板の表面に付着した液体を飛ば す回転機構を有することを特徴とする請求項 23から請求項 25のいずれか一項記載 の基板搬送装置。

[27] 投影光学系と液体とを介してパターンの像が露光された基板を搬送する基板搬送 方法において、

前記基板の裏面を基板支持部材で支持する前に、前記基板の裏面のうち前記基 板支持部材が支持する支持領域に付着した液体を除去することを特徴とする基板搬 送方法。

[28] 前記基板支持部材は、前記液体が付着した前記基板を搬送する搬送アーム部材 であることを特徴とする請求項 27記載の基板搬送方法。

[29] 前記液体の除去は、前記搬送アーム部材に形成された開口部から所定の気体を 吹き付けて行われることを特徴とする請求項 28記載の基板搬送方法。

[30] 前記液体の除去は、前記搬送アーム部材に設けられた吸湿材を使用して行われる ことを特徴とする請求項 28記載の基板搬送方法。

[31] 前記基板の搬送経路の途中に設けられ、前記基板の表面に付着した前記液体を 除去する液体除去システムを有し、

前記基板支持部材は、前記液体除去システムに設けられることを特徴とする請求 項 27記載の基板搬送方法。

[32] 前記基板の搬送経路の途中に設けられ、前記基板を一時保持する保持テーブル を有し、

前記基板支持部材は、前記保持テーブルに設けられることを特徴とする請求項 27 記載の基板搬送方法。

[33] 投影光学系と液体とを介してパターンの像が露光された基板を搬送する基板搬送 方法において、

前記基板の裏面のうち一部の領域に付着した前記液体を除去し、前記一部の領域 に付着した前記液体を除去した後に、前記基板の表面に付着した液体を除去するこ とを特徴とする基板搬送方法。

[34] 前記基板の裏面のうち一部の領域は、前記基板を搬送する搬送アーム部材が該 基板の裏面を支持する第 1支持領域であることを特徴とする請求項 33記載の基板搬 送方法。

[35] 前記搬送アーム部材は、前記液体が除去された前記第 1支持領域を支持して、前 記基板の表面に付着した前記液体を除去する第 2液体除去装置に前記基板を搬送 することを特徴とする請求項 34記載の基板搬送方法。

[36] 前記第 2液体除去装置が前記基板の裏面を支持する前に、前記基板の裏面のうち 前記第 2液体除去装置が支持する第 2支持領域に付着した液体を除去することを特 徴とする請求項 35記載の基板搬送方法。

[37] 基板ステージに保持された基板に、投影光学系と液体とを介してパターンの像を投 影して前記基板を露光する露光方法にお!、て、

請求項 27—請求項 36の ヽずれか一項記載の基板搬送方法を用いて、前記基板 ステージから前記基板を搬送する工程を有することを特徴とする露光方法。

[38] 基板ステージに保持された基板に、投影光学系と液体とを介してパターンの像を投 影して、前記基板を露光する露光装置において、

前記露光後の基板を前記基板ステージから搬出する基板搬送部材と、 前記基板ステージから前記基板を搬送する前に、前記基板搬送部材に付着した前 記液体を除去する液体除去機構とを備えることを特徴とする露光装置。

[39] 前記液体除去機構は、前記基板搬送部材に付着した前記液体と共に、前記基板 に付着した前記液体を除去することを特徴とする請求項 38に記載の露光装置。

[40] 基板ステージに保持された基板に、投影光学系と液体とを介してパターンの像を投 影して、前記基板を露光する露光装置において、

請求項 1から請求項 26、請求項 38、請求項 39のうちのいずれか一項に記載の基 板搬送装置を用いて、前記基板ステージから前記基板を搬送することを特徴とする 露光装置。

[41] 請求項 37の記載の露光方法を用いることを特徴とするデバイス製造方法。