JP4727734B2 - 基板搬送装置、基板搬送方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、液浸法により露光された基板を搬送する基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法に関するものである。
本願は、２００３年１０月８日に出願された特願２００３−３４９５４９号および特願２００３−３４９５５２号に対し優先権を主張し、その内容をここに援用する。

半導体デバイスや液晶表示デバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に転写する、いわゆるフォトリソグラフィの手法により製造される。このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置は、マスクを支持するマスクステージと基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写するものである。近年、デバイスパターンのより一層の高集積化に対応するために投影光学系の更なる高解像度化が望まれている。投影光学系の解像度は、使用する露光波長が短くなるほど、また投影光学系の開口数が大きいほど高くなる。そのため、露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、投影光学系の開口数も増大している。そして、現在主流の露光波長は、ＫｒＦエキシマレーザの２４８ｎｍであるが、更に短波長のＡｒＦエキシマレーザの１９３ｎｍも実用化されつつある。また、露光を行う際には、解像度と同様に焦点深度（ＤＯＦ）も重要となる。解像度Ｒ、及び焦点深度δはそれぞれ以下の式で表される。

Ｒ＝ｋ_１・λ／ＮＡ …（１）
δ＝±ｋ_２・λ／ＮＡ^２ …（２）
ここで、λは露光波長、ＮＡは投影光学系の開口数、ｋ_１、ｋ_２はプロセス係数である。（１）式、（２）式より、解像度Ｒを高めるために、露光波長λを短くして、開口数ＮＡを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。

焦点深度δが狭くなり過ぎると、投影光学系の像面に対して基板表面を合致させることが困難となり、露光動作時のフォーカスマージンが不足する恐れがある。そこで、実質的に露光波長を短くして、且つ焦点深度を広くする方法として、例えば下記特許文献１に開示されている液浸法が提案されている。この液浸法は、投影光学系の下面と基板表面との間を水や有機溶媒等の液体で満たし、液体中での露光光の波長が、空気中の１／ｎ（ｎは液体の屈折率で通常１．２〜１．６程度）になることを利用して解像度を向上するとともに、焦点深度を約ｎ倍に拡大するというものである。

国際公開第９９／４９５０４号パンフレット

ところで、液浸法により露光された基板は、基板搬送部材によって基板ステージから搬出される。このとき、基板の裏面に液体が付着していると、基板搬送部材と基板との間の液体が潤滑膜となって、基板が基板搬送部材に対して滑りやすくなり（位置ずれしやすくなり）、基板搬送部材は基板を所望の状態で搬送できなくなる不都合が生じる可能性がある。また、基板搬送部材に液体が付着していると、その液体が膜となって基板搬送部材に対して基板が滑るなどにより、基板を良好に搬送できないおそれがある。基板搬送部材が基板を真空吸着保持する構成の場合、基板に液体が付着していると、その液体が真空系に浸入して真空系を破損させる不都合が生じる可能性もある。

また、基板や基板搬送部材に液体が付着した状態で搬送すると、搬送中において液体が基板から落下し、落下した液体により搬送経路周辺の各装置や部材が錆びたり、露光装置が配置されている環境のクリーン度を維持できなくなる等の不都合が生じる。あるいは、落下した液体により露光装置周辺の環境変化（湿度変化）をもたらす場合もある。

基板搬送部材に液体が付着していると、その液体が基板に付着して、基板を汚染したり、基板に付着した液体が露光処理前に乾燥した場合、その痕が基板表面に残ることにより、製造されるデバイスの品質低下を招く可能性があった。また、露光処理後において基板に液体を付着させた状態で例えば現像処理が実行されると現像むら等を引き起こしたり、基板に付着した液体が雰囲気中の不純物（塵等）を集めて基板を汚染し、所望の性能を有するデバイスが製造できなくなるおそれが生じる。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液浸法により露光された基板を所望の状態で良好に搬送できる基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、投影光学系と液体とを介したパターンの像によって露光された基板を搬送する基板搬送装置において、前記基板を支持する基板支持部材と、前記基板支持部材と、前記基板の裏面のうち少なくとも一部の領域との少なくとも一方 に付着した前記液体を除去する液体除去機構とを備え、前記基板支持部材は、前記基板の裏面を支持し、前記液体除去機構は、前記基板支持部材に設けられ、前記基板支持部材が前記基板の裏面を支持する前に、前記基板の裏面のうち少なくとも一部の領域に付着した液体を除去する基板搬送装置が提供される。

本発明の第２の態様に従えば、投影光学系と液体とを介してパターンの像が露光された基板を搬送する基板搬送装置において、前記基板の裏面のうち一部の領域に付着した液体を除去する第１液体除去機構と、前記基板の裏面のうち一部の領域に付着した液体を前記第１液体除去機構で除去した後に、前記基板の表面に付着した前記液体を除去する第２液体除去機構とを備えたことを特徴とする基板搬送装置が提供される。

本発明の第３の態様に従えば、投影光学系と液体とを介してパターンの像が露光された基板を搬送する基板搬送方法において、前記基板の裏面を基板支持部材で支持する前に、前記基板の裏面のうち前記基板支持部材が支持する支持領域に付着した液体を除去することを特徴とする基板搬送方法が提供される。

本発明の第４の態様に従えば、投影光学系と液体とを介してパターンの像が露光された基板を搬送する基板搬送方法において、前記基板の裏面のうち一部の領域に付着した前記液体を除去し、前記一部の領域に付着した前記液体を除去した後に、前記基板の表面に付着した液体を除去することを特徴とする基板搬送方法が提供される。

本発明の第５の態様に従えば、基板ステージに保持された基板に、投影光学系と液体とを介してパターンの像を投影して前記基板を露光する露光方法において、第４の態様の基板搬送方法を用いて、前記基板ステージから前記基板を搬送する工程を有することを特徴とする露光方法が提供される。

本発明の第６の態様に従えば、基板ステージに保持された基板に、投影光学系と液体とを介してパターンの像を投影して、前記基板を露光する露光装置において、前記露光後の基板を前記基板ステージから搬出する基板搬送部材と、前記基板搬送部材で前記基板の裏面を支持する前に、前記基板の裏面の少なくとも一部の領域に付着した前記液体を除去する液体除去機構とを備える露光装置が提供される。

本発明の第７の態様に従えば、投影光学系と液体とを介してパターンの像を基板上に投影して、前記基板を露光する露光装置において、第１の態様の基板搬送装置を用いて、露光後の基板を搬送することを特徴とする露光装置が提供される。

本発明の第８の態様に従えば、第７の態様の露光装置を用いるデバイス製造方法が提供される。

本発明の第９の態様に従えば、第５の態様の露光方法を用いるデバイス製造方法が提供される。

本発明の露光装置としてのデバイス製造システムの一実施形態を示す概略構成図である。 図１を上方から見た図である。 露光処理を行う露光装置本体の一実施形態を示す概略構成図である。 供給ノズル及び回収ノズルの配置例を示す図である。 本発明に係る搬送アーム部材の一実施形態を示す概略構成図である。 本発明に係る搬送アーム部材による液体除去動作の一実施形態を示す図である。 本発明に係る保持テーブルの一実施形態を示す概略構成図である。 本発明に係る保持テーブルによる液体除去動作の一実施形態を示す図である。 第１の液体除去システムによる液体除去動作の一実施形態を示す図である。 本発明に係る搬送アーム部材の別の実施形態を示す概略構成図である。 本発明に係る搬送アーム部材の別の実施形態を示す概略構成図である。 第１の液体除去システムによる液体除去動作の別の実施形態を示す図である。 第１の液体除去システムによる液体除去動作の別の実施形態を示す図である。 第１の液体除去システムによる液体除去動作の別の実施形態を示す図である。 第２の液体除去システムの構成例を模式的に示す図である。 第２の液体除去システムの他の構成例を模式的に示す図である。 第２の液体除去システムの他の構成例を模式的に示す図である。 第２の液体除去システムを備える搬送システムの他の形態例を模式的に示す図である。 半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照しながら説明する。図１は本発明の露光装置を備えたデバイス製造システムの一実施形態を示す図であって側方から見た概略構成図、図２は図１を上方から見た図である。

図１、図２において、デバイス製造システムＳＹＳは、露光装置ＥＸ−ＳＹＳと、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳ（図２参照）とを備えている。露光装置ＥＸ−ＳＹＳは、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳとの接続部を形成するインターフェース部ＩＦ（図２参照）と、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間を液体ＬＱで満たし、投影光学系ＰＬと液体ＬＱとを介して、マスクに形成されたパターンを基板Ｐ上に投影して基板Ｐを露光する露光装置本体ＥＸと、インターフェース部ＩＦと露光装置本体ＥＸとの間で基板Ｐを搬送する搬送システムＨと、搬送システムＨの搬送経路の途中に設けられ、基板Ｐの表面に付着した液体ＬＱを除去する第１の液体除去システム１００と、上記搬送経路の途中に設けられ、第２アーム部材Ｈ２の表面に付着した液体ＬＱを除去する第２の液体除去システム２２０と、露光装置ＥＸ−ＳＹＳ全体の動作を統括制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳは、露光処理される前の基板Ｐの基材に対してフォトレジスト（感光剤）を塗布する塗布装置Ｃと、露光装置本体ＥＸにおいて露光処理された後の基板Ｐを現像処理する現像装置（処理装置）Ｄとを備えている。図２に示すように、露光装置本体ＥＸはクリーン度が管理された第１チャンバ装置ＣＨ１内部に配置されている。一方、塗布装置Ｃ及び現像装置Ｄは第１チャンバ装置ＣＨ１とは別の第２チャンバ装置ＣＨ２内部に配置されている。そして、露光装置本体ＥＸを収容する第１チャンバ装置ＣＨ１と、塗布装置Ｃ及び現像装置Ｄを収容する第２チャンバ装置ＣＨ２とは、インターフェース部ＩＦを介して接続されている。ここで、以下の説明において、第２チャンバ装置ＣＨ２内部に収容されている塗布装置Ｃ及び現像装置Ｄを合わせて「コータ・デベロッパ本体Ｃ／Ｄ」と適宜称する。

図１に示すように、露光装置本体ＥＸは、露光光ＥＬでマスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭを照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐ上に投影する投影光学系ＰＬと、基板Ｐを支持する基板ステージＰＳＴとを備えている。また、本実施形態における露光装置本体ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを走査方向における互いに異なる向き（逆方向）に同期移動しつつマスクＭに形成されたパターンを基板Ｐに露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。以下の説明において、水平面内においてマスクＭと基板Ｐとの同期移動方向（走査方向）をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向（非走査方向）、Ｘ軸及びＹ軸方向に垂直で投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと一致する方向をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。なお、ここでいう「基板」は半導体ウエハ上にレジストを塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。

搬送システムＨは、露光処理される前の基板Ｐを基板ステージＰＳＴに搬入（ロード）する第１アーム部材Ｈ１と、露光処理された後の基板Ｐを基板ステージＰＳＴから搬出（アンロード）する第２アーム部材Ｈ２とを備えている。図２に示すように、塗布装置Ｃから搬送された露光処理前の基板Ｐはインターフェース部ＩＦを介して第３アーム部材Ｈ３に渡される。第３アーム部材Ｈ３は、基板Ｐをプリアライメント部ＰＡＬに渡す。プリアライメント部ＰＡＬは、基板ステージＰＳＴに対して基板Ｐの大まかな位置合わせを行う。プリアライメント部ＰＡＬで位置合わせされた基板Ｐは第１アーム部材Ｈ１によって基板ステージＰＳＴにロードされる。露光処理を終えた基板Ｐは第２アーム部材Ｈ２によって基板ステージＰＳＴよりアンロードされる。第２アーム部材Ｈ２は露光処理後の基板Ｐを、その基板Ｐの搬送経路の途中に設けられた保持テーブルＨＴに渡す。保持テーブルＨＴは、第１の液体除去システム１００の一部を構成するものであって、渡された基板Ｐを一時保持する。保持テーブルＨＴはカバー部材７０内部に配置されており、カバー部材７０には、搬送される基板Ｐを通過させるための開口部７１、７２が設けられている。開口部７１、７２にはシャッタ部７１Ａ、７２Ａが設けられており、開口部７１、７２を開閉する。保持テーブルＨＴは基板Ｐを保持して回転可能であって、その保持テーブルＨＴの回転によって向きを変えられた基板Ｐは、第４アーム部材Ｈ４に保持され、インターフェース部ＩＦまで搬送される。インターフェース部ＩＦに搬送された基板Ｐは現像装置Ｄに渡される。現像装置Ｄは渡された基板Ｐに対して現像処理を施す。

そして、第１〜第４アーム部材（搬送アーム部材）Ｈ１〜Ｈ４、プリアライメント部ＰＡＬ、及び保持テーブルＨＴも第１チャンバ装置ＣＨ１内部に配置されている。ここで、第１、第２チャンバ装置ＣＨ１、ＣＨ２それぞれのインターフェース部ＩＦと対面する部分には開口部及びこの開口部を開閉するシャッタが設けられている。基板Ｐのインターフェース部ＩＦに対する搬送動作中にはシャッタが開放される。

第１アーム部材Ｈ１は露光処理される前の液体ＬＱが付着してない基板Ｐを保持して基板ステージＰＳＴにロードする。一方、第２アーム部材Ｈ２は液浸露光処理された後の液体ＬＱが付着している可能性のある基板Ｐを保持して基板ステージＰＳＴよりアンロードする。このように、液体ＬＱが付着していない基板Ｐを搬送する第１アーム部材Ｈ１と、液体ＬＱが付着している可能性のある基板Ｐを搬送する第２アーム部材Ｈ２とを使い分けているので、第１アーム部材Ｈ１には液体ＬＱが付着することなく、基板ステージＰＳＴにロードされる基板Ｐの裏面などへの液体ＬＱの付着を防止することができる。したがって、基板ステージＰＳＴの基板ホルダが基板Ｐを真空吸着保持する構成であっても、基板ホルダの吸着穴を介して真空ポンプなどの真空系に液体ＬＱが浸入する不都合の発生を防止することができる。

図３は、露光装置本体ＥＸの概略構成図である。

照明光学系ＩＬは、マスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明するものであり、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ＥＬを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光ＥＬによるマスクＭ上の照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等を有している。マスクＭ上の所定の照明領域は照明光学系ＩＬにより均一な照度分布の露光光ＥＬで照明される。照明光学系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）や、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態では、ＡｒＦエキシマレーザ光を用いた場合を例に挙げて説明する。

マスクステージＭＳＴは、マスクＭを支持するものであって、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに垂直な平面内、すなわちＸＹ平面内で２次元移動可能及びθＺ方向に微小回転可能である。マスクステージＭＳＴはリニアモータ等のマスクステージ駆動装置ＭＳＴＤにより駆動される。マスクステージ駆動装置ＭＳＴＤは制御装置ＣＯＮＴにより制御される。マスクステージＭＳＴ上には移動鏡５６が設けられ、移動鏡５６に対向する位置にはレーザ干渉計５７が設けられている。マスクＭを保持したマスクステージＭＳＴの２次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴはレーザ干渉計の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置ＭＳＴＤを駆動することでマスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭの位置決めを行う。

投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンを所定の投影倍率βで基板Ｐに投影露光するものであって、複数の光学素子（レンズやミラー）で構成されており、これら光学素子は鏡筒ＰＫ内に収容されている。本実施形態において、投影光学系ＰＬは、投影倍率βが例えば１／４あるいは１／５の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、本実施形態の投影光学系ＰＬの先端側（基板Ｐ側）には、光学素子（レンズ）２が鏡筒ＰＫより露出している。この光学素子２は鏡筒ＰＫに対して着脱（交換）可能に設けられている。

光学素子２は蛍石で形成されている。蛍石は純水との親和性が高いので、光学素子２の先端面（液体接触面）２ａのほぼ全面に液体ＬＱを密着させることができる。すなわち、本実施形態においては光学素子２の液体接触面２ａとの親和性が高い液体（水）ＬＱを供給するようにしているので、光学素子２の液体接触面２ａと液体ＬＱとの密着性が高い。なお、光学素子２は水との親和性が高い石英であってもよい。また光学素子２の液体接触面２ａに親水化（親液化）処理を施して、液体ＬＱとの親和性をより高めるようにしてもよい。

基板ステージＰＳＴは、基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基板ホルダを介して保持するＺステージ５１と、Ｚステージ５１を支持するＸＹステージ５２と、ＸＹステージ５２を支持するベース５３とを備えている。基板ステージＰＳＴはリニアモータ等の基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤにより駆動される。基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤは制御装置ＣＯＮＴにより制御される。Ｚステージ５１を駆動することにより、Ｚステージ５１に保持されている基板ＰのＺ軸方向における位置（フォーカス位置）、及びθＸ、θＹ方向における位置が制御される。また、ＸＹステージ５２を駆動することにより、基板ＰのＸＹ方向における位置（投影光学系ＰＬの像面と実質的に平行な方向の位置）が制御される。すなわち、Ｚステージ５１は、基板Ｐのフォーカス位置及び傾斜角を制御して基板Ｐの表面をオートフォーカス方式、及びオートレベリング方式で投影光学系ＰＬの像面に合わせ込み、ＸＹステージ５２は基板ＰのＸ軸方向及びＹ軸方向における位置決めを行う。なお、ＺステージとＸＹステージとを一体的に設けてよいことは言うまでもない。

基板ステージＰＳＴ（Ｚステージ５１）上には移動鏡５４が設けられている。また、移動鏡５４に対向する位置にはレーザ干渉計５５が設けられている。基板ステージＰＳＴ上の基板Ｐの２次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計５５によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴはレーザ干渉計５５の計測結果に基づいて基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤを駆動することで基板ステージＰＳＴに支持されている基板Ｐの位置決めを行う。

本実施形態では、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに、焦点深度を実質的に広くするために、液浸法を適用する。そのため、少なくともマスクＭのパターンの像を基板Ｐ上に転写している間は、基板Ｐの表面と投影光学系ＰＬの光学素子２の先端面２ａとの間に所定の液体ＬＱが満たされる。上述したように、投影光学系ＰＬの先端側には光学素子２が露出しており、液体ＬＱは光学素子２のみに接触するように構成されている。これにより、金属からなる鏡筒ＰＫの腐蝕等が防止されている。本実施形態において、液体ＬＱには純水が用いられる。純水は、ＡｒＦエキシマレーザ光のみならず、露光光ＥＬを例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）とした場合にも、この露光光ＥＬを透過可能である。

露光装置本体ＥＸは、投影光学系ＰＬの光学素子２の先端面２ａと基板Ｐとの間に液体ＬＱを供給する液体供給機構１０と、基板Ｐ上の液体ＬＱを回収する液体回収機構２０とを備えている。液体供給機構１０は、基板Ｐ上に液浸領域ＡＲ２を形成するために所定の液体ＬＱを供給するものであって、液体ＬＱを送出可能な液体供給装置１１と、液体供給装置１１に供給管１２を介して接続され、この液体供給装置１１から送出された液体ＬＱを基板Ｐ上に供給する供給口を有する供給ノズル１３とを備えている。供給ノズル１３は基板Ｐの表面に近接して配置されている。

液体供給装置１１は、液体ＬＱを収容するタンク、及び加圧ポンプ等を備えており、供給管１２及び供給ノズル１３を介して基板Ｐ上に液体ＬＱを供給する。また、液体供給装置１１の液体供給動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御され、制御装置ＣＯＮＴは液体供給装置１１による基板Ｐ上に対する単位時間あたりの液体供給量を制御可能である。また、液体供給装置１１は液体ＬＱの温度調整機構を有しており、装置が収容されるチャンバ内の温度とほぼ同じ温度（例えば２３℃）の液体ＬＱを基板Ｐ上に供給するようになっている。

液体回収機構２０は基板Ｐ上の液体ＬＱを回収するものであって、基板Ｐの表面に接触することなく、近接して配置された回収ノズル２３と、この回収ノズル２３に回収管２２を介して接続された液体回収装置２１とを備えている。液体回収装置２１は例えば真空ポンプ等の真空系（吸引装置）及び回収した液体ＬＱを収容するタンク等を備えており、基板Ｐ上の液体ＬＱを回収ノズル２３及び回収管２２を介して回収する。液体回収装置２１の液体回収動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御され、制御装置ＣＯＮＴは液体回収装置２１による単位時間あたりの液体回収量を制御可能である。

走査露光時には、投影光学系ＰＬの先端の光学素子２の直下の投影領域ＡＲ１にマスクＭの一部のパターン像が投影され、投影光学系ＰＬに対して、マスクＭが−Ｘ方向（又は＋Ｘ方向）に速度Ｖで移動するのに同期して、ＸＹステージ５２を介して基板Ｐが＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）に速度β・Ｖ（βは投影倍率）で移動する。そして、１つのショット領域への露光終了後に、基板Ｐのステッピングによって次のショット領域が走査開始位置に移動し、以下、ステップ・アンド・スキャン方式で各ショット領域に対する露光処理が順次行われる。本実施形態では、基板Ｐの移動方向に沿って液体ＬＱを流すように設定されている。

図４は、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１と、液体ＬＱをＸ軸方向に供給する供給ノズル１３（１３Ａ〜１３Ｃ）と、液体ＬＱを回収する回収ノズル２３（２３Ａ、２３Ｂ）との位置関係を示す図である。図４において、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１の形状はＹ軸方向に細長い矩形状となっており、その投影領域ＡＲ１をＸ軸方向に挟むように、＋Ｘ方向側に３つの供給ノズル１３Ａ〜１３Ｃが配置され、−Ｘ方向側に２つの回収ノズル２３Ａ、２３Ｂが配置されている。そして、供給ノズル１３Ａ〜１３Ｃは供給管１２を介して液体供給装置１１に接続され、回収ノズル２３Ａ、２３Ｂは回収管２２を介して液体回収装置２１に接続されている。また、供給ノズル１３Ａ〜１３Ｃと回収ノズル２３Ａ、２３Ｂとをほぼ１８０°回転した位置関係で、供給ノズル１５Ａ〜１５Ｃと、回収ノズル２５Ａ、２５Ｂとが配置されている。供給ノズル１３Ａ〜１３Ｃと回収ノズル２５Ａ、２５ＢとはＹ軸方向に交互に配列され、供給ノズル１５Ａ〜１５Ｃと回収ノズル２３Ａ、２３ＢとはＹ軸方向に交互に配列され、供給ノズル１５Ａ〜１５Ｃは供給管１４を介して液体供給装置１１に接続され、回収ノズル２５Ａ、２５Ｂは回収管２４を介して液体回収装置２１に接続されている。

そして、矢印Ｘａで示す走査方向（−Ｘ方向）に基板Ｐを移動させて走査露光を行う場合には、供給管１２、供給ノズル１３Ａ〜１３Ｃ、回収管２２、及び回収ノズル２３Ａ、２３Ｂを用いて、液体供給装置１１及び液体回収装置２１により液体ＬＱの供給及び回収が行われる。すなわち、基板Ｐが−Ｘ方向に移動する際には、供給管１２及び供給ノズル１３（１３Ａ〜１３Ｃ）を介して液体供給装置１１から液体ＬＱが基板Ｐ上に供給されるとともに、回収ノズル２３（２３Ａ、２３Ｂ）及び回収管２２を介して液体ＬＱが液体回収装置２１に回収され、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間を満たすように−Ｘ方向に液体ＬＱが流れる。一方、矢印Ｘｂで示す走査方向（＋Ｘ方向）に基板Ｐを移動させて走査露光を行う場合には、供給管１４、供給ノズル１５Ａ〜１５Ｃ、回収管２４、及び回収ノズル２５Ａ、２５Ｂを用いて、液体供給装置１１及び液体回収装置２１により液体ＬＱの供給及び回収が行われる。すなわち、基板Ｐが＋Ｘ方向に移動する際には、供給管１４及び供給ノズル１５（１５Ａ〜１５Ｃ）を介して液体供給装置１１から液体ＬＱが基板Ｐ上に供給されるとともに、回収ノズル２５（２５Ａ、２５Ｂ）及び回収管２４を介して液体ＬＱが液体回収装置２１に回収され、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間を満たすように＋Ｘ方向に液体ＬＱが流れる。このように、制御装置ＣＯＮＴは、液体供給装置１１及び液体回収装置２１を用いて、基板Ｐの移動方向に沿って基板Ｐの移動方向と同一方向へ液体ＬＱを流す。この場合、例えば液体供給装置１１から供給ノズル１３を介して供給される液体ＬＱは基板Ｐの−Ｘ方向への移動に伴って投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間に引き込まれるようにして流れるので、液体供給装置１１の供給エネルギーが小さくても液体ＬＱを投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間に容易に供給できる。そして、走査方向に応じて液体ＬＱを流す方向を切り替えることにより、＋Ｘ方向、又は−Ｘ方向のどちらの方向に基板Ｐを走査する場合にも、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間を液体ＬＱで満たすことができ、高い解像度及び広い焦点深度を得ることができる。

図５は、露光処理後の液体ＬＱが付着している可能性のある基板Ｐを基板ステージＰＳＴよりアンロードする第２アーム部材Ｈ２を示す概略斜視図である。図５において、第２アーム部材Ｈ２は、フォーク型ハンドにより構成され、基板Ｐの裏面を支持してその基板Ｐを搬送するものである。第２アーム部材Ｈ２は基板Ｐの裏面に対向する上面（支持面）３０を有しており、支持面３０で基板Ｐを支持する。第２アーム部材Ｈ２の支持面３０には基板Ｐの裏面を吸着保持するための開口部である複数の吸着穴３１が所定間隔でその支持面３０のほぼ全域に均等に設けられている。吸着穴３１には、第２アーム部材Ｈ２の内部に形成された流路３１Ａを介して真空系（吸着機構）３４が接続されている。真空系３４は露光装置本体ＥＸに設けられた真空ポンプ、あるいはデバイス製造システムＳＹＳが設置される工場内の真空系により構成される。真空系３４及び吸着穴３１を含んで構成される吸着機構３７は、基板Ｐの裏面を支持するために、真空系３４を駆動して吸着穴３１を介して基板Ｐの裏面を吸着する。

また、第２アーム部材Ｈ２の支持面３０において、吸着穴３１と異なる位置には開口部である吹付穴３２が設けられている。本実施形態では、吹付穴３２は複数設けられており、複数設けられた吸着穴３１のそれぞれの間に配置され、第２アーム部材Ｈ２の支持面３０の全域にほぼ均等に設けられている。吹付穴３２には、第２アーム部材Ｈ２の内部に形成された流路３２Ａを介して気体供給系３５が接続されている。前記気体供給系３５及び吹付穴３２を含んで気体吹付機構（液体除去機構）３６が構成されている。流路３２Ａには、基板Ｐに対して吹き付ける気体中の異物（ゴミやオイルミスト）を除去するフィルタが設けられている。気体供給系３５が駆動することにより、流路３２Ａを介して吹付穴３２より所定の気体が吹き出すようになっている。また、気体供給系３５の動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御され、制御装置ＣＯＮＴは気体供給系３５を制御することによって、吹付穴３２より吹き出す単位時間あたりの気体量を調整可能である。

また、第２アーム部材Ｈ２の支持面３０の複数の所定位置には位置決め部材である突起部３３がそれぞれ設けられている。突起部３３により、第２アーム部材Ｈ２の支持面３０で基板Ｐの裏面を支持したとき、基板Ｐが位置ずれしたり第２アーム部材Ｈ２より落下したりする不都合の発生が防止されている。

次に、上述した露光装置本体ＥＸ及び搬送システムＨの動作について説明する。

露光装置本体ＥＸにおいて、基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐは、液浸法を用いて露光処理される。基板Ｐ上に設定された複数のショット領域のそれぞれに対する液浸露光処理が終了した後、制御装置ＣＯＮＴは液体供給機構１０による基板Ｐ上への液体供給を停止する。一方で、制御装置ＣＯＮＴは、液体供給機構１０による液体供給動作を停止した後も所定時間だけ液体回収機構２０の駆動を継続する。これにより、基板Ｐ上の液体ＬＱは十分に回収される。そして前記所定時間経過後、制御装置ＣＯＮＴは液体回収機構２０の駆動を停止するとともに、図６（Ａ）の模式図に示すように、投影光学系ＰＬの下から基板ステージＰＳＴを水平方向に退避させる。ここで、基板ステージＰＳＴのＺステージ５１（基板ホルダ）の内部には昇降可能なピン部材５７が設けられている。ピン部材５７は昇降することによりＺステージ５１の上面に対して出没するようになっている。基板ステージＰＳＴが投影光学系ＰＬの下から退避した後、制御装置ＣＯＮＴはピン部材５７を上昇してＺステージ５１上の基板Ｐを上昇させる。そして、制御装置ＣＯＮＴは、ピン部材５７で上昇された基板Ｐの下側（裏面側）に第２アーム部材Ｈ２を進入させる。制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐの下側に第２アーム部材Ｈ２を配置した後、第２アーム部材Ｈ２が基板Ｐの裏面を支持する前に、気体供給系３５を駆動して、基板Ｐの裏面に対して吹付穴３２を介して気体を吹き付ける。なお、吹付穴３２より基板Ｐの裏面に対して気体を吹き付けているときには、基板Ｐの裏面と第２アーム部材Ｈ２の支持面３０とは所定距離離れている。気体供給系３５及び吹付穴３２を含んで構成される気体吹付機構（第１液体除去装置）３６は、基板Ｐの裏面に気体を吹き付けることにより、仮に基板Ｐの裏面に液体ＬＱが付着していても、その液体ＬＱを基板Ｐから飛ばして除去することができる。

ここで、気体吹付機構３６の吹付穴３２より基板Ｐの裏面に対して気体を吹き付けているとき、図６（Ａ）に示すように、第２アーム部材Ｈ２及び基板Ｐを囲むようにカバー部材５８を配置することが好ましい。こうすることにより、基板Ｐの裏面より飛ばされた液体ＬＱの周辺装置への飛散（付着）を防止することができる。本実施形態において、カバー部材５８は複数の分割部材により構成されており、分割部材のそれぞれには駆動機構が設けられている。そして、基板ステージＰＳＴが投影光学系ＰＬの下から退避した後、前記駆動機構により前記分割部材（カバー部材）のそれぞれが基板ステージＰＳＴに接近するようになっている。

ここで、気体吹付機構３６は、第２アーム部材Ｈ２を基板Ｐの裏面に対して所定距離離した状態で位置決めし、基板Ｐの裏面のうち、一部の領域に気体を吹き付けたり、あるいは第２アーム部材Ｈ２を基板Ｐの裏面に対して所定距離離した状態を維持した状態で移動しつつ基板Ｐの裏面のうち、上述した一部の領域より広い領域に気体を吹き付けることができる。なお、第２アーム部材Ｈ２と基板Ｐの裏面との間隔を変化させながら基板Ｐの裏面の全域又は一部に気体を吹き付けてもよい。こうすることにより、基板Ｐの裏面に付着している液体ＬＱを除去することができる。もちろんこのとき、第２アーム部材Ｈ２を移動せずに基板Ｐをピン部材５７を介して支持している基板ステージＰＳＴを移動しつつ基板Ｐの裏面に気体を吹き付けてもよいし、第２アーム部材Ｈ２と基板Ｐ（基板ステージＰＳＴ）とを相対移動しつつ気体を吹き付けるようにしてもよい。

なお、気体吹付機構３６は、基板Ｐの裏面のうち少なくとも第２アーム部材Ｈ２の支持面３０が接する一部の領域、すなわち第２アーム部材Ｈ２で支持される支持領域に付着している液体ＬＱを除去すればよい。

基板Ｐの裏面のうち少なくとも第２アーム部材Ｈ２により支持される領域に付着している液体ＬＱを除去した後、気体供給系３５の駆動が停止される。次いで、図６（Ｂ）に示すように、基板Ｐの裏面に対して第２アーム部材Ｈ２が接近し、基板Ｐの裏面と第２アーム部材Ｈ２の支持面３０とが接する。その後、制御装置ＣＯＮＴは、吸着機構３７を構成する真空系３４を駆動する。これにより、基板Ｐの裏面は、第２アーム部材Ｈ２の支持面３０に設けられた吸着穴３１を介して吸着保持される。第２アーム部材Ｈ２で基板Ｐの裏面を支持する前に、その基板Ｐの裏面に付着している液体ＬＱは除去されているので、第２アーム部材Ｈ２は基板Ｐの位置ずれを起こすことなく、基板Ｐを良好に保持することができる。また、基板Ｐの裏面には液体ＬＱが付着していないので、基板Ｐの裏面を吸着機構３７で吸着保持した際にも、吸着穴３１を介して真空系３４に液体ＬＱが浸入することがない。したがって、真空系３４の破損等の不都合の発生を防止することができる。

基板Ｐを保持した第２アーム部材Ｈ２は、その基板Ｐを保持テーブルＨＴまで搬送する。ここで、基板Ｐの表面や、基板Ｐの裏面のうち第２アーム部材Ｈ２に支持されている以外の領域に液体ＬＱが付着している可能性がある。ところが、図１に示すように、基板Ｐの搬送経路のうち、基板ステージＰＳＴと保持テーブルＨＴとの間には、露光後の基板Ｐから落下した液体を回収する回収機構６０が配置されているので、たとえ液体ＬＱを付着した状態で基板Ｐを搬送しても、搬送経路上の周辺装置・部材への基板Ｐからの液体ＬＱの付着・飛散を防止することができる。ここで、回収機構６０は、図１に示すように、第２アーム部材Ｈ２の搬送経路の下に配置された樋部材６１と、樋部材６１を介して回収された液体ＬＱを樋部材６１より排出する液体吸引装置６２とを備えている。樋部材６１は第１チャンバ装置ＣＨ１内部に設けられ、液体吸引装置６２は第１チャンバ装置ＣＨ１外部に設けられている。樋部材６１と液体吸引装置６２とは管路６３を介して接続されており、管路６３には、この管路６３の流路を開閉するバルブ６３Ａが設けられている。

露光後の液体ＬＱが付着している基板Ｐを第２アーム部材Ｈ２で搬送している最中、基板Ｐから液体ＬＱが落下する可能性があるが、その落下した液体ＬＱは樋部材６１で回収することができる。落下した液体ＬＱを樋部材６１で回収することで、搬送経路の周囲に液体ＬＱが飛散する等の不都合を防止できる。そして、液体吸引装置６２はチャンバ装置ＣＨ１内部に設けられた樋部材６１上の液体ＬＱを吸引することでチャンバ装置ＣＨ１外部に排出し、チャンバ装置ＣＨ１内部の樋部材６１に液体ＬＱが留まらないようにすることができ、チャンバ装置ＣＨ１内部に湿度変動（環境変動）が生じる不都合を防止することができる。ここで、液体吸引装置６２は、樋部材６１に回収された液体ＬＱの吸引動作を連続的に行うことができるし、予め設定された所定期間においてのみ吸引動作を断続的に行うこともできる。吸引動作を連続的に行うことにより、樋部材６１には液体ＬＱが留まらないので、チャンバ装置ＣＨ１内部の湿度変動をより一層防止することができる。一方、例えば露光装置本体ＥＸでの基板Ｐの露光中には、液体吸引装置６２による吸引動作（排出動作）を行わず、露光以外の期間においてのみ吸引動作を行うことにより、吸引動作によって発生する振動が露光精度に影響を与えるといった不都合を防止することができる。

図７は、第２アーム部材Ｈ２により搬送された基板Ｐを一時保持する保持テーブルＨＴを示す図であって、図７（Ａ）は側面図、図７（Ｂ）は平面図である。図７において、基板支持部材を構成する保持テーブルＨＴは平面視略円形状であって、その上面（支持面）４０の略中央部には、開口部である吹付穴４２が設けられている。本実施形態において、吹付穴４２は１つ設けられた構成であるが、支持面４０上の任意の複数位置のそれぞれに設けることも可能である。更に支持面４０には吹付穴４２を囲むように複数の吸着穴４１が所定間隔で設けられている。そして、吸着穴４１には保持テーブルＨＴの内部に形成された流路４１Ａを介して真空系３４が接続されている。真空系３４及び吸着穴４１を含んで吸着機構４５が構成されている。また、吹付穴４２には保持テーブルＨＴの内部に形成された流路４２Ａを介して気体供給系３５が接続されている。気体供給系３５及び吹付穴４２を含んで気体吹付機構４６が構成されている。流路４２Ａには、基板Ｐに対して吹き付ける気体中の異物（ゴミやオイルミスト）を除去するフィルタが設けられている。

図８は、第１の液体除去システム１００を示す図である。第１の液体除去システム１００は、主に基板Ｐの表面又は裏面の少なくとも一方に付着した液体ＬＱを除去するものである。第２アーム部材Ｈ２により基板Ｐを保持テーブルＨＴに搬送する動作を示す図である。図８（Ａ）において、基板Ｐを保持した第２アーム部材Ｈ２は、保持テーブルＨＴを収容したカバー部材７０の内部に開口部７１より進入する。このとき制御装置ＣＯＮＴはシャッタ部７１Ａを駆動して開口部７１を開放している。一方、開口部７２はシャッタ部７２Ａにより閉じられている。第２アーム部材Ｈ２で所定領域を支持されている基板Ｐが保持テーブルＨＴの上方に配置された後、制御装置ＣＯＮＴは、気体吹付機構４６を構成する気体供給系３５を駆動し、吹付穴４２より基板Ｐの裏面に気体を吹き付ける。ここで、上述したように、基板Ｐの裏面のうち第２アーム部材Ｈ２で支持される一部の領域（第１支持領域）は、第２アーム部材Ｈ２に設けられている吹付穴３２から吹き付けられた気体によって既に液体ＬＱを除去されているが、基板Ｐの裏面のうち第２アーム部材Ｈ２で支持されてない領域には液体ＬＱが付着している可能性がある。そこで、制御装置ＣＯＮＴは、第１の液体除去システム１００の一部を構成する保持テーブルＨＴが基板Ｐの裏面を支持する前に、基板Ｐの裏面のうち保持テーブルＨＴが支持する領域（第２支持領域）に付着した液体ＬＱを、基板Ｐの裏面に対して吹付穴４２より気体を吹き付けることで、飛ばして除去する。すなわち、吹付穴４２及びその吹付穴４２に接続する気体供給系３５は、基板Ｐの裏面のうち保持テーブルＨＴ（第２液体除去装置）が保持する領域（第２支持領域）に付着している液体ＬＱを除去する第３液体除去装置を構成している。

基板Ｐの裏面に付着した液体ＬＱを除去する際には、第２アーム部材Ｈ２に保持されている基板Ｐの裏面と保持テーブルＨＴの支持面４０とを所定間隔離した状態で、吹付穴４２より基板Ｐの裏面に対して気体が吹き付けられる。気体を吹き付けられることにより、基板Ｐの裏面に付着している液体ＬＱは飛ばされて除去される。除去された液体ＬＱはカバー部材７０により周囲に飛散することがない。なおここでは、気体を基板Ｐの裏面に吹き付けるとき、基板Ｐを保持した第２アーム部材Ｈ２及び吹付穴４２を有する保持テーブＨＴは移動しない構成であるが、吹付穴４２より吹き出した気体は基板Ｐの裏面の略中央部に吹き付けられた後、基板Ｐのエッジ部向かって流れるため、基板Ｐの裏面のエッジ部近傍に付着している液体ＬＱも良好に除去することができる。もちろん、基板Ｐを吹付穴４２に対して相対的に移動しながら基板Ｐの裏面に気体を吹き付けることも可能である。例えば、基板Ｐを保持する第２アーム部材Ｈ２をＸ軸方向（Ｙ軸方向）に移動させ、吹付穴４２を有する保持テーブルＨＴをＹ軸方向（Ｘ軸方向）に移動させつつ、基板Ｐの裏面に気体を吹き付けるようにしてもよい。あるいは、基板Ｐと吹付穴４２とを相対的に回転移動させるようにしてもよい。更に、第２アーム部材Ｈ２を駆動して基板Ｐを傾斜させた状態で、その基板Ｐの裏面に気体を吹き付けるようにしてもよい。こうすることにより、基板Ｐの裏面に付着している液体ＬＱは自重（重力作用）により一個所に集められ、基板Ｐより落下（除去）しやすくなる。さらに、第２アーム部材Ｈ２に液体ＬＱが付着していた場合には、この液体ＬＱは、基板Ｐに付着した液体ＬＱと共に除去することができる。

カバー部材７０には、液体回収部８０が回収管８１を介して接続されている。回収管８１にはその回収管８１の流路を開閉するバルブ８２が設けられている。基板Ｐから飛ばされた液体ＬＱはカバー部材７０に接続されている液体回収部８０により回収される。液体回収部８０はカバー部材７０内部の気体を飛散した液体ＬＱとともに吸引することで、基板Ｐから飛ばされた液体ＬＱを回収する。ここで、液体回収部８０は、カバー部材７０内部の気体及び飛散した液体ＬＱの吸引動作を継続的に行う。これにより、カバー部材７０の内壁や底などカバー部材７０内部に液体ＬＱが留まらないので、カバー部材７０内部の湿度が大きく変動することはない。また、シャッタ部７１Ａ、７２Ａが開放されたときにも、カバー部材７０内の湿った気体がカバー部材７０の外へ流れ出ることもない。

基板Ｐの裏面の液体ＬＱの除去を行った後、保持テーブルＨＴより不図示のピン部材が上昇し、基板Ｐの裏面を支持する。なお保持テーブルＨＴに設けられているピン部材は図６（Ａ）を参照して説明したピン部材５７と同等の構成を有する。そして、ピン部材に基板Ｐが支持された後、第２アーム部材Ｈ２がカバー部材７０の外へ退避するとともに、シャッタ部７１Ａにより開口部７１が閉じられる。そして、基板Ｐを支持したピン部材が下降することにより、図８（Ｂ）に示すように、基板Ｐが保持テーブルＨＴの支持面４０に支持される。支持面４０上に基板Ｐが支持された後、制御装置ＣＯＮＴは、真空系３４を駆動し、吸着穴４１を介して基板Ｐを吸着保持する。

また、カバー部材７０内部には、第１の液体除去システム１００の一部を構成する吹付ノズル１０３が配置されており、吹付ノズル１０３には流路１０５を介して気体供給系１０４が接続されている。流路１０５には、基板Ｐに対して吹き付ける気体中の異物（ゴミやオイルミスト）を除去するフィルタが設けられている。そして、気体供給系１０４が駆動することにより、流路１０５を介して吹付ノズル１０３より所定の気体が基板Ｐの表面に吹き付けられ、基板Ｐの表面に付着している液体ＬＱは吹き付けられた気体によって飛ばされて除去される。

図９は、図８（Ｂ）のカバー部材７０内部を上方から見た図である。基板Ｐはその裏面を保持テーブルＨＴの支持面４０に支持されている。吹付ノズル１０３はＹ軸方向を長手方向とするノズル本体部１０３Ａと、ノズル本体部１０３Ａの長手方向に複数並んで設けられたノズル孔１０３Ｂとを備えている。気体供給系１０４から供給された気体は複数のノズル孔１０３Ｂのそれぞれから吹き出される。保持テーブルＨＴに保持された基板Ｐと吹付ノズル１０３とは相対移動可能に設けられている。本実施形態では、吹付ノズル１０３が保持テーブルＨＴに保持された基板Ｐに対してＸ軸方向に走査移動するようになっている。なお、基板Ｐを保持した保持テーブルＨＴが、吹付ノズル１０３に対して移動するようにしてもよいし、保持テーブルＨＴ及び吹付ノズル１０３の双方を移動させてもよい。そして、基板Ｐの表面から飛ばされた液体ＬＱは液体回収部８０に回収される。

表面及び裏面それぞれの液体ＬＱを除去された基板Ｐは、第４アーム部材Ｈ４によって現像装置Ｄまで搬送される。第４アーム部材Ｈ４で保持テーブルＨＴから基板Ｐを搬送する際には、制御装置ＣＯＮＴは、シャッタ部７２Ａを駆動して開口部７２を開口し、その開口部７２からカバー部材７０内部に第４アーム部材Ｈ４を進入させる。これと並行して、保持テーブルＨＴのピン部材が基板Ｐを上昇させ、第４アーム部材Ｈ４は上昇された基板Ｐの裏面を保持する。なお保持テーブルＨＴは、基板Ｐを第４アーム部材Ｈ４に渡す前に回転し、基板Ｐを所望の向きに変える。そして、基板Ｐを保持した第４アーム部材Ｈ４は開口部７２を介してその基板Ｐをカバー部材７０内部より搬出する。

以上説明したように、第２アーム部材Ｈ２（あるいは保持テーブルＨＴ）で基板Ｐの裏面を支持する前に、その第２アーム部材Ｈ２（保持テーブルＨＴ）に設けられた液体除去機構を構成する吹付穴３２（４２）を介して気体を吹き付けて基板Ｐの被支持面である裏面の液体ＬＱを除去することで、残留した液体ＬＱが潤滑膜となって基板Ｐが第２アーム部材Ｈ２（保持テーブルＨＴ）に対して位置ずれを起こすなどといった不都合の発生を防止し、基板Ｐを所望の状態で支持することができる。また、第２アーム部材Ｈ２（又は保持テーブルＨＴ）が吸着穴３１（４１）を介して基板Ｐを真空吸着保持する構成であっても、基板Ｐの裏面の液体ＬＱを除去することで、真空系３４に液体ＬＱが浸入する不都合を防止できる。

また、第２アーム部材Ｈ２で基板Ｐの裏面のうち少なくともその第２アーム部材Ｈ２で支持する支持領域に付着した液体ＬＱを除去することで、基板Ｐを良好に保持した状態で搬送することができる。そして、その後に第１の液体除去システム１００で基板Ｐの裏面及び表面に付着した液体ＬＱを除去することで、その後の基板Ｐの搬送経路中にその基板Ｐから液体ＬＱが落下・飛散したりする等の不都合の発生を防止することができる。更に、基板Ｐの表面及び裏面の双方の液体ＬＱを十分に除去することで、現像処理等の液浸露光処理後の所定のプロセス処理を残留した液体ＬＱの影響を受けることなく円滑に行うことができる。

上記実施形態では、基板Ｐに対して気体を吹き付けることによりその基板Ｐに付着している液体ＬＱを除去している。ここで、吹き付ける気体としてはドライエア等の乾燥した気体を吹き付けることが好ましい。こうすることにより、基板Ｐに付着した液体ＬＱは乾燥され、除去を促進される。また、吹き付ける気体としてはチャンバ装置ＣＨ１内部とほぼ同じ温度の気体のほかに、チャンバ装置ＣＨ１内部の温度より高い温風を吹き付けるようにしてもよい。また、吹き付ける気体は、乾燥空気、窒素ガス、ヘリウムガス等の気体を用いることができる。

なお、本実施形態においては、基板Ｐの裏面を第２アーム部材Ｈ２で支持する前に、その第２アーム部材Ｈ２に設けられた液体除去機構の一部を構成する吹付穴３２を使って液体ＬＱを除去しているが、第２アーム部材Ｈ２とは別の部材に設けられた吹付穴より基板Ｐの裏面に気体を吹き付けて液体ＬＱを除去した後、第２アーム部材Ｈ２で基板Ｐの裏面を支持するようにしてもよい。同様に、保持テーブルＨＴで基板Ｐを保持する前にも、その保持テーブルＨＴに設けられた吹付穴４２を使って基板Ｐの裏面の液体ＬＱを除去するかわりに、別の部材に設けられた吹付穴より基板Ｐの裏面に気体を吹き付けて液体ＬＱを除去するようにしてもよい。

以下、本発明の別の実施形態について図１０を参照しながら説明する。以下の説明において、上述した実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。

上記実施形態においては、第２アーム部材Ｈ２の支持面３０には吸着穴３１と吹付穴４１とは互いに異なる位置に設けられている構成であったが、本実施形態の特徴的な部分は、支持面３０に設けられた開口部が吸着穴と吹付穴とを兼用している点にある。

図１０において、第２アーム部材Ｈ２の支持面３０には開口部３１が設けられている。そして、開口部３１にその一端部を接続する流路３１Ａの他端部は第１流路３８と第２流路３９とに分岐しており、第１流路３８は真空系３４に接続され、第２流路３９は気体供給系３５に接続されている。第１流路３８の途中にはその第１流路３８を開閉するバルブ３８Ａが設けられ、第２流路３９の途中にはその第２流路３９を開閉するバルブ３９Ａが設けられている。バルブ３８Ａ、３９Ａの動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。

制御装置ＣＯＮＴは、図１０に示した第２アーム部材Ｈ２で液浸露光処理を終えた基板Ｐの裏面を保持する前に、バルブ３８Ａ、３９Ａを駆動して、第２流路３９を開けるとともに第１流路３８を閉じ、気体供給系３５を駆動する。これにより、基板Ｐの裏面に対して、開口部（吹付穴）３１を介して気体を吹き付けて基板Ｐの裏面に付着している液体ＬＱを除去することができる。そして、基板Ｐの裏面に付着している液体ＬＱの除去を終えた後、制御装置ＣＯＮＴは、バルブ３８Ａ、３９Ａを駆動して、第１流路３８を開けるとともに第２流路３９を閉じ、気体供給系３５の駆動を停止するとともに、真空系３４を駆動させる。こうすることにより、第２アーム部材Ｈ２は開口部（吸着穴）３１を介して基板Ｐを吸着保持することができる。このように、第１、第２流路３８、３９及びバルブ３８Ａ、３９Ａを使って、開口部３１に対して気体供給系３５と真空系３４とを選択的に接続することによっても、基板Ｐに付着している液体ＬＱの除去と、基板Ｐの吸着保持とを行うことができる。また、気体の吹き付けによる液体の除去に限らず、基板Ｐの裏面の液体を吸引してもよいし、両者を併用してもよい。

図１１は、第２アーム部材Ｈ２の上面３０に吸湿材９０を設けた例を示す図である。図１１において、第２アーム部材Ｈ２の上面３０には、液体ＬＱを吸湿する吸湿材９０が設けられている。吸湿材９０としては、スポンジ状部材や多孔質セラミックス等を用いることができる。

図１１に示した第２アーム部材Ｈ２で基板Ｐの裏面を支持する場合には、基板Ｐの裏面を支持する前に、第２アーム部材Ｈ２に設けられた吸湿材９０を基板Ｐの裏面に接触させる。こうすることにより、基板Ｐの裏面に付着している液体ＬＱは吸湿材９０で吸湿されて基板Ｐの裏面より除去される。なお、吸湿材９０を使って基板Ｐの裏面に付着している液体ＬＱを除去する場合には、吸湿材９０と基板Ｐとを所定距離だけ離れた位置まで吸湿材９０を基板Ｐに接近させ、毛細管現象を利用して基板Ｐの裏面に付着している液体ＬＱを吸湿（除去）するようにしてもよい。

基板Ｐの裏面に付着している液体ＬＱを吸湿材９０を使って除去した後、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐの裏面に対して第２アーム部材Ｈ２（吸湿材９０）を接触させ、吸着穴３１に流路３１Ａを介して接続している真空系３４を駆動する。吸着穴３１は吸湿材９０を介して基板Ｐの裏面を吸着保持する。こうすることによっても、基板Ｐと第２アーム部材Ｈ２（吸湿材９０）との間には液体ＬＱの潤滑膜が形成されないので、基板Ｐが第２アーム部材Ｈ２に対して位置ずれを起こすといった不都合の発生を防止することができる。ここで、流路３１Ａのうち吸着穴３１と真空系３４との間に気液分離器８０を設けておくことが好ましい。吸湿材９０は液体ＬＱを含んでいるため、真空系３４を駆動することで吸湿材９０に含まれている液体ＬＱが真空系３４に浸入するおそれがあるが、気液分離器８０で吸着穴３１より吸引された液体成分を分離し、気体成分のみが真空系３４に流入するようにすることで、真空系３４の破損などの不都合の発生を防止することができる。

なおここでは、第２アーム部材Ｈ２の上面３０に吸湿材９０を設けているが、第２アーム部材Ｈ２に吸湿材９０を設けずに別の支持部材に吸湿材９０を支持させ、基板Ｐの裏面を第２アーム部材Ｈ２で支持する前に、前記支持部材に支持されている吸湿材９０で基板Ｐの裏面に付着している液体ＬＱを吸湿（除去）した後、第２アーム部材Ｈ２で基板Ｐの裏面を支持するようにしてもよい。また、吸湿材９０を使って基板Ｐの裏面に付着している液体ＬＱを除去する場合には、吸湿材９０を基板Ｐの裏面に押し当てて吸湿するようにしてもよいし、基板Ｐと吸湿材９０とを相対的に移動しつつ吸湿するようにしてもよい。またこの場合においても、吸湿材９０と基板Ｐの裏面とを接触させずに、僅かに離した状態で毛細管現象を利用して吸湿することができる。こうすることにより、基板Ｐの裏面を傷付けずにすむ。また、吸湿材９０は、保持テーブルＨＴの上面４０に設けることも可能である。

上記実施形態では、基板Ｐの表面に付着した液体ＬＱを除去する第１の液体除去システム１００は、基板Ｐの表面に対して吹付ノズル１０３より気体を吹き付けて液体ＬＱを除去しているが、基板Ｐを回転することによって基板Ｐの表面に付着した液体ＬＱを飛ばして除去することも可能である。

図１２は、基板Ｐを回転することによって基板Ｐの表面に付着した液体ＬＱを飛ばす回転機構を有する第１の液体除去システム１００を示す図である。図１２において、第１の液体除去システム１００の保持テーブルＨＴは、基板Ｐの裏面中央部を保持するホルダ部１２１と、基板Ｐを保持したホルダ部１２１を回転する回転機構１２２とを備えている。ホルダ部１２１の上面には吸着穴が設けられており、ホルダ部１２１は基板Ｐの裏面中央部を吸着保持する。回転機構１２２は保持テーブルＨＴ内部に設けられたモータにより構成されており、ホルダ部１２１に接続された軸部１２３を回転することでホルダ部１２１を回転する。軸部１２３は伸縮可能に設けられており、ホルダ部１２１は軸部１２３とともに保持テーブルＨＴの上面４０に対して昇降可能に設けられている。基板Ｐを保持したホルダ部１２１が保持テーブルＨＴの上面４０に対して上昇したとき、基板Ｐは保持テーブルＨＴより離れ、回転機構１２２の駆動により回転可能となる。一方、ホルダ部１２１が下降しているときは基板Ｐは保持テーブルＨＴの上面４０に吸着穴４１により吸着保持される。

図１２（Ａ）に示すように、保持テーブルＨＴで基板Ｐの裏面を支持する前に、保持テーブルＨＴの基板支持部材としてのホルダ部１２２中央部に形成された吹付穴４２より基板Ｐの裏面に対して気体が吹き付けられる。これにより、基板Ｐの裏面に付着している液体ＬＱが除去される。次いで、ホルダ部１２２が基板Ｐを吸着保持するとともに上昇し、図１２（Ｂ）に示すように基板Ｐを回転する。これにより、基板Ｐの表面に付着していた液体ＬＱが飛ばされて除去される。

ところで、図１２に示したカバー部材７０の下部は、下方に向かうにつれて漸次拡がるように傾斜している。これにより、基板Ｐから飛ばされた液体ＬＱがカバー部材７０の内壁に当たっても、カバー部材７０が下方に向かうにつれて漸次拡がる形状となっているので、内壁に当たった液体ＬＱが跳ね返って再び基板Ｐに付着してしまう不都合を防止することができる。なお、液体ＬＱの跳ね返り防止機構としては、カバー部材７０の内壁を傾斜させる他に、カバー部材７０の内壁に吸湿材を取り付けたり、内壁を凹凸形状（波形形状）にしたり、あるいは液体吸引装置に接続された吸引口を設けることによっても、カバー部材７０の内壁に当たった液体ＬＱが基板Ｐ側に跳ね返る不都合を防止することができる。

図１３に示すように、基板Ｐの表面に付着している液体ＬＱを、液体吸引装置１４０を使って吸引回収することで除去することも可能である。図１３において、液体吸引装置１４０には回収管１４１を介して回収ノズル１４２が接続されている。回収ノズル１４２は、保持テーブルＨＴに保持された基板Ｐの表面に近接して配置される。液体吸引装置１４０は例えば真空系を含んで構成されており、回収管１４１の途中には回収ノズル１４２より回収された液体と気体とを分離する不図示の気液分離器が設けられている。基板Ｐの表面に付着している液体ＬＱを除去する際には、回収ノズル１４２を基板Ｐの表面に近付け、液体吸引装置１４０を駆動することで、基板Ｐの表面上の液体ＬＱは回収ノズル１４２及び回収管１４１を介して液体吸引装置１４０に設けられている回収タンクなどに集められる。また、回収ノズル１４２を介して基板Ｐの表面の液体ＬＱを除去する際にも、回収ノズル１４２と基板Ｐとを相対的に移動しながら液体ＬＱを除去することができる。

なお、回収ノズル１４２としては、例えば図４を参照して説明したような回収ノズル（１５）の形状及び配置を採用してもよい。あるいは、回収ノズルとして環状の回収口を有する回収部材を採用してもよい。

また、基板Ｐを収容したカバー部材７０の内部に対して、乾燥装置１５０よりドライエア又は温風を供給することで、基板Ｐの表面に付着した液体ＬＱを乾燥するようにしてもよい。

上記実施形態では、第２アーム部材Ｈ２に設けられた気体吹付機構で基板Ｐの裏面に対して気体を吹き付け、基板Ｐの裏面のうち、第２アーム部材Ｈ２が支持する一部の領域の液体を除去しているが、それ以外の裏面、及び基板Ｐの表面の液体を以下の構成で除去してもよい。すなわち、図１４に示すように、第２アーム部材Ｈ２の搬送経路の途中に壁部材１６０を設け、その壁部材１６０の上下両側のそれぞれに気体吹付ノズル１６１を取り付ける。そして、開口部１６２を基板Ｐが通過するときに、気体吹付ノズル１６１より基板Ｐの表面及び裏面のそれぞれに気体を吹き付けることによって基板Ｐに付着した液体ＬＱを除去することができる。そして、基板Ｐを搬送移動しつつその基板Ｐに対して気体吹付ノズル１６１より気体を吹き付けることにより、基板Ｐの全域に気体を吹き付けることができる。この構成においても、基板Ｐの表面あるいは裏面に付着した液体ＬＱと共に、第２アーム部材Ｈ２に付着した液体を除去することができる。

なお基板Ｐの裏面に対して、気体吹付ノズルから気体を吹き付ける場合、本例では、基板Ｐの裏面に対して直交する方向から気体を吹き付けているが、裏面に対して交差する方向（傾斜した方向、例えば４５度傾斜した方向）から吹き付けてもよい。

次に、本例の搬送システムＨが備える第２の液体除去システム２２０について説明する。この第２の液体除去システム２２０は、主に第２アーム部材Ｈ２の表面に付着した液体ＬＱを除去するものである。第２の液体除去システム２２０は、図１及び図２に示すように、第２アーム部材Ｈ２の移動経路上、具体的には、基板ステージＰＳＴと保持テーブルＨＴとの間における基板Ｐの搬送経路上に設けられている。すなわち、本例の搬送システムＨでは、第２アーム部材Ｈ２による露光処理後の基板Ｐを基板ステージＰＳＴから搬出し、その基板Ｐを保持テーブルに対して搬送した後、第２の液体除去システム２２０によって第２アーム部材Ｈ２に付着した液体を除去する。

図１５は、第２の液体除去システム２２０の構成例を模式的に示している。

図１５において、第２の液体除去システム２２０は、第２アーム部材Ｈ２に対して気体を噴き付ける気体噴射部（第１気体噴射部２２１、第２気体噴射部２２２）と、気体噴射部２２１、２２２に気体を供給する気体供給装置２２３と、気体噴射部２２１、２２２を収容するチャンバ２２４と、チャンバ２２４内の液体を吸引する液体吸引装置２２５とを含んで構成されている。

第１気体噴射部２２１は、第２アーム部材Ｈ２の上面に向けて気体を噴射するものであり、第２気体噴射部２２２は、第２アーム部材Ｈ２の下面に向けて気体を噴射するものである。第１気体噴射部２２１と第２気体噴射部２２２とは、互いに所定の間隔を空けて配されており、両者の間に第２アーム部材Ｈ２が挿入されるようになっている。また、第１気体噴射部２２１及び第２気体噴射部２２２はそれぞれ、供給管２２６を介して気体供給装置２２３に接続されている。供給管２２６には、気体中の不純物（パーティクルあるはオイルミストなど）を除去する不図示のフィルタが設けられている。なお、本例では、噴射気体として、乾燥空気が用いられる。噴射気体としては、この他、窒素ガス、ヘリウムガスなどの他の気体を用いてもよい。

液体吸引装置２２５は、真空圧を発生させて、チャンバ２２４内の液体を吸引するものであり、配管２２５ａを介してチャンバ２２４に接続されている。また、配管２２５ａには、開閉自在なバルブ２２５ｂが配設されている。

チャンバ２２４には、第２アーム部材Ｈ２の出し入れを行うための開口２２７が設けられており、この開口２２７にはシャッタ２２８が配設されている。さらに、チャンバ２２４の外側でかつ、チャンバ２２４の開口２２７の近傍には、第２アーム部材Ｈ２に液体が付着しているか否かを検出する液体検出器２２９が配設されている。

液体検出器２２９の検出結果、第２アーム部材Ｈ２に液体が付着していることが検出された場合に、第２アーム部材Ｈ２をチャンバ２２４に挿入して第２アーム部材Ｈ２に付着した液体を除去し、液体が付着していない、あるいは許容範囲内の液体が付着している場合には、第２アーム部材Ｈ２をチャンバ２２４に挿入せずに、基板ステージＰＳＴから基板Ｐを搬出する。

上記液体検出器２２９としては、本例では、ＣＣＤカメラ等の撮像素子が用いられる。撮像素子で撮像された画像情報は、制御装置ＣＯＮＴ（図１参照）に送られる。制御装置ＣＯＮＴには、液体が未付着状態の第２アーム部材Ｈ２の画像情報が記憶されている。制御装置ＣＯＮＴは、例えば、事前に記憶された画像情報と、現時点の画像情報とを比較することにより、第２アーム部材Ｈ２に液体が付着しているか否かを判断する。なお、この判断は自動で行うものに限らず、撮像素子で撮像された画像情報をモニタに表示し、表示された第２アーム部材Ｈ２の状態に基づいて、オペレータが第２アーム部材Ｈ２に液体が付着しているか否かを判断してもよい。なお、第２アーム部材Ｈ２に液体が付着しているか否かを判断する際に、第２アーム部材Ｈ２を所定角度傾斜することができる。

また、液体検出器２２９としては、撮像素子を用いるものに限らず、投光器と受光器とを有し、第２アーム部材Ｈ２に光を照射し、液体を介した第２アーム部材Ｈ２の表面から反射光や散乱光の強度と、液体を介さない第２アーム部材Ｈ２の表面からの反射光や散乱光の強度との差異に基づいて第２アーム部材Ｈ２に液体が付着しているか否かを判断したり、第２アーム部材Ｈ２の表面に液体が付着しているときの誘電率と、第２アーム部材Ｈ２の表面に液体が付着していないときの誘電率との差異から検出するものなど、第２アーム部材Ｈ２に付着した液体検出が可能であれば他の検出器を用いてもよい。また、液体検出器１２９として、非接触式に限らず、接触式を用いてもよい。接触式の液体検出器を用いる場合は、その検出器を介して第２アーム部材Ｈ２に不純物が付着しないようにクリーン対策を十分に施すのが好ましい。

上記構成の搬送システムＨでは、基板Ｐの搬送経路上を移動する第２アーム部材Ｈ２の表面を液体検出器２２９によって適宜検出する。第２アーム部材Ｈ２に液体が付着していることが検出された場合、制御装置ＣＯＮＴ（図１参照）は、第２アーム部材Ｈ２をチャンバ２２４内に挿入し、気体供給装置２２３から気体噴射部２２１、２２２を介して第２アーム部材Ｈ２に向けて気体を噴射する。このとき、気体噴射部２２１、２２２に対して相対的に第２アーム部材Ｈ２を水平方向（Ｘ方向）に移動させることにより、第２アーム部材Ｈ２の表面に付着した液体が噴射気体によって吹き飛ばされ、これにより、第２アーム部材Ｈ２から液体が除去される。また、第２アーム部材Ｈ２から除去された液体は、配管２２５ａを介して液体吸引装置２２５に回収される。

以上説明したように、本例のデバイス製造システムＳＹＳでは、露光装置本体ＥＸにおいて、液浸法に基づく露光処理を行う。露光処理時に基板Ｐに付着した液体は、第１の液体除去システム１００によって基板Ｐから除去される。また、露光処理後の基板Ｐを搬送する第２アーム部材Ｈ２に液体が付着した場合は、第２の液体除去システム２２０によってその液体が第２アーム部材Ｈ２から除去される。第２の液体除去システム２２０は、第２アーム部材Ｈ２の搬送経路上に配設されていることから、上記液体除去に際して第２アーム部材Ｈ２の動きに無駄が少なく、スループットの低下が抑制される。第２アーム部材Ｈ２に付着した液体が除去されることにより、次の基板Ｐの搬送時など、第２アーム部材Ｈ２上で基板Ｐが滑るなどの搬送不具合の発生が防止される。その結果、このデバイス製造システムＳＹＳでは、液浸法に基づいて露光処理された基板Ｐが良好に搬送され、安定した処理動作を行うことができる。

ここで、第２アーム部材Ｈ２に付着した液体の除去は、少なくとも、基板ステージＰＳＴから基板Ｐを搬出する前の時点で行われる。基板搬出前に第２アーム部材Ｈ２に付着した液体が除去されることで、第２アーム部材Ｈ２上で基板が滑るなどの搬送不具合の発生が確実に防止される。

また、上述した基板搬出前に加え、第２アーム部材Ｈ２による基板搬出動作が完了した直後に、上記第２アーム部材Ｈ２に対する液体除去を行ってもよい。すなわち、液体が付着した第２アーム部材Ｈ２が移動すると、その液体が飛散することによって動作不具合や環境変化を招くおそれがある。そのため、基板Ｐの第１の液体除去システム１００への受け渡しを終了した後に、液体検出器２２９で第２アーム部材Ｈ２の液体の付着の有無を確認し、第２アーム部材Ｈ２に液体が付着している場合には、第２の液体除去システム２２０を使って、第２アーム部材Ｈ２に付着した液体を除去することにより、そうした不具合の発生を抑制することができる。

第２アーム部材Ｈ２に対する液体除去を行う際、第２アーム部材Ｈ２が支持する基板Ｐの表面又は裏面の少なくとも一方の面に付着している液体を同時に除去することができる。基板Ｐの表面又は裏面の少なくとも一方の面に付着した液体が除去できる場合、前述した第１の液体除去システム１００を省略することも可能である。

また、本例では、液体検出器２２９の検出結果に基づいて必要時にのみ第２アーム部材Ｈ２の液体除去を行うことから、液体除去に伴うスループットの低下が抑制されるという利点を有している。なお、第２アーム部材Ｈ２に液体が付着している可能性が高い場合は、液体検出器１２９による液体検出動作を省き、常に第２アーム部材Ｈ２に対して液体除去を行ってもよい。

図１６及び図１７は、第２の液体除去システム２２０の他の形態例を示している。

図１６の第２の液体除去システム２２０は、液体吸引装置２３０と、液体吸引装置２３０に配管２３１を介して接続され、第２アーム部材Ｈ２の表面及び裏面のそれぞれに付着している液体を吸引する第１、第２吸引部２３２、２３３と、チャンバ２３４内部を乾燥する乾燥装置２３５とを備えている。なお、第１、第２吸引部２３２、２３３は、第２アーム部材Ｈ２に対してＸ軸方向に相対移動可能に設けられている。また、チャンバ２３４には、図１５の例と同様に、第２アーム部材Ｈ２を出し入れを行うための開口２３６が設けられ、この開口２３６にはシャッタ２３７が配設されている。

図１６の第２の液体除去システム２２０では、第２アーム部材Ｈ２の液体除去に際して、第１、第２吸引部２３２、２３３を第２アーム部材Ｈ２に接近させた状態で、液体吸引装置２３０が駆動される。これにより、第２アーム部材Ｈ２に付着している液体が第１、第２吸引部２３２、２３３を介して液体吸引装置２３０に吸引される。このとき、第１、第２吸引部２３２、２３３と第２アーム部材Ｈ２とをＸ軸方向に相対移動することにより、第２アーム部材Ｈ２に付着している液体が除去される。

また、この第２の液体除去システム２２０では、乾燥装置２３５によってチャンバ２３４内に乾燥した気体（乾燥エア）が適宜供給される。供給される乾燥エアは、室温でもよく、あるいは所定の温度に制御された温風であってもよい。乾燥エアの供給により、チャンバ２３４内が乾燥し、その結果、第２アーム部材Ｈ２の液体除去が促進される。

なお、上記構成の第２の液体除去システム２２０において、乾燥装置２３５による乾燥エアの供給のみで、第２アーム部材Ｈ２から液体が速やかに除去される場合は、液体吸引装置２３０や吸引部２３２、２３３を省く構成としてもよい。また、乾燥方法は、気体供給法に限らず、減圧法や赤外線照射法などの他の乾燥方法を用いてもよい。

図１７の第２の液体除去システム２２０は、液体吸引装置２４０と、液体吸引装置２４０に配管２４１を介して接続される吸湿材２４２、２４３と、吸湿材２４２、２４３をＺ方向に移動させる駆動装置２４４とを備えている。吸湿材２４２、２４３としては、例えば、スポンジ状部材や多孔質セラミックス等が用いられる。

図１７の第２の液体除去システム２２０では、第２アーム部材Ｈ２の液体除去に際して、駆動装置２４４により吸湿材２４２、２４３が第２アーム部材Ｈ２に密着される。この状態で、液体吸引装置２４０が駆動され、吸湿材２４２、２４３で吸湿した液体が回収されると、第２アーム部材Ｈ２に付着した液体が除去される。吸湿材２４２、２４３を用いた液体除去では、液体の飛散が少ない。そのため、チャンバー（筐体）の配設を回避し、装置のコンパクト化を図ることが可能である。なお、吸湿材２４２、２４３による吸湿では、第２アーム部材Ｈ２の液体除去を速やかに行えない場合は、先の図１６に示したように、乾燥装置と組み合わせた構成としてもよい。

なお、図１１に示した吸湿材９０にアーム用液体除去の機能をもたせることもできる。

この例では、第２アーム部材Ｈ２に液体ＬＱが付着した場合に、吸湿材９０によって吸湿することができる。そして、基板を保持するための真空系３４を介して吸湿材９０で吸湿した液体を回収するように構成すればよい。この構成によれば、吸湿材９０が第２アーム部材Ｈ２の一部を構成していることから、装置の小型化が図られる。また、任意の位置やタイミングで第２アーム部材Ｈ２に対する液体除去を行うことが可能である。例えば、第２アーム部材Ｈ２の移動中に、第２アーム部材Ｈ２の液体除去を行うことも可能である。そのため、スループットの向上が図られる。

以上、第２の液体除去システム２２０の構成例について説明したが、第２アーム部材Ｈ２の液体を除去する構成としては、上述したものに限らない。また、上述した各構成を適宜組み合わせてもよいことは言うまでもない。

図１８は、第２の液体除去システム２２０を備える搬送システムＨの他の形態例を示している。図１８において、搬送システムＨは、第２アーム部材Ｈ２に付着した液体を除去する第２の液体除去システム２２０に加え、第２アーム部材Ｈ２を洗浄する洗浄装置２６０を備えている。なお、本例では、第２の液体除去システム２２０として、図１５に示した気体噴射型を用いているが、本実施形態で説明したいずれの構成例を適用してもよい。

洗浄装置２６０は、洗浄液を供給する洗浄液供給装置２６１と、洗浄液供給装置２６１に配管２６２を介して接続され、第２アーム部材Ｈ２に向けて洗浄液を噴射する液体噴射部２６３、２６４と、液体噴射部２６３、２６４を収容するチャンバ２６５とを備えている。洗浄液としては、純水の他に、各種薬品が適宜用いられる。また、液体噴射部２６３、２６４は、例えば、洗浄液供給装置２６１に接続されたヘッダに複数の噴射ノズルが配設された構成からなる。なお、図１８に示す構成例では、第２の液体除去システム２２０と洗浄装置２６０とを垂直方向に並べて配置しているが、水平方向に並べて配置してもよい。なお、チャンバ２６５内の洗浄液は不図示の回収配管を介して適宜回収される。

第２アーム部材Ｈ２に液体が付着すると、それに伴って不純物が第２アーム部材Ｈ２に付着する可能性があり、その不純物が第２アーム部材Ｈ２に残っていると、次に露光処理する基板の搬送時に、その基板に不純物が付着するおそれがある。図１８の搬送システムＨでは、第２アーム部材Ｈ２による露光処理後の基板Ｐを基板ステージＰＳＴから搬出し、その基板Ｐを保持テーブルＨＴに対して搬送した後、第２アーム部材Ｈ２を洗浄装置２６０において洗浄し、その後、第２の液体除去システム２２０によって第２アーム部材Ｈ２に付着した液体を除去する。したがって、この搬送システムＨでは、第２アーム部材Ｈ２が洗浄されることで、露光処理前の基板への不純物の付着が抑制される。

なお、第２アーム部材Ｈ２の洗浄方法としては、洗浄液を噴射する方法に限らず、タンクに貯溜された洗浄液に第２アーム部材Ｈ２を浸漬する方法、あるいは超音波洗浄法など、他の方法を用いてもよい。また、洗浄液を用いるものに限らず、例えば、光（ＵＶ光など）やオゾンを用いたいわゆる光洗浄法を用いてもよい。なお、第２アーム部材Ｈ２の洗浄は、基板Ｐのアンロードの度に行わずに、所定枚の基板Ｐのアンロード毎に行うようにしてもよい。また、液体検出器２２９とは別に第２アーム部材Ｈ２表面（裏面、側面含む）の異物（不純物）を検出する異物検出器を設け、例えば第２の液体除去システム２２０での液体除去後に第２アーム部材Ｈ２への異物の付着の有無を確認し、異物が付着している場合に洗浄装置２６０を使って第２アーム部材Ｈ２の洗浄を行うようにしてもよい。露光処理前の基板への不純物の付着が抑制されることで、露光処理時における露光精度の向上が図られる。

ここで、液浸法による露光処理に関して、本実施形態では、露光処理で用いる液体ＬＱとして純水を用いている。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板Ｐ上のフォトレジストや光学素子（レンズ）等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Ｐの表面、及び投影光学系ＰＬの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。

上述したように、本実施形態における液体ＬＱは純水により構成されている。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板Ｐ上のフォトレジストや光学素子（レンズ）等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Ｐの表面、及び投影光学系ＰＬの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。

そして、波長が１９３ｎｍ程度の露光光ＥＬに対する純水（水）の屈折率ｎはほぼ１．４４と言われており、露光光ＥＬの光源としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を用いた場合、基板Ｐ上では１／ｎ、すなわち約１３４ｎｍに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約ｎ倍、すなわち約１．４４倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系ＰＬの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。

本実施形態では、投影光学系ＰＬの先端にレンズ２が取り付けられているが、投影光学系ＰＬの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系ＰＬの光学特性、例えば収差（球面収差、コマ収差等）の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光ＥＬを透過可能な平行平面板であってもよい。

なお、液体ＬＱの流れによって生じる投影光学系ＰＬの先端の光学素子と基板Ｐとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。

なお、本実施形態では、投影光学系ＰＬと基板Ｐ表面との間は液体ＬＱで満たされている構成であるが、例えば基板Ｐの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体ＬＱを満たす構成であってもよい。

なお、本実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい。例えば、露光光ＥＬの光源がＦ_２レーザである場合、このＦ_２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとしてはＦ_２レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。また、液体ＬＱとしては、その他にも、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系ＰＬや基板Ｐ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。

なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

また、上述の実施形態においては、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間を局所的に液体で満たす露光装置を採用しているが、特開平６−１２４８７３号公報に開示されているような露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置や、特開平１０−３０３１１４号公報に開示されているようなステージ上に所定深さの液体槽を形成し、その中に基板を保持する液浸露光装置にも本発明を適用可能である。

露光装置（露光装置本体）ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。また、本発明は基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１９に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ３０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ３０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ３０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光する露光処理ステップ３０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）３０５、検査ステップ３０６等を経て製造される。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

３１…吸着穴（開口部、第１開口部）、３２…吹付穴（開口部、第２開口部）、３４…真空系（吸着機構）、３５…気体供給系（気体吹付機構）、３６…気体吹付機構（液体除去機構）、３７…吸着機構、３８…第１流路（接続機構）、３８Ａ…バルブ（接続機構）、３９…第２流路（接続機構）、３９Ａ…バルブ（接続機構）、４１…吸着穴（開口部）、４２…吹付穴（開口部）、４５…吸着機構、４６…気体吹付機構（液体除去機構）、９０…吸湿材、１００…第１の液体除去システム、１２２…回転機構、１５０…乾燥装置（乾燥機構）、ＥＸ…露光装置本体、ＥＸ−ＳＹＳ…露光装置、Ｈ…基板搬送システム（基板搬送装置）、Ｈ２…第２アーム部材（基板支持部材）、ＨＴ…保持テーブル（基板支持部材）、ＬＱ…液体、Ｐ…基板、ＰＬ…投影光学系、ＰＳＴ…基板ステージ、ＳＹＳ…デバイス製造システム、Ｃ／Ｄ−ＳＹＳ…コータ・デベロッパ装置、ＩＦ…インターフェース部、２２０…第２の液体除去システム

Claims (35)

1. 投影光学系と液体とを介したパターンの像によって露光された基板を搬送する基板搬送装置において、
   前記基板を支持する基板支持部材と、
   前記基板支持部材と、前記基板の裏面のうち少なくとも一部の領域との少なくとも一方 に付着した前記液体を除去する液体除去機構とを備え、
   前記基板支持部材は、前記基板の裏面を支持し、
   前記液体除去機構は、前記基板支持部材に設けられ、前記基板支持部材が前記基板の裏面を支持する前に、前記基板の裏面のうち少なくとも一部の領域に付着した液体を除去する基板搬送装置。
2. 前記基板支持部材は、液体が付着した前記基板を搬送する基板搬送部材であることを特徴とする請求項１記載の基板搬送装置。
3. 前記基板搬送部材は、前記基板の裏面に対向する少なくとも１つの開口部を有し、
   前記液体除去機構は、前記開口部を介して、前記基板の裏面のうち少なくとも一部の領域に対して所定の気体を吹き付ける気体吹付機構を有することを特徴とする請求項２記載の基板搬送装置。
4. 前記基板の裏面を支持するために、前記開口部を介して前記基板の裏面を吸着する吸着機構と、
   前記開口部に対して、前記気体吹付機構と前記吸着機構とを選択的に接続する接続機構とを有することを特徴とする請求項３記載の基板搬送装置。
5. 前記基板の裏面を支持するために、前記基板の裏面を吸着する吸着機構を備え、
   前記基板搬送部材は、前記吸着機構に接続され、且つ前記基板の裏面に対向する少なくとも１つの第１開口部と、前記基板の裏面に対向し、且つ前記第１開口部とは異なる位置に設けられる少なくとも１つの第２開口部を有し、
   前記液体除去機構は、前記第２開口部を介して、前記基板の裏面に対して所定の気体を吹き付ける気体吹付機構を有することを特徴とする請求項２記載の基板搬送装置。
6. 前記液体除去機構は、前記基板搬送部材が、前記露光中に前記基板を保持する基板ステージから前記基板を搬出する前に、前記基板の裏面のうち少なくとも一部の領域に付着した液体を除去する請求項２〜５のいずれか一項記載の基板搬送装置。
7. 前記液体除去機構は、前記基板ステージが前記投影光学系の下から待避した後に、前記基板の裏面のうち少なくとも一部の領域に付着した液体を除去する請求項６記載の基板搬送装置。
8. 前記液体除去機構は、前記基板ステージに設けられた昇降可能なピン部材によって前記基板を上昇させた後に、前記基板の裏面のうち少なくとも一部の領域に付着した液体を除去する請求項７記載の基板搬送装置。
9. 前記液体除去機構は、前記基板の裏面のうち少なくとも一部の領域に付着した前記液体を吸湿する吸湿材を有することを特徴とする請求項１記載の基板搬送装置。
10. 前記基板の搬送経路の途中に設けられ、前記基板の表面に付着した液体を除去する液体除去システムを有し、
    前記基板支持部材及び前記液体除去機構は、前記液体除去システムに設けられることを特徴とする請求項１記載の基板搬送装置。
11. 前記液体除去システムは、前記基板の表面に付着した前記液体を乾燥する乾燥機構、又は前記基板を回転することによって前記基板の表面に付着した液体を飛ばす回転機構を有することを特徴とする請求項１０記載の基板搬送装置。
12. 前記基板の搬送経路の途中に設けられ、前記基板を一時保持する保持テーブルを有し、
    前記基板支持部材及び前記液体除去機構は、前記保持テーブルに設けられることを特徴とする請求項１記載の基板搬送装置。
13. 前記液体除去機構は、前記少なくとも一部の領域として、前記基板支持部材が支持する支持領域に付着している液体を除去することを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項記載の基板搬送装置。
14. 投影光学系と液体とを介してパターンの像が露光された基板を搬送する基板搬送装置において、
    前記基板の裏面のうち一部の領域に付着した液体を除去する第１液体除去機構と、
    前記基板の裏面のうち一部の領域に付着した液体を前記第１液体除去機構で除去した後に、前記基板の表面に付着した前記液体を除去する第２液体除去機構とを備えたことを特徴とする基板搬送装置。
15. 前記液体が付着した前記基板を搬送する基板搬送部材を有し、前記第１液体除去機構は、前記基板の裏面のうち、前記基板搬送部材が前記基板の裏面を支持する第１支持領域に付着した液体を除去することを特徴とする請求項１４記載の基板搬送装置。
16. 前記基板搬送部材は、前記液体が除去された前記第１領域を支持して、前記基板を前記第２液体除去機構に搬送することを特徴とする請求項１５記載の基板搬送装置。
17. 前記第２液体除去機構は、前記基板の表面に付着した前記液体を乾燥する乾燥機構、又は前記基板を回転することによって前記基板の表面に付着した液体を飛ばす回転機構を有することを特徴とする請求項１４〜１６のいずれか一項記載の基板搬送装置。
18. 投影光学系と液体とを介してパターンの像が露光された基板を搬送する基板搬送方法において、
    前記基板の裏面を基板支持部材で支持する前に、前記基板の裏面のうち前記基板支持部材が支持する支持領域に付着した液体を除去することを特徴とする基板搬送方法。
19. 前記基板支持部材は、前記液体が付着した前記基板を搬送する基板搬送部材であることを特徴とする請求項１８記載の基板搬送方法。
20. 前記液体の除去は、前記基板搬送部材に形成された開口部から所定の気体を吹き付けて行われることを特徴とする請求項１９記載の基板搬送方法。
21. 前記液体の除去は、前記基板搬送部材に設けられた吸湿材を使用して行われることを特徴とする請求項１９記載の基板搬送方法。
22. 前記基板支持部材は、前記基板の搬送経路の途中に配置され、前記基板の表面に付着した前記液体を除去する液体除去システムに設けられることを特徴とする請求項１８記載の基板搬送方法。
23. 前記基板支持部材は、前記基板の搬送経路の途中に配置された、前記基板を一時保持する保持テーブルに設けられることを特徴とする請求項１８記載の基板搬送方法。
24. 投影光学系と液体とを介してパターンの像が露光された基板を搬送する基板搬送方法において、
    前記基板の裏面のうち一部の領域に付着した前記液体を除去し、前記一部の領域に付着した前記液体を除去した後に、前記基板の表面に付着した液体を除去することを特徴とする基板搬送方法。
25. 前記基板の裏面のうち一部の領域は、前記基板を搬送する基板搬送部材が該基板の裏面を支持する第１支持領域であることを特徴とする請求項２４記載の基板搬送方法。
26. 前記基板搬送部材は、前記液体が除去された前記第１支持領域を支持して、前記基板の表面に付着した前記液体を除去する第２液体除去装置に前記基板を搬送することを特徴とする請求項２５記載の基板搬送方法。
27. 前記第２液体除去装置が前記基板の裏面を支持する前に、前記基板の裏面のうち前記第２液体除去装置が支持する第２支持領域に付着した液体を除去することを特徴とする請求項２６記載の基板搬送方法。
28. 基板ステージに保持された基板に、投影光学系と液体とを介してパターンの像を投影して前記基板を露光する露光方法において、
    請求項１８〜請求項２７のいずれか一項記載の基板搬送方法を用いて、前記基板ステージから前記基板を搬送する工程を有することを特徴とする露光方法。
29. 基板ステージに保持された基板に、投影光学系と液体とを介してパターンの像を投影して、前記基板を露光する露光装置において、
    前記露光後の基板を前記基板ステージから搬出する基板搬送部材と、
    前記基板搬送部材で前記基板の裏面を支持する前に、前記基板の裏面の少なくとも一部の領域に付着した前記液体を除去する液体除去機構とを備える露光装置。
30. 前記液体除去機構によって前記液体が除去される前記領域は、前記基板搬送部材が前記基板の裏面を支持する領域を含む請求項２９に記載の露光装置。
31. 前記液体除去機構は、前記基板ステージが前記投影光学系の下から待避した後に、前記基板の裏面のうち少なくとも一部の領域に付着した液体を除去する請求項２９又は３０記載の露光装置。
32. 前記液体除去機構は、前記基板ステージに設けられた昇降可能なピン部材によって前記基板を上昇させた後に、前記基板の裏面のうち少なくとも一部の領域に付着した液体を除去する請求項３１記載の露光装置。
33. 投影光学系と液体とを介してパターンの像を基板上に投影して、前記基板を露光する露光装置において、
    請求項１〜１７のいずれか一項に記載の基板搬送装置を用いて、露光後の基板を搬送することを特徴とする露光装置。
34. 請求項２９〜３３のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
35. 請求項２５の記載の露光方法を用いるデバイス製造方法。

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