KR20220046669A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20220046669A
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레이지로 야마나카
쇼고 후쿠이
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 개시에 따른 기판 처리 장치(1)는 액 처리부(17)와, 건조 처리부(18)와, 반송부(16)와, 기체 공급부(124, 35)를 구비한다. 액 처리부는, 기판(W)에 대하여 액 처리를 행함으로써 기판의 표면을 적신다. 건조 처리부는, 액 처리부와 상이한 장소에 배치되고, 표면이 젖은 기판을 건조시키는 건조 처리를 행한다. 반송부는, 표면이 젖은 기판을 액 처리부로부터 취출하여 건조 처리부로 반송한다. 기체 공급부는, 표면이 젖은 기판이 액 처리부로부터 취출되고 나서 건조 처리부에 있어서 건조 처리가 개시될 때까지의 기간 중 적어도 일부의 기간에 있어서, 표면이 젖은 기판의 이면에 기체를 공급한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
본 개시는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼 등의 기판의 표면을 액체로 처리한 후의 건조 공정에 있어서, 액체에 의해 표면이 젖은 상태의 기판을 초임계 상태의 처리 유체와 접촉시킴으로써 기판을 건조시키는 기술이 알려져 있다.
일본특허공개공보 2013-251550호
본 개시는, 초임계 상태의 처리 유체를 이용하여 기판을 건조시키는 기술에 있어서, 기판의 표면에 대한 파티클의 부착을 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시의 일태양에 따른 기판 처리 장치는, 액 처리부와, 건조 처리부와, 반송부와, 기체 공급부를 구비한다. 액 처리부는, 기판에 대하여 액 처리를 행함으로써 기판의 표면을 적신다. 건조 처리부는, 액 처리부와 상이한 장소에 배치되고, 표면이 젖은 기판을 건조시키는 건조 처리를 행한다. 반송부는, 표면이 젖은 기판을 액 처리부로부터 취출하여 건조 처리부로 반송한다. 기체 공급부는, 표면이 젖은 기판이 액 처리부로부터 취출되고 나서 건조 처리부에 있어서 건조 처리가 개시될 때까지의 기간 중 적어도 일부의 기간에 있어서, 표면이 젖은 기판의 이면에 기체를 공급한다.
본 개시에 따르면, 초임계 상태의 처리 유체를 이용하여 기판을 건조시키는 기술에 있어서, 기판의 표면에 대한 파티클의 부착을 억제할 수 있다.
도 1은 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성을 나타내는 도이다.
도 2는 실시 형태에 따른 반송 장치의 구성을 나타내는 측면도이다.
도 3은 실시 형태에 따른 제 1 유지부의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 4는 실시 형태에 따른 제 2 유지부의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 5는 실시 형태에 따른 제 2 유지부의 구성을 나타내는 측단면도이다.
도 6은 실시 형태에 따른 액 처리 유닛의 구성을 나타내는 도이다.
도 7은 실시 형태에 따른 건조 처리 유닛의 외관 사시도이다.
도 8은 실시 형태에 따른 제 3 유지부의 평면도이다.
도 9는 실시 형태에 따른 제 3 유지부의 측단면도이다.
도 10은 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템이 실행하는 처리의 순서를 나타내는 순서도이다.
도 11은 실시 형태에 따른 반송 장치의 동작예를 나타내는 도이다.
도 12는 실시 형태에 따른 반송 장치의 동작예를 나타내는 도이다.
도 13은 실시 형태에 따른 반송 장치의 동작예를 나타내는 도이다.
도 14는 실시 형태에 따른 반송 장치의 동작예를 나타내는 도이다.
도 15는 실시 형태에 따른 반송 장치의 동작예를 나타내는 도이다.
도 16은 실시 형태에 따른 반송 장치의 동작예를 나타내는 도이다.
도 17은 실시 형태에 따른 반송 장치의 동작예를 나타내는 도이다.
도 18은 실시 형태에 따른 반송 장치의 동작예를 나타내는 도이다.
도 19는 실시 형태에 따른 반송 장치의 동작예를 나타내는 도이다.
도 20은 실시 형태에 따른 반송 장치의 동작예를 나타내는 도이다.
종래, 기판의 표면에 액막을 형성한 후, 초임계 상태의 처리 유체를 이용하여 기판을 건조시키는 기술이 알려져 있다.
여기서, 표면에 액막이 형성된 기판을 반송할 시, 기판의 액막의 액이 기판의 이면으로 유입될 우려가 있다. 기판의 이면으로 유입된 액이, 그 후의 건조 처리에 있어서 처리 유체의 흐름에 의해 기판의 표면으로 되돌려지면, 되돌려진 액이 부착된 기판의 표면 부분에 있어서 파티클이 발생할 우려가 있다.
이 때문에, 초임계 상태의 처리 유체를 이용하여 기판을 건조시키는 기술에 있어서, 기판의 표면에 대한 파티클의 부착을 억제하는 것이 바람직하다.
이하에, 본 개시에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 실시하기 위한 형태(이하, '실시 형태'라 기재함)에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 이 실시 형태에 의해 본 개시에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 실시 형태는, 처리 내용을 모순시키지 않는 범위에서 적절히 조합하는 것이 가능하다. 또한, 이하의 각 실시 형태에 있어서 동일한 부위에는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명은 생략된다.
또한, 이하 참조하는 각 도면에서는, 설명을 알기 쉽게 하기 위하여, 서로 직교하는 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 하는 직교 좌표계를 나타내는 경우가 있다. 또한, 연직축을 회전 중심으로 하는 회전 방향을 θ 방향이라 부르는 경우가 있다.
또한, 이하에 나타내는 실시 형태에서는, '일정', '직교', '수직' 혹은 '평행'과 같은 표현이 이용되는 경우가 있는데, 이들 표현은, 엄밀하게 '일정', '직교', '수직' 혹은 '평행'인 것을 요하지 않는다. 즉, 상기한 각 표현은 제조 정밀도, 설치 정밀도 등의 오차를 허용하는 것으로 한다.
[1. 기판 처리 시스템의 구성]
먼저, 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성에 대하여 도 1을 참조하여 설명한다. 도 1은 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성을 나타내는 도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은 반입반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 마련된다.
반입반출 스테이션(2)은 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수 매의 반도체 웨이퍼(이하, '웨이퍼(W)'라 기재함)를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.
반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 마련된다. 반송부(12)의 내부에는, 반송 장치(13)와 전달부(14)가 배치된다.
반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 마련된다. 처리 스테이션(3)은 반송 블록(4)과, 복수의 처리 블록(5)을 구비한다.
반송 블록(4)은 반송 에어리어(15)와, 반송 장치(16)를 구비한다. 반송 에어리어(15)는, 예를 들면, 반입반출 스테이션(2) 및 처리 스테이션(3)의 배열 방향(X축 방향)을 따라 연장되는 직육면체 형상의 영역이다. 반송 에어리어(15)에는, 반송 장치(16)가 배치된다.
반송 장치(16)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 반송 장치(16)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 복수의 처리 블록(5)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
복수의 처리 블록(5)은, 반송 에어리어(15)의 양측에 있어서 반송 에어리어(15)에 인접하여 배치된다. 구체적으로, 복수의 처리 블록(5)은, 반입반출 스테이션(2) 및 처리 스테이션(3)의 배열 방향(X축 방향)에 직교하는 방향(Y축 방향)에 있어서의 반송 에어리어(15)의 일방측(Y축 정방향측) 및 타방측(Y축 부방향측)에 배치된다.
각 처리 블록(5)은 액 처리 유닛(17)과, 건조 처리 유닛(18)과, 공급 유닛(19)을 구비한다.
액 처리 유닛(17)은, 웨이퍼(W)의 패턴 형성면인 상면을 세정하는 세정 처리를 행한다. 또한, 액 처리 유닛(17)은, 세정 처리 후의 웨이퍼(W)의 표면(상면)에 액막을 형성하는 액막 형성 처리를 행한다. 액 처리 유닛(17)의 구성에 대해서는 후술한다.
건조 처리 유닛(18)은, 액막 형성 처리 후의 웨이퍼(W)에 대하여 초임계 건조 처리를 행한다. 구체적으로, 건조 처리 유닛(18)은, 액막 형성 처리 후의 웨이퍼(W)를 초임계 상태의 처리 유체와 접촉시킴으로써 동일 웨이퍼(W)를 건조시킨다.
건조 처리 유닛(18)은, 초임계 건조 처리가 행해지는 처리 에어리어(181)와, 반송 블록(4)과 처리 에어리어(181)와의 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달이 행해지는 전달 에어리어(182)를 구비한다. 이들 처리 에어리어(181) 및 전달 에어리어(182)는, 반송 에어리어(15)를 따라 배열된다. 건조 처리 유닛(18)의 구체적인 구성에 대해서는 후술한다.
공급 유닛(19)은, 건조 처리 유닛(18)에 대하여 처리 유체를 공급한다. 구체적으로, 공급 유닛(19)은 유량계, 유량 조정기, 배압 밸브, 히터 등을 포함하는 공급 기기군과, 공급 기기군을 수용하는 하우징을 구비한다. 실시 형태에 있어서, 공급 유닛(19)은, 처리 유체로서 CO2를 건조 처리 유닛(18)에 공급한다.
기판 처리 시스템(1)은 제어 장치(6)를 구비한다. 제어 장치(6)는 예를 들면 컴퓨터이며, 제어부(61)와 기억부(62)를 구비한다.
제어부(61)는 CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory), 입출력 포트 등을 가지는 마이크로 컴퓨터 및 각종의 회로를 포함한다. 이러한 마이크로 컴퓨터의 CPU는, ROM에 기억되어 있는 프로그램을 읽어내 실행함으로써, 반송 장치(16), 액 처리 유닛(17) 및 건조 처리 유닛(18) 등의 동작을 제어한다.
이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체에 기록되어 있던 것으로, 그 기록 매체로부터 제어 장치(6)의 기억부(62)에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체로서는, 예를 들면 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
기억부(62)는, 예를 들면, RAM, 플래시 메모리(Flash Memory) 등의 반도체 메모리 소자, 또는, 하드 디스크, 광 디스크 등의 기억 장치에 의해 실현된다.
[2. 반송 장치의 구성]
이어서, 반송 에어리어(15)에 배치되는 반송 장치(16)의 구성에 대하여 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 실시 형태에 따른 반송 장치(16)의 구성을 나타내는 측면도이다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 실시 형태에 따른 반송 장치(16)는 제 1 유지부(110)와, 제 2 유지부(120)와, 제 1 진퇴 기구(130)와, 제 2 진퇴 기구(140)와, 승강 기구(150)와, 수평 이동 기구(160)를 구비한다.
제 1 유지부(110)는, 웨이퍼(W)를 유지한다. 제 2 유지부(120)는, 제 1 유지부(110)의 하방에 배치되어, 웨이퍼(W)를 유지한다. 제 1 유지부(110) 및 제 2 유지부(120)의 구성에 대해서는 후술한다.
제 1 진퇴 기구(130)는 제 1 유지부(110)를 수평 방향, 구체적으로, 반송 에어리어(15)의 연장 방향과 직교하는 Y축 방향을 따라 제 1 유지부(110)를 진퇴시킨다. 제 2 진퇴 기구(140)는 제 2 유지부(120)를 Y축 방향을 따라 진퇴시킨다.
승강 기구(150)는, 제 1 진퇴 기구(130) 및 제 2 진퇴 기구(140)를 연직 방향을 따라 이동시킴으로써, 제 1 유지부(110) 및 제 2 유지부(120)를 승강시킨다. 수평 이동 기구(160)는, 승강 기구(150)를 X축 방향을 따라 이동시킴으로써, 제 1 유지부(110) 및 제 2 유지부(120)를 반송 에어리어(15)의 연장 방향으로 수평 이동시킨다.
이어서, 제 1 유지부(110)의 구성에 대하여 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은 실시 형태에 따른 제 1 유지부(110)의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 제 1 유지부(110)는, 예를 들면 웨이퍼(W)의 직경보다 가로폭이 작은 두 갈래 형상을 가지는 평판 형상의 베이스부(111)와, 베이스부(111)의 표면에 마련된 복수의 지지 부재(112)를 구비한다. 제 1 유지부(110)는, 복수의 지지 부재(112)를 이용하여 웨이퍼(W)를 하방으로부터 지지함으로써 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다.
이어서, 제 2 유지부(120)의 구성에 대하여 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한다. 도 4는 실시 형태에 따른 제 2 유지부(120)의 구성을 나타내는 평면도이다. 도 5는 실시 형태에 따른 제 2 유지부(120)의 구성을 나타내는 측단면도이다.
도 4 및 도 5에 나타내는 바와 같이, 제 2 유지부(120)는 베이스부(121)와, 복수의 지지 부재(122)와, 복수의 파지부(123)와, 제 1 기체 공급부(124)와, 배액부(125)를 구비한다.
베이스부(121)는, 웨이퍼(W)의 하방에 배치된 판 형상의 부재이다. 베이스부(121)에는, 웨이퍼(W)보다 큰 직경의 원형 형상의 오목부(121a)가 형성되어 있고, 웨이퍼(W)는, 이러한 오목부(121a) 내에 후술하는 복수의 지지 부재(122)를 개재하여 배치된다.
복수의 지지 부재(122)는, 오목부(121a)의 저면으로부터 상방으로 돌출되는 부재이며, 웨이퍼(W)의 외주부를 하방으로부터 지지한다. 웨이퍼(W)는, 복수의 지지 부재(122)에 지지됨으로써, 베이스부(121)로부터 뜬 상태가 된다.
각 지지 부재(122)는, 승강 기구(122a)에 접속되어 있고, 승강 기구(122a)에 의해 연직 방향을 따라 이동 가능하다. 즉, 복수의 지지 부재(122)는, 베이스부(121)에 대하여 승강 가능하다. 이에 의해, 복수의 지지 부재(122)는, 베이스부(121)의 표면보다 높은 위치에 있어서 웨이퍼(W)를 지지할 수 있고, 또한 베이스부(121)의 상면보다 낮은 위치에 있어서 웨이퍼(W)를 지지할 수도 있다.
승강 기구(122a)는, 예를 들면 모터 등의 전동기의 구동력에 의해 지지 부재(122)를 승강시켜도 된다. 또한, 승강 기구(122a)는, 피에조 소자에 의한 역압전 효과를 이용하여 지지 부재(122)를 승강시켜도 된다. 또한, 승강 기구(122a)는, 공기압을 이용하여 지지 부재(122)를 승강시켜도 된다.
또한, 제 2 유지부(120)는, 반드시 복수의 승강 기구(122a)를 구비하는 것을 요하지 않는다. 즉, 제 2 유지부(120)는, 복수의 지지 부재(122)를 일체적으로 승강시키는 1 개의 승강 기구(122a)를 구비하는 구성이어도 된다.
복수의 파지부(123)는, 예를 들면, 오목부(121a)의 둘레벽에 마련된다. 각 파지부(123)는, 이동 기구(123a)에 접속되어 있고, 이동 기구(123a)에 의해 수평 방향, 구체적으로, 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라 이동 가능하다. 이와 같이, 복수의 파지부(123)는, 웨이퍼(W)에 대하여 접근 또는 후퇴할 수 있다. 이에 의해, 복수의 파지부(123)는, 웨이퍼(W)를 향해 이동함으로써 웨이퍼(W)를 측방으로부터 파지할 수 있다. 또한, 복수의 파지부(123)는, 웨이퍼(W)로부터 멀어짐으로써 웨이퍼(W)를 파지한 상태를 해제할 수 있다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 복수의 파지부(123)는, 적어도 웨이퍼(W)의 표면, 바람직하게는, 웨이퍼(W) 상에 형성된 액막(L)의 표면이 베이스부(121)의 상면보다 낮아지는 높이 위치에 있어서 웨이퍼(W)를 파지한다. 이에 의해, 후술하는 제 1 기체 공급부(124)에 의해 웨이퍼(W)의 이면(하면)의 외주부에 기체가 공급되었을 시에, 액막(L)의 액이 제 2 유지부(120)의 외부로 비산하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)로부터 낙하한 액막(L)의 액은, 베이스부(121)의 오목부(121a)에 포집된 후, 후술하는 배액부(125)에 의해 오목부(121a)로부터 배출된다.
제 1 기체 공급부(124)는, 복수의 파지부(123)에 의해 파지된 웨이퍼(W)의 이면의 외주부에 대하여 기체를 공급한다. 이에 의해, 제 1 기체 공급부(124)는, 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 액막(L)의 액이 웨이퍼(W)의 표면의 주연부로부터 웨이퍼(W)의 이면으로 유입되는 것을 억제할 수 있다.
제 1 기체 공급부(124)는 복수의 토출구(124a)와, 공급관(124b)과, 유량 조정부(124c)와, 기체 공급원(124d)을 구비한다.
복수의 토출구(124a)는, 베이스부(121)에 있어서의 오목부(121a)의 저면에 마련되고, 웨이퍼(W)의 이면의 외주부를 향해 기체를 토출한다. 복수의 토출구(124a)는, 오목부(121a)의 저면에 대하여, 웨이퍼(W)와 동심원의 원주를 따라 원주 상에 배열되어 배치된다. 이에 의해, 제 1 기체 공급부(124)는, 웨이퍼(W)의 이면으로의 액막(L)의 액의 유입을 웨이퍼(W)의 전둘레에 있어서 적합하게 억제할 수 있다.
공급관(124b)은, 복수의 토출구(124a)와 기체 공급원(124d)을 접속하여, 기체 공급원(124d)으로부터 공급되는 기체를 유통시킨다. 유량 조정부(124c)는, 공급관(124b)의 중도부에 마련되고, 공급관(124b)을 개폐함으로써, 토출구(124a)로부터의 기체의 토출을 개시 또는 정지시키거나, 토출구(124a)로부터 토출되는 기체의 유량을 조정한다. 기체 공급원(124d)은 기체로서, 예를 들면, 질소 가스를 공급한다. 또한, 기체 공급원(124d)으로부터 공급되는 기체는, 예를 들면 아르곤 가스 등의 질소 가스 이외의 불활성 가스여도 된다. 제 1 기체 공급부(124)는, 웨이퍼(W)의 이면에 공급하는 기체로서 불활성 가스를 이용함으로써, 예를 들면 웨이퍼(W)의 산화 등을 억제할 수 있다. 또한, 기체 공급원(124d)은, 불활성 가스 이외의 기체, 예를 들면 드라이 에어 등을 공급해도 된다.
배액부(125)는, 예를 들면, 오목부(121a)의 저면의 중앙부에 마련된 개구이다. 배액부(125)는, 배출관(125a)에 접속되어 있어, 오목부(121a)에 모인 액막(L)의 액 등을 배출관(125a)을 거쳐 제 2 유지부(120)의 외부로 배출할 수 있다.
또한, 복수의 지지 부재(122), 복수의 파지부(123) 및 복수의 토출구(124a)의 수는, 도시의 예에 한정되지 않는다.
[3. 액 처리 유닛의 구성]
이어서, 액 처리 유닛(17)의 구성에 대하여 도 6을 참조하여 설명한다. 도 6은 실시 형태에 따른 액 처리 유닛(17)의 구성을 나타내는 도이다. 액 처리 유닛(17)은, 예를 들면, 스핀 세정에 의해 웨이퍼(W)를 1 매씩 세정하는 매엽식의 세정 장치로서 구성된다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 액 처리 유닛(17)은, 처리 공간을 형성하는 아우터 챔버(23) 내에 배치된 웨이퍼 유지 기구(25)로 웨이퍼(W)를 대략 수평으로 유지하고, 이 웨이퍼 유지 기구(25)를 연직축 둘레로 회전시킴으로써 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 그리고, 액 처리 유닛(17)은, 회전하는 웨이퍼(W)의 상방에 노즐 암(26)을 진입시키고, 이러한 노즐 암(26)의 선단부에 마련되는 약액 노즐(26a)로부터 약액 및 린스액을 미리 정해진 순으로 공급함으로써, 웨이퍼(W)의 표면의 세정 처리를 행한다.
액 처리 유닛(17)에는, 웨이퍼 유지 기구(25)의 내부에 기체 공급로(25a)가 형성되어 있다. 액 처리 유닛(17)은, 이러한 기체 공급로(25a)로부터 공급되는 기체, 예를 들면 질소 가스 등의 불활성 가스를 웨이퍼(W)의 이면 중앙부에 공급한다.
세정 처리는, 예를 들면, 가장 먼저 알칼리성의 약액인 SC1액(암모니아와 과산화수소수의 혼합액)에 의한 파티클 및 유기성의 오염 물질의 제거가 행해지고, 이어서, 린스액인 탈이온수(DeIonized Water：이하, 'DIW'라 기재함)에 의한 린스 세정이 행해진다. 이어서, 산성 약액인 희불화수소산 수용액(Diluted Hydro Fluoricacid : 이하, 'DHF'라 기재함)에 의한 자연 산화막의 제거가 행해지고, 이어서, DIW에 의한 린스 세정이 행해진다.
상술한 각종 약액은, 아우터 챔버(23) 또는, 아우터 챔버(23) 내에 배치되는 이너 컵(24)에 받아져, 아우터 챔버(23)의 저부에 마련되는 배액구(23a) 또는, 이너 컵(24)의 저부에 마련되는 배액구(24a)로부터 배출된다. 또한, 아우터 챔버(23) 내의 분위기는, 아우터 챔버(23)의 저부에 마련되는 배기구(23b)로부터 배기된다.
액막 형성 처리는, 세정 처리에 있어서의 린스 처리의 후에 행해진다. 구체적으로, 액 처리 유닛(17)은, 웨이퍼 유지 기구(25)를 회전시키면서, 웨이퍼(W)의 표면 및 이면에 IPA 액체를 공급한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 양면에 잔존하는 DIW가 IPA로 치환된다.
이 때, 액 처리 유닛(17)은, 기체 공급로(25a)로부터 웨이퍼(W)의 이면 중앙부에 기체를 공급한다. 웨이퍼(W)의 이면 중앙부에 공급된 기체는, 웨이퍼(W)의 이면을 따라 웨이퍼(W)의 이면의 외주부를 향해 흐른다. 이에 의해, 액 처리 유닛(17)에 있어서의 액막 형성 처리 중에, 웨이퍼(W)의 표면에 공급된 IPA가 웨이퍼(W)의 이면으로 유입되는 것을 억제할 수 있다. 이 후, 액 처리 유닛(17)은, 웨이퍼 유지 기구(25)의 회전을 완만하게 정지한다.
액막 형성 처리를 끝낸 웨이퍼(W)는, 그 표면에 IPA 액체의 액막이 형성된 상태인 채로, 웨이퍼 유지 기구(25)에 마련된 전달 기구(후술하는 리프터 핀(25b))에 의해 반송 장치(16)로 전달되고, 액 처리 유닛(17)으로부터 반출된다. 웨이퍼(W) 상에 형성된 액막은, 액 처리 유닛(17)으로부터 건조 처리 유닛(18)으로의 웨이퍼(W)의 반송 중, 또는 건조 처리 유닛(18)으로의 반입 동작 중에, 웨이퍼(W) 상면의 액체가 증발(기화)함으로써 패턴 도괴가 발생하는 것을 방지한다.
[4. 건조 유닛의 구성]
이어서, 건조 처리 유닛(18)의 구성에 대하여 도 7 ~ 도 9를 참조하여 설명한다. 도 7은 실시 형태에 따른 건조 처리 유닛(18)의 외관 사시도이다. 도 8은 실시 형태에 따른 제 3 유지부의 평면도이다. 도 9는 실시 형태에 따른 제 3 유지부의 측단면도이다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 건조 처리 유닛(18)은 처리 용기(31)와, 제 3 유지부(32)와, 덮개체(33)와, 리프터(39)를 구비한다.
처리 용기(31)는, 예를 들면 16 ~ 20 MPa 정도의 고압 환경을 형성할 수 있는 압력 용기이다. 처리 용기(31)는, 처리 에어리어(181)(도 1 참조)에 배치되고, 초임계 건조 처리는, 처리 용기(31)의 내부 공간인 처리 공간에서 행해진다.
제 3 유지부(32)는, 웨이퍼(W)를 수평 방향으로 유지한다. 덮개체(33)는, 제 3 유지부(32)를 지지한다. 덮개체(33)는, 이동 기구(33a)에 접속되어 있고, 이동 기구(33a)에 의해 처리 에어리어(181) 및 전달 에어리어(182) 간을 수평 이동한다. 덮개체(33)가 처리 에어리어(181)로 이동함으로써, 제 3 유지부(32)는 처리 용기(31)의 내부에 배치되고, 덮개체(33)는 처리 용기(31)의 개구부(34)를 폐색한다.
처리 용기(31)의 벽부에는 공급 포트(35A, 35B)와 배출 포트(36)가 마련된다. 공급 포트(35A)는, 처리 공간 내에 처리 유체를 공급하는 공급 라인(35C)에 접속된다. 공급 포트(35B)는, 처리 공간 내에 처리 유체를 공급하는 공급 라인(35D)에 접속된다. 배출 포트(36)는, 처리 공간으로부터 처리 유체를 배출하는 배출 라인(36A)에 접속된다.
공급 포트(35A)는, 처리 용기(31)에 있어서의 개구부(34)와는 반대측의 측면에 접속되고, 공급 포트(35B)는, 처리 용기(31)의 저면에 접속된다. 또한, 배출 포트(36)는, 개구부(34)의 하방측에 접속되어 있다. 또한, 공급 포트(35A, 35B) 및 배출 포트(36)의 수는 특별히 한정되지 않는다.
처리 용기(31)의 내부에는, 유체 공급 헤더(37A, 37B)와 유체 배출 헤더(38)가 마련된다. 유체 공급 헤더(37A, 37B)와 유체 배출 헤더(38)는, 모두 다수의 개공(開孔)이 형성되어 있다.
유체 공급 헤더(37A)는, 공급 포트(35A)에 접속되고, 처리 용기(31)의 내부에 있어서, 개구부(34)와는 반대측의 측면에 인접하여 마련된다. 또한, 유체 공급 헤더(37A)에 형성되는 다수의 개공은, 개구부(34)측을 향하고 있다.
유체 공급 헤더(37B)는, 공급 포트(35B)에 접속되고, 처리 용기(31)의 내부에 있어서의 저면의 중앙부에 마련된다. 유체 공급 헤더(37B)에 형성되는 다수의 개공은, 상방을 향하고 있다.
유체 배출 헤더(38)는, 배출 포트(36)에 접속되고, 처리 용기(31)의 내부에 있어서, 개구부(34)측의 측면에 인접하고, 또한 개구부(34)보다 하방에 마련된다. 유체 배출 헤더(38)에 형성되는 다수의 개공은, 유체 공급 헤더(37A)측을 향하고 있다.
건조 처리 유닛(18)은, 유체 공급 헤더(37A, 37B)로부터 처리 용기(31)의 내부로 가열된 처리 유체를 공급하면서, 유체 배출 헤더(38)를 거쳐 처리 용기(31) 내의 처리 유체를 배출한다. 또한, 처리 유체의 배출로에는, 처리 용기(31)로부터의 처리 유체의 배출량을 조정하는 댐퍼가 마련되어 있고, 처리 용기(31) 내의 압력이 원하는 압력으로 조정되도록 댐퍼에 의해 처리 유체의 배출량이 조정된다. 이에 의해, 처리 용기(31) 내에 있어서 처리 유체의 초임계 상태가 유지된다. 이하에서는, 초임계 상태의 처리 유체를 '초임계 유체'라 기재한다.
웨이퍼(W)의 표면에 형성된 액막(L)의 액이 웨이퍼(W)의 이면으로 유입되어 있는 상태에서 초임계 건조 처리가 행해지면, 유체 공급 헤더(37B) 등으로부터 웨이퍼(W)의 이면에 공급되는 초임계 유체의 흐름에 의해, 이면으로 유입된 액이 웨이퍼(W)의 표면으로 되돌려질 우려가 있다. 이 경우, 되돌려진 액이 부착된 웨이퍼(W)의 표면 부분에 있어서 파티클이 발생할 우려가 있다.
웨이퍼(W)의 패턴 형성면(상면)에 존재하는 IPA 액체는, 고압 상태(예를 들면, 16 MPa)인 초임계 유체와 접촉함으로써, 서서히 초임계 유체에 용해되어 가, 최종적으로는, 초임계 유체로 치환된다. 이에 의해, 패턴의 사이의 간극은, 초임계 유체에 의해 채워진 상태가 된다.
이 후, 건조 처리 유닛(18)은, 처리 용기(31) 내의 압력을 고압 상태로부터 대기압까지 감압한다. 이에 의해, 패턴 간의 간극을 채우고 있던 초임계 유체가 통상의 즉 기체 상태의 처리 유체로 변화한다.
이와 같이, 건조 처리 유닛(18)은, 패턴 형성면에 존재하는 IPA 액체를 초임계 유체로 치환한 후, 초임계 유체를 기체 상태의 처리 유체로 되돌림으로써, 패턴 형성면으로부터 IPA 액체를 제거하여 패턴 형성면을 건조시킨다.
초임계 유체는, 액체(예를 들면 IPA 액체)와 비교하여 점도가 작고, 또한 액체를 용해하는 능력도 높은 것에 더불어, 초임계 유체와 평형 상태에 있는 액체 및 기체와의 사이에서 계면이 존재하지 않는다. 따라서, 초임계 건조 처리를 행함으로써, 표면 장력의 영향을 받지 않고 액체를 건조시킬 수 있다. 즉, 건조 처리 시에 패턴이 도괴되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 실시 형태에서는, 건조 방지용의 액체로서 IPA 액체를 이용하고, 처리 유체로서 CO2를 이용하는 것으로 했지만, IPA 이외의 액체를 건조 방지용의 액체로서 이용해도 되고, CO2 이외의 유체를 처리 유체로서 이용해도 된다.
리프터(39)는 복수의 리프터 핀(39a)과, 복수의 리프터 핀(39a)의 하단에 접속되어 복수의 리프터 핀(39a)을 지지하는 지지체(39b)를 구비한다.
리프터(39)는, 승강 구동부(미도시)에 의해 승강한다. 구체적으로, 리프터(39)는, 반송 장치(16)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 전달 위치와, 대기 위치와의 사이를 승강한다. 대기 위치는, 덮개체(33) 및 제 3 유지부(32)와 간섭하지 않는 덮개체(33) 및 제 3 유지부(32)보다 하방의 위치이다.
도 8 및 도 9에 나타내는 바와 같이, 제 3 유지부(32)는, 베이스부(32a)와, 복수의 지지 부재(32b)와, 복수의 관통홀(32d)을 구비한다.
베이스부(32a)는, 웨이퍼(W)의 하방에 배치된 판 형상의 부재이다. 베이스부(32a)에는, 웨이퍼(W)보다 큰 직경의 원형 형상의 오목부(32a1)가 형성되어 있고, 웨이퍼(W)는, 이러한 오목부 내에 후술하는 복수의 지지 부재(32b)를 개재하여 배치된다.
복수의 지지 부재(32b)는, 베이스부(32a)에 형성된 오목부(32a1)의 저면으로부터 상방으로 돌출되는 부재이며, 웨이퍼(W)의 외주부를 하방으로부터 지지한다. 웨이퍼(W)는, 복수의 지지 부재(32b)에 지지됨으로써, 베이스부(32a)로부터 뜬 상태가 된다(도 9 참조). 복수의 지지 부재(32b)의 수 및 배치는, 도시의 예에 한정되지 않는다.
복수의 관통홀(32d)은, 베이스부(32a)에 형성되는 오목부(32a1)의 저면에 형성되고, 베이스부(32a)를 연직 방향으로 관통한다. 복수의 관통홀(32d)은, 예를 들면, 복수의 지지 부재(32b)보다 베이스부(32a)에 형성된 원형 형상의 오목부의 직경 방향 내측에 형성된다. 복수의 관통홀(32d)은, 처리 공간(31a)의 저면(31c)으로부터 공급되는 처리 유체의 유로로서 기능한다. 또한, 복수의 관통홀(32d) 중, 상기 원형 형상의 오목부의 중앙부에 형성된 3 개의 관통홀(32d)은, 리프터 핀(39a)의 삽입 통과홀로서도 기능한다. 복수의 관통홀(32d)의 수 및 배치는, 도시의 예에 한정되지 않는다.
또한, 도 9에 나타내는 바와 같이, 건조 처리 유닛(18)은, 제 2 기체 공급부(35)를 더 구비한다. 제 2 기체 공급부(35)는, 전달 에어리어(182)(도 1 참조)에 배치된다.
제 2 기체 공급부(35)는 토출부(35a)와, 공급관(35b)과, 유량 조정부(35c)와, 기체 공급원(35d)을 구비한다. 토출부(35a)는, 전달 에어리어(182)에 배치된 제 3 유지부(32)의 하방에, 토출구를 상방을 향한 상태로 배치된다. 공급관(35b)은, 토출부(35a)와 기체 공급원(35d)을 접속하여, 기체 공급원(35d)으로부터 공급되는 기체를 유통시킨다. 유량 조정부(35c)는, 공급관(35b)의 중도부에 마련되고, 공급관(35b)을 개폐함으로써, 토출부(35a)로부터의 기체의 토출을 개시 또는 정지시키거나, 토출부(35a)로부터 토출되는 기체의 유량을 조정한다. 기체 공급원(35d)은 기체로서, 예를 들면, 질소 가스 등의 불활성 가스를 공급한다. 또한, 기체 공급원(35d)은, 불활성 가스 이외의 기체, 예를 들면 드라이 에어 등을 공급해도 된다.
제 2 기체 공급부(35)는, 제 3 유지부(32)가 구비하는 베이스부(32a)의 하면을 향해, 토출부(35a)로부터 기체를 토출한다. 베이스부(32a)의 하면에 토출된 기체는, 베이스부(32a)에 형성된 복수의 관통홀(32d)을 지나 웨이퍼(W)의 이면에 도달한 후, 웨이퍼(W)의 이면을 따라 웨이퍼(W)의 이면의 외주부를 향해 흐른다. 이에 의해, 반송 장치(16)로부터 제 3 유지부(32)로 웨이퍼(W)가 전달된 후, 제 3 유지부(32)가 처리 용기(31) 내로 이동하여 건조 처리가 개시될 때까지의 사이에, 웨이퍼(W)의 표면에 공급된 IPA가 웨이퍼(W)의 이면으로 유입되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 제 2 기체 공급부(35)는, 토출부(35a)를 수평 이동시키는 이동 기구를 더 구비하고 있어도 된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 이면의 외주부에 대하여 보다 빠짐없이 기체를 공급할 수 있어, 액막(L)의 액의 웨이퍼(W)의 이면으로의 유입을 보다 확실하게 억제할 수 있다.
[5. 기판 처리 시스템의 구체적 동작에 대하여]
이어서, 기판 처리 시스템(1)의 구체적인 동작에 대하여 도 10 ~ 도 20을 참조하여 설명한다. 도 10은 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)이 실행하는 처리의 순서를 나타내는 순서도이다. 또한, 도 10에는, 웨이퍼(W)가 액 처리 유닛(17)으로 반입되고 나서 건조 처리 유닛으로부터 반출될 때까지의 처리 순서의 일례를 나타내고 있다. 또한, 도 11 ~ 도 20은 실시 형태에 따른 반송 장치(16)의 동작예를 나타내는 도이다. 도 10에 나타내는 각 처리 순서는, 제어부(61)에 의한 제어에 따라 실행된다.
기판 처리 시스템(1)에서는, 먼저, 캐리어(C)에 수용된 웨이퍼(W)를 반송 장치(13)가 취출하여 전달부(14)에 배치한다. 이어서, 반송 장치(16)는, 전달부(14)로부터 웨이퍼(W)를 취출한 후, 도 10에 나타내는 바와 같이, 취출한 웨이퍼(W)를 액 처리 유닛(17)으로 반입한다(단계(S101)).
구체적으로, 반송 장치(16)는, 제 1 유지부(110)(도 3 참조)를 이용하여 전달부(14)로부터 웨이퍼(W)를 취출한다. 그리고, 반송 장치(16)는, 제 1 유지부(110)를 이용하여 유지한 웨이퍼(W)를 전달부(14)로부터 액 처리 유닛(17)으로 반송한다.
이어서, 기판 처리 시스템(1)에서는, 액 처리 유닛(17)이 웨이퍼(W)에 대하여 액 처리를 행한다(단계(S102)). 구체적으로, 액 처리 유닛(17)은, 약액 및 린스액을 이용하여 웨이퍼(W)의 표면의 세정 처리를 행한 후, 웨이퍼(W)의 표면에 IPA 액체를 공급하여 액막(L)을 형성하는 액막 형성 처리를 행한다.
이어서, 기판 처리 시스템(1)에서는, 액 처리 후의 웨이퍼(W) 즉 액막(L)이 형성된 웨이퍼(W)를 액 처리 유닛(17)으로부터 반송 장치(16)로 전달한다(단계(S103)).
구체적으로, 도 11에 나타내는 바와 같이, 먼저, 액 처리 유닛(17)은, 웨이퍼 유지 기구(25)에 마련된 복수의 리프터 핀(25b)을 상승시킴으로써, 액 처리 후의 웨이퍼(W)를 복수의 리프터 핀(25b)을 이용하여 상승시킨다. 이어서, 반송 장치(16)는, 제 1 진퇴 기구(130)(도 2 참조)를 이용하여 제 1 유지부(110)를 수평 이동시킴으로써, 제 1 유지부(110)를 웨이퍼(W)의 하방에 배치시킨다. 그리고, 도 12에 나타내는 바와 같이, 반송 장치(16)는, 승강 기구(150)(도 2 참조)를 이용하여 제 1 유지부(110)를 상승시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W)는, 액 처리 유닛(17)으로부터 반송 장치(16)로 전달된다.
이어서, 기판 처리 시스템(1)에서는, 반송 장치(16)가, 웨이퍼(W)를 제 1 유지부(110)로부터 제 2 유지부(120)로 옮겨 든다(단계(S104)).
구체적으로, 도 13에 나타내는 바와 같이, 반송 장치(16)는, 제 2 진퇴 기구(140)(도 1 참조)를 이용하여 제 2 유지부(120)를 수평 이동시킴으로써, 제 2 유지부(120)를 제 1 유지부(110)의 하방에 배치시킨다. 이 후, 도 14에 나타내는 바와 같이, 반송 장치(16)는, 복수의 승강 기구(122a)를 이용하여 복수의 지지 부재(122)를 상승시킴으로써, 제 1 유지부(110)에 유지된 웨이퍼(W)를 복수의 지지 부재(122)에 지지시킨다.
이어서, 도 15에 나타내는 바와 같이, 반송 장치(16)는, 제 1 진퇴 기구(130)를 이용하여 제 1 유지부(110)를 후퇴시킨다. 이 후, 반송 장치(16)는, 복수의 승강 기구(122a)를 이용하여 복수의 지지 부재(122)를 하강시킨 후, 복수의 이동 기구(123a)를 이용하여 복수의 파지부(123)를 수평 이동시킴으로써, 복수의 파지부(123)를 이용하여 웨이퍼(W)를 파지한다. 이에 의해, 후술하는 제 1 퍼지 처리에 있어서, 제 1 기체 공급부(124)로부터 공급되는 기체에 의한 웨이퍼(W)의 위치 어긋남을 억제할 수 있다.
이와 같이 하여, 반송 장치(16)는, 액 처리 후의 웨이퍼(W)를 제 1 유지부(110)로부터 제 2 유지부(120)로 옮겨 든다.
이어서, 기판 처리 시스템(1)에서는, 제 1 퍼지 처리가 개시된다(단계(S105)). 구체적으로, 반송 장치(16)는, 유량 조정부(124c)(도 5 참조)를 이용하여 공급관(124b)을 엶으로써, 제 1 기체 공급부(124)가 구비하는 복수의 토출구(124a)로부터 웨이퍼(W)의 이면의 외주부를 향해 기체를 토출한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 액막(L)의 액이 웨이퍼(W)의 이면으로 유입되는 것이 억제된다.
이어서, 기판 처리 시스템(1)에서는, 상기 제 1 퍼지 처리를 행하고 있는 상태에서, 웨이퍼(W)를 건조 처리 유닛(18)으로 반입한다(단계(S106)).
구체적으로, 도 17에 나타내는 바와 같이, 반송 장치(16)는, 제 2 유지부(120)를 이용하여 웨이퍼(W)를 유지한 상태에서, 웨이퍼(W)를 액 처리 유닛(17)으로부터 반출한다. 그리고, 반송 장치(16)는, 건조 처리 유닛(18)의 전달 에어리어(182)에 배치된 제 3 유지부(32)의 상방에, 웨이퍼(W)를 유지한 제 2 유지부(120)를 배치시킨다.
이 후, 반송 장치(16)는, 유량 조정부(124c)를 이용하여 공급관(124b)을 닫음으로써, 제 1 퍼지 처리를 종료한다(단계(S107)).
이어서, 기판 처리 시스템(1)에서는, 반송 장치(16)가, 제 2 유지부(120)로부터 제 1 유지부(110)로의 웨이퍼(W)를 바꿔 드는 것을 행한다(단계(S108)).
구체적으로, 반송 장치(16)는, 복수의 지지 부재(122)를 상승시킨 후, 도 18에 나타내는 바와 같이, 제 1 유지부(110)를 수평 이동시킴으로써, 제 1 유지부(110)를 웨이퍼(W)의 하방에 배치시킨다. 그리고, 반송 장치(16)는, 복수의 지지 부재(122)를 하강시킴으로써, 웨이퍼(W)를 제 1 유지부(110)로 전달한다. 이 후, 도 19에 나타내는 바와 같이, 반송 장치(16)는, 제 2 유지부(120)를 후퇴시킨다.
이어서, 기판 처리 시스템(1)에서는, 반송 장치(16)로부터 건조 처리 유닛(18)으로의 웨이퍼(W)의 전달이 행해진다(단계(S109)).
구체적으로, 건조 처리 유닛(18)은, 복수의 리프터 핀(39a)을 상승시킴으로써, 제 1 유지부(110)에 유지된 웨이퍼(W)를 상승시켜, 복수의 리프터 핀(39a)에 웨이퍼(W)를 지지시킨다. 혹은, 반송 장치(16)는, 제 1 유지부(110)를 하강시킴으로써, 미리 상승시켜 둔 복수의 리프터 핀(39a)에 웨이퍼(W)를 지지시켜도 된다. 이 후, 반송 장치(16)는, 제 1 유지부(110)를 후퇴시킨다. 그리고, 건조 처리 유닛(18)은, 복수의 리프터 핀(39a)을 하강시킴으로써, 제 3 유지부(32)에 웨이퍼(W)를 유지시킨다.
이어서, 기판 처리 시스템(1)에서는, 제 2 퍼지 처리가 개시된다(단계(S110)). 구체적으로, 건조 처리 유닛(18)은, 유량 조정부(35c)(도 9 참조)를 이용하여 공급관(35b)을 엶으로써, 제 2 기체 공급부(35)가 구비하는 토출부(35a)로부터 제 3 유지부(32)가 구비하는 베이스부(32a)의 하면을 향해 기체를 토출한다.
베이스부(32a)의 하면에 토출된 기체는, 베이스부(32a)에 형성된 복수의 관통홀(32d)을 지나 웨이퍼(W)의 이면에 도달한 후, 웨이퍼(W)의 이면을 따라 웨이퍼(W)의 이면의 외주부를 향해 흐른다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 액막(L)의 액이 웨이퍼(W)의 이면으로 유입되는 것이 억제된다.
이어서, 건조 처리 유닛(18)은, 이동 기구(33a)(도 8 참조)를 이용하여 제 3 유지부(32)를 수평 이동시킴으로써, 웨이퍼(W)를 처리 용기(31)로 반입한다(단계(S111)). 건조 처리 유닛(18)은, 제 3 유지부(32)의 이동이 개시된 후, 웨이퍼(W)가 처리 용기(31) 내로 반입되기 전에, 제 2 기체 공급부(35)에 의한 기체의 토출을 정지한다. 또한, 건조 처리 유닛(18)은, 제 3 유지부(32)의 이동이 개시되기 전에, 제 2 기체 공급부(35)에 의한 기체의 토출을 정지시켜도 된다.
이어서, 기판 처리 시스템(1)에서는, 초임계 건조 처리가 행해진다(단계(S112)). 구체적으로, 건조 처리 유닛(18)은, 액막 형성 처리 후의 웨이퍼(W)를 초임계 상태의 처리 유체와 접촉시킴으로써 동일 웨이퍼(W)를 건조시킨다.
이어서, 기판 처리 시스템(1)에서는, 반송 장치(16)가, 웨이퍼(W)를 건조 처리 유닛(18)으로부터 반출한다(단계(S113)). 구체적으로, 반송 장치(16)는, 초임계 건조 처리 후의 웨이퍼(W)를 제 1 유지부(110)를 이용하여 유지하고, 유지한 웨이퍼(W)를 반송 장치(16)로부터 반출한다. 이 후, 반송 장치(16)는, 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치하고, 반송 장치(13)는, 전달부(14)로부터 웨이퍼(W)로부터 취출하여 캐리어(C)로 되돌린다. 이에 의해, 1 매의 웨이퍼(W)에 대한 일련의 기판 처리가 종료된다.
[6. 변형예]
반송 장치(16)는, 제 1 퍼지 처리에 있어서, 제 1 기체 공급부(124)로부터 공급되는 기체의 유량을 반송 장치(16)의 동작에 따라 변경해도 된다.
예를 들면, 반송 장치(16)는, 단계(S106)에 있어서, 제 2 진퇴 기구(140)에 의한 제 2 유지부(120)의 수평 이동의 개시 시점을 포함하는 미리 정해진 기간, 및, 종료 시점을 포함하는 미리 정해진 시간에 있어서, 기체의 유량을 증가시켜도 된다. 또한, 반송 장치(16)는, 단계(S106)에 있어서, 수평 이동 기구(160)에 의한 제 2 유지부(120)의 수평 이동의 개시 시점을 포함하는 미리 정해진 기간, 및, 종료 시점을 포함하는 미리 정해진 시간에 있어서, 기체의 유량을 증가시켜도 된다. 이에 의해, 제 2 유지부(120)의 동작 개시 또는 동작 종료, 혹은, 방향 전환 시에, 웨이퍼(W)로부터 액막(L)의 액이 흘러넘치는 것을 보다 확실하게 억제할 수 있다.
또한, 반송 장치(16)는, 액막 형성 처리에 있어서 웨이퍼(W)의 표면에 형성되는 액막(L)의 액량에 따라, 제 1 퍼지 처리에 있어서 제 1 기체 공급부(124)로부터 공급되는 기체의 유량을 변경해도 된다. 즉, 반송 장치(16)는, 액막(L)의 액량이 많을수록, 제 1 기체 공급부(124)로부터 공급되는 기체의 유량을 증가시켜도 된다. 이에 의해, 액막(L)의 액의 웨이퍼(W)의 이면으로의 유입을 보다 적절히 억제할 수 있다.
상술한 바와 같이, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(일례로서, 기판 처리 시스템(1))는, 액 처리부(일례로서, 액 처리 유닛(17))와, 건조 처리부(일례로서, 건조 처리 유닛(18))와, 반송부(일례로서, 반송 장치(16))와, 기체 공급부(일례로서, 제 1 기체 공급부(124) 및 제 2 기체 공급부(35))를 구비한다. 액 처리부는, 기판(일례로서, 웨이퍼(W))에 대하여 액 처리를 행함으로써 기판의 표면을 적신다. 건조 처리부는, 액 처리부와 상이한 장소에 배치되고, 표면이 젖은 기판을 건조시키는 건조 처리를 행한다. 반송부는, 표면이 젖은 기판을 액 처리부로부터 취출하여 건조 처리부로 반송한다. 기체 공급부는, 표면이 젖은 기판이 액 처리부로부터 취출되고 나서 건조 처리부에 있어서 건조 처리가 개시될 때까지의 기간 중 적어도 일부의 기간에 있어서, 표면이 젖은 기판의 이면에 기체를 공급한다.
이에 의해, 표면이 젖은 기판이 액 처리부로부터 취출되고 나서 건조 처리부에 있어서 건조 처리가 개시될 때까지의 기간 중 적어도 일부의 기간에 있어서, 기판의 표면으로부터 이면으로의 액의 유입이 억제된다. 따라서, 초임계 상태의 처리 유체를 이용하여 기판을 건조시키는 기술에 있어서, 기판의 표면에 대한 파티클의 부착을 억제할 수 있다.
기체 공급부는, 제 1 기체 공급부(일례로서, 제 1 기체 공급부(124))를 포함하고 있어도 된다. 제 1 기체 공급부는, 반송부에 마련된다. 반송부에 제 1 기체 공급부를 마련함으로써, 예를 들면, 액 처리부로부터 건조 처리부로의 반송 중에 있어서의 기판의 이면으로의 액의 유입을 억제할 수 있다.
반송부는 제 1 유지부(일례로서, 제 1 유지부(110))와, 제 2 유지부(일례로서, 제 2 유지부(120))와, 수평 이동 기구(일례로서, 수평 이동 기구(160))를 구비하고 있어도 된다. 제 1 유지부는, 표면이 젖은 기판을 액 처리부로부터 수취한다. 제 2 유지부는, 표면이 젖은 기판을 제 1 유지부로부터 수취하여 건조 처리부로 반송한다. 수평 이동 기구는, 액 처리부 및 건조 처리부 간에 있어서 제 1 유지부 및 제 2 유지부를 이동시킨다. 이 경우, 제 1 기체 공급부는, 제 2 유지부에 마련되어도 된다.
기판을 액 처리부로부터 수취하는 제 1 유지부와는 별개로 제 2 유지부를 마련하고, 이러한 제 2 유지부에 제 1 기체 공급부를 마련함으로써, 기판을 액 처리부로부터 수취하는 동작에 지장을 주지 않고, 기판의 이면으로의 액의 유입을 억제할 수 있다.
제 2 유지부는 베이스부(일례로서, 베이스부(121))와, 복수의 지지 부재(일례로서, 복수의 지지 부재(122))를 구비하고 있어도 된다. 베이스부는, 제 1 유지부의 하방에 배치된다. 복수의 지지 부재는, 베이스부에 대하여 승강 가능하며, 표면이 젖은 기판을 하방으로부터 지지한다. 이 경우, 제 1 기체 공급부는, 베이스부에 마련되어도 된다. 제 1 기체 공급부를 베이스부에 마련함으로써, 제 2 유지부와 함께 이동하는 기판에 대하여, 기체의 공급을 용이하게 행할 수 있다.
제 2 유지부는 복수의 파지부(일례로서, 복수의 파지부(123))를 더 구비하고 있어도 된다. 복수의 파지부는, 표면이 젖은 기판을 측방으로부터 파지한다. 복수의 파지부를 이용하여 표면이 젖은 기판을 측방으로부터 파지함으로써, 제 1 기체 공급부로부터 공급되는 기체에 의한 기판의 위치 어긋남을 억제할 수 있다.
제 1 기체 공급부는 복수의 토출구(일례로서, 복수의 토출구(124a))를 구비하고 있어도 된다. 복수의 토출구는, 기판의 이면의 외주부를 향해 기체를 토출한다. 이에 의해, 기판의 이면으로의 액의 유입을 보다 확실하게 억제할 수 있다.
기체 공급부는 제 2 기체 공급부(일례로서, 제 2 기체 공급부(35))를 포함하고 있어도 된다. 제 2 기체 공급부는, 건조 처리부에 마련된다. 건조 처리부에 제 2 기체 공급부(35)를 마련함으로써, 예를 들면, 표면이 젖은 상태의 기판이 건조 처리부로 반입된 후, 건조 처리가 개시될 때까지의 사이에 있어서의 기판의 이면으로의 액의 유입을 억제할 수 있다.
건조 처리부는 처리 용기(일례로서, 처리 용기(31))와, 제 3 유지부(일례로서, 제 3 유지부(32))와, 이동 기구(일례로서, 이동 기구(33a))를 더 구비한다. 처리 용기는, 건조 처리가 행해진다. 제 3 유지부는, 표면이 젖은 기판을 유지한다. 이동 기구는, 처리 용기에 인접하는 전달 에어리어(일례로서, 전달 에어리어(182))와 처리 용기의 내부와의 사이에서 제 3 유지부를 이동시킨다. 이 경우, 제 2 기체 공급부는, 전달 에어리어에 마련되어도 된다. 전달 에어리어에 제 2 기체 공급부를 마련함으로써, 예를 들면, 건조 처리가 개시될 때까지의 사이, 표면이 젖은 기판을 전달 에어리어에 있어서 대기시키는 경우에, 대기 중에 있어서의 기판의 이면으로의 액의 유입을 억제할 수 있다.
기체 공급부는, 기판의 이면에 대하여 불활성 가스를 공급해도 된다. 불활성 가스를 이용함으로써, 예를 들면, 기판의 산화 등을 억제할 수 있다.
또한, 상술한 실시 형태에서는, 액 처리부에 있어서 기판의 표면에 액막을 형성하는 경우의 예에 대하여 설명했지만, 기판 처리 장치는, 액 처리부에 있어서 기판의 표면을 적시면 되며, 반드시 기판의 표면에 액막을 형성하는 것을 요하지 않는다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 실로, 상기한 실시 형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기의 실시 형태는 첨부한 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
W : 웨이퍼
1 : 기판 처리 시스템
2 : 반입반출 스테이션
3 : 처리 스테이션
5 : 처리 블록
16 : 반송 장치
17 : 액 처리 유닛
18 : 건조 처리 유닛
19 : 공급 유닛
31 : 처리 용기
32 : 제 3 유지부
35 : 제 2 기체 공급부
110 : 제 1 유지부
120 : 제 2 유지부
121 : 베이스부
122 : 지지 부재
123 : 파지부
124 : 제 1 기체 공급부
125 : 배액부
130 : 제 1 진퇴 기구
140 : 제 2 진퇴 기구
150 : 승강 기구
160 : 수평 이동 기구

Claims (10)

  1. 기판에 대하여 액 처리를 행함으로써 상기 기판의 표면을 적시는 액 처리부와,
    상기 액 처리부와 상이한 장소에 배치되고, 상기 표면이 젖은 상기 기판을 건조시키는 건조 처리를 행하는 건조 처리부와,
    상기 표면이 젖은 상기 기판을 상기 액 처리부로부터 취출하여 상기 건조 처리부로 반송하는 반송부와,
    상기 표면이 젖은 상기 기판이 상기 액 처리부로부터 취출되고 나서 상기 건조 처리부에 있어서 상기 건조 처리가 개시될 때까지의 기간 중 적어도 일부의 기간에 있어서, 상기 표면이 젖은 상기 기판의 이면에 기체를 공급하는 기체 공급부
    를 구비하는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기체 공급부는,
    상기 반송부에 마련된 제 1 기체 공급부
    를 포함하는, 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 반송부는,
    상기 표면이 젖은 상기 기판을 상기 액 처리부로부터 수취하는 제 1 유지부와,
    상기 표면이 젖은 상기 기판을 상기 제 1 유지부로부터 수취하여 상기 건조 처리부로 반송하는 제 2 유지부와,
    상기 액 처리부 및 상기 건조 처리부 간에 있어서 상기 제 1 유지부 및 상기 제 2 유지부를 이동시키는 수평 이동 기구
    를 구비하고,
    상기 제 1 기체 공급부는,
    상기 제 2 유지부에 마련되는, 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 유지부는,
    상기 제 1 유지부의 하방에 배치되는 베이스부와,
    상기 베이스부에 대하여 승강 가능하며, 상기 표면이 젖은 상기 기판을 하방으로부터 지지하는 복수의 지지 부재
    를 구비하고,
    상기 제 1 기체 공급부는,
    상기 베이스부에 마련되는, 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 유지부는,
    상기 표면이 젖은 상기 기판을 측방으로부터 파지하는 복수의 파지부
    를 더 구비하는, 기판 처리 장치.
  6. 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 기체 공급부는,
    상기 기판의 이면의 외주부를 향해 상기 기체를 토출하는 복수의 토출구를 구비하는, 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기체 공급부는,
    상기 건조 처리부에 마련된 제 2 기체 공급부
    를 포함하는, 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 건조 처리부는,
    상기 건조 처리가 행해지는 처리 용기와,
    상기 표면이 젖은 상기 기판을 유지하는 제 3 유지부와,
    상기 처리 용기에 인접하는 전달 에어리어와 상기 처리 용기의 내부와의 사이에서 상기 제 3 유지부를 이동시키는 이동 기구
    를 더 구비하고,
    상기 제 2 기체 공급부는,
    상기 전달 에어리어에 마련되는, 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기체 공급부는,
    상기 기판의 이면에 대하여 불활성 가스를 공급하는, 기판 처리 장치.
  10. 기판에 대하여 액 처리를 행하는 액 처리부를 이용하여 상기 기판의 표면을 적시는 공정과,
    상기 액 처리부와 상이한 장소에 배치되고, 상기 표면이 젖은 상기 기판을 건조시키는 건조 처리부를 이용하여 상기 표면이 젖은 상기 기판을 건조시키는 공정과,
    상기 표면이 젖은 상기 기판을 상기 액 처리부로부터 취출하여 상기 건조 처리부로 반송하는 공정과,
    상기 표면이 젖은 상기 기판이 상기 액 처리부로부터 취출되고 나서 상기 건조 처리부에 있어서 상기 건조시키는 공정이 개시될 때까지의 기간 중 적어도 일부의 기간에 있어서, 상기 표면이 젖은 상기 기판의 이면에 기체를 공급하는 공정
    을 포함하는, 기판 처리 방법.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4335213B2 (ja) * 2003-10-08 2009-09-30 株式会社蔵王ニコン 基板搬送装置、露光装置、デバイス製造方法
JP2008243935A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP6906331B2 (ja) * 2017-03-02 2021-07-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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