JP2022159601A - 基板処理装置、及び基板処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】複数の基板処理部が順番に基板を処理する基板処理装置の生産性を向上する基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置１は、複数の第１基板処理部３２と、１以上の第２基板処理部３３と、搬送部３１と、を備える。第１基板処理部（液処理装置）は、基板を１枚ずつ処理液で処理する。第２基板処理部（乾燥装置）は、複数の第１基板処理部で処理された複数枚の基板を同時に乾燥する。搬送部は、複数の第１基板処理部で処理された複数枚の基板を、同一の第２基板処理部に同時に搬入する。【選択図】図１

Description

本開示は、基板処理装置、及び基板処理方法に関する。
特許文献１に記載の基板処理システムは、ウェハに洗浄液を供給して洗浄処理を行う複数の洗浄装置と、洗浄処理のウェハに残留している乾燥防止用の液体（例えばＩＰＡ）を、超臨界状態の処理流体（例えば二酸化炭素）と接触させて除去する複数の超臨界処理装置と、を備える。
特開２０１８－８１９６６号公報
本開示の一態様は、複数の基板処理部が順番に基板を処理する基板処理装置の生産性を向上する、技術を提供する。
本開示の一態様に係る基板処理装置は、複数の第１基板処理部と、１以上の第２基板処理部と、搬送部と、を備える。前記第１基板処理部は、基板を１枚ずつ処理する。前記第２基板処理部は、複数の前記第１基板処理部で処理された複数枚の前記基板を同時に処理する。前記搬送部は、複数の前記第１基板処理部で処理された複数枚の前記基板を、同一の前記第２基板処理部に同時に搬入する。
本開示の一態様によれば、複数の基板処理部が順番に基板を処理する基板処理装置の生産性を向上できる。
図１は、一実施形態に係る基板処理装置の平面図である。 図２は、一実施形態に係る基板処理装置の正面図である。 図３は、一実施形態に係る基板処理装置の側面図である。 図４は、一実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 図５（Ａ）は一実施形態に係る乾燥装置の断面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）の乾燥装置の内部構造を示す斜視図である。 図６は一実施形態に係る基板処理装置の動作を示す平面図であり、（Ａ）～（Ｉ）は複数の段階を順番に示す平面図である。 図７は、第１変形例に係る基板処理装置の平面図である。 図８（Ａ）は第１変形例に係る第１搬送機構と第２搬送機構の衝突を示す平面図であり、図８（Ｂ）は第１搬送機構と第２搬送機構のすれ違いを示す平面図である。 図９（Ａ）は図８（Ａ）の側面図であり、図９（Ｂ）は図８（Ｂ）の側面図である。 図１０は第１変形例に係る基板処理装置の動作を示す平面図であって、（Ａ）～（Ｉ）は複数の段階を順番に示す平面図である。 図１１は、図１０に続き、第１変形例に係る基板処理装置の動作を示す平面図であって、（Ａ）～（Ｉ）は複数の段階を順番に示す平面図である。 図１２は、図１１に続き、第１変形例に係る基板処理装置の動作を示す平面図であって、（Ａ）～（Ｃ）は複数の段階を順番に示す平面図である。 図１３は第２変形例に係る基板処理装置の動作を示す平面図であって、（Ａ）～（Ｇ）は複数の段階を順番に示す平面図である。 図１４（Ａ）は図１３（Ｂ）の段階を示す側面図であり、図１４（Ｂ）は図１３（Ｆ）の段階を示す側面図である。 図１５は第３変形例に係る基板処理装置の動作を示す平面図であって、（Ａ）～（Ｆ）は複数の段階を順番に示す平面図である。 図１６（Ａ）は図１５（Ａ）の段階を示す側面図であり、図１６（Ｂ）は図１５（Ｂ）の段階を示す側面図であり、図１６（Ｃ）は図１５（Ｅ）の段階を示す側面図である。 図１７は、第４変形例に係る基板処理装置の平面図である。 図１８は、第４変形例に係る基板処理装置の側面図である。 図１９は、第５変形例に係る基板処理装置の側面図である。 図２０は、搬送部の変形例を示す側面図である。
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。本明細書において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向は互いに垂直な方向である。Ｘ軸方向及びＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向である。
先ず、図１～図３を参照して、実施形態の基板処理装置１について説明する。図１に示すように、基板処理装置１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは、Ｙ軸方向に隣接して設けられる。
搬入出ステーション２は、キャリア載置部２１と、第２搬送部２２と、受渡部２３と、を備える。キャリア載置部２１は、キャリアＣが載置されるものである。キャリアＣは、複数枚の基板Ｗを収容する。複数枚の基板Ｗは、キャリアＣ内に鉛直方向に間隔をおいて並んでおり、それぞれ水平に収容される。
基板Ｗは、シリコンウェハ若しくは化合物半導体ウェハ等の半導体基板、又はガラス基板を含む。基板Ｗは、半導体基板又はガラス基板の表面に形成される電子回路などのデバイスを更に含んでもよい。基板Ｗは、その表面に凹凸パターンを有してもよい。
第２搬送部２２は、キャリア載置部２１に隣接して設けられ、キャリアＣから基板Ｗを取り出す。第２搬送部２２は、Ｘ軸方向に延びる搬送路２２１と、基板Ｗを保持する保持部２２２と、を有する。保持部２２２は、例えばフォーク状である。保持部２２２は、水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向の両方向）及び鉛直方向への移動、並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能である。保持部２２２の数は、１つでもよいし、複数でもよい。
受渡部２３は、第２搬送部２２に隣接して設けられ、第２搬送部２２によって渡される基板Ｗを受け取る。受渡部２３は、複数枚の基板Ｗを載置するトランジション装置２４を有する。図２に示すように複数のトランジション装置２４が鉛直方向に積層されてもよい。但し、トランジション装置２４の配置及び数は、特に限定されない。
処理ステーション３は、第１搬送部３１と、液処理装置３２と、乾燥装置３３と、を備える。図２に示すように、複数の液処理装置３２が鉛直方向に積層されてもよい。同様に、複数の乾燥装置３３が鉛直方向に積層されてもよい。また、図３に示すように、複数の第１搬送部３１が鉛直方向に積層されてもよい。第１搬送部３１は、第１搬送部３１と同じ高さの複数の装置（例えばトランジション装置２４と液処理装置３２と乾燥装置３３）の間で基板Ｗを搬送する。
第１搬送部３１は、Ｙ軸方向に延びる搬送路３１１と、基板Ｗを保持する保持部３１２と、を有する。保持部３１２は、例えばフォーク状である。保持部３１２は、水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向の両方向）及び鉛直方向への移動、並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能である。保持部３１２の数は、複数（例えば２つ）である。
液処理装置３２は、基板Ｗの表面を処理液で処理する。液処理装置３２は、例えば、基板Ｗを水平に保持するスピンチャックと、基板Ｗの上面に処理液を吐出するノズルとを含む。ノズルは、回転する基板Ｗの上面の中心に処理液を供給する。処理液は、遠心力によって基板Ｗの上面の中心から周縁に向けて濡れ広がる。処理液として、例えば薬液と、リンス液と、乾燥液とが、この順番で供給される。複数種類の薬液が供給されてもよく、一の薬液の供給と別の薬液の供給との間にもリンス液が供給されてもよい。液処理装置３２は、基板Ｗの径方向にノズルを移動させる移動機構を含んでもよい。
液処理装置３２は、例えば、水平な基板Ｗの上面に薬液の液膜を形成し、続いて薬液の液膜をリンス液の液膜に置換し、次いでリンス液の液膜を乾燥液の液膜に置換する。薬液は、例えばＳＣ１（アンモニアと過酸化水素の水溶液）、ＤＨＦ（希フッ酸）、又はＳＰＭ（硫酸と過酸化水素の水溶液）等である。リンス液は、例えばＤＩＷ（脱イオン水）、希釈アンモニア水、又はオゾン水等である。乾燥液は、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の有機溶剤である。
乾燥装置３３は、例えば、基板Ｗの上に盛られた乾燥液を超臨界流体に置換し、基板Ｗを乾燥する。超臨界流体は、臨界温度以上の温度と、臨界圧力以上の圧力下におかれた流体であり、液体と気体の区別がつかない状態の流体である。乾燥液を超臨界流体に置換すれば、基板Ｗの凹凸パターンに液体と気体の界面が現れるのを抑制できる。その結果、表面張力の発生を抑制でき、凹凸パターンの倒壊を抑制できる。乾燥装置３３は、処理容器３３１と、供給機構３３２と、を備える。
供給機構３３２は、処理容器３３１に対して流体を供給する。具体的には、供給機構３３２は、流量計、流量調整器、背圧弁、ヒータなどを含む供給機器群と、供給機器群を収容する筐体とを備える。供給機構３３２は、流体として例えばＣＯ２を、処理容器３３１に供給する。供給機構３３２は、処理容器３３１から流体を排出する排出機構を兼ねてもよい。供給機構３３２は、図１に示すように処理容器３３１を挟んで２つに分割して設けられてもよい。後述する複数のグループＧ１、Ｇ２で、基板Ｗの搬送時間を揃えることができる。
基板処理装置１は、制御部５を備える。制御部５は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）５１と、メモリ等の記憶媒体５２とを備える。記憶媒体５２には、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部５は、記憶媒体５２に記憶されたプログラムをＣＰＵ５１に実行させることにより、基板処理装置１の動作を制御する。
次に、図４を参照して、実施形態に係る基板処理方法について説明する。基板処理方法は、例えばステップＳ１～Ｓ８を有する。ステップＳ１～Ｓ８は、制御部５による制御下で実施される。
先ず、第２搬送部２２が、キャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗをトランジション装置２４に搬送する。続いて、第１搬送部３１が、トランジション装置２４から基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを液処理装置３２に搬入する（Ｓ１）。
次に、液処理装置３２が、水平な基板Ｗの上面に薬液を供給する（Ｓ２）。薬液は、回転する基板Ｗの上面の中心に供給され、遠心力によって上面の径方向全体に広がり、液膜を形成する。
次に、液処理装置３２が、水平な基板Ｗの上面にリンス液を供給する（Ｓ３）。リンス液は、回転する基板Ｗの上面の中心に供給され、遠心力によって上面の径方向全体に広がり、液膜を形成する。薬液の液膜がリンス液の液膜に置換される。
次に、液処理装置３２が、水平な基板Ｗの上面に乾燥液を供給する（Ｓ４）。乾燥液は、回転する基板Ｗの上面の中心に供給され、遠心力によって上面の径方向全体に広がり、液膜を形成する。リンス液の液膜が乾燥液の液膜に置換される。
次に、第１搬送部３１が、液処理装置３２から基板Ｗを搬出し（Ｓ５）、搬出した基板Ｗを乾燥装置３３に搬入する（Ｓ６）。第１搬送部３１は、乾燥液を液盛りした状態で、基板Ｗを液処理装置３２から乾燥装置３３に搬送する。第１搬送部３１は、基板Ｗを水平に保持する。
次に、乾燥装置３３が、基板Ｗの上に液盛りされた乾燥液を超臨界流体に置換することで、基板Ｗを乾燥する（Ｓ７）。乾燥液を超臨界流体に置換すれば、基板Ｗの凹凸パターンに液体と気体の界面が現れるのを抑制できる。その結果、表面張力の発生を抑制でき、凹凸パターンの倒壊を抑制できる。
最後に、第１搬送部３１が、乾燥装置３３から基板Ｗを搬出する（Ｓ８）。第１搬送部３１は、取り出した基板Ｗをトランジション装置２４に搬送する。続いて、第２搬送部２２が、トランジション装置２４から基板Ｗを取り出し、取り出した基板ＷをキャリアＣに収納する。
次に、図５を参照して、乾燥装置３３について説明する。乾燥装置３３は、基板Ｗを収容する処理容器３３１を備える。処理容器３３１は、図５（Ａ）に示すように、例えば、下壁と、上壁と、一対の側壁と、を含む。乾燥装置３３は、処理容器３３１の内部に、基板Ｗを保持する保持部３３３を備える。
保持部３３３は、例えば処理容器３３１の内部に固定されており、特許文献１のように処理容器３３１の開口部を介して処理容器３３１の内部と外部で進退しなくてもよい。特許文献１のように、処理容器３３１の外部に、保持部３３３と第１搬送部３１との間で基板Ｗを受け渡すエリアを設けずに済むので、乾燥装置３３を小型化できる。
また、保持部３３３が処理容器３３１の内部に固定されていれば、特許文献１のように保持部３３３が進退する場合とは異なり、摺動部品同士のバックラッシュが発生しない。その結果、保持部３３３の振動を抑制でき、基板Ｗの振動を抑制でき、乾燥液が基板Ｗから零れ落ちるのを抑制できる。
保持部３３３は、複数枚の基板Ｗを同時に保持する。複数枚の基板Ｗを同一の乾燥装置３３で同時に乾燥でき、基板処理装置１の生産性を向上できる。また、乾燥装置３３の数を減らすことができ、コストを低減できる。コストを低減する効果は、乾燥装置３３が超臨界流体で基板Ｗを乾燥する場合に顕著に得られる。超臨界流体は高い圧力を有するので、処理容器３３１などの部品には耐圧性が要求されるからである。
保持部３３３は、例えば、鉛直方向に間隔をおいて並ぶ複数枚（例えば２枚）の基板Ｗの各々を水平に保持する。保持部３３３は、下側の基板Ｗを下から支える複数本のピン３３４と、複数本のピン３３４を下から支持する複数本の梁３３５と、を含む。梁３３５はＸ軸方向に延びており、梁３３５の一端にピン３３４が設けられる。梁３３５は、処理容器３３１の下壁の溝に挿入されている。梁３３５は、図５（Ｂ）に示すようにねじ３３６などで処理容器３３１に対して固定されている。
また、保持部３３３は、上側の基板Ｗを下方から支える複数の水平板３３７と、複数の水平板３３７を横から支持する複数本の梁３３８と、を含む。梁３３８はＸ軸方向に延びており、梁３３８の途中に水平板３３７が設けられる。梁３３８は、処理容器３３１の下壁の溝に挿入されており、処理容器３３１の側壁に当接されている。梁３３８は、図５（Ｂ）に示すようにねじ３３９などで処理容器３３１に対して固定される。
次に、図１を再度参照して、液処理装置３２と、乾燥装置３３との位置関係について説明する。乾燥装置３３ごとに、乾燥装置３３に同時に搬入される予定の複数枚の基板Ｗを処理する複数の液処理装置３２がグループ分けされる。各グループＧ１、Ｇ２は、例えばＬ字状であり、複数の液処理装置３２と、１つの乾燥装置３３とを含む。
各グループＧ１、Ｇ２において、複数の液処理装置３２が搬送路３１１を挟んで対称配置されており、乾燥装置３３が１つの液処理装置３２に隣接している。また、グループＧ１の乾燥装置３３と、グループＧ２の乾燥装置３３とが、搬送路３１１を挟んで対称配置されている。この配置によれば、複数のグループＧ１、Ｇ２で、基板Ｗの搬送時間を揃えることができる。
第１搬送部３１は、例えば、図３に示すように、搬送路３１１に沿ってＹ軸方向に移動する移動ベース３１３を１つ備える。１つの移動ベース３１３がＹ軸方向に移動することで、複数の保持部３１２が同時にＹ軸方向に移動する。移動ベース３１３の上には、昇降機構３１４と、回転機構３１５と、移動機構３１６と、が設けられる。
昇降機構３１４は、複数の保持部３１２を同時に昇降させる。例えば、昇降機構３１４は、回転機構３１５を昇降させることで、移動機構３１６及び複数の保持部３１２を同時に昇降させる。
回転機構３１５は、複数の保持部３１２を鉛直な回転軸を中心に回転させる。例えば、回転機構３１５は、移動機構３１６を回転させることで、複数の保持部３１２を同時に回転させる。
移動機構３１６は、複数の保持部３１２を個別に水平方向（例えばＸ軸方向）に移動させる。回転機構３１５によって移動機構３１６の回転角を変えれば、複数の保持部３１２を個別にＹ軸方向に移動させることも可能である。
複数の保持部３１２と、移動ベース３１３と、昇降機構３１４と、回転機構３１５と、移動機構３１６とで、搬送機構３１９が構成される。搬送機構３１９は、搬送路３１１に沿って移動し、搬送路３１１に隣接する複数の装置間で基板Ｗを搬送する。
次に、図６を参照して、実施形態に係る基板処理装置１の動作について説明する。図６において、ドットパターンを付した基板Ｗは乾燥液が液盛りされていることを表し、斜めのストライプパターンを付した基板Ｗは乾燥済みであることを表す。ドットパターン及びストライプパターンの意味は、図１０～図１３及び図１５において同様である。以下、グループＧ１を用いた基板Ｗの処理について説明する。グループＧ２を用いた基板Ｗの処理は、同様であるので、図示及び説明を省略する。
図６（Ａ）～図６（Ｃ）に示すように、搬送機構３１９は、同一の乾燥装置３３に同時に搬入される予定の複数枚の基板Ｗを、トランジション装置２４から同時に取り出し、複数の液処理装置３２に順番に搬入する。なお、搬送機構３１９は、１枚の基板Ｗを、トランジション装置２４から取り出し、液処理装置３２に搬入することを、繰り返し実施してもよい。
次に、図６（Ｄ）に示すように、複数の液処理装置３２は、同一の乾燥装置３３に同時に搬入される予定の複数枚の基板Ｗの上に乾燥液を液盛りすることを、同時に完了してもよい。液盛りの完了と同時に、自然乾燥が始まる。液盛りを同時に完了すれば、液盛りの完了から乾燥装置３３への搬入までの時間を揃えることができ、自然乾燥量を揃えることができる。従って、乾燥装置３３への搬入時に乾燥液の量を揃えることができる。乾燥液の揮発性が高い場合、例えば乾燥液がＩＰＡである場合に、特に有効である。
なお、複数の液処理装置３２は、同一の乾燥装置３３に同時に搬入される予定の複数枚の基板Ｗの上に乾燥液を液盛りすることを、同時に開始させてもよい。乾燥液の液盛りにかかる時間は。複数の液処理装置３２で同一である。それゆえ、乾燥液の液盛りを同時に開始すれば、乾燥液の液盛りを同時に完了できる。薬液の供給開始のタイミングは、特に限定されないが、好ましくは同時である。複数の液処理装置３２への基板Ｗの搬入が完了するのを待って、薬液の供給が同時に開始される。
次に、図６（Ｅ）及び図６（Ｆ）に示すように、搬送機構３１９は、複数の液処理装置３２から複数枚の基板Ｗを順番に搬出する。次に、図６（Ｇ）に示すように、搬送機構３１９は、複数枚の基板Ｗを乾燥装置３３に向けて移動させる。このとき、各基板Ｗの上には、乾燥液が液盛りされた状態である。
次に、図６（Ｈ）に示すように、搬送機構３１９は、複数の液処理装置３２で処理された複数枚の基板Ｗを、同一の乾燥装置３３に同時に搬入する。次に、図６（Ｉ）に示すように、乾燥装置３３が、各基板Ｗの上に液盛りされた乾燥液を超臨界流体に置換することで、基板Ｗを乾燥する。乾燥装置３３は、複数枚の基板Ｗを同時に乾燥する。
次に、図示しないが、搬送機構３１９は、乾燥装置３３から複数枚の基板Ｗを同時に搬出し、トランジション装置２４に同時に搬入する。その後、第２搬送部２２が、トランジション装置２４から複数枚の基板Ｗを同時に又は順番に搬出し、搬出した複数枚の基板Ｗを同時に又は順番にキャリアＣに収納する。
本実施形態では、液処理装置３２が特許請求の範囲に記載の第１基板処理部に相当し、乾燥装置３３が特許請求の範囲に記載の第２基板処理部に相当する。なお、第１基板処理部は、基板Ｗを１枚ずつ処理する装置であれば、特に限定されない。また、第２基板処理部は、複数の第１基板処理部で処理された複数枚の基板Ｗを同時に処理する装置であれば、特に限定されない。第２基板処理部は、基板Ｗを乾燥装置３３で乾燥する前に、基板Ｗの上に液盛りされた乾燥液の重量を測定する検査装置であってもよい。また、第２基板処理部は、基板Ｗを乾燥装置３３で乾燥した後に、基板Ｗに紫外線を照射し、基板Ｗに付着した有機物を除去する洗浄装置であってもよい。また、乾燥装置３３は、超臨界乾燥装置には限定されず、例えば減圧乾燥装置であってもよい。下記の第１変形例～第５変形例において、同様である。
次に、図７～図９を参照して、第１変形例に係る基板処理装置１について説明する。以下、第１変形例と上記実施形態との相違点について主に説明する。図７に示すように、第１搬送部３１は、１つの搬送路３１１に沿って個別に移動する複数の移動ベース３１３Ａ、３１３Ｂを備える。
図９に示すように、移動ベース３１３Ａの上には、上記実施形態と同様に、昇降機構３１４Ａと、回転機構３１５Ａと、移動機構３１６Ａと、が設けられる。複数の保持部３１２Ａと、移動ベース３１３Ａと、昇降機構３１４Ａと、回転機構３１５Ａと、移動機構３１６Ａとで、第１搬送機構３１９Ａが構成される。
第１搬送機構３１９Ａは、搬送路３１１に沿って移動し、搬送路３１１に隣接する複数の装置間で基板Ｗを搬送する。第１搬送機構３１９Ａは、トランジション装置２４と複数の液処理装置３２Ａと乾燥装置３３Ａとの間で基板Ｗを搬送する。複数の液処理装置３２Ａと乾燥装置３３Ａとで、平面視Ｌ字状のグループＧ１が形成される。
同様に、移動ベース３１３Ｂの上には、昇降機構３１４Ｂと、回転機構３１５Ｂと、移動機構３１６Ｂと、が設けられる。複数の保持部３１２Ｂと、移動ベース３１３Ｂと、昇降機構３１４Ｂと、回転機構３１５Ｂと、移動機構３１６Ｂとで、第２搬送機構３１９Ｂが構成される。
第２搬送機構３１９Ｂは、第１搬送機構３１９Ａとは独立に、搬送路３１１に沿って移動し、搬送路３１１に隣接する複数の装置間で基板Ｗを搬送する。第２搬送機構３１９Ｂは、トランジション装置２４と複数の液処理装置３２Ｂと乾燥装置３３Ｂとの間で基板Ｗを搬送する。複数の液処理装置３２Ｂと乾燥装置３３Ｂとで、平面視Ｌ字状のグループＧ２が形成される。
第１搬送機構３１９Ａと第２搬送機構３１９Ｂとは、同一の搬送路３１１に沿って移動する。それゆえ、図８（Ａ）及び図９（Ａ）に示すように、第１搬送機構３１９Ａ又は第１搬送機構３１９Ａに保持されている基板Ｗと、第２搬送機構３１９Ｂ又は第２搬送機構３１９Ｂに保持されている基板Ｗとが衝突する恐れがある。
そこで、図８（Ｂ）に示すように、上方から見たときに、移動機構３１６Ａ、３１６Ｂなどの長手方向がＹ軸方向になるように、回転機構３１５Ａ、３１５Ｂが移動機構３１６Ａ、３１６Ｂを９０°回転させてもよい。図９（Ｂ）から明らかなように、第１搬送機構３１９Ａと第２搬送機構３１９Ｂがすれ違うことができる。
第１搬送機構３１９Ａと第２搬送機構３１９Ｂがすれ違う際に、保持部３１２Ａと回転機構３１５Ａと移動機構３１６Ａは、保持部３１２Ｂと回転機構３１５Ｂと移動機構３１６Ｂよりも下方に配置されるが、上方に配置されてもよい。
次に、図１０～図１２を参照して、第１変形例に係る基板処理装置１の動作について説明する。図１０（Ａ）～図１０（Ｆ）は、図６（Ａ）～図６（Ｆ）と同様であるので、簡単に説明する。
図１０（Ａ）～図１０（Ｃ）に示すように、第１搬送機構３１９Ａは、複数枚の基板Ｗを、トランジション装置２４から取り出し、複数の液処理装置３２Ａに順番に搬送する。次に、図１０（Ｄ）に示すように、複数の液処理装置３２Ａは、基板Ｗの上に乾燥液を液盛りすることを、同時に開始してもよく、また、同時に完了してもよい。次に、図１０（Ｅ）及び図１０（Ｆ）に示すように、第１搬送機構３１９Ａは、複数の液処理装置３２Ａから複数枚の基板Ｗを順番に搬出する。
次に、図１０（Ｇ）に示すように、第１搬送機構３１９Ａは、乾燥装置３３Ａに向けて移動する。このとき、各基板Ｗの上には、乾燥液が液盛りされた状態である。第１搬送機構３１９Ａが乾燥装置３３Ａに向けてＹ軸正方向に移動する間に、第２搬送機構３１９Ｂがトランジション装置２４に向けてＹ軸負方向に移動する。その途中で、第１搬送機構３１９Ａと第２搬送機構３１９Ｂがすれ違えるように、移動機構３１６Ａ、３１６Ｂの長手方向がＹ軸方向になっている。
次に、図１０（Ｈ）に示すように、第１搬送機構３１９Ａは、複数枚の基板Ｗを同一の乾燥装置３３Ａに同時に搬入する。次に、図１０（Ｉ）に示すように、乾燥装置３３Ａが、複数枚の基板Ｗを同時に乾燥する。次に、図１１（Ａ）に示すように、第１搬送機構３１９Ａは、乾燥装置３３Ａから複数枚の基板Ｗを同時に搬出する。その間に、第２搬送機構３１９Ｂは、図１０（Ｈ）に示すように、複数枚の基板Ｗをトランジション装置２４から取り出す。
次に、図１１（Ｂ）に示すように、第１搬送機構３１９Ａは、トランジション装置２４に向けて移動する。第１搬送機構３１９Ａがトランジション装置２４に向けてＹ軸負方向に移動する間に、第２搬送機構３１９Ｂが液処理装置３２Ｂに向けてＹ軸正方向に移動する。その途中で、第１搬送機構３１９Ａと第２搬送機構３１９Ｂがすれ違えるように、移動機構３１６Ａ、３１６Ｂの長手方向がＹ軸方向になっている。
次に、図１１（Ｃ）及び図１１（Ｄ）に示すように、第２搬送機構３１９Ｂは、複数枚の基板Ｗを複数の液処理装置３２Ｂに順番に搬送する。次に、図１１（Ｅ）に示すように、複数の液処理装置３２Ｂが、基板Ｗの上に乾燥液を液盛りすることを、同時に開始してもよく、また、同時に完了してもよい。
その間に、図１１（Ｃ）に示すように、第１搬送機構３１９Ａは、処理済みの複数枚の基板Ｗをトランジション装置２４に渡し、続いて未処理の複数枚の基板Ｗをトランジション装置２４から取り出す。次に、図１１（Ｄ）及び図１１（Ｅ）に示すように、第１搬送機構３１９Ａは、複数枚の基板Ｗを複数の液処理装置３２Ａに順番に搬送する。
次に、図１１（Ｆ）及び図１１（Ｇ）に示すように、第２搬送機構３１９Ｂは、複数の液処理装置３２Ｂから複数枚の基板Ｗを順番に搬出する。次に、図１１（Ｈ）に示すように、第２搬送機構３１９Ｂは、乾燥装置３３Ｂに向けて移動する。このとき、各基板Ｗの上には、乾燥液が液盛りされた状態である。次に、図１１（Ｉ）に示すように、第２搬送機構３１９Ｂは、複数枚の基板Ｗを同一の乾燥装置３３Ｂに同時に搬入する。次に、図１２（Ａ）に示すように、乾燥装置３３Ｂが、複数枚の基板Ｗを同時に乾燥する。次に、図１２（Ｂ）に示すように、第２搬送機構３１９Ｂが、乾燥装置３３Ｂから複数枚の基板Ｗを同時に搬出する。
その間に、図１１（Ｆ）～図１１（Ｉ）に示すように、複数の液処理装置３２Ａの各々が基板Ｗに対して処理液を供給する。複数の液処理装置３２Ａは、基板Ｗの上に乾燥液を液盛りすることを、同時に開始してもよく、また、同時に完了してもよい。次に、図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）に示すように、第１搬送機構３１９Ａは、複数の液処理装置３２Ａから複数枚の基板Ｗを順番に搬出する。
次に、図１２（Ｃ）に示すように、第１搬送機構３１９Ａは、乾燥装置３３Ａに向けて移動する。このとき、各基板Ｗの上には、乾燥液が液盛りされた状態である。第１搬送機構３１９Ａが乾燥装置３３Ａに向けてＹ軸正方向に移動する間に、第２搬送機構３１９Ｂがトランジション装置２４に向けてＹ軸負方向に移動する。その途中で、第１搬送機構３１９Ａと第２搬送機構３１９Ｂがすれ違えるように、移動機構３１６Ａ、３１６Ｂの長手方向がＹ軸方向になっている。
その後、図１０（Ｈ）～図１２（Ｃ）に示す動作が繰り返し行われる。
次に、図１３及び図１４を参照して、第２変形例に係る基板処理装置１の動作と第１搬送部３１について説明する。以下、第２変形例と上記実施形態との相違点について主に説明する。第１搬送部３１は、例えば、図１４に示すように、搬送路３１１に沿ってＹ軸方向に移動する移動ベース３１３を１つ備える。
１つの移動ベース３１３がＹ軸方向に移動することで、複数の保持部３１２が同時にＹ軸方向に移動する。移動ベース３１３の上には、昇降機構３１４と、回転機構３１５Ａ、３１５Ｂと、移動機構３１６Ａ、３１６Ｂと、が設けられる。
昇降機構３１４は、複数の保持部３１２を個別に昇降させる。例えば、昇降機構３１４は、回転機構３１５Ａ、３１５Ｂを個別に昇降させることで、移動機構３１６Ａ、３１６Ｂを個別に昇降させ、複数の保持部３１２を個別に昇降させる。
回転機構３１５Ａ、３１５Ｂは、複数の保持部３１２を鉛直な回転軸を中心に個別に回転させる。例えば、回転機構３１５Ａ、３１５Ｂは、移動機構３１６Ａ、３１６Ｂを個別に回転させることで、複数の保持部３１２を個別に回転させる。
移動機構３１６Ａ、３１６Ｂは、複数の保持部３１２を個別に水平方向（例えばＸ軸方向）に移動させる。回転機構３１５Ａ、３１５Ｂによって移動機構３１６Ａ、３１６Ｂの回転角を個別に調節すれば、複数の保持部３１２を個別にＹ軸方向に移動させることも可能である。
複数の保持部３１２と、移動ベース３１３と、昇降機構３１４と、回転機構３１５Ａ、３１５Ｂと、移動機構３１６Ａ、３１６Ｂとで、搬送機構３１９が構成される。搬送機構３１９は、搬送路３１１に沿って移動し、搬送路３１１に隣接する複数の装置間で基板Ｗを搬送する。
次に、図１３を参照して、第２変形例に係る基板処理装置１の動作について説明する。以下、グループＧ１（図１参照）を用いた基板Ｗの処理について説明する。グループＧ２を用いた基板Ｗの処理は、同様であるので、図示及び説明を省略する。
図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）に示すように、搬送機構３１９は、同一の乾燥装置３３に同時に搬入される予定の複数枚の基板Ｗを、トランジション装置２４から同時に取り出し、複数の液処理装置３２に同時に搬入する。図１３（Ｂ）及び図１４（Ａ）に示すように、複数の液処理装置３２が搬送路３１１を挟んで対称配置されており、複数の保持部３１２が互いに反対方向に移動し、複数枚の基板Ｗが複数の液処理装置３２に同時に搬入される。同時ではなく順番に搬入する場合に比べて、搬送時間を短縮できる。なお、順番に搬入する場合、全ての搬入が終わった後に、基板Ｗに対する薬液の供給が同時に開始されてもよい。
次に、図１３（Ｃ）に示すように、複数の液処理装置３２は、複数枚の基板Ｗの上に乾燥液を液盛りすることを、同時に開始してもよいし、また、同時に完了してもよい。次に、図１３（Ｄ）に示すように、搬送機構３１９は、複数の液処理装置３２から複数枚の基板Ｗを同時に搬出する。次に、図１３（Ｅ）に示すように、搬送機構３１９は、複数枚の基板Ｗを乾燥装置３３に向けて移動させる。このとき、各基板Ｗの上には、乾燥液が液盛りされた状態である。
次に、図１３（Ｆ）及び図１４（Ｂ）に示すように、搬送機構３１９は、複数枚の基板Ｗを、同一の乾燥装置３３に同時に搬入する。次に、図１３（Ｇ）に示すように、乾燥装置３３が、複数枚の基板Ｗを同時に乾燥する。
次に、図示しないが、搬送機構３１９は、乾燥装置３３から複数枚の基板Ｗを同時に搬出し、トランジション装置２４に同時に搬入する。その後、第２搬送部２２が、トランジション装置２４から複数枚の基板Ｗを同時に又は順番に搬出し、搬出した複数枚の基板Ｗを同時に又は順番にキャリアＣに収納する。
次に、図１５及び図１６を参照して、第３変形例に係る基板処理装置１の動作と第１搬送部３１について説明する。以下、第３変形例と上記実施形態との相違点について主に説明する。第１搬送部３１は、例えば、図１６に示すように、多関節ロボットであり、多関節アーム３１７を複数本有する。各多関節アーム３１７の先端には、保持部３１２が設けられる。保持部３１２は、多関節アーム３１７によって、水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向の両方向）及び鉛直方向への移動、並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能である。
図１５（Ａ）～図１５（Ｆ）に示す動作は、図１３（Ａ）～図１３（Ｆ）に示す動作と同様であるので、要部のみ説明する。図１５（Ｂ）及び図１６（Ａ）に示すように、複数の液処理装置３２が搬送路３１１を挟んで対称配置されており、複数の保持部３１２が互いに反対方向に移動し、複数枚の基板Ｗが複数の液処理装置３２に同時に搬入される。同時ではなく順番に搬入する場合に比べて、搬送時間を短縮できる。
次に、図１７及び図１８を参照して、第４変形例に係る基板処理装置１について説明する。以下、第４変形例と上記実施形態との相違点について主に説明する。図１７に示すように、搬送路３１１の片側に搬送路３１１に沿って並ぶ複数の液処理装置３２Ａと乾燥装置３３Ａとで、グループＧ１が形成されてもよい。同様に、搬送路３１１の反対側に搬送路３１１に沿って並ぶ複数の液処理装置３２Ｂと乾燥装置３３Ｂとで、グループＧ２が形成されてもよい。以下、グループＧ１の構成について説明する。グループＧ２の構成は、同様であるので、説明を省略する。
複数の液処理装置３２Ａが、搬送路３１１の片側に、搬送路３１１に沿って並んで配置され、互いに水平方向（Ｙ軸方向）に隣接している。また、乾燥装置３３Ａは、当該乾燥装置３３Ａに搬入される予定の基板Ｗを処理する液処理装置３２Ａに隣接している。乾燥装置３３Ａは、複数の液処理装置３２Ａに比べて、トランジション装置２４から遠い位置に配置される。この場合、乾燥装置３３Ａの処理容器３３１が搬送路３１１に隣接していればよく、乾燥装置３３Ａの供給機構３３２は搬送路３１１に隣接していなくてもよい。供給機構３３２を三方（Ｘ軸正方向、Ｘ軸負方向、及びＹ軸正方向）に開放でき、供給機構３３２のメンテナンス性を向上できる。また、搬送路３１１を短縮でき、基板Ｗの搬送時間を短縮できる。
第１搬送部３１は、例えば、図１７に示すように、搬送路３１１に沿ってＹ軸方向に移動する移動ベース３１３を１つ備える。１つの移動ベース３１３がＹ軸方向に移動することで、複数の保持部３１２が同時にＹ軸方向に移動する。第１搬送部３１は、複数枚の基板Ｗを、水平方向（Ｙ軸方向）に隣接する複数の液処理装置３２Ａに順番に搬入する。その際に、移動ベース３１３がＹ軸方向に移動させられる。
なお、図１に示すように、同一のグループＧ１に属する複数の液処理装置３２が搬送路３１１を挟んで対称配置されていれば、複数の液処理装置３２に複数枚の基板Ｗを搬入する際に、移動ベース３１３をＹ軸方向に移動させる動作を省くことができる。
図１８に示すように、１つの搬送路３１１の片側に、複数の液処理装置３２Ａが鉛直方向に積層されていてもよい。同様に、１つの搬送路３１１の反対側に、複数の液処理装置３２Ｂが鉛直方向に積層されていてもよい。液処理装置の数を増やすことで、基板処理装置１の生産性を向上できる。
図示しないが、１つの搬送路３１１の片側に、複数の乾燥装置３３Ａが鉛直方向に積層されていてもよい。同様に、１つの搬送路３１１の反対側に、複数の乾燥装置３３Ｂが鉛直方向に積層されていてもよい。乾燥装置の数を増やすことで、基板処理装置１の生産性を向上できる。
なお、第１搬送部３１は、乾燥液が液盛りされた複数枚の基板Ｗを、水平方向に並ぶ複数の液処理装置３２Ａから取り出し、乾燥装置３３Ａに同時に搬入する代わりに、鉛直方向に積層されている複数の液処理装置３２Ａから取り出し、乾燥装置３３Ａに同時に搬入してもよい。同様に、第１搬送部３１は、乾燥液が液盛りされた複数枚の基板Ｗを、水平方向に並ぶ複数の液処理装置３２Ｂから取り出し、乾燥装置３３Ａに同時に搬入する代わりに、鉛直方向に積層されている複数の液処理装置３２Ｂから取り出し、乾燥装置３３Ｂに同時に搬入してもよい。
次に、図１９を参照して、第５変形例に係る基板処理装置１について説明する。以下、第５変形例と上記実施形態との相違点について主に説明する。図１９に示すように、同一の乾燥装置３３に同時に搬入される予定の複数枚の基板Ｗを処理する複数の液処理装置３２が、１つの搬送路３１１の片側にて、鉛直方向に積層されている。そして、乾燥装置３３は、当該乾燥装置３３に同時に搬入される予定の基板Ｗを処理する液処理装置３２とは、１つの搬送路３１１を挟んで反対側に配置されている。この場合、移動ベース３１３をＹ軸方向に移動させることなく、複数の液処理装置３２に対する複数枚の基板Ｗの搬入出と、乾燥装置３３に対する複数枚の基板Ｗの搬入とを実施できる。
次に、図２０を参照して、第１搬送部３１の変形例について説明する。本変形例の第１搬送部３１は、上記第１変形例の第１搬送部３１と同様に、第１搬送機構３１９Ａと第２搬送機構３１９Ｂとを有する。但し、第１搬送機構３１９Ａと第２搬送機構３１９Ｂとは、同一の乾燥装置３３に複数枚の基板Ｗを同時に搬入する。その際に、第２搬送機構３１９Ｂの保持部３１２Ｂは、第１搬送機構３１９Ａの保持部３１２Ａの上方に配置されてよい。
第１搬送機構３１９Ａは、回転機構３１５Ａと移動機構３１６Ａと複数の保持部３１２Ａが、この順番で、下側から上方に向けて並んでいる。第１搬送機構３１９Ａは、上側の保持部３１２Ａで保持している基板Ｗを、乾燥装置３３に搬入する。
一方、第２搬送機構３１９Ｂは、回転機構３１５Ｂと移動機構３１６Ｂと複数の保持部３１２Ｂが、この順番で、上側から下方に向けて並んでいる。第１搬送機構３１９Ａは、下側の保持部３１２Ｂで保持している基板Ｗを、乾燥装置３３に搬入する。
以上、本開示に係る基板処理装置、及び基板処理方法の実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
１ 基板処理装置
３１ 第１搬送部（搬送部）
３２ 液処理装置（第１基板処理部）
３３ 乾燥装置（第２基板処理部）
Ｗ 基板

Claims (13)

  1. 基板を１枚ずつ処理する複数の第１基板処理部と、
    複数の前記第１基板処理部で処理された複数枚の前記基板を同時に処理する１以上の第２基板処理部と、
    複数の前記第１基板処理部で処理された複数枚の前記基板を、同一の前記第２基板処理部に同時に搬入する搬送部と、
    を備える、基板処理装置。
  2. 前記第１基板処理部は、前記基板の上に処理液を液盛りし、
    前記搬送部は、前記処理液を液盛りした状態で、前記基板を前記第１基板処理部から前記第２基板処理部に搬送する、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記第１基板処理部と前記第２基板処理部と前記搬送部を制御する制御部を備え、
    前記制御部は、同一の前記第２基板処理部に同時に搬入される予定の複数枚の前記基板の上に前記処理液を液盛りすることを、複数の前記第１基板処理部によって同時に完了させる、請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記第１基板処理部と前記第２基板処理部と前記搬送部を制御する制御部を備え、
    前記制御部は、同一の前記第２基板処理部に同時に搬入される予定の複数枚の前記基板の上に前記処理液を液盛りすることを、複数の前記第１基板処理部によって同時に開始させる、請求項２又は３に記載の基板処理装置。
  5. 前記搬送部は、水平方向に延びる搬送路を含み、
    同一の前記第２基板処理部に同時に搬入される予定の複数枚の前記基板を処理する複数の前記第１基板処理部が、前記搬送路を挟んで対称配置されており、
    前記第２基板処理部は、当該第２基板処理部に搬入される前記基板を処理する１つの前記第１基板処理部に隣接している、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  6. 複数の前記第２基板処理部が、前記搬送路を挟んで対称配置される、請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記第１基板処理部と前記第２基板処理部と前記搬送部を制御する制御部を備え、
    前記制御部は、前記搬送路を挟んで対称配置される複数の前記第１基板処理部から複数枚の前記基板を同時に搬出し、搬出した複数枚の前記基板を同一の前記第２基板処理部に同時に搬入する、請求項５又は６に記載の基板処理装置。
  8. 前記搬送部は、水平方向に延びる搬送路を含み、
    同一の前記第２基板処理部に同時に搬入される予定の複数枚の前記基板を処理する複数の前記第１基板処理部が、１つの前記搬送路の片側に、前記搬送路に沿って並んで配置され、互いに前記水平方向に隣接しており、
    前記第２基板処理部は、当該第２基板処理部に搬入される予定の前記基板を処理する前記第１基板処理部に隣接している、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  9. 前記搬送部は、水平方向に延びる搬送路を含み、
    同一の前記第２基板処理部に同時に搬入される予定の複数枚の前記基板を処理する複数の前記第１基板処理部が、１つの前記搬送路の片側にて、鉛直方向に積層されており、
    前記第２基板処理部は、当該第２基板処理部に同時に搬入される予定の前記基板を処理する前記第１基板処理部に隣接している、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  10. 前記搬送部は、水平方向に延びる搬送路を含み、
    同一の前記第２基板処理部に同時に搬入される予定の複数枚の前記基板を処理する複数の前記第１基板処理部が、１つの前記搬送路の片側にて、鉛直方向に積層されており、
    前記第２基板処理部は、当該第２基板処理部に同時に搬入される予定の前記基板を処理する前記第１基板処理部とは、前記搬送路を挟んで反対側に配置されている、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  11. 複数枚の前記基板を収容するキャリアが載置されるキャリア載置部と、前記キャリアから前記基板を取り出す第２搬送部と、前記第２搬送部よって渡される前記基板を受け取る受渡部と、前記第１基板処理部と前記第２基板処理部と前記搬送部と前記第２搬送部とを制御する制御部と、を備え、
    前記制御部は、同一の前記第２基板処理部に同時に搬入される予定の複数枚の前記基板を、前記搬送部によって前記受渡部から同時に取り出し、複数の前記第１基板処理部に搬送する、請求項１～１０のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  12. 前記第２基板処理部は、前記基板の上に液盛りされた前記処理液を超臨界流体に置換することで、前記基板を乾燥する、請求項２～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  13. 複数の第１基板処理部の各々で基板を１枚ずつ処理することと、
    複数の前記第１基板処理部で処理された複数枚の前記基板を、搬送部によって同一の第２基板処理部に同時に搬入することと、
    複数の前記第１基板処理部で処理された複数枚の前記基板を、同一の前記第２基板処理部で同時に処理することと、
    を有する、基板処理方法。
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